JP2005314720A - Vacuum treatment apparatus - Google Patents

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竜大 田口
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate waiting time for vacuum treatment and shorten tact time. <P>SOLUTION: A vacuum treatment apparatus 10 comprises a load chamber 11, a vacuum preheating chamber 12, a treatment chamber 13 and an unload chamber 14. In the vacuum preheating chamber 12, vacuum treatment is carried out on a substrate W for a longer period of time than that in a treatment chamber 13. The load chamber 11 has a switchable structure between an atmosphere release state and a vacuum closed state, and carries the substrate W out to the vacuum preheating chamber 12. The unload chamber 14 has also a switchable structure between an atmosphere release state and a vacuum closed state, and carries a treated substrate W in from the treatment chamber 13. The vacuum preheating chamber 12 has a capability of simultaneously treating more pieces of substrates W than the treatment chamber 13 has. The vacuum preheating chamber 12 has a carrier device 15 provided therein which further has changeable transportation lines L1 and L2 for transporting the substrate W from the treatment chamber 13 to the unload chamber 14. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、真空雰囲気中で薄膜形成、エッチング、熱処理などを行う真空処理装置に関する。   The present invention relates to a vacuum processing apparatus that performs thin film formation, etching, heat treatment, and the like in a vacuum atmosphere.

1台の装置で異なる複数の真空処理を順に行う場合、真空中で被処理物を処理室から次の処理室へ搬送する装置として、真空予備加熱室と処理室とを備え、真空予備加熱室に複数の基板搬送手段を設けたロードロック式真空装置が知られている。この装置では、真空予備加熱室で基板の予備加熱を続けながら、予備加熱済みの別の基板を真空予備加熱室から処理室へ基板搬送手段を使って搬送するように構成されている(例えば、特許文献1参照)。   In a case where a plurality of different vacuum processes are sequentially performed with one apparatus, a vacuum preheating chamber is provided as a device for transferring an object to be processed from a processing chamber to the next processing chamber in a vacuum. There is known a load lock type vacuum apparatus provided with a plurality of substrate transfer means. This apparatus is configured to transfer another preheated substrate from the vacuum preheating chamber to the processing chamber using the substrate transfer means while continuing to preheat the substrate in the vacuum preheating chamber (for example, Patent Document 1).

特開2001−239144号公報(第2頁、図2)JP 2001-239144 A (2nd page, FIG. 2)

特許文献1のロードロック式真空装置では、処理後の基板を大気中に取り出す際に、真空予備加熱室内を一旦大気圧にリークしなければならない。この作業中は、真空予備加熱を行うことができず、処理時間の空白が生じるという問題がある。   In the load lock type vacuum apparatus of Patent Document 1, when the processed substrate is taken out into the atmosphere, the inside of the vacuum preheating chamber must be once leaked to the atmospheric pressure. During this operation, there is a problem that vacuum preheating cannot be performed and a processing time gap occurs.

(1)請求項1の真空処理装置は、処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、処理前の被処理物を最初に真空処理を行う処理室へ搬出する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なロード室と、処理後の被処理物を最後に真空処理を行う処理室から搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なアンロード室とを備え、長時間処理室は、短時間処理室で同時に処理される被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする。この真空処理装置の長時間処理室内には、被処理物をロード室または直前に真空処理を行う処理室から長時間処理室を経由してアンロード室または直後に真空処理を行う処理室へ搬送するための切り換え可能な2つ以上の搬送経路を有する搬送手段を設けることが好ましい。
(2)請求項3の真空処理装置は、請求項1または2の真空処理装置において、最初に真空処理を行う処理室が長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が短時間処理室であってもよい。また、請求項4の真空処理装置は、請求項1または2の真空処理装置において、最初に真空処理を行う処理室が短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が長時間処理室であってもよい。
(3)請求項5の真空処理装置は、請求項1または2の真空処理装置において、長時間処理室が複数設けられ、最初に真空処理を行う処理室は、第1の長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室は、第2の長時間処理室であってもよい。また、請求項6の真空処理装置は、請求項1または2の真空処理装置において、短時間処理室が複数設けられ、最初に真空処理を行う処理室は、第1の短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室は、第2の短時間処理室であってもよい。
(1) In the vacuum processing apparatus according to the first aspect, a long-time processing chamber for performing vacuum processing with a long processing time, a short-time processing chamber for performing vacuum processing with a short processing time, and an object to be processed before processing are first vacuumed. The load chamber that can be switched between open to the atmosphere and vacuum sealed, which is carried out to the processing chamber where processing is performed, and the open to air and vacuum sealed, where the processed object is finally transported from the processing chamber where vacuum processing is performed. The long-time processing chamber is configured to simultaneously process a larger number of objects to be processed simultaneously in the short-time processing chamber. In the long-time processing chamber of this vacuum processing apparatus, the workpiece is transferred from the loading chamber or the processing chamber that performs vacuum processing immediately before to the unloading chamber or the processing chamber that performs vacuum processing immediately after passing through the long-time processing chamber. It is preferable to provide a transport means having two or more switchable transport paths.
(2) The vacuum processing apparatus according to claim 3 is the vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the first processing chamber is a long-time processing chamber and the last processing chamber is a short time. It may be a processing chamber. According to a fourth aspect of the present invention, in the vacuum processing apparatus of the first or second aspect, the first processing chamber is a short-time processing chamber, and the last processing chamber is a long-time processing. It may be a room.
(3) The vacuum processing apparatus according to claim 5 is the vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein a plurality of long-time processing chambers are provided, and the first processing chamber for vacuum processing is the first long-time processing chamber. In addition, the processing chamber that performs vacuum processing last may be the second long-time processing chamber. A vacuum processing apparatus according to a sixth aspect is the vacuum processing apparatus according to the first or second aspect, wherein a plurality of short-time processing chambers are provided, and the processing chamber that performs vacuum processing first is the first short-time processing chamber. The processing chamber in which the vacuum processing is finally performed may be the second short-time processing chamber.

(4)請求項7の真空処理装置は、処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、処理前の被処理物を長時間処理室へ搬出し、長時間真空処理および短時間真空処理後の被処理物を長時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、長時間処理室は、短時間処理室により同時に処理される被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする。この真空処理装置の長時間処理室内には、被処理物を受け渡し室から長時間処理室を経由して短時間処理室へ搬送するための第1の搬送経路および被処理物を短時間処理室から長時間処理室を経由して受け渡し室へ搬送するための第2の搬送経路を有する搬送手段を設けることが好ましい。
(5)請求項9の真空処理装置は、処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、処理前の被処理物を短時間処理室へ搬出し、短時間真空処理および長時間真空処理後の被処理物を短時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、長時間処理室は、短時間処理室により同時に処理される被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする。この真空処理装置の長時間処理室内には、被処理物を短時間処理室から搬入するための第1の搬送経路および短時間処理室へ搬送するための第2の搬送経路を有する搬送手段を設けることが好ましい。
(4) A vacuum processing apparatus according to a seventh aspect includes a long-time processing chamber for performing vacuum processing with a long processing time, a short-time processing chamber for performing vacuum processing with a short processing time adjacent to the long-time processing chamber, and a pre-processing A delivery chamber that can be switched between open to the atmosphere and vacuum-sealed, which carries out the long-time vacuum treatment and the short-time vacuum treatment through the long-time treatment chamber. The long-time processing chamber is configured to simultaneously process a larger number than the number of objects to be processed simultaneously by the short-time processing chamber. In the long-time processing chamber of this vacuum processing apparatus, the first transfer path for transferring the processing object from the delivery chamber to the short-time processing chamber via the long-time processing chamber and the processing object are stored in the short-time processing chamber. It is preferable to provide a transfer means having a second transfer path for transferring to the delivery chamber via the processing chamber for a long time.
(5) A vacuum processing apparatus according to a ninth aspect includes a long-time processing chamber for performing vacuum processing with a long processing time, a short-time processing chamber for performing vacuum processing with a short processing time adjacent to the long-time processing chamber, and a pre-processing A delivery chamber that can be switched between open-to-air and vacuum-sealed, which carries out the short-time vacuum processing and the long-time vacuum processing through the short-time processing chamber. The long-time processing chamber is configured to simultaneously process a larger number than the number of objects to be processed simultaneously by the short-time processing chamber. In the long-time processing chamber of the vacuum processing apparatus, there is provided a transfer means having a first transfer path for carrying an object to be processed from the short-time processing chamber and a second transfer path for transferring the workpiece to the short-time processing chamber. It is preferable to provide it.

本発明の真空処理装置は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な室を設けるとともに、長時間処理室における処理数を短時間処理室における処理数よりも多くしたので、処理の待ち時間をなくし、処理全体のタクトタイムを短縮することができる。   The vacuum processing apparatus of the present invention is provided with a chamber that can be switched between open to the atmosphere and vacuum-sealed, and the number of treatments in the long-time treatment chamber is larger than the number of treatments in the short-time treatment chamber, thereby eliminating the waiting time for the treatment. The tact time of the entire process can be shortened.

以下、本発明の実施の形態による真空処理装置を図1〜5を参照して説明する。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の第1の実施の形態による真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。真空処理装置10は、ロード室11、真空予備加熱室12、処理室13、アンロード室14および搬送装置15を備える。ロード室11とアンロード室14は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能に構成されている。真空予備加熱室12と処理室13は、真空処理装置10が稼動中は常時、内部が真空に保持される。ロード室11は、排気系11aとリーク系11bに接続され、アンロード室14は、排気系14aとリーク系14bに接続されている。真空予備加熱室12、処理室13は、それぞれ排気系12a,13aに接続されている。外部ステーション30は、真空処理装置10とは別体のものとして構成され、処理前の基板Wを保管して真空処理装置10へ供給するための筺体であり、内部は常時大気圧となっている。
Hereinafter, a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
<First Embodiment>
FIG. 1 is an overall configuration diagram schematically showing a configuration of a vacuum processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The vacuum processing apparatus 10 includes a load chamber 11, a vacuum preheating chamber 12, a processing chamber 13, an unload chamber 14, and a transfer device 15. The load chamber 11 and the unload chamber 14 are configured to be switchable between open air and vacuum sealing. The vacuum preheating chamber 12 and the processing chamber 13 are always kept in vacuum while the vacuum processing apparatus 10 is in operation. The load chamber 11 is connected to the exhaust system 11a and the leak system 11b, and the unload chamber 14 is connected to the exhaust system 14a and the leak system 14b. The vacuum preheating chamber 12 and the processing chamber 13 are connected to exhaust systems 12a and 13a, respectively. The external station 30 is configured as a separate body from the vacuum processing apparatus 10 and is a casing for storing the substrate W before processing and supplying it to the vacuum processing apparatus 10, and the inside is always at atmospheric pressure. .

ロード室11には、外部ステーション30側に面してゲートG1が設けられ、ロード室11と真空予備加熱室12の境界には、ゲートG2が設けられている。真空予備加熱室12と処理室13の境界には、ゲートG3が設けられ、処理室13とアンロード室14の境界には、ゲートG4が設けられている。アンロード室14には、ゲートG5が設けられている。ゲートG1〜G5は、基板Wの処理の際にはそれぞれ室内を密閉し、基板Wの搬出入の際にはそれぞれ室内を開放する。基板Wは、真空予備加熱室12で加熱され、処理室13で所定の処理、例えば、成膜、エッチング、スパッタリングが施される被処理物である。   The load chamber 11 is provided with a gate G 1 facing the external station 30 side, and a gate G 2 is provided at the boundary between the load chamber 11 and the vacuum preheating chamber 12. A gate G3 is provided at the boundary between the vacuum preheating chamber 12 and the processing chamber 13, and a gate G4 is provided at the boundary between the processing chamber 13 and the unload chamber 14. The unload chamber 14 is provided with a gate G5. The gates G <b> 1 to G <b> 5 each seal the chamber when the substrate W is processed, and open the chamber when the substrate W is loaded and unloaded. The substrate W is an object to be processed that is heated in the vacuum preheating chamber 12 and subjected to predetermined processing, for example, film formation, etching, and sputtering, in the processing chamber 13.

真空予備加熱室12内には、搬送装置15が設けられている。搬送装置15は、ロード室11から基板Wを搬入し、予備加熱が終了すると、処理室13へ基板Wを搬出するための搬送ラインを2系統有している。2系統の搬送ラインL1,L2の切り換えは、不図示のリフト機構により、図中、上下方向(y方向)に基板Wを移動して行われる。すなわち、搬送装置15は、図中、実線表示の位置(下位置という)と二点鎖線表示の位置(上位置という)とを切り換えできるように構成されている。2系統の搬送ラインL1,L2には、それぞれ基板Wを予備加熱するためのヒータ16が配設されている。   A conveying device 15 is provided in the vacuum preheating chamber 12. The transfer device 15 has two lines of transfer lines for carrying the substrate W from the load chamber 11 and carrying the substrate W out to the processing chamber 13 when the preheating is completed. Switching between the two transport lines L1 and L2 is performed by moving the substrate W in the vertical direction (y direction) in the figure by a lift mechanism (not shown). That is, the transport device 15 is configured to be able to switch between a solid line display position (referred to as a lower position) and a two-dot chain line display position (referred to as an upper position) in the drawing. A heater 16 for preheating the substrate W is disposed in each of the two transport lines L1 and L2.

図2は、本実施の形態による真空処理装置の搬送装置15を模式的に示す斜視図である。搬送装置15は、ヒータ16、搬出入口17a,17b、搬送部材18a、18bおよびリフト機構19を有する。搬出入口17a,17bは、基板Wを通過させるための開口である。搬送部材18a、18bは、予備加熱中は基板Wを載置し、搬出入時には軸廻りに回転して搬送ラインL1,L2に沿って基板Wを移送する複数の回転部材である。搬送装置15内部は、2段構造となっており、搬出入口17aと搬送部材18aの1セットが搬送ラインL1、搬出入口17bと搬送部材18bの1セットが搬送ラインL2を構成する。搬送ラインL1,L2は、互いに独立の搬送ラインである。なお、図2では、ヒータ16は、1つのみ図示されているが、図1のように、搬送ラインL1,L2に上下1セットづつ独立に制御可能に配設されている。   FIG. 2 is a perspective view schematically showing the transfer device 15 of the vacuum processing apparatus according to the present embodiment. The transport device 15 includes a heater 16, carry-in / out ports 17 a and 17 b, transport members 18 a and 18 b, and a lift mechanism 19. The carry-in / out ports 17a and 17b are openings through which the substrate W passes. The conveying members 18a and 18b are a plurality of rotating members that place the substrate W during preheating and rotate around the axis when carrying in and out to transfer the substrate W along the conveying lines L1 and L2. The inside of the conveying device 15 has a two-stage structure, and one set of the carry-in / out port 17a and the carrying member 18a constitutes the carry line L1, and one set of the carry-in / out port 17b and the carry member 18b constitutes the carry line L2. The conveyance lines L1 and L2 are independent conveyance lines. In FIG. 2, only one heater 16 is shown, but as shown in FIG. 1, the heaters 16 are arranged on the transfer lines L <b> 1 and L <b> 2 so as to be independently controllable one by one.

搬送装置15は、リフト機構19を有しており、リフト機構19は、移動シャフト19aと固定シャフト19bとから成り、移動シャフト19aの上面が搬送装置15の上部の底面に固設されており、不図示の動力機構により、移動シャフト19aが固定シャフト19bに対してy方向に移動して搬送装置15の上部を昇降する。なお、真空処理装置10には、外部ステーション30からロード室11へ基板Wを搬入する搬入装置と、アンロード室14から装置外部へ基板Wを搬出する搬出装置も設けられているが、図示を省略する。   The transport device 15 has a lift mechanism 19, and the lift mechanism 19 includes a moving shaft 19 a and a fixed shaft 19 b, and the upper surface of the moving shaft 19 a is fixed to the bottom surface of the upper portion of the transport device 15. By a power mechanism (not shown), the moving shaft 19a moves in the y direction with respect to the fixed shaft 19b and moves up and down the upper portion of the conveying device 15. The vacuum processing apparatus 10 is also provided with a loading apparatus for loading the substrate W from the external station 30 to the load chamber 11 and a unloading apparatus for unloading the substrate W from the unload chamber 14 to the outside of the apparatus. Omitted.

以下、図3を参照しながら、基板Wの搬送動作について説明する。図3は、真空処理装置10を用いた基板搬送のタイミングチャートであり、(a)〜(d)は、所定時間が経過したときの装置内部の状態を表わす。なお、煩雑になるのを避けるために、図3(a)のみに構成部品の符号を付す。   Hereinafter, the transfer operation of the substrate W will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a timing chart of substrate conveyance using the vacuum processing apparatus 10, and (a) to (d) represent the internal state of the apparatus when a predetermined time has elapsed. In addition, in order to avoid becoming complicated, the code | symbol of a component is attached | subjected only to Fig.3 (a).

本実施の形態では、真空予備加熱室12での予備加熱時間が処理室13での処理時間よりも長いことを前提とする。すなわち、真空予備加熱室12が長時間処理室に該当し、処理室13が短時間処理室に該当する。今、処理室13の処理時間(サイクルタイム)Tを基準とし、真空予備加熱室12の予備加熱時間を2×Tとする。矢印x1〜x5は、基板WをそれぞれゲートG1〜G5を通過させる動作を示す。動作x1では、ロード室11を大気圧に圧力調節した後にゲートG1を開いて基板Wを搬入し、ゲートG1を閉じてロード室11を真空排気する。動作x5でも同様に、アンロード室14を大気圧に圧力調節した後にゲートG5を開いて基板Wを搬出し、ゲートG5を閉じてアンロード室14を真空排気する。動作x2,x3,x4では、各室がほぼ同等の真空圧下にあり、圧力調節をせずにゲート開閉が行われる。また、基板Wには、処理される順番にW1,W2,W3・・・のように番号を付す。   In the present embodiment, it is assumed that the preheating time in the vacuum preheating chamber 12 is longer than the processing time in the processing chamber 13. That is, the vacuum preheating chamber 12 corresponds to a long-time processing chamber, and the processing chamber 13 corresponds to a short-time processing chamber. Now, based on the processing time (cycle time) T of the processing chamber 13, the preheating time of the vacuum preheating chamber 12 is 2 × T. Arrows x1 to x5 indicate operations of passing the substrate W through the gates G1 to G5, respectively. In operation x1, after the pressure of the load chamber 11 is adjusted to atmospheric pressure, the gate G1 is opened to load the substrate W, the gate G1 is closed, and the load chamber 11 is evacuated. Similarly, in the operation x5, after the pressure of the unload chamber 14 is adjusted to the atmospheric pressure, the gate G5 is opened to unload the substrate W, the gate G5 is closed, and the unload chamber 14 is evacuated. In operations x2, x3, and x4, the chambers are under substantially the same vacuum pressure, and the gates are opened and closed without adjusting the pressure. The substrates W are numbered as W1, W2, W3... In the order of processing.

図3(a)は、1番目の基板W1を動作x3により真空予備加熱室12から処理室13へ移送したときの真空処理装置10の状態を示しており、これを初期状態t=0とする。このとき、搬送装置15は下位置にあり、基板W2は、搬送装置15の下段で処理時間Tが経過している。基板W3は、動作x2により搬送装置15の上段へ移送される。基板W4は、動作x1によりロード室11に搬入される。基板Wの搬入時にはロード室11内を大気開放し、搬入後に真空排気する。   FIG. 3A shows a state of the vacuum processing apparatus 10 when the first substrate W1 is transferred from the vacuum preheating chamber 12 to the processing chamber 13 by the operation x3, and this is an initial state t = 0. . At this time, the transport device 15 is in the lower position, and the processing time T has elapsed for the substrate W2 in the lower stage of the transport device 15. The substrate W3 is transferred to the upper stage of the transport device 15 by the operation x2. The substrate W4 is carried into the load chamber 11 by the operation x1. When the substrate W is carried in, the load chamber 11 is opened to the atmosphere and evacuated after the loading.

図3(b)は、1サイクルの時間が経過し、t=Tのときの真空処理装置10の状態を示す。このとき、基板W1は、動作x4によりアンロード室14へ移送される。搬送装置15を上位置に移動しておき、サイクルタイム2×Tの処理が終了した基板W2は、動作x3により処理室13へ移送される。基板W3は、搬送装置15の上段で処理時間Tが経過している。基板W4は、動作x2により搬送装置15の下段へ移送される。基板W5は、動作x1によりロード室11に搬入される。   FIG. 3B shows the state of the vacuum processing apparatus 10 when one cycle has elapsed and t = T. At this time, the substrate W1 is transferred to the unload chamber 14 by the operation x4. The substrate W2 which has been transferred to the upper position and has been processed for the cycle time 2 × T is transferred to the processing chamber 13 by the operation x3. For the substrate W3, the processing time T has passed in the upper stage of the transfer device 15. The substrate W4 is transferred to the lower stage of the transport device 15 by the operation x2. The substrate W5 is carried into the load chamber 11 by the operation x1.

図3(c)は、さらに1サイクルの時間が経過し、t=2Tのときの真空処理装置10の状態を示す。このとき、基板W1は、動作x5により装置外部へ搬出される。基板W2は、動作x4によりアンロード室14へ移送される。搬送装置15を下位置に移動しておき、サイクルタイム2×Tの処理が終了した基板W3は、動作x3により処理室13へ移送される。基板W4は、搬送装置15の下段で処理時間Tが経過している。基板W5は、動作x2により搬送装置15の上段へ移送される。基板W6は、動作x1によりロード室11に搬入される。   FIG. 3C shows the state of the vacuum processing apparatus 10 when one cycle has elapsed and t = 2T. At this time, the substrate W1 is carried out of the apparatus by the operation x5. The substrate W2 is transferred to the unload chamber 14 by the operation x4. The substrate W3 which has been transferred to the lower position and has been processed for the cycle time 2 × T is transferred to the processing chamber 13 by the operation x3. For the substrate W4, the processing time T has passed in the lower stage of the transfer device 15. The substrate W5 is transferred to the upper stage of the transfer device 15 by the operation x2. The substrate W6 is carried into the load chamber 11 by the operation x1.

図3(d)は、さらに1サイクルの時間が経過し、t=3Tのときの真空処理装置10の状態を示す。このとき、基板W2は、動作x5により装置外部へ搬出される。基板W3は、動作x4によりアンロード室14へ移送される。搬送装置15を上位置に移動しておき、サイクルタイム2×Tの処理が終了した基板W4は、動作x3により処理室13へ移送される。基板W5は、搬送装置15の上段で処理時間Tが経過している。基板W6は、動作x2により搬送装置15の下段へ移送される。基板W7は、動作x1によりロード室11に搬入される。   FIG. 3D shows the state of the vacuum processing apparatus 10 when one cycle has elapsed and t = 3T. At this time, the substrate W2 is carried out of the apparatus by the operation x5. The substrate W3 is transferred to the unload chamber 14 by the operation x4. The substrate W4 that has been transferred to the upper position and has been processed for the cycle time 2 × T is transferred to the processing chamber 13 by the operation x3. For the substrate W5, the processing time T has passed in the upper stage of the transfer device 15. The substrate W6 is transferred to the lower stage of the transport device 15 by the operation x2. The substrate W7 is carried into the load chamber 11 by the operation x1.

以下、上記工程の繰り返しにより、複数の基板Wを連続的に処理することができる。図3のタイミングチャートに示されるように、ロード室11、真空予備加熱室12、処理室13、アンロード室14および搬送装置15には常に基板Wが存在しており、空き時間が全く生じない。従って、複数種類の真空処理を1台の真空処理装置で行う場合にタクトタイムを短縮することができる。   Hereinafter, a plurality of substrates W can be processed continuously by repeating the above steps. As shown in the timing chart of FIG. 3, the substrate W is always present in the load chamber 11, the vacuum preheating chamber 12, the processing chamber 13, the unload chamber 14, and the transfer device 15, and no idle time is generated. . Accordingly, the tact time can be shortened when a plurality of types of vacuum processing are performed by a single vacuum processing apparatus.

本実施の形態では、ロード室11、真空予備加熱室12、処理室13、アンロード室14の4室構成の真空処理装置10において、先に長時間処理(予備加熱)を行い、後に短時間処理を行う装置構成であったが、予備加熱時間が処理室13による処理時間よりも短い場合、つまり、先に短時間処理を行う真空処理装置にも本発明が適用できる。この場合は、長時間処理を行う処理室13に2段の搬送ラインを有する搬送装置15を設ければよい。さらに、真空予備加熱室12と処理室13との間に、別の長時間処理を行う処理室および/または別の短時間処理を行う処理室を連結する真空処理装置にも本発明が適用できる。   In the present embodiment, in the vacuum processing apparatus 10 having a four-chamber configuration including the load chamber 11, the vacuum preheating chamber 12, the processing chamber 13, and the unload chamber 14, a long time treatment (preheating) is performed first, and a short time later. Although the apparatus configuration is such that the processing is performed, the present invention can also be applied to a vacuum processing apparatus in which the preheating time is shorter than the processing time in the processing chamber 13, that is, the processing is performed first for a short time. In this case, a transfer device 15 having a two-stage transfer line may be provided in the processing chamber 13 that performs long-time processing. Furthermore, the present invention can also be applied to a vacuum processing apparatus in which a processing chamber that performs another long-time processing and / or a processing chamber that performs another short-time processing is connected between the vacuum preheating chamber 12 and the processing chamber 13. .

本実施の形態の変形例として、最初に真空処理を行う処理室が長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の長時間処理室である真空処理装置や、最初に真空処理を行う処理室が短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の短時間処理室である真空処理装置にも本発明が適用できる。上記変形例の場合でも、長時間処理を行う処理室に2段の搬送ラインを有する搬送装置15を設ければよい。さらに、最初に真空処理を行う処理室が長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の長時間処理室である真空処理装置の場合、これら2つの長時間処理室の間には、短時間処理室が連結されるのは当然であるが、第3の長時間処理室を設けることもできる。また、最初に真空処理を行う処理室が短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の短時間処理室である真空処理装置の場合、これら2つの短時間処理室の間には、長時間処理室が連結されるのは当然であるが、第3の短時間処理室を設けることもできる。   As a modification of the present embodiment, a vacuum processing apparatus in which the first processing chamber is a long-time processing chamber and the last processing chamber is another long-time processing chamber, The present invention can also be applied to a vacuum processing apparatus in which a processing chamber for performing processing is a short-time processing chamber and a processing chamber for performing vacuum processing is another short-time processing chamber. Even in the case of the above-described modification, a transfer device 15 having a two-stage transfer line may be provided in a processing chamber that performs long-time processing. Further, in the case of a vacuum processing apparatus in which the first processing chamber is a long-time processing chamber and the last processing chamber is another long-time processing chamber, the space between these two long-time processing chambers. Of course, a short-time processing chamber is connected, but a third long-time processing chamber can also be provided. Further, in the case of a vacuum processing apparatus in which the first processing chamber is a short-time processing chamber and the last processing chamber is another short-time processing chamber, the space between these two short-time processing chambers. In addition, it is natural that a long-time processing chamber is connected, but a third short-time processing chamber can also be provided.

〈第2の実施の形態〉
図4は、本発明の第2の実施の形態による真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。真空処理装置20は、ロード/アンロード室21、真空予備加熱室22、処理室23および搬送装置15を備える。ロード/アンロード室21は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能に構成されている。真空予備加熱室22と処理室23は、真空処理装置20が稼動中は常時、内部が真空に保持される。ロード/アンロード室21は、排気系21aとリーク系21bに接続されている。真空予備加熱室22、処理室23は、それぞれ排気系22a,23aに接続されている。外部ステーション40は、真空処理装置20とは別体のものとして構成され、処理前の基板Wを保管して真空処理装置20へ供給するとともに、処理後の基板Wを回収するための筺体であり、内部は常時大気圧となっている。
<Second Embodiment>
FIG. 4 is an overall configuration diagram schematically showing the configuration of the vacuum processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. The vacuum processing apparatus 20 includes a load / unload chamber 21, a vacuum preheating chamber 22, a processing chamber 23, and a transfer device 15. The load / unload chamber 21 is configured to be switchable between atmospheric release and vacuum sealing. The vacuum preheating chamber 22 and the processing chamber 23 are always kept in vacuum while the vacuum processing apparatus 20 is in operation. The load / unload chamber 21 is connected to an exhaust system 21a and a leak system 21b. The vacuum preheating chamber 22 and the processing chamber 23 are connected to exhaust systems 22a and 23a, respectively. The external station 40 is configured as a separate body from the vacuum processing apparatus 20 and is a housing for storing and supplying the substrate W before processing to the vacuum processing apparatus 20 and collecting the processed substrate W. The interior is always at atmospheric pressure.

ロード/アンロード室21には、外部ステーション40側に面してゲートG6が設けられ、ロード/アンロード室21と真空予備加熱室22の境界には、ゲートG7が設けられ、真空予備加熱室22と処理室23の境界には、ゲートG8が設けられている。ゲートG6〜G8は、基板Wの処理の際にはそれぞれ室内を密閉し、基板Wの搬出入の際にはそれぞれ室内を開放する。   The load / unload chamber 21 is provided with a gate G 6 facing the external station 40, and a gate G 7 is provided at the boundary between the load / unload chamber 21 and the vacuum preheating chamber 22. A gate G8 is provided at the boundary between 22 and the processing chamber 23. Each of the gates G6 to G8 seals the chamber when the substrate W is processed, and opens the chamber when the substrate W is loaded and unloaded.

真空予備加熱室22内には、第1の実施の形態の搬送装置15と同様の搬送装置25が設けられている。搬送装置25の構成は、搬送装置15と同様であるが、搬送ラインによる搬送方向が異なる。搬送装置25は、ロード/アンロード室21から基板Wを搬入し、予備加熱が終了すると、処理室23へ基板Wを搬出するための搬送ラインL3と、処理室23から処理済みの基板Wを搬入し、ロード/アンロード室21へ搬出するための搬送ラインL4を有している。搬送装置25の構造については説明を省略する。また、搬送ラインL3,L4に合わせて、ロード/アンロード室21には、搬出専用の上段21Aと搬入専用の21Bの2段を有する。外部ステーション40も同様である。   In the vacuum preheating chamber 22, a transfer device 25 similar to the transfer device 15 of the first embodiment is provided. The configuration of the transport device 25 is the same as that of the transport device 15, but the transport direction by the transport line is different. The transfer device 25 loads the substrate W from the load / unload chamber 21, and when the preheating is completed, the transfer device 25 transfers the substrate W that has been processed from the process chamber 23 and the transfer line L <b> 3 for unloading the substrate W to the process chamber 23. A conveyance line L4 for carrying in and carrying out to the load / unload chamber 21 is provided. Description of the structure of the transport device 25 is omitted. In addition, the load / unload chamber 21 has two stages, that is, an upper stage 21A dedicated to carry-out and 21B dedicated to carry-in in accordance with the transfer lines L3 and L4. The same applies to the external station 40.

図5は、第2の実施の形態による真空処理装置20を用いた基板搬送のタイミングチャートであり、(a)〜(d)は、時間が経過したときの装置内部の状態を表わす。本実施の形態でも第1の実施の形態と同様に、真空予備加熱室22が長時間処理室に該当し、処理室23が短時間室に該当するものとし、また、処理室23の処理時間(サイクルタイム)Tを基準として真空予備加熱室22の予備加熱時間を2×Tとする。矢印x6〜x8は、基板WをそれぞれゲートG6〜G8を通過させる動作を示し、矢印x9は、基板WをゲートG8,G7を順次通過させる動作を示し、矢印x10は、基板WをゲートG6を通過させる動作を示す。動作x7,x8は、搬送ラインL3による動作であり、動作x9は、搬送ラインL4による動作である。動作x6では、ロード/アンロード室21を大気圧に圧力調節した後にゲートG6を開いて基板Wを搬入し、ゲートG6を閉じてロード/アンロード室21を真空排気する。動作x10でも同様に、ロード/アンロード室21を大気圧に圧力調節した後にゲートG6を開いて基板Wを搬出し、ゲートG6を閉じてロード/アンロード室21を真空排気する。動作x7,x8,x9では、各室がほぼ同等の真空圧下にあり、圧力調節をせずにゲート開閉が行われる。   FIG. 5 is a timing chart of substrate conveyance using the vacuum processing apparatus 20 according to the second embodiment, and (a) to (d) show the internal state of the apparatus when time elapses. Also in the present embodiment, as in the first embodiment, the vacuum preheating chamber 22 corresponds to a long-time processing chamber, the processing chamber 23 corresponds to a short-time chamber, and the processing time of the processing chamber 23 (Cycle time) Based on T, the preheating time of the vacuum preheating chamber 22 is 2 × T. Arrows x6 to x8 indicate the operation of passing the substrate W through the gates G6 to G8, arrow x9 indicates the operation of sequentially passing the substrate W through the gates G8 and G7, and arrow x10 indicates the operation of passing the substrate W through the gate G6. The operation to pass is shown. Operations x7 and x8 are operations by the transport line L3, and operations x9 are operations by the transport line L4. In operation x6, after the pressure of the load / unload chamber 21 is adjusted to atmospheric pressure, the gate G6 is opened to load the substrate W, the gate G6 is closed, and the load / unload chamber 21 is evacuated. Similarly, in the operation x10, after the pressure of the load / unload chamber 21 is adjusted to atmospheric pressure, the gate G6 is opened, the substrate W is unloaded, the gate G6 is closed, and the load / unload chamber 21 is evacuated. In operations x7, x8, and x9, the chambers are under substantially the same vacuum pressure, and the gates are opened and closed without adjusting the pressure.

図5(a)は、1番目の基板W1を動作x8により真空予備加熱室22から処理室23へ移送したときの真空処理装置20の状態を示しており、これを初期状態t=0とする。このとき、搬送装置25を下位置とし、基板W2は、搬送装置25の下段で処理時間Tが経過している。基板W3は、動作x7により搬送装置25の上段へ移送される。基板W4は、動作x6によりロード/アンロード室21の上段21Aに搬入される。   FIG. 5A shows the state of the vacuum processing apparatus 20 when the first substrate W1 is transferred from the vacuum preheating chamber 22 to the processing chamber 23 by operation x8, and this is the initial state t = 0. . At this time, the transfer device 25 is in the lower position, and the substrate W2 has a processing time T in the lower stage of the transfer device 25. The substrate W3 is transferred to the upper stage of the transfer device 25 by operation x7. The substrate W4 is carried into the upper stage 21A of the load / unload chamber 21 by the operation x6.

図5(b)は、1サイクルの時間が経過し、t=Tのときの真空処理装置20の状態を示す。先ず、搬送装置25を上位置に移動しておき、基板W1は、動作x9により処理室23から真空予備加熱室22を通過してロード/アンロード室21の下段21Bへ移送される。サイクルタイム2×Tの処理が終了した基板W2は、動作x8により処理室23へ移送される。基板W3は、搬送装置25の上段で処理時間Tが経過している。基板W4は、動作x7により搬送装置25の下段へ移送される。   FIG. 5B shows the state of the vacuum processing apparatus 20 when one cycle has elapsed and t = T. First, the transfer device 25 is moved to the upper position, and the substrate W1 is transferred from the processing chamber 23 to the lower stage 21B of the load / unload chamber 21 through the vacuum preheating chamber 22 by operation x9. The substrate W2 that has been processed at the cycle time 2 × T is transferred to the processing chamber 23 by the operation x8. For the substrate W3, the processing time T has passed in the upper stage of the transfer device 25. The substrate W4 is transferred to the lower stage of the transport device 25 by the operation x7.

図5(c)は、さらに1サイクルの時間が経過し、t=2Tのときの真空処理装置20の状態を示す。このt=2Tとなる前に、ロード/アンロード室21が大気開放されて、基板W1は、動作x10により外部ステーション40へ搬出されるとともに、基板W5は、動作x6によりロード/アンロード室21に搬入され、真空排気が完了している。基板W2は、動作x9により処理室23から真空予備加熱室22を通過してロード/アンロード室21の下段21Bへ移送される。続いて、搬送装置25を下位置に移動しておき、サイクルタイム2×Tの処理が終了した基板W3は、動作x8により処理室23へ移送される。基板W4は、搬送装置25の下段で処理時間Tが経過している。基板W5は、動作x7により搬送装置25の上段へ移送される。   FIG. 5C shows the state of the vacuum processing apparatus 20 when one cycle has elapsed and t = 2T. Before t = 2T, the load / unload chamber 21 is opened to the atmosphere, and the substrate W1 is carried out to the external station 40 by operation x10, and the substrate W5 is loaded / unload chamber 21 by operation x6. The evacuation is completed. The substrate W2 is transferred from the processing chamber 23 to the lower stage 21B of the load / unload chamber 21 through the vacuum preheating chamber 22 by the operation x9. Subsequently, the transfer device 25 is moved to the lower position, and the substrate W3 that has been processed for the cycle time 2 × T is transferred to the processing chamber 23 by the operation x8. For the substrate W4, the processing time T has passed in the lower stage of the transfer device 25. The substrate W5 is transferred to the upper stage of the transfer device 25 by operation x7.

図5(d)は、さらに1サイクルの時間が経過し、t=3Tのときの真空処理装置20の状態を示す。このt=3Tとなる前に、ロード/アンロード室21が大気開放されて、基板W2は、動作x10により外部ステーション40へ搬出されるとともに、基板W6は、動作x6によりロード/アンロード室21に搬入され、真空排気が完了している。搬送装置25を上位置に移動しておき、基板W3は、動作x9により処理室23から真空予備加熱室22を通過してロード/アンロード室21の下段21Bへ移送される。続いて、サイクルタイム2×Tの処理が終了した基板W4は、動作x8により処理室23へ移送される。基板W5は、搬送装置25の上段で処理時間Tが経過している。基板W6は、動作x7により搬送装置25の下段へ移送される。   FIG. 5D shows the state of the vacuum processing apparatus 20 when one cycle has elapsed and t = 3T. Before t = 3T, the load / unload chamber 21 is opened to the atmosphere, and the substrate W2 is carried out to the external station 40 by the operation x10, and the substrate W6 is loaded by the operation x6. The evacuation is completed. The transport device 25 is moved to the upper position, and the substrate W3 is transferred from the processing chamber 23 to the lower stage 21B of the load / unload chamber 21 through the vacuum preheating chamber 22 by the operation x9. Subsequently, the substrate W4 that has been processed for the cycle time 2 × T is transferred to the processing chamber 23 by the operation x8. For the substrate W5, the processing time T has elapsed in the upper stage of the transfer device 25. The substrate W6 is transferred to the lower stage of the transport device 25 by operation x7.

以下、上記工程の繰り返しにより、複数の基板Wを連続的に処理することができる。図5のタイミングチャートに示されるように、真空予備加熱室22、処理室23および搬送装置25には常に基板Wが存在しており、空き時間が生じない。ロード/アンロード室21は、基板Wの搬出入のために大気開放と真空排気を各サイクルタイムで1回づつ行うが、この動作は基板Wの処理中に行われるので、処理の空き時間は全く生じない。従って、複数種類の真空処理を1台の真空処理装置で行う場合にタクトタイムを短縮することができる。   Hereinafter, a plurality of substrates W can be processed continuously by repeating the above steps. As shown in the timing chart of FIG. 5, the substrate W is always present in the vacuum preheating chamber 22, the processing chamber 23, and the transfer device 25, and no free time is generated. The load / unload chamber 21 releases the atmosphere and evacuates once in each cycle time for loading and unloading the substrate W. This operation is performed during the processing of the substrate W. It does not occur at all. Accordingly, the tact time can be shortened when a plurality of types of vacuum processing are performed by a single vacuum processing apparatus.

本実施の形態の真空処理装置20は、ロード/アンロード室21、真空予備加熱室22、処理室23の3室構成であるので、第1の実施の形態の4室構成の真空処理装置10と比べて同じ処理能力をもちながら小型化を達成できる。   Since the vacuum processing apparatus 20 of the present embodiment has a three-chamber configuration including a load / unload chamber 21, a vacuum preheating chamber 22, and a processing chamber 23, the four-chamber vacuum processing apparatus 10 of the first embodiment. Compared to, it can achieve downsizing while having the same processing capability.

本実施の形態の真空処理装置20は、先に長時間処理(予備加熱)を行い、後に短時間処理を行う装置構成であったが、順序を逆にして、先に短時間処理を行い、後に長時間処理を行うにも本発明が適用できる。すなわち、本実施の形態の真空予備加熱室22と処理室23を入れ替えて、ロード/アンロード室21、処理室23、真空予備加熱室22の順に配置する。この変形例の場合は、予備加熱を処理の後に行うことはあり得ないので、処理室23で真空予備加熱を行い、真空予備加熱室22で処理室23での処理と同じ処理をする。この場合も、長時間処理を行う室に2段の搬送ラインを有する搬送装置25を設ければよい。さらに、本実施の形態および上記変形例において、短時間処理室と長時間処理室の間に、別の長時間処理を行う処理室および/または別の短時間処理を行う処理室を連結する真空処理装置にも本発明が適用できる。   Although the vacuum processing apparatus 20 of this Embodiment was an apparatus structure which performs a long time process (preliminary heating) previously and performs a short time process later, reverse the order and perform a short time process first, The present invention can also be applied to long-time processing later. That is, the vacuum preheating chamber 22 and the processing chamber 23 of the present embodiment are exchanged, and the load / unload chamber 21, the processing chamber 23, and the vacuum preheating chamber 22 are arranged in this order. In the case of this modification, since preheating cannot be performed after the processing, vacuum preheating is performed in the processing chamber 23, and the same processing as that in the processing chamber 23 is performed in the vacuum preheating chamber 22. In this case as well, a transfer device 25 having a two-stage transfer line may be provided in a chamber for long-time processing. Further, in the present embodiment and the above-described modification, a vacuum that connects a processing chamber that performs another long-time processing and / or a processing chamber that performs another short-time processing between the short-time processing chamber and the long-time processing chamber. The present invention can also be applied to a processing apparatus.

本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。例えば、上記実施の形態では、短時間処理のサイクルタイムをTとしたときに、長時間処理のサイクルタイムを2×Tとし、搬送装置15,25の搬送ラインの本数を2本としたが、長時間処理のサイクルタイムが3×Tならば、搬送ラインの数を3本とするように、サイクルタイムに合わせて増設することができる。また、搬送ラインの配置は、上下2段に限らず、水平方向に2列でもよい。   The present invention is not limited to the embodiments described above as long as the characteristics are not impaired. For example, in the above embodiment, when the cycle time for short-time processing is T, the cycle time for long-time processing is 2 × T, and the number of transfer lines of the transfer devices 15 and 25 is two. If the cycle time for long-time processing is 3 × T, the number of transfer lines can be increased to three according to the cycle time. Further, the arrangement of the conveying lines is not limited to the upper and lower two stages, but may be two rows in the horizontal direction.

本発明の第1の実施の形態に係る真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。1 is an overall configuration diagram schematically showing a configuration of a vacuum processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る真空処理装置の搬送装置を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the conveying apparatus of the vacuum processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る真空処理装置を用いた基板搬送のタイミングチャートである。It is a timing chart of substrate conveyance using the vacuum processing apparatus concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態に係る真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。It is a whole block diagram which shows typically the structure of the vacuum processing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る真空処理装置を用いた基板搬送のタイミングチャートである。It is a timing chart of substrate conveyance using the vacuum processing apparatus concerning a 2nd embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10,20:真空処理装置
11:ロード室
12,22:真空予備加熱室
13,23:処理室
14:アンロード室
15,25:搬送装置
G1〜G8:ゲート
W,W1〜W8:基板(被処理物)
10, 20: Vacuum processing apparatus 11: Load chamber 12, 22: Vacuum preheating chamber 13, 23: Processing chamber 14: Unload chamber 15, 25: Transfer device G1 to G8: Gate W, W1 to W8: Substrate Processed material)

Claims (10)

処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、
処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、
処理前の被処理物を最初に真空処理を行う処理室へ搬出する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なロード室と、
処理後の前記被処理物を最後に真空処理を行う処理室から搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なアンロード室とを備え、
前記長時間処理室は、前記短時間処理室で同時に処理される前記被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
A long-time processing chamber for long-time vacuum processing,
A short-time processing chamber for vacuum processing with a short processing time;
A load chamber capable of switching between open-to-air and vacuum-sealed, which unloads the object to be processed to a processing chamber where vacuum processing is first performed;
An unloading chamber capable of switching between opening to the atmosphere and vacuum sealing, carrying in the processing object after processing from the processing chamber for performing vacuum processing at the end,
The vacuum processing apparatus, wherein the long-time processing chamber is configured to simultaneously process a larger number than the number of the objects to be processed that are simultaneously processed in the short-time processing chamber.
請求項1に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室内には、前記被処理物を前記ロード室または直前に真空処理を行う処理室から前記長時間処理室を経由して前記アンロード室または直後に真空処理を行う処理室へ搬送するための切り換え可能な2つ以上の搬送経路を有する搬送手段が設けられていることを特徴とする真空処理装置。
The vacuum processing apparatus according to claim 1,
In the long-time processing chamber, the object to be processed is transferred from the loading chamber or a processing chamber that performs vacuum processing immediately before to the unloading chamber or a processing chamber that performs vacuum processing immediately after passing through the long-time processing chamber. A vacuum processing apparatus characterized in that a transport means having two or more switchable transport paths is provided.
請求項1または2に記載の真空処理装置において、
前記最初に真空処理を行う処理室は、前記長時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、前記短時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
The vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2,
The processing chamber that performs vacuum processing first is the long-time processing chamber,
The vacuum processing apparatus is characterized in that the processing chamber for performing vacuum processing at the end is the short-time processing chamber.
請求項1または2に記載の真空処理装置において、
前記最初に真空処理を行う処理室は、前記短時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、前記長時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
The vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2,
The processing chamber that performs the vacuum processing first is the short-time processing chamber,
The vacuum processing apparatus is characterized in that the processing chamber for performing vacuum processing last is the long-time processing chamber.
請求項1または2に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室が複数設けられ、
前記最初に真空処理を行う処理室は、第1の長時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、第2の長時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
The vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2,
A plurality of the long-time processing chambers are provided,
The first processing chamber that performs vacuum processing is a first long-time processing chamber,
The vacuum processing apparatus is characterized in that the last processing chamber for vacuum processing is a second long-time processing chamber.
請求項1または2に記載の真空処理装置において、
前記短時間処理室が複数設けられ、
前記最初に真空処理を行う処理室は、第1の短時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、第2の短時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
The vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2,
A plurality of the short-time processing chambers;
The first processing chamber that performs vacuum processing is a first short-time processing chamber,
The vacuum processing apparatus is characterized in that the processing chamber for performing vacuum processing last is a second short-time processing chamber.
処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、
前記長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、
処理前の被処理物を前記長時間処理室へ搬出し、前記長時間真空処理および短時間真空処理後の前記被処理物を前記長時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、
前記長時間処理室は、前記短時間処理室により同時に処理される前記被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
A long-time processing chamber for long-time vacuum processing,
A short-time processing chamber adjacent to the long-time processing chamber and performing vacuum processing with a short processing time;
Unloading the processing object before processing to the long-time processing chamber and switching the open-air and vacuum-sealing for transferring the processing object after the long-time vacuum processing and the short-time vacuum processing through the long-time processing chamber With a possible delivery room,
The vacuum processing apparatus, wherein the long-time processing chamber is configured to simultaneously process a larger number than the number of objects to be processed that are simultaneously processed by the short-time processing chamber.
請求項7に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室内には、前記被処理物を前記受け渡し室から前記長時間処理室を経由して前記短時間処理室へ搬送するための第1の搬送経路および前記被処理物を前記短時間処理室から前記長時間処理室を経由して前記受け渡し室へ搬送するための第2の搬送経路を有する搬送手段が設けられていることを特徴とする真空処理装置。
The vacuum processing apparatus according to claim 7,
In the long-time processing chamber, a first transfer path for transferring the object to be processed from the delivery chamber to the short-time processing chamber via the long-time processing chamber, and the object to be processed in the short-time processing chamber. A vacuum processing apparatus, comprising a transfer means having a second transfer path for transferring from a processing chamber to the delivery chamber via the long-time processing chamber.
処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、
前記長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、
処理前の被処理物を前記短時間処理室へ搬出し、前記短時間真空処理および長時間真空処理後の前記被処理物を前記短時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、
前記長時間処理室は、前記短時間処理室により同時に処理される前記被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
A long-time processing chamber for long-time vacuum processing,
A short-time processing chamber adjacent to the long-time processing chamber and performing vacuum processing with a short processing time;
Unloading the processing object before processing to the short-time processing chamber, switching the opening to the atmosphere and vacuum-sealing for transporting the processing object after the short-time vacuum processing and long-time vacuum processing through the short-time processing chamber With a possible delivery room,
The vacuum processing apparatus, wherein the long-time processing chamber is configured to simultaneously process a larger number than the number of objects to be processed that are simultaneously processed by the short-time processing chamber.
請求項9に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室内には、前記被処理物を前記短時間処理室から搬入するための第1の搬送経路および前記短時間処理室へ搬送するための第2の搬送経路を有する搬送手段が設けられていることを特徴とする真空処理装置。
The vacuum processing apparatus according to claim 9, wherein
In the long-time processing chamber, there is provided a transfer means having a first transfer path for carrying the object to be processed from the short-time processing chamber and a second transfer path for transferring to the short-time processing chamber. The vacuum processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013014795A (en) * 2011-06-30 2013-01-24 Ulvac Japan Ltd Vacuum processing device and method for producing lithium ion secondary battery
CN109979848A (en) * 2017-12-28 2019-07-05 佳能特机株式会社 Substrate heating equipment and film formation device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013014795A (en) * 2011-06-30 2013-01-24 Ulvac Japan Ltd Vacuum processing device and method for producing lithium ion secondary battery
CN109979848A (en) * 2017-12-28 2019-07-05 佳能特机株式会社 Substrate heating equipment and film formation device

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