JP2005266754A - Method for manufacturing electrooptical device, electrooptical device and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device, an electro-optical device, and an electronic apparatus using the same.
各種の電気光学装置のうち、例えば、有機EL表示装置では、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に画素スイッチング用素子および有機EL素子を備えた基板が用いられる。有機EL素子は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内へ注入し、注入された電子およびホールを発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する。ここで、発光材料である蛍光物質を選択すれば発光色を変化させることができるので、カラー画像を表示できる。 Among various electro-optical devices, for example, in an organic EL display device, a substrate having a pixel switching element and an organic EL element in each of a large number of pixel regions arranged in a matrix is used. The organic EL element injects electrons and holes from the electron injection electrode and the hole injection electrode into the light emitting part, recombines the injected electrons and holes at the emission center to bring the organic molecules into an excited state, and the organic molecules Produces fluorescence when it returns from the excited state to the ground state. Here, if a fluorescent material that is a luminescent material is selected, the luminescent color can be changed, so that a color image can be displayed.
このような有機EL表示装置に対しては、液晶装置と同様、30インチを越えるようなものが要求されているが、その場合には基板も大型化する。このため、画素スイッチング用素子としてのTFT(薄膜トランジスタ)を製造するためのラインが大型化する。また、基板を大型化すること自体、洗浄工程や成膜工程での歩留まりが低下する。さらに、基板として安価なガラス基板を用いることを目的にTFTを低温ポリシリコンTFTで構成しようとすると、アモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化するためのレーザアニールが不安定となる。 Such an organic EL display device is required to have a size exceeding 30 inches as in the case of a liquid crystal device, but in that case, the substrate is also enlarged. For this reason, a line for manufacturing a TFT (Thin Film Transistor) as a pixel switching element is enlarged. In addition, increasing the size of the substrate itself decreases the yield in the cleaning process and the film forming process. Furthermore, if an attempt is made to construct a TFT with a low-temperature polysilicon TFT for the purpose of using an inexpensive glass substrate as the substrate, laser annealing for crystallizing amorphous silicon into polysilicon becomes unstable.
そこで、従来の技術や設備で十分、製造可能な大きさの基板を複数枚、平面的に配置して大型の有機EL表示装置あるいは大型の液晶表示装置を構成することが提案されている。このような大型化技術には、電気光学装置用基板上に画素スイッチング用素子および有機EL素子などを全て形成してから複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べる方法と、電気光学装置用基板上に画素スイッチング用素子を形成してから複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べ、しかる後に、各電気光学装置用基板上に有機EL素子を形成する方法とが提案されているが、後者の場合には電気光学装置用基板同士の繋ぎ目が目立たないという利点がある(例えば、特許文献1、2参照)。
しかしながら、特許文献1、2に記載の技術のように、複数枚の電気光学装置用基板を大型基板上に貼り合わせたものでは、その分、電気光学装置が厚く、また軽量化を図れないという問題点があり、有機EL表示装置、液晶表示装置いずれの場合にも共通した課題となる。また、基板を湾曲させた新たな形態の電気光学装置を製造できないという問題点がある。かといって、最初から薄い基板を用いた場合には、製造工程中、基板が割れて歩留まりが低下しやすいという問題点がある。
However, as in the techniques described in
また、特許文献1、2に記載の技術では、複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べた状態で有機EL素子を形成する際、従来どおり、半導体プロセスなどを利用する必要があり、有機EL素子を広い領域にわたって形成するための特別の技術が採用されていない。このため、有機EL素子を形成する際には、やはり、製造装置の大型化などを避けることができないという問題点がある。
Further, in the techniques described in
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学装置用基板をその製造工程の途中で効率よく薄型化することが可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electro-optical device capable of efficiently thinning a substrate for an electro-optical device during the manufacturing process, and the electro-optical device manufactured by this method. And providing an electronic device using the same.
また、本発明の課題は、さらに、製造装置を大型化することなく、複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べた状態で自発光素子あるいは液晶素子を効率よく形成可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide an electro-optical device capable of efficiently forming a self-emitting element or a liquid crystal element in a state where a plurality of electro-optical device substrates are arranged in a plane without increasing the size of the manufacturing apparatus. And an electro-optical device manufactured by this method, and an electronic apparatus including the electro-optical device.
上記課題を解決するために、本発明では、電気光学物質を保持するために電気光学装置用基板に所定の工程を施した後、当該電気光学装置用基板を定盤上にワックスにより固定する固定工程と、この状態で、前記電気光学装置用基板の表面を研磨して当該電気光学装置用基板を薄型化する薄型化工程とを行い、前記薄型化工程を行った後、ワックスを加熱して溶融させて前記電気光学装置用基板を前記定盤上から外すことを特徴とする。 In order to solve the above problems, in the present invention, after the electro-optical device substrate is subjected to a predetermined step to hold the electro-optical material, the electro-optical device substrate is fixed on the surface plate with wax. And a thinning step for thinning the electro-optical device substrate by polishing the surface of the electro-optical device substrate in this state. After the thinning step, the wax is heated. The electro-optical device substrate is melted and removed from the surface plate.
本発明では、電気光学装置用基板を薄型化するにあたって、電気光学装置用基板に所定の工程を施した後に薄型化するため、それまでは電気光学装置用基板が厚い。このため、電気光学装置用基板としてガラス基板などの硬質基板を用い、かつ、電気光学装置用基板を、例えば、100μm以下、さらには、50μm以下にまで薄型化した場合でも、製造工程中に電気光学装置用基板が割れるおそれがない。しかも、複数枚の電気光学装置用基板も一括して研できるので、効率がよい。また、電気光学装置用基板の薄型化を、化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板表面が荒れることもない。しかも、電気光学装置用基板には多数の端子が形成されているが、化学エッチングと違って、研磨の場合、電気光学装置用基板の片面を選択的に研磨できるので、端子が損傷することもない。さらに、液晶装置のように、一対の電気光学装置用基板がシール材によってすでに貼り合わされている場合でも、化学エッチングと違って機械的研磨の際には、シール材が劣化することもない。さらにまた、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置用基板を定盤上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックスを溶融させるだけで電気光学装置用基板を定盤から取り外すことができる。しかも、ワックスによる固定であれば、固定するための応力が製造途中品の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板が割れることもない。さらに、ワックスであれば、約80℃の温度で溶融するので、たとえ電気光学装置用基板に液晶やEL材料などの電気光学物質を保持させた後、薄型化しても電気光学物質が劣化しない。さらに、研磨により複数枚の電気光学装置用基板の表面が揃うので、定盤上で複数枚の電気光学装置用基板と大型基板とを容易に、かつ、高い精度で貼り合わせることができる。 In the present invention, when the electro-optic device substrate is thinned, the electro-optic device substrate is thinned after being subjected to a predetermined process, so that the electro-optic device substrate is thick until then. Therefore, even when a hard substrate such as a glass substrate is used as the substrate for the electro-optical device, and the substrate for the electro-optical device is thinned to, for example, 100 μm or less, and further to 50 μm or less, the electric substrate is used during the manufacturing process. There is no risk of the optical device substrate breaking. In addition, since a plurality of electro-optical device substrates can be polished together, the efficiency is high. In addition, since the electro-optic device substrate is thinned not by chemical etching but by polishing, the surface of the electro-optic device substrate is not roughened. In addition, although a large number of terminals are formed on the electro-optical device substrate, unlike chemical etching, one surface of the electro-optical device substrate can be selectively polished in the case of polishing, so that the terminals may be damaged. Absent. Furthermore, even when a pair of substrates for an electro-optical device is already bonded with a sealing material as in a liquid crystal device, the sealing material does not deteriorate during mechanical polishing unlike chemical etching. Furthermore, the electro-optical device substrate can be fixed on the surface plate simply by solidifying the melted wax, and after polishing is completed, the electro-optical device substrate can be removed from the surface plate simply by melting the wax. Can be removed. In addition, if the fixing is performed with wax, the fixing stress does not concentrate on a part of the manufactured product, so that the substrate for the electro-optical device is not broken. Furthermore, since the wax melts at a temperature of about 80 ° C., even if the electro-optic material such as liquid crystal or EL material is held on the substrate for the electro-optic device and then thinned, the electro-optic material does not deteriorate. Further, since the surfaces of the plurality of electro-optical device substrates are aligned by polishing, the plurality of electro-optical device substrates and the large substrate can be easily and accurately bonded on the surface plate.
本発明において、前記薄型化工程では、前記電気光学装置用基板を前記定盤上に前記ワックスにより固定したまま、前記電気光学装置用基板を研磨して薄型化するラッピング工程と、当該電気光学装置用基板の表面を平滑に研磨するポリッシング工程とを連続して行うことが好ましい。 In the present invention, in the thinning step, the electro-optical device substrate is polished and thinned while the electro-optical device substrate is fixed on the surface plate with the wax, and the electro-optical device is thinned. It is preferable to continuously perform a polishing step for smoothly polishing the surface of the working substrate.
本発明において、前記固定工程では、前記定盤の上面に形成された凹部内でワックスを加熱して溶融させ、溶融した前記ワックスに前記複数枚の電気光学装置用基板を浸漬するとともに、当該複数枚の電気光学装置用基板に流体圧を印加して前記定盤に向けて押し付け、しかる後に、前記ワックスを冷却、固化させて、前記定盤上に対して前記ワックスにより前記複数枚の電気光学装置用基板を固定することが好ましい。流体圧を印加する方法としては、ヘッドから電気光学装置用基板の上面に向けて圧縮空気を噴出する方法がある。また、弾性を備えた隔膜を電気光学装置用基板に被せ、この隔膜によって仕切られた2つの空間のうち、電気光学装置用基板が配置されている側とは反対側の空間内に流体を供給してもよい。このように構成すると、電気光学装置用基板の各々に均一な力をかけることができるので、電気光学装置用基板を適正な姿勢で定盤上に固定することができ、高い精度での研磨を行うことができる。 In the present invention, in the fixing step, the wax is heated and melted in a recess formed on the upper surface of the surface plate, the plurality of electro-optical device substrates are immersed in the melted wax, and the plurality Applying fluid pressure to the substrate for the electro-optical device and pressing it toward the surface plate, and then cooling and solidifying the wax, and the plurality of electro-optics with the wax on the surface plate It is preferable to fix the apparatus substrate. As a method of applying the fluid pressure, there is a method of jetting compressed air from the head toward the upper surface of the electro-optical device substrate. In addition, an electro-optical device substrate is covered with an elastic diaphragm, and fluid is supplied into a space on the opposite side to the side where the electro-optical device substrate is disposed, of the two spaces partitioned by the diaphragm. May be. With this configuration, a uniform force can be applied to each of the electro-optical device substrates, so that the electro-optical device substrate can be fixed on the surface plate in an appropriate posture, and polishing with high accuracy can be performed. It can be carried out.
本発明において、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を貼り合わせて当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行った後、前記ワックスを加熱して溶融させて当該貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、しかる後に、当該貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造することが好ましい。 In the present invention, a bonded substrate in which a large substrate is bonded to the plurality of electro-optical device substrates on the surface plate, and the plurality of electro-optical device substrates are planarly arranged on the large substrate; After performing the bonding step, the wax is heated and melted to remove the bonded substrate from the surface plate, and then the bonded substrate is used on the large substrate for the electro-optical device. It is preferable to manufacture an electro-optical device in which a plurality of substrates are arranged in a plane.
本発明において、前記貼り合わせ工程では、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることが好ましい。それには、ヘッドから大型基板に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板に被せ、この隔膜によって仕切られた2つの空間のうち、大型基板が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。このように構成すると、大型基板および電気光学装置用基板に均一な力が加わるので、いずれの電気光学装置用基板も大型基板に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。 In the present invention, in the bonding step, in a state where a large substrate is overlaid on the plurality of electro-optical device substrates on the surface plate, fluid pressure is applied to the large substrate to place the large substrate on the surface plate. It is preferable to press it toward. For this purpose, compressed air is ejected from the head toward the large substrate. In addition, a diaphragm having elasticity is placed on a large substrate, and a fluid such as air or liquid is supplied into a space on the opposite side to the side where the large substrate is disposed, of the two spaces partitioned by the diaphragm. May be. With this configuration, since a uniform force is applied to the large substrate and the electro-optical device substrate, any of the electro-optical device substrates can be bonded to the large substrate under the same conditions. Therefore, the positional variation in the thickness direction of the electro-optical device substrate can be prevented, and a high-quality image can be displayed.
本発明において、前記電気光学装置用基板は、例えば、一対の基板がシール材によって貼り合わされた液晶装置用の基板である。また、本発明は、前記電気光学装置用基板が有機EL表示装置などといった自発光型電気光学装置用の基板である場合にも適用することができる。 In the present invention, the electro-optical device substrate is, for example, a substrate for a liquid crystal device in which a pair of substrates are bonded together with a sealing material. The present invention can also be applied to the case where the electro-optical device substrate is a substrate for a self-luminous electro-optical device such as an organic EL display device.
本発明を自発光型電気光学装置に適用する場合、電気光学装置用基板には、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々に画素スイッチング用素子および自発光素子が形成される。従って、本発明を適用する場合、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記自発光素子の画素電極を形成した後、当該一方面側を前記定盤に向けた複数枚の前記電気光学装置用基板に前記固定工程、および前記薄型化工程を行って前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨し、次に、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、次に、前記ワックスを加熱して溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、次に、前記貼り合わせ基板の状態で前記複数枚の電気光学装置用基板の一方面側に前記自発光素子の発光機能層を形成する発光機能層形成工程を行い、しかる後に、前記貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造する。すなわち、画素スイッチング用素子の形成や自発光素子の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、大型基板への貼り合わせ工程の前に行い、貼り合わせ工程の後、自発光素子の発光機能層を形成する。このため、自発光素子の発光機能層を形成する際、任意の位置への塗布を容易に行うことのできるインクジェット法などを採用することができ、このような方法を採用すれば、自発光素子の発光機能層を、複数枚の電気光学装置用基板を平面的に並べた広い領域に形成する場合でも、装置の大型化や歩留まりの低下などが発生しない。 When the present invention is applied to a self-luminous electro-optical device, a pixel switching element and a self-luminous element are formed in each of a large number of pixel regions arranged in a matrix on the electro-optical device substrate. Therefore, when applying the present invention, after forming the pixel switching element and the pixel electrode of the self-luminous element on one side of the electro-optical device substrate, the one side is directed to the surface plate. The fixing step and the thinning step are performed on the plurality of electro-optical device substrates to polish the other surface side of the plurality of electro-optical device substrates, and then the plurality of the substrates on the surface plate A bonding step is performed in which a large substrate is bonded to the other surface side of the electro-optical device substrate and the plurality of electro-optical device substrates are planarly arranged on the large substrate. Then, the wax is heated and melted to remove the bonded substrate from the surface plate, and then the self-luminous light is emitted to one surface side of the plurality of electro-optical device substrates in the state of the bonded substrate. Form the light emitting functional layer of the device Perform a light-emitting function layer forming step, and thereafter, the electro-optical device substrate to produce a plurality, electro-optical devices arranged in a plane on the large substrate using the bonded substrate. In other words, processes that require laser annealing or photolithography technology, such as the formation of pixel switching elements and the formation of pixel electrodes of self-luminous elements, are performed before the bonding process to a large substrate, and after the bonding process. The light emitting functional layer of the self light emitting element is formed. For this reason, when forming the light emitting functional layer of the self light emitting element, it is possible to adopt an ink jet method or the like that can be easily applied to an arbitrary position. Even when the light emitting functional layer is formed in a wide region in which a plurality of electro-optical device substrates are arranged in a plane, the size of the device is not increased and the yield is not reduced.
本発明において、前記貼り合わせ工程では、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることが好ましい。それには、ヘッドから大型基板に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板に被せ、この隔膜によって仕切られた2つの空間のうち、大型基板が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。このように構成すると、大型基板および電気光学装置用基板に均一な力が加わるので、いずれの電気光学装置用基板も大型基板に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。 In the present invention, in the bonding step, in a state where a large substrate is overlaid on the plurality of electro-optical device substrates on the surface plate, fluid pressure is applied to the large substrate to place the large substrate on the surface plate. It is preferable to press it toward. For this purpose, compressed air is ejected from the head toward the large substrate. In addition, a diaphragm having elasticity is placed on a large substrate, and a fluid such as air or liquid is supplied into a space on the opposite side to the side where the large substrate is disposed, of the two spaces partitioned by the diaphragm. May be. With this configuration, since a uniform force is applied to the large substrate and the electro-optical device substrate, any of the electro-optical device substrates can be bonded to the large substrate under the same conditions. Therefore, the positional variation in the thickness direction of the electro-optical device substrate can be prevented, and a high-quality image can be displayed.
本発明において、前記発光機能層形成工程では、前記複数枚の電気光学装置用基板の一方面側の所定領域に対してインクジェット法により液状組成物を選択的に塗布して前記自発光素子の発光機能層を形成することが好ましい。本発明を適用すると、電気光学装置用基板の高さ位置などの精度が高いので、インクジェット法で自発光素子の発光機能層を形成する際、インクジェットヘッドから電気光学装置用基板の一方面側との距離がいずれの電気光学装置用基板においても一定である。それ故、インクジェットヘッドから液滴の飛弾距離がいずれの電気光学装置用基板でも一定であるので、飛弾距離のばらつきに起因する発光機能層の形成位置や輝度などのばらつきを防止することができる。 In the present invention, in the light emitting functional layer forming step, a liquid composition is selectively applied to a predetermined region on one surface side of the plurality of electro-optical device substrates by an ink jet method to emit light from the self light emitting element. It is preferable to form a functional layer. When the present invention is applied, the accuracy such as the height position of the electro-optical device substrate is high. Therefore, when forming the light emitting functional layer of the self-light-emitting element by the ink jet method, This distance is constant in any electro-optical device substrate. Therefore, since the flying distance of the droplet from the inkjet head is constant in any electro-optical device substrate, it is possible to prevent variations in the formation position and brightness of the light emitting functional layer due to variations in the flying distance.
本発明において、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記画素電極を形成した後、前記固定工程を行う際に前記電気光学装置用基板の一方面側に保護フィルムを貼っておき、当該保護フィルムについては、前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記発光機能層形成工程を行う前に除去することが好ましい。このように構成すると、貼り合わせ工程の際、電気光学装置用基板において画素スイッチング素子などが形成されている一方面側を異物や損傷から保護することができるので、信頼性を向上することができる。 In the present invention, after the pixel switching element and the pixel electrode are formed on one surface side of the electro-optical device substrate, a protective film is formed on the one surface side of the electro-optical device substrate when performing the fixing step. The protective film is preferably removed after removing the bonded substrate from the surface plate and before performing the light emitting functional layer forming step. With this configuration, the one surface side on which the pixel switching elements and the like are formed in the electro-optical device substrate can be protected from foreign matters and damage during the bonding process, so that reliability can be improved. .
この場合、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記保護フィルムを貼る前に前記電気光学装置用基板に対して前記液状組成物の塗布領域を規定する隔壁を形成しておき、前記保護フィルムは、フィルム基材の一方面側に前記隔壁の高さよりも厚い粘着剤層を備えていることが好ましい。このように構成すると、電気光学装置用基板と保護フィルムとの間への気泡の侵入を防止できる。従って、電気光学装置用基板に貼った保護フィルムの表面に凹凸が発生しないので、保護フィルム側を基準に電気光学装置用基板と大型基板とを貼り合わせる場合でも、電気光学装置用基板の一方面側の位置を高い精度で揃えることができる。それ故、インクジェット法により、自発光素子の発光機能層を安定して形成することができる。また、自発光型電気光学装置を形成した状態における電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。 In this case, before applying the protective film to one surface side of the electro-optical device substrate, a partition that defines a coating region of the liquid composition is formed on the electro-optical device substrate, and the protective film is formed. Is preferably provided with a pressure-sensitive adhesive layer that is thicker than the height of the partition wall on one side of the film substrate. If comprised in this way, the penetration | invasion of the bubble between the board | substrate for electro-optical apparatuses and a protective film can be prevented. Accordingly, there is no unevenness on the surface of the protective film applied to the electro-optical device substrate, so even when the electro-optical device substrate and the large substrate are bonded to each other on the basis of the protective film side, one side of the electro-optical device substrate The side position can be aligned with high accuracy. Therefore, the light emitting functional layer of the self light emitting element can be stably formed by the ink jet method. In addition, it is possible to prevent variation in position in the thickness direction of the electro-optical device substrate in a state in which the self-light-emitting electro-optical device is formed, so that high-quality images can be displayed.
また、本発明では、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記保護フィルムを貼る前に前記電気光学装置用基板に対して前記液状組成物の塗布領域を規定する隔壁を形成しておき、前記保護フィルムには、フィルム基材の一方面側に、前記液状組成物に対する撥液材層と、前記隔壁の高さよりも薄い粘着剤層と形成しておき、前記保護フィルムを除去した際、前記液状組成物の塗布領域の周囲に前記撥液材層を転写する構成を採用してもよい。このように構成した場合には、電気光学装置用基板の一方面側に対して、プラズマ処理などといった格別な撥液処理を行わなくてもよいので、製造工程の簡素化を図ることができる。 Further, in the present invention, before pasting the protective film on one surface side of the electro-optical device substrate, a partition that defines a coating region of the liquid composition is formed on the electro-optical device substrate, In the protective film, on one side of the film substrate, a liquid repellent material layer for the liquid composition and an adhesive layer thinner than the height of the partition wall are formed, and when the protective film is removed, You may employ | adopt the structure which transfers the said liquid repellent material layer around the application | coating area | region of the said liquid composition. In the case of such a configuration, it is not necessary to perform a special liquid repellent process such as a plasma process on the one surface side of the substrate for the electro-optical device, so that the manufacturing process can be simplified.
また、本発明をマトリクス型の液晶パネルに適用する際には、前記電気光学装置用基板と対向基板の間に液晶材料を保持した液晶パネルを形成した後に、前記対向基板側をワックスにより前記定盤へ固定する固定工程、あるいは、前記電気光学装置用基板側を研磨する薄型化工程、あるいは、前記大型基板と前記電気光学装置用基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程を行うことも良い。このようにすると、画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、小さな基板のまま行うことができ、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化が防げる。また、基板の大型化に起因する歩留まりの低下も発生しない。さらには、貼り合わせによる表示の大型化、研磨による基板の軽量化の工程は、前記小型パネルの組立の後に行えるので、画素スイッチング素子などが形成されている面を異物や損傷から保護し表示の信頼性向上が図れる。 Further, when the present invention is applied to a matrix type liquid crystal panel, a liquid crystal panel holding a liquid crystal material is formed between the electro-optical device substrate and the counter substrate, and then the counter substrate side is fixed with wax. It is also possible to perform a fixing step of fixing to a board, a thinning step of polishing the electro-optical device substrate side, or a bonding step of bonding the large substrate and the electro-optical device substrate. In this way, processes that require laser annealing or photolithography technology, such as the formation of pixel switching elements and the formation of pixel electrodes for liquid crystals, can be performed with a small substrate, such as a vacuum apparatus and an exposure apparatus. The size of expensive semiconductor devices can be prevented. Further, the yield is not reduced due to the increase in size of the substrate. Furthermore, the process of increasing the size of the display by bonding and reducing the weight of the substrate by polishing can be performed after the assembly of the small panel, so that the surface on which the pixel switching elements are formed is protected from foreign matters and damage. Reliability can be improved.
本発明をマトリクス型の液晶パネルに適用する際には、当該電気光学装置用基板の一方面側に画素スイッチング用素子、および液晶素子用の画素電極を形成した後、当該一方面側を研磨装置の定盤に向けて固定し、研磨による前記薄型化工程を行ない複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨する。次に、前記定盤上の複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて、当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、さらに、前記ワックスを加熱溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、しかる後、当該貼り合わせ基板と対向基板から液晶材料を保持した液晶パネルの作製を行う。このようにして前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を容易に製造することことができる。すなわち、画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、大型基板への貼り合わせ工程の前に行い、貼り合わせ工程の後、液晶パネルの組立を行う。このため、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化や、基板の大型化に起因する歩留まりの低下などが発生しない。 When the present invention is applied to a matrix-type liquid crystal panel, a pixel switching element and a pixel electrode for a liquid crystal element are formed on one surface side of the electro-optical device substrate, and then the one surface side is polished. The other surface side of the plurality of electro-optical device substrates is polished by performing the thinning process by polishing. Next, a large substrate is bonded to the other side of the plurality of electro-optical device substrates on the surface plate, and the plurality of electro-optical device substrates are bonded in a plane on the large substrate. A bonding process is performed as a bonded substrate. Further, the wax is heated and melted to remove the bonded substrate from the surface plate, and then a liquid crystal panel holding a liquid crystal material from the bonded substrate and the counter substrate. Make it. In this way, it is possible to easily manufacture an electro-optical device in which a plurality of electro-optical device substrates are arranged in a plane on the large substrate. In other words, processes that require laser annealing, photolithography technology, etc., such as the formation of pixel switching elements and the formation of pixel electrodes for liquid crystals, are performed before the bonding process to a large substrate, and after the bonding process, Assemble the LCD panel. For this reason, there is no increase in the size of expensive semiconductor devices such as vacuum devices and exposure devices, and a decrease in yield due to the increase in size of the substrate.
また本発明は、前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記画素電極を形成した後、前記固定工程を行う際に前記電気光学装置用基板の一方面側に保護フィルムを貼っておき、前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記対向基板の貼り合わせ工程を行う前に前記保護フィルムを前記貼り合わせ基板から除去することが好ましい。このようにすると、研磨と貼り合わせ工程の際、電気光学装置用基板の画素スイッチング素子などが形成されている面を異物や損傷から保護することができるので、信頼性の向上が図れる。 According to the present invention, after the pixel switching element and the pixel electrode are formed on one surface side of the electro-optical device substrate, the one surface side of the electro-optical device substrate is protected when the fixing step is performed. After the film is pasted and the bonded substrate is removed from the surface plate, it is preferable to remove the protective film from the bonded substrate before performing the bonding step of the counter substrate. In this case, the surface on which the pixel switching elements and the like of the electro-optical device substrate are formed can be protected from foreign matters and damage during the polishing and bonding process, so that reliability can be improved.
本発明において、前記液晶用基板の大型基板の貼り合わせ工程は、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板に大型基板を重ねた状態で、流体圧を前記大型基板に加えて当該大型基板を前記定盤に向けて押し付けることが好ましい。それには、ヘッドから大型基板に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板に被せ、この隔膜によって仕切られた2つの空間のうち、大型基板が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。このように構成すると、大型基板および電気光学装置用基板に均一な力が加わるので、いずれの電気光学装置用基板も大型基板に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、電気光学装置用基板の厚さ方向における位置ばらつきを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。 In the present invention, the bonding step of the large substrate for the liquid crystal substrate may be performed by applying fluid pressure to the large substrate in a state where the large substrate is overlaid on the plurality of electro-optical device substrates on the surface plate. It is preferable to press the large substrate toward the surface plate. For this purpose, compressed air is ejected from the head toward the large substrate. In addition, a diaphragm having elasticity is placed on a large substrate, and a fluid such as air or liquid is supplied into a space on the opposite side to the side where the large substrate is disposed, of the two spaces partitioned by the diaphragm. May be. With this configuration, since a uniform force is applied to the large substrate and the electro-optical device substrate, any of the electro-optical device substrates can be bonded to the large substrate under the same conditions. Therefore, the positional variation in the thickness direction of the electro-optical device substrate can be prevented, and a high-quality image can be displayed.
本発明において、前記貼り合わせ基板についても定盤上にワックスにより固定した状態で、前記大型基板の表面を研磨して当該大型基板を薄型化し、しかる後に、ワックスを加熱溶融させて前記貼り合わせ基板を当該定盤上から外すことが好ましい。このように構成すると、電気光学装置の薄型化、軽量化をさらに図ることができる。 In the present invention, in the state where the bonded substrate is also fixed on a surface plate with wax, the surface of the large substrate is polished to thin the large substrate, and then the wax is heated and melted to heat the bonded substrate. Is preferably removed from the surface plate. With this configuration, the electro-optical device can be further reduced in thickness and weight.
本発明において、前記電気光学装置用基板の一方面側に封止基板または対向基板が貼られたモジュールを形成した後、当該モジュールを定盤上にワックスにより固定した状態で、前記封止基板または対向基板の表面を研磨して当該基板を薄型化し、しかる後に、ワックスを加熱溶融させて前記モジュールを当該定盤上から外すことが好ましい。このように構成すると、電気光学装置の薄型化、軽量化をさらに図ることができる。 In the present invention, after forming a module having a sealing substrate or a counter substrate attached to one surface side of the electro-optical device substrate, the sealing substrate or It is preferable that the surface of the counter substrate is polished to make the substrate thinner, and then the wax is heated and melted to remove the module from the surface plate. With this configuration, the electro-optical device can be further reduced in thickness and weight.
本発明を適用した自発光型電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった携帯用電子機器に用いることができるとともに、30インチを越えるような大型画面を備えた電子機器に用いることができる。 A self-luminous electro-optical device to which the present invention is applied can be used for a portable electronic device such as a mobile phone or a mobile computer, and can also be used for an electronic device having a large screen exceeding 30 inches.
以下、図面を参照して、本発明に係る電気光学装置、その製造方法、およびそれを用いた電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。 Hereinafter, an electro-optical device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus using the electro-optical device according to the invention will be described with reference to the drawings. In each drawing to be referred to, the scale may be different for each layer or each member in order to make the size recognizable on the drawing.
[実施の形態1]
(有機EL表示装置の全体構成)
図1(A)、(B)は、本発明の実施の形態1に係るアクティブマトリクス型の有機EL表示装置の斜視図および平面図である。図2は、図1に示す有機EL表示装置の電気的構成を示す説明図である。
[Embodiment 1]
(Overall configuration of organic EL display device)
1A and 1B are a perspective view and a plan view of an active matrix organic EL display device according to
図1において、本形態の有機EL表示装置1は、いわゆるタイリング技術を利用した30インチ以上の大型表示装置であり、電気光学装置用基板2(TFTアレイ基板)が複数枚(本形態では4枚)、平面的に配列された状態で大型基板3に貼り合わされている。電気光学装置用基板2において、大型基板3とは反対側の面には、ガスバリア用の封止基板4が貼り合わされている。大型基板3は、電気光学装置用基板3の複数枚分よりも大きい。これに対して、封止基板4は、電気光学装置用基板2の複数枚分よりも小さく、電気光学装置用基板2の一方面側21は、一部が封止基板4の端縁から張り出している。従って、電気光学装置用基板2の一方面側21の端部に形成されている端子に対して、フレキシブル配線基板(図示せず)などにより外部との電気的な接続を行うことができる。
In FIG. 1, an organic
ここで、電気光学装置用基板2は、後述する薄型化工程により、例えば、100μm以下、さらには50μm以下にまで薄型化されたガラス基板である。
Here, the electro-
図2に示すように、本形態の有機EL表示装置1も、等価回路的には、周知の有機EL表示装置と同様、電気光学装置用基板2上には複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の各交点毎に上記画素領域100が形成されている。信号線132には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路104が接続されている。
As shown in FIG. 2, the organic
(画素構成)
図3は、図1に示す有機EL表示装置における画素領域を拡大して示す断面図である。
(Pixel configuration)
FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a pixel region in the organic EL display device shown in FIG.
図2および図3に示すように、本形態の有機EL表示装置1の各画素領域100には、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用のTFT123と、このTFT123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用(駆動用)のTFT124とが形成されている。このようなTFT123、124などを形成するために、電気光学装置用基板2には、ガラス基板からなる基材上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に低温ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜141が形成されている。半導体膜141にはソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みによって形成され、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。下地保護膜2c及び半導体膜141の表面側にはゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線)が形成されている。ゲート電極143及びゲート絶縁膜142の表面側には、透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bとが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、層間絶縁膜144a、144bには、半導体膜141のソース、ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145、146が形成されている。第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定の形状に形成されている。画素電極111に対しては、コンタクトホール145を介してTFT124が接続されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, each
画素領域100には、さらに、TFT124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む画素電極(陽極)111と、画素電極111と陰極12との間に挟み込まれた発光機能層110(有機機能層)とを備えた有機EL素子101(自発光素子)が形成されている。
The
有機機能層110は、例えば、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に形成された発光層(有機EL層)110bとから構成されている。なお、発光層110bと陰極との間に電子注入/輸送層が形成される場合もある。正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、陰極12の側から注入された電子が再結合し、発光が得られる。ここで、多数の画素領域100は、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応しており、このような色の対応は、有機機能層110を構成する材料の種類によって規定されている。
The organic
陰極12は、カルシウム層12aとアルミニウム層12bとから構成され、電気光学装置用基板2の端子形成領域を除く略全面に形成されている。アルミニウム層12bは、発光層110bから発せられた光を電気光学装置用基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等から構成される場合もある。
The
本形態の有機EL表示装置1において、画素領域100では、画素電極111の周縁部を取り囲むように隔壁112がバンクとして形成されている。隔壁112は、後述するように、有機機能層110を形成する際、インクジェット法(液体吐出法)により吐出、塗布される液状組成物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状組成物が均一な厚さで形成される。本形態において、隔壁112は、例えば、基板側に位置する無機物バンク層112aと、無機物バンク層112aの上層に形成された有機物バンク層112bとから構成されている。無機物バンク層112aは、例えば、SiO2、TiO2等の無機材料からなる。有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。
In the organic
なお、封止基板4は、水や酸素の浸入を防ぐことによって陰極12あるいは有機機能層110の酸化を防止するものであり、電気光学装置用基板2の一方面側21にエポキシ樹脂などといった平坦化機能を備えた封止樹脂40を介して貼り合わされている。また、大型基板3は電気光学装置用基板2の他方面側22に透明な接着剤30を介して貼り合わされている。
The sealing
このように構成した有機EL表示装置1において、走査線131が駆動されてTFT123がオン状態になると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて駆動用のTFT124の導通状態が制御される。また、駆動用のTFT124がオン状態になったとき、そのチャネルを介して電源線133から画素電極111に電流が流れ、さらに、有機EL素子では、有機機能層110を通じて陰極12に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層110が発光する。そして、有機機能層110から大型基板3側に発した光は観測者側に出射される一方、有機機能層110から大型基板3とは反対側に発した光は、陰極12によって反射されて大型基板3から観測者側に放出される。
In the organic
(製造方法)
図4(A)、(B)は、図1に示す有機EL表示装置の製造方法において電気光学装置用基板に対してTFTや画素電極を形成し終えた段階の説明図である。図5(A)〜(D)および図6(A)〜(F)は、図1に示す有機EL表示装置の製造方法を示す工程断面図である。図7(A)、(B)は、図1に示す有機EL表示装置の製造方法における有機機能層形成工程の説明図である。
(Production method)
4A and 4B are explanatory views at a stage where TFTs and pixel electrodes have been formed on the electro-optical device substrate in the method of manufacturing the organic EL display device shown in FIG. 5A to 5D and FIGS. 6A to 6F are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the organic EL display device shown in FIG. 7A and 7B are explanatory diagrams of an organic functional layer forming step in the method for manufacturing the organic EL display device shown in FIG.
有機EL表示装置1を製造するにあたって、本形態では、図4(A)、(B)に示すように、TFT123、124などの回路素子、有機EL素子101の画素電極111、および隔壁112を電気光学装置用基板2上に形成する。このような工程を行うまで、電気光学装置用基板2は、薄型化する前の厚いガラス基板2’であり、その厚さが例えば0.5mmである。
In manufacturing the organic
次に、図4(A)、(B)および図5(A)に示すように、電気光学装置用基板2の一方面側21に保護フィルム6を貼着する(保護フィルム貼着工程)。保護フィルム6は、いわゆるUVフィルムと称せられるもので、図4(B)に示すように、フィルム基板61と粘着材層63との間にUV剥離層62を備えている。保護フィルム6は、電気光学装置用基板2の一方面側21のうち、端子20が形成されている領域を除くように貼られているが、電気光学装置用基板2の全面を覆ってもよい。また、電気光学装置用基板2については、レーザ光を照射して、保護フィルム6とともに切断し、電気光学装置用基板2の外形を調整してもよい。電気光学装置用基板2のレーザ切断は、電気光学装置用基板2の複数の基板辺のうち、少なくとも、図1(A)、(B)に示すように配列した状態で他の電気光学装置用基板2と隣接する辺に対して行う。また、電気光学装置用基板2の好ましくは4隅にレーザの照射位置を示すアライメントマークを形成しておく。
Next, as shown to FIG. 4 (A), (B) and FIG. 5 (A), the
次に、図5(B)に示す研磨装置200において、電気光学装置用基板2に対する薄型化を行う。それには、まず、電気光学装置用基板2を複数枚、研磨装置200の定盤210上に並べて固定する(固定工程)。この研磨装置200は、電気光学装置用基板2が配置される部分に凹部220が形成されたセラミックス製の定盤210を備えており、この凹部220内には、ワックス250が充填されている。従って、定盤210を介して間接的に、あるいは直接、ワックス250を約80℃の温度にまで加熱して溶融させた後、溶融したワックス250の表面に、定盤210に一方面側21を向けた電気光学装置用基板2を複数枚、平面的に配列するように配置し、電気光学装置用基板2に流体圧を印加して電気光学装置用基板2を凹部220内に押し付ける。それには、ヘッドから電気光学装置用基板2に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を電気光学装置用基板2に被せ、この隔膜によって仕切られた2つの空間のうち、電気光学装置用基板2が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給すればよい。このように構成すると、電気光学装置用基板2の各々に均一な力をかけることができる。
Next, in the
次に、溶融していたワックス250を25℃の温度にまで自然冷却あるいは強制冷却し、ワックス250を固化させる。その結果、図5(C)に示すように、電気光学装置用基板2は、他方面側22を上に向けて、定盤210の凹部220内にワックス250を介して固定される。
Next, the melted
次に、薄型化工程を行う。それには、研磨用ヘッド280を電気光学装置用基板2の上方位置に配置し、そこで研磨用ヘッド280を軸線周りに回転させる一方、研磨用ヘッド280とは異なる速度で定盤210も回転させ、この状態で、研磨用ヘッド280と電気光学装置用基板2との間に砥粒の懸濁液を供給しながら、かつ、矢印Pで示すように、研磨用ヘッド280に約150g/cm2程度の荷重をかけながら、電気光学装置用基板2の対向基板20の表面を約7.2μm/分の速度で研磨し、0.5mmから25μmの厚さにまで薄型化する(ラッピング工程)。
Next, a thinning process is performed. For this purpose, the polishing
次に、ポリッシング工程として、図5(D)に示すように、研磨用ヘッド280の下端部に柔らかい研磨布281を取り付け、研磨用ヘッド280と電気光学装置用基板2との間に砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、かつ、矢印Pで示すように、研磨用ヘッド280に約50g/cm2程度の荷重をかけながら、研磨した電気光学装置用基板2の他方面側22の表面を平滑化する。それにより、電気光学装置用基板2は、ガラスと同等の光透過率を有することになる。
Next, as a polishing step, as shown in FIG. 5D, a
次に、図6(A)に示すように、電気光学装置用基板2の他方面側22を洗浄する。次に、図6(B)に示すように、電気光学装置用基板2の他方面側22に接着剤30を塗布した後、図6(C)に示すように、電気光学装置用基板2の他方面側22に大型基板3を重ね、接着剤30を硬化させる。その際も、大型基板3に対して流体圧を印加して、大型基板3を定盤210に向けて押し付け、電気光学装置用基板2と大型基板3との密着性を高める。大型基板3に対して流体圧を印加する方法としては、例えば、ヘッドから大型基板3に向けて圧縮空気を噴出する。また、弾性を備えた隔膜を大型基板3に被せ、この隔膜によって仕切られた2つの空間のうち、大型基板3が配置されている側とは反対側の空間内に空気や液体などの流体を供給してもよい。
Next, as shown in FIG. 6A, the
このようにして、定盤210上で複数枚の電気光学装置用基板2を大型基板3に対して接着剤30を介して貼り合わせて貼り合わせ基板10とした後、固化していたワックス250を、定盤210を介して間接的に、あるいは直接、約80℃の温度にまで加熱して溶融させ、図6(D)に示すように、電気光学装置用基板2(貼り合わせ基板10)を定盤210の凹部220内から取り外す。
In this manner, the plurality of electro-
次に、保護フィルム6に対してUV光を照射し、図6(E)に示すように、保護フィルム6を剥がす。その際、粘着材層63も電気光学装置用基板2の一方面側21から完全に除去される。次に、貼り合わせ基板10に洗浄を行う。
Next, the
このようにして、図7(A)に示す貼り合わせ基板10を製作した後、発光機能層形成工程を行う。それには、図7(B)に一点鎖線で示すインクジェットヘッド9と電気光学装置用基板2とを相対移動させながら、電気光学装置用基板2において隔壁112で囲まれた領域内に向けて正孔注入/輸送層110aを構成するための液状組成物を選択的に吐出、塗布した後、熱処理を行って正孔注入/輸送層110aを形成する。同様に、インクジェットヘッド9と電気光学装置用基板2とを相対移動させながら、電気光学装置用基板2において隔壁112で囲まれた領域内に向けて、所定色に対応する発光層110bを構成するための液状組成物を吐出、塗布した後、熱処理を行って発光層110bを形成する。ここで、正孔注入/輸送層110aを形成するための液状組成物は、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)、ポリアニリン、ポリピロールなどの導電性高分子、MTDATA、フェニルアミン誘導体、銅フタロシアニンなどの溶液もしくは分散液である。また、発光層110bを形成するための液状組成物は、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などの溶液もしくは分散液である。
In this manner, after the bonded
次に、蒸着法などにより、図3に示すように、カルシウム層12a、およびアルミニウム層12bを順次形成する。その際、大型の製造装置を用いず、広い面積に対して選択的にカルシウム層12a、およびアルミニウム層12bを形成することを目的に端子形成領域など、外周部分を所定の部材で覆った状態で蒸着などを行う。
Next, as shown in FIG. 3, a
次に、図6(F)に示すように、封止樹脂40を介して封止基板4を貼り付けてモジュール1’を形成し、このモジュール1’を用いて、図1(A)、(B)に示す有機EL表示装置1を製造する。
Next, as shown in FIG. 6 (F), a sealing
なお、大型基板3や封止基板4については、レーザを照射して切断し、所定のサイズに調整することもある。また、図6(E)、(F)に示す状態にように、複数枚の電気光学装置用基板2と大型基板3とを貼り合わせて貼り合わせ基板10とした後、あるいは、電気光学装置用基板2を挟むように大型基板3および封止基板40を積層してモジュール1’とした後、封止基板4あるいは大型基板3に研磨を施して封止基板4あるいは大型基板3を薄型化してもよい。この場合も、図5(B)、(C)、(D)に示すように、研磨装置200において、貼り合わせ基板10あるいはモジュール1’をワックス250により定盤210に固定し、しかる後、前記したラッピング工程およびポリッシング工程を行えばよい。
In addition, about the large sized board |
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、電気光学装置用基板2を薄型化するにあたって、電気光学装置用基板2に所定の工程を施した後に薄型化するため、それまでは電気光学装置用基板2が厚い。このため、電気光学装置用基板2としてガラス基板などの硬質基板を用い、かつ、電気光学装置用基板2を、例えば、100μm以下、さらには、50μm以下にまで薄型化した場合でも、製造工程中に電気光学装置用基板2が割れるおそれがない。しかも、複数枚の電気光学装置用基板2を一括して研磨するので、効率がよい。
(Main effects of this form)
As described above, in this embodiment, when the electro-
また、電気光学装置用基板2の薄型化を、化学エッチングではなく、研磨により行うので、電気光学装置用基板2の表面が荒れることもない。しかも、電気光学装置用基板2には多数の端子20が形成されているが、化学エッチングと違って、研磨の場合、電気光学装置用基板2の片面を選択的に研磨できるので、端子20が損傷することもない。
Further, since the electro-
さらに、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置用基板2を定盤210上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックス250を溶融させるだけで電気光学装置用基板2を定盤210から取り外すことができる。しかも、ワックス250による固定であれば、固定するための応力が電気光学装置2の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板2が割れることもない。
Furthermore, the electro-
さらに、研磨により複数枚の電気光学装置用基板2の表面が揃うので、定盤210上で複数枚の電気光学装置用基板2と大型基板3とを容易に、かつ、高い精度で貼り合わせることができる。
Further, since the surfaces of the plurality of electro-
また、本形態では、TFT123、124の形成や画素電極111の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、大型基板4への貼り合わせ工程の前に行い、貼り合わせ工程の後、有機EL素子101の発光機能層110を形成する際には、任意の位置への塗布を容易に行うことのできるインクジェット法を採用する。このため、有機EL素子101の発光機能層110を、複数枚の電気光学装置用基板2を平面的に並べた広い領域に形成する場合でも、製造装置の大型化や歩留まりの低下などが発生しない。
In this embodiment, processes that require laser annealing, photolithography technology, and the like, such as the formation of
また、本形態においては、貼り合わせ工程を行う前に、電気光学装置用基板2の基板辺をレーザにより切断するレーザ切断工程を行うため、有機EL表示装置1を組み立てた状態で電気光学装置用基板2同士を高い位置精度をもって接合できる。従って、インクジェット法により発光機能層110を形成する際、電気光学装置用基板2上の所定位置に高い精度をもって発光機能層110を形成することができる。
Further, in this embodiment, since the laser cutting step of cutting the substrate side of the electro-
さらに、本形態では、電気光学装置用基板2の一方面側21に保護フィルム6を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、薄型化工程や貼り合わせ工程の際、異物の付着や外力によるTFT123、124などの損傷を防止できる。しかも、電気光学装置用基板2の一方面側21に保護フィルム6を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、電気光学装置用基板2の一方面側21を定盤210に向けて電気光学装置用基板2を配列して大型基板3と貼り合わせても、電気光学装置用基板2の一方面側21に異物の付着や損傷などが発生しない。
Furthermore, in this embodiment, the bonding process is performed in a state where the
また、電気光学装置用基板2の保護フィルム6が形成されている一方面側21を基準に大型基板3との貼り合わせを行うので、インクジェット法により発光機能層110を形成する際、インクジェットヘッド9から電気光学装置用基板2の一方面側21との距離がいずれの電気光学装置用基板2においても一定である。それ故、インクジェットヘッド9から液滴の飛弾距離がいずれの電気光学装置用基板2でも一定であるので、飛弾距離のばらつきに起因する発光機能層110の形成位置や輝度などのばらつきを防止することができ、品位の高い画像を表示することができる。
In addition, since bonding to the
また、貼り合わせ工程では、流体圧を大型基板3に加えて大型基板3を定盤210に向けて押し付けて、電気光学装置用基板2と大型基板3とを貼り合わせるので、大型基板3および電気光学装置用基板2に均一な力が加わる。従って、いずれの電気光学装置用基板2も大型基板3に対して同一条件で貼り合わせることができる。それ故、EL表示装置1を形成した状態における電気光学装置用基板2の厚さ方向における位置ばらつきなどを防止できるので、品位の高い画像を表示することができる。
In the bonding step, the fluid pressure is applied to the
[実施の形態1の変形例]
図8に示すように、保護フィルム6として、フィルム基材61に隔壁112の高さよりも厚い粘着剤層63を備えたUVフィルムを用いれば、保護フィルム6を電気光学装置用基板2の一方面側21に貼った際、電気光学装置用基板2と保護フィルム6との間への気泡の侵入を防止できる。従って、保護フィルム6の表面に気泡に起因する凹凸が発生しないので、電気光学装置用基板2と大型基板3とを貼り合わせた際、電気光学装置用基板2の一方面側21の位置を高い精度で揃えることができる。それ故、インクジェット法により、発光機能層110を安定して形成することができるとともに、有機EL表示装置1を構成した状態における電気光学装置用基板2の厚さ方向における位置ばらつきを防止できる。それ故、品位の高い画像を表示することができる。
[Modification of Embodiment 1]
As shown in FIG. 8, if a UV film provided with a pressure-
また、図9(A)に示すように、保護フィルム6には、フィルム基材61に、発光機能層110を形成するための液状組成物に対する撥液材層64を追加し、かつ、粘着剤層63については隔壁112の高さよりも薄くしておけば、保護フィルム6を除去した際、図9(B)に示すように、インクジェット法における液状組成物の塗布領域の周囲、すなわち、隔壁112の上端側に撥液材層64を転写することができる。従って、電気光学装置用基板2の一方面側21に対して、フッ素化合物を用いたプラズマ処理などといった格別な撥液処理を行わなくてもよいので、製造工程の簡素化を図ることができる。
Further, as shown in FIG. 9A, the
なお、上記形態では有機EL表示装置1を例にとったが、他の自発光型素子を用いた自発光型電気光学装置の製造に本発明を適用してもよい。
In the above embodiment, the organic
[実施の形態2]
上記実施の形態1は、1枚の電気光学装置用基板に電気光学物質を保持した有機EL表示装置に本発明を適用した例であったが、図10(A)、(B)に示すように、2枚の電気光学装置用基板の間に電気光学物質を保持した液晶装置に本発明を適用してもよい。
[Embodiment 2]
図10(A)、(B)は、本発明の実施の形態2に係る液晶装置を対向基板の側から見た斜視図、および断面図である。
10A and 10B are a perspective view and a cross-sectional view of the liquid crystal device according to
図10(A)、(B)に示すように、液晶装置500では、矩形枠状に塗布されたシール材552により貼り合わされたTFTアレイ基板510(電気光学装置用基板)と対向基板520(電気光学装置用基板)との間に電気光学物質としての液晶550が保持されている。TFTアレイ基板510は、対向基板520より大きく、対向基板520からの張り出し領域512には、多数の端子514がTFTアレイ基板510の一辺に沿って形成されている。なお、駆動用ICがTFTアレイ基板510上にCOG実装することもあるが、このような場合でも、張り出し領域512に端子514が形成される。
As shown in FIGS. 10A and 10B, in the
TFTアレイ基板510には、画素スイッチング用のTFTとともに画素電極559がマトリクス状に形成されている。対向基板520には、TFTアレイ基板510の画素電極559の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜523が形成され、その上層側には、ITO膜からなる対向電極521が形成されている。なお、液晶装置500をカラー表示用として構成する場合には、対向基板520において、TFTアレイ基板510の各画素電極559に対向する領域にRGBのカラーフィルタをその表面保護膜とともに形成する。
On the
このような構成の液晶装置500においても、例えば、複数枚、平面的に並べて大型基板と貼り合わせれば、30インチを越えるような大型表示装置(電気光学装置)を形成することができる。その際、液晶装置500を構成するTFTアレイ基板510および対向基板520を、例えば25μmまで薄型化して、大型表示装置の薄型化、軽量化などを図る際には、図5(B)、(C)、(D)に示すように、研磨装置200において、複数枚の液晶装置200をワックス250により定盤210に固定し、しかる後、前記したラッピング工程およびポリッシング工程を行ってTFTアレイ基板510および対向基板520を薄型化すればよい。また、TFTアレイ基板510および対向基板520を薄型化した後の液晶装置500を大型基板と貼り合わせる際には、図6(B)、(C)を参照して説明したように、定盤210上で複数枚の液晶装置500と大型基板とを貼り合わせればよい。また、液晶装置500と貼り合せた大型基板についても、図5(B)、(C)、(D)に示すように、研磨装置200においてワックス250により定盤210に固定し、しかる後、前記したラッピング工程およびポリッシング工程を行って大型基板を薄型化すればよい。
Also in the
(本形態の主な効果)
本形態では、画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、小さな基板のまま行うことができ、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化が防げる。また、基板の大型化に起因する歩留まりの低下も発生しない。
(Main effects of this form)
In this embodiment, processes that require laser annealing or photolithography technology, such as formation of pixel switching elements and liquid crystal pixel electrodes, can be performed with a small substrate, and are expensive such as a vacuum apparatus and an exposure apparatus. Large semiconductor devices can be prevented. Further, the yield is not reduced due to the increase in size of the substrate.
さらには、貼り合わせによる表示の大型化、研磨による基板の軽量化の工程は、前記小型パネルの組立の後に行なうので、画素スイッチング素子などが形成されている面や端子を異物や損傷から保護し、表示の信頼性向上が図れる。また、ワックスによる固定・取り外しの際の加熱溶融温度は約80度の低温で行えるため、液晶に対する影響も無く信頼性が保持される。 Furthermore, the process of enlarging the display by bonding and reducing the weight of the substrate by polishing is performed after the assembly of the small panel, so that the surface and terminals on which the pixel switching elements are formed are protected from foreign matter and damage. The display reliability can be improved. In addition, since the heating and melting temperature at the time of fixing / removing with wax can be performed at a low temperature of about 80 ° C., reliability is maintained without affecting the liquid crystal.
[実施の形態3]
図11は、本発明を液晶表示装置に適用した実施の形態3に係る液晶パネルの製造課程途中を示した斜視図である。
[Embodiment 3]
FIG. 11 is a perspective view showing the course of the manufacturing process of the liquid crystal panel according to
液晶装置500は、前記実施の形態2の図10(A)、(B)で示したように、矩形枠状に塗布されたシール材552により貼り合わされたTFTアレイ基板510(電気光学装置用基板)と対向基板520(電気光学装置用基板)との間に電気光学物質としての液晶550を保持する構造となっている。TFTアレイ基板510には、画素スイッチング用のTFTとともに画素電極559がマトリクス状に形成されている。対向基板520には、TFTアレイ基板510の画素電極559の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプと称せられる遮光膜523が形成され、その上層側には、ITO膜からなる対向電極521が形成されている。
As shown in FIGS. 10A and 10B of the second embodiment, the
このような構成の液晶装置500において、中小型の基板を複数枚、平面的に並べて大型基板と貼り合わせれば、30インチを越えるような大型表示装置(電気光学装置)を形成することができる。またその際、液晶装置500を構成するTFTアレイ基板510および対向基板520を薄型化して、大型表示装置の薄型化、軽量化を図ることができる。なお、本実施の形態3は前述した実施の形態1の有機EL表示装置の製造方法と工程を全く同じとする所があるため、説明を簡略化する。
In the
図5において、画素スイッチング用TFTおよび画素電極の形成が終了した液晶表示装置用のTFTアレイ基板510、すなわち図5(A)では電気光学装置用基板2の一方面側21に先ず保護フィルム6を貼着する(保護フィルム貼着工程)。保護フィルム6は、電気光学装置用基板2の一方面側21のうち、端子20が形成されている領域を除くように貼られているが、電気光学装置用基板2の全面を覆ってもよい。また、電気光学装置用基板2については、レーザ光を照射して保護フィルム6とともに切断し、電気光学装置用基板2の外形を調整することがよい。
In FIG. 5, the
次に、図5(B)に示す研磨装置200において、電気光学装置用基板2に対する薄型化を行う。それには有機EL表示装置の場合と同様に、電気光学装置用基板2を複数枚、研磨装置200の定盤210上に並べて固定する(固定工程)。この研磨装置200は、電気光学装置用基板2が配置される部分にワックス250が充填されている。従って、ワックス250を約80℃の温度にまで加熱して溶融させた後、溶融したワックス250の表面に、電気光学装置用基板2を複数枚、平面的に配列するように配置し、電気光学装置用基板2に流体圧を印加して電気光学装置用基板2を凹部220内に押し付ける。それには、ヘッドから電気光学装置用基板2に向けて圧縮空気を噴出する。このようにすると、電気光学装置用基板2の各々に均一な力をかけることができる。次に、溶融していたワックス250を25℃の温度にまで冷却し、ワックス250を固化させる。
Next, in the
次に、固定された基板の薄型化を行う。それには、研磨用ヘッド280を電気光学装置用基板2の上に配置し、そこで研磨用ヘッド280を軸線周りに回転させる一方、定盤210も回転させ、この状態で、研磨用ヘッド280と電気光学装置用基板2との間に砥粒の懸濁液を供給しながら、電気光学装置用基板2の表面22を約7.2μm/分の速度で研磨し薄型化する(ラッピング工程)。
Next, the fixed substrate is thinned. For this purpose, the polishing
次に、ポリッシング工程は、図5(D)に示すように、研磨用ヘッド280の下端部に柔らかい研磨布281を取り付け、研磨用ヘッド280と電気光学装置用基板2との間に砥粒の懸濁液を必要に応じて供給しながら、研磨した電気光学装置用基板2の他方面側22の表面を平滑化する。
Next, in the polishing step, as shown in FIG. 5D, a
次に、図6(A)に示すように、電気光学装置用基板2の他方面側22を洗浄する。次に、図6(B)に示すように、電気光学装置用基板2の他方面側22に接着剤30を塗布した後、図6(C)に示すように、電気光学装置用基板2の他方面側22に大型基板3を重ね、接着剤30を硬化させる。その際も、大型基板3に対して流体圧を印加して、大型基板3を定盤210に向けて押し付け、電気光学装置用基板2と大型基板3との密着性を高める。大型基板3に対して流体圧を印加する方法としては、例えば、ヘッドから大型基板3に向けて圧縮空気を噴出する。
Next, as shown in FIG. 6A, the
このようにして、定盤210上で複数枚の電気光学装置用基板2を大型の貼り合わせ基板10とした後、固化していたワックス250を約80℃の温度にまで加熱溶融させ、図6(D)に示すように、貼り合わせ基板10を定盤から取り外す。次に、保護フィルム6にUV光を照射し保護フィルム6を剥がし、貼り合わせ基板10の洗浄を行う。(図6(E))なお、大型基板3の薄型化をさらに行うには、貼り合わせ工程後、研磨薄型化を行ない、しかる後貼り合わせ基板10を定盤から取り外す。
In this way, after the plurality of electro-
次に、液晶パネルを形成するための大型の対向基板560との貼り合わせを行う。図11に示すように、個別のTFTアレイ基板の外周、あるいは対向基板560の外周に対応する部分(図示せず)に、シール材552を塗布した後、対向基板560で蓋をするように貼り合わせ、液晶を注入する空間を作る。なお、この空間には散布された球状のギャップ材、あるいは予め設置された貝柱状の樹脂があり、この貼り合わせの際、対向基板560に一定の圧力をかけることによって間隔が一定になる。また、上記シール材552の一部には切り欠きを設けておき、ここから液晶を真空注入法により充填する。充填後はエポキシ系接着剤等により穴の封止をする。また、最近は液晶滴下法による液晶の充填も行われ、この際にはシールの切り欠きは不要であり、穴封止もない。
Next, bonding with a
このようにして作製された液晶パネルをさらに軽量化するため、張り合わせた対向基板560の薄型化を行ってもよい。その際には、前述した研磨装置200を用い、図5の手順に従い行う。薄型化工程は、上記の繰り返しになるため説明を割愛する。
In order to further reduce the weight of the manufactured liquid crystal panel, the bonded
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、電気光学装置用基板2を薄型化するにあたって、電気光学装置用基板2に所定の工程を施した後に薄型化するため、製造工程中に電気光学装置用基板2が割れるおそれがない。しかも、複数枚の電気光学装置用基板2を一括して研磨するので、効率がよい。さらに、溶融していたワックスを固化させるだけで電気光学装置用基板2を定盤210上に固定することができ、研磨が終了した後、ワックス250を溶融させるだけで電気光学装置用基板2を定盤210から取り外すことができる。しかも、固定するための応力が電気光学装置2の一部分に集中することがないので、電気光学装置用基板2が割れることもない。
(Main effects of this form)
As described above, in this embodiment, when the electro-
さらに、本形態では画素スイッチング用素子の形成や液晶用の画素電極の形成など、レーザアニールやフォトリソグラフィ技術などが必要なプロセスについては、小型基板のまま研磨薄型化を行い、大型基板への貼り合わせの後、複数枚の小型基板から構成される大型液晶パネルの組立を行う。このため、真空装置、露光装置など高価な半導体装置の大型化や、基板の大型化に起因する歩留まりの低下などが発生しない。 Furthermore, in this embodiment, processes that require laser annealing or photolithography technology, such as the formation of pixel switching elements and the formation of pixel electrodes for liquid crystals, are thinned and thinned on a small substrate and attached to a large substrate. After the alignment, a large liquid crystal panel composed of a plurality of small substrates is assembled. For this reason, there is no increase in the size of expensive semiconductor devices such as vacuum devices and exposure devices, and a decrease in yield due to the increase in size of the substrate.
さらに、研磨により複数枚の電気光学装置用基板2の表面が揃うので、定盤210上で複数枚の電気光学装置用基板2と大型基板3とを容易に、かつ、高い精度で貼り合わせることができる。
Further, since the surfaces of the plurality of electro-
さらに、本形態では、電気光学装置用基板2の一方面側21に保護フィルム6を貼着した状態で貼り合わせ工程を行うため、薄型化工程や貼り合わせ工程の際、異物の付着や外力によるTFT123、124などの損傷を防止できる。
Furthermore, in this embodiment, the bonding process is performed in a state where the
また、貼り合わせ工程では、流体圧を大型基板3に加えて大型基板3を定盤210に向けて押し付けて、電気光学装置用基板2と大型基板3とを貼り合わせるので、大型基板3および電気光学装置用基板2に均一な力が加わる。従って、いずれの電気光学装置用基板2も大型基板3に対して同一条件で貼り合わせることができる。
In the bonding step, the fluid pressure is applied to the
[電子機器への適用]
本発明を適用した電気光学装置は、30インチを越えるような大画面を備えた電子機器に搭載されるのが最も好適であるが、この他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、モバイルコンピュータ、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、あるいは携帯電話機、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなど、大、中、小いずれの表示装置を有する電子機器にも適用できる。
[Application to electronic devices]
The electro-optical device to which the present invention is applied is most preferably mounted on an electronic device having a large screen exceeding 30 inches. In addition, a multimedia-compatible personal computer (PC), mobile computer, etc. Engineering workstation (EWS), pager or mobile phone, word processor, TV, viewfinder type or monitor direct view type video recorder, electronic notebook, electronic desk calculator, car navigation device, POS terminal, touch panel, etc. The present invention can also be applied to electronic devices having any small display device.
1 有機EL表示装置(自発光型電気光学装置)、2 電気光学装置用基板(TFTアレイ基板)、3 大型基板、4 封止基板、6 保護フィルム、9 インクジェットヘッド、101 有機EL素子、110 発光機能層、111 画素電極、123、124 TFT、200 研磨装置、210 定盤、220 定盤の凹部、250 ワックス、280 研磨用ヘッド、500 液晶装置(電気光学装置)、510 TFTアレイ基板(電気光学装置用基板)、520 対向基板(電気光学装置用基板)。
DESCRIPTION OF
Claims (19)
この状態で、前記電気光学装置用基板の表面を研磨して当該電気光学装置用基板を薄型化する薄型化工程とを行い、
前記薄型化工程を行った後、ワックスを加熱溶融させて前記電気光学装置用基板を前記定盤上から外すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A fixing step of fixing the electro-optical device substrate on a surface plate with wax after performing a predetermined step on the electro-optical device substrate for holding the electro-optical material;
In this state, the surface of the electro-optical device substrate is polished to reduce the thickness of the electro-optical device substrate.
After the thinning step, the electro-optical device manufacturing method is characterized in that wax is heated and melted to remove the electro-optical device substrate from the surface plate.
しかる後に、当該貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 4. The electro-optical device substrate according to claim 1, wherein the electro-optical device substrates on the surface plate are bonded to a large substrate, and the electro-optical device substrates are arranged in a plane on the large substrate. After performing the bonding step to be a bonded substrate, the wax is heated and melted to remove the bonded substrate from the surface plate,
Thereafter, an electro-optical device manufacturing method, wherein a plurality of electro-optical device substrates are planarly arranged on the large substrate using the bonded substrate.
前記電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記自発光素子の画素電極を形成した後、当該一方面側を前記定盤に向けて前記固定工程および前記薄型化工程を行って前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨し、
次に、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、
次に、前記ワックスを加熱して溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、
次に、前記貼り合わせ基板の状態で前記複数枚の電気光学装置用基板の一方面側に前記自発光素子の発光機能層を形成する発光機能層形成工程を行い、
しかる後に、前記貼り合わせ基板を用いて前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 4. The self-light emitting electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device substrate has a pixel switching element and a self-light emitting element formed in each of a large number of pixel regions arranged in a matrix. Board
After forming the pixel switching element and the pixel electrode of the self-luminous element on one side of the electro-optical device substrate, the fixing step and the thinning step are performed with the one side facing the surface plate. Polishing the other side of the plurality of electro-optic device substrates,
Next, a large substrate is bonded to the other surface side of the plurality of electro-optical device substrates on the surface plate, and the plurality of electro-optical device substrates are bonded in a plane on the large substrate. Perform the bonding process to make the substrate,
Next, the wax is heated and melted to remove the bonded substrate from the surface plate,
Next, a light emitting functional layer forming step of forming a light emitting functional layer of the self-light emitting element on one surface side of the plurality of electro-optical device substrates in the state of the bonded substrate,
Thereafter, an electro-optical device manufacturing method, wherein a plurality of electro-optical device substrates are planarly arranged on the large substrate using the bonded substrate.
前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記発光機能層形成工程を行う前に前記保護フィルムを貼り合わせ基板から除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 9. The electro-optical device substrate according to claim 6, wherein the pixel switching element and the pixel electrode are formed on one surface side of the electro-optical device substrate and then the fixing process is performed. Put a protective film on one side,
An electro-optical device manufacturing method, wherein the protective film is removed from the bonded substrate after the bonded substrate is removed from the surface plate and before the light emitting functional layer forming step.
前記保護フィルムは、フィルム基材の一方面側に前記隔壁の高さよりも厚い粘着剤層を備えていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 In Claim 9, before pasting the protective film on the one surface side of the electro-optical device substrate, a partition that defines an application region of the liquid composition is formed on the electro-optical device substrate,
The method for manufacturing an electro-optical device, wherein the protective film includes a pressure-sensitive adhesive layer that is thicker than a height of the partition wall on one side of a film base material.
前記保護フィルムには、フィルム基材の一方面側に、前記液状組成物に対する撥液材層と、前記隔壁の高さよりも薄い粘着剤層と形成しておき、
前記保護フィルムを除去した際、前記液状組成物の塗布領域の周囲に前記撥液材層を転写することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 In Claim 9, before pasting the protective film on the one surface side of the electro-optical device substrate, a partition that defines an application region of the liquid composition is formed on the electro-optical device substrate,
In the protective film, on one side of the film substrate, a liquid repellent material layer for the liquid composition and an adhesive layer thinner than the height of the partition walls are formed,
When the protective film is removed, the liquid repellent material layer is transferred around the application area of the liquid composition.
当該電気光学装置用基板と対向基板の間に液晶材料を保持した液晶パネルを形成した後、前記対向基板側をワックスにより前記定盤へ固定する固定工程、あるいは、前記電気光学装置用基板側を研磨する薄型化工程、あるいは、前記大型基板と前記電気光学装置用基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程を行うこと、
を特徴とする電気光学装置の製造方法。 4. The electro-optical device substrate according to claim 1, wherein the electro-optical device substrate includes at least a pixel switching element and a pixel electrode in each of a large number of pixel regions arranged in a matrix. And
After forming the liquid crystal panel holding the liquid crystal material between the electro-optical device substrate and the counter substrate, the fixing step of fixing the counter substrate side to the surface plate with wax, or the electro-optical device substrate side Performing a thinning process for polishing, or a bonding process for bonding the large substrate and the substrate for an electro-optical device;
A method for manufacturing an electro-optical device.
当該電気光学装置用基板の一方面側に前記画素スイッチング用素子、および前記液晶素子の画素電極を形成した後、当該一方面側を前記定盤に向けて前記固定工程および前記薄型化工程を行って前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側を研磨し、
次に、前記定盤上の前記複数枚の電気光学装置用基板の他方面側に大型基板を貼り合わせて、当該大型基板上で前記複数枚の電気光学装置用基板が平面的に配列された貼り合わせ基板とする貼り合わせ工程を行い、
次に、前記ワックスを加熱して溶融させて前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外し、
しかる後、当該貼り合わせ基板と対向基板から液晶材料を保持した液晶パネルの作製を行い、前記大型基板上に前記電気光学装置用基板が複数枚、平面的に配列された電気光学装置を製造すること、
を特徴とする電気光学装置の製造方法。 4. The electro-optical device substrate according to claim 1, wherein the electro-optical device substrate includes a pixel switching element and a liquid crystal element formed in each of a large number of pixel regions arranged in a matrix. ,
After forming the pixel switching element and the pixel electrode of the liquid crystal element on one surface side of the electro-optic device substrate, the fixing step and the thinning step are performed with the one surface side facing the surface plate. Polishing the other surface side of the plurality of electro-optic device substrates,
Next, a large substrate is bonded to the other surface side of the plurality of electro-optical device substrates on the surface plate, and the plurality of electro-optical device substrates are planarly arranged on the large substrate. Perform the bonding process to make the bonded substrate,
Next, the wax is heated and melted to remove the bonded substrate from the surface plate,
Thereafter, a liquid crystal panel holding a liquid crystal material from the bonded substrate and the counter substrate is manufactured, and an electro-optical device in which a plurality of the substrates for the electro-optical device are arrayed on the large substrate is manufactured. about,
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記貼り合わせ基板を前記定盤上から外した後、前記対向基板の貼り合わせ工程を行う前に前記保護フィルムを前記貼り合わせ基板から除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 14. The method according to claim 13, wherein after the pixel switching element and the pixel electrode are formed on one surface side of the electro-optical device substrate, the one surface side of the electro-optical device substrate is protected when the fixing step is performed. Put a film,
An electro-optical device manufacturing method, wherein after removing the bonded substrate from the surface plate, the protective film is removed from the bonded substrate before performing the bonding step of the counter substrate.
An electronic apparatus comprising the electro-optical device defined in claim 18.
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