JP2005307353A - Film deposition apparatus, electronic device, electro-optic apparatus and electronic equipment - Google Patents

Film deposition apparatus, electronic device, electro-optic apparatus and electronic equipment Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a material arrangement method, a film deposition apparatus, an electronic device, an electro-optic apparatus and electronic equipment in which defective discharge of a nozzle is rapidly detected, defective products are reduced, and the material discharging state is consistent. <P>SOLUTION: The film deposition apparatus comprises a pressure control system 12 to perform the low-pressure control of the pressure in a vacuum chamber (a treatment chamber) 11, at least one nozzle 15 to arrange a material on a substrate (a member) 14, and a substrate stage 13 to hold the substrate 14, and further comprises a driving system (a moving means) 17 to relatively move the position of the nozzle 15 or the substrate stage 13, and an inspection system (an inspection means) to inspect the material arranged on the substrate 14. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、膜形成装置、電子装置、電気光学装置並びに電子機器に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus, an electronic apparatus, an electro-optical apparatus, and an electronic apparatus.

ディスプレイや表示光源などとして用いられる電気光学装置や、さらに、半導体装置などの電子装置の開発が日々加速している。この電気光学装置や電子装置の製造過程においては、特に、基体上の所定位置に材料を配置する成膜技術や配線技術は欠かせない技術であり、精度や品質、又は製造コストなどの各種製造条件を満たすための技術が望まれている。   The development of electro-optical devices used as displays and display light sources, and electronic devices such as semiconductor devices is accelerating daily. In the manufacturing process of the electro-optical device and the electronic device, in particular, a film forming technology and a wiring technology for arranging a material at a predetermined position on the substrate are indispensable technologies, and various manufacturing such as accuracy, quality, or manufacturing cost. A technique to satisfy the conditions is desired.

材料の配置技術としては、マスク蒸着法、材料吐出法(インクジェット法)、又は印刷法などが挙げられるが、近年では、基体上に形成される膜に特定の機能を持たせるために、基体上に配置する材料の多様化が進む傾向にあり、更に材料の選択自由度が高い材料の配置技術の開発が進められている。   Examples of the material arrangement technique include a mask vapor deposition method, a material discharge method (inkjet method), and a printing method. In recent years, in order to give a film formed on the substrate a specific function, There is a tendency that the materials to be arranged in the market are diversified, and the development of material arrangement technology with a high degree of freedom of selection of materials is being promoted.

例えば、特許文献1の明細書には、材料の配置方法、膜形成装置、電気光学装置及びその製造方法、電子装置、並びに電子機器が記載されている。特に、該明細書の材料の配置方法は、ノズルから供給される材料を基体上の所定の位置に配置する方法であって、前記基体が配置される処理室内を前記ノズル内よりも低い圧力に制御し、該圧力制御された処理室内で前記ノズルから前記基体に向けて前記材料を放出することを特徴としている。   For example, the specification of Patent Document 1 describes a material arrangement method, a film forming apparatus, an electro-optical device and a manufacturing method thereof, an electronic device, and an electronic apparatus. In particular, the material arrangement method of the specification is a method of arranging a material supplied from a nozzle at a predetermined position on a substrate, and the processing chamber in which the substrate is arranged is set to a pressure lower than that in the nozzle. Controlling and discharging the material from the nozzle toward the substrate in the pressure-controlled processing chamber.

上記の材料の配置方法によれば、基体が配置される処理室内をノズル内よりも低い圧力に制御し、その圧力制御された処理室内でノズルから基体に向けて材料を放出するので、圧力差を利用して、処理室内に供給された材料の移動を促し、基体上に材料を配置することが可能となる。   According to the material arrangement method described above, the processing chamber in which the substrate is arranged is controlled to a pressure lower than that in the nozzle, and the material is discharged from the nozzle toward the substrate in the pressure-controlled processing chamber. By using this, the movement of the material supplied into the processing chamber is promoted, and the material can be arranged on the substrate.

また、処理室内の圧力を真空圧に低下させることにより、大気圧中では固体の材料を、処理室内で液体あるいは気体の状態にすることが可能となり、これにより材料の移動を容易にできる。したがって、材料の選択自由度が高く、例えば、溶解性の低い材料を、溶剤に溶解させることなく基板上に配置することが可能となる。   In addition, by reducing the pressure in the processing chamber to a vacuum pressure, a solid material can be brought into a liquid or gas state in the processing chamber at atmospheric pressure, thereby facilitating the movement of the material. Therefore, it is possible to arrange a material having a high degree of freedom of selection, for example, a material having low solubility on the substrate without dissolving it in a solvent.

特公表2003-826359号Special Publication No. 2003-826359

しかしながら、上記従来技術の材料の配置方法においては、ノズルが偶発的、もしくは該ノズル内で材料の焦げ付きや結晶化などによって、材料の吐出が不可能となる場合があり、この場合、迅速にノズルの交換、もしくはクリーニングなどの作業により、生産工程を正常に復帰させる必要がある。その際に、発生した不良基板は、従来、全て廃棄されるか、もしくは、多面取りの基板であれば、部分的に破棄されることになる。   However, in the above-described prior art material arrangement method, there is a case where the nozzle may be accidentally or the material may not be discharged due to charring or crystallization of the material in the nozzle. It is necessary to return the production process to normal by exchanging or cleaning. At that time, all the defective substrates generated are conventionally discarded or partially discarded if they are multi-planar substrates.

さらに、近年では、生産の効率化のために、基板の大型化が進んでおり、例えば、形状が730mm×920mmの基板や、一辺が1mを超える基板からの複数枚取りが主流になりつつあることを考慮すると、前記基板における製品基板形状の1枚目の領域で材料の不吐出などの異常が発生した場合、多くの不良品が生じる可能性がある。即ち、欠陥を有する電気光学装置、もしくは電子装置の製造による歩留まりの低下により、上述の材料の配置方法によるコストメリットを充分に生かすことができないという問題があった。   Furthermore, in recent years, the size of a substrate has been increased in order to increase production efficiency. For example, a plurality of substrates from a substrate having a shape of 730 mm × 920 mm or a substrate having a side exceeding 1 m is becoming mainstream. Considering this, when an abnormality such as non-ejection of material occurs in the first region of the product substrate shape in the substrate, many defective products may be generated. That is, there is a problem that the cost merit by the above-described material arrangement method cannot be fully utilized due to a decrease in yield due to manufacture of a defective electro-optical device or electronic device.

また、上記のように、ノズルが材料の不吐出を起さないまでも、材料の吐出をある時間休止させた後に再び吐出を開始した場合、吐出開始の直後においては、吐出される材料の量が不安定となるという問題があった。例えば、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと表記する。)素子の製造において発光層を形成させた場合、不均一な発光層が形成され、発光ムラが生じる可能性があり、さらに、薄膜トランジスタの製造において各種配線を形成させた場合、所望の高精細な幅を有する配線を形成することができず、断線が生じる可能性があった。   In addition, as described above, even if the nozzle does not cause non-discharge of the material, when the discharge is started again after the discharge of the material is stopped for a certain time, the amount of the discharged material immediately after the start of the discharge There was a problem that became unstable. For example, when a light emitting layer is formed in the manufacture of an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element, a non-uniform light emitting layer may be formed, resulting in uneven light emission. In the case where various wirings are formed, a wiring having a desired high-definition width cannot be formed, and disconnection may occur.

本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、ノズルの吐出不良を迅速に検出し、不良品の削減を図り、また、材料の吐出状態を常に安定させることができる膜形成装置を提供することを目的の1つとする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a film forming apparatus capable of quickly detecting nozzle discharge defects, reducing defective products, and constantly stabilizing the material discharge state. This is one of the purposes.

上記課題を解決するために、本発明の第1の膜形成装置は、処理室と、前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、前記ノズルと前記基体との相対的な位置を調整するための位置調整手段と、前記基体上に配置された前記材料を検査する検査手段と、を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a first film forming apparatus of the present invention includes a processing chamber, a pressure control system that controls the pressure in the processing chamber, and a material supply source that is attached to the processing chamber. At least one nozzle that discharges the material supplied from the material supply source into the processing chamber, and a stage that is attached to the processing chamber and holds the base, and the relative relationship between the nozzle and the base And a position adjusting means for adjusting a general position, and an inspection means for inspecting the material arranged on the substrate.

本発明の第2の膜形成装置は、処理室と、前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、前記ノズルと前記ステージとの相対的な位置を調整するための位置調整手段と、を含み、前記処理室内は撮像素子を備えていることを備えることを特徴とする。
上記の膜形成装置において、前記撮像素子が行う光学測定に際に用いる光源をさらに備えていることが好ましい。
上記の膜形成装置において、前記撮像素子の位置または姿勢は調整可能となっていることが好ましい。
The second film forming apparatus of the present invention includes a processing chamber, a pressure control system that controls the pressure in the processing chamber, and the material supply source that is attached to the processing chamber and connected to the material supply source. At least one nozzle that discharges a supplied material into the processing chamber; and a stage that is attached to the processing chamber and holds a substrate; and for adjusting a relative position between the nozzle and the stage And a position adjusting means, wherein the processing chamber includes an image sensor.
It is preferable that the film forming apparatus further includes a light source used for optical measurement performed by the imaging element.
In the above-described film forming apparatus, it is preferable that the position or posture of the image sensor can be adjusted.

本発明の第3の膜形成装置は、処理室と、前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、前記ノズルと前記ステージとの相対的な位置を調整するための位置調整手段と、前記少なくとも1つのノズルからの前記材料の吐出の異常を検出するための検出手段とを備えることを特徴とする。   The third film forming apparatus of the present invention includes a processing chamber, a pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber, and the material supply source attached to the processing chamber and connected to the material supply source. At least one nozzle that discharges a supplied material into the processing chamber; and a stage that is attached to the processing chamber and holds a substrate; and for adjusting a relative position between the nozzle and the stage It is characterized by comprising position adjusting means and detecting means for detecting abnormal discharge of the material from the at least one nozzle.

本発明の第4の膜形成装置は、処理室と、前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、前記ノズルと前記ステージとの相対的な位置を調整するための位置調整手段と、前記少なくとも1つのノズルからの吐出された前記材料の光学測定を行う光学的手段と、を備えることを特徴とする。   The fourth film forming apparatus of the present invention includes a processing chamber, a pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber, and the material supply source attached to the processing chamber and connected to the material supply source. At least one nozzle that discharges a supplied material into the processing chamber; and a stage that is attached to the processing chamber and holds a substrate; and for adjusting a relative position between the nozzle and the stage It is characterized by comprising position adjusting means and optical means for optically measuring the material ejected from the at least one nozzle.

本発明の第5の膜形成装置は、処理室と、前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージと、前記材料の前記基体上における配置位置を検出する検出手段とを備えることを特徴とする。   The fifth film forming apparatus of the present invention includes a processing chamber, a pressure control system that controls the pressure in the processing chamber, and the material supply source that is attached to the processing chamber and connected to the material supply source. At least one nozzle for discharging the supplied material into the processing chamber; a stage attached to the processing chamber for holding the substrate; and a detecting means for detecting the arrangement position of the material on the substrate. It is characterized by.

上記の膜形成装置において、さらに前記配置位置と前記材料を配置させるべき目標位置との位置ズレが生じた場合に、前記少なくとも一つのノズルの位置補正を行う位置補正手段をさらに備えることが好ましい。
上記の膜形成装置において、前記少なくとも一つのノズルに動作不良が生じた場合、前記少なくとも一つのノズルの代用として使用する予備ノズルを更に備えるようにしてもよい。
上記の膜形成装置において、前記基体の温度を調整する温度調整手段を更に備えるようにしてもよい。
上記の膜形成装置において、前記処理室内の圧力を1.33322×10-1Pa以下に設定することが可能となっていることが好ましい。
In the film forming apparatus, it is preferable that the film forming apparatus further includes a position correcting unit that corrects the position of the at least one nozzle when a positional deviation occurs between the arrangement position and a target position where the material is to be arranged.
The film forming apparatus may further include a spare nozzle used as a substitute for the at least one nozzle when a malfunction occurs in the at least one nozzle.
The film forming apparatus may further include temperature adjusting means for adjusting the temperature of the substrate.
In the film forming apparatus, it is preferable that the pressure in the processing chamber can be set to 1.33322 × 10 −1 Pa or less.

本発明の電子装置は、上記の膜形成装置を用いて導電材料または半導体材料を前記基体上に配置することにより製造されたことを特徴とする。
本発明の電気光学装置は、上記の膜形成装置を用いて光学材料を前記基体上に配置することにより製造されたことを特徴とする。
The electronic device of the present invention is manufactured by disposing a conductive material or a semiconductor material on the base using the film forming apparatus.
The electro-optical device of the present invention is manufactured by disposing an optical material on the substrate using the film forming apparatus.

本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を表示手段として備えることを特徴とする。   According to another aspect of the invention, there is provided an electronic apparatus including the electro-optical device as a display unit.

上記の膜形成装置によれば、材料を吐出するノズルと、処理室内の圧力を制御する圧力制御系とを備えているので、後述する本発明の材料の配置方法を実施できる。つまり、この膜形成装置では、基体が配置される処理室内を高真空雰囲気とするように圧力に制御し、その圧力制御された処理室内でノズルから基体に向けて、材料を吐出することにより、圧力差を利用して、処理室内に供給された材料の移動を促し、基体上に材料を配置して、基体上に材料膜を形成することができる。また、処理室内の圧力を真空圧に低下させることにより、大気圧中では固体の材料を、処理室内で液体あるいは気体の状態にすることが可能となり、これにより材料の移動を容易にできる。そのため、この膜形成装置では、材料の選択自由度が高く、高分子材料や低分子材料など、基体上に様々な材料の配置が可能になる。   According to the film forming apparatus, since the nozzle for discharging the material and the pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber are provided, the material arranging method of the present invention described later can be implemented. That is, in this film forming apparatus, by controlling the pressure so that the processing chamber in which the substrate is disposed is in a high vacuum atmosphere, and discharging the material from the nozzle toward the substrate in the pressure-controlled processing chamber, By utilizing the pressure difference, the movement of the material supplied into the processing chamber can be promoted, the material can be arranged on the substrate, and the material film can be formed on the substrate. In addition, by reducing the pressure in the processing chamber to a vacuum pressure, a solid material can be brought into a liquid or gas state in the processing chamber at atmospheric pressure, thereby facilitating the movement of the material. Therefore, in this film forming apparatus, the degree of freedom of material selection is high, and various materials such as high molecular materials and low molecular materials can be arranged on the substrate.

さらに、溶剤の使用を避けるかあるいは溶剤の使用量を減らすことによって、材料膜の劣化など、溶剤の残留による不都合を回避することができる。また、この膜形成装置では、処理室内の圧力制御により、ノズルから材料を分子状に放出することが可能となり、これにより、より純度の高い材料膜を形成したり、材料膜の膜厚を高精度に制御したりできるようになる。さらに、材料を分子状に放出することによって、複数の材料を同時放出して混合させることが容易となり、この場合、特定の機能を持たせた機能膜を基体上に形成することが可能となる。   Furthermore, by avoiding the use of the solvent or reducing the amount of the solvent used, inconvenience due to the remaining solvent such as deterioration of the material film can be avoided. Further, in this film forming apparatus, it is possible to release the material from the nozzle in the form of molecules by controlling the pressure in the processing chamber, thereby forming a material film with higher purity or increasing the film thickness of the material film. It becomes possible to control with accuracy. Further, by releasing the materials in the form of molecules, it becomes easy to simultaneously release and mix a plurality of materials, and in this case, a functional film having a specific function can be formed on the substrate. .

さらに、吐出された材料を検査することにより、迅速に異常を検出することが可能となり、不良品の削減を図り、また、材料の吐出状態を常に安定させることができる。即ち、基体上のパターニング領域に材料を配置する前に、ノズルの吐出不良等の異常を検査することにより、不良品を多数製造することが防止され、製品の歩留まりを向上させることが可能となる。   Further, by inspecting the discharged material, it becomes possible to detect an abnormality quickly, to reduce defective products, and to always stabilize the discharge state of the material. That is, by inspecting abnormalities such as nozzle ejection defects before placing the material in the patterning region on the substrate, it is possible to prevent many defective products from being manufactured and improve the product yield. .

なお、上記ノズルは、少なくとも1つ備える構成としているが、複数のノズルを備えたヘッドを備える構成としても、本膜形成装置と同様の作用・効果が奏される。   In addition, although the said nozzle is set as the structure provided with at least one, the effect | action and effect similar to this film forming apparatus are show | played also as a structure provided with the head provided with the some nozzle.

また、上記の膜形成装置において、ノズルに吐出不良が生じた場合、その代用として使用する予備ノズルを更に備えていれば、ノズルの吐出不良が発生する都度、ノズルを交換する必要がなく、工程時間を短縮することが可能となる。   Further, in the above-described film forming apparatus, if a nozzle has a discharge failure, it is not necessary to replace the nozzle each time a nozzle discharge failure occurs, provided that a spare nozzle used as a substitute is further provided. Time can be shortened.

また、上記の膜形成装置において、検査手段により得られた材料の吐出結果を利用すれば、不良品の削減を図り、また、材料の吐出状態を常に安定させることができる。   Further, in the above-described film forming apparatus, if the discharge result of the material obtained by the inspection unit is used, defective products can be reduced, and the discharge state of the material can always be stabilized.

また、上記の膜形成装置において、材料が配置された配置位置と、その材料が配置されるべき目標位置との間に位置ズレが生じた場合に、ノズルの位置補正を行えば、材料の配置工程における工程時間を増加させることなく位置補正を行うことができ、従って、安定した材料の配置を行うことが可能となる。   Further, in the above film forming apparatus, if a positional deviation occurs between the arrangement position where the material is arranged and the target position where the material is to be arranged, the arrangement of the material can be achieved by correcting the position of the nozzle. Position correction can be performed without increasing the process time in the process, and thus stable material placement can be performed.

上記の電子装置、又は電気光学装置は、上述のような優れた性能を有する膜形成装置を用いて製造されているので、高寿命、高品質、あるいは高機能等、優れた性能を有するものである。   Since the electronic device or electro-optical device is manufactured using the film forming apparatus having the above-described excellent performance, the electronic device or the electro-optical device has excellent performance such as long life, high quality, or high function. is there.

本発明の材料の配置方法は、基体上に材料を配置する材料の配置方法であって、高真空度に調整された真空雰囲気中に設置された前記基体の所定領域に向けて、少なくとも1つのノズルから材料を吐出する吐出ステップと、前記吐出ステップの開始前に、前記真空雰囲気中で前記ノズルの吐出不良を検出する検出ステップと、を備えることを特徴としている。   The material disposing method of the present invention is a material disposing method for disposing a material on a substrate, wherein at least one material is disposed toward a predetermined region of the substrate disposed in a vacuum atmosphere adjusted to a high degree of vacuum. A discharge step of discharging a material from the nozzle; and a detection step of detecting a discharge failure of the nozzle in the vacuum atmosphere before the start of the discharge step.

上記の方法によれば、高真空度に調整された真空雰囲気中に設置された基体の所定領域に向けて、少なくとも1つのノズルから材料を吐出することにより、ノズル内と基体が設置されている雰囲気の圧力差を利用して材料の移動を促し、基体上に材料を配置することが可能となる。また、基体を設置する場所を真空雰囲気中とすることにより、大気圧中では固体の材料を、基体への配置時には液体あるいは気体の状態にすることが可能となり、これにより材料の移動を容易にできる。そのため、この材料の配置方法では、材料の選択自由度が高く、例えば、溶解性の低い材料を、溶剤に溶解させることなく基板上に配置することが可能となる。   According to the above method, the substrate and the substrate are installed by discharging material from at least one nozzle toward a predetermined region of the substrate installed in a vacuum atmosphere adjusted to a high degree of vacuum. It is possible to arrange the material on the substrate by using the pressure difference of the atmosphere to promote the movement of the material. In addition, by placing the substrate in a vacuum atmosphere, it is possible to change the solid material at atmospheric pressure to a liquid or gaseous state when placed on the substrate, thereby facilitating movement of the material. it can. Therefore, in this material arrangement method, the degree of freedom of selection of the material is high. For example, a material having low solubility can be arranged on the substrate without dissolving it in a solvent.

また、高分子材料や低分子材料など、基体上に様々な材料の配置が可能になる上に、溶剤の使用を避けるか、あるいは溶剤の使用量を減らすことによって、材料の劣化など、溶剤の残留による不都合を回避することができる。また、真空雰囲気の圧力制御により、ノズルから材料を分子状に放出することが可能となり、これにより、より純度の高い材料膜を形成したり、材料膜の膜厚を高精度に制御したりできるようになる。さらに、材料を分子状に放出することによって、複数の材料を同時放出して混合させることが容易となり、この場合、特定の機能を持たせた機能膜を基体上に形成することが可能となる。   In addition, various materials such as high molecular materials and low molecular materials can be arranged on the substrate, and the use of solvents such as deterioration of materials can be avoided by avoiding the use of solvents or reducing the amount of solvent used. Inconvenience due to the residue can be avoided. In addition, the pressure control of the vacuum atmosphere enables the material to be released from the nozzle in the form of molecules, thereby forming a material film with higher purity and controlling the film thickness of the material film with high accuracy. It becomes like this. Further, by releasing the materials in the form of molecules, it becomes easy to simultaneously release and mix a plurality of materials, and in this case, a functional film having a specific function can be formed on the substrate. .

さらに、この材料の配置方法では、吐出ステップの開始前に、真空雰囲気中でノズルの吐出不良を検出するので、ノズルの吐出不良を迅速に検出することが可能となり、不良品の削減を図り、また、材料の吐出状態を常に安定させることができる。即ち、基体上のパターニング領域に材料を配置する前に、ノズルの吐出不良の検出を行うことにより、不良品を多数製造することが防止され、製品の歩留まりを向上させることが可能となる。   Furthermore, in this material arrangement method, since the discharge failure of the nozzle is detected in a vacuum atmosphere before the start of the discharge step, it becomes possible to quickly detect the discharge failure of the nozzle, and to reduce defective products, Further, the discharge state of the material can always be stabilized. That is, by detecting the ejection failure of the nozzle before disposing the material in the patterning region on the substrate, it is possible to prevent a large number of defective products from being manufactured and to improve the product yield.

また、上記の材料の配置方法では、前記真空雰囲気を10-3torr(1.33322×10-1Pa)以下の真空度とすることが好ましく、さらには、10-5torr(1.33322×10-3Pa)とするのがより好ましい。 In the above-described material arranging method, the vacuum atmosphere is preferably set to a vacuum degree of 10 −3 torr (1.33322 × 10 −1 Pa) or less, and more preferably 10 −5 torr (1.33332 ×). 10 −3 Pa) is more preferable.

真空雰囲気を10-3torr以下にすれば、大気中ではノズルから吐出しにくい材料であっても、ノズルから容易に吐出することが可能となり、10-5torr以下にすれば、さらに多くの種類の材料を吐出可能とすることができるとともに、吐出する材料を気化させて吐出しやすくすることが可能となる。 If the vacuum atmosphere is set to 10 −3 torr or less, even a material that is difficult to be discharged from the nozzle in the air can be easily discharged from the nozzle, and if it is set to 10 −5 torr or less, more types are available. The material can be discharged, and the material to be discharged can be vaporized for easy discharge.

また、上記の材料の配置方法では、前記検出ステップは、前記所定領域以外の予備吐出領域に前記材料の吐出を行い、該吐出の結果に基づいて、前記ノズルの吐出不良を検出する動作を含むことを特徴としており、さらには、前記所定領域に予備部材を設置し、該予備部材に備えた予備吐出領域に前記材料の吐出を行い、該吐出の結果に基づいて、前記ノズルの吐出不良を検出する動作を含んでも良い。   In the material arrangement method, the detecting step includes an operation of discharging the material to a preliminary discharge region other than the predetermined region and detecting a discharge failure of the nozzle based on the discharge result. Further, a preliminary member is installed in the predetermined region, the material is discharged to the preliminary discharge region provided in the preliminary member, and the discharge failure of the nozzle is determined based on the discharge result. An operation to detect may be included.

この方法によれば、予備吐出領域に材料の吐出を行って、その吐出の結果に基づいてノズルの吐出不良を検出するので、基体の所定領域に配置される材料の吐出状況を事前に確実に再現することができ、より正確に吐出不良を検出することが可能となる。   According to this method, since the material is discharged to the preliminary discharge region and the discharge failure of the nozzle is detected based on the discharge result, the discharge state of the material arranged in the predetermined region of the substrate is surely confirmed in advance. It is possible to reproduce, and it becomes possible to detect the ejection failure more accurately.

また、上記の材料の配置方法では、前記ノズルの吐出不良の検出は、前記予備吐出領域に吐出された前記材料の光の反射率を検出するか、もしくは、光の透過率を検出するなど分光学的手段により行うことができる。   Further, in the material arrangement method described above, the ejection failure of the nozzle is detected by detecting a reflectance of light of the material ejected to the preliminary ejection region or by detecting a light transmittance. This can be done by optical means.

このようにすれば、予備吐出領域に吐出された材料の配置形状に影響されることがなく、また、検出時間を問題とすることなく、正確にノズルの吐出不良を検出することが可能となる。   In this way, it is possible to accurately detect nozzle ejection defects without being affected by the arrangement shape of the material ejected to the preliminary ejection region and without causing a problem in detection time. .

さらに、上記の材料の配置方法では、前記検出ステップは、前記吐出ステップにおける前記材料の変更時に行うことが好ましい。   Furthermore, in the material arrangement method, it is preferable that the detection step is performed when the material is changed in the discharge step.

このようにすれば、材料の変更に起因するノズルの吐出不良も、所定領域への材料の吐出前に、事前に検出することが可能となる。   In this way, it is possible to detect in advance the ejection failure of the nozzle due to the change of the material before the material is ejected to the predetermined region.

また、本発明の材料の配置方法は、基体上に材料を配置する材料の配置方法であって、高真空度に調整された真空雰囲気中に設置された前記基体の所定領域に向けて、少なくとも1つのノズルから材料を吐出する吐出ステップと、前記吐出ステップの開始前に、前記所定領域以外の前記基体上の領域に向けて、前記ノズルから前記材料を予備吐出する予備吐出ステップと、を備えることを特徴としている。   The material arranging method of the present invention is a material arranging method for arranging a material on a substrate, and at least toward a predetermined region of the substrate installed in a vacuum atmosphere adjusted to a high vacuum degree. A discharge step of discharging material from one nozzle, and a preliminary discharge step of pre-discharging the material from the nozzle toward an area on the substrate other than the predetermined area before the start of the discharge step. It is characterized by that.

上記の方法によれば、高真空度に調整された真空雰囲気中に設置された基体の所定領域に向けて、少なくとも1つのノズルから材料を吐出することにより、ノズル内と基体が設置されている雰囲気の圧力差を利用して材料の移動を促し、基体上に材料を配置することが可能となる。また、基体を設置する場所を真空雰囲気中とすることにより、大気圧中では固体の材料を、基体への配置時には液体あるいは気体の状態にすることが可能となり、これにより材料の移動を容易にできる。そのため、この材料の配置方法では、材料の選択自由度が高く、例えば、溶解性の低い材料を、溶剤に溶解させることなく基板上に配置することが可能となる。   According to the above method, the substrate and the substrate are installed by discharging material from at least one nozzle toward a predetermined region of the substrate installed in a vacuum atmosphere adjusted to a high degree of vacuum. It is possible to arrange the material on the substrate by using the pressure difference of the atmosphere to promote the movement of the material. In addition, by placing the substrate in a vacuum atmosphere, it is possible to change the solid material at atmospheric pressure to a liquid or gaseous state when placed on the substrate, thereby facilitating movement of the material. it can. Therefore, in this material arrangement method, the degree of freedom of selection of the material is high. For example, a material having low solubility can be arranged on the substrate without dissolving it in a solvent.

また、高分子材料や低分子材料など、基体上に様々な材料の配置が可能になる上に、溶剤の使用を避けるか、あるいは溶剤の使用量を減らすことによって、材料の劣化など、溶剤の残留による不都合を回避することができる。また、真空雰囲気の圧力制御により、ノズルから材料を分子状に放出することが可能となり、これにより、より純度の高い材料膜を形成したり、材料膜の膜厚を高精度に制御したりできるようになる。さらに、材料を分子状に放出することによって、複数の材料を同時放出して混合させることが容易となり、この場合、特定の機能を持たせた機能膜を基体上に形成することが可能となる。   In addition, various materials such as high molecular materials and low molecular materials can be arranged on the substrate, and the use of solvents such as deterioration of materials can be avoided by avoiding the use of solvents or reducing the amount of solvent used. Inconvenience due to the residue can be avoided. In addition, the pressure control of the vacuum atmosphere enables the material to be released from the nozzle in the form of molecules, thereby forming a material film with higher purity and controlling the film thickness of the material film with high accuracy. It becomes like this. Further, by releasing the materials in the form of molecules, it becomes easy to simultaneously release and mix a plurality of materials, and in this case, a functional film having a specific function can be formed on the substrate. .

さらに、この材料の配置方法では、吐出ステップの開始前に、所定領域以外の基体上の領域に向けて、ノズルから材料を予備吐出するので、常に、所定領域への材料の吐出量を安定させることができる。即ち、例えば、材料を連続して吐出している状態では、各ノズルからの材料吐出量が安定しているものの、一旦材料の吐出を休止させる等の動作に起因して、ノズル内で材料の固着等等の影響で吐出を再開させたときの材料の吐出量が安定しない場合があるが、予備吐出により、このようなことが発生しない。   Further, in this material arrangement method, since the material is preliminarily discharged from the nozzle toward the area on the substrate other than the predetermined area before the start of the discharge step, the discharge amount of the material to the predetermined area is always stabilized. be able to. That is, for example, in the state where the material is continuously discharged, the material discharge amount from each nozzle is stable, but due to an operation such as temporarily stopping the material discharge, the material is discharged inside the nozzle. Although the discharge amount of the material when the discharge is restarted due to the influence of sticking or the like may not be stable, this does not occur due to the preliminary discharge.

また、上記の材料の配置方法では、前記真空雰囲気を10-3torr(1.33322×10-1Pa)以下の真空度とすることが好ましく、さらには、10-5torr(1.33322×10-3Pa)とするのがより好ましい。 In the above-described material arranging method, the vacuum atmosphere is preferably set to a vacuum degree of 10 −3 torr (1.33322 × 10 −1 Pa) or less, and more preferably 10 −5 torr (1.33332 ×). 10 −3 Pa) is more preferable.

真空雰囲気を10-3torr以下にすれば、大気中ではノズルから吐出しにくい材料であっても、ノズルから容易に吐出することが可能となり、10-5torr以下にすれば、さらに多くの種類の材料を吐出可能とすることができるとともに、吐出する材料を気化させて吐出しやすくすることが可能となる。 If the vacuum atmosphere is set to 10 −3 torr or less, even a material that is difficult to be discharged from the nozzle in the air can be easily discharged from the nozzle, and if it is set to 10 −5 torr or less, more types are available. The material can be discharged, and the material to be discharged can be vaporized for easy discharge.

また、上記の材料の配置方法では、前記予備吐出ステップは、前記吐出ステップに連続する前工程で前記ノズルの予備吐出を行うことが好ましい。   In the material arranging method, it is preferable that the preliminary discharge step performs the preliminary discharge of the nozzles in a pre-process subsequent to the discharge step.

このようにすれば、予備吐出後に、すぐに本吐出に移ることができるので、予備吐出後のノズルの吐出安定性を高度に維持したまま材料の配置が可能となる。   In this way, since the main discharge can be started immediately after the preliminary discharge, it is possible to dispose the material while maintaining high discharge stability of the nozzle after the preliminary discharge.

また、上記の材料の配置方法では、前記予備吐出ステップは、前記吐出ステップにおける前記材料の変更時に行うことを特徴としている。   In the material arrangement method, the preliminary ejection step is performed when the material is changed in the ejection step.

このようにすれば、材料の変更に起因する材料の吐出量の不安定性を、材料の吐出前に、事前に解消させることが可能となる。   In this way, the instability of the material discharge amount due to the material change can be eliminated in advance before the material is discharged.

さらに、上記の材料の配置方法では、前記予備吐出ステップの直後に、予備吐出で配置された前記材料の配置位置と、予備吐出で前記材料を配置させる目標位置とを検出し、前記配置位置と前記目標位置とに位置ズレが生じた場合に、前記ノズルの位置補正を行う位置補正ステップを更に備えることを特徴としている。   Further, in the material placement method, immediately after the preliminary ejection step, the placement position of the material placed by preliminary ejection and the target position where the material is placed by preliminary ejection are detected, and the placement position It is further characterized by further comprising a position correction step for correcting the position of the nozzle when a positional deviation occurs with respect to the target position.

上記の方法によれば、予備吐出ステップの直後に、予備吐出で配置された材料の配置位置と、予備吐出で材料を配置させる目標位置とを検出して、配置位置と目標位置とに位置ズレが生じた場合に、ノズルの位置補正を行うので、位置ズレが生じても、材料の配置工程における工程時間を増加させることなく位置補正を行うことができ、従って、安定した材料の配置を行うことが可能となる。   According to the above method, immediately after the preliminary discharge step, the arrangement position of the material arranged by the preliminary discharge and the target position where the material is arranged by the preliminary discharge are detected, and the positional deviation between the arrangement position and the target position is detected. Since the position of the nozzle is corrected in the case of occurrence of position error, the position can be corrected without increasing the process time in the material arrangement process even if the position deviation occurs, and thus stable material arrangement is performed. It becomes possible.

本発明の電子装置の製造方法では、上記の材料の配置方法を用いて、電子装置を構成する要素の少なくとも一部を形成することを特徴としている。   The method for manufacturing an electronic device according to the present invention is characterized in that at least a part of elements constituting the electronic device is formed using the above-described material arranging method.

この電子装置の製造方法では、上述した材料の配置方法を用いることから、材料の選択自由度が高く、構造の最適化を図りやすい。しかも溶剤の残留による不都合がなく、電子装置の高寿命化が図られる。また、より純度の高い材料膜や特定の機能膜を形成することにより、高品質あるいは高機能のトランジスタやメモリ素子を製造することができる。さらに、材料の吐出が安定化されることにより、低コストの電子装置を製造することが可能となる。   In this electronic device manufacturing method, since the material arrangement method described above is used, the material can be selected with a high degree of freedom and the structure can be easily optimized. Moreover, there is no inconvenience due to residual solvent, and the life of the electronic device can be extended. Further, by forming a higher-purity material film or a specific functional film, a high-quality or high-performance transistor or memory element can be manufactured. Furthermore, by stabilizing the material discharge, a low-cost electronic device can be manufactured.

また、上記の電子装置の製造方法では、材料としてトランジスタまたはメモリ素子を構成する導電層、半導体層、絶縁層のうちの少なくとも一つの形成材料を配置し、導電層、半導体層、または絶縁層を形成することを特徴としている。   Further, in the above method for manufacturing an electronic device, at least one forming material of a conductive layer, a semiconductor layer, and an insulating layer constituting a transistor or a memory element is disposed as a material, and the conductive layer, the semiconductor layer, or the insulating layer is formed. It is characterized by forming.

この製造方法によれば、導電層、半導体層、絶縁層の形成材料を高い自由度で選択することができ、また溶媒を使用しないでこれら導電層、半導体層、あるいは絶縁層を形成するので、得られる素子の寿命向上化を図ることが可能となる。   According to this manufacturing method, the formation material of the conductive layer, the semiconductor layer, and the insulating layer can be selected with a high degree of freedom, and since these conductive layer, semiconductor layer, or insulating layer is formed without using a solvent, It becomes possible to improve the lifetime of the obtained element.

また、上記の電子装置の製造方法では、前記基体上に予め配線間を隔てるパターンを形成しておき、該パターン内に前記形成材料を配置して、導電層を形成することを特徴としている。   In the method for manufacturing an electronic device, a pattern for separating wirings is formed in advance on the base, and the forming material is disposed in the pattern to form a conductive layer.

この製造方法によれば、形成材料を吐出した際、その着弾位置に少々バラツキがあっても、パターン内に着弾すれば所望の位置に導電層を形成することができ、従って、導電層等からなる配線をそれぞれ所望位置に形成することにより、回路の特性を高めることが可能となる。   According to this manufacturing method, when the forming material is ejected, even if the landing position varies slightly, if the conductive material lands in the pattern, the conductive layer can be formed at a desired position. By forming the wirings to be formed at desired positions, it is possible to improve the circuit characteristics.

本発明の電気光学装置の製造方法では、上記の材料の配置方法を用いて、電気光学装置を構成する要素の少なくとも一部を形成することを特徴としている。   The electro-optical device manufacturing method of the present invention is characterized in that at least a part of elements constituting the electro-optical device is formed by using the material arranging method described above.

この電気光学装置の製造方法では、上述した材料の配置方法を用いることから、材料の選択自由度が高く、構造の最適化を図りやすい。しかも溶剤の残留による不都合がなく、電気光学装置の高寿命化が図られる。また、より純度の高い材料膜や特定の機能膜を形成することにより、高品質あるいは高機能の電気光学素子を製造することができる。さらに、材料の吐出が安定化されることにより、低コストの電気光学装置を製造することが可能となる。   In this method of manufacturing an electro-optical device, since the material arrangement method described above is used, the material can be selected with a high degree of freedom and the structure can be easily optimized. In addition, there is no inconvenience due to residual solvent, and the life of the electro-optical device can be extended. In addition, a high-quality or high-performance electro-optic element can be manufactured by forming a material film having a higher purity or a specific functional film. Further, since the discharge of the material is stabilized, a low-cost electro-optical device can be manufactured.

また、上記の電気光学装置の製造方法では、材料として有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する電子輸送層、正孔輸送層、発光層、電極のうちの少なくとも一つの形成材料を配置し、電子輸送層、正孔輸送層、発光層または電極を形成することを特徴としている。   Further, in the above-described electro-optical device manufacturing method, an electron transport layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electrode constituting an organic electroluminescence element as a material are arranged, and an electron transport layer, It is characterized by forming a hole transport layer, a light emitting layer or an electrode.

この製造方法によれば、電子輸送層、正孔輸送層、発光層あるいは電極の形成材料を高い自由度で選択することができ、また溶媒を使用しないでこれら電子輸送層、正孔輸送層、発光層あるいは電極を形成するので、得られる素子の寿命向上化を図ることが可能となる。   According to this production method, a material for forming an electron transport layer, a hole transport layer, a light emitting layer or an electrode can be selected with a high degree of freedom, and these electron transport layer, hole transport layer, Since the light emitting layer or the electrode is formed, it is possible to improve the lifetime of the obtained element.

また、上記の電気光学装置の製造方法では、前記基体上に予め画素間を隔てる隔壁を形成しておき、該隔壁内に前記形成材料を配置して電子輸送層、正孔輸送層、または発光層を形成することを特徴としている。   In the method of manufacturing the electro-optical device, a partition wall that separates pixels is formed on the base in advance, and the formation material is disposed in the partition wall to form an electron transport layer, a hole transport layer, or a light emitting device. It is characterized by forming a layer.

この製造方法によれば、形成材料を吐出した際、その着弾位置に少々バラツキがあっても、隔壁内に着弾すれば所望の位置に発光層等を形成することができ、従って、発光層等からなる画素をそれぞれ所望位置に形成することにより、表示品質を高めることが可能となる。   According to this manufacturing method, when the forming material is discharged, even if the landing positions vary slightly, the light emitting layer or the like can be formed at a desired position by landing in the partition wall. The display quality can be improved by forming each of the pixels at desired positions.

以下、本発明の実施形態による材料の配置方法、膜形成装置、電気光学装置及びその製造方法、電子装置、並びに電子機器について詳細に説明する。   Hereinafter, a material arrangement method, a film forming apparatus, an electro-optical device and a manufacturing method thereof, an electronic device, and an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

〔第1の実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態である膜形成装置の一例を模式的に示した斜視図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention.

膜形成装置は、ディスプレイや表示光源などとして用いられるEL素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD)、電子放出素子、電気泳動素子などを備えた電気光学装置や、半導体素子、磁気ヘッド、カラーフィルタ、タッチパネル等の電子装置の製造過程に用いられ、これらの装置を構成する要素の一部を形成するために、基体上に材料を配置してその材料膜を形成するものである。   The film forming apparatus includes an EL element, a liquid crystal display element, an image pickup element (CCD), an electron emission element, an electrophoretic element, and the like used as a display and a display light source, a semiconductor element, a magnetic head, and a color filter. In order to form a part of the elements that are used in the manufacturing process of electronic devices such as touch panels, a material film is disposed on a substrate to form a material film thereof.

膜形成装置10は、処理室である真空チャンバ11と、該真空チャンバ11内を所定の真空圧に制御する圧力制御系12と、真空チャンバ11内に設けられる基体ステージ13と、該基体ステージ13にセットされる基体14と、該基体14に材料を吐出するノズル15と、該ノズル15に材料を供給する材料供給系16と、基体14とノズル15とを相対的に位置決めする駆動系17と、ノズル15からの材料の不吐出を検出するためのセンサを組み込んだテレビカメラ18と、該テレビカメラ18から取り込んだデータを処理し、材料の不吐出を検査する画像処理装置(不図示)を有する検出系19と、これらの機構を統括的に制御する主制御系20とから構成されている。   The film forming apparatus 10 includes a vacuum chamber 11 that is a processing chamber, a pressure control system 12 that controls the inside of the vacuum chamber 11 to a predetermined vacuum pressure, a substrate stage 13 provided in the vacuum chamber 11, and the substrate stage 13. A base 14 set on the base 14, a nozzle 15 for discharging the material to the base 14, a material supply system 16 for supplying the material to the nozzle 15, and a drive system 17 for relatively positioning the base 14 and the nozzle 15. A television camera 18 incorporating a sensor for detecting non-ejection of material from the nozzle 15, and an image processing apparatus (not shown) for processing data fetched from the television camera 18 and inspecting non-ejection of material The detection system 19 has a main control system 20 that comprehensively controls these mechanisms.

基体14としては、ガラス基板、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や電子装置に用いられる公知の様々な基体が適用される。また、基体14上に配置される材料としては、光学材料や、回路形成材料など電気光学装置や電子装置に用いられる様々な材料が適用される。特に、本発明の膜形成装置は、後述するように、材料の選択自由度が高く、高分子材料や低分子材料など、広範囲の様々な材料が適用可能である。   As the substrate 14, various known substrates used in electro-optical devices and electronic devices such as a glass substrate, a silicon substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, a plastic substrate, and a plastic film substrate are applied. In addition, various materials used for electro-optical devices and electronic devices, such as optical materials and circuit forming materials, are applied as materials disposed on the substrate 14. In particular, as will be described later, the film forming apparatus of the present invention has a high degree of freedom in selecting materials, and a wide variety of materials such as high molecular materials and low molecular materials can be applied.

図2(a)、(b)は、膜形成用の材料として、有機EL素子を構成する発光層形成材料を基体14上に配置した様子を示している。   FIGS. 2A and 2B show a state in which a light emitting layer forming material constituting an organic EL element is disposed on the substrate 14 as a film forming material.

図2(a)において、基体14上には、画素部102、データ側駆動回路103、走査側駆動回路104、不吐出検出パターン領域(予備吐出領域)60がそれぞれ設けられており、画素部102において、発光層形成材料が基体14上にストライプ状に配置され、これにより発光層(EL層)が基体14上にストライプ状の配列で形成されている。   In FIG. 2A, a pixel unit 102, a data side driving circuit 103, a scanning side driving circuit 104, and a non-ejection detection pattern region (preliminary ejection region) 60 are provided on the base 14. , The light emitting layer forming material is arranged in a stripe shape on the substrate 14, whereby the light emitting layers (EL layers) are formed in a stripe arrangement on the substrate 14.

また、図2(b)では、画素部102において、発光層形成材料が基体14上にマトリクス状に配置され、これにより発光層105が基体14上にマトリクス状の配列で形成されている。EL素子では、カラー表示を行う場合、例えば、赤(Red)、緑(Green)、青(Blue)の各色に対応する発光層が所定の配列で基体14上に形成される。図1に示した膜形成装置10は、例えば、こうした発光層を基体14上に形成するために、所定の材料を基体14上に配置するものである。なお、図2において、駆動回路103、104は基体14上に搭載されているが、外部(外付ICチップ上など)に搭載してもよい。有機EL素子の詳しい構成例については、本発明の電気光学装置の一例として、後述する。   In FIG. 2B, in the pixel portion 102, the light emitting layer forming material is arranged in a matrix on the base 14, and thereby the light emitting layers 105 are formed on the base 14 in a matrix. In the EL element, when performing color display, for example, light emitting layers corresponding to each color of red (Red), green (Green), and blue (Blue) are formed on the substrate 14 in a predetermined arrangement. In the film forming apparatus 10 shown in FIG. 1, for example, a predetermined material is disposed on the substrate 14 in order to form such a light emitting layer on the substrate 14. In FIG. 2, the drive circuits 103 and 104 are mounted on the base 14, but may be mounted outside (such as on an external IC chip). A detailed configuration example of the organic EL element will be described later as an example of the electro-optical device of the invention.

図3は、膜形成装置10を用いて基体14上に材料を配置する、本発明の材料の配置方法の一例を概念的に示す図である。本例の膜形成装置10では、基体14が配置される真空チャンバ11内を、圧力制御系12を介して、ノズル15内よりも低い圧力(真空圧)に制御し、圧力制御された真空チャンバ11内でノズル15から基体14に向けて材料を放出する。   FIG. 3 is a diagram conceptually showing an example of the material arranging method of the present invention in which the material is arranged on the base 14 using the film forming apparatus 10. In the film forming apparatus 10 of this example, the inside of the vacuum chamber 11 in which the substrate 14 is disposed is controlled to a pressure (vacuum pressure) lower than that in the nozzle 15 via the pressure control system 12, and the pressure-controlled vacuum chamber is controlled. In 11, the material is discharged from the nozzle 15 toward the substrate 14.

図4は、圧力制御系12の構成例を模式的に示している。圧力制御系12は、例えば、真空チャンバ11内を排気して、該真空チャンバ11内の圧力を低下させる真空装置30と、真空チャンバ11に連設された排気用の配管31と、真空チャンバ11内の真空圧を計測する圧力計32と、該圧力計32の計測結果に基づいて、真空装置30を制御する制御機器33等を備えて構成される。真空装置30としては、例えば、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、イオンポンプ、サブリメーションポンプ等の高真空ポンプ、あるいはロータリーポンプやドライポンプ等の低真空ポンプ、及び高真空ポンプと低真空ポンプとを組み合わせたもの等が適用される。また、真空チャンバ11は、気密に構成されるとともに、設定される真空圧に耐えうるように耐圧構造に設計される。   FIG. 4 schematically shows a configuration example of the pressure control system 12. The pressure control system 12, for example, exhausts the inside of the vacuum chamber 11 to reduce the pressure in the vacuum chamber 11, an exhaust pipe 31 connected to the vacuum chamber 11, and the vacuum chamber 11. A pressure gauge 32 for measuring the internal vacuum pressure, and a control device 33 for controlling the vacuum device 30 based on the measurement result of the pressure gauge 32 are provided. Examples of the vacuum device 30 include a high vacuum pump such as a turbo molecular pump, a cryopump, an ion pump, a sublimation pump, a low vacuum pump such as a rotary pump or a dry pump, and a combination of a high vacuum pump and a low vacuum pump. Apply. Further, the vacuum chamber 11 is configured to be airtight and designed to have a pressure resistant structure so as to withstand a set vacuum pressure.

また、圧力制御系13においては、真空装置30の作動時の振動が真空チャンバ11内に伝播しないよう、防振機構あるいは除振機構を設けておくのが好ましい。さらに、基体14を搬入・搬出する際に、真空チャンバ11内の真空度が低下しないように、真空チャンバ11に隣接して予備チャンバ34を設けるのが好ましい。この場合、予備チャンバ34は、例えば、真空チャンバ11内の真空度と同じ真空度に内部圧力を低下させるための真空装置35、及び基体14の搬入・搬出用の開口を開閉する開閉機構36,37等を有して構成される。なお、基体14を搬送する搬送機構は、予備チャンバ34内に設けてもよいし、外部に設けてもよい。   In the pressure control system 13, it is preferable to provide an anti-vibration mechanism or a vibration isolation mechanism so that vibration during operation of the vacuum apparatus 30 does not propagate into the vacuum chamber 11. Furthermore, it is preferable to provide a spare chamber 34 adjacent to the vacuum chamber 11 so that the degree of vacuum in the vacuum chamber 11 does not decrease when the substrate 14 is carried in and out. In this case, the preliminary chamber 34 includes, for example, a vacuum device 35 for reducing the internal pressure to the same degree of vacuum as the degree of vacuum in the vacuum chamber 11, and an opening / closing mechanism 36 that opens and closes the opening for carrying in / out the substrate 14. 37 and the like. A transport mechanism for transporting the base body 14 may be provided in the spare chamber 34 or may be provided outside.

真空チャンバ11内に基体14を搬入する際には、まず、予備チャンバ34内に基体14を一旦配置し、予備チャンバ34内の圧力を真空チャンバ11内と同程度の圧力に制御した後、予備チャンバ34と真空チャンバ11との間の開閉機構36を開いて真空チャンバ11への基体14の搬入を行う。逆に、真空チャンバ11から基体14を搬出する際には、予備チャンバ34内の圧力を真空チャンバ11内と同程度の圧力に制御した後、開閉機構36を開いて基体14を予備チャンバ34内に搬入し、開閉機構36を閉じた後に、予備チャンバ34内から基体14を外部に搬出する。これにより、真空チャンバ11の真空度を安定して維持することができる。   When the substrate 14 is carried into the vacuum chamber 11, first, the substrate 14 is once arranged in the spare chamber 34, and after the pressure in the spare chamber 34 is controlled to a pressure similar to that in the vacuum chamber 11, The opening / closing mechanism 36 between the chamber 34 and the vacuum chamber 11 is opened, and the substrate 14 is carried into the vacuum chamber 11. Conversely, when the substrate 14 is unloaded from the vacuum chamber 11, the pressure in the auxiliary chamber 34 is controlled to the same level as that in the vacuum chamber 11, and then the opening / closing mechanism 36 is opened to place the substrate 14 in the auxiliary chamber 34. Then, after closing the opening / closing mechanism 36, the substrate 14 is carried out of the spare chamber 34 to the outside. Thereby, the vacuum degree of the vacuum chamber 11 can be maintained stably.

図3に示すように、上記の圧力制御系12により、真空チャンバ11内をノズル15内よりも低い圧力に制御し、圧力制御された真空チャンバ11内でノズル15から基体14に向けて材料を放出する。したがって、ノズル15内と真空チャンバ11との圧力差により、ノズル15から放出される材料の移動が促され、ノズル15から放出された材料が基体14上に安定して配置される。また、真空チャンバ11内の圧力を真空圧に低下させることにより、大気圧中では固体あるいは液体の材料を、真空チャンバ11内で液体あるいは気体の状態にすることが可能となり、これにより材料の移動が容易になる。即ち、本実施形態では、室温及び大気圧中では基体14に移動しにくい材料に対して、真空圧中でその材料の状態(好ましくは相)を変化させることにより、その移動を容易にできる。したがって、様々な材料を基体14上に配置することが可能となる。   As shown in FIG. 3, the pressure control system 12 controls the inside of the vacuum chamber 11 to a pressure lower than that in the nozzle 15, and the material is transferred from the nozzle 15 toward the substrate 14 in the pressure-controlled vacuum chamber 11. discharge. Accordingly, the pressure difference between the inside of the nozzle 15 and the vacuum chamber 11 promotes the movement of the material discharged from the nozzle 15, and the material discharged from the nozzle 15 is stably disposed on the base 14. Further, by reducing the pressure in the vacuum chamber 11 to a vacuum pressure, a solid or liquid material can be brought into a liquid or gas state in the vacuum chamber 11 at atmospheric pressure, thereby moving the material. Becomes easier. That is, in the present embodiment, a material that is difficult to move to the substrate 14 at room temperature and atmospheric pressure can be easily moved by changing the state (preferably phase) of the material under vacuum pressure. Therefore, various materials can be disposed on the base 14.

例えば、真空チャンバ11内を高真空度に制御することにより、ノズル15から供給される材料を気化させて放出することが可能となる。その結果、溶解性の低い材料を、溶剤に溶解させることなく基体14上に配置することが可能となる。つまり、ノズル15から供給される材料が固体や高粘度の液体であっても、真空チャンバ11内の圧力を大きく低下させ、その材料を蒸発あるいは昇華させることにより、その材料を、気相あるいは蒸気相としてノズル15から基体14に移動させることが可能となる。   For example, by controlling the inside of the vacuum chamber 11 to a high degree of vacuum, the material supplied from the nozzle 15 can be vaporized and discharged. As a result, it is possible to dispose a material with low solubility on the substrate 14 without dissolving it in a solvent. That is, even if the material supplied from the nozzle 15 is a solid or a high-viscosity liquid, the pressure in the vacuum chamber 11 is greatly reduced, and the material is evaporated or sublimated, whereby the material is converted into a gas phase or vapor. It becomes possible to move from the nozzle 15 to the substrate 14 as a phase.

真空チャンバ11内の圧力は、蒸気圧等の使用する材料の特性に応じて適宜設定するのが好ましく、圧力制御系12を介して、例えば、10-3torr(1.33322×10-1Pa)以下の高真空度、あるいは10-5torr(1.33322×10-3Pa)以下の高真空度に制御する。真空チャンバ11内を、10-3torr以下の高真空度に制御することにより、大気圧中ではノズル15から放出しにくい材料であっても、ノズル15から容易に放出できるようになり、さらに、真空チャンバ11内を10-5torr以下の高真空度に制御することにより、より広範囲の様々な材料をノズル15から放出することが可能となる。また、真空チャンバ11内を上述した高真空度に制御することにより、ノズル15から放出される材料の昇華あるいは蒸発を容易にできる。 The pressure in the vacuum chamber 11 is preferably set as appropriate according to the characteristics of the material used, such as vapor pressure, and is, for example, 10 −3 torr (1.33332 × 10 −1 Pa) via the pressure control system 12. ) The following high vacuum degree or high vacuum degree of 10 −5 torr (1.33322 × 10 −3 Pa) or less is controlled. By controlling the inside of the vacuum chamber 11 to a high degree of vacuum of 10 −3 torr or less, even a material that is difficult to release from the nozzle 15 at atmospheric pressure can be easily released from the nozzle 15, By controlling the inside of the vacuum chamber 11 to a high vacuum level of 10 −5 torr or less, a wider variety of materials can be discharged from the nozzle 15. Further, by controlling the inside of the vacuum chamber 11 to the above-described high degree of vacuum, the material discharged from the nozzle 15 can be easily sublimated or evaporated.

図5は、材料供給系16の構成例を示す概念図である。図5(a)の例では、材料供給系16は、材料を液体の状態でノズル15に供給するように構成されている。即ち、材料供給系16は、液体材料を収容するタンクを含む材料供給源40、ノズル15、材料供給源40からノズル15に材料を輸送するポンプ等の輸送手段41、及びノズル15からの材料の放出のタイミングを制御する放出機構42等を有する。なお、毛管現象や重力、あるいは圧力差を利用することにより、上記輸送手段41を省略してもよい。   FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating a configuration example of the material supply system 16. In the example of FIG. 5A, the material supply system 16 is configured to supply the material to the nozzle 15 in a liquid state. That is, the material supply system 16 includes a material supply source 40 including a tank that stores a liquid material, a nozzle 15, a transport means 41 such as a pump that transports the material from the material supply source 40 to the nozzle 15, and the material from the nozzle 15. A discharge mechanism 42 for controlling the discharge timing is provided. In addition, you may abbreviate | omit the said transport means 41 by utilizing a capillary phenomenon, gravity, or a pressure difference.

また、室温及び大気圧中で固体の材料を使用する場合、図5(b)に示すように、ヒータ等の加熱手段43によって材料を加熱して溶融させることにより、その材料を液体の状態でノズル15に供給することが可能となる。この場合、加熱手段43は、例えば、材料が収容されるタンクの他に、輸送経路上の配管や、ノズル15にも設置するのが好ましい。   Also, when using a solid material at room temperature and atmospheric pressure, as shown in FIG. 5B, the material is heated and melted by a heating means 43 such as a heater, so that the material is in a liquid state. It becomes possible to supply to the nozzle 15. In this case, it is preferable to install the heating means 43 in, for example, a pipe on the transport path and the nozzle 15 in addition to the tank in which the material is stored.

ノズル15は、真空チャンバ11内に少なくとも1つ設けられるが、本実施形態では複数からなり、各々が材料供給源40に接続されている。図6は、複数のノズル15と材料供給源40との接続例を模式的に示しており、図6(a)は、複数のノズル15が同一の材料供給源40に接続された例、図6(b)は、複数のノズル15がそれぞれ異なる材料供給源40a,40b,40cに接続された例を示している。複数のノズル15が同一の材料供給源40に接続され、その複数のノズル15から同一の材料を基体14に向けて放出することにより、一度に材料を配置できる領域を拡大したり、時間あたりの材料の供給量を増やしたりしてスループットの低減化が図られる。また、複数のノズル15が異なる材料供給源40a,40b,40cに接続され、その複数のノズル15からそれぞれ異なる材料を基体14に向けて放出することにより、異なる複数の材料からなる膜を基体14上に形成することができる。例えば、図2を用いて説明したEL素子の発光層を基体上に形成する場合、赤(Red)、緑(Green)、青(Blue)の各色に対応する発光層形成材料をそれぞれ異なるノズルから放出することにより、各色に対応する発光層を所定の配列パターンで基体上に形成することが可能となる。   At least one nozzle 15 is provided in the vacuum chamber 11. In the present embodiment, a plurality of nozzles 15 are provided, and each nozzle 15 is connected to the material supply source 40. FIG. 6 schematically shows an example of connection between the plurality of nozzles 15 and the material supply source 40. FIG. 6A shows an example in which the plurality of nozzles 15 are connected to the same material supply source 40. FIG. 6 (b) shows an example in which the plurality of nozzles 15 are connected to different material supply sources 40a, 40b, and 40c, respectively. A plurality of nozzles 15 are connected to the same material supply source 40, and the same material is discharged from the plurality of nozzles 15 toward the base body 14, thereby expanding an area where the material can be arranged at one time, Throughput can be reduced by increasing the amount of material supplied. In addition, a plurality of nozzles 15 are connected to different material supply sources 40a, 40b, and 40c, and different materials are discharged from the plurality of nozzles 15 toward the base 14, thereby forming films made of a plurality of different materials. Can be formed on top. For example, when the light emitting layer of the EL element described with reference to FIG. 2 is formed on a substrate, the light emitting layer forming materials corresponding to each color of red (Green) and blue (Blue) are supplied from different nozzles. By emitting, it becomes possible to form a light emitting layer corresponding to each color on the substrate in a predetermined arrangement pattern.

また、本実施形態では、複数のノズル15が同一の物体にまとめて設けられている。図7(a)〜(d)は、上記複数のノズル15が設けられる物体としての放出ヘッド45の構成例を模式的に示している。図7(a)では、放出ヘッド45は、一の材料供給源40に接続されており、材料供給源40から供給された材料は、放出ヘッド45内で分岐して各ノズル15に送られるように構成されている。   In the present embodiment, the plurality of nozzles 15 are collectively provided on the same object. 7A to 7D schematically show a configuration example of the discharge head 45 as an object provided with the plurality of nozzles 15. In FIG. 7A, the discharge head 45 is connected to one material supply source 40, and the material supplied from the material supply source 40 branches in the discharge head 45 and is sent to each nozzle 15. It is configured.

また、図7(b)では、放出ヘッド45は、一の材料供給源40に接続されており、材料供給源40から供給された材料は、放出ヘッド45に入る前に分岐され、放出ヘッド45内では分岐されることなくそのまま各ノズル15に送られるように構成されている。この場合、ノズル内での分岐によるエネルギー損失の不均一をなくし、材料の供給状態をより均一にできる。   In FIG. 7B, the discharge head 45 is connected to one material supply source 40, and the material supplied from the material supply source 40 is branched before entering the discharge head 45. It is configured to be sent to each nozzle 15 as it is without being branched. In this case, non-uniformity in energy loss due to branching in the nozzle can be eliminated, and the material supply state can be made more uniform.

また、図7(c)では、放出ヘッド45は、異なる複数の材料供給源40a,40b,40cに接続されており、各材料供給源40a,40b,40cから供給された材料は、放出ヘッド45に設けられた複数のノズルのうち、予め対応付けられた所定のノズルに送られるように構成されている。   7C, the discharge head 45 is connected to a plurality of different material supply sources 40a, 40b, and 40c, and the material supplied from each material supply source 40a, 40b, and 40c is the discharge head 45. Among the plurality of nozzles provided in the nozzles, the nozzles are configured to be sent to predetermined nozzles associated in advance.

また、図7(d)では、放出ヘッドが複数(45a,45b,45c)からなり、それぞれが異なる材料供給源40a,40b,40cに個別に接続されている。こうした放出ヘッド45の構成やその材料の供給経路は、使用する材料に応じて適宜定められる。なお、放出ヘッドに設けられた複数のノズル15は、放出機構42(図5参照)によって材料放出のタイミングを個々に制御される。   In FIG. 7D, a plurality of discharge heads (45a, 45b, 45c) are provided, which are individually connected to different material supply sources 40a, 40b, 40c. The configuration of the ejection head 45 and the material supply path are appropriately determined according to the material to be used. The plurality of nozzles 15 provided in the discharge head are individually controlled in material discharge timing by a discharge mechanism 42 (see FIG. 5).

放出機構42としては、例えば、シャッターの開閉により機械的に材料放出のタイミングを制御するメカニカルシャッター方式を採用することができる。図8は、放出機構42の構成例を示しており、本実施形態の放出機構42は、ノズル15内の液状の材料を加熱することにより、その材料を気化(蒸発)させてノズル15から放出させる。   As the discharge mechanism 42, for example, a mechanical shutter system that mechanically controls the material discharge timing by opening and closing the shutter can be employed. FIG. 8 shows a configuration example of the discharge mechanism 42, and the discharge mechanism 42 of the present embodiment heats the liquid material in the nozzle 15 to vaporize (evaporate) the material and discharge it from the nozzle 15. Let

図8において、放出機構42は、ノズル15内の材料を加熱する加熱手段46を有し、その加熱のタイミングを制御することにより、材料放出のタイミングを制御するように構成されている。材料放出用の加熱手段46としては、例えば、電気ヒータを用いたもの(図8(a),(b))や、YAGレーザ等のレーザを用いたもの(図8(c))、又は高周波加熱装置を用いたもの(図8(d))等が挙げられる。なお、加熱手段46としてはこれに限らず、公知の様々な加熱手段を適用可能である。また、ノズル15から材料を気化させて放出する場合、加熱手段46は、ノズル15内の材料のうち、基体14に面する表面付近を加熱するように設けるのが好ましい。これにより、材料の表面から効果的に材料を気化させることができる。   In FIG. 8, the discharge mechanism 42 includes a heating unit 46 that heats the material in the nozzle 15, and is configured to control the material discharge timing by controlling the heating timing. As the heating means 46 for discharging the material, for example, an electric heater (FIGS. 8A and 8B), a YAG laser or the like (FIG. 8C), or a high frequency is used. The thing using a heating apparatus (FIG.8 (d)) etc. are mentioned. The heating means 46 is not limited to this, and various known heating means can be applied. In addition, when the material is vaporized and discharged from the nozzle 15, it is preferable that the heating unit 46 is provided so as to heat the vicinity of the surface facing the substrate 14 among the material in the nozzle 15. Thereby, the material can be effectively vaporized from the surface of the material.

本実施形態では、基体14が配置される真空チャンバ11(図3参照)内の圧力がノズル15内よりも低い圧力(真空圧)に制御されることから、ノズル15から放出される材料を加熱することで、その材料を真空チャンバ11内で容易に気化(蒸発)させることができる。特に、真空チャンバ11内が高真空度に制御されている場合、材料の沸点が大きく下がり、比較的少ない熱量で材料が容易に気化(蒸発)する。気化した材料は、ノズル15から気体あるいは蒸気の状態で放出され、基体14に向かって移動し、基体14に達した後、例えば、基体14との熱交換によって冷却され、液化あるいは固化して基体14上に固定される。そして、所定量の材料が基体14上に配置されることにより、基体14上に材料膜が形成される。   In the present embodiment, since the pressure in the vacuum chamber 11 (see FIG. 3) in which the substrate 14 is disposed is controlled to a pressure (vacuum pressure) lower than that in the nozzle 15, the material discharged from the nozzle 15 is heated. By doing so, the material can be easily vaporized (evaporated) in the vacuum chamber 11. In particular, when the inside of the vacuum chamber 11 is controlled to a high degree of vacuum, the boiling point of the material is greatly lowered, and the material is easily vaporized (evaporated) with a relatively small amount of heat. The vaporized material is discharged from the nozzle 15 in the form of gas or vapor, moves toward the base 14, reaches the base 14, and is then cooled, for example, by heat exchange with the base 14, and is liquefied or solidified. 14 is fixed. Then, a predetermined amount of material is disposed on the base 14 to form a material film on the base 14.

高真空度に制御された真空チャンバ11内で、ノズル15から材料を気化させて放出する場合、その材料を分子状(分子線状)あるいは原子状(原子線状)に放出することが可能となる。そして、分子状あるいは原子状に放出された材料を基体14に配置することにより、より純度の高い材料膜を基体14上に形成したり、材料膜の膜厚を高精度に制御したりできるようになる。つまり、真空チャンバ11内が高真空度に制御されていることから、ノズル15から供給される材料に不純物が混入しにくく、また、材料を分子状あるいは原子状に放出して基体14上に配置することにより、分子あるいは原子レベルでの膜厚制御が可能となる。特に、複数のノズル15から材料を同時放出して複数の材料を混合させることが容易となり、この場合、特定の機能を持たせた機能膜を基体14上に形成しやすくなる。   When the material is vaporized and discharged from the nozzle 15 in the vacuum chamber 11 controlled to a high degree of vacuum, the material can be released in a molecular form (molecular line form) or an atomic form (atomic line form). Become. By disposing the molecularly or atomically released material on the base 14, a higher purity material film can be formed on the base 14, and the film thickness of the material film can be controlled with high accuracy. become. In other words, since the inside of the vacuum chamber 11 is controlled to a high degree of vacuum, impurities are not easily mixed into the material supplied from the nozzle 15, and the material is released on the substrate 14 in a molecular or atomic form. This makes it possible to control the film thickness at the molecular or atomic level. In particular, it becomes easy to simultaneously discharge the materials from the plurality of nozzles 15 and mix the plurality of materials. In this case, it becomes easy to form a functional film having a specific function on the substrate 14.

検出系19では、ノズル15の吐出不良の検出は、不吐出検出パターン領域60に吐出された材料の光の反射率を検出するか、もしくは、光の透過率を検出するなど分光学的手段により行うことができる。これによれば、不吐出検出パターン領域60に吐出された材料の配置形状に影響されることがなく、また、検出時間を問題とすることなく、正確にノズルの吐出不良を検出することができる。   In the detection system 19, the ejection failure of the nozzle 15 is detected by spectroscopic means such as detecting the reflectance of the material ejected to the non-ejection detection pattern region 60 or detecting the light transmittance. It can be carried out. According to this, it is possible to accurately detect a nozzle ejection defect without being affected by the arrangement shape of the material ejected to the non-ejection detection pattern region 60 and without causing a problem in detection time. .

図9は、膜形成装置10の主制御系20を示す概念図である。主制御系20は、各種制御部を内蔵した本体となる制御コントローラ50と、該制御コントローラ50の入出力手段であるティーチングペンダント51とから構成されている。ティーチングペンダント51は、不図示であるが、材料配置の進行状況及びノズルの異常の有無等の情報を表示する表示部と、膜形成装置10の動作等を指示する操作部とからなる。   FIG. 9 is a conceptual diagram showing the main control system 20 of the film forming apparatus 10. The main control system 20 includes a control controller 50 serving as a main body incorporating various control units, and a teaching pendant 51 serving as input / output means of the control controller 50. Although not shown, the teaching pendant 51 includes a display unit that displays information such as the progress of material arrangement and the presence / absence of nozzle abnormality, and an operation unit that instructs the operation of the film forming apparatus 10.

制御コントローラ50は、ティーチングペンダント51とのデータの受け渡しを行うインターフェイス52と、膜形成装置10の制御を行うCPU53と、該CPU53を動作させるための制御プログラムを記憶するROM54と、異常情報等を記憶するRAM55と、圧力制御系12に接続され、真空チャンバ11内の圧力を制御する圧力制御部56と、材料供給系16に接続され、材料の吐出を制御する吐出制御部57と、駆動系17に接続され、基体ステージ13の動作を制御するステージ制御部58と、検出系19に備えられた画像処理装置に接続される検出部59とから構成されている。   The control controller 50 stores an interface 52 for transferring data to and from the teaching pendant 51, a CPU 53 for controlling the film forming apparatus 10, a ROM 54 for storing a control program for operating the CPU 53, abnormality information, and the like. RAM 55 that is connected to the pressure control system 12, a pressure control unit 56 that controls the pressure in the vacuum chamber 11, a discharge control unit 57 that is connected to the material supply system 16 and controls the discharge of the material, and the drive system 17. And a detection unit 59 connected to an image processing apparatus provided in the detection system 19 and a stage control unit 58 that controls the operation of the substrate stage 13.

図10は、材料の配置時(パターニング時)における基体14と放出ヘッド45(ノズル15)との相対移動の様子の一例を示す図である。また、図10において、XYZ直交座標系が用いられ、XYZ直交座標系は、基体14が搭載される基体ステージ13に対して平行となるようにX軸及びY軸が設定され、Z軸が基体ステージ13に対して直交する方向に設定されている。   FIG. 10 is a diagram illustrating an example of the relative movement between the substrate 14 and the ejection head 45 (nozzle 15) during material placement (patterning). In FIG. 10, an XYZ orthogonal coordinate system is used. In the XYZ orthogonal coordinate system, the X axis and the Y axis are set so as to be parallel to the substrate stage 13 on which the substrate 14 is mounted. It is set in a direction orthogonal to the stage 13.

図10において、本実施形態の駆動系17は、不図示のベース上に配置され、二次元平面内(図10中のXY平面内)で駆動自在に配置される基体ステージ13を有する。基体ステージ13は、例えば、リニアモータ等からなる駆動装置、及び基体ステージ13上の基体14を加熱・冷却するための温調装置等を有しており、主制御系20の指令のもとで、基体14を所定の温度に調節するとともに、基体14の所定位置への位置決めや移動を行う。即ち、膜形成装置10では、材料の配置時(パターニング時)において、ノズル15から材料を放出しながら、基体14と放出ヘッド45(ノズル15)とを相対移動させることにより、基体14上に所定の配列で材料膜を形成する。また、基体14を所定の温度に調節することにより、基体14上に配置される材料の堆積や固化を促進させる。なお、基体14と放出ヘッド45(ノズル15)との間隔(Z方向の距離)は、不図示のZ駆動装置を介して調整される。なお、駆動系17において、放出ヘッド45あるいは基体14のXY平面に対する傾きを調整する手段や、XY平面内での回転角を調整する手段を備えてもよい。   In FIG. 10, the drive system 17 of this embodiment has a substrate stage 13 that is disposed on a base (not shown) and is movably disposed within a two-dimensional plane (within the XY plane in FIG. 10). The base stage 13 has, for example, a drive device composed of a linear motor and the like, a temperature control device for heating and cooling the base 14 on the base stage 13, and the like, under the command of the main control system 20. The base body 14 is adjusted to a predetermined temperature, and the base body 14 is positioned and moved to a predetermined position. That is, in the film forming apparatus 10, when the material is disposed (patterning), the substrate 14 and the ejection head 45 (nozzle 15) are moved relative to each other while discharging the material from the nozzle 15. The material film is formed in the arrangement of Further, by adjusting the substrate 14 to a predetermined temperature, the deposition and solidification of the material disposed on the substrate 14 is promoted. In addition, the space | interval (distance of Z direction) of the base | substrate 14 and the discharge | release head 45 (nozzle 15) is adjusted via a Z drive device not shown. Note that the drive system 17 may include means for adjusting the inclination of the ejection head 45 or the substrate 14 with respect to the XY plane, and means for adjusting the rotation angle in the XY plane.

また、本例では、基体ステージ13を介して基体14を移動させることにより、パターニング時における基体14と放出ヘッド45(ノズル15)との相対移動を行うが、本発明はこれに限定されず、放出ヘッド45を移動させて上記相対移動を行ってもよく、あるいは基体14と放出ヘッド45との双方を移動させて上記相対移動を行ってもよい。基体14と放出ヘッド45との双方を移動させる場合、一方(例えば放出ヘッド45)の移動により上記走査移動を行い、他方(例えば基体14)の移動により上記シフト移動を行ってもよい。また、ある箇所に対して一度の走査移動で材料膜の形成を完成させるのではなく、同じ箇所に対して、複数回繰り返し走査移動を繰り返して、材料膜を完成させてもよい。これにより、例えば、基体上で材料を成長(気相成長)させながら材料膜を形成することが可能となる。この場合、材料の膜成長に応じて走査移動を繰り返すことにより、スループットの低下を抑制できる。   In this example, the substrate 14 is moved via the substrate stage 13 to perform relative movement between the substrate 14 and the discharge head 45 (nozzle 15) during patterning. However, the present invention is not limited to this, The relative movement may be performed by moving the discharge head 45, or the relative movement may be performed by moving both the substrate 14 and the discharge head 45. When both the substrate 14 and the ejection head 45 are moved, the scanning movement may be performed by moving one (for example, the ejection head 45), and the shift movement may be performed by moving the other (for example, the substrate 14). Further, instead of completing the formation of the material film with a single scanning movement for a certain location, the material film may be completed by repeating the scanning movement with respect to the same location a plurality of times. Thereby, for example, a material film can be formed while the material is grown (vapor phase growth) on the substrate. In this case, a reduction in throughput can be suppressed by repeating the scanning movement according to the film growth of the material.

次に、本実施形態の膜形成装置による膜形成工程を、図11に示すフローチャートに従って説明する。   Next, the film forming process by the film forming apparatus of this embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

まず、膜形成装置10の基体ステージ13上に基体14をセットし、位置決めを行う(ステップS1)。位置決めを行った後、基体14上に設けられた予備吐出領域60が放出ヘッド45の直下に移動された際(ステップS2)、例えば、図12に示すような描画を行う。描画パターンをテレビカメラ18と検出系19によって認識し(ステップS3)、異常がない場合、基体ステージ13は、基体14上のパターニング領域70を放出ヘッド45の直下に移動し(ステップS4)、材料の配置を実行する。なお、単一の基体から複数枚の製品基板を採取する場合、例えば、単一基体上に2カ所のパターニング領域を有する場合は、基体ステージ13は、上記の材料の配置が終了した後、基体上の第2の不吐出検出パターン領域(不図示)が放出ヘッド45の直下に位置するように移動される(ステップS5)。そして、同一の動作を再度繰り返し、第2のパターニング領域(不図示)に対して材料の配置を行う。   First, the substrate 14 is set on the substrate stage 13 of the film forming apparatus 10 and positioned (step S1). After the positioning, when the preliminary ejection region 60 provided on the substrate 14 is moved directly below the ejection head 45 (step S2), for example, drawing as shown in FIG. 12 is performed. The drawing pattern is recognized by the television camera 18 and the detection system 19 (step S3), and if there is no abnormality, the substrate stage 13 moves the patterning region 70 on the substrate 14 directly below the discharge head 45 (step S4). Perform the placement. When a plurality of product substrates are collected from a single substrate, for example, when two patterning regions are provided on a single substrate, the substrate stage 13 is arranged after the arrangement of the above materials is completed. The upper second non-ejection detection pattern region (not shown) is moved so as to be located immediately below the ejection head 45 (step S5). Then, the same operation is repeated again, and the material is arranged in the second patterning region (not shown).

一方、ステップS3で不吐出等の異常が発見された場合、直ちにパターニング領域70への材料の配置を停止し、放出ヘッド45の回復手段による回復動作の実行(ステップS6)、もしくは、放出ヘッド45の交換等(ステップS7)を行う。   On the other hand, if an abnormality such as non-ejection is found in step S3, the material is immediately placed in the patterning region 70 and the recovery operation by the recovery means of the discharge head 45 is executed (step S6), or the discharge head 45 Is exchanged (step S7).

以上説明したように、本例の膜形成装置及び材料の配置方法では、材料の選択自由度が高く、高分子材料や低分子材料など、基体上に様々な材料の配置が可能になる。そのため、溶剤の使用を避けるかあるいは溶剤の使用量を減らすことによって、材料膜の劣化など、溶剤の残留による不都合を回避することができる。また、ノズルから材料を分子状あるいは原子状に放出することが可能となり、これにより、より純度の高い材料膜を形成したり、材料膜の膜厚を高精度に制御したりでき、さらに、複数の材料を同時放出して混合させることで、特定の機能を持たせた機能膜を基体上に良好に形成することが可能である。   As described above, the film forming apparatus and the material arranging method of this example have a high degree of freedom in selecting materials, and various materials such as a high molecular material and a low molecular material can be arranged on the substrate. Therefore, by avoiding the use of the solvent or reducing the use amount of the solvent, it is possible to avoid inconveniences due to the remaining of the solvent, such as deterioration of the material film. In addition, it is possible to release the material from the nozzle in the form of molecules or atoms, thereby forming a material film with higher purity, controlling the film thickness of the material film with high precision, By simultaneously releasing and mixing these materials, it is possible to satisfactorily form a functional film having a specific function on the substrate.

さらに、ノズルの吐出不良を迅速に検出し、不良品の削減を図り、また、材料の吐出状態を常に安定させることができる。即ち、基体上のパターニング領域に材料を配置する前に、ノズルの吐出不良の検出を行うことにより、不良品を多数製造することが防止され、製品の歩留まりを向上させることが可能となる。   Furthermore, it is possible to quickly detect nozzle ejection defects, reduce defective products, and always stabilize the material ejection state. That is, by detecting the ejection failure of the nozzle before disposing the material in the patterning region on the substrate, it is possible to prevent a large number of defective products from being manufactured and to improve the product yield.

〔第2の実施形態〕
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

第1の実施形態では、基体14のパターニング領域70への材料の配置を行う直前に、基体14上に不吐出検出パターンを放出ヘッド45(ノズル15)から吐出させるようにしたが、本実施形態では、パターニング領域70に材料の配置を行う前に、基体14上に放出ヘッド45の吐出状態を安定化させるための予備吐出を行うことを特徴としている。   In the first embodiment, the non-ejection detection pattern is ejected from the ejection head 45 (nozzle 15) onto the substrate 14 immediately before the material is placed in the patterning region 70 of the substrate 14, but this embodiment In this case, before the material is arranged in the patterning region 70, preliminary discharge for stabilizing the discharge state of the discharge head 45 is performed on the substrate 14.

図12は、基体14上への予備吐出のパターンを示した図である。図12に示すように、基体14上のパターニング領域202に材料を吐出する直前において、パターニング領域202の脇に設けられた、基体14上の予備吐出領域204,206に予備吐出を行う。予備吐出のための材料の吐出パターンとしては、図12(a)に示すように、パターニング領域202の配列(ライン)パターンと同一ピッチで吐出を行ってもよいし、図12(b)に示すように、ある範囲をべた塗りするように吐出してもよい。さらには、図12(a),(b)に示すような予備吐出パターン以外に、例えば、後に液晶表示装置等を構成するために、基体であるガラス基板に対向基板を貼りあわせるときの位置決め用のアライメントマークを予備吐出により形成するようにしても良い。   FIG. 12 is a diagram showing a pattern of preliminary ejection onto the substrate 14. As shown in FIG. 12, immediately before the material is discharged to the patterning region 202 on the substrate 14, preliminary discharge is performed on the preliminary discharge regions 204 and 206 on the substrate 14 provided beside the patterning region 202. As a discharge pattern of the material for the preliminary discharge, as shown in FIG. 12A, the discharge may be performed at the same pitch as the arrangement (line) pattern of the patterning region 202, or as shown in FIG. As described above, the discharge may be performed so as to fill a certain range. Furthermore, in addition to the preliminary ejection patterns as shown in FIGS. 12A and 12B, for example, for positioning when a counter substrate is bonded to a glass substrate as a base in order to configure a liquid crystal display device or the like later. These alignment marks may be formed by preliminary ejection.

なお、予備吐出領域の形状は、図12(a),(b)に示した形状に限定されるものではなく、例えば、図13(a),(b)に示すように、予備吐出領域204,206をパターニング領域202の両側に形成しても良いし、図14(a),(b)に示すように、パターニング領域を取り囲むように予備吐出領域を形成するようにしても良い。   Note that the shape of the preliminary ejection region is not limited to the shape shown in FIGS. 12A and 12B. For example, as shown in FIGS. 13A and 13B, the preliminary ejection region 204 is formed. 206 may be formed on both sides of the patterning region 202, or as shown in FIGS. 14A and 14B, a preliminary discharge region may be formed so as to surround the patterning region.

上記のように、通常、材料を連続して吐出している状態では、各ノズルからの材料吐出量が安定しているものの、一旦材料の吐出を休止させると、ノズル内で材料が乾燥すること等の影響で吐出を再開させたときの材料の吐出量が安定しないが、本実施形態によれば、パターニング領域には、常に安定した材料の吐出を行うことが可能となる。さらには、予備吐出領域がパターニング領域に近接しているので、予備吐出後に、すぐに本吐出に移ることができ、予備吐出後のノズルの吐出安定性を高度に維持したまま材料の配置が可能となる。   As described above, the material discharge amount from each nozzle is stable in the state where the material is being discharged continuously, but once the material discharge is stopped, the material is dried in the nozzle. However, according to the present embodiment, it is possible to always stably discharge the material to the patterning region. Furthermore, since the preliminary discharge area is close to the patterning area, it is possible to move to the main discharge immediately after the preliminary discharge, and it is possible to arrange the material while maintaining high discharge stability of the nozzle after the preliminary discharge. It becomes.

なお、上記の実施形態では、予備吐出領域を基体14上に設けた一例を示したが、本発明は、これに限らず、基体外の部分に予備吐出用の受け(部材)を用意し、該受け上に予備吐出を行っても、同様の効果を奏する。   In the above embodiment, an example in which the preliminary discharge area is provided on the base 14 is shown. However, the present invention is not limited thereto, and a preliminary discharge receiver (member) is prepared in a portion outside the base. Even if the preliminary discharge is performed on the receiver, the same effect is obtained.

〔第3の実施形態〕
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.

本実施形態では、実際に使用するパターニング領域の外側から材料の配置を開始することにより、パターニング領域に均一な材料吐出量による膜を形成することを特徴としている。   The present embodiment is characterized in that a film having a uniform material discharge amount is formed in the patterning region by starting the arrangement of the material from the outside of the patterning region that is actually used.

通常、放出ヘッド45(ノズル15)は、連続的、あるいは繰り返しパターンで材料を吐出し続けている間は安定して材料を吐出させることが出来るが、最初に吐出し始める場合や、次のラインに移して材料の配置を行う場合、材料の吐出当初の材料量は不安定となる。   Normally, the discharge head 45 (nozzle 15) can stably discharge the material while continuously discharging the material in a continuous or repetitive pattern. When the material is arranged by moving to step 1, the material amount at the beginning of discharging the material becomes unstable.

例えば、図15(a)に示すように、最初の材料吐出量が所望の量に対して少なかったり、図15(b)に示すように、最初の材料吐出量が所望の量に対して大きくなったり、図15(c)に示すように、材料の着弾点と材料の濃度の中心がずれる場合がある。これらの現象は、材料を吐出させないで放出ヘッド45又は基体14を移動させる場合、ノズル15の近傍で、例えば、材料が蒸発するために材料の濃度が変化したり、材料の粘性が変化したりするために起こる現象である。   For example, as shown in FIG. 15A, the initial material discharge amount is smaller than the desired amount, or as shown in FIG. 15B, the initial material discharge amount is larger than the desired amount. As shown in FIG. 15C, the landing point of the material may deviate from the center of the concentration of the material. These phenomena are caused when the discharge head 45 or the substrate 14 is moved without discharging the material, for example, the concentration of the material changes due to evaporation of the material or the viscosity of the material changes near the nozzle 15. It is a phenomenon that occurs to

なお、本実施形態における予備吐出のパターンについては、図15に示すように、パターニング領域202と同様のパターンを延長させてもよいし、全く別な形状でも良い。また、図16に示すように、吐出が不安定な材料の種類のみ長い距離の予備吐出をさせても良い。あるいは、図17に示すように、基体14の端部に予備吐出領域210を設けて、該予備吐出領域210で吐出が安定するまで材料を吐出させた後、材料の配置を開始しても良い。また、図18に示すように、走査方向を配列パターンに対して垂直あるいは角度をつけても、走査開始方向に予備吐出領域を設ければ良いことになる。   As for the preliminary ejection pattern in the present embodiment, as shown in FIG. 15, the same pattern as the patterning region 202 may be extended, or a completely different shape may be used. Further, as shown in FIG. 16, only a kind of material whose ejection is unstable may be subjected to preliminary ejection over a long distance. Alternatively, as shown in FIG. 17, a preliminary discharge region 210 may be provided at the end of the base 14, and after the material is discharged until the discharge is stabilized in the preliminary discharge region 210, the material arrangement may be started. . In addition, as shown in FIG. 18, even if the scanning direction is perpendicular or angled with respect to the array pattern, it is only necessary to provide a preliminary ejection region in the scanning start direction.

〔第4の実施形態〕
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

図19は、本実施形態の膜形成装置の概略を示す斜視図である。膜形成装置300は、基体14を図中X及びY方向に移動させるステージ等からなる移動機構301と、基体14をθ方向に回転自在である回転ステージ302と、基体14を保持し固定する固定台303と、材料を吐出するノズルを有する放出ヘッド304と、配置された材料のパターンを読み取るセンサ305と、該センサ305の撮像範囲を照射する光源306と、基体14に予め設けられたアライメントマーク310を読み取るアライメント用センサ307,308とから構成されている。   FIG. 19 is a perspective view showing an outline of the film forming apparatus of the present embodiment. The film forming apparatus 300 includes a moving mechanism 301 including a stage that moves the base 14 in the X and Y directions in the drawing, a rotary stage 302 that can rotate the base 14 in the θ direction, and a fixing that holds and fixes the base 14. A base 303, a discharge head 304 having a nozzle for discharging a material, a sensor 305 for reading a pattern of the arranged material, a light source 306 for irradiating an imaging range of the sensor 305, and an alignment mark provided in advance on the substrate 14 It is composed of alignment sensors 307 and 308 that read 310.

図20は、膜形成装置300のブロック図である。膜形成装置300の制御系は、全体の制御を行うホストコンピュータ311と、ステージ301の制御部312と、材料の吐出を行う放出ヘッド304の制御部313と、センサ305によって読み取られた映像データから、放出ヘッド304からの吐出の有無の検知や材料の配置位置やパターニング領域の位置の計測等を行う画像処理部314と、放出ヘッド304の姿勢、位置を制御する姿勢調整制御部315とからなる。   FIG. 20 is a block diagram of the film forming apparatus 300. The control system of the film forming apparatus 300 includes a host computer 311 that performs overall control, a control unit 312 of the stage 301, a control unit 313 of the discharge head 304 that discharges material, and video data read by the sensor 305. The image processing unit 314 detects the presence or absence of ejection from the discharge head 304, measures the position of the material and the position of the patterning region, and the like, and the posture adjustment control unit 315 that controls the posture and position of the discharge head 304. .

図21は、図19で説明した放出ヘッド304、センサ305、光源306の配置を詳細に説明した図である。放出ヘッド304は、θ方向調整機構325、Z方向調整機構326、Y方向調整機構327によって姿勢を調整できるようになっており、Z方向調整機構326によって、放出ヘッド304と基体14との間隔を、所定の距離に設定することができる。また、θ方向調整機構325は、放出ヘッド304を、基体14に対して所定の角度に設定することができる。姿勢調整機構325,326,327は、例えば、直動ステージと回転ステージ等の移動機構を組み合わせてY,Z,θ軸を構成する。また、各軸の移動機構は、手動で動かすように構成してもよいし、モータ等の駆動源を取り付けて動かすようにしても良い。放出ヘッド304は、複数の材料吐出口(ノズル)を持ち、図中Y方向に並んでいる。   FIG. 21 is a diagram illustrating in detail the arrangement of the ejection head 304, the sensor 305, and the light source 306 described in FIG. The posture of the discharge head 304 can be adjusted by a θ direction adjustment mechanism 325, a Z direction adjustment mechanism 326, and a Y direction adjustment mechanism 327, and the Z direction adjustment mechanism 326 allows the interval between the discharge head 304 and the substrate 14 to be adjusted. , Can be set to a predetermined distance. Further, the θ direction adjustment mechanism 325 can set the ejection head 304 at a predetermined angle with respect to the base 14. The posture adjustment mechanisms 325, 326, and 327 constitute Y, Z, and θ axes by combining moving mechanisms such as a linear motion stage and a rotary stage, for example. Moreover, the moving mechanism of each axis may be configured to be moved manually, or may be moved by attaching a drive source such as a motor. The discharge head 304 has a plurality of material discharge ports (nozzles) and is arranged in the Y direction in the drawing.

また、CCDラインセンサ等の撮像素子319には、光源306によって照射された、基体14上の2点ABを結ぶ直線上の像が、レンズ322を介して結像される。撮像素子319は、θ方向調整機構320、Z方向調整機構321によって姿勢を調整できるようになっている。基体14と、放出ヘッド304と、撮像素子319との相対位置関係は、図19における移動機構301及び302によって、図中X、Y、θ方向に移動することができる。   Further, an image on a straight line connecting the two points AB on the base 14 irradiated by the light source 306 is formed on the imaging element 319 such as a CCD line sensor via the lens 322. The image sensor 319 can be adjusted in posture by a θ direction adjustment mechanism 320 and a Z direction adjustment mechanism 321. The relative positional relationship among the substrate 14, the ejection head 304, and the image sensor 319 can be moved in the X, Y, and θ directions in the figure by the moving mechanisms 301 and 302 in FIG.

次に、本実施形態による膜形成装置の動作について説明する。   Next, the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment will be described.

図22は、膜形成装置300の動作を記述したフローチャートである。まず、始めに、膜形成装置300に材料の配置対象である基体14が、図19の固定台303上に供給される(ステップS11)。供給された基体14は、静電吸着等の吸着手段により固定される(ステップS12)。次に、基体14上に形成されているアライメントマーク310を、センサ307,308で読み取る(ステップS13)。読み取ったアライメントマークから、基体14の位置を算出し、図18の移動機構301、302を用いて、基体14のアライメントを行う(ステップS14)。基体14のアライメントが終了すると、予備吐出が行われる(ステップS15)。予備吐出は、材料の配置対象である基体14の余白(予備吐出領域)に行なわれる。この予備吐出は、パターニング領域に材料を配置する前に行うことで、常に吐出の状態を安定させる効果があり、もし、不吐出が発生したり、材料の配置位置がずれたりしても、未然に検知することが可能であり、不良品の発生を抑えることができる。   FIG. 22 is a flowchart describing the operation of the film forming apparatus 300. First, the base 14 that is a material arrangement target is supplied to the film forming apparatus 300 on the fixed base 303 in FIG. 19 (step S11). The supplied substrate 14 is fixed by an adsorption means such as electrostatic adsorption (step S12). Next, the alignment mark 310 formed on the base 14 is read by the sensors 307 and 308 (step S13). The position of the base 14 is calculated from the read alignment mark, and the base 14 is aligned using the moving mechanisms 301 and 302 of FIG. 18 (step S14). When the alignment of the substrate 14 is completed, preliminary ejection is performed (step S15). Preliminary ejection is performed in the margin (preliminary ejection area) of the substrate 14 that is a material placement target. This preliminary discharge is performed before the material is arranged in the patterning region, so that the state of the discharge is always stabilized. Even if non-ejection occurs or the arrangement position of the material shifts, Therefore, the occurrence of defective products can be suppressed.

次に、材料が配置された、予備吐出パターンとパターニング領域に形成された配列パターンとを、センサ305で読み込む(ステップS16)。読み取られた予備吐出パターンから、不吐出のチェックを行う(ステップS17)。具体的には、材料の吐出に使用するノズルからの材料が、ドットとして基体14上に着弾し、存在するか否かを読み取った画像データを処理することで実現される。もし、使用するノズルに不吐出が検出された場合は、本来使用するノズル以外のノズルのなかに、代わりに使用可能なノズルが存在するか調べる(ステップS18)。使用可能なノズルが存在しない場合は、放出ヘッド304を新しいものに交換する(ステップS28)。S18にて、使用可能なノズルが存在する場合は、使用するノズルの変更を行い(ステップS19)、新たに変更されたノズル位置が、今まで使用していたノズルの位置にくる様に、ヘッドの位置を調整機構によって移動させる(ステップS20)。   Next, the preliminary ejection pattern in which the material is arranged and the array pattern formed in the patterning region are read by the sensor 305 (step S16). A non-ejection check is performed from the read preliminary ejection pattern (step S17). More specifically, this is realized by processing image data obtained by reading whether or not the material from the nozzle used for discharging the material landed on the substrate 14 as dots and exists. If non-ejection is detected in the nozzle to be used, it is checked whether there is a nozzle that can be used instead of nozzles other than the nozzle that is originally used (step S18). If there is no usable nozzle, the ejection head 304 is replaced with a new one (step S28). If there is a usable nozzle in S18, the nozzle to be used is changed (step S19), and the head is changed so that the newly changed nozzle position comes to the position of the nozzle used so far. Is moved by the adjusting mechanism (step S20).

S17にて不吐出がなかった場合は、読み取られた画像データより、予備吐出パターンのドットの位置、及び配列パターンの位置を算出する(ステップS21,S22)。次に、ドットの位置と配列パターンの位置のズレ量を算出する(ステップS23)。ここで、S23にて算出されたズレ量が、許容範囲を超えてパターニング領域の材料配置に支障をきたすようなズレ量であれば、ステップS25にてズレ量の補正を行う(ステップS24)。S24において、S23にて算出されたズレ量が、許容範囲内におさまっていれば補正を行わなくて良い。この時点で、パターニング領域への材料配置が可能な状態となったので、材料の配置を実施し(ステップS26)、基体14上に膜を形成する。膜の形成が終了すると、基体14の排出が行なわれ、膜形成の1サイクルが終了する(ステップS27)。   If there is no ejection failure in S17, the positions of the dots of the preliminary ejection pattern and the positions of the array pattern are calculated from the read image data (steps S21 and S22). Next, the amount of deviation between the dot position and the array pattern position is calculated (step S23). Here, if the amount of deviation calculated in S23 is an amount of deviation that exceeds the allowable range and interferes with the material arrangement of the patterning region, the amount of deviation is corrected in step S25 (step S24). In S24, if the amount of deviation calculated in S23 is within the allowable range, the correction need not be performed. At this point, since the material can be arranged in the patterning region, the material is arranged (step S26), and a film is formed on the substrate 14. When the film formation is completed, the substrate 14 is discharged, and one cycle of film formation is completed (step S27).

このように、本実施形態によれば、基体のパターニング領域外に予備吐出を行うことにより、材料の吐出の安定性を向上させることができるとともに、放出ヘッドと配列パターンとのズレを補正することができる。   As described above, according to the present embodiment, by performing preliminary ejection outside the patterning region of the substrate, it is possible to improve the stability of material ejection and to correct the deviation between the ejection head and the array pattern. Can do.

なお、本発明はその主旨を逸脱しない範囲で、上記の実施形態を修正又は変形したものに適用可能である。   It should be noted that the present invention can be applied to modifications or variations of the above-described embodiment without departing from the spirit of the present invention.

例えば、ノズルからの吐出を確認するためのパターンは、吐出の有無を確認できれば限られることはない。その場合、パターンによってはエリアセンサカメラの方が適しているのであれば、エリアセンサカメラを用いるのが望ましい。また、予備吐出領域は、基体上の一領域、もしくは、基体外の専用エリアであっても、不良品の発生を最小限に抑制するという効果は同様に得られる。   For example, the pattern for confirming the ejection from the nozzle is not limited as long as the presence or absence of the ejection can be confirmed. In that case, if the area sensor camera is more suitable for some patterns, it is desirable to use the area sensor camera. Further, even if the preliminary ejection area is one area on the substrate or a dedicated area outside the substrate, the effect of suppressing the generation of defective products to the minimum can be obtained in the same manner.

また、上記実施形態では、放出ヘッド及びラインセンサカメラを固定してXYθステージ側を移動させるように説明したが、ステージ側を固定して、放出ヘッド及びラインセンサカメラ側を移動させるようにしてよい。さらに、上記の実施形態では、放出ヘッドの不吐出等の異常の検出をテレビカメラと画像処理装置を用いて行ったが、本発明は、これに限定されず、レーザ光を材料が通過するときの干渉縞の検出等によって行ってもよい。また、配置されたヘッド異常検出パターンの光の反射率、又は透過率を検出することによって行ってもよい。   In the above embodiment, the discharge head and the line sensor camera are fixed and moved on the XYθ stage side. However, the stage side may be fixed and the discharge head and the line sensor camera side may be moved. . Furthermore, in the above-described embodiment, detection of abnormality such as ejection failure of the discharge head is performed using a television camera and an image processing device, but the present invention is not limited to this, and when the material passes through the laser light The detection may be performed by detecting interference fringes. Alternatively, the detection may be performed by detecting the reflectance or transmittance of light of the arranged head abnormality detection pattern.

〔第5の実施形態〕
次に、本発明の電気光学装置を、有機EL素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用した実施形態について説明する。
[Fifth Embodiment]
Next, an embodiment in which the electro-optical device of the present invention is applied to an active matrix display device using an organic EL element will be described.

図23は、本例のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の回路の一例を示し、図24は、本例の表示装置における画素部の平面構造の一例を示している。本例の表示装置100は、その構成要素の一部が前述した、いずれかの膜形成装置を用いて形成されていることを特徴としている。   FIG. 23 shows an example of a circuit of the active matrix organic EL display device of this example, and FIG. 24 shows an example of a planar structure of a pixel portion in the display device of this example. The display device 100 of this example is characterized in that some of the components are formed using any of the film forming devices described above.

表示装置100は、図24に示すように、基体としての基板上に、複数の走査線131と、これら走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、これら信号線132に並列に延びる複数の共通給電線133とがそれぞれ配線され、走査線131及び信号線132の交点毎に、画素(画素領域素)102が設けられている。   As shown in FIG. 24, the display device 100 includes a plurality of scanning lines 131, a plurality of signal lines 132 extending in a direction intersecting the scanning lines 131, and the signal lines 132 on a substrate as a base. A plurality of common power supply lines 133 extending in parallel are wired, and a pixel (pixel area element) 102 is provided at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132.

信号線132に対しては、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路103が設けられている。一方、走査線131に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路104が設けられている。また、画素領域102の各々には、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給される第1の薄膜トランジスタ142と、この第1の薄膜トランジスタ142を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2の薄膜トランジスタ143と、この第2の薄膜トランジスタ143を介して共通給電線133に電気的に接続したときに共通給電線133から駆動電流が流れ込む画素電極141(陽極)と、この画素電極141と対向電極154(陰極)との間に挟み込まれる発光部140と、が設けられている。   For the signal line 132, for example, a data side driving circuit 103 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is provided. On the other hand, a scanning side drive circuit 104 including a shift register and a level shifter is provided for the scanning line 131. In each of the pixel regions 102, a first thin film transistor 142 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 131 and an image signal supplied from the signal line 132 via the first thin film transistor 142. , A second thin film transistor 143 to which an image signal held by the storage capacitor cap is supplied to the gate electrode, and the second thin film transistor 143 and the common power supply line 133 are electrically connected to each other. A pixel electrode 141 (anode) through which a drive current flows from the common power supply line 133 at times and a light emitting unit 140 sandwiched between the pixel electrode 141 and the counter electrode 154 (cathode) are provided.

また、図24に示すように、各画素102の平面構造は、平面形状が長方形の画素電極141の四辺が、信号線132、共通給電線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素領域102の平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用される。   As shown in FIG. 24, the planar structure of each pixel 102 is such that the four sides of the pixel electrode 141 having a rectangular planar shape are used for the signal line 132, the common power supply line 133, the scanning line 131, and other pixel electrodes not shown. The arrangement is surrounded by scanning lines. As the planar shape of the pixel region 102, an arbitrary shape such as a circle or an oval is applied in addition to the rectangle shown in the figure.

このような構成のもとに、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスタ142がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ143の導通状態が決まる。そして、第2の薄膜トランジスタ143のチャネルを介して共通給電線133から画素電極141に電流が流れ、さらに発光部140を通じて対向電極154に電流が流れることにより、発光部140は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。   Under such a configuration, when the scanning line 131 is driven and the first thin film transistor 142 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor cap, and the state depends on the state of the holding capacitor cap. Thus, the conduction state of the second thin film transistor 143 is determined. Then, a current flows from the common power supply line 133 to the pixel electrode 141 through the channel of the second thin film transistor 143, and further a current flows to the counter electrode 154 through the light emitting unit 140, so that the light emitting unit 140 has an amount of current flowing therethrough. In response to the light emission.

図25(a)、(b)は、画素部102(有機EL素子)の断面構造を模式的に示しており、(a)は、いわゆるトップエミッション型、(b)は、いわゆるバックエミッション型を示している。図25(a)において、トップエミッション型のEL素子では、薄膜トランジスタ143が設けられている基板121とは反対側から発光層286(EL層、発光部140)の発光光を取り出す構成である。そのため、基板121としては、透明でも不透明でもよい。不透明な基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。   25A and 25B schematically show a cross-sectional structure of the pixel portion 102 (organic EL element). FIG. 25A shows a so-called top emission type, and FIG. 25B shows a so-called back emission type. Show. In FIG. 25A, the top emission EL element has a structure in which light emitted from the light emitting layer 286 (EL layer, light emitting portion 140) is extracted from the side opposite to the substrate 121 provided with the thin film transistor 143. Therefore, the substrate 121 may be transparent or opaque. Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin and a thermoplastic resin in addition to a ceramic sheet such as alumina and a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation.

図25(b)において、バックエミッション型のEL素子では、薄膜トランジスタ143が設けられている基板121側から発光層286の発光光を取り出す構成である。そのため、基板121としては、透明あるいは半透明なものが用いられる。透明あるいは反透明な基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、樹脂基板(プラスチック基板、プラスチックフィルム基板)等が挙げられ、特に安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。なお、ソーダガラス基板を用いる場合、これにシリカコートを施すことにより、酸アルカリに弱いソーダガラスが保護されるとともに、基板の平坦性の向上が図られる。また、基板に色フィルター膜や発光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。   In FIG. 25B, the back-emission EL element has a structure in which light emitted from the light-emitting layer 286 is extracted from the substrate 121 side where the thin film transistor 143 is provided. Therefore, a transparent or translucent substrate is used as the substrate 121. Examples of the transparent or anti-transparent substrate include a glass substrate, a quartz substrate, a resin substrate (plastic substrate, plastic film substrate) and the like, and a particularly inexpensive soda glass substrate is preferably used. When a soda glass substrate is used, by applying silica coating to the soda glass substrate, the soda glass that is weak against acid-alkali is protected and the flatness of the substrate is improved. In addition, a color filter film, a color conversion film containing a luminescent substance, or a dielectric reflection film may be disposed on the substrate to control the emission color.

また、図25(b)において、符号281は、発光層286(EL層)の形成時に、隣接する発光層同士の混じりを防ぐ隔壁を有するバンク層である。ここでは、バンク層は頂辺の長さが底辺の長さより小であるテーパー構造を有しているが、逆に頂辺の長さが底辺の長さと同等あるいは大となるような構造であってもよい。バックエミッション型のEL素子では、薄膜トランジスタ143が設けられている基板121側から発光層286の発光光を取り出す構成であるため、光を効率よく取り出すことを目的として、発光層286の真下に薄膜トランジスタ143を配置するのを避け、薄膜トランジスタ143を例えば前記バンク層281の下に配置するのが好ましい。   In FIG. 25B, reference numeral 281 denotes a bank layer having a partition wall which prevents adjacent light emitting layers from being mixed when the light emitting layer 286 (EL layer) is formed. Here, the bank layer has a taper structure in which the length of the top side is smaller than the length of the bottom side, but conversely, the length of the top side is equal to or larger than the length of the bottom side. May be. In the back emission type EL element, light emitted from the light emitting layer 286 is extracted from the substrate 121 side where the thin film transistor 143 is provided. Therefore, for the purpose of efficiently extracting light, the thin film transistor 143 is provided directly below the light emitting layer 286. It is preferable to dispose the thin film transistor 143, for example, under the bank layer 281.

図26は、トップエミッション型の画素部102(有機EL素子)の断面構造を拡大して示している。   FIG. 26 shows an enlarged cross-sectional structure of the top emission type pixel portion 102 (organic EL element).

図26において、有機EL素子は、基板121と、インジウム錫酸化物(ITO)等の透明電極材料からなる陽極280(画素電極)と、陽極280から正孔を輸送可能な正孔輸送層285と、電気光学物質の1つである有機EL物質を含む発光層286(有機EL層)と、発光層286の上面に設けられている電子輸送層287と、電子輸送層287の上面に設けられている陰極290(対向電極)と、基板121上に形成され、画素電極280にデータ信号を書き込むか否かを制御する通電制御部としての薄膜トランジスタ142、143とを有している。陰極290は、素子全面を覆うように形成されており、画素電極280と対になって発光層286に電子を注入する役割を果たす。この陰極290は、単層構造でもよく複層構造でもよい。また、陰極290の形成材料としては、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、金(Au)、銀(Ag)、カルシウム(Ca)の他に、フッ化リチウム等が挙げられる。これらの材料は単独で使用してもよく、合金として使用してもよい。   26, the organic EL element includes a substrate 121, an anode 280 (pixel electrode) made of a transparent electrode material such as indium tin oxide (ITO), and a hole transport layer 285 capable of transporting holes from the anode 280. A light emitting layer 286 (organic EL layer) containing an organic EL material which is one of electro-optical materials, an electron transport layer 287 provided on the upper surface of the light emitting layer 286, and an upper surface of the electron transport layer 287. And a thin film transistor 142 and 143 that are formed on the substrate 121 and serve as an energization control unit that controls whether or not to write a data signal to the pixel electrode 280. The cathode 290 is formed so as to cover the entire surface of the element, and plays a role of injecting electrons into the light emitting layer 286 in a pair with the pixel electrode 280. The cathode 290 may have a single layer structure or a multilayer structure. In addition, examples of the material for forming the cathode 290 include lithium fluoride in addition to aluminum (Al), magnesium (Mg), gold (Au), silver (Ag), and calcium (Ca). These materials may be used alone or as an alloy.

薄膜トランジスタ142、143は、本例では、双方ともnチャネル型に形成されている。なお、薄膜トランジスタ142、143は、双方ともnチャネル型TFTに限らず、双方またはどちらか一方にpチャネル型の薄膜トランジスタを用いてもよい。   In this example, the thin film transistors 142 and 143 are both formed in an n-channel type. Note that the thin film transistors 142 and 143 are not limited to n-channel TFTs, and p-channel thin film transistors may be used for both or one of them.

薄膜トランジスタ142、143は、例えば、SiO2を主体とする下地保護膜201を介して基板121の表面に設けられており、下地保護膜201の上層に形成されたシリコン等からなる半導体膜204、205と、半導体膜204、205を覆うように、下地保護膜201の上層に設けられたゲート絶縁膜220と、ゲート絶縁膜220の上面のうち半導体膜204、205に対向する部分に設けられたゲート電極229、230と、ゲート電極229、230を覆うようにゲート絶縁膜220の上層に設けられた第1層間絶縁膜250と、ゲート絶縁膜220及び第1層間絶縁膜250にわたって開孔するコンタクトホールを介して半導体膜204、205と接続するソース電極262、263と、ゲート電極229、230を挟んでソース電極262、263と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁膜220及び第1層間絶縁膜250にわたって開孔するコンタクトホールを介して半導体膜204、205と接続するドレイン電極265、266と、ソース電極262、263及びドレイン電極265、266を覆うように第1層間絶縁膜250の上層に設けられた第2層間絶縁膜270とを備えている。 The thin film transistors 142 and 143 are provided on the surface of the substrate 121 via a base protective film 201 mainly composed of SiO 2 , for example, and semiconductor films 204 and 205 made of silicon or the like formed on the base protective film 201. A gate insulating film 220 provided in an upper layer of the base protective film 201 so as to cover the semiconductor films 204 and 205, and a gate provided in a portion of the upper surface of the gate insulating film 220 facing the semiconductor films 204 and 205 Electrodes 229 and 230, a first interlayer insulating film 250 provided on the gate insulating film 220 so as to cover the gate electrodes 229 and 230, and a contact hole opened over the gate insulating film 220 and the first interlayer insulating film 250 The source electrodes 262 and 263 connected to the semiconductor films 204 and 205 via the gate electrode 229 and the gate electrodes 229 and 230 are sandwiched Drain electrodes 265 and 266 provided at positions opposed to the source electrodes 262 and 263 and connected to the semiconductor films 204 and 205 through contact holes opened through the gate insulating film 220 and the first interlayer insulating film 250, and a source electrode 262 and 263 and drain electrodes 265 and 266 are provided, and a second interlayer insulating film 270 provided on the first interlayer insulating film 250 is provided.

また、第2層間絶縁膜270の上面に画素電極280が配置され、画素電極280とドレイン電極266とは、第2層間絶縁膜270に設けられたコンタクトホールを介して接続されている。また、第2層間絶縁膜270の表面のうち有機EL素子が設けられている以外の部分と陰極290との間には、合成樹脂などからなる第3絶縁層(バンク層)281が設けられている。   In addition, the pixel electrode 280 is disposed on the upper surface of the second interlayer insulating film 270, and the pixel electrode 280 and the drain electrode 266 are connected via a contact hole provided in the second interlayer insulating film 270. In addition, a third insulating layer (bank layer) 281 made of a synthetic resin or the like is provided between the surface of the second interlayer insulating film 270 other than the portion where the organic EL element is provided and the cathode 290. Yes.

なお、第1層間絶縁膜250と第2層間絶縁膜270の材質が互いに異なる場合、図に示すように、第1層間絶縁膜250に設けられたコンタクトホールと第2層間絶縁膜270に設けられたコンタクトホール275とは、重ならないように形成されるのが好ましい。   When the materials of the first interlayer insulating film 250 and the second interlayer insulating film 270 are different from each other, as shown in the drawing, the contact holes provided in the first interlayer insulating film 250 and the second interlayer insulating film 270 are provided. The contact hole 275 is preferably formed so as not to overlap.

また、半導体膜204、205のうち、ゲート絶縁膜220を挟んでゲート電極229、230と重なる領域がチャネル領域246、247とされている。また、半導体膜204、205のうち、チャネル領域246、247のソース側にはソース領域233、236が設けられている一方、チャネル領域246、247のドレイン側にはドレイン領域234、235が設けられている。このうち、ソース領域233、236が、ゲート絶縁膜220と第1層間絶縁膜250とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極262、263に接続されている。一方、ドレイン領域234、235が、ゲート絶縁膜220と第1層間絶縁膜250とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極262、263と同一層からなるドレイン電極265、266に接続されている。画素電極280は、ドレイン電極266を介して、半導体膜205のドレイン領域235に電気的に接続されている。   In addition, regions of the semiconductor films 204 and 205 that overlap with the gate electrodes 229 and 230 with the gate insulating film 220 interposed therebetween are channel regions 246 and 247. Further, in the semiconductor films 204 and 205, source regions 233 and 236 are provided on the source side of the channel regions 246 and 247, while drain regions 234 and 235 are provided on the drain side of the channel regions 246 and 247. ing. Among these, the source regions 233 and 236 are connected to the source electrodes 262 and 263 through contact holes that open through the gate insulating film 220 and the first interlayer insulating film 250. On the other hand, the drain regions 234 and 235 are connected to drain electrodes 265 and 266 that are formed in the same layer as the source electrodes 262 and 263 through contact holes that open through the gate insulating film 220 and the first interlayer insulating film 250. Yes. The pixel electrode 280 is electrically connected to the drain region 235 of the semiconductor film 205 through the drain electrode 266.

本例の有機EL素子は、正孔輸送層285、発光層286、及び電子輸送層287が、前述した膜形成装置を用いて形成される。そのため、これらの層を形成する材料の選択自由度が高い。また、これらの層を形成する際に、溶剤の使用を避けるかあるいは溶剤の使用量を減らすことが可能であり、この場合、層の劣化など、溶剤の残留による不都合が回避される。なお、正孔輸送層285、発光層286、及び電子輸送層287に限らず、他の膜を前述した膜形成装置を用いて形成してもよい。   In the organic EL element of this example, the hole transport layer 285, the light emitting layer 286, and the electron transport layer 287 are formed using the film forming apparatus described above. For this reason, there is a high degree of freedom in selecting materials for forming these layers. Further, when forming these layers, it is possible to avoid the use of a solvent or reduce the amount of the solvent used, and in this case, inconvenience due to the remaining of the solvent such as deterioration of the layer is avoided. Note that other films are not limited to the hole transport layer 285, the light emitting layer 286, and the electron transport layer 287, and other films may be formed using the above-described film forming apparatus.

次に、本発明の電気光学装置の製造方法を、上述した有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例について図27〜図30を参照して説明する。なお、本例では、前述した薄膜トランジスタ142、143を含む有機EL素子と同時に、N型及びP型の駆動回路用の薄膜トランジスタとを同時に製造するプロセスについて説明する。   Next, an example in which the method for manufacturing an electro-optical device of the present invention is applied to a process for manufacturing a display device including the above-described organic EL element will be described with reference to FIGS. In this example, a process for simultaneously manufacturing an organic EL element including the above-described thin film transistors 142 and 143 and a thin film transistor for N-type and P-type driving circuits will be described.

まず、図27(a)に示すように、基板121に対し、必要に応じてTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地保護膜201を形成する。なお、下地保護膜として、シリコン酸化膜の他に、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜を設けてもよい。こうした絶縁膜を設けることにより、放熱性を高めることが可能となる。   First, as shown in FIG. 27A, a substrate 121 is formed of a silicon oxide film having a thickness of about 200 to 500 nm by plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a raw material as necessary. A base protective film 201 is formed. In addition to the silicon oxide film, a silicon nitride film or a silicon oxynitride film may be provided as the base protective film. By providing such an insulating film, heat dissipation can be improved.

次に、基板121の温度を約350℃に設定して、下地保護膜の表面に、ICVD法、プラズマCVD法などを用いて厚さ約30〜70nmのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜200を形成する。半導体膜200としては、アモルファスシリコン膜に限定されず、微結晶半導体膜などのアモルファス構造を含む半導体膜であればよい。また、アモルファスシリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でもよい。   Next, the temperature of the substrate 121 is set to about 350 ° C., and a semiconductor film 200 made of an amorphous silicon film having a thickness of about 30 to 70 nm is formed on the surface of the base protective film using an ICVD method, a plasma CVD method, or the like. To do. The semiconductor film 200 is not limited to an amorphous silicon film, and may be a semiconductor film including an amorphous structure such as a microcrystalline semiconductor film. Alternatively, a compound semiconductor film including an amorphous structure such as an amorphous silicon germanium film may be used.

続いて、この半導体膜200に対してレーザアニール法や、急速加熱法(ランプアニール法や熱アニール法など)などの結晶化工程を行い、半導体膜200をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が400mmのラインビームを用い、その出力強度は例えば200mJ/cm2 とする。なお、YAGレーザの第2高調波或いは第3高調波を用いてもよい。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が領域毎に重なるようにラインビームを走査するのがよい。 Subsequently, a crystallization process such as a laser annealing method or a rapid heating method (such as a lamp annealing method or a thermal annealing method) is performed on the semiconductor film 200 to crystallize the semiconductor film 200 into a polysilicon film. In the laser annealing method, for example, a line beam having a beam length of 400 mm is used with an excimer laser, and the output intensity is set to 200 mJ / cm 2 , for example. Note that the second harmonic or the third harmonic of the YAG laser may be used. As for the line beam, it is preferable to scan the line beam so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

次に、図27(b)に示すように、フォトリソグラフィ法等を用いたパターニングにより、半導体膜(ポリシリコン膜)200の不要な部分を除去して、薄膜トランジスタの各形成領域に対応して、島状の半導体膜202、203、204、205を形成する。   Next, as shown in FIG. 27B, unnecessary portions of the semiconductor film (polysilicon film) 200 are removed by patterning using a photolithography method or the like, and corresponding to each formation region of the thin film transistor, Island-shaped semiconductor films 202, 203, 204, and 205 are formed.

続いて、TEOSや酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約60〜150nmのシリコン酸化膜または窒化膜(シリコン酸化窒化膜など)からなるゲート絶縁膜220を、半導体膜200を覆うように形成する。ゲート絶縁膜220は単層構造でも積層構造でもよい。なお、プラズマCVD法に限らず、熱酸化法などの他の方法を用いてもよい。また、熱酸化法を利用してゲート絶縁膜220を形成する際には、半導体膜200の結晶化も行い、これらの半導体膜をポリシリコン膜とすることができる。   Subsequently, a gate insulating film 220 made of a silicon oxide film or a nitride film (such as a silicon oxynitride film) having a thickness of about 60 to 150 nm is formed so as to cover the semiconductor film 200 by plasma CVD using TEOS or oxygen gas as a raw material. Form. The gate insulating film 220 may have a single layer structure or a stacked structure. In addition, you may use other methods, such as not only a plasma CVD method but a thermal oxidation method. In addition, when the gate insulating film 220 is formed using a thermal oxidation method, the semiconductor film 200 is also crystallized, and these semiconductor films can be formed into a polysilicon film.

次に、図27(c)に示すように、ゲート絶縁膜220の全表面に、ドープドシリコン、シリサイド膜や、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含むゲート電極形成用導電膜221を形成する。この導電膜221の厚さは例えば200nm程度である。   Next, as shown in FIG. 27C, a gate electrode forming conductive film containing doped silicon, a silicide film, or a metal such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten on the entire surface of the gate insulating film 220. 221 is formed. The thickness of the conductive film 221 is, for example, about 200 nm.

続いて、ゲート電極形成用導電膜221の表面にパターニング用マスク222を形成し、この状態でパターニングを行って、図27(d)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタを形成する側にゲート電極223を形成する。このとき、N型の画素電極用トランジスタ及びN型の駆動回路用トランジスタの側では、ゲート電極形成用導電膜221がパターニング用マスク222で覆われているので、ゲート電極形成用導電膜221はパターニングされることはない。また、ゲート電極は単層の導電膜で形成してもよく、積層構造としてもよい。   Subsequently, a patterning mask 222 is formed on the surface of the gate electrode forming conductive film 221, and patterning is performed in this state. As shown in FIG. 27D, the P-type driver circuit transistor side is formed. Then, a gate electrode 223 is formed. At this time, since the gate electrode forming conductive film 221 is covered with the patterning mask 222 on the side of the N-type pixel electrode transistor and the N-type driver circuit transistor, the gate electrode forming conductive film 221 is patterned. It will never be done. In addition, the gate electrode may be formed using a single-layer conductive film or a stacked structure.

次に、図27(e)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタのゲート電極223と、N型の画素電極用トランジスタが形成される領域とN型の駆動回路用トランジスタが形成される領域とに残したゲート電極形成用導電膜221をマスクとして、p型不純物元素(本例ではボロン)をイオン注入する。ドーズ量は、例えば約1×1015cm-2である。その結果、不純物濃度が例えば1×1020cm-3の高濃度のソース・ドレイン領域224、225がゲート電極223に対して自己整合的に形成される。ここで、ゲート電極223で覆われ、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域226となる。 Next, as shown in FIG. 27E, the gate electrode 223 of the P-type driving circuit transistor, the region where the N-type pixel electrode transistor is formed, and the N-type driving circuit transistor are formed. Using the gate electrode forming conductive film 221 left in the region as a mask, a p-type impurity element (boron in this example) is ion-implanted. The dose amount is, for example, about 1 × 10 15 cm −2 . As a result, high-concentration source / drain regions 224 and 225 having an impurity concentration of, for example, 1 × 10 20 cm −3 are formed in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 223. Here, a portion which is covered with the gate electrode 223 and no impurity is introduced becomes a channel region 226.

次に、図28(a)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタの側を完全に覆い、かつ、N型の画素電極用TFT10およびN型の駆動回路用トランジスタの側のゲート電極形成領域を覆うレジストマスク等からなるパターニング用マスク227を形成する。   Next, as shown in FIG. 28A, the P-type driving circuit transistor side is completely covered, and the N-type pixel electrode TFT 10 and the N-type driving circuit transistor side gate electrode formation are formed. A patterning mask 227 made of a resist mask or the like covering the region is formed.

次に、図28(b)に示すように、パターニング用マスク227を使用してゲート電極形成用導電膜221をパターニングし、N型の画素電極用トランジスタおよびN型の駆動回路用トランジスタのゲート電極228、229、230を形成する。   Next, as shown in FIG. 28B, the patterning mask 227 is used to pattern the gate electrode forming conductive film 221 so that the N-type pixel electrode transistor and the N-type driver circuit transistor gate electrode are patterned. 228, 229, 230 are formed.

続いて、パターニング用マスク227を残したまま、n型不純物元素(本例ではリン)をイオン注入する。ドーズ量は、例えば1×1015cm-2である。その結果、パターニング用マスク227に対して自己整合的的に不純物が導入され、半導体膜203、204、205中に高濃度ソース・ドレイン領域231、232、233、234、235、236が形成される。ここで、半導体膜203、204、205のうち、高濃度のリンが導入されない領域は、ゲート電極228、229、230で覆われていた領域よりも広い。すなわち、半導体膜203、204、205のうち、ゲート電極228、229、230と対向する領域の両側には高濃度ソース・ドレイン領域231、232、233、234、235、236との間に高濃度のリンが導入されない領域(後述する低濃度ソース・ドレイン領域)が形成される。 Subsequently, an n-type impurity element (phosphorus in this example) is ion-implanted while the patterning mask 227 remains. The dose amount is, for example, 1 × 10 15 cm −2 . As a result, impurities are introduced in a self-aligned manner with respect to the patterning mask 227, and high concentration source / drain regions 231, 232, 233, 234, 235, 236 are formed in the semiconductor films 203, 204, 205. . Here, in the semiconductor films 203, 204, and 205, a region where high concentration phosphorus is not introduced is wider than a region covered with the gate electrodes 228, 229, and 230. That is, in the semiconductor films 203, 204, and 205, high concentration between the high concentration source / drain regions 231, 232, 233, 234, 235, and 236 is on both sides of the region facing the gate electrodes 228, 229, and 230. A region where low phosphorus is not introduced (low concentration source / drain regions described later) is formed.

次に、パターニング用マスク227を除去し、この状態でn型不純物元素(本例ではリン)をイオン注入する。ドーズ量は、例えば1×1013cm-2である。その結果、図28(c)に示すように、半導体膜203、204、205にはゲート電極228、229、230に対して自己整合的に低濃度の不純物が導入され、低濃度ソース・ドレイン領域237、238、239、240、241、242が形成される。なお、ゲート電極228、229、230と重なる領域には不純物が導入されず、チャネル領域245、246、247が形成される。 Next, the patterning mask 227 is removed, and an n-type impurity element (phosphorus in this example) is ion-implanted in this state. The dose amount is, for example, 1 × 10 13 cm −2 . As a result, as shown in FIG. 28C, low-concentration impurities are introduced into the semiconductor films 203, 204, and 205 in a self-aligned manner with respect to the gate electrodes 228, 229, and 230. 237, 238, 239, 240, 241, 242 are formed. Note that impurities are not introduced into regions overlapping with the gate electrodes 228, 229, and 230, and channel regions 245, 246, and 247 are formed.

次に、図28(d)に示すように、ゲート電極228、229、230の表面側に第1層間絶縁膜250を形成し、フォトリソグラフィ法等によってパターニングして所定のソース電極位置、ドレイン電極位置にコンタクトホールを形成する。第1層間絶縁膜250としては、例えば、シリコン酸化窒化膜やシリコン酸化膜等のシリコンを含む絶縁膜を用いるとよい。また、単層でもよく積層膜でもよい。さらに、水素を含む雰囲気中で、熱処理を行い半導体膜の不対結合手を水素終端(水素化)する。なお、プラズマにより励起された水素を用いて水素化を行ってもよい。   Next, as shown in FIG. 28D, a first interlayer insulating film 250 is formed on the surface side of the gate electrodes 228, 229, and 230, and is patterned by a photolithography method or the like to form predetermined source electrode positions and drain electrodes. A contact hole is formed at the position. As the first interlayer insulating film 250, for example, an insulating film containing silicon such as a silicon oxynitride film or a silicon oxide film may be used. Further, it may be a single layer or a laminated film. Further, heat treatment is performed in an atmosphere containing hydrogen to terminate the dangling bonds of the semiconductor film with hydrogen (hydrogenation). Note that hydrogenation may be performed using hydrogen excited by plasma.

続いて、この上からアルミニウム膜、クロム膜やタンタル膜などの金属膜を用いてソース電極、ドレイン電極となる導電膜251を形成する。導電膜251の厚さは例えば200nm〜300nm程度である。導電膜は単層でもよく積層膜でもよい。   Subsequently, a conductive film 251 to be a source electrode and a drain electrode is formed from above using a metal film such as an aluminum film, a chromium film, or a tantalum film. The thickness of the conductive film 251 is, for example, about 200 nm to 300 nm. The conductive film may be a single layer or a laminated film.

続いて、ソース電極、ドレイン電極の位置にパターニング用マスク252を形成するとともに、パターニングを行って、図28(e)に示すソース電極260、261、262、263、及びドレイン電極264、265、266を同時に形成する。   Subsequently, a patterning mask 252 is formed at the positions of the source electrode and the drain electrode, and patterning is performed, so that the source electrodes 260, 261, 262, and 263 and the drain electrodes 264, 265, and 266 shown in FIG. Are formed at the same time.

次に、図29(a)に示すように、窒化珪素等からなる第2層間絶縁膜270を形成する。この第2層間絶縁膜270の厚さは、例えば1〜2μm程度である。第2層間絶縁膜270の形成材料としては、シリコン酸化膜や有機樹脂、シリカエアロゲルなどの光を透過可能な材料が用いられる。有機樹脂としてはアクリル、ポリイミド、ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)等を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 29A, a second interlayer insulating film 270 made of silicon nitride or the like is formed. The thickness of the second interlayer insulating film 270 is, for example, about 1 to 2 μm. As a material for forming the second interlayer insulating film 270, a material capable of transmitting light, such as a silicon oxide film, an organic resin, or silica airgel, is used. As the organic resin, acrylic, polyimide, polyamide, BCB (benzocyclobutene), or the like can be used.

次に、図29(b)に示すように、第2層間絶縁膜270をエッチング除去してドレイン電極266に達するコンタクトホール275を形成する。   Next, as shown in FIG. 29B, the second interlayer insulating film 270 is removed by etching, and a contact hole 275 reaching the drain electrode 266 is formed.

次に、図29(c)に示すように、コンタクトホール275内にも埋め込まれるように、例えばITOやフッ素をドープしてなるSnO2 、さらにZnOやポリアニリン等の透明電極材料からなる膜を形成し、ソース・ドレイン領域235、236に電気的に接続する画素電極280を形成する。なお、この画素電極280がEL素子の陽極となる。 Next, as shown in FIG. 29C, a film made of, for example, SnO 2 doped with ITO or fluorine, and a transparent electrode material such as ZnO or polyaniline is formed so as to be embedded in the contact hole 275. Then, the pixel electrode 280 electrically connected to the source / drain regions 235 and 236 is formed. Note that the pixel electrode 280 serves as an anode of the EL element.

次に、図30(a)に示すように、画素電極280を挟むように、第3絶縁層(バンク層)281を形成する。具体的には、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に融かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して絶縁層を形成し、絶縁層をフォトリソグラフィ技術等により同時にエッチングする。第3絶縁層281としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂が用いられる。なお、信号線、共通給電線、走査線等の配線を含むバンク層を形成してもよい。   Next, as illustrated in FIG. 30A, a third insulating layer (bank layer) 281 is formed so as to sandwich the pixel electrode 280. Specifically, for example, a resist such as acrylic resin or polyimide resin melted in a solvent is applied by spin coating, dip coating or the like to form an insulating layer, and the insulating layer is simultaneously etched by photolithography technology or the like. To do. As the third insulating layer 281, a synthetic resin such as an acrylic resin or a polyimide resin is used. Note that a bank layer including wiring such as signal lines, common power supply lines, and scanning lines may be formed.

続いて、画素電極280を覆うように正孔輸送層285を形成する。   Subsequently, a hole transport layer 285 is formed so as to cover the pixel electrode 280.

本例では、前述した膜形成装置を用いて正孔輸送層285を形成する。すなわち、真空圧に制御された真空チャンバ内に基板121を配置し、ノズル14から基板121に向けて正孔輸送層285の形成材料を放出する。この際、ノズル14から正孔輸送層285の形成材料を気化させて放出してもよい。気化した材料は、基板121上に達した後、熱交換によって冷却され、液化あるいは固化して固定される。そして、所定量の材料が基板121上に配置されることにより、基体11上に正孔輸送層285が形成される。   In this example, the hole transport layer 285 is formed using the film forming apparatus described above. That is, the substrate 121 is placed in a vacuum chamber controlled to a vacuum pressure, and a material for forming the hole transport layer 285 is discharged from the nozzle 14 toward the substrate 121. At this time, the material for forming the hole transport layer 285 may be vaporized and discharged from the nozzle 14. After the vaporized material reaches the substrate 121, it is cooled by heat exchange and liquefied or solidified to be fixed. Then, the hole transport layer 285 is formed on the substrate 11 by disposing a predetermined amount of material on the substrate 121.

また、材料が基板121上にて液状となった場合には、その流動性によって水平方向に広がろうとするものの、第3絶縁層(バンク層)の隔壁によって、その広がりが防止される。なお、処理条件や材料の特性等により、材料の流動による不都合が生じない場合には、第3絶縁層の高さを低くしたり、隔壁を用いない構造としてもよい。また、ノズル15から材料を基板121上に放出した後、基板121を真空チャンバ内から一旦取り出し、必要に応じて加熱あるいは光照射等の処理を行って材料を固化あるいは硬化させてもよい。   Further, when the material becomes liquid on the substrate 121, it spreads in the horizontal direction due to its fluidity, but the spread is prevented by the partition walls of the third insulating layer (bank layer). Note that in the case where inconvenience due to material flow does not occur due to processing conditions, material characteristics, or the like, the height of the third insulating layer may be reduced, or a structure without a partition may be employed. In addition, after discharging the material from the nozzle 15 onto the substrate 121, the substrate 121 may be once taken out from the vacuum chamber and subjected to a treatment such as heating or light irradiation as necessary to solidify or cure the material.

正孔輸送層285の形成材料としては、特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。具体的には、特開昭63−70257号、同63−175860号公報、特開平2−135359号、同2−135361号、同2−209988号、同3−37992号、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも4,4´−ビス(N(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルが好適とされる。   The material for forming the hole transport layer 285 is not particularly limited, and known materials can be used, and examples thereof include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. Specifically, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209998, JP-A-3-37992, and JP-A-3-152184. Examples described in the publication are exemplified, but a triphenyldiamine derivative is preferable, and 4,4′-bis (N (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl is particularly preferable.

また、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン(CuPc)や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン(CuPc)を用いるのが好ましい。正孔注入層と正孔輸送層を両方形成する場合には、例えば、正孔輸送層の形成に先立って正孔注入層を画素電極側に形成し、その上に正孔輸送層を形成するのが好ましい。このように正孔注入層を正孔輸送層とともに形成することにより、駆動電圧の上昇を制御することができるとともに、駆動寿命(半減期)を長くすることができる。   Further, a hole injection layer may be formed instead of the hole transport layer, and both the hole injection layer and the hole transport layer may be formed. In this case, as a material for forming the hole injection layer, for example, copper phthalocyanine (CuPc), polytetravinylthiophene polyphenylene vinylene, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane , Tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum and the like, and copper phthalocyanine (CuPc) is particularly preferable. When both the hole injection layer and the hole transport layer are formed, for example, the hole injection layer is formed on the pixel electrode side prior to the formation of the hole transport layer, and the hole transport layer is formed thereon. Is preferred. By forming the hole injection layer together with the hole transport layer in this manner, it is possible to control the increase in driving voltage and to increase the driving life (half life).

次に、図30(b)に示すように、正孔輸送層285上に発光層286を形成する。   Next, as illustrated in FIG. 30B, the light emitting layer 286 is formed over the hole transport layer 285.

本例では、先の正孔輸送層(及び/又は正孔注入層)と同様に、前述した膜形成装置を用いてこの発光層286を形成する。即ち、真空圧に制御された真空チャンバ内に基板121を配置し、ノズル15から基板121に向けて発光層286の形成材料を放出する。   In this example, the light emitting layer 286 is formed using the above-described film forming apparatus in the same manner as the previous hole transport layer (and / or hole injection layer). That is, the substrate 121 is placed in a vacuum chamber controlled to a vacuum pressure, and a material for forming the light emitting layer 286 is emitted from the nozzle 15 toward the substrate 121.

発光層286の形成材料としては、特に限定されることなく、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質からなる発光物質が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン構造を含むものが特に好ましい。低分子蛍光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭57−51781、同59−194393号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。   The material for forming the light emitting layer 286 is not particularly limited, and low molecular organic light emitting dyes and polymer light emitting materials, that is, light emitting materials composed of various fluorescent materials and phosphorescent materials can be used. Among conjugated polymers that serve as luminescent materials, those containing an arylene vinylene structure are particularly preferred. Examples of the low-molecular phosphors include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine series, xanthene series, coumarin series, cyanine series pigments, 8-hydroquinoline and its metal complexes, aromatic amines, tetraphenylcyclo Pentadiene derivatives and the like, or known ones described in JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.

次に、図30(c)に示すように、発光層286上に電子輸送層287を形成する。   Next, as illustrated in FIG. 30C, the electron transport layer 287 is formed on the light emitting layer 286.

本例では、先の正孔輸送層285、発光層286の場合と同様に、前述した膜形成装置を用いてこの電子輸送層287を形成する。すなわち、真空圧に制御された真空チャンバ内に基板121を配置し、ノズル15から基板121に向けて電子輸送層287の形成材料を放出する。   In this example, as in the case of the hole transport layer 285 and the light emitting layer 286, the electron transport layer 287 is formed using the film forming apparatus described above. That is, the substrate 121 is placed in a vacuum chamber controlled to a vacuum pressure, and a material for forming the electron transport layer 287 is discharged from the nozzle 15 toward the substrate 121.

電子輸送層287の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭63−70257号、同63−175860号公報、特開平2−135359号、同2−135361号、同2−209988号、同3−37992号、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示され、特に2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウムが好適とされる。   The material for forming the electron transport layer 287 is not particularly limited, and is an oxadiazole derivative, anthraquinodimethane and its derivative, benzoquinone and its derivative, naphthoquinone and its derivative, anthraquinone and its derivative, tetracyanoanthraquinodi. Examples include methane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, and the like. Specifically, as with the material for forming the hole transport layer, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-209888 are disclosed. And the like described in JP-A-3-379992 and 3-152184, particularly 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4. -Oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum are preferred.

なお、正孔輸送層285の形成材料や電子輸送層287の形成材料を、発光層286の形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよい。その場合、正孔輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して1〜40重量%とされ、さらに好ましくは2〜30重量%とされる。   Note that the formation material of the hole transport layer 285 and the formation material of the electron transport layer 287 may be mixed with the formation material of the light-emitting layer 286 and used as the light-emitting layer formation material. In that case, although the amount of the hole transport layer forming material or electron transport layer forming material used varies depending on the type of compound used, etc., it should be considered within an amount range that does not impair sufficient film formability and light emission characteristics. To be determined as appropriate. Usually, it is 1 to 40 weight% with respect to the light emitting layer forming material, More preferably, it is 2 to 30 weight%.

また、上述した正孔輸送層285、発光層286、及び電子輸送層287の各膜厚については、予めノズル14からの各形成材料の放出量を適宜に設定しておくことにより、好ましい厚さ(例えば65nm)に形成する。また、圧力差を利用してノズル15からの材料の移動を促したり、あるいはノズル15から材料を気化させて放出したりすることにより、これらの形成材料を溶剤に溶解させることなく、あるいは溶剤の使用量を減らして基板上に配置することが可能となる。そのため、材料の劣化など、溶剤の残留による不都合が回避される。   The film thicknesses of the hole transport layer 285, the light emitting layer 286, and the electron transport layer 287 described above are preferably set by appropriately setting the amount of each material to be released from the nozzle 14 in advance. (For example, 65 nm). Further, by urging the movement of the material from the nozzle 15 using the pressure difference, or by evaporating the material from the nozzle 15 and releasing it, these forming materials are not dissolved in the solvent, or the solvent is removed. It is possible to reduce the amount used and arrange on the substrate. Therefore, inconvenience due to residual solvent such as deterioration of the material is avoided.

次に、図30(d)に示すように、基板121の表面全体に、あるいはストライプ状に陰極としての対向電極290を形成する。対向電極290は、Al、Mg、Li、Caなどの単体材料やMg:Ag(10:1合金)の合金材料からなる1層で形成してもよく、2層あるいは3層からなる金属(合金を含む)層として形成してもよい。具体的には、Li2 O(0.5nm程度)/AlやLiF(0.5nm程度)/Al、MgF2 /Alといった積層膜が挙げられる。 Next, as shown in FIG. 30D, a counter electrode 290 as a cathode is formed on the entire surface of the substrate 121 or in a stripe shape. The counter electrode 290 may be formed of a single layer made of a single material such as Al, Mg, Li, or Ca, or an alloy material of Mg: Ag (10: 1 alloy), or a metal (alloy having two or three layers). May be formed as a layer. Specifically, a laminated film such as Li 2 O (about 0.5 nm) / Al, LiF (about 0.5 nm) / Al, or MgF 2 / Al can be given.

以上のプロセスにより、有機EL素子、及びN型及びP型の駆動回路用の薄膜トランジスタが完成する。   Through the above process, an organic EL element and a thin film transistor for N-type and P-type drive circuits are completed.

なお、上述した例では、正孔輸送層285、発光層286、及び電子輸送層287を前述した膜形成装置を用いて形成しているが、他の層についても、同様に、膜形成装置を用いて形成してもよい。例えば、画素電極280(陽極)や対向電極290(陰極)を、前述の膜形成装置を用いて形成してもよい。即ち、インジウム錫酸化物(ITO)や酸化スズ(SnO2 )、酸化亜鉛(ZnO)などの透明電極(陽極)や、Al/Ca等の積層構造などによる陰極についても、膜形成装置10を用いて形成することができる。 In the above-described example, the hole transport layer 285, the light emitting layer 286, and the electron transport layer 287 are formed using the above-described film forming apparatus, but the film forming apparatus is similarly applied to the other layers. May be used. For example, the pixel electrode 280 (anode) and the counter electrode 290 (cathode) may be formed using the above-described film forming apparatus. That is, the film forming apparatus 10 is used for a transparent electrode (anode) such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO), and a cathode having a laminated structure such as Al / Ca. Can be formed.

さらに、特に図27及び図28に示したトランジスタの形成過程において、前述した膜形成装置を用いて任意の層を形成してもよい。特に、気化させた材料を放出して層を形成することにより、膜厚を高精度に制御できる。そのため、高精度なトランジスタを形成することが可能となる。さらに、前述した膜形成装置を用いることにより、所望の位置に材料を配置できることから、マスクの使用をなくしたり、少なくしたりすることができる。   Furthermore, any layer may be formed using the above-described film forming apparatus, particularly in the process of forming the transistor shown in FIGS. In particular, the film thickness can be controlled with high accuracy by discharging the vaporized material to form a layer. Therefore, a highly accurate transistor can be formed. Furthermore, since the material can be disposed at a desired position by using the above-described film forming apparatus, the use of a mask can be eliminated or reduced.

図31は、有機EL素子の他の形態例を示している。   FIG. 31 shows another example of the organic EL element.

図31に示す有機EL素子は、上述した例と異なり、ガスや金属イオンの侵入を遮断する封止層(第1封止層295、第2封止層296、及び第3封止層297のうちの少なくとも1つ)を有する。   The organic EL element shown in FIG. 31 is different from the above-described example in the sealing layers (first sealing layer 295, second sealing layer 296, and third sealing layer 297 that block intrusion of gas and metal ions). At least one of them).

第1封止層295は、第1層間絶縁膜250と第2層間絶縁膜270との間で、ソース電極262、263及びドレイン電極265、266を覆うように形成され、膜厚は例えば50〜500nmである。第1封止層295を構成する材料としては、例えばセラミックや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの材料が用いられる。第1封止層295は、薄膜トランジスタ142、143に対して、水分や発光層286(EL層)等からのアルカリ金属(ナトリウム)の侵入を防ぐ。   The first sealing layer 295 is formed between the first interlayer insulating film 250 and the second interlayer insulating film 270 so as to cover the source electrodes 262 and 263 and the drain electrodes 265 and 266, and has a film thickness of, for example, 50 to 500 nm. As a material constituting the first sealing layer 295, for example, a material such as ceramic, silicon nitride, silicon oxynitride, or silicon oxide is used. The first sealing layer 295 prevents alkali metal (sodium) from entering the thin film transistors 142 and 143 from moisture, the light emitting layer 286 (EL layer), or the like.

また、第1封止層295を構成する材料として、上記アルカリ金属の封止効果に加え、放熱効果を持つ材料を用いてもよい。こうした材料としては、例えば、B(ホウ素)、C(炭素)、N(窒素)のうちの少なくとも一つの元素と、Al(アルミニウム)、Si(珪素)、P(リン)のうちの少なくとも一つの元素とを含む絶縁膜が挙げられる。例えば、アルミニウムの窒化物、珪素の炭化物、珪素の窒化物、ホウ素の窒化物、ホウ素のリン化物等を用いることができる。さらに、Si、Al、N、O、Mを含む絶縁膜(ただし、Mは希土類元素の少なくとも一種、好ましくはCe(セリウム),Yb(イッテルビウム),Sm(サマリウム),Er(エルビウム),Y(イットリウム)、La(ランタン)、Gd(ガドリニウム)、Dy(ジスプロシウム)、Nd(ネオジウム)のうちの少なくとも一つの元素)を用いることもできる。また、ダイヤモンド薄膜又はアモルファスカーボン膜(ダイヤモンドライクカーボン等)を含む炭素膜を用いることもできる。これらは熱伝導率が高く、放熱効果が高い。   In addition to the alkali metal sealing effect, a material having a heat dissipation effect may be used as the material constituting the first sealing layer 295. As such a material, for example, at least one element of B (boron), C (carbon), and N (nitrogen) and at least one of Al (aluminum), Si (silicon), and P (phosphorus) are used. An insulating film containing an element can be given. For example, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, boron nitride, boron phosphide, or the like can be used. Further, an insulating film containing Si, Al, N, O, and M (where M is at least one rare earth element, preferably Ce (cerium), Yb (ytterbium), Sm (samarium), Er (erbium), Y ( Yttrium), La (lanthanum), Gd (gadolinium), Dy (dysprosium), or Nd (neodymium)) can also be used. A carbon film including a diamond thin film or an amorphous carbon film (diamond-like carbon or the like) can also be used. These have high thermal conductivity and high heat dissipation effect.

第2封止層296は、第2層間絶縁膜270と画素電極280との間に形成され、膜厚は例えば50〜500nmである。第2封止層301を構成する材料としては、例えばセラミックや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの材料が用いられる。第2封止層296は、水分や、薄膜トランジスタ142、143に対して、水分や発光層286(EL層)等からのアルカリ金属(ナトリウム)の侵入を防ぐ。第2封止層296を構成する材料として、上述した第1封止層に用いられる材料を用いることができる。また、上記アルカリ金属の封止効果に加え、放熱効果を持たせてもよい。   The second sealing layer 296 is formed between the second interlayer insulating film 270 and the pixel electrode 280 and has a thickness of 50 to 500 nm, for example. As a material constituting the second sealing layer 301, for example, a material such as ceramic, silicon nitride, silicon oxynitride, or silicon oxide is used. The second sealing layer 296 prevents entry of alkali metal (sodium) from moisture, the light emitting layer 286 (EL layer), and the like into moisture and the thin film transistors 142 and 143. As a material constituting the second sealing layer 296, the material used for the first sealing layer described above can be used. Further, in addition to the alkali metal sealing effect, a heat dissipation effect may be provided.

第3封止層297は、陰極290を覆うように形成され、膜厚は例えば50〜500nmである。第3封止層297を構成する材料としては、例えばセラミックや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの材料が用いられる。第3封止層297は、外部からの水分の侵入を防ぐ。また、第3封止層297を構成する材料として、上述した第1封止層に用いられる材料を用いることができる。また、上記アルカリ金属の封止効果に加え、放熱効果を持たせてもよい。また、図31の有機EL素子は、トップエミッション型であり、第3封止層297は、良好に光を透過させる材質及び厚みで形成されるのが好ましい。   The third sealing layer 297 is formed so as to cover the cathode 290 and has a film thickness of, for example, 50 to 500 nm. As a material constituting the third sealing layer 297, for example, a material such as ceramic, silicon nitride, silicon oxynitride, or silicon oxide is used. The third sealing layer 297 prevents moisture from entering from the outside. Further, as the material constituting the third sealing layer 297, the material used for the first sealing layer described above can be used. Further, in addition to the alkali metal sealing effect, a heat dissipation effect may be provided. The organic EL element of FIG. 31 is a top emission type, and the third sealing layer 297 is preferably formed of a material and a thickness that allow good light transmission.

また、こうした封止層に代えてあるいは加えて、光の取り出し効率を向上させるための低屈折率層を形成してもよい。低屈折率層は、基板より光の透過屈折率が低い層であり、例えばシリカエアロゲルによって構成される。シリカエアロゲルとは、シリコンアルコキシドのゾルゲル反応により形成される湿潤ゲルを超臨界乾燥することによって得られる均一な超微細構造を持った光透過性の多孔質体である。シリカエアロゲルは体積の90%以上を空隙が占め、残りが樹枝状に凝集した数十nmの微細なSiO2粒子で構成された材料であり、粒子径が光の波長よりも小さいため、光透過性を有し、その屈折率は1.2以下である。また、空隙率を変化させることによって屈折率を調整できる。ここで、基板の材料であるガラスの屈折率は1.54、石英の屈折率は1.45である。また、低屈折率層として、多孔性を有するSiO2膜やポリマー等の他の材料を用いてもよい。さらに、低屈折率層を構成する材料に、乾燥剤あるいは化学吸着剤を分散させてもよい。これにより、低屈折率層に封止効果を付与することができる。 Further, instead of or in addition to such a sealing layer, a low refractive index layer for improving light extraction efficiency may be formed. The low refractive index layer is a layer having a light transmission refractive index lower than that of the substrate, and is made of, for example, silica airgel. Silica aerogel is a light-transmitting porous material having a uniform ultrafine structure obtained by supercritical drying of a wet gel formed by a sol-gel reaction of silicon alkoxide. Silica airgel is a material composed of fine SiO 2 particles of several tens of nanometers, with the voids occupying 90% or more of the volume, and the remainder agglomerated in a dendritic manner. The refractive index is 1.2 or less. Further, the refractive index can be adjusted by changing the porosity. Here, the refractive index of glass, which is the material of the substrate, is 1.54, and the refractive index of quartz is 1.45. Further, as a low refractive index layer may be used other materials such as SiO 2 film or a polymer having a porosity. Further, a desiccant or a chemical adsorbent may be dispersed in the material constituting the low refractive index layer. Thereby, the sealing effect can be provided to the low refractive index layer.

図32は、有機EL素子の他の形態例を示している。   FIG. 32 shows another example of the organic EL element.

上述した各例では、スイッチング用の薄膜トランジスタ142は、いわゆるシングルゲート構造として示しているが、本発明はこれに限定されない。即ち、図32に示すように、不図示のゲート線によって2つのゲート電極310、311が電気的に接続されたダブルゲート構造としてもよく、あるいはトリプルゲート構造など、いわゆるマルチゲート構造(直列に接続された2つ以上のチャネル領域を有する半導体膜を含む構造)としてもよい。マルチゲート構造はオフ電流値を低減する上で有利であり、画面の大型化にも有利である。   In each example described above, the switching thin film transistor 142 is shown as a so-called single gate structure; however, the present invention is not limited to this. That is, as shown in FIG. 32, a double gate structure in which two gate electrodes 310 and 311 are electrically connected by a gate line (not shown), or a so-called multi-gate structure such as a triple gate structure (connected in series). And a structure including a semiconductor film having two or more channel regions. The multi-gate structure is advantageous in reducing the off-current value and is advantageous in increasing the screen size.

図33(a)及び(b)は、有機EL表示装置の回路の他の例を示している。   33A and 33B show another example of the circuit of the organic EL display device.

図33(a)及び(b)に示す回路は、電流を制御することにより、EL素子の通電制御を行う、いわゆる電流プログラム方式の回路である。なお、図32(a)はいわゆるカレントミラー回路を採用している。こうした回路を採用することにより、EL素子の導通状態を一定に保ち、EL層を安定して発光させることができる。また、大画面の表示装置を構成する上でも有利である。   The circuits shown in FIGS. 33A and 33B are so-called current program type circuits that control the energization of the EL element by controlling the current. Note that FIG. 32A employs a so-called current mirror circuit. By adopting such a circuit, the EL element can be kept in a constant conductive state and the EL layer can emit light stably. Further, it is advantageous in constructing a large-screen display device.

発光層の形成材料として高分子発光材料を用いる場合には、側鎖に発光基を有する高分子を用いることができるが、好ましくは共役系構造を主鎖に含むもので、特に、ポリチオフェン、ポリ−p−フェニレン、ポリアリーレンビニレン、ポリフルオレンおよびその誘導体が好ましい。中でもポリアリーレンビニレンおよびその誘導体が好ましい。ポリアリーレンビニレンおよびその誘導体としては、下記化学式(1)で示される繰り返し単位を全繰り返し単位の50モル%以上含む重合体であることが好ましい。繰り返し単位の構造にもよるが、化学式(1)で示される繰り返し単位が全繰り返し単位の70%以上であることがさらに好ましい。   When a polymer light-emitting material is used as the material for forming the light-emitting layer, a polymer having a light-emitting group in the side chain can be used, but preferably includes a conjugated structure in the main chain, and in particular, polythiophene, poly -P-phenylene, polyarylene vinylene, polyfluorene and derivatives thereof are preferred. Of these, polyarylene vinylene and its derivatives are preferred. The polyarylene vinylene and derivatives thereof are preferably polymers containing 50 mol% or more of the repeating units represented by the following chemical formula (1) based on the total repeating units. Although it depends on the structure of the repeating unit, it is more preferable that the repeating unit represented by the chemical formula (1) is 70% or more of the entire repeating unit.

−Ar−CR=CR'− ... (1)
〔ここで、Arは、アリーレン基または複素環化合物基、R、R'はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜20の有機基、ペルフルオロアルキル基、シアノ基からなる群から選ばれた基を示す。〕
該高分子発光材料は、化学式(1)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、芳香族化合物基またはその誘導体、複素環化合物基またはその誘導体、およびそれらを組み合わせて得られる基などを含んでいてもよい。また、化学式(1)で示される繰り返し単位や他の繰り返し単位が、例えば、エーテル基、エステル基、アミド基、イミド基などを有する非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。
-Ar-CR = CR'- (1)
[Wherein Ar represents an arylene group or heterocyclic compound group, and R and R ′ each independently represent a group selected from the group consisting of hydrogen, an organic group having 1 to 20 carbon atoms, a perfluoroalkyl group, and a cyano group. . ]
The polymer light-emitting material includes an aromatic compound group or a derivative thereof, a heterocyclic compound group or a derivative thereof, and a group obtained by combining them as a repeating unit other than the repeating unit represented by the chemical formula (1). May be. In addition, the repeating unit represented by the chemical formula (1) and other repeating units may be linked with, for example, a non-conjugated unit having an ether group, an ester group, an amide group, an imide group, or the like. Those non-conjugated parts may be contained.

ポリアリーレンビニレン類としては、例えば、式(2)に示したような、PV(ポリ(パラ−フェニレンビニレン))、MO−PPV(ポリ(2,5−ジメトキシ−1,4−フェニレンビニレン))、CN−PPV(ポリ(2,5−ビスヘキシルオキシ−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)))、MEH−PPV(ポリ[2−メトキシ−5−(2'−エチルヘキシルオキシ)]−パラ−フェニレンビニレン)等のPPV誘導体などが挙げられる。   Examples of polyarylene vinylenes include PV (poly (para-phenylene vinylene)) and MO-PPV (poly (2,5-dimethoxy-1,4-phenylene vinylene)) as shown in the formula (2). CN-PPV (poly (2,5-bishexyloxy-1,4-phenylene- (1-cyanovinylene))), MEH-PPV (poly [2-methoxy-5- (2′-ethylhexyloxy)]- PPV derivatives such as para-phenylene vinylene).

Figure 2005307353
上記に示した材料以外に、例えば、ポリ(パラフェニレン)、ポリアルキルフルオレン等が挙げられるが、化学式(3)に示すようなポリアルキルフルオレン(具体的には化学式(4)に示すようなポリアルキルフルオレン系共重合体)が特に好ましい。
Figure 2005307353
In addition to the materials shown above, for example, poly (paraphenylene), polyalkylfluorene, and the like can be mentioned. Polyalkylfluorene as shown in chemical formula (3) (specifically, polyalkylene as shown in chemical formula (4)). Alkyl fluorene copolymers) are particularly preferred.

Figure 2005307353
Figure 2005307353

Figure 2005307353
なお、前記高分子発光材料は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。発光の量子収率の高い高分子発光材料を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。また、ここで形成する有機EL素子は、薄膜からの発光を利用することから、高分子発光材料は固体状態で良好な発光量子収率を有するものが用いられる。
Figure 2005307353
The polymer light-emitting material may be a random, block or graft copolymer, or may be a polymer having an intermediate structure thereof, for example, a random copolymer having a block property. . From the viewpoint of obtaining a polymer light emitting material having a high quantum yield of light emission, a random copolymer having a block property and a block or graft copolymer are preferable to a complete random copolymer. Moreover, since the organic EL element formed here utilizes light emission from a thin film, a polymer light emitting material having a good light emission quantum yield in a solid state is used.

上記の材料のうち、発光層を形成する際の温度において液状の材料、あるいは所望の溶媒に対して良好な溶解性を示す材料を、インクジェット法などの液体材料を用いた発光層の形成に用いることができる。該溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレンなどが好適に用いられる。高分子発光材料の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に0.1wt%以上溶解させることができる。   Among the above materials, a material that is liquid at the temperature at which the light emitting layer is formed or a material that exhibits good solubility in a desired solvent is used for forming a light emitting layer using a liquid material such as an inkjet method. be able to. As the solvent, for example, chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, toluene, xylene and the like are preferably used. Although depending on the structure and molecular weight of the polymer light-emitting material, it can usually be dissolved in these solvents in an amount of 0.1 wt% or more.

また、前記高分子発光材料としては、分子量がポリスチレン換算で103〜107であることが好ましい場合があるが、分子量103以下のオリゴマーも使用することができる。 As examples of the polymer light emitting material, but the molecular weight of it may be preferably 10 3 to 10 7 in terms of polystyrene, it can also be used molecular weight 10 3 or less of the oligomer.

所望の高分子発光材料に応じた合成法を採用することにより、当該所望の高分子発光材料を得ることができる。例えば、アリーレン基にアルデヒド基が2つ結合したジアルデヒド化合物と、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物とトリフェニルホスフィンとから得られるジホスホニウム塩からのWittig反応が例示される。また、他の合成法としては、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物からの脱ハロゲン化水素法が例示される。さらに、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物のスルホニウム塩をアルカリで重合して得られる中間体から熱処理により該高分子発光材料を得るスルホニウム塩分解法が例示される。   By employing a synthesis method according to the desired polymer light emitting material, the desired polymer light emitting material can be obtained. For example, a Wittig reaction from a diphosphonium salt obtained from a dialdehyde compound in which two aldehyde groups are bonded to an arylene group, a compound in which two halogenated methyl groups are bonded to an arylene group, and triphenylphosphine is exemplified. As another synthesis method, a dehydrohalogenation method from a compound in which two halogenated methyl groups are bonded to an arylene group is exemplified. Further, a sulfonium salt decomposition method for obtaining the polymer light-emitting material by heat treatment from an intermediate obtained by polymerizing a sulfonium salt of a compound in which two halogenated methyl groups are bonded to an arylene group with an alkali is exemplified.

さらに具体的に、前記高分子発光材料の1つの例であるアリーレンビニレン系共重合体の合成法を説明する。例えば、Wittig反応により高分子発光材料を得る場合には、例えば、まず、ビス(ハロゲン化メチル)化合物、より具体的には、例えば2,5−ジオクチルオキシ−p−キシリレンジブロミドをN,N−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩を合成し、これとジアルデヒド化合物、より具体的には、例えば、テレフタルアルデヒドとを、例えばエチルアルコール中、リチウムエトキシドを縮合させるWittig反応により、フェニレンビニレン基と2,5−ジオクチルオキシ−p−フェニレンビニレン基を含む高分子発光材料が得られる。このとき、共重合体を得るために2種類以上のジホスホニウム塩および/または2種類以上のジアルデヒド化合物を反応させてもよい。   More specifically, a method for synthesizing an arylene vinylene copolymer, which is one example of the polymer light emitting material, will be described. For example, when a polymer light-emitting material is obtained by Wittig reaction, for example, first, a bis (halogenated methyl) compound, more specifically, for example, 2,5-dioctyloxy-p-xylylene dibromide is converted to N, N. -Wittig that synthesizes a phosphonium salt by reacting with triphenylphosphine in a dimethylformamide solvent and condenses this with a dialdehyde compound, more specifically, for example, terephthalaldehyde with lithium ethoxide in, for example, ethyl alcohol. By the reaction, a polymer light emitting material containing a phenylene vinylene group and a 2,5-dioctyloxy-p-phenylene vinylene group is obtained. At this time, in order to obtain a copolymer, two or more kinds of diphosphonium salts and / or two or more kinds of dialdehyde compounds may be reacted.

Figure 2005307353
これらの高分子発光材料を発光層の形成材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成後、例えば、再沈精製、クロマトグラフなどによる分別等の精製処理をすることが望ましい。
Figure 2005307353
When these polymer light-emitting materials are used as a material for forming a light-emitting layer, the purity affects the light-emitting properties. Therefore, it is desirable to carry out a purification treatment such as reprecipitation purification, fractionation by chromatography, etc. after synthesis. .

高分子材料の溶解性の低い材料の場合など、例えば、対応する前駆体が塗布した後、化学式(5)に示すように加熱硬化されることによって発光層を得ることができるものがある。例えば、ポリフェニレン−ビニレンが発光層を構成する高分子発光材料である場合、対応する前駆体のスルホニウム塩を発光層となる部位に配置した後、加熱処理することによりスルホニウム基が脱離し、発光層として機能するポリフェニレン−ビニレンを得ることができる。   In the case of a material having low solubility of the polymer material, for example, there is a material in which a light emitting layer can be obtained by applying a corresponding precursor and then heat-curing as shown in chemical formula (5). For example, when polyphenylene-vinylene is a polymer light-emitting material constituting the light-emitting layer, the sulfonium salt of the corresponding precursor is disposed at the site to be the light-emitting layer, and then the heat treatment is performed, whereby the sulfonium group is eliminated, and the light-emitting layer As a result, polyphenylene-vinylene can be obtained.

発光層を形成し得る低分子材料としては、可視域の発光を示す物質ならば、基本的に使用可能である。中でも芳香族系の置換基を有する材料が好適である。例えば、アルミキノリノール錯体(Alq3)やジスチリルビフェニル、さらに化学式(6)に示すBeBq2やZn(OXZ)2等の、従来から一般的に用いられているものに加え、ピラゾリンダイマー、キノリジンカルボン酸、ベンゾピリリウムパークロレート、ベンゾピラノキノリジン、ルブレン、フェナントロリンユウロピウム錯体等が挙げられる。 As the low molecular weight material capable of forming the light emitting layer, any substance that emits light in the visible range can be basically used. Among them, a material having an aromatic substituent is preferable. For example, pyrazoline dimer, quinolidine in addition to those generally used conventionally such as aluminum quinolinol complex (Alq3), distyrylbiphenyl, and BeBq 2 and Zn (OXZ) 2 shown in chemical formula (6) Carboxylic acid, benzopyrylium perchlorate, benzopyranoquinolizine, rubrene, phenanthroline europium complex and the like.

上記に代表される高分子材料及び低分子材料から、青色、緑色、及び赤色の発光を示す材料を適宜選択し、所定の位置に配置すればカラー表示が可能であ。所定の位置に配置する際は、マスク蒸着法、印刷法、あるいはインクジェット法などが使用することができる。   Color display is possible by appropriately selecting materials that emit blue, green, and red light from the high-molecular materials and low-molecular materials typified above and arranging them at predetermined positions. When arranging at a predetermined position, a mask vapor deposition method, a printing method, an ink jet method, or the like can be used.

Figure 2005307353
発光層を、媒質として機能するゲストにホストを分散させた、いわゆるホスト/ゲスト型発光層とすることもできる。
Figure 2005307353
The light emitting layer may be a so-called host / guest type light emitting layer in which a host is dispersed in a guest functioning as a medium.

ホスト/ゲスト型発光層において、当該発光層の発光色を決定するのは、基本的にはゲスト材料であるので、所望の発光色に応じてゲスト材料を選択することができる。一般には、効率良く蛍光を発する材料が用いられる。ホスト材料は、基本的には、ゲスト材料の発光に関与する励起状態の準位より高いエネルギー準位を有する材料がホスト材料として好適である。キャリアの移動度が高い材料であることも要求される場合があるが、その場合は、上述の高分子発光体の中から選択することもできる。   In the host / guest type light emitting layer, the light emitting color of the light emitting layer is basically determined by the guest material, and therefore the guest material can be selected according to the desired light emitting color. In general, a material that efficiently emits fluorescence is used. As the host material, basically, a material having an energy level higher than an excited state level related to light emission of the guest material is suitable as the host material. In some cases, a material having high carrier mobility may be required. In this case, the material can be selected from the above-described polymer light emitters.

青色発光を示すゲスト材料としては、例えば、コロネン類、ジスチリルビフェニル類などが挙げられ、緑色発光を示すゲスト材料としては、例えば、キナクリドン類、ルブレン類、などが挙げられ、赤色発光を示すゲスト材料としては、蛍光色素としては、赤色発光を示すゲスト材料としては、例えば、ローダミン類が挙げられる。   Examples of guest materials that exhibit blue light emission include coronenes and distyrylbiphenyls, and examples of guest materials that exhibit green light emission include quinacridones and rubrenes, and guests that exhibit red light emission. Examples of the material include fluorescent dyes, and guest materials that emit red light include, for example, rhodamines.

ホスト材料は、ゲスト材料に応じて適宜選択することができる。数例を挙げれば、ホスト材料及びゲスト材料を、それぞれ、Zn(OXZ)2及びコロネンとした発光層を形成することにより青色発光を示す発光層が得られる。 The host material can be appropriately selected according to the guest material. To give a few examples, a light-emitting layer that emits blue light can be obtained by forming a light-emitting layer using Zn (OXZ) 2 and coronene as the host material and guest material, respectively.

ゲスト材料としては燐光材料も使用することができる。例えば、化学式(7)に示すIr(ppy)3 、Pt(thpy)2、PtOEPなどが好適に用いられる。 A phosphorescent material can also be used as the guest material. For example, Ir (ppy) 3 , Pt (thpy) 2 , PtOEP and the like represented by chemical formula (7) are preferably used.

Figure 2005307353
なお、前記の化学式(7)に示した燐光物質をゲスト材料とした場合、ホスト材料としては、例えば、化学式(8)に示すCBP、DCTA、TCPB、あるいはAlq3などが好適に用いられる。
Figure 2005307353
Note that when the phosphor material represented by the chemical formula (7) is used as a guest material, for example, CBP, DCTA, TCPB, or Alq3 represented by the chemical formula (8) is preferably used as the host material.

なお、ホスト/ゲスト型発光層は、共蒸着法、あるいはホスト材料とゲスト材料あるいはそれらの前駆体を液状化したものを塗布する方法などにより形成される。   The host / guest type light emitting layer is formed by a co-evaporation method or a method of applying a liquefied host material and a guest material or a precursor thereof.

Figure 2005307353
また、上述した例では、発光層の下層として正孔輸送層を形成し、上層として電子輸送層を形成したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば正孔輸送層と電子輸送層とのうちの一方のみを形成するようにしてもよく、また、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに発光層のみを単独で形成するようにしてもよい。
Figure 2005307353
In the above-described example, the hole transport layer is formed as the lower layer of the light emitting layer, and the electron transport layer is formed as the upper layer. However, the present invention is not limited to this, for example, the hole transport layer and the electron transport layer. May be formed, or a hole injection layer may be formed instead of the hole transport layer, and only the light emitting layer may be formed alone. Good.

さらに、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に加えて、ホールブロッキング層を例えば発光層の対向電極側に形成して、発光層の長寿命化を図ってもよい。このようなホールブロッキング層の形成材料としては、例えば化学式(9)に示すBCPや化学式(10)で示すBAlqが用いられるが、長寿命化の点ではBAlqの方が好ましい。   Furthermore, in addition to the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer, a hole blocking layer may be formed, for example, on the counter electrode side of the light emitting layer to extend the life of the light emitting layer. As a material for forming such a hole blocking layer, for example, BCP represented by the chemical formula (9) and BAlq represented by the chemical formula (10) are used, but BAlq is preferable in terms of extending the life.

Figure 2005307353
Figure 2005307353

Figure 2005307353
さて、本発明の電気光学装置は、上述した有機EL表示装置に限定されるものではなく、他の電気光学装置にも適用可能である。電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置などの各種の表示装置が挙げられる。
Figure 2005307353
The electro-optical device of the present invention is not limited to the organic EL display device described above, and can be applied to other electro-optical devices. Examples of the electro-optical device include various display devices such as a liquid crystal display device.

また、本発明の膜形成装置及び材料の配置方法は、電気光学装置の製造過程に用いるものに限らず、半導体素子やカラーフィルタなどの電子装置の製造過程にも用いることができる。例えば、電子装置としては、トランジスタなどの半導体素子、特に半導体層が有機材料で形成されている有機トランジスタや、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)やMRAM(Magnetic Random Access Memory)などのメモリ素子等の製造にも好適に用いることができる。さらに、このような材料から得られるカラーフィルタとしては、所望の色を透過するものや、所望の色の光を発するものなどがある。こうしたカラーフィルタなどの電子装置においても、本発明の膜形成装置を用いて製造することにより、材料の選択自由度が高くなり、構造の最適化が図られる。そのため、高寿命化、高品質化、あるいは高機能化などを図りやすい。   The film forming apparatus and material arrangement method of the present invention are not limited to those used in the manufacturing process of electro-optical devices, but can also be used in the manufacturing process of electronic devices such as semiconductor elements and color filters. For example, as an electronic device, a semiconductor element such as a transistor, particularly an organic transistor whose semiconductor layer is formed of an organic material, a memory element such as an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) or an MRAM (Magnetic Random Access Memory), etc. Also, it can be suitably used. Further, color filters obtained from such materials include those that transmit a desired color and those that emit light of a desired color. Even in such an electronic device such as a color filter, by using the film forming apparatus of the present invention, the degree of freedom of material selection is increased, and the structure can be optimized. Therefore, it is easy to achieve long life, high quality, or high functionality.

〔第6の実施形態〕
図34〜39は、本発明の電子機器の実施形態を示している。
[Sixth Embodiment]
34 to 39 show an embodiment of the electronic apparatus of the present invention.

本例の電子機器は、上述した有機EL表示装置等の本発明の電気光学装置を表示手段として備えている。   The electronic apparatus of this example includes the electro-optical device of the present invention such as the organic EL display device described above as a display unit.

図34は、テレビ画像やコンピュータ送られる文字や画像を表示する表示装置の一例を示している。図34において、符号1000は本発明の電気光学装置を用いた表示装置本体を示している。なお、表示装置本体1000は、上述した有機EL表示装置を用いることにより、大画面にも対応できる。   FIG. 34 shows an example of a display device that displays television images and characters and images sent to a computer. In FIG. 34, reference numeral 1000 indicates a display device body using the electro-optical device of the present invention. In addition, the display apparatus main body 1000 can respond also to a large screen by using the organic EL display apparatus mentioned above.

また、図35は、車載用のナビゲーション装置の一例を示している。図35において、符号1010はナビゲーション装置本体を示し、符号1011は本発明の電気光学装置を用いた表示部(表示手段)を示している。   FIG. 35 shows an example of a vehicle-mounted navigation device. In FIG. 35, reference numeral 1010 denotes a navigation apparatus body, and reference numeral 1011 denotes a display unit (display means) using the electro-optical device of the present invention.

また、図36は、携帯型の画像記録装置(ビデオカメラ)の一例を示している。図36において、符号1020は記録装置本体を示し、符号1021は本発明の電気光学装置を用いた表示部を示している。   FIG. 36 shows an example of a portable image recording apparatus (video camera). 36, reference numeral 1020 denotes a recording apparatus main body, and reference numeral 1021 denotes a display unit using the electro-optical device of the present invention.

また、図37は、携帯電話の一例を示している。図37において、符号1030は携帯電話本体を示し、符号1031は本発明の電気光学装置を用いた表示部(表示手段)を示している。   FIG. 37 shows an example of a mobile phone. In FIG. 37, reference numeral 1030 indicates a mobile phone main body, and reference numeral 1031 indicates a display unit (display means) using the electro-optical device of the present invention.

また、図38は、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置の一例を示している。図38において、符号1040は情報処理装置を示し、符号1041は情報処理装置本体、符号1042はキーボードなどの入力部、符号1043は本発明の電気光学装置を用いた表示部を示している。   FIG. 38 shows an example of an information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. 38, reference numeral 1040 indicates an information processing apparatus, reference numeral 1041 indicates an information processing apparatus body, reference numeral 1042 indicates an input unit such as a keyboard, and reference numeral 1043 indicates a display unit using the electro-optical device of the present invention.

また、図39は、腕時計型電子機器の一例を示している。図39において、符号1050は時計本体を示し、符号1051は本発明の電気光学装置を用いた表示部を示している。   FIG. 39 shows an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 39, reference numeral 1050 denotes a watch body, and reference numeral 1051 denotes a display unit using the electro-optical device of the present invention.

図34〜図39に示す電子機器は、本発明の電気光学装置を表示手段として備えているので、耐久性及び品質の優れた表示を実現することができる。   Since the electronic apparatus shown in FIGS. 34 to 39 includes the electro-optical device of the present invention as a display unit, display with excellent durability and quality can be realized.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
(発明の効果)
As described above, the preferred embodiments according to the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.
(The invention's effect)

本発明の材料の配置方法及び膜形成装置によれば、材料の選択自由度が高く、高分子材料や低分子材料など、基体上に様々な材料の配置が可能になるとともに、溶剤の残留による不具合を低減させることができる。また、処理室内の圧力制御により、ノズルから材料を分子状に放出することも可能となり、これにより、より純度の高い材料膜や、高精度に膜厚制御された材料膜、あるいは特定の機能を持たせた機能膜を形成することが可能となる。さらに、ノズルの吐出不良を迅速に検出するので、不良品の削減を図ることができ、また、予備吐出を行うことにより、材料の吐出状態を常に安定させることができる。即ち、基体上のパターニング領域に材料を配置する前に、ノズルの吐出不良の検出を行うことにより、不良品を多数製造することが防止され、製品の歩留まりを向上させることが可能となる。   According to the material arrangement method and film forming apparatus of the present invention, the degree of freedom of material selection is high, and various materials such as high molecular materials and low molecular materials can be arranged on the substrate, and also due to residual solvent. Problems can be reduced. In addition, it is possible to release the material from the nozzle in molecular form by controlling the pressure in the processing chamber, which makes it possible to provide a material film with higher purity, a material film whose film thickness is controlled with high precision, or a specific function. It is possible to form a functional film. Further, since defective ejection of the nozzles is detected quickly, defective products can be reduced, and by performing preliminary ejection, the material ejection state can always be stabilized. That is, by detecting the ejection failure of the nozzle before disposing the material in the patterning region on the substrate, it is possible to prevent a large number of defective products from being manufactured and to improve the product yield.

本発明の電気光学装置及びその製造方法によれば、高寿命化、高品質化、及び高機能化が図られた電気光学装置を提供することができる。さらに、装置の歩留まりを向上させることが可能となる。   According to the electro-optical device and the method for manufacturing the same of the present invention, it is possible to provide an electro-optical device with a long life, high quality, and high functionality. Furthermore, the yield of the apparatus can be improved.

本発明の電子装置によれば、高寿命化、高品質化、及び高機能化を図ることができる。さらに、装置の歩留まりを向上させることが可能となる。   According to the electronic device of the present invention, it is possible to achieve long life, high quality, and high functionality. Furthermore, the yield of the apparatus can be improved.

本発明の電子機器によれば、表示手段の高寿命化、高品質化、及び高機能化を図ることができる。さらに、構成装置の歩留まりが向上することに起因して、低コスト化を図ることが可能となる。   According to the electronic apparatus of the present invention, the life of the display means, the quality, and the functionality can be improved. Furthermore, the cost can be reduced due to the improvement in the yield of the constituent devices.

本発明の第1の実施形態による膜形成装置の一例を模式的に示す図である。It is a figure showing typically an example of the film formation device by a 1st embodiment of the present invention. 有機EL素子を構成する発光層形成材料を基体上に配置した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the light emitting layer forming material which comprises an organic EL element was arrange | positioned on the base | substrate. 本発明の材料の配置方法の一例を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally an example of the arrangement | positioning method of the material of this invention. 圧力制御系の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of a pressure control system. 材料供給系の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of a material supply system. 複数のノズルと材料供給源との接続例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the example of a connection of a some nozzle and material supply source. 複数のノズルが設けられた放出ヘッドの構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of the discharge | release head provided with the several nozzle. 放出機構の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a discharge | release mechanism. 主制御系の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows the structural example of a main control system typically. 材料の配置時における基体と放出ヘッド(ノズル)との相対移動の様子の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the mode of relative movement of the base | substrate and discharge head (nozzle) at the time of arrangement | positioning of material. 本発明の第1の実施形態による膜形成装置による膜形成工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the film formation process by the film formation apparatus by the 1st Embodiment of this invention. 予備吐出のパターンの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pattern of preliminary discharge. 予備吐出のパターンの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pattern of preliminary discharge. 予備吐出のパターンの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pattern of preliminary discharge. 材料の吐出初期における、吐出状態が不安定となる様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the discharge state becomes unstable in the initial stage of discharge of material. 材料の吐出初期における、吐出状態のバラつきにより予備吐出領域の長さを変更した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the length of the preliminary discharge area | region was changed by the variation in the discharge state in the initial stage of material discharge. 予備吐出のパターンの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pattern of preliminary discharge. 予備吐出のパターンの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pattern of preliminary discharge. 本発明の第4の実施形態による膜形成装置の一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically an example of the film forming apparatus by the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態による膜形成装置のブロック図である。It is a block diagram of the film forming apparatus by the 4th Embodiment of this invention. 図19で説明した放出ヘッド、センサ、光源の配置を詳細に説明した図である。It is the figure explaining the arrangement | positioning of the discharge | release head demonstrated in FIG. 19, the sensor, and the light source in detail. 本発明の第4の実施形態による膜形成装置の動作を記述したフローチャートである。It is a flowchart describing operation | movement of the film forming apparatus by the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態によるアクティブマトリクス型有機EL表示装置の回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the circuit of the active matrix type organic electroluminescent display apparatus by the 5th Embodiment of this invention. 図23で説明した表示装置における画素部の平面構造の一例を示す平面図である。FIG. 24 is a plan view illustrating an example of a planar structure of a pixel portion in the display device described in FIG. 23. 画素部(有機EL素子)の断面構造を模式的に示しており、(a)はトップエミッション型、(b)はバックエミッション型を示している。2 schematically shows a cross-sectional structure of a pixel portion (organic EL element), where (a) shows a top emission type and (b) shows a back emission type. トップエミッション型の画素部(有機EL素子)の断面構造を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the cross-section of a top emission type pixel part (organic EL element). 本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which applied the manufacturing method of the electro-optical apparatus of this invention to the process of manufacturing a display apparatus provided with an organic EL element. 本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which applied the manufacturing method of the electro-optical apparatus of this invention to the process of manufacturing a display apparatus provided with an organic EL element. 本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which applied the manufacturing method of the electro-optical apparatus of this invention to the process of manufacturing a display apparatus provided with an organic EL element. 本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the Example which applied the manufacturing method of the electro-optical apparatus of this invention to the process of manufacturing a display apparatus provided with an organic EL element. 有機EL素子の他の形態例を示す図である。It is a figure which shows the other example of an organic EL element. 有機EL素子の他の形態例を示す図である。It is a figure which shows the other example of an organic EL element. 有機EL表示装置の回路の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the circuit of an organic electroluminescence display. 本発明の第6の実施形態である電子機器の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example of the electronic device which is the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態である電子機器の他の実施例を示す図である。It is a figure which shows the other Example of the electronic device which is the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態である電子機器の他の実施例を示す図である。It is a figure which shows the other Example of the electronic device which is the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態である電子機器の他の実施例を示す図である。It is a figure which shows the other Example of the electronic device which is the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態である電子機器の他の実施例を示す図である。It is a figure which shows the other Example of the electronic device which is the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態である電子機器の他の実施例を示す図である。It is a figure which shows the other Example of the electronic device which is the 6th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10,300 膜形成装置
11 真空チャンバ(処理室)
12 圧力制御系
13 基体ステージ(ステージ)
14 基体
15 ノズル
17 駆動系(移動手段)
18 テレビカメラ
19 検出系(検出手段)
40 材料供給源
100 有機EL表示装置
102 画素
285 正孔輸送層
286 発光層
287 電子輸送層
290 陰極
301 移動機構(移動手段)
305 センサ
10,300 Film forming apparatus 11 Vacuum chamber (processing chamber)
12 Pressure control system 13 Substrate stage (stage)
14 Substrate 15 Nozzle 17 Drive system (moving means)
18 TV camera 19 Detection system (detection means)
40 Material supply source 100 Organic EL display device 102 Pixel 285 Hole transport layer 286 Light emitting layer 287 Electron transport layer 290 Cathode 301 Moving mechanism (moving means)
305 sensor

Claims (14)

処理室と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、
前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、
前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、
前記ノズルと前記基体との相対的な位置を調整するための位置調整手段と、
前記基体上に配置された前記材料を検査する検査手段と、
を備えることを特徴とする膜形成装置。
A processing chamber;
A pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber;
At least one nozzle attached to the processing chamber and connected to the material supply source for discharging the material supplied from the material supply source into the processing chamber;
A stage attached to the processing chamber for holding the substrate;
Position adjusting means for adjusting the relative position of the nozzle and the base body;
Inspection means for inspecting the material disposed on the substrate;
A film forming apparatus comprising:
処理室と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、
前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、
前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、
前記ノズルと前記ステージとの相対的な位置を調整するための位置調整手段と、を含み、
前記処理室内は撮像素子を備えていること、
を備えることを特徴とする膜形成装置。
A processing chamber;
A pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber;
At least one nozzle attached to the processing chamber and connected to the material supply source for discharging the material supplied from the material supply source into the processing chamber;
A stage attached to the processing chamber for holding the substrate;
A position adjusting means for adjusting a relative position between the nozzle and the stage,
The processing chamber includes an image sensor;
A film forming apparatus comprising:
請求項2に記載の膜形成装置において、
前記撮像素子が行う光学測定に際に用いる光源をさらに備えていること、
を特徴とする膜形成装置。
The film forming apparatus according to claim 2,
A light source used for optical measurement performed by the image sensor;
A film forming apparatus.
請求項3または4に記載の膜形成装置において、
前記撮像素子の位置または姿勢は調整可能となっていること、
を特徴とする膜形成装置。
In the film forming apparatus according to claim 3 or 4,
The position or orientation of the image sensor is adjustable;
A film forming apparatus.
処理室と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、
前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、
前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、
前記ノズルと前記ステージとの相対的な位置を調整するための位置調整手段と、
前記少なくとも1つのノズルからの前記材料の吐出の異常を検出するための検出手段と、
を備えることを特徴とする膜形成装置。
A processing chamber;
A pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber;
At least one nozzle attached to the processing chamber and connected to the material supply source for discharging the material supplied from the material supply source into the processing chamber;
A stage attached to the processing chamber for holding the substrate;
Position adjusting means for adjusting the relative position of the nozzle and the stage;
Detecting means for detecting an abnormality in discharging the material from the at least one nozzle;
A film forming apparatus comprising:
処理室と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、
前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、
前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージとを備え、
前記ノズルと前記ステージとの相対的な位置を調整するための位置調整手段と、
前記少なくとも1つのノズルからの吐出された前記材料の光学測定を行う光学的手段と、
を備えることを特徴とする膜形成装置。
A processing chamber;
A pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber;
At least one nozzle attached to the processing chamber and connected to the material supply source for discharging the material supplied from the material supply source into the processing chamber;
A stage attached to the processing chamber for holding the substrate;
Position adjusting means for adjusting the relative position of the nozzle and the stage;
Optical means for optically measuring the material ejected from the at least one nozzle;
A film forming apparatus comprising:
処理室と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御系と、
前記処理室に取り付けられ、かつ、材料供給源に接続された、前記材料供給源から供給される材料を前記処理室内に吐出する少なくとも1つのノズルと、
前記処理室に取り付けられ、基体を保持するためステージと、
前記材料の前記基体上における配置位置を検出する検出手段と、
を備えることを特徴とする膜形成装置。
A processing chamber;
A pressure control system for controlling the pressure in the processing chamber;
At least one nozzle attached to the processing chamber and connected to the material supply source for discharging the material supplied from the material supply source into the processing chamber;
A stage attached to the processing chamber for holding the substrate;
Detecting means for detecting an arrangement position of the material on the substrate;
A film forming apparatus comprising:
請求項7に記載の膜形成装置において、
さらに前記配置位置と前記材料を配置させるべき目標位置との位置ズレが生じた場合に、前記少なくとも一つのノズルの位置補正を行う位置補正手段を、
さらに備えることを特徴とする膜形成装置。
The film forming apparatus according to claim 7,
Further, when a positional deviation between the arrangement position and the target position where the material is to be arranged occurs, position correction means for correcting the position of the at least one nozzle,
A film forming apparatus, further comprising:
請求項1乃至8のいずれかに記載の膜形成装置において、
前記少なくとも一つのノズルに動作不良が生じた場合、前記少なくとも一つのノズルの代用として使用する予備ノズルを更に備えること、
を特徴とする膜形成装置。
The film forming apparatus according to claim 1,
When a malfunction occurs in the at least one nozzle, further comprising a spare nozzle used as a substitute for the at least one nozzle;
A film forming apparatus.
請求項1乃至9のいずれかに記載の膜形成装置において、
前記基体の温度を調整する温度調整手段を更に備えること、
を特徴とする膜形成装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 9,
Further comprising temperature adjusting means for adjusting the temperature of the substrate;
A film forming apparatus.
請求項1乃至10のいずれかに記載の膜形成装置において、
前記処理室内の圧力を1.33322×10-1Pa以下とすることが可能であること、
を特徴とする膜形成装置。
The film forming apparatus according to claim 1,
The pressure in the processing chamber can be 1.33322 × 10 −1 Pa or less,
A film forming apparatus.
請求項1乃至10のいずれかに記載の膜形成装置を用いて導電材料または半導体材料を前記基体上に配置することにより製造されたことを特徴とする電子装置。 An electronic device manufactured by disposing a conductive material or a semiconductor material on the substrate using the film forming apparatus according to claim 1. 請求項1乃至10のいずれかに記載の膜形成装置を用いて光学材料を前記基体上に配置することにより製造されたことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device manufactured by disposing an optical material on the substrate using the film forming apparatus according to claim 1. 請求項23記載の電気光学装置を表示手段として備えること、
を特徴とする電子機器。
The electro-optical device according to claim 23 is provided as display means.
Electronic equipment characterized by
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