JP2005150608A - Optical treatment method and device for glass substrate - Google Patents
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Description
本発明は、ガラス基板の光処理方法およびデバイス、特に、成膜された非晶質半導体薄膜に対し均一な光処理を促進するガラス基板の光処理方法、および該製造方法によって製造したガラス基板を用いたデバイスに関する。 The present invention relates to an optical processing method and device for a glass substrate, in particular, an optical processing method for a glass substrate that promotes uniform optical processing on a formed amorphous semiconductor thin film, and a glass substrate manufactured by the manufacturing method. It relates to the device used.
従来、ＴＦＴ（Thin Film Transistor＝薄膜絶縁ゲート型電界効果デバイス）を、たとえば、多結晶シリコン薄膜によって構成する場合、化学的蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）や物理的蒸着法（ＰＶＤ：Ｐhysical Vapor Deposition）によって、ガラス基板の表面に非晶質シリコン薄膜（アモルファスシリコン薄膜に同じ）を形成し、所定の熱処理によって結晶化を図っている。 Conventionally, when a TFT (Thin Film Transistor = Thin Film Insulated Gate Field Effect Device) is composed of, for example, a polycrystalline silicon thin film, chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD) is used. An amorphous silicon thin film (same as an amorphous silicon thin film) is formed on the surface of the glass substrate by Deposition), and crystallization is achieved by a predetermined heat treatment.
たとえば、非晶質シリコン薄膜にパルス的な光照射をする、いわゆるレーザ・アニール技術やフラッシュランプアニール（Flash Lamp Anneal、以下、ＦＬＡと称す）が用いられている。すなわち、パルス的にエネルギを与え、非晶質シリコンを多結晶シリコンにしたり（以下、結晶化と称す）、結晶中の欠陥を回復したりする（以下、活性化と称す）。 For example, so-called laser annealing technology or flash lamp annealing (hereinafter referred to as FLA), which irradiates an amorphous silicon thin film with pulsed light, is used. That is, energy is applied in a pulse manner to change amorphous silicon into polycrystalline silicon (hereinafter referred to as crystallization) or to recover defects in the crystal (hereinafter referred to as activation).
このとき、高吸収性又は高反射性を示しガラス基板よりも高い熱伝導性及び電気伝導性を有する遮光性下地膜を、低級結晶性半導体薄膜とほぼ同等以上の面積でガラス基板上に形成し、その上に低級結晶性半導体薄膜を形成し、ＦＬＡでの溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により、低級結晶性半導体薄膜の結晶化を促進する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、特許文献１に記載された発明は、低級結晶性半導体薄膜に照射され、これを透過した照射光を下地膜自体が吸収して下地膜の発熱によって、あるいは、該照射光を下地膜が反射して下地膜からの反射光によって、該低級結晶性半導体薄膜を効率良く加熱することを目的にしているため、以下の問題点がある。 However, the invention described in Patent Document 1 irradiates the lower crystalline semiconductor thin film, and the irradiation light transmitted through the lower crystalline semiconductor thin film is absorbed by the base film itself, or the base film generates heat, or the irradiation light is received by the base film. Since the object is to efficiently heat the lower crystalline semiconductor thin film by reflection and reflected light from the base film, there are the following problems.
すなわち、フラッシュランプからの照射光が間接的にガラス基板の側面や裏面から入射する（以下、回り込みと称す）ため、ガラス基板の表面の全域が均一に照射されない。このため、結晶化および活性化（以下、まとめて光処理と称す）の不均一が生じ、たとえば、ガラス基板の表面の側縁部には中央部に比較して過剰なエネルギが照射されるから、側縁部の非晶質シリコン薄膜がアブレーション（膜飛び）を起こすことがある。 That is, since the light irradiated from the flash lamp is incident indirectly from the side surface and the back surface of the glass substrate (hereinafter referred to as wraparound), the entire surface of the glass substrate is not uniformly irradiated. For this reason, non-uniformity of crystallization and activation (hereinafter collectively referred to as light processing) occurs, and for example, the side edge of the surface of the glass substrate is irradiated with excessive energy compared to the central portion. The amorphous silicon thin film on the side edge may cause ablation (film jump).
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、フラッシュランプからの照射光の回り込みを防止するガラス基板の光処理方法と、該製造方法によって製造されたガラス基板を有するデバイスとを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and has a glass substrate optical processing method for preventing the irradiation light from wrapping around from a flash lamp, and a glass substrate manufactured by the manufacturing method. The purpose is to provide a device.
本発明に係るガラス基板の光処理方法は、ガラス基板の少なくとも表面に、成膜された非晶質半導体薄膜を形成する工程と、
前記表面に形成された非晶質半導体薄膜に光照射して光処理をする工程とを有し、
該光処理に際し、前記ガラス基板の側面または裏面から光が侵入しないようにしたことを特徴とする。これにより、前記ガラス基板の表面の全域に、エネルギが均一に供給されるから、表面の全域において均一な光処理（結晶化や活性化）が促進される。
The optical processing method for a glass substrate according to the present invention includes a step of forming an amorphous semiconductor thin film formed on at least the surface of the glass substrate,
Irradiating the amorphous semiconductor thin film formed on the surface with light and performing a light treatment,
In the light treatment, light is prevented from entering from the side surface or the back surface of the glass substrate. Thereby, since energy is uniformly supplied to the entire surface of the glass substrate, uniform light treatment (crystallization or activation) is promoted over the entire surface.
また、ガラス基板の略全面に、成膜された非晶質半導体薄膜を形成することを特徴とする。これによって、光処理に際し、ガラス基板が直接的または間接的に載置されるステージの表面において照射光が反射した場合であっても、該反射光が該ガラス基板の側面および裏面に形成された非晶質半導体薄膜によって吸収されるから、表面に形成された非晶質半導体薄膜に反射光が照射される（照射光が回り込む）ことがない。したがって、前記ガラス基板の表面の全域にエネルギが均一に供給されるから、表面における均一な光処理（結晶化や活性化）が促進される。 Further, the amorphous semiconductor thin film formed is formed over substantially the entire surface of the glass substrate. Thereby, even when the irradiation light is reflected on the surface of the stage on which the glass substrate is placed directly or indirectly during the optical processing, the reflected light is formed on the side surface and the back surface of the glass substrate. Since it is absorbed by the amorphous semiconductor thin film, the amorphous semiconductor thin film formed on the surface is not irradiated with reflected light (irradiated light does not circulate). Therefore, since energy is uniformly supplied to the entire surface of the glass substrate, uniform light treatment (crystallization or activation) on the surface is promoted.
また、前記光処理に際し、前記ガラス基板が直接的または間接的に載置されるステージの表面に、光吸収膜が形成されていることを特徴とする。これによって、光処理に際し、ガラス基板が直接載置されるステージの表面において、あるいは、支持手段（載置台や空気層等）によって隙間を介して間接的に載置されるステージの表面において、照射光が反射しないから、前記ガラス基板の側面および裏面から照射光が入ること（照射光の回り込み）がない。すなわち、前記ガラス基板の表面の全域は、上方から照射される照射光のみによって均一にエネルギが供給されるから、表面の全域にわたる均一な光処理（結晶化、活性化）が促進される。 In the light treatment, a light absorption film is formed on a surface of a stage on which the glass substrate is directly or indirectly placed. As a result, during light processing, irradiation is performed on the surface of the stage on which the glass substrate is directly mounted, or on the surface of the stage mounted indirectly through a gap by a support means (such as a mounting table or an air layer). Since light is not reflected, irradiation light does not enter from the side surface and the back surface of the glass substrate (irradiation light wraps around). That is, since the energy is uniformly supplied to the entire surface of the glass substrate only by irradiation light irradiated from above, uniform light treatment (crystallization, activation) over the entire surface is promoted.
また、前記光吸収膜が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）によって形成されていることを特徴とする。これによって、特に可視光域における光吸収性能が優れているため、ステージの表面からの反射光が効果的に防止され、前記ガラス基板の表面には上方から照射される照射光のみによって均一にエネルギが供給される。よって、前記ガラス基板の表面の全域にわたる均一な光処理（結晶化、活性化）が促進される。 The light absorption film is formed of aluminum nitride (AlN). As a result, the light absorption performance particularly in the visible light region is excellent, so that the reflected light from the surface of the stage is effectively prevented, and the surface of the glass substrate is uniformly energized only by the irradiation light irradiated from above. Is supplied. Therefore, uniform light treatment (crystallization, activation) over the entire surface of the glass substrate is promoted.
さらに、前記非晶質半導体薄膜がIII族、IV族またはＶ族の何れかによって形成されることを特徴とする。これによって、均一な光処理（結晶化や活性化）が促進された、たとえば、多結晶シリコン（Ｓｉ）薄膜、多結晶ゲルマニウム（Ｇｅ）薄膜、多結晶カーボン（Ｃ）薄膜、多結晶インジウム（Ｉｎ）薄膜等を有するガラス基板が製造される。 Further, the amorphous semiconductor thin film is formed of any one of group III, group IV, or group V. This promoted uniform light treatment (crystallization and activation), for example, polycrystalline silicon (Si) thin film, polycrystalline germanium (Ge) thin film, polycrystalline carbon (C) thin film, polycrystalline indium (In ) A glass substrate having a thin film or the like is manufactured.
さらに、前記光照射が、主に可視光の波長領域の光をフラッシュ照射するものであることを特徴とする。これによって、たとえば、数百μｓｅｃ（マイクロ秒）〜数ｍｓｅｃ（ミリ秒）程度の短時間のフラッシュ照射を１回又は数回繰り返して、高い照射エネルギーを非晶質半導体薄膜に与え、これを溶融または半溶融あるいは非溶融状態で加熱することによって、光処理（結晶化や活性化）を促進して高品質の多結晶半導体薄膜を得ることが可能になる。また、短時間処理により生産性が大幅に向上するから製造コストが低減する。 Further, the light irradiation is characterized in that light in the wavelength region of visible light is mainly flash-irradiated. Thus, for example, flash irradiation of a short time of about several hundred μsec (microseconds) to several msec (milliseconds) is repeated once or several times to give high irradiation energy to the amorphous semiconductor thin film and melt it. Alternatively, by heating in a semi-molten or non-molten state, it is possible to promote light treatment (crystallization or activation) and obtain a high-quality polycrystalline semiconductor thin film. Further, the productivity is greatly improved by the short-time processing, so that the manufacturing cost is reduced.
また、本発明に係るデバイスは、側面または裏面から光が侵入しないようにして、表面に成膜された非晶質半導体薄膜が光照射によって光処理されたガラス基板を有することを特徴とする。これによって、ガラス基板の表面には全域にわたる均一な光処理（結晶化や活性化）が促進され、高品質の多結晶半導体薄膜が形成されるため、該ガラス基板に所定の処理をして製造することにより、安価で高品質なデバイスが、安定して提供される。 In addition, the device according to the present invention includes a glass substrate in which an amorphous semiconductor thin film formed on the surface is light-treated by light irradiation so that light does not enter from the side surface or the back surface. This promotes uniform light treatment (crystallization and activation) over the entire surface of the glass substrate, and a high-quality polycrystalline semiconductor thin film is formed. By doing so, an inexpensive and high-quality device is stably provided.
［実施形態１］
図１は本発明の実施形態１に係るガラス基板の光処理方法を説明する模式図であって、ＦＬＡ状況を示している。
図１の（ａ）において、ガラス基板１の表面（後記するフラッシュランプに対峙する面）、側面、裏面には、成膜された非晶質半導体薄膜２Ｕ、２Ｓ、２Ｌがあらかじめ形成され、ガラス基板１がステージ３の上に直接載置されている。そして、ステージ３の上方にフラッシュランプ５が配置され、さらに、フラッシュランプ５の上方にはリフレクタ６が配置されている。
したがって、フラッシュランプ５から発した下方に向かう照射光（矢印にて示す）はガラス基板１の表面に直接照射され、また、フラッシュランプ５の上方に向かった照射光はリフレクタ６によって反射されてガラス基板１の表面に照射される。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an optical processing method for a glass substrate according to Embodiment 1 of the present invention, and shows a FLA situation.
In FIG. 1A, formed amorphous semiconductor thin films 2U, 2S, and 2L are formed in advance on the front surface (surface facing a flash lamp described later), side surface, and back surface of a glass substrate 1, and glass The substrate 1 is directly placed on the stage 3. A flash lamp 5 is disposed above the stage 3, and a reflector 6 is disposed above the flash lamp 5.
Therefore, the downward irradiation light (indicated by the arrow) emitted from the flash lamp 5 is directly irradiated onto the surface of the glass substrate 1, and the irradiation light toward the upper side of the flash lamp 5 is reflected by the reflector 6 to be glass. The surface of the substrate 1 is irradiated.
したがって、ガラス基板１の表面に形成された非晶質半導体薄膜２Ｕは、該照射光によるエネルギによって発熱して結晶化や活性化が促進される。
さらに、ステージ３の表面において前記照射光の一部は反射し（以下、反射光と称す）、ガラス基板１の側面に照射されている。しかしながら、ガラス基板１の側面には非晶質半導体薄膜２Ｓが形成されているため、該反射光は非晶質半導体薄膜２Ｓによって遮られて、ガラス基板１の表面に形成された非晶質半導体薄膜２Ｕに到達しないから、非晶質半導体薄膜２Ｕに供給されるエネルギが不均一になることがない。よって、ガラス基板１の表面には均一に光処理（結晶化や活性化を総称する）された結晶質半導体薄膜が形成されることになる。
Therefore, the amorphous semiconductor thin film 2U formed on the surface of the glass substrate 1 generates heat by the energy of the irradiation light, and crystallization and activation are promoted.
Further, a part of the irradiation light is reflected on the surface of the stage 3 (hereinafter referred to as reflected light) and is irradiated on the side surface of the glass substrate 1. However, since the amorphous semiconductor thin film 2S is formed on the side surface of the glass substrate 1, the reflected light is blocked by the amorphous semiconductor thin film 2S, and the amorphous semiconductor formed on the surface of the glass substrate 1. Since it does not reach the thin film 2U, the energy supplied to the amorphous semiconductor thin film 2U does not become uneven. Therefore, a crystalline semiconductor thin film that is uniformly light-treated (generically referred to as crystallization or activation) is formed on the surface of the glass substrate 1.
なお、本発明において、非晶質半導体薄膜２Ｕ、２Ｓ、２Ｌの形成方法は限定されるものではないが、いわゆるＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）と呼ばれる、比較的高い温度で成膜する化学蒸着法が好適である。もちろんその他のＣＶＤでも可能である。また、非晶質半導体薄膜は、シリコン（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、カーボン（Ｃ）、インジューム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）等、III族、IV族、Ｖ族の金属等によって形成することができる。
また、非晶質半導体薄膜２Ｕ、２Ｓ、２Ｌは１層の薄膜に限定するものではなく、２層以上の多層薄膜によって形成してもよい。
In the present invention, the method for forming the amorphous semiconductor thin films 2U, 2S, and 2L is not limited, but the film is formed at a relatively high temperature called LP-CVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). Chemical vapor deposition is preferred. Of course, other CVD methods are also possible. In addition, the amorphous semiconductor thin film is formed of silicon (Sn), germanium (Ge), carbon (C), indium (In), tin (Sn), or the like, a group III, group IV, group V metal or the like. be able to.
Further, the amorphous semiconductor thin films 2U, 2S, and 2L are not limited to a single-layer thin film, and may be formed of a multilayer thin film having two or more layers.
さらに、フラッシュランプ５は、主に可視光の波長領域（主に４００〜１０００ｎｍ（ナノメートル）程度）の光をフラッシュ照射するもので、特に限定するものではなく、たとえば、キセノンランプ、キセノン−水銀ランプ等用いることができる。このとき、照射はパルス的であって、照射時間は数百μ秒〜数ｍ秒（たとえば、０．１〜０．５ｍ秒）が好適である。
また、フラッシュランプ５とガラス基板１との間には照射光を散乱するために、石英製のフロスト板（図示しない）が通常配置され、ステージ３の下方にはステージ３を予熱するためのヒータ（図示しない）が通常配置されている。さらに、少なくともガラス基板１を収容する所定の範囲が図示しないチャンバに収容され、所定のガス雰囲気で所定の気圧（または所定の真空度）に保持されている。
Further, the flash lamp 5 is mainly used for flash irradiation of light in a visible wavelength region (mainly about 400 to 1000 nm (nanometer)), and is not particularly limited. For example, a xenon lamp, xenon-mercury is used. A lamp or the like can be used. At this time, the irradiation is pulsed, and the irradiation time is preferably several hundreds of microseconds to several milliseconds (for example, 0.1 to 0.5 milliseconds).
A quartz frost plate (not shown) is usually disposed between the flash lamp 5 and the glass substrate 1 in order to scatter the irradiation light, and a heater for preheating the stage 3 below the stage 3. (Not shown) is normally arranged. Further, at least a predetermined range for storing the glass substrate 1 is stored in a chamber (not shown), and is maintained at a predetermined pressure (or a predetermined degree of vacuum) in a predetermined gas atmosphere.
なお、図１において、ガラス基板１のフラッシュランプ５に対峙する面を「表面」と便宜的に定義している。したがって、たとえば、水平配置されたガラス基板１の鉛直下方にフラッシュランプ５を配置した場合には、ガラス基板１の下面（鉛直方向の下側の面）が「表面」になる。 In FIG. 1, the surface of the glass substrate 1 that faces the flash lamp 5 is defined as “surface” for convenience. Therefore, for example, when the flash lamp 5 is arranged vertically below the horizontally arranged glass substrate 1, the lower surface (the lower surface in the vertical direction) of the glass substrate 1 becomes the “surface”.
図１の（ｂ）において、ガラス基板１が図示しない支持手段（たとえば、ガラス基板１の裏面の中央部のみを支持する載置台や吹き上げる空気等）によって間接的にステージ３の上に支持されている（以下、載置と総称する）。なお、図１の（ａ）と同じ部分にはこれと同じ符号を付し、一部の説明を省略する。
すなわち、ステージ３の表面において前記照射光の一部は反射して（以下、反射した照射光を反射光と称す）、ガラス基板１の側面および裏面を照射している。しかしながら、ガラス基板１の側面および裏面には非晶質半導体薄膜２Ｓ、２Ｌが形成されているため、該反射光は非晶質半導体薄膜２Ｓ、２Ｌによって遮られて、ガラス基板１の表面に形成された非晶質半導体薄膜２Ｕに到達しない。このため、非晶質半導体薄膜２Ｕには上方からの照射光のみが供給されから、エネルギが不均一になることがなく、ガラス基板１の表面の全域には均一に光処理された結晶質半導体薄膜が形成されることになる。
In FIG. 1B, the glass substrate 1 is indirectly supported on the stage 3 by support means (not shown) (for example, a mounting table that supports only the central portion of the back surface of the glass substrate 1 or air that blows up). (Hereinafter collectively referred to as mounting). In addition, the same code | symbol is attached | subjected to this and the same part as (a) of FIG.
That is, a part of the irradiation light is reflected on the surface of the stage 3 (hereinafter, the reflected irradiation light is referred to as reflected light), and the side surface and the back surface of the glass substrate 1 are irradiated. However, since the amorphous semiconductor thin films 2S and 2L are formed on the side and back surfaces of the glass substrate 1, the reflected light is blocked by the amorphous semiconductor thin films 2S and 2L and formed on the surface of the glass substrate 1. It does not reach the formed amorphous semiconductor thin film 2U. Therefore, since only the irradiation light from above is supplied to the amorphous semiconductor thin film 2U, the energy does not become non-uniform, and the entire surface of the glass substrate 1 is uniformly photoprocessed. A thin film will be formed.
［実施形態２］
図２は本発明の実施形態２に係るガラス基板の光処理方法を説明する模式図であって、ＦＬＡ状況を示している。なお、図１と同じ部分にはこれと同じ符号を付し、一部の説明を省略する。
図２の（ａ）において、ガラス基板１の表面には、成膜された非晶質半導体薄膜２Ｕ、があらかじめ形成され、ステージ３の表面（フラッシュランプ５に対峙する面）に、たとえば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等によって成膜された光吸収膜４が形成されている。そして、ガラス基板１がステージ３の上（吸収膜４の上に同じ）に直接載置されている。
一方、図２の（ｂ）において、ガラス基板１の表面には、成膜された非晶質半導体薄膜２Ｕがあらかじめ形成され、ステージ３の表面に同様に光吸収膜４が形成され、ガラス基板１が図示しない支持手段によって間接的にステージ３の上に載置されている。
[Embodiment 2]
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an optical processing method for a glass substrate according to Embodiment 2 of the present invention, and shows a FLA situation. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to this same part as FIG. 1, and one part description is abbreviate | omitted.
In FIG. 2A, a formed amorphous semiconductor thin film 2U is formed in advance on the surface of the glass substrate 1, and the surface of the stage 3 (the surface facing the flash lamp 5) is nitrided, for example. A light absorption film 4 formed of aluminum (AlN) or the like is formed. The glass substrate 1 is directly placed on the stage 3 (same as the absorption film 4).
On the other hand, in FIG. 2B, the amorphous semiconductor thin film 2U formed in advance is formed on the surface of the glass substrate 1, and the light absorption film 4 is similarly formed on the surface of the stage 3. 1 is mounted on the stage 3 indirectly by supporting means (not shown).
図２の（ａ）、（ｂ）において、フラッシュランプ５から発した照射光（リフレクタ６によって反射された照射光を含む）が光吸収膜４において吸収されるから、ステージ３において反射光が生じない。このため、ガラス基板１の側面や裏面に非晶質半導体薄膜２Ｓ、２Ｌが形成されていないにもかかわらず、ガラス基板１の表面に形成された非晶質半導体薄膜２Ｕには均一にエネルギが供給される。よって、ガラス基板１の表面には均一に光処理された結晶質半導体薄膜が形成されることになる。 2A and 2B, the irradiation light (including the irradiation light reflected by the reflector 6) emitted from the flash lamp 5 is absorbed by the light absorption film 4, and thus reflected light is generated in the stage 3. Absent. For this reason, the amorphous semiconductor thin film 2U formed on the surface of the glass substrate 1 is uniformly energized even though the amorphous semiconductor thin films 2S and 2L are not formed on the side and back surfaces of the glass substrate 1. Supplied. Therefore, a crystalline semiconductor thin film that has been uniformly photoprocessed is formed on the surface of the glass substrate 1.
なお、光吸収膜４を形成する材質は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等に限定するものではなく、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や炭化ケイ素（ＳiＣ）等、光吸収性を有するセラミックス材料であればよい。さらに、非晶質半導体薄膜２Ｕの形成方法は実施形態１と同様に限定するものではない。 The material for forming the light absorption film 4 is not limited to aluminum nitride (AlN) or the like, and any light-absorbing ceramic material such as alumina (Al 2 O 3 ) or silicon carbide (SiC) can be used. Good. Further, the method for forming the amorphous semiconductor thin film 2U is not limited as in the first embodiment.
［実施形態３］
本発明の実施形態３に係るデバイスは、実施形態１または２によって製造されたガラス基板（結晶質半導体薄膜が形成されている）に所定の処理をして製造したものである。すなわち、実施形態１または２に示す工程によって、ガラス基板の表面には均一に光処理（結晶化や活性化）された結晶質半導体薄膜が形成されているから、その後の、たとえば、イオン注入またはイオンドーピング等によって得られるｎ型化またはｐ型化した結晶質半導体薄膜は、所望の性能を発揮すると共に、高い生産性によって製造コストの低減が可能になる。
[Embodiment 3]
A device according to Embodiment 3 of the present invention is manufactured by performing a predetermined process on the glass substrate (with a crystalline semiconductor thin film formed) manufactured according to Embodiment 1 or 2. In other words, the crystalline semiconductor thin film that has been uniformly light-treated (crystallized or activated) is formed on the surface of the glass substrate by the process shown in the first or second embodiment. An n-type or p-type crystalline semiconductor thin film obtained by ion doping or the like exhibits desired performance and can reduce manufacturing cost due to high productivity.
本発明は、ガラス基板の光処理方法と、該製造方法によって製造されたガラス基板を有すデバイスとに、広く利用することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used for a glass substrate optical processing method and a device having a glass substrate manufactured by the manufacturing method.
１：ガラス基板、２Ｕ：表面の非晶質半導体薄膜、２Ｓ：側面の非晶質半導体薄膜、 ２Ｌ：裏面の非晶質半導体薄膜、３：ステージ、４：光吸収膜、 ５：フラッシュランプ、 ６：リフレクタ
1: glass substrate, 2U: amorphous semiconductor thin film on the surface, 2S: amorphous semiconductor thin film on the side surface, 2L: amorphous semiconductor thin film on the back surface, 3: stage, 4: light absorption film, 5: flash lamp, 6: Reflector
Claims (7)
前記表面に形成された非晶質半導体薄膜に光照射して光処理をする工程とを有し、
該光処理に際し、前記ガラス基板の側面または裏面から光が侵入しないようにし
たことを特徴とするガラス基板の光処理方法。 Forming an amorphous semiconductor thin film formed on at least the surface of the glass substrate;
Irradiating the amorphous semiconductor thin film formed on the surface with light and performing a light treatment,
An optical processing method for a glass substrate, wherein light does not enter from the side surface or the back surface of the glass substrate during the optical processing.
A device comprising a glass substrate in which an amorphous semiconductor thin film formed on a surface is light-treated by light irradiation so that light does not enter from a side surface or a back surface.
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