JP2005183444A - Substrate holding carrier and substrate holding and carrying method - Google Patents

Substrate holding carrier and substrate holding and carrying method Download PDF

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敦 石川
Akihiro Kimura
明宏 木村
Osamu Deguchi
修 出口
Koji Anno
康二 安納
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate holding carrier and a substrate holding carrying method in which a thin wafer can be held and carried without breakdown thereof. <P>SOLUTION: The plate type substrate holding carrier 1 is capable of holding the substrate with a substrate setting surface 2. In this plate type substrate holding carrier, a substrate setting surface 3 has the self-adhesive property and the entire part thereof has the flexibility higher than that of the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、シリコンウエハ上に集積回路を形成する工程等において、シリコンウエハ等の基板を保持、搬送するための基板保持キャリア及び基板の保持搬送方法に関する。   The present invention relates to a substrate holding carrier for holding and transferring a substrate such as a silicon wafer and a method for holding and transferring the substrate in a process of forming an integrated circuit on a silicon wafer.

現在、例えばシリコンウエハ等のウエハは、集積回路（以下、ＩＣと省略する。）が形成されてチップ状に加工等がされることによって、さまざまな電子機器に使用されている。近年、ＩＣの更なる小型化が進んでおり、例えば、ＩＣチップを積層することで高密度化を実現したスタックドＩＣにおいても、よりＩＣを高密度に配置するため、より多層構造とすることが求められている。   Currently, for example, a wafer such as a silicon wafer is used in various electronic devices by forming an integrated circuit (hereinafter abbreviated as IC) and processing it into a chip shape. In recent years, further miniaturization of ICs has progressed. For example, even in a stacked IC in which high density is realized by stacking IC chips, in order to arrange the ICs at a higher density, a more multilayer structure may be used. It has been demanded.

そこで、より薄いシリコンウエハを用い、そのシリコンウエハ上にＩＣを製作することによって、積層数の増加や全体の厚さ低減を図り、より多層の構造とすることが可能となる。従来、シリコンウエハが０．２ｍｍ程度の厚さであれば、現在主に用いられているようなＩＣの製造ラインにシリコンウエハをそのまま投入している。しかし、０．１ｍｍ以下、特に０．０５ｍｍ程度の厚さになると極薄のため、ハンドリング等の関係上強度不足等の理由から従来のＩＣの製造ラインに投入することが困難となる。   Therefore, by using a thinner silicon wafer and manufacturing an IC on the silicon wafer, it is possible to increase the number of stacked layers and reduce the overall thickness, thereby obtaining a multilayer structure. Conventionally, when a silicon wafer has a thickness of about 0.2 mm, the silicon wafer is put into an IC manufacturing line that is mainly used at present. However, when the thickness is 0.1 mm or less, particularly about 0.05 mm, it is extremely thin, and it is difficult to put it into a conventional IC production line because of insufficient strength due to handling and the like.

一方、例えばフィルム上の絶縁基板表面に導体パターンを備えたフレキシブルプリント配線板（以下、ＦＰＣと省略する。）等の薄板のプリント配線板表面に電子部品等を実装する工程や、プリント配線板を製造する工程において高効率生産を実現するための保持搬送用キャリアが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この保持搬送用キャリアは、硬質のベース材とベース材の表面にコーティングされた自己粘着性を有する例えばフッ素樹脂、またはシリコーン系樹脂の薄層とを備えており、フッ素樹脂、またはシリコーン樹脂薄層の上にプリント基板を載置することでプリント基板を保持搬送することができる。
特開２００１−１４４４３０号公報 （第２−３頁、第１図） On the other hand, for example, a process of mounting electronic components on the surface of a thin printed wiring board such as a flexible printed wiring board (hereinafter abbreviated as FPC) having a conductor pattern on the surface of an insulating substrate on a film, A carrier for holding and conveying for realizing high-efficiency production in a manufacturing process has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
The carrier for holding and transporting includes a hard base material and a thin layer of, for example, a fluororesin or a silicone resin having a self-adhesive property coated on the surface of the base material. By placing the printed circuit board on the printed circuit board, the printed circuit board can be held and conveyed.
JP 2001-144430 A (page 2-3, FIG. 1)

しかしながら、上記従来技術には、以下の課題が残されている。すなわち、シリコンウエハのハンドリングにおいてより積層数の高いスタックドＩＣには薄厚化の要望があり、シリコンウエハの厚さが０．１ｍｍ以下、特に０．０５ｍｍ程度の厚さになると極薄のため、従来のようなシリコンウエハをそのまま扱うハンドリング等ではシリコンウエハの強度不足等の理由からそのままでは従来のＩＣ製造ラインに投入することができなくなる。
そこで、従来のＦＰＣ用の保持搬送キャリアにシリコンウエハを載置して搬送することも考えられるが、ＦＰＣを保持搬送用キャリアから剥離する際、柔らかいＦＰＣを引っ張り上げて曲げて剥離したが、上記従来の保持搬送用キャリアに載置したシリコンウエハを保持搬送用キャリアから剥離する際に、シリコンウエハは薄くてもＦＰＣ等と比べて高い硬度を有しているため、シリコンウエハが破損してしまうという虞があった。 However, the following problems remain in the prior art. That is, there is a demand for a thinner stacked IC having a higher number of stacked silicon wafers, and when the thickness of the silicon wafer is 0.1 mm or less, particularly about 0.05 mm, it is extremely thin. In handling such a silicon wafer as it is, it cannot be put into a conventional IC manufacturing line as it is because of insufficient strength of the silicon wafer.
Therefore, it is conceivable to place and transfer a silicon wafer on a conventional FPC holding carrier carrier, but when peeling the FPC from the carrier carrier, the soft FPC is pulled up and bent to peel off. When a silicon wafer placed on a conventional carrier for holding and transporting is peeled from the carrier for holding and transporting, even if the silicon wafer is thin, the silicon wafer has a higher hardness than FPC and the like, so the silicon wafer is damaged. There was a fear.

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、薄いウエハを破損せずに保持、搬送を行うことができる基板保持キャリア及び基板の保持搬送方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate holding carrier and a substrate holding and conveying method capable of holding and transferring a thin wafer without damaging it.

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の基板保持キャリアは、基板を基板載置面で保持するプレート状の基板保持キャリアであって、前記基板載置面が自己粘着性を有し、全体が前記基板よりも高い可撓性を有していることを特徴とする。   The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the substrate holding carrier of the present invention is a plate-like substrate holding carrier that holds a substrate on the substrate mounting surface, and the substrate mounting surface is self-adhesive, and the whole is higher than the substrate. It is characterized by having flexibility.

この発明によれば、自己粘着性を有する基板載置面に基板を載置することによって基板のみを搬送するときに比べ、基板にかかる外力に対する強度を増加させ、保持搬送させたときの基板の破損を抑制する。したがって、極薄で可撓性の小さい基板であってもＩＣの製造ラインに投入することができる。また、基板よりも高い可撓性を有しているため、基板から剥離する際に基板保持キャリアを曲げて基板から剥離することで、基板の破損を防止することができる。   According to the present invention, compared with the case where only the substrate is transported by placing the substrate on the self-adhesive substrate placement surface, the strength against the external force applied to the substrate is increased, and the substrate when it is held and transported is increased. Suppress damage. Therefore, even a very thin and flexible substrate can be put into an IC manufacturing line. Further, since it has higher flexibility than the substrate, it is possible to prevent the substrate from being damaged by bending the substrate holding carrier and peeling from the substrate when peeling from the substrate.

また、本発明に係る基板保持キャリアは、フッ素系の樹脂材料で構成されていることが好ましい。
また、本発明に係る基板保持キャリアは、シリコーン系の樹脂材料で構成されていることが好ましい。
この発明によれば、フッ素系の樹脂材料またはシリコーン系の樹脂材料によって構成することで、耐熱性を向上させることができる。 The substrate holding carrier according to the present invention is preferably made of a fluorine-based resin material.
Further, the substrate holding carrier according to the present invention is preferably made of a silicone-based resin material.
According to this invention, heat resistance can be improved by comprising with a fluorine-type resin material or a silicone-type resin material.

また、本発明に係る基板保持キャリアは、前記可撓性を有するベース層と、該ベース層上に設けられ前記基板載置面を有する自己粘着性層とから構成されていることが好ましい。
この発明によれば、上述と同様に極薄で可撓性の小さい基板であってもＩＣの製造ラインに投入することができる。 Further, the substrate holding carrier according to the present invention is preferably composed of the flexible base layer and a self-adhesive layer provided on the base layer and having the substrate mounting surface.
According to the present invention, even an extremely thin and flexible substrate as described above can be put into an IC manufacturing line.

また、本発明に係る保持搬送方法は、基板保持キャリアの前記基板載置面に基板を載置して保持搬送する保持搬送工程と、基板載置面に載置した基板を前記基板保持キャリアから剥離する剥離工程とを備え、該剥離工程は、前記基板に対して前記基板保持キャリアを周縁から曲げながら剥離することを特徴とする。
この発明によれば、自己粘着性を有する基板載置面に基板を載置させることで極薄の基板であってもＩＣの製造ライン上で保持搬送できると共に、基板よりも可撓性を有する基板保持キャリアを曲げて基板を剥離することで、基板の破損を防止することができる。 The holding and conveying method according to the present invention includes a holding and conveying step of placing and holding a substrate on the substrate placement surface of a substrate holding carrier, and a substrate placed on the substrate placement surface from the substrate holding carrier. A peeling step for peeling off, wherein the peeling step peels off the substrate holding carrier from the periphery while bending the substrate holding carrier.
According to the present invention, a substrate is placed on a self-adhesive substrate placement surface, so that even an extremely thin substrate can be held and conveyed on an IC production line, and more flexible than a substrate. The substrate can be prevented from being damaged by bending the substrate holding carrier and peeling the substrate.

また、本発明に係る保持搬送方法は、前記基板の前記基板載置面に接着されていた面をプラズマ洗浄による洗浄工程を備えていることを特徴とする。
剥離工程により基板載置面に接着されていた面に基板載置面の自己粘着性材料が付着することがある。
この発明によれば、プラズマを照射するプラズマ洗浄を行うことによって、付着した自己粘着性材料を除去することができる。 Further, the holding and conveying method according to the present invention is characterized in that the surface of the substrate bonded to the substrate mounting surface is provided with a cleaning step by plasma cleaning.
The self-adhesive material of the substrate mounting surface may adhere to the surface that has been bonded to the substrate mounting surface by the peeling process.
According to the present invention, the attached self-adhesive material can be removed by performing plasma cleaning with plasma irradiation.

本発明の基板保持キャリア及び保持搬送方法によれば、自己粘着性を有した基板載置面に基板を載置して保持することによって、搬送の際の外力に対する強度を増加させることができる。また、基板保持キャリア側の可撓性が高いので、基板保持キャリア側を曲げることで基板から剥離させる際の基板の破損を防ぐことができる。したがって、極薄の基板であってもＩＣの製造ラインに投入することができる。   According to the substrate holding carrier and the holding and conveying method of the present invention, the strength against an external force during conveyance can be increased by placing and holding a substrate on a self-adhesive substrate placing surface. Further, since the flexibility of the substrate holding carrier side is high, it is possible to prevent the substrate from being damaged when being peeled from the substrate by bending the substrate holding carrier side. Therefore, even a very thin substrate can be put into the IC production line.

以下、本発明に係る基板保持キャリアの第１の実施形態を、図１を参照しながら説明する。
本実施形態による基板保持キャリア１は、図１に示されるように、例えば直径３〜２０インチのシリコンウエハの基板を保持搬送するキャリアであって、一方の面が基板を載置する基板載置面２とされた円盤状の自己粘着層３によって構成されている。 Hereinafter, a first embodiment of a substrate holding carrier according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 1, the substrate holding carrier 1 according to the present embodiment is a carrier that holds and conveys a silicon wafer substrate having a diameter of, for example, 3 to 20 inches. It is comprised by the disk-shaped self-adhesion layer 3 made into the surface 2. As shown in FIG.

自己粘着層３は、シリコーン樹脂又はフッ素樹脂で形成されており、また、基板載置面２が、直径３〜２０インチであって、自己粘着層３の厚さ寸法が、０．６〜３０ｍｍとなっている。
また、基板載置面２は、１０〜１０００ｇ/ｃｍ２を満足する弱粘着性を有している。 The self-adhesive layer 3 is formed of a silicone resin or a fluororesin, the substrate mounting surface 2 has a diameter of 3 to 20 inches, and the thickness of the self-adhesive layer 3 is 0.6 to 30 mm. It has become.
The substrate mounting surface 2 has weak adhesiveness that satisfies 10 to 1000 g / cm 2 .

次に、以上の構成からなる本実施形態の基板保持キャリア１を用いた基板の保持搬送方法について図２から図６を参照して説明する。
なお、本実施形態ではスピンコーティングによってシリコンウエハ上にレジストを塗布するレジスト塗布工程とする。
先ず、保持搬送工程（Ｓ１）を行う。この保持搬送工程（Ｓ１）は、図３に示されるように、シリコンウエハＷを基板載置面２に載置することでシリコンウエハＷを保持する。すなわち、基板載置面２が弱粘着性を有しているためシリコンウエハＷを保持でき、搬送や振動に対してシリコンウエハＷが基板保持キャリア１からずれたり外れたりすることがない。次に、基板保持キャリア１を搬送してスピンコーティング台５に基板保持キャリア１を載置させる。 Next, a method for holding and transporting a substrate using the substrate holding carrier 1 of the present embodiment having the above configuration will be described with reference to FIGS.
In the present embodiment, a resist coating process is performed in which a resist is coated on a silicon wafer by spin coating.
First, a holding conveyance process (S1) is performed. In the holding and conveying step (S1), the silicon wafer W is held by placing the silicon wafer W on the substrate mounting surface 2 as shown in FIG. That is, since the substrate mounting surface 2 has weak adhesiveness, the silicon wafer W can be held, and the silicon wafer W is not displaced or detached from the substrate holding carrier 1 due to conveyance or vibration. Next, the substrate holding carrier 1 is conveyed, and the substrate holding carrier 1 is placed on the spin coating table 5.

続いて、レジスト塗布工程（Ｓ２）を行う。このレジスト塗布工程（Ｓ２）は、シリコンウエハＷの表面にレジストを滴下し、スピンコーティング台５の中心点Ｐを回転中心として高速回転させることで図４に示すように、シリコンウエハＷ上に均一に塗布されたレジスト膜６が形成される。このとき、スピンコーティング台５に設けられた吸引口５Ａより吸引ポンプ（図示略。）によって吸引されることで基板保持キャリア１がスピンコーティング台５に保持されている。
レジスト膜６の形成後、例えば、２５０℃、１時間のベーキング処理を施すことによりレジスト膜６を硬化させる。 Subsequently, a resist coating step (S2) is performed. In this resist coating step (S2), a resist is dropped on the surface of the silicon wafer W and rotated at high speed around the center point P of the spin coating table 5 as shown in FIG. A resist film 6 applied to the film is formed. At this time, the substrate holding carrier 1 is held on the spin coating table 5 by being sucked by a suction pump (not shown) from a suction port 5 </ b> A provided on the spin coating table 5.
After the resist film 6 is formed, the resist film 6 is cured by, for example, baking at 250 ° C. for 1 hour.

続いて、剥離工程（Ｓ３）を行う。この剥離工程（Ｓ３）は、図５に示すように、シリコンウエハＷ側ではなく、基板保持キャリア１を曲げることによりシリコンウエハＷを剥離させる。
続いて、洗浄工程（Ｓ４）を行う。基板保持キャリア１から剥離されたシリコンウエハＷには、図６に示されるように、シリコンウエハＷの基板載置面２に載置された面上に自己粘着性材料３Ａが付着することがある。この洗浄工程（Ｓ４）は、この付着した自己粘着性材料３Ａに対しプラズマ洗浄を行う。このプラズマ洗浄は、例えば、アシストガスとしてＨｅ、ＣＦ４、Ｏ２を用い、出力１５００Ｗ、搬送スピード０．５ｍ／分とする条件下で自己粘着性材料３Ａを除去する。 Then, a peeling process (S3) is performed. In this peeling step (S3), as shown in FIG. 5, the silicon wafer W is peeled by bending the substrate holding carrier 1 instead of the silicon wafer W side.
Subsequently, a cleaning step (S4) is performed. As shown in FIG. 6, the self-adhesive material 3 </ b> A may adhere to the silicon wafer W peeled from the substrate holding carrier 1 on the surface of the silicon wafer W placed on the substrate placement surface 2. . In this cleaning step (S4), plasma cleaning is performed on the attached self-adhesive material 3A. In this plasma cleaning, for example, He, CF 4 , and O 2 are used as an assist gas, and the self-adhesive material 3A is removed under conditions of an output of 1500 W and a conveyance speed of 0.5 m / min.

この基板保持キャリア１によるシリコンウエハの保持搬送方法によれば、シリコンウエハＷを載置する基板載置面２が自己粘着性を有し、また基板保持キャリア１がシリコンウエハＷよりも高い可撓性を有している。したがって、基板保持キャリア１にシリコンウエハＷを載置させることでシリコンウエハＷの搬送においてシリコンウエハＷの破損を防止することができる。また、基板保持キャリア１の方を曲げることでシリコンウエハＷを破損させることなく剥離させることができる。
更に、このときシリコンウエハＷに付着した自己粘着性材料３Ａをプラズマ洗浄により選択的に自己粘着性材料３Ａを除去することができる。
また、自己粘着層３にシリコーン樹脂を用いた場合には連続耐熱温度が約２００℃であり、フッ素樹脂を用いた場合には信連続体熱温度が約２５０℃以上であるので、シリコーン樹脂に比べて耐熱性が約５０℃向上する。 According to the method of holding and transporting a silicon wafer by the substrate holding carrier 1, the substrate mounting surface 2 on which the silicon wafer W is placed has self-adhesiveness, and the substrate holding carrier 1 is more flexible than the silicon wafer W. It has sex. Therefore, by placing the silicon wafer W on the substrate holding carrier 1, it is possible to prevent the silicon wafer W from being damaged during the transfer of the silicon wafer W. Also, the silicon wafer W can be peeled without being damaged by bending the substrate holding carrier 1.
Furthermore, the self-adhesive material 3A attached to the silicon wafer W at this time can be selectively removed by plasma cleaning.
Further, when a silicone resin is used for the self-adhesive layer 3, the continuous heat resistance temperature is about 200 ° C., and when a fluororesin is used, the continuous continuum heat temperature is about 250 ° C. or higher. The heat resistance is improved by about 50 ° C.

次に、第２の実施形態について図７を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態はその基本的構成が上述した第１の実施形態と同様であり、上述の第１の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図７においては、図１と同一構成要素に同一符号をし、この説明を省略する。 Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the embodiment described here is the same as that of the first embodiment described above, and another element is added to the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 7, the same components as those in FIG.

第２の実施形態と第１の実施形態との異なる点は、第１の実施形態の基板保持キャリア１では基板載置面２を有する自己粘着層３によって構成されているのに対して、第２の実施形態における基板保持キャリア１０では、シリコーン樹脂又はフッ素樹脂で構成された可撓性を有するベース層１１と、基板載置面１２を有する自己粘着層１３とによって構成されている点である。
ベース層１１は、ガラスクロス、エポキシ樹脂積層材、ステンレス、アルミ、マグネシウム合金材等が用いられている。 The difference between the second embodiment and the first embodiment is that the substrate holding carrier 1 of the first embodiment is constituted by the self-adhesive layer 3 having the substrate mounting surface 2, whereas The substrate holding carrier 10 according to the second embodiment is configured by a flexible base layer 11 made of silicone resin or fluororesin and a self-adhesive layer 13 having a substrate mounting surface 12. .
The base layer 11 is made of glass cloth, epoxy resin laminated material, stainless steel, aluminum, magnesium alloy material, or the like.

この基板保持キャリア１０は、ベース層１１と自己粘着層１３とで構成されているので、シリコンウエハＷの保持に対して最適な弱粘着性を有する自己粘着層１３を選択すると共に粘着性にかかわらず全体として基板に対して最適な可撓性を設定可能なベース層１１とを分けて構成することができる。したがって、それぞれの自己粘着性と可撓性とを最適にすることができる。   Since the substrate holding carrier 10 is composed of the base layer 11 and the self-adhesive layer 13, the self-adhesive layer 13 having the weak adhesiveness optimum for holding the silicon wafer W is selected and the adhesiveness is concerned. Instead, the base layer 11 that can set the optimum flexibility for the substrate as a whole can be separately configured. Therefore, each self-adhesiveness and flexibility can be optimized.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、基板載置面の自己粘着性が均一であったが、これに限らず、例えば半径方向で中心から離間するにしたがって自己粘着性が減少するような構成であってもよい。このようにすることで、基板保持搬送キャリアをシリコンウエハから剥離することが容易となる。
また、第２の実施形態では、ベース層が、例えばガラスクロスをシリコーン系樹脂又はフッ化系樹脂で挟むような多層構造であってもよい。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above embodiment, the self-adhesiveness of the substrate mounting surface is uniform. However, the present invention is not limited to this. For example, the self-adhesiveness may be reduced as the distance from the center in the radial direction decreases. Good. By doing in this way, it becomes easy to peel a board | substrate holding | maintenance conveyance carrier from a silicon wafer.
In the second embodiment, the base layer may have a multilayer structure in which, for example, a glass cloth is sandwiched between a silicone resin or a fluorinated resin.

本発明に係る第１の実施形態における基板保持キャリアを示す斜視図である。It is a perspective view showing a substrate holding carrier in a 1st embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第１の実施形態におけるシリコンウエハの保持搬送方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the holding | maintenance conveyance method of the silicon wafer in 1st Embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る第１の実施形態におけるシリコンウエハを載置し、スピンコーティング台に載置した際の軸方向断面図である。It is an axial direction sectional view at the time of mounting a silicon wafer in a 1st embodiment concerning the present invention, and mounting on a spin coating stand. 本発明に係る第１の実施形態におけるレジスト塗布後の軸方向断面図である。It is an axial direction sectional view after resist application in a 1st embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第１の実施形態におけるシリコンウエハを剥離する際の基板保持キャリアを示す軸方向断面図である。It is an axial direction sectional view showing a substrate holding carrier at the time of exfoliating a silicon wafer in a 1st embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第１の実施形態における剥離後のシリコンウエハを示す模式的な断面図である。It is a typical sectional view showing a silicon wafer after exfoliation in a 1st embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第２の実施形態における基板保持キャリアを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the substrate holding carrier in 2nd Embodiment which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１、１０ 基板保持キャリア
３ 自己粘着層
２ 基板載置面
３Ａ 自己粘着性材料
Ｗ シリコンウエハ 1, 10 Substrate holding carrier 3 Self-adhesive layer 2 Substrate mounting surface 3A Self-adhesive material W Silicon wafer

Claims (6)

基板を基板載置面で保持するプレート状の基板保持キャリアであって、
前記基板載置面が自己粘着性を有し、全体が前記基板よりも高い可撓性を有していることを特徴とする基板保持キャリア。 A plate-like substrate holding carrier for holding a substrate on a substrate mounting surface,
The substrate holding carrier, wherein the substrate mounting surface has self-adhesiveness, and the whole has higher flexibility than the substrate. フッ素系の樹脂材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持キャリア。   2. The substrate holding carrier according to claim 1, wherein the substrate holding carrier is made of a fluorine-based resin material. シリコーン系の樹脂材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持キャリア。   2. The substrate holding carrier according to claim 1, wherein the substrate holding carrier is made of a silicone-based resin material. 前記可撓性を有するベース層と、該ベース層上に設けられ前記基板載置面を有する自己粘着性層とから構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板保持キャリア。   4. The structure according to claim 1, wherein the base layer has flexibility and a self-adhesive layer provided on the base layer and having the substrate mounting surface. 5. The substrate holding carrier as described. 請求項１から４のいずれかに記載の基板保持キャリアの前記基板載置面に基板を載置して保持搬送する保持搬送工程と、
基板載置面に載置した基板を前記基板保持キャリアから剥離する剥離工程とを備え、
該剥離工程は、前記基板に対して前記基板保持キャリアを周縁から曲げながら剥離することを特徴とする基板の保持搬送方法。 A holding and conveying step of placing and holding and conveying a substrate on the substrate placement surface of the substrate holding carrier according to any one of claims 1 to 4,
A peeling step of peeling the substrate placed on the substrate placement surface from the substrate holding carrier,
In the peeling step, the substrate holding carrier is peeled off while bending the substrate holding carrier from the periphery. 前記基板の前記基板載置面に接着されていた面をプラズマ洗浄による洗浄工程を備えていることを特徴とする請求項５に記載の基板の保持搬送方法。   6. The method for holding and transporting a substrate according to claim 5, further comprising a step of cleaning the surface of the substrate bonded to the substrate mounting surface by plasma cleaning.
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