JP2005272486A - POWDER PHOSPHOR, METHOD FOR PRODUCING alpha-SIALON PHOSPHOR AND LIGHT-EMITTING DEVICE - Google Patents

POWDER PHOSPHOR, METHOD FOR PRODUCING alpha-SIALON PHOSPHOR AND LIGHT-EMITTING DEVICE Download PDF

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健 佐久間
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a powder phosphor having improved luminous efficiency, to provide a method for producing an α-sialon phosphor having the improved luminous efficiency and to provide a light-emitting device provided with the α-sialon phosphor. <P>SOLUTION: The α-sialon phosphor 7 is produced. In the process, a raw material therefor is sintered with a gas in a nitrogen atmosphere at ≥1550 to ≤1750°C temperature under pressure. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、粉末蛍光体、アルファサイアロン蛍光体の製造方法及びアルファサイアロン蛍光体を備える発光デバイスに関する。   The present invention relates to a powder phosphor, a method for producing an alpha sialon phosphor, and a light emitting device including the alpha sialon phosphor.

従来から、青色等の短波長で発光する青色発光ダイオード素子と、この青色発光ダイオード素子から発せられた光の一部または全部を吸収することにより励起され、より長波長の黄色等の蛍光を発する蛍光物質とを用いた白色発光ダイオードが存在する。   Conventionally, blue light-emitting diode elements that emit light at a short wavelength such as blue and excited by absorbing part or all of the light emitted from the blue light-emitting diode elements, and emit fluorescence of longer wavelengths such as yellow. There are white light emitting diodes using fluorescent materials.

上記の白色発光ダイオードの一例としては、化合物半導体青色発光ダイオード素子と、青色光を吸収し青色の補色である黄色の蛍光を発するセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とからなる白色発光ダイオードが挙げられ（例えば、特許文献１参照）、この白色発光ダイオードとしては、アルファサイアロン蛍光体を用いたものが挙げられる（例えば、特許文献２参照）。   As an example of the white light-emitting diode, a white color composed of a compound semiconductor blue light-emitting diode element and a cerium-activated yttrium-aluminum-garnet-based phosphor that absorbs blue light and emits yellow fluorescence that is a complementary color of blue. A light emitting diode is mentioned (for example, refer patent document 1), As this white light emitting diode, the thing using alpha sialon fluorescent substance is mentioned (for example, refer patent document 2).

上記のアルファサイアロン蛍光体の製造方法は、複数種類存在するが、その例としては以下に示す方法が挙げられる。   There are a plurality of types of production methods for the above-described alpha sialon phosphor. Examples thereof include the following methods.

先の特許文献２には、ホットプレス装置を用い、原料を２０ＭＰａの加圧下、１７００℃、１ａｔｍの窒素雰囲気中で１時間反応させることによりアルファサイアロン蛍光体を製造する方法が記載されている。   Prior Patent Document 2 describes a method for producing an alpha sialon phosphor by reacting a raw material in a nitrogen atmosphere at 1700 ° C. under 1 atm under a pressure of 20 MPa using a hot press apparatus.

また、アルファサイアロン蛍光体を製造するにあたって上記のようなホットプレス装置を用いる場合、原料を２０ＭＰａの加圧下、１７５０℃の窒素雰囲気中で１時間反応させる場合もある（例えば、非特許文献１参照）。   Moreover, when using the hot press apparatus as described above in producing the alpha sialon phosphor, the raw material may be reacted for 1 hour in a nitrogen atmosphere at 1750 ° C. under a pressure of 20 MPa (see, for example, Non-Patent Document 1). ).

また、上記の技術においては、ペレット状の焼結体として蛍光体が得られ、それを機械的粉砕手段を用いて粉砕することにより粉末状にする。
特許第２９２７２７９号公報 特開２００２−３６３５５４号公報 Rong-Jun Xie et al., “Preparation and Luminescence Spectra of Calcium- and Rare-Earth(R=Eu,Tb,and Pr)-Codoped α - SiAlON Ceramics,” J.Am.Ceram.Soc., vol.85[5] pp.1229-1234 (2002) Moreover, in said technique, fluorescent substance is obtained as a pellet-shaped sintered compact, and it is made into a powder form by grind | pulverizing it using a mechanical grinding | pulverization means.
Japanese Patent No. 2927279 JP 2002-363554 A Rong-Jun Xie et al., “Preparation and Luminescence Spectra of Calcium- and Rare-Earth (R = Eu, Tb, and Pr) -Codoped α-SiAlON Ceramics,” J. Am. Ceram. Soc., Vol. 85 [5] pp.1229-1234 (2002)

しかしながら、上記のような白色発光ダイオード及びアルファサイアロン蛍光体製造方法には、以下に示すような解決すべき課題が存在する。
白色発光ダイオードを照明に用いる場合、高光度性が要求され、これに伴い、白色発光ダイオードに用いられる蛍光体が高い発光効率を有する必要があるが、上記のような機械的粉砕手段により粉砕された原料粉末は、表面に各種の物理的欠陥が存在するなど原料粉末表面の状態が劣化している場合があり、これが発光効率の向上を妨げている。 However, the white light emitting diode and the alpha sialon phosphor manufacturing method as described above have the following problems to be solved.
When a white light emitting diode is used for illumination, high luminous properties are required. Accordingly, the phosphor used in the white light emitting diode needs to have high luminous efficiency, but is pulverized by the mechanical pulverization means as described above. The raw material powder may have a deteriorated surface state of the raw material powder, such as the presence of various physical defects on the surface, which hinders improvement in luminous efficiency.

このような事情に鑑み本発明は、発光効率が向上された粉末状のアルファサイアロン蛍光体を含む粉末蛍光体、発光効率が向上されたアルファサイアロン蛍光体の製造方法、これを備える発光デバイスを提供することを目的とする。   In view of such circumstances, the present invention provides a powder phosphor containing a powdery alpha sialon phosphor with improved luminous efficiency, a method for producing an alpha sialon phosphor with improved luminous efficiency, and a light emitting device including the same. The purpose is to do.

請求項１に記載の本発明は、粉末状であり、励起されることにより蛍光を発する粉末蛍光体であって、励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が８５％以上であることを要旨とする。   The present invention according to claim 1 is a powder phosphor that is in a powder form and emits fluorescence when excited, and the fluorescence of the fluorescence measured using means for measuring spectrophotometry in an unexcited state. The gist is that the average value of the relative reflectance of the diffuse reflectance in the light emission wavelength range with respect to the white standard diffuse reflector is 85% or more.

請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載の発明において、希土類金属で賦活された粉末状のアルファサイアロン蛍光体であることを要旨とする。   The gist of the present invention described in claim 2 is the powdered alpha sialon phosphor activated by rare earth metal in the invention described in claim 1.

請求項３に記載の本発明は、請求項１又は２に記載の発明において、２価のユーロピウムで賦活された粉末状のカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体であり、発光波長範囲が５００乃至７８０ｎｍである場合、相対反射率の平均値が８５％以上であることを要旨とする。   The present invention described in claim 3 is the powdered calcium solid solution alpha sialon phosphor activated by divalent europium in the invention described in claim 1 or 2, wherein the emission wavelength range is 500 to 780 nm. In some cases, the average value of the relative reflectance is 85% or more.

請求項４に記載の本発明は、希土類金属で賦活されたアルファサイアロン蛍光体を製造するためのアルファサイアロン蛍光体製造方法であって、アルファサイアロン蛍光体の原料を温度が１５５０℃以上１７５０℃以下の窒素雰囲気中でガス加圧焼結することを要旨とする。   The present invention according to claim 4 is an alpha sialon phosphor production method for producing an alpha sialon phosphor activated with a rare earth metal, wherein the temperature of the raw material of the alpha sialon phosphor is 1550 ° C. or higher and 1750 ° C. or lower. The main point is to perform gas pressure sintering in a nitrogen atmosphere.

請求項５に記載の本発明は、請求項４に記載の発明において、原料を予め混練するとともにペレット状に成形し、成形された原料を１５５０℃以上１６５０℃以下の温度でガス加圧焼結することを要旨とする。   The present invention according to claim 5 is the invention according to claim 4, wherein the raw material is previously kneaded and formed into a pellet, and the formed raw material is gas-pressure sintered at a temperature of 1550 ° C or higher and 1650 ° C or lower. The gist is to do.

請求項６に記載の本発明は、請求項４に記載の発明において、原料を予め混練するとともに粒径により分級し、粒径が所定の基準値以下のものを１６５０℃以上１７５０℃以下の温度でガス加圧焼結することを要旨とする。   The present invention according to claim 6 is the invention according to claim 4, wherein the raw materials are kneaded in advance and classified according to the particle size, and those having a particle size of a predetermined reference value or less are at a temperature of 1650 ° C. or higher and 1750 ° C. or lower. The main point is that gas pressure sintering is performed.

請求項７に記載の本発明は、請求項６に記載の発明において、基準値は、６３μｍであることを要旨とする。   The gist of the present invention described in claim 7 is that, in the invention described in claim 6, the reference value is 63 μm.

請求項８に記載の本発明は、希土類金属で賦活され、励起されることにより蛍光を発するアルファサイアロン蛍光体を製造するためのアルファサイアロン蛍光体製造方法であって、アルファサイアロン蛍光体の原料を窒素雰囲気中でガス加圧焼結し、焼結を行うにあたっての温度を１５５０℃以上、且つ励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が最高値を示す温度の±５０℃の範囲内とすることを要旨とする。   The present invention according to claim 8 is an alpha sialon phosphor manufacturing method for manufacturing an alpha sialon phosphor that is activated with a rare earth metal and emits fluorescence when excited. Diffuse reflection in the emission wavelength range of fluorescence measured by means of gas pressure sintering in a nitrogen atmosphere, the temperature at which sintering is performed at 1550 ° C. or higher, and a means for measuring spectrophotometry in an unexcited state The average value of the relative reflectance with respect to the white standard diffusive reflector having a high rate is within the range of ± 50 ° C. of the temperature at which the maximum value is exhibited.

請求項９に記載の本発明は、請求項８に記載の発明において、原料を予め混練し、その粒径により分級し、粒径が６３μｍ以下のものをガス加圧焼結することを要旨とする。   The gist of the present invention according to claim 9 is that, in the invention according to claim 8, the raw materials are kneaded in advance, classified according to the particle size, and those having a particle size of 63 μm or less are gas pressure sintered. To do.

請求項１０に記載の本発明は、請求項４乃至９のいずれか１項に記載の発明において、原料は、アルファ窒化珪素粉末、炭酸カルシウム粉末、窒化アルミニウム粉末及び酸化ユーロピウム粉末を混練したものであり、ガス加圧焼結における加圧圧力は１ＭＰａ以上、前記の温度での焼結時間は８時間以上であり、製造されるアルファサイアロン蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活されたカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体であることを要旨とする。   The present invention according to claim 10 is the invention according to any one of claims 4 to 9, wherein the raw material is a mixture of alpha silicon nitride powder, calcium carbonate powder, aluminum nitride powder and europium oxide powder. Yes, the pressure in gas pressure sintering is 1 MPa or more, the sintering time at the above temperature is 8 hours or more, and the produced alpha sialon phosphor is a solid solution of calcium activated by divalent europium. The gist is an alpha sialon phosphor.

請求項１１に記載の本発明は、少なくとも２本のリードワイヤと、リードワイヤの内の少なくとも１本の端部に載置され、端部及び他のリードワイヤと電気的に接続された発光素子と、発光素子から発せられた光により励起され、光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光体とを備え、蛍光体は、粉末状であり、励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が８５％以上であることを要旨とする。   The present invention according to claim 11 is a light emitting device mounted on at least two lead wires and at least one end portion of the lead wires and electrically connected to the end portions and the other lead wires. And a phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element and emits fluorescence having a wavelength different from that of the light, and the phosphor is powdery and has means for measuring spectrophotometry in an unexcited state. The gist is that the average value of the relative reflectance of the diffuse reflectance in the fluorescence emission wavelength range measured using the white standard diffuse reflector is 85% or more.

請求項１２に記載の本発明は、請求項１１に記載の発明において、蛍光体は、希土類金属で賦活された粉末状のアルファサイアロン蛍光体であることを要旨とする。   The gist of the present invention described in claim 12 is that, in the invention described in claim 11, the phosphor is a powdery alpha sialon phosphor activated with a rare earth metal.

請求項１３に記載の本発明は、請求項１１又は１２に記載の発明において、蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活された粉末状のカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体であり、発光波長範囲が５００乃至７８０ｎｍである場合、相対反射率の平均値が８５％以上であることを要旨とする。   The invention according to claim 13 is the invention according to claim 11 or 12, wherein the phosphor is a powdered calcium solid solution alpha sialon phosphor activated with divalent europium, and has an emission wavelength range. In the case of 500 to 780 nm, the gist is that the average value of the relative reflectance is 85% or more.

請求項１４に記載の本発明は、少なくとも２本のリードワイヤと、リードワイヤの内の少なくとも１本の端部に載置され、端部及び他のリードワイヤと電気的に接続された発光素子と、発光素子から発せられた光により励起され、光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光体とを備え、蛍光体は、蛍光体の原料を温度が１５５０℃以上１７５０℃以下の窒素雰囲気中でガス加圧焼結することにより製造されたことを要旨とする。   The invention according to claim 14 is a light emitting device mounted on at least two lead wires and at least one end portion of the lead wires and electrically connected to the end portions and the other lead wires. And a phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element and emits fluorescence having a wavelength different from that of the light, and the phosphor is prepared by using a phosphor material in a nitrogen atmosphere at a temperature of 1550 ° C. or higher and 1750 ° C. or lower. The gist is that it was manufactured by gas pressure sintering.

請求項１５に記載の本発明は、請求項１４に記載の発明において、原料は、予め混練されるとともにペレット状に成形され、成形された原料は１５５０℃以上１６５０℃以下の温度でガス加圧焼結されたことを要旨とする。   According to a fifteenth aspect of the present invention, in the invention according to the fourteenth aspect, the raw material is kneaded in advance and formed into a pellet, and the formed raw material is gas-pressed at a temperature of 1550 ° C. or higher and 1650 ° C. or lower. The gist is that it was sintered.

請求項１６に記載の本発明は、請求項１４に記載の発明において、原料は、予め混練されるとともに粒径により分級され、粒径が所定の基準値以下のものが１６５０℃以上１７５０℃以下の温度でガス加圧焼結されたことを要旨とする。   According to a sixteenth aspect of the present invention, in the invention according to the fourteenth aspect, the raw materials are kneaded in advance and classified by the particle size, and those having a particle size equal to or less than a predetermined reference value are 1650 ° C or higher and 1750 ° C or lower. The main point is that gas pressure sintering was performed at the temperature of

請求項１７に記載の本発明は、請求項１６に記載の発明において、基準値は、６３μｍであることを要旨とする。   The gist of the present invention described in claim 17 is that, in the invention described in claim 16, the reference value is 63 μm.

請求項１８に記載の本発明は、少なくとも２本のリードワイヤと、リードワイヤの内の少なくとも１本の端部に載置され、端部及び他のリードワイヤと電気的に接続された発光素子と、発光素子から発せられた光により励起され、この励起光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光体とを備え、蛍光体は、蛍光体の原料を窒素雰囲気中でガス加圧焼結し、焼結を行うにあたっての温度を１５５０℃以上、且つ予め求められた励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が最高値を示す温度の±５０℃の範囲内とすることにより製造されたことを要旨とする。   The present invention according to claim 18 is a light emitting device mounted on at least two lead wires and at least one end portion of the lead wires and electrically connected to the end portions and the other lead wires. And a phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element and emits fluorescence having a wavelength different from that of the excitation light, and the phosphor is sintered under pressure of gas in a nitrogen atmosphere, White standard diffuse reflector with diffuse reflectance in the emission wavelength range of fluorescence measured using a means for measuring spectrophotometry in a non-excited state at a temperature of 1550 ° C. or higher when sintering is performed The gist is that the average value of the relative reflectance with respect to is within the range of ± 50 ° C. where the maximum value is exhibited.

請求項１９に記載の本発明は、請求項１８に記載の発明において、原料は、予め混練されるととともに粒径により分級され、粒径が６３μｍ以下のものをガス加圧焼結されたことを要旨とする。   The present invention according to claim 19 is the invention according to claim 18, wherein the raw materials are kneaded in advance and classified by the particle size, and those having a particle size of 63 μm or less are gas pressure sintered. Is the gist.

請求項２０に記載の本発明は、請求項１４乃至１９に記載の発明において、原料は、アルファ窒化珪素粉末、炭酸カルシウム粉末、窒化アルミニウム粉末及び酸化ユーロピウム粉末を混練したものであり、１ＭＰａ以上の加圧圧力で８時間以上ガス加圧焼結され、アルファサイアロン蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活されたカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体であることを要旨とする。   The present invention according to claim 20 is the invention according to any one of claims 14 to 19, wherein the raw material is a mixture of alpha silicon nitride powder, calcium carbonate powder, aluminum nitride powder and europium oxide powder. The gist of the invention is that the alpha sialon phosphor is gas-solid sintered at a pressurized pressure for 8 hours or more and activated with divalent europium, and is a calcium solid solution alpha sialon phosphor.

請求項２１に記載の本発明は、請求項１１乃至２０のいずれか１項に記載の発明において、発光素子は、青色光を発する青色発光ダイオードであり、アルファサイアロン蛍光体は、波長が４４０ｎｍ乃至４７０ｎｍの青紫色光あるいは青色光の一部を吸収し、波長が５５０ｎｍ乃至６００ｎｍの黄緑色光、黄色光あるいは黄赤色光を発するものであり、青色発光ダイオードから発せられた青色光と、アルファサイアロン蛍光体から発せられた黄緑色光、黄色光あるいは黄赤色光との混色により白色光を発することを要旨とする。   The present invention according to claim 21 is the invention according to any one of claims 11 to 20, wherein the light emitting element is a blue light emitting diode emitting blue light, and the alpha sialon phosphor has a wavelength of 440 nm to It absorbs a part of 470 nm blue-violet light or blue light and emits yellow-green light, yellow light or yellow-red light with a wavelength of 550 nm to 600 nm, blue light emitted from a blue light emitting diode, and alpha sialon The gist of the invention is that white light is emitted by color mixing with yellow-green light, yellow light, or yellow-red light emitted from a phosphor.

本発明の粉末蛍光体は、励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が８５％以上である。   In the powder phosphor of the present invention, the average value of the relative reflectance with respect to the white standard diffuse reflector of the diffuse reflectance in the fluorescence emission wavelength range measured using the means for measuring the spectrophotometer in the unexcited state is 85. % Or more.

さらに、本発明の粉末蛍光体は、希土類金属で賦活された粉末状のアルファサイアロン蛍光体である。   Furthermore, the powder phosphor of the present invention is a powdery alpha sialon phosphor activated with a rare earth metal.

さらに、本発明の粉末蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活された粉末状のカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体であり、発光波長範囲が５００乃至７８０ｎｍである場合、相対反射率の平均値が８５％以上である。   Furthermore, the powder phosphor of the present invention is a powdered calcium solid solution alpha sialon phosphor activated with divalent europium. When the emission wavelength range is 500 to 780 nm, the average value of relative reflectance is 85. % Or more.

また、本発明においては、アルファサイアロン蛍光体の原料を温度が１５５０℃以上１７５０℃以下の窒素雰囲気中でガス加圧焼結する。   In the present invention, the raw material of the alpha sialon phosphor is gas pressure sintered in a nitrogen atmosphere having a temperature of 1550 ° C. or higher and 1750 ° C. or lower.

さらに、本発明においては、原料を予め混練するとともにペレット状に成形し、成形された原料を１５５０℃以上１６５０℃以下の温度でガス加圧焼結する。   Furthermore, in the present invention, the raw materials are previously kneaded and formed into pellets, and the formed raw materials are subjected to gas pressure sintering at a temperature of 1550 ° C. or higher and 1650 ° C. or lower.

さらに、本発明においては、原料を予め混練するとともに粒径により分級し、粒径が所定の基準値以下のものを１６５０℃以上１７５０℃以下の温度でガス加圧焼結する。   Furthermore, in the present invention, the raw materials are kneaded in advance and classified according to the particle size, and those having a particle size of a predetermined reference value or less are gas pressure sintered at a temperature of 1650 ° C. or higher and 1750 ° C. or lower.

さらに、本発明においては、上記の基準値は、６３μｍとする。   Furthermore, in the present invention, the reference value is set to 63 μm.

また、本発明においては、アルファサイアロン蛍光体の原料を窒素雰囲気中でガス加圧焼結し、焼結を行うにあたっての温度を１５５０℃以上、且つ励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が最高値を示す温度の±５０℃の範囲内とする。   In the present invention, the alpha sialon phosphor raw material is gas-pressure-sintered in a nitrogen atmosphere, and the temperature for performing the sintering is 1550 ° C. or higher and the spectrophotometric means is measured in an unexcited state. The average value of the relative reflectance of the diffuse reflectance with respect to the white standard diffuse reflector in the fluorescence emission wavelength range measured using is set within the range of ± 50 ° C. where the average value is the highest.

さらに、本発明においては、原料を予め混練し、その粒径により分級し、粒径が６３μｍ以下のものをガス加圧焼結することを要旨とする。   Furthermore, the gist of the present invention is that the raw materials are kneaded in advance, classified according to the particle size, and those having a particle size of 63 μm or less are subjected to gas pressure sintering.

また、本発明においては、原料は、アルファ窒化珪素粉末、炭酸カルシウム粉末、窒化アルミニウム粉末及び酸化ユーロピウム粉末を混練したものであり、ガス加圧焼結における加圧圧力は１ＭＰａ以上、温度での焼結時間は８時間以上であり、製造されるアルファサイアロン蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活されたカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体である。   In the present invention, the raw material is a mixture of alpha silicon nitride powder, calcium carbonate powder, aluminum nitride powder, and europium oxide powder. The settling time is 8 hours or longer, and the produced alpha sialon phosphor is a calcium solid solution alpha sialon phosphor activated with divalent europium.

以上の点から、発光効率が向上された粉末蛍光体、発光効率が向上されたアルファサイアロン蛍光体の製造方法、これを備える発光デバイスを提供することが可能となる。   In view of the above, it is possible to provide a powder phosphor with improved luminous efficiency, a method for producing an alpha sialon phosphor with improved luminous efficiency, and a light emitting device including the same.

以下、図面を用いつつ、本発明のアルファサイアロン蛍光体、アルファサイアロン蛍光体の製造方法及びアルファサイアロン蛍光体を備える発光デバイスについての説明を行う。
なお、以下の実施例においては、白色発光ダイオード用のアルファサイアロン蛍光体と、これを有する白色発光ダイオード（発光デバイス）を示すが、以下の実施例は、あくまでも本発明の説明のためのものであり、本発明の範囲を制限するものではない。したがって、当業者であれば、これらの各要素又は全要素を含んだ各種の実施例を採用することが可能であるが、これらの実施例も本発明の範囲に含まれる。
また、以下の実施例を説明するための全図において、同一の要素には同一の符号を付与し、これに関する反復説明は省略する。 Hereinafter, the alpha sialon phosphor of the present invention, the method for producing the alpha sialon phosphor, and the light emitting device including the alpha sialon phosphor will be described with reference to the drawings.
In the following examples, an alpha sialon phosphor for white light emitting diodes and a white light emitting diode (light emitting device) having the same are shown. However, the following examples are only for explaining the present invention. It does not limit the scope of the present invention. Accordingly, those skilled in the art can employ various embodiments including each or all of these elements, and these embodiments are also included in the scope of the present invention.
Further, in all drawings for explaining the following embodiments, the same reference numerals are given to the same elements, and repeated explanation thereof is omitted.

以下、実験結果を示しつつ本発明の第１の実施例に係るアルファサイアロン蛍光体の特徴について説明する。
この実験では、２価のユーロピウム（Ｅｕ）で付活されたカルシウム（Ｃａ）固溶アルファサイアロン蛍光体（以下、適宜“アルファサイアロン蛍光体”とする）の焼結時における原料の形態と焼結温度について検討し、焼結により得られたアルファサイアロン蛍光体の光学特性を測定した。 Hereinafter, the characteristics of the alpha sialon phosphor according to the first embodiment of the present invention will be described while showing experimental results.
In this experiment, the form and sintering of raw materials during sintering of calcium (Ca) solid solution alpha sialon phosphor activated by divalent europium (Eu) (hereinafter referred to as “alpha sialon phosphor” as appropriate) The temperature was examined, and the optical properties of the alpha sialon phosphor obtained by sintering were measured.

上記のアルファサイアロン蛍光体の組成は、以下の式（１）で表される。
[数１]
CaxSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n:Eu2+ y・・・・・・（１） The composition of the above-mentioned alpha sialon phosphor is represented by the following formula (1).
[Equation 1]
Ca x Si 12- (m + n ) Al (m + n) O n N 16-n: Eu 2+ y ······ (1)

なお、本実験の試料としてのアルファサイアロン蛍光体本の組成は２種類であり、第１の組成は、ｘ＝０．７５，ｍ＝２．２５，ｎ＝１．１２５，ｙ＝０．２５であり、第２の組成は、ｘ＝０．７５，ｍ＝１．７４９９，ｎ＝０．８７４９５，ｙ＝０．０８３３である。   In addition, the composition of the alpha sialon phosphor as a sample of this experiment has two types, and the first composition is x = 0.75, m = 2.25, n = 1.125, y = 0.25. And the second composition is x = 0.75, m = 1.499, n = 0.87495, y = 0.0833.

また、出発原料（原材料）としては、アルファ窒化珪素（αSi3N4）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）を用い、これらを秤量・混合した。 Moreover, alpha silicon nitride (αSi 3 N 4 ), aluminum nitride (AlN), calcium carbonate (CaCO 3 ), and europium oxide (Eu 2 O 3 ) were used as starting materials (raw materials), and these were weighed and mixed. .

また、原料の形態は、ＣＩＰ（冷間等方圧加圧装置）成形品と粉末品の２種類とした。   Moreover, the form of the raw material was made into two types, a CIP (cold isostatic press) apparatus and a powder product.

なお、ＣＩＰ成形品は、上記の粉末状の原料を混練し、円柱状に仮成形してから冷間等方加圧装置（ＣＩＰ）にかけて成形し、ペレット状としたものである。   The CIP molded product is obtained by kneading the above powdery raw material, temporarily forming it into a cylindrical shape, and then forming it by a cold isostatic pressing device (CIP) to form a pellet.

また、粉末品は、上記の粉末状の原料を混練後に乾燥させて乳鉢により粉砕し、ＪＩＳ Ｚ ８８０１に準拠した公称目開き６３μｍのステンレス製の試験用網ふるいに粒径６３μｍ以下の粉末にしたものである。   In addition, the powder product was dried after kneading the above powdery raw material and pulverized with a mortar, and made into a powder having a particle size of 63 μm or less on a stainless steel test screen having a nominal opening of 63 μm in accordance with JIS Z8801. Is.

また、焼結にはガス加圧焼結装置を用い、原料を窒素の通気性を有する窒化ホウ素製の容器に封入し、これをガス加圧焼結装置内に収容した。   In addition, a gas pressure sintering apparatus was used for sintering, and the raw material was sealed in a boron nitride container having nitrogen permeability, and this was accommodated in the gas pressure sintering apparatus.

上記の容器は、本体と、本体内に原料粉末を投入するための開口部と、これを閉鎖するための蓋からなり、原料が外部へ飛散することを防止できる。   Said container consists of a main body, the opening part for throwing in raw material powder in a main body, and the lid | cover for closing this, and can prevent that a raw material scatters outside.

また、焼結の際の温度（以下、適宜“焼結温度”とする）は、１５００℃、１６００℃、１７００℃、１８００℃のいずれかとし、この温度で８時間以上焼結した。   The sintering temperature (hereinafter referred to as “sintering temperature” as appropriate) was any one of 1500 ° C., 1600 ° C., 1700 ° C., and 1800 ° C., and sintering was performed at this temperature for 8 hours or more.

また、原料が粉末状である場合、焼結を得てガス加圧焼結装置から取り出した際には、焼結により得られた焼結体が単一の塊となっているが、これは、乳鉢等を用いることにより、多大な力を加えることなく容易に粉末状にすることができる。   In addition, when the raw material is in powder form, when the sintered body is obtained and taken out from the gas pressure sintering apparatus, the sintered body obtained by the sintering is a single lump. By using a mortar or the like, it can be easily powdered without applying a great deal of force.

また、原料がペレット状である場合、焼結体をガス加圧焼結装置から取り出した後に、機械的粉砕手段により粉砕し、ＪＩＳ Ｚ ８８０１に準拠した公称目開き１２５μｍのステンレス製の試験用網ふるいにかけて粒径１２５μｍ以下の粉末とした。   When the raw material is in the form of pellets, the sintered body is taken out from the gas pressure sintering apparatus, and then pulverized by mechanical pulverization means, and a stainless steel test network having a nominal aperture of 125 μm in accordance with JIS Z8801. A powder having a particle size of 125 μm or less was obtained by sieving.

なお、上記の機械的粉砕手段の一例としては、衝撃により対象物を粉砕するタングステンカーバイト製の粉砕治具が挙げられる。   An example of the mechanical pulverizing means is a tungsten carbide pulverizing jig that pulverizes an object by impact.

また、上記の工程を経て得られたアルファサイアロン蛍光体の拡散反射率の測定にあたっては、紫外可視分光光度計に積分球を付加したものと、白色発光デバイスが発する蛍光の「白さ」の基準となる白色標準拡散反射板を使用した。   In addition, in the measurement of the diffuse reflectance of the alpha sialon phosphor obtained through the above steps, an ultraviolet-visible spectrophotometer with an integrating sphere and a standard for the “whiteness” of fluorescence emitted by a white light emitting device are used. A white standard diffuse reflector was used.

また、上記の白色標準拡散反射板としては、米国連邦標準・技術局（ＮＩＳＴ：National Institute of Standards & Technology）により定められた規格に準拠したスペクトラロンを使用し、この白色標準拡散反射板に所定の波長を有する試験光を照射し、この際の拡散反射強度を基準値（反射率１００％）とした。   In addition, as the white standard diffuse reflector, Spectralon conforming to the standard established by the National Institute of Standards & Technology (NIST) is used. The test light having a wavelength of 5 was irradiated, and the diffuse reflection intensity at this time was taken as a reference value (reflectance 100%).

つまり、後述する各試料の拡散反射率をｙ、各試料の拡散反射強度をｘ、前記の基準値をａとすると、これらの関係は以下の式で表すことができる。
[数２]
y＝x÷a×100・・・・・・（２） That is, if the diffuse reflectance of each sample described later is y, the diffuse reflection intensity of each sample is x, and the reference value is a, these relationships can be expressed by the following equations.
[Equation 2]
y = x ÷ a × 100 (2)

このように各試料の拡散反射率ｙは、相対的な数値であり、その数値が大きいほど、試料が当該波長領域の光を良く反射していて、当該波長領域において「白い」とこととなる。これは、蛍光体粉末の特性を検証するにあたっての重要な要素である。   Thus, the diffuse reflectance y of each sample is a relative numerical value. The larger the numerical value, the better the sample reflects light in the wavelength region, and “white” in the wavelength region. . This is an important factor in verifying the characteristics of the phosphor powder.

なお、以下の説明においては、第１の組成を有し、ペレット状に仮成形されていた試料を試料Ａ、第１の組成を有する粉末状の試料を試料Ｂ、第２の組成を有し、ペレット状に仮成形されていた試料を試料Ｃ、第２の組成を有する粉末状の試料を試料Ｄと呼称する。   In the following description, a sample having the first composition and temporarily formed into a pellet is sample A, a powdery sample having the first composition is sample B, and has a second composition. A sample temporarily formed into a pellet is referred to as Sample C, and a powder sample having the second composition is referred to as Sample D.

図２は、上記の試料Ａの発光スペクトルを示す図である。
なお、発光スペクトルは、組成や原料の形状が同一であっても焼結温度により異なる。このため、図中の線Ａ１は焼結温度が１５００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ａ２は焼結温度が１６００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ａ３は焼結温度が１７００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ａ４は焼結温度が１８００℃である場合の発光スペクトルを示している。 FIG. 2 is a diagram showing an emission spectrum of the sample A described above.
Note that the emission spectrum varies depending on the sintering temperature even if the composition and the shape of the raw material are the same. Therefore, the line A1 in the figure shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1500 ° C., the line A2 shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1600 ° C., and the line A3 shows the sintering temperature of 1700. The emission spectrum in the case of ° C is shown, and the line A4 shows the emission spectrum in the case where the sintering temperature is 1800 ° C.

また、図３は、上記の試料Ｂの発光スペクトルを示す図であり、図中の線Ｂ１は焼結温度が１５００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｂ２は焼結温度が１６００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｂ３は焼結温度が１７００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｂ４は焼結温度が１８００℃である場合の発光スペクトルを示している。   FIG. 3 is a diagram showing an emission spectrum of the sample B. In FIG. 3, a line B1 shows an emission spectrum when the sintering temperature is 1500 ° C., and a line B2 shows a sintering temperature of 1600 ° C. The emission spectrum in a certain case is shown, line B3 shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1700 ° C., and line B4 shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1800 ° C.

また、図４は、上記の試料Ｃの発光スペクトルを示す図であり、図中の線Ｃ１は焼結温度が１５００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｃ２は焼結温度が１６００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｃ３は焼結温度が１７００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｃ４は焼結温度が１８００℃である場合の発光スペクトルを示している。   FIG. 4 is a diagram showing an emission spectrum of the sample C. In FIG. 4, a line C1 shows an emission spectrum when the sintering temperature is 1500 ° C., and a line C2 shows that the sintering temperature is 1600 ° C. The emission spectrum in a certain case is shown, the line C3 shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1700 ° C., and the line C4 shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1800 ° C.

また、図５は、上記の試料Ｄの発光スペクトルを示す図であり、図中の線Ｄ１は焼結温度が１５００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｄ２は焼結温度が１６００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｄ３は焼結温度が１７００℃である場合の発光スペクトルを示し、線Ｄ４は焼結温度が１８００℃である場合の発光スペクトルを示している。   FIG. 5 is a diagram showing an emission spectrum of the sample D, and a line D1 in the drawing shows an emission spectrum when the sintering temperature is 1500 ° C., and a line D2 shows the sintering temperature at 1600 ° C. The emission spectrum in a certain case is shown, the line D3 shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1700 ° C., and the line D4 shows the emission spectrum when the sintering temperature is 1800 ° C.

なお、上記の発光スペクトル測定においては、青色発光ダイオード素子における励起を想定し、励起波長を４５０ｎｍとした。   In the above emission spectrum measurement, excitation in the blue light-emitting diode element was assumed, and the excitation wavelength was 450 nm.

また、図１は、上記の各試料が発する蛍光のうち、波長が５８３ｎｍである光の発光強度を示す図である。   Moreover, FIG. 1 is a figure which shows the emitted light intensity of the light whose wavelength is 583 nm among the fluorescence which said each sample emits.

また、以下の表１には、図１の各数値を規格化した数値を示す。なお、この規格化は、試料Ａの１６００℃焼結品を１．００として行った。

Figure 2005272486
Table 1 below shows numerical values obtained by standardizing the numerical values shown in FIG. This normalization was performed by setting the 1600 ° C. sintered product of Sample A to 1.00.
Figure 2005272486

表１に示すとおり、焼結温度が１５００℃である場合、試料ＡからＤのいずれにおいても発光強度は小さい。したがって、焼結温度は不十分であると考えられる。この点は、粉末Ｘ線回折の測定結果からも明らかであり、未反応の原材料を含むカルシウムアルファサイアロン以外の多様な相のピークが観察された。   As shown in Table 1, when the sintering temperature is 1500 ° C., the emission intensity is small in any of samples A to D. Therefore, it is considered that the sintering temperature is insufficient. This point is also apparent from the measurement result of powder X-ray diffraction, and peaks of various phases other than calcium alpha sialon containing unreacted raw materials were observed.

また、ペレット状に仮成形されていた試料Ａ及びＣは、焼結温度１６００℃で最高発光強度を示した。   Samples A and C, which were temporarily formed into pellets, exhibited the highest emission intensity at a sintering temperature of 1600 ° C.

一方、粉末状のまま焼結した試料Ｂ及びＤは、焼結温度１７００℃で最高発光強度を示した。   On the other hand, Samples B and D sintered in powder form showed the highest emission intensity at a sintering temperature of 1700 ° C.

また、試料ＡからＤのいずれにおいても、焼結温度を１８００℃まで上昇させると発光強度が再び低下した。   Further, in any of samples A to D, when the sintering temperature was increased to 1800 ° C., the emission intensity decreased again.

なお、発光強度がピークを示した波長は、全ての試料において前記の５８３ｎｍだったわけではなく、これは、以下の表２に示すように５８２から５９４ｎｍの範囲で変化したが、図２から５に示すとおり、上記の範囲内における各試料の焼結温度と発光強度増減との関係は表１に示す関係と同様であった。

Figure 2005272486
Note that the wavelength at which the emission intensity showed a peak was not 583 nm in all samples, and this changed in the range of 582 to 594 nm as shown in Table 2 below. As shown, the relationship between the sintering temperature and emission intensity increase / decrease of each sample within the above range was the same as the relationship shown in Table 1.
Figure 2005272486

なお、参考のため、以下の表３に波長５９０ｎｍにおける規格化発光強度を示し、表４に波長５９５ｎｍにおける規格化発光強度を示す。

Figure 2005272486
For reference, Table 3 below shows the normalized emission intensity at a wavelength of 590 nm, and Table 4 shows the normalized emission intensity at a wavelength of 595 nm.
Figure 2005272486

Figure 2005272486
Figure 2005272486

次に各試料の拡散反射率について説明する。
図６は、上記の試料Ａが発する蛍光のうち、波長が５００ｎｍから７８０ｎｍの範囲内にある光の拡散反射率（相対反射率）を示す図である。 Next, the diffuse reflectance of each sample will be described.
FIG. 6 is a diagram showing the diffuse reflectance (relative reflectance) of light having a wavelength in the range of 500 nm to 780 nm among the fluorescence emitted from the sample A.

なお、拡散反射率は、組成や原料の形状が同一であっても焼結温度により異なる。このため、図中の線Ａ５は焼結温度が１５００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ａ６は焼結温度が１６００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ａ７は焼結温度が１７００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ａ８は焼結温度が１８００℃である場合の拡散反射率を示している。   The diffuse reflectance varies depending on the sintering temperature even if the composition and the shape of the raw material are the same. Therefore, line A5 in the figure shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1500 ° C., line A6 shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1600 ° C., and line A7 shows the sintering temperature. Indicates the diffuse reflectance when the temperature is 1700 ° C., and the line A 8 indicates the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1800 ° C.

また、図７は、上記の試料Ｂの拡散反射率の測定結果を示す図であり、図中の線Ｂ５は焼結温度が１５００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｂ６は焼結温度が１６００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｂ７は焼結温度が１７００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｂ８は焼結温度が１８００℃である場合の拡散反射率を示している。   FIG. 7 is a diagram showing the measurement results of the diffuse reflectance of the sample B. In FIG. 7, the line B5 indicates the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1500 ° C., and the line B6 indicates the sintered. The diffuse reflectance when the temperature is 1600 ° C is shown, the line B7 shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1700 ° C, and the line B8 shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1800 ° C. Show.

また、図８は、上記の試料Ｃの拡散反射率の測定結果を示す図であり、図中の線Ｃ５は焼結温度が１５００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｃ６は焼結温度が１６００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｃ７は焼結温度が１７００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｃ８は焼結温度が１８００℃である場合の拡散反射率を示している。   FIG. 8 is a diagram showing the measurement results of the diffuse reflectance of the sample C. The line C5 in the figure shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1500 ° C., and the line C6 is sintered. The diffuse reflectance when the temperature is 1600 ° C is shown, the line C7 shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1700 ° C, and the line C8 shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1800 ° C. Show.

また、図９は、上記の試料Ｄの拡散反射率の測定結果を示す図であり、図中の線Ｄ５は焼結温度が１５００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｄ６は焼結温度が１６００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｄ７は焼結温度が１７００℃である場合の拡散反射率を示し、線Ｄ８は焼結温度が１８００℃である場合の拡散反射率を示している。   Moreover, FIG. 9 is a figure which shows the measurement result of the diffuse reflectance of said sample D, the line D5 in a figure shows the diffuse reflectance in case sintering temperature is 1500 degreeC, and the line D6 is sintering. The diffuse reflectance when the temperature is 1600 ° C is shown, the line D7 shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1700 ° C, and the line D8 shows the diffuse reflectance when the sintering temperature is 1800 ° C. Show.

また、以下の表５に、上記の拡散反射率の平均値を示す。

Figure 2005272486
Table 5 below shows the average value of the diffuse reflectance.
Figure 2005272486

なお、上記のとおり、１５００℃では焼結温度が不十分であったと考えられるので、以下の説明においては、これを除外し、焼結温度が十分高く、アルファサイアロン相が主相として合成されていると考えられる１６００℃、１７００℃及び１８００℃で焼結された各試料についてのみ説明を行う。   As mentioned above, since it is considered that the sintering temperature was insufficient at 1500 ° C., in the following description, this was excluded, the sintering temperature was sufficiently high, and the alpha sialon phase was synthesized as the main phase. Only the samples sintered at 1600 ° C., 1700 ° C., and 1800 ° C. that are considered to be present will be described.

まず、試料Ｄの１６００℃焼結品の数値と１８００℃焼結品の数値の大小関係が表１と表５では逆転しているが、この点以外は、平均反射率が高い焼結温度の試料が発光強度も強く、顕著な相関性がみられる。   First, the magnitude relationship between the numerical value of the 1600 ° C. sintered product and the numerical value of the 1800 ° C. sintered product of Sample D is reversed in Tables 1 and 5, but except this point, the sintering temperature with high average reflectance is high. The sample has a strong emission intensity and a significant correlation is observed.

このようにフラットな波長依存性を有し、高い反射率を示す発光強度の強い試料は、母相、つまりカルシウムアルファサイアロンそれ自体の物体色がその波長領域において「白い」といえる。   Such a sample having a flat wavelength dependency and a high emission intensity showing high reflectance can be said to have a white color in the wavelength region of the parent phase, that is, the calcium alpha sialon itself.

また、前記のとおり、試料ＡからＤのいずれにおいても、焼結温度が１８００℃である場合は反射率が低下しており、これは、１６００℃〜１７００℃の適切な焼結温度ならば母相が白いが、それよりも高い焼結温度だと母相が「灰色」へと変化してしまうことを示している。   In addition, as described above, in any of samples A to D, when the sintering temperature is 1800 ° C., the reflectivity is lowered, and this is the mother if the appropriate sintering temperature is 1600 ° C. to 1700 ° C. Although the phase is white, it shows that the parent phase changes to “gray” at higher sintering temperatures.

また、粉末焼結した試料では反射率が高く、一方、焼結後に機械的粉砕手段を用いて粉砕した試料においては反射率が低く、その差は同一組成且つ同一焼結温度の試料どうしの比較で１０〜２４％にも及んだ。また、その差は焼結温度が高いほど大きくなった。   Also, the powder-sintered sample has high reflectivity, while the sample pulverized using mechanical pulverization means after sintering has low reflectivity, and the difference is a comparison between samples having the same composition and the same sintering temperature. 10 to 24%. The difference became larger as the sintering temperature was higher.

また、表５から、発光強度を改善するためには、発光波長域の反射率は８５％以上であることが望ましく、さらには９０％以上であることがより望ましいということが判明した。   Further, from Table 5, it was found that in order to improve the emission intensity, the reflectance in the emission wavelength region is desirably 85% or more, and more desirably 90% or more.

以上のことから、高い発光強度が得られるように焼結温度を決めるためには、あらかじめ実験により１５５０℃〜１７５０℃の範囲内で、発光波長域の反射率が高くなる（より「白い」焼結体が得られる）焼結温度を求め、その温度で焼結するようにすれば良い。さらには、その温度の±５０℃程度の範囲内にある温度であることが望ましい。   From the above, in order to determine the sintering temperature so as to obtain a high emission intensity, the reflectance in the emission wavelength region is increased in the range of 1550 ° C. to 1750 ° C. by experiments in advance (more “white” firing). What is necessary is just to make it sinter at the temperature which calculates | requires the sintering temperature from which a joined body is obtained. Furthermore, it is desirable that the temperature is within a range of about ± 50 ° C. of the temperature.

本実施例においては、上記の条件を満たすアルファサイアロン蛍光体（特に１７００度で焼結を行った試料Ｄと同様のアルファサイアロン蛍光体）を備える白色発光ダイオードについて説明する。   In this example, a white light-emitting diode including an alpha sialon phosphor that satisfies the above conditions (particularly, an alpha sialon phosphor similar to the sample D sintered at 1700 degrees) will be described.

図１０は、本発明の第２の実施例（実施例２）に係る白色発光ダイオード１ａ（以下、適宜“発光ダイオード１ａ”とする）の断面図であり、図１１は、この発光ダイオード１ａの斜視図である。   FIG. 10 is a cross-sectional view of a white light emitting diode 1a according to a second embodiment (embodiment 2) of the present invention (hereinafter referred to as “light emitting diode 1a” as appropriate), and FIG. It is a perspective view.

発光ダイオード１ａは、上部が湾曲した略円筒形状、換言すれば砲弾と類似した形状を有し、リードワイヤ２及び３、青色の光を発する発光ダイオード素子（青色発光ダイオード素子）４、ボンディングワイヤ５、上記の実施例におけるアルファサイアロン蛍光体７、第１の樹脂６及び第２の樹脂８からなり、リードワイヤ２及び３の下部は露出している。   The light emitting diode 1a has a substantially cylindrical shape with a curved upper portion, in other words, a shape similar to a shell, and includes lead wires 2 and 3, a light emitting diode element (blue light emitting diode element) 4 that emits blue light, and a bonding wire 5 The alpha sialon phosphor 7, the first resin 6 and the second resin 8 in the above embodiment are exposed, and the lower portions of the lead wires 2 and 3 are exposed.

リードワイヤ２の上端部には、凹部が設けられ、この凹部に発光ダイオード素子（発光素子）４が載置され、ボンディングワイヤ５や導電性ペーストを用いたダイボンディング等によりリードワイヤ２及びリードワイヤ３と電気的に接続されている。   A concave portion is provided at the upper end portion of the lead wire 2, and a light emitting diode element (light emitting element) 4 is placed in the concave portion, and the lead wire 2 and the lead wire are bonded by a bonding wire 5 or die bonding using a conductive paste. 3 is electrically connected.

また、前記の凹部を含む発光ダイオード素子４の近傍は第１の樹脂６により封止され、この第１の樹脂６中に３５wt％（重量パーセント）量のアルファサイアロン蛍光体７が分散されている。   Further, the vicinity of the light emitting diode element 4 including the concave portion is sealed with the first resin 6, and 35 wt% (weight percent) of the alpha sialon phosphor 7 is dispersed in the first resin 6. .

また、上記のリードワイヤ２及び３、発光ダイオード素子４、ボンディングワイヤ５、第１の樹脂６は、第２の樹脂８により封止されている。   The lead wires 2 and 3, the light emitting diode element 4, the bonding wire 5, and the first resin 6 are sealed with a second resin 8.

アルファサイアロン蛍光体７は、発光ダイオード素子４から発せられた波長が４４０ｎｍ乃至４７０ｎｍの青紫色光あるいは青色光の一部を吸収し、波長が５５０ｎｍ乃至６００ｎｍの黄緑色光、黄色光あるいは黄赤色光を発する。   The alpha sialon phosphor 7 absorbs a part of blue-violet light or blue light having a wavelength of 440 nm to 470 nm emitted from the light emitting diode element 4, and yellow-green light, yellow light or yellow-red light having a wavelength of 550 nm to 600 nm. To emit.

これらの光は、アルファサイアロン蛍光体７に吸収されていない青紫光あるいは青紫光と混色され、結果、白色光が発せられる。   These lights are mixed with blue-violet light or blue-violet light that is not absorbed by the alpha sialon phosphor 7, and as a result, white light is emitted.

また、その際の発光強度は、先の実施例に示したアルファサイアロン蛍光体を備えることにより向上している。   Further, the emission intensity at that time is improved by providing the alpha sialon phosphor shown in the previous embodiment.

次に、上記の発光ダイオード１ａの作製手順を示す。
第１の工程では、一組のリードワイヤ２にある素子載置用の凹部に発光ダイオード素子４を導電性ペーストを用いてダイボンディングする。 Next, a manufacturing procedure of the light emitting diode 1a will be described.
In the first step, the light-emitting diode element 4 is die-bonded to the element mounting recesses on the pair of lead wires 2 using a conductive paste.

第２の工程では、発光ダイオード素子ともう一方のリードワイヤ３とをボンディングワイヤ５でワイヤボンディングする。   In the second step, the light emitting diode element and the other lead wire 3 are wire-bonded with the bonding wire 5.

第３の工程では、アルファサイアロン蛍光体７を適度に分散させた第１の樹脂６で発光ダイオード素子４を被覆するように素子載置用の凹部にプレデップし、第１の樹脂６を硬化させる。   In the third step, the first resin 6 in which the alpha sialon phosphor 7 is appropriately dispersed is pre-depped into the element mounting recess so as to cover the light emitting diode element 4, and the first resin 6 is cured. .

第４の工程では、リードワイヤ２及び３の上部、発光ダイオード素子４、第１の樹脂６を第２の樹脂８で包囲させ硬化させる。なお、この第４の工程は一般にキャスティングにより実施される。   In the fourth step, the upper portions of the lead wires 2 and 3, the light emitting diode element 4, and the first resin 6 are surrounded by the second resin 8 and cured. This fourth step is generally performed by casting.

また、リードワイヤ２及び３は、一体的に作製することが可能であり、この場合、これらはその下部が連結された形状を有している。このような一体的に作製されたリードワイヤを用いるにあたっては、工程４の後にリードワイヤ２及び３を連結する部分を除去し、リードワイヤ２及び３を別個の部材とする第５の工程が設けられる。   In addition, the lead wires 2 and 3 can be manufactured integrally, and in this case, they have a shape in which lower portions thereof are connected. In using such an integrally manufactured lead wire, a fifth step is provided after the step 4 in which the portion connecting the lead wires 2 and 3 is removed and the lead wires 2 and 3 are used as separate members. It is done.

図１２は、本発明の第３の実施例（実施例３）に係る発光ダイオード１ｂ（以下、適宜“発光ダイオード１ｂ”とする）の断面図であり、図１３は、この発光ダイオード１ｂの斜視図である。   FIG. 12 is a cross-sectional view of a light-emitting diode 1b (hereinafter referred to as “light-emitting diode 1b” as appropriate) according to a third embodiment (Example 3) of the present invention, and FIG. 13 is a perspective view of the light-emitting diode 1b. FIG.

図１０及び図１１に示した発光ダイオード１ａにおいては、アルファサイアロン蛍光体７が発光ダイオード素子４の近傍、つまり第１の樹脂６中に分散されている場合を示したが、これに限定されず、本実施例のように第２の樹脂８中、つまり樹脂全体にアルファサイアロン蛍光体７を分散させた構成とすることも可能である。   In the light-emitting diode 1a shown in FIGS. 10 and 11, the case where the alpha sialon phosphor 7 is dispersed in the vicinity of the light-emitting diode element 4, that is, in the first resin 6, is not limited to this. As in this embodiment, the alpha sialon phosphor 7 may be dispersed in the second resin 8, that is, the entire resin.

なお、上記のようにアルファサイアロン蛍光体７を分散して配置することにより発光強度が低下することはなく、発光ダイオード１ａと同様の発光強度を有する。   As described above, by arranging the alpha sialon phosphors 7 in a dispersed manner, the emission intensity does not decrease, and the emission intensity is the same as that of the light emitting diode 1a.

なお、上記の発光ダイオード１ｂを作製するにあたっては、第１の樹脂６の硬化は行われず、第２の樹脂８にアルファサイアロン蛍光体７を分散させ、硬化させる。   In manufacturing the light emitting diode 1b, the first resin 6 is not cured, and the alpha sialon phosphor 7 is dispersed in the second resin 8 and cured.

また、上記の実施例全てにおいては、希土類金属金属としてＥｕを用いる場合を示したが、これに限定されず、Ｃｅ（セリウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｐｒ（プラセオジウム）等を用いることもできる。   In all of the above embodiments, Eu is used as the rare earth metal, but the present invention is not limited to this, and Ce (cerium), Tb (terbium), Pr (praseodymium), or the like can also be used.

また、上記の実施例２及び３では、発光ダイオード素子４は、上方（ボンディングワイヤ５側）に１個、下方（リードワイヤ２の凹部側）にもう１個の電極がある場合を示したが、下方には電極がなく上方に二つの電極があるものを用いても良い。   In the above-described Examples 2 and 3, the light-emitting diode element 4 has one electrode on the upper side (on the bonding wire 5 side) and another electrode on the lower side (on the concave side of the lead wire 2). Alternatively, an electrode having no electrode on the lower side and two electrodes on the upper side may be used.

この場合には、発光ダイオード素子が適切に固定されていれば良いため、上記の第１の工程において導電性ペーストを用いる必要がなく、上記の第２の工程において２本のボンディングワイヤによりボンディングを行う。   In this case, since the light emitting diode element only needs to be appropriately fixed, it is not necessary to use a conductive paste in the first step, and bonding is performed with two bonding wires in the second step. Do.

また、本発明のアルファサイアロン蛍光体は、上記の実施例２及び３で示した白色発光ダイオードに限らず、短波長の発光ダイオード素子と、発光ダイオード素子から発せられた光の一部又は全部を吸収することにより励起され、より長波長の蛍光を発するアルファサイアロン蛍光体とを用いた発光ダイオードであれば、通常どのようなものにも適用できる。   The alpha sialon phosphor of the present invention is not limited to the white light emitting diodes shown in the second and third embodiments, but a short wavelength light emitting diode element and a part or all of the light emitted from the light emitting diode element. As long as it is a light emitting diode using an alpha sialon phosphor that is excited by absorption and emits longer wavelength fluorescence, it can be applied to any type of diode.

例えば、紫外発光ダイオード素子と紫外励起可視発光蛍光体とを用いた青色発光ダイオード、紫外発光ダイオード素子と紫外励起可視発光蛍光体とを用いた緑色発光ダイオード、紫外発光ダイオード素子と紫外励起可視発光蛍光体とを用いた赤色発光ダイオード、紫外発光ダイオード素子と紫外励起可視発光蛍光体とを用いた白色発光ダイオードなどにも適用できる。   For example, a blue light emitting diode using an ultraviolet light emitting diode element and an ultraviolet excited visible light emitting phosphor, a green light emitting diode using an ultraviolet light emitting diode element and an ultraviolet excited visible light emitting phosphor, an ultraviolet light emitting diode element and an ultraviolet excited visible light emitting fluorescence The present invention can also be applied to a red light emitting diode using a body, a white light emitting diode using an ultraviolet light emitting diode element and an ultraviolet excited visible light emitting phosphor, and the like.

また、本発明のアルファサイアロン蛍光体は、ボンディングワイヤを３本以上有する発光ダイオードにも適用可能であり、発光ダイオード素子が載置可能であれば、リードワイヤの形状も限定されない。   The alpha sialon phosphor of the present invention can also be applied to a light emitting diode having three or more bonding wires, and the shape of the lead wire is not limited as long as the light emitting diode element can be mounted.

さらに、本発明のアルファサイアロン蛍光体は、発光ダイオード素子に限らず、レーザダイオードを初めとするあらゆる発光素子に適用可能である。   Furthermore, the alpha sialon phosphor of the present invention is applicable not only to a light emitting diode element but also to any light emitting element including a laser diode.

試料Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの発光強度を示す図である。It is a figure which shows the emitted light intensity of sample A, B, C, and D. FIG. 試料Ａの発光スペクトルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an emission spectrum of sample A. 試料Ｂの発光スペクトルを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an emission spectrum of sample B. 試料Ｃの発光スペクトルを示す図である。4 is a diagram showing an emission spectrum of sample C. FIG. 試料Ｄの発光スペクトルを示す図である。4 is a diagram showing an emission spectrum of sample D. FIG. 試料Ａの拡散反射率を示す図である。It is a figure which shows the diffuse reflectance of the sample A. FIG. 試料Ｂの拡散反射率を示す図である。It is a figure which shows the diffuse reflectance of the sample B. FIG. 試料Ｃの拡散反射率を示す図である。5 is a diagram showing a diffuse reflectance of a sample C. FIG. 試料Ｄの拡散反射率を示す図である。4 is a diagram showing a diffuse reflectance of a sample D. FIG. 本発明の実施例２に係る発光ダイオードの断面図である。It is sectional drawing of the light emitting diode which concerns on Example 2 of this invention. 図１０に示した発光ダイオードの斜視図である。It is a perspective view of the light emitting diode shown in FIG. 本発明の実施例３に係る発光ダイオードの断面図である。It is sectional drawing of the light emitting diode which concerns on Example 3 of this invention. 図１２に示した発光ダイオードの斜視図である。It is a perspective view of the light emitting diode shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ａ、１ｂ 発光ダイオード
２、３ リードワイヤ
４ 発光ダイオード素子
５ ボンディングワイヤ
６ 第１の樹脂
７ アルファサイアロン蛍光体
８ 第２の樹脂 1a, 1b Light emitting diode 2, 3 Lead wire 4 Light emitting diode element 5 Bonding wire 6 First resin 7 Alpha sialon phosphor 8 Second resin

Claims (21)

粉末状であり、励起されることにより蛍光を発する粉末蛍光体であって、
励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された前記蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が８５％以上であることを特徴とする粉末蛍光体。 A powder phosphor that is powdery and emits fluorescence when excited,
The average value of the relative reflectance of the diffuse reflectance in the emission wavelength range of the fluorescence measured using means for measuring spectrophotometry in the unexcited state with respect to the white standard diffuse reflector is 85% or more. A powder phosphor. 希土類金属で賦活された粉末状のアルファサイアロン蛍光体であることを特徴とする請求項１に記載の粉末蛍光体。   2. The powder phosphor according to claim 1, which is a powdery alpha sialon phosphor activated with a rare earth metal. ２価のユーロピウムで賦活された粉末状のカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体であり、
前記発光波長範囲が５００乃至７８０ｎｍである場合、
前記相対反射率の平均値が８５％以上である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の粉末蛍光体。 It is a powdered calcium solid solution alpha sialon phosphor activated with divalent europium,
When the emission wavelength range is 500 to 780 nm,
The powder phosphor according to claim 1 or 2, wherein an average value of the relative reflectance is 85% or more. 希土類金属で賦活されたアルファサイアロン蛍光体を製造するためのアルファサイアロン蛍光体製造方法であって、
アルファサイアロン蛍光体の原料を温度が１５５０℃以上１７５０℃以下の窒素雰囲気中でガス加圧焼結する
ことを特徴とするアルファサイアロン蛍光体製造方法。 An alpha sialon phosphor production method for producing an alpha sialon phosphor activated with a rare earth metal,
A method for producing an alpha sialon phosphor, characterized by subjecting a raw material of the alpha sialon phosphor to gas pressure sintering in a nitrogen atmosphere at a temperature of 1550 ° C to 1750 ° C. 前記原料を予め混練するとともにペレット状に成形し、該成形された原料を１５５０℃以上１６５０℃以下の温度でガス加圧焼結することを特徴とする請求項４に記載のアルファサイアロン蛍光体製造方法。   The alpha sialon phosphor production according to claim 4, wherein the raw material is kneaded in advance and formed into a pellet, and the formed raw material is subjected to gas pressure sintering at a temperature of 1550 ° C to 1650 ° C. Method. 前記原料を予め混練するとともに粒径により分級し、該粒径が所定の基準値以下のものを１６５０℃以上１７５０℃以下の温度でガス加圧焼結することを特徴とする請求項４に記載のアルファサイアロン蛍光体製造方法。   5. The raw material is kneaded in advance and classified according to particle size, and gas pressure sintering is performed at a temperature of 1650 ° C. or higher and 1750 ° C. or lower when the particle size is equal to or less than a predetermined reference value. Alpha sialon phosphor manufacturing method of 前記基準値は、６３μｍであることを特徴とする請求項６に記載のアルファサイアロン蛍光体製造方法。   The method for producing an alpha sialon phosphor according to claim 6, wherein the reference value is 63 μm. 希土類金属で賦活され、励起されることにより蛍光を発するアルファサイアロン蛍光体を製造するためのアルファサイアロン蛍光体製造方法であって、
アルファサイアロン蛍光体の原料を窒素雰囲気中でガス加圧焼結し、
該焼結を行うにあたっての温度を１５５０℃以上、且つ励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された前記蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が最高値を示す温度の±５０℃の範囲内とすることを特徴とするアルファサイアロン蛍光体製造方法。 An alpha sialon phosphor production method for producing an alpha sialon phosphor that is activated by a rare earth metal and emits fluorescence when excited,
Alpha sialon phosphor raw material is gas-pressure sintered in nitrogen atmosphere,
Relative to the white standard diffuse reflector of the diffuse reflectance in the emission wavelength range of the fluorescence measured using a means for measuring the spectrophotometer at a temperature of 1550 ° C. or higher when the sintering is performed and not excited. An alpha sialon phosphor manufacturing method, characterized in that the average value of reflectance is within a range of ± 50 ° C. where the maximum value is exhibited. 前記原料を予め混練し、その粒径により分級し、該粒径が６３μｍ以下のものをガス加圧焼結することを特徴とする請求項８に記載のアルファサイアロン蛍光体製造方法。   9. The method for producing an alpha sialon phosphor according to claim 8, wherein the raw materials are kneaded in advance, classified according to the particle size, and those having a particle size of 63 μm or less are gas pressure sintered. 前記原料は、アルファ窒化珪素粉末、炭酸カルシウム粉末、窒化アルミニウム粉末及び酸化ユーロピウム粉末を混練したものであり、
前記ガス加圧焼結における加圧圧力は１ＭＰａ以上、前記温度での焼結時間は８時間以上であり、
製造されるアルファサイアロン蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活されたカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体である
ことを特徴とする請求項４乃至９のいずれか１項に記載のアルファサイアロン蛍光体製造方法。 The raw material is a mixture of alpha silicon nitride powder, calcium carbonate powder, aluminum nitride powder and europium oxide powder,
The pressure in the gas pressure sintering is 1 MPa or more, the sintering time at the temperature is 8 hours or more,
The method for producing an alpha sialon phosphor according to any one of claims 4 to 9, wherein the produced alpha sialon phosphor is a calcium solid solution alpha sialon phosphor activated with divalent europium. . 少なくとも２本のリードワイヤと、
前記リードワイヤの内の少なくとも１本の端部に載置され、該端部及び他のリードワイヤと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子から発せられた光により励起され、該光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光体と
を備え、
前記蛍光体は、粉末状であり、
励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された前記蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が８５％以上である
ことを特徴とする発光デバイス。 At least two lead wires;
A light emitting device mounted on at least one end of the lead wire and electrically connected to the end and the other lead wire;
A phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element and emits fluorescence having a wavelength different from that of the light,
The phosphor is in powder form,
The average value of the relative reflectance of the diffuse reflectance in the emission wavelength range of the fluorescence measured using means for measuring spectrophotometry in an unexcited state with respect to the white standard diffuse reflector is 85% or more. And light emitting device. 前記蛍光体は、希土類金属で賦活された粉末状のアルファサイアロン蛍光体であることを特徴とする請求項１１に記載の発光デバイス。   The light emitting device according to claim 11, wherein the phosphor is a powdered alpha sialon phosphor activated with a rare earth metal. 前記蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活された粉末状のカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体であり、
前記発光波長範囲が５００乃至７８０ｎｍである場合、
前記相対反射率の平均値が８５％以上である
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の発光デバイス。 The phosphor is a powdered calcium solid solution alpha sialon phosphor activated with divalent europium,
When the emission wavelength range is 500 to 780 nm,
The light emitting device according to claim 11 or 12, wherein an average value of the relative reflectance is 85% or more. 少なくとも２本のリードワイヤと、
前記リードワイヤの内の少なくとも１本の端部に載置され、該端部及び他のリードワイヤと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子から発せられた光により励起され、該光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光体と
を備え、
前記蛍光体は、該蛍光体の原料を温度が１５５０℃以上１７５０℃以下の窒素雰囲気中でガス加圧焼結することにより製造された
ことを特徴とする発光デバイス。 At least two lead wires;
A light emitting device mounted on at least one end of the lead wire and electrically connected to the end and the other lead wire;
A phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element and emits fluorescence having a wavelength different from that of the light,
The phosphor is manufactured by gas-pressure-sintering a raw material of the phosphor in a nitrogen atmosphere having a temperature of 1550 ° C. or higher and 1750 ° C. or lower. 前記原料は、予め混練されるとともにペレット状に成形され、該成形された原料は１５５０℃以上１６５０℃以下の温度でガス加圧焼結されたことを特徴とする請求項１４に記載の発光デバイス。   The light-emitting device according to claim 14, wherein the raw material is kneaded in advance and formed into a pellet, and the formed raw material is gas-pressure sintered at a temperature of 1550 ° C or higher and 1650 ° C or lower. . 前記原料は、予め混練されるとともに粒径により分級され、該粒径が所定の基準値以下のものが１６５０℃以上１７５０℃以下の温度でガス加圧焼結されたことを特徴とする請求項１４に記載の発光デバイス。   The raw material is kneaded in advance and classified according to particle size, and those having a particle size equal to or less than a predetermined reference value are subjected to gas pressure sintering at a temperature of 1650 ° C to 1750 ° C. 14. The light emitting device according to 14. 前記基準値は、６３μｍであることを特徴とする請求項１６に記載の発光デバイス。   The light emitting device according to claim 16, wherein the reference value is 63 μm. 少なくとも２本のリードワイヤと、
前記リードワイヤの内の少なくとも１本の端部に載置され、該端部及び他のリードワイヤと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子から発せられた光により励起され、該光とは異なる波長の蛍光を発する蛍光体と
を備え、
前記蛍光体は、該蛍光体の原料を窒素雰囲気中でガス加圧焼結し、該焼結を行うにあたっての温度を１５５０℃以上、且つ予め求められた励起されていない状態において分光光度を測定する手段を用いて測定された前記蛍光の発光波長範囲における拡散反射率の白色標準拡散反射板に対する相対反射率の平均値が最高値を示す温度の±５０℃の範囲内とすることにより製造された
ことを特徴とする発光デバイス。 At least two lead wires;
A light emitting device mounted on at least one end of the lead wire and electrically connected to the end and the other lead wire;
A phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element and emits fluorescence having a wavelength different from that of the light,
The phosphor is subjected to gas pressure sintering of the phosphor raw material in a nitrogen atmosphere, and the spectrophotometry is measured at a temperature of 1550 ° C. or higher when the sintering is performed, and in a previously unexcited state. The average value of the relative reflectance with respect to the white standard diffuse reflector with the diffuse reflectance in the fluorescence emission wavelength range measured using the means is within the range of ± 50 ° C. where the temperature shows the maximum value. A light-emitting device characterized by that. 前記原料は、予め混練されるととともに粒径により分級され、該粒径が６３μｍ以下のものをガス加圧焼結されたことを特徴とする請求項１８に記載の発光デバイス。   19. The light-emitting device according to claim 18, wherein the raw material is kneaded in advance and classified according to particle size, and the material having a particle size of 63 μm or less is gas pressure sintered. 前記原料は、アルファ窒化珪素粉末、炭酸カルシウム粉末、窒化アルミニウム粉末及び酸化ユーロピウム粉末を混練したものであり、１ＭＰａ以上の加圧圧力で８時間以上ガス加圧焼結され、
前記アルファサイアロン蛍光体は、２価のユーロピウムで賦活されたカルシウム固溶アルファサイアロン蛍光体である
ことを特徴とする請求項１４乃至１９のいずれか１項に記載の発光デバイス。 The raw material is a mixture of alpha silicon nitride powder, calcium carbonate powder, aluminum nitride powder and europium oxide powder, which is gas-pressure sintered for 8 hours or more at a pressure of 1 MPa or more,
The light emitting device according to any one of claims 14 to 19, wherein the alpha sialon phosphor is a calcium solid solution alpha sialon phosphor activated with divalent europium. 前記発光素子は、青色光を発する青色発光ダイオードであり、
前記アルファサイアロン蛍光体は、波長が４４０ｎｍ乃至４７０ｎｍの青紫色光あるいは青色光の一部を吸収し、波長が５５０ｎｍ乃至６００ｎｍの黄緑色光、黄色光あるいは黄赤色光を発するものであり、
前記青色発光ダイオードから発せられた青色光と、前記アルファサイアロン蛍光体から発せられた黄緑色光、黄色光あるいは黄赤色光との混色により白色光を発する
ことを特徴とする請求項１１乃至２０のいずれか１項に記載の発光デバイス。

The light emitting element is a blue light emitting diode that emits blue light,
The alpha sialon phosphor absorbs a part of blue-violet light or blue light having a wavelength of 440 nm to 470 nm and emits yellow-green light, yellow light or yellow-red light having a wavelength of 550 nm to 600 nm,
21. The white light is emitted by a mixture of blue light emitted from the blue light emitting diode and yellow-green light, yellow light, or yellow-red light emitted from the alpha sialon phosphor. The light emitting device according to any one of the above.

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