JP2005174468A - フラッシュメモリのアクセス制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ページ或いはブロックを単位としたフラッシュメモリのデータアクセスに対する管理方法であり、ホスト(コンピュータ、カードリーダー、携帯電話等)がフラッシュメモリ中にデータ書き込みを行なう時、このデータの容量により選択的にページ単位或いはブロック単位でデータを書き込み、書き込み速度を高め、並びにフラッシュメモリの消去の動作を減らし、フラッシュメモリの使用寿命を延長する。
【選択図】 図1
Description
ホストがフラッシュメモリにデータを書き込む時、このデータの容量により、ブロックを単位とするデータ消去、ページ読み出し、ページ書き込みの時間及び回数、及びこのデータの容量により、ページを単位とするページ消去、ページ書き込みの時間及び回数を計算し、さらにこれらの計算により得られたデータにより、最良の書き込み方式を選択し、ブロックを単位とする消去回数が少なく且つデータ転送速度が速ければ、ブロックを単位とするデータ書き込みを選択し、もしページを単位とする消去回数が少なく且つデータ転送速度が速ければ、ページを単位とするデータ書き込みを選択することを特徴とする、フラッシュメモリのアクセス制御方法としている。
請求項2の発明は、請求項1記載のフラッシュメモリのアクセス制御方法において、ページ読み出しの時間をpr、ページ書き込みの時間をpp、ページ消去の時間をpe、ブロック消去の時間をbeとすると、ページ消去の方式でN個のページにアクセスする時間はpe×N+pp×Nで、ブロック消去方式のアクセスにかかる時間は、be×1+pr×(32−N)+pp×32であることを特徴とする、フラッシュメモリのアクセス制御方法としている。
請求項3の発明は、請求項1記載のフラッシュメモリのアクセス制御方法において、ホストがコンピュータ、カードリーダー、携帯電話のいずれかとされたことを特徴とする、フラッシュメモリのアクセス制御方法としている。
12 フラッシュメモリ
13 ホストインタフェース
14 ホスト
15 プログラムメモリ
Claims (3)
- ページ或いはブロックを単位としてフラッシュメモリのデータデータアクセスに対する管理を行なうフラッシュメモリのアクセス制御方法において、
ホストがフラッシュメモリにデータを書き込む時、このデータの容量により、ブロックを単位とするデータ消去、ページ読み出し、ページ書き込みの時間及び回数、及びこのデータの容量により、ページを単位とするページ消去、ページ書き込みの時間及び回数を計算し、さらにこれらの計算により得られたデータにより、最良の書き込み方式を選択し、ブロックを単位とする消去回数が少なく且つデータ転送速度が速ければ、ブロックを単位とするデータ書き込みを選択し、もしページを単位とする消去回数が少なく且つデータ転送速度が速ければ、ページを単位とするデータ書き込みを選択することを特徴とする、フラッシュメモリのアクセス制御方法。 - 請求項1記載のフラッシュメモリのアクセス制御方法において、ページ読み出しの時間をpr、ページ書き込みの時間をpp、ページ消去の時間をpe、ブロック消去の時間をbeとすると、ページ消去の方式でN個のページにアクセスする時間はpe×N+pp×Nで、ブロック消去方式のアクセスにかかる時間は、be×1+pr×(32−N)+pp×32であることを特徴とする、フラッシュメモリのアクセス制御方法。
- 請求項1記載のフラッシュメモリのアクセス制御方法において、ホストがコンピュータ、カードリーダー、携帯電話のいずれかとされたことを特徴とする、フラッシュメモリのアクセス制御方法。
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JP2015060567A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 富士通フロンテック株式会社 | 通信制御装置、通信制御方法および通信制御プログラム |
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
US8489850B2 (en) | 2005-12-01 | 2013-07-16 | Sony Corporation | Memory apparatus and memory control method |
US7890550B2 (en) | 2006-11-03 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory system and garbage collection method thereof |
JP2015060567A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 富士通フロンテック株式会社 | 通信制御装置、通信制御方法および通信制御プログラム |
CN111078136A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-04-28 | 安徽力高新能源技术有限公司 | 一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法 |
CN111078136B (zh) * | 2019-10-22 | 2023-05-05 | 力高(山东)新能源技术股份有限公司 | 一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法 |
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