JP2005249856A - Alignment joining method, alignment joining device, and optical device - Google Patents

Alignment joining method, alignment joining device, and optical device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To realize the improvement of alignment accuracy and the improvement of joining quality in the case of joining upper and lower substrates by using a substrate holder and a substrate chuck having good flatness. <P>SOLUTION: In an alignment joining method, an alignment joining device uses a device equipped with the substrate chuck 26 composed of an optically transparent plane member, the substrate holder 25 composed of an optically transparent plane member, a stage 27 capable of moving in respective directions X, Y, Z and θ, light irradiation parts 21 and 22, and an alignment detection means 24 arranged on the substrate chuck side, and the method includes a process for setting the lower substrate 2 on the substrate chuck 26, a process for setting the upper substrate 1 on the substrate holder 25, a process for regulating the parallelism of the upper and the lower substrates, a process for regulating the thickness of an adhesive layer on a surface for bonding the upper and the lower substrates, a process for aligning the alignment marks of the upper and the lower substrates, a process for applying an adhesive, a process for spreading the adhesive, a process for controlling the thickness of the adhesive, and a process for radiating light so that the adhesive is cured to obtain an adhesive result. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、上下の基板をアライメントして接着するアライメント接合方法とアライメント接合装置、及び、そのアライメント接合方法やアライメント接合装置を用いて作製した光学素子に関する。   The present invention relates to an alignment bonding method and alignment bonding apparatus that align and bond upper and lower substrates, and an optical element manufactured using the alignment bonding method and alignment bonding apparatus.

従来、光学素子等の作製に用いるアライメント装置に関する従来技術としては、例えば図20に示すような構成のマスクアライナー装置等があった。図20において、符号101は光照射装置、102はアライメント光を照射するアライメントマーク検出光学系、103はマスクホルダ、104はマスク、105は真空排気口、106はマスク吸着溝、107はウエハチャック、108はウエハ吸着溝、109はウエハチャックをX,Y,θ方向に移動する移動装置、110はウエハ、111はレジスト、112はウエハチャックを支持するベース、113は図示しないステージでベース112を支持し上下(Z方向)に移動する移動機構、114はデバイスパターン、115はアライメントマーク、116はウエハ上に形成されたデバイスである。このマスクアライナー装置では、デバイス形成面にアライメントマーク115が設けられたウエハ110をウエハチャック107上に固定し、アライメントマーク検出光学系102を用いて、マスクホルダ103側からこのアライメントマーク115を検出し、一方のマスク104に設けたアライメントマーク115に位置合わせし、アライメント終了後、このアライメント位置に対して、デバイスパターン114を露光する。   Conventionally, as a conventional technique related to an alignment apparatus used for manufacturing an optical element or the like, for example, there has been a mask aligner apparatus or the like configured as shown in FIG. In FIG. 20, reference numeral 101 denotes a light irradiation device, 102 denotes an alignment mark detection optical system for irradiating alignment light, 103 denotes a mask holder, 104 denotes a mask, 105 denotes a vacuum exhaust port, 106 denotes a mask suction groove, 107 denotes a wafer chuck, 108 is a wafer suction groove, 109 is a moving device that moves the wafer chuck in the X, Y, and θ directions, 110 is a wafer, 111 is a resist, 112 is a base that supports the wafer chuck, and 113 is a stage (not shown) that supports the base 112. A moving mechanism that moves up and down (Z direction), 114 is a device pattern, 115 is an alignment mark, and 116 is a device formed on the wafer. In this mask aligner, a wafer 110 having an alignment mark 115 provided on a device forming surface is fixed on a wafer chuck 107, and this alignment mark 115 is detected from the mask holder 103 side using an alignment mark detection optical system 102. Alignment is performed with the alignment mark 115 provided on one mask 104, and after the alignment is completed, the device pattern 114 is exposed to the alignment position.

通常、アライメントは、アライメントマーク115とデバイスパターン114を形成するための膜構成と、これをエッチングしてパターン化するために使用されるレジストパターンを形成するためのレジスト膜111が形成された上から、例えばアライメントマーク検出光学系102により、これらの膜構成とレジスト膜を通してアライメントマーク115が検出されて実行される。アライメントはアライメントマーク検出により、あらかじめ設定されているアライメントマーク位置と、デバイスパターン形成のための露光位置とのズレ量を検出した後、そのズレ量を補正するように露光すべきウエハの位置にウエハチャック107が移動した後、露光が実行される。   Usually, the alignment is performed from the state in which the film structure for forming the alignment mark 115 and the device pattern 114 and the resist film 111 for forming the resist pattern used for patterning by etching are formed. For example, the alignment mark detection optical system 102 detects and executes the alignment mark 115 through these film configurations and the resist film. Alignment detects the amount of deviation between the alignment mark position set in advance and the exposure position for device pattern formation by detecting the alignment mark, and then the wafer is positioned at the position of the wafer to be exposed so as to correct the amount of deviation. After the chuck 107 moves, exposure is performed.

この装置のマスクホルダ103は、露光部(光照射範囲)が開口した形状をしており、マスク104は開口の外側に設けた真空吸着用孔や溝により真空固定されるため、マスク103が反る問題があった。特に、板厚が薄いマスクでは反りの発生が顕著であった。この装置による上下の基板の接着の実施例は見当たらないが、仮に、この装置を2つの基板の接合に利用して接着を実施した場合、接着剤を基板全面に広げる際、上下の基板にかかる力により開口しているマスクホルダ側の基板が変形し、平行な状態で接着ができないことが予想される。   The mask holder 103 of this apparatus has a shape in which an exposure part (light irradiation range) is opened, and the mask 104 is fixed by vacuum by a vacuum suction hole or groove provided outside the opening. There was a problem. In particular, the occurrence of warpage was remarkable in a mask having a thin plate thickness. There is no example of bonding of the upper and lower substrates by this device, but if this device is used for bonding two substrates, bonding is performed on the upper and lower substrates when spreading the adhesive over the entire surface of the substrate. It is expected that the substrate on the mask holder side opened by force is deformed and cannot be bonded in a parallel state.

また、基板の裏面からアライメントする場合、一般のアライナー装置ではウエハチャック側にアライメント用窓が少なくとも2箇所設けてあり、この窓を通してアライメントしているが、基板の大きさが変更になった場合、この窓の間隔を変更する必要があった。この場合、ウエハチャックごと交換しているのが現状である。さらには、基板サイズが小さくなった場合、基板の固定と窓を形成するには限界があり、小さい基板には対応できないという問題があった。なお、一般にウエハチャックはアルミニウム(Al)板を精密加工し、表面にフッ素等の表面処理を施した光学的に不透明な構造のため、アライメント用窓が必要と成っている。また、特許文献1に記載の従来技術では、ウエハチャックにアライメント用窓を複数設け、その下のステージにアライメント検出部を備え、デバイスの裏面にアライメントマークを形成し、このアライメントマークを基準にデバイスの表面に半導体素子等を形成しているが、ウエハチャックにアライメント検出部に対応したアライメント用窓を複数設ける必要があるため、複数の基板サイズのウエハチャックやステージを準備する必要がある。また、ウエハチャックに窓を形成しているため、薄い基板を用いた場合、平面性が低下する、また、小さい基板サイズへの対応が困難である等の問題が予想される。   In addition, when aligning from the back side of the substrate, in a general aligner apparatus, at least two alignment windows are provided on the wafer chuck side, and alignment is performed through these windows, but when the size of the substrate is changed, It was necessary to change the interval of this window. In this case, the entire wafer chuck is currently replaced. Furthermore, when the substrate size is reduced, there is a limit in fixing the substrate and forming the window, and there is a problem that it cannot cope with a small substrate. In general, since the wafer chuck is an optically opaque structure in which an aluminum (Al) plate is precisely processed and surface treatment such as fluorine is performed, an alignment window is required. In the prior art described in Patent Document 1, a plurality of alignment windows are provided on the wafer chuck, an alignment detection unit is provided on the stage below the alignment window, an alignment mark is formed on the back surface of the device, and the device is based on the alignment mark. However, since it is necessary to provide a plurality of alignment windows corresponding to the alignment detection unit on the wafer chuck, it is necessary to prepare a plurality of wafer size wafer chucks and stages. In addition, since a window is formed in the wafer chuck, problems such as a decrease in flatness when using a thin substrate and difficulty in dealing with a small substrate size are expected.

また、特許文献2に記載の従来技術のように基板の両面でアライメントする場合、透明基板の表面に第1のフォトマスクのパターンと位置合わせマークとを転写した後、透明基板の裏面を上にしてウエハチャックに載置し、第2のフォトマスクを用い、アライメント装置の顕微鏡の対物レンズの焦点をあらかじめ第2のフォトマスクのパターン面に合わせ、フォトマスクの中の位置合わせマークを顕微鏡の基準マークと合致させておき、次に透明基板の表面に形成した第1のフォトマスクの位置合わせマークに顕微鏡の焦点を合わせ、透明基板の裏面に設けた第2のフォトマスクのパターン位置ずれを修正した後、第2のフォトマスクを通してレジストを露光し、パターン化し、エッチングにより透明基板の裏面に第2のフォトマスクパターンを転写するが、この場合、形成したデバイスが露出するため、保護膜等のコートが必要になる。また、基板が厚い場合、顕微鏡の焦点位置合わせのための移動距離が長くなり、アライメント精度が低下する等の問題がある。   In addition, when the alignment is performed on both sides of the substrate as in the prior art described in Patent Document 2, after the first photomask pattern and the alignment mark are transferred to the surface of the transparent substrate, the back surface of the transparent substrate is turned up. The second photomask is used, the focus of the objective lens of the microscope of the alignment apparatus is aligned with the pattern surface of the second photomask in advance, and the alignment mark in the photomask is used as a reference of the microscope. Align with the mark, then focus the microscope on the first photomask alignment mark formed on the surface of the transparent substrate, and correct the pattern displacement of the second photomask provided on the back surface of the transparent substrate Then, the resist is exposed through a second photomask, patterned, and etched to form a second photomask pattern on the back surface of the transparent substrate. While transferring the, in this case, since the formed device is exposed, it is necessary to coat such a protective film. Further, when the substrate is thick, there is a problem that the moving distance for the focal position adjustment of the microscope becomes long and the alignment accuracy is lowered.

さらに、ウエハ基板とマスク基板の平行を規定する方法として、基板同士を密着、加圧して上下の平行出しを行う方法が有る。これは、マスク基板にウエハ基板を接触させるものであり、加圧力を接触面に発生した干渉縞で制御するものである。また、空気バネ(所謂エアダンパー)を用いてウエハ基板とマスク基板間にかかる力を一定にする方法が有るが、実際の接着工程で接着剤の粘性により接着剤の反発力が空気バネ圧力より大きくなり、接着厚み制御のみならず、平行が出なくなる等の問題がある。
なお、空隙制御方法としてホールセンサを用い、ウエハチャックとマスクホルダ間を制御する方法が有るが、装置コストが高くなる難点がある。
また、光学的に透明な基板同士をアライメントした後、片側から紫外線を照射し、硬化・接着する際、接着剤の硬化収縮で照射側に反りが発生する可能性があった。
Further, as a method for defining the parallelism of the wafer substrate and the mask substrate, there is a method of bringing the substrates into close contact and pressurizing so as to make parallel up and down. In this method, the wafer substrate is brought into contact with the mask substrate, and the applied pressure is controlled by the interference fringes generated on the contact surface. In addition, there is a method of making the force applied between the wafer substrate and the mask substrate constant by using an air spring (so-called air damper), but the repulsive force of the adhesive is more than the air spring pressure due to the viscosity of the adhesive in the actual bonding process. There is a problem that not only the adhesion thickness control but also parallelism does not occur.
Although there is a method of controlling the gap between the wafer chuck and the mask holder using a hall sensor as a gap control method, there is a drawback that the apparatus cost is increased.
In addition, after aligning optically transparent substrates, ultraviolet rays were irradiated from one side, and when curing / adhering, there was a possibility of warping on the irradiation side due to curing shrinkage of the adhesive.

特公平7−95515号公報Japanese Patent Publication No. 7-95515 特許第2886408号公報Japanese Patent No. 2886408

本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、平面性のよい基板ホルダと基板チャックを用い、かつアライメント精度の向上を図り、接合品質の向上を図ることができるアライメント接合方法及びアライメント接合装置を提供することを目的とする。また、本発明は、アライメント精度の向上と、1枚の基板ホルダ、基板チャックで各種基板サイズへの適用が可能な低コストなアライメント接合方法及びアライメント接合装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、接着層の厚みバラツキの少ない接着を行うことができ、かつ、基板が反らない、高品質な接合を行うことができるアライメント接合方法及びアライメント接合装置を提供することを目的とする。
さらに本発明は、上記のアライメント接合方法やアライメント接合装置を用いて作製した光学素子を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an alignment bonding method and an alignment bonding apparatus that use a substrate holder and a substrate chuck with good flatness, improve alignment accuracy, and improve bonding quality. The purpose is to provide. Another object of the present invention is to provide a low-cost alignment bonding method and alignment bonding apparatus that can be applied to various substrate sizes with a single substrate holder and substrate chuck. A further object of the present invention is to provide an alignment bonding method and an alignment bonding apparatus capable of performing high-quality bonding that can perform bonding with less thickness variation of the adhesive layer and that does not warp the substrate. To do.
Furthermore, an object of this invention is to provide the optical element produced using said alignment joining method and alignment joining apparatus.

上記目的を達成するための解決手段として、本発明は以下のような特徴を有している。
[1].本発明のアライメント接合方法は、基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部と、光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部と、X,Y,Z,θの各方向に移動可能なステージと、光を照射する光照射部と、前記基板チャック部側に配置されアライメントを検出する手段とを備えた装置を用い、前記基板チャック部上に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた下基板をセットする工程と、前記基板ホルダ部に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた上基板をセットする工程と、上下の基板の平行を規定する工程と、上下の基板を接着する面の接着層の厚みを規定する工程と、上下の基板のアライメントマークを位置合わせする工程と、接着剤を塗布する工程と、接着剤を広げる工程と、接着剤の厚みを制御する工程と、光を照射して接着剤を硬化接着する工程とを有することを特徴とする(請求項1)。
As means for achieving the above object, the present invention has the following features.
[1]. The alignment bonding method of the present invention includes a substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing a substrate, a substrate holder portion made of an optically transparent flat member, and each direction of X, Y, Z, and θ. And an unevenness formed by etching on the substrate chuck portion using an apparatus comprising a stage movable to the surface, a light irradiation portion for irradiating light, and means for detecting alignment disposed on the substrate chuck portion side A step of setting a lower substrate provided with an alignment mark having an alignment mark, a step of setting an upper substrate provided with an alignment mark having unevenness formed by etching on the substrate holder portion, and defining the parallelism of the upper and lower substrates A step, a step of defining the thickness of the adhesive layer on the surface to which the upper and lower substrates are bonded, a step of aligning the alignment marks of the upper and lower substrates, and applying an adhesive And that step, a step of spreading the adhesive, the step of controlling the thickness of the adhesive, characterized by a step of curing the adhesive the adhesive is irradiated with light (claim 1).

[2].[1]に記載のアライメント接合方法において、前記上基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部の表面に、少なくとも複数のサイズに対応した溝もしくは孔が形成してあることを特徴とする(請求項2)。
[3].[1]または[2]に記載のアライメント接合方法において、前記下基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部の表面に、少なくとも複数のサイズに対応した溝もしくは孔が形成してあることを特徴とする(請求項3)。
[4].[1]〜[3]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、前記基板チャック部と前記基板ホルダ部の表面の基板吸着部以外の真空吸着用溝もしくは孔をシールする手段を用いることを特徴とする(請求項4)。
[2]. In the alignment joining method according to [1], grooves or holes corresponding to at least a plurality of sizes are formed on the surface of the substrate holder portion made of an optically transparent flat member for fixing the upper substrate. It is characterized (claim 2).
[3]. In the alignment bonding method according to [1] or [2], grooves or holes corresponding to at least a plurality of sizes are formed on a surface of a substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing the lower substrate. (Claim 3).
[4]. In the alignment bonding method according to any one of [1] to [3], means for sealing a vacuum suction groove or hole other than the substrate suction portion on the surface of the substrate chuck portion and the substrate holder portion is used. (Claim 4).

[5].[1]〜[4]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、前記上基板を固定する光学的に透明な平面部材からなるマスクホルダ部を石英ガラスで構成したことを特徴とする(請求項5)。
[6].[1]〜[5]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、前記下基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部を石英ガラスで構成したことを特徴とする(請求項6)。
[5]. In the alignment bonding method according to any one of [1] to [4], the mask holder portion made of an optically transparent planar member for fixing the upper substrate is made of quartz glass ( Claim 5).
[6]. In the alignment bonding method according to any one of [1] to [5], the substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing the lower substrate is made of quartz glass. Claim 6).

[7].[1]〜[6]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、前記下基板を載置固定する基板チャック部と、前記上基板を固定する基板ホルダ部の間に、寸法が既知の平板または円柱もしくは球を挿入し、アライメント接着基板間の平行と接着層厚みを規定することを特徴とする(請求項7)。
[8].[1]〜[7]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、前記上下基板のアライメントマークの位置合わせを基板チャック側から実施することを特徴とする(請求項8)。
[9].[1]〜[7]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、前記接着剤を硬化接着する光は光学的に透明な基板チャック側と基板ホルダ側から交互に照射することを特徴とする(請求項9)。
[7]. In the alignment joining method according to any one of [1] to [6], a dimension is known between a substrate chuck portion for mounting and fixing the lower substrate and a substrate holder portion for fixing the upper substrate. A flat plate, a cylinder, or a sphere is inserted to define the parallelism between the alignment adhesive substrates and the thickness of the adhesive layer (Claim 7).
[8]. In the alignment bonding method according to any one of [1] to [7], alignment of the alignment marks on the upper and lower substrates is performed from the substrate chuck side (claim 8).
[9]. In the alignment bonding method according to any one of [1] to [7], the light for curing and bonding the adhesive is alternately irradiated from the optically transparent substrate chuck side and the substrate holder side. (Claim 9).

[10].本発明のアライメント接合装置は、基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部と、光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部と、X,Y,Z,θの各方向に移動可能なステージと、光を照射する光照射部と、前記基板チャック部側に配置されアライメントを検出する手段とを備え、前記基板チャック部上に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた下基板をセットする手段と、前記基板ホルダ部に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた上基板をセットする手段と、上下の基板の平行を規定する手段と、上下の基板を接着する面の接着層の厚みを規定する手段と、上下の基板のアライメントマークを位置合わせする手段と、接着剤を塗布する手段と、接着剤を広げる手段と、接着剤の厚みを制御する手段と、光を照射して接着剤を硬化接着する手段とを具備し、請求項[1]〜[9]のいずれか一つに記載のアライメント接着方法を用いたことを特徴とする(請求項10)。 [10]. The alignment bonding apparatus of the present invention includes a substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing a substrate, a substrate holder portion made of an optically transparent flat member, and each direction of X, Y, Z, and θ. An alignment mark having an unevenness formed by etching on the substrate chuck portion, and a light irradiation portion for irradiating light, and means for detecting alignment disposed on the substrate chuck portion side. Means for setting a lower substrate provided with: means for setting an upper substrate provided with an alignment mark having irregularities formed by etching on the substrate holder portion; means for defining parallelism of the upper and lower substrates; Means for defining the thickness of the adhesive layer on the surface to which the substrate is bonded, means for aligning the alignment marks of the upper and lower substrates, means for applying an adhesive, The means according to any one of claims 1 to 9, comprising means for spreading the adhesive, means for controlling the thickness of the adhesive, and means for curing and bonding the adhesive by irradiating light. The alignment bonding method is used (claim 10).

[11].基板を接着剤で接合した構造を有する光学素子において、[1]〜[9]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法を用いて作製したことを特徴とする(請求項11)。
[12].基板を接着剤で接合した構造を有する光学素子において、[10]に記載のアライメント接着装置により作製したことを特徴とする(請求項12)。
[13].[11]または[12]に記載の光学素子において、基板上あるいは基板間に回折格子またはホログラムを有し、偏光分離機能を有することを特徴とする(請求項13)。
[11]. An optical element having a structure in which substrates are bonded with an adhesive, which is manufactured using the alignment bonding method according to any one of [1] to [9].
[12]. An optical element having a structure in which substrates are bonded with an adhesive, is manufactured by the alignment bonding apparatus according to [10] (claim 12).
[13]. In the optical element according to [11] or [12], the optical element has a diffraction grating or a hologram on or between the substrates, and has a polarization separation function (claim 13).

前記解決手段の[1]に記載のアライメント接合方法では、基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部と、光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部と、X,Y,Z,θの各方向に移動可能なステージと、光を照射する光照射部と、前記基板チャック部側に配置されアライメントを検出する手段とを備えた装置を用い、前記基板チャック部上に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた下基板をセットする工程と、前記基板ホルダ部に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた上基板をセットする工程と、上下の基板の平行を規定する工程と、上下の基板を接着する面の接着層の厚みを規定する工程と、上下の基板のアライメントマークを位置合わせする工程と、接着剤を塗布する工程と、接着剤を広げる工程と、接着剤の厚みを制御する工程と、光を照射して接着剤を硬化接着する工程とを有することにより、上基板の反りを低減することができ、アライメント精度及び均一な接着層の厚みを確保することができ、デバイスの外形寸法精度が向上し、高品質なアライメント接合を達成することができる。   In the alignment joining method according to [1] of the above solution, a substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing the substrate, a substrate holder portion made of an optically transparent flat member, and X, Y , Z, θ, a device that includes a stage that can move in each direction, a light irradiation unit that irradiates light, and a unit that is disposed on the substrate chuck unit side and that detects alignment, on the substrate chuck unit. A step of setting a lower substrate provided with an alignment mark having unevenness formed by etching, a step of setting an upper substrate provided with an alignment mark having unevenness formed by etching, on the substrate holder, Aligning the alignment marks of the upper and lower substrates, the step of defining the parallelism of the substrates, the step of defining the thickness of the adhesive layer on the surface to which the upper and lower substrates are bonded Warping the upper substrate by having a step, a step of applying an adhesive, a step of spreading the adhesive, a step of controlling the thickness of the adhesive, and a step of curing and bonding the adhesive by irradiating light , The alignment accuracy and the uniform thickness of the adhesive layer can be ensured, the external dimension accuracy of the device is improved, and high-quality alignment bonding can be achieved.

前記解決手段の[2]〜[6]に記載のアライメント接合方法では、[1]の効果に加え、上下の基板を固定する石英ガラス製の基板ホルダ部と基板チャック部の表面に、少なくとも2種類の基板サイズに対応した、基板吸着用溝もしくは孔を形成し、使用する基板サイズから外れた基板吸着部以外の溝もしくは孔をシールすることで、複数の基板サイズに対応でき、基板サイズ毎に石英ガラス製の基板ホルダと基板チャック部を準備する必要性がなくなり、その分、取り替え工程が短縮でき、装置及びデバイスの低コスト化を達成することができる。   In the alignment bonding method according to [2] to [6] of the solving means, in addition to the effect of [1], at least 2 on the surfaces of the quartz glass substrate holder portion and the substrate chuck portion for fixing the upper and lower substrates. By forming a groove or hole for substrate adsorption corresponding to the type of substrate size and sealing the groove or hole other than the substrate adsorption part that deviates from the substrate size to be used, it is possible to accommodate multiple substrate sizes. In addition, there is no need to prepare a quartz glass substrate holder and a substrate chuck portion, and accordingly, the replacement process can be shortened, and the cost of the apparatus and the device can be reduced.

前記解決手段の[7]に記載のアライメント接着方法では、[1]〜[6]のいずれかの効果に加え、上下の基板を載置固定する基板チャック部と基板ホルダ部間に、同一寸法の平板または円柱もしくは球を挿入し、アライメント接合基板間の平行と接着層厚みを規定したことにより、接合品質を向上することができる。   In the alignment bonding method according to [7] of the solution means, in addition to the effect of any one of [1] to [6], the same dimension is provided between the substrate chuck portion and the substrate holder portion on which the upper and lower substrates are placed and fixed. By inserting a flat plate, a cylinder, or a sphere, and defining the parallelism between the alignment bonded substrates and the thickness of the adhesive layer, the bonding quality can be improved.

前記解決手段の[8]に記載のアライメント接着方法では、[1]〜[7]のいずれかの効果に加え、アライメントマークの位置合わせを基板チャック部側から実施することにより、高いアライメント精度の接合方法を提供することができる。また、光を散乱もしくは遮光する基板に対しても利用が可能な接合方法を提供することができる。   In the alignment adhesion method described in [8] of the solution means, in addition to the effect of any one of [1] to [7], alignment of the alignment mark is performed from the substrate chuck portion side, thereby achieving high alignment accuracy. A bonding method can be provided. Further, it is possible to provide a bonding method that can be used for a substrate that scatters or blocks light.

前記解決手段の[9]に記載のアライメント接着方法では、[1]〜[8]のいずれかの効果に加え、前記接着剤を硬化接着する光は光学的に透明な基板チャック側と基板ホルダ側から照射することにより、接着剤による収縮を均等化でき、高品質な接合が可能となる。   In the alignment bonding method according to [9] of the solving means, in addition to the effect of any of [1] to [8], the light for curing and bonding the adhesive is optically transparent on the substrate chuck side and the substrate holder By irradiating from the side, shrinkage due to the adhesive can be equalized, and high-quality joining is possible.

前記解決手段の[10]に記載のアライメント接合装置では、基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部と、光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部と、X,Y,Z,θの各方向に移動可能なステージと、光を照射する光照射部と、前記基板チャック部側に配置されアライメントを検出する手段とを備え、前記基板チャック部上に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた下基板をセットする手段と、前記基板ホルダ部に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた上基板をセットする手段と、上下の基板の平行を規定する手段と、上下の基板を接着する面の接着層の厚みを規定する手段と、上下の基板のアライメントマークを位置合わせする手段と、接着剤を塗布する手段と、接着剤を広げる手段と、接着剤の厚みを制御する手段と、光を照射して接着剤を硬化接着する手段とを具備し、請求項[1]〜[9]のいずれか一つに記載のアライメント接着方法を用いたことにより、[1]〜[9]のいずれかと同様の効果が得られ、高品質で安定した接合を行うことができる接合装置を提供することができる。   In the alignment bonding apparatus according to [10] of the above solution, a substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing the substrate, a substrate holder portion made of an optically transparent flat member, and X, Y , Z, θ, a light irradiation unit for irradiating light, and means for detecting alignment that is arranged on the substrate chuck unit side, and is formed on the substrate chuck unit by etching Means for setting a lower substrate provided with alignment marks having unevenness, means for setting an upper substrate provided with alignment marks having unevenness formed by etching on the substrate holder portion, and parallelism of upper and lower substrates Means for prescribing, means for prescribing the thickness of the adhesive layer on the surface to which the upper and lower substrates are bonded, means for aligning the upper and lower substrate alignment marks, Claims [1] to [9] comprising means for applying an adhesive, means for spreading the adhesive, means for controlling the thickness of the adhesive, and means for curing and bonding the adhesive by irradiating light. By using the alignment bonding method according to any one of the above, an effect similar to any one of [1] to [9] can be obtained, and a high-quality and stable bonding apparatus can be provided. can do.

前記解決手段の[11]、[12]に記載の光学素子では、[1]〜[9]のいずれか一つに記載のアライメント接合方法、あるいは[10]に記載のアライメント接合装置を用いて作製したことにより、接合品質の良い高品質な光学素子を得ることができる。
また、[13]に記載の光学素子のように、基板上あるいは基板間に回折格子またはホログラムを有し、偏光分離機能を有する構成の場合には、波面収差の向上と小型化が可能な偏光分離素子を得ることが可能となる。そして、この偏光分離素子は、光ディスクドライブ装置の光ピックアップ装置等に好適に利用することができる。
In the optical element according to [11] and [12] of the solving means, the alignment bonding method according to any one of [1] to [9] or the alignment bonding apparatus according to [10] is used. As a result, a high-quality optical element with good bonding quality can be obtained.
Further, in the case of a configuration having a diffraction grating or a hologram on a substrate or between substrates as in the optical element described in [13] and having a polarization separation function, polarized light capable of improving the wavefront aberration and reducing the size. A separation element can be obtained. The polarization separation element can be suitably used for an optical pickup device of an optical disk drive device.

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図示の実施例に基いて詳細に説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail based on the embodiments shown in the drawings.

[実施例1]
まず、本発明の第1の実施例を図1乃至図14を参照して説明する。
図1は多数の光学素子を形成した直径φ100mmのウエハ状の接合基板40の概略断面図であり、この接合基板40は、直径φ100mm、厚さ1.00mmのBK−7からなるガラス基板に多数の格子8とアライメントマーク9を形成した上基板1と、直径φ100mm、厚さ1.00mmのBK−7からなるガラス基板に直径φ80mm、厚さ0.10mmの有機複屈折膜3を有機複屈折膜3と同じ屈折率の紫外線硬化型接着剤6で中心を合わせて接着した後、有機複屈折膜上に多数の回折格子(またはホログラム)10とアライメントマーク11を形成した下基板2と、上基板1と下基板2を接着する接着剤5と、回折格子10の溝を充填する接着剤7と、該接着剤7で有機複屈折膜付きの下基板2に接着される保護基板4とから成っている。そして、この接合基板40を後述するダイシングソー等によって複数個に切断することにより、多数の光学素子を得ることができる。以下、この接合基板40の具体的な製法を説明する。
[Example 1]
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a wafer-like bonded substrate 40 having a diameter of φ100 mm on which a large number of optical elements are formed. The bonded substrate 40 is formed on a glass substrate made of BK-7 having a diameter of φ100 mm and a thickness of 1.00 mm. An organic birefringent film 3 having a diameter of 80 mm and a thickness of 0.10 mm is formed on an upper substrate 1 on which a lattice 8 and an alignment mark 9 are formed, and a glass substrate made of BK-7 having a diameter of 100 mm and a thickness of 1.00 mm. After being bonded with an ultraviolet curable adhesive 6 having the same refractive index as that of the film 3 in the center, a lower substrate 2 having a large number of diffraction gratings (or holograms) 10 and alignment marks 11 formed on the organic birefringent film, An adhesive 5 for bonding the substrate 1 and the lower substrate 2, an adhesive 7 for filling the grooves of the diffraction grating 10, and a protective substrate 4 bonded to the lower substrate 2 with an organic birefringence film by the adhesive 7. Completed There. A large number of optical elements can be obtained by cutting the bonding substrate 40 into a plurality of pieces with a dicing saw or the like to be described later. Hereinafter, a specific method for manufacturing the bonding substrate 40 will be described.

初めに、下基板2を構成する直径φ100mm、厚さ1.00mmのショット製光学ガラスBK−7からなる透明基板を図示しない回転塗布装置の基板固定テーブルに載せ、真空吸着し、固定した。その後、基板固定テーブルを10〜50rpmで回転させながら、下基板2の中央部にディスペンサーを用いて屈折率1.52、粘度500cps(25℃)のエポキシ樹脂系紫外線硬化型接着剤6を約10g滴下した。その後、基板固定テーブルを300〜500rpmで回転させ、下基板全面に紫外線硬化型接着剤6を広げ、基板固定テーブルの回転を停止した。その後、直径80mm、厚さ100μmの有機複屈折膜3の中心を下基板2の中心に合わせ、載置装置を用いて下基板上の接着剤面に載せた。その後、基板固定テーブルを1000〜2000rpmで回転させ、紫外線硬化型接着剤6を振り切り、接着層厚さを下基板面内で一定にして有機複屈折膜3の表面を平坦化した。その後、基板固定テーブルの回転を停止し、有機複屈折膜側から高圧水銀灯を用いて紫外線を照射し、紫外線硬化型接着剤6を硬化した。このときの硬化後の接着剤厚みは20μmであった。   First, a transparent substrate made of shot optical glass BK-7 having a diameter of φ100 mm and a thickness of 1.00 mm constituting the lower substrate 2 was placed on a substrate fixing table of a spin coater (not shown), and vacuum-adsorbed and fixed. Thereafter, while rotating the substrate fixing table at 10 to 50 rpm, about 10 g of the epoxy resin-based UV curable adhesive 6 having a refractive index of 1.52 and a viscosity of 500 cps (25 ° C.) is applied to the center portion of the lower substrate 2 using a dispenser. It was dripped. Thereafter, the substrate fixing table was rotated at 300 to 500 rpm, the ultraviolet curable adhesive 6 was spread over the entire lower substrate, and the rotation of the substrate fixing table was stopped. Thereafter, the center of the organic birefringent film 3 having a diameter of 80 mm and a thickness of 100 μm was aligned with the center of the lower substrate 2 and placed on the adhesive surface on the lower substrate using a mounting device. Thereafter, the substrate fixing table was rotated at 1000 to 2000 rpm, the ultraviolet curable adhesive 6 was shaken off, and the surface of the organic birefringent film 3 was flattened with the adhesive layer thickness kept constant within the lower substrate surface. Thereafter, the rotation of the substrate fixing table was stopped, and ultraviolet rays were irradiated from the organic birefringent film side using a high-pressure mercury lamp to cure the ultraviolet curable adhesive 6. The adhesive thickness after curing at this time was 20 μm.

次に、有機複屈折膜3を接着した下基板2を基板固定テーブルから外し、有機複屈折膜上にポジレジストを1.1μmの厚さに塗布し、90℃で30分のプリベークを行った後、下基板2を縮小投影露光装置(NA=0.45、σ=0.6、波長;i線)に装着し、1000周期ある2.0μmライン・アンド・スペースのデバイスパターンと、ライン幅30μm、長さ130μmの十字形状のアライメントパターンと、外形位置合わせ用の直径φ100μmのパターンのレチクルを用いて露光を行った。次いで現像液NMD−3を用いて現像を行い、100℃で30分のポストベークを行い、周期的なレジストパターンを完成させた。その後、スパッタ法によって前記のレジストパターン上にアルミニウム(Al)を蒸着し、引き続きアセトンを用いてレジストを溶解してAlのリフトオフを行い、レジストパターンを反転させたAlパターンを完成させた後、日本真空技術社製のNLD−800エッチング装置を用いて基板バイアス200W、アンテナ電力1KW、酸素ガス40SCCM、基板温度−30℃のエッチング条件で、前記のAlパターンを金属マスクにして有機複屈折膜3を4μmの深さにエッチングした。その後、リン酸系のAlエッチング液を用いてAlパターンを除去し、1000周期ある凹凸格子(以後、回折格子と記述)10と凹凸形状のアライメントマーク11とを完成させた。図2(a)は完成した下基板の平面図と断面図であり、図3(a)は下基板2の有機複屈折膜3上にアライメントマーク11として形成された外形アライメント用マーク11aとデバイス用アライメントマーク11bを示している。   Next, the lower substrate 2 to which the organic birefringent film 3 was adhered was removed from the substrate fixing table, a positive resist was applied on the organic birefringent film to a thickness of 1.1 μm, and prebaked at 90 ° C. for 30 minutes. After that, the lower substrate 2 is mounted on a reduction projection exposure apparatus (NA = 0.45, σ = 0.6, wavelength; i-line), and a 2.0 μm line-and-space device pattern having 1000 cycles and a line width Exposure was performed using a cross-shaped alignment pattern of 30 μm and a length of 130 μm, and a reticle having a diameter of φ100 μm for alignment of the outer shape. Next, development was performed using a developer NMD-3, and post-baking was performed at 100 ° C. for 30 minutes to complete a periodic resist pattern. Thereafter, aluminum (Al) is vapor-deposited on the resist pattern by sputtering, and subsequently the resist is dissolved using acetone to lift off the Al to complete an Al pattern in which the resist pattern is inverted. Using an NLD-800 etching apparatus manufactured by Vacuum Technology Co., Ltd., the organic birefringent film 3 was formed using the Al pattern as a metal mask under the etching conditions of substrate bias 200 W, antenna power 1 KW, oxygen gas 40 SCCM, substrate temperature −30 ° C. Etching to a depth of 4 μm. Thereafter, the Al pattern was removed using a phosphoric Al etching solution to complete a concavo-convex grating (hereinafter referred to as a diffraction grating) 10 having 1000 cycles and a concavo-convex alignment mark 11. 2A is a plan view and a cross-sectional view of the completed lower substrate. FIG. 3A is an external alignment mark 11a formed as an alignment mark 11 on the organic birefringent film 3 of the lower substrate 2 and a device. The alignment mark 11b is shown.

一方の上基板1は、直径φ100mm、厚さ1.00mmのショット製光学ガラスBK−7からなる透明基板で構成されており、初めに、上基板上にポジレジストを1.1μmの厚さに塗布し、90℃で30分のプリベークを行った後、上基板1を縮小投影露光装置(NA=0.45、σ=0.6、波長;i線)に装着し、1000周期ある5μmライン・アンド・スペースのデバイスパターンとライン幅20μm、長さ110μmの十字形状アライメントパターンのレチクルを用いて露光を行った。次いで現像液NMD−3を用いて現像を行い、100℃で30分のポストベークを行い、周期的なレジストパターンを完成させた。その後、日本真空技術社製のNLD−800エッチング装置を用いて基板バイアス200W、アンテナ電力1.5KW、CFガス60SCCM、基板温度−30℃のエッチング条件で、前記のレジストパターンをマスクにして0.5μmの深さまでエッチングした。その後、アセトンを用いてレジストを溶解して除去し、1000周期ある凹凸格子8と凹凸形状のアライメントマーク9とを完成させた。図2(b)は完成した上基板の平面図と断面図であり、図3(b)は上基板1上にアライメントマーク9として形成されたデバイスアライメント用マークを示している。 One upper substrate 1 is composed of a transparent substrate made of shot optical glass BK-7 having a diameter of 100 mm and a thickness of 1.00 mm. First, a positive resist is formed on the upper substrate to a thickness of 1.1 μm. After coating and pre-baking at 90 ° C. for 30 minutes, the upper substrate 1 is mounted on a reduction projection exposure apparatus (NA = 0.45, σ = 0.6, wavelength; i-line), and 5 μm lines with 1000 cycles Exposure was performed using a reticle having an and space device pattern and a cross-shaped alignment pattern having a line width of 20 μm and a length of 110 μm. Next, development was performed using a developer NMD-3, and post-baking was performed at 100 ° C. for 30 minutes to complete a periodic resist pattern. Then, using an NLD-800 etching apparatus manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd., with the resist pattern as a mask under etching conditions of substrate bias 200 W, antenna power 1.5 kW, CF 4 gas 60 SCCM, substrate temperature −30 ° C. Etching to a depth of 5 μm. Thereafter, the resist was dissolved and removed using acetone to complete the concavo-convex lattice 8 having 1000 cycles and the concavo-convex alignment mark 9. 2B is a plan view and a cross-sectional view of the completed upper substrate, and FIG. 3B shows a device alignment mark formed as an alignment mark 9 on the upper substrate 1.

さらに保護基板4は、直径φ100mm、厚さ1.00mmのショット製光学ガラスBK−7からなる透明基板で構成されており、初めに、保護基板上にポジレジストを1.1μmの厚さに塗布し、90℃で30分のプリベークを行った後、保護基板4を縮小投影露光装置(NA=0.45、σ=0.6、波長;i線)に装着し、直径φ80μmのアライメントパターンのレチクルを用いて露光を行った。次いで現像液NMD−3を用いて現像を行い、100℃で30分のポストベークを行い、レジストパターンを完成させた。その後、日本真空技術社製のNLD−800エッチング装置を用いて基板バイアス200W、アンテナ電力1.5KW、CFガス60SCCM、基板温度−30℃のエッチング条件で、前記のレジストパターンをマスクにして0,5μmの深さまでエッチングした。その後、アセトンを用いてレジストを溶解して除去し、基板外形を位置合わせするためのアライメントマーク12を完成させた。図2(c)は完成した保護基板の平面図と断面図であり、図3(c)は保護基板4上にアライメントマーク12として形成されたデバイスアライメント用マークを示している。 Further, the protective substrate 4 is composed of a transparent substrate made of shot optical glass BK-7 having a diameter of 100 mm and a thickness of 1.00 mm. First, a positive resist is applied to the protective substrate to a thickness of 1.1 μm. After pre-baking at 90 ° C. for 30 minutes, the protective substrate 4 is mounted on a reduction projection exposure apparatus (NA = 0.45, σ = 0.6, wavelength; i-line), and an alignment pattern with a diameter of 80 μm is mounted. Exposure was performed using a reticle. Next, development was performed using a developer NMD-3, and post-baking was performed at 100 ° C. for 30 minutes to complete a resist pattern. Then, using an NLD-800 etching apparatus manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd., with the resist pattern as a mask under etching conditions of substrate bias 200 W, antenna power 1.5 kW, CF 4 gas 60 SCCM, substrate temperature −30 ° C. , Etched to a depth of 5 μm. Thereafter, the resist was dissolved and removed using acetone to complete the alignment mark 12 for aligning the outer shape of the substrate. FIG. 2C is a plan view and a cross-sectional view of the completed protective substrate, and FIG. 3C shows a device alignment mark formed as the alignment mark 12 on the protective substrate 4.

図4は本発明の一実施例を示すアライメント接合装置の概略断面図である。このアライメント接合装置20は、上部光照射装置21と、下部光照射装置22と、下部照射光反射装置23と、アライメント光を照射してアライメントマークを検出するアライメント検出光学系24と、真空排気口32と4インチ径、6インチ径、8インチ径の複数の基板吸着用溝(幅1mm、深さ0.3mm)33を有する直径φ250mm、厚み20mmの石英ガラス製マスクホルダ(基板ホルダ部)25と、真空排気口34と4インチ径、6インチ径、8インチ径の基板吸着用溝(幅1mm、深さ0.3mm)35を有する直径φ250mm、厚み15mmの石英ガラス製ウエハチャック(基板チャック部)26と、石英ガラス製ウエハチャックが載置されるステージ27と、ステージをX,Y,θの各方向に移動するステージ移動装置28と、ステージ27を上下方向(Z方向)に移動するZ軸移動制御装置29と、Z軸移動制御装置29が固定されるベース30と、ベース30が固定される架台31と、図示しない接着剤滴下装置から構成されている。なお、上下の光照射装置21,22には図示しないシャッターが内蔵してある。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an alignment bonding apparatus showing an embodiment of the present invention. The alignment bonding apparatus 20 includes an upper light irradiation device 21, a lower light irradiation device 22, a lower irradiation light reflection device 23, an alignment detection optical system 24 that detects alignment marks by irradiating alignment light, and a vacuum exhaust port. A quartz glass mask holder (substrate holder portion) 25 having a diameter φ of 250 mm and a thickness of 20 mm having a plurality of substrate suction grooves (width 1 mm, depth 0.3 mm) 33 having a diameter of 32, 4 inches, 6 inches, and 8 inches. A quartz glass wafer chuck having a diameter of 250 mm and a thickness of 15 mm having a vacuum exhaust port 34 and a substrate suction groove 35 having a diameter of 4 inches, 6 inches and 8 inches (width 1 mm, depth 0.3 mm) (substrate chuck) Part) 26, a stage 27 on which a quartz glass wafer chuck is placed, and a stage moving device that moves the stage in each of the X, Y, and θ directions. 28, a Z-axis movement control device 29 that moves the stage 27 in the vertical direction (Z direction), a base 30 to which the Z-axis movement control device 29 is fixed, a gantry 31 to which the base 30 is fixed, and an adhesive (not shown) It is comprised from the agent dripping apparatus. The upper and lower light irradiation devices 21 and 22 have shutters (not shown) built therein.

以下、図4に示す構成のアライメント接合装置20を用い、図2に示す下基板2に保護基板4と上基板1を接合する場合の接合方法を説明する。
初めに、基板吸着窓を有したポリエステルフィルム36を石英ガラス製マスクホルダ25に装着・固定し、基板吸着部以外の真空吸着用溝33をシールする。そして前述した方法で作った直径φ100mm、厚さ0.50mmのショット製光学ガラスBK−7からなる保護基板4を前記基板吸着窓に載置し、真空吸着により石英ガラス製マスクホルダ25に固定した。次に、アライメント検出光学系(画像記憶装置付き顕微鏡)24により保護基板4の外形アライメント用マーク12を検出し、図5に示すように、マーク12を画像記憶装置のモニタ上の十字線で挟み込み、この画像を記憶する。
Hereinafter, a bonding method in the case where the protective substrate 4 and the upper substrate 1 are bonded to the lower substrate 2 illustrated in FIG. 2 using the alignment bonding apparatus 20 having the configuration illustrated in FIG. 4 will be described.
First, the polyester film 36 having the substrate suction window is mounted and fixed on the quartz glass mask holder 25, and the vacuum suction groove 33 other than the substrate suction portion is sealed. Then, the protective substrate 4 made of the shot optical glass BK-7 having a diameter of 100 mm and a thickness of 0.50 mm made by the method described above was placed on the substrate suction window and fixed to the quartz glass mask holder 25 by vacuum suction. . Next, the external alignment mark 12 on the protective substrate 4 is detected by the alignment detection optical system (microscope with image storage device) 24, and the mark 12 is sandwiched between the cross lines on the monitor of the image storage device as shown in FIG. , Memorize this image.

次に、図6(a)に示すように、6インチ、8インチの基板吸着用溝35をシールするために内径φ110mm、外径210mmに切り抜いた厚み0.1mmのポリエステルフィルム37を石英ガラス製ウエハチャック26に載置した。その後、図6(b)に示すように、前述した方法で作った下基板2を石英ガラス製ウエハチャック26に真空吸着により固定した。   Next, as shown in FIG. 6A, a polyester film 37 having a thickness of 0.1 mm cut out to an inner diameter of 110 mm and an outer diameter of 210 mm to seal the 6-inch and 8-inch substrate suction grooves 35 is made of quartz glass. It was placed on the wafer chuck 26. Thereafter, as shown in FIG. 6B, the lower substrate 2 made by the above-described method was fixed to the quartz glass wafer chuck 26 by vacuum suction.

次に、図7に示すように、石英ガラス製ウエハチャック26と石英ガラス製マスクホルダ25間に、直径φ5mm、高さ5.000mm、平行度0.001mm、表面粗さRa<10nmのジルコニア円柱38を図示しない支持アームの移動により同一円周上の120°等分の位置に3個挿入し、Z軸移動制御装置29によりステージ27を上昇して、石英ガラス製ウエハチャック26と石英ガラス製マスクホルダ25間にジルコニア円柱37を挟み、1N/個で加圧、停止した点をギャップ5.000mm及び平行面として記憶・固定した。
その後、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26を下降し、ジルコニア円柱38を基板外へ移動した。
Next, as shown in FIG. 7, between the quartz glass wafer chuck 26 and the quartz glass mask holder 25, a zirconia cylinder having a diameter of 5 mm, a height of 5.000 mm, a parallelism of 0.001 mm, and a surface roughness Ra <10 nm. 3 are inserted at positions equal to 120 ° on the same circumference by movement of a support arm (not shown), the stage 27 is raised by the Z-axis movement control device 29, and the quartz glass wafer chuck 26 and quartz glass are inserted. A zirconia cylinder 37 was sandwiched between the mask holders 25, and the point where pressure was applied and stopped at 1 N / piece was stored and fixed as a gap of 5.000 mm and a parallel surface.
Thereafter, the quartz glass wafer chuck 26 was lowered together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29, and the zirconia cylinder 38 was moved out of the substrate.

次に、下基板2を図で左の方向に押し出し、下基板2の中央に図示しないディスペンサーを用い、オーテックス社製の紫外線硬化型のエポキシ樹脂系接着剤EX1500−4、粘度1000cps(23℃)を0.5mL滴下し、下基板2を図で右の方向に戻し、接着層厚み100μm以上を確保するギャップまでZ軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26を上昇した。   Next, the lower substrate 2 is extruded in the left direction in the figure, and a UV curable epoxy resin adhesive EX1500-4 manufactured by Otex Co., Ltd., having a viscosity of 1000 cps (23 ° C.) is used at the center of the lower substrate 2. ) Was dropped, the lower substrate 2 was returned to the right in the figure, and the quartz glass wafer chuck 26 was lifted together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29 to a gap that secures an adhesive layer thickness of 100 μm or more.

次に、図8に示すように、下基板2と保護基板4の外形アライメント用マーク11a,12の位置検出をアライメント検出光学系(画像記憶装置付き顕微鏡)24により行い、アライメントを行った。初めに、図8(a)に示すように、顕微鏡の焦点位置を下基板2に合わせて下基板2の外形アライメント用マーク11aを検出し、保護基板4の外形アライメント用マーク12を記憶していた画像記憶装置のモニタの十字線画像と、検出された外形アライメント用マーク11aとのエラー(画像を記憶した十字線とのズレ)を検出した後、図8(b)に示すように、ステージ移動装置28により石英ガラス製ウエハチャック26をX,Y,θの各方向に移動させることにより補正した。図8(c)に位置合わせ後の下基板2と保護基板4のアライメントマーク11a,12を示す。   Next, as shown in FIG. 8, the alignment of the outer alignment marks 11a and 12 on the lower substrate 2 and the protective substrate 4 was detected by an alignment detection optical system (microscope with an image storage device) 24 to perform alignment. First, as shown in FIG. 8A, the focus position of the microscope is adjusted to the lower substrate 2 to detect the outer alignment mark 11a on the lower substrate 2, and the outer alignment mark 12 on the protective substrate 4 is stored. After detecting an error between the crosshair image on the monitor of the image storage device and the detected outer alignment mark 11a (deviation from the crosshairs storing the image), as shown in FIG. Correction was performed by moving the quartz glass wafer chuck 26 in the X, Y, and θ directions by the moving device 28. FIG. 8C shows alignment marks 11a and 12 on the lower substrate 2 and the protective substrate 4 after alignment.

これを基板面内で同一線上の50mm離れた少なくとも2点で実施した。アライメント補正後、石英ガラス製ウエハチャック26はステージ27に真空吸着等により固定される。その後、最終接着剤厚み50μmを確保するため、再度、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26を上昇し、図9に示すように、接着剤7を基板全体に押し広げ、ギャップ1.700mmの位置で停止し、接着剤7の広がりが十分行われる間、この状態を2分間保持した。このとき、基板2,4の総厚み1.500mm、有機複屈折膜3の厚みが0.100mm、下基板2と有機複屈折膜3の接着剤厚みが0.050mm、有機複屈折膜3と保護基板4の接着剤厚みが0.050mmである。   This was carried out at at least two points 50 mm apart on the same line within the substrate surface. After the alignment correction, the quartz glass wafer chuck 26 is fixed to the stage 27 by vacuum suction or the like. Thereafter, in order to secure a final adhesive thickness of 50 μm, the quartz glass wafer chuck 26 is raised together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29 again, and the adhesive 7 is spread over the entire substrate as shown in FIG. The gap was stopped at a position of 1.700 mm, and this state was maintained for 2 minutes while the adhesive 7 was sufficiently spread. At this time, the total thickness of the substrates 2 and 4 is 1.500 mm, the thickness of the organic birefringent film 3 is 0.100 mm, the adhesive thickness of the lower substrate 2 and the organic birefringent film 3 is 0.050 mm, The adhesive thickness of the protective substrate 4 is 0.050 mm.

次に、図9に示すように、アライメント検出光学系を図示しない移動装置により光照射範囲外へ移動した後、上下の光照射装置21,22により、接着剤全面に波長365nm、光強度40mW/cmの紫外線(UV)を、2秒間ずつ交互に各50回照射し、接着剤7を硬化した。なお、光照射はシャッターを切り替えて一方の紫外線光が他方の光照射装置に入り込まないようにした。
その後、石英ガラス製マスクホルダ25の真空吸着を切り、保護基板4の真空吸着を解除する。次にZ軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26を下降した後、石英ガラス製ウエハチャック26の真空吸着を切り、保護基板4をアライメント接合した下基板2を取り出し、図10に示すような断面構造の保護基板付き下基板2とした。
Next, as shown in FIG. 9, after the alignment detection optical system is moved out of the light irradiation range by a moving device (not shown), the upper and lower light irradiation devices 21, 22 have a wavelength of 365 nm and a light intensity of 40 mW / mm on the entire surface of the adhesive. The adhesive 7 was cured by irradiating with 50 cm 2 of ultraviolet rays (UV) alternately every 2 seconds. For light irradiation, the shutter was switched to prevent one ultraviolet light from entering the other light irradiation device.
Thereafter, the vacuum suction of the quartz glass mask holder 25 is turned off, and the vacuum suction of the protective substrate 4 is released. Next, after the quartz glass wafer chuck 26 is lowered together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29, the vacuum suction of the quartz glass wafer chuck 26 is cut off, and the lower substrate 2 to which the protective substrate 4 is aligned and bonded is taken out. A lower substrate 2 with a protective substrate having a cross-sectional structure as shown in FIG.

次に、上基板1と、保護基板付き下基板2とのアライメント接合を行った。
初めに、前述した方法で作った直径φ100mm、厚さ1.000mmのBK−7からなる上基板1を真空吸着により石英ガラス製マスクホルダ25に固定した後(図4において保護基板4を上基板1に置き換えた状態)、アライメント検出光学系(画像記憶装置付き顕微鏡)24によりアライメントマーク9を検出し、図11に示すように、このマーク9を画像記憶装置のモニタ上の十字線で挟み込み、この画像を記憶する。
Next, alignment bonding of the upper substrate 1 and the lower substrate 2 with the protective substrate was performed.
First, after fixing the upper substrate 1 made of BK-7 having a diameter of 100 mm and a thickness of 1.000 mm made by the above-described method to the quartz glass mask holder 25 by vacuum suction (in FIG. 4, the protective substrate 4 is attached to the upper substrate). 1), the alignment mark 9 is detected by the alignment detection optical system (microscope with image storage device) 24, and as shown in FIG. 11, the mark 9 is sandwiched between crosshairs on the monitor of the image storage device, This image is stored.

次に、保護基板付き下基板2を石英ガラス製ウエハチャック26に真空吸着により固定した後、石英ガラス製ウエハチャック26と石英ガラス製マスクホルダ25間に、直径φ5mm、高さ5.000mm、平行度0.001mm、表面粗さRa<10nmのジルコニア円柱38を図示しない支持アームの移動により同一円周上の120°等分の位置に3個挿入した後、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26を上昇し、石英ガラス製ウエハチャック26と石英ガラス製マスクホルダ25間にジルコニア円柱38を挟み込み(図7において保護基板4を上基板1に置き換え、下基板2を保護基板付き下基板2に置き換えた状態)、1N/個で加圧、停止した点をギャップ5.000mm及び平行面として記憶・固定した。その後、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャックを下降し、ジルコニア円柱38を基板外へ移動した。   Next, after the lower substrate 2 with a protective substrate is fixed to the quartz glass wafer chuck 26 by vacuum suction, a diameter φ of 5 mm, a height of 5.000 mm, and parallel between the quartz glass wafer chuck 26 and the quartz glass mask holder 25 are provided. After inserting three zirconia cylinders 38 having a degree of 0.001 mm and a surface roughness Ra <10 nm at equal positions of 120 ° on the same circumference by the movement of a support arm (not shown), the stage 27 is moved by the Z-axis movement controller 29. At the same time, the quartz glass wafer chuck 26 is raised, and a zirconia cylinder 38 is sandwiched between the quartz glass wafer chuck 26 and the quartz glass mask holder 25 (in FIG. 7, the protective substrate 4 is replaced with the upper substrate 1 and the lower substrate 2 is protected). The state where it is replaced with the lower substrate 2 with the substrate) The point where the pressure is stopped at 1 N / piece is the gap 5.000 mm and the parallel surface. And memorized and fixed. Thereafter, the quartz glass wafer chuck was lowered together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29, and the zirconia cylinder 38 was moved out of the substrate.

次に、保護基板付き下基板2を図で左の方向に押し出し、下基板2の中央に図示しないディスペンサーを用い、オーテックス社製の紫外線硬化型のエポキシ樹脂系接着剤EX1500−4、粘度1000cps(23℃)を0.5mL滴下し、下基板2を図で右の方向に戻し、接着層厚み100μm以上を確保するギャップまでZ軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャックを上昇した。   Next, the lower substrate 2 with the protective substrate is extruded in the left direction in the drawing, and a UV curable epoxy resin adhesive EX1500-4 manufactured by Otex Co., Ltd., having a viscosity of 1000 cps is used at the center of the lower substrate 2. 0.5 mL of (23 ° C.) is dropped, the lower substrate 2 is returned to the right in the drawing, and the quartz glass wafer chuck is lifted together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29 to the gap that secures an adhesive layer thickness of 100 μm or more. did.

図12(a)に、画像記憶装置のモニタ画面上で上基板1のアライメントマーク9を挟み込み記憶した十字線と、保護基板付き下基板2のアライメントマーク11a,11b,12を、図12(b)に位置合わせ後の上基板1と保護基板付き下基板2のアライメントマーク9,11a,11b,12を示す。初めに、アライメント検出光学系(画像記憶装置付き顕微鏡)24の顕微鏡の焦点位置を保護基板付き下基板2の有機複屈折膜3上に合わせ、有機複屈折膜3上のアライメントマーク11a,11bを検出し、あらかじめ記憶しておいた上基板1のアライメントマーク画像と、検出されたアライメントマークとのエラー(画像を記憶した十字線とのズレ)を検出する。そして、ステージ移動装置28により、ウエハチャック26をX,Y,θの各方向に移動させることにより位置を補正した。これを基板面内で同一線上の50mm離れた少なくとも2点で実施した。アライメント補正後、石英ガラス製ウエハチャック26はステージ27に真空吸着等により固定される。   FIG. 12A shows the crosshairs in which the alignment mark 9 of the upper substrate 1 is sandwiched and stored on the monitor screen of the image storage device, and the alignment marks 11a, 11b, and 12 of the lower substrate 2 with the protective substrate. ) Shows alignment marks 9, 11a, 11b, and 12 on the upper substrate 1 and the lower substrate 2 with the protective substrate after alignment. First, the focus position of the microscope of the alignment detection optical system (microscope with image storage device) 24 is aligned with the organic birefringent film 3 of the lower substrate 2 with the protective substrate, and the alignment marks 11a and 11b on the organic birefringent film 3 are aligned. An error between the alignment mark image of the upper substrate 1 that has been detected and stored in advance and the detected alignment mark (deviation from the crosshair that stores the image) is detected. Then, the position was corrected by moving the wafer chuck 26 in each of the X, Y, and θ directions by the stage moving device 28. This was carried out at at least two points 50 mm apart on the same line within the substrate surface. After the alignment correction, the quartz glass wafer chuck 26 is fixed to the stage 27 by vacuum suction or the like.

次に、最終接着剤厚み50μmを確保するため、再度、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26を上昇し、図13に示すように、接着剤5を基板全体に押し広げ、ギャップ2.750mmの位置で停止し、接着剤5の広がりが十分行われる間、この状態を2分間保持した。このとき、上基板厚みが1.000mm、保護基板付き下基板厚みが1.700mm、接着層厚みが0.050mmである。   Next, in order to secure a final adhesive thickness of 50 μm, the quartz glass wafer chuck 26 is raised together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29 again, and the adhesive 5 is pushed over the entire substrate as shown in FIG. Spreading and stopping at the position of gap 2.750 mm, this state was maintained for 2 minutes while the adhesive 5 was sufficiently spread. At this time, the thickness of the upper substrate is 1.000 mm, the thickness of the lower substrate with the protective substrate is 1.700 mm, and the thickness of the adhesive layer is 0.050 mm.

次に、図13に示すように、アライメント検出光学系24を図示しない移動装置により光照射範囲外へ移動した後、上下の光照射装置21,22により、接着剤全面に波長365nm、光強度40mW/cmの紫外線(UV)を、2秒間ずつ交互に各50回照射し、接着剤5を硬化した。
なお、光照射はシャッターを切り替えて一方の紫外線光が他方の光照射装置に入り込まないようにした。その後、 石英ガラス製マスクホルダ25の真空吸着を切り、上基板1の真空吸着固定を解除する。次にZ軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26を下降した後、石英ガラス製ウエハチャック26の真空吸着を切り、上基板1を保護基板付き下基板2にアライメント接着した接合基板を取り出す。これにより、図1に示したような断面構造の接合基板40が得られる。
Next, as shown in FIG. 13, after the alignment detection optical system 24 is moved out of the light irradiation range by a moving device (not shown), the upper and lower light irradiation devices 21, 22 have a wavelength of 365 nm and a light intensity of 40 mW on the entire surface of the adhesive. The adhesive 5 was cured by irradiating 50 times of / cm 2 of ultraviolet rays (UV) alternately for 2 seconds.
For light irradiation, the shutter was switched to prevent one ultraviolet light from entering the other light irradiation device. Thereafter, the vacuum suction of the quartz glass mask holder 25 is turned off, and the vacuum suction fixation of the upper substrate 1 is released. Next, after the quartz glass wafer chuck 26 is lowered together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29, the vacuum suction of the quartz glass wafer chuck 26 is cut off, and the upper substrate 1 is aligned and bonded to the lower substrate 2 with the protective substrate. Remove the substrate. Thereby, the bonded substrate 40 having a cross-sectional structure as shown in FIG. 1 is obtained.

このアライメント接着した接合基板40を、図14に示すように、ダイシング装置のダイシングソー41により6mm角(6mm×6mm)の大きさに切断して、多数の光学素子42を切り出した。この光学素子42は、図1に示したように上下の基板間に有機複屈折膜3からなる回折格子10を有しており、入射光の偏光状態に応じて出射光を透過光と回折光に分離する偏光分離機能を有する偏光分離素子である。尚、本実施例では、下基板2に接着した有機複屈折膜3に周期的凹凸格子(回折格子)10を形成した例を示したが、有機複屈折膜3にホログラムを形成すれば偏光ホログラム素子となる。   As shown in FIG. 14, the alignment bonded substrate 40 was cut into a size of 6 mm square (6 mm × 6 mm) by a dicing saw 41 of a dicing apparatus, and a large number of optical elements 42 were cut out. As shown in FIG. 1, the optical element 42 has a diffraction grating 10 composed of an organic birefringent film 3 between upper and lower substrates, and transmits outgoing light and transmitted light and diffracted light according to the polarization state of incident light. This is a polarization separation element having a polarization separation function for separating the light into two. In the present embodiment, an example is shown in which the periodic concavo-convex grating (diffraction grating) 10 is formed on the organic birefringent film 3 adhered to the lower substrate 2. However, if a hologram is formed on the organic birefringent film 3, a polarization hologram It becomes an element.

本実施例では上下基板のZ方向のアライメントマーク間隔が0.5mmから最大で2.15mm離れたロングギャップアライメントであり、従来のマスクアライメント装置の4倍程度のアライメント間隔で実施している。マスクホルダ(基板ホルダ)25及びウエハチャック(基板チャック)26の材質は上下の光照射装置21,22及び、アライメント検出光学系24に用いる波長を透過する材質で、ヤング率が石英ガラスと同等もしくはそれ以上あればよいが、紫外線透過率、材料コスト、加工コスト等を考慮すると石英ガラスがより好適であった。
また、上下の基板の固定を、光学的に平面な石英ガラスからなるマスクホルダ(基板ホルダ)25とウエハチャック(基板チャック)26で基板全面を真空吸着により一体化固定していることにより、基板の剛性が高くなっているため、接着剤を基板全面に広げる際に基板面にかかる力による基板の変形を防止できる。
また、マスクホルダ(基板ホルダ)25とウエハチャック(基板チャック)26に複数の基板サイズに対応した基板固定用の真空吸着用溝33,35を有し、基板吸着部以外の真空吸着用溝をポリエステルフィルム36,37でシールすることにより、1組のマスクホルダ(基板ホルダ)25とウエハチャック(基板チャック)26で複数の基板サイズに対応でき、各種サイズのマスクホルダやウエハチャックを準備する必要がない。
In this embodiment, long gap alignment is performed with the alignment mark interval in the Z direction between the upper and lower substrates being 0.5 mm away from the maximum of 2.15 mm, and the alignment interval is about four times that of the conventional mask alignment apparatus. The material of the mask holder (substrate holder) 25 and the wafer chuck (substrate chuck) 26 is a material that transmits the wavelengths used for the upper and lower light irradiation devices 21 and 22 and the alignment detection optical system 24, and has a Young's modulus equivalent to that of quartz glass or More than that is sufficient, but quartz glass is more suitable in consideration of ultraviolet transmittance, material cost, processing cost, and the like.
In addition, the upper and lower substrates are fixedly integrated by vacuum suction with a mask holder (substrate holder) 25 and a wafer chuck (substrate chuck) 26 made of optically flat quartz glass. Therefore, when the adhesive is spread over the entire surface of the substrate, deformation of the substrate due to the force applied to the substrate surface can be prevented.
The mask holder (substrate holder) 25 and wafer chuck (substrate chuck) 26 have vacuum suction grooves 33 and 35 for fixing a plurality of substrates corresponding to a plurality of substrate sizes. By sealing with polyester films 36 and 37, one set of mask holder (substrate holder) 25 and wafer chuck (substrate chuck) 26 can cope with a plurality of substrate sizes, and it is necessary to prepare mask holders and wafer chucks of various sizes. There is no.

さらに、従来は基板の平行出しとアライメントギャップ基準出しは基板同士を全面接触させて実施していたが、本実施例の方法では基板を外した面に基準と成るジルコニア円柱を挿入することで、基板表面に形成したレジストパターンやデバイス等へのダメージを防止できる。
また、接着剤の硬化工程で、接着剤の両面から交互に紫外線を照射したことで、接着剤の硬化収縮を均等化し、基板の反りを低減できる。
また、上下基板のアライメントマークを検出するのに、アライメント検出光学系24の顕微鏡の焦点を移動する例を示したが、顕微鏡を固定し、それぞれの基板を所定の焦点位置まで移動してアライメントする方法でもよい。
Furthermore, in the past, parallel alignment of substrates and alignment gap reference alignment were performed with the substrates in contact with each other, but in the method of this example, by inserting a reference zirconia cylinder on the surface from which the substrate was removed, Damage to resist patterns and devices formed on the substrate surface can be prevented.
In addition, since the ultraviolet rays are alternately irradiated from both sides of the adhesive in the adhesive curing step, the curing shrinkage of the adhesive can be equalized and the warpage of the substrate can be reduced.
Moreover, although the example which moves the focus of the microscope of the alignment detection optical system 24 was shown in order to detect the alignment mark of an upper and lower board | substrate, a microscope is fixed and each board | substrate is moved to a predetermined | prescribed focus position, and it aligns. The method may be used.

なお、基板の材質はホウ酸クラウンガラス(BK−7)に限定されるものではなく、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、フッケイ・クラウンガラス、バリウム・クラウンガラス、クラウンガラス等の透明なガラス基板、ポリエステルやアクリル等の高分子フィルム、シート、板等を用いても良い。また、接着剤は紫外線硬化型のエポキシ樹脂系接着剤を用いたが、アクリル樹脂系の接着剤でもよい。また、本実施例では、マスクホルダ(基板ホルダ)25とウエハチャック(基板チャック)26との間に挿入し、アライメント接着基板間の平行と接着層厚みを規定する部材としてジルコニア円柱38を用いたが、ジルコニア製のボールや平板であっても良く、また、材質はアルミナ、窒化アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、c−BN、TiN、ZrSiO等のセラミックスや、WC、WC−Co合金、WC−TiC−Co合金等、所謂、超硬合金を用いても良い。また、本実施例では厚みと直径を夫々5mmとしたが、5mmに限定するものではなく、用いる基板厚、狙いの接着層厚み等により変えて用いても良い。同様に、断面形状を円形としているが、この形状に限定するものではなく、多角形や楕円等でも良い。また、装置との接触を考慮し、角部を面取り(例えば、0.3Rや0.3C)することが望ましい。 The material of the substrate is not limited to borate crown glass (BK-7), but is a transparent glass substrate such as quartz glass, borosilicate glass, fluorinated crown glass, barium crown glass, crown glass, polyester, etc. Alternatively, a polymer film such as acryl, a sheet, a plate, or the like may be used. Further, although an ultraviolet curable epoxy resin adhesive is used as the adhesive, an acrylic resin adhesive may be used. In this embodiment, the zirconia cylinder 38 is used as a member that is inserted between the mask holder (substrate holder) 25 and the wafer chuck (substrate chuck) 26 and defines the alignment between the alignment adhesive substrates and the thickness of the adhesive layer. there may be a zirconia ball or flat, also, the material is alumina, alumina nitride, silicon carbide, silicon nitride, c-BN, TiN, and ceramics such as ZrSiO 4, WC, WC-Co alloy, WC A so-called cemented carbide such as a TiC-Co alloy may be used. In this embodiment, the thickness and the diameter are 5 mm, but the thickness and the diameter are not limited to 5 mm. The thickness and the diameter may be changed depending on the substrate thickness to be used, the target adhesive layer thickness, and the like. Similarly, although the cross-sectional shape is circular, it is not limited to this shape, and may be a polygon, an ellipse, or the like. In consideration of contact with the apparatus, it is desirable to chamfer corners (for example, 0.3R or 0.3C).

次に本実施例の装置と従来装置で上下の基板を接合したときの、直径φ80mm範囲の接着後のアライメント精度と、反り(平面性)、及び上下基板の総合厚みバラツキを比較測定した結果を下記の表1に示す。
なお、ギャップ:2000μmで目標とするアライメント精度5μmに対し、誤差が5μmより大きいものを×、小さいものを○とした。また、直径φ80mm内の接着後の目標とする基板平面性10μm以下に対し、10μmより反りが大きいものを×、小さいものを○とした。目標とする接着層厚み50μmに対し、厚みが±10μmより大きいものを×、小さいものを○とした。アライメント精度の測定はアライメントマークの中心ずれを光学顕微鏡で、平面性は触針式粗さ計で、接着層厚みは試料をダイシングで切断した後、金属顕微鏡で観察・測長した。
Next, when the upper and lower substrates are joined with the apparatus of this example and the conventional apparatus, the alignment accuracy after bonding in the diameter φ80 mm range, the warpage (planarity), and the total thickness variation of the upper and lower substrates are compared and measured. It is shown in Table 1 below.
In addition, with respect to the alignment accuracy of 5 μm with a gap of 2000 μm, the error is larger than 5 μm, and the smaller one is marked as ◯. Further, with respect to the target substrate flatness of 10 μm or less after bonding within a diameter of φ80 mm, the case where the warpage was larger than 10 μm was marked as “X”, and the small one was marked as “◯”. With respect to the target adhesive layer thickness of 50 μm, those having a thickness larger than ± 10 μm were rated as “x”, and those having a smaller thickness were evaluated as “◯”. The alignment accuracy was measured with an optical microscope for the center misalignment of the alignment mark, the flatness with a stylus type roughness meter, and the thickness of the adhesive layer was observed and measured with a metal microscope after the sample was cut by dicing.

Figure 2005249856
Figure 2005249856

表1の通り、従来の接合方法ではアライメント精度の誤差、反り(平面性)、上下基板総合厚みバラツキともに大きかったが、本実施例の接合方法ではアライメント精度の誤差や反り(平面性)が小さく、上下基板総合厚みバラツキも小さい。なお、反り(平面性)、上下基板総合厚みバラツキが目標値より大きくなると、光学素子の光学特性、特に波面収差の低下が問題になってくるが、本実施例の接合方法ではアライメント精度の誤差、反り(平面性)、上下基板総合厚みバラツキが小さいので、波面収差の低下が改善された光学素子(偏光分離素子等)を提供することができる。   As shown in Table 1, in the conventional bonding method, the alignment accuracy error, warpage (flatness), and overall thickness variation of the upper and lower substrates were large, but in the bonding method of this example, the alignment accuracy error and warpage (flatness) were small. Also, the overall thickness variation of the upper and lower substrates is small. In addition, when the warpage (flatness) and the upper and lower substrate total thickness variation are larger than the target values, the optical characteristics of the optical element, particularly the wavefront aberration, is deteriorated. However, in the joining method of this embodiment, an error in alignment accuracy occurs. Further, since the warpage (flatness) and the variation in the total thickness of the upper and lower substrates are small, it is possible to provide an optical element (such as a polarization separation element) in which the reduction of wavefront aberration is improved.

[実施例2]
次に本発明の第2の実施例を図15〜17を参照して説明する。
本実施例では、前述の図2(a)に示す構成の有機複屈折膜付き下基板(以下、下基板)2、及び、図2(b)に示す構成の上基板1を用いるが、これらは実施例1と同じ方法で作製しているので、ここでは説明を省略する。異なるのは実施例1に示したアライメント接合装置の石英ガラス製マスクホルダ25と石英ガラス製ウエハチャック26の基板吸着用溝を孔に変更し、直径が最大8インチ、最小10mmのウエハ状の基板、もしくは10mm角までの方形状の基板に対応した点にある。
[Example 2]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this embodiment, the lower substrate (hereinafter referred to as the lower substrate) 2 with the organic birefringent film having the structure shown in FIG. 2A and the upper substrate 1 having the structure shown in FIG. 2B are used. Is manufactured by the same method as in Example 1, and the description is omitted here. The difference is that the substrate suction groove of the quartz glass mask holder 25 and the quartz glass wafer chuck 26 of the alignment bonding apparatus shown in the first embodiment is changed to a hole, and a wafer-like substrate having a maximum diameter of 8 inches and a minimum of 10 mm. Or a point corresponding to a square substrate up to 10 mm square.

具体的には図15に示すように直径φ250mm、厚み20mmの石英ガラス製ウエハチャック(基板チャック)26’に、直径が4インチ、5インチ、6インチ、8インチの基板に対応する最外周の位置に直径φ0.5mmの真空吸着用孔43aを15度等分の間隔で形成し、石英ガラス製ウエハチャック26’の中心の50mm角内に直径3インチ以下の基板に対応する直径φ0.5mmの吸着用孔43bを5mmピッチで形成した。
石英ガラス製ウエハチャック(基板チャック)26’のより具体的な作製方法としては、初めに、直径φ250mm、厚み10mmの石英ガラス26aに直径φ0.4mmの研磨ドリルで上記寸法に対応した位置に孔を加工し、その後、孔の側面をダイヤモンド研磨により透明に仕上げた。一方、直径φ250mm、厚み10mmの石英ガラス26bに、直径φ180mm、深さ3mmの凹部44aを加工し、この凹部44aに真空排気口34から連通する真空排気用の溝44bを設けた。また、加工面は火炎処理で透明にした。この加工した2つの石英ガラス26a,26bを、直径φ180mm、深さ3mmの凹部44aの加工面を内側にして、それぞれの石英ガラス26a,26bの外形を合わせ、合わせ面に沿って加熱融着した後、両面研磨により平行度をλ/10、平面度を100nm、表面粗さ(Rt)を1nmとした。研磨後は純水を用いた超音波洗浄を実施し、研磨紛を除去した。
Specifically, as shown in FIG. 15, a quartz glass wafer chuck (substrate chuck) 26 'having a diameter of 250 mm and a thickness of 20 mm is provided on the outermost periphery corresponding to a substrate having a diameter of 4, 5, 6 or 8 inches. The vacuum suction holes 43a having a diameter of 0.5 mm are formed at equal intervals of 15 degrees at the positions, and the diameter of 0.5 mm corresponding to a substrate having a diameter of 3 inches or less within a 50 mm square of the center of the quartz glass wafer chuck 26 '. The adsorption holes 43b were formed at a pitch of 5 mm.
As a more specific manufacturing method of the quartz glass wafer chuck (substrate chuck) 26 ', first, a quartz glass 26a having a diameter of 250 mm and a thickness of 10 mm is drilled at a position corresponding to the above dimensions with a polishing drill having a diameter of 0.4 mm. Then, the side surface of the hole was made transparent by diamond polishing. On the other hand, a recess 44a having a diameter of 180 mm and a depth of 3 mm was processed in a quartz glass 26b having a diameter of 250 mm and a thickness of 10 mm, and a vacuum exhaust groove 44b communicating from the vacuum exhaust port 34 was provided in the recess 44a. The processed surface was made transparent by flame treatment. The two processed quartz glasses 26a, 26b are heat-sealed along the mating surfaces, with the processed surfaces of the recesses 44a having a diameter of 180 mm and a depth of 3 mm, with the processed surfaces of the quartz glasses 26a, 26b being matched. Thereafter, the parallelism was λ / 10, the flatness was 100 nm, and the surface roughness (Rt) was 1 nm by double-side polishing. After polishing, ultrasonic cleaning using pure water was performed to remove polishing powder.

一方、石英ガラス製マスクホルダ(基板ホルダ)25’側も石英ガラス製ウエハチャック26’と同寸法で同様な方法で作製するので、ここでは説明を省略する。
これらの石英ガラス製マスクホルダ(基板ホルダ)25’及び石英ガラス製ウエハチャック(基板チャック)26’を実施例1と同様な構成のアライメント接合装置20’に取り付けた。
On the other hand, the quartz glass mask holder (substrate holder) 25 'side is also manufactured by the same method with the same dimensions as the quartz glass wafer chuck 26'.
These quartz glass mask holder (substrate holder) 25 ′ and quartz glass wafer chuck (substrate chuck) 26 ′ were attached to an alignment bonding apparatus 20 ′ having the same configuration as in the first embodiment.

本実施例では10mm角の正方形状の基板同士のアライメント接合を説明する。上基板1には、実施例1と同様に、10mm角、厚さ1.000mmのBK−7からなる基板上にフォトリソグラフィとドライエッチングプロセスで100周期ある20μmライン・アンド・スペースの深さ10μmの格子状のデバイスパターンと、ライン幅20μm、長さ100μmの十字状のアライメントマークを形成した。
下基板2も実施例1と同様なフォトリソグラフィとドライエッチングプロセスで、10mm角、厚さ1.000mmのBK−7からなる基板に接着した有機複屈折膜上に500周期ある5μmライン・アンド・スペースの深さ10μmの格子状のデバイスパターンと、ライン幅20μm、長さ100μmの十字状のアライメントマークを形成した。
In the present embodiment, alignment bonding between 10 mm square substrates is described. Similar to the first embodiment, the upper substrate 1 has a 10 μm square, 1.000 mm thick BK-7 substrate on which a 20 μm line and space depth of 10 μm, which is 100 cycles by photolithography and dry etching processes. And a cross-shaped alignment mark having a line width of 20 μm and a length of 100 μm were formed.
The lower substrate 2 is also subjected to photolithography and dry etching processes similar to those of the first embodiment, and 500 μm of 5 μm line-and-and-on are formed on an organic birefringent film bonded to a 10 mm square and 1.000 mm thick BK-7 substrate. A lattice-like device pattern having a space depth of 10 μm and a cross-shaped alignment mark having a line width of 20 μm and a length of 100 μm were formed.

図16は本発明の第2の実施例を示すアライメント接着装置の概略断面図である。このアライメント接合装置20’は、上部光照射装置21と、下部光照射装置22と、下部照射光反射装置23と、アライメント光を照射してアライメントマークを検出するアライメント検出光学系24と、前述した方法で製作した基板吸着用孔45を有する石英ガラス製マスクホルダ(基板ホルダ)25’と、前述した方法で製作した基板吸着用孔43を有する石英ガラス製ウエハチャック(基板チャック)26’と、石英ガラス製ウエハチャックが載置されるステージ27と、ステージをX,Y,θの各方向に移動するステージ移動装置28と、ステージ27を上下方向(Z方向)に移動するZ軸移動制御装置29と、Z軸移動制御装置29が固定されるベース30と、ベース30が固定される架台31と、図示しない接着剤滴下装置から構成されており、石英ガラス製マスクホルダ25’には上基板1が真空吸着され、石英ガラス製ウエハチャック26’には有機複屈折膜付き下基板2が真空吸着されている。また、石英ガラス製マスクホルダ25’と石英ガラス製ウエハチャック26’には基板吸着部以外の真空吸着用孔をシールするためのアクリルシート47が装着・固定されている。図17に基板載置窓を形成したアクリルシート47を装着した石英ガラス製マスクホルダ25’の平面図を示す(石英ガラス製ウエハチャック26’側も同様のシート形状である)。また、図16では石英ガラス製マスクホルダ25’と石英ガラス製ウエハチャック26’の間にジルコニアスペーサ46が挿入されている状態を示している。なお、上下の光照射装置21,22には図示しないシャッターが内蔵してある。   FIG. 16 is a schematic sectional view of an alignment bonding apparatus showing a second embodiment of the present invention. The alignment bonding apparatus 20 ′ includes an upper light irradiation apparatus 21, a lower light irradiation apparatus 22, a lower irradiation light reflecting apparatus 23, an alignment detection optical system 24 that detects alignment marks by irradiating alignment light, and the above-described alignment bonding apparatus 20 ′. A quartz glass mask holder (substrate holder) 25 ′ having a substrate suction hole 45 manufactured by the method, a quartz glass wafer chuck (substrate chuck) 26 ′ having a substrate suction hole 43 manufactured by the method described above, and A stage 27 on which a quartz glass wafer chuck is placed, a stage moving device 28 that moves the stage in each of the X, Y, and θ directions, and a Z-axis movement control device that moves the stage 27 in the vertical direction (Z direction). 29, a base 30 to which the Z-axis movement control device 29 is fixed, a gantry 31 to which the base 30 is fixed, and an adhesive dripping device (not shown) Is configured, quartz glass mask holder 25 'on the substrate 1 in the vacuum-sucked, quartz glass wafer chuck 26' the organic birefringent film with lower substrate 2 are vacuum suction. An acrylic sheet 47 for sealing a vacuum suction hole other than the substrate suction portion is mounted and fixed to the quartz glass mask holder 25 'and the quartz glass wafer chuck 26'. FIG. 17 shows a plan view of a quartz glass mask holder 25 ′ on which an acrylic sheet 47 having a substrate placement window is mounted (the quartz glass wafer chuck 26 ′ has the same sheet shape). FIG. 16 shows a state in which a zirconia spacer 46 is inserted between the quartz glass mask holder 25 ′ and the quartz glass wafer chuck 26 ′. The upper and lower light irradiation devices 21 and 22 have shutters (not shown) built therein.

以下、図16に示す構成のアライメント接合装置20’を用いて、有機複屈折膜付き下基板2に上基板1を接合する場合の接合方法を説明する。
初めに、前述した方法で作った上基板1を石英ガラス製マスクホルダ26’のアクリルシート47の基板載置窓47aにセットし、真空吸着により固定した。
次に、アライメント検出光学系(画像記憶装置付き顕微鏡)24によりアライメントマークを検出し、マークを画像記憶装置のモニタ上の十字線で挟み込み、この画像を記憶する。
Hereinafter, a bonding method in the case where the upper substrate 1 is bonded to the lower substrate 2 with the organic birefringent film using the alignment bonding apparatus 20 ′ having the configuration shown in FIG. 16 will be described.
First, the upper substrate 1 made by the above-described method was set on the substrate placement window 47a of the acrylic sheet 47 of the quartz glass mask holder 26 'and fixed by vacuum suction.
Next, an alignment mark is detected by an alignment detection optical system (microscope with image storage device) 24, the mark is sandwiched between crosshairs on a monitor of the image storage device, and this image is stored.

次に、前述した方法で作った下基板2を石英ガラス製ウエハチャック26’のアクリルシート47の基板載置窓にセットし、真空吸着により固定した後、石英ガラス製ウエハチャック26’と石英ガラス製マスクホルダ25’間に、直径φ20mm、高さ3.000mm、平行度0.001mm、表面粗さRa<10nmのジルコニアスペーサ46を図示しない支持アームの移動により同一円周上の120°等分の位置に3個挿入した後、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26’を上昇し、石英ガラス製ウエハチャック26’と石英ガラス製マスクホルダ25’間にジルコニアスペーサ46を挟み込み、1N/個で加圧し、停止した点を平行面として記憶・固定し、その後、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26’を下降し、ジルコニアスペーサ46を基板外へ移動した。   Next, the lower substrate 2 made by the above-described method is set on the substrate mounting window of the acrylic sheet 47 of the quartz glass wafer chuck 26 ′, fixed by vacuum suction, and then the quartz glass wafer chuck 26 ′ and the quartz glass are fixed. Between the mask holders 25 ', a zirconia spacer 46 having a diameter of 20 mm, a height of 3.000 mm, a parallelism of 0.001 mm, and a surface roughness Ra <10 nm is equally divided by 120 ° on the same circumference by moving a support arm (not shown). Then, the Z-axis movement control device 29 raises the quartz glass wafer chuck 26 'together with the stage 27, and the zirconia spacer 46 is interposed between the quartz glass wafer chuck 26' and the quartz glass mask holder 25 '. And pressurizing at 1 N / piece, storing and fixing the stopped point as a parallel plane, and then the Z-axis movement control device 29 As a result, the quartz glass wafer chuck 26 'was lowered together with the stage 27, and the zirconia spacer 46 was moved out of the substrate.

次に、下基板2を図で左の方向に押し出し、下基板2の中央に図示しないディスペンサーを用い、オーテックス社製の紫外線硬化型のエポキシ樹脂系接着剤EX1500−4、粘度1000cps(23℃)を0.1mL滴下し、下基板2を図で右の方向に戻し、石英ガラス製ウエハチャック26’と石英ガラス製マスクホルダ25’間に、直径φ20mm、高さ2.150mm(=上基板厚み1.000mm+有機複屈折膜付き下基板厚み1.100mm+接着層厚み0.050mm)、平行度0.001mm、表面粗さRa<10nmの接着後の基準寸法となるジルコニアスペーサー46を図示しない支持アームの移動により同一円周上の120°等分の位置に3個挿入した後、接着層厚み100μm以上を確保するギャップまでZ軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26’を上昇した。   Next, the lower substrate 2 is extruded in the left direction in the figure, and a UV curable epoxy resin adhesive EX1500-4 manufactured by Otex Co., Ltd., having a viscosity of 1000 cps (23 ° C.) is used at the center of the lower substrate 2. ) Is dropped, and the lower substrate 2 is returned to the right in the figure, and the diameter φ is 20 mm and the height is 2.150 mm (= upper substrate) between the quartz glass wafer chuck 26 ′ and the quartz glass mask holder 25 ′. (Not shown) zirconia spacer 46, which is a reference dimension after bonding, having a thickness of 1.000 mm + lower substrate thickness with an organic birefringent film 1.100 mm + adhesion layer thickness 0.050 mm), parallelism 0.001 mm, and surface roughness Ra <10 nm After inserting three at 120 ° equally divided positions on the same circumference by the movement of the arm, move to the Z-axis to a gap that secures an adhesive layer thickness of 100 μm or more It rose quartz glass wafer chuck 26 'together with the stage 27 by a control device 29.

次に、実施例1と同様のアライメント方法を行い、アライメント検出光学系(画像記憶装置付き顕微鏡)24の顕微鏡の焦点位置を下基板2の有機複屈折膜3上のアライメントマークに合わせ、有機複屈折膜上のアライメントマークを検出し、あらかじめ記憶しておいた上基板のアライメントマーク画像と、検出されたアライメントマークとのエラー(画像を記憶した十字線とのズレ)検出する。そして、ステージ移動装置28により、石英ガラス製ウエハチャック26’をX,Y,θの角方向に移動させることにより位置を補正した。これを基板面内で同一線上の6mm離れた少なくとも2点で実施した。アライメント位置の補正後、石英ガラス製ウエハチャック26’はステージ27に真空吸着等により固定される。その後、最終接着剤厚み50μmを確保するため、再度、Z軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26’を上昇し、接着剤5を基板全体に押し広げ、ジルコニアスペーサ46と接触した点(2.150mm)の位置で停止し、接着剤5の広がりが十分行われる間、この状態を2分間保持した。   Next, the same alignment method as in Example 1 is performed, and the focus position of the microscope of the alignment detection optical system (microscope with image storage device) 24 is aligned with the alignment mark on the organic birefringent film 3 of the lower substrate 2, so An alignment mark on the refractive film is detected, and an error between the alignment mark image of the upper substrate stored in advance and the detected alignment mark (deviation between the crosshairs storing the image) is detected. The position was corrected by moving the quartz glass wafer chuck 26 ′ in the X, Y, and θ angular directions by the stage moving device 28. This was performed at at least two points 6 mm apart on the same line in the substrate plane. After correcting the alignment position, the quartz glass wafer chuck 26 'is fixed to the stage 27 by vacuum suction or the like. Thereafter, in order to secure the final adhesive thickness of 50 μm, the quartz glass wafer chuck 26 ′ is lifted together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29 again to spread the adhesive 5 over the entire substrate and come into contact with the zirconia spacer 46. This position was maintained for 2 minutes while the adhesive 5 was sufficiently spread.

次に、アライメント検出光学系24を図示しない移動装置により光照射範囲外へ移動した後、上下の光照射装置21,22により、接着剤全面に波長365nm、光強度40mW/cmの紫外線を、2秒間ずつ交互に各50回照射し、接着剤5を硬化した。なお、光照射はシャッターを切り替えて一方の紫外線光が他方の光照射装置に入り込まないようにした。また、本実施例では、基板以外へ光が照射しないように、石英ガラス製マスクホルダ25’及び石英ガラス製ウエハチャック26’上のアクリルシート47は真空シールと遮光とを兼ねた機能とした。 Next, after the alignment detection optical system 24 is moved outside the light irradiation range by a moving device (not shown), the upper and lower light irradiation devices 21 and 22 emit ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm and a light intensity of 40 mW / cm 2 over the entire surface of the adhesive. The adhesive 5 was cured by alternately irradiating 50 times each for 2 seconds. For light irradiation, the shutter was switched to prevent one ultraviolet light from entering the other light irradiation device. Further, in this embodiment, the acrylic sheet 47 on the quartz glass mask holder 25 ′ and the quartz glass wafer chuck 26 ′ has a function of both vacuum sealing and light shielding so as not to irradiate light other than the substrate.

その後, 石英ガラス製マスクホルダ25’の真空吸着を切り、上基板1の真空吸着固定を解除する。次にZ軸移動制御装置29によりステージ27とともに石英ガラス製ウエハチャック26’を下降した後、石英ガラス製ウエハチャック26’の真空吸着を切り、下基板2の真空吸着固定を解除し、上下の基板をアライメント接着した接合基板を取り出す。   Thereafter, the vacuum suction of the quartz glass mask holder 25 ′ is turned off, and the vacuum suction fixation of the upper substrate 1 is released. Next, after the quartz glass wafer chuck 26 'is lowered together with the stage 27 by the Z-axis movement control device 29, the vacuum suction of the quartz glass wafer chuck 26' is cut off, the vacuum suction fixation of the lower substrate 2 is released, and the upper and lower The bonded substrate to which the substrate is aligned and bonded is taken out.

このアライメント接着した接合基板を、図14に示したようなダイシング装置のダイシングソー41により6mm角(6mm×6mm)の大きさに切断して、多数の光学素子を切り出した。この光学素子は、上下の基板間に有機複屈折膜23からなる回折格子25を有しており、入射光の偏光状態に応じて出射光を透過光と回折光に分離する偏光分離機能を有する光学素子(偏光分離素子)である。尚、本実施例では、下基板2に接着した有機複屈折膜3に周期的凹凸格子(回折格子)10を形成した例を示したが、有機複屈折膜3にホログラムを形成すれば偏光ホログラム素子となる。   The alignment bonded substrate was cut into a size of 6 mm square (6 mm × 6 mm) by a dicing saw 41 of a dicing apparatus as shown in FIG. 14, and a large number of optical elements were cut out. This optical element has a diffraction grating 25 composed of an organic birefringent film 23 between upper and lower substrates, and has a polarization separation function for separating outgoing light into transmitted light and diffracted light according to the polarization state of incident light. It is an optical element (polarization separation element). In the present embodiment, an example is shown in which the periodic concavo-convex grating (diffraction grating) 10 is formed on the organic birefringent film 3 adhered to the lower substrate 2. However, if a hologram is formed on the organic birefringent film 3, a polarization hologram It becomes an element.

以上のように、本実施例では、基板のサイズにより石英ガラス製マスクホルダ25’及び石英ガラス製ウエハチャック26’を取り替えることなく、直径が最大8インチ、最小10mmの円形基板、または10mm角の正方形状の基板に対応することができる。また、このような小さい基板サイズの接合では平行度の低下が問題となるが、石英ガラス製マスクホルダ25’と石英ガラス製ウエハチャック26’間に基準厚みのジルコニアスペーサ46を挿入することで、接着後の基板の平行度の精度を向上することができる。特に、上下の基板を石英ガラス製マスクホルダ25’と石英ガラス製ウエハチャック26’に載置する位置によらず精度を向上することができる。   As described above, in this embodiment, the quartz glass mask holder 25 ′ and the quartz glass wafer chuck 26 ′ are not replaced depending on the size of the substrate, and a circular substrate having a maximum diameter of 8 inches and a minimum of 10 mm, or a 10 mm square. It can correspond to a square substrate. Further, in such a small substrate size joining, a decrease in parallelism becomes a problem, but by inserting a zirconia spacer 46 having a reference thickness between the quartz glass mask holder 25 ′ and the quartz glass wafer chuck 26 ′, The accuracy of the parallelism of the substrates after bonding can be improved. In particular, the accuracy can be improved regardless of the positions where the upper and lower substrates are placed on the quartz glass mask holder 25 'and the quartz glass wafer chuck 26'.

以上説明したように、本発明のアライメント接合方法及び装置は、2以上の基板を接着剤で接合した構造を有する光学素子、特に基板上あるいは基板間に回折格子やホログラム等の光学デバイスを有する光学素子の作製に好適に利用することができる。そして本発明に係る光学素子、特に前述の接合方法及び装置で接合された偏光分離素子は、平行度が良く、波面収差の発生を低減することができるので、光ディスクドライブ装置の光ピックアップ装置等の光学装置に好適に利用することができる。   As described above, the alignment bonding method and apparatus of the present invention is an optical element having a structure in which two or more substrates are bonded with an adhesive, particularly an optical element having an optical device such as a diffraction grating or a hologram on or between the substrates. It can utilize suitably for preparation of an element. Since the optical element according to the present invention, particularly the polarization separation element bonded by the above-described bonding method and apparatus, has good parallelism and can reduce the occurrence of wavefront aberration, the optical pickup apparatus of the optical disk drive apparatus, etc. It can utilize suitably for an optical apparatus.

ここで図18は本発明に係る光学素子(偏光分離素子)を用いた光ピックアップ装置の構成例を示す概略構成図であり、光記録媒体としてCD(コンパクトディスク)系の光ディスク(CD,CD−R,CD−RW等)を用いる光ピックアップ装置の構成例である。
CD用の光ピックアップ装置ではレーザーダイオード91から出射された波長780nmの光は、偏光分離素子92、コリメータレンズ93、対物レンズ94を通ってCD系の光ディスク95を照射し、CD系の光ディスク95の記録ピットからの反射光は対物レンズ94を通って偏光分離素子92で回折されフォトダイオード96に導かれ、フォーカス検出、トラック検出、信号検出が行われる。この光ピックアップ装置では、偏光分離素子92として、実施例1または2のアライメント接合方法及び装置で作製した偏光分離素子52を用いている。
Here, FIG. 18 is a schematic configuration diagram showing a configuration example of an optical pickup device using an optical element (polarization separation element) according to the present invention, and a CD (compact disc) type optical disc (CD, CD-) as an optical recording medium. 2 is a configuration example of an optical pickup device using R, CD-RW, and the like.
In the optical pickup device for CD, light having a wavelength of 780 nm emitted from the laser diode 91 irradiates the CD optical disk 95 through the polarization separation element 92, the collimator lens 93, and the objective lens 94. The reflected light from the recording pit passes through the objective lens 94 and is diffracted by the polarization separation element 92 and guided to the photodiode 96, and focus detection, track detection, and signal detection are performed. In this optical pickup device, as the polarization separation element 92, the polarization separation element 52 manufactured by the alignment bonding method and apparatus of Example 1 or 2 is used.

図18に示す構成の光ピックアップ装置を用い、CD−RWに信号を記録し、その後、同じ光ピックアップ装置で信号の再生を行ったところ、従来のプリズムを接着したビームスプリッタと1/4波長板(λ/4板)を組み合わせたCD用光ピックアップ装置と同等の再生信号出力を得ることができ、本例の光ピックアップ装置が従来の光ピックアップ装置と同等の記録/再生特性を持つことが確認できた。
また、この光ピックアップ装置では、偏光分離素子92が、従来のプリズムを接着したビームスプリッタよりも小さくなっており、かつ偏光分離素子の上基板1に格子8を形成してλ/4板の機能も組み込むことができるため、従来の光ピックアップ装置と比較して小型化が実現できる。
When a signal was recorded on a CD-RW using the optical pickup device having the configuration shown in FIG. 18, and then the signal was reproduced by the same optical pickup device, a beam splitter and a quarter-wave plate bonded with a conventional prism were used. A reproduction signal output equivalent to that of a CD optical pickup device combined with (λ / 4 plate) can be obtained, and it is confirmed that the optical pickup device of this example has recording / reproduction characteristics equivalent to those of a conventional optical pickup device. did it.
In this optical pickup device, the polarization separation element 92 is smaller than the conventional beam splitter to which the prism is bonded, and the grating 8 is formed on the upper substrate 1 of the polarization separation element to function as a λ / 4 plate. Therefore, the size can be reduced as compared with the conventional optical pickup device.

次に図19は光ピックアップ装置の別の構成例を示す概略構成図であり、光記録媒体としてDVD(デジタルバーサタイルディスク)系の光ディスク(DVD,DVD−R,DVD−RW、DVD−ROM、DVD−RAM等)を用いる光ピックアップ装置の構成例である。
DVD用の光ピックアップ装置ではレーザーダイオード91から出射された波長680nmの光は偏光分離素子92とコリメータレンズ93、λ/4板97、対物レンズ94を通った後、DVD系の光ディスク98を照射し、DVD系の光ディスク98の記録ピットからの反射光はλ/4板97で直線偏光になった後、偏光分離素子92で回折してフォトダイオード96に導かれ、フォーカス検出、トラック検出、信号検出が行われる。この光ピックアップ装置では、偏光分離素子92として、実施例1または2のアライメント接合方法及び装置で作製した偏光分離素子を用いている。
Next, FIG. 19 is a schematic configuration diagram showing another configuration example of the optical pickup device. As an optical recording medium, a DVD (Digital Versatile Disc) optical disc (DVD, DVD-R, DVD-RW, DVD-ROM, DVD) is used. This is a configuration example of an optical pickup device using a RAM or the like.
In a DVD optical pickup device, light having a wavelength of 680 nm emitted from a laser diode 91 passes through a polarization separation element 92, a collimator lens 93, a λ / 4 plate 97, and an objective lens 94, and then irradiates a DVD optical disk 98. The reflected light from the recording pits of the DVD optical disk 98 is linearly polarized by the λ / 4 plate 97 and then diffracted by the polarization separation element 92 and guided to the photodiode 96 for focus detection, track detection, and signal detection. Is done. In this optical pickup device, a polarization separation element manufactured by the alignment bonding method and apparatus of Example 1 or 2 is used as the polarization separation element 92.

図19に示す構成の光ピックアップ装置を用い、DVD−ROMから情報信号の再生を行ったところ、従来のプリズムを接着したビームスプリッタとλ/4板を組み合わせたDVD用光ピックアップ装置と同等の信号出力を得ることができ、本例の光ピックアップ装置が従来の光ピックアップと同等の再生特性を持つことが確認できた。
また、この光ピックアップ装置では、偏光分離素子92が、従来のプリズムを接着したビームスプリッタよりも小さくなっているため、従来の光ピックアップ装置よりも小型になっている。
When the information signal was reproduced from the DVD-ROM using the optical pickup device having the structure shown in FIG. 19, the signal equivalent to that of the conventional optical pickup device for DVD combining the beam splitter and λ / 4 plate bonded with the prism was used. An output can be obtained, and it has been confirmed that the optical pickup device of this example has a reproduction characteristic equivalent to that of a conventional optical pickup.
Further, in this optical pickup device, the polarization separation element 92 is smaller than the beam splitter to which the conventional prism is bonded, and thus is smaller than the conventional optical pickup device.

多数の偏光分離素子を形成したウエハ状の接合基板の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the wafer-like joined substrate in which many polarization separation elements were formed. (a)は下基板の平面図と断面図、(b)は上基板の平面図と断面図、(c)は保護基板の平面図と断面図である。(A) is a plan view and a sectional view of the lower substrate, (b) is a plan view and a sectional view of the upper substrate, and (c) is a plan view and a sectional view of the protective substrate. (a)は下基板の有機複屈折膜上に形成された外形アライメント用マークとデバイス用アライメントマークの形状例を示す図、(b)は上基板に形成されたデバイス用アライメントマークの形状例を示す図、(c)は保護基板に形成された外形アライメント用マークの形状例を示す図である。(A) is a figure which shows the example of a shape of the alignment mark for devices formed on the organic birefringent film of a lower board | substrate, and the alignment mark for devices, (b) is the example of the shape of the alignment mark for devices formed in the upper board | substrate. FIG. 4C is a diagram showing an example of the shape of the outer alignment mark formed on the protective substrate. 本発明の一実施例を示すアライメント接合装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the alignment joining apparatus which shows one Example of this invention. モニタ上の保持基板のアライメントマークと十字線を示す図である。It is a figure which shows the alignment mark and crosshairs of the holding substrate on a monitor. (a)はポリエステルフィルムを石英ガラス製ウエハチャックに載置した状態を示す平面図。(b)は下基板を石英ガラス製ウエハチャックに真空吸着により固定した状態を示す断面図である。(A) is a top view which shows the state which mounted the polyester film in the quartz glass wafer chuck. (B) is sectional drawing which shows the state which fixed the lower board | substrate to the quartz glass wafer chuck by vacuum suction. 図4に示す構成のアライメント接合装置により保持基板と下基板のアライメントを行っている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which is performing alignment of a holding | maintenance board | substrate and a lower board | substrate with the alignment joining apparatus of a structure shown in FIG. 下基板の外形アライメント用マークと保持基板の外形アライメント用マークを位置合せする際のアライメント方法の説明図である。It is explanatory drawing of the alignment method at the time of aligning the external alignment mark of a lower board | substrate, and the external alignment mark of a holding substrate. 図4に示す構成のアライメント接合装置により保持基板と下基板の接着を行っている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has bonded the holding | maintenance board | substrate and the lower board | substrate with the alignment joining apparatus of the structure shown in FIG. 保持基板付き下基板の断面図である。It is sectional drawing of a lower board | substrate with a holding board | substrate. モニタ上の上基板のアライメントマークと十字線を示す図である。It is a figure which shows the alignment mark and crosshairs of the upper board | substrate on a monitor. 下基板のアライメントマークと上基板のアライメントマークを位置合せする際のアライメント方法の説明図である。It is explanatory drawing of the alignment method at the time of aligning the alignment mark of a lower board | substrate, and the alignment mark of an upper board | substrate. 図4に示す構成のアライメント接合装置により保持基板付き下基板と上基板の接着を行っている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has adhere | attached the lower board | substrate with a holding substrate, and the upper board | substrate with the alignment joining apparatus of the structure shown in FIG. 接合基板から光学素子を切り出す工程の説明図である。It is explanatory drawing of the process of cutting out an optical element from a joining board | substrate. 真空吸着孔を設けた石英ガラス製ウエハチャックの平面図と断面図である。It is the top view and sectional drawing of a quartz glass wafer chuck which provided the vacuum suction hole. 本発明の別の実施例を示すアライメント接合装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the alignment joining apparatus which shows another Example of this invention. 基板載置窓を形成したアクリルシートを装着した石英ガラス製マスクホルダの平面図である。It is a top view of the mask holder made from quartz glass which mounted | wore with the acrylic sheet which formed the board | substrate mounting window. 本発明に係る光学素子(偏光分離素子)を用いた光ピックアップ装置の構成例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structural example of the optical pick-up apparatus using the optical element (polarization separation element) which concerns on this invention. 本発明に係る光学素子(偏光分離素子)を用いた光ピックアップ装置の別の構成例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows another structural example of the optical pick-up apparatus using the optical element (polarization separation element) which concerns on this invention. 従来技術の一例を示すマスクアライナー装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the mask aligner apparatus which shows an example of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1:上基板
2:下基板
3:有機複屈折膜
4:保護基板
5,6,7:接着剤
8:格子
9:上基板のアライメントマーク
10:回折格子
11:下基板のアライメントマーク
12:保護基板のアライメントマーク
20,20’:アライメント接合装置20
21:上部光照射装置
22:下部光照射装置
23:下部照射光反射装置
24:アライメント検出光学系
25,25’:石英ガラス製マスクホルダ(基板ホルダ)
26.26’:石英ガラス製ウエハチャック(基板チャック)
27:ステージ
28:ステージ移動装置28
29:Z軸移動制御装置
30:ベース
31:架台
32,34:真空排気口
33:上基板吸着溝
35:下基板吸着溝
36,37:ポリエステルフィルム
38:ジルコニア円柱
40:接合基板
41:ダイシングソー
42:光学素子
43:真空吸着孔
46:ジルコニアスペーサ
47:アクリルシート
1: Upper substrate 2: Lower substrate 3: Organic birefringent film 4: Protection substrate 5, 6, 7: Adhesive 8: Grating 9: Upper substrate alignment mark 10: Diffraction grating 11: Lower substrate alignment mark 12: Protection Substrate alignment mark 20, 20 ′: alignment bonding apparatus 20
21: Upper light irradiation device 22: Lower light irradiation device 23: Lower irradiation light reflection device 24: Alignment detection optical system 25, 25 ′: Quartz glass mask holder (substrate holder)
26.26 ′: Quartz glass wafer chuck (substrate chuck)
27: Stage 28: Stage moving device 28
29: Z-axis movement control device 30: Base 31: Base 32, 34: Vacuum exhaust port 33: Upper substrate suction groove 35: Lower substrate suction groove 36, 37: Polyester film 38: Zirconia cylinder 40: Bonded substrate 41: Dicing saw 42: Optical element 43: Vacuum suction hole 46: Zirconia spacer 47: Acrylic sheet

Claims (13)

基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部と、光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部と、X,Y,Z,θの各方向に移動可能なステージと、光を照射する光照射部と、前記基板チャック部側に配置されアライメントを検出する手段とを備えた装置を用い、前記基板チャック部上に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた下基板をセットする工程と、前記基板ホルダ部に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた上基板をセットする工程と、上下の基板の平行を規定する工程と、上下の基板を接着する面の接着層の厚みを規定する工程と、上下の基板のアライメントマークを位置合わせする工程と、接着剤を塗布する工程と、接着剤を広げる工程と、接着剤の厚みを制御する工程と、光を照射して接着剤を硬化接着する工程とを有することを特徴とするアライメント接合方法。   A substrate chuck portion made of an optically transparent planar member for fixing the substrate, a substrate holder portion made of an optically transparent planar member, a stage movable in each direction of X, Y, Z, and θ; Using an apparatus provided with a light irradiating part for irradiating and means for detecting alignment disposed on the substrate chuck part side, and provided with an alignment mark having unevenness formed by etching on the substrate chuck part. A step of setting a substrate, a step of setting an upper substrate having alignment marks having unevenness formed by etching on the substrate holder portion, a step of defining parallelism of the upper and lower substrates, and bonding the upper and lower substrates A step of defining the thickness of the adhesive layer on the surface to be aligned, a step of aligning the alignment marks of the upper and lower substrates, a step of applying an adhesive, and a step of spreading the adhesive Alignment joining method characterized by comprising the step of controlling the thickness of the adhesive, and curing the adhesive the adhesive is irradiated with light. 請求項1記載のアライメント接合方法において、
前記上基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部の表面に、少なくとも複数のサイズに対応した溝もしくは孔が形成してあることを特徴とするアライメント接合方法。
The alignment bonding method according to claim 1,
An alignment joining method, wherein grooves or holes corresponding to at least a plurality of sizes are formed on a surface of a substrate holder portion made of an optically transparent flat member for fixing the upper substrate.
請求項1または2記載のアライメント接合方法において、
前記下基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部の表面に、少なくとも複数のサイズに対応した溝もしくは孔が形成してあることを特徴とするアライメント接合方法。
In the alignment joining method according to claim 1 or 2,
An alignment bonding method, wherein grooves or holes corresponding to at least a plurality of sizes are formed on a surface of a substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing the lower substrate.
請求項1〜3のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、
前記基板チャック部と前記基板ホルダ部の表面の基板吸着部以外の真空吸着用溝もしくは孔をシールする手段を用いることを特徴とするアライメント接合方法。
In the alignment joining method according to any one of claims 1 to 3,
An alignment bonding method comprising: means for sealing a vacuum suction groove or hole other than the substrate suction portion on the surface of the substrate chuck portion and the substrate holder portion.
請求項1〜4のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、
前記上基板を固定する光学的に透明な平面部材からなるマスクホルダ部を石英ガラスで構成したことを特徴とするアライメント接合方法。
In the alignment joining method according to any one of claims 1 to 4,
An alignment bonding method characterized in that a mask holder portion made of an optically transparent flat member for fixing the upper substrate is made of quartz glass.
請求項1〜5のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、
前記下基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部を石英ガラスで構成したことを特徴とするアライメント接合方法。
In the alignment joining method according to any one of claims 1 to 5,
An alignment bonding method, wherein a substrate chuck portion made of an optically transparent flat member for fixing the lower substrate is made of quartz glass.
請求項1〜6のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、
前記下基板を載置固定する基板チャック部と、前記上基板を固定する基板ホルダ部の間に、寸法が既知の平板または円柱もしくは球を挿入し、アライメント接着基板間の平行と接着層厚みを規定することを特徴とするアライメント接合方法。
In the alignment joining method according to any one of claims 1 to 6,
A flat plate, cylinder or sphere having a known dimension is inserted between the substrate chuck portion for mounting and fixing the lower substrate and the substrate holder portion for fixing the upper substrate, and the parallelism between the alignment adhesive substrates and the thickness of the adhesive layer are set. An alignment joining method characterized by prescribing.
請求項1〜7のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、
前記上下基板のアライメントマークの位置合わせを基板チャック側から実施することを特徴とするアライメント接合方法。
In the alignment joining method according to any one of claims 1 to 7,
An alignment bonding method comprising aligning alignment marks on the upper and lower substrates from the substrate chuck side.
請求項1〜7のいずれか一つに記載のアライメント接合方法において、
前記接着剤を硬化接着する光は光学的に透明な基板チャック側と基板ホルダ側から交互に照射することを特徴とするアライメント接合方法。
In the alignment joining method according to any one of claims 1 to 7,
The alignment bonding method characterized in that light for curing and bonding the adhesive is irradiated alternately from the optically transparent substrate chuck side and substrate holder side.
基板を固定する光学的に透明な平面部材からなる基板チャック部と、光学的に透明な平面部材からなる基板ホルダ部と、X,Y,Z,θの各方向に移動可能なステージと、光を照射する光照射部と、前記基板チャック部側に配置されアライメントを検出する手段とを備え、前記基板チャック部上に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた下基板をセットする手段と、前記基板ホルダ部に、エッチングにより形成される凹凸を有するアライメントマークを備えた上基板をセットする手段と、上下の基板の平行を規定する手段と、上下の基板を接着する面の接着層の厚みを規定する手段と、上下の基板のアライメントマークを位置合わせする手段と、接着剤を塗布する手段と、接着剤を広げる手段と、接着剤の厚みを制御する手段と、光を照射して接着剤を硬化接着する手段とを具備し、請求項1〜9のいずれか一つに記載のアライメント接着方法を用いたことを特徴とするアライメント接合装置。   A substrate chuck portion made of an optically transparent planar member for fixing the substrate, a substrate holder portion made of an optically transparent planar member, a stage movable in each direction of X, Y, Z, and θ; A lower substrate having an alignment mark having unevenness formed by etching is set on the substrate chuck portion. Means, means for setting an upper substrate provided with an alignment mark having irregularities formed by etching on the substrate holder portion, means for defining parallelism of the upper and lower substrates, and adhesion of surfaces for bonding the upper and lower substrates Means for defining the layer thickness, means for aligning the alignment marks of the upper and lower substrates, means for applying the adhesive, means for spreading the adhesive, and thickness of the adhesive 10. An alignment bonding apparatus comprising: means for controlling the temperature and means for curing and bonding the adhesive by irradiating light, and using the alignment bonding method according to claim 1. . 基板を接着剤で接合した構造を有する光学素子において、
請求項1〜9のいずれか一つに記載のアライメント接合方法を用いて作製したことを特徴とする光学素子。
In an optical element having a structure in which substrates are bonded with an adhesive,
An optical element manufactured using the alignment bonding method according to claim 1.
基板を接着剤で接合した構造を有する光学素子において、
請求項10記載のアライメント接着装置により作製したことを特徴とする光学素子。
In an optical element having a structure in which substrates are bonded with an adhesive,
An optical element produced by the alignment bonding apparatus according to claim 10.
請求項11または12記載の光学素子において、
基板上あるいは基板間に回折格子またはホログラムを有し、偏光分離機能を有することを特徴とする光学素子。
The optical element according to claim 11 or 12,
An optical element comprising a diffraction grating or a hologram on or between substrates and having a polarization separation function.
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