CN111078136B - 一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法，在系统程序中定义一个WriteAddrcount，并将WriteAddrcount初始化赋值为0，且WriteAddrcount的大小随写入次数而递增，在每次写入数据时候通过判断WriteAddrcount大小的方式，使得不用每次写入数据均进行一次擦除，延长了flash的寿命，同时为了确保BMS在运行中动态存储的数据精度的不丢失，在系统程序中定义一个ReadAddrcount，以便于读取当BMS断电重启时的flash中最后存储的数据，提高了BMS系统的整体性能。

Description

一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法
技术领域
本发明涉及嵌入式系统技术领域，尤其是一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法。
背景技术
目前，嵌入式汽车电子BMS的动态数据，如SOC、SOH、SOE所累计的充放电量等，为了确保精度均需要在运行过程中动态实时存储这些数据，并且下次上电还需要知道上次下电时的精确数据。现有的BMS一般将这些重要的数据存储在寄存器flash中，flash的寿命一般为100000次即可擦除次数为100000次，且flash的物理特性决定的每次存储数据时均需要擦除一次。以现有的SOC数据存储为例，一般为了保证精度变化0.1％需要保存一次，那么一个充放电循环就需要存储2000次，100000次仅能存储50个充放电循环后，flash的寿命就结束了。
发明内容
为了克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法，。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案，包括：
一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法，存储器flash划分为若干个存储块即block，每个存储块又划分为若干个页即page；存储块是可擦除的最小单位，页是写入数据的最小单位；每个页的大小为2NByte；每个存储块的大小为2MKB，即2M+10Byte；
在系统程序中定义一个WriteAddrcount，WriteAddrcount初始化赋值为0；BMS在运行过程中实时存储数据，即系统程序对flash进行写入数据的具体方式为：
S11，在存储块的一个页中写入数据，且每在一个页中写入一次数据后，WriteAddrcount增加2N，即增加一个页的大小；
S12，判断WriteAddrcount的大小是否等于2M+10，若否，则继续在存储块的下一个页中写入数据，即跳转执行步骤S11；若是，则将该存储块进行擦除，并将WriteAddrcount重新赋值为0，后续的可重新在该存储块的中写入数据，即重新执行步骤S11～S12。
在系统程序中定义一个ReadAddrcount；当BMS断电重启时，系统程序对flash中最后存储的数据进行读取的具体方式为：
S21，ReadAddrcount赋值为2N，读取存储块中第一个页中的数据，判断第一个页中的数据是否全为0xFF，若是，则表示该存储块中未写入数据，结束读取操作；否则，执行下一步骤S22；
S22，ReadAddrcount增加2N，执行下一步骤S23；
S23，读取存储块中第i个页中的数据，i＝ReadAddrcount/2N，判断该第i个页中的数据是否全为0xFF，若是，则表示该存储块中第i个页中未写入数据，第i-1个页中的数据为BMS断电重启时的flash中最后存储的数据，系统程序读取第i-1个页中的数据后，结束读取操作；否则，跳转执行步骤S22。
本发明的优点在于：
(1)由于BMS需要频繁对flash写入数据，所写入的数据为所累积的充放电量，且flash物理特性决定的每次存储数据均需要擦除一次，而flash的寿命一般为有限次的可擦除次数，考虑到flash的寿命，因此本发明在系统程序中定义一个WriteAddrcount，并将WriteAddrcount初始化赋值为0，且WriteAddrcount的大小随写入次数而递增，在每次写入数据时候通过判断WriteAddrcount大小的方式，使得不用每次写入数据均进行一次擦除，延长了flash的寿命。
(2)本发明不仅考虑flash的寿命问题，同时为了确保BMS在运行中动态存储的数据精度的不丢失，本发明在系统程序中定义一个ReadAddrcount，以便于读取当BMS断电重启时的flash中最后存储的数据，提高了BMS系统的整体性能。
附图说明
图1为本发明对flash进行写入数据的方法流程图。
图2为本发明读取BMS断电重启时的flash中最后存储数据的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
存储器flash划分为若干个存储块即block，每个存储块又划分为若干个页即page；存储块是可擦除的最小单位，页是写入数据的最小单位；每个页的大小为2NByte；每个存储块的大小为2MKB，即2M+10Byte。
由于BMS需要频繁对flash写入数据，所写入的数据为所累积的充放电量，且flash物理特性决定的每次存储数据均需要擦除一次，而flash的寿命一般为有限次的可擦除次数，考虑到flash的寿命问题，因此本发明在系统程序中定义一个WriteAddrcount，并将WriteAddrcount初始化赋值为0，且WriteAddrcount的大小随写入次数而递增，在每次写入数据时候通过判断WriteAddrcount大小的方式，使得不用每次写入数据均进行一次擦除。
由图1所示，BMS在运行过程中实时存储数据，即系统程序对flash进行写入数据的具体方式为：
S11，在存储块的一个页中写入数据，且每在一个页中写入一次数据后，WriteAddrcount增加2N，即增加一个页的大小。
S12，判断WriteAddrcount的大小是否等于2M+10，即是否等于存储块的大小，若否，则继续在存储块的下一个页中写入数据，即跳转执行步骤S11；若是，则将该存储块进行擦除，并将WriteAddrcount重新赋值为0，后续的可重新在该存储块的中写入数据，即重新执行步骤S11～S12。
本实施例中，每个页的大小为64Byte；每个存储块的大小为4KB。原先存储一次数据就需要擦除一次，现在存储64次才需要擦除一次，使flash寿命延长64倍。
由于考虑flash的寿命问题，使得不用每次写入数据均进行一次擦除，同时为了确保BMS在运行中动态存储的数据精度的不丢失，本发明在系统程序中定义一个ReadAddrcount。
由图2所示，当BMS断电重启时，系统程序对flash中最后存储的数据进行读取的具体方式为：
S21，ReadAddrcount赋值为2N，即一个页的大小，读取存储块中第一个页中的数据，判断第一个页中的数据是否全为0xFF，若是，则表示该存储块中未写入数据，结束读取操作；否则，执行下一步骤S22。
S22，ReadAddrcount增加2N，即增加一个页的大小，执行下一步骤S23。
S23，读取存储块中下个页中的数据，即读取存储块中第i个页中的数据，i＝ReadAddrcount/2N，判断该第i个页中的数据是否全为0xFF，若是，则表示该存储块中第i个页中未写入数据，第i-1个页中的数据为BMS断电重启时的flash中最后存储的数据，系统程序读取第i-1个页中的数据后，结束读取操作；否则，跳转执行步骤S22。
以上仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法，其特征在于，存储器flash划分为若干个存储块即block，每个存储块又划分为若干个页即page；存储块是可擦除的最小单位，页是写入数据的最小单位；每个页的大小为2NByte；每个存储块的大小为2MKB，即2M+ 10Byte；
在系统程序中定义一个WriteAddrcount，WriteAddrcount初始化赋值为0；BMS在运行过程中实时存储数据，即系统程序对flash进行写入数据的具体方式为：
S11，在存储块的一个页中写入数据，且每在一个页中写入一次数据后，WriteAddrcount增加2N，即增加一个页的大小；
S12，判断WriteAddrcount的大小是否等于2M+10，若否，则继续在存储块的下一个页中写入数据，即跳转执行步骤S11；若是，则将该存储块进行擦除，并将WriteAddrcount重新赋值为0，后续的可重新在该存储块的中写入数据，即重新执行步骤S11～S12。
2.根据权利要求1所述的一种防止BMS动态数据存储导致flash寿命降低的方法，其特征在于，在系统程序中定义一个ReadAddrcount；当BMS断电重启时，系统程序对flash中最后存储的数据进行读取的具体方式为：
S21，ReadAddrcount赋值为2N，读取存储块中第一个页中的数据，判断第一个页中的数据是否全为0xFF，若是，则表示该存储块中未写入数据，结束读取操作；否则，执行下一步骤S22；
S22，ReadAddrcount增加2N，执行下一步骤S23；
S23，读取存储块中第i个页中的数据，i＝ReadAddrcount/2N，判断该第i个页中的数据是否全为0xFF，若是，则表示该存储块中第i个页中未写入数据，第i-1个页中的数据为BMS断电重启时的flash中最后存储的数据，系统程序读取第i-1个页中的数据后，结束读取操作；否则，跳转执行步骤S22。
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