JP2005241266A - 信号処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粒子密度分布測定装置10は、複数のレーザ光を互いに光路が異なるように出射するレーザ光源部12aと、レーザ光の照射された測定対象粒子からの光信号を受信して受光信号を出力する受光部14と、1ビットの信号値が所定長さで符号化され、かつ互いに直交する複数の符号化系列信号を制御信号として用いて前記複数のレーザ光のそれぞれに1対1に対応させて出射のオン/オフを制御する光源制御部16aと、受光部14で出力された受光信号から、符号化系列信号を用いて測定対象物からの光信号を識別し、この光信号を発した測定対象粒子の位置を特定することで、粒子密度分布を測定する信号処理部16bと、を有する。
【選択図】図3
Description
近年、Si基板等の大型化に伴って、CVDやPVDさらにはスパッタリング等に用いる半導体製造装置のチャンバも大型化し、これらの装置において大型化したSi基板に薄膜を均一に形成したり、均一にエッチングすることが強く求められている。このため、チャンバ内にプラズマ状態の活性化した分子等が均一に発生している否かを確認することが必要となっている。
LIF法では、非特許文献1に示されるように、プラズマ中の活性化した分子やイオン等の測定対象粒子を有する気相中の一点にレーザ光を照射して気相中の一点を測定する。
この場合、レーザ光を連続的に発振させて測定対象粒子に連続的に照射することによって測定対象粒子の発光する光を得るCW法や、レーザ光をパルス発振させて測定対象粒子に短時間(数ナノ秒以下)照射することによって測定対象粒子が発光する光を得るパルス法がある。
さらに、特許文献1では、試料媒体の標的粒子の特性を決定する際、一定の周期を持つ周期的に変調された光を照射することにより標的粒子の特性を決定するた装置および方法を提案している。しかし、この場合においても、同時に多数のレーザ光を標的粒子に照射するものではなく、レーザ光を1つの測定位置に照射するため、短時間のうちに標的粒子の特性を決定できないといった問題があった。多数のレーザ光を同時に照射すると、受光した信号から目的とする標的粒子の信号を識別して特定することができない。
また、前記レーザ光源部は、複数のレーザ光が1つの平面上で互いに平行な光路を持つようにレーザ光を出射し、前記受光部は、各光路上の1箇所の位置を測定位置として、各光路上の測定位置における測定対象粒子からの光信号を重ねて受光する受光器を備え、前記信号処理部は、前記受光器において複数のレーザ光からの光信号が重なって出力された受光信号から、レーザ光の出射に用いた符号化系列信号を用いて、各レーザ光に対する測定対象粒子からの光信号をそれぞれ識別して、光信号の発する測定対象粒子の測定位置を特定するのが好ましい。
また、前記受光部は、各光路上の互いに異なる位置を測定位置とする複数の受光器を備えるのが好ましい。
前記受光部は、測定対象粒子からの光信号を所定の波長帯域毎に分光する分光手段を備えるとともに、分光された光信号を波長帯域毎に受光する複数の受光器を備えるものであってもよい。
図1(a)は、本発明の一実施形態である粒子密度測定装置(以降、本測定装置という)10をプラズマCVD装置1に適用したときの概略構成図である。図1(b)は、本装置10から出射されるレーザ光の光路を説明する図である。
プラズマCVD装置(以降,CVD装置という)1は、処理室2内に供給されるアルゴンガス等と反応性ガスとで構成されたの減圧雰囲気中に高周波電圧を印加してプラズマ状態とし、このプラズマ中の活性化分子を処理対象である基板3に付着させて膜を形成する成膜装置である。
CVD装置1の処理室2の側壁には、透明性を有するガラス窓4が取り付けられ、処理室2の外部からレーザ光を取り入れ、レーザ光の照射により発光する光を外部に設けた受光部で取り込めるように構成されている。
レーザ光変調器12bは、制御・処理部16に接続され、制御・処理部16から供給される制御信号に基づいてレーザ光の出射のオン/オフを制御するドライバである。
レーザ光源部12は、このレーザ光源部12から出射されるレーザ光が図1(b)に示すように1つの平面(図1(b)中のx−y平面)上で互いに平行な光路を成すようにレーザ発振器12aが一列でかつ等間隔でy方向に配列されている。したがって、出射するレーザ光は処理室2内のx−y平面上にある活性化粒子を照射する。
ここで、光電変換器14dは、図1(b)中のx方向に複数配置されており、各光電変換器14dは、レーザ光の各光路上の1箇所の位置を測定位置として、各光路の測定位置における活性化粒子の発光する光を重ねて受光する。すなわち、光電変換器14dは、レーザ光の光路方向(x方向、図2中の紙面に垂直方向)に沿って一列に配列され、各光電変換器14dが測定する光路上の測定位置が互いに異なるように構成されている。
光電変換器14dのそれぞれは増幅器14eと1対1に対応して接続され、受光信号が増幅器14eにて増幅され、制御・処理部16に出力されるように構成される。
光源制御部16aは、レーザ光の出射のオン/オフを制御する制御信号を生成し、この制御信号をレーザ光変調器12bに供給するように構成される。
ここで生成される制御信号は、互いに直交する複数の符号化系列信号の中から選択された1つの符号化系列信号によって作られたものである。この符号化系列信号は、1ビットの信号値で構成され、所定の符号長さ(ビット数)で符号化されている。
この符号化系列信号を生成するために用いられる系列符号C,Tq1・C,Tq2・C,………, Tqn・Cは、互いに直交する特性を有するので、生成される符号化系列信号も互いに直交する。
すなわち、系列符号CとC’は自己相関性を持ち、かつ直交性を有するといえる。
図4は、生成される系列符号化信号(コード1〜コード3)の例を示している。
コード1の系列符号化信号は、符号長さN=255ビットの信号であり、符号長さNと時間分解幅Δtとの積は、図4中の時刻0〜t3の時間となる。この信号において値が1のときレーザ光を出射し、値が0のときレーザ光を出射しないようにして断続的にレーザ光源の出射のオン/オフが制御される。
コードが4以上ある場合は同様にしてコードnまで生成される。
光源制御部16aは、このような系列符号を用いて符号化系列信号を生成し、レーザ光の出射のオン/オフを制御する制御信号としてレーザ光変調器12bに供給する。
A/D変換器16cは、受光部14の光電変換器14dで生成され増幅された受光信号をA/D変換によりサンプリングする。サンプリングされた受光信号は演算処理部16dにて演算処理に供される。なお、サンプリングの時間間隔は、後述するように符号化系列信号と受信信号との相関関数を効率良く演算するために、符号化系列信号の時間分解幅に一致させる、あるいはこの時間分解幅の整数分の1とするのが好ましい。例えば符号化系列信号の時間分解幅が2ナノ秒であれば受信信号のサンプリングの時間分解能も2ナノ秒、あるいは、1ナノ秒、0.5ナノ秒等とするのが好ましい。
さらに、演算処理部28dは、レーザ光の出射を制御するコードを入力信号とし、光電変換器12aから出力される受光信号を応答信号とする伝達関数を算出し、レーザ光の照射に対する発光緩和特性を求める。
このような符号化系列信号におけるビットシフト量と時間分解幅Δtとの積である時刻0〜t1間の時間および時刻0〜t2間の時間、時刻0〜tn間の時間のいずれも、上記発光緩和時間に比べて長いことが好ましい。すなわち、発光する光強度は発光緩和特性に従って時間と共に低減し、この時の光強度がバックグランド光ノイズに埋もれるまでの緩和時間をτとするとこの発光緩和時間τは、図4中の時刻0〜t1間の時間より短いことが好ましい。1回の測定の間に多数のパルスレーザ光を照射することにより、光エネルギを活性化粒子に効率よく与えて、発光を効率よく行わせることができる。なお、レーザ光のパルス幅は4ナノ秒以下であるので、符号化系列信号の時間分解幅Δtもこれに合わせて4ナノ秒以下の時間分解幅とするのが好ましい。
図5(a)では、図1(b)中のレーザ光の1つの光路に沿ってどのように発光強度のスペクトルが変化するかを示すグラフを示している。図5(b)では、図5(a)に示すスペクトルのうち、波長λ1におけるx−y平面上の発光強度を示す分布を示している。この発光強度分布は、波長λ1における発光強度分布であるので、レーザ光の発振波長と発光の波長λ1から、発光した活性化粒子の種類を特定することができ、発光した活性化粒子の密度分布として表すことができる。図5(c)は、レーザ光の照射により活性化粒子が発光する際の応答特性を模式的に表している。この応答特性は、パルスレーザ光が活性化粒子に照射された時の発光のインパルス応答を表す。この応答特性は、上述したように発光強度が時間と共に減衰する緩和特性を有する。
このように、制御・処理部16の処理結果がディスプレイ18に表示される。
本測定装置10は以上のように構成される。
本測定装置10では、まず、制御・処理装置16において、自己相関性を有し、かつ他の符号化系列信号と直交性を有する符号化系列信号が生成され、これが巡回的に繰り返される。この符号化系列信号は、レーザ光源部12からのレーザ光の出射のオン/オフを制御する制御信号として用いられるため、レーザ光変調器12bに供給される。
レーザ光源部12では、この制御信号に従って各レーザ光の出射のオン/オフが制御され、符号化系列信号によって時間変調した信号情報を備えるレーザ光が出射される。これらのレーザ光は互いに異なる符号化系列信号によってそれぞれ変調されている。各レーザ光は、処理室2内のプラズマ中に、図1(b)に示すようにx−y平面に沿うように照射される。レーザ光の光路上に位置し、レーザ光によって励起された活性化粒子はこのレーザ光に照射されて励起し、その一部が基準状態に戻る際に発光する。この時の発光する光は、時間的に変調されたレーザ光に励起して生じるため、レーザ光の時間変調に対応して時間変調している。
こうして、巡回的に繰り返す符号化系列信号によって変調されたレーザ光が活性化粒子に断続的に照射され、励起された活性化粒子が発光(蛍光)する。この発光は受光部14にて受光される。
処理信号は、コンピュータの内部(演算処理部16d)では、各時刻における光子の到来数を振幅とする時刻到来信号となるので、例えば相関処理で得られる相関係数が予め設定された閾値以上の場合、受信信号は符号化変調信号と相関ありと判定され、受信信号にはレーザ光の変調に用いた符号化系列信号と同じ信号情報を持った光信号が含まれるとされる。一方、上記相関係数が予め設定された閾値より低い場合、受信信号は符号化変調信号と無相関であると判定され、この受信信号にはレーザ光の変調に用いた符号化系列信号の信号情報を持った光信号が含まれないとされる。
また、受光部14では、分光器14cを用いて設定された波長帯域別に受光信号を得るので、波長帯域毎の発光強度の分布とともに、各測定位置による発光スペクトル分布を求めることができる。
処理結果はディスプレイ18に供給されて表示される。
2 処理室
3 基板
4 ガラス窓
10 粒子密度測定装置
12 レーザ光源部
12a レーザ発振器
12b レーザ光変調器
14 受光部
14a レンズ系
14b スリット板
14c 分光器
14d 光電変換器
14e 増幅器
16 制御・処理部
16a 光源制御部
16b 信号処理部
16c A/D変換器
16d 演算処理部
18 ディスプレイ
Claims (10)
- 測定室内の測定対象粒子の粒子密度分布を測定する粒子密度分布測定装置であって、
複数のレーザ光を互いに光路が異なるように出射するレーザ光源部と、
レーザ光の照射された測定対象粒子からの光信号を受信して受光信号を出力する受光部と、
1ビットの信号値が所定長さで符号化され、かつ互いに直交する複数の符号化系列信号を制御信号として用いて前記複数のレーザ光のそれぞれに1対1に対応させて出射のオン/オフを制御する光源制御部と、
前記受光部で出力された受光信号から、前記符号化系列信号を用いて測定対象物からの光信号を識別し、この光信号を発した測定対象粒子の位置を特定することで、粒子密度分布を測定する信号処理部と、を有することを特徴とする粒子密度分布測定装置。 - 前記複数の符号化系列信号は、1つの符号化系列信号をビット方向にシフトして構成されたものであり、このシフトによって符号化系列信号が互いに直交するように構成されている請求項1に記載の粒子密度分布測定装置。
- 前記レーザ光源部は、複数のレーザ光が1つの平面上で互いに平行な光路を持つようにレーザ光を出射し、
前記受光部は、各光路上の1箇所の位置を測定位置として、各光路上の測定位置における測定対象粒子からの光信号を重ねて受光する受光器を備え、
前記信号処理部は、前記受光器において複数のレーザ光からの光信号が重なって出力された受光信号から、レーザ光の出射に用いた符号化系列信号を用いて、各レーザ光に対する測定対象粒子からの光信号をそれぞれ識別して、光信号の発する測定対象粒子の測定位置を特定する請求項1または2に記載の粒子密度分布測定装置。 - 前記受光部は、各光路上の互いに異なる位置を測定位置とする複数の受光器を備える請求項1〜3のいずれか1項に記載の粒子密度分布測定装置。
- 前記測定対象粒子は、レーザ光の照射により発光し、
前記光源制御部は、前記符号化系列信号の前記ビット方向のシフト量と前記符号化系列信号の時間分解幅との積が発光時の発光緩和時間に比べて長くなるように設定して前記符号化系列信号を生成する請求項1〜4のいずれか1項に記載の粒子密度分布測定装置。 - 前記複数のレーザ光の波長はいずれも同じである請求項1〜5のいずれか1項に記載の粒子密度分布測定装置。
- 前記受光部は、測定対象粒子からの光信号を所定の波長帯域毎に分光する分光手段を備えるとともに、分光された光信号を波長帯域毎に受光する複数の受光器を備える請求項1〜6のいずれか1項に記載の粒子密度分布測定装置。
- 前記信号処理部は、前記光源制御部において前記符号化系列信号の生成に用いる時間分解幅を用いて前記受光信号のサンプリングを行う請求項1〜7のいずれか1項に記載の粒子密度分布測定装置。
- 前記信号処理部は、4ナノ秒以下の時間分解幅で受光信号のサンプリングを行って受信信号の処理を行う請求項1〜8のいずれか1項に記載の粒子密度分布測定装置。
- 前記測定対象粒子は、プラズマ流体中の活性化された分子あるいはイオンであって、これらの分子あるいはイオンの密度分布の測定を行う請求項1〜9のいずれか1項に記載の粒子密度分布測定装置。
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JP2012145365A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスの温度及び成分濃度計測装置 |
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