JP2005156224A - Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and manufacturing equipment of radiographic image conversion panel - Google Patents

Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and manufacturing equipment of radiographic image conversion panel Download PDF

Info

Publication number
JP2005156224A
JP2005156224A JP2003391979A JP2003391979A JP2005156224A JP 2005156224 A JP2005156224 A JP 2005156224A JP 2003391979 A JP2003391979 A JP 2003391979A JP 2003391979 A JP2003391979 A JP 2003391979A JP 2005156224 A JP2005156224 A JP 2005156224A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
phosphor layer
image conversion
conversion panel
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003391979A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukito Nakamura
幸登 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Original Assignee
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Medical and Graphic Inc filed Critical Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority to JP2003391979A priority Critical patent/JP2005156224A/en
Publication of JP2005156224A publication Critical patent/JP2005156224A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Radiography Using Non-Light Waves (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for radiographic image conversion panel and manufacturing equipment for radiographic image conversion panel with high productivity. <P>SOLUTION: The manufacturing equipment of radiographic image conversion panel 3 has a first manufacturing part 35 for forming a stimulable phosphor layer 12 on the formed surface of a substrate 11, a second manufacturing part 38 for sealing the surface of the stimulable phosphor layer 12 with a protective film and a second selection chamber 36 for selecting the substrate 11. In the second selection chamber 36, the surface roughness A of the formed surface of the substrate 11 before forming the stimulable phosphor layer 12 and the surface roughness of the stimulable phosphor layer 12 are compared. When the average value Rab[μm] of ¾A-B¾ and the maximum value RabZ[μm] fulfill 0≤Rab<2.0 and 0≤Rab Z<3.0, the substrate 11 is carried to the first manufacturing part 35. When they do not satisfy, the substrate 11 is to be carried out of a load lock chamber 34. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルを製造する、放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルの製造装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a radiation image conversion panel and a device for manufacturing a radiation image conversion panel, which manufacture a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor.

近年、放射線像を記録する記録媒体として、基板上に輝尽性蛍光体層及び封止層が設けられた放射線画像変換パネルが用いられている(例えば、特許文献1参照)。   In recent years, a radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer and a sealing layer are provided on a substrate has been used as a recording medium for recording a radiation image (see, for example, Patent Document 1).

放射線画像変換パネルは、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体層で吸収するようになっている。そして、放射線画像変換パネルに蓄積された放射線エネルギーは、ある種のエネルギーにより励起される結果、輝尽発光として放射され、画像に変換されるようになっている。   The radiation image conversion panel absorbs radiation transmitted through a subject with a stimulable phosphor layer. The radiation energy accumulated in the radiation image conversion panel is excited by a certain kind of energy, and as a result, is emitted as stimulated emission and converted into an image.

このような放射線画像変換パネルは、気相堆積法や塗布法などによって基板の表面に輝尽性蛍光体層を形成し、続いて、防湿性の保護フィルム等によって輝尽性蛍光体層の表面を封止することによって製造されている。   In such a radiation image conversion panel, a stimulable phosphor layer is formed on the surface of a substrate by a vapor deposition method or a coating method, and then the surface of the stimulable phosphor layer is formed by a moisture-proof protective film or the like. It is manufactured by sealing.

ところで、放射線画像変換パネルと同様に基板と、気相堆積によって形成される堆積層と、フィルムなどの封止層とを有するものとして、有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子とする)がある。この有機EL素子の製造方法として、気相堆積の後に電圧を印加して堆積層の発光特性を検査し、検査結果が良いものだけに封止層を設ける方法がある(例えば、特許文献2参照)。この方法によれば、検査結果が悪い場合に封止層を設けない分だけ生産性を高めることができる。
米国特許第3,859,527号明細書 特開2001−291585号公報
By the way, an organic electroluminescent element (henceforth an organic EL element) as what has a board | substrate, the deposition layer formed by vapor-phase deposition, and sealing layers, such as a film, similarly to a radiation image conversion panel. is there. As a method for manufacturing this organic EL element, there is a method in which a voltage is applied after vapor deposition to inspect the light emission characteristics of the deposited layer, and a sealing layer is provided only for those having good inspection results (see, for example, Patent Document 2). ). According to this method, when the inspection result is bad, the productivity can be increased by the amount that the sealing layer is not provided.
US Pat. No. 3,859,527 JP 2001-291585 A

しかしながら、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は電圧の印加によって発光するものではないため、上記特許文献2に開示の技術をそのまま放射線画像変換パネルに適用することはできない。また、輝尽性蛍光体層の状態を検査するのに単純に輝尽性蛍光体層にX線潜像を形成して読取光で読み取ることとすると、潜像を形成してから読み取りを行う分、手間がかかってしまう。   However, since the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel does not emit light when a voltage is applied, the technique disclosed in Patent Document 2 cannot be directly applied to the radiation image conversion panel. Further, in order to inspect the state of the photostimulable phosphor layer, if an X-ray latent image is simply formed on the photostimulable phosphor layer and read with reading light, reading is performed after the latent image is formed. It takes time and effort.

そのため、放射線画像変換パネルの製造では、輝尽性蛍光体層の状態を検査することができないため、劣悪に形成された輝尽性蛍光体層の表面にも保護フィルムを設ける場合が生じてしまい、その分だけ生産性が低くなっている。   Therefore, in the production of the radiation image conversion panel, the state of the photostimulable phosphor layer cannot be inspected, and thus a protective film may be provided on the surface of the poorly formed photostimulable phosphor layer. , Productivity is lowered accordingly.

本発明の課題は、生産性の高い放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルの製造装置を提供することである。   The subject of this invention is providing the manufacturing method of a radiographic image conversion panel with high productivity, and the manufacturing apparatus of a radiographic image conversion panel.

請求項1記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する第1物理量を測定した後に前記第1工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第2物理量を測定し、
前記第1物理量と前記第2物理量との比較結果が所定の条件を満たす場合に前記第2工程を行うことを特徴とする。
The invention described in claim 1
A first step of forming a photostimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A method for producing a radiation image conversion panel comprising a second step of sealing the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
Of the front and back surfaces of the substrate, after measuring a first physical quantity related to the shape of the surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, the first step is performed,
Next, a second physical quantity related to the shape of the surface of the photostimulable phosphor layer is measured,
The second step is performed when a comparison result between the first physical quantity and the second physical quantity satisfies a predetermined condition.

請求項1記載の発明によれば、第1物理量と第2物理量との比較結果が所定の条件を満たさない基板、つまり劣悪な品質の放射線画像変換パネルとなることが予想される基板に対し、封止を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。   According to the first aspect of the present invention, for a substrate in which the comparison result between the first physical quantity and the second physical quantity does not satisfy a predetermined condition, that is, a substrate that is expected to be a radiological image conversion panel with poor quality, The trouble of sealing can be saved. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel can be increased by the amount that it is not necessary to form a poor stimulable phosphor layer. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

請求項2記載の発明は、請求項1記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記第1物理量として、前記被形成面の表面粗さAを、
前記第2物理量として、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さBを、
前記所定の条件として、
0≦Rab<2.0、かつ
0≦Rab・Z<3.0
(但し、Rabは|A−B|の平均値[μm]、Rab・Zは|A−B|の最大値[μm])
を用いることを特徴とする。
Invention of Claim 2 is a manufacturing method of the radiation image conversion panel of Claim 1,
As the first physical quantity, the surface roughness A of the surface to be formed is
As the second physical quantity, the surface roughness B of the surface of the photostimulable phosphor layer,
As the predetermined condition,
0 ≦ Rab <2.0, and 0 ≦ Rab · Z <3.0
(However, Rab is the average value of | A−B | [μm], Rab · Z is the maximum value of | A−B | [μm])
It is characterized by using.

ここで、2.0≦Rabの場合と、3.0≦Rab・Zの場合とには、輝尽性蛍光体層の厚さが均一でないため、放射線画像変換パネルの品質が劣悪になることが予想される。
請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の発明と同様の効果を得ることができる。
Here, in the case of 2.0 ≦ Rab and 3.0 ≦ Rab · Z, the thickness of the stimulable phosphor layer is not uniform, so that the quality of the radiation image conversion panel is deteriorated. Is expected.
According to the invention described in claim 2, the same effect as that of the invention described in claim 1 can be obtained.

なお、表面粗さとしては、平均粗さRaや最大粗さRz・D等を用いることができる。これらの粗さとは、表面のうち最も低い部分を基準面として測定されるものである。表面粗さの測定には、ダイヤルゲージや光学式変位計、光学顕微鏡、暗視野光学方式の測定機器などを用いることができる。光学式変位計としては、東京精密社製の表面粗さ計「サーフコム1600A」等を用いることができる。   In addition, as surface roughness, average roughness Ra, maximum roughness Rz * D, etc. can be used. These roughnesses are measured using the lowest part of the surface as a reference plane. For the measurement of the surface roughness, a dial gauge, an optical displacement meter, an optical microscope, a dark field optical measuring instrument, or the like can be used. As the optical displacement meter, a surface roughness meter “Surfcom 1600A” manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. can be used.

請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記基板として、前記被形成面の形状が
0.05<Ra<2.0、かつ
(但し、Raは前記被形成面の平均粗さ[μm])
0.1<Rz・D<3.0
(但し、Rz・Dは前記被形成面の最大粗さ[μm])
を満たすものを用いることを特徴とする。
Invention of Claim 3 is a manufacturing method of the radiographic image conversion panel of Claim 1 or 2,
As the substrate, the shape of the surface to be formed is 0.05 <Ra <2.0, and (where Ra is the average roughness [μm] of the surface to be formed)
0.1 <Rz · D <3.0
(However, Rz · D is the maximum roughness of the surface to be formed [μm])
It is characterized by using what satisfies.

ここで、被形成面の平均粗さRaが0.05以下の場合と、最大粗さRz・Dが0.1以下の場合とには、被形成面の平滑性が良すぎる結果、輝尽性蛍光体層と基板との接着性が悪くなるため、輝尽性蛍光体層が剥離しやすくなる。
また、平均粗さRaが2.0以上の場合と、最大粗さRz・Dが3.0以上の場合とには、輝尽性蛍光体層の膜厚にムラが生じる結果、良好な画質が得られなくなる。
Here, when the average roughness Ra of the surface to be formed is 0.05 or less and when the maximum roughness Rz · D is 0.1 or less, the smoothness of the surface to be formed is too good. Since the adhesive property between the phosphor layer and the substrate is deteriorated, the stimulable phosphor layer is easily peeled off.
Further, when the average roughness Ra is 2.0 or more and when the maximum roughness Rz · D is 3.0 or more, the film thickness of the photostimulable phosphor layer is uneven, resulting in good image quality. Cannot be obtained.

請求項3記載の発明によれば、基板を選別した後に輝尽性蛍光体層の形成を行うことにより、被形成面の形状が前記条件を満たさず、劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されることが予想される基板に対し、輝尽性蛍光体層の形成を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの生産性を更に高めることができる。また、放射線画像変換パネルをより高い品質に安定させることができる。   According to the invention described in claim 3, by forming the photostimulable phosphor layer after selecting the substrate, the shape of the surface to be formed does not satisfy the above condition, and a radiological image conversion panel with poor quality is manufactured. It is possible to save the trouble of forming the photostimulable phosphor layer on the substrate expected to be formed. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel can be further increased by the amount that it is not necessary to form a poor photostimulable phosphor layer. Further, the radiation image conversion panel can be stabilized with higher quality.

請求項4記載の発明は、請求項3記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記被形成面の形状が前記条件を満たさない基板に対してクリーニングを行った後、前記被形成面の形状が前記条件を満たす基板に前記第1工程を行うことを特徴とする。
Invention of Claim 4 is a manufacturing method of the radiographic image conversion panel of Claim 3,
The first step is performed on a substrate whose shape of the surface to be formed satisfies the condition after cleaning the substrate whose shape of the surface to be formed does not satisfy the condition.

請求項4記載の発明によれば、クリーニングの後に前記条件を満たす基板に第1工程を行うことにより、基板の無駄をなくすことができる。
なお、クリーニングの方法としては、エアーを吹きつける方法などが挙げられる。
According to the fourth aspect of the present invention, the waste of the substrate can be eliminated by performing the first step on the substrate that satisfies the condition after cleaning.
A cleaning method includes a method of blowing air.

請求項5記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定した後に前記第1工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定し、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に前記第2工程を行うことを特徴とする。
The invention according to claim 5
A first step of forming a photostimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A method for producing a radiation image conversion panel comprising a second step of sealing the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
Performing the first step after measuring the position of the concavo-convex portion on the surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, on the front and back surfaces of the substrate,
Next, the position of the uneven portion on the surface of the photostimulable phosphor layer is measured,
The second step is performed when the position of the uneven portion on the surface of the photostimulable phosphor layer corresponds to the position of the uneven portion on the surface to be formed.

ここで、輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合とは、輝尽性蛍光体層の表面と基板の被形成面とに凹部及び凸部の少なくとも一方がない場合も含み、輝尽性蛍光体層の厚みがほぼ均一であることを意味する。   Here, when the position of the concavo-convex portion on the surface of the photostimulable phosphor layer corresponds to the position of the concavo-convex portion on the surface to be formed, the concave portion is formed between the surface of the photostimulable phosphor layer and the surface to be formed of the substrate. In addition, including the case where there is no at least one of the convex portions, it means that the thickness of the photostimulable phosphor layer is substantially uniform.

請求項5記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置が被形成面における凹凸部の位置に対応していない場合、つまり、輝尽性蛍光体層の厚さが不均一であるために劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されると予想される場合には、第2工程を行う手間を省くことができる。従って、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。   According to the invention described in claim 5, when the position of the uneven portion on the surface of the stimulable phosphor layer does not correspond to the position of the uneven portion on the surface to be formed, that is, the thickness of the stimulable phosphor layer. If it is expected that a radiological image conversion panel with poor quality will be manufactured because of non-uniformity, it is possible to save the trouble of performing the second step. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel can be increased. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

請求項6記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に、前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する物理量を測定する第1測定装置と、
前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第2物理量を測定する第2測定装置と、
前記第1物理量と前記第2物理量との比較結果が所定の条件を満たす基板を選別して前記第2製造部に供給する第2選別装置とを有することを特徴とする。
The invention described in claim 6
A first manufacturing part for forming a stimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A radiation image conversion panel manufacturing apparatus having a second manufacturing unit that seals the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
A first measuring device that measures a physical quantity related to a shape of a surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, of the front and back surfaces of the substrate before the photostimulable phosphor layer is formed;
A second measuring device for measuring a second physical quantity related to the shape of the surface of the photostimulable phosphor layer;
And a second sorting device that sorts a substrate that satisfies a predetermined result of a comparison between the first physical quantity and the second physical quantity and supplies the selected substrate to the second manufacturing unit.

請求項6記載の発明によれば、第1物理量と第2物理量との比較結果が所定の条件を満たす基板を選別して第2製造部に供給する第2選別装置を有するので、第1物理量と第2物理量との比較結果が所定の条件を満たさない基板、つまり劣悪な品質の放射線画像変換パネルとなることが予想される基板に対し、封止を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。   According to the sixth aspect of the present invention, the second physical quantity is selected and the second physical quantity is supplied to the second manufacturing unit by selecting the substrate that satisfies the predetermined result of the comparison between the first physical quantity and the second physical quantity. And the second physical quantity can be saved with respect to a substrate that does not satisfy a predetermined condition, that is, a substrate that is expected to be a poor quality radiation image conversion panel. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel can be increased by the amount that it is not necessary to form a poor stimulable phosphor layer. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

請求項7記載の発明は、請求項6記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第1物理量は、前記被形成面の表面粗さAであり、
前記第2物理量は、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さBであり、
前記所定の条件とは、
0≦Rab<2.0、かつ
0≦Rab・Z<3.0
(但し、Rabは|A−B|の平均値[μm]、Rab・Zは|A−B|の最大値[μm])
であることを特徴とする。
請求項7記載の発明によれば、請求項6記載の発明と同様の効果を得ることができる。
A seventh aspect of the present invention is the radiation image conversion panel manufacturing apparatus according to the sixth aspect,
The first physical quantity is a surface roughness A of the surface to be formed,
The second physical quantity is a surface roughness B of the surface of the photostimulable phosphor layer,
The predetermined condition is
0 ≦ Rab <2.0, and 0 ≦ Rab · Z <3.0
(However, Rab is the average value of | A−B | [μm], Rab · Z is the maximum value of | A−B | [μm])
It is characterized by being.
According to the seventh aspect of the invention, the same effect as that of the sixth aspect of the invention can be obtained.

請求項8記載の発明は、請求項6または7記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第1測定装置の測定結果に基づき、前記被形成面の形状が
0.05<Ra<2.0、かつ
(但し、Raは前記被形成面の平均粗さ[μm])
0.1<Rz・D<3.0
(但し、Rz・Dは前記被形成面の最大粗さ[μm])
を満たす基板を選別して前記第1製造部に供給する第1選別装置を有することを特徴とする。
Invention of Claim 8 is a manufacturing apparatus of the radiographic image conversion panel of Claim 6 or 7,
Based on the measurement result of the first measuring device, the shape of the surface to be formed is 0.05 <Ra <2.0, and (where Ra is the average roughness [μm] of the surface to be formed)
0.1 <Rz · D <3.0
(However, Rz · D is the maximum roughness of the surface to be formed [μm])
It has the 1st sorter | sorting apparatus which sort | selects the board | substrate which satisfy | fills and supplies to the said 1st manufacturing part.

請求項8記載の発明によれば、前記基準を満たす基板を選別して第1製造部に供給する第1選別装置を有するので、被形成面の形状が所定の条件を満たさず、劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されることが予想される基板に対し、輝尽性蛍光体層の形成を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの更に生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルをより高い品質に安定させることができる。   According to the eighth aspect of the present invention, since the first selection device that selects the substrate that satisfies the above criteria and supplies it to the first manufacturing unit is provided, the shape of the surface to be formed does not satisfy the predetermined condition, and the quality is poor. This eliminates the trouble of forming the photostimulable phosphor layer on the substrate on which the radiation image conversion panel is expected to be manufactured. Accordingly, the productivity of the radiation image conversion panel can be further increased by the amount that it is not necessary to form a poor photostimulable phosphor layer. Further, the radiation image conversion panel can be stabilized with higher quality.

請求項9記載の発明は、請求項8記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記被形成面の形状が前記所定の条件を満たさない前記基板に対してクリーニングを行うクリーニング装置を備え、
前記第1測定装置は、前記クリーニング装置によるクリーニング後の前記被形成面の形状に関する前記物理量を測定し、測定結果を前記第1選別装置に送信することを特徴とする。
The invention according to claim 9 is the manufacturing apparatus for the radiation image conversion panel according to claim 8,
A cleaning device for cleaning the substrate whose shape of the surface to be formed does not satisfy the predetermined condition;
The first measuring device measures the physical quantity related to the shape of the surface to be formed after cleaning by the cleaning device, and transmits the measurement result to the first sorting device.

請求項9記載の発明によれば、クリーニングの後に前記所定の条件を満たす基板に輝尽性蛍光体層の形成を行うことにより、基板の無駄をなくすことができる。   According to the ninth aspect of the present invention, it is possible to eliminate the waste of the substrate by forming the photostimulable phosphor layer on the substrate satisfying the predetermined condition after cleaning.

請求項10記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定する第3測定装置と、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定する第4測定装置と、
前記基板を選別して前記第2製造部に供給する第3選別装置とを有し、
前記第3選別装置は、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に、前記基板を前記第2製造部に供給することを特徴とする。
The invention according to claim 10 is:
A first manufacturing part for forming a stimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A radiation image conversion panel manufacturing apparatus having a second manufacturing unit that seals the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
A third measuring device that measures the position of the concavo-convex portion on the surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, of the front and back surfaces of the substrate before the photostimulable phosphor layer is formed;
A fourth measuring device for measuring the position of the concavo-convex portion on the surface of the photostimulable phosphor layer before sealing with the protective film;
A third sorting device for sorting the substrate and supplying it to the second manufacturing unit;
The third sorting device includes:
The substrate is supplied to the second manufacturing unit when the position of the uneven portion on the surface of the photostimulable phosphor layer corresponds to the position of the uneven portion on the surface to be formed.

請求項10記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と被形成面における凹凸部の位置とが対応していない場合、つまり、輝尽性蛍光体層の厚さが不均一なために劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されると予想される場合には、保護フィルムを設ける手間を省くことができる。従って、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。   According to the invention described in claim 10, when the position of the uneven portion on the surface of the stimulable phosphor layer does not correspond to the position of the uneven portion on the surface to be formed, that is, the thickness of the stimulable phosphor layer. When it is expected that a radiological image conversion panel with poor quality due to non-uniformity will be produced, the trouble of providing a protective film can be saved. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel can be increased. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

請求項11記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面の状態を、紫外線の瞬時発光変化または透過信号変化によって観測する観測装置と、
前記観測装置の観測結果に基づいて前記基板を選別し、前記第2製造部に供給する第4選別装置とを有することを特徴とする。
The invention according to claim 11
A first manufacturing part for forming a stimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A method for producing a radiation image conversion panel having a second production part for sealing the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
An observation device that observes the state of the surface of the photostimulable phosphor layer by an instantaneous light emission change or a transmission signal change of ultraviolet light before being sealed with the protective film;
And a fourth sorting device for sorting the substrate based on the observation result of the observation device and supplying the substrate to the second manufacturing unit.

ここで、瞬時発光変化とは、輝尽性蛍光体層の表面における瞬時発光量の変化であり、製造される放射線画像変換パネルの輝度分布の推定を可能とするものである。
また、透過信号変化とは、輝尽性蛍光体層の表面における透過信号量の変化であり、製造される放射線画像変換パネルのX線吸収分布の推定を可能とするものである。
Here, the instantaneous light emission change is a change in the instantaneous light emission amount on the surface of the photostimulable phosphor layer, and enables estimation of the luminance distribution of the manufactured radiation image conversion panel.
The transmission signal change is a change in the transmission signal amount on the surface of the photostimulable phosphor layer, and enables estimation of the X-ray absorption distribution of the manufactured radiation image conversion panel.

請求項11記載の発明によれば、観測された瞬時発光変化または透過信号変化が劣悪である場合、つまり劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されると予想される場合には、保護フィルムを設ける手間を省くことができる。また、紫外線の瞬時発光変化または透過信号変化によって輝尽性蛍光体層の表面状態を評価するので、輝尽性蛍光体層にX線などの潜像を作って読取光で読み取る場合と異なり、一旦潜像を作る必要がない分、手間をかけずに輝尽性蛍光体層の表面状態を評価することができる。従って、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。
また、光線としてX線を使用する場合と異なり、ノイズの影響を受けない分だけ、評価精度を高めることができる。また、光線を集光ビームにすることができるため、輝尽性蛍光体層の微小領域毎の評価をすることができる。従って、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
According to the eleventh aspect of the present invention, when the observed instantaneous light emission change or transmission signal change is poor, that is, when it is expected that a radiological image conversion panel with poor quality will be manufactured, the protective film is used. The trouble of providing can be saved. In addition, since the surface state of the photostimulable phosphor layer is evaluated by the instantaneous light emission change or transmission signal change of ultraviolet rays, unlike a case where a latent image such as an X-ray is formed on the photostimulable phosphor layer and read by reading light, The surface state of the photostimulable phosphor layer can be evaluated without taking time since there is no need to form a latent image. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel can be increased.
Also, unlike the case of using X-rays as light rays, the evaluation accuracy can be increased by the amount not affected by noise. Moreover, since a light beam can be made into a condensed beam, it is possible to evaluate each minute region of the photostimulable phosphor layer. Therefore, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

請求項12記載の発明は、請求項11記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記紫外線の波長は、瞬時発光エネルギーの波長以下であることを特徴とする。
請求項12記載の発明によれば、請求項11記載の発明と同様の効果を得ることができる。
Invention of Claim 12 is a manufacturing method of the radiation image conversion panel of Claim 11,
The wavelength of the ultraviolet light is not more than the wavelength of instantaneous light emission energy.
According to the twelfth aspect, the same effect as that of the eleventh aspect can be obtained.

請求項1,5記載の発明によれば、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の発明と同様の効果を得ることができる。
According to invention of Claim 1, 5, productivity of a radiographic image conversion panel can be improved. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.
According to the invention described in claim 2, the same effect as that of the invention described in claim 1 can be obtained.

請求項3記載の発明によれば、請求項1または2記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。   According to the third aspect of the invention, the same effect as that of the first or second aspect of the invention can be obtained, and the productivity of the radiation image conversion panel can be increased. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

請求項4記載の発明によれば、請求項3記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、基板の無駄をなくすことができる。   According to the fourth aspect of the present invention, the same effect as the third aspect of the invention can be obtained, and the waste of the substrate can be eliminated.

請求項6,10,11記載の発明によれば、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
請求項7,12記載の発明によれば、請求項6,11記載の発明と同様の効果を得ることができる。
According to invention of Claim 6,10,11, productivity of a radiographic image conversion panel can be improved. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.
According to the seventh and twelfth aspects of the invention, the same effects as those of the sixth and eleventh aspects of the invention can be obtained.

請求項8記載の発明によれば、請求項6または7記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。   According to the invention described in claim 8, the same effects as those of the invention described in claim 6 or 7 can be obtained, and the productivity of the radiation image conversion panel can be increased. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

請求項9記載の発明によれば、請求項8記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、基板の無駄をなくすことができる。   According to the ninth aspect of the invention, the same effect as that of the eighth aspect of the invention can be obtained, and the waste of the substrate can be eliminated.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本実施の形態における放射線画像変換パネル1を示す断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a radiation image conversion panel 1 in the present embodiment.

この図に示すように、放射線画像変換パネル1は、被形成面(図1では上面)に輝尽性蛍光体層12が形成された基板11を有している。   As shown in this figure, the radiation image conversion panel 1 has a substrate 11 having a photostimulable phosphor layer 12 formed on a surface to be formed (upper surface in FIG. 1).

基板11には、各種のガラスや高分子材料、金属などが用いられている。ガラスとしては、石英ガラスやホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラスが好ましい。高分子材料としては、セルロースアセテートフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルムが好ましい。金属としては、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シートや、これらの金属の酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。   Various kinds of glass, polymer materials, metals, and the like are used for the substrate 11. As glass, plate glass, such as quartz glass, borosilicate glass, and chemically strengthened glass, is preferable. As the polymer material, a plastic film such as a cellulose acetate film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polyamide film, a polyimide film, a triacetate film, or a polycarbonate film is preferable. The metal is preferably a metal sheet such as an aluminum sheet, an iron sheet or a copper sheet, or a metal sheet having a coating layer of an oxide of these metals.

基板11の表面は滑面であっても良いし、マット面であっても良い。基板11の表面がマット面である場合には、基板11と輝尽性蛍光体層12との接着性を向上させることができる。また、基板11の被形成面には、輝尽性蛍光体層12との接着性を向上させる下引層を設けても良い。   The surface of the substrate 11 may be a smooth surface or a mat surface. When the surface of the substrate 11 is a matte surface, the adhesion between the substrate 11 and the photostimulable phosphor layer 12 can be improved. In addition, an undercoat layer that improves adhesion to the photostimulable phosphor layer 12 may be provided on the surface on which the substrate 11 is formed.

基板11の厚さは、一般的には80μm〜5000μmであり、取り扱い上の点から80μm〜3000μmであることが好ましい。   The thickness of the substrate 11 is generally 80 μm to 5000 μm, and preferably 80 μm to 3000 μm from the viewpoint of handling.

輝尽性蛍光体層12は、輝尽性蛍光体の柱状結晶13(図5参照)から形成されている。輝尽性蛍光体としては、一般式(1)で表されるものを使用することができる。
M1X・aM2X'2・bM3X''3:eA ・・・(1)
The stimulable phosphor layer 12 is formed from a columnar crystal 13 (see FIG. 5) of a stimulable phosphor. As the photostimulable phosphor, those represented by the general formula (1) can be used.
M 1 X · aM 2 X ' 2 · bM 3 X''3: eA ··· (1)

ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。 Here, M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and in particular, is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb and Cs. preferable.

また、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。 M 2 is at least one divalent metal selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, and in particular, selected from Be, Mg, Ca, Sr and Ba It is preferable that it is at least one divalent metal.

また、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。 M 3 is selected from the group consisting of Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, and In. It is preferably at least one trivalent metal, and particularly preferably at least one trivalent metal selected from the group consisting of Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd, Lu, Al, Ga, and In.

また、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にXはBr及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。   X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I, and in particular, X is at least one halogen selected from the group consisting of Br and I. Is preferred.

また、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。   A is a group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. And at least one metal selected from the group consisting of Eu, Cs, Sm, Tl and Na.

また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。 A, b, and e are numerical values in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <e ≦ 0.2, respectively, and in particular, b is a numerical value in the range of 0 ≦ b ≦ 10 −2 Is preferred.

輝尽性蛍光体層12は、気相堆積法や塗布法によって10〜1000μm、好ましくは10μm〜500μmの膜厚に形成されている。ここで、気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。   The photostimulable phosphor layer 12 is formed to a thickness of 10 to 1000 μm, preferably 10 μm to 500 μm, by a vapor deposition method or a coating method. Here, as the vapor deposition method, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like can be used.

基板11及び輝尽性蛍光体層12の表面には、輝尽性蛍光体層12を被覆して封止する防湿性保護フィルム20が設けられている。
防湿性保護フィルム20としては、酢酸セルロースやニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの樹脂フィルムを用いることができる。
A moisture-proof protective film 20 that covers and seals the photostimulable phosphor layer 12 is provided on the surfaces of the substrate 11 and the photostimulable phosphor layer 12.
Examples of the moisture-proof protective film 20 include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, poly Resin films such as trifluoride-ethylene chloride, ethylene tetrafluoride-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer can be used.

なお、防湿性保護フィルム20は、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を有していてもよい。このような無機物質としては、SiOx(SiO、SiO2)、Al2O3、ZrO2、SnO2,SiC、SiN等がある。これらの無機物質中において、特にAl2O3やSiOxは、光透過率が高く、また、クラックやマイクロポアが少ない緻密な膜を形成することができるので好ましい。 In addition, the moisture-proof protective film 20 may have a layer of an inorganic substance having low moisture permeability and oxygen permeability. Examples of such inorganic substances include SiO x (SiO, SiO 2 ), Al 2 O 3 , ZrO 2 , SnO 2 , SiC, and SiN. Among these inorganic substances, Al 2 O 3 and SiO x are particularly preferable because they have high light transmittance and can form a dense film with few cracks and micropores.

次に、本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置について説明する。
図2は、放射線画像変換パネルの製造装置(以下、製造装置とする)3の概略構成を示す図である。
Next, an apparatus for manufacturing a radiation image conversion panel according to the present invention will be described.
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a radiation image conversion panel manufacturing apparatus (hereinafter referred to as a manufacturing apparatus) 3.

この図に示すように、製造装置3は、内部に基板11を搬入するためのロードロック室31と、基板11や製造された放射線画像変換パネル1を搬出するためのロードロック室32,34,37とを有している。   As shown in this figure, the manufacturing apparatus 3 includes a load lock chamber 31 for carrying the substrate 11 therein, and load lock chambers 32, 34 for carrying out the substrate 11 and the manufactured radiation image conversion panel 1. 37.

これらロードロック室31,32,34,37は、製造装置3の内部を外気から遮断するようになっている。
ロードロック室31には、搬入された基板11を選別するための第1選別室33が搬送室30aを介して接続されている。
These load lock chambers 31, 32, 34, and 37 are configured to block the inside of the manufacturing apparatus 3 from the outside air.
A first sorting chamber 33 for sorting the loaded substrate 11 is connected to the load lock chamber 31 via a transfer chamber 30a.

第1選別室33は、図3に示すように、基板11の被形成面をクリーニングするクリーニング装置(図示せず)と、基板11の上方を移動する光学式変位計(第1測定装置,第3測定装置)330とを備えている。   As shown in FIG. 3, the first sorting chamber 33 includes a cleaning device (not shown) for cleaning the surface on which the substrate 11 is formed, and an optical displacement meter (first measuring device, first moving device) that moves above the substrate 11. 3 measuring device) 330.

クリーニング装置は、図示しないノズルから基板11の被形成面にエアーを吹きつけることにより、被形成面上の粉塵などを除去するようになっている。   The cleaning device removes dust and the like on the surface to be formed by blowing air from the nozzle (not shown) to the surface to be formed of the substrate 11.

光学式変位計330は、基板11の被形成面の形状に関する物理量、本実施の形態においては表面粗さAを測定するようになっている。   The optical displacement meter 330 measures a physical quantity related to the shape of the surface on which the substrate 11 is formed, that is, the surface roughness A in the present embodiment.

ここで、表面粗さAは、製造される放射線画像変換パネル1の品質を予想可能とするものである。
具体的には、表面粗さAのうち、平均粗さRa[μm]が0.05<Ra<2.0で、かつ最大粗さRz・D[μm]が0.1<Rz・D<3.0の場合には放射線画像変換パネル1の品質は良好になることが予想される。
Here, the surface roughness A makes it possible to predict the quality of the manufactured radiation image conversion panel 1.
Specifically, among the surface roughness A, the average roughness Ra [μm] is 0.05 <Ra <2.0, and the maximum roughness Rz · D [μm] is 0.1 <Rz · D <. In the case of 3.0, the quality of the radiation image conversion panel 1 is expected to be good.

一方、Ra≦0.05の場合と、Rz・D≦0.1の場合とには、被形成面の平滑性が良すぎる結果、輝尽性蛍光体層と基板との接着性が悪くなるため、輝尽性蛍光体層が剥離しやすくなることが予想される。また、2.0≦Raの場合と、3.0≦Rz・Dの場合とには、輝尽性蛍光体層の膜厚にムラが生じる結果、良好な画質が得られなくなることが予想される。   On the other hand, in the case of Ra ≦ 0.05 and Rz · D ≦ 0.1, the smoothness of the surface to be formed is too good, resulting in poor adhesion between the photostimulable phosphor layer and the substrate. Therefore, it is expected that the photostimulable phosphor layer is easily peeled off. In addition, in the case of 2.0 ≦ Ra and 3.0 ≦ Rz · D, it is expected that the film thickness of the photostimulable phosphor layer is uneven, so that good image quality cannot be obtained. The

これらクリーニング装置及び光学式変位計330には、演算装置(第1選別装置)331が接続されている。
演算装置331は、基板11の搬送装置(図示せず)と接続されており、光学式変位計330の測定結果に基づいて基板11の搬送先を決定するようになっている。具体的には、演算装置331は、基板11の被形成面の平均粗さRaが0.05<Ra<2.0を満たさない場合または最大粗さRz・Dが0.1<Rz・D<3.0を満たさない場合には搬送室30bを介して基板11をロードロック室34に搬送し、これらの条件をともに満たす場合には搬送室30cを介して基板11を第1製造部35に搬送するようになっている。
An arithmetic device (first sorting device) 331 is connected to the cleaning device and the optical displacement meter 330.
The arithmetic device 331 is connected to a transport device (not shown) for the substrate 11, and determines the transport destination of the substrate 11 based on the measurement result of the optical displacement meter 330. Specifically, the arithmetic unit 331 determines that the average roughness Ra of the surface of the substrate 11 does not satisfy 0.05 <Ra <2.0, or the maximum roughness Rz · D is 0.1 <Rz · D. <3.0 is not satisfied, the substrate 11 is transferred to the load lock chamber 34 via the transfer chamber 30b. If both of these conditions are satisfied, the substrate 11 is transferred to the first manufacturing unit 35 via the transfer chamber 30c. It is designed to be transported.

第1製造部35は、蒸着法によって基板11の被形成面に輝尽性蛍光体層12を形成するものである。より詳細には、第1製造部35は、図4に示すように、真空容器350の内部を真空に保つ真空ポンプ354を備えている。   The 1st manufacture part 35 forms the photostimulable fluorescent substance layer 12 in the to-be-formed surface of the board | substrate 11 by a vapor deposition method. More specifically, as shown in FIG. 4, the first manufacturing unit 35 includes a vacuum pump 354 that keeps the inside of the vacuum vessel 350 in a vacuum.

真空ポンプ354は、真空容器350の内部の排気及び真空容器350の内部への大気の導入を行うようになっている。
真空容器350の内部には、基板11を保持する基板ホルダ352が配設されている。
The vacuum pump 354 is configured to exhaust the inside of the vacuum vessel 350 and introduce the atmosphere into the vacuum vessel 350.
A substrate holder 352 that holds the substrate 11 is disposed inside the vacuum vessel 350.

基板ホルダ352は、基板11を加熱する加熱ヒータ(図示せず)を備えている。加熱ヒータは、基板11を加熱することによって基板11表面の吸着物を離脱させて除去するようになっている。これにより、基板11の被形成面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生するのが防止され、基板11と輝尽性蛍光体層12との密着性の強化や輝尽性蛍光体層12の膜質調整が行われる。   The substrate holder 352 includes a heater (not shown) that heats the substrate 11. The heater is configured to heat and remove the adsorbate on the surface of the substrate 11 by heating the substrate 11. This prevents the generation of an impurity layer between the surface on which the substrate 11 is formed and the photostimulable phosphor, thereby enhancing the adhesion between the substrate 11 and the photostimulable phosphor layer 12 and stimulating fluorescence. The film quality of the body layer 12 is adjusted.

基板ホルダ352は、回転機構353によって回転するようになっている。回転機構353は、例えば、基板ホルダ352を支持する回転軸353aと、真空容器350の外部に配置されて回転軸353aを回転させるモータ(図示せず)等とから構成されている。   The substrate holder 352 is rotated by a rotation mechanism 353. The rotation mechanism 353 includes, for example, a rotation shaft 353a that supports the substrate holder 352, and a motor (not shown) that is disposed outside the vacuum vessel 350 and rotates the rotation shaft 353a.

基板ホルダ352の下方には、輝尽性蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱する蒸発源351が配設されている。この蒸発源351は、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、高融点金属からなるヒータやボートから構成しても良い。なお、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法に限らず、電子ビームによる加熱や高周波誘導による加熱等の方法でも良い。また、蒸発源351は分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。   Below the substrate holder 352, an evaporation source 351 that houses the stimulable phosphor and heats it by a resistance heating method is disposed. The evaporation source 351 may be composed of an alumina crucible around which a heater is wound, or may be composed of a heater or a boat made of a refractory metal. The method for heating the photostimulable phosphor is not limited to the resistance heating method, and may be a method such as heating by an electron beam or heating by high frequency induction. The evaporation source 351 may be a molecular beam source by a molecular source epitaxial method.

なお、基板11と蒸発源351との間には、蒸発源351から基板11に至る空間を遮断するシャッタ(図示せず)を配設することとしても良い。この場合には、シャッタによって輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、基板11に付着するのを防ぐことができる。   A shutter (not shown) that blocks the space from the evaporation source 351 to the substrate 11 may be provided between the substrate 11 and the evaporation source 351. In this case, substances other than the target substance attached to the surface of the photostimulable phosphor by the shutter can be prevented from evaporating at the initial stage of vapor deposition and adhering to the substrate 11.

第1製造部35によって被形成面に輝尽性蛍光体層12が形成された基板11は、搬送室30dを介して第2選別室36に搬送されるようになっている。   The substrate 11 on which the photostimulable phosphor layer 12 is formed on the surface to be formed by the first manufacturing unit 35 is transferred to the second sorting chamber 36 via the transfer chamber 30d.

第2選別室36は、上記図3に示すように、光学式変位計(第4測定装置)360と、演算装置(第2選別装置)361とを備えている。光学式変位計360は、輝尽性蛍光体層12の表面の形状に関する物理量、本実施の形態においては表面粗さBを測定するようになっている。   As shown in FIG. 3, the second sorting chamber 36 includes an optical displacement meter (fourth measuring device) 360 and an arithmetic device (second sorting device) 361. The optical displacement meter 360 measures a physical quantity related to the shape of the surface of the photostimulable phosphor layer 12, that is, the surface roughness B in the present embodiment.

演算装置361は、光学式変位計330,360と接続されており、光学式変位計330,360の測定結果に基づいて基板11の被形成面における表面粗さAと、輝尽性蛍光体層12の表面における表面粗さBとを比較し、|A−B|の平均値Rab[μm]と最大値Rab・Z[μm]とを算出するようになっている。   The arithmetic device 361 is connected to the optical displacement meters 330 and 360, and the surface roughness A on the surface to be formed of the substrate 11 and the photostimulable phosphor layer based on the measurement results of the optical displacement meters 330 and 360. 12 are compared with the surface roughness B, and the average value Rab [μm] and the maximum value Rab · Z [μm] of | A−B | are calculated.

ここで、これら平均値Rabと最大値Rab・Zとは、製造される放射線画像変換パネル1の品質を予想可能とするものである。
具体的には、平均値Rabと最大値Rab・Zとが0.05<Rab<2.0、かつ0.1<Rab・Z<3.0を満たす場合には、放射線画像変換パネル1の品質は良好になることが予想される。
一方、2.0≦Rabの場合と、3.0≦Rab・Zの場合とには、輝尽性蛍光体層12の厚さが均一でないため、放射線画像変換パネル1の品質が劣悪になることが予想される。
Here, the average value Rab and the maximum value Rab · Z enable the quality of the manufactured radiation image conversion panel 1 to be predicted.
Specifically, when the average value Rab and the maximum value Rab · Z satisfy 0.05 <Rab <2.0 and 0.1 <Rab · Z <3.0, the radiation image conversion panel 1 Quality is expected to be good.
On the other hand, when 2.0 ≦ Rab and 3.0 ≦ Rab · Z, the thickness of the photostimulable phosphor layer 12 is not uniform, so that the quality of the radiation image conversion panel 1 becomes poor. It is expected that.

演算装置361は、基板11の搬送装置(図示せず)とも接続されており、平均値Rabと最大値Rab・Zとが前記条件を満たさない場合には、搬送室30eを介して基板11をロードロック室37に搬送し、満たす場合には搬送室30fを介して基板11を第2製造部38に搬送するようになっている。   The arithmetic device 361 is also connected to a transfer device (not shown) for the substrate 11, and when the average value Rab and the maximum value Rab · Z do not satisfy the above condition, the calculation device 361 moves the substrate 11 through the transfer chamber 30 e. When the substrate 11 is transferred to the load lock chamber 37 and filled, the substrate 11 is transferred to the second manufacturing unit 38 via the transfer chamber 30f.

第2製造部38は、輝尽性蛍光体層12の表面を防湿性保護フィルム20によって封止するものである。より詳細には、第2製造部38は、基板11の外周部よりも外側の部分で防湿性保護フィルム20を上下から加熱圧着することによって基板11及び輝尽性蛍光体層12を封止する圧着装置(図示せず)を有している。   The second manufacturing unit 38 seals the surface of the photostimulable phosphor layer 12 with the moisture-proof protective film 20. More specifically, the second manufacturing unit 38 seals the substrate 11 and the photostimulable phosphor layer 12 by heat-pressing the moisture-proof protective film 20 from above and below at a portion outside the outer peripheral portion of the substrate 11. It has a crimping device (not shown).

第2製造部38によって製造された放射線画像変換パネル1は、搬送室30gを介してロードロック室32に搬送された後、ロードロック室32から搬出されるようになっている。   The radiation image conversion panel 1 manufactured by the second manufacturing unit 38 is transported to the load lock chamber 32 via the transport chamber 30g and then unloaded from the load lock chamber 32.

続いて、輝尽性蛍光体層12の原料である輝尽性蛍光体の製造方法について説明する。
まず、下記(a)〜(d)の蛍光体原料を前記一般式(1)のa、b、eの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
Then, the manufacturing method of the photostimulable phosphor which is the raw material of the photostimulable phosphor layer 12 is demonstrated.
First, the following phosphor raw materials (a) to (d) are weighed so as to satisfy the ranges of a, b, and e in the general formula (1) and mixed with pure water. At this time, the mixture may be sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like.

ここで、(a)の蛍光体原料とは、LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIからなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物である。   Here, the phosphor raw material (a) is LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr And at least one compound selected from the group consisting of CsI.

また、(b)の蛍光体原料とは、BeF2、BeCl2、BeBr2、BeI2、MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI2、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2からなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物である。 In addition, the phosphor material of (b), BeF 2, BeCl 2, BeBr 2, BeI 2, MgF 2, MgCl 2, MgBr 2, MgI 2, CaF 2, CaCl 2, CaBr 2, CaI 2, SrF 2 , SrCl 2, SrBr 2, SrI 2, BaF 2, BaCl 2, BaBr 2, BaI 2, ZnF 2, ZnCl 2, ZnBr 2, ZnI 2, CdF 2, CdCl 2, CdBr 2, CdI 2, CuF 2, CuCl 2 , at least one compound selected from the group consisting of CuBr 2 , CuI 2 , NiF 2 , NiCl 2 , NiBr 2, and NiI 2 .

また、(c)の蛍光体原料とは、ScF3、ScCl3、ScBr3、ScI3、YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeF3、CeCl3、CeBr3、CeI3、PrF3、PrCl3、PrBr3、PrI3、NdF3、NdCl3、NdBr3、NdI3、PmF3、PmCl3、PmBr3、PmI3、SmF3、SmCl3、SmBr3、SmI3、EuF3、EuCl3、EuBr3、EuI3、GdF3、GdCl3、GdBr3、GdI3、TbF3、TbCl3、TbBr3、TbI3、DyF3、DyCl3、DyBr3、DyI3、HoF3、HoCl3、HoBr3、HoI3、ErF3、ErCl3、ErBr3、ErI3、TmF3、TmCl3、TmBr3、TmI3、YbF3、YbCl3、YbBr3、YbI3、LuF3、LuCl3、LuBr3、LuI3、AlF3、AlCl3、AlBr3、AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InCl3、InBr3及びInI3からなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物である。 In addition, the phosphor material of (c), ScF 3, ScCl 3, ScBr 3, ScI 3, YF 3, YCl 3, YBr 3, YI 3, LaF 3, LaCl 3, LaBr 3, LaI 3, CeF 3 , CeCl 3, CeBr 3, CeI 3, PrF 3, PrCl 3, PrBr 3, PrI 3, NdF 3, NdCl 3, NdBr 3, NdI 3, PmF 3, PmCl 3, PmBr 3, PmI 3, SmF 3, SmCl 3 , SmBr 3 , SmI 3 , EuF 3 , EuCl 3 , EuBr 3 , EuI 3 , GdF 3 , GdCl 3 , GdBr 3 , GdI 3 , TbF 3 , TbCl 3 , TbBr 3 , TbI 3 , DyF 3 , DyF 3 , DyCl 3 DyBr 3, DyI 3, HoF 3 , HoCl 3, HoBr 3, HoI 3, ErF 3, ErCl 3, ErBr 3, ErI 3, TmF 3, TmCl 3, TmBr 3, TmI 3, YbF 3, YbCl 3, YbBr 3 , YbI 3 , LuF 3 , LuCl 3 , LuBr 3 , LuI 3 , AlF 3 , AlCl 3 , AlBr 3 , AlI 3 , GaF 3 , GaCl 3 , GaBr 3 , GaI 3 , InF 3 , InCl 3 , InBr 3 and InI These are at least one compound or two or more compounds selected from the group consisting of 3 .

更に、(d)の蛍光体原料とは、Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の金属である。   Furthermore, the phosphor material (d) includes Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, It is at least one or two or more metals selected from the group consisting of Ag, Cu and Mg.

これら蛍光体原料を純水中で混合したら、得られた混合液のpH値Cを0<C<7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。   When these phosphor materials are mixed in pure water, a predetermined acid is added so that the pH value C of the obtained mixed solution is adjusted to 0 <C <7, and then water is evaporated.

混合液の水分を蒸発気化させたら、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。これにより、輝尽性蛍光体が製造される。   When the water in the mixed solution is evaporated, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. Thereby, a photostimulable phosphor is manufactured.

ここで、焼成温度は500〜1000℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、0.5〜6時間が好ましい。
また、焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、希ガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
Here, the firing temperature is preferably 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature and the like, but is preferably 0.5 to 6 hours.
The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and a rare gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weakly oxidizing atmosphere containing is preferable.

なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行うこととしても良い。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することとしても良い。これらの場合には、輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができる。   After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and refired under the same firing conditions as above. It's also good. Alternatively, the fired product may be moved from the heating unit to the cooling unit in an electric furnace and rapidly cooled in a weak reducing atmosphere, a neutral atmosphere, or a weak oxidizing atmosphere. In these cases, the light emission luminance of the photostimulable phosphor can be further increased.

続いて、本発明に係る放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。
まず、基板11をロードロック室31から製造装置3の内部に搬入する。ロードロック室31内に基板11が搬入されると、図示しない搬送装置が基板11を第1選別室33に搬送する。
Then, the manufacturing method of the radiographic image conversion panel which concerns on this invention is demonstrated.
First, the substrate 11 is carried into the manufacturing apparatus 3 from the load lock chamber 31. When the substrate 11 is carried into the load lock chamber 31, a transfer device (not shown) transfers the substrate 11 to the first sorting chamber 33.

第1選別室33に基板11が搬送されると、前記クリーニング装置が基板11の被形成面をクリーニングする。これにより、被形成面の粉塵などが除去される。
次に、光学式変位計330が基板11の被形成面の表面粗さAを測定する。
When the substrate 11 is transferred to the first sorting chamber 33, the cleaning device cleans the surface on which the substrate 11 is formed. Thereby, dust on the surface to be formed is removed.
Next, the optical displacement meter 330 measures the surface roughness A of the formation surface of the substrate 11.

測定された表面粗さAのうち、平均粗さRaが0.05<Ra<2.0を満たさない場合または最大粗さRz・Dが0.1<Rz・D<3.0を満たさない場合には、再度クリーニング装置が基板11の被形成面をクリーニングし、光学式変位計330が被形成面の表面粗さAを測定する。そして、クリーニング後にも平均粗さRaが0.05<Ra<2.0を満たさない場合または最大粗さRz・Dが0.1<Rz・D<3.0を満たさない場合、つまり、劣悪な品質の放射線画像変換パネル1が製造されると予想される場合には、演算装置331は、図示しない搬送装置によって基板11をロードロック室34へ搬送させる。ロードロック室34に搬送された基板11は、製造装置3から搬出されて破棄される。
これにより、劣悪な品質の放射線画像変換パネル1となることが予想される基板11に対して輝尽性蛍光体層12を形成する手間が省かれる。
Of the measured surface roughness A, when the average roughness Ra does not satisfy 0.05 <Ra <2.0, or the maximum roughness Rz · D does not satisfy 0.1 <Rz · D <3.0. In this case, the cleaning device again cleans the surface on which the substrate 11 is formed, and the optical displacement meter 330 measures the surface roughness A of the surface to be formed. And even after cleaning, when the average roughness Ra does not satisfy 0.05 <Ra <2.0, or when the maximum roughness Rz · D does not satisfy 0.1 <Rz · D <3.0, that is, it is inferior. When it is expected that a radiographic image conversion panel 1 of a high quality will be manufactured, the arithmetic device 331 causes the substrate 11 to be transferred to the load lock chamber 34 by a transfer device (not shown). The substrate 11 transported to the load lock chamber 34 is unloaded from the manufacturing apparatus 3 and discarded.
Thereby, the effort which forms the photostimulable fluorescent substance layer 12 with respect to the board | substrate 11 which is expected to become the radiation image conversion panel 1 of inferior quality is saved.

一方、測定された平均粗さRaが0.05<Ra<2.0を満たし、かつ最大粗さRz・Dが0.1<Rz・D<3.0を満たす場合には、演算装置331は、前記搬送装置によって基板11を第1製造部35に搬送させる。   On the other hand, when the measured average roughness Ra satisfies 0.05 <Ra <2.0 and the maximum roughness Rz · D satisfies 0.1 <Rz · D <3.0, the arithmetic device 331 Transports the substrate 11 to the first manufacturing unit 35 by the transport device.

次に、第1製造部35は、蒸着法によって基板11の被形成面に輝尽性蛍光体層12を形成する。
具体的には、まず、図示しない搬送装置によって基板11を基板ホルダ352に取り付ける。
次に、真空ポンプ354によって真空容器350の内部を真空排気し、蒸着可能な真空度、例えば1.333×10-4Pa程度とする。また、回転機構353により基板ホルダ352を基板11とともに蒸発源351に対して回転させる。そして、加熱された蒸発源351から輝尽性蛍光体を蒸発させて、基板11の被形成面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。これにより、輝尽性蛍光体層12が形成される。
Next, the first manufacturing unit 35 forms the photostimulable phosphor layer 12 on the formation surface of the substrate 11 by vapor deposition.
Specifically, first, the substrate 11 is attached to the substrate holder 352 by a transfer device (not shown).
Next, the inside of the vacuum vessel 350 is evacuated by the vacuum pump 354 so that the degree of vacuum that allows vapor deposition is set, for example, about 1.333 × 10 −4 Pa. Further, the substrate holder 352 is rotated together with the substrate 11 with respect to the evaporation source 351 by the rotation mechanism 353. Then, the photostimulable phosphor is evaporated from the heated evaporation source 351, and the photostimulable phosphor is grown on the formation surface of the substrate 11 to a desired thickness. Thereby, the photostimulable phosphor layer 12 is formed.

この場合において、基板11と蒸発源351との間隔は、100mm〜1500mmに設置するのが好ましい。また、基板11の設定温度は50℃〜400℃が好ましく、輝尽性蛍光体の特性上は100℃〜250℃がより好ましい。また、基板11に樹脂を用いる場合には、樹脂の耐熱性を考慮して基板11の設定温度は50℃〜150℃が好ましく、50℃〜100℃がより好ましい。   In this case, the distance between the substrate 11 and the evaporation source 351 is preferably set to 100 mm to 1500 mm. The set temperature of the substrate 11 is preferably 50 ° C. to 400 ° C., and more preferably 100 ° C. to 250 ° C. in terms of the characteristics of the stimulable phosphor. Moreover, when using resin for the board | substrate 11, 50 to 150 degreeC is preferable and 50 to 100 degreeC is more preferable for the preset temperature of the board | substrate 11 in consideration of the heat resistance of resin.

なお、蒸発源として使用する輝尽性蛍光体は、加圧圧縮によりタブレットの形状に加工しておくことが好ましい。
また、輝尽性蛍光体の代わりにその原料もしくは原料混合物を用いても構わない。
The stimulable phosphor used as the evaporation source is preferably processed into a tablet shape by pressure compression.
Further, instead of the photostimulable phosphor, a raw material or a raw material mixture may be used.

図5は、基板11上に輝尽性蛍光体層12が蒸着される具体的な様子を示す図である。基板ホルダ352に固定された基板11の被形成面の法線方向(R)に対する輝尽性蛍光体の蒸気流15の入射角度をθ2(図では60°)とし、形成される柱状結晶13の支持体面の法線方向(R)に対する角度をθ1(図では30°)とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶13が形成される。なお、図5では、蒸気流15の入射角度θ2が60°に設定されている場合である。 FIG. 5 is a diagram showing a specific state in which the photostimulable phosphor layer 12 is deposited on the substrate 11. The incident angle of the vapor flow 15 of the stimulable phosphor with respect to the normal direction (R) of the surface of the substrate 11 fixed to the substrate holder 352 is θ 2 (60 ° in the figure), and the columnar crystal 13 formed If the angle of the support surface relative to the normal direction (R) is θ 1 (30 ° in the figure), empirically θ 1 is about half of θ 2 and the columnar crystal 13 is formed at this angle. In FIG. 5, the incident angle θ 2 of the vapor flow 15 is set to 60 °.

なお、本実施の形態においては、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層12が形成されるが、柱状結晶13の間に形成された間隙14に結着剤等の充填物を充填しても良く、柱状結晶13を補強する物質や光吸収性の物質、光反射性の物質を充填しても良い。光吸収性の物質や光反射性の物質を充填する場合には、輝尽性蛍光体層12に入射した輝尽励起光が横方向へ拡散するのを防止することができる。   In the present embodiment, the photostimulable phosphor layer 12 containing no binder is formed, but the gap 14 formed between the columnar crystals 13 is filled with a filler such as a binder. Alternatively, a substance that reinforces the columnar crystal 13, a light-absorbing substance, or a light-reflecting substance may be filled. When filling a light-absorbing substance or a light-reflecting substance, it is possible to prevent the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer 12 from diffusing in the lateral direction.

以上のようにして輝尽性蛍光体層12を形成したら、図示しない搬送装置が基板11を第2選別室36に搬送する。
第2選別室36に基板11が搬送されると、光学式変位計360が輝尽性蛍光体層12の表面粗さBを測定する。
When the photostimulable phosphor layer 12 is formed as described above, a transfer device (not shown) transfers the substrate 11 to the second sorting chamber 36.
When the substrate 11 is transported to the second sorting chamber 36, the optical displacement meter 360 measures the surface roughness B of the photostimulable phosphor layer 12.

次に、演算装置361は、光学式変位計330,360の測定結果に基づいて基板11の被形成面の表面粗さAと、輝尽性蛍光体層12の表面粗さBとを比較し、|A−B|の平均値Rabと最大値Rab・Zとを算出する。   Next, the arithmetic unit 361 compares the surface roughness A of the formation surface of the substrate 11 with the surface roughness B of the stimulable phosphor layer 12 based on the measurement results of the optical displacement meters 330 and 360. , | A−B |, the average value Rab and the maximum value Rab · Z are calculated.

平均値Rabと最大値Rab・Zとが0.05<Rab<2.0、かつ0.1<Rab・Z<3.0を満たさない場合、つまり、劣悪な品質の放射線画像変換パネル1が製造されると予想される場合には、演算装置361は、図示しない搬送装置によって基板11をロードロック室37へ搬送させる。ロードロック室37に搬送された基板11は、製造装置3から搬出されて破棄される。
これにより、劣悪な品質の放射線画像変換パネル1が製造されると予想される輝尽性光体層12に対して防湿性保護フィルム20を設ける手間が省かれる。
When the average value Rab and the maximum value Rab · Z do not satisfy 0.05 <Rab <2.0 and 0.1 <Rab · Z <3.0, that is, the radiological image conversion panel 1 having poor quality is obtained. In the case where it is expected to be manufactured, the arithmetic device 361 transports the substrate 11 to the load lock chamber 37 by a transport device (not shown). The substrate 11 transported to the load lock chamber 37 is unloaded from the manufacturing apparatus 3 and discarded.
Thereby, the effort which provides the moisture-proof protective film 20 with respect to the photostimulable light body layer 12 with which it is anticipated that the radiographic image conversion panel 1 of inferior quality is manufactured is saved.

一方、平均値Rabと最大値Rab・Zとが上記の条件を満たす場合には、演算装置361は、前記搬送装置によって基板11を第2製造部38に搬送させる。   On the other hand, when the average value Rab and the maximum value Rab · Z satisfy the above conditions, the arithmetic device 361 causes the substrate 11 to be transported to the second manufacturing unit 38 by the transport device.

次に、第2製造部38は、防湿性保護フィルム20によって基板11及び輝尽性蛍光体層12の表面を封止する。これにより、放射線画像変換パネル1が製造される。
そして、製造された放射線画像変換パネル1は、ロードロック室32から搬出される。
Next, the second manufacturing unit 38 seals the surfaces of the substrate 11 and the photostimulable phosphor layer 12 with the moisture-proof protective film 20. Thereby, the radiation image conversion panel 1 is manufactured.
Then, the manufactured radiation image conversion panel 1 is carried out from the load lock chamber 32.

以上の放射線画像変換パネルの製造方法によれば、劣悪な品質の放射線画像変換パネル1が製造されることが予想される基板11に対し、輝尽性蛍光体層12を設ける手間を省くことができる。また、劣悪な品質の放射線画像変換パネル1が製造されることが予想される輝尽性蛍光体層12に対し、防湿性保護フィルム20を設ける手間を省くことができる。従って、その分だけ放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。   According to the above method for manufacturing a radiographic image conversion panel, it is possible to save the trouble of providing the photostimulable phosphor layer 12 on the substrate 11 on which the radiographic image conversion panel 1 of poor quality is expected to be manufactured. it can. Moreover, the trouble which provides the moisture-proof protective film 20 with respect to the photostimulable phosphor layer 12 with which it is anticipated that the radiation image conversion panel 1 of inferior quality is manufactured can be saved. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel can be increased accordingly. In addition, the radiation image conversion panel can be stabilized with high quality.

また、前記クリーニング装置によるクリーニングの後に良好な品質の放射線画像変換パネル1となることが予想される基板11に第1工程を行うことにより、基板11の無駄をなくすことができる。   Moreover, the waste of the substrate 11 can be eliminated by performing the first step on the substrate 11 that is expected to be a radiation image conversion panel 1 of good quality after cleaning by the cleaning device.

なお、上記の実施の形態においては、第1選別室33,第2選別室36は、光学式変位計330,360を備えていることとして説明したが、基板11の被形成面、輝尽性蛍光体層12の表面の形状に関する物理量を測定する測定装置として、ダイヤルゲージや光学顕微鏡などを備えることとしても良い。   In the above embodiment, the first sorting chamber 33 and the second sorting chamber 36 are described as including the optical displacement meters 330 and 360. However, the surface on which the substrate 11 is formed, the photostimulability, and the like. As a measuring device for measuring a physical quantity related to the shape of the surface of the phosphor layer 12, a dial gauge, an optical microscope, or the like may be provided.

また、第1製造部35は、蒸着法によって輝尽性蛍光体層12を形成することとして説明したが、スパッタリング法やCVD法、イオンプレーティング法、塗布法などによって形成することとしても良い。   Moreover, although the 1st manufacturing part 35 demonstrated as forming the photostimulable phosphor layer 12 by a vapor deposition method, it is good also as forming by sputtering method, CVD method, an ion plating method, the apply | coating method.

また、第2選別室36では、|A−B|の平均値Rabと最大値Rab・Zとによって基板11を選別することとして説明したが、基板11の被形成面における凹凸部の位置と輝尽性蛍光体層12の表面における凹凸部の位置とによって基板11を選別することとしても良い。具体的には、輝尽性蛍光体層12の表面における凹凸部の位置と基板11の被形成面における凹凸部の位置とが対応していない場合には、基板11をロードロック室37に搬送し、対応している場合には基板11を第2製造部38に搬送する。また、輝尽性蛍光体層12の表面の凹凸とは、キズやスジによる凹凸であっても良いし、塵などの異物が付着することによる凹凸であっても良い。   In the second sorting chamber 36, the substrate 11 is sorted by the average value Rab and the maximum value Rab · Z of | A−B |. However, the position and brightness of the uneven portion on the surface on which the substrate 11 is formed are described. The substrate 11 may be selected based on the position of the uneven portion on the surface of the stimulable phosphor layer 12. Specifically, when the position of the uneven portion on the surface of the photostimulable phosphor layer 12 does not correspond to the position of the uneven portion on the surface on which the substrate 11 is formed, the substrate 11 is transferred to the load lock chamber 37. If this is the case, the substrate 11 is transferred to the second manufacturing unit 38. Further, the irregularities on the surface of the photostimulable phosphor layer 12 may be irregularities due to scratches or streaks, or irregularities due to adhesion of foreign matters such as dust.

[第1の実施の形態の変形例]
続いて、製造装置3の変形例について説明する。なお、上記第1の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
[Modification of First Embodiment]
Then, the modification of the manufacturing apparatus 3 is demonstrated. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the said 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

本変形例における製造装置3Aは、図2に示すように、第1選別室33の代わりに第1選別室33Aを有している。
第1選別室33Aは、暗視野光学方式の測定機器4を有している。
As shown in FIG. 2, the manufacturing apparatus 3 </ b> A in this modification has a first sorting chamber 33 </ b> A instead of the first sorting chamber 33.
The first sorting chamber 33A has a dark field optical measurement device 4.

暗視野光学方式の測定機器4は、図6に示すように、光線を基板11または輝尽性蛍光体層12に斜め入射させる光源40を備えている。   As shown in FIG. 6, the dark field optical measuring instrument 4 includes a light source 40 that obliquely enters a light beam on the substrate 11 or the photostimulable phosphor layer 12.

また、基板11の上方には、基板11の被形成面での反射光を検知して画像データを作成する撮影ユニット41が配設されている
撮影ユニット41は撮影レンズ410と2次元CCD441とを有している。これら撮影レンズ410及び2次元CCD441は基板11の上方を移動可能となっている。2次元CCD441で撮影された画像の画像データは演算装置442に送信されるようになっている。
Also, above the substrate 11, a photographing unit 41 that detects reflected light on the surface of the substrate 11 and creates image data is disposed. The photographing unit 41 includes a photographing lens 410 and a two-dimensional CCD 441. Have. The photographing lens 410 and the two-dimensional CCD 441 are movable above the substrate 11. Image data of an image photographed by the two-dimensional CCD 441 is transmitted to the arithmetic unit 442.

演算装置442は、画像データに基づいて基板11の被形成面の表面粗さや凹凸部の位置などを算出するようになっている。また、演算装置442は、算出結果に基づいて基板11の搬送先を決定するようになっている。   The arithmetic device 442 calculates the surface roughness of the surface on which the substrate 11 is formed, the position of the uneven portion, and the like based on the image data. Further, the arithmetic device 442 determines the transport destination of the substrate 11 based on the calculation result.

以上のような製造装置3Aによっても、上記製造装置3と同様の効果を得ることができる。   Even with the manufacturing apparatus 3A as described above, the same effects as those of the manufacturing apparatus 3 can be obtained.

[第2の実施の形態]
続いて、放射線画像変換パネルの製造装置3の第2の実施の形態ついて説明する。なお、上記第1の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the radiation image conversion panel manufacturing apparatus 3 will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the said 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

本変形例における製造装置3Cは、図2に示すように、第2選別室36の代わりに第2選別室36Cを備えている。
第2選別室36Cは、紫外線光源(図示せず)を有している。
紫外線光源は、紫外線を輝尽性蛍光体層12に照射するようになっている。紫外線光源から照射される紫外線の波長は、輝尽性蛍光体の瞬時発光エネルギーの波長以下となっている。
As shown in FIG. 2, the manufacturing apparatus 3 </ b> C in this modification includes a second sorting chamber 36 </ b> C instead of the second sorting chamber 36.
The second sorting chamber 36C has an ultraviolet light source (not shown).
The ultraviolet light source irradiates the stimulable phosphor layer 12 with ultraviolet rays. The wavelength of the ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source is equal to or less than the wavelength of the instantaneous emission energy of the stimulable phosphor.

紫外線の照射によって輝尽性蛍光体層12に生じる瞬時発光変化または透過信号変化は観測装置(図示せず)によって観測され、演算装置(図示せず)に送信されるようになっている。   An instantaneous light emission change or a transmission signal change generated in the photostimulable phosphor layer 12 by the irradiation of ultraviolet rays is observed by an observation device (not shown) and transmitted to an arithmetic device (not shown).

演算装置は、瞬時発光変化に基づいて輝尽性蛍光体層12の輝度分布を推定するか、或いは透過信号変化に基づいて輝尽性蛍光体層12のX線吸収分布を推定するようになっている。また、演算装置は、推定結果に基づいて、劣悪な輝尽性蛍光体層12が形成された基板11をロードロック室34に、良好な輝尽性蛍光体層12が形成された基板11を第2製造部38に搬送させるようになっている。   The arithmetic unit estimates the luminance distribution of the stimulable phosphor layer 12 based on the instantaneous light emission change, or estimates the X-ray absorption distribution of the stimulable phosphor layer 12 based on the transmission signal change. ing. In addition, the arithmetic unit, based on the estimation result, places the substrate 11 on which the poor stimulable phosphor layer 12 is formed in the load lock chamber 34 and the substrate 11 on which the good stimulable phosphor layer 12 is formed. It is made to convey to the 2nd manufacturing part 38. FIG.

以上のような製造装置3Cによっても、上記製造装置3と同様の効果を得ることができる。   Even with the manufacturing apparatus 3C as described above, the same effects as those of the manufacturing apparatus 3 can be obtained.

放射線画像変換パネルの断面図である。It is sectional drawing of a radiographic image conversion panel. 本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the manufacturing apparatus of the radiographic image conversion panel which concerns on this invention. 光学式変位計と演算装置とを示す図である。It is a figure which shows an optical displacement meter and a calculating device. 第1製造部の概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of a 1st manufacturing part. 蒸着によって基板上に輝尽性蛍光体層が形成される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a photostimulable phosphor layer is formed on a board | substrate by vapor deposition. 暗視野光学方式の測定機器と演算装置とを示す図である。It is a figure which shows the measuring device and arithmetic unit of a dark field optical system.

符号の説明Explanation of symbols

1 放射線画像変換パネル
3,3A,3C 放射線画像変換パネルの製造装置
11 基板
12 輝尽性蛍光体層
20 防湿性保護フィルム(保護フィルム)
35 第1製造部
38 第2製造部
330 光学式変位計(第1測定装置,第3測定装置)
331 演算装置(第1選別装置)
360 光学式変位計(第4測定装置)
361 演算装置(第2選別装置)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Radiation image conversion panel 3, 3A, 3C Manufacturing apparatus 11 of Radiation image conversion panel Substrate 12 Stimulable phosphor layer 20 Moisture-proof protective film (protective film)
35 First manufacturing unit 38 Second manufacturing unit 330 Optical displacement meter (first measuring device, third measuring device)
331 Arithmetic device (first sorting device)
360 Optical displacement meter (4th measuring device)
361 Arithmetic device (second sorting device)

Claims (12)

基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する第1物理量を測定した後に前記第1工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第2物理量を測定し、
前記第1物理量と前記第2物理量との比較結果が所定の条件を満たす場合に前記第2工程を行うことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
A first step of forming a photostimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A method for producing a radiation image conversion panel comprising a second step of sealing the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
Of the front and back surfaces of the substrate, after measuring a first physical quantity related to the shape of the surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, the first step is performed,
Next, a second physical quantity related to the shape of the surface of the photostimulable phosphor layer is measured,
The method of manufacturing a radiation image conversion panel, wherein the second step is performed when a comparison result between the first physical quantity and the second physical quantity satisfies a predetermined condition.
請求項1記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記第1物理量として、前記被形成面の表面粗さAを、
前記第2物理量として、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さBを、
前記所定の条件として、
0≦Rab<2.0、かつ
0≦Rab・Z<3.0
(但し、Rabは|A−B|の平均値[μm]、Rab・Zは|A−B|の最大値[μm])
を用いることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
In the manufacturing method of the radiation image conversion panel according to claim 1,
As the first physical quantity, the surface roughness A of the surface to be formed is
As the second physical quantity, the surface roughness B of the surface of the photostimulable phosphor layer,
As the predetermined condition,
0 ≦ Rab <2.0, and 0 ≦ Rab · Z <3.0
(However, Rab is the average value of | A−B | [μm], Rab · Z is the maximum value of | A−B | [μm])
The manufacturing method of the radiographic image conversion panel characterized by using this.
請求項1または2記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記基板として、前記被形成面の形状が
0.05<Ra<2.0、かつ
(但し、Raは前記被形成面の平均粗さ[μm])
0.1<Rz・D<3.0
(但し、Rz・Dは前記被形成面の最大粗さ[μm])
を満たすものを用いることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
In the manufacturing method of the radiographic image conversion panel of Claim 1 or 2,
As the substrate, the shape of the surface to be formed is 0.05 <Ra <2.0, and (where Ra is the average roughness [μm] of the surface to be formed)
0.1 <Rz · D <3.0
(However, Rz · D is the maximum roughness of the surface to be formed [μm])
The manufacturing method of the radiographic image conversion panel characterized by using what satisfy | fills.
請求項3記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記被形成面の形状が前記条件を満たさない基板に対してクリーニングを行った後、前記被形成面の形状が前記条件を満たす基板に前記第1工程を行うことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
In the manufacturing method of the radiation image conversion panel according to claim 3,
A radiation image conversion panel, wherein the first step is performed on a substrate whose shape of the surface to be formed satisfies the condition after cleaning the substrate whose shape of the surface to be formed does not satisfy the condition. Manufacturing method.
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定した後に前記第1工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定し、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に前記第2工程を行うことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
A first step of forming a photostimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A method for producing a radiation image conversion panel comprising a second step of sealing the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
Performing the first step after measuring the position of the concavo-convex portion on the surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, on the front and back surfaces of the substrate,
Next, the position of the uneven portion on the surface of the photostimulable phosphor layer is measured,
The method of manufacturing a radiation image conversion panel, wherein the second step is performed when the position of the uneven portion on the surface of the photostimulable phosphor layer corresponds to the position of the uneven portion on the surface to be formed.
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に、前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する物理量を測定する第1測定装置と、
前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第2物理量を測定する第2測定装置と、
前記第1物理量と前記第2物理量との比較結果が所定の条件を満たす基板を選別して前記第2製造部に供給する第2選別装置とを有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
A first manufacturing part for forming a stimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A radiation image conversion panel manufacturing apparatus having a second manufacturing unit that seals the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
A first measuring device that measures a physical quantity related to a shape of a surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, of the front and back surfaces of the substrate before the photostimulable phosphor layer is formed;
A second measuring device for measuring a second physical quantity related to the shape of the surface of the photostimulable phosphor layer;
Manufacturing a radiation image conversion panel, comprising: a second sorting device that sorts a substrate that satisfies a predetermined result of a comparison between the first physical quantity and the second physical quantity and that supplies the substrate to the second manufacturing unit. apparatus.
請求項6記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第1物理量は、前記被形成面の表面粗さAであり、
前記第2物理量は、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さBであり、
前記所定の条件とは、
0≦Rab<2.0、かつ
0≦Rab・Z<3.0
(但し、Rabは|A−B|の平均値[μm]、Rab・Zは|A−B|の最大値[μm])
であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
In the manufacturing apparatus of the radiographic image conversion panel according to claim 6,
The first physical quantity is a surface roughness A of the surface to be formed,
The second physical quantity is a surface roughness B of the surface of the photostimulable phosphor layer,
The predetermined condition is
0 ≦ Rab <2.0, and 0 ≦ Rab · Z <3.0
(However, Rab is the average value of | A−B | [μm], Rab · Z is the maximum value of | A−B | [μm])
An apparatus for manufacturing a radiation image conversion panel, wherein
請求項6または7記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第1測定装置の測定結果に基づき、前記被形成面の形状が
0.05<Ra<2.0、かつ
(但し、Raは前記被形成面の平均粗さ[μm])
0.1<Rz・D<3.0
(但し、Rz・Dは前記被形成面の最大粗さ[μm])
を満たす基板を選別して前記第1製造部に供給する第1選別装置を有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
In the manufacturing apparatus of the radiation image conversion panel of Claim 6 or 7,
Based on the measurement result of the first measuring device, the shape of the surface to be formed is 0.05 <Ra <2.0, and (where Ra is the average roughness [μm] of the surface to be formed)
0.1 <Rz · D <3.0
(However, Rz · D is the maximum roughness of the surface to be formed [μm])
An apparatus for producing a radiation image conversion panel, comprising: a first sorting device that sorts a substrate that satisfies the conditions and supplies the substrate to the first manufacturing unit.
請求項8記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記被形成面の形状が前記所定の条件を満たさない前記基板に対してクリーニングを行うクリーニング装置を備え、
前記第1測定装置は、前記クリーニング装置によるクリーニング後の前記被形成面の形状に関する前記物理量を測定し、測定結果を前記第1選別装置に送信することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
In the manufacturing apparatus of the radiographic image conversion panel according to claim 8,
A cleaning device for cleaning the substrate whose shape of the surface to be formed does not satisfy the predetermined condition;
The apparatus for manufacturing a radiation image conversion panel, wherein the first measuring device measures the physical quantity related to the shape of the surface to be formed after cleaning by the cleaning device, and transmits the measurement result to the first sorting device. .
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定する第3測定装置と、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定する第4測定装置と、
前記基板を選別して前記第2製造部に供給する第3選別装置とを有し、
前記第3選別装置は、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に、前記基板を前記第2製造部に供給することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
A first manufacturing part for forming a stimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A radiation image conversion panel manufacturing apparatus having a second manufacturing unit that seals the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
A third measuring device that measures the position of the concavo-convex portion on the surface on which the photostimulable phosphor layer is formed, of the front and back surfaces of the substrate before the photostimulable phosphor layer is formed;
A fourth measuring device for measuring the position of the concavo-convex portion on the surface of the photostimulable phosphor layer before sealing with the protective film;
A third sorting device for sorting the substrate and supplying it to the second manufacturing unit;
The third sorting device includes:
The radiation image, wherein the substrate is supplied to the second manufacturing unit when the position of the uneven portion on the surface of the photostimulable phosphor layer corresponds to the position of the uneven portion on the surface to be formed. Conversion panel manufacturing equipment.
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第1製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第2製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面の状態を、紫外線の瞬時発光変化または透過信号変化によって観測する観測装置と、
前記観測装置の観測結果に基づいて前記基板を選別し、前記第2製造部に供給する第4選別装置とを有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
A first manufacturing part for forming a stimulable phosphor layer on at least one of the front and back surfaces of the substrate;
A method for producing a radiation image conversion panel having a second production part for sealing the surface of the photostimulable phosphor layer with a protective film,
An observation device that observes the state of the surface of the photostimulable phosphor layer by an instantaneous light emission change or a transmission signal change of ultraviolet light before being sealed with the protective film;
A radiation image conversion panel manufacturing method comprising: a fourth sorting device that sorts the substrate based on an observation result of the observation device and supplies the substrate to the second manufacturing unit.
請求項11記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記紫外線の波長は、瞬時発光エネルギーの波長以下であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
In the manufacturing method of the radiographic image conversion panel of Claim 11,
The method for producing a radiation image conversion panel, wherein the wavelength of the ultraviolet light is equal to or less than the wavelength of instantaneous light emission energy.
JP2003391979A 2003-11-21 2003-11-21 Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and manufacturing equipment of radiographic image conversion panel Pending JP2005156224A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003391979A JP2005156224A (en) 2003-11-21 2003-11-21 Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and manufacturing equipment of radiographic image conversion panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003391979A JP2005156224A (en) 2003-11-21 2003-11-21 Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and manufacturing equipment of radiographic image conversion panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005156224A true JP2005156224A (en) 2005-06-16

Family

ID=34718833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003391979A Pending JP2005156224A (en) 2003-11-21 2003-11-21 Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and manufacturing equipment of radiographic image conversion panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005156224A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007263712A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Fujifilm Corp Radiological image conversion panel and manufacturing method therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007263712A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Fujifilm Corp Radiological image conversion panel and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4665968B2 (en) Radiation image conversion panel
US7199381B2 (en) Radiation image conversion panel
EP1635358A2 (en) Method for producing radiation image conversion panel
EP1435627A2 (en) Radiographic image conversion panel
JP2005106682A (en) Radiation image conversion panel and its manufacturing method
JP2014059318A (en) Radiation image conversion panel
JP2005156224A (en) Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and manufacturing equipment of radiographic image conversion panel
JP4059184B2 (en) Radiation image conversion panel
JP4474877B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
EP1526553A2 (en) Radiation image conversion panel
JP4492288B2 (en) Radiation image conversion panel
JP2005164312A (en) Radiographic image conversion panel and method for manufacturing it
JP4281524B2 (en) Radiation image conversion panel
JP2007161952A (en) Radiation image conversion panel and method for producing the same
JP2006125932A (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
JP2005098717A (en) Radiological image conversion panel and manufacturing method of radiological image conversion panel
JP2006084213A (en) Manufacturing method for radiation image conversion panel
JP2004205354A (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel and radiation image conversion panel
EP1526554A2 (en) Radiation image conversion panel
JP2006078324A (en) Manufacturing method for radiation image conversion panel
JP2005091148A (en) Radiological image conversion panel and manufacturing method of radiological image conversion panel
JP2005164493A (en) Radiation image conversion panel and manufacturing method of radiation image conversion panel
JP2005098716A (en) Radiological image conversion panel and manufacturing method of radiological image conversion panel
JP2005164380A (en) Radiation image conversion panel
JP2005106770A (en) Radiation image conversion panel and manufacturing method for it