JP2005244860A - High frequency switching module and communication apparatus using the same - Google Patents

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Toshiyuki Wada
俊之 和田
Keisuke Fukamachi
啓介 深町
Satoshi Yokouchi
智 横内
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency switching module and communication apparatus using the same in which phase balance can be adjusted without damaging flatness of amplitude balance and phase balance. <P>SOLUTION: In a high frequency switching module wherein a switching element, a capacitor, an inductor and at least one or more SAW filters are integrally formed on a dielectric substrate, at least one of the SAW filters is an unbalanced/balanced output type SAW filter, and at least one of two transmission lines connected, respectively between two balanced output side terminals of the unbalanced/balanced output type SAW filter and two output terminals of a reception circuit formed on a surface of the dielectric substrate, and a ground electrode formed inside the dielectric substrate are arranged so as not to overlap with each other when the dielectric substrate is viewed in the direction of lamination. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マイクロ波帯などの高周波帯域で用いられ、1つのアンテナで送受信系を取り扱う高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置に関するものである。   The present invention relates to a high-frequency switch module that is used in a high-frequency band such as a microwave band and handles a transmission / reception system with a single antenna, and a communication device using the same.

近年、セラミックRFデバイスは携帯電話機など高周波無線機器の小型に大いに貢献するものとして大変注目されている。欧州地域をはじめとして広く適用されているEGSMやDCS等の携帯電話機では、最近、雑音指数を下げ、受信感度を上げるように、RF回路に2本の信号端子を持つ平衡型RFデバイスを用いることが提案されている。平衡型の回路は1本の信号端子による不平衡型の回路に比べてノイズに強い特徴を持つ。図9にEGSMとDCSのデュアルバンド携帯電話機の回路ブロック図を示す。分波器120、高周波スイッチ121、122、ローパスフィルタ123、124、RF段間フィルタ(SAWフィルタ)125、126、低雑音増幅器(LNA)127、128、方向性結合器131、132、増幅器(PA)133、134 等のRFデバイスを具備するものである。前記のような要請から、最近では、不平衡入力型LNAに変わり、平衡入力型LNAが用いられつつある。この場合、平衡入力型LNA 127、128とその前段に配置される段間フィルタ(SAWフィルタ)125、126とを接続するのに、従来、不平衡型回路と平衡型回路との変換を行う平衡-不平衡変換トランス129、130を用いていた。そして、これらのRFデバイスは、それぞれ独立の部品から構成され、RFデバイスをプリント基板上に実装し、マイクロストリップライン等の接続線路を用いて互いに接続していた。   In recent years, ceramic RF devices have attracted much attention as contributing greatly to the miniaturization of high-frequency radio equipment such as mobile phones. Mobile phones such as EGSM and DCS, which are widely used in Europe, have recently used balanced RF devices with two signal terminals in the RF circuit to lower the noise figure and increase the reception sensitivity. Has been proposed. The balanced circuit is more resistant to noise than the unbalanced circuit with one signal terminal. FIG. 9 shows a circuit block diagram of an EGSM and DCS dual-band mobile phone. Demultiplexer 120, high frequency switches 121 and 122, low pass filters 123 and 124, RF interstage filters (SAW filters) 125 and 126, low noise amplifiers (LNA) 127 and 128, directional couplers 131 and 132, amplifiers (PA) ) 133, 134 etc. RF devices are provided. Due to the above demand, recently, the balanced input LNA is being used instead of the unbalanced input LNA. In this case, in order to connect the balanced input type LNAs 127 and 128 and the interstage filters (SAW filters) 125 and 126 arranged in the preceding stage, a conventional balanced type that converts between an unbalanced type circuit and a balanced type circuit is used. -The unbalance conversion transformers 129 and 130 were used. Each of these RF devices is composed of independent components, and the RF devices are mounted on a printed circuit board and connected to each other using a connection line such as a microstrip line.

しかしながら、平衡-不平衡変換トランスを用いると必然的に部品点数が増えるといった問題が発生する。例えば、EGSM方式、DCS方式に対応したデュアルバンド対応の携帯電話機においては、それぞれの送受信系に平衡-不平衡変換トランスを設けなければならず、小型化、低価格化の要請に応じられないだけでなく、部品点数の増加による実装面積の増加という問題もあった。   However, using a balanced-unbalanced conversion transformer inevitably increases the number of components. For example, dual-band mobile phones that support the EGSM and DCS systems must be equipped with a balanced-unbalanced conversion transformer in each transmission / reception system, and can only meet the demands for miniaturization and price reduction. In addition, there is a problem that the mounting area increases due to an increase in the number of components.

この問題に対し、例えば特許文献1に示すような高周波スイッチモジュールが開示されている。この高周波スイッチモジュールは分波器、送受信切り替えを行う高周波スイッチ、ローパスフィルタ、不平衡入力・平衡出力型SAW フィルタを積層誘電体基板上に一体形成したもので、不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタを用いることで部品点数を削減し、また、積層誘電体基板上に前記SAWフィルタを実装することでアンテナから前記SAWフィルタ間の導線線路を短くし、小型化・挿入損失向上を実現している。   For this problem, for example, a high-frequency switch module as disclosed in Patent Document 1 is disclosed. This high-frequency switch module is an unbalanced input / balanced output type SAW filter, which is a monolithic unit, a duplexer, a high frequency switch for switching transmission and reception, a low-pass filter, and an unbalanced input / balanced output type SAW filter. Reduces the number of parts, and by mounting the SAW filter on the laminated dielectric substrate, the conductor line between the antenna and the SAW filter is shortened, and downsizing and improved insertion loss are realized. .

特開2003−152590号公報JP 2003-152590 A

特許文献1のように、不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタを用いる場合、前記SAWフィルタより出力される信号の振幅バランス、位相バランスが良好でないと、後段に接続される低雑音増幅器に入力される信号が劣化し、低雑音増幅器は外来ノイズを受けやすくなり、発信などの不具合を生じる。そのため、振幅バランスは±1dB以内、位相バランスは180±10°以内であるのが好ましい。前記SAWフィルタの出力信号の位相バランス特性が、SAWフィルタの特性上、あるいはSAWフィルタ前段の回路の影響により、180°よりずれた場合、特許文献1の高周波スイッチモジュールでは、位相バランスの調整を行うことが困難である。   When using an unbalanced input / balanced output type SAW filter as in Patent Document 1, if the amplitude balance and phase balance of the signal output from the SAW filter are not good, they are input to a low noise amplifier connected to the subsequent stage. As a result, the low-noise amplifier becomes more susceptible to external noise, causing problems such as transmission. Therefore, it is preferable that the amplitude balance is within ± 1 dB and the phase balance is within 180 ± 10 °. When the phase balance characteristic of the output signal of the SAW filter deviates from 180 ° due to the characteristics of the SAW filter or due to the influence of the circuit upstream of the SAW filter, the high frequency switch module of Patent Document 1 adjusts the phase balance. Is difficult.

本発明の高周波スイッチモジュールはこの問題を解決するもので、振幅バランス、位相バランスの平坦性を損なうことなく、位相バランスの調整を可能とした高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置を提供することを目的とする。   The high-frequency switch module of the present invention solves this problem, and provides a high-frequency switch module capable of adjusting the phase balance without impairing the flatness of the amplitude balance and phase balance, and a communication device using the same. With the goal.

本発明の高周波スイッチモジュールは、スイッチング素子、コンデンサ、インダクタ、及び少なくとも一つ以上のSAWフィルタを誘電体基板にて一体に形成した高周波スイッチモジュールにおいて、前記SAWフィルタの少なくとも一つは不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタであって、前記不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタの2つの平衡出力側端子と前記誘電体基板に形成された2つの受信端子との間にそれぞれ接続される2つの伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路と、前記誘電体基板内に形成されるグランド電極とが、前記誘電体基板を積層方向に見たときに互いに重複しないように配置したことを特徴とする。   The high frequency switch module of the present invention is a high frequency switch module in which a switching element, a capacitor, an inductor, and at least one SAW filter are integrally formed on a dielectric substrate, wherein at least one of the SAW filters is an unbalanced input Two transmissions connected to a balanced output type SAW filter between two balanced output side terminals of the unbalanced input / balanced output type SAW filter and two receiving terminals formed on the dielectric substrate, respectively. At least one of the transmission lines and a ground electrode formed in the dielectric substrate are arranged so as not to overlap each other when the dielectric substrate is viewed in the stacking direction.

本発明の高周波スイッチモジュールは、アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換える高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信系の信号を分波する低域通過フィルタと高域通過フィルタとからなる分波回路と、前記分波回路の低域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第1のスイッチ回路と、前記分波回路の広域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第2のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路の送信経路に設けたローパスフィルタと、前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路から受信回路に繋がる各受信経路にSAWフィルタを有し、前記分波回路とローパスフィルタはLC回路で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路とローパスフィルタのLC回路、前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層基板内に、前記電極パターンにより構成し、前記SAWフィルタとダイオード及びLC回路の一部を構成するチップ素子は、前記誘電体基板上に搭載したアンテナスイッチモジュールにおいて、前記SAWフィルタの少なくとも一つは、不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタであって、前記不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタの2つの平衡出力側端子と前記誘電体基板に形成された受信回路の2つの出力端子との間にそれぞれ接続される2つの伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路と、前記誘電体基板内に形成されるグランド電極とが、前記誘電体基板を積層方向に見たとき互いに重複しないように配置したことを特徴とする。   The high-frequency switch module of the present invention is a high-frequency switch module that appropriately switches the connection between a plurality of transmission / reception system transmission circuits or reception circuits having different passbands and sharing the antenna, and the signals of the plurality of transmission / reception systems A demultiplexing circuit composed of a low-pass filter and a high-pass filter, a first switch circuit that is connected to the low-pass filter of the demultiplexing circuit and switches between a transmission path and a reception path; A second switch circuit that is connected to the wide-band filter of the wave circuit and switches between a transmission path and a reception path; a low-pass filter provided in the transmission path of the first switch circuit and the second switch circuit; Each receiving path from the switch circuit and the second switch circuit to the receiving circuit has a SAW filter, and the demultiplexing circuit and the low-pass filter are LC circuits. The switch circuit is mainly composed of a diode and a transmission line, the branching circuit and the LC circuit of the low-pass filter, and at least a part of the transmission line of the switch circuit is a laminated substrate of an electrode pattern and a dielectric layer In the antenna switch module mounted on the dielectric substrate, the chip element that is configured by the electrode pattern and forms part of the SAW filter, the diode, and the LC circuit, at least one of the SAW filters is: An unbalanced input / balanced output type SAW filter, between two balanced output side terminals of the unbalanced input / balanced output type SAW filter and two output terminals of a receiving circuit formed on the dielectric substrate. At least one of the two transmission lines connected to each other and a ground electrode formed in the dielectric substrate include the induction electrode. Characterized by being arranged so as not to overlap each other when viewed body substrate in the stacking direction.

本発明の高周波スイッチモジュールは、アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換える高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信系の信号を分波する低域通過フィルタと高域通過フィルタとからなる分波回路と、前記分波回路の低域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第1のスイッチ回路と、前記分波回路の高域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第2のスイッチ回路と前記第2のスイッチ回路に接続され、複数の送受信系の受信回路のうち、2つの受信経路を切り換える第3のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路の送信経路に設けたローパスフィルタと、前記第1のスイッチ回路と第3のスイッチ回路から受信回路に繋がる各受信経路にSAWフィルタを有し、前記分波回路とローパスフィルタはLC回路で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路とローパスフィルタのLC回路、前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層基板内に、前記電極パターンにより構成し、前記SAWフィルタとダイオード及びLC回路の一部を構成するチップ素子は、前記誘電体基板上に搭載したアンテナスイッチモジュールにおいて、前記SAWフィルタの少なくとも一つは、不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタであって、前記不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタの2つの平衡出力側端子と前記誘電体基板に形成された受信回路の2つの出力端子との間にそれぞれ接続される2つの伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路と、前記誘電体基板内に形成されるグランド電極とが、前記誘電体基板を積層方向に見たとき互いに重複しないように配置したことを特徴とする。   The high-frequency switch module of the present invention is a high-frequency switch module that appropriately switches the connection between a plurality of transmission / reception system transmission circuits or reception circuits having different passbands and sharing the antenna, and the signals of the plurality of transmission / reception systems A demultiplexing circuit composed of a low-pass filter and a high-pass filter, a first switch circuit that is connected to the low-pass filter of the demultiplexing circuit and switches between a transmission path and a reception path; Connected to the high-pass filter of the wave circuit, connected to the second switch circuit for switching the transmission path and the reception path and the second switch circuit, for switching two reception paths among the plurality of transmission / reception system reception circuits A third switch circuit; a low-pass filter provided in a transmission path of the first switch circuit and the second switch circuit; and the first switch circuit. Each receiving path connected from the third switch circuit to the receiving circuit has a SAW filter, the branching circuit and the low-pass filter are composed of LC circuits, the switch circuit is mainly composed of a diode and a transmission line, and the branching At least a part of the circuit and the LC circuit of the low-pass filter and the transmission line of the switch circuit are configured by the electrode pattern in the laminated substrate of the electrode pattern and the dielectric layer, and one of the SAW filter, the diode, and the LC circuit. In the antenna switch module mounted on the dielectric substrate, at least one of the SAW filters is an unbalanced input / balanced output SAW filter, and the unbalanced input / balanced output Between the two balanced output side terminals of the SAW filter and the two output terminals of the receiving circuit formed on the dielectric substrate. At least one of the two transmission lines to be transmitted and a ground electrode formed in the dielectric substrate are arranged so as not to overlap each other when the dielectric substrate is viewed in the stacking direction. And

本発明の高周波スイッチモジュールは、前記2つの伝送線路の長さが異なることを特徴とする。   The high-frequency switch module of the present invention is characterized in that the two transmission lines have different lengths.

本発明によると、平衡入力・不平衡出力型SAWフィルタ、スイッチング素子、コンデンサ、インダクタを誘電体基板にて一体に形成した高周波スイッチモジュールにおいて、前記SAWフィルタの2つの平衡出力側端子と前記誘電体基板表面に形成された2つの出力端子との間にそれぞれ接続される2つの伝送線路と、前記誘電体基板内に形成されるグランド電極を、互いに重複することなく配置することで、振幅バランス、位相バランスの安定した受信信号を出力可能な高周波スイッチモジュールを提供することができる。また、前記2つの伝送線路の長さを異ならせることで、振幅バランス、位相バランスの安定性を損なうことなく位相バランスのレベルを調整可能となる。さらに、スイッチ素子、抵抗、コンデンサ、インダクタ、及びSAWフィルタ等のチップ部品を積層誘電体基板上に搭載する構造なので、より小型で安価な高周波スイッチモジュールを提供することができる。   According to the present invention, in a high-frequency switch module in which a balanced input / unbalanced output type SAW filter, a switching element, a capacitor, and an inductor are integrally formed on a dielectric substrate, two balanced output side terminals of the SAW filter and the dielectric By arranging two transmission lines respectively connected between two output terminals formed on the substrate surface and a ground electrode formed in the dielectric substrate without overlapping each other, an amplitude balance, It is possible to provide a high frequency switch module capable of outputting a reception signal with a stable phase balance. Further, by making the lengths of the two transmission lines different, the level of the phase balance can be adjusted without impairing the stability of the amplitude balance and the phase balance. Furthermore, since chip components such as switch elements, resistors, capacitors, inductors, and SAW filters are mounted on the laminated dielectric substrate, a smaller and less expensive high-frequency switch module can be provided.

本発明に係る第1の実施形態を図1〜図4に示す。本実施例はEGSM、DCS、PCSに対応したトリプルバンド型の高周波スイッチモジュールで、図1は本実施例の回路ブロック図、図2は等価回路図、図3は本実施例の積層体を構成する誘電体シート及び電極パターン図を示す。図4は不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタの平衡出力側の伝送線路の電極パターンとグランド電極との配置を示し、誘電体基板上面から透過的に見た図である。図5は誘電体基板の外観を示す斜視図である。   A first embodiment according to the present invention is shown in FIGS. This embodiment is a triple band type high-frequency switch module compatible with EGSM, DCS, and PCS. FIG. 1 is a circuit block diagram of this embodiment, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram, and FIG. The dielectric sheet and electrode pattern figure to be shown are shown. FIG. 4 shows the arrangement of the transmission line electrode pattern and the ground electrode on the balanced output side of the unbalanced input / balanced output SAW filter, and is a view transparently seen from the top surface of the dielectric substrate. FIG. 5 is a perspective view showing the appearance of the dielectric substrate.

分波器DIPはEGSM系(送信周波数:880〜915MHz、受信周波数:925〜960MHz)の880から960MHz帯の信号と、DCS系(送信周波数1710〜1785MHz、受信周波数1805〜1880MHz)及びPCS系(送信周波数1850〜1910MHz、受信周波数1930〜1990MHz)の1710〜1990MHz帯のアンテナからの信号を分波する。スイッチ回路SW1は、分波器DIPで分波されたEGSM系の信号を送信端子EGMS TXと受信端子EGSM RX1、EGSM RX2へ切り換える。スイッチ回路SW2は、分波器DIPで分波されたDCS系及びPCS系の信号を送信端子DCS/PCS TX、受信端子DCS RX1、DCS RX2及び受信端子PCS RX1、PCSRX2へ切り換える。第一の低域通過フィルタLPF1は、EGSM側のパワーアンプから入力される送信信号に含まれる高次高調波歪みを抑制するため、EGSM送信信号を通過し、EGSM送信信号の2倍以上の周波数を十分に減衰するような特性のフィルタが用いられる。同様に、第2の低域通過フィルタLPF2は、DCS及びPCS側からの送信信号に含まれる高次高調波歪みを抑制するため、DCS及びPCS送信信号の2倍以上の周波数を十分に減衰するような特性のフィルタが用いられる。これにより、パワーアンプで発生され、アンテナANTから放射される高調波発生量を低減可能となる。SAWフィルタSAW1は、EGSM系受信周波数を通過帯域とする帯域通過フィルタであり、アンテナANTより受信した受信信号の不要な周波数帯域の信号を遮断する。SAWフィルタ SAW2、SAW3も同様に、それぞれDCS、PCS受信周波数を通過帯域とする帯域通過フィルタで、不要な周波数帯域の信号を遮断する。また、SAW1、SAW2、SAW3はいずれも不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタであり、SAW1は、位相が180°異なる2つの信号をそれぞれ、受信端子EGSM RX1、EGSM RX2へと信号を出力する。SAW2、SAW3も同様であり、SAW2はDCS RX1、DCS RX2 へ、SAW3はPCS RX1、PCS RX2へと信号を出力する。   The demultiplexer DIP includes an EGSM system (transmission frequency: 880 to 915 MHz, reception frequency: 925 to 960 MHz), an 880 to 960 MHz band signal, a DCS system (transmission frequency 1710 to 1785 MHz, reception frequency 1805 to 1880 MHz), and a PCS system ( A signal from an antenna in a 1710 to 1990 MHz band having a transmission frequency of 1850 to 1910 MHz and a reception frequency of 1930 to 1990 MHz is demultiplexed. The switch circuit SW1 switches the EGSM system signal demultiplexed by the duplexer DIP to the transmission terminal EGMS TX and the reception terminals EGSM RX1 and EGSM RX2. The switch circuit SW2 switches the DCS system and PCS system signals demultiplexed by the duplexer DIP to the transmission terminal DCS / PCS TX, the reception terminals DCS RX1, DCS RX2, and the reception terminals PCS RX1, PCSRX2. The first low-pass filter LPF1 passes the EGSM transmission signal and suppresses the higher-order harmonic distortion contained in the transmission signal input from the power amplifier on the EGSM side, and has a frequency more than twice that of the EGSM transmission signal. A filter having a characteristic that sufficiently attenuates is used. Similarly, the second low-pass filter LPF2 sufficiently attenuates a frequency twice or more that of the DCS and PCS transmission signals in order to suppress high-order harmonic distortion included in the transmission signals from the DCS and PCS sides. A filter having such characteristics is used. Thereby, the amount of harmonics generated by the power amplifier and radiated from the antenna ANT can be reduced. The SAW filter SAW1 is a bandpass filter that uses the EGSM reception frequency as a passband, and blocks an unnecessary frequency band signal of the reception signal received from the antenna ANT. Similarly, SAW filters SAW2 and SAW3 are bandpass filters that use DCS and PCS reception frequencies as passbands, respectively, and block signals in unnecessary frequency bands. SAW1, SAW2, and SAW3 are all unbalanced input / balanced output SAW filters, and SAW1 outputs two signals that are 180 degrees out of phase to the receiving terminals EGSM RX1 and EGSM RX2, respectively. The same applies to SAW2 and SAW3. SAW2 outputs signals to DCS RX1 and DCS RX2, and SAW3 outputs signals to PCS RX1 and PCS RX2.

図2に本実施例の等価回路を示す。分波器DIPは伝送線路lf1〜lf3、コンデンサcf1〜cf4により構成される。伝送線路lf2及びコンデンサcf1は直列共振回路を形成し、DCS及びPCS周波数帯に共振周波数を持つよう設計することが望ましい。本実施例では共振周波数を1800MHzに合わせた。また、伝送線路lf3、コンデンサcf3は直列共振回路を形成し、EGSM周波数帯に共振周波数を持つように設計することが望ましい。本実施例では共振周波数を900MHzに合わせた。この回路により、EGSM系の信号とDCS系、PCS系の信号とを分波合成することが可能となる。伝送線路lf1はDCS系、PCS系の信号の周波数にとって高インピーダンスになるよう、ある程度の長さに設定するのが好ましい。これにより、DCS系、PCS系の信号がEGSM系の回路へ伝送しにくくなる。一方、容量cf2、cf4はEGSM系の信号の周波数にとって高インピーダンスになるように比較的小さい容量値に設定されているのが好ましい。これにより、EGSM系の信号がDCS系、PCS系の回路へ伝送しにくくなる。   FIG. 2 shows an equivalent circuit of this embodiment. The duplexer DIP includes transmission lines lf1 to lf3 and capacitors cf1 to cf4. It is desirable that the transmission line lf2 and the capacitor cf1 form a series resonance circuit and be designed to have a resonance frequency in the DCS and PCS frequency bands. In this embodiment, the resonance frequency is adjusted to 1800 MHz. Further, it is desirable that the transmission line lf3 and the capacitor cf3 form a series resonance circuit and be designed to have a resonance frequency in the EGSM frequency band. In this embodiment, the resonance frequency is set to 900 MHz. With this circuit, it is possible to demultiplex and synthesize the EGSM signal and the DCS and PCS signals. The transmission line lf1 is preferably set to a certain length so as to have a high impedance for the frequency of the DCS and PCS signals. This makes it difficult for DCS and PCS signals to be transmitted to EGSM circuits. On the other hand, the capacitors cf2 and cf4 are preferably set to relatively small capacitance values so as to have a high impedance for the frequency of the EGSM signal. This makes it difficult to transmit EGSM signals to DCS and PCS circuits.

第1のスイッチ回路SW1は、コンデンサcg1、cg5、cg6伝送線路lg2、lg3、PINダイオードDg1、Dg2、及び抵抗Rgにより構成される。伝送線路lg2、lg3はEGSM送信周波数帯においてλ/4共振器となるように伝送線路の長さを設定する。ただし、伝送線路lg2はEGSM送信周波数において、グランドレベルがオープン(高インピーダンス状態)に見える程度のチョークコイルを用いても良い。この場合のインダクタンス値は10〜100nH程度が望ましい。抵抗Rgはコントロール端子Vc1に電圧が印加された状態でのPINダイオードDg1、Dg2に流れる電流を決定する。本実施例では100〜200Ωを使用した。コンデンサcg1、cg5、cg6はコントロール端子の直流カットのために必要である。コントロール端子Vc1に電圧が印加された状態では、PINダイオードDg2には接続ワイヤ等の寄生インダクタンスが存在する。そのため、これを打ち消すようにコンデンサcg5と直列共振させる。コンデンサcg5の容量値は適宜設定する。以上により、コントロール端子Vc1に電圧が印加された状態では、PINダイオードDg1、Dg2は共にON状態となり、PINダイオードDg2と伝送線路lg3の接続点がグランドレベルとなり、λ/4共振器である伝送線路lg3の反対側のインピーダンスが無限大となる。従って、コントロール端子Vc1に電圧が印加された状態では、分波器DIP〜EGSM受信端子EGSM RX1、EGSM RX2間の経路では信号は伝達せず、分波器DIP〜EGSM 送信端子EGSM 間の経路では信号が伝達し易くなる。一方、コントロール電圧Vc1に電圧が印加されていない時にはPINダイオードDg1もOFF状態となり、分波器DIP〜EGSM送信端子EGSM TX間の経路では信号が伝達せず、また、PINダイオードDg2もOFF状態であるので、分波器DIP〜EGSM受信端子EGSM RX1、EGSMRX2間の経路では信号が伝達し易くなる。以上の構成により、EGSM信号の送受信の切り換えが可能となる。   The first switch circuit SW1 includes capacitors cg1, cg5, cg6 transmission lines lg2, lg3, PIN diodes Dg1, Dg2, and a resistor Rg. The lengths of the transmission lines are set so that the transmission lines lg2 and lg3 become λ / 4 resonators in the EGSM transmission frequency band. However, the transmission line lg2 may be a choke coil whose ground level appears to be open (high impedance state) at the EGSM transmission frequency. In this case, the inductance value is desirably about 10 to 100 nH. The resistor Rg determines the current flowing through the PIN diodes Dg1 and Dg2 when a voltage is applied to the control terminal Vc1. In this embodiment, 100 to 200Ω was used. Capacitors cg1, cg5, and cg6 are necessary for DC cutting of the control terminal. In a state where a voltage is applied to the control terminal Vc1, a parasitic inductance such as a connection wire exists in the PIN diode Dg2. For this reason, series resonance with the capacitor cg5 is performed so as to cancel this. The capacitance value of the capacitor cg5 is set as appropriate. As described above, when a voltage is applied to the control terminal Vc1, the PIN diodes Dg1 and Dg2 are both turned on, and the connection point between the PIN diode Dg2 and the transmission line lg3 becomes the ground level, and the transmission line is a λ / 4 resonator. The impedance on the opposite side of lg3 becomes infinite. Therefore, when a voltage is applied to the control terminal Vc1, no signal is transmitted through the path between the duplexer DIP and the EGSM reception terminal EGSM RX1 and EGSM RX2, and the path between the duplexer DIP and the EGSM transmission terminal EGSM. It becomes easy to transmit a signal. On the other hand, when no voltage is applied to the control voltage Vc1, the PIN diode Dg1 is also turned off, no signal is transmitted through the path between the duplexer DIP and the EGSM transmission terminal EGSM TX, and the PIN diode Dg2 is also turned off. Therefore, the signal is easily transmitted through the path between the duplexer DIP and the EGSM reception terminals EGSM RX1 and EGSMRX2. With the above configuration, transmission / reception of the EGSM signal can be switched.

第2のスイッチ回路SW2は、コンデンサcd4、cp1〜cp3、伝送線路ld3、lp1、lp2、PINダイオードDd1、Dd2、Dp1、Dp2及び抵抗Rd、Rpにより構成される。伝送線路ld3、lp1、lp2はDCS〜PCSの信号の周波数においてλ/4共振器となるように伝送線路の長さを設定する。ただし、伝送線路ld2はDCS、PCS送信周波数においてグランドレベルがオープン(高インピーダンス状態)に見える程度のチョークコイルでも代用可能である。この場合のインダクタンス値は5〜60nH程度が望ましい。抵抗Rdはコントロール端子Vc2に電圧が印加された状態でのPINダイオードDd1、Dd2に流れる電流を決定する。本実施例では100Ω〜200Ωを使用した。抵抗Rpは、コントロール端子Vc3に電圧が印加された状態でのPINダイオードDp1、Dp2に流れる電流を決定する。本実施例では100〜2000Ωを使用した。コンデンサcd4、cp1、cp2はコントロール端子の直流カットのために必要である。また、コントロール端子Vc2に電圧が印加された時にはPINダイオードDd2には接続ワイヤ等の寄生インダクタンスが存在するため、コンデンサcd4と直列共振するようにコンデンサcd4の容量値を設定する。以上により、コントロール端子Vc2に電圧が印加された状態では、PINダイオードDd1、Dd2は共にON状態となり、PINダイオードDd2と伝送線路ld3の接続点がグランドレベルとなり、λ/4共振器である伝送線路ld3の反対側のインピーダンスが無限大となる。従って、コントロール端子Vc2に電圧が印加された状態では、分波器DIP〜DCS受信端子DCS RX1、DCS RX2及び、PCS受信端子PCS RX1、PCS RX2間の経路では信号が伝達せず、分波器DIP〜DCS、PCS送信端子DCS/PCS TX間の経路では信号が伝達し易くなる。一方、コントロール端子Vc2に電圧が印加されていない状態では、PINダイオードDd1はOFF状態となり、分波器DIP〜DCS、PCS送信端子DCS/PCS TX間では信号が伝達せず、また、PINダイオードDd2もOFF状態なので分波器DIP〜DCS受信端子DCS RX1、DCS RX2、及び、PCS受信端子PCS RX1、PCS RX2間の経路では信号が伝達し易くなる。   The second switch circuit SW2 includes capacitors cd4, cp1 to cp3, transmission lines ld3, lp1, lp2, PIN diodes Dd1, Dd2, Dp1, Dp2, and resistors Rd, Rp. The lengths of the transmission lines are set so that the transmission lines ld3, lp1, and lp2 become λ / 4 resonators at the frequency of the DCS to PCS signals. However, the transmission line ld2 can be replaced by a choke coil whose ground level appears to be open (high impedance state) at the DCS and PCS transmission frequencies. In this case, the inductance value is preferably about 5 to 60 nH. The resistor Rd determines the current that flows through the PIN diodes Dd1 and Dd2 when a voltage is applied to the control terminal Vc2. In this example, 100Ω to 200Ω was used. The resistor Rp determines the current that flows through the PIN diodes Dp1 and Dp2 when a voltage is applied to the control terminal Vc3. In this example, 100 to 2000Ω was used. Capacitors cd4, cp1, and cp2 are necessary for DC cutting of the control terminal. Further, when a voltage is applied to the control terminal Vc2, a parasitic inductance such as a connection wire exists in the PIN diode Dd2, so that the capacitance value of the capacitor cd4 is set so as to resonate in series with the capacitor cd4. As described above, when a voltage is applied to the control terminal Vc2, the PIN diodes Dd1 and Dd2 are both turned on, and the connection point between the PIN diode Dd2 and the transmission line ld3 becomes the ground level, and the transmission line is a λ / 4 resonator. The impedance on the opposite side of ld3 becomes infinite. Therefore, when a voltage is applied to the control terminal Vc2, no signal is transmitted through the path between the duplexer DIP to the DCS reception terminals DCS RX1, DCS RX2, and the PCS reception terminals PCS RX1, PCS RX2. Signals are easily transmitted on the path between DIP to DCS and PCS transmission terminals DCS / PCS TX. On the other hand, when no voltage is applied to the control terminal Vc2, the PIN diode Dd1 is turned off, and no signal is transmitted between the duplexers DIP to DCS and the PCS transmission terminal DCS / PCS TX, and the PIN diode Dd2 Since the signal is also in the OFF state, signals are easily transmitted through the paths between the duplexers DIP to DCS reception terminals DCS RX1 and DCS RX2 and the PCS reception terminals PCS RX1 and PCS RX2.

また、コントロール端子Vc3に電圧が印加されている時には、PINダイオードDp2には接続ワイヤ等の寄生インダクタンスが存在するため、コンデンサcp2と直列共振するようにコンデンサcp2の容量値を設定する。これによりコントロール端子Vc3に電圧が印加されている状態では、PINダイオードDp1、Dp2は共にON状態となり、PINダイオードDp2と伝送線路lp2の接続点がグランドレベルになり、λ/4共振器である伝送線路lp2の反対側のインピーダンスが無限大となる。従って、コントロール端子Vc3に電圧が印加された状態では、DCS受信端子DCS RX1、DCS RX2へは信号が伝達せず、PCS受信端子PCS RX1、PCS RX2へ信号が伝達し易くなる。逆に、コントロール端子Vc3に電圧が印加されていない状態では、PINダイオードDp1はOFF状態となり、PCS受信端子PCS RX1、PCS RX2へは信号が伝達せず、また、PINダイオードDp2もOFF状態であるのでDCS受信端子DCS RX1、DCS RX2へは信号が伝達し易くなる。以上の構成により、コントロール端子Vc2に電圧が印加されている状態ではDCS、PCS送信端子DCS/PCS TXへ、コントロール端子Vc2に電圧が印加されず、Vc3に電圧が印加された状態では、PCS受信端子PCS RX1、PCS RX2へ、コントロール端子Vc2、Vc3いずれも電圧が印加されていない状態では、DCS受信端子DCS RX1、DCS RX2への切り換えが可能となる。   Further, when a voltage is applied to the control terminal Vc3, since the parasitic inductance such as a connection wire exists in the PIN diode Dp2, the capacitance value of the capacitor cp2 is set so as to resonate in series with the capacitor cp2. As a result, when a voltage is applied to the control terminal Vc3, both the PIN diodes Dp1 and Dp2 are turned on, the connection point between the PIN diode Dp2 and the transmission line lp2 becomes the ground level, and the transmission is a λ / 4 resonator. The impedance on the opposite side of the line lp2 becomes infinite. Accordingly, in a state where a voltage is applied to the control terminal Vc3, signals are not transmitted to the DCS reception terminals DCS RX1 and DCS RX2, and signals are easily transmitted to the PCS reception terminals PCS RX1 and PCS RX2. Conversely, when no voltage is applied to the control terminal Vc3, the PIN diode Dp1 is in the OFF state, no signal is transmitted to the PCS reception terminals PCS RX1 and PCS RX2, and the PIN diode Dp2 is also in the OFF state. Therefore, the signal is easily transmitted to the DCS receiving terminals DCS RX1 and DCS RX2. With the above configuration, when the voltage is applied to the control terminal Vc2, the DCS and PCS transmission terminals DCS / PCS TX are not applied to the control terminal Vc2, and when the voltage is applied to Vc3, the PCS reception is performed. When no voltage is applied to any of the control terminals Vc2 and Vc3 to the terminals PCS RX1 and PCS RX2, switching to the DCS reception terminals DCS RX1 and DCS RX2 is possible.

第1の低域通過フィルタLPF1は、伝送線路lg1、コンデンサcg2〜cg4で構成されるπ型低域通過フィルタである。伝送線路lg1とコンデンサcg2は並列共振回路を構成し、その共振周波数はEGSM送信周波数の2倍、もしくは3倍の周波数に設定する。本実施例では3倍の2700MHzに設定した。以上の構成により、パワーアンプから入力されるEGSM側の送信信号に含まれる高調波歪みを除去できる。図2において第1の低域通過フィルタLPF1は、第1の高周波スイッチSW1のPINダイオードDg1と、伝送線路lg2の間に配置しているが、これは分波器DIPと第1の高周波スイッチとの間に配置しても良いし、伝送線路lg2とEGSM送信端子EGSM TXとの間に配置しても良い。前記第1の低域通過フィルタLPF1のグランドに接続するコンデンサを伝送線路lg2と並列に配置すれば、並列共振回路を構成することとなり、伝送線路lg2の線路長をλ/4よりも短くすることが可能で、また、チョークコイルのインダクタンス値を小さくすることが出来る。   The first low-pass filter LPF1 is a π-type low-pass filter composed of a transmission line lg1 and capacitors cg2 to cg4. The transmission line lg1 and the capacitor cg2 constitute a parallel resonance circuit, and the resonance frequency is set to twice or three times the EGSM transmission frequency. In this embodiment, it is set to 3700 times 2700 MHz. With the above configuration, harmonic distortion included in the transmission signal on the EGSM side input from the power amplifier can be removed. In FIG. 2, the first low-pass filter LPF1 is arranged between the PIN diode Dg1 of the first high-frequency switch SW1 and the transmission line lg2, which is composed of the duplexer DIP and the first high-frequency switch. Or between the transmission line lg2 and the EGSM transmission terminal EGSM TX. If a capacitor connected to the ground of the first low-pass filter LPF1 is arranged in parallel with the transmission line lg2, a parallel resonance circuit is formed, and the line length of the transmission line lg2 is made shorter than λ / 4. In addition, the inductance value of the choke coil can be reduced.

第2の低域通過フィルタLPF2は、伝送線路ld1、コンデンサcd1〜cd3で構成されるπ型の低域通過フィルタである。ここで、伝送線路ld1とコンデンサcd1は並列共振回路を構成し、その共振周波数はDCS〜PCS送信周波数の2倍、もしくは3倍の周波数に設定する。本実施例では2倍の3600MHzに設定した。以上の構成により、パワーアンプから入力されるDCS、PCS側の送信信号に含まれる高調波歪みを除去できる。第2の低域通過フィルタLPF2も第1の低域通過フィルタLPF1と同様に、分波器DIPと第2の高周波スイッチSW2との間に配置しても良いし、伝送線路ld2とDCS、PCS送信端子DCS/PCS TXとの間に配置しても良い。図2の実施例では、第1、第2の低域通過フィルタLPF1、LPF2は、PINダイオードDg1と伝送線路lg2の間、及びPINダイオードDd1と伝送線路ld2との間に構成されて、スイッチ回路の中に設けられている。これは回路設計上好ましいが必須ではない。低域通過フィルタは送信信号が通過する分波器〜送信端子との間の送信経路のどこかの位置に設けてあれば良い。   The second low-pass filter LPF2 is a π-type low-pass filter including the transmission line ld1 and the capacitors cd1 to cd3. Here, the transmission line ld1 and the capacitor cd1 constitute a parallel resonance circuit, and the resonance frequency is set to a frequency twice or three times the DCS to PCS transmission frequency. In this embodiment, it is set to 3600 MHz which is double. With the above configuration, harmonic distortion included in the DCS and PCS side transmission signals input from the power amplifier can be removed. Similarly to the first low-pass filter LPF1, the second low-pass filter LPF2 may be disposed between the duplexer DIP and the second high-frequency switch SW2, or the transmission line ld2, DCS, and PCS. You may arrange | position between transmission terminals DCS / PCS TX. In the embodiment of FIG. 2, the first and second low-pass filters LPF1 and LPF2 are configured between the PIN diode Dg1 and the transmission line lg2, and between the PIN diode Dd1 and the transmission line ld2, and thus are switched circuits. Is provided. This is preferable in terms of circuit design, but is not essential. The low-pass filter may be provided at any position on the transmission path between the duplexer through which the transmission signal passes and the transmission terminal.

コンデンサcg6とEGSM受信端子 EGSM RX1、EGSM RX2の間にはSAWフィルタSAW1、インダクタls1、伝送線路ls2、ls3が接続されている。SAWフィルタSAW1は不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタで、SAW1の2つの平衡出力端子と、EGSM受信端子EGSM RX1、及びEGSM RX2との間にはそれぞれ伝送線路ls2、ls3が設けられている。EGSM受信周波数における位相バランスが180°程度である場合、伝送線路ls2、ls3は出来るだけ短く、しかも同じ長さが望ましいが、位相バランスが180°からずれる場合には伝送線路ls2、ls3のいずれか一方を他方よりも長くすることで位相バランスを180°付近へ調整することが可能である。本実施例ではls2、ls3の長さはほぼ同じで、0.5〜2.0mmで設定した。インダクタls1は、伝送線路ls2、ls3の一端とEGSM受信端子 EGSM RX1、EGSM RX2との間に設けられ、EGSM RX1、EGSM RX2間に並列接続される。インダクタls1により、EGSM受信端子から見たインピーダンスの整合を最適な状態に調整することが可能となる。インダクタls1は、チップインダクタ等の外部素子を用いることで、後から容易にインピーダンス整合の調整が可能となる。本実施例では10〜100nHを使用した。   A SAW filter SAW1, an inductor ls1, and transmission lines ls2, ls3 are connected between the capacitor cg6 and the EGSM reception terminals EGSM RX1, EGSM RX2. SAW filter SAW1 is an unbalanced input / balanced output SAW filter, and transmission lines ls2 and ls3 are provided between two balanced output terminals of SAW1 and EGSM reception terminals EGSM RX1 and EGSM RX2, respectively. If the phase balance at the EGSM reception frequency is about 180 °, the transmission lines ls2 and ls3 are as short as possible and preferably the same length, but if the phase balance deviates from 180 °, one of the transmission lines ls2 and ls3 By making one longer than the other, the phase balance can be adjusted to around 180 °. In this embodiment, the lengths of ls2 and ls3 are almost the same, and are set to 0.5 to 2.0 mm. The inductor ls1 is provided between one end of the transmission lines ls2 and ls3 and the EGSM reception terminals EGSM RX1 and EGSM RX2, and is connected in parallel between the EGSM RX1 and EGSM RX2. The inductor ls1 can adjust the impedance matching viewed from the EGSM receiving terminal to an optimum state. The inductor ls1 can be easily adjusted for impedance matching later by using an external element such as a chip inductor. In this example, 10 to 100 nH was used.

PINダイオードDp2のアノード端子、伝送線路lp2、コンデンサcp3の接点とDCS受信端子DCS RX1、DCS RX2の間にはSAWフィルタSAW2、インダクタls4、伝送線路ls5、ls6が接続されている。SAWフィルタSAW2は不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタで、SAW2の2つの平衡出力端子と、DCS受信端子DCS RX1、及びDCS RX2との間にそれぞれ伝送線路ls5、ls6が設けられている。DCS受信周波数における位相バランスが180°程度である場合、伝送線路ls5、ls6は出来るだけ短く、しかも同じ長さが望ましいが、位相バランスが180°からずれる場合には伝送線路ls5、ls6のいずれか一方を他方よりも長くすることで位相バランスを180°付近へ調整することが可能である。本実施例では伝送線路ls6がls5に比べて長く、ls6を2.0〜10.0mm、ls5を0.5〜1.0mmに設定している。インダクタls4は、伝送線路ls5、ls6の一端と、DCS受信端子 DCS RX1、DCS RX2の間に設けられ、DCS RX1、DCS RX2間に並列接続される。インダクタls4により、DCS受信端子から見たインピーダンスの整合を最適な状態に調整することが可能となる。インダクタls4は、チップインダクタ等の外部素子を用いることで、後から容易にインピーダンス整合の調整が可能となる。本実施例では4〜20nHを使用した。   A SAW filter SAW2, an inductor ls4, and transmission lines ls5 and ls6 are connected between the anode terminal of the PIN diode Dp2, the transmission line lp2, the contact of the capacitor cp3 and the DCS reception terminals DCS RX1 and DCS RX2. The SAW filter SAW2 is an unbalanced input / balanced output SAW filter, and transmission lines ls5 and ls6 are provided between two balanced output terminals of the SAW2 and the DCS reception terminals DCS RX1 and DCS RX2, respectively. When the phase balance at the DCS reception frequency is about 180 °, the transmission lines ls5 and ls6 are as short as possible and preferably the same length, but when the phase balance is shifted from 180 °, one of the transmission lines ls5 and ls6 By making one longer than the other, the phase balance can be adjusted to around 180 °. In this embodiment, the transmission line ls6 is longer than ls5, ls6 is set to 2.0 to 10.0 mm, and ls5 is set to 0.5 to 1.0 mm. The inductor ls4 is provided between one end of the transmission lines ls5 and ls6 and the DCS reception terminals DCS RX1 and DCS RX2, and is connected in parallel between the DCS RX1 and DCS RX2. The inductor ls4 can adjust the impedance matching viewed from the DCS receiving terminal to an optimum state. The inductor ls4 can easily adjust the impedance matching later by using an external element such as a chip inductor. In this example, 4 to 20 nH was used.

PINダイオードDp1のアノード端子、伝送線路lp1の接点とPCS受信端子PCS RX1、PCS RX2の間にはSAWフィルタSAW3、インダクタls7、伝送線路ls8、ls9が接続されている。SAWフィルタSAW3は不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタで、SAW3の2つの平衡出力端子と、PCS受信端子PCS RX1、及びPCS RX2との間にそれぞれ伝送線路ls8、ls9が設けられている。PCS受信周波数における位相バランスが180°程度である場合、伝送線路ls8、ls9は出来るだけ短く、しかも同じ長さが望ましいが、位相バランスが180°からずれる場合には伝送線路ls8、ls9のいずれか一方を他方よりも長くすることで位相バランスを180°付近へ調整することが可能である。本実施例ではls8、ls9の長さはほぼ同じで、0.5〜2.0mmで設定した。インダクタls7は、伝送線路ls8、ls9の一端と、PCS受信端子PCS RX1、PCS RX2との間に設けられ、PCS RX1、PCS RX2間に並列接続される。インダクタls7により、PCS受信端子から見たインピーダンスの整合を最適な状態に調整することが可能となる。インダクタls7は、チップインダクタ等の外部素子を用いることで、後から容易にインピーダンス整合の調整が可能となる。本実施例では4〜20nHを使用した。   A SAW filter SAW3, an inductor ls7, and transmission lines ls8 and ls9 are connected between the anode terminal of the PIN diode Dp1, the contact of the transmission line lp1, and the PCS reception terminals PCS RX1 and PCS RX2. SAW filter SAW3 is an unbalanced input / balanced output SAW filter, and transmission lines ls8 and ls9 are provided between two balanced output terminals of SAW3 and PCS reception terminals PCS RX1 and PCS RX2, respectively. When the phase balance at the PCS reception frequency is about 180 °, the transmission lines ls8 and ls9 are as short as possible and preferably the same length, but when the phase balance deviates from 180 °, one of the transmission lines ls8 and ls9 By making one longer than the other, the phase balance can be adjusted to around 180 °. In this embodiment, the lengths of ls8 and ls9 are almost the same, and are set to 0.5 to 2.0 mm. The inductor ls7 is provided between one end of the transmission lines ls8 and ls9 and the PCS reception terminals PCS RX1 and PCS RX2, and is connected in parallel between the PCS RX1 and the PCS RX2. The inductor ls7 can adjust the impedance matching viewed from the PCS receiving terminal to an optimum state. The inductor ls7 can be easily adjusted for impedance matching later by using an external element such as a chip inductor. In this example, 4 to 20 nH was used.

本発明における分波器、スイッチ回路、低域通過フィルタ等を構成する伝送線路、及びコンデンサの一部を誘電体積層基板に内蔵し、スイッチ回路の一部を構成するPINダイオード、抵抗、コンデンサ、インダクタ等のチップ部品を誘電体積層基板上に搭載することにより、小型で安価なマルチバンド型高周波スイッチモジュールを得ることができる。   In the present invention, a duplexer, a switch circuit, a transmission line constituting a low-pass filter, etc., and a part of a capacitor are built in a dielectric laminated substrate, and a PIN diode, a resistor, a capacitor constituting a part of the switch circuit, By mounting a chip component such as an inductor on a dielectric multilayer substrate, a small and inexpensive multiband high-frequency switch module can be obtained.

図3は、図2の等価回路で示される高周波スイッチモジュールの誘電体積層基板を構成するグリーンシート、及び電極パターンを示す図である。グリーンシート1〜15は上から順番に積層されている。グリーンシート16はグリーンシート15の裏面である。グリーンシート1には、PINダイオード、チップ抵抗、チップインダクタ、及びチップコンデンサを搭載するためのランド電極17、及びメタルシールド(金属ケース)を搭載するためのランド電極18が印刷されている。また、異なるグリーンシートに形成された電極パターン同士を接続するビアホール電極19(図中黒丸で表示)を形成している。
グリーンシート16にはグランド端子99、100、アンテナ端子101、EGSM送信端子102、DCS/PCS送信端子103、EGSM受信端子104、105、DCS受信端子106、107、PCS受信端子108、109、及び電源端子110〜112が形成されている。
グリーンシート6〜11には、主に伝送線路となるライン電極パターンが印刷されており、グリーンシート3、4、5、12、13、14には主にコンデンサを形成する、コンデンサ用の電極パターンが印刷されている。また、グリーンシート5、12、13、15にはグランド電極20〜23が印刷されている。
FIG. 3 is a view showing a green sheet and an electrode pattern constituting the dielectric laminated substrate of the high-frequency switch module shown in the equivalent circuit of FIG. The green sheets 1-15 are laminated | stacked in order from the top. The green sheet 16 is the back surface of the green sheet 15. The green sheet 1 is printed with a land electrode 17 for mounting a PIN diode, a chip resistor, a chip inductor, and a chip capacitor, and a land electrode 18 for mounting a metal shield (metal case). In addition, a via-hole electrode 19 (indicated by a black circle in the figure) that connects electrode patterns formed on different green sheets is formed.
The green sheet 16 includes ground terminals 99 and 100, antenna terminals 101, EGSM transmission terminals 102, DCS / PCS transmission terminals 103, EGSM reception terminals 104 and 105, DCS reception terminals 106 and 107, PCS reception terminals 108 and 109, and a power source. Terminals 110 to 112 are formed.
The green sheets 6 to 11 are printed with line electrode patterns mainly serving as transmission lines, and the green sheets 3, 4, 5, 12, 13, and 14 mainly form capacitors, and are electrode patterns for capacitors. Is printed. Further, ground electrodes 20 to 23 are printed on the green sheets 5, 12, 13, and 15.

以下では、図2の等価回路との対応を説明する。図3において、24〜33は、分波器DIPを構成する伝送線路で、24〜29でlf1、30〜33でlf2、34〜38でlf3を形成している。72〜79は、分波器DIPを構成するコンデンサ用の電極パターンに対応し、72でcf1、73〜75でcf2、76でcf3、77〜79でcf4を形成している。39〜47は、スイッチ回路SW1を構成する伝送線路で、39〜44でlg2、45〜47でlg3を形成する。82は、スイッチ回路SW1のコンデンサ電極cg5を形成する。53〜68はスイッチ回路SW2を構成する伝送線路で、53〜58でld2、59〜61でld3、62〜65でlp1、66〜68でlp2を形成している。86〜88はスイッチ回路SW2のコンデンサ用電極パターンに対応し、86と22、23でcd4、87と22、23でcp1、88と20でcp2を形成している。48〜52は第一の低域通過フィルタLPF1を構成する伝送線路lg1を形成する。80、81は第一の低域通過フィルタLPF1のコンデンサ用電極パターンに対応し、80、81でcg2を、80、21でcg3を、81、23でcg4を形成している。48〜52は、第2の低域通過フィルタLPF2の伝送線路ld1を形成している。83〜85は第2の低域通過フィルタLPF2のコンデンサ用電極パターンに対応し、83、85でcd1を、84、20でcd2を、85、23でcd3を形成する。
89、90はSAWフィルタSAW1とEGSM受信端子との間の伝送線路に対応し、89はls3を、90はls2を形成する。91〜96はSAWフィルタSAW2とDCS受信端子との間の伝送線路に対応し、91はls5、92〜96はls6を形成している。97、98はSAWフィルタSAW3とPCS受信端子との間の伝送線路に対応し、98はls8、97はls9を形成している。また、スルーホール電極19は、各グリーンシート間の電気的な接続を行う。
In the following, the correspondence with the equivalent circuit of FIG. 2 will be described. In FIG. 3, reference numerals 24 to 33 denote transmission lines constituting the duplexer DIP. 24 to 29 form lf1, 30 to 33 form lf2, and 34 to 38 form lf3. Reference numerals 72 to 79 correspond to the electrode patterns for capacitors constituting the duplexer DIP. 72 is cf1, 73 to 75 is cf2, 76 is cf3, and 77 to 79 is cf4. Reference numerals 39 to 47 denote transmission lines constituting the switch circuit SW1, and lg2 is formed from 39 to 44, and lg3 is formed from 45 to 47. 82 forms the capacitor electrode cg5 of the switch circuit SW1. Reference numerals 53 to 68 denote transmission lines constituting the switch circuit SW2, and ld2 is formed by 53 to 58, ld3 is formed by 59 to 61, lp1 is formed by 62 to 65, and lp2 is formed by 66 to 68. 86 to 88 correspond to the capacitor electrode pattern of the switch circuit SW2, and 86 and 22, 23 form cd4, 87 and 22, 23 form cp1, and 88 and 20 form cp2. 48 to 52 form a transmission line lg1 constituting the first low-pass filter LPF1. 80 and 81 correspond to the capacitor electrode pattern of the first low-pass filter LPF1. 80 and 81 form cg2, 80 and 21 form cg3, and 81 and 23 form cg4. 48 to 52 form a transmission line ld1 of the second low-pass filter LPF2. Reference numerals 83 to 85 correspond to the capacitor electrode pattern of the second low-pass filter LPF2. 83 and 85 form cd1, 84 and 20 form cd2, and 85 and 23 form cd3.
89 and 90 correspond to the transmission line between the SAW filter SAW1 and the EGSM receiving terminal, 89 forms ls3, and 90 forms ls2. 91 to 96 correspond to the transmission line between the SAW filter SAW2 and the DCS receiving terminal, 91 forms ls5, and 92 to 96 form ls6. Reference numerals 97 and 98 correspond to transmission lines between the SAW filter SAW3 and the PCS reception terminal, and 98 forms ls8 and 97 forms ls9. The through-hole electrode 19 performs electrical connection between the green sheets.

伝送線路を形成する電極パターン92〜96がグランド電極と重複する場合、電極パターン92〜96はそれぞれ異なるグリーンシート上に形成されており、グランド電極との層間隔が異なり特性インピーダンスがそれぞれ変化する。しかも、電極パターン92〜96とグランド電極との間隔は0.2〜0.4mmときわめて狭いのでインピーダンス変化が大きい。このため受信信号の周波数に対する伝送線路のインピーダンスの変化も大きくなり、受信周波数帯域内での位相バランスの平坦性が損なわれる。
図4は、グリーンシート7上に印刷された電極パターン94とグリーンシート15上に印刷されたグランド電極23の位置関係を示す図である。図は誘電体積層基板を搭載面の上から透過的に見たもので、グリーンシート15上にグリーンシート7の電極パターン94を描いている。このように、電極パターン94とグランド電極23は重複しない位置に配置されている。図示しないが、同様にして、ls6を形成する他の電極パターン92、93、95、96はグランド電極20〜23と重複しないよう配置されている。これにより、伝送線路のグランド電極との干渉による特性インピーダンスの低下を無くし、安定した受信信号の位相バランス特性を得ることが可能となる。このときls5を形成する電極パターン91の一部はグランド電極23と重複する位置に配置されているが、ls5はls6に比較すると長さが短くインピーダンス低下による位相バランス特性の安定性に対する影響は少ないので、位相バランスの安定性を損ねることは無い。本実施例では他の伝送線路ls2、ls3、ls8、ls9を形成する電極パターン89、90、97、98の一部もグランド電極23と重複しているがいずれも長さが2.0mm以下と短いので受信信号の位相バランス特性を損ねることはない、なお、各伝送線路とグランド電極との重複面積は、伝送線路を形成する電極パターンの面積の50%以下が望ましい。
When the electrode patterns 92 to 96 forming the transmission line overlap with the ground electrode, the electrode patterns 92 to 96 are formed on different green sheets, respectively, and the layer distance to the ground electrode is different and the characteristic impedance is changed. In addition, since the distance between the electrode patterns 92 to 96 and the ground electrode is as narrow as 0.2 to 0.4 mm, the impedance change is large. For this reason, the change in the impedance of the transmission line with respect to the frequency of the received signal also increases, and the flatness of the phase balance within the received frequency band is impaired.
FIG. 4 is a diagram showing the positional relationship between the electrode pattern 94 printed on the green sheet 7 and the ground electrode 23 printed on the green sheet 15. In the figure, the dielectric multilayer substrate is seen transparently from above the mounting surface, and the electrode pattern 94 of the green sheet 7 is drawn on the green sheet 15. Thus, the electrode pattern 94 and the ground electrode 23 are arranged at positions that do not overlap. Although not shown, the other electrode patterns 92, 93, 95, and 96 that form ls6 are similarly arranged so as not to overlap with the ground electrodes 20 to 23. As a result, it is possible to eliminate a decrease in characteristic impedance due to interference with the ground electrode of the transmission line and obtain a stable phase balance characteristic of the received signal. At this time, a part of the electrode pattern 91 forming ls5 is arranged at a position overlapping with the ground electrode 23, but ls5 is shorter in length than ls6 and has little influence on the stability of the phase balance characteristic due to the impedance reduction. Therefore, the stability of the phase balance is not impaired. In this embodiment, part of the electrode patterns 89, 90, 97, and 98 that form the other transmission lines ls2, ls3, ls8, and ls9 also overlap with the ground electrode 23, but all have a length of 2.0 mm or less. Since it is short, it does not impair the phase balance characteristics of the received signal. The overlapping area between each transmission line and the ground electrode is preferably 50% or less of the area of the electrode pattern forming the transmission line.

本実施例で使用したグリーンシートは、950℃以下の低温焼成が可能なセラミック誘電材料を用いており、伝送線路、コンデンサを形成し易いように、シート厚みが40〜200μmのものを使用した。このセラミックグリーンシート1〜12を積層・圧着した後、950℃で焼成することにより、高周波スイッチモジュールの積層体が得られる。さらに図5に示すように、積層体113上面にダイオード114、チップ抵抗115、チップインダクタ116、チップコンデンサ117、及びSAWフィルタ118を実装することにより、図2の等価回路で示される高周波スイッチモジュールが得られる。   The green sheet used in this example uses a ceramic dielectric material that can be fired at a low temperature of 950 ° C. or lower, and has a sheet thickness of 40 to 200 μm so that a transmission line and a capacitor can be easily formed. The ceramic green sheets 1 to 12 are laminated and pressure-bonded, and then fired at 950 ° C. to obtain a laminated body of the high-frequency switch module. Further, as shown in FIG. 5, by mounting a diode 114, a chip resistor 115, a chip inductor 116, a chip capacitor 117, and a SAW filter 118 on the top surface of the multilayer body 113, the high-frequency switch module shown in the equivalent circuit of FIG. can get.

上記構成による高周波スイッチモジュールの、DCS受信周波数における位相バランス、振幅バランスの評価結果を図6、図7に示す。図6に示すように、本実施例における位相バランス特性(図6の太線)は、位相バランス調整前の特性(図6の細線)の波形をほとんど変えることなく、位相バランスのレベルを180°近くに調整することが出来た。一方で、伝送線路ls5、ls6の長さが本実施例と同じであるが、グランド電極と重複している場合の位相バランス特性(図6の点線)は、位相バランス調整前の特性の波形を維持しないことが分かった。また、図7に示すように、位相バランス調整前の振幅バランス特性(図7の細線)と本実施例における振幅バランス特性(図7の太線)は、DCS受信周波数において、ほぼ同様であるが、伝送線路ls5、ls6の長さが本実施例と同じであるが、グランド電極と重複している場合の振幅バランス特性(図7の点線)は大きく異なり、振幅バランスの平坦度が著しく失われていることが分かった。
図8は、本実施例と、位相バランス調整前、及び、本実施例とは逆に伝送線路ls5をls6よりも長くした場合の位相バランス特性を示す。図8に示すように、伝送線路ls5をls6よりも長くした場合の位相バランス特性(図8の点線)は位相バランス調整前の特性に比べて、位相バランスのレベルが全体的に低くシフトすることが分かる。つまり、位相バランスのレベルを低い方へ調整する場合、ls5をls6よりも長くすることが有効であることが分かった。
以上の結果から、本実施例の構成によれば振幅バランス、位相バランス特性の平坦性を失うことなく、位相バランスのレベルの調整が可能であることが分かる。また、伝送線路ls5、ls6の長さ、あるいは太さの大小関係を適宜変えることで、位相バランスのレベルを所望の方向へ調整することが可能であることが分かる。
FIG. 6 and FIG. 7 show the evaluation results of the phase balance and amplitude balance at the DCS reception frequency of the high frequency switch module configured as described above. As shown in FIG. 6, the phase balance characteristic (thick line in FIG. 6) in the present embodiment has a phase balance level of nearly 180 ° without substantially changing the waveform of the characteristic before adjustment of the phase balance (thin line in FIG. 6). It was possible to adjust to. On the other hand, the lengths of the transmission lines ls5 and ls6 are the same as in this embodiment, but the phase balance characteristic (dotted line in FIG. 6) when overlapping with the ground electrode is the waveform of the characteristic before phase balance adjustment. It turns out not to maintain. Further, as shown in FIG. 7, the amplitude balance characteristic before the phase balance adjustment (thin line in FIG. 7) and the amplitude balance characteristic in this embodiment (thick line in FIG. 7) are substantially the same at the DCS reception frequency. The lengths of the transmission lines ls5 and ls6 are the same as in this embodiment, but the amplitude balance characteristic (dotted line in FIG. 7) when overlapping with the ground electrode is greatly different, and the flatness of the amplitude balance is significantly lost. I found out.
FIG. 8 shows the phase balance characteristics when the transmission line ls5 is made longer than ls6, in contrast to the present embodiment, before the phase balance adjustment, and contrary to the present embodiment. As shown in FIG. 8, the phase balance characteristic (dotted line in FIG. 8) in the case where the transmission line ls5 is longer than ls6 shifts the phase balance level as a whole lower than the characteristic before the phase balance adjustment. I understand. That is, it has been found that it is effective to make ls5 longer than ls6 when adjusting the phase balance level to a lower level.
From the above results, it can be seen that according to the configuration of the present embodiment, the level of the phase balance can be adjusted without losing the flatness of the amplitude balance and the phase balance characteristics. It can also be seen that the phase balance level can be adjusted in a desired direction by appropriately changing the length or thickness relationship of the transmission lines ls5 and ls6.

本実施例では、DCS受信信号における位相バランスのレベルの調整を行ったが、EGSM、PCS等の他の受信信号についても位相バランスのレベルの調整が可能であることは明らかである。   In this embodiment, the phase balance level in the DCS received signal is adjusted. However, it is apparent that the phase balance level can be adjusted for other received signals such as EGSM and PCS.

本発明は、上述の実施例に限定されるものではない。上述の実施例では、EGSM、DCS、PCS 対応のトリプルバンド型高周波スイッチモジュールとしたが、デュアルバンド型、4バンド型の高周波スイッチモジュールとしても構わない。また、上述の高周波スイッチモジュールに限らず、誘電体積層基板と不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタを一体形成する他の電子部品に関しても本発明は有効である。   The present invention is not limited to the embodiments described above. In the above-described embodiment, the triple band type high frequency switch module corresponding to EGSM, DCS, and PCS is used. However, a dual band type and a four band type high frequency switch module may be used. Further, the present invention is not limited to the above-described high-frequency switch module, and the present invention is effective for other electronic components that integrally form a dielectric multilayer substrate and an unbalanced input / balanced output SAW filter.

本発明の高周波スイッチモジュールは、携帯電話等の移動体通信端末機器に利用できる。   The high-frequency switch module of the present invention can be used for mobile communication terminal devices such as mobile phones.

本発明に係る高周波スイッチモジュールの回路ブロック図を示す図である。It is a figure which shows the circuit block diagram of the high frequency switch module which concerns on this invention. 本発明に係る高周波スイッチモジュールの等価回路図を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit schematic of the high frequency switch module which concerns on this invention. 図2の等価回路で示される高周波スイッチモジュールの積層体を構成するグリーンシートの電極パターンを示す図である。It is a figure which shows the electrode pattern of the green sheet which comprises the laminated body of the high frequency switch module shown by the equivalent circuit of FIG. 図3のグリーンシートの電極パターンにおける、グランド電極と、DCS SAW フィルタと、DCS受信端子の間に接続される伝送線路の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the transmission line connected between a ground electrode, a DCS SAW filter, and a DCS receiving terminal in the electrode pattern of the green sheet of FIG. 図2の等価回路図で示される高周波スイッチモジュールの斜視図である。It is a perspective view of the high frequency switch module shown by the equivalent circuit schematic of FIG. 本実施例の高周波スイッチモジュールの位相バランス特性を示す図である。It is a figure which shows the phase balance characteristic of the high frequency switch module of a present Example. 本実施例の高周波スイッチモジュールの振幅バランス特性を示す図である。It is a figure which shows the amplitude balance characteristic of the high frequency switch module of a present Example. 本実施例の高周波スイッチモジュールの位相バランス特性を示す図である。It is a figure which shows the phase balance characteristic of the high frequency switch module of a present Example. デュアルバンド携帯機のRF回路ブロックを示す図である。It is a figure which shows RF circuit block of a dual band portable machine.

符号の説明Explanation of symbols

Dip:ダイプレクサ(分波器)
SW:スイッチ回路
LPF:ローパスフィルタ回路
SAW:SAWフィルタ
SL:伝送線路
Cg、Cd、Cp:コンデンサ
Dg、Dd、Dp:ダイオード
Dip: Diplexer
SW: Switch circuit
LPF: Low-pass filter circuit
SAW: SAW filter
SL: Transmission lines Cg, Cd, Cp: Capacitors Dg, Dd, Dp: Diodes

Claims (5)

スイッチング素子、コンデンサ、インダクタ、及び少なくとも一つ以上のSAWフィルタを誘電体基板にて一体に形成した高周波スイッチモジュールにおいて、前記SAWフィルタの少なくとも一つは不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタであって、前記不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタの2つの平衡出力側端子と前記誘電体基板に形成された2つの受信端子との間にそれぞれ接続される2つの伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路と、前記誘電体基板内に形成されるグランド電極とが、前記誘電体基板を積層方向に見たときに互いに重複しないように配置したことを特徴とする高周波スイッチモジュール。 In a high frequency switch module in which a switching element, a capacitor, an inductor, and at least one SAW filter are integrally formed on a dielectric substrate, at least one of the SAW filters is an unbalanced input / balanced output type SAW filter. At least one of the two transmission lines connected between the two balanced output terminals of the unbalanced input / balanced output type SAW filter and the two receiving terminals formed on the dielectric substrate. And a ground electrode formed in the dielectric substrate so as not to overlap each other when the dielectric substrate is viewed in the stacking direction. アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換える高周波スイッチモジュールであって、
前記複数の送受信系の信号を分波する低域通過フィルタと高域通過フィルタとからなる分波回路と、
前記分波回路の低域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第1のスイッチ回路と、
前記分波回路の高域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第2のスイッチ回路と、
前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路の送信経路に設けたローパスフィルタと、
前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路から受信回路に繋がる各受信経路にSAWフィルタを有し、
前記分波回路とローパスフィルタはLC回路で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路とローパスフィルタのLC回路、前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層基板内に、前記電極パターンにより構成し、
前記SAWフィルタとダイオード及びLC回路の一部を構成するチップ素子は、前記誘電体基板上に搭載したアンテナスイッチモジュールにおいて、
前記SAWフィルタの少なくとも一つは、不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタであって、前記不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタの2つの平衡出力側端子と前記誘電体基板に形成された受信回路の2つの出力端子との間にそれぞれ接続される2つの伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路と、前記誘電体基板内に形成されるグランド電極とが、前記誘電体基板を積層方向に見たとき互いに重複しないように配置したことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
A high-frequency switch module that switches an appropriate connection between a transmission circuit or a reception circuit of a plurality of transmission / reception systems that share an antenna and have different passbands,
A demultiplexing circuit comprising a low-pass filter and a high-pass filter for demultiplexing the signals of the plurality of transmission and reception systems;
A first switch circuit connected to the low pass filter of the branching circuit, for switching a transmission path and a reception path;
A second switch circuit connected to the high-pass filter of the branching circuit, for switching a transmission path and a reception path;
A low-pass filter provided in a transmission path of the first switch circuit and the second switch circuit;
A SAW filter in each reception path connected to the reception circuit from the first switch circuit and the second switch circuit;
The branching circuit and the low-pass filter are configured by an LC circuit, and the switch circuit mainly includes a diode and a transmission line, and the branching circuit and the LC circuit of the low-pass filter, at least a part of the transmission line of the switch circuit is In the laminated substrate of the electrode pattern and the dielectric layer, constituted by the electrode pattern,
The chip element that constitutes a part of the SAW filter, the diode, and the LC circuit is an antenna switch module mounted on the dielectric substrate.
At least one of the SAW filters is an unbalanced input / balanced output SAW filter, and is a receiving circuit formed on two balanced output terminals of the unbalanced input / balanced output SAW filter and the dielectric substrate. At least one of the two transmission lines connected to each of the two output terminals and a ground electrode formed in the dielectric substrate when the dielectric substrate is viewed in the stacking direction. A high-frequency switch module characterized by being arranged so as not to overlap each other.
アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換える高周波スイッチモジュールであって、
前記複数の送受信系の信号を分波する低域通過フィルタと高域通過フィルタとからなる分波回路と、
前記分波回路の低域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第1のスイッチ回路と、
前記分波回路の高域通過フィルタに接続され、送信経路と受信経路を切り換える第2のスイッチ回路と、
前記第2のスイッチ回路に接続され、複数の送受信系の受信回路のうち、2つの受信経路を切り換える第3のスイッチ回路と、
前記第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路の送信経路に設けたローパスフィルタと、
前記第1のスイッチ回路と第3のスイッチ回路から受信回路に繋がる各受信経路にSAWフィルタを有し、
前記分波回路とローパスフィルタはLC回路で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路とローパスフィルタのLC回路、前記スイッチ回路の伝送線路の少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層基板内に、前記電極パターンにより構成し、
前記SAWフィルタとダイオード及びLC回路の一部を構成するチップ素子は、前記誘電体基板上に搭載したアンテナスイッチモジュールにおいて、
前記SAWフィルタの少なくとも一つは、不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタであって、前記不平衡入力・平衡出力型SAWフィルタの2つの平衡出力側端子と前記誘電体基板に形成された受信回路の2つの出力端子との間にそれぞれ接続される2つの伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路と、前記誘電体基板内に形成されるグランド電極とが、前記誘電体基板を積層方向に見たとき互いに重複しないように配置したことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
A high-frequency switch module that switches an appropriate connection between a transmission circuit or a reception circuit of a plurality of transmission / reception systems that share an antenna and have different passbands,
A demultiplexing circuit comprising a low-pass filter and a high-pass filter for demultiplexing the signals of the plurality of transmission and reception systems;
A first switch circuit connected to the low pass filter of the branching circuit, for switching a transmission path and a reception path;
A second switch circuit connected to the high-pass filter of the branching circuit, for switching a transmission path and a reception path;
A third switch circuit that is connected to the second switch circuit and switches between two reception paths among a plurality of transmission / reception system reception circuits,
A low-pass filter provided in a transmission path of the first switch circuit and the second switch circuit;
A SAW filter in each reception path connected from the first switch circuit and the third switch circuit to the reception circuit;
The branching circuit and the low-pass filter are configured by an LC circuit, and the switch circuit mainly includes a diode and a transmission line, and the branching circuit and the LC circuit of the low-pass filter, at least a part of the transmission line of the switch circuit is In the laminated substrate of the electrode pattern and the dielectric layer, constituted by the electrode pattern,
The chip element that constitutes a part of the SAW filter, the diode, and the LC circuit is an antenna switch module mounted on the dielectric substrate.
At least one of the SAW filters is an unbalanced input / balanced output SAW filter, and is a receiving circuit formed on two balanced output terminals of the unbalanced input / balanced output SAW filter and the dielectric substrate. At least one of the two transmission lines connected to each of the two output terminals and a ground electrode formed in the dielectric substrate when the dielectric substrate is viewed in the stacking direction. A high-frequency switch module characterized by being arranged so as not to overlap each other.
前記2つの伝送線路の長さが異なることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の高周波スイッチモジュール。 The high-frequency switch module according to claim 1, wherein the two transmission lines have different lengths. 請求項1〜4記載の高周波スイッチモジュールを用いたことを特徴とする通信装置。 A communication device using the high-frequency switch module according to claim 1.
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