JP2005311095A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005311095A JP2005311095A JP2004126419A JP2004126419A JP2005311095A JP 2005311095 A JP2005311095 A JP 2005311095A JP 2004126419 A JP2004126419 A JP 2004126419A JP 2004126419 A JP2004126419 A JP 2004126419A JP 2005311095 A JP2005311095 A JP 2005311095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- ldmos
- formation region
- gate oxide
- transistor formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】 LDMOS用ゲート酸化膜の端部の厚さをLDMOS用ゲート酸化膜本体と同じ厚さに維持することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】LDMOSトランジスタ形成領域1b及びMOSトランジスタ形成領域1aを有する半導体基板1を熱酸化することにより、LDMOSトランジスタ形成領域1b及びMOSトランジスタ形成領域1aそれぞれに酸化膜3a,30bを形成する工程と、LDMOSトランジスタ形成領域1bから酸化膜30bを除去する工程と、半導体基板1を再び熱酸化する事により、MOSトランジスタ形成領域1aの酸化膜3aを厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、LDMOSトランジスタ形成領域1bにLDMOS用ゲート酸化膜3bを形成する工程とを具備する。
【選択図】 図1
【解決手段】LDMOSトランジスタ形成領域1b及びMOSトランジスタ形成領域1aを有する半導体基板1を熱酸化することにより、LDMOSトランジスタ形成領域1b及びMOSトランジスタ形成領域1aそれぞれに酸化膜3a,30bを形成する工程と、LDMOSトランジスタ形成領域1bから酸化膜30bを除去する工程と、半導体基板1を再び熱酸化する事により、MOSトランジスタ形成領域1aの酸化膜3aを厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、LDMOSトランジスタ形成領域1bにLDMOS用ゲート酸化膜3bを形成する工程とを具備する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、MOSトランジスタ及びLD(Laterally Diffused) MOSトランジスタの双方を備える半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、LDMOS用ゲート酸化膜の端部の厚さをLDMOS用ゲート酸化膜本体と同じ厚さに維持することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
図12の各図は、MOSトランジスタ及びLDMOSトランジスタを同一のシリコン基板上に備える半導体装置の従来の製造方法を示す断面図である。この半導体装置においてMOSトランジスタはLDMOSトランジスタを動作させるためのロジックトランジスタであり、LDMOSトランジスタより高電圧で動作する。このためMOSトランジスタのゲート酸化膜はLDMOSトランジスタのゲート酸化膜より厚く形成される。
まず図12(A)に示すようにシリコン基板101のMOSトランジスタ形成領域100aにP型ウェル101aを形成し、またLDMOSトランジスタ形成領域100bにN型ウェル101bを形成する。次いでLOCOS法によりシリコン基板101の表面に素子分離膜102を形成し、MOSトランジスタ形成領域100aとLDMOSトランジスタ形成領域100bを分離する。このとき素子分離膜102の一部は、LDMOSトランジスタ形成領域100bの中にも形成される。
次いでシリコン基板101を熱酸化する。これによりMOSトランジスタ形成領域100aにはMOS用ゲート酸化膜103aが形成され、LDMOSトランジスタ形成領域100bにはLDMOS用ゲート酸化膜103bが形成される。この工程において熱酸化量はLDMOS用ゲート酸化膜103bの厚さに合わせている。このため、本工程で形成されたMOS用ゲート酸化膜103aは、MOSトランジスタの動作電圧に耐えるには厚さが不十分である。
次いで素子分離膜102上、MOS用ゲート酸化膜103a上及びLDMOS用ゲート酸化膜103b上を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることによりLDMOSトランジスタのLDMOS用ゲート電極104bを形成する。LDMOS用ゲート電極104bは一部がLDMOSトランジスタ形成領域100b内の素子分離膜102上に位置し、残りの部分がLDMOS用ゲート酸化膜103b上に位置する。
次いで図12(B)に示すようにシリコン基板101を再び熱酸化する。これによりMOS用ゲート酸化膜103aは厚くなり、MOSトランジスタの動作電圧に耐えることができるようになる。このときLDMOS用ゲート酸化膜103bのうちLDMOS用ゲート電極104bに覆われていない露出部分103cは、MOS用ゲート酸化膜103aと同様に厚くなる。またLDMOS用ゲート電極104bの下に位置するLDMOS用ゲート酸化膜103bのうち露出部分103cに隣接する端部103dは、熱酸化してLDMOS用ゲート酸化膜103b本体と比べて厚くなる。このとき図示しないが、LDMOS用ゲート電極104bの表面も酸化され、酸化シリコン膜が形成される。
次いで図12(C)に示すようにLDMOSトランジスタ形成領域100bのうちソースとなるN型拡散層を形成すべき部分をのぞいた領域、及びMOSトランジスタ形成領域100aそれぞれをレジストパターン110で覆い、このレジストパターン110、LDMOS用ゲート電極104b及び素子分離膜102をマスクとしてシリコン基板101にP型不純物をイオン注入する。そしてレジストパターン110を除去した後シリコン基板101を熱処理し、P型不純物イオンを熱拡散させる。これらの処理により、ソースとなるN型拡散層を形成すべき領域及びこれに隣接する領域にはP型不純物層105が形成される。P型不純物層105は一部がLDMOS用ゲート電極104bの下方まで広がっている。
次いで図12(D)に示すように、MOS用ゲート酸化膜103a上を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることによりMOS用ゲート酸化膜103a上にMOS用ゲート電極104aを形成する。次いで素子分離膜102、MOS用ゲート電極104a及びLDMOS用ゲート電極104bをマスクとしてN型イオンを注入する。これによりMOSトランジスタ形成領域100aにはソース及びドレインとなる2つのN型拡散層106aが形成される。またLDMOSトランジスタ形成領域100bにはソース及びドレインとなる2つのN型拡散層106bが形成される。ソースとなるN型拡散層106bはP型不純物層105の内部に形成されている。
このように形成された半導体装置において、LDMOSトランジスタは例えば以下のように動作する。LDMOS用ゲート電極104bに電圧が加わるとP型不純物層105のうちLDMOS用ゲート電極104bの下方に位置する部分の極性が反転する。これによりLDMOSトランジスタのソースからN型ウェル101b及びP型不純物層105の反転した部分を経由してドレインに電流が流れる。
このような技術は、例えば下記文献に記載されている。
B.Murai、F.Bertotti、G.A.Vignola著「Smart Power lcs」Springer社、P.31
このような技術は、例えば下記文献に記載されている。
B.Murai、F.Bertotti、G.A.Vignola著「Smart Power lcs」Springer社、P.31
上記した方法では、LDMOS用ゲート酸化膜の端部はLDMOS用ゲート酸化膜本体より厚くなる。またP型不純物層のうちLDMOS用ゲート酸化膜の下方に位置する領域は、LDMOS用ゲート電極に覆われていない部分に近づくにつれて不純物濃度が高くなる。このためLDMOS用ゲート酸化膜に規定の電圧を加えてもP型不純物層105の極性が反転しにくい場合があった。このためLDMOSトランジスタの特性が設計値からずれる可能性があった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、LDMOS用ゲート酸化膜の端部の厚さをLDMOS用ゲート酸化膜本体と同じ厚さに維持することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、LDMOS用ゲート酸化膜の端部の厚さをLDMOS用ゲート酸化膜本体と同じ厚さに維持することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
LDMOSトランジスタ形成領域、第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域を有する半導体基板を熱酸化することにより、前記LDMOSトランジスタ形成領域、前記第1MOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれの前記半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれから前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記LDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜をそれぞれ形成する工程と
を具備する。
LDMOSトランジスタ形成領域、第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域を有する半導体基板を熱酸化することにより、前記LDMOSトランジスタ形成領域、前記第1MOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれの前記半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれから前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記LDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜をそれぞれ形成する工程と
を具備する。
この半導体装置の製造方法において、LDMOS用ゲート酸化膜を形成する前に第1MOS用ゲート酸化膜となる酸化膜をある程度の厚さほど形成している。そしてシリコン基板を再び熱酸化することによりLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると同時に第1MOS用ゲート酸化膜を必要な厚さにする。このためLDMOS用ゲート酸化膜の厚さは部分的に厚くならず、LDMOSトランジスタの特性は設計値からずれ難くなる。また第1MOSトランジスタと特性が異なる第2MOSトランジスタを同時に形成することもできる。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、LDMOSトランジスタ形成領域及びMOSトランジスタ形成領域を有する半導体基板を熱酸化することにより、前記LDMOSトランジスタ形成領域及び前記MOSトランジスタ形成領域それぞれの前記半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOSトランジスタ形成領域から前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化する事により、前記MOSトランジスタ形成領域の前記酸化膜を厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記LDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
前記LDMOSトランジスタ形成領域から前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化する事により、前記MOSトランジスタ形成領域の前記酸化膜を厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記LDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
この半導体装置の製造方法において、LDMOS用ゲート酸化膜を形成する前にMOS用ゲート酸化膜となる酸化膜をある程度の厚さほど形成している。そしてシリコン基板を再び熱酸化することによりLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると同時にMOS用ゲート酸化膜を必要な厚さにする。このためLDMOS用ゲート酸化膜の厚さは部分的に厚くならず、従ってLDMOSトランジスタの特性は設計値からずれ難くなる。
半導体基板を再び熱酸化する工程の後に、MOS用ゲート酸化膜上及びLDMOS用ゲート酸化膜上それぞれを含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、ポリシリコン膜をパターニングすることによりMOS用ゲート酸化膜上にMOS用ゲート電極を、LDMOS用ゲート酸化膜上にLDMOS用ゲート電極を、それぞれ形成する工程とを更に具備してもよい。この場合MOS用ゲート電極とLDMOS用ゲート電極を同時に形成することができるため、半導体装置の製造に必要な工程数を少なくすることができる。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板の第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域それぞれに熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上、及び該LDMOS用ゲート電極の周囲に位置する前記LDMOSゲート酸化膜上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより前記第1MOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と、
前記第2MOSトランジスタ形成領域から前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をすることにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板の第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域それぞれに熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上、及び該LDMOS用ゲート電極の周囲に位置する前記LDMOSゲート酸化膜上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより前記第1MOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と、
前記第2MOSトランジスタ形成領域から前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をすることにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
この半導体装置の製造方法によれば、LDMOS用ゲート酸化膜及びLDMOS用ゲート電極を保護膜で覆った後にシリコン基板を再び熱酸化し、第1MOS用ゲート酸化膜を厚くしている。このため第1MOS用ゲート酸化膜を厚くするときにLDMOS用ゲート酸化膜はいずれの部分も厚くならない。従ってLDMOSトランジスタの特性は設計値からずれにくくなる。また第1MOSトランジスタと特性が異なる第2MOSトランジスタを同時に形成することもできる。
半導体基板に三度目の熱酸化処理をする工程の後に、保護膜を除去する工程と、第1MOS用ゲート酸化膜上、及び第2MOS用ゲート酸化膜上を含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、ポリシリコン膜をパターニングすることにより第1MOS用ゲート酸化膜上に第1MOS用ゲート電極を形成すると同時に第2MOS用ゲート酸化膜上に第2MOS用ゲート電極を形成する工程とを更に具備してもよい。この場合第1MOS用ゲート電極と第2MOS用ゲート電極を同時に形成することができるため、半導体装置の製造に必要な工程数を少なくすることができる。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板のMOSトランジスタ形成領域に熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上、及び該LDMOS用ゲート電極の周囲に位置する前記LDMOSゲート酸化膜上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより前記MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上、及び該LDMOS用ゲート電極の周囲に位置する前記LDMOSゲート酸化膜上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより前記MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
この半導体装置の製造方法によれば、LDMOS用ゲート酸化膜及びLDMOS用ゲート電極を保護膜で覆った後にシリコン基板を再び熱酸化し、MOS用ゲート酸化膜を厚くしている。このためMOS用ゲート酸化膜を厚くするときにLDMOS用ゲート酸化膜はいずれの部分も厚くならない。従ってLDMOSトランジスタの特性は設計値からずれにくくなる。
この半導体装置の製造方法において、LDMOS用ゲート電極を形成する工程は、LDMOS用ゲート酸化膜上、ならびにLDMOSトランジスタ形成領域及びMOS用トランジスタ形成領域の双方とも異なる領域上にポリシリコン膜を形成し、該ポリシリコン膜をパターニングすることにより、LDMOS用ゲート電極を形成すると同時に異なる領域上にキャパシタ用第1電極を形成する工程であり、保護膜を形成する工程は、LDMOS用ゲート電極上、LDMOSゲート酸化膜上及びキャパシタ用第1電極の上に保護膜を形成する工程であり、更に半導体基板に再び熱酸化する工程の後に、MOS用ゲート酸化膜上及び保護膜を含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、ポリシリコン膜をパターニングすることによりMOS用ゲート酸化膜上にMOS用ゲート電極を形成すると同時に、キャパシタ用第1電極の上方に、保護膜上に位置するキャパシタ用第2電極を形成する工程と、キャパシタ用第2電極をマスクとして保護膜をエッチングすることにより、キャパシタ用第1電極及びキャパシタ用第2電極の間に保護膜をキャパシタ用絶縁膜として残すと共に、LDMOS用ゲート電極上及びLDMOSゲート酸化膜上から保護膜を除去する工程とを更に具備してもよい。この場合、LDMOSトランジスタ及びMOSトランジスタを形成すると同時に、キャパシタ用第1電極、キャパシタ用絶縁膜及びキャパシタ用第2電極からなるキャパシタを形成することができる。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板の第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域それぞれに熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上を含む全面上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより、前記LDMOS用ゲート電極の側壁に前記保護膜の一部であるサイドウオールを形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記LDMOS形成領域のうち前記LDMOS用ゲート電極及び前記サイドウオールのいずれも存在しない領域、前記第1MOSトランジスタ形成領域、及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と、
前記第2MOSトランジスタ形成領域から前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をすることにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板の第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域それぞれに熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上を含む全面上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより、前記LDMOS用ゲート電極の側壁に前記保護膜の一部であるサイドウオールを形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記LDMOS形成領域のうち前記LDMOS用ゲート電極及び前記サイドウオールのいずれも存在しない領域、前記第1MOSトランジスタ形成領域、及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と、
前記第2MOSトランジスタ形成領域から前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をすることにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する。
この半導体装置の製造方法によれば、LDMOS用ゲート電極の側壁を保護膜で覆った後にシリコン基板を再び熱酸化し、第1MOS用ゲート酸化膜を厚くしている。このため第1MOS用ゲート酸化膜を厚くするときに、LDMOS用ゲート酸化膜のうち側壁の下に位置する部分は厚くなるが、LDMOS用ゲート電極の下に位置する部分は厚くならない。従ってLDMOSトランジスタの特性は設計値からずれにくくなる。また第1MOSトランジスタと特性が異なる第2MOSトランジスタを同時に形成することもできる。
半導体基板に三度目の熱酸化処理をする工程の後に、第1MOS用ゲート酸化膜上、第2MOS用ゲート酸化膜上及び保護膜上それぞれを含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、ポリシリコン膜をパターニングすることにより第1MOS用ゲート酸化膜上に第1MOS用ゲート電極を形成すると同時に第2MOS用ゲート酸化膜上に第2MOS用ゲート電極を形成する工程とを更に具備してもよい。この場合第1MOS用ゲート電極と第2MOS用ゲート電極を同時に形成することができる。従って半導体装置の製造に必要な工程数を少なくすることができる。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板のMOSトランジスタ形成領域に熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上を含む全面上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより、前記LDMOS用ゲート電極の側壁に前記保護膜の一部であるサイドウオールを形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記LDMOS形成領域のうち前記LDMOS用ゲート電極及び前記サイドウオールのいずれも存在しない領域、及び前記MOSトランジスタ形成領域それぞれにおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と
を具備する。
半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板のMOSトランジスタ形成領域に熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上を含む全面上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより、前記LDMOS用ゲート電極の側壁に前記保護膜の一部であるサイドウオールを形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記LDMOS形成領域のうち前記LDMOS用ゲート電極及び前記サイドウオールのいずれも存在しない領域、及び前記MOSトランジスタ形成領域それぞれにおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と
を具備する。
この半導体装置の製造方法によれば、LDMOS用ゲート電極の側壁を保護膜で覆った後にシリコン基板を再び熱酸化し、MOS用ゲート酸化膜を厚くしている。このためMOS用ゲート酸化膜を厚くするときに、LDMOS用ゲート酸化膜のうち側壁の下に位置する部分は厚くなるが、LDMOS用ゲート電極の下に位置する部分は厚くならない。従ってLDMOSトランジスタの特性は設計値からずれにくくなる。
本発明に係る半導体装置は、同一の半導体基板上にLDMOSトランジスタ及びMOSトランジスタを備える半導体装置であって、前記LDMOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さは、前記MOSトランジスタのゲート酸化膜より薄く、かつ略均一である。
同一の半導体基板上にLDMOSトランジスタ及びMOSトランジスタを備える半導体装置であって、
前記LDMOSトランジスタのゲート電極は、側壁にサイドウオールを有し、
前記LDMOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さは、ゲート電極の下において前記MOSトランジスタのゲート酸化膜より薄くかつ略均一であり、前記サイドウオールの下において徐々に厚くなって前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さに近づいている。
前記LDMOSトランジスタのゲート電極は、側壁にサイドウオールを有し、
前記LDMOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さは、ゲート電極の下において前記MOSトランジスタのゲート酸化膜より薄くかつ略均一であり、前記サイドウオールの下において徐々に厚くなって前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さに近づいている。
(第1の実施形態)
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1及び図2の各図は第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置はLDMOSトランジスタと高電圧MOSトランジスタを備えている。高電圧MOSトランジスタはLDMOSトランジスタを動作させるためのロジックトランジスタであり、LDMOSトランジスタより高電圧で動作する。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1及び図2の各図は第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置はLDMOSトランジスタと高電圧MOSトランジスタを備えている。高電圧MOSトランジスタはLDMOSトランジスタを動作させるためのロジックトランジスタであり、LDMOSトランジスタより高電圧で動作する。
まず図1(A)に示すようにシリコン基板1の高電圧MOSトランジスタ形成領域1aにP型ウェル20aを形成すると共に、LDMOSトランジスタ形成領域1bにN型ウェル20bを形成する。次いでLOCOS法によりシリコン基板1の表面に素子分離膜2を形成し、高電圧MOSトランジスタ形成領域1aとLDMOSトランジスタ形成領域1bを分離する。このとき素子分離膜2の一部は、LDMOSトランジスタ形成領域1bの中にも形成される。
次いでシリコン基板1を熱酸化する。これにより高電圧MOSトランジスタ形成領域1aには高電圧MOS用ゲート酸化膜3aが形成されると共に、LDMOSトランジスタ形成領域1bには酸化膜30bが形成される。この工程を含めて本実施形態では2回熱酸化を行うが、2回の熱酸化を経て高電圧MOS用ゲート酸化膜3aの厚さは高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐える厚さになる。このため本工程では熱酸化量を調節し、高電圧MOS用ゲート酸化膜3aの厚さを必要な厚さより薄くなるようにする。
次いで図1(B)に示すように素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a及び酸化膜30bを含む全面上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することによりレジストパターン10を形成する。レジストパターン10は酸化膜30b上に開口部を有している。
そしてレジストパターン10をマスクとしてエッチングを行うことにより、LDMOSトランジスタ形成領域1bのシリコン基板1から酸化膜30bを除去する。
そしてレジストパターン10をマスクとしてエッチングを行うことにより、LDMOSトランジスタ形成領域1bのシリコン基板1から酸化膜30bを除去する。
次いで図1(C)に示すようにレジストパターン10を除去した後、シリコン基板1を再び熱酸化する。これによりLDMOSトランジスタ形成領域1bにはLDMOS用ゲート酸化膜3bが形成される。また高電圧MOSトランジスタ形成領域1aの高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなり、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐える厚さになる。
次いで図1(D)に示すように高電圧MOS用ゲート酸化膜3a及びLDMOS用ゲート酸化膜3bを含む全面上にポリシリコン膜4を例えばCVD法により形成する。
次いで図2(A)に示すようにポリシリコン膜4上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜4をエッチングすることにより、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a上に位置する高電圧MOS用ゲート電極4aを形成すると同時にLDMOS用ゲート酸化膜3b上に位置するLDMOS用ゲート電極4bを形成する。なおLDMOS用ゲート電極4bは、一部がLDMOSトランジスタ形成領域1bの中に形成された素子分離膜2上に位置している。
次いで図2(A)に示すようにポリシリコン膜4上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜4をエッチングすることにより、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a上に位置する高電圧MOS用ゲート電極4aを形成すると同時にLDMOS用ゲート酸化膜3b上に位置するLDMOS用ゲート電極4bを形成する。なおLDMOS用ゲート電極4bは、一部がLDMOSトランジスタ形成領域1bの中に形成された素子分離膜2上に位置している。
次いで図2(B)に示すようにレジストパターンを除去した後、LDMOSトランジスタ形成領域1bのソースとなるN型拡散層を形成すべき部分及びその近傍を除いて全面をレジストパターン11で覆い、レジストパターン11、素子分離膜2及びLDMOS用ゲート電極4bをマスクとしてシリコン基板1にP型不純物をイオン注入する。そしてレジストパターン11を除去した後、シリコン基板1を熱処理し、P型不純物イオンを熱拡散させる。これらの処理により、ソースとなるN型拡散層を形成すべき領域及びその周囲にはP型不純物層5が形成される。P型不純物層5は一部がLDMOS用ゲート電極4bの下方まで広がっている。
次いで図2(C)に示すように、素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート電極4a及びLDMOS用ゲート電極4bをマスクとしてN型イオンを注入し、所定の熱処理を施す。これにより高電圧MOSトランジスタ形成領域1aにはソース及びドレインとなる2つのN型拡散層6aが形成される。またLDMOSトランジスタ形成領域1bにはソース及びドレインとなる2つのN型拡散層6bが形成される。これらのうちソースとなるN型拡散層6bはP型不純物層5の内部に形成されている。
このようにして形成される半導体装置は、高電圧MOS用ゲート電極4aに電圧(例えば30V)が印加されて高電圧MOSトランジスタがONになると、図示しない配線を経由して高電圧MOSトランジスタのソースからLDMOSトランジスタのLDMOS用ゲート電極4bに電圧が印加される。するとP型不純物層5のうちLDMOS用ゲート電極4bの下方に位置する部分の極性が反転する。これによりLDMOSトランジスタのソースからN型ウェル20b及びP型不純物層5の反転した部分を経由してドレインに電流が流れる。
以上のように第1の実施形態によれば、LDMOS用ゲート酸化膜3bを形成する前に高電圧MOS用ゲート酸化膜3aをある程度の厚さほど形成している。そしてシリコン基板1を熱酸化することによりLDMOS用ゲート酸化膜3bを形成すると同時に高電圧MOS用ゲート酸化膜3aを必要な厚さにする。このためLDMOS用ゲート酸化膜3bの厚さは部分的に厚くならず、略均一になる。従ってLDMOSトランジスタの特性は設計値からずれにくくなる。また高電圧MOSトランジスタとLDMOSトランジスタのゲート電極を同一工程で形成することができる。従って半導体装置の製造に必要な工程数を少なくすることができる。
(第2の実施形態)
図3及び図4の各図は第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態により製造される半導体装置は、LDMOSトランジスタと同程度の低電圧で動作する低電圧MOSトランジスタを更に備える点を除いて第1の実施形態によって製造される半導体装置と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図3及び図4の各図は第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態により製造される半導体装置は、LDMOSトランジスタと同程度の低電圧で動作する低電圧MOSトランジスタを更に備える点を除いて第1の実施形態によって製造される半導体装置と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図3(A)に示すようにシリコン基板1の高電圧MOSトランジスタ形成領域1a,低電圧MOSトランジスタ形成領域1cそれぞれにP型ウェル20aを形成すると共に、LDMOSトランジスタ形成領域1bにN型ウェル20bを形成する。次いでLOCOS法によりシリコン基板1の表面に素子分離膜2を形成し、高電圧MOSトランジスタ形成領域1a,低電圧MOSトランジスタ形成領域1c,LDMOSトランジスタ形成領域1bを互いに分離する。このとき素子分離膜2の一部は、LDMOSトランジスタ形成領域1bの中にも形成される。
次いでシリコン基板1を熱酸化する。これにより高電圧MOSトランジスタ形成領域1aには高電圧MOS用ゲート酸化膜3aが形成されると共に、LDMOSトランジスタ形成領域1b,低電圧MOSトランジスタ形成領域1cそれぞれには酸化膜30bが形成される。
次いで図3(B)に示すようにレジストパターン10を形成する。次いでレジストパターン10をマスクとしてエッチングを行うことにより、LDMOSトランジスタ形成領域1b,低電圧MOSトランジスタ形成領域1cそれぞれから酸化膜30bを除去する。
次いで図3(C)に示すようにレジストパターン10を除去した後、シリコン基板1を再び熱酸化する。これによりLDMOSトランジスタ形成領域1bにはLDMOS用ゲート酸化膜3bが形成され、低電圧MOSトランジスタ形成領域1cには低電圧MOS用ゲート酸化膜3cが形成される。また高電圧MOSトランジスタ形成領域1aの高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなり、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐える厚さになる。
次いで図4(A)に示すように高電圧MOS用ゲート酸化膜3a,LDMOS用ゲート酸化膜3b,低電圧MOS用ゲート酸化膜3cそれぞれを含む全面上にポリシリコン膜4を例えばCVD法により形成する。
次いでポリシリコン膜4の全面上に酸化シリコン膜12を例えばCVD法により形成し、酸化シリコン膜12をパターニングする。これによりポリシリコン膜4のうちLDMOSトランジスタ形成領域1bに位置する部分は酸化シリコン膜12で覆われる。次いでシリコン基板1をN型不純物拡散用の熱拡散炉(図示せず)に入れる。これによりポリシリコン膜4のうち高電圧MOSトランジスタ形成領域1a,低電圧MOSトランジスタ形成領域1cそれぞれに位置する部分は、N型不純物が熱拡散することにより低抵抗化する。
次いで酸化シリコン膜12をエッチングにより除去した後、シリコン基板1を再びN型不純物拡散用の熱拡散炉に入れる。これによりポリシリコン膜4全体にN型不純物が熱拡散し、抵抗値が全体的に下がる。ただしLDMOSトランジスタ形成領域1bに位置する部分の抵抗値はその他の部分の抵抗値より高いままである。
次いでポリシリコン膜4の全面上に酸化シリコン膜12を例えばCVD法により形成し、酸化シリコン膜12をパターニングする。これによりポリシリコン膜4のうちLDMOSトランジスタ形成領域1bに位置する部分は酸化シリコン膜12で覆われる。次いでシリコン基板1をN型不純物拡散用の熱拡散炉(図示せず)に入れる。これによりポリシリコン膜4のうち高電圧MOSトランジスタ形成領域1a,低電圧MOSトランジスタ形成領域1cそれぞれに位置する部分は、N型不純物が熱拡散することにより低抵抗化する。
次いで酸化シリコン膜12をエッチングにより除去した後、シリコン基板1を再びN型不純物拡散用の熱拡散炉に入れる。これによりポリシリコン膜4全体にN型不純物が熱拡散し、抵抗値が全体的に下がる。ただしLDMOSトランジスタ形成領域1bに位置する部分の抵抗値はその他の部分の抵抗値より高いままである。
次いで図4(B)に示すようにポリシリコン膜4上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜4をエッチングすることにより、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a上に位置する高電圧MOS用ゲート電極4a,低電圧MOS用ゲート酸化膜3c上に位置する低電圧MOS用ゲート電極4c,LDMOS用ゲート酸化膜3b上に位置するLDMOS用ゲート電極4bそれぞれを形成する。なおLDMOS用ゲート電極4bの抵抗値は高電圧MOS用ゲート電極4a,低電圧MOS用ゲート電極4cそれぞれの抵抗値より高い。
次いで図4(C)に示すようにレジストパターンを除去した後、LDMOSトランジスタ形成領域1bにP型不純物層5を形成する。そして素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート電極4a、低電圧MOS用ゲート電極4c及びLDMOS用ゲート電極4bをマスクとしてN型イオンを注入し、所定の熱処理を施す。これにより高電圧MOSトランジスタ形成領域1aには2つのN型拡散層6aが形成され、低電圧MOSトランジスタ形成領域1cにはソース及びドレインとなる2つのN型拡散層6cが形成され、LDMOSトランジスタ形成領域1bには2つのN型拡散層6bが形成される。
上記した第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また高電圧MOSトランジスタ、LDMOSトランジスタと同時に低電圧MOSトランジスタも形成することができる。
上記した第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また高電圧MOSトランジスタ、LDMOSトランジスタと同時に低電圧MOSトランジスタも形成することができる。
(第3の実施形態)
図5及び図6の各図は第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態により製造される半導体装置の構成は第1の実施形態と略同一であり高電圧MOSトランジスタ及びLDMOSトランジスタを同一のシリコン基板上に備えている。以下第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図5及び図6の各図は第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態により製造される半導体装置の構成は第1の実施形態と略同一であり高電圧MOSトランジスタ及びLDMOSトランジスタを同一のシリコン基板上に備えている。以下第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図5(A)に示すようにシリコン基板1の高電圧MOSトランジスタ形成領域1aにP型ウェル20aを形成し、またLDMOSトランジスタ形成領域1bにN型ウェル20bを形成する。次いでLOCOS法によりシリコン基板1の表面に素子分離膜2を形成する。
次いでシリコン基板1を熱酸化する。これにより高電圧MOSトランジスタ形成領域1aには高電圧MOS用ゲート酸化膜3aが形成され、LDMOSトランジスタ形成領域1bにはLDMOS用ゲート酸化膜3bが形成される。この工程において熱酸化量はLDMOS用ゲート酸化膜3bの厚さに合わせている。このため、本工程で形成された高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えるには厚さが不十分である。
次いでシリコン基板1を熱酸化する。これにより高電圧MOSトランジスタ形成領域1aには高電圧MOS用ゲート酸化膜3aが形成され、LDMOSトランジスタ形成領域1bにはLDMOS用ゲート酸化膜3bが形成される。この工程において熱酸化量はLDMOS用ゲート酸化膜3bの厚さに合わせている。このため、本工程で形成された高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えるには厚さが不十分である。
次いで高電圧MOSトランジスタ形成領域1a及びLDMOSトランジスタ形成領域1bを含む全面上にポリシリコン膜を例えばCVD法により形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることによりLDMOSトランジスタ形成領域1bに、LDMOS用ゲート酸化膜3bの一部の上に位置するLDMOS用ゲート電極4bを形成する。
次いで図5(B)に示すように素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a、LDMOS用ゲート酸化膜3b及びLDMOS用ゲート電極4bを含む全面上に窒化シリコン膜を例えばCVD法により形成する。次いでこの窒化シリコン膜上にレジストパターン14を形成する。レジストパターン14はLDMOSトランジスタ形成領域1bの窒化シリコン膜を覆っている。次いでレジストパターン14をマスクとして窒化シリコン膜をエッチングすることにより保護用窒化シリコン膜13aを形成する。保護用窒化シリコン膜13aは、LDMOS用ゲート酸化膜3b及びLDMOS用ゲート電極4bを覆っている。
次いでレジストパターン14を除去した後、シリコン基板1を再び熱酸化する。これにより高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなり、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えることができるようになる。このときLDMOS用ゲート酸化膜3bは保護用窒化シリコン膜13aに覆われているため、いずれの部分も厚くならない。
次いで図6(A)に示すように保護用窒化シリコン膜13a上、素子分離膜2の一部上及び高電圧MOS用ゲート酸化膜3a上を含む全面上にポリシリコン膜を例えばCVD法により形成する。次いでこのポリシリコン膜をエッチングによりパターニングすることにより高電圧MOS用ゲート酸化膜3a上に高電圧MOS用ゲート電極4aを形成する。このとき保護用窒化シリコン膜13aもエッチングされて除去される。
次いで図6(B)に示すようにLDMOSトランジスタ形成領域1bにP型不純物層5を形成する。次いで高電圧MOSトランジスタ形成領域1aに2つのN型拡散層6aを形成すると共にLDMOSトランジスタ形成領域1bに2つのN型拡散層6bを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
次いで図6(B)に示すようにLDMOSトランジスタ形成領域1bにP型不純物層5を形成する。次いで高電圧MOSトランジスタ形成領域1aに2つのN型拡散層6aを形成すると共にLDMOSトランジスタ形成領域1bに2つのN型拡散層6bを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
以上のように第3の実施形態によれば、LDMOS用ゲート酸化膜3b及びLDMOS用ゲート電極4bを保護用窒化シリコン膜13aで覆った後にシリコン基板1を再び熱酸化し、高電圧MOS用ゲート酸化膜3aを厚くしている。このため高電圧MOS用ゲート酸化膜3aを厚くするときにLDMOS用ゲート酸化膜3bはいずれの部分も厚くならない。従ってLDMOSトランジスタの特性は設計値からずれにくくなる。
なお上記した工程では、保護用窒化シリコン膜13aを除去する前にポリシリコン膜を形成していたが、保護用窒化シリコン膜13aを熱リン酸などでエッチングして除去した後にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をエッチングによりパターニングすることにより高電圧MOS用ゲート電極4aを形成してもよい。
なお上記した工程では、保護用窒化シリコン膜13aを除去する前にポリシリコン膜を形成していたが、保護用窒化シリコン膜13aを熱リン酸などでエッチングして除去した後にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をエッチングによりパターニングすることにより高電圧MOS用ゲート電極4aを形成してもよい。
(第4の実施形態)
図7の各図は第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置は、シリコン基板1上にONOキャパシタが更に形成されている点を除いて第3の実施形態と同一である。以下、第3の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図7の各図は第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置は、シリコン基板1上にONOキャパシタが更に形成されている点を除いて第3の実施形態と同一である。以下、第3の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図7(A)に示すようにシリコン基板1に素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a、LDMOS用ゲート酸化膜3b、LDMOSゲート電極4b、及び保護用窒化シリコン膜13aを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。またシリコン基板1の他の場所には、LDMOSゲート電極4bを形成するときに、ポリシリコンからなる第1のキャパシタ用電極42が形成されている。なおLDMOS用ゲート電極4b,第1のキャパシタ用電極42それぞれの表層には薄い酸化シリコン層4d,43が自然に形成されている。また保護用窒化シリコン層13aは第1のキャパシタ用電極42上にも形成されているが、この保護用窒化シリコン層13aは、熱酸化により高電圧MOS用ゲート酸化膜3aを厚くする際に表層が酸化される。これにより保護用窒化シリコン層13aの表層には薄い酸化シリコン層13bを形成されている。
次いで図7(B)に示すように酸化シリコン層13b上及び高電圧MOS用ゲート酸化膜3aを含む全面上にポリシリコン膜44を形成する。
次いで図7(C)に示すようにポリシリコン膜44の全面上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜44をエッチングすることにより、高電圧MOS用ゲート電極4aを形成すると同時に第2のキャパシタ用電極45を形成する。
次いで同じレジストパターンをマスクとして酸化シリコン層13b及び保護用窒化シリコン層13aをエッチングすることにより、ポリシリコンパターン42の上のみに保護用窒化シリコン層13a及び酸化シリコン層13bを残す。このようにして酸化シリコン層43,保護用窒化シリコン層13a及び酸化シリコン層13bによってキャパシタ用絶縁層13cが形成される。
次いで図7(C)に示すようにポリシリコン膜44の全面上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することによりレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜44をエッチングすることにより、高電圧MOS用ゲート電極4aを形成すると同時に第2のキャパシタ用電極45を形成する。
次いで同じレジストパターンをマスクとして酸化シリコン層13b及び保護用窒化シリコン層13aをエッチングすることにより、ポリシリコンパターン42の上のみに保護用窒化シリコン層13a及び酸化シリコン層13bを残す。このようにして酸化シリコン層43,保護用窒化シリコン層13a及び酸化シリコン層13bによってキャパシタ用絶縁層13cが形成される。
次いで図7(D)に示すようにP型不純物層5、N型拡散層6a,6bそれぞれを形成する。これらの工程は第3の実施形態と同一である。
以上のように第4の実施形態によれば第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。また工程数を増やすことなしに更に第1のキャパシタ用電極42,キャパシタ用絶縁層13c及び第2のキャパシタ用電極45から構成されるONOキャパシタを形成することができる。
以上のように第4の実施形態によれば第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。また工程数を増やすことなしに更に第1のキャパシタ用電極42,キャパシタ用絶縁層13c及び第2のキャパシタ用電極45から構成されるONOキャパシタを形成することができる。
(第5の実施形態)
図8及び図9の各図は第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態により製造される半導体装置は、LDMOSトランジスタと同程度の低電圧で動作する低電圧MOSトランジスタを更に備える点を除いて第3の実施形態によって製造される半導体装置と同一である。以下第3の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図8及び図9の各図は第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態により製造される半導体装置は、LDMOSトランジスタと同程度の低電圧で動作する低電圧MOSトランジスタを更に備える点を除いて第3の実施形態によって製造される半導体装置と同一である。以下第3の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図8(A)に示すようにシリコン基板1の高電圧MOSトランジスタ形成領域1a,低電圧MOSトランジスタ形成領域1cそれぞれにP型ウェル20aを形成すると共に、LDMOSトランジスタ形成領域1bにN型ウェル20bを形成する。次いでLOCOS法によりシリコン基板1の表面に素子分離膜2を形成し、高電圧MOSトランジスタ形成領域1a,低電圧MOSトランジスタ形成領域1c,LDMOSトランジスタ形成領域1bそれぞれを互いに分離する。このとき素子分離膜2の一部は、LDMOSトランジスタ形成領域1bの中にも形成される。
次いでシリコン基板1を熱酸化する。これにより高電圧MOSトランジスタ形成領域1aには高電圧MOS用ゲート酸化膜3aが形成され、LDMOSトランジスタ形成領域1bにはLDMOS用ゲート酸化膜3bが形成される。また低電圧MOSトランジスタ形成領域1cには酸化膜30cが形成される。この段階において、高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは第3の実施形態と同様に高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えるには膜厚が不十分である。
次いでLDMOS用ゲート電極4b、レジストパターン14及び保護用窒化シリコン膜13aを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。
次いでLDMOS用ゲート電極4b、レジストパターン14及び保護用窒化シリコン膜13aを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。
次いでレジストパターン14を除去した後、図8(B)に示すようにシリコン基板1を再び熱酸化する。これにより高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなるが、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えるにはまだ厚さが足らない。また酸化膜30cも厚くなる。
次いで図8(C)に示すように低電圧MOSトランジスタ形成領域1cを除いた全面をフォトレジスト膜(図示せず)で覆い、このフォトレジスト膜をマスクとしてエッチングを行うことにより酸化膜30cを除去する。
次いで図8(C)に示すように低電圧MOSトランジスタ形成領域1cを除いた全面をフォトレジスト膜(図示せず)で覆い、このフォトレジスト膜をマスクとしてエッチングを行うことにより酸化膜30cを除去する。
次いで図9(A)に示すようにフォトレジスト膜を除去した後、シリコン基板1に三度目の熱酸化処理をする。これにより低電圧MOSトランジスタ形成領域1cのシリコン基板1表面には低電圧MOS用ゲート酸化膜3cが形成されると同時に高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなり、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えることができるようになる。
この状態において高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは低電圧MOS用ゲート酸化膜3c,LDMOS用ゲート酸化膜3bそれぞれよりは厚い。また低電圧MOS用ゲート酸化膜3cとLDMOS用ゲート酸化膜3bは厚さが互いに異なっていてもよいし同じであってもよい。
この状態において高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは低電圧MOS用ゲート酸化膜3c,LDMOS用ゲート酸化膜3bそれぞれよりは厚い。また低電圧MOS用ゲート酸化膜3cとLDMOS用ゲート酸化膜3bは厚さが互いに異なっていてもよいし同じであってもよい。
次いで図9(B)に示すように高電圧MOS用ゲート電極4a、低電圧MOS用ゲート電極4c、P型不純物層5、N型拡散層6a,6b,6cそれぞれを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。
このように第5の実施形態によっても第3の実施形態と同一の効果を得ることができる。また高電圧MOSトランジスタ、LDMOSトランジスタと同時に低電圧MOSトランジスタも形成することができる。
このように第5の実施形態によっても第3の実施形態と同一の効果を得ることができる。また高電圧MOSトランジスタ、LDMOSトランジスタと同時に低電圧MOSトランジスタも形成することができる。
(第6の実施形態)
図10及び図11は、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置はLDMOS用ゲート電極の側壁に窒化シリコンからなるサイドウオールが形成されている点、及びLDMOS用ゲート酸化膜のうちゲート電極に覆われていない部分が厚くなっている点を除いて第5の実施形態によって製造される半導体装置と略同一である。以下第5の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
図10及び図11は、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置はLDMOS用ゲート電極の側壁に窒化シリコンからなるサイドウオールが形成されている点、及びLDMOS用ゲート酸化膜のうちゲート電極に覆われていない部分が厚くなっている点を除いて第5の実施形態によって製造される半導体装置と略同一である。以下第5の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図10(A)に示すようにシリコン基板1に2つのP型ウェル20a、N型ウェル20b、素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a、LDMOS用ゲート酸化膜3b、酸化膜30c、及びLDMOS用ゲート電極4bを形成する。この段階において高電圧MOS用ゲート酸化膜3a及び酸化膜30cそれぞれの厚さはLDMOS用ゲート酸化膜3bの厚さと略同一である。なおこれらの形成方法は第5の実施形態と同一である。
次いで素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a、LDMOS用ゲート酸化膜3b及びLDMOS用ゲート電極4bを含む全面上に窒化シリコン膜13を例えばCVD法により形成する。
次いで素子分離膜2、高電圧MOS用ゲート酸化膜3a、LDMOS用ゲート酸化膜3b及びLDMOS用ゲート電極4bを含む全面上に窒化シリコン膜13を例えばCVD法により形成する。
次いで図10(B)に示すように窒化シリコン膜13をエッチバックする。これにより窒化シリコン膜13はLDMOS用ゲート電極4bの側壁に接する部分を除いて除去され、窒化シリコンからなるサイドウオール13dがLDMOS用ゲート電極4bの側壁に形成される。
次いで図10(C)に示すようにシリコン基板1を再び熱酸化する。これにより高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなるが高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えるには不十分である。また酸化膜30cも厚くなる。更にLDMOS用ゲート酸化膜3bのうちLDMOS用ゲート電極4bに覆われていない部分3dは厚くなり、サイドウオール13dの下に位置する部分3eも厚くなる。しかしLDMOS用ゲート電極4bの下に位置する部分は厚くならない。
次いで図11(A)に示すように低電圧MOSトランジスタ形成領域1cから酸化膜30cを除去する。この工程は第5の実施形態と同一である。
次いで図11(B)に示すようにシリコン基板1に三度目の熱酸化処理をする。これにより低電圧MOS用ゲート酸化膜3cが形成されると同時に高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなり、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えることができるようになる。次いで高電圧MOS用ゲート電極4a、低電圧MOS用ゲート電極4c、P型不純物層5、N型拡散層6a,6b,6cそれぞれを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。
次いで図11(B)に示すようにシリコン基板1に三度目の熱酸化処理をする。これにより低電圧MOS用ゲート酸化膜3cが形成されると同時に高電圧MOS用ゲート酸化膜3aは厚くなり、高電圧MOSトランジスタの動作電圧に耐えることができるようになる。次いで高電圧MOS用ゲート電極4a、低電圧MOS用ゲート電極4c、P型不純物層5、N型拡散層6a,6b,6cそれぞれを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。
このようの第6の実施形態によっても第5の実施形態と同一の効果を得ることができる。また窒化シリコン膜をエッチングするときにレジストパターンを形成しなくても良いため、第5の実施形態と比べて工程数が少なくなる。
なお第6の実施形態において低電圧MOSトランジスタを形成しない構成に変更して実施することも可能である。この場合低電圧MOSトランジスタ形成領域1cを設けないように素子分離膜2を形成する。また2回目の熱酸化工程で高電圧MOS用ゲート酸化膜3aを動作電圧に耐える厚さにし、図11(A)に示した工程及び3度目の熱酸化工程を行わない。更に高電圧MOS用ゲート電極4aを形成する工程において低電圧MOS用ゲート電極4cを形成しない。その他の点は第6の実施形態と同様である。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
1,101…シリコン基板、1a…高電圧MOSトランジスタ形成領域、1b…LDMOSトランジスタ形成領域、1c…低電圧MOSトランジスタ形成領域、2,102…素子分離膜、3a…高電圧MOS用ゲート酸化膜3a、3b…LDMOS用ゲート酸化膜、3c…低電圧MOS用ゲート酸化膜、3d,3e…部分、4…ポリシリコン膜、4a…高電圧MOS用ゲート電極、4b…LDMOS用ゲート電極、4c…低電圧MOS用ゲート電極、4d…酸化シリコン層、5,105…P型不純物層、6a,6b,6c,106a,106b…N型拡散層、10,11,14,110…レジストパターン、12…酸化シリコン膜、13…窒化シリコン膜、13a…保護用窒化シリコン膜、13b…酸化シリコン層、13c…キャパシタ用絶縁層、13d…サイドウオール、15…キャパシタ用電極、20a,101a…P型ウェル、20b,101b…N型ウェル、30b,30c…酸化膜、100a…MOSトランジスタ形成領域、100b…LDMOSトランジスタ形成領域、103a…MOS用ゲート酸化膜、103b…LDMOS用ゲート酸化膜、103c…露出部分、103d…端部、104a…MOS用ゲート電極、104b…LDMOS用ゲート電極、
Claims (12)
- LDMOSトランジスタ形成領域、第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域を有する半導体基板を熱酸化することにより、前記LDMOSトランジスタ形成領域、前記第1MOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれの前記半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれから前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記LDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜をそれぞれ形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。 - LDMOSトランジスタ形成領域及びMOSトランジスタ形成領域を有する半導体基板を熱酸化することにより、前記LDMOSトランジスタ形成領域及び前記MOSトランジスタ形成領域それぞれの前記半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOSトランジスタ形成領域から前記酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化する事により、前記MOSトランジスタ形成領域の前記酸化膜を厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記LDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板を再び熱酸化する工程の後に、
前記MOS用ゲート酸化膜上及び前記LDMOS用ゲート酸化膜上それぞれを含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜をパターニングすることにより前記MOS用ゲート酸化膜上にMOS用ゲート電極を、前記LDMOS用ゲート酸化膜上にLDMOS用ゲート電極を、それぞれ形成する工程と
を更に具備する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板の第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域それぞれに熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上、及び該LDMOS用ゲート電極の周囲に位置する前記LDMOSゲート酸化膜上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより前記第1MOSトランジスタ形成領域及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と、
前記第2MOSトランジスタ形成領域から前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をすることにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をする工程の後に、
前記第1MOS用ゲート酸化膜上、及び前記第2MOS用ゲート酸化膜上を含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜をパターニングすることにより前記第1MOS用ゲート酸化膜上に第1MOS用ゲート電極を形成すると同時に前記第2MOS用ゲート酸化膜上に第2MOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記第1及び第2MOS用ゲート電極を形成した後に前記保護膜を除去する工程と
を更に具備する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板のMOSトランジスタ形成領域に熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上、及び該LDMOS用ゲート電極の周囲に位置する前記LDMOSゲート酸化膜上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより前記MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くしてMOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記LDMOS用ゲート電極を形成する工程は、前記LDMOS用ゲート酸化膜上、ならびに前記LDMOSトランジスタ形成領域及び前記MOS用トランジスタ形成領域の双方とも異なる領域上にポリシリコン膜を形成し、該ポリシリコン膜をパターニングすることにより、前記LDMOS用ゲート電極を形成すると同時に前記異なる領域上にキャパシタ用第1電極を形成する工程であり、
前記保護膜を形成する工程は、前記LDMOS用ゲート電極上、前記LDMOSゲート酸化膜上及び前記キャパシタ用第1電極の上に前記保護膜を形成する工程であり、
更に前記半導体基板に再び熱酸化する工程の後に、
前記MOS用ゲート酸化膜上及び前記保護膜を含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜をパターニングすることにより前記MOS用ゲート酸化膜上にMOS用ゲート電極を形成すると同時に、前記キャパシタ用第1電極の上方に、前記保護膜上に位置するキャパシタ用第2電極を形成する工程と、
前記キャパシタ用第2電極をマスクとして前記保護膜をエッチングすることにより、前記キャパシタ用第1電極及び前記キャパシタ用第2電極の間に前記保護膜をキャパシタ用絶縁膜として残すと共に、前記LDMOS用ゲート電極上及び前記LDMOSゲート酸化膜上から前記保護膜を除去する工程と
を更に具備する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板の第1MOSトランジスタ形成領域及び第2MOSトランジスタ形成領域それぞれに熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜の上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上を含む全面上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより、前記LDMOS用ゲート電極の側壁に前記保護膜の一部であるサイドウオールを形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記LDMOS形成領域のうち前記LDMOS用ゲート電極及び前記サイドウオールのいずれも存在しない領域、前記第1MOSトランジスタ形成領域、及び前記第2MOSトランジスタ形成領域それぞれおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と、
前記第2MOSトランジスタ形成領域から前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をすることにより、前記第1MOSトランジスタ形成領域の前記熱酸化膜を厚くして第1MOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記第2MOSトランジスタ形成領域に第2MOS用ゲート酸化膜を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板に三度目の熱酸化処理をする工程の後に、
前記第1MOS用ゲート酸化膜上、前記第2MOS用ゲート酸化膜上及び前記保護膜上それぞれを含む全面上にポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜をパターニングすることにより前記第1MOS用ゲート酸化膜上に第1MOS用ゲート電極を形成すると同時に前記第2MOS用ゲート酸化膜上に第2MOS用ゲート電極を形成する工程と
を更に具備する請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を熱酸化することにより、該半導体基板のLDMOSトランジスタ形成領域にLDMOS用ゲート酸化膜を形成すると共に、前記半導体基板のMOSトランジスタ形成領域に熱酸化膜を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート酸化膜上にLDMOS用ゲート電極を形成する工程と、
前記LDMOS用ゲート電極上を含む全面上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより、前記LDMOS用ゲート電極の側壁に前記保護膜の一部であるサイドウオールを形成する工程と、
前記半導体基板を再び熱酸化することにより、前記LDMOS形成領域のうち前記LDMOS用ゲート電極及び前記サイドウオールのいずれも存在しない領域、及び前記MOSトランジスタ形成領域それぞれにおいて前記熱酸化膜を厚くする工程と
を具備する半導体装置の製造方法。 - 同一の半導体基板上にLDMOSトランジスタ及びMOSトランジスタを備える半導体装置であって、
前記LDMOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さは、前記MOSトランジスタのゲート酸化膜より薄く、かつ略均一である半導体装置。 - 同一の半導体基板上にLDMOSトランジスタ及びMOSトランジスタを備える半導体装置であって、
前記LDMOSトランジスタのゲート電極は、側壁にサイドウオールを有し、
前記LDMOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さは、ゲート電極の下において前記MOSトランジスタのゲート酸化膜より薄くかつ略均一であり、前記サイドウオールの下において徐々に厚くなって前記MOSトランジスタのゲート酸化膜の厚さに近づいている、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126419A JP2005311095A (ja) | 2004-04-22 | 2004-04-22 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126419A JP2005311095A (ja) | 2004-04-22 | 2004-04-22 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311095A true JP2005311095A (ja) | 2005-11-04 |
Family
ID=35439504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004126419A Withdrawn JP2005311095A (ja) | 2004-04-22 | 2004-04-22 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005311095A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009147953A (ja) * | 2009-01-09 | 2009-07-02 | Seiko Epson Corp | Memsレゾネータ及びmemsレゾネータの製造方法 |
US7671430B2 (en) | 2006-12-15 | 2010-03-02 | Seiko Epson Corporation | MEMS resonator and manufacturing method of the same |
KR20200025114A (ko) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 주식회사 디비하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2004
- 2004-04-22 JP JP2004126419A patent/JP2005311095A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7671430B2 (en) | 2006-12-15 | 2010-03-02 | Seiko Epson Corporation | MEMS resonator and manufacturing method of the same |
US7892875B2 (en) | 2006-12-15 | 2011-02-22 | Seiko Epson Corporation | MEMS resonator and manufacturing method of the same |
US8362577B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-01-29 | Seiko Epson Corporation | Resonator including a microelectromechanical system structure with first and second structures of silicon layers |
JP2009147953A (ja) * | 2009-01-09 | 2009-07-02 | Seiko Epson Corp | Memsレゾネータ及びmemsレゾネータの製造方法 |
KR20200025114A (ko) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 주식회사 디비하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
KR102475451B1 (ko) | 2018-08-29 | 2022-12-08 | 주식회사 디비하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006278633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100366923B1 (ko) | 에스오아이 기판 및 이의 제조방법 | |
JPH02100326A (ja) | 高耐圧mos型半導体装置の製造方法 | |
JP2007201339A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4712207B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3921363B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP4505349B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005311095A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
KR20030057282A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2001185724A (ja) | Dmos型トランジスタの製造方法 | |
JP2002164537A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007073759A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05291573A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH06232394A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62241379A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005317645A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP3918696B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003273351A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4899988B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05315604A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005347538A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06132541A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008244405A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004031431A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH09162390A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070703 |