JP2005310648A - Quadrupolar field-emission display having mesh structure and its manufacturing method - Google Patents

Quadrupolar field-emission display having mesh structure and its manufacturing method Download PDF

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國 榮 陳
▲とく▼ 鳳 ▲せん▼
Toku Ho Sen
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奎 ▲ぶん▼ 鄭
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a quadrupolar field-emission display having a mesh structure. <P>SOLUTION: A mesh has a gate layer, an insulating layer and a convergence electrode layer. The convergence electrode layer is made of a metal conductive plate joined to one surface of a glass plate. A conductive layer is formed on the other surface of the glass plate. The glass plate functions as the insulating layer and the conductive layer functions as the gate layer. In each of the convergence electrode layer, the insulating layer and the gate layer, one or more openings are formed in order to form at least one passage for an electron beam between a positive electrode and a negative electrode of this quadrupolar field-emission display. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電界放射ディスプレイに係り、さらに詳細には、メッシュ構造の四極電界放射ディスプレイおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a field emission display, and more particularly, to a mesh-type quadrupole field emission display and a method for manufacturing the same.

電界放射ディスプレイに関する技術は、フラットパネルディスプレイの分野の中でもごく最近になって開発された技術である。自己発光性を有するそのようなタイプのディスプレイは、液晶ディスプレイで用いられているようなバックライトを必要としない。電界放射ディスプレイは、輝度が明るい上に視覚が広く、電力消費量が少なく、応答速度が速く(残像がない)、動作温度範囲が大きいという特性を有している。電界放射ディスプレイの画質は、標準的なブラウン管ディスプレイ(CRT)と同等であるものの、電界放射ディスプレイの厚みや重量はブラウン管ディスプレイに比較してはるかに薄く軽い。したがって、電界放射ディスプレイは市場において液晶ディスプレイに取って代わるであろうことが予測される。さらに、急速に発展するナノテクノロジーは電界放射ディスプレイにおいて利用されるナノマテリアルに可能性を与え、電界放射ディスプレイの技術は商業的に利用可能になると予測される。   The technology related to the field emission display is a technology developed very recently in the field of flat panel displays. Such types of displays that are self-luminous do not require a backlight as used in liquid crystal displays. The field emission display has the characteristics that the brightness is bright, the vision is wide, the power consumption is small, the response speed is fast (no afterimage), and the operating temperature range is large. Although the image quality of a field emission display is equivalent to a standard cathode ray tube display (CRT), the thickness and weight of the field emission display is much thinner and lighter than that of a cathode ray tube display. Thus, it is expected that field emission displays will replace liquid crystal displays in the market. In addition, rapidly evolving nanotechnology provides potential for nanomaterials used in field emission displays, and field emission display technology is expected to be commercially available.

図1は、陽極板10と陰極板20とを備えた一般的な三極電界放射ディスプレイを示す。スペーサー14は陽極板10と陰極板20を絶縁し支持するためこれらの電極の間の真空領域に設置される。陽極板10は陽極基板11、陽極導電層12および蛍光層13を含んでいる。陰極板20は、陰極基板21、陰極導電層22、電子放射層23、誘電体層24およびゲート層25を含んでいる。電位差はゲート層25に与えられそれによって電子放射層23から電子ビームが放射される。陽極導電層12によって与えられた高電圧は、陽極板10の蛍光層13に作用し十分な運動量で電子ビームを加速し、蛍光層13が刺激されて光が発せられる。電界放射ディスプレイ内での電子の移動を可能にするために、真空度は少なくとも10−5torr以下に保たれ、これによって適切な電子の平均自由行程を確保している。加えて、電子放射源と蛍光層の悪影響と弊害を回避しなければならない。さらに、電子放射層23と蛍光層13は蛍光層13から光を発生させるために要求されるエネルギーで電子を加速させるため互いに所定の距離だけ間隔を開けなければならない。 FIG. 1 shows a typical three-pole field emission display comprising an anode plate 10 and a cathode plate 20. The spacer 14 is installed in a vacuum region between these electrodes in order to insulate and support the anode plate 10 and the cathode plate 20. The anode plate 10 includes an anode substrate 11, an anode conductive layer 12, and a fluorescent layer 13. The cathode plate 20 includes a cathode substrate 21, a cathode conductive layer 22, an electron emission layer 23, a dielectric layer 24, and a gate layer 25. The potential difference is applied to the gate layer 25, whereby an electron beam is emitted from the electron emission layer 23. The high voltage applied by the anode conductive layer 12 acts on the fluorescent layer 13 of the anode plate 10 to accelerate the electron beam with a sufficient momentum, and the fluorescent layer 13 is stimulated to emit light. In order to allow the movement of electrons in the field emission display, the degree of vacuum is kept at least below 10 −5 torr, thereby ensuring a suitable mean free path of electrons. In addition, the adverse effects and adverse effects of the electron emission source and the fluorescent layer must be avoided. Furthermore, the electron emitting layer 23 and the fluorescent layer 13 must be spaced from each other by a predetermined distance in order to accelerate electrons with energy required to generate light from the fluorescent layer 13.

一般的な構造によって放射される電子ビームは典型的なファン形となるため、その電子ビームの発散範囲を三極電界放射ディスプレイで制御することは困難である。電子ビームは容易に過剰発散し、隣接するユニットの蛍光層33にも作用してディスプレイの性能を低下させる。したがって、四極電界放射ディスプレイには図2に示されるような提案がなされる。四極電界放射ディスプレイにおいて、4番目の電極、集束電極が三極構造に加えて形成される。メッシュ5は陰極板40と陽極板30との間に形成される。メッシュ5は、集束電極層51、絶縁層52およびゲート層53を含んでいる。集束電極層51は陽極板30に最も近く、ゲート層53は陰極板40に最も近く、絶縁層52は集束電極層51とゲート層53との間に挟まれている。絶縁壁44はゲート層53と陰極板40との間に伸びている。陰極板40は陰極基板41、陰極導電層42および電子放射源層43を含んでいる。ゲート層53と集束電極層51は適切な電位を持っている。複数の開口54はメッシュ5を貫いて形成される。開口54のそれぞれはユニットの陽極と陰極に対応して配列される。電子放射源層43から発生した電子ビームは蛍光層33に向けて伝播する。メッシュ5の構造は図3に示してある。図に示すように、金属導電板はメッシュ5のベースとして用いられる。集束電極層51は金属導電板から加工される。絶縁層52は金属導電層の底面上に形成される。金属導電層はゲート層53として機能する絶縁層52の底面上に形成される。金属導電層は貫通した開口54の配列を形成するために加工される。それぞれの開口54の位置は、陽極板30および陰極板40上に形成された陽極と陰極のそれぞれのユニットに整合するように配列される。開口54はそれぞれの陰極から放射される電子ビームに対して放射経路としての役目を果たす。金属導電板の外周は不作用領域55である。複数のマーク551は、不作用領域55上に形成することができ、開口54の配列とユニットの陽極と陰極を保持するものである。   Since the electron beam emitted by a general structure has a typical fan shape, it is difficult to control the divergence range of the electron beam with a three-pole field emission display. The electron beam easily diverges and acts on the fluorescent layer 33 of the adjacent unit to degrade the display performance. Therefore, a proposal as shown in FIG. 2 is made for a quadrupole field emission display. In a quadrupole field emission display, a fourth electrode, a focusing electrode, is formed in addition to the tripolar structure. The mesh 5 is formed between the cathode plate 40 and the anode plate 30. The mesh 5 includes a focusing electrode layer 51, an insulating layer 52, and a gate layer 53. The focusing electrode layer 51 is closest to the anode plate 30, the gate layer 53 is closest to the cathode plate 40, and the insulating layer 52 is sandwiched between the focusing electrode layer 51 and the gate layer 53. The insulating wall 44 extends between the gate layer 53 and the cathode plate 40. The cathode plate 40 includes a cathode substrate 41, a cathode conductive layer 42, and an electron emission source layer 43. The gate layer 53 and the focusing electrode layer 51 have appropriate potentials. A plurality of openings 54 are formed through the mesh 5. Each of the openings 54 is arranged corresponding to the anode and cathode of the unit. The electron beam generated from the electron emission source layer 43 propagates toward the fluorescent layer 33. The structure of the mesh 5 is shown in FIG. As shown in the figure, the metal conductive plate is used as the base of the mesh 5. The focusing electrode layer 51 is processed from a metal conductive plate. The insulating layer 52 is formed on the bottom surface of the metal conductive layer. The metal conductive layer is formed on the bottom surface of the insulating layer 52 functioning as the gate layer 53. The metal conductive layer is processed to form an array of apertures 54 therethrough. The positions of the respective openings 54 are arranged so as to match the respective units of the anode and the cathode formed on the anode plate 30 and the cathode plate 40. The opening 54 serves as a radiation path for the electron beam emitted from each cathode. The outer periphery of the metal conductive plate is an inactive region 55. A plurality of marks 551 can be formed on the inactive region 55 and hold the array of openings 54 and the anode and cathode of the unit.

上記四極構造は、電子ビームを集束するための集束電極層51を提供し、その電子ビームはまさに対応する蛍光層33にのみ作用させることができる。したがって、電子ビームは隣接するユニットの蛍光層33には作用することがなくなる。電界放射ディスプレイのディスプレイ性能は飛躍的に向上する。しかしながら、メッシュ5の絶縁層52とゲート層53はいまだにフォトリソグラフィー工程によって加工しているが、その工程は複雑であり、そのコストも高い。
特開2004−087452号公報
The quadrupole structure provides a focusing electrode layer 51 for focusing the electron beam, and the electron beam can only act on the corresponding fluorescent layer 33. Therefore, the electron beam does not act on the fluorescent layer 33 of the adjacent unit. The display performance of the field emission display is dramatically improved. However, although the insulating layer 52 and the gate layer 53 of the mesh 5 are still processed by the photolithography process, the process is complicated and the cost is high.
JP 2004-087452 A

本発明の目的は、メッシュ構造の四極電界放射ディスプレイおよびその製造方法の提供にある。   An object of the present invention is to provide a quadrupole field emission display having a mesh structure and a manufacturing method thereof.

本発明は、メッシュ構造の四極電界放射ディスプレイおよびその製造方法に関するものである。本発明では、メッシュ構造はフォトリソグラフィー工程よりもさらに簡単な工程によって加工され、そのコストも削減される。   The present invention relates to a quadrupole field emission display having a mesh structure and a manufacturing method thereof. In the present invention, the mesh structure is processed by a simpler process than the photolithography process, and its cost is reduced.

本発明に係るメッシュ構造の電解放射ディスプレイは、複数の陽極ユニットと陰極ユニットとの間に配列されたメッシュ構造を有するメッシュ構造の電解放射ディスプレイであって、当該陽極ユニットと向き合う近接面と当該近接面とは反対の末端面とを有し、それらの面を貫通して延びる複数の第1開口を含む、集束電極層として機能する第1導電層と、当該第1導電層の近接面上に形成され、それを貫通して延びる複数の第2開口を含む、絶縁層として機能するガラス板と、当該ガラス板上に形成され、陰極ユニットと向き合う近接面と当該近接面とは反対の末端面とを有し、それらの面を貫通して伸び前記第1および第2開口に配置される複数の第3開口を含む、ゲート電極層として機能する第2導電層と、を備えていることを特徴とする。   A mesh structure electrolytic radiation display according to the present invention is a mesh structure electrolytic radiation display having a mesh structure arranged between a plurality of anode units and a cathode unit, the proximity surface facing the anode unit and the proximity A first conductive layer that functions as a focusing electrode layer and includes a plurality of first openings that extend through and through the opposite end surfaces of the first conductive layer; and a proximity surface of the first conductive layer. A glass plate that functions as an insulating layer and includes a plurality of second openings formed and extending therethrough, and an adjacent surface that is formed on the glass plate and faces the cathode unit, and an end surface opposite to the adjacent surface And a second conductive layer that functions as a gate electrode layer and includes a plurality of third openings that extend through the surfaces and are disposed in the first and second openings. Features and That.

本発明によって提供されるメッシュ構造は、絶縁層として機能する金属導電層の一方の表面にガラス層を形成し、ゲート層として機能するガラス層の一方の露光面に導電層を形成する金属導電層プロセスを経て加工される。   The mesh structure provided by the present invention is a metal conductive layer in which a glass layer is formed on one surface of a metal conductive layer that functions as an insulating layer, and a conductive layer is formed on one exposed surface of the glass layer that functions as a gate layer. Processed through a process.

本発明に係る四極電界放射ディスプレイのメッシュ構造は、貫通して延びる第1開口の配列を有する集束電極層と、集束電極層に近接する一方の面を有するとともに前記第1開口に対応して配列される複数の第2開口を有する絶縁層と、集束電極層に近接する側の反対の他方の面の絶縁層上に形成された複数の銅線を含み、それぞれの銅線が第1開口の1組の隣接する列の間の集束電極層の一部に配列されているゲート層と、を有することを特徴とする。   A mesh structure of a quadrupole field emission display according to the present invention has a focusing electrode layer having an array of first openings extending therethrough and one surface close to the focusing electrode layer, and is arranged corresponding to the first opening. And a plurality of copper wires formed on the insulating layer on the other surface opposite to the side close to the focusing electrode layer, each copper wire being a first opening. And a gate layer arranged in a part of the focusing electrode layer between a set of adjacent rows.

本発明に係るメッシュ構造の電解放射ディスプレイの製造方法は、四極電界放射ディスプレイの陽極板と陰極板との間に組み込むメッシュ構造の製造方法であって、第1導電板を提供する段階と、第1導電板を貫通して延びる複数の第1開口を形成する段階と、ガラス板を提供する段階と、ガラス板を貫通して延びる複数の第2開口を形成する段階と、ガラス板の一方を第1開口に対応して配列された第2開口を備えた第1導電板に一時的に取り付ける段階と、第2導電板を提供する段階と、第2導電板を貫通して延びる複数の第3開口を形成する段階と、第2導電板を第1および第2開口に対応して配列された第3開口を備えたガラス板に一時的に取り付ける段階と、第1導電板、ガラス板および第2導電板を取り外せないように積み重ねてメッシュ構造を形成する段階と、を含むことを特徴とする。   A method for manufacturing a field emission display having a mesh structure according to the present invention is a method for manufacturing a mesh structure that is incorporated between an anode plate and a cathode plate of a quadrupole field emission display, and includes providing a first conductive plate; Forming a plurality of first openings extending through one conductive plate, providing a glass plate, forming a plurality of second openings extending through the glass plate, and one of the glass plates Temporarily attaching to a first conductive plate having a second opening arranged corresponding to the first opening; providing a second conductive plate; and a plurality of second extending through the second conductive plate. Forming three openings, temporarily attaching the second conductive plate to a glass plate having third openings arranged corresponding to the first and second openings, the first conductive plate, the glass plate, and Stack so that the second conductive plate cannot be removed Characterized in that it comprises the steps of forming a mesh structure.

本発明によれば、四極電界放射ディスプレイのメッシュ構造が、フォトリソグラフィー工程よりもさらに簡単な工程によって加工できるので、そのコストを削減することができる。   According to the present invention, since the mesh structure of the quadrupole field emission display can be processed by a simpler process than the photolithography process, the cost can be reduced.

また、四極電界放射ディスプレイのメッシュ構造を、絶縁層として機能する金属導電層の一方の表面にガラス層を形成し、ゲート層として機能するガラス層の一方の露光面に導電層を形成する金属導電層プロセスを経て加工するようにしたので、簡単な工程でかつコストも削減できる。   In addition, the mesh structure of a quadrupole field emission display has a metal conductive structure in which a glass layer is formed on one surface of a metal conductive layer that functions as an insulating layer, and a conductive layer is formed on one exposed surface of the glass layer that functions as a gate layer. Since processing is performed through a layer process, the cost can be reduced with a simple process.

以下に本発明を図面に基づいて詳細に説明する。これらの図を参照することによって本発明の他の機能も明らかにされる。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Other functions of the present invention will be clarified by referring to these figures.

図4は、メッシュ6の分解斜視図である。図示するように、メッシュは、第1導電層61、ガラス板62、および第2導電層63から成る三層構造である。第1導電層61と第2導電層63は、同じ金属または導体で形成するのが望ましい。第1導電層61と第2導電層63は、それぞれ、集束電極層またはゲート電極として作用する。複数の開口611は第1導電板61を貫通するように形成されている。本実施の形態では、開口611は、格子状に配列されている。それぞれの開口611は、陽極と陰極のユニットに対応するように配列される。第1導電層61の外周、すなわち、図4に示す点線の外側の領域は不作用領域612であり、この領域は電界放射ディスプレイのパッケージ完成後に切り落とされる。ガラス板62は、第1導電層61と第2導電層63との間の導通を防止する絶縁層として作用する。第1導電層61と同様、複数の穴621がガラス板62を貫通するように形成されている。穴621は、開口611に対応して配列されている。一つの穴621は、それぞれの開口611に対応して形成するのが望ましい。あるいは、穴621を一つ以上の開口611の範囲にわたる一つの穴621のように、より大きな寸法で形成してもよい。たとえば、図4に示すように、複数の長穴621がガラス板62に形成され、それぞれの長穴621が縦または横に並んだ開口611の範囲をカバーするようにしても良い。第1導電層61と同様、ガラス板62の外周は不作用領域622であり、パッケージ完成後に除去される。一列に配列するために複数のマーク623が不作用領域622に形成されている。第2導電層63はゲート層として機能する。複数の開口631は第2導電層63を貫通するように形成されている。一つの開口631は、それぞれの開口611と対応するように形成するのが望ましい。あるいは、図6に示すように、複数の細長スリット631’および分離スリット632を、交互に第2導電層63’を貫通するように形成してもよい。細長スリット631’は、それぞれ、縦または横に並んだ開口611と対応して配列される。分離スリット632は、導電板63’を横切って不作用領域633まで延びる。したがって、不作用領域633が除去された後、二つの導電性の細片がそれぞれの細長スリット631’の両側に形成される。導電性の細片の各ペアは、独立した導電性通路を構成する。いずれかの導電性の細片のペアが電位を偏らせた場合、導電性の細片のペア間の陰極ユニットから電子を排出させるようにゲートが動作する。第2導電層63もまた、外周の不作用領域633を含み、一列に配列させるための複数の配列用マーク634が形成されている。これらの三層は、独立したメッシュ6を形成するためにパッケージされる。図5は、メッシュの透視断面図である。図示するように、第1開口611、621、631は、互いに一列に配列にされ、陽極および陰極間に電子ビームの経路を形成する。   FIG. 4 is an exploded perspective view of the mesh 6. As shown in the figure, the mesh has a three-layer structure including a first conductive layer 61, a glass plate 62, and a second conductive layer 63. The first conductive layer 61 and the second conductive layer 63 are preferably formed of the same metal or conductor. The first conductive layer 61 and the second conductive layer 63 function as a focusing electrode layer or a gate electrode, respectively. The plurality of openings 611 are formed so as to penetrate the first conductive plate 61. In the present embodiment, the openings 611 are arranged in a lattice pattern. Each opening 611 is arranged to correspond to an anode and cathode unit. The outer periphery of the first conductive layer 61, that is, the region outside the dotted line shown in FIG. 4 is a non-active region 612, which is cut off after the package of the field emission display is completed. The glass plate 62 acts as an insulating layer that prevents conduction between the first conductive layer 61 and the second conductive layer 63. Similar to the first conductive layer 61, a plurality of holes 621 are formed so as to penetrate the glass plate 62. The holes 621 are arranged corresponding to the openings 611. It is desirable to form one hole 621 corresponding to each opening 611. Alternatively, the holes 621 may be formed with larger dimensions, such as a single hole 621 spanning one or more openings 611. For example, as shown in FIG. 4, a plurality of long holes 621 may be formed in the glass plate 62, and each long hole 621 may cover the range of the opening 611 aligned in the vertical or horizontal direction. Similar to the first conductive layer 61, the outer periphery of the glass plate 62 is an inactive region 622, which is removed after the package is completed. A plurality of marks 623 are formed in the inactive area 622 to be arranged in a line. The second conductive layer 63 functions as a gate layer. The plurality of openings 631 are formed so as to penetrate the second conductive layer 63. It is desirable to form one opening 631 so as to correspond to each opening 611. Alternatively, as shown in FIG. 6, a plurality of elongated slits 631 'and separation slits 632 may be alternately formed so as to penetrate through the second conductive layer 63'. The elongated slits 631 'are arranged corresponding to the openings 611 arranged in the vertical or horizontal direction, respectively. The separation slit 632 extends to the inactive region 633 across the conductive plate 63 ′. Thus, after the inactive region 633 is removed, two conductive strips are formed on both sides of each elongated slit 631 '. Each pair of conductive strips constitutes an independent conductive path. If any pair of conductive strips biases the potential, the gate operates to eject electrons from the cathode unit between the pair of conductive strips. The second conductive layer 63 also includes an inactive area 633 on the outer periphery, and a plurality of alignment marks 634 for alignment are formed. These three layers are packaged to form an independent mesh 6. FIG. 5 is a perspective sectional view of the mesh. As shown in the figure, the first openings 611, 621, 631 are aligned with each other to form an electron beam path between the anode and the cathode.

図7は、第2導電層63についての他の実施の形態を示す図である。図示するように、複数の平行した導線635が中空のフレーム636内に延びて形成されている。複数の導線635は、第1導電層61の下で、二つの隣り合って並ぶ開口611の間に位置される。点線の外側の不作用領域が除去された後、フレーム636は導線635から分離され、複数のペアの導線635を含む構造が形成され、そして、導線635の各ペアが横に並ぶ第1開口611を挟む。第1開口611は、すなわち、図8に示すような横に並んだ陰極ユニットに相当する。各導線635のペアは、ゲートとして作用する。   FIG. 7 is a diagram showing another embodiment of the second conductive layer 63. As shown, a plurality of parallel conductors 635 are formed extending into a hollow frame 636. The plurality of conductive wires 635 are positioned between two adjacent openings 611 under the first conductive layer 61. After the non-active area outside the dotted line is removed, the frame 636 is separated from the conductor 635 to form a structure including a plurality of pairs of conductors 635, and each pair of conductors 635 is arranged side by side in a first opening 611. Between. That is, the first opening 611 corresponds to the cathode units arranged side by side as shown in FIG. Each conductor 635 pair acts as a gate.

上記メッシュ構造の製造方法は、パッケージのための高圧下の焼結過程において破損しない陽極板および陰極板と同等の温度係数を有する導電層61、63およびガラス板62を選択する工程を含む。UV接着剤およびガラス接着剤が、不作用領域612、622、632に塗られる。三つの層(第1導電層61、第2導電層63およびガラス板62)は、配列用のマーク613、623、633を直線的に配列することにより、互いに重ね合わせられる。仮付けをするために、紫外線がUV接着剤に照射される。仮付けされたメッシュ6は、高温クリップによって保持され、焼結を実行するために、高温の炉内に置かれる。UV接着剤は、高温により気化され、使い尽くされる。ガラス接着剤は、メッシュの本取り付けのために供給される。したがって、スクリーン印刷または写真平板法はメッシュの組み立てには不要となり、製造工程が簡易化され、コストが低減される。   The method for manufacturing the mesh structure includes a step of selecting the conductive layers 61 and 63 and the glass plate 62 having a temperature coefficient equivalent to that of the anode plate and the cathode plate that are not damaged in the sintering process under high pressure for the package. UV glue and glass glue are applied to the inactive areas 612, 622, 632. The three layers (the first conductive layer 61, the second conductive layer 63, and the glass plate 62) are overlapped with each other by arranging the alignment marks 613, 623, and 633 linearly. In order to make a temporary attachment, the UV adhesive is irradiated with ultraviolet rays. The tacked mesh 6 is held by a high temperature clip and placed in a high temperature furnace to perform sintering. UV adhesives are vaporized and exhausted by high temperatures. Glass adhesive is supplied for the main attachment of the mesh. Accordingly, screen printing or photolithographic methods are not necessary for assembling the mesh, the manufacturing process is simplified, and costs are reduced.

本発明の好ましい実施の形態は以上において詳細に説明したが、発明の概念は別の様々なものに具体化し応用できる。引用請求項は従来技術に制限される範囲外の様々なもののバリエーションを含むと解釈されることを意図している。   Although preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the inventive concept can be embodied and applied in various other ways. It is intended that the appended claims be construed to include various variations which are outside the scope of the prior art.

本発明は、電界放射ディスプレイの製造の効率化に役立つものである。   The present invention helps to increase the efficiency of manufacturing field emission displays.

一般的な三極電界放射ディスプレイの部分断面図である。1 is a partial cross-sectional view of a typical three-pole field emission display. 四極電界放射ディスプレイの部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a quadrupole field emission display. 四極電界放射ディスプレイのメッシュの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mesh of a quadrupole field emission display. 本発明の実施の形態1のメッシュ構造の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the mesh structure of Embodiment 1 of this invention. 図4に示したメッシュ構造の透視図である。FIG. 5 is a perspective view of the mesh structure shown in FIG. 4. 本発明の実施の形態2のメッシュ構造の透視図である。It is a perspective view of the mesh structure of Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施の形態3のメッシュ構造の透視図である。It is a perspective view of the mesh structure of Embodiment 3 of this invention. ゲート層が形成された後の図7のメッシュ構造の部分断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view of the mesh structure of FIG. 7 after a gate layer is formed.

符号の説明Explanation of symbols

5、6 メッシュ、
10 陽極板、
11 陽極基板、
12 陽極導電層、
13 蛍光層、
14 スペーサー、
20 陰極板、
21 陰極基板、
22 陰極導電層、
23 電子放射層、
24 誘電体層、
25 ゲート層、
30 陽極板、
33 蛍光層、
40 陰極板、
41 陰極基板、
42 陰極導電層、
43 電子放射源層、
44 絶縁壁、
51 集束電極層、
52 絶縁層、
53 ゲート層、
54 開口、
55 不作用領域、
61 第1導電層、
62 ガラス板、
63 第2導電層、
551 マーク、
611 開口、
612 不作用領域、
613 マーク、
621 穴、
622 不作用領域、
623 マーク、
631 開口、
632 分離スリット、
633 不作用領域、
635 導線、
636 フレーム。
5, 6 mesh,
10 Anode plate,
11 Anode substrate,
12 Anode conductive layer,
13 fluorescent layer,
14 Spacer,
20 cathode plate,
21 cathode substrate,
22 cathode conductive layer,
23 electron emission layer,
24 dielectric layer,
25 gate layer,
30 anode plate,
33 fluorescent layer,
40 cathode plate,
41 cathode substrate,
42 cathode conductive layer,
43 electron emission source layer,
44 insulation wall,
51 focusing electrode layer,
52 insulating layer,
53 Gate layer,
54 opening,
55 inactive area,
61 first conductive layer,
62 glass plate,
63 second conductive layer,
551 mark,
611 opening,
612 inactive area,
613 mark,
621 holes,
622 inactive area,
623 mark,
631 opening,
632 separation slit,
633 inactive area,
635 conductor,
636 frames.

Claims (15)

複数の陽極ユニットと陰極ユニットとの間に配列されたメッシュ構造を有するメッシュ構造の電解放射ディスプレイであって、
当該陽極ユニットと向き合う近接面と当該近接面とは反対の末端面とを有し、それらの面を貫通して延びる複数の第1開口を含む、集束電極層として機能する第1導電層と、
当該第1導電層の末端面上に形成され、それを貫通して延びる複数の第2開口を含む、絶縁層として機能するガラス板と、
当該ガラス板上に形成され、陰極ユニットと向き合う近接面と当該近接面とは反対の末端面とを有し、それらの面を貫通して伸び前記第1および第2開口に配置される複数の第3開口を含む、ゲート電極層として機能する第2導電層と、
を備えていることを特徴とするメッシュ構造の四極電界放射ディスプレイ。
A mesh-structure electrolytic emission display having a mesh structure arranged between a plurality of anode units and cathode units,
A first conductive layer having a proximity surface facing the anode unit and a terminal surface opposite to the proximity surface and including a plurality of first openings extending through the surfaces and functioning as a focusing electrode layer;
A glass plate formed on the end face of the first conductive layer and including a plurality of second openings extending therethrough and functioning as an insulating layer;
A plurality of proximate surfaces formed on the glass plate and facing the cathode unit and end faces opposite to the proximate surfaces, extending through the surfaces and disposed in the first and second openings; A second conductive layer functioning as a gate electrode layer including a third opening;
A quadrupole field emission display having a mesh structure.
それぞれの前記第2開口は、対応する一つの前記第1開口と一列に配列されることを特徴とする請求項1に記載のメッシュ構造の四極電界放射ディスプレイ。   The quadrupole field emission display with a mesh structure according to claim 1, wherein each of the second openings is arranged in a row with the corresponding first opening. それぞれの前記第2開口は、複数の前記第1開口の開口範囲をカバーすることを特徴とする請求項1に記載のメッシュ構造の四極電界放射ディスプレイ。   The quadrupole field emission display of mesh structure according to claim 1, wherein each of the second openings covers an opening range of the plurality of first openings. それぞれの前記第3開口は、対応する一つの前記第1開口と一列に配列されることを特徴とする請求項1に記載のメッシュ構造の四極電界放射ディスプレイ。   The quadrupole field emission display with a mesh structure according to claim 1, wherein each of the third openings is arranged in a row with the corresponding one of the first openings. ぞれぞれの前記第3開口は、複数の前記第1開口の開口範囲をカバーすることを特徴とする請求項1に記載のメッシュ構造の四極電界放射ディスプレイ。   The quadrupole field emission display with a mesh structure according to claim 1, wherein each of the third openings covers an opening range of the plurality of first openings. 貫通して延びる第1開口の配列を有する集束電極層と、
集束電極層に近接する一方の面を有するとともに前記第1開口に対応して配列される複数の第2開口を有する絶縁層と、
集束電極層に近接する側の反対の他方の面の絶縁層上に形成された複数の銅線を含み、それぞれの銅線が第1開口の1組の隣接する列の間の集束電極層の一部に配列されているゲート層と、
を有することを特徴とする四極電界放射ディスプレイのメッシュ構造。
A focusing electrode layer having an array of first openings extending therethrough;
An insulating layer having one surface close to the focusing electrode layer and having a plurality of second openings arranged corresponding to the first openings;
A plurality of copper wires formed on an insulating layer on the other side opposite the side proximate to the focusing electrode layer, each copper wire of the focusing electrode layer between a set of adjacent rows of first openings; A gate layer arranged in part,
A mesh structure of a quadrupole field emission display characterized by comprising:
前記ゲート層は、さらに内部で銅線が延びている中空フレームを有することを特徴とする請求項6に記載の四極電界放射ディスプレイのメッシュ構造。   The mesh structure of a quadrupole field emission display according to claim 6, wherein the gate layer further includes a hollow frame in which a copper wire extends. それぞれの第2開口は、対応する1つの第1開口と一列に配列されることを特徴とする請求項6に記載の四極電界放射ディスプレイのメッシュ構造。   The mesh structure of a quadrupole field emission display according to claim 6, wherein each of the second openings is arranged in a line with the corresponding first opening. それぞれの第2開口は、対応する複数の第1開口と一列に配列されることを特徴とする請求項6に記載の四極電界放射ディスプレイのメッシュ構造。   The mesh structure of a quadrupole field emission display according to claim 6, wherein each second opening is arranged in a row with a corresponding plurality of first openings. 四極電界放射ディスプレイの陽極板と陰極板との間に組み込むメッシュ構造の製造方法であって、
第1導電板を提供する段階と、
第1導電板を貫通して延びる複数の第1開口を形成する段階と、
ガラス板を提供する段階と、
ガラス板を貫通して延びる複数の第2開口を形成する段階と、
ガラス板の一方を第1開口に対応して配列された第2開口を備えた第1導電板に一時的に取り付ける段階と、
第2導電板を提供する段階と、
第2導電板を貫通して延びる複数の第3開口を形成する段階と、
第2導電板を第1および第2開口に対応して配列された第3開口を備えたガラス板に一時的に取り付ける段階と、
第1導電板、ガラス板および第2導電板をメッシュ構造を形成するために取り外せないように積み重ねる段階と、
を含むことを特徴とする四極電界放射ディスプレイの製造方法。
A method of manufacturing a mesh structure incorporated between an anode plate and a cathode plate of a quadrupole field emission display,
Providing a first conductive plate;
Forming a plurality of first openings extending through the first conductive plate;
Providing a glass plate;
Forming a plurality of second openings extending through the glass plate;
Temporarily attaching one of the glass plates to a first conductive plate having a second opening arranged corresponding to the first opening;
Providing a second conductive plate;
Forming a plurality of third openings extending through the second conductive plate;
Temporarily attaching the second conductive plate to a glass plate having a third opening arranged corresponding to the first and second openings;
Stacking the first conductive plate, the glass plate and the second conductive plate so that they cannot be removed to form a mesh structure;
A method of manufacturing a quadrupole field emission display comprising:
ガラス板を第1導電板に一時的に取り付ける段階は、紫外線接着剤が適用されることを特徴とする請求項10に記載の四極電界放射ディスプレイの製造方法。   The method of manufacturing a quadrupole field emission display according to claim 10, wherein the step of temporarily attaching the glass plate to the first conductive plate is applied with an ultraviolet adhesive. 第2導電板をガラス板に一時的に取り付ける段階は、紫外線接着剤が適用されることを特徴とする請求項10に記載の四極電界放射ディスプレイの製造方法。   11. The method of manufacturing a quadrupole field emission display according to claim 10, wherein an ultraviolet adhesive is applied in the step of temporarily attaching the second conductive plate to the glass plate. 第1導電板、ガラス板および第2導電板を取り外せないように積み重ねる段階は、高温焼結工程を含むことを特徴とする請求項10に記載の四極電界放射ディスプレイの製造方法。   The method of manufacturing a quadrupole field emission display according to claim 10, wherein the step of stacking the first conductive plate, the glass plate and the second conductive plate so as not to be removed includes a high temperature sintering process. さらに、陽極板および陰極板と同様の熱膨張係数の材料から加工された第1および第2導電層を選択する段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の四極電界放射ディスプレイの製造方法。   11. The method of manufacturing a quadrupole field emission display according to claim 10, further comprising selecting first and second conductive layers processed from a material having a thermal expansion coefficient similar to that of the anode plate and the cathode plate. . さらに、陽極板および陰極板と同様の熱膨張係数のガラス板を選択する段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の四極電界放射ディスプレイの製造方法。   The method of manufacturing a quadrupole field emission display according to claim 10, further comprising selecting a glass plate having a thermal expansion coefficient similar to that of the anode plate and the cathode plate.
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