JP2005294663A - Method of wiring semiconductor integrated circuit - Google Patents

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Yoichi Matsumura
陽一 松村
Takako Ohashi
貴子 大橋
Katsuya Fujimura
克也 藤村
Chihiro Ito
千尋 伊藤
Hiroki Taniguchi
博樹 谷口
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of wiring a semiconductor integrated circuit where crosstalk measures can effectively be introduced at proper costs. <P>SOLUTION: A wiring which is the most excellent in crosstalk resistance characteristic in a plurality of kinds of usable wirings is assigned to a wiring positioned on a clock path (S103) to wire the circuit (S104). About an obtained wiring result, the resource quantity of the wiring positioned on the clock path is obtained (S105), and it is judged whether the obtained resource value is not larger than an allowable value (S106). When the obtained resource value is larger than the allowable value, a wiring positioned at the lower stage of the clock path is selected preferentially from among the wirings positioned on the clock path (S107), and a selected wiring is changed to a wiring of a degraded crosstalk resistance characteristic (S108). <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体集積回路の配線方法に関し、より特定的には、複数種類の配線を用いた半導体集積回路の配線方法に関する。   The present invention relates to a wiring method for a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a wiring method for a semiconductor integrated circuit using a plurality of types of wiring.

ロジック回路を含んだ半導体集積回路の多くは、外部から供給されたクロック信号、あるいは、外部から供給された信号に基づき内部で生成したクロック信号に同期して動作する。一般に半導体集積回路は、複数のフリップフロップと、与えられたクロック信号に基づき各フリップフロップに供給されるクロック信号を生成する回路(以下、クロック回路という)とを備えている。半導体集積回路を正しく動作させるためには、各フリップフロップにクロック信号を正しく供給することが必要である。また、半導体集積回路の消費電力を低減するためには、動作させない回路ブロックに対するクロック信号の供給を停止することが有効である。このため、クロック回路の構成やクロック信号の供給方法は、半導体集積回路の設計上の重要な課題であると認識されている。   Many semiconductor integrated circuits including a logic circuit operate in synchronization with an externally supplied clock signal or an internally generated clock signal based on an externally supplied signal. In general, a semiconductor integrated circuit includes a plurality of flip-flops and a circuit that generates a clock signal supplied to each flip-flop based on a given clock signal (hereinafter referred to as a clock circuit). In order for the semiconductor integrated circuit to operate correctly, it is necessary to correctly supply a clock signal to each flip-flop. In order to reduce the power consumption of the semiconductor integrated circuit, it is effective to stop the supply of the clock signal to the circuit block that is not operated. For this reason, the configuration of the clock circuit and the method for supplying the clock signal are recognized as important issues in the design of the semiconductor integrated circuit.

また、半導体集積回路では、配線がクロストークの影響を受けることも問題となる。配線がクロストークの影響を受けると、配線上を伝搬する信号の波形に歪みが生じ、回路が誤動作するなどの不具合が発生することがある。一般に、配線は、配線長が長いほどクロストークの影響を受けやすく、また、クロック経路上にある配線は、それ以外の配線よりも長くなる傾向がある。このため、クロック経路上にある配線は、それ以外の配線よりもクロストークの影響を受けやすいと言える。   Another problem with semiconductor integrated circuits is that the wiring is affected by crosstalk. When the wiring is affected by crosstalk, the waveform of a signal propagating on the wiring may be distorted, and a malfunction such as malfunction of the circuit may occur. In general, the longer the wiring length, the easier the wiring is affected by crosstalk, and the wiring on the clock path tends to be longer than the other wiring. For this reason, it can be said that the wiring on the clock path is more susceptible to crosstalk than the other wiring.

半導体集積回路のクロストーク対策としては、例えば、耐クロストーク特性が優れた配線を使用して回路の配線を行う方法が考えられる。この方法では、幅の広い配線、配線間隔を空けた配線、シールドされた配線などが、耐クロストーク特性が優れた配線として使用される。また、これ以外の方法として、特許文献1には、半導体集積回路のレイアウト設計に際し、クロストークノイズの上限値を設定する方法が開示されている。
特開2003−186934号公報
As a countermeasure against crosstalk in a semiconductor integrated circuit, for example, a method of wiring a circuit using wiring having excellent crosstalk resistance can be considered. In this method, a wide wiring, a wiring having a wiring interval, a shielded wiring, or the like is used as a wiring having excellent crosstalk resistance. As another method, Patent Document 1 discloses a method of setting an upper limit value of crosstalk noise when designing a layout of a semiconductor integrated circuit.
JP 2003-186934 A

半導体集積回路では、クロストーク対策に要するコストとその効果とは、トレードオフの関係にある。つまり、回路に十分なクロストーク対策を施すと、回路のコストが高くなり、逆に回路のコストを安く抑えると、クロストーク対策の効果が不十分になる。しかしながら、従来、半導体集積回路の配線方法に関して、適切なコストで効果的にクロストーク対策を行える配線方法は知られていない。   In a semiconductor integrated circuit, there is a trade-off relationship between the cost required for countermeasures against crosstalk and its effect. That is, if a sufficient crosstalk countermeasure is applied to the circuit, the cost of the circuit increases. Conversely, if the circuit cost is kept low, the effect of the countermeasure against the crosstalk becomes insufficient. However, conventionally, there is no known wiring method capable of effectively taking measures against crosstalk at an appropriate cost with respect to a wiring method of a semiconductor integrated circuit.

それ故に、本発明は、適切なコストで効果的にクロストーク対策を行える半導体集積回路の配線方法を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a wiring method of a semiconductor integrated circuit that can effectively take measures against crosstalk at an appropriate cost.

上記課題を解決する発明は、クロック経路上にある配線に、使用可能な複数種類の配線のうちで耐クロストーク特性が最も優れた配線を割り当てて、回路の配線を行い、得られた配線結果が所定の判断基準を満たすか否かを判断し、配線結果が判断基準を満たさない場合には、クロック経路上にある配線のうちからクロック経路の下段にある配線を優先的に選択し、選択した配線を耐クロストーク特性が劣る配線に変更する、半導体集積回路の配線方法である。   The invention that solves the above-described problem is that the wiring having the best crosstalk resistance among the plurality of types of wiring that can be used is assigned to the wiring on the clock path, and the wiring of the circuit is performed. If the wiring result does not meet the judgment criteria, the wiring in the lower stage of the clock path is preferentially selected from the wirings on the clock path and selected. This is a method for wiring a semiconductor integrated circuit, in which the above-described wiring is changed to a wiring having inferior crosstalk resistance.

この場合、配線結果について判断するときには、配線結果に基づきクロック経路上にある配線のリソース量を求め、求めたリソース量が所定の許容値以下であるか否かを判断してもよく、あるいは、配線結果に基づきクロストークが回路に与える影響度を求め、求めた影響度が所定の許容値以下であるか否かを判断してもよい。   In this case, when determining the wiring result, the resource amount of the wiring on the clock path may be obtained based on the wiring result, and it may be determined whether or not the obtained resource amount is a predetermined allowable value or less, or The degree of influence of crosstalk on the circuit may be obtained based on the wiring result, and it may be determined whether or not the obtained degree of influence is less than a predetermined allowable value.

上記発明によれば、クロストークの影響を受けやすいクロック経路上にある配線の一部に、耐クロストーク特性の優れた配線を使用することにより、適切なコストで効果的にクロストーク対策を行うことができる。   According to the above invention, the crosstalk countermeasures can be effectively taken at an appropriate cost by using the wiring having excellent crosstalk resistance for a part of the wiring on the clock path that is easily affected by the crosstalk. be able to.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートである。図1に示す設計方法は、論理設計を終えた後の半導体集積回路に対して、配置処理および配線処理を行うものであり、典型的には、半導体集積回路の設計装置であるEDA(Electronic Design Automation)システムを用いて実行される。
(First embodiment)
FIG. 1 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. The design method shown in FIG. 1 performs placement processing and wiring processing on a semiconductor integrated circuit after the logic design is completed, and is typically an EDA (Electronic Design) which is a semiconductor integrated circuit design apparatus. Automation) system.

図1に示す各ステップの詳細を説明するに先立ち、図1に示す設計方法に含まれる配線処理で使用される配線の種類について説明する。図1における配線処理では、複数種類の配線が使用される。より詳細には、配線は1以上の属性(例えば、配線幅、配線間隔、シールドの有無など)を有し、属性値が互いに異なる複数種類の配線が、使用可能な配線として予め用意される。以下、本実施形態では、例として、配線は、配線幅、配線間隔、および、シールドの有無の3個の属性を有し、配線幅は「1倍」および「2倍」、配線間隔は「1倍」および「3倍」、シールドの有無は「シールドなし」および「シールドあり」の各値を、他の属性値とは独立して取り得るものとする。この場合、全部で8種類の配線が予め用意されることになる。   Prior to describing the details of each step shown in FIG. 1, the types of wiring used in the wiring processing included in the design method shown in FIG. 1 will be described. In the wiring process in FIG. 1, a plurality of types of wiring are used. More specifically, the wiring has one or more attributes (for example, wiring width, wiring interval, presence / absence of shield), and a plurality of types of wirings having different attribute values are prepared as usable wirings in advance. Hereinafter, in the present embodiment, as an example, the wiring has three attributes of wiring width, wiring interval, and presence / absence of shield, the wiring width is “1 ×” and “2 ×”, and the wiring interval is “ It is assumed that the values “1 ×” and “3 ×”, and the presence / absence of the shield can be “unshielded” and “with shield”, independently of other attribute values. In this case, eight types of wirings are prepared in advance.

これら8種類の配線には、耐クロストーク特性が相対的に劣る配線と、耐クロストーク特性が相対的に優れた配線とが含まれている。一般に、配線幅が狭い配線、配線間隔が狭い配線、および、シールドされていない配線は、耐クロストーク特性が相対的に劣り、配線幅が広い配線、配線間隔が広い配線、および、シールドされた配線は、耐クロストーク特性が相対的に優れている。本実施形態に当てはめると、配線幅1倍の配線、配線間隔1倍の配線、および、シールドなしの配線は、耐クロストーク特性が相対的に劣り、配線幅2倍の配線、配線間隔3倍の配線、および、シールドありの配線は、耐クロストーク特性が相対的に優れている。以下、上記8種類の配線のうち、耐クロストーク特性が最も劣る配線(配線幅1倍、配線間隔1倍、かつ、シールドなしの配線)を「通常配線」と呼び、耐クロストーク特性が最も優れている配線(配線幅2倍、配線間隔3倍、かつ、シールドありの配線)を「最強配線」と呼ぶ。   These eight types of wiring include wiring having relatively poor crosstalk resistance and wiring having relatively excellent crosstalk resistance. In general, a wiring with a narrow wiring width, a wiring with a narrow wiring interval, and a wiring that is not shielded are relatively inferior in crosstalk resistance, a wiring with a wide wiring width, a wiring with a wide wiring spacing, and a shielded wiring. The wiring is relatively excellent in crosstalk resistance. When applied to this embodiment, the wiring with a wiring width of 1 times, the wiring with a wiring spacing of 1 time, and the wiring without a shield are relatively inferior in crosstalk resistance, and the wiring with a wiring width of 2 times and the wiring spacing of 3 times These wirings and shielded wirings are relatively excellent in crosstalk resistance. Hereinafter, among the above eight types of wiring, the wiring having the worst inferior crosstalk characteristics (wiring 1 times the wiring width, wiring spacing 1 time, and unshielded wiring) is referred to as “normal wiring”, and has the highest crosstalk resistance. An excellent wiring (wiring width twice, wiring interval three times, and shielded wiring) is called “strongest wiring”.

以下、図1に示す各ステップの詳細を説明する。図1に示す方法は、設計対象となる半導体集積回路についてネットリストが得られた段階で実行される。ネットリストには、設計対象回路に含まれるセルに関する情報と、セル間を接続する配線に関する情報とが含まれている。   Details of each step shown in FIG. 1 will be described below. The method shown in FIG. 1 is executed when a netlist is obtained for a semiconductor integrated circuit to be designed. The netlist includes information related to cells included in the circuit to be designed and information related to wiring connecting the cells.

図1に示す方法では、まず、予め定めた設計規則に従い、設計対象回路のネットリストに基づき、セルを所定の2次元領域内に配置する(ステップS101)。次に、ネットリストからクロックツリーを抽出し、クロック経路上にある配線を求める(ステップS102)。抽出されたクロックツリーは、例えば、図示しないステップでタイミング解析を行うときなどにも使用される。   In the method shown in FIG. 1, first, cells are arranged in a predetermined two-dimensional area based on a net list of a circuit to be designed according to a predetermined design rule (step S101). Next, a clock tree is extracted from the net list, and wiring on the clock path is obtained (step S102). The extracted clock tree is also used, for example, when performing timing analysis in steps not shown.

次に、ステップS102で求めたクロック経路上にある配線に、配線時に使用する配線として、上記8種類の配線のうちから最強配線(配線幅2倍、配線間隔3倍、かつ、シールドありの配線)を割り当てる(ステップS103)。   Next, the wiring on the clock path obtained in step S102 is the strongest wiring (wiring width is doubled, wiring interval is tripled, and shielded wiring among the above eight types of wirings used as wiring. ) Is assigned (step S103).

次に、予め定めた設計規則に従い、設計対象回路のネットリストに基づき、セル間を配線する(ステップS104)。この際、クロック経路上にある配線は、ステップS103における割り当てに従い、最強配線を用いて配線される。なお、クロック経路上にある配線以外の配線のうち、セルの出力端子と入力端子とを接続する配線は、特段の理由がなければ、通常配線(配線幅1倍、配線間隔1倍、かつ、シールドなしの配線)を用いて配線される。   Next, according to a predetermined design rule, cells are wired based on the net list of the circuit to be designed (step S104). At this time, the wiring on the clock path is wired using the strongest wiring according to the assignment in step S103. Of the wirings other than the wiring on the clock path, the wiring for connecting the cell output terminal and the input terminal is a normal wiring (wiring width is 1 times, wiring interval is 1 time, and unless otherwise specified, and Wiring using unshielded wiring).

次に、ステップS104で得られた配線結果について、クロック経路上にある配線のリソース量を求める(ステップS105)。例えば、ステップS104で得られた配線結果において、クロック経路上にある配線が占める配線トラック数をA、クロック経路上にある配線をすべて通常配線に変更したときに、変更後の配線が占める配線トラック数をBとした場合、ステップS105では、クロック経路上にある配線のリソース量として、値A/Bが算出される。   Next, for the wiring result obtained in step S104, the resource amount of the wiring on the clock path is obtained (step S105). For example, in the wiring result obtained in step S104, when the number of wiring tracks occupied by the wiring on the clock path is A, and all the wirings on the clock path are changed to normal wiring, the wiring track occupied by the changed wiring is When the number is B, in step S105, the value A / B is calculated as the resource amount of the wiring on the clock path.

次に、ステップS105で求めたリソース量が、所定の許容値以下であるか否かを判断する(ステップS106)。求めたリソース量が許容値以下である場合には(ステップS106のYES)、処理は終了する。これに対して、求めたリソース量が許容値を超えている場合には(ステップS106のNO)、処理はステップS107に進む。   Next, it is determined whether or not the resource amount obtained in step S105 is equal to or less than a predetermined allowable value (step S106). If the obtained resource amount is less than or equal to the allowable value (YES in step S106), the process ends. On the other hand, when the obtained resource amount exceeds the allowable value (NO in step S106), the process proceeds to step S107.

後者の場合、クロック経路上にある配線のうちから、クロック経路の下段にある配線を優先的に選択し(ステップS107)、選択した配線を耐クロストーク特性が劣る配線に変更する(ステップS108)。ただし、ステップS108では、選択した配線を、当該配線と1個の属性のみが相違する配線に変更する。これにより、例えば、ステップS107で配線幅2倍の配線が選択された場合には、ステップS108では、変更後の配線として配線幅1倍の配線が使用される。また、ステップS107で配線間隔3倍の配線が選択された場合には、ステップS108では配線間隔1倍の配線が使用され、ステップS107でシールドありの配線が選択された場合には、ステップS108ではシールドなしの配線が使用される。   In the latter case, the wiring at the lower stage of the clock path is preferentially selected from the wirings on the clock path (step S107), and the selected wiring is changed to a wiring having inferior crosstalk resistance (step S108). . However, in step S108, the selected wiring is changed to a wiring that differs from the wiring in only one attribute. Thereby, for example, when a wiring having a double wiring width is selected in step S107, a wiring having a single wiring width is used as the changed wiring in step S108. In addition, when a wiring having a wiring interval of 3 times is selected in step S107, a wiring having a wiring interval of 1 is used in step S108, and when a wiring with a shield is selected in step S107, in step S108, a wiring with a shield is selected. Unshielded wiring is used.

次に、処理はステップS105に進む。これにより、ステップS106においてリソース量が許容値以下であると判断されるまで、配線の選択、配線の変更、リソース量の算出、および、リソース量と許容値との比較の4つのステップが、繰り返し実行される。   Next, the process proceeds to step S105. As a result, the four steps of selecting the wiring, changing the wiring, calculating the resource amount, and comparing the resource amount and the allowable value are repeated until it is determined in step S106 that the resource amount is less than or equal to the allowable value. Executed.

以下、ステップS107およびS108における配線および属性の選択順序について説明する。上述したように、ステップS107では一の配線が選択され、ステップS108では選択された配線の一の属性が選択される。ステップS107における配線の選択では、クロックツリーの下段にある配線が、クロックツリーの上段にある配線よりも優先的に選択される。また、ステップS108における属性の選択では、属性値を耐クロストーク特性が劣るものに変更したときに、リソース量の削減の効果が大きい属性や、耐クロストーク特性が劣化する程度が少ない属性が、リソース量の削減の効果が小さい属性や、耐クロストーク特性が劣化する程度が大きい属性よりも優先的に選択される。   Hereinafter, the wiring and attribute selection order in steps S107 and S108 will be described. As described above, one wiring is selected in step S107, and one attribute of the selected wiring is selected in step S108. In the selection of the wiring in step S107, the wiring at the lower stage of the clock tree is preferentially selected over the wiring at the upper stage of the clock tree. Further, in the selection of the attribute in step S108, when the attribute value is changed to one having an inferior crosstalk characteristic, an attribute having a large effect of reducing the amount of resources or an attribute having a small degree of deterioration in the crosstalk characteristic is obtained. It is preferentially selected over attributes that have a small effect of reducing the amount of resources and attributes that have a large degree of deterioration in crosstalk resistance.

例として、本実施形態に係る設計方法を用いて、図2に示すクロックツリーを含む半導体集積回路を設計する場合を考える。図2に示すクロックツリーは、クロック端子10から各フリップフロップ14に至る各クロック経路上に、3個のバッファと3種類の配線とを有している。以下、これら3種類の配線を、クロック経路の上位にあるものから順に、第1レベルの配線11、第2レベルの配線12、および、第3レベルの配線13と呼ぶ。これら3種類の配線は、上記8種類の配線のいずれかを用いて配線される。   As an example, consider a case where a semiconductor integrated circuit including the clock tree shown in FIG. 2 is designed using the design method according to the present embodiment. The clock tree shown in FIG. 2 has three buffers and three types of wiring on each clock path from the clock terminal 10 to each flip-flop 14. Hereinafter, these three types of wirings are referred to as a first level wiring 11, a second level wiring 12, and a third level wiring 13 in order from the top of the clock path. These three types of wiring are wired using any of the above eight types of wiring.

この例では、ステップS107およびS108における配線および属性の選択順序として、例えば、図3に示す2とおりの順序のいずれかを使用することができる。まず、レベル優先による順序(図3(a))では、あるレベルの配線についてすべての属性が選択された後に、次のレベルの配線について一の属性が選択される。具体的には、レベル優先による順序によれば、第3レベルの配線13のシールドの有無、第3レベルの配線13の配線間隔、第3レベルの配線13の配線幅、第2レベルの配線12のシールドの有無、第2レベルの配線12の配線間隔、…の順に、配線および属性が選択される。これに対して、属性優先による順序(図3(b))では、すべてのレベルの配線についてある属性が選択された後に、各レベルの配線について次の属性が選択される。具体的には、属性優先による順序によれば、第3レベルの配線13のシールドの有無、第2レベルの配線12のシールドの有無、第1レベルの配線11のシールドの有無、第3レベルの配線13の配線間隔、第2レベルの配線12の配線間隔、…の順に、配線および属性が選択される。なお、配線および属性の選択順序は、クロック経路の下位にある配線を優先的に選択する限り、上記以外の順序であってもよい。   In this example, as the wiring and attribute selection order in steps S107 and S108, for example, one of the two orders shown in FIG. 3 can be used. First, in the order by level priority (FIG. 3A), after all attributes are selected for a certain level of wiring, one attribute is selected for the next level of wiring. Specifically, according to the order in which priority is given to the level, the presence or absence of the shield of the third level wiring 13, the wiring interval of the third level wiring 13, the wiring width of the third level wiring 13, and the second level wiring 12 Wiring and attributes are selected in the order of the presence / absence of the shield, the wiring interval of the second level wiring 12, and so on. In contrast, in the attribute priority order (FIG. 3B), after a certain attribute is selected for all levels of wiring, the next attribute is selected for each level of wiring. Specifically, according to the order of attribute priority, the third level wiring 13 is shielded, the second level wiring 12 is shielded, the first level wiring 11 is shielded, and the third level wiring is shielded. Wiring and attributes are selected in the order of the wiring interval of the wiring 13, the wiring interval of the second level wiring 12, and so on. Note that the order of selecting wirings and attributes may be other than the above as long as wirings lower in the clock path are preferentially selected.

以上に示すように、本実施形態に係る半導体集積回路の設計方法によれば、クロック経路上にある配線のリソース量を判断基準として、クロストークの影響を受けやすいクロック経路上にある配線の一部に、耐クロストーク特性の優れた配線を使用することにより、適切なコストで効果的にクロストーク対策を行うことができる。   As described above, according to the method for designing a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment, one of the wirings on the clock path that is easily affected by crosstalk is determined based on the resource amount of the wiring on the clock path. By using wiring with excellent crosstalk resistance for the part, crosstalk countermeasures can be effectively taken at an appropriate cost.

(第2の実施形態)
図4は、本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートである。図4に示す設計方法は、第1の実施形態に係る設計方法と同様に、論理設計を終えた後の半導体集積回路に対して、配置処理および配線処理を行うものであり、典型的にはEDAシステムを用いて実行される。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. Similar to the design method according to the first embodiment, the design method shown in FIG. 4 performs placement processing and wiring processing on the semiconductor integrated circuit after the logic design is completed. It is implemented using an EDA system.

図4に示すステップのうち、ステップS201〜S204、S207およびS208は、それぞれ、図1に示すステップS101〜S104、S107およびS108と同じであるので、ここでは説明を省略する。   Among steps shown in FIG. 4, steps S201 to S204, S207, and S208 are the same as steps S101 to S104, S107, and S108 shown in FIG.

本実施形態に係る設計方法では、ステップS204でセル間を配線した後に、ステップS204で得られた配線結果について、クロストークが回路に与える影響度を求める(ステップS205)。ステップS205では、例えば、クロストークが発生したときの、クロック経路上にある配線の遅延時間の変化量が、クロストークの影響度として算出される。具体的には、クロストークが発生したときに、配線の遅延時間が6%増加するなどの結果が算出される。   In the design method according to the present embodiment, after wiring between cells in step S204, the degree of influence of crosstalk on the circuit is determined for the wiring result obtained in step S204 (step S205). In step S205, for example, the amount of change in the delay time of the wiring on the clock path when crosstalk occurs is calculated as the degree of influence of crosstalk. Specifically, a result such as a 6% increase in wiring delay time is calculated when crosstalk occurs.

次に、ステップS205で求めた影響度が、所定の許容値以下であるか否かを判断する(ステップS206)。求めた影響度が許容値以下である場合には(ステップS206のYES)、処理は終了する。これに対して、求めた影響度が許容値を超えている場合には(ステップS206のNO)、処理はステップS207に進む。   Next, it is determined whether or not the influence obtained in step S205 is equal to or less than a predetermined allowable value (step S206). If the determined influence is less than or equal to the allowable value (YES in step S206), the process ends. On the other hand, when the obtained influence degree exceeds the allowable value (NO in step S206), the process proceeds to step S207.

これにより、図4に示す設計方法においても、第1の実施形態に係る設計方法(図1)と同様に、ステップS206においてクロストークの影響度が許容値以下であると判断されるまで、配線の選択、配線の変更、リソース量の算出、および、リソース量と許容値との比較の4つのステップが、繰り返し実行される。   As a result, in the design method shown in FIG. 4 as well, as in the design method according to the first embodiment (FIG. 1), the wiring until the influence of the crosstalk is determined to be less than or equal to the allowable value in step S206. The four steps of selection, wiring change, resource amount calculation, and comparison between the resource amount and the allowable value are repeatedly executed.

以上に示すように、本実施形態に係る半導体集積回路の設計方法によれば、クロストークが回路に与える影響度を判断基準として、クロストークの影響を受けやすいクロック経路上にある配線の一部に、耐クロストーク特性の優れた配線を使用することにより、適切なコストで効果的にクロストーク対策を行うことができる。   As described above, according to the design method of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment, a part of the wiring on the clock path that is easily affected by the crosstalk, using the degree of influence of the crosstalk on the circuit as a criterion. In addition, by using wiring having excellent crosstalk resistance, it is possible to effectively take measures against crosstalk at an appropriate cost.

なお、上記各実施形態では、クロック経路上にある配線のリソース量、あるいは、クロストークが回路に与える影響度を、配線の変更を行うか否かの判断基準として用いることとしたが、これに代えて、配置処理および配線処理を行った結果に基づき算出可能な任意の値を、上記判断基準として用いてもよい。例えば、クロック経路上にある配線のリソース量と、クロストークが回路に与える影響度とを組み合わせて、上記判断基準として用いてもよい。   In each of the above embodiments, the resource amount of the wiring on the clock path or the influence of crosstalk on the circuit is used as a criterion for determining whether to change the wiring. Instead, any value that can be calculated based on the results of the placement process and the wiring process may be used as the determination criterion. For example, the amount of wiring resources on the clock path and the degree of influence of crosstalk on the circuit may be combined and used as the determination criterion.

本発明の半導体集積回路の設計方法は、適切なコストで効果的にクロストーク対策を行えるという効果を奏するので、各種の半導体集積回路を設計するときに使用されるEDAシステムなどに利用することができる。   The method for designing a semiconductor integrated circuit according to the present invention has an effect of being able to effectively take measures against crosstalk at an appropriate cost. Therefore, it can be used for an EDA system used when designing various semiconductor integrated circuits. it can.

本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の設計方法のフローチャート1 is a flowchart of a method for designing a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の設計方法を用いて設計される半導体集積回路に含まれるクロックツリーを示す図The figure which shows the clock tree contained in the semiconductor integrated circuit designed using the design method of the semiconductor integrated circuit concerning the 1st Embodiment of this invention 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の設計方法における配線および属性の選択順序を示す図The figure which shows the selection order of wiring and an attribute in the design method of the semiconductor integrated circuit concerning the 1st Embodiment of this invention 本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路の設計方法のフローチャートFlowchart of a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…クロック端子
11…第1レベルの配線
12…第2レベルの配線
13…第3レベルの配線
14…フリップフロップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Clock terminal 11 ... 1st level wiring 12 ... 2nd level wiring 13 ... 3rd level wiring 14 ... Flip-flop

Claims (3)

複数種類の配線を用いた半導体集積回路の配線方法であって、
クロック経路上にある配線に、使用可能な複数種類の配線のうちで耐クロストーク特性が最も優れた配線を割り当てて、回路の配線を行うステップと、
得られた配線結果が所定の判断基準を満たすか否かを判断するステップと、
前記配線結果が前記判断基準を満たさない場合に、クロック経路上にある配線のうちからクロック経路の下段にある配線を優先的に選択し、選択した配線を耐クロストーク特性が劣る配線に変更するステップとを備えた、半導体集積回路の配線方法。
A method of wiring a semiconductor integrated circuit using a plurality of types of wiring,
Assigning the wiring with the best crosstalk resistance among the available types of wiring to the wiring on the clock path, and wiring the circuit;
Determining whether the obtained wiring result satisfies a predetermined criterion;
When the wiring result does not satisfy the determination criterion, the wiring at the lower stage of the clock path is preferentially selected from the wirings on the clock path, and the selected wiring is changed to a wiring having poor crosstalk resistance. And a wiring method for a semiconductor integrated circuit.
前記配線結果について判断するステップは、前記配線結果に基づきクロック経路上にある配線のリソース量を求め、求めたリソース量が所定の許容値以下であるか否かを判断することを特徴とする、請求項1に記載の半導体集積回路の配線方法。   The step of determining the wiring result is characterized in that a resource amount of a wiring on a clock path is obtained based on the wiring result, and it is determined whether or not the obtained resource amount is a predetermined allowable value or less. The wiring method of the semiconductor integrated circuit according to claim 1. 前記配線結果について判断するステップは、前記配線結果に基づきクロストークが回路に与える影響度を求め、求めた影響度が所定の許容値以下であるか否かを判断することを特徴とする、請求項1に記載の半導体集積回路の配線方法。
The step of determining the wiring result is characterized in that a degree of influence of crosstalk on the circuit is obtained based on the wiring result, and it is determined whether or not the obtained degree of influence is a predetermined allowable value or less. Item 2. A method of wiring a semiconductor integrated circuit according to Item 1.
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