JP2005208219A - 光記録素子の製造方法 - Google Patents
光記録素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005208219A JP2005208219A JP2004013069A JP2004013069A JP2005208219A JP 2005208219 A JP2005208219 A JP 2005208219A JP 2004013069 A JP2004013069 A JP 2004013069A JP 2004013069 A JP2004013069 A JP 2004013069A JP 2005208219 A JP2005208219 A JP 2005208219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photorefractive material
- transparent substrate
- optical recording
- photorefractive
- recording device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007872 degassing Methods 0.000 abstract description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 2
- PDEJYRZFAJILSQ-UHFFFAOYSA-N 2,4,7-trinitro-9h-fluorene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=C2C3=CC=C([N+](=O)[O-])C=C3CC2=C1 PDEJYRZFAJILSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNZWWPCQEYRCMU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 UNZWWPCQEYRCMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- -1 first Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2250/00—Laminate comprising a hologram layer
- G03H2250/12—Special arrangement of layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2250/00—Laminate comprising a hologram layer
- G03H2250/37—Enclosing the photosensitive material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2260/00—Recording materials or recording processes
- G03H2260/50—Reactivity or recording processes
- G03H2260/54—Photorefractive reactivity wherein light induces photo-generation, redistribution and trapping of charges then a modification of refractive index, e.g. photorefractive polymer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Abstract
【課題】 屈折率変調領域の損失のない記録の保存安定性に優れた光記録素子を低コストで簡便に製造する技術を提供する。
【解決手段】 2枚の透明基板の間にフォトリフラクティブ材料を挟んでなる光記録素子の製造方法であって、
(A)フォトリフラクティブ材料を第1透明基板の上に載せて溶融し、脱気する工程、
(B)前記フォトリフラクティブ材料を下にして第1透明基板を水平に保持する工程、
(C)第2透明基板と前記フォトリフラクティブ 材料とを圧着する工程、及び
(D)前記フォトリフラクティブ材料をガラス転移温度以下に冷却する工程
を含むことを特徴とする光記録素子の製造方法。
【選択図】 図1
【解決手段】 2枚の透明基板の間にフォトリフラクティブ材料を挟んでなる光記録素子の製造方法であって、
(A)フォトリフラクティブ材料を第1透明基板の上に載せて溶融し、脱気する工程、
(B)前記フォトリフラクティブ材料を下にして第1透明基板を水平に保持する工程、
(C)第2透明基板と前記フォトリフラクティブ 材料とを圧着する工程、及び
(D)前記フォトリフラクティブ材料をガラス転移温度以下に冷却する工程
を含むことを特徴とする光記録素子の製造方法。
【選択図】 図1
Description
本発明はフォトリフラクティブ材料を用いた光記録素子の製造方法に関する。本発明によれば内部に気泡がなく、記録により生じた屈折率変調領域の損失が少なく、記録の保存安定性に優れた光記録素子が得られる。
従来、大容量データを記録する素子としては、光磁気記録媒体、光相変化型媒体などの光記録素子が知られているが、高精細画像のデータなどの記録のため、より高密度な記録の需要は拡大している。このような大容量データを記録するものとして、フォトリフラクティブ材料を用いた書換可能なホログラム型光記録が提案されている。
かかるフォトリフラクティブ材料は、光照射により電子とホール(以下、キャリアという)が生成し、このキャリアが移動することにより空間電界が生ずる材料であり、これに対応して材料中の屈折率が変化し屈折率変調が可能となる。このフォトリフラクティブ材料に干渉光を照射すると、干渉光の明部分でのみ光が吸収され暗部分では吸収がないため、屈折率が周期的に変化した回折格子が材料に形成される。また、フォトリフラクティブ材料で誘起される屈折率変調の周期は、干渉光の明暗強度変調の周期との間にずれを生じる。したがって、コヒーレントな2つのビームを材料に照射すると、ビーム間にエネルギー移動が生じ、照射ビームとは異なる強度比の透過ビームが得られる。フォトリフラクティブ材料は、このような性質を有しホログラム記録素子、光合分波器、ビーム増幅器、画像相関処理、連想記憶素子などへの応用が期待されている。
フォトリフラクティブ材料としては、ニオブ酸リチウムなどを用いた無機のフォトリフラクティブ材料があるが、試料の調製や成形加工が困難である。これに対して、有機化合物を用いたフォトリフラクティブ材料は、成型加工性や機能修飾の容易なことから種々の用途への利用が期待される(W. E. Moerner and S.M. Silence著、Chemistry Review, 94巻、127−155頁、1994)。
このような有機フォトリフラクティブ材料を用いた記録素子の代表的なものは、製造にあたって、まず光導電性化合物、増感剤などの原料を有機溶媒中に溶解し、この溶液をシート状に成形して記録層を設けた後、溶媒を除去する。このため、記録層中に微細な空孔が残存し、記録された屈折率変調領域の損失を招き記録の保存安定性に欠ける。このような欠点を解消するため、例えば特開2002-109792号公報には2枚の石英ガラス基板の間にフォトリフラクティブ材料を挟んで加圧し、シート状に成形して光記録層を形成する方法が記載されている。この方法は加圧して圧縮することにより、フォトリフラクティブ材料の高密度化をはかるものである。
W. E. Moerner and S. M. Silence著、Chemistry Review, 94巻,127−155頁,1994
特開2002-109792
しかしながら、加圧によるなどのこれら従来の製造法でも依然フォトリフラクティブ材料中に気泡が残存し、特に大面積の石英ガラス基板を用いた場合は、気泡が含まれやすい。本発明の目的は、記録層中に空孔がなく屈折率変調領域の損失のない記録の保存安定性に優れた光記録素子を低コストで製造することにある。
本発明は、2枚の透明基板の間にフォトリフラクティブ材料を挟んでなる光記録素子の製造方法であって、
(A)フォトリフラクティブ材料を第1透明基板の上に載せて加熱などにより溶融し、脱気する工程、
(B)前記フォトリフラクティブ材料を下にして第1透明基板を水平に保持する工程、
(C)第2透明基板と前記フォトリフラクティブ 材料とを圧着する工程、及び
(D)前記フォトリフラクティブ材料をガラス転移温度(Tgと記す)以下に冷却する工程
を含むことを特徴とする光記録素子の製造方法を提供するものである。
また、本発明は(D)工程中において、冷却速度を3〜20℃/秒とするのが好ましい。
(A)フォトリフラクティブ材料を第1透明基板の上に載せて加熱などにより溶融し、脱気する工程、
(B)前記フォトリフラクティブ材料を下にして第1透明基板を水平に保持する工程、
(C)第2透明基板と前記フォトリフラクティブ 材料とを圧着する工程、及び
(D)前記フォトリフラクティブ材料をガラス転移温度(Tgと記す)以下に冷却する工程
を含むことを特徴とする光記録素子の製造方法を提供するものである。
また、本発明は(D)工程中において、冷却速度を3〜20℃/秒とするのが好ましい。
本発明の製造法では、第1の透明基板に塗布したフォトリフラクティブ材料を減圧など公知の方法により脱気後、フォトリフラクティブ材料が下になるようにして、所定時間、第1透明基板を水平に保持する。このような工程によりフォトリフラクティブ材料は気泡を含まず、下に凸の滑らかな曲面を有する状態(しずくが下向きに付着している状態)となる。このため、第2透明基板の圧着時に、フォトリフラクティブ材料への気泡の混入が防止される。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
(A)第1透明基板における脱気工程
本発明におけるフォトリフラクティブ材料としては、かかる特性を有する素子の作製に用いられる従来公知の材料がいずれも用いられてよい。かかる材料のうち、無機フォトリフラクティブ材料としては、LiNbO3、BaTiO3などが挙げられる。
また、有機フォトリフラクティブ材料としては、例えば、光導電性化合物、非線形光学色素、増感剤、可塑剤などを含有するものが挙げられる。
光導電性化合物としては、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(4−メチルフェニル)―[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン、テトラフェニルベンジジン誘導体などが挙げられる。
非線形光学色素としては、4−ホモピペリジノベンジリデンマロニトリル、4−ホモピペリジノ−2−フルオロベンジリデンマロニトリルなどが挙げられる。
増感剤としては、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレン、C60、C70などのフラーレン化合物を挙げることができる。
可塑剤としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体を挙げることができる。
また、上記有機フォトフォトリフラクティブ材料には、その他、有機高分子化合物などの公知の成分を加えてもよい。
これらの成分は適宜の溶媒(トルエン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタンなど)中にて均一に混合される。
(A)第1透明基板における脱気工程
本発明におけるフォトリフラクティブ材料としては、かかる特性を有する素子の作製に用いられる従来公知の材料がいずれも用いられてよい。かかる材料のうち、無機フォトリフラクティブ材料としては、LiNbO3、BaTiO3などが挙げられる。
また、有機フォトリフラクティブ材料としては、例えば、光導電性化合物、非線形光学色素、増感剤、可塑剤などを含有するものが挙げられる。
光導電性化合物としては、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(4−メチルフェニル)―[1,1'−ビフェニル]−4,4'−ジアミン、テトラフェニルベンジジン誘導体などが挙げられる。
非線形光学色素としては、4−ホモピペリジノベンジリデンマロニトリル、4−ホモピペリジノ−2−フルオロベンジリデンマロニトリルなどが挙げられる。
増感剤としては、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレン、C60、C70などのフラーレン化合物を挙げることができる。
可塑剤としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体を挙げることができる。
また、上記有機フォトフォトリフラクティブ材料には、その他、有機高分子化合物などの公知の成分を加えてもよい。
これらの成分は適宜の溶媒(トルエン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタンなど)中にて均一に混合される。
第1透明基板は、光記録素子に照射する光に対して透明な基板であればよく、例えば、石英ガラス、ソーダガラスなどが挙げられる。フォトリフラクティブ材料への電圧印加のために、前記基板のフォトリフラクティブ材料との接触面にはITOなど導電性薄膜を電極として設けてもよい。さらに、基板には表面反射を防止するため、フォトリフラクティブ材料との接触面の反対側に反射防止層を設けてもよい。
第1透明基板は、厚さ0.1〜7mmであるのが好ましい。第1透明基板上に載せるフォトリフラクティブ材料は0.001〜2g程度が好ましい。
各材料を混合した調製液は、120〜180℃にて加熱などにより溶融する。調製液の粘度は、次工程との関連から0.1〜10Pa・s程度であるのが好ましい。
脱気は減圧下、通常、真空度0.13〜4000Paにて、5秒〜30分間程度、見かけ上、気泡の発生がなくなるまで行う。
第1透明基板は、厚さ0.1〜7mmであるのが好ましい。第1透明基板上に載せるフォトリフラクティブ材料は0.001〜2g程度が好ましい。
各材料を混合した調製液は、120〜180℃にて加熱などにより溶融する。調製液の粘度は、次工程との関連から0.1〜10Pa・s程度であるのが好ましい。
脱気は減圧下、通常、真空度0.13〜4000Paにて、5秒〜30分間程度、見かけ上、気泡の発生がなくなるまで行う。
(B)フォトリフラクティブ材料を下にして、第1透明基板を水平保持する工程
ここで第1透明基板の保持は、フォトリフラクティブ材料が流れ落ちない程度のほぼ水平な保持であればよい。保持温度は120〜180℃であるのが好ましい。また、保持時間は1〜60秒である。このように第1透明基板を水平保持することにより、フォトリフラクティブ材料は表面が下に凸の滑らかな曲面を形成する。
ここで第1透明基板の保持は、フォトリフラクティブ材料が流れ落ちない程度のほぼ水平な保持であればよい。保持温度は120〜180℃であるのが好ましい。また、保持時間は1〜60秒である。このように第1透明基板を水平保持することにより、フォトリフラクティブ材料は表面が下に凸の滑らかな曲面を形成する。
(C)第2透明基板を前記フォトリフラクティブ材料に圧着する工程
第2透明基板は、目的に応じて第1透明基板と同様のものを用いてもよく、異なった基板を用いてもよい。
第1透明基板と第2透明基板との間には、スペーサーを設置し所定のギャップに調整する。スペーサーとしては、通常、かかる目的に使用されるものがいずれも用いられてよく、たとえばガラスビーズやフッ素樹脂、ポリイミドフィルムなど加熱しても変形しにくい材質が望ましい。スペーサーの厚みは、光記録素子の種類によっても異なるが、12μm〜2mmが好ましい。
圧着操作にあたっては、フォトリフラクティブ材料の温度を120〜170℃とし、粘度を0.1〜10Pa・sに調整するのが好ましい。圧着の圧力は0.2〜3500g/cm2程度が好ましい。
フォトリフラクティブ材料を第1及び第2の透明基板で挟持した素子は直径5mm〜12cm程度の円形に成形する。
第2透明基板は、目的に応じて第1透明基板と同様のものを用いてもよく、異なった基板を用いてもよい。
第1透明基板と第2透明基板との間には、スペーサーを設置し所定のギャップに調整する。スペーサーとしては、通常、かかる目的に使用されるものがいずれも用いられてよく、たとえばガラスビーズやフッ素樹脂、ポリイミドフィルムなど加熱しても変形しにくい材質が望ましい。スペーサーの厚みは、光記録素子の種類によっても異なるが、12μm〜2mmが好ましい。
圧着操作にあたっては、フォトリフラクティブ材料の温度を120〜170℃とし、粘度を0.1〜10Pa・sに調整するのが好ましい。圧着の圧力は0.2〜3500g/cm2程度が好ましい。
フォトリフラクティブ材料を第1及び第2の透明基板で挟持した素子は直径5mm〜12cm程度の円形に成形する。
(D)フォトリフラクティブ材料の冷却工程
つぎに、フォトリフラクティブ材料を基板間に挟持した素子を、Tg以下の温度まで冷却する。フォトリフラクティブ材料のTgは通常0〜100℃程度であり、適宜、その材料のTg以下に冷却する。冷却速度は3〜20℃/秒であるのが好ましい。このように材料を急冷することにより、フォトリフラクティブ材料の相分離を防ぐことができる。冷却には電子冷却器など適宜の装置を用いることができる。
つぎに、フォトリフラクティブ材料を基板間に挟持した素子を、Tg以下の温度まで冷却する。フォトリフラクティブ材料のTgは通常0〜100℃程度であり、適宜、その材料のTg以下に冷却する。冷却速度は3〜20℃/秒であるのが好ましい。このように材料を急冷することにより、フォトリフラクティブ材料の相分離を防ぐことができる。冷却には電子冷却器など適宜の装置を用いることができる。
[実施例1]
下記の原料をトルエン26gに溶解し、フォトリフラクティブ材料の溶液を得た。
成 分 配合量
テトラフェニルベンジジン誘導体(光導電性化合物) 0.600g
4−ホモピペリジノベンジリデンマロノニトリル(非線形光学色素) 0.143g
4−ホモピペリジノ−2−フルオロベンジリデンマロノニトリル 0.143g
(非線形光学色素)
フラーレンC60 (増感剤) 0.005g
トリフェニルアミン誘導体 (可塑剤) 0.109g
つぎにエバポレーターを用いて溶媒を除去し、さらに65℃にて24時間減圧乾燥してフォトリフラクティブ材料の固形物を得た。この固形物を150℃に加熱した熱板上にて溶融し、成分が均一になるように練り合わせフォトリフラクティブ材料を調製した。
下記の原料をトルエン26gに溶解し、フォトリフラクティブ材料の溶液を得た。
成 分 配合量
テトラフェニルベンジジン誘導体(光導電性化合物) 0.600g
4−ホモピペリジノベンジリデンマロノニトリル(非線形光学色素) 0.143g
4−ホモピペリジノ−2−フルオロベンジリデンマロノニトリル 0.143g
(非線形光学色素)
フラーレンC60 (増感剤) 0.005g
トリフェニルアミン誘導体 (可塑剤) 0.109g
つぎにエバポレーターを用いて溶媒を除去し、さらに65℃にて24時間減圧乾燥してフォトリフラクティブ材料の固形物を得た。この固形物を150℃に加熱した熱板上にて溶融し、成分が均一になるように練り合わせフォトリフラクティブ材料を調製した。
(A)第1透明基板としてITO付きソーダガラス(縦7cm、横7cm、厚み1.1mm)を準備した。150℃に加熱した第1透明基板上に、上記練り合わせたフォトリフラクティブ材料0.2gを載せて溶融し、気泡の発生がなくなるまで減圧脱気を行った。粘度粘弾性測定装置(TermoHaake社製 レオストレスRS1)により測定したところ、フォトリフラクティブ材料の粘度(150℃)は1Pa・sであった。
(B)つぎに、フォトリフラクティブ材料を下にして、第1透明基板をクランプで挟み、150℃にて15秒間水平に保持した。前記の粘度粘弾性測定装置にて測定したところ、フォトリフラクティブ材料の粘度(150℃)は、1Pa・sであることが確認された。この水平保持により、フォトリフラクティブ材料は下に凸の滑らかな曲面を有する形状を呈し、形状は円形で、直径1.7cm、円の中心における厚みは0.6cmであった。
(C)第2透明基板としてITO付きソーダガラス(縦7cm、横7cm、厚み1.1mm)を用いた。第2透明基板の周囲に、平均粒径100μmのガラススペーサーを設置した。第1透明基板のフォトリフラクティブ材料を下面に保ったまま、フォトリフラクティブ材料が第2透明基板に接するように合わせ、圧力18g/cm2、温度150℃にて、1分間、加圧した。フォトリフラクティブ材料は円形に成形され、その直径は4.6cmであった。
(D)第1及び第2の透明基板により挟持されたフォトリフラクティブ材料を、表面温度がマイナス4.5℃の電子冷却器上で、冷却速度7℃/秒で、フォトリフラクティブ材料のTg(35℃)以下である10℃まで冷却した。このようにして、フォトリフラクティブ材料に気泡を含むことなく光記録素子を得た。気泡がないことは、顕微鏡視察および80V/μmの電圧印加しても破壊しないことで確認した。
(B)つぎに、フォトリフラクティブ材料を下にして、第1透明基板をクランプで挟み、150℃にて15秒間水平に保持した。前記の粘度粘弾性測定装置にて測定したところ、フォトリフラクティブ材料の粘度(150℃)は、1Pa・sであることが確認された。この水平保持により、フォトリフラクティブ材料は下に凸の滑らかな曲面を有する形状を呈し、形状は円形で、直径1.7cm、円の中心における厚みは0.6cmであった。
(C)第2透明基板としてITO付きソーダガラス(縦7cm、横7cm、厚み1.1mm)を用いた。第2透明基板の周囲に、平均粒径100μmのガラススペーサーを設置した。第1透明基板のフォトリフラクティブ材料を下面に保ったまま、フォトリフラクティブ材料が第2透明基板に接するように合わせ、圧力18g/cm2、温度150℃にて、1分間、加圧した。フォトリフラクティブ材料は円形に成形され、その直径は4.6cmであった。
(D)第1及び第2の透明基板により挟持されたフォトリフラクティブ材料を、表面温度がマイナス4.5℃の電子冷却器上で、冷却速度7℃/秒で、フォトリフラクティブ材料のTg(35℃)以下である10℃まで冷却した。このようにして、フォトリフラクティブ材料に気泡を含むことなく光記録素子を得た。気泡がないことは、顕微鏡視察および80V/μmの電圧印加しても破壊しないことで確認した。
[比較例1]
実施例1の工程(B)において、フォトリフラクティブ材料を上向けて水平に保持し、これに上から第2透明基板を合わせて加圧を行った以外は、実施例1と同様にして光記録材料を製造した。この光記録素子には微少な気泡が含まれ、電圧印加(40V/μm)で破壊が生じ、光記録素子として使用不可能であった。
実施例1の工程(B)において、フォトリフラクティブ材料を上向けて水平に保持し、これに上から第2透明基板を合わせて加圧を行った以外は、実施例1と同様にして光記録材料を製造した。この光記録素子には微少な気泡が含まれ、電圧印加(40V/μm)で破壊が生じ、光記録素子として使用不可能であった。
(産業上の用途)
記録層中に空孔がなく、屈折率変調領域の損失のない記録の保存安定性に優れた光記録素子を低コストで簡便に製造することができる。
記録層中に空孔がなく、屈折率変調領域の損失のない記録の保存安定性に優れた光記録素子を低コストで簡便に製造することができる。
Claims (2)
- 2枚の透明基板の間にフォトリフラクティブ材料を挟んでなる光記録素子の製造方法であって、
(A)フォトリフラクティブ材料を第1透明基板の上に載せて溶融し、脱気する工程、
(B)前記フォトリフラクティブ材料を下にして第1透明基板を水平に保持する工程、
(C)第2透明基板と前記フォトリフラクティブ 材料とを圧着する工程、及び
(D)前記フォトリフラクティブ材料をガラス転移温度以下に冷却する工程
を含むことを特徴とする光記録素子の製造方法。 - (D)工程中、フォトリフラクティブ材料の冷却速度が3〜20℃/秒である請求項1の光記録素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004013069A JP2005208219A (ja) | 2004-01-21 | 2004-01-21 | 光記録素子の製造方法 |
US11/037,053 US20050157358A1 (en) | 2004-01-21 | 2005-01-19 | Process for producing optical recording element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004013069A JP2005208219A (ja) | 2004-01-21 | 2004-01-21 | 光記録素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005208219A true JP2005208219A (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=34747347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004013069A Pending JP2005208219A (ja) | 2004-01-21 | 2004-01-21 | 光記録素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050157358A1 (ja) |
JP (1) | JP2005208219A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090196561A1 (en) * | 2006-03-17 | 2009-08-06 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Photonic crystal surface states |
US7529454B2 (en) * | 2006-03-17 | 2009-05-05 | Searete Llc | Photonic crystal surface states |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406770B1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-06-18 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optical disk and method of manufacturing optical disk |
TW459225B (en) * | 1999-02-01 | 2001-10-11 | Origin Electric | Bonding system and method |
US6743552B2 (en) * | 2001-08-07 | 2004-06-01 | Inphase Technologies, Inc. | Process and composition for rapid mass production of holographic recording article |
-
2004
- 2004-01-21 JP JP2004013069A patent/JP2005208219A/ja active Pending
-
2005
- 2005-01-19 US US11/037,053 patent/US20050157358A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050157358A1 (en) | 2005-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI427629B (zh) | 以窄頻光學特性為基之新穎光學儲存材料 | |
US8808944B2 (en) | Method for storing holographic data | |
US20130128339A1 (en) | Photorefractive composition responsive to multiple laser wavelengths across the visible light spectrum | |
JP2004071038A (ja) | 情報記録媒体、情報記録方法、情報再生方法 | |
Yamamoto et al. | Photochemical liquefaction and softening in molecular materials, polymers, and related compounds | |
JP2006527677A (ja) | 光ディスク基板を溶融成形する方法 | |
CN114728893A (zh) | 用于体布拉格光栅的芳族取代甲烷-核单体及其聚合物 | |
US20070278704A1 (en) | Replication of a High-Density Relief Structure | |
JP2005208219A (ja) | 光記録素子の製造方法 | |
US20200354496A1 (en) | Latent imaging for volume bragg gratings | |
US20120275007A1 (en) | Optical devices for modulating light of photorefractive compositions with thermal control | |
KR910001686A (ko) | 광학 기록에 사용되는 직접 작용식 마스터/스탬퍼 | |
US20170044373A1 (en) | Chromophores for photochromic compositions useful for three dimensional display applications | |
JP2007241168A (ja) | 二光子吸収材料 | |
Li et al. | Holographic data storage on azobenzene photopolymer film using nanosecond laser pulses | |
JP2009295233A (ja) | 光記録媒体及び光記録媒体の製造方法 | |
US20050226130A1 (en) | Optical data storage | |
Kawata et al. | Light-induced surface modification of urethane-urea copolymer film used as write-once optical memory | |
JP5871273B2 (ja) | 相分離可能な樹脂組成物、該樹脂組成物を用いた書き込み可能な光記録用樹脂組成物及び光記録媒体、並びに該光記録媒体を用いた情報の記録方法 | |
WO2024005139A1 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
JP3895915B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
TW202307092A (zh) | 用於體積布拉格全像光柵的經鹵化單體和聚合物 | |
TW202240285A (zh) | 潛在全訊光柵的紀錄及其動態範圍的放大 | |
JP2658372B2 (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
Walker | Azobenzene-functionalized molecular glasses for holographic applications |