JP2005159148A - 半導体材料およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 室温で強磁性を有する半導体材料およびそれを用いた読み書き速度が速く、電源が切られても記憶が消えない所謂不揮発性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 MRAMの感磁層として磁性希薄半導体材料が用いられ、その組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mx As(Mは、遷移金属および希土類からなる元素群のうち少なくとも1種類の元素を表す)で示され、x,yの値は、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲にある。Mとしては、具体的にはMn(マンガン)が用いられる。感磁層の磁気モーメントの向きと、固定磁性層の磁気モーメントの向きが一致するときには、薄い絶縁層を同じ向きのスピンを持つ電子がトンネリングすることで、メモリはオン状態となり、磁気モーメントの向きが互いに逆向きのときには、電子はトンネリングを起こさず、メモリはオフ状態となる。
【選択図】 図5
【解決手段】 MRAMの感磁層として磁性希薄半導体材料が用いられ、その組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mx As(Mは、遷移金属および希土類からなる元素群のうち少なくとも1種類の元素を表す)で示され、x,yの値は、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲にある。Mとしては、具体的にはMn(マンガン)が用いられる。感磁層の磁気モーメントの向きと、固定磁性層の磁気モーメントの向きが一致するときには、薄い絶縁層を同じ向きのスピンを持つ電子がトンネリングすることで、メモリはオン状態となり、磁気モーメントの向きが互いに逆向きのときには、電子はトンネリングを起こさず、メモリはオフ状態となる。
【選択図】 図5
Description
本発明は、磁性希薄半導体を含む半導体材料、特に、(Ga1-y Iny )1-x Mx Asの組成式で表される半導体材料、およびこの半導体材料を用いた半導体装置に関する。
近年、II族−VI族あるいはIII族−V族系の化合物半導体に、磁性原子として遷移金属あるいは希土類の元素を添加してなる、所謂、磁性希薄半導体(Diluted Magnetic Semiconductor:DMS)の材料研究およびデバイスへの応用研究が盛んに行われている。
このうち、III族−V族系化合物半導体の構成材料として、砒素化ガリウム(GaAs)が一般に知られているが、このGaAs中のGaを全てインジウム(In)に置換した砒素化インジウム(InAs)およびGaAs中の一部のGaをInに置換した砒素化ガリウムインジウム(Ga1-y Iny As(0<y<1))が知られている。ここでは、これら2種類の化合物半導体をまとめて「Ga1-y Iny As(0<y≦1)」で表記し、砒素化インジウム半導体も含めてこれら2種類の化合物半導体を砒素化ガリウムインジウム半導体と呼ぶこととする。
砒素化ガリウムインジウム半導体に添加される遷移金属あるいは希土類の磁性を有する原子は、ガリウム原子あるいはインジウム原子と置換されると一般に考えられている。このように置換されてなる磁性希薄半導体を、(Ga1-y Iny )1-x Mx As(Mは、遷移金属および希土類からなる元素群から選択される少なくとも1種類の磁性元素,0<x<1,0<y≦1))と表記することができる。
一例として、砒素化ガリウムインジウム半導体に遷移金属であるマンガン(Mn)をドーピングした(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asで表記される磁性希薄半導体において、0<x<0.1の範囲でMnをドーピングして作製されたものが報告されている(例えば、非特許文献1参照)。そして、この磁性原子をドーピングすることにより強磁性が付与された磁性希薄半導体に対して外部磁場を印加すると電気抵抗が減少するという現象が知られている。これは磁場を印加するにつれて磁性希薄半導体中の磁性原子のスピンが一方向に揃うため、キャリアが散乱されにくくなるためと考えられている。
Applied Physics Letters ,volume 80, pp.1592-1594 (2002)
Applied Physics Letters ,volume 80, pp.1592-1594 (2002)
しかしながら、この磁性希薄半導体において、強磁性を出現する温度(キュリー温度:Tc)は120K(=−153℃)であり、室温よりもはるかに低い温度でしか強磁性を示さず、また、一般の化合物半導体は室温から温度を下げるにつれ自由電子が原子に拘束されるため電気抵抗が大きくなることから、磁性希薄半導体の半導体および磁性体の両特性は二律背反の関係であり、常温条件下で強磁性を利用できないという問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、室温条件下で強磁性を示す半導体材料およびこの半導体材料を用いた半導体装置を提供することにある。
本発明による半導体材料は、組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mx As(Mは、遷移金属および希土類からなる元素群のうち少なくとも1種類の元素を表す)で示され、x,yの値が、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲を満たすものであり、本発明の半導体装置は、この半導体材料を用いて構成される。
本発明の半導体材料によれば、組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mx Asで示されものにおいて、Ga、InおよびMの組成の関係を、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除き、0.1≦x≦0.3、且つ0<y≦1の範囲に設定するようにしたので、常温以上の温度で強磁性を発揮することができる。
また、本発明の半導体装置では、室温状態で強磁性を示す本発明の半導体材料を用いるようにしたので、例えば、読み書きの速度が速く、電源が切られても記憶が消えない、所謂不揮発性の記憶装置を実現することが可能になる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
本発明の一実施の形態に係る半導体材料は、組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asで表わされ、x,yの値が、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲を満たすものである。ここで、xおよびyの範囲は、以下に説明する電子状態計算のシミュレーション結果に基づくものである。
まず、キュリー温度(Tc)と、単位組成式(formula unit:f.u.)当たりの強磁性(Ferromagnetic :FM)状態(以下,FM状態と略す)の全エネルギー(EFM)、および単位組成式当たりのスピングラス(Spin glass:SG)状態(以下,SG状態と略す)の全エネルギー(ESG)との関係は、ボルツマン定数(kB )とドーパントのドープ率であるxを用いると、数1のように表される。この式を変形するとキュリー温度は数2のように求まる。
ここで、FM状態およびSG状態は、以下のように定義された磁気的状態を表している。すなわち、(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asにおける磁気的状態は、Mn原子のスピンの向きが互いに順方向に整列して磁気を帯びる、所謂強磁性(自発磁化)を示すFM状態の場合と、Mn原子のスピンの向きが互いに逆方向に整列して自発磁化を示さない反強磁性(AntiFerromagnetic : AF)状態(以下、AF状態と略す)の2つの状態が存在する。このAF状態と擬似的に見なせる場合として、Mn原子のスピンを系全体で平均化させたときの磁気モーメントが零であるような場合も含まれている。このような場合を、特にSG状態という。
従って、Mnの磁気的状態まで含めて(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asを表すと、(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asは、(Ga1-y Iny )1-x Mn↑x/2 Mn↑x/2 As、および(Ga1-y Iny )1-x Mn↑x/2 Mn↓x/2 Asという2つの状態を表現することができる。これら2つの状態をそれぞれ記載順にFM状態およびSG状態と定義する。但し、上記化学式における「↑」および「↓」は、Mn原子の磁気モーメントがそれぞれ上向きおよび下向きであることを示すものである。
次に、FM状態およびSG状態の全エネルギーであるEFMおよびESGの求め方について以下に説明する。
上記の2つの状態の全エネルギーは、第一原理計算と呼ばれる電子状態計算によって求めることができる。特に、SG状態のようなMn原子スピンを系全体で平均化させるような計算は、コヒーレントポテンシャル近似(Coherent Potential Approximation:CPA)と呼ばれる手法によって求めることができる。
このCPAを用いた電子状態計算手法の一つとして、KKR−CPA(Korringa-Kohn-Rostoker Coherent Potential Approximation )法と呼ばれる計算手法がある。このKKR−CPA法のプログラムの一つが、大阪大学 赤井久純教授が開発した、「MACHIKANEYAMA2000」と呼ばれるプログラム(H & M. Akai,Korringa-Kohn-Rostoker Coherent Potential Approximation Packege (H.Akai, Osaka University, 2000))である。
この「MACHIKANEYAMA2000」を用いて求めた、上述の(Ga1-y Iny )1-x Mn↑x/2 Mn↑x/2 As、および(Ga1-y Iny )1-x Mn↑x/2 Mn↓x/2 Asの状態の全エネルギーが、それぞれEFMおよびESGとなる。
次に、この(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asについて、電子状態計算から評価した結果について説明する。
図4は、(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asを構成するGaとInとの組成比を表すyの値を、0、0.5および1.0とした場合に、「MACHIKANEYAMA2000」を用いて電子状態計算を行なった結果から導かれるTcとMnのドープ率(x)との関係を表すものである。
この結果から、Ga1-x Mnx As(すなわち、y=0の場合)におけるTcは、xの増加、即ち、Mnのドープ率の増加とともに上昇するが、その上昇率はx=0.05付近から減少する傾向を示し、詳細に考察すると、Mnのドープ率が0<x<0.05の範囲におけるTcの上昇度が50K程度であるのに対し、0.05≦x≦0.3の範囲におけるTcの上昇度は、60K程度に留まっている。
一方、In1-x Mnx As(y=1の場合)および(Ga0.5 In0.5 )1-x Mnx As(y=0.5の場合)のTcは共に、Mnのドープ率が0<x<0.1の範囲に対して、y=0の場合よりも低い値となった。しかし、0.1≦x≦0.25の範囲においては、x=0.1の時、y=1の場合のTcがy=0の場合よりもわずかに低い値になったものの、y=0.5の場合およびy=1の場合のいずれのTcも、y=0の場合よりも高い値となった。また、0<x≦0.25の範囲の全体的な傾向として、y=0.5の場合およびy=1の場合における双方のTcは、ほぼ同様の上昇率を有しているが、y=0.5の場合のTcはy=1の場合のTcよりも常に高い値を示し、x=0.25の時にほぼ同じ値になり、その時のTcの値は250K程度であり、更に0.25<x≦0.3の範囲においては、y=0.5の場合のTcがy=1の場合よりも多少低くなったが、双方共に室温で強磁性を示すことが電子状態計算から示唆された。概して、本実施例の半導体材料の0.1≦x≦0.3におけるTcは、従来の磁性希薄半導体のTcよりも良好な結果が得られた。
また、図5は、(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asを構成するガリウムおよびインジウムのサイトに置換されるMnのドープ率を表すxの値を、0.025、0.05、0.10、0.15、0.20および0.30とした場合において、上述した計算手法を用いて電子状態計算を行なった結果から導かれるTcと、GaおよびInの組成比を表すyとの関係を示したものである。
この結果から、x=0.025、x=0.05、x=0.10、x=0.15およびx=0.20の場合における双方のTcは、0<y≦1の範囲では、230Kを常に下回り、常温で強磁性を示す傾向は見られなかった。一方、x=0.30の場合において、0<y≦0.75の範囲でTcが増加する傾向を示し、x=0.30の場合のy=0.75のときにおけるTcの値は、約300Kとなり、最大値となった。しかし0.75<y≦1の範囲におけるTcは、徐々に低下する傾向を示した。また、0<y≦1の範囲における、Mnのドープ率(x)が0.025、0.05、0.10、0.15、0.20および0.30の各場合の相対比較として、xの値が増加するに伴いTcが高い値を示す傾向が見られた。
以上のことから、(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asで表わされる半導体材料において、x,yの値が、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲を満たすことにより、常温で強磁性を発揮することが明らかになった。
以下、この半導体材料の製造方法について説明する。
基板温度を例えば約460℃に設定し、例えば、サファイア(0001)単結晶基板上に、分子線エピタキシー(Molecular beam epitaxy:MBE)法による超高真空中での蒸着により、アモルファス状態のGa1-y Iny As(0<y<1)を堆積する。続いて、アニール処理を施すことにより単結晶化し、膜厚が50nm以上100nm以下程度の低温バッファ層を形成する。その後、基板温度を100℃以上260℃以下程度に設定して低温バッファ層の上に(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asを100nm以上500nm以下程度に成長させて半導体材料が完成する。
ここで、(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asを構成するGa、InおよびMnの組成比であるxおよびyの値は、超高真空中での蒸着量に応じて変えることが可能である。特に、xの増加、即ちMnのドープ率を高くする場合には、(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asの基板温度を低くする必要がある。
このようにして得られた組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asで表わされる半導体材料は、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲を満たすことにより、室温状態で強磁性を示すものである。この半導体材料は、例えば図1に示したような不揮発性固体磁気メモリ(Magnetoresistive Random Access Memory :MRAM)を構成する層に適用することができる。
すなわち、このMRAMでは、半導体基板10の局部酸化(local oxidation of silicon:LOCOS)により形成された素子分離絶縁膜層11によって分割された領域に、ソース領域12とドレイン領域13が形成されており、これらソース領域12とドレイン領域13との間の領域にゲート絶縁膜14を介してゲート電極15が設けられることにより絶縁ゲート型電界効果(Metal-Insulator-Semiconductor :MIS)トランジスタが構成されている。このMISトランジスタの上には、層間絶縁膜16を間にしてワード線17、Ga1-y Iny Asバッファ層18、(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層20、絶縁層21、固定磁性層22およびビット線23がこの順に積層された積層構造が設けられている。Ga1-y Iny Asバッファ層18とMISトランジスタのドレイン領域13とはコンタクトプラグ兼下部電極19により電気的に接続されている。ビット線23は層間絶縁膜16により覆われている。ここで、(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層20は前述の組成からなる磁性希薄半導体材料により形成された感磁層である。
このような構成を有するMRAMは、例えば次のようにして製造することができる。
まず、図2(A)に示したように、例えば、シリコン(Si)からなる半導体基板10の素子形成部内に、LOCOS法によりSiO2 に変質させてなる素子分離絶縁層11を形成する。次に、図2(B)に示したように、半導体基板10の表面を熱酸化してSiO2 によるゲート絶縁膜14を形成する。次いで、このゲート絶縁膜14の上に多結晶シリコンを形成し、パターンエッチングしてゲート電極15を形成する。また、素子分離絶縁層11とゲート絶縁膜14との間のパターンエッチングされた箇所にそれぞれソース領域12およびドレイン領域13を形成する。続いて、図2(C)に示したように、例えばBPSG(Boro-Phospho-Silicate Glass)からなる層間絶縁膜16Aを半導体基板10の全面に積層した後、平坦化逆エッチングを行う。その後、例えば、スパッタリング法などを用いてアルミニウム層および厚さが50nm程度のGa1-y Iny As層をこの順に積層し、さらにパターンエッチングを施すことにより、ワード線17およびGa1-y Iny Asバッファ層18を形成する。
更に、図3(A)に示したように、層間絶縁膜16Aと同様に層間絶縁膜16Bを半導体基板10の全面に積層した後、平坦化逆エッチングを行う。そののちコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内に不純物が添加された多結晶シリコンを埋め込むことによりコンタクトプラグ兼下部電極19を形成する。続いて更に、図3(B)に示したように、上述の組成を有する(Ga1-y Iny )1-x Mnx Asを厚さ100nm程度に積層し、更に絶縁性を有し厚さが0.8nm程度の酸化アルミニウムを積層し、更に酸化アルミニウム層の上に、固定磁性層として膜厚が10nm程度にイリジウム・マンガン(Ir・Mn)合金を積層したのち、パターンエッチングを施すことにより、(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層20、絶縁層21および固定磁性層22を形成する。更に、層間絶縁膜16Aと同様に層間絶縁膜16Cを半導体基板10の全面に積層する。
最後に、例えばスパッタリング法などにより、例えばアルミニウム(Al)を積層することによりビット線23を形成し、このビット線23の上に層間絶縁膜16Dを積層して、図1に示したMRAMが完成する。
このMRAMは、電子のトンネリングによりメモリ動作が行われるTRAMであり、ワード線17およびビット線23を流れる電流が作る合成磁界によって、(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層20の磁気モーメントの向きが反転し、その向きによって「0」および「1」の情報が記憶される。すなわち、(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層20の磁気モーメントの向きと、固定磁性層22の磁気モーメントの向きが一致するときには、薄い絶縁層21を同じ向きのスピンを持つ電子がトンネリングすることで、メモリはオン状態となる。一方、(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層20の磁気モーメントの向きと、固定磁性層22の磁気モーメントの向きが逆向きのときには、電子はトンネリングを起こさず電流は流れない、即ち、メモリはオフ状態となる。
このように本実施の形態のMRAMでは、(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層20が前述の組成を有し、室温状態で強磁性を示すものであるため、読み書きの速度が速く、不揮発性を有するものとなる。
なお、上記実施の形態では、(Ga1-y Iny )1-x Mx Asで表される半導体材料にドーピングする磁性原子(M)としてマンガン(Mn)を用いたが、その他、バナジウム(V)、クロム(Cr)などの遷移金属、あるいはセレン(Ce),プラセオジム(Pr)およびネオジム(Nd)などの希土類元素を添加した場合でも、上述の電子状態計算から同様の効果を得ることができるものと予測することができる。
また、上記実施の形態では本発明の半導体材料をMRAMに適用した例について説明したが、MRAM以外の素子についても適宜適用可能である。
10…半導体基板、11…素子分離絶縁層、12…ソース領域、13…ドレイン領域、14…ゲート絶縁膜、15…ゲート電極、16…層間絶縁膜、17…ワード線、18…Ga1-y Iny Asバッファ層、19…コンタクトプラグ兼下部電極、20…(Ga1-y Iny )1-x Mnx As層、21…絶縁層、22…固定磁性層、23…ビット線
Claims (4)
- 組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mx As(Mは、遷移金属および希土類からなる元素群のうち少なくとも1種類の元素を表す)で示される半導体材料であって、
前記x,yの値が、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲である
ことを特徴とする半導体材料。 - 前記MはMn(マンガン)である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体材料。 - 組成式が(Ga1-y Iny )1-x Mx As(Mは、遷移金属および希土類からなる元素群のうち少なくとも1種類の元素を表す)で示される半導体材料を用いた半導体装置であって、
前記x,yの値が、0.1≦x≦0.3、0<y≦1(但し、0.10≦x<0.13且つy=0.53の範囲を除く)の範囲である
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記MはMn(マンガン)である
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
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