JP2005166139A - Shift register, method and circuit for driving the same, electrooptic device, and electronic device - Google Patents

Shift register, method and circuit for driving the same, electrooptic device, and electronic device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent erroneous transfer by the comparatively small number of circuit elements and to reduce power consumption in a shift register. <P>SOLUTION: In the shift register which generates a transfer pulse in order, each of transfer unit circuits at odd-numbered stages is provided with an odd-numbered stage first switching element which are closed in the active period of a first clock signal, a buffer for odd-numbered stage latch generating the transfer pulse, and an odd-numbered stage second switching element which are closed in the active period of a third clock signal to feedback output and input of the buffer for the odd-numbered stage latch. Each of transfer unit circuits at even-numbered stages is provided with an even-numbered stage first switching element which are closed in the active period of a second clock signal, a buffer for even-numbered stage latch generating the transfer pulse, and an even-numbered stage second switching element which are closed in the active period of the third clock signal to feedback output and input of the buffer for the even-numbered stage latch. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、シフトレジスタ及びその駆動方法、並びに該シフトレジスタを備える駆動回路、このような駆動回路を備えてなる例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a shift register, a driving method thereof, a driving circuit including the shift register, an electro-optical device such as a liquid crystal device including the driving circuit, and a liquid crystal projector including the electro-optical device. The present invention relates to the technical field of electronic equipment.

この種のシフトレジスタは、夫々転送単位回路を含んでなる複数段において、順次転送パルスを生成する。例えば、下記特許文献1に開示された第1のシフトレジスタによれば、各転送単位回路は2つの相補型トランジスタ用いて構成され、下記特許文献2に開示された第2のシフトレジスタによれば、各転送単位回路は片チャネル型トランジスタを用いて構成される。そして、第1又は第2のシフトレジスタによれば、各段の転送単位回路には転送動作を開始するためのクロック信号、及びラッチ用のクロック信号の2種の信号が連続したタイミングで入力され、該信号に応じて転送パルスが生成される。尚、第2のシフトレジスタの各段には、前述した2種のクロック信号の他、放電期間等を規定するクロック信号が更に入力される。   This type of shift register sequentially generates transfer pulses in a plurality of stages each including a transfer unit circuit. For example, according to the first shift register disclosed in Patent Document 1 below, each transfer unit circuit is configured using two complementary transistors, and according to the second shift register disclosed in Patent Document 2 below. Each transfer unit circuit is configured using a single-channel transistor. According to the first or second shift register, two types of signals, a clock signal for starting the transfer operation and a clock signal for latching, are input to the transfer unit circuit at each stage at successive timings. A transfer pulse is generated in response to the signal. Note that, in addition to the two types of clock signals described above, a clock signal that defines a discharge period and the like is further input to each stage of the second shift register.

特開平11−202295号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-202295 特開平8−84310号公報JP-A-8-84310

しかしながら、第1又は第2のシフトレジスタによれば、各転送単位回路を構成するための回路素子数が多くなり、且つクロック信号の入力端子数も多くなるため、そのレイアウト面積も大きくなる。電気光学パネルは、高品質な画像表示を行うために画像表示領域が多画素となる傾向にあり、これに伴い画素ピッチも狭ピッチとなる。このため、電気光学パネルに、第1又は第2のシフトレジスタを用いて構成される駆動回路を組み込む場合、クロック系統への配線入力数が多くなり、電気光学パネルの画像表示領域において多画素を実現するのが困難となる恐れがある。   However, according to the first or second shift register, the number of circuit elements for configuring each transfer unit circuit increases and the number of input terminals for the clock signal also increases, so that the layout area also increases. The electro-optical panel tends to have a large number of image display areas in order to perform high-quality image display, and accordingly, the pixel pitch becomes narrow. For this reason, when a driving circuit configured using the first or second shift register is incorporated in the electro-optical panel, the number of wiring inputs to the clock system increases, and a large number of pixels are provided in the image display area of the electro-optical panel. It can be difficult to achieve.

また、第1又は第2のシフトレジスタにおいて、各転送単位回路に対する2種のクロック信号の入力タイミングがずれると、レーシングによる誤動作を引き起こす恐れもある。即ち、2種のクロック信号は連続して入力されるため、各転送単位回路において、該入力タイミングがずれると、前段の転送パルスが当該転送単位回路を通過して、次段の転送単位回路にまで入力されてしまう、所謂レーシングを引き起こすこととなる。   Further, in the first or second shift register, if the input timings of the two types of clock signals with respect to each transfer unit circuit are shifted, there is a risk of causing malfunction due to racing. That is, since the two types of clock signals are continuously input, if the input timing is shifted in each transfer unit circuit, the transfer pulse of the previous stage passes through the transfer unit circuit and enters the transfer unit circuit of the next stage. Will cause so-called racing.

また、第2のシフトレジスタによれば、各転送単位回路を片チャネル型トランジスタで構成するために貫通電流が発生し、動作時における消費電力が大きくなってしまう。   Further, according to the second shift register, since each transfer unit circuit is configured by a single channel transistor, a through current is generated, and power consumption during operation increases.

本発明は、上記問題点に鑑み成されたものであり、比較的少ない回路素子数で誤転送を防止し、且つ消費電力を削減することのできるシフトレジスタ及びその駆動方法、並びに該シフトレジスタを備える駆動回路、このような駆動回路を備えてなる電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a shift register capable of preventing erroneous transfer and reducing power consumption with a relatively small number of circuit elements, a driving method thereof, and the shift register. It is an object of the present invention to provide a drive circuit including the electro-optical device including the drive circuit and an electronic apparatus including the electro-optical device.

本発明のシフトレジスタは上記課題を解決するために、複数段の転送単位回路において転送パルスを順次生成するシフトレジスタであって、前記複数段のうち奇数段の前記転送単位回路は夫々、第1クロック信号のアクティブ期間に閉状態となって前段からの転送パルス又はスタートパルスを通過させる奇数段第1スイッチング素子と、該奇数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルス又はスタートパルスが入力されると共に次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成する奇数段ラッチ用バッファと、第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態となって前記奇数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける奇数段第2スイッチング素子とを備え、前記複数段のうち偶数段の前記転送単位回路は夫々、前記第1クロック信号とはアクティブ期間が異なる第2クロック信号の該アクティブ期間に閉状態となって前段からの前記転送パルスを通過させる偶数段第1スイッチング素子と、該偶数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルスが入力されると共に次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成する偶数段ラッチ用バッファと、前記第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態となって前記偶数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける偶数段第2スイッチング素子とを備え、前記第3クロック信号は、前記第1及び第2クロック信号の論理和信号であって且つ前記第1及び第2クロック信号に対して所定量だけ遅延されているクロック信号である。   In order to solve the above problems, the shift register of the present invention is a shift register that sequentially generates transfer pulses in a plurality of stages of transfer unit circuits, and each of the plurality of stages of odd-numbered transfer unit circuits is a first register. The odd-numbered stage first switching element that is closed during the active period of the clock signal and passes the transfer pulse or start pulse from the previous stage, and the transfer pulse or start pulse is input through the odd-numbered stage first switching element. And an odd-stage latch buffer for generating a transfer pulse to be transferred to and output to the next stage, and an odd-stage to apply feedback to the input / output of the odd-stage latch buffer during the active period of the third clock signal A second switching element, and each of the even numbered transfer unit circuits of the plurality of stages is defined as the first clock signal. An even-numbered first switching element that is closed during the active period of the second clock signal having a different active period and passes the transfer pulse from the previous stage, and the transfer pulse is input via the even-numbered first switching element And the even-stage latch buffer that generates a transfer pulse that is transferred to the next stage and output, and is closed during the active period of the third clock signal to provide feedback to the input and output of the even-stage latch buffer. And the third clock signal is a logical sum signal of the first and second clock signals and is delayed by a predetermined amount with respect to the first and second clock signals. Clock signal.

本発明のシフトレジスタには、駆動時に第1クロック信号、第2クロック信号、及び第3クロック信号、並びにスタートパルスが外部より入力される。当該シフトレジスタの複数段において、奇数段第1スイッチング素子に順次第1クロック信号が入力され、偶数段第1スイッチング素子に順次第2クロック信号が入力される。第1クロック信号のアクティブ期間によって、奇数段第1スイッチング素子の動作期間が規定され、第2クロック信号のアクティブ期間によって、偶数段第1スイッチング素子の動作期間が規定される。奇数段の転送単位回路において夫々第1クロック信号の入力に応じて奇数段第1スイッチング素子によって転送動作が開始され、偶数段の転送単位回路において夫々第2クロック信号の入力に応じて偶数段第1スイッチング素子によって転送動作が開始される。そして、第1クロック信号及び第2クロック信号は、複数段の転送単位回路において順次転送動作が開始されるように、且つ、各転送単位回路における奇数段又は偶数段第1スイッチング素子の動作期間が重ならないように、互いに位相の異なる信号となっている。   In the shift register of the present invention, the first clock signal, the second clock signal, the third clock signal, and the start pulse are input from the outside during driving. In the plurality of stages of the shift register, the first clock signal is sequentially input to the odd-numbered first switching elements, and the second clock signal is sequentially input to the even-numbered first switching elements. The operation period of the odd-numbered first switching elements is defined by the active period of the first clock signal, and the operation period of the even-numbered first switching elements is defined by the active period of the second clock signal. In the odd-numbered transfer unit circuit, the transfer operation is started by the odd-numbered first switching element in response to the input of the first clock signal, and in the even-numbered transfer unit circuit, the even-numbered transfer unit circuit in response to the input of the second clock signal. The transfer operation is started by one switching element. The first clock signal and the second clock signal are sequentially transferred in a plurality of transfer unit circuits, and the operation period of the odd-numbered or even-numbered first switching element in each transfer unit circuit is The signals are different in phase so as not to overlap.

また、第3クロック信号は第1クロック信号及び第2クロック信号に対して所定量だけ遅延する信号であり、第3クロック信号のアクティブ期間によって奇数段又は偶数段第2スイッチング素子の動作期間が規定される。第3クロック信号を、第1クロック信号及び第2クロック信号の論理和信号に基づいて生成されたクロック信号とすることによって、該第3クロック信号の第1クロック信号及び第2クロック信号に対する遅延量を調整することが可能となる。   The third clock signal is a signal delayed by a predetermined amount with respect to the first clock signal and the second clock signal, and the operation period of the odd-numbered or even-numbered second switching element is defined by the active period of the third clock signal. Is done. By making the third clock signal a clock signal generated based on the logical sum signal of the first clock signal and the second clock signal, the delay amount of the third clock signal with respect to the first clock signal and the second clock signal Can be adjusted.

本発明のシフトレジスタにおいて、動作時、先ず、第1段目の転送単位回路において転送動作が開始される。より具体的には、第1クロック信号が入力されると、即ち第1クロック信号のアクティブ期間が開始されると、奇数段第1スイッチング素子は閉状態となり、該奇数段第1スイッチング素子を介してスタートパルスが、第1段目の転送単位回路内に取り込まれて転送動作が開始される。   In the operation of the shift register of the present invention, first, a transfer operation is started in the first-stage transfer unit circuit. More specifically, when the first clock signal is input, that is, when the active period of the first clock signal is started, the odd-numbered stage first switching element is closed, and the odd-numbered stage first switching element is passed through the odd-numbered stage first switching element. Thus, the start pulse is taken into the first-stage transfer unit circuit and the transfer operation is started.

該取り込まれたスタートパルスは奇数段ラッチ用バッファに入力される。そして、奇数段ラッチ用バッファによって、入力されたスタートパルスに基づいて第1番目の転送パルスが生成される。   The fetched start pulse is input to the odd-stage latch buffer. Then, the first transfer pulse is generated by the odd-stage latch buffer based on the input start pulse.

続いて、第1段目の転送単位回路において、前述した第1クロック信号の入力より所定量だけ遅れて、奇数段第2スイッチング素子に第3クロック信号が入力される。第3クロック信号が入力されると、即ち第3クロック信号のアクティブ期間が開始されると、奇数段第2スイッチング素子は閉状態となり、奇数段ラッチ用バッファより出力される第1番目の転送パルスを該奇数段ラッチ用バッファの出力側から入力側にフィードバックする。これにより、奇数段第2スイッチング及び奇数段ラッチ用バッファは、ラッチ回路として機能し、奇数段ラッチ用バッファの出力側及び入力側は所定の電圧に維持される。   Subsequently, in the first-stage transfer unit circuit, the third clock signal is input to the odd-numbered second switching element with a predetermined amount of delay from the input of the first clock signal described above. When the third clock signal is input, that is, when the active period of the third clock signal is started, the odd-numbered second switching element is closed, and the first transfer pulse output from the odd-numbered latch buffer. Is fed back from the output side of the odd-stage latch buffer to the input side. As a result, the odd-numbered second switching and odd-numbered latching buffer functions as a latch circuit, and the output side and input side of the odd-numbered latching buffer are maintained at a predetermined voltage.

その後、第2段目の転送単位回路において転送動作が開始される。第2段目の転送単位回路において、第2クロック信号の入力即ち第2クロック信号のアクティブ期間の開始に応じて偶数段第1スイッチング素子が閉状態となり、該偶数段第1スイッチング素子を介して第1番目の転送パルスが第2段目の転送単位回路内に取り込まれる。そして、第1段目の転送単位回路における、奇数段ラッチ用バッファと同様に、偶数段ラッチ用バッファによって第2番目の転送パルスが生成される。   Thereafter, the transfer operation is started in the second-stage transfer unit circuit. In the second-stage transfer unit circuit, the even-numbered stage first switching element is closed in response to the input of the second clock signal, that is, the start of the active period of the second clock signal. The first transfer pulse is taken into the second-stage transfer unit circuit. Then, the second transfer pulse is generated by the even-stage latch buffer in the same manner as the odd-stage latch buffer in the first-stage transfer unit circuit.

続いて、第2段目の転送単位回路において、前述した第2クロック信号の入力より所定量だけ遅れて第3クロック信号が入力されて偶数段第2スイッチング素子が閉状態となると、該偶数段第2スイッチング素子が第1段目の転送単位回路における奇数段第2スイッチング素子と同様に動作することで、第2段目の転送単位回路において、ラッチ回路が形成される。   Subsequently, in the second-stage transfer unit circuit, when the third clock signal is input with a predetermined delay from the input of the second clock signal described above and the even-numbered second switching element is closed, the even-numbered stage Since the second switching element operates in the same manner as the odd-numbered second switching element in the first-stage transfer unit circuit, a latch circuit is formed in the second-stage transfer unit circuit.

その後、第3段目以降最終段までの各段において第2段目と同様の動作が行われ、その結果転送パルスが順次生成される。   Thereafter, the same operation as the second stage is performed in each stage from the third stage to the final stage, and as a result, transfer pulses are sequentially generated.

このように本発明のシフトレジスタによれば、第1クロック信号及び第2クロック信号に応じて複数段において順次転送動作が開始される。また、各転送単位回路において、スタートパルス又は前段からの転送パルスを取り込んで転送パルスを生成してから、ラッチが開始される。   As described above, according to the shift register of the present invention, the transfer operation is sequentially started in a plurality of stages according to the first clock signal and the second clock signal. In each transfer unit circuit, a start pulse or a transfer pulse from the previous stage is taken to generate a transfer pulse, and then latching is started.

ここで、奇数段又は偶数段第1スイッチング素子と、奇数段又は偶数段第2スイッチング素子とは、互いに異なる導電型のトランジスタを用いて構成してもよいし、互いに同一の導電型のトランジスタを用いて構成してもよい。奇数段又は偶数段第1スイッチング素子と、奇数段又は偶数段第2スイッチング素子とを、互いに異なる導電型のトランジスタを用いて構成すれば、転送単位回路において、回路素子の数を増やさなくても動作時に貫通電流の発生を抑制することが可能となるため、当該シフトレジスタの消費電力を削減することができる。また、この場合、当該シフトレジスタの駆動電圧及び第1から第3クロック信号、及びスタートパルスの電圧を同一とすることが可能となる。   Here, the odd-numbered or even-numbered first switching element and the odd-numbered or even-numbered second switching element may be configured using transistors having different conductivity types, or the same conductivity-type transistors may be used. You may comprise. If the odd-numbered or even-numbered first switching element and the odd-numbered or even-numbered second switching element are configured using transistors having different conductivity types, the transfer unit circuit does not need to increase the number of circuit elements. Since it is possible to suppress generation of a through current during operation, power consumption of the shift register can be reduced. In this case, the driving voltage of the shift register, the first to third clock signals, and the voltage of the start pulse can be made the same.

従って、本発明のシフトレジスタによれば、比較的少ない数の回路素子によって各転送単位回路を構成することが可能であると共に、レーシング等の誤動作を防止することが可能となる。   Therefore, according to the shift register of the present invention, each transfer unit circuit can be configured by a relatively small number of circuit elements, and malfunctions such as racing can be prevented.

よって、既に説明したような回路素子数の多いシフトレジスタを製造する場合と比較して、本発明のシフトレジスタの製造時における歩留まりを向上させることが可能となる。また、本発明のシフトレジスタはレイアウト面積が大きくならないため、例えば、画像表示領域における画素ピッチが狭ピッチとして構成された電気光学パネルの駆動回路に組み込む場合も非常に有利となる。   Therefore, compared with the case of manufacturing a shift register having a large number of circuit elements as described above, the yield in manufacturing the shift register of the present invention can be improved. Further, since the shift register of the present invention does not have a large layout area, for example, it is very advantageous when incorporated in a drive circuit of an electro-optical panel configured with a narrow pixel pitch in the image display region.

本発明のシフトレジスタの一態様では、前記所定量は、前記奇数段及び偶数段ラッチ用バッファの夫々における転送動作の遅延量よりも大きい。   In one aspect of the shift register of the present invention, the predetermined amount is larger than the delay amount of the transfer operation in each of the odd-stage and even-stage latch buffers.

この態様によれば、各転送単位回路において、スタートパルス又は前段からの転送パルスを取り込んで転送パルスを生成してから、ラッチを開始することが可能となる。よって、この態様では、より確実にレーシングによる誤動作を防止することが可能となる。   According to this aspect, in each transfer unit circuit, it is possible to start latching after taking a start pulse or a transfer pulse from the previous stage and generating a transfer pulse. Therefore, in this aspect, it is possible to prevent malfunction due to racing more reliably.

本発明のシフトレジスタの一態様では、前記奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子は夫々、互いに異なる導電型のトランジスタを用いて構成される。   In one aspect of the shift register of the present invention, the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements are each configured using transistors having different conductivity types.

この態様によれば、第1から第3クロック信号、及びスタートパルスの電圧と、当該シフトレジスタの駆動電圧とを同一としても、各転送単位回路内において、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子の接続点における電位は中間電位に固定されない。即ち、貫通電流は生じないため、回路素子数を増やさなくても消費電力を削減することが可能となる。   According to this aspect, even if the voltages of the first to third clock signals and the start pulse are the same as the drive voltage of the shift register, the odd-numbered or even-numbered first and second stages in each transfer unit circuit. The potential at the connection point of the switching element is not fixed at the intermediate potential. That is, since no through current is generated, it is possible to reduce power consumption without increasing the number of circuit elements.

この、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子が互いに異なる導電型のトランジスタを用いて構成される態様では、前記奇数段又は偶数段第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子はエンハンスメント型トランジスタを用いて構成してもよい。   In the aspect in which the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements are configured using transistors of different conductivity types, the odd-numbered or even-numbered first switching element and the second switching element are enhancement-type transistors. You may comprise using.

このように構成すれば、ドープ工程を増やすことなく、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子を製造することが可能となる。また、第1から第3クロック信号、及びスタートパルスの電圧と、当該シフトレジスタの駆動電圧とを同一としても、各転送単位回路内において、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子の接続点における電位は中間電位に固定されない。   If comprised in this way, it will become possible to manufacture the odd-numbered stage or even-numbered stage 1st and 2nd switching element, without increasing a dope process. Further, even if the first to third clock signals and the start pulse voltage are the same as the drive voltage of the shift register, the connection of the first and second switching elements in the odd-numbered or even-numbered stages in each transfer unit circuit. The potential at the point is not fixed at an intermediate potential.

本発明のシフトレジスタの他の態様では、前記第1、第2及び第3クロック信号、並びに前記スタートパルスの電圧は夫々、当該シフトレジスタに入力される電源電圧と同じである。   In another aspect of the shift register of the present invention, the voltages of the first, second and third clock signals and the start pulse are the same as the power supply voltage input to the shift register.

この態様によれば、少ない数の電源によって当該シフトレジスタを駆動することが可能となる。例えば、一つの電源によって当該シフトレジスタを駆動することも可能となる。   According to this aspect, the shift register can be driven by a small number of power supplies. For example, the shift register can be driven by a single power source.

本発明のシフトレジスタの他の態様では、前記奇数段又は偶数段第1及び前記第2スイッチング素子は互いに同一の導電型のトランジスタを用いて構成される。   In another aspect of the shift register of the present invention, the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements are configured using transistors having the same conductivity type.

この態様によれば、第1から第3クロック信号、及びスタートパルスの電圧値を、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子の動作電圧に対して調整することにより、上記と同様に貫通電流を抑制することが可能となる。より具体的には、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子の閾値電圧の値に応じて、上述の4種の信号の電圧値を前述の動作電圧に対して相対的に低くするか或いは高くして調整する。よって、回路素子数を増やさなくても消費電流を削減することができる。   According to this aspect, the first to third clock signals and the voltage value of the start pulse are adjusted with respect to the operating voltage of the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements, thereby passing through in the same manner as described above. The current can be suppressed. More specifically, according to the threshold voltage values of the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements, whether the voltage values of the four types of signals are relatively low with respect to the operating voltage. Or adjust it higher. Therefore, current consumption can be reduced without increasing the number of circuit elements.

本発明のシフトレジスタの他の態様では、前記奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子は夫々、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下適宜、”TFT”と称する)を用いて構成される。   In another aspect of the shift register of the present invention, the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements are each configured using a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT” as appropriate).

この態様によれば、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子は個別に順次駆動されるため、該奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子を構成するTFTの閾値電圧の値や易動度の値が、当該シフトレジスタの各転送単位回路間でばらついても、誤動作を防止することが可能となる。   According to this aspect, since the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements are individually driven sequentially, the threshold voltage value of the TFT constituting the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements Even if the mobility value varies between the transfer unit circuits of the shift register, malfunction can be prevented.

本発明のシフトレジスタの他の態様では、前記奇数段及び偶数段ラッチ用バッファは夫々、直列接続された2個のインバータ回路を有し、該2個のインバータ回路のうち前記スタートパルス又は前記転送パルスが入力される側の一方は、対応する前記奇数段又は偶数段第1スイッチング素子の閾値電圧よりも高い閾値電圧を有するインバータ回路である。   In another aspect of the shift register of the present invention, each of the odd-numbered-stage and even-numbered-stage latching buffers has two inverter circuits connected in series, and the start pulse or the transfer among the two inverter circuits. One of the pulse input sides is an inverter circuit having a threshold voltage higher than the threshold voltage of the corresponding odd-stage or even-stage first switching element.

この態様によれば、奇数段及び偶数段ラッチ用バッファにおける前記一方のインバータ回路の閾値電圧は、対応する奇数段又は偶数段第1スイッチング素子の閾値電圧に対して高くすることによって調整されている。よって、奇数段及び偶数段第1スイッチング素子における貫通電流の発生による奇数段及び偶数段ラッチ用バッファの誤動作を防止することが可能となる。   According to this aspect, the threshold voltage of the one inverter circuit in the odd-stage and even-stage latch buffers is adjusted by increasing the threshold voltage of the corresponding odd-stage or even-stage first switching element. . Therefore, it is possible to prevent the odd-numbered stage and even-numbered stage latch buffers from malfunctioning due to the occurrence of a through current in the odd-numbered stage and even-numbered stage first switching elements.

本発明のシフトレジスタの他の態様では、前記複数段の並びに対して前記転送パルスが順次出力される順序を選択的に順方向又は逆方向に設定する転送方向設定手段を更に備える。   According to another aspect of the shift register of the present invention, the shift register further includes transfer direction setting means for selectively setting the order in which the transfer pulses are sequentially output with respect to the plurality of stages arranged in the forward direction or the reverse direction.

この態様によれば、本発明のシフトレジスタを順方向及び逆方向の双方向に駆動することが可能となる。また、順方向、或いは逆方向に駆動する両方の場合において、誤動作を防止することが可能となる。   According to this aspect, the shift register of the present invention can be driven in both forward and reverse directions. Further, in both cases of driving in the forward direction or in the reverse direction, it is possible to prevent malfunction.

本発明のシフトレジスタの他の態様では、前記奇数段第1スイッチング素子と前記奇数段ラッチ用バッファとの間及び前記偶数段第1スイッチング素子と前記偶数段ラッチ用バッファとの間に夫々、前記入力された転送パルスの電圧を保持するための保持容量を更に備える。   In another aspect of the shift register of the present invention, the odd-numbered stage first switching element and the odd-numbered stage latching buffer and the even-numbered stage first switching element and the even-numbered stage latching buffer, A holding capacitor for holding the voltage of the input transfer pulse is further provided.

この態様では、各転送単位回路における奇数段及び偶数段第1スイッチング素子、並びに奇数段及び偶数段第2スイッチング素子が開状態のとき、保持容量によって奇数段及び偶数段ラッチ用バッファの入力側を所定の電圧に保持することが可能となる。その結果、奇数段及び偶数段第2スイッチング素子のフィードバックが停止されている間も、各転送単位回路より転送パルスを所定の電圧に維持して出力させることが可能となる。   In this aspect, when the odd-numbered and even-numbered first switching elements and the odd-numbered and even-numbered second switching elements in each transfer unit circuit are in the open state, the input side of the odd-numbered and even-numbered latch buffers is held by the holding capacitor. It becomes possible to hold at a predetermined voltage. As a result, the transfer pulse can be maintained at a predetermined voltage and output from each transfer unit circuit even while feedback of the odd-numbered and even-numbered second switching elements is stopped.

本発明の駆動回路は上記課題を解決するために、上述した本発明のシフトレジスタ(但し、その各種態様も含む)と、前記第1及び第2クロック信号を生成すると共に、前記第1及び第2クロック信号を論理和し且つ遅延させることによって前記第3クロック信号を生成するクロック信号生成回路とを備えており、前記シフトレジスタより直接又は他の回路を経て前記転送パルスが駆動信号として順次出力される。   In order to solve the above problems, the drive circuit of the present invention generates the first and second clock signals and the first and second clock signals as well as the shift register of the present invention described above (including various aspects thereof). A clock signal generation circuit that generates the third clock signal by logically summing and delaying two clock signals, and sequentially outputting the transfer pulses as drive signals directly from the shift register or through other circuits. Is done.

本発明の駆動回路では、クロック信号生成回路によって、第1及び第2クロック信号は互いに異なる位相となるように生成される。このように、第1及び第2クロック信号が生成されることにより、本発明のシフトレジスタの各転送単位回路における奇数段及び偶数段第1スイッチング素子の動作期間が互いに重ならないように制御される。   In the driving circuit of the present invention, the first and second clock signals are generated by the clock signal generation circuit so as to have different phases. In this way, by generating the first and second clock signals, the operation periods of the odd-numbered and even-numbered first switching elements in each transfer unit circuit of the shift register of the present invention are controlled so as not to overlap each other. .

第3クロック信号は、第1及び第2クロック信号を、論理和した後に遅延させて生成するようにしてもよいし、遅延させた後に論理和して生成するようにしてもよい。そして、クロック信号生成回路において第3クロック信号の、第1及び第2クロック信号に対する遅延量が調整される。これにより、本発明のシフトレジスタでは、各転送単位回路において、スタートパルス又は前段からの転送パルスを取り込んで転送パルスを生成してから、ラッチを開始することが可能となる。ここに、第3クロック信号の、第1及び第2クロック信号に対する遅延量を大きくすると、各転送単位回路において貫通電流が発生する時間が長くなる。従って、貫通電流の発生が抑制されるように、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子の性能に応じて、クロック信号生成回路において、第3クロック信号が生成されるのが好ましい。   The third clock signal may be generated after being logically summed with the first and second clock signals, or may be generated by being logically summed after being delayed. In the clock signal generation circuit, the delay amount of the third clock signal with respect to the first and second clock signals is adjusted. Thus, in the shift register of the present invention, each transfer unit circuit can start latching after taking a start pulse or a transfer pulse from the previous stage and generating a transfer pulse. Here, if the delay amount of the third clock signal with respect to the first and second clock signals is increased, the time during which the through current is generated in each transfer unit circuit becomes longer. Therefore, it is preferable that the third clock signal is generated in the clock signal generation circuit according to the performance of the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements so that the generation of the through current is suppressed.

よって、本発明の駆動回路によれば、例えば該駆動回路を電気光学パネルに組み込む場合に、新たなインターフェースを用いることなく、クロック信号生成回路によって本発明のシフトレジスタに入力される第1から第3クロック信号を生成させることが可能となる。   Therefore, according to the drive circuit of the present invention, for example, when the drive circuit is incorporated in the electro-optical panel, the first to the first input to the shift register of the present invention by the clock signal generation circuit without using a new interface. It becomes possible to generate a 3-clock signal.

尚、他の回路、より具体的には例えばイネーブル手段や、バッファ回路、レベルシフタを経て、転送パルスを駆動信号として出力させることによって、各転送単位回路より出力される転送パルスに対して波形制御等を行うことが可能となる。   It should be noted that waveform control is performed on the transfer pulse output from each transfer unit circuit by outputting the transfer pulse as a drive signal through another circuit, more specifically, for example, an enable means, a buffer circuit, and a level shifter. Can be performed.

本発明の駆動回路の一態様では、前記他の回路は、前記第3クロック信号に基づいて、前記駆動信号が出力される期間が時間軸上で相互に重ならないように前記転送パルスに対して波形制御を行うイネーブル手段を含む。   In one aspect of the drive circuit according to the present invention, the other circuit applies the transfer pulse to the transfer pulse so that periods of the drive signal output do not overlap with each other on the time axis based on the third clock signal. Enable means for performing waveform control is included.

この態様によれば、本発明のシフトレジスタの各転送単位回路におけるラッチを開始させる第3クロック信号に基づいて、イネーブル手段によって各転送パルスに対して波形制御が行われる。これにより、各駆動信号が出力される期間が制御され、各転送単位回路におけるラッチの開始のタイミングに基づいて、本発明の駆動回路より駆動信号を順次出力させることが可能となる。言い換えれば、イネーブル手段用の信号と第3クロック信号とを兼用にできるので有利である。   According to this aspect, based on the third clock signal for starting the latch in each transfer unit circuit of the shift register of the present invention, waveform control is performed on each transfer pulse by the enable means. Thus, the period during which each drive signal is output is controlled, and the drive signal can be sequentially output from the drive circuit of the present invention based on the latch start timing in each transfer unit circuit. In other words, the signal for the enable means and the third clock signal can be shared, which is advantageous.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の駆動回路(但し、その各種態様も含む)、及び前記順次出力される駆動信号に基づいて駆動される電気光学パネルを備える。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes the above-described drive circuit according to the present invention (including various aspects thereof) and an electro-optical panel that is driven based on the sequentially output drive signals. Prepare.

本発明の電気光学装置では、新たなインターフェースを用いること無く、或いは本発明の駆動回路を駆動させるための新たな信号を外部から入力させること無く、該駆動回路を正常に動作させることが可能となる。   In the electro-optical device of the present invention, it is possible to operate the drive circuit normally without using a new interface or inputting a new signal for driving the drive circuit of the present invention from the outside. Become.

上述したように、本発明のシフトレジスタはレイアウト面積が大きくならないため、電気光学パネルにおける画像表示領域において多画素を実現することが可能となり、高品質な画像表示を行うことが可能となる。   As described above, since the shift register of the present invention does not have a large layout area, it is possible to realize a large number of pixels in the image display region of the electro-optical panel, and to perform high-quality image display.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備する。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention.

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)等を実現することも可能である。   Since the electronic apparatus of the present invention includes the above-described electro-optical device of the present invention, a projection display device, a television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, a view capable of performing high-quality image display. Various electronic devices such as a finder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. In addition, as the electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper, an electron emission device (Field Emission Display and Conduction Electron-Emitter Display), and the like can be realized.

本発明のシフトレジスタの駆動方法は上記課題を解決するために、複数段の転送単位回路において転送パルスを順次生成するシフトレジスタを駆動するシフトレジスタの駆動方法であって、前記複数段のうち奇数段の前記転送単位回路において夫々、(i)奇数段スイッチング素子を第1クロック信号のアクティブ期間に閉状態とすることで、前段からの転送パルス又はスタートパルスを通過させ、(ii)該奇数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルス又はスタートパルスが入力される奇数段ラッチ用バッファによって、次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成し、(iii)奇数段第2スイッチング素子を第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態とすることで、前記奇数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける工程と、前記複数段のうち偶数段の前記転送単位回路において夫々、(i)偶数段第1スイッチング素子を前記第1クロック信号とはアクティブ期間が異なる第2クロック信号の該アクティブ期間に閉状態とすることで、前段からの前記転送パルスを通過させ、(ii)該偶数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルスが入力される偶数段ラッチ用バッファによって、次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成し、(iii)偶数段第2スイッチング素子を前記第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態とすることで、前記偶数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける工程とを備え、前記第3クロック信号は、前記第1及び第2クロック信号の論理和信号であって且つ前記第1及び第2クロック信号に対して所定量だけ遅延されているクロック信号である。   In order to solve the above-described problem, the shift register driving method of the present invention is a shift register driving method for driving a shift register that sequentially generates transfer pulses in a plurality of stages of transfer unit circuits. (I) the odd-numbered stage switching element is closed during the active period of the first clock signal to pass the transfer pulse or start pulse from the previous stage, and A transfer pulse to be transferred to and output from the next stage is generated by an odd-stage latch buffer to which the transfer pulse or start pulse is input via the first switching element, and (iii) the odd-stage second switching element is A step of applying feedback to the input / output of the odd-stage latch buffer by closing the active state of the 3-clock signal; (I) the even-numbered stage first switching element is closed during the active period of the second clock signal having an active period different from that of the first clock signal. And (ii) a transfer pulse that is transferred to the next stage and output by the even-stage latch buffer to which the transfer pulse is input via the even-numbered first switching element. (Iii) providing a feedback to the input / output of the even-stage latch buffer by closing the even-stage second switching element during an active period of the third clock signal, and the third clock signal Is a logical sum signal of the first and second clock signals and delayed by a predetermined amount with respect to the first and second clock signals.

本発明のシフトレジスタの駆動方法では、前述した本発明のシフトレジスタと同様に、少ない個数の回路素子によって各転送単位回路を構成することが可能であると共に、レーシング等の誤動作を防止することが可能となる。   According to the shift register driving method of the present invention, each transfer unit circuit can be configured with a small number of circuit elements, as well as the above-described shift register of the present invention, and malfunction such as racing can be prevented. It becomes possible.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を、TFTアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置に適用したものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device of the present invention is applied to a TFT active matrix driving type liquid crystal device.

<1;液晶装置の構成>
先ず本発明に係る電気光学装置の全体構成について、図1を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
<1: Configuration of liquid crystal device>
First, the overall configuration of the electro-optical device according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment.

図1に示すように、液晶装置1は、主要部として、本発明に係る「電気光学パネル」の一例たる液晶パネル100及びタイミングジェネレータ400、並びに本発明に係る「駆動回路」の一例として走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150を備える。   As shown in FIG. 1, the liquid crystal device 1 includes, as main parts, a liquid crystal panel 100 and a timing generator 400 as an example of an “electro-optical panel” according to the present invention, and a scanning line as an example of a “drive circuit” according to the present invention. A driving circuit 130 and a data line driving circuit 150 are provided.

液晶パネル100は、その画像表示領域110に画素スイッチング用のスイッチング素子としてTFT116、画素電極等を形成した素子基板と、対向電極等を形成した対向基板とを、互いに電極形成面を対向させて且つ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持することで構成されている。   In the liquid crystal panel 100, an element substrate in which a TFT 116, a pixel electrode, and the like are formed as a switching element for pixel switching in the image display region 110, and a counter substrate in which a counter electrode and the like are formed are opposed to each other with their electrode formation surfaces facing each other. It is configured by sticking with a certain gap and sandwiching liquid crystal in this gap.

タイミングジェネレータ400は、図示せぬ上位装置から供給される垂直同期信号HSYNC、水平同期信号VSYNC、及びドットクロックDCKに従って、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。より具体的には、垂直同期信号HSYNC、水平同期信号VSYNC、及びドットクロックDCKに基づいて、Yクロック信号YCK、Yイネーブル信号/YEN、及びYスタートパルスDY1、並びにXクロック信号XCK、Xイネーブル信号/XEN、及びXスタートパルスDX1が生成される。   The timing generator 400 is configured to output various timing signals used in each unit in accordance with a vertical synchronization signal HSYNC, a horizontal synchronization signal VSYNC, and a dot clock DCK supplied from a host device (not shown). More specifically, based on the vertical synchronization signal HSYNC, the horizontal synchronization signal VSYNC, and the dot clock DCK, the Y clock signal YCK, the Y enable signal / YEN, and the Y start pulse DY1, and the X clock signal XCK, the X enable signal / XEN and X start pulse DX1 are generated.

走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150は、例えば液晶パネル100に内蔵されて設けられる。この場合、走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150は、好ましくは、画像表示領域110に作り込まれる各画素に係るTFT116等と共に、液晶パネル100の素子基板の周辺領域に作り込まれる。或いは、走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150は、少なくとも部分的に外付けICとして構成され、周辺領域に後付けされてもよい。   The scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 150 are provided in the liquid crystal panel 100, for example. In this case, the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 150 are preferably formed in the peripheral region of the element substrate of the liquid crystal panel 100 together with the TFT 116 and the like related to each pixel formed in the image display region 110. Alternatively, the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 150 may be at least partially configured as an external IC and may be retrofitted to the peripheral region.

液晶パネル100は更に、その素子基板の中央を占める画像表示領域110に、縦横に配線されたデータ線114及び走査線112を備え、それらの交点に対応する各画素に、マトリクス状に配列された画素電極118及び画素電極118をスイッチング制御するためのTFT116を備える。尚、本実施形態では特に、走査線112の総本数をm本(但し、mは2以上の自然数)とし、データ線114の総本数をn本(但し、nは2以上の自然数)として説明する。   The liquid crystal panel 100 further includes data lines 114 and scanning lines 112 wired vertically and horizontally in an image display area 110 occupying the center of the element substrate, and is arranged in a matrix in each pixel corresponding to the intersections thereof. A pixel electrode 118 and a TFT 116 for controlling the switching of the pixel electrode 118 are provided. In this embodiment, the total number of scanning lines 112 is assumed to be m (where m is a natural number of 2 or more), and the total number of data lines 114 is assumed to be n (where n is a natural number of 2 or more). To do.

ここに、データ線駆動回路150には、図1には図示しない画像信号処理回路から、画像信号DATAが画像信号供給線L1を介して供給される。この画像信号DATAは、画像信号処理回路において、外部から入力される入力画像データに基づいて生成される。尚、この例では、説明を簡略化するため、画像信号DATAは白黒の階調を表すものとするが、本発明はこれに限定されるものではなく、画像信号をRGB各色に対応するR信号、G信号、及びB信号から構成してもよい。この場合には、画像信号供給線を3本設ければよい。   Here, the image signal DATA is supplied to the data line driving circuit 150 from an image signal processing circuit (not shown in FIG. 1) via the image signal supply line L1. The image signal DATA is generated based on input image data input from the outside in an image signal processing circuit. In this example, in order to simplify the description, the image signal DATA represents monochrome gradation, but the present invention is not limited to this, and the image signal is an R signal corresponding to each color of RGB. , G signal, and B signal. In this case, three image signal supply lines may be provided.

データ線駆動回路150は、画像信号供給線L1から供給される画像信号DATAを、各データ線114に画像信号X1、X2、X3、X4、・・・、Xnとしてこの順に線順次に、或いは相隣接する複数のデータ線114同士に対して、グループ毎に、供給する。図1中、点線で囲まれた一つの画素部の構成に着目すれば、TFT116のソース電極には、データ線駆動回路150より画像信号Xi(但し、i=1、2、3、・・・、n)が供給されるデータ線114が電気的に接続されている一方、TFT116のゲート電極には、後述する走査信号が供給される走査線112が電気的に接続されるとともに、TFT116のドレイン電極には、画素電極118が接続されている。そして、各画素部は、画素電極118と、対向基板に形成された共通電極と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される結果、走査線112とデータ線114との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。   The data line driving circuit 150 applies the image signal DATA supplied from the image signal supply line L1 to each data line 114 as image signals X1, X2, X3, X4,. Each group is supplied to a plurality of adjacent data lines 114. In FIG. 1, if attention is paid to the configuration of one pixel portion surrounded by a dotted line, an image signal Xi (where i = 1, 2, 3,...) Is applied to the source electrode of the TFT 116 from the data line driving circuit 150. , N) is electrically connected, while the gate electrode of the TFT 116 is electrically connected to a scanning line 112 to which a scanning signal to be described later is supplied and the drain of the TFT 116. A pixel electrode 118 is connected to the electrode. Each pixel portion includes a pixel electrode 118, a common electrode formed on the counter substrate, and a liquid crystal sandwiched between the two electrodes. As a result, each intersection of the scanning line 112 and the data line 114 is formed. Correspondingly, they are arranged in a matrix.

画素電極118は、スイッチング素子であるTFT116を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線114から供給される画像信号X1、X2、X3、X4、・・・、Xnを所定のタイミングで書き込む。画素電極118を介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号X1、X2、X3、X4、・・・、Xnは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学パネルからは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。   The pixel electrode 118 writes the image signals X1, X2, X3, X4,..., Xn supplied from the data line 114 at a predetermined timing by closing the TFT 116 as a switching element for a certain period. A predetermined level of image signals X1, X2, X3, X4,..., Xn written in the liquid crystal as an example of the electro-optical material via the pixel electrode 118 is transferred between the counter electrode formed on the counter substrate. Hold for a certain period. The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the electro-optical panel as a whole.

ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量119が、画素電極118と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。例えば、画素電極118の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量119により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。   Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 119 is added in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 118 and the counter electrode. For example, since the voltage of the pixel electrode 118 is held by the storage capacitor 119 for a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied, the holding characteristics are improved, resulting in a high contrast ratio. Become.

<2;走査線駆動回路>
次に、図1の他、図2から図6を参照して、走査線駆動回路130について説明する。
<2: Scanning line driving circuit>
Next, the scanning line driving circuit 130 will be described with reference to FIGS. 2 to 6 in addition to FIG.

先ず、図1に加えて、図2から図4を参照して走査線駆動回路130の構成について説明する。図2は走査線駆動回路130の構成を示すブロック図である。また、図3はY側クロック信号生成回路の回路構成を示す回路図であり、図4は、Y側シフトレジスタ、Y側イネーブル手段、及びY側バッファ回路の回路構成を示す回路図である。   First, the configuration of the scanning line driving circuit 130 will be described with reference to FIGS. 2 to 4 in addition to FIG. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the scanning line driving circuit 130. FIG. 3 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the Y-side clock signal generation circuit, and FIG. 4 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the Y-side shift register, Y-side enable means, and Y-side buffer circuit.

図1において、走査線駆動回路130は、主要部として、Y側クロック信号生成回路131、Y側シフトレジスタ133、Y側イネーブル手段135、及びY側バッファ回路137を含む。   In FIG. 1, the scanning line driving circuit 130 includes a Y-side clock signal generation circuit 131, a Y-side shift register 133, a Y-side enable unit 135, and a Y-side buffer circuit 137 as main parts.

図2及び図3において、Y側クロック信号生成回路131は、Y側第1クロック信号生成回路UA1、Y側第2クロック信号生成回路UA2、及びY側第3クロック信号生成回路UA3を含んでなる。図3に示すように、好ましくは、Y側第1クロック信号生成回路UA1及びY側第2クロック信号生成回路UA2は互いに同様の回路構成となっている。Y側第1クロック信号生成回路UA1に着目すれば、該Y側第1クロック信号生成回路UA1は、インバータ31a及びナンド(NAND)回路32aを含むY側第1クロック信号生成部33aと、2つのインバータより構成されるバッファ回路35aとを備えている。また、Y側第2クロック信号生成回路UA2は、インバータ31b及びナンド回路32bを含むY側第2クロック信号生成部33bと、バッファ回路35bとを備えている。   2 and 3, the Y-side clock signal generation circuit 131 includes a Y-side first clock signal generation circuit UA1, a Y-side second clock signal generation circuit UA2, and a Y-side third clock signal generation circuit UA3. . As shown in FIG. 3, preferably, the Y-side first clock signal generation circuit UA1 and the Y-side second clock signal generation circuit UA2 have the same circuit configuration. Paying attention to the Y-side first clock signal generation circuit UA1, the Y-side first clock signal generation circuit UA1 includes an Y-side first clock signal generation unit 33a including an inverter 31a and a NAND circuit 32a, and two And a buffer circuit 35a composed of an inverter. The Y-side second clock signal generation circuit UA2 includes a Y-side second clock signal generation unit 33b including an inverter 31b and a NAND circuit 32b, and a buffer circuit 35b.

Y側第1クロック信号生成回路UA1及びY側第2クロック信号生成回路UA2は、タイミングジェネレータ400より供給されるYクロック信号YCK及びYイネーブル信号/YENに基づいて、Y側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12を生成する。   Based on the Y clock signal YCK and the Y enable signal / YEN supplied from the timing generator 400, the Y side first clock signal generation circuit UA1 and the Y side second clock signal generation circuit UA2 A Y-side second clock signal YCK12 is generated.

図3において、Y側第3クロック信号生成回路UA3は、Y側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12を論理和するノア(NOR)回路37及び2つのインバータより構成されるバッファ回路38を、Y側第3クロック信号YEN1を生成する遅延部として備えている。   In FIG. 3, the Y-side third clock signal generation circuit UA3 is a buffer circuit composed of a NOR circuit 37 that logically sums the Y-side first clock signal YCK11 and the Y-side second clock signal YCK12, and two inverters. 38 is provided as a delay unit for generating the Y-side third clock signal YEN1.

図2及び図4において、Y側クロック信号生成回路131において生成されたY側第1クロック信号YCK11、Y側第2クロック信号YCK12、及びY側第3クロック信号YEN1は、Y側シフトレジスタ133に入力される。また、Y側シフトレジスタ133には、タイミングジェネレータ400よりYスタートパルスDY1が供給される。   2 and 4, the Y-side first clock signal YCK11, the Y-side second clock signal YCK12, and the Y-side third clock signal YEN1 generated by the Y-side clock signal generation circuit 131 are supplied to the Y-side shift register 133. Entered. The Y-side shift register 133 is supplied with a Y start pulse DY1 from the timing generator 400.

Y側シフトレジスタ133は、m本の走査線112に対応させて(m+1)段より構成され、各段には転送単位回路UBk(但し、k=1、2、3、・・・、(m+1))が含まれる。図4において、転送単位回路UBkは、pチャネルMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)TFTを用いて構成される第1スイッチング素子TFW1、nチャネルMOSTFTを用いて構成される第2スイッチング素子TBK1、並びに2つのインバータINV11及びINV12を含むラッチ
用バッファLBF1を含む構成となっている。
The Y-side shift register 133 includes (m + 1) stages corresponding to m scanning lines 112, and each stage includes a transfer unit circuit UBk (where k = 1, 2, 3,..., (M + 1). )) Is included. In FIG. 4, the transfer unit circuit UBk includes a first switching element TFW1 configured using a p-channel MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) TFT, a second switching element TBK1 configured using an n-channel MOSTFT, and 2 The latching buffer LBF1 including two inverters INV11 and INV12 is included.

本実施形態では、ラッチ用バッファLBF1における、一方のインバータINV11の閾値電圧は、好ましくは、第1スイッチング素子TFW1の閾値電圧よりも高くしてある。また、第1スイッチング素子TFW1及び第2スイッチング素子TBK1は夫々エンハンスメント型トランジスタを用いて構成されるのが好ましい。   In the present embodiment, the threshold voltage of one inverter INV11 in the latching buffer LBF1 is preferably higher than the threshold voltage of the first switching element TFW1. The first switching element TFW1 and the second switching element TBK1 are preferably configured using enhancement type transistors.

Y側シフトレジスタ133において、Y側第1クロック信号YCK11は、奇数段の第1スイッチング素子TFW1に順次入力され、Y側第2クロック信号YCK12は、偶数段の第1スイッチング素子TFW1に順次入力され、Y側第3クロック信号YEN1は、各段の第2スイッチング素子TBK1に入力される。Y側シフトレジスタ133の(m+1)段において、当該Y側シフトレジスタ133にYスタートパルスDY1が入力されると、Y側第1クロック信号YCK11、Y側第2クロック信号YCK12、及びY側第3クロック信号YEN1に基づくタイミングで、Y側転送パルスYP1、YP2、・・・、YPm+1が順次生成される。   In the Y-side shift register 133, the Y-side first clock signal YCK11 is sequentially input to the odd-numbered first switching element TFW1, and the Y-side second clock signal YCK12 is sequentially input to the even-numbered first switching element TFW1. The Y-side third clock signal YEN1 is input to the second switching element TBK1 of each stage. When the Y start pulse DY1 is input to the Y side shift register 133 in the (m + 1) stage of the Y side shift register 133, the Y side first clock signal YCK11, the Y side second clock signal YCK12, and the Y side third register Y-side transfer pulses YP1, YP2,..., YPm + 1 are sequentially generated at a timing based on the clock signal YEN1.

また、図2において、Y側イネーブル手段135及びY側バッファ回路137より構成される走査信号生成部138には、Y側シフトレジスタ133の(m+1)段に対応するm段に、ユニット回路UC1、UC2、・・・、UCmが含まれる。図2及び図4において、各段のユニット回路UCj(但し、j=1、2、3、・・・、m)には、ナンド回路NAND10及びNAND11を含む波形整形回路、並びに2個のインバータINV13及びINV14を含むバッファ回路が設けられている。尚、Y側イネーブル手段135は、各段のユニット回路UCjに含まれる波形整形回路を含み、Y側バッファ回路137は、各段のユニット回路UCjに含まれるバッファ回路を含んでなる。   In FIG. 2, the scanning signal generation unit 138 including the Y-side enable unit 135 and the Y-side buffer circuit 137 includes unit circuits UC 1, m circuits corresponding to (m + 1) stages of the Y-side shift register 133. UC2, ..., UCm are included. 2 and 4, each unit circuit UCj (where j = 1, 2, 3,..., M) includes a waveform shaping circuit including NAND circuits NAND10 and NAND11, and two inverters INV13. And a buffer circuit including INV14 is provided. The Y-side enable means 135 includes a waveform shaping circuit included in each stage unit circuit UCj, and the Y-side buffer circuit 137 includes a buffer circuit included in each stage unit circuit UCj.

走査信号生成部138のm段において、Y側シフトレジスタ133より順次出力されたY側転送パルスYP1、YP2、YP3、・・・、YPm、YPm+1に対して波形制御等が行われた後、Y側駆動信号として走査信号Y1、Y2、・・・、Ymが走査線112に順次出力される。   In m stages of the scanning signal generation unit 138, waveform control and the like are performed on the Y-side transfer pulses YP1, YP2, YP3,..., YPm, YPm + 1 sequentially output from the Y-side shift register 133, and then Y Scan signals Y 1, Y 2,..., Ym are sequentially output to the scan lines 112 as side drive signals.

次に、図3及び図4の他、図5及び図6を参照して走査線駆動回路130の動作について説明する。図5には、Y側第1から第3クロック信号YCK11、YCK12、及びYEN1の生成について説明するためのタイミングチャートを示し、図6には、Y側転送パルスYP1、YP2、・・・、YPm+1の生成、並びに走査信号Y1、Y2、・・・、Ymの生成について説明するためのタイミングチャートを示してある。   Next, the operation of the scanning line driving circuit 130 will be described with reference to FIGS. 5 and 6 in addition to FIGS. FIG. 5 shows a timing chart for explaining generation of the Y-side first to third clock signals YCK11, YCK12, and YEN1, and FIG. 6 shows Y-side transfer pulses YP1, YP2,. , And generation of scanning signals Y1, Y2,..., Ym are shown in a timing chart.

尚、本実施形態では、走査線駆動回路130において、Y側クロック信号生成回路131及びY側シフトレジスタ133は、低電位Vss及び高電位Vddによって決定される電源電圧によって駆動されるものとする。   In the present embodiment, in the scanning line driving circuit 130, the Y-side clock signal generation circuit 131 and the Y-side shift register 133 are driven by a power supply voltage determined by the low potential Vss and the high potential Vdd.

先ず、走査線駆動回路130におけるY側クロック信号生成回路131の動作について説明する。動作時、図3に示すように、Yクロック信号YCKは、Y側第1クロック信号生成回路UA1における、Y側第1クロック信号生成部33aのナンド回路32aに供給される。Yクロック信号YCKは、Y側第1クロック信号生成部33aのインバータ31aを介してY側第2クロック信号生成回路UA2に供給される。   First, the operation of the Y-side clock signal generation circuit 131 in the scanning line driving circuit 130 will be described. In operation, as shown in FIG. 3, the Y clock signal YCK is supplied to the NAND circuit 32a of the Y side first clock signal generation unit 33a in the Y side first clock signal generation circuit UA1. The Y clock signal YCK is supplied to the Y side second clock signal generation circuit UA2 via the inverter 31a of the Y side first clock signal generation unit 33a.

Yイネーブル信号/YENは、Y側第2クロック信号生成回路UA2における、Y側第2クロック信号生成部33bのインバータ31bを介して、ナンド回路32b及びY側第1クロック信号生成回路UA1に供給される。   The Y enable signal / YEN is supplied to the NAND circuit 32b and the Y side first clock signal generation circuit UA1 through the inverter 31b of the Y side second clock signal generation unit 33b in the Y side second clock signal generation circuit UA2. The

Y側第1クロック信号生成回路UA1において、Y側第1クロック信号生成部33aのナンド回路32aは、Yクロック信号YCK、及び第2クロック信号生成部33bのインバータ31bを介して供給されるYイネーブル信号/YENを論理演算する。ナンド回路32aの出力信号は、Y側第1クロック信号生成回路UA1におけるバッファ回路35aに入力され、該バッファ回路35aよりY側第1クロック信号YCK11が出力される。   In the Y-side first clock signal generation circuit UA1, the NAND circuit 32a of the Y-side first clock signal generation unit 33a is supplied via the Y clock signal YCK and the inverter 31b of the second clock signal generation unit 33b. Perform logical operation on signal / YEN. The output signal of the NAND circuit 32a is input to the buffer circuit 35a in the Y-side first clock signal generation circuit UA1, and the Y-side first clock signal YCK11 is output from the buffer circuit 35a.

また、Y側第2クロック信号生成回路UA2において、Y側第2クロック信号生成部33bのナンド回路32bによって、インバータ31bの出力信号及びY側第1クロック信号生成部33aのインバータ31aを介して供給されるYクロック信号YCKを用いた論理演算が行われた後、バッファ回路35bを介してY側第2クロック信号YCK12が出力される。   Further, in the Y-side second clock signal generation circuit UA2, the NAND circuit 32b of the Y-side second clock signal generation unit 33b supplies the output signal of the inverter 31b and the inverter 31a of the Y-side first clock signal generation unit 33a. After the logical operation using the Y clock signal YCK is performed, the Y-side second clock signal YCK12 is output via the buffer circuit 35b.

図5において、「動作」として示された、Y側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12のアクティブ期間は、Yイネーブル信号/YENに対してTd31だけ遅延する。ここに、Y側シフトレジスタ133において、奇数段第1スイッチング素子TFW1の動作期間はY側第1クロック信号YCK11のアクティブ期間によって規定され、偶数段第1スイッチング素子TFW1の動作期間はY側第2クロック信号YCK12のアクティブ期間によって規定される。Y側第1クロック信号YCK11の入力に応じて奇数段第1スイッチング素子TFW1によって夫々転送動作が開始され、Y側第2クロック信号YCK12の入力に応じて偶数段第1スイッチング素子TFW1によって転送動作が夫々開始される。そして、Y側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12は、Y側シフトレジスタ133の(m+1)段において順次転送動作が開始されるように、且つ、各段における第1スイッチング素子TFW1の動作期間が重ならないように、互いに位相の異なる信号となっている。   In FIG. 5, the active period of the Y-side first clock signal YCK11 and the Y-side second clock signal YCK12 shown as “operation” is delayed by Td31 with respect to the Y enable signal / YEN. Here, in the Y-side shift register 133, the operation period of the odd-stage first switching element TFW1 is defined by the active period of the Y-side first clock signal YCK11, and the operation period of the even-stage first switching element TFW1 is the Y-side second. It is defined by the active period of the clock signal YCK12. The transfer operation is started by the odd-numbered first switching element TFW1 according to the input of the Y-side first clock signal YCK11, and the transfer operation is started by the even-numbered first switching element TFW1 according to the input of the Y-side second clock signal YCK12. Each starts. The Y-side first clock signal YCK11 and the Y-side second clock signal YCK12 are sequentially transferred in the (m + 1) stage of the Y-side shift register 133, and the first switching element TFW1 in each stage. The signals are different in phase so that the operation periods of the two do not overlap.

図3において、Y側第3クロック信号生成回路UA3において、遅延部38は、ノア回路37から出力される、Y側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12の論理和信号を、所定量だけ遅延してY側第3クロック信号YEN1を生成する。   In FIG. 3, in the Y-side third clock signal generation circuit UA3, the delay unit 38 outputs a logical sum signal of the Y-side first clock signal YCK11 and the Y-side second clock signal YCK12 output from the NOR circuit 37. The Y-side third clock signal YEN1 is generated with a delay by a fixed amount.

図5において、Y側第1クロック信号YCK11のアクティブ期間に対して、「動作」として示されたY側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間は、例えば時刻t31及び時刻t32よって規定されるTd32だけ遅延する。或いは、Y側第2クロック信号YCK12のアクティブ期間に対して、Y側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間は、例えば時刻t33及び時刻t34よって規定されるTd32だけ遅延する。   In FIG. 5, the active period of the Y-side third clock signal YEN1 indicated as “operation” is delayed by Td32 defined by, for example, time t31 and time t32 with respect to the active period of the Y-side first clock signal YCK11. To do. Alternatively, the active period of the Y-side third clock signal YEN1 is delayed by, for example, Td32 defined by the time t33 and the time t34 with respect to the active period of the Y-side second clock signal YCK12.

Y側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間によって、Y側シフトレジスタ133における奇数段又は偶数段第2スイッチング素子TBK1の動作期間が規定される。前述の遅延量Td32は、奇数段及び偶数段ラッチ用バッファLBF1の夫々における転送動作の遅延量よりも大きくしてある。また、遅延量Td32を大きくすると、Y側シフトレジスタ133の各段において、後述するような貫通電流が発生する時間が長くなる。従って、このような貫通電流の発生が抑制されるように、奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子TFW1及びTBK1の性能に応じて、Y側第3クロック信号YEN1が生成されるのが好ましい。   The active period of the Y-side third clock signal YEN1 defines the operation period of the odd-stage or even-stage second switching element TBK1 in the Y-side shift register 133. The delay amount Td32 described above is larger than the delay amount of the transfer operation in each of the odd-stage and even-stage latch buffer LBF1. Further, when the delay amount Td32 is increased, the time during which a through current as described later is generated in each stage of the Y-side shift register 133 becomes longer. Therefore, the Y-side third clock signal YEN1 is generated according to the performance of the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements TFW1 and TBK1 so that the generation of such a through current is suppressed. preferable.

次に、Y側シフトレジスタ133の動作について説明する。図6において、先ず、YスタートパルスDY1がハイレベルとなる。その後、時刻t21においてY側第1クロック信号YCK11がハイレベルからローレベルとなると、アクティブ期間が開始され、図4において、第1段目の転送単位回路UB1において転送動作が開始される。より具体的には、第1段目の転送単位回路UB1において、時刻t21に第1スイッチング素子TFW1は閉状態となり、該第1スイッチング素子TFW1を介してYスタートパルスDY1が、第1段目の転送単位回路UB1内に取り込まれて転送動作が開始される。よって、時刻t21において、第1スイッチング素子TFW1の出力端子側の節点A1の電位はハイレベルになる。   Next, the operation of the Y side shift register 133 will be described. In FIG. 6, first, the Y start pulse DY1 becomes a high level. Thereafter, when the Y-side first clock signal YCK11 changes from the high level to the low level at time t21, the active period is started, and in FIG. 4, the transfer operation is started in the first-stage transfer unit circuit UB1. More specifically, in the first-stage transfer unit circuit UB1, the first switching element TFW1 is closed at time t21, and the Y start pulse DY1 is transmitted via the first switching element TFW1. The transfer operation is started by being taken into the transfer unit circuit UB1. Therefore, at time t21, the potential of the node A1 on the output terminal side of the first switching element TFW1 becomes high level.

第1段目の転送単位回路UB1内に取り込まれたYスタートパルスDY1は、ラッチ用バッファLBF1に入力され、該ラッチ用バッファLBF1によって、第1番目のY側転送パルスYP1が生成される。   The Y start pulse DY1 captured in the first-stage transfer unit circuit UB1 is input to the latch buffer LBF1, and the first Y-side transfer pulse YP1 is generated by the latch buffer LBF1.

図6において、時刻t22において、Y側第3クロック信号YEN1が、Y側第1クロック信号YCK11よりTd2だけ遅れてローレベルからハイレベルに遷移して、該Y側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間が開始される。すると、図4において、第1段目の転送単位回路UB1において、第2スイッチング素子TBK1は閉状態となり、ラッチ用バッファLBF1より出力される第1番目のY側転送パルスYP1を該ラッチ用バッファLBF1の出力側から入力側にフィードバックする。   In FIG. 6, at time t22, the Y-side third clock signal YEN1 transitions from the low level to the high level with a delay of Td2 from the Y-side first clock signal YCK11, and the active period of the Y-side third clock signal YEN1 Is started. Then, in FIG. 4, in the first-stage transfer unit circuit UB1, the second switching element TBK1 is closed, and the first Y-side transfer pulse YP1 output from the latch buffer LBF1 is supplied to the latch buffer LBF1. Feedback from the output side to the input side.

尚、Y側第1から第3クロック信号YCK11、YCK12、及びYEN1、並びにYスタートパルスDY1は、低電位Vssと高電位Vddによって規定される電圧となっている。よって、上述したような、ラッチ用バッファLBF1のフィードバックにより、ラッチ用バッファLBF1の入力側における節点A1は、低電位Vss及び高電位Vdd間の電圧に維持される。   Note that the Y-side first to third clock signals YCK11, YCK12, and YEN1, and the Y start pulse DY1 are voltages defined by the low potential Vss and the high potential Vdd. Therefore, the node A1 on the input side of the latch buffer LBF1 is maintained at a voltage between the low potential Vss and the high potential Vdd by the feedback of the latch buffer LBF1 as described above.

その後、時刻t23において、Y側第3クロック信号YEN1が、ハイレベルからローレベルに遷移すると、第2スイッチング素子TBK1は開状態となり、該第2スイッチング素子TBK1によるフィードバックが終了する。   Thereafter, when the Y-side third clock signal YEN1 transitions from the high level to the low level at time t23, the second switching element TBK1 is opened, and the feedback by the second switching element TBK1 ends.

その後、時刻t24に、Y側第2クロック信号YCK12がハイレベルからローレベルとなり、アクティブ期間が開始されると、第2段目の転送単位回路UB2において、転送動作が開始される。第2段目の転送単位回路UB2において、時刻t24に第1スイッチング素子TFW1が閉状態となり、該第1スイッチング素子TFW1を介して第1番目のY側転送パルスYP1が第2段目の転送単位回路UB2内に取り込まれる。よって、時刻t24に、第2段目の転送単位回路UB2における第1スイッチング素子TFW1の出力端子側の節点B1の電位はハイレベルになる。そして、第1段目の転送単位回路UB1と同様に、ラッチ用バッファLBF1によって、第2番目のY側転送パルスYP2が生成される。   Thereafter, at time t24, when the Y-side second clock signal YCK12 changes from the high level to the low level and the active period is started, the transfer operation is started in the second-stage transfer unit circuit UB2. In the second-stage transfer unit circuit UB2, the first switching element TFW1 is closed at time t24, and the first Y-side transfer pulse YP1 is transferred to the second-stage transfer unit via the first switching element TFW1. It is captured in the circuit UB2. Therefore, at time t24, the potential of the node B1 on the output terminal side of the first switching element TFW1 in the second-stage transfer unit circuit UB2 becomes high level. Then, similarly to the first-stage transfer unit circuit UB1, the second Y-side transfer pulse YP2 is generated by the latch buffer LBF1.

続いて、時刻t25において、Y側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間が、Y側第2クロック信号YCK12のアクティブ期間より遅れて開始すると、第2段目及び第1段目の転送単位回路UB1及びUB2の第2スイッチング素子TBK1が閉状態となる。そして、第1段目と同様に、第2段目の転送単位回路UB2において、第2スイッチング素子TBK1によるフィードバックが行われる。よって、節点A1及び節点B1の電圧は、低電位Vss及び高電位Vdd間の電圧に維持される。   Subsequently, at time t25, when the active period of the Y-side third clock signal YEN1 starts later than the active period of the Y-side second clock signal YCK12, the second-stage and first-stage transfer unit circuits UB1 and The second switching element TBK1 of UB2 is closed. As in the first stage, feedback is performed by the second switching element TBK1 in the second-stage transfer unit circuit UB2. Therefore, the voltage at the node A1 and the node B1 is maintained at a voltage between the low potential Vss and the high potential Vdd.

その後、時刻t26において、Y側第3クロック信号YEN1が、ハイレベルからローレベルに遷移すると、第1段目及び第2段目の転送単位回路UB1及びUB2における前述したフィードバックが終了する。   Thereafter, when the Y-side third clock signal YEN1 transitions from the high level to the low level at time t26, the above-described feedback in the first-stage and second-stage transfer unit circuits UB1 and UB2 ends.

第3段目以降最終段までの各段において第2段目と同様の動作が行われ、その結果Y側転送パルスYP1、YP2、・・・、YPm+1が順次生成される。   In each stage from the third stage to the final stage, the same operation as in the second stage is performed, and as a result, Y-side transfer pulses YP1, YP2,..., YPm + 1 are sequentially generated.

ここで、時刻t27において、Y側第1クロック信号YCK11のアクティブ期間が開始されると、第1段目の転送単位回路UB1において、第1スイッチング素子TFW1は再び閉状態となり、節点A1の電位はハイレベルからローレベルに遷移する。第1スイッチング素子TFW1はYスタートパルスDY1の電圧と同一の電圧によって駆動されるため、時刻t27に、節点A1では該第1スイッチング素子TFW1の閾値電圧Vthp2に相当する貫通電流が発生する。   Here, when the active period of the Y-side first clock signal YCK11 is started at time t27, the first switching element TFW1 is again closed in the first-stage transfer unit circuit UB1, and the potential of the node A1 is Transition from high level to low level. Since the first switching element TFW1 is driven by the same voltage as the voltage of the Y start pulse DY1, a through current corresponding to the threshold voltage Vthp2 of the first switching element TFW1 is generated at the node A1 at time t27.

上述したように、ラッチ用バッファLBF1の入力側に位置するINV11の閾値電圧は、第1スイッチング素子TFW1の閾値電圧よりも高くしてあるため、貫通電流の発生によるラッチ用バッファLBF1の誤動作は防止される。   As described above, since the threshold voltage of INV11 located on the input side of the latch buffer LBF1 is higher than the threshold voltage of the first switching element TFW1, the malfunction of the latch buffer LBF1 due to the occurrence of a through current is prevented. Is done.

続いて、時刻t28において、Y側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間が開始されると、第1段目の転送単位回路UB1において、第2スイッチング素子TBK1は閉状態となる。これにより、第1スイッチング素子TFW1及び第2スイッチング素子TBK1によってトランスミッションゲート回路が形成されるため、節点A1の電位はローレベル、即ち低電位Vssと同等のレベルとなり、貫通電流の発生を抑制することが可能となる。   Subsequently, when the active period of the Y-side third clock signal YEN1 is started at time t28, the second switching element TBK1 is closed in the first-stage transfer unit circuit UB1. As a result, since the transmission gate circuit is formed by the first switching element TFW1 and the second switching element TBK1, the potential of the node A1 becomes a low level, that is, a level equivalent to the low potential Vss, and the generation of the through current is suppressed. Is possible.

このように、走査線駆動回路130におけるY側シフトレジスタ133では、Y側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12に応じて(m+1)段において順次転送動作が開始される。また、各転送単位回路UBkにおいて、YスタートパルスDY1又は前段からのY側転送パルスYPk−1を取り込んでY側転送パルスkを生成してから、ラッチが開始される。   As described above, in the Y-side shift register 133 in the scanning line driving circuit 130, the transfer operation is sequentially started in (m + 1) stages according to the Y-side first clock signal YCK11 and the Y-side second clock signal YCK12. In each transfer unit circuit UBk, the Y start pulse DY1 or the Y side transfer pulse YPk-1 from the previous stage is taken to generate the Y side transfer pulse k, and then latching is started.

従って、Y側シフトレジスタ133において、比較的少ない数の回路素子によって各転送単位回路UBkを構成することが可能であると共に、レーシング等の誤動作を防止することが可能となる。また、回路素子の数を増やさなくても動作時に貫通電流の発生を抑制することが可能となるため、Y側シフトレジスタ133の消費電力を削減することができる。よって、既に説明したような回路素子数の多いシフトレジスタを製造する場合と比較して、Y側シフトレジスタ133の製造時における歩留まりを向上させることが可能となる。   Therefore, in the Y-side shift register 133, each transfer unit circuit UBk can be configured with a relatively small number of circuit elements, and malfunctions such as racing can be prevented. In addition, since it is possible to suppress the generation of a through current during operation without increasing the number of circuit elements, the power consumption of the Y-side shift register 133 can be reduced. Therefore, it is possible to improve the yield at the time of manufacturing the Y-side shift register 133 as compared with the case of manufacturing a shift register having a large number of circuit elements as described above.

更に、各転送単位回路UBkにおける第1スイッチング素子TFW1及び第2スイッチング素子TBK1は個別に順次駆動される。よって、該第1及び第2スイッチング素子TFW1及びTBK1を構成するTFTの閾値電圧の値や易動度の値が、各転送単位回路UBk間でばらついても、誤動作を防止することが可能となる。また、第1スイッチング素子TFW1及び第2スイッチング素子TBK1はエンハンスメント型トランジスタを用いて構成することにより、ドープ工程を増やすことなく、該第1及び第2スイッチング素子TFW1及びTBK1を製造することが可能となる。   Further, the first switching element TFW1 and the second switching element TBK1 in each transfer unit circuit UBk are individually driven sequentially. Therefore, even if the threshold voltage value and mobility value of the TFTs constituting the first and second switching elements TFW1 and TBK1 vary between the transfer unit circuits UBk, it is possible to prevent malfunction. . In addition, the first switching element TFW1 and the second switching element TBK1 are configured using enhancement type transistors, so that the first and second switching elements TFW1 and TBK1 can be manufactured without increasing the doping process. Become.

加えて、Y側第1から第3クロック信号YCK11、YCK12、及びYEN1はY側クロック信号生成回路131によって生成されるため、新たなインターフェースを用いることなく、或いは新たな信号を外部から入力させること無く、Y側シフトレジスタ133を駆動させることが可能である。   In addition, since the Y-side first to third clock signals YCK11, YCK12, and YEN1 are generated by the Y-side clock signal generation circuit 131, a new signal can be input from the outside without using a new interface. In addition, the Y-side shift register 133 can be driven.

また、走査信号生成部138の第1段目のユニット回路UC1の波形整形回路において、時刻t24に、第1段目の転送単位回路UB1においてフィードバックが終了した後、第2番目のY側転送パルスYP2が生成されると、入力側に配置されたナンド回路NAND10の出力側の節点D1の電位がハイレベルからローレベルに遷移する。その後、時刻t25に、Y側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間が開始されると、第1段目の波形整形回路の出力側に配置されたナンド回路NAND11の出力信号がインバータINV13及びINV14を含むバッファ回路を経て、走査信号Y1として出力される。従って、時刻t25において、走査信号Y1の電位はローレベルからハイレベルに遷移する。   Further, in the waveform shaping circuit of the first-stage unit circuit UC1 of the scanning signal generation unit 138, the second Y-side transfer pulse after the feedback ends in the first-stage transfer unit circuit UB1 at time t24. When YP2 is generated, the potential of the node D1 on the output side of the NAND circuit NAND10 arranged on the input side changes from the high level to the low level. Thereafter, when the active period of the Y-side third clock signal YEN1 starts at time t25, the output signal of the NAND circuit NAND11 arranged on the output side of the first-stage waveform shaping circuit includes the inverters INV13 and INV14. It passes through the buffer circuit and is output as the scanning signal Y1. Accordingly, at time t25, the potential of the scanning signal Y1 changes from the low level to the high level.

よって、第1段目のユニット回路UC1からは、第2番目のY側転送パルスYP2の生成期間であって、且つY側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間において、走査信号Y1が出力される。そして、第2段目以降、最終段までの各段のユニット回路UCjにおいて、第1段目と同様の動作が行われる。   Therefore, the scanning signal Y1 is output from the first-stage unit circuit UC1 during the generation period of the second Y-side transfer pulse YP2 and during the active period of the Y-side third clock signal YEN1. Then, in the unit circuit UCj of each stage from the second stage to the last stage, the same operation as the first stage is performed.

このように各段のユニット回路UCjでは、Y側第3クロック信号YEN1のアクティブ期間に基づいて各走査信号Yjの出力期間が制御され、各段のユニット回路UCjから走査信号Y1、Y2、・・・、Ymが順次出力することとなる。   As described above, in each unit circuit UCj, the output period of each scanning signal Yj is controlled based on the active period of the Y-side third clock signal YEN1, and the scanning signals Y1, Y2,.・ Ym will be output sequentially.

尚、各段のユニット回路UCjにおけるバッファ回路として、レベルシフタを用いるようにすれば、走査線駆動回路130の動作電圧を低電圧化させることが可能となり、該走査線駆動回路130の消費電力を削減することが可能となる。   If a level shifter is used as a buffer circuit in the unit circuit UCj at each stage, the operating voltage of the scanning line driving circuit 130 can be lowered, and the power consumption of the scanning line driving circuit 130 is reduced. It becomes possible to do.

<3;データ線駆動回路>
次に、データ線駆動回路150について説明する。図1において、データ線駆動回路150は、主要部として、X側クロック信号生成回路151、X側シフトレジスタ153、X側イネーブル手段155、1次ラッチ回路157、2次ラッチ回路158、及びD−A変換器159を含む。
<3: Data line driving circuit>
Next, the data line driving circuit 150 will be described. In FIG. 1, the data line driving circuit 150 includes, as main parts, an X side clock signal generation circuit 151, an X side shift register 153, an X side enable means 155, a primary latch circuit 157, a secondary latch circuit 158, and a D−. A converter 159 is included.

データ線駆動回路150において、X側クロック信号生成回路151はY側クロック信号生成回路131と同様に構成されている。そして、X側クロック信号生成回路151は、Y側クロック信号生成回路131と同様に、タイミングジェネレータ400より供給されるXクロック信号XCK及びXイネーブル信号/XENに基づいて、X側第1クロック信号XCK11及びX側第2クロック信号XCK12を生成し、該X側第1クロック信号XCK11及びX側第2クロック信号XCK12の論理和信号を遅延することにより、X側第3クロック信号XEN1を生成する。   In the data line driving circuit 150, the X-side clock signal generation circuit 151 is configured similarly to the Y-side clock signal generation circuit 131. Similarly to the Y-side clock signal generation circuit 131, the X-side clock signal generation circuit 151 is based on the X clock signal XCK and the X enable signal / XEN supplied from the timing generator 400, and the X-side first clock signal XCK11. And X side second clock signal XCK12 is generated, and the X side third clock signal XEN1 is generated by delaying the logical sum signal of the X side first clock signal XCK11 and X side second clock signal XCK12.

X側シフトレジスタ153はY側シフトレジスタ133と同様に構成される。X側第1クロック信号XCK11、X側第2クロック信号XCK12、及びX側第3クロック信号XEN1は、X側シフトレジスタ153に入力される。また、X側シフトレジスタ153には、タイミングジェネレータ400よりXスタートパルスDX1が供給される。   The X side shift register 153 is configured similarly to the Y side shift register 133. The X-side first clock signal XCK11, the X-side second clock signal XCK12, and the X-side third clock signal XEN1 are input to the X-side shift register 153. Further, the X start pulse DX1 is supplied from the timing generator 400 to the X side shift register 153.

X側シフトレジスタ153は、n本のデータ線114に対応させて(n+1)段より構成される。X側シフトレジスタ153の(n+1)段において、当該X側シフトレジスタ153にXスタートパルスDX1が入力されると、X側第1クロック信号XCK11、X側第2クロック信号XCK12、及びX側第3クロック信号XEN1に基づくタイミングで、X側転送パルスXP1、XP2、・・・、XPn+1が順次生成される。   The X side shift register 153 includes (n + 1) stages corresponding to the n data lines 114. In the (n + 1) stage of the X side shift register 153, when the X start pulse DX1 is input to the X side shift register 153, the X side first clock signal XCK11, the X side second clock signal XCK12, and the X side third X-side transfer pulses XP1, XP2,..., XPn + 1 are sequentially generated at a timing based on the clock signal XEN1.

また、X側イネーブル手段155は、X側シフトレジスタ153の(n+1)段に対応するn段に、走査信号生成部138のユニット回路UCjと同様の波形整形回路が含まれる。X側イネーブル手段155のn段において、X側シフトレジスタ153より順次出力されたX側転送パルスXP1、XP2、・・・、XPn+1に対して、X側第3クロック信号XEN1に基づいて波形制御が行われた後、サンプリング信号SP1、SP2、・・・、SPnが順次出力される。   Further, the X-side enable means 155 includes a waveform shaping circuit similar to the unit circuit UCj of the scanning signal generation unit 138 in n stages corresponding to the (n + 1) stages of the X-side shift register 153. At the n stage of the X side enable means 155, waveform control is performed on the X side transfer pulses XP1, XP2,..., XPn + 1 sequentially output from the X side shift register 153 based on the X side third clock signal XEN1. After being performed, sampling signals SP1, SP2,..., SPn are sequentially output.

1次ラッチ回路157は、サンプリング信号SP1、SP2、・・・、SPnに基づいて、画像信号供給線L1に供給された画像信号DATAをラッチし、続いて、タイミングジェネレータ400より出力されるタイミング信号LTXに基づいて、2次ラッチ回路158によって、1次ラッチ回路157の出力信号がラッチされる。そして、D−A変換器159によってアナログ信号に変換された2次ラッチ回路158の出力信号が画像信号X1、X2、X3、X4、・・・、Xnとして出力される。   The primary latch circuit 157 latches the image signal DATA supplied to the image signal supply line L1 based on the sampling signals SP1, SP2,..., SPn, and subsequently the timing signal output from the timing generator 400. Based on LTX, the output signal of the primary latch circuit 157 is latched by the secondary latch circuit 158. Then, the output signal of the secondary latch circuit 158 converted into an analog signal by the DA converter 159 is output as the image signals X1, X2, X3, X4,.

よって、以上説明したような走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150の構成によれば、そのレイアウト面積が大きくならないため、液晶パネル100における画像表示領域110において多画素を実現することが可能となり、高品質な画像表示を行うことが可能となる。   Therefore, according to the configuration of the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 150 as described above, since the layout area does not increase, it is possible to realize a large number of pixels in the image display region 110 in the liquid crystal panel 100. High-quality image display can be performed.

<4;変形例>
以下に、以上説明した第1実施形態の走査線駆動回路130の変形例について説明する。尚、上述したようにデータ線駆動回路150は走査線駆動回路130と同様の構成を含むため、該同様の構成について以下に説明する走査線駆動回路130の構成が適用されてもよい。
<4: Modification>
Hereinafter, a modified example of the scanning line driving circuit 130 of the first embodiment described above will be described. Since the data line driving circuit 150 includes the same configuration as the scanning line driving circuit 130 as described above, the configuration of the scanning line driving circuit 130 described below may be applied to the same configuration.

<4−1;第1変形例>
先ず、図7から図10を参照して、第1変形例について説明する。図7は、第1変形例に係るY側クロック信号生成回路の回路構成を示す回路図であり、図8は、第1変形例に係るY側シフトレジスタの回路構成を示す回路図である。また、図9には、第1変形例に係るY側第1から第3クロック信号YCK21、YCK22、及び/YEN2の生成について説明するためのタイミングチャートを示し、図10には、第1変形例に係るY側転送パルスYP1、YP2、・・・、YPm+1の生成、並びに走査信号Y1、Y2、・・・、Ymの生成について説明するためのタイミングチャートを示してある。
<4-1: First Modification>
First, a first modification will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a circuit configuration of a Y-side clock signal generation circuit according to the first modification, and FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a circuit configuration of a Y-side shift register according to the first modification. FIG. 9 shows a timing chart for explaining generation of the Y-side first to third clock signals YCK21, YCK22, and / YEN2 according to the first modification, and FIG. 10 shows the first modification. , YPm + 1, and generation of scanning signals Y1, Y2,..., Ym are shown in a timing chart.

図7に示すY側クロック信号生成回路131aにおいて、Y側第1クロック信号生成回路UA11には、Y側第1クロック信号生成部33a及びバッファ回路35aに加えて、該バッファ回路35aの出力信号を反転させるインバータ36aが更に設けられている。また、Y側第2クロック信号生成回路UA12にも、Y側第1クロック信号生成回路UA11と同様に、インバータ36bが更に設けられている。   In the Y-side clock signal generation circuit 131a shown in FIG. 7, the Y-side first clock signal generation circuit UA11 receives the output signal of the buffer circuit 35a in addition to the Y-side first clock signal generation unit 33a and the buffer circuit 35a. An inverter 36a for inverting is further provided. In addition, the Y-side second clock signal generation circuit UA12 is further provided with an inverter 36b, similarly to the Y-side first clock signal generation circuit UA11.

よって、図9に示すY側第1クロック信号YCK21及びY側第2クロック信号YCK22は、図5に示すY側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12を反転させた信号となる。また、Y側第1クロック信号YCK21及びY側第2クロック信号YCK22のアクティブ期間は、Yイネーブル信号/YENに対してTd61だけ遅延する。更に、Y側第1クロック信号YCK21及びY側第2クロック信号YCK22は、図5に示すY側第1クロック信号YCK11及びY側第2クロック信号YCK12と同様、互いに位相の異なる信号となっている。   Therefore, the Y-side first clock signal YCK21 and the Y-side second clock signal YCK22 shown in FIG. 9 are signals obtained by inverting the Y-side first clock signal YCK11 and the Y-side second clock signal YCK12 shown in FIG. The active periods of the Y-side first clock signal YCK21 and the Y-side second clock signal YCK22 are delayed by Td61 with respect to the Y enable signal / YEN. Further, the Y-side first clock signal YCK21 and the Y-side second clock signal YCK22 are signals having different phases, like the Y-side first clock signal YCK11 and the Y-side second clock signal YCK12 shown in FIG. .

また、図7において、Y側第3クロック信号生成回路UA13は、図3に示すY側第3クロック信号生成回路UA3と同様の回路構成となっている。図9に示すY側第3クロック信号/YEN2は、図5に示すY側第3クロック信号YEN1を反転させた信号であって、Y側第1クロック信号YCK21及びY側第2クロック信号YCK22の各々に対して、時刻t61及び時刻t62、或いは時刻t63及び時刻t64よって規定されるTd62だけ遅延する。   In FIG. 7, the Y-side third clock signal generation circuit UA13 has the same circuit configuration as the Y-side third clock signal generation circuit UA3 shown in FIG. The Y-side third clock signal / YEN2 shown in FIG. 9 is a signal obtained by inverting the Y-side third clock signal YEN1 shown in FIG. 5, and the Y-side first clock signal YCK21 and the Y-side second clock signal YCK22 are inverted. Each is delayed by Td62 defined by time t61 and time t62, or time t63 and time t64.

図8において、Y側シフトレジスタ133の転送単位回路UB1kは、nチャネルMOSTFTを用いて構成される第1スイッチング素子TFW2、及びpチャネルMOSTFTを用いて構成される第2スイッチング素子TBK2を含む構成となっている。また、各転送単位回路UB1kのラッチ用バッファLBF2は2つのインバータINV21及びINV22を含み、入力側に配置されるインバータINV21の閾値電圧を、第1スイッチング素子TFW2の閾値電圧よりも高くしてある。   In FIG. 8, the transfer unit circuit UB1k of the Y side shift register 133 includes a first switching element TFW2 configured using an n-channel MOSTFT and a second switching element TBK2 configured using a p-channel MOSTFT. It has become. The latch buffer LBF2 of each transfer unit circuit UB1k includes two inverters INV21 and INV22, and the threshold voltage of the inverter INV21 arranged on the input side is higher than the threshold voltage of the first switching element TFW2.

図10において、YスタートパルスDY2がローレベルからハイレベルとなると、Y側シフトレジスタ133に該YスタートパルスDY2が入力される。そして、Y側シフトレジスタ133の第1段から第3段に着目すれば、Y側第1クロック信号YCK21及びY側第2クロック信号YCK22に基づくタイミングで、節点A2から節点C2の夫々の電位は順次ローレベルからハイレベルに遷移する。   In FIG. 10, when the Y start pulse DY 2 changes from the low level to the high level, the Y start pulse DY 2 is input to the Y side shift register 133. If attention is paid to the first to third stages of the Y-side shift register 133, the potentials of the nodes A2 to C2 at the timing based on the Y-side first clock signal YCK21 and the Y-side second clock signal YCK22 are as follows. Transition from low level to high level sequentially.

ここで、例えば時刻t51において、節点A2では該第1スイッチング素子TFW2の閾値電圧Vthn5に相当する貫通電流が発生する。上述したように、ラッチ用バッファLBF2の入力側に位置するINV21の閾値電圧は、第1スイッチング素子TFW2の閾値電圧よりも高くしてあるため、貫通電流の発生によるラッチ用バッファLBF2の誤動作は防止される。   For example, at time t51, a through current corresponding to the threshold voltage Vthn5 of the first switching element TFW2 is generated at the node A2. As described above, since the threshold voltage of INV21 located on the input side of latch buffer LBF2 is higher than the threshold voltage of first switching element TFW2, malfunction of latch buffer LBF2 due to the occurrence of a through current is prevented. Is done.

続いて、時刻t52において、Y側第3クロック信号/YEN2のアクティブ期間がY側第1クロック信号21のアクティブ期間よりTd5だけ遅れて開始されると、第2スイッチング素子TBK2は閉状態となり、第1スイッチング素子TFW2及び第2スイッチング素子TBK2によってトランスミッションゲート回路が形成されるため、節点A2の電位はハイレベル、即ち高電位Vddと同等のレベルとなり、貫通電流の発生を抑制することが可能となる。   Subsequently, at time t52, when the active period of the Y-side third clock signal / YEN2 starts with a delay of Td5 from the active period of the Y-side first clock signal 21, the second switching element TBK2 enters the closed state. Since the transmission gate circuit is formed by the first switching element TFW2 and the second switching element TBK2, the potential of the node A2 becomes a high level, that is, a level equivalent to the high potential Vdd, and the generation of the through current can be suppressed. .

そして、Y側シフトレジスタ133の(m+1)段において、Y側第1クロック信号YCK21、Y側第2クロック信号YCK22、及びY側第3クロック信号/YEN2に基づくタイミングで、Y側転送パルスYP1、YP2、・・・、YPm+1が順次生成されると共に、該Y側転送パルスYP1、YP2、YP3、・・・、YPm、YPm+1に対して波形制御等が行われた後、Y側駆動信号として走査信号Y1、Y2、・・・、Ymが走査線112に順次出力される。   In the (m + 1) stage of the Y-side shift register 133, the Y-side transfer pulse YP1, at the timing based on the Y-side first clock signal YCK21, the Y-side second clock signal YCK22, and the Y-side third clock signal / YEN2, YP2,..., YPm + 1 are sequentially generated, and waveform control is performed on the Y side transfer pulses YP1, YP2, YP3,..., YPm, YPm + 1, and then scanning is performed as a Y side drive signal. Signals Y 1, Y 2,..., Ym are sequentially output to the scanning line 112.

よって、第1変形例についても、Y側シフトレジスタ133において、比較的少ない数の回路素子によって各転送単位回路UB1kを構成することが可能であると共に、レーシング等の誤動作を防止し、且つ消費電力を削減することができる。また、新たなインターフェースを用いることなく、或いは新たな信号を外部から入力させること無く、Y側シフトレジスタ133を駆動させることが可能である。   Therefore, also in the first modification, each transfer unit circuit UB1k can be configured with a relatively small number of circuit elements in the Y-side shift register 133, and malfunctions such as racing can be prevented, and power consumption can be reduced. Can be reduced. Further, the Y-side shift register 133 can be driven without using a new interface or without inputting a new signal from the outside.

<4−2;第2変形例>
次に、図11を参照して、第2変形例について説明する。図11は、第2変形例に係るY側シフトレジスタの回路構成を示す回路図である。
<4-2; Second Modification>
Next, a second modification will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a Y-side shift register according to the second modification.

図11において、Y側シフトレジスタ133の転送単位回路UBkは、第1スイッチング素子TFW1とラッチ用バッファLBF1との間に、該転送単位回路UBkに入力されたYスタートパルスDY1又はY側転送パルスYPjを保持する保持容量CND1を更に備える。   In FIG. 11, the transfer unit circuit UBk of the Y-side shift register 133 has a Y start pulse DY1 or a Y-side transfer pulse YPj input to the transfer unit circuit UBk between the first switching element TFW1 and the latch buffer LBF1. Is further provided with a storage capacitor CND1.

図6において、例えば第1段目の転送単位回路UB1では、時刻t23から時刻t25において、第2スイッチング素子TBK1が開状態となるが、節点A1の電位を該節点A1に設置された保持容量によって低電位Vss及び高電位Vdd間の電圧に維持することが可能となる。   In FIG. 6, for example, in the first-stage transfer unit circuit UB1, the second switching element TBK1 is opened from time t23 to time t25. However, the potential of the node A1 is set by the storage capacitor installed at the node A1. It becomes possible to maintain the voltage between the low potential Vss and the high potential Vdd.

<4−3;第3変形例>
次に、図12及び図13を参照して、第3変形例について説明する。図12は、第3変形例に係るY側シフトレジスタの一の回路構成を示す回路図であり、図13は、第3変形例に係るY側シフトレジスタの他の回路構成を示す回路図である。
<4-3; Third Modification>
Next, a third modification will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a circuit diagram showing one circuit configuration of the Y-side shift register according to the third modification, and FIG. 13 is a circuit diagram showing another circuit configuration of the Y-side shift register according to the third modification. is there.

図12において、Y側シフトレジスタ133の転送単位回路UB3kは、pチャネルMOSTFTを用いて夫々構成される第1スイッチング素子TFW7及び第2スイッチング素子TBK7を含む構成となっている。この場合、Y側第1から第3クロック信号YCK71、YCK72、及びYCK73並びにYスタートパルスDY7の電圧を、各転送単位回路UB3kにおける第1及び第2スイッチング素子TFW7及びTBK7の動作電圧に対して下げることにより、節点A7、節点B7、或いは節点C7における貫通電流を抑制することが可能となる。尚、図12において、走査信号生成部138の各ユニット回路UCjは、タイミングジェネレータ400より出力されるYイネーブル信号/YEN7に基づいて波形制御を行う。   In FIG. 12, the transfer unit circuit UB3k of the Y-side shift register 133 has a configuration including a first switching element TFW7 and a second switching element TBK7 each configured by using a p-channel MOSTFT. In this case, the voltages of the Y-side first to third clock signals YCK71, YCK72 and YCK73 and the Y start pulse DY7 are lowered with respect to the operating voltages of the first and second switching elements TFW7 and TBK7 in each transfer unit circuit UB3k. As a result, the through current at the node A7, the node B7, or the node C7 can be suppressed. In FIG. 12, each unit circuit UCj of the scanning signal generation unit 138 performs waveform control based on the Y enable signal / YEN 7 output from the timing generator 400.

或いは、図13に示すように、Y側シフトレジスタ133の転送単位回路UB4kを、nチャネルMOSTFTを用いて夫々構成される第1スイッチング素子TFW8及び第2スイッチング素子TBK8を含む構成としてもよい。この場合、Y側第1から第3クロック信号YCK81、YCK82、及びYCK83並びにYスタートパルスDY8の電圧を、各転送単位回路UB4kにおける第1及び第2スイッチング素子TFW8及びTBK8の動作電圧に対して上げることにより、節点A8、節点B8、或いは節点C8における貫通電流を抑制することが可能となる。尚、図13においても、走査信号生成部138の各ユニット回路UCjは、タイミングジェネレータ400より出力されるYイネーブル信号/YEN8に基づいて波形制御を行う。   Alternatively, as shown in FIG. 13, the transfer unit circuit UB4k of the Y-side shift register 133 may include a first switching element TFW8 and a second switching element TBK8 each configured by using an n-channel MOSTFT. In this case, the voltages of the Y-side first to third clock signals YCK81, YCK82 and YCK83 and the Y start pulse DY8 are increased with respect to the operating voltages of the first and second switching elements TFW8 and TBK8 in each transfer unit circuit UB4k. This makes it possible to suppress the through current at the node A8, the node B8, or the node C8. Also in FIG. 13, each unit circuit UCj of the scanning signal generation unit 138 performs waveform control based on the Y enable signal / YEN8 output from the timing generator 400.

第3変形例によれば、前述したようにY側シフトレジスタ133に入力される各信号の電圧を調整するために、新たな電源を用いる必要がある。それに比較して、第1実施形態によれば、既に説明したように新たな電源を用いることなく、Y側クロック信号生成回路131及びY側シフトレジスタ133を含む走査線駆動回路130を駆動することが可能である。   According to the third modification, it is necessary to use a new power supply to adjust the voltage of each signal input to the Y-side shift register 133 as described above. In contrast, according to the first embodiment, the scanning line driving circuit 130 including the Y-side clock signal generation circuit 131 and the Y-side shift register 133 is driven without using a new power supply as already described. Is possible.

更に、第1実施形態において、Y側第1から第3クロック信号YCK11、YCK12、及びYEN1並びにYスタートパルスDY1の電圧を、各転送単位回路UBkにおける第1及び第2スイッチング素子TFW1及びTBK1の動作電圧に対して下げるようにしてもよい。図14には、この場合について、図6のタイミングチャートに示す各信号の波形について示してある。図14において、時刻t27において、第1スイッチング素子TFW1は閉状態となり、節点A1の電位はハイレベルからローレベルに遷移する。この時点で、接点A1の電位は低電位Vssとなるため、貫通電流の発生は抑制される。   Further, in the first embodiment, the Y-side first to third clock signals YCK11, YCK12, and YEN1 and the voltage of the Y start pulse DY1 are used as the operations of the first and second switching elements TFW1 and TBK1 in each transfer unit circuit UBk. The voltage may be lowered with respect to the voltage. FIG. 14 shows the waveform of each signal shown in the timing chart of FIG. 6 in this case. In FIG. 14, at time t27, the first switching element TFW1 is closed, and the potential at the node A1 changes from high level to low level. At this time, since the potential of the contact A1 becomes the low potential Vss, the generation of the through current is suppressed.

<4−4;第4変形例>
本発明の電気光学装置に係る第4変形例について説明する。第4変形例では、走査線駆動回路130におけるY側シフトレジスタ133に対して、該Y側シフトレジスタ133の(m+1)段の並びに対してY側転送パルスYPkが順次出力される順序を選択的に順方向又は逆方向に設定する転送方向設定手段を更に備える。
<4-4; Fourth Modification>
A fourth modification of the electro-optical device according to the invention will be described. In the fourth modification example, the order in which the Y-side transfer pulse YPk is sequentially output is selected with respect to the (m + 1) stage arrangement of the Y-side shift register 133 with respect to the Y-side shift register 133 in the scanning line driving circuit 130. And a transfer direction setting means for setting the forward direction or the reverse direction.

図15には、転送方向設定手段の回路構成を示してある。図15において、転送方向設定手段716は、Y側シフトレジスタ133の(m+1)段に対応する(m+2)個の順方向スイッチング素子SWR及び(m+2)個の逆方向スイッチング素子SWLを備えている。順方向スイッチング素子SWR及び逆方向スイッチング素子SWLは夫々、例えばpチャネルMOSTFTを用いて構成される。   FIG. 15 shows the circuit configuration of the transfer direction setting means. In FIG. 15, the transfer direction setting means 716 includes (m + 2) forward switching elements SWR and (m + 2) backward switching elements SWL corresponding to the (m + 1) stage of the Y side shift register 133. Each of the forward switching element SWR and the reverse switching element SWL is configured by using, for example, a p-channel MOS TFT.

順方向の動作時、転送方向設定手段716には、タイミングジェネレータ400より第1制御信号DIR及び第2制御信号/DIRが供給されて、(m+2)個の順方向スイッチング素子SWRが選択される。そして、転送方向設定手段716に、タイミングジェネレータ400より供給される順方向のYスタートパルスDYRが入力されると、Y側シフトレジスタ133の第1段目から第(m+1)段目に向かう方向に、Y側転送パルスYP1、YP2、YP3、・・・、YPm、YPm+1が順次生成される。尚、順方向において、第(m+1)段目の転送単位回路UBm+1によって生成された第(m+1)番目のY側転送パルスYPm+1が、対応する順方向スイッチング素子SWRm+2を介して検査信号TPRとして出力されるようにしてもよい。   During forward operation, the transfer direction setting means 716 is supplied with the first control signal DIR and the second control signal / DIR from the timing generator 400, and (m + 2) forward switching elements SWR are selected. When the forward Y start pulse DYR supplied from the timing generator 400 is input to the transfer direction setting unit 716, the transfer direction setting unit 716 moves in the direction from the first stage to the (m + 1) th stage of the Y-side shift register 133. , Y side transfer pulses YP1, YP2, YP3,..., YPm, YPm + 1 are sequentially generated. In the forward direction, the (m + 1) -th Y-side transfer pulse YPm + 1 generated by the (m + 1) -th stage transfer unit circuit UBm + 1 is output as the inspection signal TPR via the corresponding forward-direction switching element SWRm + 2. You may make it do.

また、逆方向の動作時について、順方向と同様、転送方向設定手段716における(m+2)個の逆方向スイッチング素子SWLが選択され、タイミングジェネレータ400より出力された逆方向のYスタートパルスDYLが入力されると、Y側シフトレジスタ133の第(m+1)段目から第1段目に向かう方向に、Y側転送パルスYP1、YP2、YP3、・・・、YPm、YPm+1が順次生成される。尚、逆方向において、第1段目の転送単位回路UB1によって生成された第(m+1)番目のY側転送パルスYPm+1が、対応する逆方向スイッチング素子SWL1を介して検査信号TPLとして出力されるようにしてもよい。   Also, during reverse operation, as in the forward direction, (m + 2) reverse switching elements SWL in the transfer direction setting means 716 are selected, and the reverse Y start pulse DYL output from the timing generator 400 is input. Then, Y-side transfer pulses YP1, YP2, YP3,..., YPm, YPm + 1 are sequentially generated in the direction from the (m + 1) -th stage of the Y-side shift register 133 to the first stage. In the reverse direction, the (m + 1) th Y-side transfer pulse YPm + 1 generated by the first-stage transfer unit circuit UB1 is output as the inspection signal TPL via the corresponding reverse switching element SWL1. It may be.

よって、第4変形例によれば、Y側シフトレジスタ133を順方向及び逆方向の双方向に駆動することが可能となる。また、順方向、或いは逆方向に駆動する両方の場合において、誤動作を防止することが可能となる。   Therefore, according to the fourth modification, the Y-side shift register 133 can be driven in both the forward and reverse directions. Further, in both cases of driving in the forward direction or in the reverse direction, it is possible to prevent malfunction.

<5;液晶装置の全体構成>
以上のように構成された液晶装置1の全体構成について図16及び図17を参照して説明する。ここに、図16は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側から見た平面図であり、図17は、図16のH−H’断面図である。
<5: Overall configuration of liquid crystal device>
The overall configuration of the liquid crystal device 1 configured as described above will be described with reference to FIGS. 16 and 17. FIG. 16 is a plan view of the TFT array substrate 10 as viewed from the side of the counter substrate 20 together with the components formed thereon, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG. .

図16及び図17に示す液晶装置において、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域110の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   In the liquid crystal device shown in FIGS. 16 and 17, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are disposed to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are provided with a sealing material 52 provided in a seal region located around the image display region 110. Are bonded to each other.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. Further, in the sealing material 52, a gap material such as glass fiber or glass beads for dispersing the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value is dispersed.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域110の額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display region 110 is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal region where the seal material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

画像表示領域110の周辺に位置する周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路150及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路130は、この一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域110の両側に設けられた二つの走査線駆動回路130間をつなぐため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。   Of the peripheral regions located around the image display region 110, the data line driving circuit 150 and the external circuit connection terminal 102 are arranged on one side of the TFT array substrate 10 in the region located outside the seal region where the sealing material 52 is disposed. It is provided along. The scanning line driving circuit 130 is provided along two sides adjacent to the one side so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, in order to connect the two scanning line driving circuits 130 provided on both sides of the image display area 110 in this way, the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along the remaining side. A plurality of wirings 105 are provided.

また、対向基板20の4つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。   In addition, vertical conduction members 106 that function as vertical conduction terminals between the two substrates are disposed at the four corners of the counter substrate 20. On the other hand, the TFT array substrate 10 is provided with vertical conduction terminals in a region facing these corner portions. Thus, electrical conduction can be established between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

図17において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極118上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。更に、TFTアレイ基板10及び対向基板20の各々の対向面の背面側には配向方向に応じた偏光板(図示省略)が設けられる。   In FIG. 17, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrode 118 after the pixel switching TFT, the scanning line, the data line, and the like are formed. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an alignment film are formed on the uppermost layer portion. Further, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films. Further, a polarizing plate (not shown) corresponding to the orientation direction is provided on the back side of each facing surface of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

なお、図16及び図17に示したTFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路150、走査線駆動回路130等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学パネルの品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。   In addition to the data line driving circuit 150, the scanning line driving circuit 130, etc., the image signal on the image signal line is sampled and supplied to the data line on the TFT array substrate 10 shown in FIGS. Sampling circuit, precharge circuit for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level to a plurality of data lines in advance of the image signal, for inspecting the quality, defects, etc. of the electro-optical panel during production or at the time of shipment An inspection circuit or the like may be formed.

<6;電子機器>
次に、上述した液晶装置1を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
<6; Electronic equipment>
Next, the case where the liquid crystal device 1 described above is applied to various electronic devices will be described.

<6−1:プロジェクタ>
まず、この液晶装置1をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図18は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。
<6-1: Projector>
First, a projector using the liquid crystal device 1 as a light valve will be described. FIG. 18 is a plan view showing a configuration example of the projector. As shown in this figure, a lamp unit 1102 including a white light source such as a halogen lamp is provided inside the projector 1100. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G.

液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gの構成は、上述した液晶パネル100と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。   The configurations of the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G are the same as those of the liquid crystal panel 100 described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit. The light modulated by these liquid crystal panels enters the dichroic prism 1112 from three directions. In this dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Accordingly, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。   Here, paying attention to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the liquid crystal panel 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B.

なお、液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。   Note that since light corresponding to the primary colors R, G, and B is incident on the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.

<6−2:モバイル型コンピュータ>
次に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図19は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、液晶表示ユニット1206とから構成されている。この液晶表示ユニット1206は、先に述べた液晶パネル1005の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
<6-2: Mobile computer>
Next, an example in which this liquid crystal panel is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 19 is a perspective view showing the configuration of this personal computer. In the figure, a computer 1200 includes a main body 1204 having a keyboard 1202 and a liquid crystal display unit 1206. The liquid crystal display unit 1206 is configured by adding a backlight to the back surface of the liquid crystal panel 1005 described above.

<6−3;携帯電話>
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図20は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに、反射型の液晶パネル1005を備えるものである。この反射型の液晶パネル1005にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
<6-3; Mobile phone>
Further, an example in which this liquid crystal panel is applied to a mobile phone will be described. FIG. 20 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. In the figure, a cellular phone 1300 includes a reflective liquid crystal panel 1005 together with a plurality of operation buttons 1302. In the reflective liquid crystal panel 1005, a front light is provided on the front surface thereof as necessary.

尚、図18〜図20を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。   In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 18 to 20, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a work Examples include a station, a videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うシフトレジスタ及びその駆動方法、並びに該シフトレジスタを備える駆動回路、このような駆動回路を備えてなる電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. A driving method, a driving circuit including the shift register, an electro-optical device and an electronic apparatus including the driving circuit are also included in the technical scope of the present invention.

液晶装置の全体構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the whole structure of a liquid crystal device. 走査線駆動回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a scanning line drive circuit. Y側クロック信号生成回路の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of a Y side clock signal generation circuit. Y側シフトレジスタ、Y側イネーブル手段、及びY側バッファ回路の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of a Y side shift register, a Y side enable means, and a Y side buffer circuit. Y側クロック信号生成回路の動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart for demonstrating operation | movement of the Y side clock signal generation circuit. Y側シフトレジスタ、Y側イネーブル手段、及びY側バッファ回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining operations of a Y side shift register, a Y side enable means, and a Y side buffer circuit. 第1変形例に係るY側クロック信号生成回路の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the Y side clock signal generation circuit which concerns on a 1st modification. 第1変形例に係るY側シフトレジスタの回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the Y side shift register which concerns on a 1st modification. 第1変形例に係るY側クロック信号生成回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。12 is a timing chart for explaining the operation of the Y-side clock signal generation circuit according to the first modification. 第1変形例に係るY側シフトレジスタ、Y側イネーブル手段、及びY側バッファ回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the Y side shift register, Y side enable means, and Y side buffer circuit which concern on a 1st modification. 第2変形例に係るY側シフトレジスタの回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the Y side shift register which concerns on a 2nd modification. 第3変形例に係るY側シフトレジスタの一の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows one circuit structure of the Y side shift register which concerns on a 3rd modification. 第3変形例に係るY側シフトレジスタの他の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other circuit structure of the Y side shift register which concerns on a 3rd modification. 第3変形例に係るY側シフトレジスタの動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the Y side shift register which concerns on a 3rd modification. 転送方向設定手段の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of a transfer direction setting means. 電気光学装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of an electro-optical apparatus. 図16のH−H’断面図である。It is H-H 'sectional drawing of FIG. 液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the projector which is an example of the electronic device to which a liquid crystal device is applied. 液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the personal computer which is an example of the electronic device to which the liquid crystal device is applied. 液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone which is an example of the electronic device to which a liquid crystal device is applied.

符号の説明Explanation of symbols

1…液晶装置
100…液晶パネル
130…走査線駆動回路
131…Y側クロック信号生成回路
133…Y側シフトレジスタ
150…データ線駆動回路
151…X側クロック信号生成回路
153…X側シフトレジスタ
YCK11…Y側第1クロック信号
YCK12…Y側第2クロック信号
YEN1…Y側第3クロック信号
UB1、UB2、・・・、UBm+1…転送単位回路
TFW1…第1スイッチング素子
TBK1…第2スイッチング素子
LBF1…ラッチ用バッファ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device 100 ... Liquid crystal panel 130 ... Scanning line drive circuit 131 ... Y side clock signal generation circuit 133 ... Y side shift register 150 ... Data line drive circuit 151 ... X side clock signal generation circuit 153 ... X side shift register YCK11 ... Y side first clock signal YCK12 ... Y side second clock signal YEN1 ... Y side third clock signal UB1, UB2, ..., UBm + 1 ... transfer unit circuit TFW1 ... first switching element TBK1 ... second switching element LBF1 ... latch Buffer

Claims (15)

複数段の転送単位回路において転送パルスを順次生成するシフトレジスタであって、
前記複数段のうち奇数段の前記転送単位回路は夫々、第1クロック信号のアクティブ期間に閉状態となって前段からの転送パルス又はスタートパルスを通過させる奇数段第1スイッチング素子と、該奇数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルス又はスタートパルスが入力されると共に次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成する奇数段ラッチ用バッファと、第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態となって前記奇数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける奇数段第2スイッチング素子とを備え、
前記複数段のうち偶数段の前記転送単位回路は夫々、前記第1クロック信号とはアクティブ期間が異なる第2クロック信号の該アクティブ期間に閉状態となって前段からの前記転送パルスを通過させる偶数段第1スイッチング素子と、該偶数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルスが入力されると共に次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成する偶数段ラッチ用バッファと、前記第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態となって前記偶数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける偶数段第2スイッチング素子とを備え、
前記第3クロック信号は、前記第1及び第2クロック信号の論理和信号であって且つ前記第1及び第2クロック信号に対して所定量だけ遅延されているクロック信号であることを特徴とするシフトレジスタ。
A shift register that sequentially generates transfer pulses in a plurality of transfer unit circuits,
The odd-numbered transfer unit circuits in the odd-numbered stages among the plurality of stages are closed in the active period of the first clock signal, and the odd-numbered first switching elements that pass the transfer pulse or start pulse from the previous stage, and the odd-numbered stages An odd-stage latch buffer that generates a transfer pulse that is input to the transfer pulse or the start pulse through the first switching element and that is transferred to the next stage and output; and a closed state in the active period of the third clock signal. And an odd-numbered second switching element for applying feedback to the input / output of the odd-numbered latch buffer,
The even-numbered transfer unit circuits of the plurality of stages are even numbers that are closed during the active period of the second clock signal having an active period different from that of the first clock signal and pass the transfer pulse from the previous stage. A first-stage switching element, an even-stage latching buffer for generating a transfer pulse to which the transfer pulse is input and transferred to the next stage via the even-stage first switching element, and the third clock An even-numbered second switching element that is closed during an active period of the signal and applies feedback to the input / output of the even-numbered latch buffer;
The third clock signal is a logical sum signal of the first and second clock signals, and is a clock signal delayed by a predetermined amount with respect to the first and second clock signals. Shift register.
前記所定量は、前記奇数段及び偶数段ラッチ用バッファの夫々における転送動作の遅延量よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。   2. The shift register according to claim 1, wherein the predetermined amount is larger than a delay amount of a transfer operation in each of the odd-stage and even-stage latch buffers. 前記奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子は夫々、互いに異なる導電型のトランジスタを用いて構成されること
を特徴とする請求項1又は2に記載のシフトレジスタ。
3. The shift register according to claim 1, wherein the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements are configured using transistors of different conductivity types.
前記奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子は夫々、エンハンスメント型トランジスタを用いて構成されること
を特徴とする請求項3に記載のシフトレジスタ。
4. The shift register according to claim 3, wherein each of the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements is configured by using an enhancement type transistor.
前記第1、第2及び第3クロック信号、並びに前記スタートパルスの電圧は夫々、当該シフトレジスタに入力される電源電圧と同じであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のシフトレジスタ。   5. The voltage of the first, second and third clock signals and the start pulse are the same as the power supply voltage input to the shift register, respectively. The shift register described. 前記奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子は夫々、互いに同一の導電型のトランジスタを用いて構成されること
を特徴とする請求項1又は2に記載のシフトレジスタ。
3. The shift register according to claim 1, wherein the odd-numbered or even-numbered first and second switching elements are configured using transistors having the same conductivity type.
前記奇数段又は偶数段第1及び第2スイッチング素子は夫々、薄膜トランジスタを用いて構成されること
を特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のシフトレジスタ。
7. The shift register according to claim 1, wherein the odd-numbered stage or even-numbered stage first and second switching elements are each configured using a thin film transistor.
前記奇数段及び偶数段ラッチ用バッファは夫々、直列接続された2個のインバータ回路を有し、該2個のインバータ回路のうち前記スタートパルス又は前記転送パルスが入力される側の一方は、対応する前記奇数段又は偶数段第1スイッチング素子の閾値電圧よりも高い閾値電圧を有するインバータ回路であることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のシフトレジスタ。   Each of the odd-stage and even-stage latch buffers has two inverter circuits connected in series, and one of the two inverter circuits to which the start pulse or the transfer pulse is input corresponds. The shift register according to claim 1, wherein the shift register is an inverter circuit having a threshold voltage higher than a threshold voltage of the odd-stage or even-stage first switching element. 前記複数段の並びに対して前記転送パルスが順次出力される順序を選択的に順方向又は逆方向に設定する転送方向設定手段を更に備えたことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のシフトレジスタ。   The transfer direction setting means for selectively setting the order in which the transfer pulses are sequentially output with respect to the plurality of stages to the forward direction or the reverse direction is further provided. The shift register described in the paragraph. 前記奇数段第1スイッチング素子と前記奇数段ラッチ用バッファとの間及び前記偶数段第1スイッチング素子と前記偶数段ラッチ用バッファとの間に夫々、前記入力された転送パルスの電圧を保持するための保持容量を更に備えたことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のシフトレジスタ。   To hold the voltage of the input transfer pulse between the odd-numbered stage first switching element and the odd-numbered-stage latching buffer and between the even-numbered stage first switching element and the even-numbered-stage latching buffer. The shift register according to claim 1, further comprising: a storage capacitor. 請求項1から10のいずれか一項に記載のシフトレジスタと、
前記第1及び第2クロック信号を生成すると共に、前記第1及び第2クロック信号を論理和し且つ遅延させることによって前記第3クロック信号を生成するクロック信号生成回路とを備えており、
前記シフトレジスタより直接又は他の回路を経て前記転送パルスが駆動信号として順次出力されることを特徴とする駆動回路。
A shift register according to any one of claims 1 to 10,
A clock signal generating circuit that generates the first and second clock signals and generates the third clock signal by logically summing and delaying the first and second clock signals;
The drive circuit, wherein the transfer pulse is sequentially output as a drive signal directly from the shift register or through another circuit.
前記他の回路は、前記第3クロック信号に基づいて、前記駆動信号が出力される期間が時間軸上で相互に重ならないように前記転送パルスに対して波形制御を行うイネーブル手段を含むことを特徴とする請求項11に記載の駆動回路。   The other circuit includes an enable unit that performs waveform control on the transfer pulse based on the third clock signal so that periods in which the drive signals are output do not overlap each other on a time axis. The drive circuit according to claim 11, wherein the drive circuit is characterized in that: 請求項11又は12に記載の駆動回路、及び前記順次出力される駆動信号に基づいて駆動される電気光学パネルを備えたことを特徴とする電気光学装置。   13. An electro-optical device comprising: the drive circuit according to claim 11; and an electro-optical panel driven based on the sequentially output drive signals. 請求項13に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 13. 複数段の転送単位回路において転送パルスを順次生成するシフトレジスタを駆動するシフトレジスタの駆動方法であって、
前記複数段のうち奇数段の前記転送単位回路において夫々、(i)奇数段スイッチング素子を第1クロック信号のアクティブ期間に閉状態とすることで、前段からの転送パルス又はスタートパルスを通過させ、(ii)該奇数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルス又はスタートパルスが入力される奇数段ラッチ用バッファによって、次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成し、(iii)奇数段第2スイッチング素子を第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態とすることで、前記奇数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける工程と、
前記複数段のうち偶数段の前記転送単位回路において夫々、(i)偶数段第1スイッチング素子を前記第1クロック信号とはアクティブ期間が異なる第2クロック信号の該アクティブ期間に閉状態とすることで、前段からの前記転送パルスを通過させ、(ii)該偶数段第1スイッチング素子を介して前記転送パルスが入力される偶数段ラッチ用バッファによって、次段へ転送され且つ出力される転送パルスを生成し、(iii)偶数段第2スイッチング素子を前記第3クロック信号のアクティブ期間に閉状態とすることで、前記偶数段ラッチ用バッファの出入力に帰還を掛ける工程と
を備え、
前記第3クロック信号は、前記第1及び第2クロック信号の論理和信号であって且つ前記第1及び第2クロック信号に対して所定量だけ遅延されているクロック信号であることを特徴とするシフトレジスタの駆動方法。
A shift register driving method for driving a shift register that sequentially generates transfer pulses in a plurality of transfer unit circuits,
In each of the odd-stage transfer unit circuits of the plurality of stages, (i) by closing the odd-stage switching element during the active period of the first clock signal, the transfer pulse or start pulse from the previous stage is passed, (ii) an odd-stage latch buffer to which the transfer pulse or start pulse is input via the odd-stage first switching element generates a transfer pulse that is transferred to the next stage and output; (iii) the odd-number stage Applying a feedback to the input / output of the odd-stage latch buffer by closing the second switching element during an active period of the third clock signal;
(I) The even-numbered first switching element is closed in the active period of the second clock signal having an active period different from that of the first clock signal in each of the even-numbered transfer unit circuits of the plurality of stages. Then, the transfer pulse from the previous stage is passed, and (ii) the transfer pulse that is transferred to the next stage and output by the even-stage latch buffer to which the transfer pulse is input via the even-numbered first switching element. And (iii) applying feedback to the input / output of the even-stage latching buffer by closing the even-stage second switching element during the active period of the third clock signal, and
The third clock signal is a logical sum signal of the first and second clock signals, and is a clock signal delayed by a predetermined amount with respect to the first and second clock signals. Driving method of shift register.
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