JP2005252071A

JP2005252071A - Semiconductor package and laser using the same

Info

Publication number: JP2005252071A
Application number: JP2004062222A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Ijima; 新一井島
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2004-03-05
Filing date: 2004-03-05
Publication date: 2005-09-15
Anticipated expiration: 2024-03-05
Also published as: JP4044907B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package and a semiconductor laser using the same which is manufacturable at a low cost by injection forming a resin compound and has a high heat radiating function and a superior electric insulation between electrode terminals. <P>SOLUTION: The semiconductor package for semiconductor lasers has a plurality of electrode terminals, an element mount, and a package body for holding the electrode terminals and the element mount. The body is the injection molding of a resin compound having a thermal and electric conductivities, and an electric insulation layer is inserted at the body and portions of the electrode terminals and the element mount held on the body. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体レーザ素子を収納するための半導体収納容器、および、当該半導体収納容器を用いた半導体レーザ装置に関するものであり、特に、樹脂モールドによって成形される半導体収納容器、および、樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor storage container for storing a semiconductor laser element, and a semiconductor laser device using the semiconductor storage container, and in particular, a semiconductor storage container molded by a resin mold, and a resin mold type The present invention relates to a semiconductor laser device.

従来から、光ピックアップの光源として、半導体レーザ装置が利用されている。半導体レーザ装置をパッケージタイプで分類すると、金属製パッケージ部材を組み立ててなるキャンタイプと、樹脂を射出成形してなる樹脂モールドタイプとに大別することができる。
図１１（ａ），（ｂ）は、キャンタイプの半導体レーザ装置の一例を示す図である。図１１（ａ）が、当該半導体レーザ装置を示す側面断面図、図１１（ｂ）が、図１１（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面矢視図である。 Conventionally, a semiconductor laser device has been used as a light source of an optical pickup. When semiconductor laser devices are classified by package type, they can be broadly classified into a can type in which metal package members are assembled and a resin mold type in which resin is injection-molded.
FIGS. 11A and 11B are diagrams illustrating an example of a can-type semiconductor laser device. FIG. 11A is a side sectional view showing the semiconductor laser device, and FIG. 11B is a sectional view taken along the line CC of FIG. 11A.

図１１（ａ），（ｂ）に示す半導体レーザ装置１００において、１０１は、円盤状の金属ステムである。金属ステム１０１は、一方の円形面側に素子搭載部１０２を備え、他方の円形面側に搭載部用の電極端子１０３および配線用の電極端子１０４を備えている。
搭載部用の電極端子１０３は、その一方の端部が金属ステム１０１の貫通孔１０５に挿入された状態で、当該金属ステム１０１に溶接されているとともに、当該端部の端面が、素子搭載部１０２に接合されている。配線用の電極端子１０４は、その一方の端部が金属ステム１０１を貫通して反対側に突出した状態となるよう当該金属ステム１０１の貫通孔１０５に挿入され、当該電極端子１０４と当該貫通孔１０５との隙間がガラス材１０６で封止されて、当該金属ステム１０１に固定されている。 In the semiconductor laser device 100 shown in FIGS. 11A and 11B, reference numeral 101 denotes a disk-shaped metal stem. The metal stem 101 includes an element mounting portion 102 on one circular surface side, and includes an electrode terminal 103 for mounting portion and an electrode terminal 104 for wiring on the other circular surface side.
The electrode terminal 103 for the mounting portion is welded to the metal stem 101 in a state in which one end portion is inserted into the through hole 105 of the metal stem 101, and the end surface of the end portion is the element mounting portion. 102. The electrode terminal 104 for wiring is inserted into the through hole 105 of the metal stem 101 so that one end of the electrode terminal 104 penetrates the metal stem 101 and protrudes to the opposite side. A gap with 105 is sealed with a glass material 106 and fixed to the metal stem 101.

素子搭載部１０２の上面には、ヒートシンク１０７を介してＬＤチップ１０８が搭載されている。当該ＬＤチップ１０８と配線用の電極端子１０４とは、ワイヤ１０９を介して電気的に接続されている。
金属ステム１０１には、素子搭載部側の円形面に、ＬＤチップ１０８を覆うようにして、略円筒形の金属キャップ１１０が装着されている。当該金属キャップ１１０の金属ステム１０１側の端面は、金属ステム１０１の円形面に溶接されている。 An LD chip 108 is mounted on the upper surface of the element mounting portion 102 via a heat sink 107. The LD chip 108 and the wiring electrode terminal 104 are electrically connected via a wire 109.
A substantially cylindrical metal cap 110 is attached to the metal stem 101 so as to cover the LD chip 108 on a circular surface on the element mounting portion side. The end surface of the metal cap 110 on the metal stem 101 side is welded to the circular surface of the metal stem 101.

金属キャップ１１０には、金属ステム１０１とは反対側の開口部１１１に、円盤状のカバーガラス１１２が接着されている。ＬＤチップ１０８のレーザ光１１３は、カバーガラス１１２を透過して、金属ステム１０１の円形面に対して垂直な方向に向けて出射される。
上記のようなキャンタイプの半導体レーザ装置１００は、金属ステム１０１や金属キャップ１１０を使用するため原材料費が高く、また、電極端子１０３，１０４を突設したり金属キャップを金属ステム１０１に溶接したりする煩雑な工程も必要であるため、生産コストが高いという問題点を有していた。 A disc-shaped cover glass 112 is bonded to the metal cap 110 at an opening 111 opposite to the metal stem 101. The laser beam 113 of the LD chip 108 passes through the cover glass 112 and is emitted in a direction perpendicular to the circular surface of the metal stem 101.
The can-type semiconductor laser device 100 as described above uses a metal stem 101 and a metal cap 110, so that the raw material cost is high. In addition, the electrode terminals 103 and 104 are protruded or the metal cap is welded to the metal stem 101. In addition, a complicated process is also required, which has a problem of high production cost.

そこで、ＬＤチップを樹脂パッケージで封止することにより、構造を簡略化して生産コストを低減させた樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置が開発されている。このような樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置は、樹脂を射出成形して一度に複数の樹脂パッケージを形成することが出来るため、キャンタイプの半導体レーザ装置１００と比較して生産コストが格段に低い。 Therefore, a resin mold type semiconductor laser device has been developed in which the LD chip is sealed with a resin package to simplify the structure and reduce the production cost. Such a resin mold type semiconductor laser device is capable of forming a plurality of resin packages at a time by injection molding a resin, so that the production cost is significantly lower than that of the can type semiconductor laser device 100.

下記の特許文献１には、図１２（ａ），（ｂ）に示す従来の樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置が開示されている。図１２（ａ）が、当該半導体レーザ装置を示す平面断面図、図１２（ｂ）が、図１２（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面矢視図である。
図１２（ａ），（ｂ）に示す半導体レーザ装置２００において、２０１は、ＬＤチップである。当該ＬＤチップ２０１は、ヒートシンク２０２を介して、素子搭載部２０３の上面に搭載されている。 Patent Document 1 below discloses a conventional resin mold type semiconductor laser device shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b). 12A is a plan cross-sectional view showing the semiconductor laser device, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 12A.
In the semiconductor laser device 200 shown in FIGS. 12A and 12B, 201 is an LD chip. The LD chip 201 is mounted on the upper surface of the element mounting portion 203 via the heat sink 202.

素子搭載部２０３は、略方形板状であって、その下面には膨出部分２０４が形成されている。また、当該素子搭載部２０３には、その長手方向一方の端部に、搭載部用の電極端子２０５が接合されている。
搭載部用の電極端子２０５を挟んだ両側には、一対の配線用の電極端子２０６が、当該搭載部用の電極端子２０５と並列に配置されている。当該配線用の電極端子２０６には、ＬＤチップ２０１に近い側の端部に、それぞれ接合部２０７が形成されており、当該ＬＤチップ２０１と、一方の接合部２０７とが、金属ワイヤ２０８を介して電気的に接続されている。 The element mounting portion 203 has a substantially square plate shape, and a bulging portion 204 is formed on the lower surface thereof. The element mounting portion 203 has a mounting portion electrode terminal 205 bonded to one end in the longitudinal direction thereof.
A pair of wiring electrode terminals 206 are arranged in parallel with the mounting part electrode terminals 205 on both sides of the mounting part electrode terminals 205. In the electrode terminal 206 for wiring, a joint portion 207 is formed at an end portion on the side close to the LD chip 201, and the LD chip 201 and one joint portion 207 are connected via a metal wire 208. Are electrically connected.

素子搭載部２０３および電極端子２０５，２０６に対しては、樹脂パッケージ２０９がインサート成形されている。当該樹脂パッケージ２０９によって、半導体レーザ素子２０６の下面および三方の側面が覆われており、ＬＤチップのレーザ光２１０は、開放された残り一方の側面から素子搭載部２０３の長手方向に沿った方向へ向けて出射される。
樹脂パッケージ２０９の下面からは、素子搭載部２０３の膨出部分２０４が露出している。したがって、当該膨出部分２０４の下端部を、図示しない金属放熱板や光ピックアップの光学基台に当接することができ、放熱経路を確保することが出来る。すなわち、ＬＤチップ２０１で発生した熱は、主に、ヒートシンク２０２および素子搭載部２０３を介して、金属放熱板や光学基台へと伝播し放散される。これに対して、樹脂パッケージ２０９は、熱伝導率の低い樹脂製の部材であるため、殆ど放熱機能に寄与しない。
特開平１１−３０７８７１号公報 A resin package 209 is insert-molded with respect to the element mounting portion 203 and the electrode terminals 205 and 206. The resin package 209 covers the lower surface and three side surfaces of the semiconductor laser element 206, and the laser light 210 of the LD chip travels in the direction along the longitudinal direction of the element mounting portion 203 from the other open side surface. It is emitted toward.
From the lower surface of the resin package 209, the bulging portion 204 of the element mounting portion 203 is exposed. Therefore, the lower end portion of the bulging portion 204 can be brought into contact with a metal heat radiating plate (not shown) or an optical base of the optical pickup, and a heat radiation path can be secured. That is, the heat generated in the LD chip 201 is propagated and dissipated mainly to the metal heat radiating plate and the optical base via the heat sink 202 and the element mounting portion 203. On the other hand, since the resin package 209 is a resin member having a low thermal conductivity, it hardly contributes to the heat dissipation function.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-307871

近年の光記録媒体は年々高速記録化が進んでおり、搭載される半導体レーザ装置の発熱は非常に大きいものとなっている。更には次世代光記録媒体として提案されている青紫色半導体レーザ素子では、物理的に動作電圧が高いために消費電力が高く発熱も非常に大きいものとなる。
さらに、半導体収納容器内に電流電圧変換回路や演算回路を含む受光素子回路基板を収納した構造の半導体レーザ装置が製造されている。このような半導体レーザ装置は、データ処理の多様化に伴い演算回路の規模が年々大きくなっており、回路に起因する発熱量も大きくなっている。 In recent years, the recording speed of optical recording media has been increasing year by year, and the heat generated by the mounted semiconductor laser device has become very large. Furthermore, the blue-violet semiconductor laser element proposed as the next generation optical recording medium has a high power consumption due to its physically high operating voltage, resulting in very large heat generation.
Further, a semiconductor laser device having a structure in which a light receiving element circuit board including a current-voltage conversion circuit and an arithmetic circuit is housed in a semiconductor housing container is manufactured. In such a semiconductor laser device, the scale of an arithmetic circuit is increasing year by year as data processing is diversified, and the amount of heat generated by the circuit is also increased.

このように発熱量が増大化している現状において、樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置２００の放熱機能は、不十分であった。すなわち、素子搭載部２０３の膨出部分２０４を経由する上述の放熱経路が確保されているだけでは、発熱量の増大化に対応することが困難であった。そのため、半導体レーザ素子の温度が上昇して、当該半導体レーザ素子の動作温度範囲を超えたり、当該半導体レーザ素子の特性が劣化したりする虞があった。 Thus, in the present situation where the amount of heat generation is increasing, the heat dissipation function of the resin mold type semiconductor laser device 200 is insufficient. That is, it is difficult to cope with an increase in the amount of heat generated only by securing the above-described heat dissipation path via the bulging portion 204 of the element mounting portion 203. For this reason, the temperature of the semiconductor laser element rises, and there is a possibility that the operating temperature range of the semiconductor laser element may be exceeded or the characteristics of the semiconductor laser element may be deteriorated.

本発明は、上記の課題に鑑み、樹脂組成物を射出成形することによって安価に作製することが出来るとともに、従来よりも放熱機能が高く、かつ、電極端子間の電気的絶縁性に優れた半導体収納容器および当該半導体収納容器を用いた半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention is a semiconductor that can be produced at low cost by injection molding a resin composition, has a higher heat dissipation function than conventional ones, and has excellent electrical insulation between electrode terminals. It is an object of the present invention to provide a storage container and a semiconductor laser device using the semiconductor storage container.

上記課題を解決するために、本発明に係る半導体収納容器は、複数の電極端子と、半導体レーザ素子が搭載される素子搭載部と、前記電極端子、素子搭載部を保持し、素子搭載部とともに、半導体レーザ素子を収納する内部空間を形成する容器本体とを備えた半導体収納容器であって、前記容器本体は、熱伝導性および導電性を有する樹脂組成物の射出成形品であり、前記電極端子、素子搭載部の容器本体に保持される部位と容器本体との間には、電気的絶縁層が介在していることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a semiconductor container according to the present invention includes a plurality of electrode terminals, an element mounting portion on which a semiconductor laser element is mounted, the electrode terminal and the element mounting portion, and together with the element mounting portion. A semiconductor storage container including a container main body forming an internal space for storing the semiconductor laser element, wherein the container main body is an injection-molded product of a resin composition having thermal conductivity and conductivity, and the electrode An electrical insulating layer is interposed between a portion of the terminal and element mounting portion held by the container body and the container body.

また、本発明に係る半導体収納容器の特定の局面では、前記容器本体は、金属からなるフィラーを含有することを特徴とする。
さらに、本発明に係る半導体収納容器の他の特定の局面では、前記金属の全部または一部は、前記容器本体の成形時の温度で溶融する金属であることを特徴とする。
さらにまた、本発明に係る半導体収納容器のさらに他の特定の局面では、前記電極端子および前記素子搭載部は、前記容器本体から延出された部分および露出する部分の表面には、前記電気的絶縁層が施されていないことを特徴とする。 Moreover, in a specific aspect of the semiconductor storage container according to the present invention, the container main body contains a filler made of metal.
Furthermore, in another specific aspect of the semiconductor storage container according to the present invention, all or part of the metal is a metal that melts at a temperature at the time of forming the container body.
Still further, in still another specific aspect of the semiconductor storage container according to the present invention, the electrode terminal and the element mounting portion are formed on the surface of the portion extending from the container body and the exposed portion on the surface of the electrical container. An insulating layer is not provided.

また、本発明に係る半導体レーザ装置では、半導体収納容器として、上記いずれかの半導体収納容器が用いられていることを特徴とする。 In the semiconductor laser device according to the present invention, any one of the semiconductor storage containers described above is used as the semiconductor storage container.

本発明に係る半導体収納容器および半導体レーザ装置は、安価に製作することのできる樹脂組成物の射出成形品であるにも拘わらず、当該脂樹脂組成物が熱伝導性を有し、半導体レーザ素子で発生した熱を効率良く外部へ放熱することができるため、半導体レーザ素子の温度上昇を抑制する効果が高い。したがって、動作電圧の高い高出力の半導体レーザ素子や青紫色半導体レーザ素子を搭載しても、当該半導体レーザ素子の特性が変化し難く、信頼性の高い半導体レーザ装置を得ることが出来る。 Although the semiconductor container and the semiconductor laser device according to the present invention are injection molded products of a resin composition that can be manufactured at low cost, the fat resin composition has thermal conductivity, and the semiconductor laser element Since the heat generated in the step can be efficiently radiated to the outside, the effect of suppressing the temperature rise of the semiconductor laser element is high. Therefore, even if a high-power semiconductor laser element or a blue-violet semiconductor laser element with a high operating voltage is mounted, the characteristics of the semiconductor laser element hardly change and a highly reliable semiconductor laser device can be obtained.

その上、電極端子および素子搭載部の容器本体に保持される部位と、当該容器本体との間には、電気的絶縁層が介在しているため、各電極端子および素子搭載部が電気的に独立しており、ショートすることがない。
また、半導体収納容器の全体に熱が伝搬するため、半導体収納容器のどの部分を光ピックアップの光学基台などに当接させても、十分な放熱効果を得ることが出来るとともに、半導体収納容器の表面全体から輻射による放熱が行われる。 In addition, since an electrical insulating layer is interposed between the electrode terminal and the portion of the element mounting portion held by the container main body and the container main body, each electrode terminal and the element mounting portion are electrically connected. It is independent and will not short circuit.
In addition, since heat propagates to the entire semiconductor storage container, a sufficient heat dissipation effect can be obtained regardless of which part of the semiconductor storage container is brought into contact with the optical base of the optical pickup. Heat is released by radiation from the entire surface.

加えて、樹脂組成物を射出成形することによって作製されるため、半導体収納容器および半導体レーザ装置の小型化および生産コストの低減が容易である。 In addition, since the resin composition is produced by injection molding, the semiconductor container and the semiconductor laser device can be easily downsized and the production cost can be reduced.

（半導体収納容器の説明）
以下、本発明の実施の形態に係る半導体収納容器について、図面を参照しながら説明する。
図１（ａ），（ｂ）は、半導体収納容器を説明するための図である。図１（ａ）が、当該半導体収納容器を示す側面断面図であり、図１（ｂ）が、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面矢視図である。 (Description of semiconductor storage container)
Hereinafter, semiconductor storage containers according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIGS. 1A and 1B are views for explaining a semiconductor storage container. Fig.1 (a) is side surface sectional drawing which shows the said semiconductor storage container, FIG.1 (b) is a cross-sectional arrow directional view along the AA line of Fig.1 (a).

半導体収納容器１０は、容器本体２０と、当該容器本体２０に保持された素子搭載部３０および複数の電極端子３１とからなる。
素子搭載部３０は、方形の金属板であって、その長手方向両側には、それぞれ７本の電極端子３１が配置されている。各電極端子３１は、それぞれ素子搭載部３０の長手方向に沿うようにして、かつ、当該素子搭載部３０の短手方向に沿って等間隔を空けて配置されている。また、素子搭載部３０の両側において、７本の電極端子３１のうち外側の２本の電極端子３１は、当該素子搭載部３０と接合している。 The semiconductor storage container 10 includes a container main body 20, an element mounting portion 30 held by the container main body 20, and a plurality of electrode terminals 31.
The element mounting portion 30 is a rectangular metal plate, and seven electrode terminals 31 are arranged on both sides in the longitudinal direction. The electrode terminals 31 are arranged along the longitudinal direction of the element mounting portion 30 and at equal intervals along the short direction of the element mounting portion 30. In addition, on the both sides of the element mounting portion 30, the outer two electrode terminals 31 of the seven electrode terminals 31 are joined to the element mounting portion 30.

なお、電極端子３１の本数は、必要な信号配線数を考慮して決定すれば良く、上記の本数に限られない。また、全ての電極端子３１が電流電圧供給や信号配線に使用される必要はない。
素子搭載部３０の上面は、電極端子３１の上面と略面一となっている。また、素子搭載部３０の外周縁３２の下面は、電極端子３１の下面と略面一となっている。これに対して、素子搭載部３０の中央方形領域３３の下面は、電極端子３１の下面よりも下側に位置している。すなわち、素子搭載部３０の外周縁３２と電極端子３１とは、略同じ厚みを有しているが、当該素子搭載部３０の中央方形領域３３は、当該外周縁３２および電極端子３１よりも肉厚となっている。 The number of electrode terminals 31 may be determined in consideration of the necessary number of signal wires, and is not limited to the above number. Further, it is not necessary for all electrode terminals 31 to be used for current voltage supply and signal wiring.
The upper surface of the element mounting portion 30 is substantially flush with the upper surface of the electrode terminal 31. The lower surface of the outer peripheral edge 32 of the element mounting portion 30 is substantially flush with the lower surface of the electrode terminal 31. On the other hand, the lower surface of the central rectangular region 33 of the element mounting portion 30 is located below the lower surface of the electrode terminal 31. That is, the outer peripheral edge 32 of the element mounting portion 30 and the electrode terminal 31 have substantially the same thickness, but the central rectangular region 33 of the element mounting portion 30 is thicker than the outer peripheral edge 32 and the electrode terminal 31. It is thick.

容器本体２０は、平面視略ロ字形の筒状の枠体２１と、当該枠体２１の下方開口を塞ぐ底部２２とからなる。枠体２１および底部２２は、熱可塑性射出成形によって一体に成形されている。なお、容器本体２０の成形方法は、上記熱可塑性射出成形に限定されず、例えば、熱硬化性射出成形であっても良い。
容器本体２０は、熱伝導性および導電性を有する樹脂組成物によって形成されている。具体的には、樹脂組成物は、熱伝導性を有するフィラーが充填された樹脂である。汎用の樹脂組成物の場合、熱伝導率は０．７Ｗ／ｍ・Ｋ程度であるが、熱伝導性を有するフィラーが充填された樹脂組成物の熱伝導率は、２〜４Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、より高い熱伝導性を有する。 The container main body 20 includes a cylindrical frame body 21 having a substantially rectangular shape in plan view, and a bottom portion 22 that closes a lower opening of the frame body 21. The frame body 21 and the bottom 22 are integrally formed by thermoplastic injection molding. In addition, the molding method of the container main body 20 is not limited to the thermoplastic injection molding described above, and may be thermosetting injection molding, for example.
The container body 20 is formed of a heat conductive and conductive resin composition. Specifically, the resin composition is a resin filled with a thermally conductive filler. In the case of a general-purpose resin composition, the thermal conductivity is about 0.7 W / m · K, but the thermal conductivity of a resin composition filled with a filler having thermal conductivity is 2 to 4 W / m · K. And has a higher thermal conductivity.

さらに具体的には、容器本体２０を形成する樹脂組成物は、当該容器本体２０の成形時の温度で溶融する金属からなるフィラーが充填されたＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）である。当該樹脂組成物の熱伝導率は、３０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。すなわち、当該樹脂組成物で成形された容器本体２０においては、ＰＰＳ中に分散したフィラーが互いに接合状態にあり、当該フィラーを介して熱が伝搬するため、高い熱伝導性を有している。 More specifically, the resin composition forming the container body 20 is PPS (polyphenylene sulfide) filled with a filler made of a metal that melts at a temperature at the time of molding the container body 20. The thermal conductivity of the resin composition is about 30 W / m · K. That is, in the container main body 20 molded with the resin composition, the fillers dispersed in the PPS are in a bonded state with each other, and heat is transmitted through the filler, and thus has high thermal conductivity.

なお、容器本体２０の成形時の温度で溶融する金属としては、例えば、錫と鉛、錫と銅、錫と亜鉛、錫とアルミニウム、および、錫と銀からなる合金、並びに、錫、亜鉛、アルミニウム、ビスマス、カドミウム、インジウムなどの単金属が挙げられる。
ＰＰＳに充填されるフィラーは、その全部が、容器本体２０の成形時の温度で溶融する金属からなる必要はなく、一部だけが成形時の温度で溶融しない金属からなっていても良い。また、当該フィラーは、金属からなるフィラーに限定されず、カーボンファイバーからなるフィラーや、金属とカーボンファイバーの混合物からなるフィラーであっても良い。さらに、樹脂組成物に使用される樹脂は、ＰＰＳに限定されず、例えば、ＬＣＰ（液晶ポリマー樹脂）等であっても良い。 Examples of the metal that melts at the temperature at the time of molding the container body 20 include, for example, tin and lead, tin and copper, tin and zinc, tin and aluminum, an alloy composed of tin and silver, and tin, zinc, Examples include single metals such as aluminum, bismuth, cadmium, and indium.
The filler that fills the PPS does not necessarily need to be made of a metal that melts at the temperature at the time of molding the container body 20, and only a part may be made of a metal that does not melt at the temperature at the time of molding. The filler is not limited to a filler made of metal, and may be a filler made of carbon fiber or a filler made of a mixture of metal and carbon fiber. Furthermore, the resin used for the resin composition is not limited to PPS, and may be, for example, LCP (liquid crystal polymer resin).

枠体２１は、素子搭載部３０および電極端子３１の上面に、当該素子搭載部３０の中央方形領域３３の上方を囲むようにして配置されている。より具体的には、図１(ｂ)に示すように、平面視において、枠体２１の互いに対向する一対の側壁が、電極端子３１間を跨るようにして配置されており、互いに対向する他の一対の側壁が、素子搭載部３０の短手方向両端縁上に配置されている。 The frame body 21 is arranged on the upper surfaces of the element mounting portion 30 and the electrode terminal 31 so as to surround the upper side of the central rectangular region 33 of the element mounting portion 30. More specifically, as shown in FIG. 1 (b), in a plan view, a pair of opposite side walls of the frame body 21 are disposed so as to straddle between the electrode terminals 31, and the other side faces each other. The pair of side walls are disposed on both lateral edges of the element mounting portion 30.

したがって、各電極端子３１の一方の端部は、容器本体２０の外周壁から突出した状態となっている。また、各電極端子３１の他方の端部は、素子搭載部３０と接合している電極端子３１を除いて、容器本体２０の内周壁から突出した状態となっている。
枠体２１の上端部には、後述する光学部材６０の下端部を嵌め込むための嵌合部２３が、当該枠体２１の上端部の内周縁側を、当該内周縁に沿って切り欠くようにして形成されている。また、枠体２１の上端部には、後述する光ピックアップの光学基台７１に、半導体収納容器１０を当接させるための切欠部２４が、当該枠体２１の上端部の外周縁側を、当該外周縁に沿って切り欠くようにして形成されている。 Therefore, one end portion of each electrode terminal 31 is in a state of protruding from the outer peripheral wall of the container body 20. Further, the other end of each electrode terminal 31 is in a state of protruding from the inner peripheral wall of the container body 20 except for the electrode terminal 31 joined to the element mounting portion 30.
A fitting portion 23 for fitting a lower end portion of an optical member 60 to be described later cuts out at the upper end portion of the frame body 21 along the inner peripheral edge side of the upper end portion of the frame body 21. Is formed. In addition, a notch 24 for bringing the semiconductor storage container 10 into contact with an optical base 71 of an optical pickup described later is provided at the upper end of the frame 21, and the outer peripheral side of the upper end of the frame 21 is It is formed so as to be cut out along the outer peripheral edge.

底部２２は、方形板状であって、その上面が枠体２１の下端面と接合している。底部２２の上面は、素子搭載部３０の上面および電極端子３１の上面と、略面一となっている。すなわち、素子搭載部３０および電極端子３１は、底部２２の上面から露出している。
底部２２の下面は、素子搭載部３０の中央方形領域３３の下面と、略面一となっている。すなわち、底部２２の下面からは、素子搭載部３０の中央方形領域３３が露出している。これに対して、素子搭載部３０の外周縁３２の下面および電極端子３１の下面の一部は、底部２２に埋没しており、当該底部２２の下面から露出していない。 The bottom portion 22 has a rectangular plate shape, and the upper surface thereof is joined to the lower end surface of the frame body 21. The upper surface of the bottom portion 22 is substantially flush with the upper surface of the element mounting portion 30 and the upper surface of the electrode terminal 31. That is, the element mounting part 30 and the electrode terminal 31 are exposed from the upper surface of the bottom part 22.
The bottom surface of the bottom portion 22 is substantially flush with the bottom surface of the central square region 33 of the element mounting portion 30. That is, the central rectangular region 33 of the element mounting portion 30 is exposed from the lower surface of the bottom portion 22. On the other hand, the lower surface of the outer peripheral edge 32 of the element mounting portion 30 and a part of the lower surface of the electrode terminal 31 are buried in the bottom portion 22 and are not exposed from the lower surface of the bottom portion 22.

なお、容器本体２０の形状は、上記の形状に限定されず、素子搭載部３０の上面に搭載される後述する半導体レーザ素子５２を収納できる形状であれば良い。したがって、容器本体２０の下面からは、必ずしも素子搭載部３０の中央方形領域３３が露出している必要はなく、当該素子搭載部３０の下面全体が底部２２に埋没していても良い。また、嵌合部２３および切欠部２４の形状も、上記の形状に限定されるものではなく、当該嵌合部２３および／または当該切欠部２４を、形成しないことも考えられる。 The shape of the container body 20 is not limited to the above shape, and may be any shape that can accommodate a semiconductor laser element 52 (described later) mounted on the upper surface of the element mounting portion 30. Therefore, the central rectangular region 33 of the element mounting portion 30 is not necessarily exposed from the lower surface of the container body 20, and the entire lower surface of the element mounting portion 30 may be buried in the bottom portion 22. Moreover, the shape of the fitting part 23 and the notch part 24 is not limited to said shape, and it is also considered that the fitting part 23 and / or the notch part 24 are not formed.

上述の通り、容器本体２０は、熱伝導性および導電性を有する樹脂組成物によって形成されている。一般に、熱伝導性は電子の移動による電子熱伝導度と格子振動により運ばれる格子熱伝導度との和であるため、熱伝導率の高い物質は導電性も高い。そのため、従来は、熱伝導性の高い樹脂組成物を使用すると、樹脂パッケージに保持された電極端子同士が当該樹脂パッケージを介して通電し、ショートする虞があった。 As described above, the container body 20 is formed of a resin composition having thermal conductivity and conductivity. In general, since the thermal conductivity is the sum of the electronic thermal conductivity due to the movement of electrons and the lattice thermal conductivity carried by the lattice vibration, a substance having a high thermal conductivity has high conductivity. Therefore, conventionally, when a resin composition having high thermal conductivity is used, there is a possibility that the electrode terminals held in the resin package are energized through the resin package and short-circuited.

本発明の半導体収納容器１０においては、素子搭載部３０および各電極端子３１の容器本体２０に保持される部位と、当該容器本体２０との間には、セラミックからなる電気的絶縁層４０が介在しているため、当該素子搭載部３０および各電極端子３１が、当該容器本体２０と直接接触することがない。したがって、素子搭載部３０および各電極端子３１がそれぞれ電気的に独立し、ショートする虞がない。 In the semiconductor storage container 10 of the present invention, an electrically insulating layer 40 made of ceramic is interposed between the element mounting portion 30 and the portions of the electrode terminals 31 held by the container body 20 and the container body 20. Therefore, the element mounting portion 30 and each electrode terminal 31 are not in direct contact with the container body 20. Therefore, the element mounting part 30 and each electrode terminal 31 are electrically independent, and there is no possibility of short-circuiting.

なお、絶縁層４０の材料は、セラミックに限定されず、電気的絶縁性に優れたものであれば良い。
各電極端子３１の容器本体２０外周壁から突出する部分、および、内周壁から突出する部分には、絶縁層４０が形成されていない。したがって、当該部分は、導電性が確保されているため、各電極端子３１は、電流電圧経路や信号経路として使用可能である。なお、絶縁層４０は、素子搭載部３０および各電極端子３１の容器本体２０に保持される部位と、当該容器本体２０との間に介在し、かつ、導電性を要する部分に施されていなければ、どのように施されていても良い。
（半導体レーザ装置の説明）
次に、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しながら説明する。 In addition, the material of the insulating layer 40 is not limited to a ceramic, What is necessary is just to be excellent in electrical insulation.
The insulating layer 40 is not formed on the portion of each electrode terminal 31 protruding from the outer peripheral wall of the container body 20 and the portion protruding from the inner peripheral wall. Therefore, since the conductivity is ensured in the portion, each electrode terminal 31 can be used as a current / voltage path or a signal path. The insulating layer 40 is provided between the element mounting portion 30 and the portions of the electrode terminals 31 held by the container main body 20 and the container main body 20 and is provided on portions that require electrical conductivity. It may be given in any way.
(Description of semiconductor laser device)
Next, a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図２（ａ），（ｂ）および図３は、半導体レーザ装置を説明するための図である。図２（ａ）が、当該半導体レーザ装置を示す側面断面図であり、図２（ｂ）が、Ｂ−Ｂ線に沿った断面矢視図である。図３は、半導体レーザ装置を示す分解斜視図である。
図２(ａ)，（ｂ）の半導体レーザ装置５０では、半導体収納容器１０の素子搭載部３０の上面略中央位置に、Ａｇペーストなどの接着材を使用して、略方形板状のシリコン基板５１がダイボンディングされている。さらに、当該シリコン基板５１には、その上面略中央位置に、半田等により面発光型の半導体レーザ素子５２が搭載されている。 2A, 2B, and 3 are diagrams for explaining the semiconductor laser device. FIG. 2A is a side cross-sectional view showing the semiconductor laser device, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB. FIG. 3 is an exploded perspective view showing the semiconductor laser device.
In the semiconductor laser device 50 of FIGS. 2 (a) and 2 (b), a substantially rectangular plate-like silicon substrate is formed using an adhesive such as an Ag paste at a substantially central position on the upper surface of the element mounting portion 30 of the semiconductor storage container 10. 51 is die-bonded. Further, a surface emitting semiconductor laser element 52 is mounted on the silicon substrate 51 at a substantially central position on the upper surface by solder or the like.

なお、シリコン基板５１を設けずに、半導体レーザ素子５２を直接素子搭載部３０の上面に搭載しても良い。また、シリコン基板５１を、ヒートシンクとして機能させることも考えられる。この場合、基板５１は、ＳｉＣやＡｌＮのような熱伝導率の高い材料からなることが好ましい。
シリコン基板５１の上面には、その長手方向における半導体レーザ素子５２を挟んた両側に、一対の信号検出用の受光素子５３が、半導体プロセス技術により形成されている。 The semiconductor laser element 52 may be directly mounted on the upper surface of the element mounting portion 30 without providing the silicon substrate 51. It is also conceivable that the silicon substrate 51 functions as a heat sink. In this case, the substrate 51 is preferably made of a material having high thermal conductivity such as SiC or AlN.
On the upper surface of the silicon substrate 51, a pair of light receiving elements 53 for signal detection are formed by a semiconductor process technique on both sides of the semiconductor laser element 52 in the longitudinal direction.

さらに、シリコン基板５１上には、受光素子５３からの信号出力を処理する図示しない信号処理回路、および、レーザ光の光出力をモニタする図示しないモニタ用受光素子が、半導体プロセス技術により形成されている。信号処理回路は、電流電圧変換回路、増幅回路、演算回路、デジタルアナログ変換回路、半導体レーザ素子駆動回路などによる。なお、信号処理回路は、シリコン基板５１上の全面あるいは一部に形成して良く、形成しなくても構わない。 Further, on the silicon substrate 51, a signal processing circuit (not shown) for processing a signal output from the light receiving element 53 and a monitoring light receiving element (not shown) for monitoring the light output of the laser beam are formed by semiconductor process technology. Yes. The signal processing circuit includes a current-voltage conversion circuit, an amplification circuit, an arithmetic circuit, a digital / analog conversion circuit, a semiconductor laser element driving circuit, and the like. The signal processing circuit may be formed on the entire surface or a part of the silicon substrate 51, and may not be formed.

半導体レーザ素子５２は、シリコン基板５１上の回路に、ワイヤボンディングによって、金属ワイヤ５４を介して電気的に接続されている。また、各電極端子３１も、シリコン基板５１上の図示しない回路に、ワイヤボンディングによって、金属ワイヤ５４を介して電気的に接続されている。
半導体レーザ素子５２は、半導体収納容器１０内に収納されているため、当該半導体レーザ素子５２の側面側は枠体２１によって保護され、底面側は底部２２によって保護されている。当該半導体レーザ素子５２のレーザ光は、出射光５５として素子搭載部３０の上面に対して垂直の方向５５に向けて出射される。 The semiconductor laser element 52 is electrically connected to a circuit on the silicon substrate 51 via a metal wire 54 by wire bonding. Each electrode terminal 31 is also electrically connected to a circuit (not shown) on the silicon substrate 51 via a metal wire 54 by wire bonding.
Since the semiconductor laser element 52 is stored in the semiconductor storage container 10, the side surface side of the semiconductor laser element 52 is protected by the frame body 21, and the bottom surface side is protected by the bottom portion 22. The laser light of the semiconductor laser element 52 is emitted in the direction 55 perpendicular to the upper surface of the element mounting portion 30 as emitted light 55.

なお、レーザ光を出射する構成は、上記構成に限定されず、シリコン基板５１上にエッチングなどの半導体プロセスによりミラーを形成し、当該ミラーの反射を利用して出射する構成でも良く、ミラーやプリズムなどの光学部品を利用して出射する構成でも良い。
半導体収納容器１０には、容器本体２０の上方開口を塞ぐようにしてガラス製あるいは樹脂製の光学部材６０が取り付けられている。光学部材６０は、当該光学部材６０と容器本体２０との隙間に接着材６１が流し込まれることによって、当該容器本体２０に固着されている。 The configuration for emitting the laser light is not limited to the above configuration, and a configuration in which a mirror is formed on the silicon substrate 51 by a semiconductor process such as etching and the reflection is performed using the mirror may be used. The structure which radiates | emits using optical components, such as, may be sufficient.
An optical member 60 made of glass or resin is attached to the semiconductor storage container 10 so as to close the upper opening of the container body 20. The optical member 60 is fixed to the container main body 20 by pouring the adhesive 61 into the gap between the optical member 60 and the container main body 20.

このように、光学部材６０によって容器本体２０上方の開口が封止されるため、半導体レーザ素子５２およびシリコン基板５１は外部環境から保護されており、耐湿性などの耐環境性が確保されている。
光学部材６０には、半導体レーザ素子５２から出射されたレーザ光の光路上となる下端部略中央位置に、第１のホログラムパターン６２が、エッチングあるいは樹脂成形などの手段によって形成されており、当該第１のホログラムパターン６２によって、出射光５５が三方に分岐される。 Thus, since the opening above the container body 20 is sealed by the optical member 60, the semiconductor laser element 52 and the silicon substrate 51 are protected from the external environment, and environmental resistance such as moisture resistance is ensured. .
In the optical member 60, a first hologram pattern 62 is formed at a substantially central position at the lower end portion on the optical path of the laser light emitted from the semiconductor laser element 52 by means such as etching or resin molding. The outgoing light 55 is branched in three directions by the first hologram pattern 62.

また、光学部材６０には、半導体レーザ素子５２から出射されたレーザ光の光路となる上面略中央位置に、第２のホログラムパターン６３が、エッチングあるいは樹脂成形などの手段によって形成されており、当該第２のホログラムパターン６３によって、戻り光５６が各受光素子５３へ向けて分岐される。
なお、本実施の形態においては、光学部材に光分岐用のホログラムパターンが形成されているが、図４に示す半導体レーザ装置６４のように、光学部材６５がカバーガラスであっても良い。この場合でも、半導体レーザ素子５２およびシリコン基板５１を外部環境から保護することは出来る。なお、図４において、本実施の形態と同じ機能を有する部材には、本実施の形態と同符号が付されている。 Further, a second hologram pattern 63 is formed on the optical member 60 by means such as etching or resin molding at a substantially central position on the upper surface, which is an optical path of the laser light emitted from the semiconductor laser element 52. The return light 56 is branched toward the respective light receiving elements 53 by the second hologram pattern 63.
In the present embodiment, the optical branching hologram pattern is formed on the optical member, but the optical member 65 may be a cover glass as in the semiconductor laser device 64 shown in FIG. Even in this case, the semiconductor laser element 52 and the silicon substrate 51 can be protected from the external environment. In FIG. 4, members having the same functions as those in the present embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the present embodiment.

さらに、光学部材６０を、レンズとすることが考えられる。光学部材を６０をレンズとすれば、出射光５３の発散状態を制御する機能を、半導体レーザ装置５０に追加することが出来る。
（放熱経路の説明）
次に、半導体レーザ素子５３で発生した熱の放射経路を説明する。図５は、半導体レーザ素子で発生した熱の放熱経路を説明するための図である。図５において、７０は放熱経路を示している。 Furthermore, it is conceivable that the optical member 60 is a lens. If the optical member 60 is a lens, a function of controlling the divergence state of the emitted light 53 can be added to the semiconductor laser device 50.
(Explanation of heat dissipation path)
Next, a radiation path of heat generated in the semiconductor laser element 53 will be described. FIG. 5 is a diagram for explaining a heat dissipation path of heat generated in the semiconductor laser element. In FIG. 5, reference numeral 70 denotes a heat dissipation path.

半導体レーザ装置５０では、レーザ光を出射する際に半導体レーザ素子５２で熱が発生する。また、シリコン基板５１でも熱が発生する。発生した熱は、シリコン基板５１および素子搭載部３０を介して、容器本体２０に伝播する。
半導体レーザ装置５０は、容器本体２０の切欠部２４を光ピックアップの光学基台７１に当接させた状態で、当該光学基台７１に固定されている。光学基台７１は金属製であるため、容器本体２０の熱は、当該光学基台７１へ伝播し、光ピックアップの図示しない機構部品などへ放散される。 In the semiconductor laser device 50, heat is generated in the semiconductor laser element 52 when laser light is emitted. Also, heat is generated in the silicon substrate 51. The generated heat propagates to the container body 20 through the silicon substrate 51 and the element mounting portion 30.
The semiconductor laser device 50 is fixed to the optical base 71 with the notch 24 of the container body 20 in contact with the optical base 71 of the optical pickup. Since the optical base 71 is made of metal, the heat of the container body 20 propagates to the optical base 71 and is dissipated to a mechanical part (not shown) of the optical pickup.

なお、光学基台７１へ当接させる部分は、容器本体２０の切欠部２４に限定されず、半導体収納容器１０のどの部分であっても良い。但し、効率良く熱を放散させるためには、出来るだけ広い範囲に亘って、光学基台７１に当接させることが望ましい。
従来の樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置では、樹脂パッケージを光学基台へ当接させても、熱が当該光学基台へ伝搬しなかったが、本発明の半導体レーザ装置５０では、半導体収納容器１０のいかなる部分を光学基台７１へ当接させても、熱が当該光学基台７１へ伝播する。したがって、金属板を配置し別途放熱経路を確保する必要がなく、半導体収納容器１０全体を放熱面として使用することが可能である。 Note that the portion to be brought into contact with the optical base 71 is not limited to the cutout portion 24 of the container body 20, and may be any portion of the semiconductor storage container 10. However, in order to dissipate heat efficiently, it is desirable to contact the optical base 71 over as wide a range as possible.
In the conventional resin mold type semiconductor laser device, heat does not propagate to the optical base even when the resin package is brought into contact with the optical base. However, in the semiconductor laser device 50 of the present invention, the semiconductor container 10 Even if any part of the optical base 71 is brought into contact with the optical base 71, heat propagates to the optical base 71. Therefore, it is not necessary to arrange a metal plate and ensure a separate heat dissipation path, and the entire semiconductor storage container 10 can be used as a heat dissipation surface.

加えて、半導体収納容器１０の全体へ熱が伝搬するため、当該半導体収納容器１０の外表面全体からの輻射によって効率的に放熱することもできる。
なお、光学基台７１を、熱伝導性の高い樹脂組成物で形成することにより、より放熱効果を高めることが出来る。また、半導体レーザ装置５０を固定する場所は、光学基台７１に限定されないが、熱伝導性の高い場所に取り付けることが望ましい。
（半導体収納容器および半導体レーザ装置の製造方法の説明）
次に、上記半導体容器の製造方法を図６〜９に基づいて説明する。 In addition, since heat propagates to the entire semiconductor storage container 10, heat can be efficiently radiated by radiation from the entire outer surface of the semiconductor storage container 10.
In addition, the heat dissipation effect can be further enhanced by forming the optical base 71 with a resin composition having high thermal conductivity. The place where the semiconductor laser device 50 is fixed is not limited to the optical base 71, but it is desirable to attach it to a place with high thermal conductivity.
(Description of manufacturing method of semiconductor storage container and semiconductor laser device)
Next, the manufacturing method of the said semiconductor container is demonstrated based on FIGS.

図６は、リードフレームを示す平面図、図７は、絶縁層形成後のリードフレームを示す平面図、図８は、リードフレームに対して容器本体をインサート成形した状態を説明する平面図、図９は、半導体収納容器内に、半導体レーザ素子等を収納した状態を説明する平面図である。
図６において、８０はリードフレームであって、金属薄板をエッチング加工もしくはプレス加工することによって作製される。このように、フレーム部８１を切除する前の素子搭載部３０および電極端子３１は、当該フレーム部８１によって一体に連結した状態で、金属薄板の長手方向に沿って配置されている。 6 is a plan view showing the lead frame, FIG. 7 is a plan view showing the lead frame after the insulating layer is formed, and FIG. 8 is a plan view for explaining a state in which the container body is insert-molded with respect to the lead frame. 9 is a plan view illustrating a state in which a semiconductor laser element or the like is stored in a semiconductor storage container.
In FIG. 6, reference numeral 80 denotes a lead frame, which is produced by etching or pressing a thin metal plate. Thus, the element mounting part 30 and the electrode terminal 31 before cutting off the frame part 81 are arranged along the longitudinal direction of the thin metal plate in a state of being integrally connected by the frame part 81.

リードフレーム８０には、図７において８２で示す領域の表面に、絶縁層４０が形成される。なお、図には表わされていないが、８２で示す部分の下面および側面にも絶縁層４０が形成されている。
図８に示すように、射出成形によって、絶縁層４０形成後のリードフレーム８０に対して容器本体２０がインサート成形される。その後、容器本体２０から延出された部分および露出する部分の絶縁層４０が、サンドブラストあるいはエッチングによって除去される。 In the lead frame 80, the insulating layer 40 is formed on the surface of the region indicated by 82 in FIG. Although not shown in the drawing, the insulating layer 40 is also formed on the lower surface and side surface of the portion indicated by 82.
As shown in FIG. 8, the container body 20 is insert-molded with respect to the lead frame 80 after the insulating layer 40 is formed by injection molding. Thereafter, the insulating layer 40 in the portion extending from the container body 20 and the exposed portion is removed by sandblasting or etching.

なお、絶縁層４０の除去は、容器本体２０から延出された部分および露出する部分の全てに対して行われる必要はない。少なくとも、導電性を確保しなければならない部分に行われていればよい。
絶縁層４０除去処理後の半導体収納容器１０には、図９に示すように、シリコン基板５１および半導体レーザ素子５２が収納される。さらに、光学部材６０が取り付けられ、当該シリコン基板５１および半導体レーザ素子５２が、半導体収納容器１０内に封入される。 It should be noted that the removal of the insulating layer 40 does not have to be performed on all of the portion extended from the container body 20 and the exposed portion. It suffices to be performed at least in a portion where conductivity must be ensured.
As shown in FIG. 9, the silicon substrate 51 and the semiconductor laser element 52 are stored in the semiconductor storage container 10 after the insulating layer 40 removal process. Further, the optical member 60 is attached, and the silicon substrate 51 and the semiconductor laser element 52 are sealed in the semiconductor storage container 10.

最後に、フレーム部８１が切除され、各半導体レーザ装置５０が分離されるとともに、各半導体レーザ装置５０の各電極端子３１が電気的に独立する。各電極端子３１は、容器本体２０に保持されているため、フレーム部８１が切除されても、個々に分離することはない。なお、フレーム部８１の切除は、光学部材６０取付け後に限定されず、例えば、半導体レーザ素子５２などを収納する前であっても良い。
（半導体レーザ装置の動作の説明）
次に、半導体レーザ装置の動作について説明する。図１０は、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を説明する図である。 Finally, the frame portion 81 is cut off, the semiconductor laser devices 50 are separated, and the electrode terminals 31 of the semiconductor laser devices 50 are electrically independent. Since each electrode terminal 31 is held by the container body 20, even if the frame portion 81 is cut away, it is not separated individually. The excision of the frame portion 81 is not limited to after the optical member 60 is attached, and may be before, for example, housing the semiconductor laser element 52 or the like.
(Description of operation of semiconductor laser device)
Next, the operation of the semiconductor laser device will be described. FIG. 10 is a diagram illustrating the optical path of laser light emitted from the semiconductor laser element.

図１０に示すように、半導体レーザ素子５２のビーム光は、光学部材６０の第１のホログラム６２を透過し、半導体レーザ装置５０から出射光５５として射出される。出射光５５は、コリメタリーレンズ９０を透過することにより平行光にされた後、ミラー９１によって対物レンズ９２の光軸と平行な方向に光路変更され、当該対物レンズ９２によって光記録媒体９３の記録面９４へ集光される。 As shown in FIG. 10, the beam light of the semiconductor laser element 52 passes through the first hologram 62 of the optical member 60 and is emitted from the semiconductor laser device 50 as emitted light 55. The outgoing light 55 is converted into parallel light by passing through the collimator lens 90, and then the optical path is changed in a direction parallel to the optical axis of the objective lens 92 by the mirror 91, and recording on the optical recording medium 93 is performed by the objective lens 92. It is condensed on the surface 94.

なお、対物レンズ９２は、光記録媒体９３の面振れに対してレーザ光の焦点深度を追従させるフォーカスアクチュエータと、光記録媒体９３の偏心に対してトラックに追従させるトラッキングアクチュエータとを備えた図示しない対物レンズアクチュエータに搭載されている。また、光記録媒体としては、例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ±Ｒ、ＲＷやＢｌｕ−Ｒａｙ等の次世代光記録媒体を挙げることが出来るが、特に限定されるものではない。 The objective lens 92 includes a focus actuator that follows the focal depth of the laser beam with respect to the surface shake of the optical recording medium 93 and a tracking actuator that follows the track with respect to the eccentricity of the optical recording medium 93 (not shown). It is mounted on the objective lens actuator. Examples of the optical recording medium include, but are not particularly limited to, next-generation optical recording media such as DVD-RAM, DVD ± R, RW, and Blu-Ray.

光記録媒体９３の記録面９４で反射された戻り光５６は、入射時と同じ経路を逆進して光学部材６０に到達し、第２ホログラムパターン６３通過時に回析により左右に分岐されて、各受光素子５３に入射する。受光素子５３で受光された戻り光５６は、フォーカス誤差信号とトラッキング誤差信号といったサーボ信号、および、情報記録信号として検出され、図示しない制御回路に送られる。なお、これらの各信号の検出方法自体は公知の検出方法を使用すればよく、ここでは詳述しない。 The return light 56 reflected by the recording surface 94 of the optical recording medium 93 travels backward in the same path as that of the incident light to reach the optical member 60, and is branched to the left and right by diffraction when passing through the second hologram pattern 63. The light enters each light receiving element 53. The return light 56 received by the light receiving element 53 is detected as a servo signal such as a focus error signal and a tracking error signal and an information recording signal, and is sent to a control circuit (not shown). In addition, the detection method itself of these signals should just use a well-known detection method, and is not explained in full detail here.

以上、本発明に係る半導体収納容器および半導体レーザ装置を実施の形態に基づいて具体的に説明してきたが、本発明の内容は、上記の実施の形態に限定されない。 As described above, the semiconductor storage container and the semiconductor laser device according to the present invention have been specifically described based on the embodiments. However, the contents of the present invention are not limited to the above-described embodiments.

本発明の半導体収納容器および半導体レーザ装置は、光情報処理、光計測および光通信などの分野に使用される光ピックアップに利用できる。特に、動作電圧の高い半導体レーザ素子あるいは青紫色半導体レーザ素子を搭載した半導体レーザ装置を備えた光ピックアップに有用である。 The semiconductor container and the semiconductor laser device of the present invention can be used for an optical pickup used in fields such as optical information processing, optical measurement, and optical communication. In particular, it is useful for an optical pickup provided with a semiconductor laser device equipped with a semiconductor laser element having a high operating voltage or a blue-violet semiconductor laser element.

（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る半導体収納容器の側面断面図、および、Ａ−Ａ線に沿った断面矢視図である。(A), (b) is the sectional side view of the semiconductor storage container which concerns on one Embodiment of this invention, respectively, and a sectional arrow view along the AA line. （ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の側面断面図、および、Ｂ−Ｂ線に沿った断面矢視図である。(A), (b) is the sectional side view of the semiconductor laser apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, respectively, and a sectional arrow view along the BB line. 半導体レーザ装置を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows a semiconductor laser apparatus. 光学部材がカバーガラスである半導体レーザ装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor laser apparatus whose optical member is a cover glass. 放熱経路を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a thermal radiation path | route. フレーム部を切除する前のリードフレームを示す平面図である。It is a top view which shows the lead frame before excising a frame part. 皮膜形成後のリードフレームを示す平面図である。It is a top view which shows the lead frame after film formation. リードフレームに対して容器本体をインサート成形した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which insert-molded the container main body with respect to the lead frame. 半導体収納容器に半導体レーザ素子を収納した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which accommodated the semiconductor laser element in the semiconductor storage container. 半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を説明する図である。It is a figure explaining the optical path of the laser beam radiate | emitted from the semiconductor laser element. （ａ），（ｂ）は、それぞれキャンタイプの半導体レーザ装置を示す側面断面図、および、Ｃ−Ｃ線に沿った断面矢視図である。(A), (b) is a side sectional view showing a can type semiconductor laser device, respectively, and a sectional arrow view along a CC line. （ａ），（ｂ）は、それぞれ従来の樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置を示す平面断面図、および、Ｄ−Ｄ線に沿った断面矢視図である。(A), (b) is the plane sectional view which shows the conventional resin mold type semiconductor laser apparatus, respectively, and the cross-sectional arrow view along the DD line.

Explanation of symbols

１０半導体収納容器
２０容器本体
３０素子搭載部
３１電極端子
４０絶縁層
５０半導体レーザ装置
５２半導体レーザ素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor storage container 20 Container main body 30 Element mounting part 31 Electrode terminal 40 Insulating layer 50 Semiconductor laser apparatus 52 Semiconductor laser element

Claims

A plurality of electrode terminals;
An element mounting portion on which a semiconductor laser element is mounted;
A container main body that holds the electrode terminal and the element mounting portion, and forms an internal space for housing the semiconductor laser element together with the element mounting portion;
A semiconductor storage container comprising:
The container body is an injection-molded product of a resin composition having thermal conductivity and conductivity, and electrical insulation is provided between the electrode terminal and a portion held by the container body of the element mounting portion and the container body. A semiconductor container characterized in that a layer is interposed.

The semiconductor container according to claim 1, wherein the container body contains a filler made of metal.

3. The semiconductor container according to claim 2, wherein all or a part of the metal is a metal that melts at a temperature at the time of molding the container body.

4. The electrode terminal and the element mounting portion according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrically insulating layer is not applied to the surface of the portion extended from the container body and the exposed portion. A semiconductor storage container according to claim 1.

A semiconductor laser device, wherein the semiconductor storage container according to claim 1 is used as the semiconductor storage container.