JP2005174958A - Ceramic circuit substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a ceramic circuit substrate which can reduce burning strain smaller while preventing problems of stamping unnecessary ruggedness on a front layer conductor or a passive element, causing a foreign matter adhesion, or decreasing a plating property and solder wettability in the method of manufacturing the ceramic circuit substrate by a simultaneous burning step using a restricted sheet. <P>SOLUTION: In the method of manufacturing the ceramic circuit substrate, an unburned circuit substrate 30 in which a resistor 7 and a front layer conductor 8' are covered with a ceramic paste coating layer 26 is manufactured. Thereafter, the restricted sheets 24, 24 not sintered at the burning temperature of the unburned circuit substrate 30 are laminated, and the unburned circuit substrate 30 is restricted by the restricted sheets 24, 24. The unburned circuit substrate 30 is burned at the temperature of a range that the restricted sheets 24, 24 are not sintered to obtain the ceramic circuit substrate 32. After the restricted sheets 24, 24 are removed, the ceramic coating layer 35 coating the front layer conductor 8' is removed, and the part of the front layer conductor 8' is reduced in thickness. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、同時焼成工程(co-fire process)によって、表層導体およびレジスタ、インダクタ、コンデンサ等の受動素子を有するセラミック回路基板を製造する方法と、その方法によって好適に製造されるセラミック回路基板に関する。特に、レジスタ(抵抗体)を表面に持つセラミック回路基板に関連が深い。また、セラミック回路基板が、分割により複数のセラミック回路基板となる連結セラミック回路基板である場合において好適なものである。   The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic circuit board having a surface layer conductor and passive elements such as a resistor, an inductor, and a capacitor by a co-fire process, and a ceramic circuit board suitably manufactured by the method. . In particular, it is deeply related to a ceramic circuit board having a resistor (resistor) on its surface. Moreover, it is suitable when the ceramic circuit board is a connected ceramic circuit board that is divided into a plurality of ceramic circuit boards.

セラミックグリーンシートと導体層とを積層してなる未焼成回路基板を作製し、次いで、セラミック体と導体とを同時焼成(co-fire)することによってセラミック回路基板を製造する方法は、同時焼成工程(co-fire process)と呼ばれている。焼成済みのセラミック回路基板上に導体ペーストを印刷し、次いで、導体ペーストをセラミック回路基板に焼き付ける工程(post-fire process)と比較すると、同時焼成工程は、実装パッドなどの表層導体をセラミック体と一括形成できる大きな利点がある。また、近年においては、レジスタ、インダクタ、コンデンサ等の受動素子を同時焼成により内蔵したセラミック回路基板が種々検討されている(下記特許文献3〜5)。   A method of manufacturing a ceramic circuit board by manufacturing a green circuit board formed by laminating a ceramic green sheet and a conductor layer, and then co-fireing the ceramic body and the conductor is a simultaneous firing step. It is called (co-fire process). Compared with the process of printing a conductor paste on a fired ceramic circuit board and then baking the conductor paste onto the ceramic circuit board (post-fire process), the co-firing process is a process where the surface layer conductor such as a mounting pad is attached to the ceramic body. There is a great advantage that it can be formed in a batch. In recent years, various ceramic circuit boards in which passive elements such as resistors, inductors and capacitors are built in by simultaneous firing have been studied (Patent Documents 3 to 5 below).

しかしながら、同時焼成工程においては、グリーンシートと導体と受動素子との焼成収縮のタイミングが異なるため、できあがったセラミック回路基板に反り等の焼成ひずみが生じやすい。焼成ひずみが実装工程における実装不良等の不具合を招くことはよく知られている。また、焼成ひずみが受動素子の電気特性の大きな変化、バラつきを招く場合もある。   However, in the co-firing process, the firing contraction timings of the green sheet, the conductor, and the passive element are different, so that firing distortion such as warpage is likely to occur in the finished ceramic circuit board. It is well known that firing strain causes defects such as mounting defects in the mounting process. In addition, firing strain may cause a large change or variation in the electrical characteristics of the passive element.

焼成ひずみの問題を解決するために、種々の方法が検討されている。代表的な方法としては、未焼成回路基板を上下から物理的に拘束しながら焼成することで厚さ方向(Z方向)への焼成収縮を優位的に生じさせ、これにより焼成ひずみの小さいセラミック回路基板を作製する方法が知られている。具体的には、未焼成回路基板に上下面から圧力を加えて拘束しながら焼成する方法(下記特許文献1)や、未焼成回路基板を焼成過程では収縮しない拘束シートで挟んだ状態で焼成した後、拘束シートを除去する方法(下記特許文献2)がある。   Various methods have been studied in order to solve the firing strain problem. As a representative method, firing is performed in a thickness direction (Z direction) by firing an unfired circuit board while being physically constrained from above and below, thereby producing a ceramic circuit having a small firing strain. A method for manufacturing a substrate is known. Specifically, a method of firing while restraining by applying pressure from above and below the unfired circuit board (Patent Document 1 below), or firing in a state where the unfired circuit board is sandwiched between restraint sheets that do not shrink during the firing process Thereafter, there is a method of removing the restraining sheet (Patent Document 2 below).

特開昭62−260777号公報JP-A-62-260777 特開平4−243978号公報JP-A-4-243978 特開昭61−212091号公報JP 61-212091 A 特開平2−5448号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2-5448 特開平5−226840号公報JP-A-5-226840

未焼成回路基板を拘束シートで上下から拘束しながら焼成する方法(上記特許文献2)においては、基板表面に形成された実装パッド等の表層導体に拘束シートが直接接することになる。そのため、表層導体の表面に不必要な凹凸をスタンプ(stamp)したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性を低下させる可能性がある。また、未焼成回路基板を焼成過程では収縮しない拘束シートで挟んだ状態で焼成した後、拘束シートを除去する方法は、表層導体の密着強度や耐半田くわれ性を良好にするために表層導体を厚く形成(焼成後の厚みで15μm以上50μm以下)した場合に問題がある。具体的には、厚く形成された表層導体の凹凸によって拘束シートが部分的に密着し難くなり、拘束が不十分な部分に焼成ひずみが発生しやすい問題がある。   In the method of firing an unfired circuit board while restraining it from above and below with a restraint sheet (Patent Document 2), the restraint sheet comes into direct contact with a surface layer conductor such as a mounting pad formed on the substrate surface. Therefore, there is a possibility that unnecessary irregularities are stamped on the surface of the surface layer conductor, foreign matter adheres, and the plating property and solder wettability are deteriorated. In addition, the method of removing the constraining sheet after firing the unsintered circuit board between the constraining sheet that does not shrink during the firing process is a method for removing the constraining sheet in order to improve the adhesion strength and soldering resistance of the surface layer conductor. Is formed thickly (the thickness after firing is 15 μm or more and 50 μm or less). Specifically, there is a problem that the constraining sheet is difficult to partially adhere due to the unevenness of the thick surface layer conductor, and firing distortion is likely to occur in a portion where the constraining is insufficient.

また、これらの手段を用いて、レーザトリミング装置で特性値を調整することを前提にして基板表面上に受動素子を形成したセラミック回路基板を製造すると、拘束シートに含まれる粒子に起因する凹凸が受動素子にスタンプされたり、拘束シートを除去する際に受動素子が一緒に除去されたりする問題がある。表層導体や受動素子をpost-fire processにより形成する方法もあるが、焼成回数が増える問題があるし、ファインパターンの形成にpost-fire processは不向きである。   In addition, when a ceramic circuit board in which passive elements are formed on the substrate surface is manufactured on the premise that the characteristic value is adjusted with a laser trimming apparatus using these means, unevenness caused by particles contained in the restraint sheet is generated. There is a problem that the passive element is stamped on the passive element, or the passive element is removed together when the constraining sheet is removed. There is a method of forming a surface layer conductor or a passive element by a post-fire process, but there is a problem that the number of firings is increased, and the post-fire process is not suitable for forming a fine pattern.

本発明の1つの課題は、拘束シートを用いた同時焼成工程によるセラミック回路基板の製造方法において、表層導体や受動素子に不必要な凹凸をスタンプ(stamp)したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性の低下といった問題の発生を防ぎつつ、焼成ひずみをより小さくできる方法を提供することにある。他の1つの課題は、その方法によって製造が可能なセラミック回路基板を提供することにある。   One object of the present invention is to stamp unnecessary irregularities on surface layer conductors and passive elements, to cause foreign matter adhesion, in a method of manufacturing a ceramic circuit board by a simultaneous firing process using a constraining sheet, It is an object of the present invention to provide a method capable of reducing the firing strain while preventing the occurrence of problems such as deterioration in solderability and solder wettability. Another object is to provide a ceramic circuit board that can be manufactured by the method.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記課題を解決するために本発明は、セラミックグリーンシートと導体層とを積層してなる積層体の主面上に、受動素子およびその受動素子に接続する表層導体が配置された未焼成回路基板を作製する基板作製工程と、未焼成回路基板の受動素子および表層導体を形成した面に、同時焼成により未焼成回路基板に一体化されるセラミックペーストを塗布して、受動素子および表層導体を被覆する被覆工程と、受動素子および表層導体が被覆された未焼成回路基板の両面に、該未焼成回路基板の焼成温度では焼結されない難焼結性無機材料を主体として含む拘束シートを積層し、該拘束シートにより未焼成回路基板を拘束する拘束工程と、拘束された未焼成回路基板を拘束シートが焼結されない範囲の温度で焼成して、拘束シートにより拘束されたセラミック回路基板を得る焼成工程と、拘束シートにより拘束されたセラミック回路基板から拘束シートと、被覆工程において塗布したセラミックペーストに基づくセラミック層のうち、表層導体を被覆するセラミック被覆層を除去し、表層導体を基板表面に露出させる除去工程と、を備えることを主要な特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a green circuit board in which a passive element and a surface layer conductor connected to the passive element are arranged on the main surface of a laminate formed by laminating a ceramic green sheet and a conductor layer. Apply the ceramic paste that is integrated into the unfired circuit board by simultaneous firing to the surface of the unfired circuit board where the passive elements and surface conductors are formed, and cover the passive elements and surface conductors And a constraining sheet mainly comprising a hardly sinterable inorganic material that is not sintered at the firing temperature of the unfired circuit board on both sides of the unfired circuit board coated with the passive element and the surface layer conductor, The restraint step of restraining the unfired circuit board by the restraint sheet, and the restrained unfired circuit board are fired at a temperature within a range where the restraint sheet is not sintered and restrained by the restraint sheet. The ceramic coating substrate covering the surface layer conductor is removed from the firing step of obtaining the ceramic circuit substrate, the ceramic sheet based on the ceramic paste applied in the coating step and the restraining sheet from the ceramic circuit substrate restrained by the restraining sheet, And a removal step of exposing the surface layer conductor to the substrate surface.

上記本発明によれば、未焼成回路基板およびそれに塗布されたセラミックペースト塗布層を拘束シートで挟み込んだ状態で焼成するので、XY方向(面内方向)への焼成収縮が抑制され、Z方向(厚さ方向)への焼成収縮が優位となり、これにより焼成ひずみ(反り)を小さくできる。受動素子と拘束シート、さらに表層導体と拘束シートとの間にはセラミックペースト塗布層が介挿され、拘束シートの凹凸が受動素子および表層導体にスタンプされることがない。また、焼成時においては、セラミックペースト塗布層が受動素子および表層導体に基づく凹凸を吸収する作用を奏し、未焼成回路基板の面内に均一な拘束力が働くようになる。すると、面内方向における焼成ひずみの発生バラツキが小さくなり、全体的な焼成ひずみをいっそう小さくできる。また、セラミックペースト塗布層は、同時焼成により未焼成回路基板に一体化する。したがって、焼成後においては、受動素子および表層導体を覆うセラミック被覆層が形成される。このセラミック被覆層を除去する際に、表層導体に付着した異物(粗大なセラミック粒子等)をいっしょに除去することが可能である。このように、本発明の方法に拠れば、拘束シートを用いた同時焼成工程によるセラミック回路基板の製造方法において、表層導体に不必要な凹凸をスタンプ(stamp)したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性の低下といった問題の発生を防ぐことができ、尚且つ焼成ひずみをより小さくできる。ひいては、製品ごとに受動素子の電気特性のバラつきを小さくでき、安定した性能のセラミック回路基板を提供することにつながる。   According to the present invention, firing is performed in a state where the unfired circuit board and the ceramic paste coating layer applied to the unfired circuit board are sandwiched between the constraining sheets, so that firing shrinkage in the XY direction (in-plane direction) is suppressed, and the Z direction ( The firing shrinkage in the thickness direction) is dominant, and this can reduce the firing strain (warpage). A ceramic paste coating layer is interposed between the passive element and the constraining sheet, and between the surface conductor and the constraining sheet, and the unevenness of the constraining sheet is not stamped on the passive element and the surface layer conductor. Further, at the time of firing, the ceramic paste coating layer acts to absorb irregularities based on the passive element and the surface layer conductor, and a uniform restraining force is exerted on the surface of the unfired circuit board. Then, the occurrence variation of the firing strain in the in-plane direction is reduced, and the overall firing strain can be further reduced. The ceramic paste coating layer is integrated with the unfired circuit board by simultaneous firing. Therefore, after firing, a ceramic coating layer covering the passive element and the surface layer conductor is formed. When removing this ceramic coating layer, it is possible to remove foreign substances (such as coarse ceramic particles) adhering to the surface conductor together. Thus, according to the method of the present invention, in the method of manufacturing a ceramic circuit board by a simultaneous firing process using a constraining sheet, stamping unnecessary irregularities on the surface layer conductor, causing foreign matter adhesion, It is possible to prevent the occurrence of problems such as lowering of plating properties and solder wettability, and to further reduce firing strain. As a result, the variation in the electrical characteristics of the passive elements for each product can be reduced, leading to the provision of a ceramic circuit board with stable performance.

上記したセラミックペーストは、未焼成回路基板を構成するセラミックグリーンシートと実質的に同一組成の無機材料と、溶媒や結合剤としての有機材料とを調製したものを好適に使用できる。この構成によれば、セラミックペースト塗布層と、未焼成回路基板との焼成温度、すなわち焼成タイミングが一致するので、容易かつ確実に両者を一体化できる。なお「実質的に同一」とは、不可避不純物の混入については無視することを意味する。   As the above-mentioned ceramic paste, a material prepared by preparing an inorganic material having substantially the same composition as the ceramic green sheet constituting the unfired circuit board and an organic material as a solvent or a binder can be suitably used. According to this configuration, the firing temperature, that is, the firing timing, of the ceramic paste coating layer and the unfired circuit board matches, so that both can be integrated easily and reliably. Note that “substantially the same” means that the inevitable impurities are ignored.

また、本発明は、受動素子が抵抗体の場合に特に好適である。すなわち、基板作製工程は、積層体の主表面上に抵抗体とこれにのりあげる配置で接続する表層導体とを形成する操作を含むものとされる。そして、焼成工程終了時の寸法で、表層導体の厚さが抵抗体の厚さよりも大となるように、それら抵抗体および表層導体の焼成前の形成厚さ調整を行なうことができる。この場合、除去工程においては、セラミック被覆層の除去とともに抵抗体にのりあげた表層導体を減厚することにより、セラミックペーストに基づくセラミック部を抵抗体の上に残しつつ、減厚された表層導体を露出させることができる。たとえば、図11(b)に示す形態を焼成工程終了時とすると、除去工程においては、図11(c)の形態となるようにセラミック被覆層35の除去と表層導体8’(減厚後を符号8で示す)の減厚とを行なうこととなる。こうすることにより、抵抗体と表層導体との導通状態を損なうことなく、セラミック被覆層を除去し、表層導体を露出させることが可能である。また、抵抗体7に直接接して残存するセラミック部11bは、抵抗体7を保護する作用を奏するので好都合である。   The present invention is particularly suitable when the passive element is a resistor. That is, the substrate manufacturing step includes an operation of forming a resistor and a surface layer conductor connected in an arrangement on the main surface of the multilayer body. And the formation thickness adjustment before baking of these resistors and a surface layer conductor can be performed so that the thickness of a surface layer conductor may become larger than the thickness of a resistor by the dimension at the time of completion | finish of a baking process. In this case, in the removing step, the surface conductor reduced on the resistor is removed together with the removal of the ceramic coating layer, thereby leaving the ceramic portion based on the ceramic paste on the resistor while reducing the thickness of the surface conductor. Can be exposed. For example, assuming that the form shown in FIG. 11B is at the end of the firing process, the removal process includes the removal of the ceramic coating layer 35 and the surface conductor 8 ′ (after the thickness reduction) so that the form shown in FIG. The thickness is reduced (indicated by reference numeral 8). By doing so, it is possible to remove the ceramic coating layer and expose the surface layer conductor without impairing the conductive state between the resistor and the surface layer conductor. Further, the ceramic portion 11b remaining in direct contact with the resistor 7 is advantageous because it acts to protect the resistor 7.

また、セラミック部を貫通して抵抗体にレーザ光を照射しその抵抗体の抵抗率調整を行なうレーザトリミング工程を備えてもよい。レーザトリミング工程においては、急激な加熱と冷却により、極めて大きな熱衝撃が抵抗体に加わるが、この際に、残存したセラミック部が熱応力を緩和する作用を期待できる。そうすると、クラックの発生が防止され、抵抗体の抵抗率調整を精度よく行なえるようになる。ゆえに、電気特性のバラつきの小さいセラミック回路基板を製造できるようになる。また一般には、抵抗体の保護にはガラス組成物によるオーバコート層を設けるが、本発明の方法によれば、そのオーバコート層を設けることを要さない場合も考え得る。   Further, a laser trimming process may be provided in which the resistor is irradiated with laser light through the ceramic portion and the resistivity of the resistor is adjusted. In the laser trimming process, an extremely large thermal shock is applied to the resistor due to rapid heating and cooling. At this time, the remaining ceramic portion can be expected to relax the thermal stress. As a result, the occurrence of cracks is prevented, and the resistivity of the resistor can be adjusted with high accuracy. Therefore, it becomes possible to manufacture a ceramic circuit board having a small variation in electrical characteristics. In general, an overcoat layer made of a glass composition is provided for protecting the resistor. However, according to the method of the present invention, there may be a case where it is not necessary to provide the overcoat layer.

ただし、抵抗体の真上に、その抵抗体を被覆するセラミック部と表層導体との両者にまたがるようオーバコート層を形成するオーバコート層形成工程をさらに行なうようにしてもよい。こうすると、レーザトリミング工程におけるクラックの発生防止効果、さらには抵抗体の酸化等の経時劣化を防止する効果がより高くなる。また、レーザトリミング工程の終了後に、オーバコート層を形成するようにしてもよい。この場合には、レーザトリミング工程で形成された孔がオーバコート層で埋められるので、抵抗体の経時劣化の防止には好適である。   However, an overcoat layer forming step of forming an overcoat layer directly over the resistor so as to extend over both the ceramic portion covering the resistor and the surface layer conductor may be performed. In this case, the effect of preventing the occurrence of cracks in the laser trimming process and the effect of preventing deterioration with time such as oxidation of the resistor are further enhanced. Further, an overcoat layer may be formed after the laser trimming process is completed. In this case, since the hole formed in the laser trimming process is filled with the overcoat layer, it is suitable for preventing deterioration of the resistor over time.

また、除去工程を経て露出された表層導体上にメッキ層を形成するメッキ工程を行なってもよい。このようにすれば、セラミック粉などのコンタミが表層導体に付着している場合でも、メッキ層を形成することで、表層導体を良質化することができる。すなわち、半田濡れ性などの諸性質が向上し、集積回路チップ等との半田接続部として使用できるようになる。   Moreover, you may perform the plating process which forms a plating layer on the surface layer conductor exposed through the removal process. In this way, even when contaminants such as ceramic powder adhere to the surface conductor, the surface conductor can be improved in quality by forming the plating layer. That is, various properties such as solder wettability are improved, and it can be used as a solder connection portion with an integrated circuit chip or the like.

また、課題を解決するために本発明は、セラミック誘電体層と導体層とが積層されてなる積層回路部の主表面上に、抵抗体と、その抵抗体に上からのりあげる配置で接続する表層導体とが設けられ、それら抵抗体と表層導体とを保護するオーバコート層を備えたセラミック回路基板において、抵抗体とオーバコート層との間に、セラミック誘電体層と同一組成のセラミックからなる保護層を設けたことを主要な特徴とする。オーバコート層は、もともと抵抗体を保護する目的で設けられるが、積層回路部のセラミック誘電体層との物理的な性質に相違がある。上記本発明においては、その相違を無くするべく抵抗体が上下から同一材料で挟まれるような構成とした。この構成は、抵抗体に熱的なダメージが及ぶことを抑制するうえで有利であり、ひいては安定した電気特性を保てるようになる。   Further, in order to solve the problem, the present invention connects a resistor and the resistor so as to be arranged on the main surface of the laminated circuit portion in which the ceramic dielectric layer and the conductor layer are laminated. In a ceramic circuit board provided with a surface layer conductor and having an overcoat layer protecting the resistor and the surface layer conductor, the ceramic circuit board is made of a ceramic having the same composition as the ceramic dielectric layer between the resistor and the overcoat layer. The main feature is that a protective layer is provided. The overcoat layer is originally provided for the purpose of protecting the resistor, but there is a difference in physical properties from the ceramic dielectric layer of the laminated circuit portion. In the present invention, the resistor is sandwiched between the same material from above and below to eliminate the difference. This configuration is advantageous for suppressing thermal damage to the resistor, and as a result, stable electrical characteristics can be maintained.

具体的には、保護層を基板厚さ方向に貫通するとともに抵抗体が掘削されたレーザトリミング部を設けた場合に、次のような理由から保護層の恩恵が大きくなる。レーザトリミング部を形成する際に、抵抗体に微細なクラックが発生したりすることは知られている。抵抗体にクラックが発生していると、当該セラミック回路基板を半田リフローのために加熱・冷却した場合などにクラックが進行し、抵抗体の抵抗率が変化したりする。もともと、オーバコート層はそういった現象を防ぐ効果もあるが、本発明のごとく、母材(セラミック誘電体層)と同一材料からなる保護層を設けることで、抵抗体に熱的なダメージが及ぶことをいっそう減じ、ひいてはクラックの進行を積極的に抑制することが可能になる。   Specifically, when a laser trimming portion that penetrates the protective layer in the substrate thickness direction and is excavated with a resistor is provided, the benefit of the protective layer is increased for the following reason. It is known that fine cracks are generated in the resistor when the laser trimming portion is formed. If a crack is generated in the resistor, the crack progresses when the ceramic circuit board is heated and cooled for solder reflow, and the resistivity of the resistor changes. Originally, the overcoat layer has the effect of preventing such a phenomenon, but as in the present invention, by providing a protective layer made of the same material as the base material (ceramic dielectric layer), the resistor is thermally damaged. Can be further reduced, and as a result, the progress of cracks can be actively suppressed.

以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明のセラミック回路基板1の断面構造を示すものである。セラミック回路基板1は、セラミック誘電体層5と導体層6とが交互に積層された多層構造を有する積層回路部2と、該積層回路部2の第1主表面CP上に形成された表層導体8および抵抗体7とを備えている。積層回路部2の第2主表面DP上には、他の実装基板等との電気的接続のための実装パッド12が形成されている。第2主表面DPは、抵抗体7が形成された側とは反対側の主表面を示す。積層回路部2には、導体層6,6同士、導体層6と表層導体8、さらには導体層6と実装パッド12を導通する複数のビア導体4が、セラミック誘電体層5の各々を厚さ方向に貫く形で設けられている。これらビア導体4により、層間の電気的接続がなされている。実装パッド12は、下地導体13とメッキ層14とで構成される。なお、図示しないが、実装パッド12上に、半田バンプや実装用ピンをロー材(半田を含む)を用いてロー付けした構造にすることもできる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a ceramic circuit board 1 of the present invention. The ceramic circuit board 1 includes a multilayer circuit portion 2 having a multilayer structure in which ceramic dielectric layers 5 and conductor layers 6 are alternately laminated, and a surface layer conductor formed on the first main surface CP of the multilayer circuit portion 2. 8 and a resistor 7. On the second main surface DP of the multilayer circuit unit 2, a mounting pad 12 for electrical connection with another mounting substrate or the like is formed. 2nd main surface DP shows the main surface on the opposite side to the side in which the resistor 7 was formed. In the multilayer circuit portion 2, the conductor layers 6, 6, the conductor layer 6 and the surface layer conductor 8, and further, a plurality of via conductors 4 that conduct the conductor layer 6 and the mounting pad 12 have a thickness of each ceramic dielectric layer 5. It is provided in a shape that penetrates in the vertical direction. These via conductors 4 provide electrical connection between layers. The mounting pad 12 includes a base conductor 13 and a plating layer 14. Although not shown, a structure in which solder bumps and mounting pins are brazed onto the mounting pad 12 using a brazing material (including solder) can also be used.

積層回路部2の第1主表面CP側において、抵抗体7および表層導体8の非形成領域は、表層セラミック部11aに被覆されている。この表層セラミック部11aは、積層回路部2のセラミック誘電体層5と同一材料にて構成され、同時焼成によりセラミック誘電体層5に一体化されている。また、抵抗体7および表層導体8のさらに上には、オーバコート層9が設けられている。ガラス組成物で構成されたオーバコート層9には、表層導体8の一部を露出させる形で開口9aが設けられている。開口9aに露出する表層導体8は、メッキ層10によって被覆されている。このメッキ層10の上には、集積回路チップ等の電子部品をフリップチップ接続するための半田バンプを設けることができる。すなわちオーバコート層9はソルダーダムの働きを持つ。本実施形態では、表層導体8が抵抗体7に直接接続している形を示しているが、表層導体8の形成形態はこれに限定されるわけではなく、半田バンプ形成のための端子パッド等についても表層導体8の概念に含まれる。なお、実装パッド12が形成された第2主表面DP側についても、同様のオーバコート層9’が設けられる。   On the first main surface CP side of the multilayer circuit portion 2, the non-formation region of the resistor 7 and the surface layer conductor 8 is covered with the surface layer ceramic portion 11a. The surface ceramic portion 11a is made of the same material as the ceramic dielectric layer 5 of the multilayer circuit portion 2, and is integrated with the ceramic dielectric layer 5 by simultaneous firing. Further, an overcoat layer 9 is provided on the resistor 7 and the surface conductor 8. The overcoat layer 9 made of the glass composition is provided with an opening 9a so that a part of the surface conductor 8 is exposed. The surface layer conductor 8 exposed to the opening 9 a is covered with a plating layer 10. On the plated layer 10, solder bumps for flip chip connection of electronic components such as integrated circuit chips can be provided. That is, the overcoat layer 9 functions as a solder dam. In the present embodiment, the surface conductor 8 is directly connected to the resistor 7, but the form of the surface conductor 8 is not limited to this, and terminal pads for forming solder bumps, etc. Is also included in the concept of the surface layer conductor 8. A similar overcoat layer 9 ′ is also provided on the second main surface DP side on which the mounting pads 12 are formed.

図3に、図1のセラミック回路基板1の部分拡大図を示す。図3に示すごとく、抵抗体7と表層導体8とは、表層導体8が抵抗体7に上からのりあげる形で重なり合っている。これにより、対向する1対の表層導体8,8が抵抗体7を介して導通している。抵抗体7と表層導体8,8との位置関係は、図5の上面模式図より容易に理解できる。こうした配置によれば、抵抗体7の真上に段差が生じることとなるが、本セラミック回路基板1では、抵抗体7の上に表層セラミック部11bが配置されることにより、その段差が埋められる形になっている。なお、本明細書中の「上下方向」は当該セラミック回路基板1の厚さ方向を表す。   FIG. 3 shows a partially enlarged view of the ceramic circuit board 1 of FIG. As shown in FIG. 3, the resistor 7 and the surface layer conductor 8 overlap each other in such a manner that the surface layer conductor 8 rises on the resistor 7 from above. As a result, the pair of facing surface conductors 8, 8 facing each other are conducted through the resistor 7. The positional relationship between the resistor 7 and the surface conductors 8 and 8 can be easily understood from the schematic top view of FIG. According to such an arrangement, a step is generated directly above the resistor 7. However, in the ceramic circuit board 1, the step ceramic layer 11 b is disposed on the resistor 7, thereby filling the step. It is in shape. In the present specification, the “vertical direction” represents the thickness direction of the ceramic circuit board 1.

図3の断面図と直交する向きの断面図を図4に示す。この図によれば、別符号で示した表層セラミック部11aと11bの関係が明らかとなる。すなわち、図4に示すように、表層セラミック部11bは、積層回路部2の主表面CPを被覆する表層セラミック部11aと一体とされ、抵抗体7とオーバコート層9との間に位置するものである。また、表層セラミック部11aと表層セラミック部11bとは同一組成とされる。   FIG. 4 shows a cross-sectional view in a direction orthogonal to the cross-sectional view of FIG. According to this figure, the relationship between the surface ceramic parts 11a and 11b indicated by different symbols becomes clear. That is, as shown in FIG. 4, the surface ceramic portion 11 b is integrated with the surface ceramic portion 11 a that covers the main surface CP of the multilayer circuit portion 2, and is located between the resistor 7 and the overcoat layer 9. It is. The surface ceramic part 11a and the surface ceramic part 11b have the same composition.

図3に戻って説明する。抵抗体7の真上に表層セラミック部11bが配置され、表層導体8が抵抗体7にのりあげてできる段差が消失することにより、表層セラミック部11bの上面11pと表層導体8の上面8pが面一となっている。さらに、表層導体8の上面8pは、ほぼ一定の高さ(積層回路部2の主表面CPが基準)を呈している。すなわち、表層導体8は、抵抗体7と重なり合う位置ではその厚さが小に調整される一方、抵抗体7から面内にずれた位置ではその厚さが大に調整される。こうすることにより、抵抗体7の形状が表層導体8の上面8pに転写することを抑制している。   Returning to FIG. The surface layer ceramic portion 11b is disposed directly above the resistor 7, and the step formed by the surface layer conductor 8 being lifted onto the resistor 7 disappears, so that the upper surface 11p of the surface layer ceramic portion 11b and the upper surface 8p of the surface layer conductor 8 face each other. It is one. Furthermore, the upper surface 8p of the surface conductor 8 has a substantially constant height (the main surface CP of the multilayer circuit portion 2 is a reference). That is, the thickness of the surface conductor 8 is adjusted to be small at a position where it overlaps the resistor 7, while the thickness is adjusted to be large at a position shifted in-plane from the resistor 7. By doing so, the transfer of the shape of the resistor 7 to the upper surface 8p of the surface layer conductor 8 is suppressed.

上記のような構造によると、抵抗体7に近接した位置に集積回路チップ等の電子部品を配置するうえで有利である。セラミック回路基板1に電子部品を実装するためには、たとえば図1に示すごとく、オーバコート層9に開口9aを形成して半田バンプを設けることが行なわれる。オーバコート層9の平坦性が高い場合、電子部品の配置位置の自由度が高い。   Such a structure is advantageous in disposing electronic components such as integrated circuit chips at positions close to the resistor 7. In order to mount an electronic component on the ceramic circuit board 1, for example, as shown in FIG. 1, an opening 9a is formed in the overcoat layer 9 to provide solder bumps. When the flatness of the overcoat layer 9 is high, the degree of freedom in arranging the electronic components is high.

これに対し、図6に示す従来のセラミック回路基板のように、一定の厚さを持つ抵抗体71の両端に、回路パターンを構成する表層導体70,70がのりあげる配置で接続している場合、オーバコート層72は形成範囲が比較的広範囲に渡るとともに、大きな凹凸を呈することとなる。電子部品の配置位置としては、このような凹凸部分を避ける必要性がある。   On the other hand, as in the conventional ceramic circuit board shown in FIG. 6, the surface layer conductors 70 and 70 constituting the circuit pattern are connected to both ends of the resistor 71 having a constant thickness. The overcoat layer 72 has a relatively wide range of formation and large irregularities. It is necessary to avoid such uneven portions as the arrangement positions of the electronic components.

要するに、図3に示す本構成によれば、図6の従来構成よりも高密度実装に向いている。もちろん、オーバコート層9の形成位置が抵抗体7を覆う位置に限定されるわけではない。しかしながら、たとえば集積回路チップを表面実装する場合には、基板表面の平坦性が強く要求されるので、本セラミック回路基板1のような構造が有利となる。   In short, the present configuration shown in FIG. 3 is more suitable for high-density mounting than the conventional configuration of FIG. Of course, the formation position of the overcoat layer 9 is not limited to the position covering the resistor 7. However, for example, when the integrated circuit chip is surface-mounted, the flatness of the substrate surface is strongly required, so that the structure like the ceramic circuit substrate 1 is advantageous.

また、図3に示すごとく、抵抗体7には当該抵抗体7を掘削する形で、抵抗率調整のためのレーザトリミング部7aが形成されている。レーザトリミング部7aは、オーバコート層9および表層セラミック部11bを基板厚さ方向に貫通して形成される。図5に示すように、本実施形態ではレーザトリミング部7aをL字状としているが、形状については種々調整することができる。また、レーザトリミング部7aは、抵抗体7の酸化を防ぐためにエポキシ等の樹脂で保護(被覆)されていてもよい。   Further, as shown in FIG. 3, the resistor 7 is formed with a laser trimming portion 7a for adjusting the resistivity so as to excavate the resistor 7. The laser trimming portion 7a is formed to penetrate the overcoat layer 9 and the surface ceramic portion 11b in the substrate thickness direction. As shown in FIG. 5, the laser trimming portion 7a is L-shaped in this embodiment, but the shape can be variously adjusted. Further, the laser trimming portion 7a may be protected (covered) with a resin such as epoxy in order to prevent the resistor 7 from being oxidized.

図1に戻って説明する。メッキ層10は、たとえばNi/Auメッキ層で構成することができる。また、表層導体8に含有される金属と同種金属(たとえばCu、Ag)によるメッキ層と、該メッキ層上に形成されるNi/Auメッキ層とにより構成してもよい。メッキ層10の厚さは、たとえば1μm以上100μm以下に調整される。一方、表層導体8は、メッキ層10の下地となるものであり、導体層6やビア導体4と同種の金属により構成されている。メッキ層10上にはSn−Pb共晶半田や、Sn−Ag−Cu半田、Sn−Ag半田などPbを含有しない半田による半田バンプを形成してもよい。   Returning to FIG. The plating layer 10 can be composed of, for example, a Ni / Au plating layer. Moreover, you may comprise by the plating layer by the same kind metal (for example, Cu, Ag) as the metal contained in the surface layer conductor 8, and the Ni / Au plating layer formed on this plating layer. The thickness of the plating layer 10 is adjusted to, for example, 1 μm or more and 100 μm or less. On the other hand, the surface layer conductor 8 is a base of the plating layer 10 and is made of the same kind of metal as the conductor layer 6 and the via conductor 4. On the plated layer 10, solder bumps made of solder not containing Pb such as Sn—Pb eutectic solder, Sn—Ag—Cu solder, Sn—Ag solder may be formed.

以下、上記セラミック回路基板1の製造工程について説明する。
セラミック回路基板1はセラミックグリーンシートを用いて製造される。該セラミックグリーンシートは、公知のドクターブレード法により製造することができる。まず、誘電体セラミックからなる原料セラミック粉末(たとえば、ガラスセラミック粉末の場合、ホウケイ酸ガラス粉末と、アルミナ、BaTiO等のセラミックフィラー粉末との混合粉末:平均粒径は0.3μm以上1μm以下程度)に溶剤(アセトン、メチルエチルケトン、ジアセトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、ブロムクロロメタン、エタノール、ブタノール、プロパノール、トルエン、キシレンなど)、結合剤(アクリル系樹脂(たとえば、ポリアクリル酸エステル、ポリメチルメタクリレート)、セルロースアセテートブチレート、ポリエチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなど)、可塑剤(ブチルベンジルフタレート、ジブチルフタレート、ジメチルフタレート、フタル酸エステル、ポリエチレングリコール誘導体、トリクレゾールホスフェートなど)、解膠剤(脂肪酸(グリセリントリオレートなど)、界面活性剤(ベンゼンスルホン酸など)、湿潤剤(アルキルアリルポリエーテルアルコール、ポチエチレングリコールエチルエーテル、ニチルフェニルグリコール、ポリオキシエチレンエステルなど)などの添加剤を配合して混練し、スラリーを作る。このスラリーを、ドクターブレードを用いてPETなどのバックシート上に塗布し、適度に乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを得る。
Hereinafter, the manufacturing process of the ceramic circuit board 1 will be described.
The ceramic circuit board 1 is manufactured using a ceramic green sheet. The ceramic green sheet can be produced by a known doctor blade method. First, raw material ceramic powder made of dielectric ceramic (for example, in the case of glass ceramic powder, mixed powder of borosilicate glass powder and ceramic filler powder such as alumina, BaTiO 3, etc .: average particle size is about 0.3 μm to 1 μm ) Solvent (acetone, methyl ethyl ketone, diacetone, methyl isobutyl ketone, benzene, bromochloromethane, ethanol, butanol, propanol, toluene, xylene, etc.), binder (acrylic resin (eg polyacrylic acid ester, polymethyl methacrylate)) , Cellulose acetate butyrate, polyethylene, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, etc.), plasticizer (butyl benzyl phthalate, dibutyl phthalate, dimethyl phthalate, phthalate ester, polyethylene Glycol derivatives, tricresol phosphate, etc.), peptizers (fatty acids (glycerin triolates, etc.), surfactants (benzenesulfonic acid, etc.), wetting agents (alkyl allyl polyether alcohol, polyethylene glycol ethyl ether, nithyl phenyl glycol, A mixture of additives such as polyoxyethylene ester) is kneaded to form a slurry, which is applied onto a back sheet such as PET using a doctor blade and dried appropriately, thereby producing a ceramic green sheet. Get.

次に、ビア導体形成用のメタライズペースト(以下、ビア導体用ペーストという)を調製する。使用する金属粉末は、たとえばAg、AgPt、AgPd、Au、NiおよびCuのいずれかにより構成され、平均粒径が2μm以上20μm以下の範囲で調整されたものである。この金属粉末に、ブチルカルビトール等の有機溶剤を、適度な粘度が得られるように配合・調製することによりビア導体用ペーストが得られる。   Next, a metallized paste for forming via conductors (hereinafter referred to as via conductor paste) is prepared. The metal powder to be used is made of, for example, any one of Ag, AgPt, AgPd, Au, Ni, and Cu, and the average particle diameter is adjusted in the range of 2 μm to 20 μm. A via conductor paste can be obtained by blending and preparing an organic solvent such as butyl carbitol in the metal powder so as to obtain an appropriate viscosity.

次に、表層導体8および導体層6の形成に使用するメタライズペースト(以下、導体層用ペーストという)を調製する。使用する金属粉末は、ビア導体用ペーストで用いたものと同種類、かつ平均粒径が0.1μm以上3μm以下と小さく調整されたものが好適である。この金属粉末に、平均粒径500nm以下(望ましくは100nm以下、さらに望ましくは50nm以下)の無機化合物粉末を0.5質量%以上30質量%以下の範囲にて配合し、さらに、エチルセルロース等の有機バインダと、ブチルカルビトール等の有機溶剤を、適度な粘度が得られるように配合・調製することにより導体層用ペーストが得られる。なお、上記の無機化合物粉末には、セラミックグリーンシートの原料セラミック粉末を使用してもよいし、酸化アルミニウム(Al)、二酸化珪素(SiO)および酸化チタン(TiO)の少なくとも1種からなる無機化合物粉末(平均粒径100nm以下、望ましくは50nm以下)を配合して使用してもよい。 Next, a metallized paste (hereinafter referred to as a conductor layer paste) used to form the surface layer conductor 8 and the conductor layer 6 is prepared. The metal powder to be used is preferably the same type as that used in the via conductor paste and having an average particle size adjusted to be as small as 0.1 μm to 3 μm. To this metal powder, an inorganic compound powder having an average particle size of 500 nm or less (preferably 100 nm or less, more preferably 50 nm or less) is blended in the range of 0.5% by mass or more and 30% by mass or less. A conductor layer paste can be obtained by blending and preparing a binder and an organic solvent such as butyl carbitol so as to obtain an appropriate viscosity. The inorganic compound powder may be a ceramic green sheet raw material ceramic powder, or at least one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon dioxide (SiO 2 ), and titanium oxide (TiO 2 ). You may mix | blend and use the inorganic compound powder (average particle diameter of 100 nm or less, desirably 50 nm or less) which consists of seeds.

次に、抵抗体7の形成に使用するペースト(以下、抵抗体用ペーストという)を調製する。具体的には、RuOやLaBなどの導電体粉末、ホウケイ酸系ガラス組成物の粉末および有機バインダを混錬することにより、抵抗体用ペーストを作製できる。たとえば、平均粒径0.01μm以上20μm以下に調整したRuO2 粉末100質量部に対し、ガラス粉末を50質量部以上500質量部以下の範囲で混合し、前記した有機バインダをRuO2 粉末100質量部に対して5質量部以上20質量部以下の範囲で配合する。 Next, a paste used for forming the resistor 7 (hereinafter referred to as a resistor paste) is prepared. Specifically, a resistor paste can be prepared by kneading a conductor powder such as RuO 2 or LaB 6 , a powder of a borosilicate glass composition, and an organic binder. For example, with respect to 100 parts by mass of RuO 2 powder adjusted to an average particle size of 0.01 μm or more and 20 μm or less, glass powder is mixed in a range of 50 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, and the organic binder described above is 100 parts by mass of RuO 2 powder. It mix | blends in 5 to 20 mass parts with respect to a part.

上記のようにして作製したセラミックグリーンシートおよびメタライズペーストを用い、次のようにして未焼成回路基板を作製する。まず、図7に示すごとく、予め作製したセラミックグリーンシート25の所定位置にパンチング、レーザ等の手法により貫通孔を形成し、ビア導体用ペーストを充填することで未焼成のビア導体4を形成する。こののち、スクリーン印刷法等の方法により導体層用ペーストを該セラミックグリーンシート25の主表面上に印刷することにより、未焼成の導体層6を形成する。こうしてビア導体4および導体層6の形成が完成すれば、その上に別のセラミックグリーンシート25を重ね、さらにパターン印刷/セラミックグリーンシート積層の工程を繰り返す。そして、一方の主表面(第1主表面CP)にはビア導体4が露出し、他方の主表面(第2主表面DP)上には実装パッド12の下地導体13を形成するようにして、未焼成の積層体20を得る。そして、この積層体20の第1主表面CP側に、抵抗体7と表層導体8’とをこの順番で印刷形成する。これにより、未焼成回路基板30が得られる(基板作製工程)。抵抗体7の印刷には抵抗体用ペーストを、表層導体8’の印刷形成には導体用ペーストをそれぞれ用いる。   Using the ceramic green sheet and metallized paste produced as described above, an unfired circuit board is produced as follows. First, as shown in FIG. 7, an unfired via conductor 4 is formed by forming a through hole at a predetermined position of a ceramic green sheet 25 prepared in advance by a technique such as punching or laser and filling via conductor paste. . After that, the unfired conductor layer 6 is formed by printing the conductor layer paste on the main surface of the ceramic green sheet 25 by a method such as screen printing. When the formation of the via conductor 4 and the conductor layer 6 is completed in this manner, another ceramic green sheet 25 is overlaid thereon, and the pattern printing / ceramic green sheet lamination process is repeated. The via conductor 4 is exposed on one main surface (first main surface CP), and the base conductor 13 of the mounting pad 12 is formed on the other main surface (second main surface DP). An unfired laminate 20 is obtained. Then, the resistor 7 and the surface layer conductor 8 ′ are printed and formed in this order on the first main surface CP side of the multilayer body 20. Thereby, the unbaked circuit board 30 is obtained (board | substrate preparation process). A resistor paste is used for printing the resistor 7, and a conductor paste is used for printing the surface conductor 8 '.

なお、ビア導体4、導体層6、抵抗体7および下地導体13等については、便宜上、焼成前と焼成後の符号を同一にすることを断っておく。   In addition, about the via conductor 4, the conductor layer 6, the resistor 7, the base conductor 13, etc., it is refused for convenience that the code | symbol before baking and after baking is made the same.

次に、図8に示すように、未焼成回路基板30に対し、スクリーン印刷法等の印刷法によりセラミックペースト18を塗布する。これにより、未焼成回路基板30の主表面上に、セラミックペースト塗布層22,26が形成される(被覆工程)。セラミックペースト塗布層26の形成厚さは、表層導体8が抵抗体7にのりあげてできた段差が埋まる程度の厚さがちょうどよい。また、本実施形態の方法によれば、表層導体8が密集して配置されている場合において、セラミックペースト18が隅々まで行きわたり、表面凹凸の小さいセラミックペースト塗布層22,26を形成できる。すると、後述する拘束シート24,24の拘束力が面内で均一に作用するようになるので、焼成ひずみの低減効果をよりいっそう期待できる。   Next, as shown in FIG. 8, the ceramic paste 18 is applied to the unfired circuit board 30 by a printing method such as a screen printing method. Thereby, the ceramic paste coating layers 22 and 26 are formed on the main surface of the unfired circuit board 30 (covering step). The formation thickness of the ceramic paste coating layer 26 is just enough to fill the step formed by the surface conductor 8 being lifted onto the resistor 7. In addition, according to the method of the present embodiment, when the surface layer conductors 8 are densely arranged, the ceramic paste coating layers 22 and 26 with the ceramic paste 18 reaching every corner and having small surface irregularities can be formed. As a result, the restraining force of the restraining sheets 24, 24, which will be described later, acts evenly in the plane, and the effect of reducing the firing strain can be further expected.

なお、セラミックペースト18は、未焼成回路基板30を構成するセラミックグリーンシート25と実質的に同一組成の無機材料と、溶媒、結合剤等の有機材料とを調製したものを好適に使用できる。具体的には、セラミックペースト18としては、セラミックグリーンシート25の作製に用いたグリーンシート成形用スラリーをそのまま使用することができる。また、有機溶媒等の種類や、有機材料と無機材料との配合比率については、印刷容易性を高めるためにグリーンシート成形用スラリーとは異ならせるようにしてもよい。なお、セラミックペースト18の印刷工程が終了したら、セラミックペースト塗布層22,26に含有される有機溶媒等を適度に除去するために、未焼成回路基板30ごと乾燥炉で乾燥させてもよい。   As the ceramic paste 18, a material prepared by preparing an inorganic material having substantially the same composition as the ceramic green sheet 25 constituting the unfired circuit board 30 and an organic material such as a solvent and a binder can be preferably used. Specifically, as the ceramic paste 18, the green sheet forming slurry used for the production of the ceramic green sheet 25 can be used as it is. In addition, the type of organic solvent or the like and the blending ratio of the organic material and the inorganic material may be different from those for the green sheet forming slurry in order to improve the printability. When the printing process of the ceramic paste 18 is completed, the unfired circuit board 30 may be dried in a drying furnace in order to appropriately remove the organic solvent and the like contained in the ceramic paste coating layers 22 and 26.

次に、未焼成回路基板30の両面に、その未焼成回路基板30の焼成温度では焼結されない難焼結性無機材料を主体として含む拘束シート24,24を積層する(拘束工程)。本実施形態のように、セラミック回路基板1を低温焼成セラミック(ガラスセラミック)で構成する場合には、拘束シート24,24は、たとえばAl、ZrOおよびBNから選択される1種以上の難焼結性無機材料を主体とするセラミックグリーンシートにより構成することができる。すなわち、この拘束シート24,24は、セラミックペースト塗布層22,26および未焼成回路基板30の焼成温度では焼結されない組成のものであればよい。なお、「主体とする」若しくは「主体として含む」とは、質量%で最も多く含有することを意味する。 Next, constraining sheets 24 and 24 mainly containing a hardly sinterable inorganic material that is not sintered at the firing temperature of the unfired circuit board 30 are laminated on both surfaces of the unfired circuit board 30 (restraint process). When the ceramic circuit board 1 is made of a low-temperature fired ceramic (glass ceramic) as in this embodiment, the restraint sheets 24, 24 are, for example, one or more selected from Al 2 O 3 , ZrO 2 and BN. The ceramic green sheet mainly composed of the hardly sinterable inorganic material can be used. That is, the constraining sheets 24, 24 may be of any composition that is not sintered at the firing temperature of the ceramic paste coating layers 22, 26 and the unfired circuit board 30. Note that “mainly” or “including as a main body” means containing the largest amount by mass%.

次に、図9に示すごとく、拘束シート24,24によって拘束された未焼成回路基板30を、拘束シート24,24が焼結されない範囲の温度で焼成する。この焼成温度域は、未焼成回路基板30およびセラミックペースト塗布層22,26が焼結かつ一体化され、拘束シート24,24が焼結されない範囲の温度である。こうして、拘束シート24,24に拘束されたセラミック回路基板32を作製することができる(焼成工程)。なお、上記の焼成温度域は、低温焼成セラミックで一般的な800℃以上1000℃以下(たとえば950℃)とすることができる。また、大気圧よりも加圧した雰囲気で焼成したり、拘束シート24,24を機械的に加圧しながら焼成したりしてもよい。   Next, as shown in FIG. 9, the unfired circuit board 30 restrained by the restraining sheets 24 and 24 is fired at a temperature in a range where the restraining sheets 24 and 24 are not sintered. This firing temperature range is a temperature in a range where the unfired circuit board 30 and the ceramic paste coating layers 22 and 26 are sintered and integrated, and the restraint sheets 24 and 24 are not sintered. In this way, the ceramic circuit board 32 restrained by the restraining sheets 24, 24 can be manufactured (firing process). In addition, said baking temperature range can be 800 degreeC or more and 1000 degrees C or less (for example, 950 degreeC) common with a low-temperature baking ceramic. Moreover, you may bake in the atmosphere pressurized rather than atmospheric pressure, or you may bake, pressing the restraint sheets 24 and 24 mechanically.

焼成終了時のセラミック回路基板32(ワーク基板)は、セラミックペースト塗布層26に由来するセラミック層34を有する。セラミック層34は、表層導体8’を被覆するセラミック被覆層35と、隣り合う表層導体8’,8’間を埋める役割を持つ表層セラミック部11aと、抵抗体7を被覆する表層セラミック部11bで構成される。このセラミック回路基板32から、拘束シート24,24と、表層導体8’を被覆するセラミック被覆層35と、表層導体8’の一部を湿式サンドブラストや研磨により除去し、表層導体8を基板表面に露出させる(除去工程)。拘束シート24,24とセラミック被覆層35の両者の除去容易性は互いに異なるので、それらの除去手法を互いに異ならせてもよい。具体的には、拘束シート24,24を湿式サンドブラストにより除去し、セラミック被覆層35と表層導体8’の一部については機械研磨や化学エッチング若しくはそれらの組み合わせにより除去するといった手順を示せる。   The ceramic circuit board 32 (work board) at the end of firing has a ceramic layer 34 derived from the ceramic paste coating layer 26. The ceramic layer 34 includes a ceramic coating layer 35 that covers the surface conductor 8 ′, a surface ceramic portion 11 a that serves to fill the space between the adjacent surface conductors 8 ′ and 8 ′, and a surface ceramic portion 11 b that covers the resistor 7. Composed. From this ceramic circuit board 32, the constraining sheets 24, 24, the ceramic coating layer 35 covering the surface conductor 8 ′, and a part of the surface conductor 8 ′ are removed by wet sandblasting or polishing, so that the surface conductor 8 is applied to the substrate surface. Expose (removal step). Since the restraint sheets 24 and 24 and the ceramic covering layer 35 are different from each other in ease of removal, their removal methods may be different from each other. Specifically, the constraining sheets 24 and 24 are removed by wet sand blasting, and the ceramic coating layer 35 and part of the surface conductor 8 'are removed by mechanical polishing, chemical etching, or a combination thereof.

上記の除去工程について詳しく説明する。除去工程においては、セラミック被覆層35の除去とともに抵抗体7にのりあげた表層導体8’を減厚することにより、図11(a)に示すごとく、抵抗体7の上にセラミックペースト塗布層26に基づく表層セラミック部11bを残しつつ、表層導体8を露出させることができる。焼成終了時の表層導体8’の一部を除去することにより、抵抗体7と重なり合う部分が減厚された表層導体8を得るために、次の点に留意することが重要である。   The removal process will be described in detail. In the removing step, the ceramic coating layer 26 is formed on the resistor 7 as shown in FIG. The surface conductor 8 can be exposed while leaving the surface ceramic portion 11b based on the above. It is important to pay attention to the following points in order to obtain the surface layer conductor 8 in which the portion overlapping the resistor 7 is reduced in thickness by removing a part of the surface layer conductor 8 'at the end of firing.

まず、図11(b)に示すごとく、焼成工程終了時の寸法で、表層導体8’の厚さtが抵抗体7の厚さtよりも大となっていることが重要である。そうしないと、除去工程においてセラミック被覆層35の除去とともに、表層導体8’を抵抗体7にのりあげていない部分の高さに達するまで減厚していったとき、表層導体8と抵抗体7との接続性が損なわれる可能性がある。したがって、基板作製工程における抵抗体7および表層導体8’の形成厚さ調整が重要である。本実施形態では、図11(c)に示すごとく、表層導体8’の印刷厚さt10が、抵抗体7の印刷厚さt20よりも必ず大となるように、基板作製工程を行なうようにしている。 First, as shown in FIG. 11B, it is important that the thickness t 1 of the surface layer conductor 8 ′ is larger than the thickness t 2 of the resistor 7 in the dimensions at the end of the firing step. Otherwise, when removing the ceramic coating layer 35 in the removing step and reducing the thickness of the surface conductor 8 'until it reaches the height of the portion not raised on the resistor 7, the surface conductor 8 and the resistor 7 Connectivity may be impaired. Therefore, it is important to adjust the formation thickness of the resistor 7 and the surface conductor 8 ′ in the substrate manufacturing process. In the present embodiment, as shown in FIG. 11 (c), the printing thickness t 10 of the surface layer conductor 8 ', so that always be larger than the print thickness t 20 of the resistor 7, to perform the substrate manufacturing process I have to.

なお、セラミック被覆層35と表層セラミック部11a,11bとは、ともにセラミックペースト塗布層26が焼成されたものである。表層導体8’とセラミック被覆層35とは一体化しているものの、セラミック被覆層35の厚さd1が十分に小さければ(たとえば50μm以下)、その除去は比較的容易であり、異物もほとんど残留しない。   The ceramic coating layer 35 and the surface ceramic portions 11a and 11b are both obtained by firing the ceramic paste coating layer 26. Although the surface conductor 8 ′ and the ceramic coating layer 35 are integrated, if the thickness d1 of the ceramic coating layer 35 is sufficiently small (for example, 50 μm or less), the removal is relatively easy, and almost no foreign matter remains. .

また、被覆工程においては、セラミックペーストを厚さ1μm以上50μm以下の範囲で塗布することが望ましい。セラミックペーストの塗布厚さが1μm未満の場合、拘束力を面内で均一化する作用を十分に得られなくなる。他方、厚さが50μmを超えると、焼成後において表面導体上に分厚いセラミック被覆層が形成されることとなり、これを除去することが困難となったり、除去工程に費やされる時間が著しく増大したりする。その結果、生産性が犠牲になる恐れがある。また、未焼成回路基板30の抵抗体7および表層導体8’が形成された面をプレス加工により少し平坦化したのち、上記の被覆工程を行なうようにしてもよい。そうすることで、抵抗体7や表層導体8’が下地にややめり込む形となり、その結果、セラミックペーストの塗布量を若干減じることができるようになる。   In the coating step, it is desirable to apply the ceramic paste in a thickness range of 1 μm to 50 μm. When the coating thickness of the ceramic paste is less than 1 μm, it is impossible to obtain a sufficient effect of uniforming the restraining force in the plane. On the other hand, if the thickness exceeds 50 μm, a thick ceramic coating layer will be formed on the surface conductor after firing, which makes it difficult to remove or significantly increases the time spent in the removal process. To do. As a result, productivity may be sacrificed. Alternatively, the covering step may be performed after the surface of the unfired circuit board 30 on which the resistor 7 and the surface conductor 8 'are formed is slightly flattened by pressing. By doing so, the resistor 7 and the surface layer conductor 8 ′ are slightly recessed into the base, and as a result, the amount of ceramic paste applied can be slightly reduced.

なお、第2主表面DP側に関しても、第1主表面CP側と同様にして、下地導体13を覆うセラミック被覆層37を除去する。セラミック被覆層37は、セラミックペースト塗布層22の焼成品たるセラミック層38の一部であり、その厚さd2は、第1主表面CP側のセラミック被覆層35の厚さd1に概ね等しい。セラミック層38の一部は、第2主表面DPを覆う表層セラミック部36として残余することとなる。   Also on the second main surface DP side, the ceramic coating layer 37 covering the base conductor 13 is removed in the same manner as the first main surface CP side. The ceramic coating layer 37 is a part of the ceramic layer 38 that is a fired product of the ceramic paste coating layer 22, and the thickness d2 thereof is substantially equal to the thickness d1 of the ceramic coating layer 35 on the first main surface CP side. A part of the ceramic layer 38 remains as a surface ceramic part 36 that covers the second main surface DP.

次に、図10に示すごとく、基板表面に露出した表層導体8の上、さらには表層セラミック部11a,11bの上にオーバコート層9を形成する(オーバコート層形成工程)。オーバコート層9は、表層導体8と重なる位置において、外部接続端子用の開口9aが設けられる。同様のオーバコート層9’は、下地導体13が露出する裏面側にも形成される。オーバコート層9,9’は、鉛ケイ酸系あるいは鉛ホウケイ酸系低融点ガラス組成物を含有するガラスペーストをスクリーン印刷法等によって塗布し、これを焼き付けることによって形成できる。このガラスペーストの焼成温度域は、未焼成回路基板30の焼成温度域よりも低い温度域とする。   Next, as shown in FIG. 10, an overcoat layer 9 is formed on the surface conductor 8 exposed on the substrate surface and further on the surface ceramic portions 11a and 11b (overcoat layer forming step). The overcoat layer 9 is provided with an opening 9 a for an external connection terminal at a position overlapping the surface layer conductor 8. A similar overcoat layer 9 ′ is also formed on the back side where the underlying conductor 13 is exposed. The overcoat layers 9 and 9 'can be formed by applying a glass paste containing a lead silicate or lead borosilicate low melting point glass composition by a screen printing method or the like and baking it. The firing temperature range of this glass paste is set to a temperature range lower than the firing temperature range of the unfired circuit board 30.

次に、オーバコート層9の開口9aから露出する表層導体8上にメッキ層10を形成する(メッキ工程)。同様に、反対側についても、下地導体13上にメッキ層14を形成して実装パッド12を得る。このメッキ工程は、表層導体8と同種金属のメッキ工程とすることができ、メッキ層10はたとえばCuメッキ層またはAgメッキ層とすることができる。また、これらのメッキ層の上に、さらにNi/Auメッキ層を形成することで、ピット等の少ないメッキ金属層上にNi/Auメッキ層を形成することができる。この手順によれば、より緻密なNi/Auメッキ層を形成できることになり、メッキ層10の半田濡れ性の向上に寄与する。ただし、表層導体8上に無電解Ni/Auメッキ層を直接形成してもよい。また、メッキにより導電バンプを形成するようにしてもよい。   Next, the plating layer 10 is formed on the surface layer conductor 8 exposed from the opening 9a of the overcoat layer 9 (plating process). Similarly, on the opposite side, the mounting pad 12 is obtained by forming the plating layer 14 on the base conductor 13. This plating process can be a plating process of the same kind of metal as the surface conductor 8, and the plating layer 10 can be, for example, a Cu plating layer or an Ag plating layer. Further, by forming a Ni / Au plating layer on these plating layers, the Ni / Au plating layer can be formed on a plating metal layer with few pits. According to this procedure, a denser Ni / Au plating layer can be formed, which contributes to improving the solder wettability of the plating layer 10. However, an electroless Ni / Au plating layer may be directly formed on the surface conductor 8. Further, the conductive bumps may be formed by plating.

次に、オーバコート層9を介して抵抗体7にレーザ光を照射し抵抗率調整を行なう(レーザトリミング工程)。この工程によって形成されるレーザトリミング部7aをエポキシ等の樹脂で被覆・保護すれば、抵抗体7の酸化防止を図れるので好適である。以上に説明した各工程を経て、セラミック回路基板1が作製される。   Next, the resistance is adjusted by irradiating the resistor 7 with laser light through the overcoat layer 9 (laser trimming step). It is preferable to cover and protect the laser trimming portion 7a formed by this process with a resin such as epoxy because the resistor 7 can be prevented from being oxidized. The ceramic circuit board 1 is manufactured through the steps described above.

なお、本実施形態で示したセラミック回路基板1は、一般には図2に示すように、多数個取りセラミック回路基板85の形で製造される。個々のセラミック回路基板1は、分割溝112に沿って折り取りされる。製造されるセラミック回路基板が、分割により複数のセラミック回路基板1となる連結セラミック回路基板85である場合には、反り問題がいっそう深刻となるので、本発明の製造方法を適用することが特に有効である。   The ceramic circuit board 1 shown in the present embodiment is generally manufactured in the form of a multi-piece ceramic circuit board 85 as shown in FIG. Each ceramic circuit board 1 is folded along the dividing grooves 112. When the ceramic circuit board to be manufactured is a connected ceramic circuit board 85 that becomes a plurality of ceramic circuit boards 1 by division, the warp problem becomes more serious, and therefore it is particularly effective to apply the manufacturing method of the present invention. It is.

セラミック回路基板の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of a ceramic circuit board. 多数個取りセラミック回路基板の模式図。Schematic diagram of a multi-cavity ceramic circuit board. 図1の部分拡大断面図。The partial expanded sectional view of FIG. 図3の断面図と直交する向きの断面図。Sectional drawing of the direction orthogonal to sectional drawing of FIG. 抵抗体と表層導体の拡大上面図。The enlarged top view of a resistor and a surface layer conductor. 従来のセラミック回路基板における抵抗体の拡大断面図。The expanded sectional view of the resistor in the conventional ceramic circuit board. 図1のセラミック回路基板の製造工程説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing process of the ceramic circuit board of FIG. 1. 図7に続く工程説明図。Process explanatory drawing following FIG. 図8に続く工程説明図。Process explanatory drawing following FIG. 図9に続く工程説明図。Process explanatory drawing following FIG. 表層導体の形成手法の説明図。Explanatory drawing of the formation method of a surface layer conductor.

符号の説明Explanation of symbols

1 セラミック回路基板
2 積層回路部
4 ビア導体
5 セラミック誘電体層
6 導体層
7 抵抗体
7a レーザトリミング部
8 表層導体
9 オーバコート層
10 メッキ層
11a,11b 表層セラミック部
18 セラミックペースト
20 積層体
22,26 セラミックペースト塗布層
24 拘束シート
25 セラミックグリーンシート
30 未焼成回路基板
34 セラミック層
35 セラミック被覆層
CP 第1主表面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic circuit board 2 Laminated circuit part 4 Via conductor 5 Ceramic dielectric layer 6 Conductor layer 7 Resistor 7a Laser trimming part 8 Surface layer conductor 9 Overcoat layer 10 Plating layer 11a, 11b Surface layer ceramic part 18 Ceramic paste 20 Laminated body 22, 26 Ceramic paste coating layer 24 Restraint sheet 25 Ceramic green sheet 30 Unfired circuit board 34 Ceramic layer 35 Ceramic coating layer CP First main surface

Claims (8)

セラミックグリーンシートと導体層とを積層してなる積層体の主表面上に、受動素子およびその受動素子に接続する表層導体が配置された未焼成回路基板を作製する基板作製工程と、
前記未焼成回路基板の前記受動素子および前記表層導体を形成した面に、同時焼成により前記未焼成回路基板に一体化されるセラミックペーストを塗布して、前記受動素子および前記表層導体を被覆する被覆工程と、
前記受動素子および前記表層導体が被覆された前記未焼成回路基板の両面に、該未焼成回路基板の焼成温度では焼結されない難焼結性無機材料を主体として含む拘束シートを積層し、該拘束シートにより前記未焼成回路基板を拘束する拘束工程と、
前記拘束シートによって拘束された前記未焼成回路基板を、前記拘束シートが焼結されない範囲の温度で焼成して、前記拘束シートにより拘束されたセラミック回路基板を作製する焼成工程と、
前記拘束シートにより拘束された前記セラミック回路基板から前記拘束シートと、前記被覆工程において塗布した前記セラミックペーストに基づくセラミック層のうち、前記表層導体を被覆するセラミック被覆層を除去し、前記表層導体を基板表面に露出させる除去工程と、
を備えることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
A substrate manufacturing step of manufacturing a green circuit board in which a passive element and a surface layer conductor connected to the passive element are arranged on a main surface of a laminate formed by laminating a ceramic green sheet and a conductor layer;
A coating for coating the passive element and the surface conductor by applying a ceramic paste integrated with the unfired circuit board by simultaneous firing on the surface of the green circuit board on which the passive element and the surface layer conductor are formed. Process,
A constraining sheet mainly comprising a hardly sinterable inorganic material that is not sintered at the firing temperature of the unfired circuit board is laminated on both sides of the unfired circuit board coated with the passive element and the surface layer conductor. A constraining step of constraining the green circuit board with a sheet;
Firing the unfired circuit board restrained by the restraining sheet at a temperature in a range where the restraining sheet is not sintered, and producing a ceramic circuit board restrained by the restraining sheet;
From the ceramic circuit board restrained by the restraining sheet, the ceramic covering layer covering the surface conductor is removed from the ceramic sheet based on the restraining sheet and the ceramic paste applied in the covering step, and the surface conductor is removed. A removal step to expose the substrate surface;
A method for producing a ceramic circuit board, comprising:
前記セラミックペーストは、前記セラミックグリーンシートと実質的に同一組成の無機材料と、溶媒や結合剤としての有機材料とを調製したものであることを特徴とする請求項1記載のセラミック回路基板の製造方法。   2. The ceramic circuit board according to claim 1, wherein the ceramic paste is prepared by preparing an inorganic material having substantially the same composition as the ceramic green sheet and an organic material as a solvent or a binder. Method. 前記受動素子が抵抗体として構成され、
前記基板作製工程は、前記積層体の主表面上に、前記抵抗体と、これにのりあげる配置で接続する前記表層導体とを形成する操作を含むものとされ、
前記焼成工程終了時の寸法で、前記表層導体の厚さが前記抵抗体の厚さよりも大となるように、それら抵抗体および表層導体の焼成前の形成厚さ調整を行ない、
前記除去工程においては、前記セラミック被覆層の除去とともに前記抵抗体にのりあげた前記表層導体を減厚することにより、前記抵抗体の上に前記セラミックペーストに基づくセラミック部を残しつつ、減厚された前記表層導体を露出させることを特徴とする請求項1または2記載のセラミック回路基板の製造方法。
The passive element is configured as a resistor;
The substrate manufacturing step includes an operation of forming the resistor and the surface conductor to be connected to the main surface of the multilayer body in an arrangement arranged on the main body,
In the dimensions at the end of the firing step, the thickness of the surface layer conductor is larger than the thickness of the resistor, and the thickness of the resistor and the surface layer conductor is adjusted before firing,
In the removing step, the thickness of the surface conductor that has been applied to the resistor together with the removal of the ceramic coating layer is reduced, leaving a ceramic portion based on the ceramic paste on the resistor. 3. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 1, wherein the surface layer conductor is exposed.
前記セラミック部を貫通して前記抵抗体にレーザ光を照射しその抵抗体の抵抗率調整を行なうレーザトリミング工程をさらに備えることを特徴とする請求項3記載のセラミック回路基板の製造方法。   4. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 3, further comprising a laser trimming step of irradiating the resistor with laser light through the ceramic portion to adjust the resistivity of the resistor. 前記抵抗体の真上に、その抵抗体を被覆する前記セラミック部と前記表層導体との両者にまたがるようオーバコート層を形成するオーバコート層形成工程をさらに備えることを特徴とする請求項3または4記載のセラミック回路基板の製造方法。   4. An overcoat layer forming step of forming an overcoat layer directly over the resistor so as to straddle both the ceramic portion covering the resistor and the surface layer conductor. 4. A method for producing a ceramic circuit board according to 4. 前記除去工程を経て露出された前記表層導体上にメッキ層を形成するメッキ工程をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項に記載のセラミック回路基板の製造方法。   6. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 1, further comprising a plating step of forming a plating layer on the surface conductor exposed through the removing step. セラミック誘電体層と導体層とが積層されてなる積層回路部の主表面上に、抵抗体と、その抵抗体に上からのりあげる配置で接続する表層導体とが設けられ、それら抵抗体と表層導体とを保護するオーバコート層を備えたセラミック回路基板において、前記抵抗体と前記オーバコート層との間に、前記セラミック誘電体層と同一組成のセラミックからなる保護層を設けたことを特徴とするセラミック回路基板。   On the main surface of the laminated circuit portion formed by laminating the ceramic dielectric layer and the conductor layer, there are provided a resistor and a surface layer conductor connected to the resistor so as to be raised from above, and the resistor and the surface layer. A ceramic circuit board having an overcoat layer for protecting a conductor, wherein a protective layer made of a ceramic having the same composition as the ceramic dielectric layer is provided between the resistor and the overcoat layer. Ceramic circuit board. 前記保護層を基板厚さ方向に貫通するとともに前記抵抗体が掘削されたレーザトリミング部を有することを特徴とする請求項7記載のセラミック回路基板。
The ceramic circuit board according to claim 7, further comprising a laser trimming portion that penetrates the protective layer in a thickness direction of the substrate and in which the resistor is excavated.
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KR101046006B1 (en) 2008-10-23 2011-07-01 삼성전기주식회사 Manufacturing method of non-contraction multilayer ceramic substrate
EP3506324A4 (en) * 2016-09-29 2019-08-14 Kyocera Corporation Resistor, circuit board provided with same, and electronic device

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