JP2005244173A - シリコン表面の活性化方法、これにより生成される分子パターン及びその分子パターンの使用方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロコンタクトプリンティグ法を用いて、分子をシリコン表面に高速でプリンティング、パターニングする方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上の酸化膜を有する表面をHF処理により水素終端表面とし、塩化シアヌル処理により活性化シリコン表面を得た後、求核其を含むインクをつけたスタンプをこの表面に押しつけパターン転写をする。インクに使用した溶媒を使い洗浄した後、求核其を含む分子にさらし、残っている活性化シリコン表面を不動態化する。
【選択図】図1
【解決手段】シリコン基板上の酸化膜を有する表面をHF処理により水素終端表面とし、塩化シアヌル処理により活性化シリコン表面を得た後、求核其を含むインクをつけたスタンプをこの表面に押しつけパターン転写をする。インクに使用した溶媒を使い洗浄した後、求核其を含む分子にさらし、残っている活性化シリコン表面を不動態化する。
【選択図】図1
Description
本発明は、分子をシリコン表面にパターニングするためにシリコン表面を活性化するシリコン表面の活性化方法、このシリコン表面の活性化方法により生成される分子パターン及びこの分子パターンの使用方法に関する。
本発明に関連した最新の技術は、2つの一般的なカテゴリー、すなわち1)水素終端(H-terminated)Si表面の共有結合修飾法(covalent modification technique)と、2)マイクロコンタクトプリンティング法(μ-contact printingtechnique)に分類される。これら2つの方法について以下に要約する。
A. 水素終端Si表面の共有結合修飾
有機分子を、Si−C結合形成(Si-C bond formation)により、水素終端Si表面に付着させる多くの方法が開発されている(Buriak, 2002, Chem.Rev. 102, 1271)。これらの方法として以下のものがある。
有機分子を、Si−C結合形成(Si-C bond formation)により、水素終端Si表面に付着させる多くの方法が開発されている(Buriak, 2002, Chem.Rev. 102, 1271)。これらの方法として以下のものがある。
1.ラジカル開始剤(radical initiator)を用いたヒドロシリル化(Hydrosilylation)
2.熱誘起による(thermally induced)ヒドロシリル化
3.光化学反応による(Photochemical)ヒドロシリル化
4.金属錯体を媒介とするヒドロシリル化
5.アルキル/アリールカルボアニオンの反応
6.電気化学的ジアゾニウム反応
7.アルキン及びアルケンの再配向面Si(100)との[2+2]反応
8.ジエンの再配向面Si(100)とのディールス−アルダー反応([4+2])
9.ハロゲン化した後のアルキル化
10.陽極グラフト(anodic grafting)
2.熱誘起による(thermally induced)ヒドロシリル化
3.光化学反応による(Photochemical)ヒドロシリル化
4.金属錯体を媒介とするヒドロシリル化
5.アルキル/アリールカルボアニオンの反応
6.電気化学的ジアゾニウム反応
7.アルキン及びアルケンの再配向面Si(100)との[2+2]反応
8.ジエンの再配向面Si(100)とのディールス−アルダー反応([4+2])
9.ハロゲン化した後のアルキル化
10.陽極グラフト(anodic grafting)
また、有機分子を、Si−O−C又はSi−N−C結合形成により、水素終端Si表面に付着させる手法が開発されている。これらの手法として以下のものがある。
1.ハロゲン化した後のアルコール又はアミンとの反応(Rogozhina, E. et al. (2001) Appl.Phys.Lett. 78, 3711; Zhu, et al. (2001) Langmuir 17, 7798)
2.ハロゲン及び一電子酸化剤(one-electron oxidant)の存在下におけるアルコールとの反応(Haber, J.A.; Lewis, N.S. (2002) J.Phys.Chem. B 106, 3639)
2.ハロゲン及び一電子酸化剤(one-electron oxidant)の存在下におけるアルコールとの反応(Haber, J.A.; Lewis, N.S. (2002) J.Phys.Chem. B 106, 3639)
B. パターニング、特にマイクロコンタクトプリンティング(μCP)
現在、通常はソフトリソグラフィと呼ばれる6つの手法、すなわちマイクロ転造(microtransfer molding)法、レプリカ成形(replica molding)法、キャピラリ内でのマイクロ成形(micromolding in capillaries)法、溶剤促進マイクロコンタクト成形(solvent-assisted microcontact molding)法、近接場位相シフトリソグラフィ(near field phase shifted lithography)法、マイクロコンタクトプリンティング(μCPと略することも多い)法がある。μCPは、最も一般的に使用され、研究されているソフトリソグラフィ技術である。μCPの場合、光ビーム又は電子ビームリソグラフィにより生成されたマスタ上に、液状ポリマーの前駆体(通常、ポリジメチルシロキサン(polydimethylsiloxane:PDMS)を注ぐ。固体化後、所望のパターンを有するPDMSスタンプをマスタから剥離する(Xia, Whitesides, 1998, Annu.Rev.Mater.Sci. 28, 153)。スタンプにインクを付けるには2つの方法、すなわち含浸インキング(immersion inking)と、接触インキング(contact inking)とが考えられる(Michel et al., 2001, IBM J.Res.&Dev. 5, 697)。含浸インキングの場合、スタンプに溶液でインクを付けた後、乾燥させる。接触インキングの場合、スタンプをインクパッド(inkpad)に押し付けるだけであり、このインクパッドは、通常、インク溶液で予め処理されているPDMSブロックである。その後、インクが付いたスタンプを基板に押し付けることにより、インクに含まれる分子がスタンプから基板に転写される。
現在、通常はソフトリソグラフィと呼ばれる6つの手法、すなわちマイクロ転造(microtransfer molding)法、レプリカ成形(replica molding)法、キャピラリ内でのマイクロ成形(micromolding in capillaries)法、溶剤促進マイクロコンタクト成形(solvent-assisted microcontact molding)法、近接場位相シフトリソグラフィ(near field phase shifted lithography)法、マイクロコンタクトプリンティング(μCPと略することも多い)法がある。μCPは、最も一般的に使用され、研究されているソフトリソグラフィ技術である。μCPの場合、光ビーム又は電子ビームリソグラフィにより生成されたマスタ上に、液状ポリマーの前駆体(通常、ポリジメチルシロキサン(polydimethylsiloxane:PDMS)を注ぐ。固体化後、所望のパターンを有するPDMSスタンプをマスタから剥離する(Xia, Whitesides, 1998, Annu.Rev.Mater.Sci. 28, 153)。スタンプにインクを付けるには2つの方法、すなわち含浸インキング(immersion inking)と、接触インキング(contact inking)とが考えられる(Michel et al., 2001, IBM J.Res.&Dev. 5, 697)。含浸インキングの場合、スタンプに溶液でインクを付けた後、乾燥させる。接触インキングの場合、スタンプをインクパッド(inkpad)に押し付けるだけであり、このインクパッドは、通常、インク溶液で予め処理されているPDMSブロックである。その後、インクが付いたスタンプを基板に押し付けることにより、インクに含まれる分子がスタンプから基板に転写される。
スタンプの弾性は、ソフトリソグラフィの解像限界(resolution limits)を決定するパラメータのひとつである(Michel et al., 2001, 上記文献参照)。市販されているPDMSは、ヤング率が3MPaであり、500nm未満の構造を定義するには余りにも軟らかすぎる。ポリマーの硬度(hardness)は、架橋剤(cross-links)に対するプレポリマー(pre-polymer)の比、すなわち架橋間の分子質量Mcを変えることにより、あるいは異なる種類のポリマー前駆体を混合することにより、変更することができる(Schmid, Michel, 2000, Macromolecules 33, 3042)。2つ鎖長の個体群(two populations of chain lengths)を有する二峰性ポリマー(bimodal polymer)を用いることにより、ヤング率が9.7MPaで、大面積プリンティングに対して強度が十分なスタンプ材料を作製することができる。これらの硬質ポリマーにより、形状(feature size)を80nm程度まで小さいすることができる。現在、μCPにより実現される最小の形状は、「硬質」のPDMS製スタンプと、インク分子としてのデンドリマー(dendrimer)を用いて、3×3mm2に対して50nm未満である(Li et al., 2003, Langmuir 19, 1963)。
注目を集めているソフトリソグラフィの解像限界を決定するもうひとつの重要な要素は、基板表面におけるインク分子の拡散である。インク分子の拡散経路として、幾つかの経路、すなわち、単に接触面で拡散する経路、あるいはスタンプの基板表面には接触していない領域からスタンプ材料に沿って又は気相により拡散する経路が考えられている(Delamarche et al., 1998, J.Phys.Chem. 102, 3324)。インクの分子量は、蒸気圧と拡散経路の長さに影響を与える。分子質量が大きいほど、拡散しにくく、蒸気圧も低くなる。また、インクの濃度及びプリンティングのための接触時間の影響も研究されている(Delamarche et al., 1998, 上記文献参照)。
有機分子をシリコン上にプリンティングするμCP法の殆どは、プリンティング層とバルクシリコン面(bulk silicon phase)との間に酸化シリコン層を設ける必要があり、これが電気的絶縁障壁(electrically insulating barrier)を生じる。一方、バルクシリコン表面に有機分子を直接付着させる方法の殆どは、μCPに適していない。例外として、チョン(Jun)及びチュー(Zhu)が開発したプロセス(2002,Langmuir 18, 3415)があるが、塩素ガスを使用する必要があり、プリンティングは、グローブボックス内において70℃で30分以上行う必要がある。
したがって、本発明の目的は、分子、好ましくは有機分子をシリコン表面上に高速でプリンティング及び/又はパターニングすることができる方法を提供することである。
また、本発明の目的は、周囲条件下でCl2を使用せずに簡単に行うことができるプリンティング方法又はパターニング方法を提供することである。
更に、本発明の目的は、他の従来技術よりも短時間で良好な結果を得ることができる、有機分子をシリコン表面上にプリンティングするマイクロコンタクトプリンティング法を提供することである。
また、本発明の目的は、官能基をSi基板上に導入することができるマイクロコンタクトプリンティング法を提供することである。
これらの全ての目的は、
分子をシリコン表面にパターニングするためにシリコン表面を活性化するシリコン表面の活性化方法において、
a)シリコン表面をHFで処理するステップと、
b)ステップa)から得られるシリコン基板を塩化シアヌル(cyanuric chloride)で処理するステップとを有するシリコン表面の活性化方法によって、達成される。
分子をシリコン表面にパターニングするためにシリコン表面を活性化するシリコン表面の活性化方法において、
a)シリコン表面をHFで処理するステップと、
b)ステップa)から得られるシリコン基板を塩化シアヌル(cyanuric chloride)で処理するステップとを有するシリコン表面の活性化方法によって、達成される。
好ましくは、このシリコン表面の活性化方法は、更に、
c)パターニングする分子をシリコン表面に供給するステップと、
d)パターニングする分子をステップb)から得られるシリコン表面に塗布するステップとを有する。
c)パターニングする分子をシリコン表面に供給するステップと、
d)パターニングする分子をステップb)から得られるシリコン表面に塗布するステップとを有する。
一実施態様では、ステップb)は、ステップa)から得られるシリコン表面を塩化シアヌル、好ましくは塩化シアヌル溶液に晒すことよって、行う。
一実施態様では、ステップb)から得られるシリコン表面を、全面に亘って、あるいは少なくともパターニングする分子によって覆う予定がない領域を含む大部分に亘って塩化シアヌルに晒し、好ましくは、シリコン表面を塩化シアヌル溶液に浸漬することにより、あるいは塩化シアヌル溶液をシリコン表面に滴下又は蒸着させることにより、シリコン表面を塩化シアヌルに晒す。
この一実施態様では、好ましくは、ステップc)及びステップd)は、
スタンプを準備し、スタンプに、パターニングする分子と任意に分子の溶媒とを含むインクを、好ましくは含浸インキング又は接触インキングによって付けることにより、インクが付いたスタンプを作製するステップと、
インクが付いたスタンプをシリコン表面上に押し付けるステップとを有する。
スタンプを準備し、スタンプに、パターニングする分子と任意に分子の溶媒とを含むインクを、好ましくは含浸インキング又は接触インキングによって付けることにより、インクが付いたスタンプを作製するステップと、
インクが付いたスタンプをシリコン表面上に押し付けるステップとを有する。
他の一実施態様では、ステップb)は、
ba)スタンプを準備し、スタンプに塩化シアヌル溶液であるインクを好ましくは含浸インキング又は接触インキングによって付けることにより、インクが付いたスタンプを作製するステップと、
bb)インクが付いたスタンプをシリコン表面上に押し付けるステップとを有し、インクは、シリコン表面にパターニングする分子を含まない。
ba)スタンプを準備し、スタンプに塩化シアヌル溶液であるインクを好ましくは含浸インキング又は接触インキングによって付けることにより、インクが付いたスタンプを作製するステップと、
bb)インクが付いたスタンプをシリコン表面上に押し付けるステップとを有し、インクは、シリコン表面にパターニングする分子を含まない。
好ましくは、bc)シリコン表面からインクが付いたスタンプを取り除くステップを有する。
この他の一実施態様では、好ましくは、ステップbc)の後に、
bd)シリコン表面を溶媒、好ましくは不活性溶媒で洗浄するステップを有する。
bd)シリコン表面を溶媒、好ましくは不活性溶媒で洗浄するステップを有する。
更に好ましくは、ステップbd)の後に、シリコン表面をパターニングする分子、好ましくは分子の溶液に晒すことにより、ステップc)及びステップd)を行い、好ましくは、シリコン表面を、全面に亘って、あるいは少なくともパターニングする分子よって覆う予定がない領域を含む大部分に亘って分子に晒す。
好ましくは、シリコン表面を分子の混合物、好ましくは分子の溶液に浸漬することにより、あるいは分子をシリコン表面に滴下又は蒸着させることにより、シリコン表面をパターニングする分子に晒す。
両方の実施態様において、好ましくは、ステップb)は塩基の存在下にて行う。
好ましくは、パターニングする分子は、好ましくは活性水素原子を有する求核基を含む分子であり、より好ましくは、求核基を含む分子は、溶液の状態であり、1μM〜100mMの範囲の濃度である。
一実施態様では、求核基(nucleophilic group)を有する分子は、アンモニア、第一級アミン(primary amine)、第二級アミン(secondary amine)、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択される。
一実施態様では、含浸インキングは、スタンプをインクに浸漬することにより、あるいはインクをスタンプに押し付けることよって、行う。
一実施態様では、接触インキングは、スタンプをインクにより予め処理されているインクパッドに押し付けることにより、あるいはインクにより予め処理されているインクパッドをスタンプに押し付けることよって、行う。
好ましい実施態様では、スタンプは、ヤング率が1MPa〜50MPa、好ましくは1MPa〜20MPa、より好ましくは2MPa〜15MPaの範囲である弾性材料により構成される。
好ましくは、本発明に係るシリコン表面の活性化方法は、更に、
e)インクが付いたスタンプを、1秒〜12時間、好ましくは1秒〜200秒、より好ましくは1秒〜100秒の範囲の時間シリコン表面上に放置し、任意にインクが付いたスタンプに圧力を加えるステップと、
f)シリコン表面からスタンプを取り除くステップとを有する。
e)インクが付いたスタンプを、1秒〜12時間、好ましくは1秒〜200秒、より好ましくは1秒〜100秒の範囲の時間シリコン表面上に放置し、任意にインクが付いたスタンプに圧力を加えるステップと、
f)シリコン表面からスタンプを取り除くステップとを有する。
好ましくは、本発明に係るシリコン表面の活性化方法は、更に、ステップd)の後、上述の実施態様ではステップf)の後に、
g)シリコン表面を溶媒、好ましくはインク中にも存在する溶媒、より好ましくは不活性溶媒で洗浄するステップと、
h)シリコン表面を、求核基を含む化合物、好ましくは活性水素原子を有する求核基を含む化合物、より好ましくはアンモニア、第一級アミン、第二級アミン、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択される化合物に晒し、シリコン表面を不動態化し、あるいはシリコン表面に官能基を導入するステップとを有する。
g)シリコン表面を溶媒、好ましくはインク中にも存在する溶媒、より好ましくは不活性溶媒で洗浄するステップと、
h)シリコン表面を、求核基を含む化合物、好ましくは活性水素原子を有する求核基を含む化合物、より好ましくはアンモニア、第一級アミン、第二級アミン、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択される化合物に晒し、シリコン表面を不動態化し、あるいはシリコン表面に官能基を導入するステップとを有する。
一実施態様では、ステップa)で使用するシリコン表面は、予め金電極構造体でパターニングされている。
好ましくは、シリコン表面は、(100)又は(110)又は(111)の表面配向を有し、より好ましくは、シリコン表面は、自然酸化層又は熱成長酸化層を有する。
一実施態様では、シリコン表面は、(n型又はp型)にドープされた又はドープされていないシリコン基板の一部である。
一実施態様では、シリコン表面のHFによる処理(ステップa))は、シリコン表面を、HClを含む可能性がある水性HFで処理することによって行い、好ましくは、水性HFは、濃度が0.06M〜6Mの範囲、好ましくは略0.6Mであり、HClは、濃度が0.01〜10Mの範囲、好ましくは0.01M〜1Mの範囲である。
好ましくは、水性HFによる処理は、0.1〜10分間、好ましくは0℃〜90℃、より好ましくは10℃〜40℃で行う。
好ましくは、シリコン表面は、(100)又は(110)の表面配向を有する場合には、水性HFで処理する。
他の実施態様では、シリコン表面のHFによる処理は、シリコン表面をNH4OHを含む可能性がある水性NH4Fで処理することによって、行い、好ましくは、水性NH4Fは、濃度が0.1〜11Mの範囲、好ましくは略2Mであり、NH4OHは、濃度が0.01M〜10Mの範囲である。
好ましくは、NH4Fによる処理は、0.1〜10分間、好ましくは0℃〜90℃、より好ましくは10℃〜40℃で行う。
好ましくは、シリコン表面が(111)の表面配向を有する場合には、水性NH4Fで処理する。
一実施態様では、塩化シアヌルによる処理(ステップb))は、塩化シアヌル溶液、好ましくは濃度が0.1〜10重量%の塩化シアヌル溶液を用いて行い、好ましくは、塩化シアヌルによる処理は、1〜100分間、好ましくは0℃〜50°で行う。
一実施態様では、塩基は、立体障害型第三有機アミン(sterically hindered tertiary organic amine)又はファスファゼン塩基(phosphazene base)、好ましくはN−エチルジイソプロピルアミン(N-ethyldiisopropylamine)、N,N−ジイソプロピルイソブチルアミン(N,N-diisopropylisobutylamine)、トリブチルアミン(tributylamine)、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(2,2,6,6-tetramethylpiperidine)、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,8−ナフタレンジアミン(N,N,N',N'-tetramethyl-1,8-naphthalenediamine)、2,4,6−トリ−tert−ブチルピリジン(2,4,6-tri-tert-butylpyridine)、tert−ブチルイミノ−3−(ジメチルアミン)−ホスホラン(tert-butylimino-tris-(dimethylamine)-phosphorane)、tert−ブチルイミノ−トリ−ピロリジノ−ホスホラン(tert-butylimino-tri-pyrrolidino-phosphorane)からなるグループから選択され、塩基は、好ましくは濃度が0%から10重量%の範囲である。
一実施態様では、好ましくは活性水素原子を有する求核基を含む分子は、アンモニア、第一級アミン、第二級アミン、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択される。
また、本発明の目的は、本発明に係るシリコン表面の活性化方法により生成されるシリコン表面上の分子パターンにより達成される。
また、本発明の目的は、本発明に係る分子パターンを、電子デバイス、メモリデバイス、フォトニックデバイス、エネルギ変換デバイス、ディスプレイデバイス、センサデバイス、バイオチップ、アクチュエータ、電気機械デバイス又はマイクロ流体デバイスにおいて使用することにより達成される。
更に、本発明の目的は、分子をシリコン表面にパターニングするために塩化シアヌルを用いてシリコン表面を活性化させることにより、好ましくは本発明に係るシリコン表面の活性化方法を行うことにより、達成される。
一実施態様では、塩化シアヌルにより活性化されるシリコン表面は水素終端されている。
また、本発明の目的は、本発明に係る塩化シアヌルの使用方法により生成される、あるいは、本発明に係るシリコン表面の活性化方法により生成される活性化シリコン表面により達成され、好ましくは、活性化シリコン表面は、塩化シアヌルによる活性化後も、表面積の一部は水素終端されている。
更に、本発明の目的は、好ましくは上述のように、2,4−ジクロロ−トリアジンが共有結合した活性化シリコン表面により達成される。
更に、本発明の目的は、本発明に係る活性化シリコン表面を、電子デバイス、メモリデバイス、フォトニックデバイス、エネルギ変換デバイス、ディスプレイデバイス、センサデバイス、バイオチップ、アクチュエータ、電気機械デバイス又はマイクロ流体デバイスの製造に使用することにより達成される。
ここで、「マイクロコンタクトプリンティング(microcontact printing)」という用語は、好ましくは、印刷された構造体の寸法がマイクロメータレンジ(μm-range)、より好ましくはナノメータレンジ(nm-range)となるような、表面へのインクの塗布に有用なあらゆるプロセスを意味する。上述のように、このようなマイクロコンタクトプリンティングは、当業者にはよく知られている。ここでは、マイクロスケール(μm-scale)又はナノスケール(nm-scale)ではあるが、「マイクロコンタクトプリンティング」という用語を単に「印刷」と同じ意味で使用することもできる。ここでは、「パターニング」という用語については、より一般的な用語として使用することもある。これは、表面に分子パターンを生成することができるプロセスを意味する。これをナノスケール〜マイクロスケールで達成する一方法がマイクロコンタクトプリンティングである。
ここで溶媒に関連して使用する「不活性」という用語は、溶媒が化学反応を起こさない、特に、塩化シアヌルとの反応及び/又は塩化シアヌルにより活性化されたシリコン表面との反応を起こさないという意味である。
ここで「塩化シアヌル(cyanuric chloride)」という用語は、合成2,4,6−トリクロロ−トリアジン(compound 2,4,6-trichloro-triazine)を意味し、好ましくは、窒素原子が対称的に配置しているものであり、すなわち2,4,6−トリクロロ−s−トリアジン(2,4,6-trichloro-s-triazine)又は2,4,6−トリクロロ−1,3,5−トリアジン(2,4,6-trichloro-1,3,5-triazine)である。
本発明に係るプロセスは、簡単かつ迅速に行うことができ、標準的なソフトリソグラフィ技術に匹敵するパターンを製造することができる。
本発明は、不純物がドープされた又はドープされていない、自然酸化面又は熱成長酸化面を有するSi表面に対して、分子のパターニング、特にマイクロコンタクトプリンティングを周囲条件下で行う高速のプロセスを提供する。基板は、シリコンであり、好ましくは(n型又はp型)にドープされた又はドープされていない、自然酸化面又は熱成長酸化面を有するSi(100)又はSi(110)又はSi(111)である。このプロセスについて以下に説明する。一実施態様では、第1ステップにおいて、水素終端表面を作製するために、希釈HF溶液で処理する(ステップ1)。第2ステップにおいて、水素終端表面を、塩化シアヌル、好ましくはその溶液で処理し、活性化Si表面を得る(ステップ2)。ステップ2は、N−エチルジイソプロピルアミン等の塩基を加えることにより促進される。好ましい実施態様では、次に、活性化表面をスタンプからのパターン転写プロセスに使用する。インクとしては、アミン、アルコール、チオール等の求核基を含む分子が適しており、好ましくはアンモニア、第一級アミン、第二級アミン、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択される。インクの濃度は、代表的には0.1〜100mMの範囲であり、接触インキング又は溶液インキングを用いることができる(ステップ3)。パターン転写処理では、インクが付いたスタンプを基板上に押し付ける(ステップ4)。スタンプがシロキサンエラストマ(Sylgard184、ダウコーニング社)から製造されたものである場合、この材料は、スタンプと基板との良好な接触を得るのに十分な軟性(ヤング率3MPa)がある。スタンプのヤング率がそれより大きい(9〜10MPa以下)場合、基板とスタンプとの十分な接触を確保するために、圧力をかけなければならないことがある。必要な圧力は、印刷される構造体の大きさに依存ずる(Michel et al., 2001, 上記文献参照)。パターン転写に必要な時間は、転写パターンの幅、インク分子の分子量、基板と分子の相互作用に依存する。印刷時間は、代表的には1秒〜100秒である。プリンティングプロセスの後、余分なインク材料及び不特定に吸収されたインク材料を基板から除去するために、インクに使用した溶媒を用いて基板を完全に洗浄する。印刷された基板を、求核基を含む分子、好ましくはアンモニア、第一級アミン、第二級アミン、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択される分子に晒すことにより、残っている活性化Si表面を不動態化し、あるいは新たな官能基を導入することができる。このプリンティング/パターニングプロセスについて3つの実施例、すなわちN−エチルジイソプロピルアミンを用いない実施例(実施例1)と、用いる実施例(実施例2及び実施例5)とを以下に説明する。対照実験については実施例3及び実施例4で説明する。
本発明に係るシリコン表面の活性化方法の現在好ましい実施例におけるプロセスパラメータ
基板:シリコン基板、好ましくは(n型又はp型)にドープされた又はドープされていない、自然酸化面又は熱成長酸化面を有するSi(100)又はSi(110)又はSi(111)。
基板:シリコン基板、好ましくは(n型又はp型)にドープされた又はドープされていない、自然酸化面又は熱成長酸化面を有するSi(100)又はSi(110)又はSi(111)。
1.HF処理:
Si(100)又はSi(110):HCl(0.01〜10M)を含む可能性がある水性HF(0.6M(0.06〜6M))により、0.1〜10分間、0℃〜90℃、好ましくは10℃〜40℃で処理する。
Si(100)又はSi(110):HCl(0.01〜10M)を含む可能性がある水性HF(0.6M(0.06〜6M))により、0.1〜10分間、0℃〜90℃、好ましくは10℃〜40℃で処理する。
Si(111):NH4OH(0.01〜10M)を含む可能性がある水性NH4F(2M(0.1〜11M))により、0.1〜10分間、0℃〜90℃、好ましくは10℃〜40℃で処理する。
2.塩化シアヌルによる表面活性化:塩基(0〜10重量パーセント)を含む可能性がある塩化シアヌル(0.1〜10重量パーセント)の溶液により、1〜10分間、0℃〜50℃で処理する。
3.インキングプロセス:インクの種類に応じて、溶液インキング又は接触インキングプロセスを用いる。インクの濃度は、インキングプロセスの種類、インクの成分、印刷される構造体における所望の解像度に依存する。
4.パターン転写:パターン転写のパラメータは、インキングプロセスの種類、インクの成分、スタンプのヤング率、印刷される構造体における所望の解像度に依存する。
5.プリンティング後/パターニング後のプロセス:好ましくはインク中に使用されている溶媒を用いて洗浄を行う。求核性化合物を含む溶媒又は溶液により、基板の活性化したままの部分を処理して、不動態化し又は新たな官能基を導入する。
また、予め金電極構造体でパターニングされたシリコン基板に対して、上述のプロセスを適用することも可能である。電極構造体はHF処理によって破壊されない(実施例6)。
更に、水素終端Si基板のパターニングは、ステップ2とステップ3の順番を入れ替えても行うことができる。この場合、塩基の有無を関わらず、塩化シアヌル溶液をインクとして使用する。なお、PDMSスタンプが化学変化を起こし、ヤング率が変化する可能性がある。このようなスタンプは、再使用することができず、インクにより生じたスタンプの変化がパターン転写プロセスに影響を与えないように、プロセスパラメータを調整する必要がある。その後、不活性溶媒を用いて、パターニングされた基板を完全に洗浄する。このプロセスにより、活性化表面のパターニングされた領域が得られ、これらの領域は、求核基を含む分子と反応する。このプロセスの具体例については後述する(実施例5)。
本発明のシリコン表面の活性化方法において、塩化シアヌル単体、又は塩基が結合した塩化シアヌルの機能は、水素終端シリコン表面を活性化して、求核剤(nucleophilic reagent)と反応することである。理論によって制限されるものではないが、この活性化メカニズムでは、図1に示す2つのプロセスのうちの一方又は両方に関係している可能性が高い。これらのプロセスのうちの一方において、塩化シアヌルは、HClが取り除かれてシリコン表面にくっつき、塩化シアヌルのトリアジン骨核は、シリコン表面にくっついた状態でそのまま(2,4−ジクロロ−s−トリアジン部分の形で)残る(図1A)。他方のプロセスにおいて、塩化シアヌルは塩素化剤(chlorinating agent)として働き、生じたトリアジン化合物は除去される(図1B)。第三有機アミン等の塩基は、生成されるHClを中和することにより、これらのプロセスのうちの第1のプロセスを促進する。
理論によって制限されるものではないが、活性化シリコン表面は、塩化物を放出して、求核剤と反応する可能性がある(図2)。図2に示す具体例では、求核剤は、新たな官能基Xを含む第一級アミンH2N−R−Xであり、Rは飽和又は不飽和炭化水素部分である。第1のプロセス(図1A)で作製したジクロロトリアジン終端シリコン表面は、図2A及び図2Bに示すように、トリアジン骨核の塩素原子の一方又は両方を置換する求核剤と反応させることができる。両方の塩素原子は、異なる求核剤を用い、2段階で置換することができる(図2C)。第2のプロセス(図1B)で作製した塩素終端シリコン表面は、求核剤と反応することができ、シリコンと求核基との直接的な結合を形成する(図2D)。官能基Xの性質を変えることにより、異なる機能を(例えば正又は負電荷、酸化還元反応、光発光等)を有する基を、修飾シリコン表面に導入することができる。
上述したシリコン表面の化学的修飾/官能基化のプロセスは、本発明において平面シリコン基板上のマイクロコンタクトプリンティング/パターニングに利用されるが、本発明者等は、シリコン表面の化学的修飾/官能基化のプロセスは、マイクロ構造及びナノ構造のシリコン形成に対しても実用的であることを認識している。このように加工することができるマイクロ構造及びナノ構造のシリコンとしては、多孔質シリコン、シリコンナノ粒子及びナノワイヤ、走査顕微鏡のプローブ用のシリコンチップがある。これらの材料は、フォトルミネセンスバイオマーカ、センサ、不揮発性フローティングゲートメモリ、光内部配線等の様々な生物学的、電子的、光学的用途のために開発されている。シリコン表面の化学的修飾/官能基化は、これらの用途の多くにおいて、安定性及び/又はダイナミックレンジを提供し、及び/又は、他の材料及び/又は部品との集積化に必要である。図1及び図2に示す処理により、当業者は、必要な表面化学を達成する一般的手段を得ることができる。
以下、本発明を、実施例を用いてより詳細に説明する。なお、実施例は本発明を説明するためのもであって、本発明を限定するものではない。
実施例1
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。塩化シアヌル溶液(アセトン900μl中に100mg)を用いて、10分間、基板を処理した後、基板をアセトンで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ2)。溶液インキングプロセス(solution inking process)を用いて、スタンプにインクを付けた(ステップ3)。PDMSスタンプ(Sylgard184、ダウコーニング社)を、アミン終端デンドリマーインク溶液(amine-terminated dendrimer ink solution)中に10分間置き、圧縮空気で乾燥させた。インク溶液は、市販のデンドリマー溶液(Starburst(登録商標)(PAMAM)デンドリマー、ジェネレーション4、メチルアルコール中に10重量%、計算FW14215、アルドリッチ・ケミカル社、製品番号41,244-9)を10倍に希釈することにより調整した。次に、スタンプを修飾されたシリコン基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで完全に洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図3は転写パターンの走査電子顕微鏡(SEM)の画像を示す。転写パターンは、ギャップと5μm幅の電極を有するすだれ状電極構造体により構成される。図3Aは、印刷されたコンタクトパッド(1)、印刷された電極(2)、丸い端部を有する構造体(3)を示しており、端部が丸いのは、プリンティングプロセス中に表面に付着したスタンプ材料から生じたものである。この不特定の付着は、印刷された構造体間の距離が余りにも大きすぎるために起こったものである。図3Bは、ギャップ(1)とバー(2)を有する電極の拡大図を示す。図4は、印刷された構造体の原子間力顕微鏡(AFM)画像による部分解析を示す。印刷された構造体の中央部の平均高さは1.5nm以下であるが、構造体の端部の高さは4nm以下である。デンドリマーの理論上の直径は約4.5nmである。表面に固定されたデンドリマーの観測された直径は、分子を安定化させること繋がる表面相互作用(surface interaction)により、通常は4.5nmより小さいことが知られている(Lie et al., 2001, 上記文献参照)。したがって、バーの中央部の高さはデンドリマーの単層に対応し、端部では更に材料が積み重なった可能性が高い。文献ではヒロック(hillock)の形成についても記載されており、これは、スタンプ上でインクに触れた(access)ためであると考えられている(Pompe et al., 1999, Langmuir 15, 2398)。
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。塩化シアヌル溶液(アセトン900μl中に100mg)を用いて、10分間、基板を処理した後、基板をアセトンで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ2)。溶液インキングプロセス(solution inking process)を用いて、スタンプにインクを付けた(ステップ3)。PDMSスタンプ(Sylgard184、ダウコーニング社)を、アミン終端デンドリマーインク溶液(amine-terminated dendrimer ink solution)中に10分間置き、圧縮空気で乾燥させた。インク溶液は、市販のデンドリマー溶液(Starburst(登録商標)(PAMAM)デンドリマー、ジェネレーション4、メチルアルコール中に10重量%、計算FW14215、アルドリッチ・ケミカル社、製品番号41,244-9)を10倍に希釈することにより調整した。次に、スタンプを修飾されたシリコン基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで完全に洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図3は転写パターンの走査電子顕微鏡(SEM)の画像を示す。転写パターンは、ギャップと5μm幅の電極を有するすだれ状電極構造体により構成される。図3Aは、印刷されたコンタクトパッド(1)、印刷された電極(2)、丸い端部を有する構造体(3)を示しており、端部が丸いのは、プリンティングプロセス中に表面に付着したスタンプ材料から生じたものである。この不特定の付着は、印刷された構造体間の距離が余りにも大きすぎるために起こったものである。図3Bは、ギャップ(1)とバー(2)を有する電極の拡大図を示す。図4は、印刷された構造体の原子間力顕微鏡(AFM)画像による部分解析を示す。印刷された構造体の中央部の平均高さは1.5nm以下であるが、構造体の端部の高さは4nm以下である。デンドリマーの理論上の直径は約4.5nmである。表面に固定されたデンドリマーの観測された直径は、分子を安定化させること繋がる表面相互作用(surface interaction)により、通常は4.5nmより小さいことが知られている(Lie et al., 2001, 上記文献参照)。したがって、バーの中央部の高さはデンドリマーの単層に対応し、端部では更に材料が積み重なった可能性が高い。文献ではヒロック(hillock)の形成についても記載されており、これは、スタンプ上でインクに触れた(access)ためであると考えられている(Pompe et al., 1999, Langmuir 15, 2398)。
実施例2
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。塩化シアヌルとN−エチルジイソプロピルアミン(N-ethyldiisopropylamine)をアセトンに溶解した溶液(アセトン800μl中に塩化シアヌル100mg、N−エチルジイソプロピルアミン100μl)を用いて、10分間、基板を処理した後、基板をアセトンで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ2)。溶液インキングプロセスを用いて、スタンプにインクを付けた(ステップ3)。PDMSスタンプ(Sylgard184、ダウコーニング社)を、アミン終端デンドリマーインク溶液中に10分間置き、圧縮空気で乾燥させた。インク溶液は、市販のデンドリマー溶液(Starburst(登録商標)(PAMAM)デンドリマー、ジェネレーション4、メチルアルコール中に10重量%、計算FW14215、アルドリッチ・ケミカル社、製品番号41,244-9)を10倍に希釈することにより調整した。次に、スタンプを修飾されたシリコン基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで完全に洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図5は転写パターンのSEM画像を示し、この転写パターンは実施例1のものと同じである。図5Aは、転写された電極バーのSEM画像を示す。図5B(図5Aの拡大図)において、電極バーの縁が不鮮明になっていることが明らかに見える。これはインク中のN−エチルジイソプロピルアミンの存在が原因であり、N−エチルジイソプロピルアミンが、インクの拡散を強めるとともに、PDMSスタンプを歪める可能性が高い。
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。塩化シアヌルとN−エチルジイソプロピルアミン(N-ethyldiisopropylamine)をアセトンに溶解した溶液(アセトン800μl中に塩化シアヌル100mg、N−エチルジイソプロピルアミン100μl)を用いて、10分間、基板を処理した後、基板をアセトンで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ2)。溶液インキングプロセスを用いて、スタンプにインクを付けた(ステップ3)。PDMSスタンプ(Sylgard184、ダウコーニング社)を、アミン終端デンドリマーインク溶液中に10分間置き、圧縮空気で乾燥させた。インク溶液は、市販のデンドリマー溶液(Starburst(登録商標)(PAMAM)デンドリマー、ジェネレーション4、メチルアルコール中に10重量%、計算FW14215、アルドリッチ・ケミカル社、製品番号41,244-9)を10倍に希釈することにより調整した。次に、スタンプを修飾されたシリコン基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで完全に洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図5は転写パターンのSEM画像を示し、この転写パターンは実施例1のものと同じである。図5Aは、転写された電極バーのSEM画像を示す。図5B(図5Aの拡大図)において、電極バーの縁が不鮮明になっていることが明らかに見える。これはインク中のN−エチルジイソプロピルアミンの存在が原因であり、N−エチルジイソプロピルアミンが、インクの拡散を強めるとともに、PDMSスタンプを歪める可能性が高い。
実施例3(対照)
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。基板を、塩化シアヌル100mgとアセトン900μlの溶液に10分間晒した。その後、基板をアセトンで完全に洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ2)。インクを付けていないPDMSスタンプを基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図6に示すように、基板上にはパターンが転写されなかった。この対照実験は、アミン終端デンドリマー等の求核剤(nucleophilic reagent)をパターンの現像に用いることが望ましいことを証明している。
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。基板を、塩化シアヌル100mgとアセトン900μlの溶液に10分間晒した。その後、基板をアセトンで完全に洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ2)。インクを付けていないPDMSスタンプを基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図6に示すように、基板上にはパターンが転写されなかった。この対照実験は、アミン終端デンドリマー等の求核剤(nucleophilic reagent)をパターンの現像に用いることが望ましいことを証明している。
実施例4(対照)
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。基板をアセトンで10分間処理し、圧縮空気で乾燥させた。PDMSスタンプ(Sylgard184、ダウコーニング社)を、アミン終端デンドリマーインク溶液中に10分間置き、圧縮空気で乾燥させた。インク溶液は、市販のデンドリマー溶液(Starburst(登録商標)(PAMAM)デンドリマー、ジェネレーション4、メチルアルコール中に10重量%、計算FW14215、アルドリッチ・ケミカル社、製品番号41,244-9)を10倍に希釈することにより調整した。次に、スタンプを修飾されたシリコン基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図7に示すように、基板上にはパターンが転写されなかった。この対照実験は、塩化シアヌルによる表面活性化が、アミン終端デンドリマー等の求核剤の印刷に必要であることを証明している。
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。基板をアセトンで10分間処理し、圧縮空気で乾燥させた。PDMSスタンプ(Sylgard184、ダウコーニング社)を、アミン終端デンドリマーインク溶液中に10分間置き、圧縮空気で乾燥させた。インク溶液は、市販のデンドリマー溶液(Starburst(登録商標)(PAMAM)デンドリマー、ジェネレーション4、メチルアルコール中に10重量%、計算FW14215、アルドリッチ・ケミカル社、製品番号41,244-9)を10倍に希釈することにより調整した。次に、スタンプを修飾されたシリコン基板上に10分間置いた(ステップ4)。その後、サンプルをメタノールで洗浄し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ5)。図7に示すように、基板上にはパターンが転写されなかった。この対照実験は、塩化シアヌルによる表面活性化が、アミン終端デンドリマー等の求核剤の印刷に必要であることを証明している。
実施例5
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。塩化シアヌルとN−エチルジイソプロピルアミンをアセトンに溶解した溶液(アセトン800μl中に塩化シアヌル100mg、N−エチルジイソプロピルアミン100μl)を用いて、スタンプにインクを付け、アセトンで洗浄した後、圧縮空気で乾燥させた(ステップ3)。スタンプを347mgの重みで基板上に30分間置いた(ステップ2及びステップ4)。パターン転写プロセス後、基板をアセトンで洗浄した。その後、パターニングされた活性化基板上で求核置換反応(nucleophilic substitution)を行うために、基板を、4,7,10−トリオキサ−1,13−トリデカンジアミン(ジクロロメタン2ml中に22μl)の溶液に30分間入れた。基板をジクロロメタンで洗浄し、ドデシルアミンで安定化したAu−NPを用いて、転写パターンのアミノ官能基を視覚化した。図8はSi基板のSEM画像を示す。転写パターンは、幅が10μm以下、長さが100μm以下の線からなる格子であるが、完全ではない。この不完全性は、スタンプが完全ではなく、プリンティングプロセス中に加えた力が大きすぎたことが原因の一部である。また、スタンプ中のPDMSは、塩基N−エチルジイソプロピルアミンの存在下で塩化シアヌルと反応する。インキング時間(ステップ3)及びパターン転写時間(ステップ4)を最適化することによって、パターン転写をできる可能性がある。
Si(100)基板(n型にドープされているとともに、自然酸化面を有する基板)を、O2プラズマエッチャ内で5分間、0.3ミリバールにて処理した。次に、基板をHF溶液(HF:H2O=1:50)に1分間浸し、圧縮空気で乾燥させた(ステップ1)。塩化シアヌルとN−エチルジイソプロピルアミンをアセトンに溶解した溶液(アセトン800μl中に塩化シアヌル100mg、N−エチルジイソプロピルアミン100μl)を用いて、スタンプにインクを付け、アセトンで洗浄した後、圧縮空気で乾燥させた(ステップ3)。スタンプを347mgの重みで基板上に30分間置いた(ステップ2及びステップ4)。パターン転写プロセス後、基板をアセトンで洗浄した。その後、パターニングされた活性化基板上で求核置換反応(nucleophilic substitution)を行うために、基板を、4,7,10−トリオキサ−1,13−トリデカンジアミン(ジクロロメタン2ml中に22μl)の溶液に30分間入れた。基板をジクロロメタンで洗浄し、ドデシルアミンで安定化したAu−NPを用いて、転写パターンのアミノ官能基を視覚化した。図8はSi基板のSEM画像を示す。転写パターンは、幅が10μm以下、長さが100μm以下の線からなる格子であるが、完全ではない。この不完全性は、スタンプが完全ではなく、プリンティングプロセス中に加えた力が大きすぎたことが原因の一部である。また、スタンプ中のPDMSは、塩基N−エチルジイソプロピルアミンの存在下で塩化シアヌルと反応する。インキング時間(ステップ3)及びパターン転写時間(ステップ4)を最適化することによって、パターン転写をできる可能性がある。
これらに実施例では一種類の基板(自然酸化面を有するn型にドープされたSi(100))を用いたが、このプロセスは、Si(110)又はSi(111)にも適用することができ、ドーピングの種類には関係しない。酸化層はステップ1で除去されるので、その厚さは重要な要素ではない。
実施例6
熱成長による500nmのSiO2層を有するSiウェーハ上に電極構造体(Cr 5nm、Au 50nm)を作製した。基板を、O2プラズマ洗浄装置(ガラ・インスツルメント社)により、酸素圧0.4ミリバール、33Wで5分間洗浄した。次に、ウェーハを1%のHF溶液に1分間晒した。電極構造体には変化がなかったが、許容範囲内の僅かなエッチングが視認できた。これは、この基板を、後続の本発明に係る塩化シアヌルによる活性化及びパターニングプロセスに良好に用いることができるということである。
熱成長による500nmのSiO2層を有するSiウェーハ上に電極構造体(Cr 5nm、Au 50nm)を作製した。基板を、O2プラズマ洗浄装置(ガラ・インスツルメント社)により、酸素圧0.4ミリバール、33Wで5分間洗浄した。次に、ウェーハを1%のHF溶液に1分間晒した。電極構造体には変化がなかったが、許容範囲内の僅かなエッチングが視認できた。これは、この基板を、後続の本発明に係る塩化シアヌルによる活性化及びパターニングプロセスに良好に用いることができるということである。
本明細書、特許請求の範囲及び/又は図面に開示した本発明の特徴は、それぞれ単独で、あるいは組み合わせにより、本発明を様々な態様で実現するための要素となりうる。
Claims (47)
- 分子をシリコン表面にパターニングするために該シリコン表面を活性化するシリコン表面の活性化方法において、
a)上記シリコン表面をHFで処理するステップと、
b)上記ステップa)から得られるシリコン基板を塩化シアヌルで処理するステップとを有するシリコン表面の活性化方法。 - c)パターニングする分子を上記シリコン表面に供給するステップと、
d)上記パターニングする分子を上記ステップb)から得られるシリコン表面に塗布するステップとを更に有する請求項1記載のシリコン表面の活性化方法。 - 上記ステップb)は、上記ステップa)から得られるシリコン表面を塩化シアヌル、好ましくは塩化シアヌル溶液に晒すことによって、行うことを特徴とする請求項1又は2記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記ステップb)から得られるシリコン表面を、全面に亘って、あるいは少なくとも上記パターニングする分子によって覆う予定がない領域を含む大部分に亘って上記塩化シアヌルに晒すことを特徴とする請求項3記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面を上記塩化シアヌル溶液に浸漬することにより、あるいは該塩化シアヌル溶液を該シリコン表面に滴下又は蒸着させることにより、該シリコン表面を該塩化シアヌルに晒すことを特徴とする請求項4記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記ステップc)及びステップd)は、
スタンプを準備し、該スタンプに、上記パターニングする分子と任意に該分子の溶媒とを含むインクを、好ましくは含浸インキング又は接触インキングによって付けることにより、インクが付いたスタンプを作製し、
上記インクが付いたスタンプを上記シリコン表面上に押し付けることによって、行うことを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。 - 上記ステップb)は、
ba)スタンプを準備し、該スタンプに上記塩化シアヌル溶液であるインクを好ましくは含浸インキング又は接触インキングによって付けることにより、インクが付いたスタンプを作製するステップと、
bb)上記インクが付いたスタンプを上記シリコン表面上に押し付けるステップとを有することを特徴とする請求項1又は2記載のシリコン表面の活性化方法。 - 上記インクは、上記シリコン表面にパターニングする分子を含まないことを特徴とする請求項7記載のシリコン表面の活性化方法。
- bc)上記シリコン表面から上記インクが付いたスタンプを取り除くステップを有することを特徴とする請求項7又は8記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記ステップbc)の後に、
bd)上記シリコン表面を溶媒、好ましくは不活性溶媒で洗浄するステップを有することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。 - 上記ステップbd)の後に、上記シリコン表面を上記パターニングする分子、好ましくは該分子の溶液に晒すことにより、上記ステップc)及びステップd)を行うことを特徴とする請求項10記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面を、全面に亘って、あるいは少なくとも上記パターニングする分子よって覆う予定がない領域を含む大部分に亘って該分子に晒すことを特徴とする請求項11記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面を上記分子の混合物、好ましくは該分子の溶液に浸漬することにより、あるいは該分子を該シリコン表面に滴下又は蒸着させることにより、該シリコン表面を該パターニングする分子に晒すことを特徴とする請求項11又は12記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記ステップb)は、塩基の存在下にて行うことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記パターニングする分子は、好ましくは活性水素原子を有する求核基を含む分子であることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記求核基を含む分子は、溶液の状態であり、1μM〜100mMの範囲の濃度であることを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記含浸インキングは、上記スタンプを上記インクに浸漬することにより、あるいは該インクを該スタンプに押し付けることよって、行うことを特徴とする請求項6乃至16のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記接触インキングは、上記スタンプを上記インクにより予め処理されているインクパッドに押し付けることにより、あるいは該インクにより予め処理されているインクパッドを該スタンプに押し付けることよって、行うことを特徴とする請求項6乃至17のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記スタンプは、ヤング率が1MPa〜50MPa、好ましくは1MPa〜20MPa、より好ましくは2MPa〜15MPaの範囲である弾性材料により構成されていることを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- e)上記インクが付いたスタンプを、1秒〜12時間、好ましくは1秒〜200秒、より好ましくは1秒〜100秒の範囲の時間上記シリコン表面上に放置し、任意に該インクが付いたスタンプに圧力を加えるステップと、
f)上記シリコン表面から上記スタンプを取り除くステップとを更に有する請求項6乃至8及び請求項10乃至19のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。 - 上記ステップd)の後に、請求項20の従属項とするときは上記ステップf)の後に、
g)上記シリコン表面を溶媒、好ましくは上記インク中にも存在する溶媒、より好ましくは不活性溶媒で洗浄するステップと、
h)上記シリコン表面を、求核基を含む化合物、好ましくは活性水素原子を有する求核基を含む化合物、より好ましくはアンモニア、第一級アミン、第二級アミン、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択される化合物に晒し、該シリコン表面を不動態化し、あるいは該シリコン表面に官能基を導入するステップとを更に有する請求項2乃至19のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。 - 上記ステップa)で使用するシリコン表面は、予め金電極構造体でパターニングされていることを特徴とする請求項1乃至21のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面は、(100)又は(110)又は(111)の表面配向を有することを特徴とする請求項1乃至22のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面は、自然酸化層又は熱成長酸化層を有することを特徴とする請求項1乃至23のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面は、(n型又はp型に)ドープされた又はドープされていないシリコン基板の一部であることを特徴とする請求項1乃至24のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面のHFによる処理(ステップa)は、該シリコン表面を、HClを含む可能性がある水性HFで処理することによって、行うことを特徴とする請求項1乃至25のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記水性HFは、濃度が0.06M〜6Mの範囲、好ましくは略0.6Mであり、上記HClは、濃度が0.01〜10Mの範囲、好ましくは0.01M〜1Mの範囲であることを特徴とする請求項26記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記水性HFによる処理は、0.1〜10分間、好ましくは0℃〜90℃、より好ましくは10℃〜40℃で行うことを特徴とする請求項26又は27記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面は、(100)又は(110)の表面配向を有することを特徴とする請求項26又は27記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面のHFによる処理は、該シリコン表面をNH4OHを含む可能性がある水性NH4Fで処理することよって、行うことを特徴とする請求項1乃至25のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記水性NH4Fは、濃度が0.1〜11Mの範囲、好ましくは略2Mであり、上記NH4OHは、濃度が0.01M〜10Mの範囲であることを特徴とする請求項30記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記NH4Fによる処理は、0.1〜10分間、好ましくは0℃〜90℃、より好ましくは10℃〜40℃で行うことを特徴とする請求項30又は31記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記シリコン表面は、(111)の表面配向を有することを特徴とする請求項30乃至32のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記塩化シアヌルによる処理(ステップb))は、塩化シアヌル溶液、好ましくは濃度が0.1〜10重量%の塩化シアヌル溶液を用いて行うことを特徴とする請求項1乃至33のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記塩化シアヌルによる処理は、1〜100分間、好ましくは0℃〜50℃で行うことを特徴とする請求項1乃至34のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記塩基は、立体障害型第三有機アミン又はファスファゼン塩基、好ましくはN−エチルジイソプロピルアミン、N,N−ジイソプロピルイソブチルアミン、トリブチルアミン、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,8−ナフタレンジアミン、2,4,6−トリ−tert−ブチルピリジン、tert−ブチルイミノ−3−(ジメチルアミン)−ホスホラン、tert−ブチルイミノ−トリ−ピロリジノ−ホスホランからなるグループから選択され、上記塩基は、好ましくは濃度が0%から10重量%の範囲であることを特徴とする請求項14乃至35のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記塩基は、濃度が0〜10重量%の範囲であることを特徴とする請求項14乃至36のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 上記好ましくは活性水素原子を有する求核基を含む分子は、アンモニア、第一級アミン、第二級アミン、水、アルコール、フェノール、チオール、メルカプタンからなるグループから選択されることを特徴とする請求項15乃至37のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法。
- 請求項1乃至38のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化法により生成されるシリコン表面上の分子パターン。
- 電子デバイス、メモリデバイス、フォトニックデバイス、エネルギ変換デバイス、ディスプレイデバイス、センサデバイス、バイオチップ、アクチュエータ、電気機械デバイス又はマイクロ流体デバイスにおいて、請求項39記載の分子パターンを使用する分子パターンの使用方法。
- 分子をシリコン表面にパターニングするためにシリコン表面を活性化させる塩化シアヌルの使用方法。
- 上記塩化シアヌルにより活性化されるシリコン表面は、水素終端されていることを特徴とする請求項41記載の塩化シアヌルの使用方法。
- 請求項1乃至37のいずれか1項記載のシリコン表面の活性化方法、好ましくは請求項1記載のシリコン表面の活性化方法を使うことを特徴とする請求項41又は42記載の塩化シアヌルの使用方法。
- 請求項41乃至43のいずれか1項記載の塩化シアヌルの使用方法により生成される活性化シリコン表面。
- 上記塩化シアヌルによる活性化後も、表面積の一部は水素終端されていることを特徴とする請求項44記載の活性化シリコン表面。
- 2,4−ジクロロ−トリアジンが共有結合していることを特徴とする請求項44又は45記載の活性化シリコン表面。
- 電子デバイス、メモリデバイス、フォトニックデバイス、エネルギ変換デバイス、ディスプレイデバイス、センサデバイス、バイオチップ、アクチュエータ、電気機械デバイス又はマイクロ流体デバイスを製造するために、請求項44乃至46のいずれか1項記載の活性化シリコン表面を使用する活性化シリコン表面の使用方法。
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