JP2005191555A5 - - Google Patents
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前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする薄膜トランジスタ。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
And a second conductive layer kicked set in contact with said insulating layer and said first conductive layer,
The thin film transistor, wherein the first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer.
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
And a second conductive layer kicked set in contact with said insulating layer and said first conductive layer,
The first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer,
The thin film transistor, wherein the second conductive layer is formed by ejecting a droplet containing a conductive material.
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第３の導電層と、
前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする表示装置。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
A second conductive layer kicked set in contact with said insulating layer and said first conductive layer,
A semiconductor layer provided on the second conductive layer via a gate insulating film;
A third conductive layer provided on the semiconductor layer;
A second insulating layer having an opening provided on the third conductive layer;
A fourth conductive layer provided in the opening,
The first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer,
The display device, wherein the fourth conductive layer is wider and thicker than the third conductive layer.
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第３の導電層と、
前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする表示装置。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
A second conductive layer kicked set in contact with said insulating layer and said first conductive layer,
A semiconductor layer provided on the second conductive layer via a gate insulating film;
A third conductive layer provided on the semiconductor layer;
A second insulating layer having an opening provided on the third conductive layer;
A fourth conductive layer provided in the opening,
The first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer,
The fourth conductive layer is wider and thicker than the third conductive layer,
The display device, wherein the second conductive layer and the third conductive layer are formed by ejecting droplets containing a conductive material.
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする表示装置。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
A second conductive layer kicked set in contact with said insulating layer and said first conductive layer,
A semiconductor layer provided on the second conductive layer via a gate insulating film;
A pair of third conductive layers provided on the semiconductor layer;
A first electrode provided on one of the third conductive layers;
An electroluminescent layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the electroluminescent layer,
The display device, wherein the first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer.
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする表示装置。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
A second conductive layer kicked set in contact with said insulating layer and said first conductive layer,
A semiconductor layer provided on the second conductive layer via a gate insulating film;
A pair of third conductive layers provided on the semiconductor layer;
A first electrode provided on one of the third conductive layers;
An electroluminescent layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the electroluminescent layer,
The first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer,
The display device, wherein the second conductive layer is formed by ejecting droplets containing a conductive material.
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
他方の前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする表示装置。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
A second conductive layer kicked set in contact with said insulating layer and said first conductive layer,
A semiconductor layer provided on the second conductive layer via a gate insulating film;
A pair of third conductive layers provided on the semiconductor layer;
A first electrode provided on one of the third conductive layers;
A second insulating layer having an opening provided on the other third conductive layer;
A fourth conductive layer provided in the opening;
An electroluminescent layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the electroluminescent layer,
The first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer,
The display device, wherein the fourth conductive layer is wider and thicker than the third conductive layer.
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して、設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
他方の前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする表示装置。 An insulating layer having an opening;
A first conductive layer provided in the opening;
A second conductive layer provided in contact with the insulating layer and the first conductive layer;
A semiconductor layer provided on the second conductive layer via a gate insulating film;
A pair of third conductive layers provided on the semiconductor layer;
A first electrode provided on one of the third conductive layers;
A second insulating layer having an opening provided on the other third conductive layer;
A fourth conductive layer provided in the opening;
An electroluminescent layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the electroluminescent layer,
The first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer,
The fourth conductive layer is wider and thicker than the third conductive layer,
The display device, wherein the second conductive layer and the third conductive layer are formed by ejecting droplets containing a conductive material.
前記第２の導電層は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を有することを特徴とする表示装置。 In any one of Claims 3 thru | or 10,
The display device, wherein the second conductive layer includes silver, gold, copper, or indium tin oxide.
前記第３の導電層は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を有することを特徴とする表示装置。 In any one of Claims 3 thru | or 11,
The display device, wherein the third conductive layer includes silver, gold, copper, or indium tin oxide.
前記開口部の幅は、５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 In any one of claims 3 to 12,
A display device, wherein the width of the opening is 5 μm or more and 100 μm or less.
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含む非単結晶半導体であることを特徴とする表示装置。 In any one of claims 3 to 13,
The display device, wherein the semiconductor layer is a non-single-crystal semiconductor containing hydrogen or a halogen element.
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むセミアモルファス半導体であることを特徴とする表示装置。 In any one of Claims 3 thru | or 13,
The display device, wherein the semiconductor layer is a semi-amorphous semiconductor containing hydrogen or a halogen element.
前記半導体層が、水素とハロゲン元素を含む多結晶半導体であることを特徴とする表示装置。 In any one of Claims 3 thru | or 13,
The display device, wherein the semiconductor layer is a polycrystalline semiconductor containing hydrogen and a halogen element.
前記半導体層のチャネルの長さは５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 In any one of Claims 3 thru | or 16,
The display device, wherein a channel length of the semiconductor layer is 5 μm or more and 100 μm or less.
前記開口部に第１の導電層を形成し、
前記絶縁層及び前記第１の導電層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより、第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming an insulating layer having an opening;
Forming a first conductive layer in the opening;
A second conductive layer is formed on the insulating layer and the first conductive layer by ejecting droplets containing a conductive material,
The method for manufacturing a display device is characterized in that the first conductive layer is formed to be wider and thicker than the second conductive layer.
前記開口部に第１の導電層を形成し、
導電性材料を含む液滴を噴出することにより、前記絶縁層及び前記第１の導電層に接して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層上に第２の絶縁層及び第４の導電層を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming an insulating layer having an opening;
Forming a first conductive layer in the opening;
Forming a second conductive layer in contact with the insulating layer and the first conductive layer by ejecting a droplet containing a conductive material;
Forming a semiconductor layer on the second conductive layer via a gate insulating film;
Forming a third conductive layer on the semiconductor layer by ejecting droplets containing a conductive material;
Forming a second insulating layer and a fourth conductive layer on the third conductive layer;
The first conductive layer is wider and thicker than the second conductive layer,
The method for manufacturing a display device, wherein the fourth conductive layer is formed to be wider and thicker than the third conductive layer.
前記開口部に第１の導電層を形成し、
導電性材料を含む液滴を噴出することにより、前記絶縁層及び前記第１の導電層に接して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming an insulating layer having an opening;
Forming a first conductive layer in the opening;
Forming a second conductive layer in contact with the insulating layer and the first conductive layer by ejecting a droplet containing a conductive material;
Forming a semiconductor layer on the second conductive layer via a gate insulating film;
Forming a third conductive layer on the semiconductor layer by ejecting droplets containing a conductive material;
Forming a first electrode on the third conductive layer;
Forming an electroluminescent layer on the first electrode;
Forming a second electrode on the electroluminescent layer;
The method for manufacturing a display device is characterized in that the first conductive layer is formed to be wider and thicker than the second conductive layer.
前記開口部に第１の導電層を形成し、
導電性材料を含む液滴を噴出することにより、前記絶縁層及び前記第１の導電層に接して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより一対の第３の導電層を形成し、
一方の前記第３の導電層上に第１の電極を形成し、
他方の前記第３の導電層上に第２の絶縁層及び第４の導電層を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Forming an insulating layer having an opening;
Forming a first conductive layer in the opening;
Forming a second conductive layer in contact with the insulating layer and the first conductive layer by ejecting a droplet containing a conductive material;
Forming a semiconductor layer on the second conductive layer via a gate insulating film;
A pair of third conductive layers is formed on the semiconductor layer by ejecting droplets containing a conductive material,
Forming a first electrode on one of the third conductive layers;
Forming a second insulating layer and a fourth conductive layer on the other third conductive layer;
Forming an electroluminescent layer on the first electrode;
Forming a second electrode on the electroluminescent layer;
The method for manufacturing a display device is characterized in that the first conductive layer is formed to be wider and thicker than the second conductive layer.
前記第１の導電層の下に酸化チタン膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 In any one of claims 19 to 22,
A method for manufacturing a display device, comprising forming a titanium oxide film under the first conductive layer.
前記第１の導電層の下にＷ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｐｄ（鉛）、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）もしくはＺｎ（亜鉛）の元素、又は前記元素の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物からなる膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 A method according to any one of claims 19 to 23.
Under the first conductive layer, W (tungsten), Al (aluminum), Ta (tantalum), Zr (zirconium), Hf (hafnium), Ir (iridium), Nb (niobium), Pd (lead), Pt (Platinum), Mo (molybdenum), Rh (rhodium), Sc (scandium), Ti (titanium), V (vanadium), Cr (chromium), Mn (manganese), Fe (iron), Co (cobalt), Ni A method for manufacturing a display device, comprising forming a film made of an element of (nickel), Cu (copper), or Zn (zinc) or an oxide, nitride, or oxynitride of the element.
前記導電性材料として、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 A method according to any one of claims 19 to 24.
A method for manufacturing a display device, wherein the conductive material is formed using silver, gold, copper, or indium tin oxide.
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むガスにより形成された非単結晶半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。 A method according to any one of claims 19 to 25 .
The method for manufacturing a display device, wherein the semiconductor layer is a non-single-crystal semiconductor formed with a gas containing hydrogen or a halogen element.
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むガスにより形成されたセミアモルファス半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。 A method according to any one of claims 19 to 25 .
The method for manufacturing a display device, wherein the semiconductor layer is a semi-amorphous semiconductor formed with a gas containing hydrogen or a halogen element.
前記半導体層は、水素とハロゲン元素を含むガスにより形成された多結晶半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。 A method according to any one of claims 19 to 25 .
The method for manufacturing a display device, wherein the semiconductor layer is a polycrystalline semiconductor formed of a gas containing hydrogen and a halogen element.
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