JP2005216991A - Lead frame, molding apparatus, and molding method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame, a molding apparatus, and a molding method, which suppress a warp of a semiconductor package after molding it and keeps the manufacturing cost of the lead frame low. <P>SOLUTION: The lead frame 4 comprises a die pad 4a having a bearing surface on which a semiconductor element 6 is placed, and a hanging lead for the die pad 4a. The hanging lead is of a nonlinear shape, and has an elastic function to be able to displace the die pad 4a vertically relative to the bearing surface. The molding apparatus comprises an upper die 1; a lower die 2 which can be thrusted to meet the upper die 1, has a through-hole bored vertically, and forms a given cavity 3a when meets the upper die 1; and a pin 8 which is inserted in the through-hole to be movable vertically, and pushes the die pad 4a placed in the cavity 3a from below upon molding. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、リードフレーム、モールド成形装置およびモールド成形方法に関するものである。   The present invention relates to a lead frame, a molding apparatus, and a molding method.

従来より、半導体素子が実装されたリードフレームに対してモールド成形処理を施すことにより、半導体パッケージが製造されている。当該モールド成形処理は、上金型、下金型、所定の形状のリードフレーム、およびモールド成形装置を用いて行われている。   Conventionally, a semiconductor package is manufactured by performing a molding process on a lead frame on which a semiconductor element is mounted. The molding process is performed using an upper mold, a lower mold, a lead frame having a predetermined shape, and a molding apparatus.

上金型と下金型とを衝合させることにより、所定の空洞が両金型間に生じる。また、リードフレームは、ダイパッドと、枠部と、略直線形状の吊リードと、複数のリードとを備えている。ここで、ダイパッド、枠部、吊リードと、各リードは、一体的に形成されている。また吊リードは、枠部に対してダイパッドを懸吊させるための部材である。   By bringing the upper mold and the lower mold into contact with each other, a predetermined cavity is created between the two molds. The lead frame includes a die pad, a frame portion, a substantially linear suspension lead, and a plurality of leads. Here, the die pad, the frame portion, the suspension lead, and each lead are integrally formed. The suspension lead is a member for suspending the die pad from the frame portion.

上金型と下金型との衝合に際して、当該衝合部にリードフレームの枠部の一部を挟み込む。こうすることにより、上金型と下金型とを衝合させた状態で、両金型間に生じる空洞内にリードフレームを固定することができる。   When the upper mold and the lower mold are abutted, a part of the frame portion of the lead frame is sandwiched between the abutting portions. By doing so, the lead frame can be fixed in the cavity generated between the two molds in a state where the upper mold and the lower mold are brought into contact with each other.

そして、モールド成形装置に添え付けられており、上記リードフレームの固定済みの金型内に生ずる空洞内に、モールド樹脂を流し込む。以上により、モールド成形処理が実行されていた。   Then, the mold resin is attached to the molding apparatus, and the mold resin is poured into a cavity formed in the mold fixed to the lead frame. As described above, the molding process has been executed.

ところで、従来より、モールド成形処理後の半導体パッケージは、どちらか一方の主面側に、凹状（または凸状）に反るという問題が発生していた。半導体パッケージの反りは、リードフレーム、半導体素子、およびモールド樹脂等の熱膨張係数の違いにより発生する。特に、半導体パッケージの反りは、モールド樹脂の樹脂厚および、リードフレーム上に実装される半導体素子の縦構造寸法に大きく依存している。   Incidentally, conventionally, there has been a problem that a semiconductor package after the molding process warps in a concave shape (or a convex shape) on one of the main surface sides. The warpage of the semiconductor package occurs due to the difference in thermal expansion coefficient between the lead frame, the semiconductor element, the mold resin, and the like. In particular, the warpage of the semiconductor package greatly depends on the resin thickness of the mold resin and the vertical structure dimensions of the semiconductor element mounted on the lead frame.

したがって、半導体パッケージの反りを抑制するためには、半導体素子の縦構造寸法を特定する必要がある。そして、上述の寸法の特定をした上で、金型内に固定されているリードフレームの上下における、モールド樹脂の各樹脂厚を最適な値にする必要がある。   Therefore, in order to suppress the warpage of the semiconductor package, it is necessary to specify the vertical structure dimension of the semiconductor element. And after specifying the above-mentioned dimension, it is necessary to make each resin thickness of mold resin the optimal value in the upper and lower sides of the lead frame currently fixed in the metallic mold.

そこで、応力シミュレーション等を用いて、半導体素子の縦構造寸法を特定した状態での、リードフレーム上方のモールド樹脂の樹脂厚および、リードフレーム下方のモールド樹脂の樹脂厚を決定していた。そして、リードフレームの上下面上において、当該決定した樹脂厚の樹脂が形成されるように、金型内のダイパッドの上下位置を決定していた。そして、実際に金型内にリードフレームが固定されている状態で、ダイパッドが前述の決定した位置に存するように、当該リードフレームの形状を定めていた。   Therefore, the resin thickness of the mold resin above the lead frame and the resin thickness of the mold resin below the lead frame in a state where the vertical structure dimensions of the semiconductor element are specified are determined using stress simulation or the like. The upper and lower positions of the die pad in the mold are determined so that the resin having the determined resin thickness is formed on the upper and lower surfaces of the lead frame. Then, the shape of the lead frame is determined so that the die pad is in the determined position in a state where the lead frame is actually fixed in the mold.

つまり、半導体素子の縦構造寸法に応じて、リードフレームの形状が定められていた。   That is, the shape of the lead frame is determined according to the vertical structure dimension of the semiconductor element.

本発明に関連する従来技術として、例えば、特許文献１，２等がある。   As conventional techniques related to the present invention, for example, there are Patent Documents 1 and 2 and the like.

特開平１１−３４０４０３号公報JP 11-340403 A 特開平８−１６２４８６号公報JP-A-8-162486

上記のように、リードフレーム形状は、半導体素子の縦構造寸法等に応じて、決定されていた。したがって、半導体素子の縦構造寸法等が変更（例えば、半導体素子のスタック段数の変更等）される度に、新たに、当該構造寸法等に最適なリードフレームを製造する必要がある。   As described above, the lead frame shape has been determined according to the vertical structure dimensions of the semiconductor element and the like. Therefore, every time the vertical structural dimension or the like of the semiconductor element is changed (for example, the number of stack stages of the semiconductor element is changed), it is necessary to newly manufacture a lead frame optimum for the structural dimension or the like.

このように、半導体素子の縦構造寸法等が変更される度に、リードフレームを製造する必要があるので、リードフレームの製造コストが高くならざるを得なかった。   As described above, since it is necessary to manufacture a lead frame each time the vertical structural dimension of the semiconductor element is changed, the manufacturing cost of the lead frame has to be increased.

また、上記のように新たに、半導体素子の縦構造寸法等に応じて、最適な形状・寸法のリードフレームを製造したとしても、モールド成形処理を施す前に行われるダイボンドやワイヤボンド工程によって、リードフレームのダイパッドの上下位置が変化してしまう。   In addition, as described above, even if a lead frame having an optimum shape and size is manufactured according to the vertical structure dimensions of the semiconductor element, etc., by the die bonding or wire bonding process performed before the molding process, The vertical position of the die pad of the lead frame changes.

したがって、折角適正な形状のリードフレームを作成したとしても、ダイボンド工程等を施し、その後にモールド成形処理を施した後の半導体パッケージには、無視できない反りが発生してしまう。   Therefore, even if a lead frame having an appropriate shape is produced, a warp that cannot be ignored is generated in the semiconductor package after the die bonding process or the like and then the molding process.

そこで、この発明は、モールド成形後の半導体パッケージの反りを抑制することができ、かつ、リードフレームの製造コストを低く抑えることができる、リードフレーム、モールド成形装置およびモールド成形方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a lead frame, a molding apparatus, and a molding method that can suppress warpage of the semiconductor package after molding and can reduce the manufacturing cost of the lead frame. Objective.

上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載のリードフレームは、半導体素子を搭載するための載置面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの吊リードとを備え、前記吊リードは、非直線形状であり、前記ダイパッドを前記載置面に垂直方向に変位可能な弾性機能を有する。   In order to achieve the above object, a lead frame according to claim 1 of the present invention includes a die pad having a mounting surface for mounting a semiconductor element, and a suspension lead of the die pad, and the suspension lead. Is a non-linear shape and has an elastic function capable of displacing the die pad in a direction perpendicular to the mounting surface.

また、本発明に係る請求項４に記載のモールド成形装置は、上金型と、前記上金型と衝合可能であり、上下方向に穿設されている貫通孔を有しており、前記上金型との衝合により、所定の空洞を発生させる下金型と、前記貫通孔に挿入され、前記上下方向に移動可能であり、モールド成形時に前記空洞内に配置されるダイパッドを下方向から押すピンとを備えている。   Moreover, the molding apparatus according to claim 4 of the present invention includes an upper mold, a through hole that can be abutted with the upper mold, and is formed in the vertical direction, A lower mold that generates a predetermined cavity by abutting with the upper mold, and a die pad that is inserted into the through-hole and is movable in the vertical direction, and disposed in the cavity at the time of molding is moved downward. It has a pin to push from.

また、本発明に係る請求項６に記載のモールド成形方法は、（ａ）請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のリードフレームが備えるダイパッドに、半導体素子を搭載する工程と、（ｂ）請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備える、上金型と下金型とを衝合することにより発生する空洞内に、前記半導体素子が搭載されたダイパッドを配置する工程と、（ｃ）モールド成形時に、請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備えるピンにより、前記空洞内に配置された前記半導体素子が搭載されたダイパッドを下方向から押しながら、モールド樹脂を前記空洞内に注入する工程とを備えている。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a mold forming method comprising: (a) a step of mounting a semiconductor element on a die pad included in a lead frame according to any one of the first to third aspects; And a step of disposing a die pad on which the semiconductor element is mounted in a cavity generated by abutment of an upper mold and a lower mold provided in the molding apparatus according to claim 4 or 5. (C) At the time of molding, a mold resin is used while pressing a die pad on which the semiconductor element arranged in the cavity is mounted from below with a pin included in the molding apparatus according to claim 4 or 5. Injecting into the cavity.

本発明の請求項１に記載のリードフレームは、半導体素子を搭載するための載置面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの吊リードとを備え、前記吊リードは、非直線形状であり、前記ダイパッドを前記載置面に垂直方向に変位可能な弾性機能を有するので、当該リードフレームをモールド成形金型に挟着した状態で、ダイパッドに対して上下方向の力を加えると、吊リードの弾性機能により、当該ダイパッドは上下方向に移動可能となる。したがって、ダイパッドに搭載される半導体素子の縦寸法等の構造が異なっても、同一仕様のリードフレームを採用することができる。よって、搭載される半導体素子の縦寸法が変わる度に、リードフレームを形成する必要がなくなり、リードフレームの製造コストの低減を図ることができる。また、モールド成形処理前の工程（例えば、ダイパンドやワイヤボンド等の工程）により、ダイパッドの上下位置が変動しても、本発明に係るリードフレームを採用することにより、モールド成形処理の際に、ダイパッドの上下位置のズレを是正することができる。   The lead frame according to claim 1 of the present invention includes a die pad having a mounting surface for mounting a semiconductor element, and a suspension lead of the die pad, and the suspension lead has a non-linear shape, and the die pad Has an elastic function that can be displaced in the vertical direction with respect to the mounting surface, and when a vertical force is applied to the die pad while the lead frame is sandwiched between molds, the elastic function of the suspended lead Thus, the die pad can be moved in the vertical direction. Therefore, even if the semiconductor elements mounted on the die pad have different structures such as vertical dimensions, lead frames having the same specifications can be employed. Therefore, it is not necessary to form a lead frame each time the vertical dimension of the mounted semiconductor element changes, and the manufacturing cost of the lead frame can be reduced. In addition, even if the vertical position of the die pad fluctuates due to a process before the mold forming process (for example, a process such as die-pand or wire bonding), by adopting the lead frame according to the present invention, The misalignment of the vertical position of the die pad can be corrected.

本発明の請求項４に記載のモールド成形装置は、上金型と、前記上金型と衝合可能であり、上下方向に穿設されている貫通孔を有しており、前記上金型との衝合により、所定の空洞を発生させる下金型と、前記貫通孔に挿入され、前記上下方向に移動可能であり、モールド成形時に前記空洞内に配置されるダイパッドを下方向から押すピンとを備えているので、ダイパッドに搭載される半導体素子の縦構造寸法等が変更されたとしても、当該縦構造寸法の変更に合わせて、空洞内に配置されたダイパッドの上下位置を適正な位置（モールド処理終了後の半導体パッケージの反りを最小限に抑えることができる位置）移動させることができる。したがって、搭載される半導体素子の縦構造寸法等が変更されても、同一仕様のリードフレームを用いてモールド処理を施すことができる。よって、半導体パッケージの反りを抑制することができると伴に、リードフレームの製造コストを従来より抑えることができる。また、モールド成形処理前に、ダイボンド工程やワイヤボンディング工程等を施し、リードフレームのダイパッドの上下位置が多少シフトとしたとする。しかし、請求項４に係る発明では、モールド成形処理を行う直前に、ピンによりダイパッドを適正な位置に移動させることができる。したがって、ダイボンド工程等によるダイパッドの上下位置がシフトしても、当該シフトとを是正することができ、当該ダイボンド工程等に起因する半導体パッケージの反りも抑制することができる。また、請求項４に係る発明では、モールド処理の最中においても、ピンによってリードフレームは下方向に支持（固定）されているので、モールド樹脂の流れにより、当該リードフレームが下方向にシフトすることも防止することができる。したがって、リードフレームの下方向のシフトに起因する、モールド成形後の半導体パッケージの反りを、より抑制することができる。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a molding apparatus comprising: an upper mold; and a through hole that can be brought into contact with the upper mold and is formed in a vertical direction. A lower mold that generates a predetermined cavity by a collision with the pin, and a pin that is inserted into the through-hole and is movable in the vertical direction and pushes a die pad disposed in the cavity during molding from below. Even if the vertical structure dimensions of the semiconductor element mounted on the die pad are changed, the vertical position of the die pad arranged in the cavity is adjusted to an appropriate position ( The semiconductor package can be moved at a position where warpage of the semiconductor package after the molding process can be minimized. Therefore, even if the vertical structure dimensions and the like of the mounted semiconductor element are changed, the molding process can be performed using the lead frame having the same specification. Therefore, it is possible to suppress the warpage of the semiconductor package and to reduce the manufacturing cost of the lead frame as compared with the conventional case. Further, it is assumed that the die bonding process, the wire bonding process, and the like are performed before the mold forming process, and the vertical position of the die pad of the lead frame is slightly shifted. However, in the invention according to claim 4, the die pad can be moved to an appropriate position by the pin immediately before performing the molding process. Therefore, even if the vertical position of the die pad is shifted due to the die bonding process or the like, the shift can be corrected, and the warpage of the semiconductor package due to the die bonding process or the like can be suppressed. Further, in the invention according to claim 4, since the lead frame is supported (fixed) downward by the pins even during the molding process, the lead frame is shifted downward by the flow of the molding resin. This can also be prevented. Therefore, warpage of the semiconductor package after molding due to the downward shift of the lead frame can be further suppressed.

本発明の請求項６に記載のモールド成形方法は、（ａ）請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のリードフレームが備えるダイパッドに、半導体素子を搭載する工程と、（ｂ）請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備える、上金型と下金型とを衝合することにより発生する空洞内に、前記半導体素子が搭載されたダイパッドを配置する工程と、（ｃ）モールド成形時に、請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備えるピンにより、前記空洞内に配置された前記半導体素子が搭載されたダイパッドを下方向から押しながら、モールド樹脂を前記空洞内に注入する工程とを備えているので、上記各効果と同様な効果を得ることができる。   The molding method according to claim 6 of the present invention includes: (a) a step of mounting a semiconductor element on a die pad included in the lead frame according to any one of claims 1 to 3; and (b) claim. A step of disposing a die pad on which the semiconductor element is mounted in a cavity generated by abutment of an upper mold and a lower mold, provided in the molding apparatus according to claim 4 or 5; ) At the time of molding, the mold resin is inserted into the cavity while pushing the die pad on which the semiconductor element arranged in the cavity is mounted from below with the pins included in the molding apparatus according to claim 4 or 5. Since it is provided with a step of injecting into the inside, effects similar to the above effects can be obtained.

以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings showing embodiments thereof.

＜実施の形態１＞
図１〜３を用いて、本実施の形態に係るモールド成形金型の構造を説明する。 <Embodiment 1>
The structure of the molding die according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図１は、上金型の断面を示す図である。図２は、下金型の断面を示す図である。図３は、上金型と下金型とを衝合した状態を示す断面図である（つまり、モールド成形金型の断面図である）。   FIG. 1 is a view showing a cross section of an upper mold. FIG. 2 is a view showing a cross section of the lower mold. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the upper mold and the lower mold are brought into contact with each other (that is, a cross-sectional view of the mold).

図１において、上金型１の下面側（下金型２と衝合される側）には、凹部１ａが形成されている。さらに、凹部１ａの側面には、後述するモールド樹脂供給路３ｂ（図３）に対応して凹部１ｂが形成されている。   In FIG. 1, a concave portion 1 a is formed on the lower surface side of the upper die 1 (the side to be brought into contact with the lower die 2). Further, a concave portion 1b is formed on the side surface of the concave portion 1a corresponding to a mold resin supply path 3b (FIG. 3) described later.

また、図２において、下金型２の上面側（上金型１と衝合される側）には、凹部２ａが形成されている。さらに、凹部２ａの側面には、後述するモールド樹脂供給路３ｂ（図３）に対応して凹部２ｂが形成されている。   Further, in FIG. 2, a recess 2 a is formed on the upper surface side of the lower mold 2 (the side that is brought into contact with the upper mold 1). Further, a recess 2b is formed on the side surface of the recess 2a corresponding to a mold resin supply path 3b (FIG. 3) described later.

さらに、下金型２には、下面から上面に至る貫通孔２ｃ，２ｄが穿設されている。ここで、貫通孔２ｃは、下金型２の下面から凹部２ａの底部に至って、凹部２ａのほぼ中央部に穿設されている。また、貫通孔２ｄは、下金型２の下面から凹部２ｄの底部に至って、穿設されている。   Further, the lower mold 2 has through holes 2c and 2d extending from the lower surface to the upper surface. Here, the through-hole 2c extends from the lower surface of the lower mold 2 to the bottom of the recess 2a, and is drilled at substantially the center of the recess 2a. The through-hole 2d is drilled from the lower surface of the lower mold 2 to the bottom of the recess 2d.

貫通孔２ｃとして、従来より使用していたエジェクタピン用の孔をそのまま併用してもよい。   As the through hole 2c, an ejector pin hole that has been conventionally used may be used as it is.

また、図３に示すように、上金型１と下金型２とが衝合（以下、上金型１と下金型２とが衝合された金型をモールド成形金型３と称する）することにより、所定の空洞３ａと、モールド樹脂供給路３ｂとが形成される。ここで、空洞３ａは、凹部１ａと凹部２ａとにより、形成される。空洞３ａの位置は、上金型と下金型から成るモールド成形金型３のほぼ中央部に形成される。また、モールド樹脂供給路３ｂは、凹部１ｂ、凹部２ｂおよび貫通孔２ｄとで形成されている。   Further, as shown in FIG. 3, the upper mold 1 and the lower mold 2 are abutted (hereinafter, the mold in which the upper mold 1 and the lower mold 2 are abutted is referred to as a mold mold 3). ), A predetermined cavity 3a and a mold resin supply path 3b are formed. Here, the cavity 3a is formed by the recess 1a and the recess 2a. The position of the cavity 3a is formed at substantially the center of the molding die 3 composed of an upper die and a lower die. Further, the mold resin supply path 3b is formed by a recess 1b, a recess 2b and a through hole 2d.

空洞３ａには、半導体素子等が搭載されたリードフレームが設置される。また、モールド樹脂供給路３ｂには、下金型２の下面側から空洞３ａに向けて、モールド樹脂が注入される。   A lead frame on which a semiconductor element or the like is mounted is installed in the cavity 3a. The mold resin is injected into the mold resin supply path 3b from the lower surface side of the lower mold 2 toward the cavity 3a.

次に、図４に、本発明に係るリードフレームの断面形状を示す。   Next, FIG. 4 shows a cross-sectional shape of the lead frame according to the present invention.

図４に示すように、リードフレーム４は、ダイパッド４ａ、枠部４ｂ、吊リード４ｃおよび複数のリード（図示せず）から構成されている。なお、各部４ａ，４ｂ，４ｃ等は、一体的である。また、リードフレーム４は、例えば鉄や銅製である。   As shown in FIG. 4, the lead frame 4 includes a die pad 4a, a frame portion 4b, a suspension lead 4c, and a plurality of leads (not shown). In addition, each part 4a, 4b, 4c etc. are integral. The lead frame 4 is made of, for example, iron or copper.

ダイパッド４ａには、例えばスタック構造（例えば、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）構造等）の半導体素子が搭載される。   For example, a semiconductor element having a stack structure (for example, a SiP (System in Package) structure) is mounted on the die pad 4a.

また、リードフレーム４のモールド成形処理の際には、図３に示したモールド成形金型３の空洞３ａ内にダイパッド４ａが配置される。ここで、枠部４ｂの一部が、上金型１と下金型２との衝合部において挟まれることにより、ダイパッド４ａは、空洞３ａ内に中空配置される。   Further, when the lead frame 4 is molded, the die pad 4a is disposed in the cavity 3a of the molding die 3 shown in FIG. Here, when a part of the frame portion 4b is sandwiched at the abutting portion between the upper mold 1 and the lower mold 2, the die pad 4a is disposed in the hollow 3a.

また、吊リード４ｃは、枠部４ｂに対してダイパッド４ａを懸吊させるための部材である。本実施の形態において、吊リード４ｃは、所定の曲率を有する曲線形状である。なお、ここでは、吊リード４ｃは、曲線形状のみ開示しているが、これ以外の形状であっても弾性機能を有するものであればよい。しかし、吊リード４ｃの形状を直線形状とした場合には、弾性機能が有効（適当）に働かないため、吊リード４ｃは、非直線形状であれば良い。   The suspension lead 4c is a member for suspending the die pad 4a from the frame portion 4b. In the present embodiment, the suspension lead 4c has a curved shape having a predetermined curvature. Here, only the curved shape of the suspension lead 4c is disclosed, but any shape other than this may be used as long as it has an elastic function. However, since the elastic function does not work effectively (appropriately) when the shape of the suspension lead 4c is a linear shape, the suspension lead 4c may be a non-linear shape.

吊リード４ｃを非直線形状とすることにより、当該吊リード４ｃには、適当な弾性機能が与えられる。したがって、枠部４ｂが上金型１と下金型２とで挟着されている状態において、ダイパッド４ａに対して、図４の上下方向に力を加えると、当該ダイパッド４ａの懸吊位置は、当該上下方向の力に沿って、移動する。   By making the suspension lead 4c non-linear, an appropriate elastic function is given to the suspension lead 4c. Therefore, when a force is applied to the die pad 4a in the vertical direction in FIG. 4 in a state where the frame portion 4b is sandwiched between the upper die 1 and the lower die 2, the suspension position of the die pad 4a is , And move along the vertical force.

特に、吊リード４ｃを曲線形状とすることにより、簡易に当該吊リード４ｃは、適当な弾性機能を有することができる。   In particular, by making the suspension lead 4c into a curved shape, the suspension lead 4c can easily have an appropriate elastic function.

また、ダイパッド４ａの上下移動を容易ならしめるために、吊リード４ｃの剛性を弱くしても良い。   Moreover, in order to make the die pad 4a move up and down easily, the rigidity of the suspension lead 4c may be weakened.

図５に、モールド成形金型３の空洞３ａ内に、リードフレーム４が配置されている様子を示す。ここで、ダイパッド４ａ上には、スタック構造の半導体素子６が搭載されている。また、半導体素子６とリードフレーム４とは、ワイヤ７により電気的に接続されている（厳密には、半導体素子６と図示していない各リードと接続されている。図５では、簡略したため、このようには、なっていない）。   FIG. 5 shows a state in which the lead frame 4 is disposed in the cavity 3 a of the molding die 3. Here, the semiconductor element 6 having a stack structure is mounted on the die pad 4a. Further, the semiconductor element 6 and the lead frame 4 are electrically connected by a wire 7 (strictly speaking, the semiconductor element 6 and each lead (not shown) are connected. In FIG. 5, for simplicity, Not like this).

図５に示しているように、リードフレーム４の枠部４ｂの一部が、上金型１と下金型２との衝合部において、挟着されている。当該枠部４ｂの挟着により、ダイパッド４ａは、空洞３ａ内の所定の位置に中空配置される。なお、図５では、簡略化のため枠部４ｂが挟着されてい状況を示さず、上金型１と下金型２とが直に接続させている。また、金型の外側においても枠部４ｂが食み出すが、当該様子も簡略化のため図５には図示してない。   As shown in FIG. 5, a part of the frame portion 4 b of the lead frame 4 is sandwiched at the abutting portion between the upper mold 1 and the lower mold 2. By sandwiching the frame portion 4b, the die pad 4a is hollowly arranged at a predetermined position in the cavity 3a. In addition, in FIG. 5, the situation where the frame part 4b is clamped is not shown for simplification, and the upper mold 1 and the lower mold 2 are directly connected. Further, the frame 4b protrudes outside the mold, but this state is not shown in FIG. 5 for the sake of simplicity.

また、図６に示すように、モールド成形装置には、上下方向に移動可能なピン８が設けられている。そして、図５に示したモールド成形金型３でリードフレーム４を挟着した状態において、図６，７に示すように、下金型２に穿設されている貫通孔２ｃに当該ピン８が貫入される。なお、図７は、ダイパッド４ａに対して、ピン８が当接している箇所を拡大した図である。   As shown in FIG. 6, the mold forming apparatus is provided with a pin 8 that is movable in the vertical direction. Then, in a state where the lead frame 4 is sandwiched by the molding die 3 shown in FIG. 5, the pin 8 is inserted into the through hole 2c formed in the lower die 2 as shown in FIGS. Intruded. FIG. 7 is an enlarged view of a portion where the pin 8 is in contact with the die pad 4a.

ピン８は、図８に示すように、円柱部８ａと円錐部８ｂとから構成されている。また、リードフレーム４を挟着しているモールド成形金型３をモールド成形装置に設置すると、図６，７に示すように、ダイパッド４ａの下面においてピン８の円錐部８ｂの先端が当接される。したがって、ピン８の当接により、ピン８が当接される前の状態と比べて、ダイパッド４ａの位置は、吊リード４ｃの弾性機能を利用して上方向に移動する。つまり、ピン８の当接により、ダイパッド４ａは押し上げられる。   As shown in FIG. 8, the pin 8 is composed of a cylindrical portion 8a and a conical portion 8b. When the molding die 3 sandwiching the lead frame 4 is installed in the molding apparatus, the tip of the conical portion 8b of the pin 8 is brought into contact with the lower surface of the die pad 4a as shown in FIGS. The Therefore, the position of the die pad 4a is moved upward by using the elastic function of the suspension lead 4c by the contact of the pin 8 as compared with the state before the pin 8 is contacted. That is, the die pad 4 a is pushed up by the contact of the pins 8.

なお、ピン８は、モールド成形装置によって固定されているモールド成形金型３に対して、上下方向に移動可能である。また、下金型２の貫通孔２ｃの径と、ピン８の円柱部の径とは、隙間よりモールド樹脂が流れ出ない程度に、ほぼ同一である方が望ましい。また、ピン８の先端部の形状は、抜き角を考慮した円錐形状である。   The pin 8 is movable in the vertical direction with respect to the molding die 3 fixed by the molding apparatus. Further, it is desirable that the diameter of the through hole 2c of the lower mold 2 and the diameter of the cylindrical portion of the pin 8 are substantially the same so that the mold resin does not flow out of the gap. Moreover, the shape of the front-end | tip part of the pin 8 is a cone shape which considered the draft angle.

次に、ピン８が当接されている状態において、ピン８を上下方向に可動させ、ダイパッド４ａの位置を適正な位置に調整する。すなわち、ダイパッド４ａの位置は、モールド成形後の半導体パッケージの反りが最小限に抑制できる位置に、調整される。   Next, in a state where the pin 8 is in contact, the pin 8 is moved up and down to adjust the position of the die pad 4a to an appropriate position. That is, the position of the die pad 4a is adjusted to a position where warpage of the semiconductor package after molding can be suppressed to a minimum.

ダイパッド４ａの適正位置は、シミュレーションによって決定してもよく、また、複数個の実測値から半導体パッケージの反りが最小限に抑えられる位置を推測して決定してもよい。   The appropriate position of the die pad 4a may be determined by simulation, or may be determined by estimating a position at which the warpage of the semiconductor package can be minimized from a plurality of actually measured values.

上記のように、ダイパッド４ａの位置を適正位置に調整した後に、ピン８をその状態に維持して、モールド樹脂供給路３ｂを通してモールド樹脂１０を金型内の空洞３ａに注入し（図９参照）、モールド成形処理を施す。そして、最終的に、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体パッケージを形成する。ここで、半導体パッケージの厚さは、通常１．４ｍｍｔ以下である。   As described above, after adjusting the position of the die pad 4a to an appropriate position, the pin 8 is maintained in that state, and the mold resin 10 is injected into the cavity 3a in the mold through the mold resin supply path 3b (see FIG. 9). ), And a molding process is performed. Finally, a semiconductor package such as a QFP (Quad Flat Package) is formed. Here, the thickness of the semiconductor package is usually 1.4 mmt or less.

以上のように、本実施の形態に係るモールド成形金型３、リードフレーム４およびモールド成形装置等を適用することにより、半導体素子６が搭載されているリードフレーム４に対してモールド成形処理を施す前に、モールド成形金型３の空洞３ａ内のダイパッド４ａの位置を自由に移動させることができる。   As described above, the molding process is performed on the lead frame 4 on which the semiconductor element 6 is mounted by applying the molding die 3, the lead frame 4, and the molding apparatus according to the present embodiment. Before, the position of the die pad 4a in the cavity 3a of the molding die 3 can be freely moved.

従来では、ダイパッド４ａに搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更される度に、当該縦構造寸法の変更に合わせて、空洞３ａ内でのダイパッド４ａの上下位置を適正な位置となるように、リードフレーム４の形状を変更していた。すなわち、搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更される度に、新たにリードフレーム４を製造する必要があった。   Conventionally, every time the vertical structure dimension or the like of the semiconductor element 6 mounted on the die pad 4a is changed, the vertical position of the die pad 4a in the cavity 3a becomes an appropriate position in accordance with the change of the vertical structure dimension. As described above, the shape of the lead frame 4 has been changed. In other words, it is necessary to newly manufacture the lead frame 4 each time the vertical structure dimension or the like of the mounted semiconductor element 6 is changed.

しかし、この発明では、ダイパッド４ａに搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更されたとしても、当該縦構造寸法の変更に合わせて、空洞３ａ内でのダイパッド４ａの上下位置を適正な位置（モールド処理終了後の半導体パッケージの反りを最小限に抑えることができる位置）に移動させることができる。   However, according to the present invention, even if the vertical structure dimension of the semiconductor element 6 mounted on the die pad 4a is changed, the vertical position of the die pad 4a in the cavity 3a is appropriately adjusted according to the change of the vertical structure dimension. It can be moved to a position (a position where warpage of the semiconductor package after the molding process can be minimized).

したがって、搭載される半導体素子６の縦構造寸法等が変更されても、同一仕様のリードフレーム４を用いてモールド処理を施すことができる。よって、半導体パッケージの反りを抑制することができると伴に、リードフレーム４の製造コストを従来より抑えることができる。   Therefore, even if the vertical structure dimensions and the like of the semiconductor element 6 to be mounted are changed, the molding process can be performed using the lead frame 4 having the same specification. Therefore, it is possible to suppress the warpage of the semiconductor package and to reduce the manufacturing cost of the lead frame 4 as compared with the related art.

また、モールド成形処理前に、ダイボンド工程やワイヤボンディング工程等を施し、リードフレーム４のダイパッド４ａの上下位置がシフトとしたとする。この場合においても、本発明では、モールド成形処理を行う直前に、ピン８によりダイパッド４ａを適正な位置に移動させることができる。   Further, it is assumed that the die bonding process, the wire bonding process, and the like are performed before the mold forming process, and the vertical position of the die pad 4a of the lead frame 4 is shifted. Even in this case, in the present invention, the die pad 4a can be moved to an appropriate position by the pin 8 immediately before performing the molding process.

したがって、ダイボンド工程等によるダイパッド４ａの上下位置がシフトしても、当該シフトとを是正することができ、当該ダイボンド工程等に起因する半導体パッケージの反りも抑制することができる。   Therefore, even when the vertical position of the die pad 4a is shifted due to the die bonding process or the like, the shift can be corrected, and the warpage of the semiconductor package due to the die bonding process or the like can be suppressed.

また、従来技術に係るモールド成形処理では、枠部４ｂが上金型１と下金型２との衝合部において挟着されることにより、リードフレーム４は、モールド成形金型３の空洞３ａ内の所定の位置に固定される。   Further, in the molding process according to the conventional technique, the frame 4 b is clamped at the abutting portion between the upper mold 1 and the lower mold 2, so that the lead frame 4 has the cavity 3 a of the molding mold 3. It is fixed at a predetermined position.

しかし、従来技術に係るモールド成形処理では、リードフレーム４は、その他の箇所では支持されていない。よって、図１０に示すように、モールド成形金型３の空洞３ａ内にモールド樹脂１０が流し込まれると、半導体素子６を搭載したリードフレーム４は、モールド樹脂１０の流入に伴い、多少上下方向にシフトすることがあった。したがって、当該上下方向のリードフレーム４のシフトに起因して、半導体パッケージの反りが発生することもあった。   However, in the molding process according to the prior art, the lead frame 4 is not supported in other places. Therefore, as shown in FIG. 10, when the mold resin 10 is poured into the cavity 3 a of the molding die 3, the lead frame 4 on which the semiconductor element 6 is mounted moves slightly in the vertical direction as the mold resin 10 flows. There was a shift. Therefore, the semiconductor package may be warped due to the shift of the lead frame 4 in the vertical direction.

ところが、本発明では、モールド成形処理の最中においても、ピン８によってリードフレーム４は下方向に支持（固定）されているので、モールド樹脂１０の流れにより、当該リードフレーム４が下方向にシフトすることも防止することができる。したがって、リードフレーム４の下方向のシフトに起因する、モールド成形後の半導体パッケージの反りを、より抑制することができる（図９参照）。   However, in the present invention, since the lead frame 4 is supported (fixed) downward by the pins 8 even during the molding process, the lead frame 4 is shifted downward by the flow of the mold resin 10. It can also be prevented. Therefore, the warpage of the semiconductor package after molding due to the downward shift of the lead frame 4 can be further suppressed (see FIG. 9).

また、図８で示したように、ピン８の先端部は、抜き角を考慮した円錐形状なので、モールド処理終了後に、モールド成形金型３から当該ピン８を容易に引き抜くことができる。さらに、ピン８の先端部は円錐形状なので、ピン８が存在していたために半導体パッケージ内に発生するボイドの大きさを、ピン８の先端部を円柱形状とする場合よりも、小さくすることができる。   Further, as shown in FIG. 8, the tip of the pin 8 has a conical shape in consideration of the drawing angle, so that the pin 8 can be easily pulled out from the molding die 3 after the molding process is completed. Furthermore, since the tip of the pin 8 has a conical shape, the size of the void generated in the semiconductor package due to the presence of the pin 8 can be made smaller than when the tip of the pin 8 has a cylindrical shape. it can.

＜実施の形態２＞
本実施の形態の特徴を示す図を、図１１に示す。図１１は、ダイパッド４ａを上方から見た平面図である。 <Embodiment 2>
FIG. 11 shows a characteristic of the present embodiment. FIG. 11 is a plan view of the die pad 4a as viewed from above.

図１１に示すように、スタック構造の半導体素子６を搭載しているダイパッド４ａの下面は、４本のピン（ピン自身は図示せず）が当接されている。ダイパッド４ａに付されている×印は、ピン８の当接位置Ｐである。図１１から分かるように、各ピンは、ダイパッド４ａの各コーナ付近において、各々当接されている。   As shown in FIG. 11, four pins (the pins themselves are not shown) are in contact with the lower surface of the die pad 4a on which the semiconductor element 6 having a stack structure is mounted. The x mark attached to the die pad 4 a is the contact position P of the pin 8. As can be seen from FIG. 11, each pin is in contact with each corner in the vicinity of each corner of the die pad 4a.

また、図１２に、半導体素子６が搭載されているリードフレーム４が設置されている、モールド成形金型３の断面図を示す。図１２から分かるように、本実施の形態では、下金型２には、４つ（図１２の断面図には、２つのみが図示されている）の貫通孔２ｃが穿設されている。   FIG. 12 is a sectional view of the molding die 3 in which the lead frame 4 on which the semiconductor element 6 is mounted is installed. As can be seen from FIG. 12, in the present embodiment, the lower mold 2 has four through holes 2c (only two are shown in the sectional view of FIG. 12). .

そして、図１２において、各貫通孔２ｃには、ピン８が各々貫入されており、ピン８の先端部は、ダイパッド４ａの各コーナ部において、当該ダイパッド４ａの下面を支持している。   In FIG. 12, each through hole 2c is inserted with a pin 8, and the tip of the pin 8 supports the lower surface of the die pad 4a at each corner of the die pad 4a.

上記のように、ピン８の本数を増加させることにより、ダイパッド４ａの上下位置制御をより安定して、精度良く行うことができる。   As described above, by increasing the number of pins 8, the vertical position control of the die pad 4a can be performed more stably and accurately.

なお、上記各実施の形態において、ダイパッド４ａに対して吊リード４ｃは、図１３に示すように形成されても良く、また、図１４に示すように形成されても良い。   In each of the above embodiments, the suspension lead 4c may be formed as shown in FIG. 13 with respect to the die pad 4a, or may be formed as shown in FIG.

つまり、図１３に示すように、２つの吊リード４ｃは各々、ダイパッド４ａの左右の辺の中央付近に接続されても良い。また、図１４に示すように、４つの吊リード４ｃは各々、ダイパッド４ａのコーナ部に接続されても良い。   That is, as shown in FIG. 13, each of the two suspension leads 4c may be connected near the center of the left and right sides of the die pad 4a. Further, as shown in FIG. 14, each of the four suspension leads 4c may be connected to a corner portion of the die pad 4a.

ここで、図１３，１４は、ダイパッド４ａを上方から見た平面図である。   Here, FIGS. 13 and 14 are plan views of the die pad 4a as viewed from above.

なお、図１３に示す場合よりも図１４に示す場合の方が、ダイパッド４ａの各辺における上下位置のバラツキをより抑制することができる。   In addition, the case shown in FIG. 14 can suppress the variation of the vertical position in each side of the die pad 4a more than the case shown in FIG.

上金型の断面図である。It is sectional drawing of an upper metal mold | die. 下金型の断面図である。It is sectional drawing of a lower metal mold | die. モールド成形金型の断面図である。It is sectional drawing of a molding die. リードフレームの断面図である。It is sectional drawing of a lead frame. 半導体素子が搭載されたリードフレームがモールド成形金型に挟着されている様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that the lead frame in which a semiconductor element is mounted is clamped by the molding die. モールド成形金型の空洞に存するリードフレームに対してピンが当接されている様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that the pin is contact | abutted with respect to the lead frame which exists in the cavity of a molding die. リードフレーム（ダイパッド）にピンが当接されている様子を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows a mode that the pin is contact | abutted by the lead frame (die pad). ピンの側面形状を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the side surface shape of a pin. 実施の形態１に係るモールド成形金型の空洞内にモールド樹脂が流し込まれる様子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where a mold resin is poured into a cavity of a molding die according to the first embodiment. 従来の技術に係るモールド成形金型の空洞内にモールド樹脂が流し込まれる様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that mold resin is poured in the cavity of the molding die which concerns on a prior art. モールド成形金型の空洞に存するリードフレームに対して、複数本のピンが当接されている様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that several pins are contact | abutted with respect to the lead frame which exists in the cavity of a molding die. 半導体素子が搭載されているダイパッドに対して、複数本のピンが当接されている様子を示す平面図である。It is a top view which shows a mode that several pins are contact | abutted with respect to the die pad in which the semiconductor element is mounted. ダイパッドに対して２本の吊リードが配設されている様子を示す平面図である。It is a top view which shows a mode that two suspension leads are arrange | positioned with respect to a die pad. ダイパッドに対して４本の吊リードが配設されている様子を示す平面図である。It is a top view which shows a mode that four suspension leads are arrange | positioned with respect to a die pad.

符号の説明Explanation of symbols

１ 上金型、２ 下金型、３ モールド成形金型、４ リードフレーム、６ 半導体素子、７ ワイヤ、８ ピン、１０ モールド樹脂、１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ 凹部、２ｃ，２ｄ 貫通孔、３ａ 空銅、３ｂ 供給路、４ａ ダイパッド、４ｂ 枠部、４ｃ 吊リード、８ａ 円柱部、８ｂ 円錐部、Ｐ 当接部。
1 Upper mold, 2 Lower mold, 3 Mold mold, 4 Lead frame, 6 Semiconductor element, 7 Wire, 8 Pin, 10 Mold resin, 1a, 1b, 2a, 2b Recess, 2c, 2d Through hole, 3a Empty copper, 3b supply path, 4a die pad, 4b frame part, 4c hanging lead, 8a cylindrical part, 8b conical part, P contact part.

Claims (6)

半導体素子を搭載するための載置面を有するダイパッドと、
前記ダイパッドの吊リードとを備え、
前記吊リードは、非直線形状であり、前記ダイパッドを前記載置面に垂直方向に変位可能な弾性機能を有する、
ことを特徴とするリードフレーム。 A die pad having a mounting surface for mounting a semiconductor element;
A suspension lead of the die pad,
The suspension lead has a non-linear shape and has an elastic function capable of displacing the die pad in a direction perpendicular to the mounting surface.
A lead frame characterized by that. 前記吊リードは、曲線形状を有している、
ことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。 The hanging lead has a curved shape,
The lead frame according to claim 1. 前記ダイパッドは、矩形形状であり、
前記吊リードは、前記矩形形状の前記ダイパッドの各コーナ部を懸吊している、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。 The die pad has a rectangular shape,
The suspension lead suspends each corner portion of the rectangular die pad,
The lead frame according to claim 1 or 2, wherein 上金型と、
前記上金型と衝合可能であり、上下方向に穿設されている貫通孔を有しており、前記上金型との衝合により、所定の空洞を発生させる下金型と、
前記貫通孔に挿入され、前記上下方向に移動可能であり、モールド成形時に前記空洞内に配置されるダイパッドを下方向から押すピンと
を備えることを特徴とするモールド成形装置。 Upper mold,
A lower mold that is capable of colliding with the upper mold and has a through-hole drilled in the vertical direction, and generates a predetermined cavity by the collision with the upper mold;
A molding apparatus comprising: a pin that is inserted into the through-hole and is movable in the vertical direction, and that pushes a die pad disposed in the cavity during molding from below. 前記ピンおよび前記下金型の前記貫通孔の数は、４つであり、
前記各ピンは、前記各貫通孔に各々貫入しており、各々、矩形形状のダイパッドのコーナ付近において当接可能である、
ことを特徴とする請求項４に記載のモールド成形装置。 The number of the through holes of the pin and the lower mold is four,
Each of the pins penetrates into each of the through holes, and can contact each other in the vicinity of a corner of a rectangular die pad.
The molding apparatus according to claim 4. （ａ）請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のリードフレームが備えるダイパッドに、半導体素子を搭載する工程と、
（ｂ）請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備える、上金型と下金型とを衝合することにより発生する空洞内に、前記半導体素子が搭載されたダイパッドを配置する工程と、
（ｃ）モールド成形時に、請求項４または請求項５に記載のモールド成形装置が備えるピンにより、前記空洞内に配置された前記半導体素子が搭載されたダイパッドを下方向から押しながら、モールド樹脂を前記空洞内に注入する工程と
を備えることを特徴とするモールド成形方法。

(A) mounting a semiconductor element on a die pad included in the lead frame according to any one of claims 1 to 3;
(B) A die pad on which the semiconductor element is mounted is disposed in a cavity generated by abutment of an upper mold and a lower mold provided in the molding apparatus according to claim 4 or 5. Process,
(C) At the time of molding, the mold resin is pressed while pressing the die pad on which the semiconductor element disposed in the cavity is mounted from below with the pins included in the molding apparatus according to claim 4 or 5. And a step of injecting into the cavity.

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WO2017169173A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社ケーヒン Mold and circuit device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102756457A (en) * 2011-04-27 2012-10-31 无锡华润安盛科技有限公司 Die for pre-plastic package of sensor chip
WO2017169173A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社ケーヒン Mold and circuit device
JP2017177540A (en) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社ケーヒン Method for manufacturing circuit device, and circuit device

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