JP2005234267A - Semiconductor optical module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、気密封止されたパッケージ内に設けられた電子冷却器(Thermo Electric Cooler: TEC)と、その電子冷却器上に設けられた電界吸収型(Electro-absorption: EA)変調器を有する半導体光モジュールに関するものである。 The present invention includes an electronic cooler (TEC) provided in a hermetically sealed package and an electro-absorption (EA) modulator provided on the electronic cooler. The present invention relates to a semiconductor optical module.
光通信に用いられる半導体光モジュールでは、入力高周波電気信号に追従して波形歪の少ない安定な光出力波形が得られることが重要である。そのためには、半導体光モジュールの動作温度を一定以下に保持して、高周波特性を良好にする必要がある。 In a semiconductor optical module used for optical communication, it is important to obtain a stable optical output waveform with little waveform distortion following an input high-frequency electric signal. For this purpose, it is necessary to maintain the operating temperature of the semiconductor optical module below a certain level to improve the high frequency characteristics.
そこで、気密封止されたパッケージ内に電子冷却器を設け、その電子冷却器上に光素子を設けた半導体光モジュールが提案されている(例えば、特許文献1参照)。これにより、電子冷却器を通じて光素子からの発熱をパッケージ外に排熱することができる。 Therefore, a semiconductor optical module in which an electronic cooler is provided in a hermetically sealed package and an optical element is provided on the electronic cooler has been proposed (for example, see Patent Document 1). Thereby, the heat generated from the optical element can be discharged outside the package through the electronic cooler.
しかし、従来の半導体光モジュールでは、発熱体である終端抵抗が、光素子と共に電子冷却器上に配置されていた。このため、電子冷却器は終端抵抗からの発熱も排熱しなければならず、電子冷却器の消費電力が増え、結果として半導体光モジュールの消費電力が大きくなるという問題があった。 However, in the conventional semiconductor optical module, the termination resistor, which is a heating element, is arranged on the electronic cooler together with the optical element. For this reason, the electronic cooler must also exhaust heat generated from the terminal resistor, which increases the power consumption of the electronic cooler, resulting in an increase in the power consumption of the semiconductor optical module.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、高周波特性を劣化させずに消費電力を小さくすることができる半導体光モジュールを得るものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a semiconductor optical module capable of reducing power consumption without deteriorating high-frequency characteristics.
本発明に係る半導体光モジュールは、気密封止されたパッケージと、パッケージ内に設けられた電子冷却器と、電子冷却器上に設けられた電界吸収型変調器と、パッケージ内に電子冷却器とは分離して設けられた棚部と、棚部上に設けられ、電界吸収型変調器と接続された終端抵抗と、電界吸収型変調器に信号を入力する入力端子と、入力端子と電界吸収型変調器の間に接続されたキャパシタと、電界吸収型変調器及び終端抵抗に対して並列に接続されたインダクタと、電界吸収型変調器のアノード側の電位を調整する端子を有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。 A semiconductor optical module according to the present invention includes a hermetically sealed package, an electronic cooler provided in the package, an electroabsorption modulator provided on the electronic cooler, and an electronic cooler in the package. Is a shelf provided separately, a termination resistor provided on the shelf and connected to the electroabsorption modulator, an input terminal for inputting a signal to the electroabsorption modulator, and the input terminal and the electroabsorption A capacitor connected between the type modulators, an inductor connected in parallel with the electroabsorption modulator and the terminating resistor, and a terminal for adjusting the potential on the anode side of the electroabsorption modulator. Other features of the present invention will become apparent below.
本発明により、高周波特性を劣化させずに消費電力を小さくすることができる。 According to the present invention, power consumption can be reduced without deteriorating high-frequency characteristics.
実施の形態1.
図1(a)は本発明の実施の形態1に係る半導体光モジュールを示す上面図であり、図1(b)はその断面図である。この図に示すように、気密封止されたパッケージ11内に、電子冷却器12及び棚部13が設けられている。ただし、棚部13は電子冷却器12とは分離して設けられている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1A is a top view showing a semiconductor optical module according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view thereof. As shown in this figure, an
電子冷却器12上に、電界吸収型変調器14と、電子冷却器12上の温度を検知するサーミスタ15と、電界吸収型変調器14からの出力光の強度を検知するモニタフォトダイオード16が設けられている。
An
また、棚部13上に終端抵抗17が設けられている。この終端抵抗17は一端が金ワイヤ18により電界吸収型変調器14と接続され、他端がGND19に接続されている。
A
また、電界吸収型変調器14に変調信号を入力する入力端子20が設けられている。そして、入力端子20と電界吸収型変調器14の間にキャパシタ21が接続されている。さらに、キャパシタ21と電界吸収型変調器14を接続するために、伝送線路基板22が棚部13と電子冷却器12を橋渡しするように設けられている。この伝送線路基板22の特性インピーダンスと終端抵抗17の特性インピーダンスはほぼ等しく、インピーダンス整合が取れている。
Further, an
また、電界吸収型変調器14及び終端抵抗17に対して並列にインダクタ23が接続されている。このインダクタ23は、一端がキャパシタ21と接続され、他端がGND19に接続されている。そして、電界吸収型変調器14のアノード側の電位を調整するために端子24が設けられている。また、電界吸収型変調器14からの光を光ファイバ(不図示)へ結合させるためにレンズ24が設けられている。
An
以上の構成を有する半導体光モジュールの動作について説明する。まず、入力端子20からの高周波の変調信号が入力され、この変調信号が伝送線路基板22を介して電界吸収型変調器14に伝達され、電界吸収型変調器14から金ワイヤ18を介して終端抵抗17まで伝達され、この終端抵抗17で終端される。そして、電界吸収型変調器14は、入力された変調信号に応じて、半導体レーザ(不図示)から出射された光を変調する。この際に、電子冷却器12により電界吸収型変調器14が一定の温度に保たれるため、高周波特性を良好にすることができる。
The operation of the semiconductor optical module having the above configuration will be described. First, a high frequency modulation signal is input from the
次に、本実施の形態1に係る半導体光モジュールの動作を図2に示す回路図を用いて更に詳しく説明する。まず、入力端子20からV[Vpp]の変調信号が入力されると、伝送線路上のキャパシタ21により、変調信号のオフセット電圧が0[V]となる。そして、端子24の電位を+V/2[V]として、電界吸収型変調器14のカソード側の電位を+V/2[V]とすることにより、電界吸収型変調器14には0〜−V[V]の電圧がかかり、通常と同じ条件で電界吸収型変調器14を駆動することができる。このように、端子24の電位を調整することにより、電界吸収型変調器14にかかる電圧オフセット値を自由に調整することができる。
Next, the operation of the semiconductor optical module according to the first embodiment will be described in more detail with reference to the circuit diagram shown in FIG. First, when a modulation signal of V [Vpp] is input from the
そして、電界吸収型変調器14で生ずる吸収電流はインダクタ23を通じてGND19へ流れるため、終端抵抗17には−V/2〜V/2[V]の交流電圧がかかることとなり、終端抵抗17での消費電力を小さくすることができる。
Then, since the absorption current generated in the
また、上記のように、発熱体である終端抵抗17を電子冷却器12とは分離して設けられた棚部13の上に設けることで、終端抵抗17で発生する0.1W程度の熱を電子冷却器12を介さず直接にパッケージ11に排熱することができる。これにより、電子冷却器12の必要吸熱量は、電界吸収型変調器14自身の発熱と、伝送線路基板22から流入してくる熱量と、金ワイヤ18を介して流入してくる熱量だけとなる。従って、電子冷却器12の必要吸熱量が少なくなり、電子冷却器12での消費電力を小さくすることができる。
Further, as described above, the
実施の形態2.
図3(a)は本発明の実施の形態2に係る半導体光モジュールを示す上面図であり、図3(b)はその断面図である。図1と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
FIG. 3A is a top view showing a semiconductor optical module according to
本実施の形態2に係る半導体モジュールでは、入力端子20と電界吸収型変調器14を接続する第1の伝送線路を伝送線路基板31で構成している。この伝送線路基板31は、棚部13と電子冷却器12を橋渡しするように設けられている。
In the semiconductor module according to the second embodiment, the first transmission line connecting the
また、電界吸収型変調器14と終端抵抗17を接続する第2の伝送線路を伝送線路基板32で構成している。この伝送線路基板32は、電子冷却器12上において電界吸収型変調器14から電子冷却器12の端までに存在するように設けられている。そして、伝送線路基板32と終端抵抗17が金ワイヤ33で接続されている。伝送線路基板32,33の特性インピーダンスと終端抵抗17の特性インピーダンスはほぼ等しく、インピーダンス整合が取れている。
Further, the second transmission line connecting the
上記のように、伝送線路基板32を設けたことで、高周波特性を劣化させる原因となる金ワイヤ33のワイヤ長を短くすることができ、高周波特性を良好にすることができる。ここで、電界吸収型変調器14は逆バイアスして使用するため、動作条件下では非常に高いインピーダンスを示す。従って、電界吸収型変調器14を伝送線路基板32と伝送線路基板33の間に配置しても、伝送線路中の変調信号の伝搬を乱さず、高周波特性を劣化させない。
As described above, the provision of the
また、実施の形態1と同様に、電子冷却器12により電界吸収型変調器14が一定の温度に保たれるため、高周波特性を良好にすることができる。そして、発熱体である終端抵抗17を電子冷却器12とは分離して設けられた棚部13の上に設けることで、終端抵抗17で発生する熱を電子冷却器12を介さず直接にパッケージ11に排熱することができ、電子冷却器12の必要吸熱量が少なくなり、電子冷却器12での消費電力を小さくすることができる。
Further, similarly to the first embodiment, since the
実施の形態3.
図4(a)は本発明の実施の形態3に係る半導体光モジュールを示す上面図であり、図4(b)はその断面図である。図3と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 4A is a top view showing a semiconductor optical module according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view thereof. Constituent elements similar to those in FIG.
本実施の形態3に係る半導体モジュールでは、電界吸収型変調器14と終端抵抗17を接続する第2の伝送線路を伝送線路基板41で構成している。この伝送線路基板41は、電子冷却器12の上面から棚部13の上面までを橋渡しするように設けられている。そして、伝送線路基板41と終端抵抗17が金ワイヤ42で接続されている。また、伝送線路基板32,41の特性インピーダンスと終端抵抗17の特性インピーダンスはほぼ等しく、インピーダンス整合が取れている。
In the semiconductor module according to the third embodiment, the
上記のように、電子冷却器12と棚部13を橋渡しする伝送線路基板41を設けたことで、高周波特性を劣化させる原因となる金ワイヤ42のワイヤ長を短くすることができるため、実施の形態2に比べて高周波特性が更に向上する。
As described above, since the
また、電子冷却器12と棚部13を橋渡しする伝送線路基板32,41を熱伝導率の小さい素材を用いて作成すれば、伝送線路基板32,41を通じて電子冷却器12に流入する熱量を抑えられ、電子冷却器12での消費電力を小さくすることができる。
In addition, if the
実施の形態4.
図5(a)は本発明の実施の形態4に係る半導体光モジュールを示す上面図であり、図5(b)はその断面図である。図3と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 5A is a top view showing a semiconductor optical module according to Embodiment 4 of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view thereof. Constituent elements similar to those in FIG.
本実施の形態4に係る半導体モジュールでは、電界吸収型変調器14と終端抵抗17を接続する第2の伝送線路を伝送線路基板51で構成している。この伝送線路基板51は、電子冷却器12の上面から棚部13の上面までを橋渡しするように設けられている。そして、終端抵抗17が伝送線路基板51と一体化している。
In the semiconductor module according to the fourth embodiment, the second transmission line connecting the
上記のように、終端抵抗17と伝送線路基板51を一体化することで、双方の接続に金ワイヤを使用する必要がなくなるため、実施の形態3に比べて高周波特性が更に向上する。
As described above, since the
実施の形態5.
図6(a)は本発明の実施の形態5に係る半導体光モジュールを示す上面図であり、図6(b)はその断面図である。図3と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
Embodiment 5 FIG.
FIG. 6A is a top view showing a semiconductor optical module according to Embodiment 5 of the present invention, and FIG. 6B is a cross-sectional view thereof. Constituent elements similar to those in FIG.
本実施の形態5に係る半導体モジュールでは、入力端子20と電界吸収型変調器14を接続する第1の伝送線路、及び、電界吸収型変調器14と終端抵抗17を接続する第2の伝送線路を1つの伝送線路基板61で構成している。この伝送線路基板61は、電子冷却器12の上面から棚部13の上面までを橋渡しするように設けられている。そして、終端抵抗17が伝送線路基板61と一体化している。
In the semiconductor module according to the fifth embodiment, the first transmission line connecting the
上記のように、第1の伝送線路及び第2の伝送線路を1つの伝送線路基板61で構成することで、使用する部品の点数を減らすことができるため、低コストでモジュールを作製することができる。
As described above, since the first transmission line and the second transmission line are configured with one
実施の形態6.
図7(a)は本発明の実施の形態6に係る半導体光モジュールを示す上面図であり、図7(b)はその断面図である。図6と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
Embodiment 6 FIG.
FIG. 7A is a top view showing a semiconductor optical module according to Embodiment 6 of the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view thereof. Constituent elements similar to those in FIG.
本実施の形態6に係る半導体モジュールでは、電子冷却器12上の電界吸収型変調器14、サーミスタ15及びモニタフォトダイオード16等に電力を供給するための給電用配線71を伝送線路基板61に一体化している。
In the semiconductor module according to the sixth embodiment, a power supply wiring 71 for supplying power to the
上記のように、給電用配線71を伝送線路基板61に一体化することで、使用する部品の点数を実施の形態5に比べて更に減らすことができるため、更に低コストでモジュールを作製することができる。
As described above, by integrating the power supply wiring 71 with the
実施の形態7.
本実施の形態7に係る半導体モジュールでは、図7に示す伝送線路基板61をフレキシブル基板で構成する。フレキシブル基板は通常のセラミック基板と比べて非常に薄いために熱抵抗が大きい。これにより、伝送線路基板61を通じて電子冷却器12に流入する熱量を抑えられ、電子冷却器12での消費電力を小さくすることができる。
Embodiment 7 FIG.
In the semiconductor module according to the seventh embodiment, the
実施の形態8.
図8(a)は本発明の実施の形態8に係る半導体光モジュールを示す上面図であり、図8(b)はその断面図である。図7と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
Embodiment 8 FIG.
FIG. 8A is a top view showing a semiconductor optical module according to Embodiment 8 of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view thereof. Constituent elements similar to those in FIG.
本実施の形態8に係る半導体モジュールでは、電子冷却器12の上面と棚部13の上面は高さが異なっており、それらの間には段差がある。これにより、伝送線路基板61の橋渡しする距離が長くなるため、段差がない場合に比べて伝送線路基板61の熱抵抗を大きくすることができる。従って、伝送線路基板61を通じて電子冷却器12に流入する熱量を抑えられ、電子冷却器12での消費電力を小さくすることができる。
In the semiconductor module according to the eighth embodiment, the upper surface of the
また、伝送線路基板61をフレキシブル基板で構成すれば、フレキシブル基板は通常のセラミック基板とは異なり折り曲げることができるため、段差を吸収して橋渡しを行うことができる。
Further, if the
11 パッケージ
12 電子冷却器
13 棚部
14 電界吸収型変調器
17 終端抵抗
18,33,42 金ワイヤ
20 入力端子
21 キャパシタ
23 インダクタ
24 端子
22,31,32,33,41,51,61 伝送線路基板
71 給電用配線
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記パッケージ内に設けられた電子冷却器と、
前記電子冷却器上に設けられた電界吸収型変調器と、
前記パッケージ内に前記電子冷却器とは分離して設けられた棚部と、
前記棚部上に設けられ、前記電界吸収型変調器と接続された終端抵抗と、
前記電界吸収型変調器に信号を入力する入力端子と、
前記入力端子と前記電界吸収型変調器の間に接続されたキャパシタと、
前記電界吸収型変調器及び前記終端抵抗に対して並列に接続されたインダクタと、
前記電界吸収型変調器のアノード側の電位を調整する端子を有することを特徴とする半導体光モジュール。 A hermetically sealed package;
An electronic cooler provided in the package;
An electroabsorption modulator provided on the electronic cooler;
A shelf provided separately from the electronic cooler in the package;
A termination resistor provided on the shelf and connected to the electroabsorption modulator;
An input terminal for inputting a signal to the electroabsorption modulator;
A capacitor connected between the input terminal and the electroabsorption modulator;
An inductor connected in parallel to the electroabsorption modulator and the termination resistor;
A semiconductor optical module comprising a terminal for adjusting a potential on the anode side of the electroabsorption modulator.
前記パッケージ内に設けられた電子冷却器と、
前記電子冷却器上に設けられた電界吸収型変調器と、
前記パッケージ内に前記電子冷却器とは分離して設けられた棚部と、
前記棚部上に設けられ、前記電界吸収型変調器と接続された終端抵抗と、
前記電界吸収型変調器に変調信号を入力する入力端子と、
前記入力端子と前記電界吸収型変調器を接続する第1の伝送線路と、
前記電界吸収型変調器と前記終端抵抗を接続する第2の伝送線路を有することを特徴とする半導体光モジュール。 A hermetically sealed package;
An electronic cooler provided in the package;
An electroabsorption modulator provided on the electronic cooler;
A shelf provided separately from the electronic cooler in the package;
A termination resistor provided on the shelf and connected to the electroabsorption modulator;
An input terminal for inputting a modulation signal to the electroabsorption modulator;
A first transmission line connecting the input terminal and the electroabsorption modulator;
A semiconductor optical module comprising a second transmission line connecting the electroabsorption modulator and the termination resistor.
前記第2の伝送線路は、前記電界吸収型変調器から前記電子冷却器の端までに存在することを特徴とする請求項2に記載の半導体光モジュール。 A wire connecting the second transmission line and the termination resistor;
The semiconductor optical module according to claim 2, wherein the second transmission line exists from the electroabsorption modulator to an end of the electronic cooler.
前記第2の伝送線路は、前記電子冷却器の上面から前記棚部の上面までを橋渡しする基板で構成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体光モジュール。 A wire connecting the second transmission line and the termination resistor;
3. The semiconductor optical module according to claim 2, wherein the second transmission line includes a substrate that bridges from the upper surface of the electronic cooler to the upper surface of the shelf.
前記終端抵抗は、前記基板と一体化していることを特徴とする請求項2に記載の半導体光モジュール。 The second transmission line is composed of a substrate that bridges from the upper surface of the electronic cooler to the upper surface of the shelf,
The semiconductor optical module according to claim 2, wherein the termination resistor is integrated with the substrate.
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