JP2005180527A - リーク弁 - Google Patents

Abstract

【課題】 超高純度気体、液体等の流体を使用する半導体製造装置、液晶製造装置等の配管ラインに使用されるリーク弁に関し、リーク流通路に補修、交換の必要が生じた場合に、ユーザにより容易にリーク流通路の補修、交換を可能とすると共に、リーク流量の調整変更を容易に行うことを可能としたリーク弁を提供する。
【解決手段】 本体ブロック２の流入路２４、流出路２５には、バイパス分岐路２４ａ、バイパス合流路２５ａを設ける。バイパスブロック３は、バイパス分岐路２４ａ、バイパス合流路２５ａを連通するバイパス流路３２を有するとともに、ネジ３６により脱着固定可能に構成する。オリフィス部材３１を本体ブロック２及びバイパスブロック３で挟持して、バイパス流路３２開口部に配設する構成である。
【選択図】 図２

Description

本発明は、超高純度気体、液体等の流体を使用する半導体製造装置、液晶製造装置等の配管ラインに使用されるリーク弁に関し、特に、外部部材にバイパス流路を形成するリーク弁に関するものである。

従来、半導体製造工程におけるガス配管には、弁本体のメイン流路が閉状態であっても、常に一定流量のガスを流すバイパス流路を有するリーク弁が使用されている。このようなリーク弁に関する技術として、特許文献１乃至特許文献３記載の弁に関する技術が公開されている。

特許文献１には、図６に示す定流量リーク弁６０の技術が記載されている。定流量リーク弁６０は、エアシリンダ部６１の作動により、流入路６２と流出路６３をダイアフラム６４で封止する。また、流入路６２と流出路６３の間にある隔壁６５には、連通孔６６が穿設されている。そして、連通孔６６には、流入路６２と流出路６３を連絡する中空状のパイプ６７を挿通して配設したホルダ部材６８を嵌合されている。ダイアフラム６４により封止されたガスは、パイプ６７を通り、流出路６２へと流れる。また、パイプ６７の長さを調節することにより、リーク流量を変更することが可能である。

また、特許文献２には、図７に示すダイアフラム弁７０ついての技術が記載されている。ダイアフラム弁７０は、ピストン７１の摺動により流入路７２と流出路７３の間のダイアフラム７４を開閉し、ガスの流れを封止する。ダイアフラム７４の下には、流入路７２の周囲に配された弁シート７５が配設されている。弁シート７５には、流入路７２と流出路７３とを連通するガス流通孔７６が穿設されている（図８参照）。ガス流通孔７６により、常に、一定流量のガスを流下させることができる。

そして、特許文献３には、図９に示すリーク弁８０についての技術が記載されている。リーク弁８０は、ピストン８１の摺動により、ダイアフラム８２を弁座シート８３に押圧密着して、ガスの流れを封止する。弁座シート８３下面と流入路８４の出口開口縁８６の間には、シートカラー８７を配設する。シートカラー８７と弁室底面８５との間、又はシートカラー８７自体には、流入路８４より流出路８８へ連絡するリーク流通路８９が形成されている。リーク流通路８９により、常に一定流量のガスを流下させることができる。また、流体による磨耗やダイアフラム８１の押圧力による変形があっても、リーク流量の変化はない常に、一定流量のガスを流下させることができる。

特開平７−３５２４８号公報（図１参照） 特開平８−１４４１５号公報（図１、図２参照） 特開平１０−２６２４０号公報（図１参照）

半導体製造工程に用いられるガスは、強い腐食性を有している。このため、ガスの腐食により、バイパス流路が劣化、変形したり、パーティクルによって詰まったりすることがある。バイパス流路の劣化、変形が発生すると、一定流量の筈のリーク流量が変化してしまう。また、バイパス流路が詰まってしまうと、リーク弁としての機能を果たさなくなる。
ここで、特許文献１記載の定流量リーク弁６０（図６参照）において、パイプ６７の劣化又は詰りが発生した場合には、故障部分であるパイプ６７の補修、交換が可能であれば、リーク弁としての機能を果たす。しかし、定流量リーク弁６０は、パイプ６７が流路最奥の隔壁６５に取り付けられているため、パイプ６７を取り外すことは不可能である。つまり、パイプ６７に劣化や詰りが生じた場合には、定流量リーク弁６０一式を交換しなければならないといった問題点を有する。
また、特許文献１には、パイプ６７の口径及び長さを調節することにより、必要リーク流量を変更することが可能であると記載されている。しかし、特許文献１の定流量リーク弁６０は、前述のようにパイプ６７を取り外すことは不可能である。つまり、特許文献１の定流量リーク弁６０は、リーク弁６０の製造過程において、必要リーク流量の変更調整が可能なのであって、リーク弁６０が製品となった際には、必要リーク流量を変更することは不可能である。この結果、半導体製造設備に使用されている機器の仕様変更があった場合、最適な必要リーク流量を得るには、定流量リーク弁６０一式を交換しなければならない。

そして、特許文献２記載のダイアフラム弁７０においては、（図７、図８参照）、ガス流通孔７６に腐食性ガスによる劣化や、パーティクル等による詰りが生じた場合には、ガス流通孔７６を有する弁シート７５を取り外して補修、交換することは可能である。
しかし、弁シート７５を取り外すためには、ダイアフラム７４を押圧するピストン７１等の弁構造部を取り外さなければならない。さらに、弁構造部は、容易に取り外すことが可能なユニット構造ではないので、弁構造部は、部材単位にまで分解する必要がある。そして、ガス流通孔７６の補修、交換を終えると、再度、弁構造部を組み立て、取り付ける作業を行なわなければならない。
このように、弁シート７５の補修、交換作業を行なうことは可能ではあるが、複雑な弁構造部の取り外し作業を行なわなければならず、非常に多くの労力と時間を必要とするという問題点を有する。

さらに、特許文献３記載のリーク弁８０において（図９参照）、リーク流通路８９に腐食性ガスによる劣化や、パーティクル等による詰りが生じた場合には、シートカラー８７を取り外して、リーク流通路８９の補修、交換をすることは可能である。
しかし、リーク弁８０においても、ダイアフラム８２を押圧するピストン８１等の弁構造部を分解し、シートカラー８７を取り外すことが必要になる。リーク弁８０の弁構造部も、部材単位にまで分解しなければならない。さらに、リーク流通路８９の補修、交換を終えた際には、部材単位にまで分解されている弁構造部を再度組み立て、弁本体に取り付ける作業が必要となる。
リーク弁８０においても、リーク流通路８９の補修、交換作業を行うことは可能であるが、複雑な弁構造部の取り外し作業が伴い、多くの労力と時間を費やさなければならないといった問題点を有する。さらに、弁構造部を一度分解することにより、再度組み立てられた弁構造部にダイアフラム８２の封止力の低下等の不具合が発生する危険性も有している。

本発明は、上述した課題を鑑みてなされたものであり、リーク流通路に補修、交換の必要が生じた場合に、ユーザにより容易にリーク流通路の補修、交換を可能とすると共に、リーク流量の調整変更を容易に行うことを可能としたリーク弁を提供することを目的とする。

前記目的を達成するため請求項１に係るリーク弁は、流体が流入するとともに、バイパス分岐口を有する流入路と、流体を流出するとともに、バイパス合流口を有する流出路と、前記流入路と前記流出路の間の開閉を行うダイアフラムとを備える本体ブロックと、前記バイパス分岐口と前記バイパス合流口を連通するバイパス流路を備えるとともに、本体ブロックへ脱着可能に構成されたバイパスブロックと、本体ブロックとバイパスブロックにて挟持されるオリフィス部材とを有することを特徴とする。

また、請求項２に係るリーク弁におけるリーク量変更システムは、流体が流入するとともに、バイパス分岐口を有する流入路と、流体を流出するとともに、バイパス合流口を有する流出路と、前記流入路と前記流出路の間の開閉を行うダイアフラムとを備える本体ブロックと、前記バイパス分岐口と前記バイパス合流口を連通するバイパス流路を備えるとともに、本体ブロックへ脱着可能に構成されたバイパスブロックと、夫々異なる内径を有し、本体ブロックとバイパスブロックにて挟持される複数種類のオリフィス部材とにより構成され、前記オリフィス部材を交換することにより、容易に任意のリーク量へ変更可能としたことを特徴とする。

前記請求項１記載のリーク弁では、バイパスブロックは、前記バイパス分岐口と前記バイパス合流口を連通するバイパス流路を備えるとともに、図１及び図２に示すように、本体ブロックへネジ止めされており、容易に脱着可能な構成となっている。また、オリフィス部材は、本体ブロックとバイパスブロックにて挟持されている。バイパス流路の補修、交換の必要が生じた際には、まず、バイパスブロック下部のねじを緩め、バイパスブロックを取り外す。そして、オリフィス部材の補修、交換を行ない、再度、バイパスブロックを本体ブロックにねじ止めすれば良い。オリフィス部材の補修、交換を行なうことにより、バイパス流路の機能を回復させることができる。
前述のように、バイパスブロックの脱着作業及び、オリフィス部材の交換、補修作業は、ネジを取り外すという非常に単純な作業で行うことが可能となっているので、ユーザの手で、容易に補修、交換の作業を行なうことができる。

また、前記請求項２記載のリーク弁におけるリーク量変更システムにおいては、バイパスブロックは、前記バイパス分岐口と前記バイパス合流口を連通するバイパス流路を備えるとともに、本体ブロックへネジ止めされており、容易に脱着可能な構成となっている。さらに、オリフィス部材は、内径が０．１ｍｍから１ｍｍの範囲では、０．０５ｍｍ刻み、１ｍｍから２ｍｍまでの範囲では０．１ｍｍ刻みで穿設される小穴を有し、本体ブロックとバイパスブロックにて挟持して配設される構成である。
例えば、半導体製造設備における使用機器の仕様を変更した場合には、ガスのリーク流量を変化させる必要が生じる。従来のリーク弁では、リーク弁本体を交換しなければ、リーク流量を変更できなかった。しかし、本発明に係るリーク弁では、オリフィス部材の交換によりリーク流量を変更することが可能となる。
また、リーク流量の変更調整作業は、バイパスブロック下部のネジを緩めて、バイパスブロックを取り外し、既設のオリフィス部材を、ユーザ所望の内径を有するオリフィス部材に交換をするだけでよい。つまり、バイパス流路の補修、交換作業と同様に、バイパスブロックの脱着、オリフィスの交換といった単純且つ容易な作業で、ユーザ所望のリーク流量を有するリーク弁に変更可能となる。

以下、本発明を具体化したリーク弁１の一実施形態に関して、図面を参照しながら詳細に説明する。

リーク弁１の構成について説明する。図１は、本発明に係るリーク弁１の断面図である。リーク弁１は、半導体製造工程において、超高純度気体や、腐食性の高い気体等の多様な気体を使用する配管ラインに使用され、弁閉状態であっても、常に一定流量の気体を流下させることができる弁である。
リーク弁１は、大別すると本体ブロック２と、バイパスブロック３に分類される。リーク弁１の外殻は、シリンダ６、ベース７、ボディ８及びバイパスブロック３を組み合わせて構成される。そして、本体ブロック２は、メイン流路における流体の制御をおこなう部分であり、制御部４と、弁部５とで構成されている。

ここで、本体ブロック２における制御部４について説明する。制御部４は、有底円筒形状のシリンダ６の内部空間１４に、ピストン組立体１０、バネ１３を配設し、ベース７をシリンダ６開口部に配設した構成である。
シリンダ６は、有底円筒形状に形成された部材である。シリンダ６内部には、ピストン組立体１０、バネ１３が配設される内部空間１４を後述するベース７を嵌合することで形成している。
シリンダ６底面中央部には、操作ポート１５が穿設されている。操作ポート１５は、後述するピストン組立体１０を摺動操作する圧縮空気を、密閉空間１４ａに圧入または、密閉空間１４ａより放出する部分である。また、操作ポート１５開口部には、ピストンロッド１１が摺動可能に、円筒部１６が内部方向に形成されている。円筒部１６内面には、Ｏ−リング１７が配設されている。
シリンダ６底面の操作ポート１５近傍には、逃がし穴１８が穿設されている。逃がし穴１８は、内部空間１４において、シリンダ６とピストン１２により形成されるバネ取付空間１４ｂと連通し、バネ取付空間１４ｂが縮小した場合に空気をリーク弁１外部へ放出する。

ピストン組立体１０は、内部空間１４に配設されており、ピストン組立体１０の摺動により、弁の開閉制御をおこなうものである。ピストン組立体１０は、ピストンロッド１１と、ピストン１２により構成されている。
ピストンロッド１１は、円柱状に形成され、上面中央部には、操作ポート１５と密閉空間１４ａを連通するエア流路１１ａが穿設されている。そして、ピストンロッド１１の両端部は、円筒部１６と、後述するピストン挿通孔１９に摺動可能に挿通されている。ピストン１２の配設位置には、環状突部１１ｂが設けられ、ピストン１２内周面と当接する部分には、Ｏ−リング２０が配設されている。環状突部１１ｂからピストン１２の厚み分上方にワッシャ１１ｃが取り付けられ、ピストンロッド１１とピストン１２を一体化している。
ピストン１２は、側面が、シリンダ６内側面に当接する円盤状に形成された部材である。ピストン１２中央部には、ピストンロッド１１を挿通可能な穴１２ａが穿設されている。そして、穴１２ａの周辺には、穴１２ａを中心として、環状にバネ取付部１２ｂが形成されている。ピストン１２側面には、Ｏ−リング２１が配設されている。
バネ１３は、ピストン組立体１０を弁閉方向に付勢する付勢手段である。そして、バネ１３は、バネ取付空間１４ｂにおいて、一端はバネ取付部１２ｂに取り付けられるとともに、他端には、円筒部１６を挿入して配設されている。

ベース７は、制御部４と流路部５を隔離すると共に、シリンダ６、ボディ８とリーク弁１の外殻を形成するものである。ベース７は、シリンダ６に端部を内挿するように構成される。また、一方の端部は、後述するボディ８を取り付け可能に構成されている。ベース７中央部には、ピストン組立体１０の摺動に伴い、ピストンロッド１１端部が突出するピストン挿通孔１９が穿設されている。ピストン挿通孔１９内面には、ピストンロッド１１が当接する部分にＯ−リング２２が配設されている。さらに、ベース７側面においては、シリンダ６の内側面と当接するＯ−リング２３が配設されている。
ここで、シリンダ６、ベース７によって、制御部４に形成される内部空間１４について説明する。内部空間１４は、シリンダ６とベース７を組み合わせ、制御部４の外殻を形成した際に、制御部４内部に形成される空間で、ピストン組立体１０、バネ１３が配設される。ここで、シリンダ６、ベース７、ピストン１２によって形成され、Ｏ−リング２０、２１、２２、２３によって密閉されている空間が密閉空間１４ａである。また、シリンダ６、及びピストン１２によって形成された空間が、バネ取付空間１４ｂである。

次に、本体ブロック２における弁部５について、詳細に説明する。弁部５は、流入路２４、流出路２５を有するボディ８と、ダイアフラム２６、ダイアフラム押え２７により構成される。そして、弁部５は、ダイアフラム押え２７を介して、ダイアフラム２６を弁座２９に押圧し、気体の流出路２５方向への流れを封止する部分である。
ボディ８は、流入路２４、流出路２５、弁室２８、弁座２９を有する構成である。ボディ８本体上部は、ベース７と嵌合する。ボディ８の外観は、弁室２８、弁座２９を有する弁部本体３０から、略一直線上に流入路２４、流出路２５が管状に延出されている。流入路２４、流出路２５の管状部の端部には、ガス配管と接続可能な接続継手３８が取り付けられている。また、ボディ８下部は、四角柱状に形成され、ボディ８下面には、バイパス分岐路２４ａ、バイパス合流路２５ａの開口部と、４箇所のネジ穴３３が穿設されている。バイパス分岐路２４ａ、バイパス合流路２５ａの開口周縁には、オリフィス部材３１を取り付ける環状凹部３７が形成されている。
流入路２４は、弁部本体３０までは直線状に形成され、弁部本体３０内部において、垂直断面逆Ｌ字状に折曲して形成されている。また、流入路２４の折曲部近傍には、バイパス分岐路２４ａが形成されている。流入路２４は、逆Ｌ字状に折曲した後、弁室２８に連通している。
バイパス分岐路２４ａは、流入路２４から分岐し、ボディ８下面で外部と連通している。後述するバイパスブロック３を取り付けた際には、バイパス流路３２と接続し、弁閉状態においても常に一定流量の腐食性ガスを流す部分である。
流出路２５は、弁部本体３０内部において、垂直断面Ｌ字状に折曲して形成され、弁部本体３０外部では、直線状に形成されている。流出路２５折曲部近傍には、バイパス合流路２５ａが形成されている。
バイパス合流路２５ａは、流入路２４から分岐して形成され、ボディ８下面で外部と連通している。後述するバイパスブロック３を取り付けた際には、バイパス流路３２と接続し、弁閉状態においても常に一定流量の腐食性ガスをバイパス流路３２から、流出路２５に合流させて流す部分である。
弁室２８は、弁部本体３０上部に有底円筒形状に形成された空間部分である。弁室２８は、後述するダイアフラム２６、ダイアフラム押え２７が配設される空間である。弁室２８底面中央部には、流入路２４と接続する流入開口部２８ａが形成され、弁室２８側面近傍の底面には、流出路２５と連通する流出開口部２８ｂが形成されている。流入開口部２８ａの開口縁には、環状に突出した弁座２９が形成されている。

弁室２８底面には、弁座２９に押圧密着することにより、強い腐食性を有するガスの流れを封止するダイアフラム２６を配設する。ダイアフラム２６上には、ピストンロッド１１端部と当接し、ダイアフラム２６を弁座２９に押圧密着させる押圧ブロック２７ａと、弁室２８内面と当接するとともに、環状に形成されたダイアフラム端部押え２７ｂが配設される。

ここで、バイパスブロック３について、図２乃至図５を参照しながら詳細に説明する。図２は、リーク弁１において、バイパスブロック３を取り外した状態の断面図である。図３は、バイパスブロック３の垂直断面図である。図４は、バイパスブロック３上面の開口部配置図である。図５は、本体ブロック２下部と、バイパスブロック３に挟持配設されるオリフィス部材３１の断面図である。
バイパスブロック３は、ボディ８下面に穿設されたバイパス分岐路２４ａと、バイパス合流路２５ａを接続するバイパス流路３２を有するブロック部材である。バイパスブロック３は、ボディ３下部と同様に四角柱状に形成され、上面には、ボディ８下面の４箇所に穿設されたネジ穴３３と対応した位置に、バイパスブロック３を貫通する貫通孔３４が形成されている。バイパスブロック３上面には、バイパス流路３２両端部が開口されている。バイパス流路３２両端の開口縁は、オリフィス部材３１及びガスケット３５を挟持する環状凹部３７がそれぞれ形成されている（図４参照）。そして、貫通孔３４にネジ３６を挿通して、ボディ８下面のネジ穴３３にネジ止めすることにより、バイパスブロック３は本体ブロック２に固定される。
バイパス流路３２は、腐食性ガスの主要な流路である流入路２４及び流出路２５を閉塞した状態においても、一定流量流し続けるための流路である。バイパス流路３２は、バイパスブロック３内部において、バイパス分岐路２４ａとバイパス合流路２５ａを接続するとともに、垂直断面Ｖ字状に形成された流路である（図３参照）。
オリフィス部材３１は、円筒形部材の内部に括れ部３１ａを設けたものである。オリフィス部材３１の外径は、オリフィス部材３１側面がバイパス分岐路２４ａまたはバイパス合流路２５ａと当接するように形成されている。さらに、オリフィス部材３１の一方の端部には、外方環状に突出した挟持部３１ｂが形成されている（図５参照）。括れ部３１ａにより形成される小穴の内径が、０．１ｍｍから１ｍｍの範囲では、０．０５ｍｍ刻み、１ｍｍから２ｍｍまでの範囲では０．１ｍｍ刻みで複数種類形成されている。
ガスケット３５は、オリフィス部材３１の挟持部３１ｂを内挿可能に形成したリング状の部材である。これにより、本体ブロック２とバイパスブロック３の接合部より、腐食性ガスが漏出することを防止する。

次に、図１を参照しながら、リーク弁１の開閉動作について、詳細に説明する。本実施例に係るリーク弁１の開状態は、操作ポート１５へ、圧縮空気を圧入することにより実現される。操作ポート１５に圧縮空気を圧入すると、圧縮空気は、ピストンロッド１１内部に形成されたエア流路１１ａを通り、密閉空間１４ａに圧入される。圧縮空気により密閉空間１４ａの内部圧力が上昇し、その結果、バネ１３の付勢力に反して、ピストン組立体１０が弁開方向（図１上方）に移動するのである。ピストン組立体１０の移動とともに、ピストンロッド１１端部が、ダイアフラム押え２７より離間する。この結果、腐食性ガスを封止していたダイアフラム２６が、弁座２９より離間し、弁開状態を実現する。弁開状態において、腐食性ガスは、主要な流路である流入路２４、流出路２５と、バイパス流路３２を流れるので、半導体製造工程において、十分な流量を流すことができる。
そして、リーク弁１の閉状態は、密閉空間１４ａ内部の圧縮空気を操作ポート１５より外部に放出することにより実現される。圧縮空気の放出に伴い、密閉空間１４ａ内部圧力が低下する。密閉空間１４ａの内部圧力が低下し、バネ１３の付勢力より小さくなると、ピストン組立体１０が弁閉方向（図１下方）に移動する。そして、ピストンロッド１１端部がダイアフラム押え２７に当接し、ダイアフラム２６が弁座２９に密着する。このようにして、リーク弁１の閉状態が実現されるのである。弁閉状態においては、腐食性ガスの主要な流路である流入路２４、流出路２５は閉塞される。しかし、腐食性ガスは、バイパス流路３２を流れるので、弁閉状態でも、常に一定流量の腐食性ガスを流すことができる。

ここで、バイパスブロック３及び、オリフィス部材３１の補修、交換作業について、図２を参照して、詳細に説明する。まず、バイパスブロック３の取り外し作業を行なう。バイパスブロック３は、バイパスブロック３下部にある４本のネジ３６によって、本体ブロック２にネジ止め固定されている。バイパスブロック３下部の４本のネジ３６を取り外すと、本体ブロック２よりバイパスブロック３を取り外すことができる。
取り外したバイパスブロック３上面の環状凹部３７には、オリフィス部材３１及びガスケット３５が存在する。ここで、オリフィス部材３１については、適宜補修又は、交換を行い、ガスケット３５は、新しいものと交換する。
このように、補修、交換したオリフィス部材３１、ガスケット３５と、バイパスブロック３を本体ブロック２に取り付ける。オリフィス部材３１をバイパス分岐路２４ａに内挿し、ガスケット３５とともに、本体ブロック２、バイパスブロック３にて挟持させる。本体ブロック２のネジ穴３３と、バイパスブロック３の貫通孔３４をそれぞれ対応させながら、４本のネジ３６を締めることにより、バイパスブロック３、オリフィス部材３１及びガスケット３５を本体ブロック２に取り付ける。このようにして、バイパスブロック３及び、オリフィス部材３１の補修、交換作業が行なわれる。

半導体製造設備に腐食性ガスを流した場合、ガスの腐食により、バイパス流路３２が劣化、変形したり、パーティクルによって詰まったりすることがある。バイパス流路３２の劣化、変形が発生すると、一定流量の筈のリーク流量が変化してしまう。また、バイパス流路３２が詰まってしまうと、リーク弁１としての機能を果たさなくなる。
上記のようにバイパス流路３２に障害が発生した場合、従来のリーク弁では、障害が発生している部品のみを交換することができず、リーク弁全体を交換していた。しかし、本実施例のリーク弁１では、バイパスブロック３の脱着と、オリフィス部材３１の補修、交換作業を行えばよい。
バイパスブロック３の脱着作業及び、オリフィス部材３１の補修、交換作業は、ネジ３６を取り外すという非常に単純な作業で行うことが可能となっているので、ユーザの手で、容易に補修、交換の作業を行なうことができる。

また、バイパスブロック３は、バイパス分岐口２４ａとバイパス合流口２５ａを連通するバイパス流路３２を備えるとともに、本体ブロック２へネジ止めされており、容易に脱着可能な構成となっている。さらに、オリフィス部材３１は、括れ部３１ａによって形成されるとともに、０．１ｍｍから１ｍｍの範囲では、０．０５ｍｍ刻み、１ｍｍから２ｍｍまでの範囲では０．１ｍｍ刻みの内径の小穴を有する。オリフィス部材３１は、本体ブロック２とバイパスブロック３にて挟持して配設される構成である。
例えば、半導体製造設備における使用ガスや使用機器を変更した場合には、ガスのリーク流量を変化させる必要が生じる。従来のリーク弁では、リーク弁本体を交換しなければ、リーク流量を変更できなかった。しかし、本発明に係るリーク弁１では、オリフィス部材３１の交換によりリーク流量を変更することが可能となる。
また、リーク流量の変更調整作業は、バイパスブロック３下部のネジを緩めて、バイパスブロック３を取り外し、既設のオリフィス部材３１を、ユーザ所望の内径を有するオリフィス部材３１に交換をするだけでよい。つまり、バイパス流路３２の補修、交換作業と同様に、バイパスブロック３の脱着、オリフィス部材３１の交換といった単純且つ容易な作業で、ユーザ所望のリーク流量を有するリーク弁１に変更可能となる。

以上、本発明はこのような実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施し得る。
例えば、本実施例においては、エアオペレート弁として説明したが、エアオペレート弁に拘泥する必要はなく、ピストンの操作方式を電磁式やモータ式当に変更したとしても、本発明の実施について何等支障をきたすことは無い。

本実施例に係るリーク弁の断面図である。 本実施例に係るリーク弁のバイパスブロック取付図である。 本実施例に係るバイパスブロックの垂直断面図である。 本実施例に係るバイパスブロック上面の配置図である。 本実施例に係るオリフィス部材の断面図である。 特許文献１に係る定流量リーク弁の断面図である。 特許文献２に係るダイアフラム弁の断面図である。 特許文献２に係る弁シートの拡大断面図である。 特許文献３に係るリーク弁の要部拡大断面図である。

符号の説明

１ リーク弁
２ 本体ブロック
３ バイパスブロック
６ シリンダ
７ ベース
８ ボディ
１０ ピストン
１１ ピストンロッド
１２ ピストンリング
１３ バネ
１５ 操作ポート
２４ 流入路
２４ａ バイパス分岐路
２５ 流出路
２５ａ バイパス合流路
２６ ダイアフラム
２９ 弁座
３１ オリフィス部材
３２ バイパス流路
３６ ネジ

Claims (2)

1. 流体が流入するとともに、バイパス分岐口を有する流入路と、
   流体を流出するとともに、バイパス合流口を有する流出路と、
   前記流入路と前記流出路の間の開閉を行うダイアフラムと
   を備える本体ブロックと、
   前記バイパス分岐口と前記バイパス合流口を連通するバイパス流路
   を備えるとともに、本体ブロックへ脱着可能に構成されたバイパスブロックと
   本体ブロックとバイパスブロックにて挟持されるオリフィス部材とを有することを特徴とするリーク弁。
2. 流体が流入するとともに、バイパス分岐口を有する流入路と、
   流体を流出するとともに、バイパス合流口を有する流出路と、
   前記流入路と前記流出路の間の開閉を行うダイアフラムと
   を備える本体ブロックと、
   前記バイパス分岐口と前記バイパス合流口を連通するバイパス流路
   を備えるとともに、本体ブロックへ脱着可能に構成されたバイパスブロックと
   夫々異なる内径を有し、本体ブロックとバイパスブロックにて挟持される複数種類のオリフィス部材とにより構成され、
   前記オリフィス部材を交換することにより、容易に任意のリーク量へ変更可能としたリーク弁におけるリーク量変更システム。
   
   

Images