JP2005167107A - Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置製造に係り、特に基板の冷却または過熱を要する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to semiconductor device manufacturing, and more particularly to a semiconductor manufacturing device and a semiconductor device manufacturing method that require cooling or overheating of a substrate.
半導体製造工程に関し、真空中における工程が多々ある。その際、基板の温度制御は欠かせない。例えばプラズマ処理を伴う工程は、反応生成物の蒸気圧は基板表面の温度に依存し、反応確率もまた温度に依存する。真空中で基板の温度を所望の温度に上げ下げする方法は様々ある。例えば、基板裏面へのガス供給、静電チャッキング、クランピング等の技術を利用し、基板に所定温度を伝達するのである。しかしながら、いずれも意図する温度まで基板温度を導くには、ある程度の処理時間を要する。 There are many processes in vacuum related to semiconductor manufacturing processes. At that time, temperature control of the substrate is indispensable. For example, in a process involving plasma treatment, the vapor pressure of the reaction product depends on the temperature of the substrate surface, and the reaction probability also depends on the temperature. There are various methods for raising and lowering the substrate temperature to a desired temperature in a vacuum. For example, a predetermined temperature is transmitted to the substrate using techniques such as gas supply to the back surface of the substrate, electrostatic chucking, and clamping. However, it takes a certain amount of processing time to bring the substrate temperature to the intended temperature.
一方、LCD用被処理基板の冷却方法に関し、プラズマ処理を施す際、被処理基板とそれを載置している下部電極とを、処理室との圧力差によって密着させることにより、冷却効果を高める技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
上記[特許文献1]に開示されたような技術を用いることにより、基板の温度制御時間はより短縮化が図れると考えられる。しかしながら、マルチチャンバプロセスが一般化されている半導体製造工程で、それぞれのプロセスチャンバに上記冷却方法のシーケンス及び技術的構成を求めるのは過分ともいえる。例えば、静電チャッッキングは、基板裏面全面への吸着保持が可能であり、ある程度技術が確立され、広く利用されている。マルチチャンバプロセスで、なるべく現状の構成を利用しつつ基板の温度制御時間をより短縮する技術が理想的である。 By using the technique disclosed in the above [Patent Document 1], it is considered that the temperature control time of the substrate can be further shortened. However, in a semiconductor manufacturing process in which a multi-chamber process is generalized, it can be said that it is excessive to obtain the sequence and technical configuration of the cooling method for each process chamber. For example, electrostatic chucking can be attracted and held on the entire back surface of the substrate, and the technology is established to some extent and widely used. In a multi-chamber process, a technique for further shortening the temperature control time of the substrate while utilizing the current configuration as much as possible is ideal.
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、特にマルチチャンバプロセスに、より好適でより時間短縮可能な基板温度制御を実現する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。 The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances. In particular, the present invention intends to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method that realize substrate temperature control that is more suitable for a multi-chamber process and that can shorten the time. To do.
本発明に係る半導体製造装置は、半導体装置製造に関する基板を入出させる複数の処理室と、前記基板に所定温度を伝達する載置台を備え、真空排気される状態と気圧の高い状態を相互に切り替える専用の処理室と、を含む。 A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a plurality of processing chambers that allow substrates related to semiconductor device manufacturing to enter and exit, and a mounting table that transmits a predetermined temperature to the substrate, and switches between a vacuum exhausted state and a high atmospheric pressure state. And a dedicated processing chamber.
上記本発明に係る半導体製造装置によれば、専用の処理室は真空排気される状態と気圧の高い状態が相互に切り替えられる。この二状態を短時間で切り替えれば、載置台に乗った基板の表裏で不平衡圧力が生じ、温度を伝達する載置台に基板を押し付けることができる。基板の温度制御が早くなり、他の処理室での処理または外部への移動も効率よく、目的の温度設定のための待ち時間が短縮できる。
なお、より好ましい基板への温度伝達を達成するために、前記載置台は、内部に温度調節用の媒体を循環させる実質的に水平な面を有する。あるいは、前記載置台は、外部から温度調節用のランプで照射される実質的に水平な面を有する。
According to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the dedicated processing chamber can be switched between a state of being evacuated and a state of high atmospheric pressure. If these two states are switched in a short time, an unbalanced pressure is generated on the front and back of the substrate on the mounting table, and the substrate can be pressed against the mounting table that transmits temperature. The temperature control of the substrate becomes faster, the processing in another processing chamber or the movement to the outside is efficient, and the waiting time for setting the target temperature can be shortened.
In order to achieve more preferable temperature transmission to the substrate, the mounting table has a substantially horizontal surface in which a temperature adjusting medium is circulated. Alternatively, the mounting table has a substantially horizontal surface that is irradiated from the outside with a temperature adjusting lamp.
本発明に係る半導体製造装置は、半導体装置製造に関する複数の処理室と、前記処理室の1つまたは複数に隣り合い、基板裏面に接触して所定温度を伝達する載置台を有し、真空排気される状態と気圧の高い状態を相互に切り替え可能な温度制御室と、前記基板を複数収納する収納室と、少なくとも前記収納室、前記複数の処理室及び前記温度制御室相互間での前記基板の搬送を担う搬送機構と、を含む。 A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a plurality of processing chambers related to semiconductor device manufacturing, a mounting table that is adjacent to one or more of the processing chambers, contacts a back surface of the substrate, and transmits a predetermined temperature, and is evacuated. Temperature control chamber capable of switching between a state of being heated and a state of high atmospheric pressure, a storage chamber for storing a plurality of the substrates, and at least the substrate between the storage chamber, the plurality of processing chambers, and the temperature control chamber And a transport mechanism responsible for transporting.
本発明に係る半導体製造装置は、半導体装置製造に関する複数の処理室と、前記処理室の1つまたは複数に隣り合い、基板裏面に接触して所定温度を伝達する載置台を有し、真空排気される状態と気圧の高い状態を相互に切り替え可能な第1、第2の温度制御室と、前記基板を複数収納する収納室と、少なくとも前記収納室、前記複数の処理室及び前記第1、第2の温度制御室相互間での前記基板の搬送を担う搬送機構と、を含む。 A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a plurality of processing chambers related to semiconductor device manufacturing, a mounting table that is adjacent to one or more of the processing chambers, contacts a back surface of the substrate, and transmits a predetermined temperature, and is evacuated. First and second temperature control chambers capable of switching between a state of being carried out and a state of high atmospheric pressure, a storage chamber for storing a plurality of the substrates, at least the storage chamber, the plurality of processing chambers, and the first, And a transport mechanism for transporting the substrate between the second temperature control chambers.
上記それぞれ本発明に係る半導体製造装置によれば、温度制御室は真空排気される状態と気圧の高い状態が相互に切り替えられる。この二状態を短時間で切り替えれば、載置台に乗った基板の表裏で不平衡圧力が生じ、温度を伝達する載置台に基板を押し付けることができる。早く基板の温度制御が達成でき、他の処理室での処理または収納室を介した外部への移動も効率よく、目的の温度設定のための待ち時間が短縮できる。また、第1、第2の温度制御室を設ければ、異なる温度、特に相反する温度の制御が並行して管理可能である。 According to each of the semiconductor manufacturing apparatuses according to the present invention, the temperature control chamber can be switched between a state of being evacuated and a state of high atmospheric pressure. If these two states are switched in a short time, an unbalanced pressure is generated on the front and back of the substrate on the mounting table, and the substrate can be pressed against the mounting table that transmits temperature. The substrate temperature can be quickly controlled, the processing in another processing chamber or the movement to the outside through the storage chamber can be efficiently performed, and the waiting time for setting the target temperature can be shortened. In addition, if the first and second temperature control chambers are provided, control of different temperatures, particularly conflicting temperatures, can be managed in parallel.
なお、上記それぞれ本発明に係る半導体製造装置において、前記収納室内は、前記基板毎収容可能な耐熱不要のカセットを配備している。すなわち、温度制御室の利用で、収納室における耐熱性も不要にでき、コスト削減に寄与する。 In each of the semiconductor manufacturing apparatuses according to the present invention, the storage chamber is provided with a heat-resistant cassette that can be stored for each substrate. That is, the use of the temperature control room can eliminate the need for heat resistance in the storage room, which contributes to cost reduction.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置製造に関する基板が複数の処理室でそれぞれ目的の工程を達成するにあたり、前記複数の処理室のうち、所定の処理室での処理前または後に、専用の処理室内で前記基板の温度制御を行う。 In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, when the substrate related to semiconductor device manufacturing achieves a target process in each of the plurality of processing chambers, among the plurality of processing chambers, before or after the processing in a predetermined processing chamber, The temperature of the substrate is controlled in a dedicated processing chamber.
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体装置製造に関する基板が所定の処理室で処理されるその前またはその後に、専用の処理室内で温度制御を行うことによって、基板の温度制御が早くなる。従って、他の処理室での処理または外部への移動も効率的で、目的の温度設定のための待ち時間が短縮できる。 According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention, the temperature control of the substrate is performed by performing temperature control in the dedicated processing chamber before or after the substrate related to semiconductor device manufacturing is processed in the predetermined processing chamber. Becomes faster. Therefore, the processing in another processing chamber or the movement to the outside is also efficient, and the waiting time for setting the target temperature can be shortened.
上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、専用の処理室内での好ましい操作は次のような特徴を有する。
前記専用の処理室内は、真空排気されており、基板裏面に接触して所定温度を伝達する載置台に前記基板が置かれ、真空排気を止めてから短時間で不活性ガスを充満させることにより、前記基板表面と裏面に不平衡圧力を生じさせ、前記基板を前記載置台に押し付ける状態をつくる.
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a preferable operation in a dedicated processing chamber has the following characteristics.
The dedicated processing chamber is evacuated, the substrate is placed on a mounting table that contacts the back surface of the substrate and transmits a predetermined temperature, and is filled with an inert gas in a short time after the evacuation is stopped. Then, an unbalanced pressure is generated on the front surface and the back surface of the substrate to create a state in which the substrate is pressed against the mounting table.
また、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、専用の処理室内での好ましい操作は次のような特徴を有する。
前記専用の処理室内において、前記専用の処理室内を真空排気する工程と、所定温度を伝達する載置台に前記基板を置く工程と、前記真空排気を止めてから不活性ガスを充満させる工程と、所定時間経過後、再び前記専用の処理室内を真空排気する工程と、前記専用の処理室内から前記基板を他の真空室内に移送する工程と、を含む
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a preferable operation in a dedicated processing chamber has the following characteristics.
In the dedicated processing chamber, evacuating the dedicated processing chamber, placing the substrate on a mounting table that transmits a predetermined temperature, filling the inert gas after stopping the evacuation, A step of evacuating the dedicated processing chamber again after a predetermined time, and a step of transferring the substrate from the dedicated processing chamber to another vacuum chamber.
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体製造装置の要部を示すブロック図である。半導体製造装置11は、マルチプロセスチャンバ仕様である。真空ロボットRBを配した搬送室12の周辺に、基板WF搬入/搬出のためのロードロック室LLI,LLO、及び複数の処理室PC,PC,…を配備している。処理室PCは、エッチングまたはスパッタリングまたはCVD(化学気相成長)成膜等を行うプラズマ処理室が考えられる。これら処理室PCの群と、温度制御専用の処理室(温度制御室)13が併設されている。温度制御室13は、少なくとも処理室の1つに隣り合うように設けられる。
FIG. 1 is a block diagram showing the main part of the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. The semiconductor manufacturing apparatus 11 has a multi-process chamber specification. A load lock chamber LLI, LLO for loading / unloading a substrate WF and a plurality of processing chambers PC, PC,... Are arranged around the
温度制御室13は、基板に所定温度を伝達する基板の載置台131を有する。温度制御室13は、真空排気される高真空状態と、不活性ガスが導入され気圧の高い状態とを、だいたい数秒以内の短時間サイクルで相互に切り替えることができる。このような温度制御室13の気圧操作は、処理室PCで利用される図示しないポンプの性能範囲で可能である。
The
温度制御室13は、載置台131に乗った基板WFに関し、高真空状態から気圧の高い状態の切り替えで、基板表裏で不平衡圧力を生じさせる。これにより、基板WFは温度を伝達する載置台131に押し付けられ、速やかな熱交換が起こり、早く基板の温度制御が完了する。
The
図2は、温度制御室13の一例について要部を示す構成図である。制御室本体は別段の限定なく他の処理室PCに準ずる構成としてよい。図示しないが、温度制御室13を密閉、開放するシャッターが設けられている。温度制御室13内の載置台131は、本体がセラミックや金属等の熱伝導性の高い材料で構成されている。これも実質的には他の処理室PCに準ずる構成としてもよい。
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a main part of an example of the
載置台131は、その内部に温度調節用の媒体の循環路VCが設けられている。冷却媒体なら冷却水や冷却ガス等、加熱媒体なら加熱用ガス等である。これにより、温度制御室13は、冷却室または加熱室として機能する。図示しないが、循環路VCが冷却媒体用と加熱媒体用と2種類有ってもよい。載置台131は基板WFとの密着度を向上させるため実質的に水平な面を有する。表面に酸化アルミ等の絶縁物をコーティングしてもよい。基板WFを押し上げるプッシュアップピンはここでは省略している。真空ロボットRBの構成によってプッシュアップピンは不要となる可能性もある。
The mounting table 131 is provided with a circulation path VC for a temperature adjusting medium. The cooling medium is cooling water or cooling gas, and the heating medium is heating gas. Thereby, the
また、温度制御室13は、不活性ガスの供給口132及び排気口133が設けられている。不活性ガスは例えばAr等を用いればよい。これも処理室PCでの不活性ガスの使用に従う。排気口133は真空排気するためのポンプにつながる。バルブ134は供給口132からのガス流入を制御し、バルブ135は、排気口133の真空排気を制御する。
The
図3、図4は、それぞれ温度制御室13について他の例の要部を示す構成図である。図2と異なる部分のみ説明する。
図3では、載置台131内部は温度調節用として電熱線EHの配備が追加されている。すなわち、電熱線EHを通る電流(電子)という加熱媒体を利用する。
図4では、載置台131が外部から温度調節用のランプLPで照射され、加熱される構成が追加されている。
FIGS. 3 and 4 are configuration diagrams showing the main part of another example of the
In FIG. 3, the inside of the mounting table 131 is additionally provided with a heating wire EH for temperature adjustment. That is, a heating medium called current (electrons) passing through the heating wire EH is used.
In FIG. 4, a configuration is added in which the mounting table 131 is externally irradiated with a temperature adjusting lamp LP and heated.
すなわち、図3では、温度制御室13を冷却室として利用する場合には冷却媒体を循環させる循環路VCを機能させる。温度制御室13を加熱室として利用する場合には、電熱線EHを機能させる。
また、図4では、温度制御室13を冷却室として利用する場合には冷却媒体を循環させる循環路VCを機能させる。温度制御室13を加熱室として利用する場合には、ランプLPを機能させる。
上記図3、図4の構成はいずれも単独の配備でもよい。すなわち、電熱線EHの配備のみやランプLPの配備のみにし、加熱専用の温度制御室13として機能させることも考えられる。
That is, in FIG. 3, when the
In FIG. 4, when the
3 and 4 may be provided independently. That is, it is conceivable that only the heating wire EH or the lamp LP is provided to function as the
図5は、温度制御室の気圧状態の変化及び基板温度の変化を示す特性図である。この図及び図1、図2を参照して、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
処理されるべき半導体基板(以下、ウェハ)WFは、ロードロック室LLIから搬送室12を介して所定の処理室PCにてそれぞれ目的の工程(例えばエッチング等)を達成する。その際、所定の処理室PCでの処理前または後に、温度制御室13にてウェハWFの温度制御を行う。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing changes in the atmospheric pressure state of the temperature control chamber and changes in the substrate temperature. With reference to this figure, FIG. 1, and FIG. 2, the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated.
A semiconductor substrate (hereinafter referred to as a wafer) WF to be processed achieves a target process (for example, etching or the like) in a predetermined processing chamber PC from the load lock chamber LLI through the
ウェハWFが温度制御室13を利用するのは、次のようなときである。第1に、ウェハWFが最初の処理室PCでの工程前に温度制御が必要なとき。第2に、処理室PC間で温度制御が必要なとき。第3に、ウェハWFが各処理室PCでの目的の処理をすべて終了し、ロードロック室LLOに入る前にウェハWFの温度制御(主に冷却)が必要なとき。すなわち、ウェハWFは、必要に応じて搬送室12を介して温度制御室13に移送されてくる。
The wafer WF uses the
温度制御室13内では、真空排気状態となっており、載置台131にウェハWFが置かれる。このとき、載置台131は、意図する温度へと導くために温度調節用の媒体の循環路VCを機能させている。次に、バルブ135が閉じて真空排気が止められた後、バルブ134を開放して瞬間的に不活性ガス(例えばAr)を温度制御室13内に流入させる。これにより、温度制御室13内の気圧をだいたい5秒以内に数百〜数kPaにする。これにより、温度制御室13内ではウェハWFの表面と裏面で不平衡圧力が生じ、ウェハWFの裏面が載置台131に真空吸着された状態となる。ウェハWFは、載置台131に押し付けられ、載置台131との熱交換が迅速に行われる。これにより、ウェハWFは数秒で設定された温度に近付く。因みに、200℃〜400℃程度のウェハWFは、5秒以内で室温に冷却可能である。
The
ウェハWFが目的の温度に十分近付いた後、温度制御室13はバルブ134が閉じられ、バルブ135が開かれて再び真空排気される。これにより、温度制御室13は、搬送室12と変わらない真空状態を再現し、図示しないシャッターが開いて搬送室12とつながる。このような温度制御動作は、現状の半導体製造装置11に伴うポンプ能力で、数秒以内の短時間サイクルで実施可能である。温度制御されたウェハWFは、その後の処理に応じて、真空ロボットRBで他の処理室PCまたはロードロック室LLOに移送される。
After the wafer WF has sufficiently approached the target temperature, the
上記各実施形態に係る構成及び方法によれば、マルチプロセスチャンバ仕様の半導体製造装置に関する複数の処理室PCの群と、温度制御室13を併設する。温度制御室13は、真空排気される状態と気圧の高い状態が相互に切り替えられる専用の処理室である。もちろん、温度制御室13は、図2の構成に限らず、図3、図4その他の構成を用いてもよい。温度制御室13を真空から気圧の高い状態に短時間で切り替えれば、載置台131に乗った基板(ウェハ)WFの表裏で不平衡圧力が生じる。これにより、温度を伝達する載置台131に基板を押し付けることができる。半導体装置製造に関する基板WFが所定の処理室で処理されるその前またはその後に、温度制御室13で温度制御を行う。これにより、基板WFの温度制御が早まり、他の処理室PCでの処理または外部への移動もスムーズで、目的の温度設定のための待ち時間が短縮できる。
According to the configuration and method according to each of the above embodiments, the
また、ロードロック室LLO内は、基板毎収容可能なカセットが配備されているものもある。その際、温度制御室13の利用により、搬送されてくる基板WFは室温に制御されている。これにより、カセットは高価な耐熱用のカセットを使用する必要はなく、コスト削減に寄与する。また、温度制御室13は、現状の処理室PCの構成をほとんど更改することなく配備でき、経済的である。
Some load lock chambers LLO are provided with cassettes that can accommodate substrates. At that time, the substrate WF being transferred is controlled to room temperature by using the
図6は、本発明の第3実施形態に係る半導体製造装置の要部を示すブロック図である。第1実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明する。半導体製造装置21は、第1実施形態と同様にマルチプロセスチャンバ仕様である。真空ロボットRBを配した搬送室12の周辺に、基板WF搬入/搬出のためのロードロック室LLI,LLO、及び複数の処理室PC,PC,…を配備している。これら処理室PCの群に、温度制御専用の処理室(温度制御室)13C,13Hが併設されている。
FIG. 6 is a block diagram showing a main part of a semiconductor manufacturing apparatus according to the third embodiment of the present invention. The same parts as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals. The
温度制御室13C,13Hに関しても、第1実施形態と同様に、図2〜図4のいずれかの構成が配備されてもよい。温度制御室13C,13Hは、異なる温度、特に相反する温度の制御(例えば冷却と加熱)ができるようにしてもよい。また、同じような温度を管理するようにしてもよい。要は、マルチプロセスチャンバ仕様に対してより効率的に被処理基板の温度制御ができるように配慮されている。
Regarding the
以上、説明したように本発明によれば、半導体装置製造に関する複数の処理室の群と、真空排気される状態と気圧の高い状態の二状態を短時間で切り替える温度制御室を併設する。温度制御室は、気圧の操作により基板の表裏で不平衡圧力を生じさせ、温度を伝達する載置台に基板を押し付ける。これにより、速やかな熱交換が起こり、効率的な温度制御が達成される。このような基板の温度制御は、半導体装置製造に関する処理室での処理前後いずれか必要時になされる。これにより、被処理基板は、目的の温度設定のための待ち時間が短縮でき、他の処理室での処理または外部への移動も効率良く行える。また、このような温度制御室は、現状の処理室の構成をほとんど更改することなく配備でき、経済的である。この結果、特にマルチチャンバプロセスに、より好適でより時間短縮可能な基板温度制御を実現する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, a plurality of processing chamber groups related to semiconductor device manufacturing and a temperature control chamber that switches between two states of being evacuated and a state of high atmospheric pressure in a short time are provided. The temperature control chamber generates an unbalanced pressure on the front and back sides of the substrate by manipulating atmospheric pressure, and presses the substrate against a mounting table that transmits the temperature. Thereby, quick heat exchange occurs and efficient temperature control is achieved. Such temperature control of the substrate is performed either before or after the processing in the processing chamber related to semiconductor device manufacturing. As a result, the substrate to be processed can reduce the waiting time for setting the target temperature, and can be efficiently processed in another processing chamber or moved to the outside. Moreover, such a temperature control room can be deployed with almost no modification of the current configuration of the processing chamber, and is economical. As a result, it is possible to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method that realize substrate temperature control that is more suitable for a multi-chamber process and that can shorten the time.
11,21…半導体製造装置、12…搬送室、13,13C,13H…温度制御室、131…載置台、132…不活性ガスの供給口、133…排気口、134,135…バルブ、PC…処理室、LLI,LLO…ロードロック室、RB…真空ロボット、WF…半導体基板(ウェハ)、VC…温度調節用の媒体の循環路、EH…電熱線、LP…ランプ。
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記基板に所定温度を伝達する載置台を備え、真空排気される状態と気圧の高い状態を相互に切り替える専用の処理室と、
を含む半導体製造装置。 A plurality of processing chambers for entering and exiting substrates relating to semiconductor device manufacturing;
Provided with a mounting table for transmitting a predetermined temperature to the substrate, a dedicated processing chamber for switching between a state of being evacuated and a state of high atmospheric pressure,
A semiconductor manufacturing apparatus including:
前記処理室の1つまたは複数に隣り合い、基板裏面に接触して所定温度を伝達する載置台を有し、真空排気される状態と気圧の高い状態を相互に切り替え可能な温度制御室と、
前記基板を複数収納する収納室と、
少なくとも前記収納室、前記複数の処理室及び前記温度制御室相互間での前記基板の搬送を担う搬送機構と、
を含む半導体製造装置。 A plurality of processing chambers for semiconductor device manufacturing;
A temperature control chamber that is adjacent to one or more of the processing chambers, has a mounting table that contacts a back surface of the substrate and transmits a predetermined temperature, and is capable of switching between a vacuum exhausted state and a high atmospheric pressure state;
A storage chamber for storing a plurality of the substrates;
A transport mechanism for transporting the substrate between at least the storage chamber, the plurality of processing chambers, and the temperature control chamber;
A semiconductor manufacturing apparatus including:
前記処理室の1つまたは複数に隣り合い、基板裏面に接触して所定温度を伝達する載置台を有し、真空排気される状態と気圧の高い状態を相互に切り替え可能な第1、第2の温度制御室と、
前記基板を複数収納する収納室と、
少なくとも前記収納室、前記複数の処理室及び前記第1、第2の温度制御室相互間での前記基板の搬送を担う搬送機構と、
を含む半導体製造装置。 A plurality of processing chambers for semiconductor device manufacturing;
A first and a second that are adjacent to one or more of the processing chambers, have a mounting table that contacts the back surface of the substrate and transmits a predetermined temperature, and can be switched between a vacuum exhausted state and a high atmospheric pressure state. A temperature control room,
A storage chamber for storing a plurality of the substrates;
A transport mechanism responsible for transporting the substrate between at least the storage chamber, the plurality of processing chambers, and the first and second temperature control chambers;
A semiconductor manufacturing apparatus including:
前記専用の処理室内を真空排気する工程と、
所定温度を伝達する載置台に前記基板を置く工程と、
前記真空排気を止めてから不活性ガスを充満させる工程と、
所定時間経過後、再び前記専用の処理室内を真空排気する工程と、
前記専用の処理室内から前記基板を他の真空室内に移送する工程と、
を含む請求項7記載の半導体装置の製造方法。 In the dedicated processing chamber,
Evacuating the dedicated processing chamber;
Placing the substrate on a mounting table that transmits a predetermined temperature;
Filling the inert gas after stopping the evacuation;
A step of evacuating the dedicated processing chamber again after a predetermined time;
Transferring the substrate from the dedicated processing chamber to another vacuum chamber;
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7.
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005167107A true JP2005167107A (en) | 2005-06-23 |
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ID=34728974
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
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2003
- 2003-12-05 JP JP2003406697A patent/JP2005167107A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102169811A (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate heating apparatus, substrate heating method and substrate processing system |
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Legal Events
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