JP2005249658A - Light or radiation detector, and light or radiation detection control system - Google Patents

Light or radiation detector, and light or radiation detection control system Download PDF

Info

Publication number
JP2005249658A
JP2005249658A JP2004062084A JP2004062084A JP2005249658A JP 2005249658 A JP2005249658 A JP 2005249658A JP 2004062084 A JP2004062084 A JP 2004062084A JP 2004062084 A JP2004062084 A JP 2004062084A JP 2005249658 A JP2005249658 A JP 2005249658A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
light
detection device
magnetic
magnetic shield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004062084A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshinori Yoshimuta
利典 吉牟田
Shinya Hirasawa
伸也 平澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2004062084A priority Critical patent/JP2005249658A/en
Publication of JP2005249658A publication Critical patent/JP2005249658A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light or radiation detector and a light or radiation detection control system capable of reducing a noise. <P>SOLUTION: This light or radiation detector unit /light or radiation detection control system is provided with a magnetic shield 50 formed of a magnetic permeable substance represented by a permalloy or the like, the magnetic shield 50 is constituted into a casing-like shape to make the detector unit 10 not affected by magnetism, and a radiation detector 30 is stored in a casing to constitute the radiation detector unit 10. A magnetic noise MN, i.e., a magnetic force line is shielded thereby along the magnetic shield 50 not to affect the detector unit 10. Resultingly, the magnetic noise is removed and the noise therein is reduced to reduce the noise. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野等に用いられる放射線検出装置および光または放射線検出制御システムに関する。   The present invention relates to a radiation detection apparatus and a light or radiation detection control system used in the medical field, the industrial field, and the nuclear field.

X線検出装置を例に採って説明する。X線検出装置はX線感応型のX線変換層(半導体層)を備えており、X線の入射によりX線変換層は電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことでX線を検出する。X線変換層によりX線から変換された電荷は非常に微小で、その電荷を増幅する必要がある。その際にはノイズまで増幅されるのでS/N(信号対ノイズ)比のよい画像を得るためには低ノイズ化が必要となる。そこで、ノイズを低減させるべく、シールド効果の高いポリアミドと銀とを折り合わせた導電性繊維が検出装置に用いられる(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−116633号公報(第3頁、図2,4)
An X-ray detection apparatus will be described as an example. The X-ray detection apparatus includes an X-ray sensitive X-ray conversion layer (semiconductor layer). The X-ray conversion layer is converted into charge information by the incidence of X-rays, and the converted charge information is read out to read X Detect lines. The charge converted from X-rays by the X-ray conversion layer is very small, and it is necessary to amplify the charge. In that case, since noise is amplified, it is necessary to reduce the noise in order to obtain an image with a good S / N (signal to noise) ratio. Therefore, in order to reduce noise, conductive fibers obtained by combining polyamide and silver having a high shielding effect are used in the detection device (see, for example, Patent Document 1).
JP 2000-116633 A (page 3, FIGS. 2, 4)

しかしながら、かかる導電性繊維などに代表される導電性物質を備えてもノイズを除去することができないことが判明した。   However, it has been found that noise cannot be removed even with a conductive material typified by such conductive fibers.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ノイズを低減させることができる光または放射線検出装置および光または放射線検出制御システムを提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at providing the light or radiation detection apparatus and light or radiation detection control system which can reduce noise.

発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。   As a result of earnest research to solve the above problems, the inventors have obtained the following knowledge.

すなわち、MRI(核磁気共鳴イメージング)(Magnetic Resonance Imaging)装置に着目してみた。MRI装置では、MRI装置を制御するコンピュータがMRI装置にケーブルなどの接続手段によって互いに電気的に接続されている。このMRI装置とコンピュータとで1つのシステムを構築している。コンピュータ側のCRT(Cathode Ray Tube)モニタなどには、MRI装置からの磁気の影響を受けないよう磁気シールドが特別に施されている。CRTモニタなどに磁気シールドを施すことで、MRI装置がCRTモニタなどからの磁気の影響を受けなくなる。つまり、少なくともMRI装置,コンピュータ,MRI装置・コンピュータ間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設することで、MRI装置・コンピュータ間からの磁気の影響を互いに受けない。   That is, attention was paid to an MRI (Magnetic Resonance Imaging) apparatus. In the MRI apparatus, computers that control the MRI apparatus are electrically connected to the MRI apparatus by connection means such as a cable. One system is constructed by the MRI apparatus and the computer. A CRT (Cathode Ray Tube) monitor or the like on the computer side is specially provided with a magnetic shield so as not to be affected by magnetism from the MRI apparatus. By applying a magnetic shield to the CRT monitor or the like, the MRI apparatus is not affected by the magnetism from the CRT monitor or the like. That is, by providing a magnetic shield at least anywhere between the MRI apparatus, the computer, and the MRI apparatus / computer, they are not affected by the magnetism from the MRI apparatus / computer.

X線検出装置などに代表される光または放射線検出装置の場合でも、MRI装置と同様に、コンピュータが電気的に接続されており、この光または放射線検出装置とコンピュータとで1つのシステムを構築している。かかる検出装置の近傍にはコンピュータが配設されている。そこで、発明者らは、MRI装置と同様に、コンピュータ側(例えばCRTモニタ)からの磁気の影響が検出装置にも及ぼしていると想定するとともに、この磁気的なノイズが除去できていないと想定した。   Even in the case of a light or radiation detection apparatus typified by an X-ray detection apparatus or the like, a computer is electrically connected in the same manner as an MRI apparatus, and this light or radiation detection apparatus and the computer constitute one system. ing. A computer is disposed in the vicinity of the detection device. Therefore, the inventors assume that the influence of magnetism from the computer side (for example, a CRT monitor) is exerting on the detection device as well as the MRI apparatus, and that this magnetic noise cannot be removed. did.

上述した特許文献1では、導電性繊維は電磁波をシールドするのに有用としているが、実際には、導電性繊維などの導電性物質によって除去することができるのは電気的なノイズのみであることが判明した。つまり、図6(a)に示すように、導電性物質101を接地しても、電気的なノイズENは導電性物質101を介して接地面に逃げるが、図6(b)に示すように、磁気的なノイズMN、すなわち磁力線は導電性物質を透過してしまい検出装置側に入り込むと考えられる。以上のことから、検出装置,コンピュータなどに代表される制御装置,検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設すれば、磁気的なノイズを除去することができるという知見を得た。   In Patent Document 1 described above, conductive fibers are useful for shielding electromagnetic waves, but in reality, only electrical noise can be removed by conductive materials such as conductive fibers. There was found. That is, as shown in FIG. 6A, even if the conductive material 101 is grounded, the electrical noise EN escapes to the ground plane through the conductive material 101, but as shown in FIG. 6B. The magnetic noise MN, that is, the lines of magnetic force, are considered to pass through the conductive material and enter the detection device side. Based on the above, the knowledge that magnetic noise can be removed if a magnetic shield is placed anywhere between a detection device, a control device typified by a computer, and the detection device / control device. Obtained.

このような知見に基づくこの発明は、次のような構成をとる。   The present invention based on such knowledge has the following configuration.

すなわち、請求項1に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置であって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を前記検出装置が受けないような箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とするものである。   That is, the invention according to claim 1 includes a semiconductor layer that converts light or radiation information into charge information upon incidence of light or radiation, and detects light or radiation by reading the converted charge information. Or it is a radiation detection apparatus, Comprising: The magnetic shield formed with the magnetic permeability substance is provided, The said magnetic shield is arrange | positioned in the location where the said detection apparatus does not receive the influence of magnetism.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を検出装置が受けないような箇所にこの磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置にまで及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, the magnetic shield is formed of a magnetically permeable material, and the magnetic shield is disposed at a location where the detection device is not affected by magnetism. Magnetic noise, ie magnetic field lines, are blocked along the magnetic shield and do not reach the detection device. As a result, magnetic noise can be removed, and noise can be reduced by removing the noise.

上述した発明において、半導体層と前記電荷情報を読み出す読み出し基板とからなる放射線検出器を筐体で収納し、その筐体を上述した透磁性物質で形成するのが好ましい(請求項2に記載の発明)。磁力線(磁気的なノイズ)MNは、例えば図7に示すように回り込むので、図7に示す磁気シールドSの壁を設けると、壁の上部あるいは床に設置されていない場合には下部に磁力線MNの回り込みによるノイズが検出装置にまで及ぶ。もちろん、図5に示すように、磁力線MNの回り込みによるノイズが無視できるほど磁気シールドSの壁の高さを高くして磁気シールドを配設してもよいが、請求項2に記載の発明の場合には、筐体を透磁性物質で形成し、その筐体によって筐体内への磁力線の回り込みを許さない。したがって、その筐体内に収容された検出器への磁力線の回り込み、すなわち磁気的なノイズを許容せずに、磁気シールドを筐体が簡単に実現することができる。   In the above-described invention, it is preferable that a radiation detector including a semiconductor layer and a readout substrate for reading out the charge information is accommodated in a casing, and the casing is formed of the above-described magnetically permeable material. invention). Magnetic field lines (magnetic noise) MN wrap around as shown in FIG. 7, for example. Therefore, when the wall of the magnetic shield S shown in FIG. 7 is provided, the magnetic field lines MN are formed below the upper part of the wall or when not installed on the floor. The noise caused by the sneaking around reaches the detection device. Of course, as shown in FIG. 5, the magnetic shield may be arranged with the height of the wall of the magnetic shield S so that noise due to the wraparound of the magnetic field lines MN can be ignored. In some cases, the casing is formed of a magnetically permeable material, and the casing does not allow the magnetic lines of force to enter the casing. Therefore, the magnetic shield can be easily realized in the casing without allowing magnetic field lines to wrap around the detector accommodated in the casing, that is, magnetic noise.

また、上述した発明において、透磁性物質が導電性を有し、この導電性を有した透磁性物質を接地して構成するのが好ましい(請求項3に記載の発明)。このように構成することで、電気的なノイズが接地された透磁性物質を介して逃げる。その結果、磁気的なノイズのみでなく、電気的なノイズをも除去することができるとともに、それらのノイズの除去によってノイズをより一層低減させることができる。   In the above-described invention, it is preferable that the magnetically permeable material has conductivity, and the permeable magnetic material having conductivity is grounded (the invention according to claim 3). With this configuration, electrical noise escapes through the grounded magnetically permeable material. As a result, not only magnetic noise but also electrical noise can be removed, and noise can be further reduced by removing these noises.

上述した発明は、放射線の情報を光に変換した蛍光体(シンチレータ)と、放射線の情報を電荷情報に間接的に変換する、すなわち変換された光を電荷情報に変換する光感応型半導体層を備えた間接変換型の放射線検出装置にも、放射線の情報を電荷情報に直接的に変換する放射線感応型半導体層を備えた直接変換型の放射線検出装置にも適用することができる(請求項4に記載の発明)。もちろん、光検出装置にも適用することができる。   The invention described above includes a phosphor (scintillator) that converts radiation information into light, and a light-sensitive semiconductor layer that converts radiation information into charge information indirectly, that is, converts the converted light into charge information. The present invention can also be applied to the indirect conversion type radiation detection apparatus provided and the direct conversion type radiation detection apparatus including a radiation sensitive semiconductor layer that directly converts radiation information into charge information. Invention described in 1.). Of course, the present invention can also be applied to a photodetection device.

また、請求項5に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置と、その検出装置の制御を行う制御装置とで構築された光または放射線検出制御システムであって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、少なくとも検出装置,前記制御装置,検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とするものである。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor layer for converting the light or radiation information into charge information by the incidence of light or radiation, and light or radiation is detected by reading the converted charge information. Or a light or radiation detection control system constructed by a radiation detection device and a control device for controlling the detection device, comprising a magnetic shield formed of a magnetically permeable material, at least the detection device, the control device, The magnetic shield is disposed at any location between the detection device and the control device.

[作用・効果]請求項5に記載の発明によれば、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、少なくとも検出装置,制御装置,検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置,制御装置の両者に対して磁気的なノイズが及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 5, the magnetic shield is formed of a magnetically permeable material, and the magnetic shield is provided at least at any location between the detection device, the control device, and the detection device / control device. By disposing the magnetic noise, that is, the magnetic lines of force are blocked along the magnetic shield, the magnetic noise does not reach both the detection device and the control device. As a result, magnetic noise can be removed, and noise can be reduced by removing the noise.

上述した発明の一例は、請求項1に記載の発明(光または放射線検出装置)と同様に、少なくとも検出装置側に磁気シールドを備えて配設すること(請求項6に記載の発明)である。   One example of the above-described invention is that a magnetic shield is provided at least on the detection device side (the invention according to claim 6), similarly to the invention (light or radiation detection device) described in claim 1. .

この発明に係る光または放射線検出装置(請求項1に記載の発明)によれば、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を検出装置が受けないような箇所にこの磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置にまで及ばない。一方、この発明に係る光または放射線検出制御システム(請求項5に記載の発明)によれば、少なくとも検出装置,制御装置,検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置,制御装置の両者に対して磁気的なノイズが及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。   According to the light or radiation detection device according to the present invention (the invention according to claim 1), the magnetic shield is provided at a location that is provided with a magnetic shield formed of a magnetically permeable material and is not affected by the magnetic device. The magnetic noise, that is, the lines of magnetic force are blocked along the magnetic shield and do not reach the detection device. On the other hand, according to the light or radiation detection control system according to the present invention (the invention according to claim 5), the magnetic shield is disposed at least anywhere between the detection device, the control device, and the detection device / control device. As a result, magnetic noise, that is, lines of magnetic force are blocked along the magnetic shield, and magnetic noise does not reach both the detection device and the control device. As a result, magnetic noise can be removed, and noise can be reduced by removing the noise.

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、実施例に係る放射線検出装置を有した放射線検出制御システムの概略図であり、図2は、放射線検出装置の概略断面図であり、図3は、図2を等価回路で表した回路図であり、図4は、平面的に表した回路図である。本実施例では直接変換型の放射線検出器を例に採って説明する。   1 is a schematic diagram of a radiation detection control system having a radiation detection apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the radiation detection apparatus, and FIG. 3 is an equivalent circuit of FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing a plan view. In the present embodiment, a direct conversion type radiation detector will be described as an example.

本実施例の放射線検出制御システムは、図1に示すように、放射線検出装置10とコンピュータ20とから構成されている。放射線検出装置10は、図2、図3に示すように、放射線検出器30とそれを収納した筐体状の磁気シールド50とで構成されている。コンピュータ20は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイス(入力手段)21や、ROM(Read-only Memory)やRAM(Random-Access Memory)などに代表される記憶媒体や中央演算処理装置(CPU)などを収納した本体22や、CRT(Cathode Ray Tube)モニタ(表示手段)23などから構成されている。放射線検出装置10とコンピュータ20とはケーブルなどの接続手段によって互いに電気的に接続されており、コンピュータ20がケーブルを介して放射線検出装置10の制御を行う。コンピュータ20は、この発明における制御装置に相当する。   As shown in FIG. 1, the radiation detection control system according to this embodiment includes a radiation detection apparatus 10 and a computer 20. As illustrated in FIGS. 2 and 3, the radiation detection apparatus 10 includes a radiation detector 30 and a housing-like magnetic shield 50 that houses the radiation detector 30. The computer 20 includes a pointing device (input means) 21 typified by a mouse, keyboard, joystick, trackball, touch panel, etc., a storage medium typified by ROM (Read-only Memory), RAM (Random-Access Memory), etc. And a main body 22 that houses a central processing unit (CPU), a CRT (Cathode Ray Tube) monitor (display means) 23, and the like. The radiation detection apparatus 10 and the computer 20 are electrically connected to each other by connection means such as a cable, and the computer 20 controls the radiation detection apparatus 10 via the cable. The computer 20 corresponds to the control device in the present invention.

放射線検出器30は、図2、図3に示すように、例えばX線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜31と、半導体厚膜31の表面に設けられた電圧印加電極32と、半導体厚膜31の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極33と、キャリア収集電極33への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサCaと、コンデンサCaに蓄積された電荷を取り出すための通常時OFF(遮断)の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ(TFT)Trとを備えている。本実施例では、半導体厚膜31は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質で形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。半導体厚膜31は、この発明における半導体層に相当する。   As shown in FIGS. 2 and 3, the radiation detector 30 is provided on a surface of the semiconductor thick film 31 and a radiation sensitive semiconductor thick film 31 in which carriers are generated when radiation such as X-rays enters, for example. The applied voltage application electrode 32, the carrier collection electrode 33 provided on the back surface opposite to the radiation incident side of the semiconductor thick film 31, and the charge storage capacitor Ca for collecting collected carriers to the carrier collection electrode 33. , And a thin film transistor (TFT) Tr that is a switching element for taking off charges that are normally OFF (blocked) for taking out the charges accumulated in the capacitor Ca. In the present embodiment, the semiconductor thick film 31 is formed of a radiation sensitive material that generates carriers by the incidence of radiation, but may be a photosensitive material that generates carriers by the incidence of light. . The semiconductor thick film 31 corresponds to the semiconductor layer in this invention.

この他に、放射線検出器30は、薄膜トランジスタTrのソースに接続されているデータ線34と、薄膜トランジスタTrのゲートに接続されているゲート線35とを備えており、電圧印加電極32,半導体厚膜31,キャリア収集電極33,コンデンサCa,薄膜トランジスタTr,データ線34,およびゲート線35が絶縁基板36上に積層されて構成されている。   In addition, the radiation detector 30 includes a data line 34 connected to the source of the thin film transistor Tr, and a gate line 35 connected to the gate of the thin film transistor Tr. 31, a carrier collecting electrode 33, a capacitor Ca, a thin film transistor Tr, a data line 34, and a gate line 35 are stacked on an insulating substrate 36.

図2〜図4に示すように、縦・横式2次元マトリックス状配列で多数個(例えば、1024個×1024個)形成されたキャリア収集電極33ごとに、上述した各々のコンデンサCaおよび薄膜トランジスタTrがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極33,コンデンサCa,および薄膜トランジスタTrが各検出素子DUとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極32は、全検出素子DUの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線34は、図4に示すように、横(X)方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線35は、図4に示すように、縦(Y)方向に複数本に並列されており、各々のデータ線34およびゲート線35は各検出素子DUに接続されている。また、データ線34は電荷−電圧変換群37を介してマルチプレクサ38に接続されており、ゲート線35はゲートドライバ39に接続されている。なお、検出素子DUの配列個数は上述の1024個×1024個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子DUが1個のみの形態であってもよい。   2 to 4, for each of the carrier collection electrodes 33 formed in a large number (for example, 1024 × 1024) in a vertical / horizontal two-dimensional matrix arrangement, each of the capacitors Ca and the thin film transistors Tr described above is provided. Are connected to each other, and the carrier collecting electrode 33, the capacitor Ca, and the thin film transistor Tr are separately formed as each detecting element DU. Further, the voltage application electrode 32 is formed over the entire surface as a common electrode of all the detection elements DU. Further, as shown in FIG. 4, the data lines 34 described above are arranged in parallel in the horizontal (X) direction, and the gate lines 35 described above are arranged in the vertical (Y) direction as shown in FIG. The data lines 34 and the gate lines 35 are connected to the detection elements DU. The data line 34 is connected to a multiplexer 38 via a charge-voltage conversion group 37, and the gate line 35 is connected to a gate driver 39. Note that the number of detection elements DU arranged is not limited to the above-mentioned 1024 × 1024, but can be used by changing the number of arrangement according to the embodiment. Therefore, the form with only one detection element DU may be sufficient.

検出素子DUは2次元マトリックス状配列で絶縁基板36にパターン形成されており、検出素子DUがパターン形成された絶縁基板36は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。この検出素子DUがパターン形成された絶縁基板36は、この発明における読み出し基板に相当する。   The detection elements DU are patterned on the insulating substrate 36 in a two-dimensional matrix arrangement, and the insulating substrate 36 on which the detection elements DU are patterned is also called an “active matrix substrate”. The insulating substrate 36 on which the detection element DU is patterned corresponds to the readout substrate in the present invention.

なお、電荷−電圧変換群37,マルチプレクサ38で、図2に示す増幅回路40を構築しており、この増幅回路40が弾性体で形成されたフレキシブル基板41上に搭載されている。このフレキシブル基板41は、絶縁基板36に形成されたデータ線34と、絶縁基板34の放射線入射側とは反対側に配設された信号処理基板42(図2、図4参照)に電気的に接続されている。この信号処理基板42は、コンピュータ20にケーブルを介して電気的に接続される(図1参照)。なお、ゲートドライバ39についても図示を省略するフレキシブル基板上に搭載されている。   The charge-voltage conversion group 37 and the multiplexer 38 constitute the amplifier circuit 40 shown in FIG. 2, and this amplifier circuit 40 is mounted on a flexible substrate 41 formed of an elastic body. The flexible substrate 41 is electrically connected to a data line 34 formed on the insulating substrate 36 and a signal processing substrate 42 (see FIGS. 2 and 4) disposed on the opposite side of the insulating substrate 34 from the radiation incident side. It is connected. The signal processing board 42 is electrically connected to the computer 20 via a cable (see FIG. 1). The gate driver 39 is also mounted on a flexible substrate (not shown).

これら半導体厚膜31や絶縁基板36などで形成された放射線検出器30を作成する場合には絶縁基板36の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線34およびゲート線35を配線し、薄膜トランジスタTr,コンデンサCa,キャリア収集電極33,半導体厚膜31,電圧印加電極32などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜31を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。また、半導体厚膜31を形成する物質についても、セレン(Se)などに例示されるように、特に限定されない。本実施例の場合には直接変換型の放射線検出器であるのでアモルファスセレンで半導体厚膜31を形成する。   When the radiation detector 30 formed of the semiconductor thick film 31, the insulating substrate 36, or the like is formed, the surface of the insulating substrate 36 is used by using a thin film forming technique by various vacuum deposition methods or a pattern technique by photolithography. The data line 34 and the gate line 35 are wired, and the thin film transistor Tr, the capacitor Ca, the carrier collection electrode 33, the semiconductor thick film 31, the voltage application electrode 32, and the like are sequentially stacked. The semiconductor for forming the semiconductor thick film 31 can be appropriately selected according to the application, withstand voltage, etc., as exemplified by an amorphous semiconductor and a polycrystalline semiconductor. Further, the material forming the semiconductor thick film 31 is not particularly limited as exemplified by selenium (Se). In the present embodiment, since it is a direct conversion type radiation detector, the semiconductor thick film 31 is formed of amorphous selenium.

これら半導体厚膜31や絶縁基板36などで形成された放射線検出器30を収納した磁気シールド50上には、検出すべき放射線(ここではX線)以外の放射線や光を遮蔽する遮蔽板51を配設している。遮蔽板51によるX線の減衰を最小限に留めるように遮蔽板51はカーボンや樹脂などの遮蔽率の低い物質で構成されている。   On the magnetic shield 50 containing the radiation detector 30 formed of the semiconductor thick film 31 and the insulating substrate 36, a shielding plate 51 that shields radiation and light other than radiation to be detected (here, X-rays). It is arranged. The shielding plate 51 is made of a material having a low shielding rate such as carbon or resin so as to minimize the attenuation of X-rays by the shielding plate 51.

なお、コンピュータ20(図1参照)のうちCRTモニタ23(図1参照)から磁力線が発生する。図2に示す磁気的なノイズMNは、ほとんど、このCRTモニタ23からの磁力線によるものである。そこで磁気シールド50は、強磁性体である鉄ニッケル(Fe−Ni)合金を1000℃程度に熱焼成(焼鈍)した物(以下、『パーマロイ』と呼ぶ)などに代表される透磁性物質で形成されている。パーマロイで磁気シールド50を形成することで、図2に示すように、磁気的なノイズMNは磁気シールド50に沿って遮られて、検出装置10にまで及ばない。パーマロイは導電性をも有しており、本実施例ではこのパーマロイを接地させる。パーマロイの比透磁率は磁束密度などにも左右されるが、104〜数106程度である。 Magnetic lines of force are generated from the CRT monitor 23 (see FIG. 1) in the computer 20 (see FIG. 1). The magnetic noise MN shown in FIG. 2 is mostly due to the lines of magnetic force from the CRT monitor 23. Therefore, the magnetic shield 50 is formed of a magnetically permeable material typified by an iron-nickel (Fe—Ni) alloy, which is a ferromagnetic material, that is thermally fired (annealed) to about 1000 ° C. (hereinafter referred to as “permalloy”). Has been. By forming the magnetic shield 50 with permalloy, the magnetic noise MN is blocked along the magnetic shield 50 and does not reach the detection device 10 as shown in FIG. Permalloy also has conductivity, and in this embodiment, this permalloy is grounded. The relative permeability of permalloy depends on the magnetic flux density and the like, but is about 10 4 to several 10 6 .

なお、パーマロイによってX線が減衰する恐れがあるので、磁気シールド50のうち、筐体の入射面の厚みを他の面よりも薄くするのが好ましい。本実施例では、0.1μm程度の厚みのパーマロイを入射面に形成するとともに、それ以外の面に0.3μm程度の厚みのパーマロイを形成する。なお、入射面を遮蔽板51のみで形成すると、磁力線の回り込みにより磁力線が入射面を介して検出装置10にまで入り込むので、入射面側についてもパーマロイで形成する。   Since X-rays may be attenuated by permalloy, it is preferable to make the thickness of the incident surface of the housing of the magnetic shield 50 thinner than the other surfaces. In this embodiment, a permalloy having a thickness of about 0.1 μm is formed on the incident surface, and a permalloy having a thickness of about 0.3 μm is formed on the other surface. If the incident surface is formed only by the shielding plate 51, the magnetic lines of force enter the detection device 10 through the incident surface due to the wraparound of the magnetic lines of force, so that the incident surface side is also formed of permalloy.

続いて、本実施例システムの作用について説明する。検出装置10を制御するためのコマンド(命令)をコンピュータ20のポインティングデバイス21から入力する、あるいは本体22に予め記憶された、検出装置10を制御するためのプログラムを読み出して、検出装置10を以下のように制御する。   Then, the effect | action of a present Example system is demonstrated. A command (instruction) for controlling the detection apparatus 10 is input from the pointing device 21 of the computer 20 or a program for controlling the detection apparatus 10 stored in the main body 22 is read out. Control like this.

すなわち、電圧印加電極32に高電圧(例えば数100V〜数10kV程度)のバイアス電圧VAを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。 That is, radiation that is a detection target is incident on the voltage application electrode 32 in a state where a bias voltage V A of a high voltage (for example, about several hundred V to several tens kV) is applied.

放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサCaに蓄積される。ゲートドライバ39の信号取り出し用の走査信号によって、ゲート線35が選択されて、さらに選択されたゲート線35に接続されている検出素子DUが選択指定される。その指定された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積された電荷が、選択されたゲート線35の信号によってON状態に移行した薄膜トランジスタTrを経由して、データ線34に読み出される。   Carriers are generated by the incidence of radiation, and the carriers are stored in the charge storage capacitor Ca as charge information. The gate line 35 is selected by the scanning signal for signal extraction of the gate driver 39, and the detection element DU connected to the selected gate line 35 is selected and designated. The electric charge accumulated in the capacitor Ca of the designated detection element DU is read out to the data line 34 via the thin film transistor Tr that has been turned on by the signal of the selected gate line 35.

また、各検出素子DUのアドレス(番地)指定は、データ線34およびゲート線35の信号取り出し用の走査信号に基づいて行われる。マルチプレクサ38およびゲートドライバ39に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ39から縦(Y)方向の走査信号に従って各検出素子DUが選択される。そして、横(X)方向の走査信号に従ってマルチプレクサ38が切り換えられることによって、選択された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積された電荷が、データ線34を介して、電圧−電圧変換群37およびマルチプレクサ38を順に経て信号処理基板42に送り出されるとともに、検出装置10の外部であるコンピュータ20に送り出される。   Also, the address (address) designation of each detection element DU is performed based on the scanning signal for extracting signals from the data line 34 and the gate line 35. When a scanning signal for signal extraction is sent to the multiplexer 38 and the gate driver 39, each detection element DU is selected according to the scanning signal in the longitudinal (Y) direction from the gate driver 39. Then, when the multiplexer 38 is switched in accordance with the scanning signal in the horizontal (X) direction, the charge accumulated in the capacitor Ca of the selected detection element DU is transferred via the data line 34 to the voltage-voltage conversion group 37 and the multiplexer. The signal is sequentially sent to the signal processing board 42 through 38 and sent to the computer 20 outside the detection apparatus 10.

上述の動作によって、例えばX線透視撮影装置の透視X線像の検出に本実施例に係るシステムを用いた場合、データ線34を介して信号処理基板42にて電荷情報が画像情報に変換されて、コンピュータ20でX線透視画像として出力される。具体的には、X線透視画像は、コンピュータ20のCRTモニタ23や図示を省略するプリンタなどに出力される。   With the above-described operation, for example, when the system according to the present embodiment is used to detect a fluoroscopic X-ray image of an X-ray fluoroscopic imaging apparatus, the charge information is converted into image information on the signal processing board 42 via the data line 34. And output as an X-ray fluoroscopic image by the computer 20. Specifically, the fluoroscopic image is output to a CRT monitor 23 of the computer 20 or a printer (not shown).

上述した本実施例装置10によれば、パーマロイなどに代表される透磁性物質で形成された磁気シールド50を備え、磁気の影響を検出装置10が受けないような箇所にこの磁気シールド50を配設することで、磁気的なノイズMN、すなわち磁力線は磁気シールド50に沿って遮られて、検出装置10にまで及ばない。一方、本実施例システムによれば、検出装置10側に上述した磁気シールド50を配設することで、検出装置10,コンピュータ20の両者に対して磁気的なノイズMNが及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。   According to the apparatus 10 of the present embodiment described above, the magnetic shield 50 formed of a magnetically permeable material typified by permalloy or the like is provided, and the magnetic shield 50 is arranged at a place where the detection apparatus 10 is not affected by magnetism. By providing the magnetic noise MN, that is, the magnetic lines of force are blocked along the magnetic shield 50 and do not reach the detection device 10. On the other hand, according to the system of the present embodiment, magnetic noise MN does not reach both the detection device 10 and the computer 20 by disposing the above-described magnetic shield 50 on the detection device 10 side. As a result, magnetic noise can be removed, and noise can be reduced by removing the noise.

本実施例では、磁気の影響を検出装置10が受けないように、放射線検出器30を筐体状の磁気シールド50で収納し、その筐体状の磁気シールド50をパーマロイなどに代表される透磁性物質で形成している。この筐体によって磁気シールド50内への磁力線の回り込みを許さない。したがって、その磁気シールド50内に収容された検出器30への磁力線の回り込み、すなわち磁気的なノイズを許容せずに、磁気シールド50を筐体が簡単に実現することができる。   In the present embodiment, the radiation detector 30 is housed in a housing-like magnetic shield 50 so that the detection device 10 is not affected by magnetism, and the housing-like magnetic shield 50 is transmitted through, for example, permalloy. It is made of magnetic material. This casing does not allow the magnetic lines of force to enter the magnetic shield 50. Therefore, the magnetic shield 50 can be easily realized by the housing without allowing the magnetic lines of force to wrap around the detector 30 accommodated in the magnetic shield 50, that is, without allowing magnetic noise.

本実施例では、パーマロイが導電性を有し、このパーマロイを接地して構成することで、電気的なノイズが接地されたパーマロイを介して逃げる。その結果、磁気的なノイズのみでなく、電気的なノイズをも除去することができるとともに、それらのノイズの除去によってノイズをより一層低減させることができる。   In the present embodiment, the permalloy has conductivity, and the permalloy is configured to be grounded so that electric noise escapes through the grounded permalloy. As a result, not only magnetic noise but also electrical noise can be removed, and noise can be further reduced by removing these noises.

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.

(1)上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜31(半導体層)によって電荷情報に直接的に変換した直接変換型の放射線検出装置をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータによって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する間接変換型の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。また、入射した光を光感応型の物質で形成された半導体層によって電荷情報に変換する光検出器をこの発明は適用してもよい。   (1) In the above-described embodiment, the present invention is applied to the direct conversion type radiation detection apparatus in which incident radiation is directly converted into charge information by the semiconductor thick film 31 (semiconductor layer), but the incident radiation is scintillator. The present invention may be applied to an indirect conversion type radiation detector that converts light into charge information by means of a semiconductor layer formed of a light sensitive substance. In addition, the present invention may be applied to a photodetector that converts incident light into charge information by a semiconductor layer formed of a photosensitive material.

(2)上述した実施例では、X線を検出する場合を例に採って説明したが、核医学装置などに用いられるγ線を検出する検出装置をこの発明が適用することもできる。   (2) In the above-described embodiments, the case of detecting X-rays has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a detection device that detects γ-rays used in a nuclear medicine apparatus or the like.

(3)上述した実施例では、磁気シールド50を筐体状に構成し、その筐体内に検出器30を収納して、磁気の影響を検出装置10が受けないようにしたが、例えば、図5に示すように、磁力線MNの回り込みによるノイズが無視できるほど磁気シールドSの壁の高さを高くして磁気シールドを配設してもよい。ただ、磁気シールドを簡単に実現することという点、および磁力線の回り込みを許容しないという点において、実施例の構造の方がより好ましい。   (3) In the above-described embodiment, the magnetic shield 50 is configured in a casing shape, and the detector 30 is accommodated in the casing so that the detection apparatus 10 is not affected by magnetism. As shown in FIG. 5, the magnetic shield may be disposed with the height of the wall of the magnetic shield S so high that the noise due to the wraparound of the magnetic lines of force MN can be ignored. However, the structure of the embodiment is more preferable in that the magnetic shield is easily realized and the magnetic field lines are not allowed to wrap around.

(4)上述した実施例では、透磁性物質をパーマロイで構成したが、通常に用いられる透磁性物質であれば、例えばケイ素鋼やマンガン亜鉛(Mn−Zn)フェライトや鉄(Fe)基アモルファスなどのように特に限定されない。また、透磁性は高ければ高いほど磁気シールドとしての効果を発揮することができる。好ましくは、ケイ素鋼などのようにその比透磁率が103程度以上、より好ましくは、パーマロイなどのようにその比透磁率が104以上の透磁性物質で構成する。 (4) In the above-described embodiment, the magnetically permeable material is made of permalloy. However, if the magnetically permeable material is normally used, for example, silicon steel, manganese zinc (Mn-Zn) ferrite, iron (Fe) based amorphous, etc. It is not specifically limited like. Further, the higher the magnetic permeability, the more effective as a magnetic shield. Preferably, it is made of a magnetically permeable material having a relative magnetic permeability of about 10 3 or more, such as silicon steel, and more preferably a relative magnetic permeability of 10 4 or more, such as permalloy.

(5)上述した実施例では、パーマロイなどに代表される透磁性物質は導電性を有しており、そのパーマロイを接地して電気的なノイズをも除去したが、電気的なノイズを除去しないのであれば、透磁性物質であっても導電性を有する必要はない。例えばコイルの鉄心は透磁性物質であるが導電性を有さない。かかる鉄心を磁気シールドとして形成してもよい。   (5) In the above-described embodiment, the magnetically permeable material represented by permalloy has conductivity, and the permalloy is grounded to remove electrical noise, but does not remove electrical noise. If it is, even if it is a magnetically permeable substance, it does not need to have electroconductivity. For example, the iron core of the coil is a magnetically permeable material but has no electrical conductivity. Such an iron core may be formed as a magnetic shield.

(6)上述した実施例では、図1に示すように磁気シールド50を放射線検出装置10側のみに備えて配設したが、少なくとも検出装置10側に磁気シールド50を配設するのであれば、検出装置10側のほかに、コンピュータ20側の例えばCRTモニタ23に磁気シールドを施してもよいし、検出装置10・コンピュータ20間の箇所に、例えば変形例(3)で述べた磁気シールドの壁(図5参照)を配設してもよい。   (6) In the embodiment described above, the magnetic shield 50 is provided only on the radiation detection apparatus 10 side as shown in FIG. 1, but if the magnetic shield 50 is provided at least on the detection apparatus 10 side, In addition to the detection device 10 side, a magnetic shield may be applied to, for example, the CRT monitor 23 on the computer 20 side, or the magnetic shield wall described in the modification (3), for example, at a location between the detection device 10 and the computer 20. (See FIG. 5) may be provided.

なお、実施例システム全体でいえば、放射線検出装置10側に磁気シールド50を備えて配設しなくてもよく、少なくとも検出装置10,コンピュータ20などに代表される制御装置,検出装置10・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設すればよい。配設する磁気シールドの数は1個のみでよいし、2個以上でもよいし、すべての箇所にシールドを配設してもよい。   In addition, in the embodiment system as a whole, it is not necessary to provide the magnetic shield 50 on the radiation detection device 10 side, and at least the control device represented by the detection device 10, the computer 20, etc., the detection device 10 / control. What is necessary is just to arrange | position a magnetic shield in the somewhere between apparatuses. The number of magnetic shields to be provided may be only one, two or more, or shields may be provided at all locations.

実施例に係る放射線検出装置を有した放射線検出制御システムの概略図である。It is the schematic of the radiation detection control system which has the radiation detection apparatus which concerns on an Example. 実施例に係る放射線検出装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the radiation detection apparatus which concerns on an Example. 図2を等価回路で表した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating FIG. 2 in an equivalent circuit. 平面的に表した回路図である。It is the circuit diagram represented planarly. 変形例に係る放射線検出装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the radiation detection apparatus which concerns on a modification. この発明に基づく知見における各ノイズの説明図であって、(a)は電気的なノイズに関する説明図、(b)は磁気的なノイズに関する説明図である。It is explanatory drawing of each noise in the knowledge based on this invention, Comprising: (a) is explanatory drawing regarding electrical noise, (b) is explanatory drawing regarding magnetic noise. 磁気シールドの壁を配設した場合における磁気的なノイズに関する説明図である。It is explanatory drawing regarding the magnetic noise at the time of arrange | positioning the wall of a magnetic shield.

符号の説明Explanation of symbols

10 … 放射線検出装置
20 … コンピュータ
23 … CRTモニタ
30 … 放射線検出器
31 … 半導体厚膜
36 … 絶縁基板
50 … 磁気シールド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Radiation detection apparatus 20 ... Computer 23 ... CRT monitor 30 ... Radiation detector 31 ... Semiconductor thick film 36 ... Insulating substrate 50 ... Magnetic shield

Claims (6)

光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置であって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を前記検出装置が受けないような箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とする光または放射線検出装置。   A light or radiation detection device comprising a semiconductor layer for converting light or radiation information into charge information upon incidence of light or radiation, and detecting light or radiation by reading the converted charge information, wherein the magnetically permeable material A light or radiation detection apparatus comprising the magnetic shield formed by the above-described method, wherein the magnetic shield is disposed at a location where the detection apparatus is not affected by magnetism. 請求項1に記載の光または放射線検出装置において、前記半導体層と前記電荷情報を読み出す読み出し基板とからなる放射線検出器を筐体で収納し、その筐体を前記透磁性物質で形成することを特徴とする光または放射線検出装置。   The light or radiation detection apparatus according to claim 1, wherein a radiation detector including the semiconductor layer and a readout substrate that reads the charge information is housed in a housing, and the housing is formed of the magnetically permeable material. Feature light or radiation detection device. 請求項1または請求項2に記載の光または放射線検出装置において、前記透磁性物質は導電性を有し、この導電性を有した透磁性物質を接地して構成することを特徴とする光または放射線検出装置。   3. The light or radiation detection device according to claim 1, wherein the magnetically permeable material has electrical conductivity, and is configured by grounding the magnetically permeable material having electrical conductivity. Radiation detection device. 請求項1から請求項3のいずれか記載の光または放射線検出装置において、前記半導体層は、前記放射線の情報を電荷情報に直接的に変換する放射線感応型であって、前記検出装置は、その放射線感応型半導体層を備えた直接変換型の放射線検出装置であることを特徴とする光または放射線検出装置。   4. The light or radiation detection device according to claim 1, wherein the semiconductor layer is a radiation-sensitive type that directly converts the information of the radiation into charge information, and the detection device includes: A light or radiation detection device characterized in that it is a direct conversion radiation detection device provided with a radiation sensitive semiconductor layer. 光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置と、その検出装置の制御を行う制御装置とで構築された光または放射線検出制御システムであって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、少なくとも検出装置,前記制御装置,検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とする光または放射線検出制御システム。   A light or radiation detection device that includes a semiconductor layer that converts light or radiation information into charge information upon incidence of light or radiation, detects light or radiation by reading the converted charge information, and controls the detection device A light or radiation detection control system constructed with a control device that performs the above, comprising a magnetic shield formed of a magnetically permeable material, and at least any location between the detection device, the control device, and the detection device / control device A light or radiation detection control system, wherein the magnetic shield is disposed on the surface. 請求項5に記載の光または放射線検出制御システムにおいて、少なくとも前記検出装置側に前記磁気シールドを備えて配設することを特徴とする光または放射線検出制御システム。
6. The light or radiation detection control system according to claim 5, wherein the magnetic shield is provided at least on the detection device side.
JP2004062084A 2004-03-05 2004-03-05 Light or radiation detector, and light or radiation detection control system Pending JP2005249658A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004062084A JP2005249658A (en) 2004-03-05 2004-03-05 Light or radiation detector, and light or radiation detection control system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004062084A JP2005249658A (en) 2004-03-05 2004-03-05 Light or radiation detector, and light or radiation detection control system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005249658A true JP2005249658A (en) 2005-09-15

Family

ID=35030257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004062084A Pending JP2005249658A (en) 2004-03-05 2004-03-05 Light or radiation detector, and light or radiation detection control system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005249658A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008171881A (en) * 2007-01-09 2008-07-24 Shimadzu Corp Light or radiation detector
JP2011058999A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Fujifilm Corp Radiation image photographing device
JP2012103268A (en) * 2012-01-30 2012-05-31 Fujifilm Corp Radiation image photographing apparatus
CN105266830A (en) * 2014-05-27 2016-01-27 佳能株式会社 Imaging apparatus
CN108352389A (en) * 2015-11-12 2018-07-31 索尼公司 Solid state image pickup device and solid-state imaging apparatus
KR20220156763A (en) 2021-05-19 2022-11-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61209328A (en) * 1985-03-13 1986-09-17 Chino Works Ltd Apparatus for detecting radiation energy
JPH09129857A (en) * 1995-10-27 1997-05-16 Toshiba Medical Eng Co Ltd Two-dimensional x-ray detector
JP2000258541A (en) * 1999-03-11 2000-09-22 Toshiba Corp Radiation-detecting device
JP2002214729A (en) * 2001-01-19 2002-07-31 Canon Inc Radiographic image photographing device
JP2002250772A (en) * 2000-11-10 2002-09-06 Canon Inc Image pickup device and image pickup method
JP2003121553A (en) * 2001-08-06 2003-04-23 Canon Inc Radiation imaging apparatus
JP2003249637A (en) * 2002-02-26 2003-09-05 Canon Inc Image detector

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61209328A (en) * 1985-03-13 1986-09-17 Chino Works Ltd Apparatus for detecting radiation energy
JPH09129857A (en) * 1995-10-27 1997-05-16 Toshiba Medical Eng Co Ltd Two-dimensional x-ray detector
JP2000258541A (en) * 1999-03-11 2000-09-22 Toshiba Corp Radiation-detecting device
JP2002250772A (en) * 2000-11-10 2002-09-06 Canon Inc Image pickup device and image pickup method
JP2002214729A (en) * 2001-01-19 2002-07-31 Canon Inc Radiographic image photographing device
JP2003121553A (en) * 2001-08-06 2003-04-23 Canon Inc Radiation imaging apparatus
JP2003249637A (en) * 2002-02-26 2003-09-05 Canon Inc Image detector

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008171881A (en) * 2007-01-09 2008-07-24 Shimadzu Corp Light or radiation detector
JP2011058999A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Fujifilm Corp Radiation image photographing device
JP2012103268A (en) * 2012-01-30 2012-05-31 Fujifilm Corp Radiation image photographing apparatus
CN105266830A (en) * 2014-05-27 2016-01-27 佳能株式会社 Imaging apparatus
CN108352389A (en) * 2015-11-12 2018-07-31 索尼公司 Solid state image pickup device and solid-state imaging apparatus
KR20220156763A (en) 2021-05-19 2022-11-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101682687B (en) Radiation detecting apparatus and radiation imaging system
JP4892894B2 (en) Manufacturing method of light or radiation detection unit, and light or radiation detection unit manufactured by the manufacturing method
JP5270790B1 (en) Radiation image capturing apparatus, radiation image capturing system, control program for radiation image capturing apparatus, and control method for radiation image capturing apparatus
US8492717B2 (en) Portable radiographic image capture device
US7504638B2 (en) Digital flat X-ray detector
KR100691463B1 (en) Radiological image pickup apparatus
US7576327B2 (en) Radiation image detector and driving method for the same
JP2009087960A (en) Sensor panel and image detector
KR20010080273A (en) Direct radiographic imaging panel with shielding electrode
JP2009044587A (en) Radiographic image detector
JP2005249658A (en) Light or radiation detector, and light or radiation detection control system
JP3131108U (en) Light or radiation detector
US20090008733A1 (en) Electric field steering cap, steering electrode, and modular configurations for a radiation detector
JP2008098391A (en) Radiation image detector
TW200413744A (en) Active-matrix substrate and electromagnetic wave detector
JP2005241334A (en) Radiation detection instrument
US6501089B1 (en) Image detector, fabrication method thereof, image recording method, image recorder, image reading method, and image reader
KR101045084B1 (en) X-ray detector and x-ray detecting method using the same
JP2009074817A (en) Semiconductor detector module, and radiation detection device or nuclear medicine diagnosis device using the semiconductor detector module
JP2005268271A (en) Two-dimensional detector for light or radiation
JP2009088086A (en) Radiation image detector
JP2006226750A (en) Radiographic image signal detecting device and flexible board
JP2003249637A (en) Image detector
US8154100B2 (en) Electromagnetic wave detecting element
KR101478737B1 (en) Radiation detection system and method with semiconductor detector

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060606

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080801

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090303

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090707