JP2005191414A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 サセプタ回転軸が上下方向に複数の構成部材からなり、その最上部が、窒化物系セラミックスからなる構成、炭化物系セラミックスからなる構成、ホウ化物系セラミックスからなる構成、またはこれらのセラミックスを表面に積層した構成の気相成長装置とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の気相成長装置においては、原料ガスの種類等には特に限定されることはない。しかし、特に気相成長温度を1000℃以上の高温とする場合に、サセプタ回転軸の劣化、及びヒータから伝熱することによる回転駆動器への悪影響を防止できる点で本発明の効果を充分に発揮させることができる。
図1、図2は本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図である。また、図3は本発明の気相成長装置に用いられるサセプタ回転軸の接続部の構成の一例を示す垂直断面図である。
また、本発明の気相成長装置において、前記のような複数の構成部材は、適切な接続手段により互いに接続してサセプタ回転軸とされる。接続手段としては、例えば、図3に示すように、接続金具14を用いて互いに接続することができる。
また、図1、図2は横型の気相成長装置の例を示すものであるが、本発明は縦型の気相成長装置にも適用することができる。
石英製の横形反応管(内寸法で、幅280mm(押圧ガス導入部の幅)、高さ20mm、長さ1500mm)の内部に、直径260mmのサセプタ、基板を加熱するヒータ、原料ガス導入部、反応ガス排出部を有し、サセプタ回転軸が上下方向に2個の構成部材からなり、上部の構成部材として窒化ホウ素(BN)、下部の構成部材として酸化アルミニウム(Al2O3)を用いた図1に示すような気相成長装置を製作した。サセプタ回転軸の構成部材の形状は、共に内径6mm、外径30mmの円筒形であった。また、サセプタ回転軸の全長は、240mmであった。
サセプタの中心温度が1200℃となるように加熱し安定するまで放置した。次に、ガス導入部の上部ガス流路から水素ガスを30L/minで供給し、下部ガス流路からはアンモニアを30L/minで供給するとともに、サセプタを毎分5回転させた。ガスの供給開始から4時間後、サセプタ回転軸の最上部の腐食状態を観察した結果、及びサセプタ回転軸の最下部の側面における最高到達温度を表1に示す。
実施例1の気相成長装置の製作において、サセプタ回転軸の上部の構成部材として炭化ケイ素(SiC)を用いた以外は実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。次に、この気相成長装置を用いた以外は実施例1と同様にしてサセプタ回転軸の耐久性試験を行なった。サセプタ回転軸の最上部の腐食状態を観察した結果、及びサセプタ回転軸の最下部の側面における最高到達温度を表1に示す。
実施例1の気相成長装置の製作において、サセプタ回転軸が上下方向に3個の構成部材からなり、上部の構成部材として窒化ホウ素(BN)、中部の構成部材として酸化アルミニウム(Al2O3)、下部の構成部材としてステンレス鋼を用いた以外は実施例1と同様にして図2に示すような気相成長装置を製作した。(サセプタ回転軸の径、全長は実施例1と同じ。)次に、この気相成長装置を用いた以外は実施例1と同様にしてサセプタ回転軸の耐久性試験を行なった。サセプタ回転軸の最上部の腐食状態を観察した結果、及びサセプタ回転軸の最下部の側面における最高到達温度を表1に示す。
実施例3の気相成長装置の製作において、サセプタ回転軸の上部の構成部材として炭化ケイ素(SiC)を用いた以外は実施例3と同様にして気相成長装置を製作した。次に、この気相成長装置を用いた以外は実施例1と同様にしてサセプタ回転軸の耐久性試験を行なった。サセプタ回転軸の最上部の腐食状態を観察した結果、及びサセプタ回転軸の最下部の側面における最高到達温度を表1に示す。
実施例1の気相成長装置の製作において、サセプタ回転軸として1個のステンレス鋼からなる回転軸を用いた以外は実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。次に、この気相成長装置を用いた以外は実施例1と同様にしてサセプタ回転軸の耐久性試験を行なった。サセプタ回転軸の最上部の腐食状態を観察した結果、及びサセプタ回転軸の最下部の側面における最高到達温度を表1に示す。
実施例1の気相成長装置の製作において、サセプタ回転軸の上部の構成部材としてカーボンを用い、下部の構成部材としてステンレス鋼を用いた以外は実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。次に、この気相成長装置を用いた以外は実施例1と同様にしてサセプタ回転軸の耐久性試験を行なった。サセプタ回転軸の最上部の腐食状態を観察した結果、及びサセプタ回転軸の最下部の側面における最高到達温度を表1に示す。
2 サセプタ
3 ヒータ
4 原料ガス導入部
5 反応ガス排出部
6 サセプタ回転軸
7 サセプタ回転軸の最上部の構成部材
8 サセプタ回転軸の最上部以外の構成部材
9 サセプタ回転軸の最上部以外の構成部材
10 サセプタ回転軸の最上部以外の構成部材
11 回転駆動器
12 押圧ガス導入部
13 仕切板
14 接続金具
Claims (7)
- 基板を載置するサセプタ、該基板を加熱するヒータ、原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び該サセプタを支持するサセプタ回転軸を内蔵する半導体膜の気相成長装置であって、サセプタ回転軸が上下方向に複数の構成部材からなり、その最上部が、窒化物系セラミックスからなる構成、炭化物系セラミックスからなる構成、ホウ化物系セラミックスからなる構成、または該セラミックスを表面に積層した構成であることを特徴とする気相成長装置。
- サセプタ回転軸の最上部以外の少なくとも一部が、酸化物系セラミックスからなる構成である請求項1に記載の気相成長装置。
- 窒化物系セラミックスが、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ジルコニウム、または窒化チタンである請求項1に記載の気相成長装置。
- 炭化物系セラミックスが、炭化ホウ素、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、または炭化タングステンである請求項1に記載の気相成長装置。
- ホウ化物系セラミックスが、窒化ホウ素、炭化ホウ素、またはホウ化チタンである請求項1に記載の気相成長装置。
- 酸化物系セラミックスが、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、または酸化チタンである請求項2に記載の気相成長装置。
- 気相成長装置が、窒化ガリウム系化合物半導体を製造するための装置である請求項1に記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003433187A JP4637478B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003433187A JP4637478B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191414A true JP2005191414A (ja) | 2005-07-14 |
JP4637478B2 JP4637478B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=34790649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003433187A Expired - Fee Related JP4637478B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4637478B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2489474A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-03 | Kromek Ltd | Crystal growth apparatus |
US8617909B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
US8858004B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device |
US8901585B2 (en) | 2003-05-01 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
CN109957835A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种化学气相沉积或外延层生长反应器及其内的旋转轴 |
US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
-
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- 2003-12-26 JP JP2003433187A patent/JP4637478B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US8901585B2 (en) | 2003-05-01 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US8617909B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
US8858004B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
GB2489474A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-03 | Kromek Ltd | Crystal growth apparatus |
US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
CN109957835A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种化学气相沉积或外延层生长反应器及其内的旋转轴 |
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JP4637478B2 (ja) | 2011-02-23 |
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