JP2005228743A - 電子ビーム検査および欠陥の精査のための改善されたプリズムアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷電粒子を用いて基板を検査するための装置(100)は、照射光学系(102)、対物光学系(104)、投影光学系(106)、及びビームセパレータ(108)を含む。ビームセパレータ(108)は、照射光学系から入射ビームを受け取り、その入射ビームを対物光学系の方へ曲げるように構成され、及び対物光学系から散乱ビームを受け取り、その散乱ビームを投影光学系の方へ曲げるようにも構成される。ビームセパレータ(108)は、中央磁気セクタ(204)、中央磁気セクタの外側にある内側磁気セクタ(206)、及び内側磁気セクタの外側にある外側磁気セクタ(208)を含む磁気プリズムアレイ(202)からなる。内側セクタ及び外側セクタの各々は、アライメント及び集束の目的のために独立して調整可能な場の強度を有するように構成され得る。
【選択図】図1
Description
E.Baur著、「Low energy electron microscopy」Rep.Prog.Phys. 57、1994年、p.895 V.Kolarik他著、「Close packed prism arrays for electron microscopy」Optik 87 No.1、1991年、p.1 Rose他著、「Outline of a versatile corrected LEEM」Optik 92 No.1、1992年、p.31
102 照射光学系
104 対物光学系
106 投影光学系
108 ビームセパレータ
112 基板
116 検出システム
202 磁気プリズムアレイ
204 中央磁気セクタ
206a−206d 内側磁気セクタ
208a−208d 外側磁気セクタ
Claims (20)
- 荷電粒子を用いて基板を検査するための装置であって、
入射荷電粒子ビームを生成するように構成された照射サブシステムと、
前記入射ビームを受け取り、前記基板上へと前記入射ビームを集束し、かつ前記基板からの散乱ビームを取り出すように構成された対物レンズサブシステムと、
前記散乱ビームを受け取り、前記散乱ビームを検出器上へと投影するように構成された投影サブシステムと、及び
前記照射サブシステム、前記対物レンズサブシステム、及び前記投影サブシステムに結合され、かつ前記照射サブシステム、前記対物レンズサブシステム、及び前記投影サブシステムを相互接続するビームセパレータとを含み、
前記ビームセパレータが、前記照射サブシステムから入射ビームを受け取り、前記入射ビームを前記対物レンズサブシステムの方へ曲げ、前記対物レンズサブシステムから前記散乱ビームを受け取り、前記散乱ビームを前記投影サブシステムの方へ曲げるように構成され、
前記ビームセパレータが、中央磁気セクタ、前記中央磁気セクタの外側に配置された内側磁気セクタ、及び前記内側磁気セクタの外側に配置された外側磁気セクタを含む磁気プリズムアレイを含む、装置。 - 前記中央セクタが、第1の場の強度の第1の磁界を生成し、各内側セクタが、第2の場の強度の第2の磁界を生成し、及び各外側セクタが、第3の場の強度の第3の磁界を生成する、請求項1の装置。
- 前記第1の磁界が第1の角度のビーム屈折を生じさせ、前記第2の磁界が第2の角度のビーム屈折を生じさせ、前記第3の磁界が第3の角度のビーム屈折を生じさせる、請求項2の装置。
- 前記第1の角度、前記第2の角度の2倍の角度、及び前記第3の角度の2倍の角度の合計が、約90度の曲げ角度になる、請求項3の装置。
- 前記内側セクタと外側セクタの各々が、独立して調整可能な場の強度を有するように構成される、請求項4の装置。
- 前記装置が低エネルギー電子顕微鏡を含み、前記入射ビームが入射電子からなり、前記散乱ビームが反射された電子からなる、請求項5の装置。
- 前記内側セクタが直線状のエッジと直角でもって構成される、請求項1の装置。
- 前記外側セクタが直線状のエッジと直角でもって構成される、請求項1の装置。
- 前記磁気プリズムアレイは、前記入射ビームが第1の外側セクタ、第1の内側セクタ、中央区域、第2の内側セクタ、及び第2の外側セクタを通過するように構成される、請求項1の装置。
- 前記プリズムアレイは、前記散乱ビームが前記第2の外側セクタ、前記第2の内側セクタ、前記中央区域、第3の内側セクタ、及び第3の外側セクタを通過するように更に構成される、請求項9の装置。
- 電子ビーム検査装置において使用するためのビームセパレータであって、
中央磁気セクタと、
前記中央磁気セクタの外側にある内側磁気セクタと、及び
前記内側磁気セクタの外側にある外側磁気セクタとを含み、
前記中央磁気セクタが、第1の場の強度の第1の磁界を生成し、各内側磁気セクタが、第2の場の強度の第2の磁界を生成し、及び各外側磁気セクタが、第3の場の強度の第3の磁界を生成する、ビームセパレータ。 - 前記第1の磁界が第1の角度のビーム屈折を生じさせ、前記第2の磁界が第2の角度のビーム屈折を生じさせ、前記第3の磁界が第3の角度のビーム屈折を生じさせ、前記第1の角度、前記第2の角度の2倍の角度、及び前記第3の角度の2倍の角度の合計が、約90度の曲げ角度になる、請求項11のビームセパレータ。
- 前記内側セクタと外側セクタの各々が、独立して調整可能な場の強度を有するように構成される、請求項12のビームセパレータ。
- 荷電粒子を用いて基板を検査する方法であって、その方法が、
入射荷電粒子ビームを生成するステップと、
第1の外側磁気セクタ、第1の内側磁気セクタ、中央磁気セクタ、第2の内側磁気セクタ、及び第2の外側磁気セクタを通して前記入射ビームを曲げるステップと、
前記入射ビームを基板に集束するステップと、
反射された荷電粒子ビームを取り出すステップと、
前記反射されたビームを、前記第2の外側磁気セクタ、前記第2の内側磁気セクタ、前記中央磁気セクタ、第3の内側磁気セクタ、及び第3の外側磁気セクタを通して曲げるステップと、
前記反射されたビームを検出システムに投影するステップとを含む、方法。 - 前記入射ビームが、約90度の角度まで曲げられる、請求項14の方法。
- 前記反射されたビームが、約90度の角度まで曲げられる、請求項15の方法。
- 前記磁気セクタの磁界強度が、独立して調整可能である、請求項16の方法。
- 前記内側磁気セクタの磁界強度を変更することが、前記中央磁気セクタ及び前記外側磁気セクタの有効長を変更することである、請求項17の方法。
- 前記荷電粒子が電子からなる、請求項18の方法。
- 低エネルギー電子ビーム検査装置であって、
入射荷電粒子ビームを生成するための手段と、
前記入射ビームを基板へと減速させて集束するための手段と、
反射された荷電粒子ビームを加速して再び集束するための手段と、
二次元イメージを形成するために、前記反射されたビームを検出システムへ投影するための手段と、及び
第1の外側磁気セクタ、第1の内側磁気セクタ、中央磁気セクタ、第2の内側磁気セクタ、及び第2の外側磁気セクタを通して前記入射ビームを曲げるように構成され、かつ前記第2の外側磁気セクタ、前記第2の内側磁気セクタ、前記中央磁気セクタ、第3の内側磁気セクタ、及び第3の外側磁気セクタを通して、前記反射されたビームを曲げるように更に構成されている、磁気プリズムアレイとを含む、低エネルギー電子ビーム検査装置。
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US7009177B1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-03-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and method for tilted particle-beam illumination |
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DE102008062888B4 (de) * | 2008-12-23 | 2010-12-16 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Teilchenoptische Vorrichtung mit Magnetanordnung |
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US8586923B1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-11-19 | International Business Machines Corporation | Low-voltage transmission electron microscopy |
CZ304659B6 (cs) * | 2013-04-19 | 2014-08-20 | Delong Instruments A.S. | Způsob detekce signálních elektronů v elektronovém mikroskopu a zařízení pro provádění tohoto způsobu |
US9523645B2 (en) * | 2014-10-20 | 2016-12-20 | Exnodes Inc. | Lenticular wafer inspection |
DE112016006424T5 (de) * | 2016-03-16 | 2018-11-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defektinspektionsverfahren und Defektinspektionsvorrichtung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205687A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-08-13 | Carl Zeiss:Fa | 鏡補正器を有する、荷電素粒子ビーム用結像系 |
WO2002067286A2 (de) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlsystem mit einem spiegelkorrektor |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6586733B1 (en) * | 1999-05-25 | 2003-07-01 | Kla-Tencor | Apparatus and methods for secondary electron emission microscope with dual beam |
US6803571B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-10-12 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for dual-energy e-beam inspector |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205687A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-08-13 | Carl Zeiss:Fa | 鏡補正器を有する、荷電素粒子ビーム用結像系 |
WO2002067286A2 (de) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlsystem mit einem spiegelkorrektor |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009528668A (ja) * | 2006-02-28 | 2009-08-06 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 収差補正カソード・レンズ顕微鏡機器 |
US7863565B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-01-04 | Hitachi, Ltd. | Electron beam inspection method and electron beam inspection apparatus |
US8288722B2 (en) | 2007-06-19 | 2012-10-16 | Hitachi, Ltd. | Electron beam inspection method and electron beam inspection apparatus |
WO2009045121A1 (fr) | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Viacheslav Danilovich Sachenko | Système optique corpusculaire de formation d'image (variantes) |
US10304657B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-05-28 | Hitachi, Ltd. | Mirror ion microscope and ion beam control method |
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