JP2005150438A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005150438A JP2005150438A JP2003386522A JP2003386522A JP2005150438A JP 2005150438 A JP2005150438 A JP 2005150438A JP 2003386522 A JP2003386522 A JP 2003386522A JP 2003386522 A JP2003386522 A JP 2003386522A JP 2005150438 A JP2005150438 A JP 2005150438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- cap
- cap film
- semiconductor film
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体デバイスの製造方法に関する。本発明は、レーザを用いて非晶質半導体膜を結晶化することにより、結晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタなどの半導体デバイスを製造する、半導体デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device such as a thin film transistor having a crystalline semiconductor film by crystallizing an amorphous semiconductor film using a laser.
液晶やエレクトロルミネッセンス(EL)を応用した表示装置に用いられている薄膜トランジスタ(TFT、Thin Film Trangister)は、非晶質もしくは結晶性のシリコンを活性層として用いる場合が多い。このうち、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどの結晶性シリコンの薄膜トランジスタは、電子の移動度が高いため、非晶質シリコンの薄膜トランジスタに比較し、多くの長所を有している。 Thin film transistors (TFTs) used for display devices using liquid crystal or electroluminescence (EL) often use amorphous or crystalline silicon as an active layer. Among these, a crystalline silicon thin film transistor such as polycrystalline silicon or single crystal silicon has many advantages over an amorphous silicon thin film transistor because of high electron mobility.
たとえば、結晶性シリコンの薄膜トランジスタを用いた場合には、表示装置の画素部分にスイッチング素子を形成するだけでなく、画素周辺部分に駆動回路や周辺回路を形成することもでき、これらの素子や回路を一枚の基板上に形成することができる。このため、別途ドライバICや駆動回路基板を表示装置に実装する必要がなくなるので、これらの表示装置を低価格で提供することが可能となる。また、トランジスタの寸法を微細化できるので、画素部分に形成するスイッチング素子が小さくなり、表示装置の高開口率化が図れる。このため、高輝度、高精細な表示装置を提供することが可能となる。 For example, when a crystalline silicon thin film transistor is used, not only can a switching element be formed in the pixel portion of the display device, but also a drive circuit and a peripheral circuit can be formed in the pixel peripheral portion. Can be formed on a single substrate. For this reason, it is not necessary to separately mount a driver IC or a drive circuit board on the display device, and it is possible to provide these display devices at a low price. In addition, since the size of the transistor can be reduced, a switching element formed in the pixel portion can be reduced, and a high aperture ratio of the display device can be achieved. Therefore, it is possible to provide a display device with high brightness and high definition.
多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどの結晶性シリコン薄膜の製造方法としては、レーザ光を用いた再結晶化技術が古くから提案されているが、例えば、基板上に堆積している(アモルファス系シリコン膜、微結晶シリコン膜および結晶性の低い多結晶シリコン膜などを含む)非晶質シリコン膜にエキシマレーザを照射して結晶化(ELC、Excimer Laser Crystallization)する方法がある。 As a method for producing a crystalline silicon thin film such as polycrystalline silicon or single crystal silicon, a recrystallization technique using a laser beam has been proposed for a long time. For example, it is deposited on a substrate (amorphous silicon). There is a method of crystallizing (ELC, Excimer Laser Crystallization) by irradiating an excimer laser on an amorphous silicon film (including a film, a microcrystalline silicon film, and a polycrystalline silicon film having low crystallinity).
上記ELC法は、サンプルに対し、一定速度で走査しながら、長さ200〜400mm、幅0.2〜1.0mm程度の線状レーザビームを半導体膜上に連続的に照射する方法が一般的である。このときレーザを照射した部分の半導体膜は、一般的に厚さ方向全域に亘って溶融するのではなく、一部の半導体膜領域を残したまま溶融する。このため、未溶融領域/溶融領域界面全面において、いたるところに結晶核が発生し、半導体膜最表層に向かって結晶が成長し、ランダムな方位の結晶粒が形成されるため、結晶粒径は100〜200nmと非常に小さくなる場合が多い。 The ELC method is generally a method of continuously irradiating a semiconductor film with a linear laser beam having a length of about 200 to 400 mm and a width of about 0.2 to 1.0 mm while scanning a sample at a constant speed. It is. At this time, the portion of the semiconductor film irradiated with the laser does not generally melt over the entire thickness direction, but melts while leaving a part of the semiconductor film region. For this reason, crystal nuclei are generated everywhere on the entire unmelted region / melted region interface, crystals grow toward the outermost layer of the semiconductor film, and crystal grains with random orientation are formed. In many cases, it becomes very small as 100 to 200 nm.
多結晶シリコン膜の結晶粒界には、不対電子が多数存在するためポテンシャル障壁を形成し、キャリアの強い散乱体として作用する。従って結晶粒界が少ない、つまり結晶粒径が大きい多結晶シリコン膜で形成されたTFTほど、一般に電界効果移動度は高くなる。 A large number of unpaired electrons are present in the crystal grain boundary of the polycrystalline silicon film, so that a potential barrier is formed and acts as a strong carrier scatterer. Therefore, a TFT formed with a polycrystalline silicon film having a smaller crystal grain boundary, that is, a larger crystal grain size generally has a higher field effect mobility.
しかしながら、従来のELC法では、前述のように、未溶融領域/溶融領域界面のランダムな位置において結晶化が起こる縦方向結晶成長であるので、大粒径の多結晶シリコン膜を得ることは難しいため、電界効果移動度の高いTFTを得ることが困難であった。また、ランダムに結晶化することに起因して、各TFT間の膜構造に不均一性が生じるため、TFTアレイにスイッチング特性の不均一性が生じてしまうという不具合が生じる。また、このような不具合が生じると、TFT液晶表示装置において、1つの表示画面中に表示速度の速い画素と表示速度の遅い画素とが並存するという問題が生じる。 However, in the conventional ELC method, as described above, since it is longitudinal crystal growth in which crystallization occurs at random positions at the unmelted region / melted region interface, it is difficult to obtain a polycrystalline silicon film having a large grain size. Therefore, it has been difficult to obtain a TFT having a high field effect mobility. In addition, due to crystallization at random, non-uniformity occurs in the film structure between the TFTs, which causes a problem that non-uniformity in switching characteristics occurs in the TFT array. In addition, when such a problem occurs, in the TFT liquid crystal display device, there arises a problem that pixels having a high display speed and pixels having a low display speed coexist in one display screen.
そこで、さらに高性能なTFT液晶表示装置を得るためには、上記の多結晶シリコン膜の結晶粒径を大きくすることや、シリコン結晶の方位を制御することなどが必要である。そこで、単結晶シリコンに近い性能を有する多結晶シリコン膜を得ることを目的として、数多くの提案がなされている。 Therefore, in order to obtain a higher performance TFT liquid crystal display device, it is necessary to increase the crystal grain size of the polycrystalline silicon film and to control the orientation of the silicon crystal. Therefore, many proposals have been made for the purpose of obtaining a polycrystalline silicon film having performance close to that of single crystal silicon.
その中でも特に、「ラテラル成長法」に分類されるレーザ結晶化技術は、結晶の成長方向に方位の揃った長結晶が得られるため、注目を集めている。 Among them, laser crystallization techniques classified as “lateral growth methods” are particularly attracting attention because long crystals having a uniform orientation in the crystal growth direction can be obtained.
上記のラテラル成長法の一つに、半導体膜上に、結晶化に用いるレーザ光に対する反射防止膜ないしは遮光膜のいずれかを形成し、これらの膜を介して半導体膜にレーザ光を照射し、上記の半導体膜を溶融、凝固させて結晶化を行う方法(本明細書において「キャッピング法」とも記載する)がある(たとえば、特許文献1および特許文献2参照。)。この方法は、大粒径の結晶を得られるだけでなく、結晶化する領域の位置制御が容易になるという特徴を有する。
In one of the above lateral growth methods, either an antireflection film or a light shielding film for laser light used for crystallization is formed on a semiconductor film, and the semiconductor film is irradiated with laser light through these films. There is a method of performing crystallization by melting and solidifying the semiconductor film (also referred to as “capping method” in this specification) (see, for example,
図3は、ラテラル成長法に用いる半導体デバイスの製造装置の一例を示す構成図である。この方法は、図3に示すような半導体デバイス製造装置200によって、パルスレーザを半導体膜に照射し、半導体膜の一部をレーザ照射領域の厚さ方向全域にわたって溶融、凝固させて結晶化を行うものである。この半導体デバイス製造装置200によれば、レーザ発振器11から出たレーザ光が、半導体デバイス1の上面に照射される。
FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing apparatus used in the lateral growth method. In this method, a semiconductor
図6は、従来のラテラル成長法における作製途中の半導体デバイスの一例の断面図である。ここで、半導体デバイス1は、図6に示すように基板2と、バッファ膜5と、非晶質半導体膜3と、キャップ膜6と、から構成される。このとき、キャップ膜6がレーザ光に対して反射防止効果を有する場合には、レーザ光照射領域Cの面積が、キャップ膜6が形成されている領域の面積より大きくなるようにレーザ照射すると、キャップ膜6が形成されている領域の非晶質半導体膜3のほうに、キャップ膜6が形成されていない領域の非晶質半導体膜3より、より多くのレーザ光8が吸収される。このため、レーザ照射により、非晶質半導体膜3内のキャップ膜6が形成されている領域に熱が優先的に誘導される。これにより、レーザ光照射領域Cのうち、キャップ膜6が形成されている領域の非晶質半導体膜3を厚さにわたって溶融させることができる。
FIG. 6 is a cross-sectional view of an example of a semiconductor device that is being fabricated by a conventional lateral growth method. Here, as shown in FIG. 6, the
つぎに、溶融している非晶質半導体膜3を冷却することにより凝固させると、レーザ光照射領域Cのうち、厚さに亘って溶融している領域と、厚さに亘って溶融していない領域との境界から、キャップ膜6の中心に向かうようにして、横方向に結晶が成長する。
Next, when the melted
以上のように、従来のキャッピング法を用いたラテラル成長法によれば、特定の位置にキャップ膜を形成しておくことにより、結晶質半導体膜を形成する領域および結晶の成長方向の方位を制御することができ、特定の場所に薄膜トランジスタのチャネル領域を形成することができる。 As described above, according to the lateral growth method using the conventional capping method, the region for forming the crystalline semiconductor film and the orientation of the crystal growth direction are controlled by forming a cap film at a specific position. The channel region of the thin film transistor can be formed in a specific place.
しかし、従来のキャッピング法を用いたラテラル成長法により成長させた結晶性半導体膜上にチャネル領域を形成し、薄膜トランジスタを作製した場合には、薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する位置の違いによって、薄膜トランジスタの特性にばらつきが生じる問題が多く発生していた。 However, when a channel region is formed on a crystalline semiconductor film grown by a lateral growth method using a conventional capping method and a thin film transistor is manufactured, the thin film transistor has a difference in position where the channel region of the thin film transistor is formed. Many problems that caused variations in characteristics occurred.
このような薄膜トランジスタの特性のばらつきの原因は、ラテラル成長法による結晶成長の基点となる結晶核が非晶質半導体膜の溶融領域と非溶融領域との境界のランダムな位置に発生するため、チャネル領域を形成する結晶質半導体膜を構成する結晶の大きさや幅が半導体膜の結晶化領域内の位置によって異なることである。 The cause of such variations in the characteristics of thin film transistors is that the crystal nuclei, which are the starting points for crystal growth by the lateral growth method, are generated at random positions on the boundary between the melted region and the non-melted region of the amorphous semiconductor film. That is, the size and width of the crystal constituting the crystalline semiconductor film forming the region differ depending on the position in the crystallization region of the semiconductor film.
そのため、上記の従来のキャッピング法を用いたラテラル成長法により成長させた結晶質半導体膜上にチャネル領域を形成し、薄膜トランジスタを作成した場合においても、結晶化領域の位置制御は容易になるものの、未だ十分に満足行くほどチャネル領域の結晶性が高く、電界効果移動度に優れる、安定した特性の薄膜トランジスタは得られていない。
上記のように、従来のキャッピング法を用いたラテラル成長法では、結晶化領域の位置制御は容易になるものの、得られた結晶を用いてチャネル領域を形成しても、安定して高特性の薄膜トランジスタを得ることは出来ないという問題を有していた。 As described above, the lateral growth method using the conventional capping method makes it easy to control the position of the crystallized region. However, even if the channel region is formed using the obtained crystal, it has stable and high characteristics. There was a problem that a thin film transistor could not be obtained.
上記の問題に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、キャッピング法を用いたラテラル成長法を利用して形成される結晶質半導体膜が、結晶性に優れた結晶で構成されているため、安定して高特性を有する薄膜トランジスタを作製することが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供することである。 In view of the above problems, the problem to be solved by the present invention is that a crystalline semiconductor film formed using a lateral growth method using a capping method is composed of crystals having excellent crystallinity. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stably manufacturing a thin film transistor having high characteristics.
本発明者は、上記の課題を解決するために、従来のキャッピング法を用いたラテラル成長法の有する問題点について、さらなる検討をした。 In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor further examined the problems of the lateral growth method using the conventional capping method.
その結果、本発明者は、従来のキャッピング法を用いたラテラル成長法においては、非晶質半導体膜の表面上にキャップ膜が存在することにより、基板から溶融した非晶質半導体膜の最表層に向かう方向の結晶成長が抑制されるため、成長結晶内に大きな内部応力が発生し、この応力を緩和するために、結晶内部に多数の亜粒界が形成されることを見出した。そして、本発明者は、この多数の亜粒界がキャリア散乱の原因となるため、薄膜トランジスタの特性を低下させる、との結論に至った。 As a result, in the lateral growth method using the conventional capping method, the present inventor has found that the outermost layer of the amorphous semiconductor film melted from the substrate due to the presence of the cap film on the surface of the amorphous semiconductor film. It has been found that since the crystal growth in the direction toward is suppressed, a large internal stress is generated in the grown crystal, and in order to relieve this stress, a large number of subgrain boundaries are formed inside the crystal. The inventor has come to the conclusion that the characteristics of the thin film transistor are deteriorated because the large number of subgrain boundaries cause carrier scattering.
そこで、本発明者は、上記の亜粒界の発生の問題を解決するために、キャッピング法を用いたラテラル成長法の改良を試み、試行錯誤を繰返した。 Therefore, the present inventor tried to improve the lateral growth method using the capping method in order to solve the above problem of generation of subgrain boundaries, and repeated trial and error.
その結果、本発明者は、非晶質半導体膜の表面上に、互いに特定の位置関係にある、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜を積層することにより、この第一のキャップ膜および第二のキャップ膜に挟まれた領域に、薄膜トランジスタのチャネル領域に好適に用いることができるほど結晶性が高い領域を作製することができることを見出し、本発明を完成した。 As a result, the present inventor laminated the first cap film and the second cap film, which are in a specific positional relationship with each other, on the surface of the amorphous semiconductor film, thereby The inventors have found that a region having high crystallinity that can be suitably used for a channel region of a thin film transistor can be formed in a region sandwiched between second cap films, and the present invention has been completed.
すなわち、本発明の半導体デバイスの製造方法は、基板と、この基板上に直接または間接に積層された結晶質半導体膜と、を備える半導体デバイスの製造方法であって、この基板上に直接または間接に非晶質半導体膜を積層する工程と、この非晶質半導体膜の表面上の一部に第一のキャップ膜を形成する工程と、この非晶質半導体膜の表面上のこの第一のキャップ膜が形成されていない領域上の一部に第二のキャップ膜を形成する工程と、この非晶質半導体膜の表面のうち、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜の両方を含む領域と、この第一のキャップ膜と、この第二のキャップ膜と、に対してレーザ光を照射することにより、固体状態にあるこの非晶質半導体膜の一部を液体状態に溶融させる工程と、この液体状態の半導体を結晶化してこの結晶質半導体膜に変換する工程と、を備える、半導体デバイスの製造方法である。 That is, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a substrate and a crystalline semiconductor film laminated directly or indirectly on the substrate, and directly or indirectly on the substrate. Laminating an amorphous semiconductor film on the surface, forming a first cap film on a portion of the surface of the amorphous semiconductor film, and forming the first cap film on the surface of the amorphous semiconductor film. A step of forming a second cap film on a part of the region where the cap film is not formed, and both the first cap film and the second cap film of the surface of the amorphous semiconductor film A portion of the amorphous semiconductor film in a solid state is melted into a liquid state by irradiating the region including the first cap film and the second cap film with laser light. And the liquid state semiconductor And a step of converting crystallized this crystalline semiconductor film, a manufacturing method of a semiconductor device.
ここで、この非晶質半導体膜を液体状態に溶融させる工程は、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜が形成されている領域と、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜に挟まれた領域と、をこの非晶質半導体膜の厚みにわたって溶融させ、かつこの第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜が形成されている領域と、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜に挟まれた領域と、以外の領域をこの非晶質半導体膜の厚みにわたって溶融させない、放射照度および照射時間のレーザ光を、この非晶質半導体膜の表面のうち、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜の両方を含む領域と、この第一のキャップ膜と、この第二のキャップ膜と、に対して照射することにより、固体状態にあるこの非晶質半導体膜の一部を液体状態に溶融させる工程を含むことが好ましい。 Here, the step of melting the amorphous semiconductor film into a liquid state includes the region where the first cap film and the second cap film are formed, the first cap film, and the second cap film. A region sandwiched between the cap films, and a region where the first cap film and the second cap film are formed and the first cap film is melted over the thickness of the amorphous semiconductor film. In addition, a region other than the region sandwiched between the second cap films and a region other than the region that does not melt over the thickness of the amorphous semiconductor film is irradiated with laser light of irradiance and irradiation time on the surface of the amorphous semiconductor film. By irradiating the region including both the first cap film and the second cap film, the first cap film, and the second cap film, Amorphous A part of the semiconductor film preferably includes a step of melting to a liquid state.
また、この結晶質半導体膜に変換する工程は、この非晶質半導体膜の表面のうち、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜の両方を含む領域と、この第一のキャップ膜と、この第二のキャップ膜と、に対して、第二のレーザ光を照射した状態で、この液体状態の半導体を結晶化してこの結晶質半導体膜に変換する工程を含むことが望ましい。 Further, the step of converting to the crystalline semiconductor film includes the step of converting the region of the amorphous semiconductor film including both the first cap film and the second cap film, and the first cap film. In addition, it is desirable to include a step of crystallizing the liquid semiconductor and converting it into the crystalline semiconductor film in a state where the second cap film is irradiated with the second laser light.
そして、この結晶質半導体膜に変換する工程は、この非晶質半導体膜の表面のうち、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜の両方を含む領域と、この第一のキャップ膜と、この第二のキャップ膜と、に対して、単独照射の場合にはこの非晶質半導体膜を融点以上の温度に加熱することのできない放射照度および照射時間の条件でこの第二のレーザ光を照射した状態で、この液体状態の半導体を結晶化してこの結晶質半導体膜に変換する工程を含むことが好ましい。 Then, the step of converting to the crystalline semiconductor film includes the step of converting the region of the surface of the amorphous semiconductor film including both the first cap film and the second cap film, and the first cap film. And the second cap film, in the case of irradiating alone, the second laser under the conditions of irradiance and irradiation time in which the amorphous semiconductor film cannot be heated to a temperature higher than the melting point. It is preferable to include a step of crystallizing the liquid semiconductor and converting it to the crystalline semiconductor film in the state of irradiation with light.
また、この非晶質半導体膜を液体状態に溶融させる工程は、この非晶質半導体膜の表面のうち、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜の両方を含む領域と、この第一のキャップ膜と、この第二のキャップ膜と、に対して、第一のレーザ光および第二のレーザ光を照射することにより、固体状態にあるこの非晶質半導体膜の一部を液体状態に溶融させる工程を含み、この結晶質半導体膜に変換する工程は、この第二のレーザ光を照射した状態で、この液体状態の半導体を結晶化してこの結晶質半導体膜に変換する工程を含むことが望ましい。 In addition, the step of melting the amorphous semiconductor film into a liquid state includes a region including both the first cap film and the second cap film on the surface of the amorphous semiconductor film, By irradiating the first cap light and the second laser light to one cap film and the second cap film, a part of the amorphous semiconductor film in a solid state is liquidated The step of converting into a crystalline semiconductor film includes the step of melting into a state, and the step of converting to a crystalline semiconductor film by crystallizing the liquid state semiconductor in the state irradiated with the second laser light. It is desirable to include.
さらに、上記の場合には、この非晶質半導体膜を液体状態に溶融させる工程は、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜の両方を含む領域と、この第一のキャップ膜と、この第二のキャップ膜と、に対して、この第一のレーザ光およびこの第一のレーザ光の照射領域を含む照射領域を有する第二のレーザ光を照射することにより、固体状態にあるこの非晶質半導体膜の一部を液体状態に溶融させる工程を含むことが好ましい。 Further, in the above case, the step of melting the amorphous semiconductor film into a liquid state includes a region including both the first cap film and the second cap film, and the first cap film. By irradiating the second cap film and the second laser beam having the irradiation region including the irradiation region of the first laser beam and the first laser beam, the second cap film is in a solid state. It is preferable to include a step of melting a part of the amorphous semiconductor film into a liquid state.
また、この第一のキャップ膜を形成する工程は、このレーザ光に対してこの非晶質半導体膜の反射率より低い反射率を有する第一のキャップ膜を形成する工程を含み、この第二のキャップ膜を形成する工程は、この非晶質半導体膜の表面上のこの第一のキャップ膜が形成されていない領域上の一部に、このレーザ光に対してこの非晶質半導体膜の反射率より低い反射率を有する第二のキャップ膜を形成する工程を含むことが好ましい。 The step of forming the first cap film includes a step of forming a first cap film having a reflectance lower than that of the amorphous semiconductor film with respect to the laser light. In the step of forming the cap film, a portion of the amorphous semiconductor film on the surface of the amorphous semiconductor film where the first cap film is not formed is partially exposed to the laser light. It is preferable to include a step of forming a second cap film having a reflectance lower than the reflectance.
そして、この第二のキャップ膜を形成する工程は、この第一のキャップ膜に対向する境界面の少なくとも1部が凹形である第二のキャップ膜を形成する工程を含むことが望ましい。 The step of forming the second cap film preferably includes the step of forming a second cap film in which at least a part of the boundary surface facing the first cap film is concave.
さらに、本発明の半導体デバイスの製造方法は、上記の工程に加えて、この結晶質半導体膜のうち、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜が形成されない領域に、薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する工程をさらに備えることが好ましい。 Further, in the semiconductor device manufacturing method of the present invention, in addition to the above steps, the channel region of the thin film transistor is formed in a region of the crystalline semiconductor film where the first cap film and the second cap film are not formed. It is preferable to further include the step of performing.
また、この結晶質半導体膜に変換する工程は、この液体状態の半導体を結晶化して、単結晶質半導体膜および/または多結晶質半導体膜に変換する工程を含むことが望ましい。 Further, it is desirable that the step of converting into the crystalline semiconductor film includes a step of crystallizing the liquid semiconductor to convert it into a single crystalline semiconductor film and / or a polycrystalline semiconductor film.
そして、この非晶質半導体膜を積層する工程は、この基板上に直接または間接に、この結晶質半導体膜よりも結晶性の低い、多結晶質半導体膜、微結晶質半導体膜およびアモルファス質半導体膜からなる群より選ばれる1種以上を積層する工程を含むことが好ましい。 Then, the step of laminating the amorphous semiconductor film is performed directly or indirectly on the substrate. The polycrystalline semiconductor film, the microcrystalline semiconductor film, and the amorphous semiconductor are lower in crystallinity than the crystalline semiconductor film. It is preferable to include a step of laminating one or more selected from the group consisting of films.
また、この非晶質半導体膜を積層する工程は、この基板上に直接または間接に、シリコン系半導体を材質として含む非晶質半導体膜を積層する工程を含むことが望ましい。 The step of laminating the amorphous semiconductor film preferably includes a step of laminating an amorphous semiconductor film containing a silicon-based semiconductor as a material directly or indirectly on the substrate.
そして、この第一のキャップ膜を形成する工程は、二酸化シリコンを材質として含む第一のキャップ膜を形成する工程を含み、この第二のキャップ膜を形成する工程は、この非晶質半導体膜の表面上のこの第一のキャップ膜が形成されていない領域上の一部に、二酸化シリコンを材質として含む第二のキャップ膜を形成する工程を含むことが好ましい。 The step of forming the first cap film includes the step of forming the first cap film containing silicon dioxide as a material, and the step of forming the second cap film includes the amorphous semiconductor film. It is preferable to include a step of forming a second cap film containing silicon dioxide as a material on a part of the surface where the first cap film is not formed.
この第二のキャップ膜を形成する工程は、この非晶質半導体膜の表面上のこの第一のキャップ膜が形成されていない領域上の一部に、この第一のキャップ膜と第二のキャップ膜との最短の距離が薄膜トランジスタのチャネル領域の幅以上の長さとなる位置に、第二のキャップ膜を形成する工程を含むことが望ましい。 In the step of forming the second cap film, the first cap film and the second cap film are formed on a portion of the surface of the amorphous semiconductor film where the first cap film is not formed. It is desirable to include a step of forming the second cap film at a position where the shortest distance to the cap film is longer than the width of the channel region of the thin film transistor.
本発明の半導体デバイスの製造方法は、非晶質半導体膜の表面上に、互いに特定の位置関係となるように積層された第一のキャップ膜および第二のキャップ膜を用いるため、下記に示すように、この第一のキャップ膜および第二のキャップ膜に挟まれた領域に、薄膜トランジスタのチャネル領域に好適に用いることができるほど結晶性が高く、亜粒界を含まない領域を作製することができる。 The semiconductor device manufacturing method of the present invention uses the first cap film and the second cap film laminated on the surface of the amorphous semiconductor film so as to have a specific positional relationship with each other. Thus, in the region sandwiched between the first cap film and the second cap film, a region having a crystallinity high enough to be suitably used for a channel region of a thin film transistor and including no sub-boundary is produced. Can do.
すなわち、本発明の半導体デバイスの製造方法を用いることにより、キャッピング法を用いたラテラル成長法を利用して結晶質半導体膜を形成した場合にも、結晶性に優れた結晶で構成されている半導体膜を得ることができる。したがって、このような亜粒界を含まない結晶の上に薄膜トランジスタを作成することで、安定して高特性の薄膜トランジスタを提供することができる。 That is, by using the semiconductor device manufacturing method of the present invention, even when a crystalline semiconductor film is formed using a lateral growth method using a capping method, a semiconductor composed of crystals having excellent crystallinity. A membrane can be obtained. Therefore, a thin film transistor having a high characteristic can be stably provided by forming a thin film transistor on a crystal that does not include a sub-boundary.
以下、実施の形態を示して本発明をより詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments.
<半導体デバイスの製造方法>
図1は、本発明の半導体デバイスの製造方法の一例の工程を示すフロー図である。
<Semiconductor device manufacturing method>
FIG. 1 is a flow chart showing steps of an example of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
本発明の半導体デバイスの製造方法は、たとえば、図1に示すように、基板と、この基板上に直接または間接に積層された結晶質半導体膜と、を備える半導体デバイスの製造方法であって、この基板上に直接または間接に非晶質半導体膜を積層する工程(S101)と、この非晶質半導体膜の表面上の一部に第一のキャップ膜を形成する工程(S103)と、この非晶質半導体膜の表面上のこの第一のキャップ膜が形成されていない領域上の一部に第二のキャップ膜を形成する工程(S105)と、この非晶質半導体膜の表面のうち、この第一のキャップ膜およびこの第二のキャップ膜の両方を含む領域と、この第一のキャップ膜と、この第二のキャップ膜と、に対してレーザ光を照射することにより、固体状態にあるこの非晶質半導体膜の一部を液体状態に溶融させる工程(S107)と、この液体状態の半導体を結晶化してこの結晶質半導体膜に変換する工程(S109)と、を備える、半導体デバイスの製造方法である。 The semiconductor device manufacturing method of the present invention is, for example, as shown in FIG. 1, a semiconductor device manufacturing method comprising a substrate and a crystalline semiconductor film laminated directly or indirectly on the substrate, A step of laminating an amorphous semiconductor film directly or indirectly on the substrate (S101), a step of forming a first cap film on a part of the surface of the amorphous semiconductor film (S103), A step (S105) of forming a second cap film on a portion of the surface of the amorphous semiconductor film where the first cap film is not formed; The solid state is obtained by irradiating the region including both the first cap film and the second cap film, the first cap film, and the second cap film with laser light. Of this amorphous semiconductor film Parts and step (S107) is melted to a liquid state, the semiconductor of the liquid state by crystallizing comprises a step (S109) of converting into the crystalline semiconductor film, the a method for manufacturing a semiconductor device.
本発明の半導体デバイスの製造方法が上記の複数の工程を有する理由は、このように非晶質半導体膜の表面上に、互いに特定の位置関係となるように積層された第一のキャップ膜および第二のキャップ膜を積層すると、レーザ光を照射することにより、この第一のキャップ膜および第二のキャップ膜に挟まれた領域に、薄膜トランジスタのチャネル領域に好適に用いることができるほど結晶性が高く、亜粒界を含まない領域を作製することができるからである。 The reason why the semiconductor device manufacturing method of the present invention includes the plurality of steps described above is that the first cap film laminated on the surface of the amorphous semiconductor film so as to have a specific positional relationship with each other, and When the second cap film is laminated, the crystallinity can be suitably used for the channel region of the thin film transistor in the region sandwiched between the first cap film and the second cap film by irradiating laser light. This is because a region that is high and does not include subgrain boundaries can be produced.
<薄膜積層工程>
図2は、本発明の半導体デバイスの製造方法の一例の工程を示す断面図である。
<Thin film lamination process>
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process of an example of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
この例では、図2に示す手順にしたがい、半導体デバイス1の製造のために、基板2上に複数の薄膜を順次積層形成する。
In this example, in accordance with the procedure shown in FIG. 2, a plurality of thin films are sequentially stacked on the
まず、図2(a)に示すように、基板2上に直接または間接に非晶質半導体膜3を形成する。ここで基板2としては、絶縁性であることが好ましくガラス基板や石英基板などを用いることができるが、安価である点および大面積基板を容易に製造できる点でガラス基板を用いることが好適である。
First, as shown in FIG. 2A, the
この非晶質半導体膜3は、膜厚が10nm〜100nmの範囲内となるように、プラズマエンハンスド化学気相堆積(PECVD)法、蒸着法、またはスパッタリング法などにより積層されることが好ましい。
The
かかる非晶質半導体膜3の材質としては、半導体特性を示す従来公知のものであれば特に限定されないが、ラテラル結晶成長の長さを長くすることにより種々の特性が顕著に向上するアモルファス系シリコン膜とすることが好ましい。なお、この非晶質半導体膜3の材質は、シリコンのみからなる材質に限られるものではなく、ゲルマニウムなどの他の元素を含んだシリコンを主成分とする材質であってもよい。これらの中でも、特に二酸化シリコンを材質として含むことが望ましい。
The material of the
また、第一のキャップ膜は、レーザ光に対して非晶質半導体膜の反射率より低い反射率を有することが好ましい。さらに、第二のキャップ膜は、非晶質半導体膜の表面上の第一のキャップ膜が形成されていない領域上の一部に形成され、レーザ光に対して非晶質半導体膜の反射率より低い反射率を有することが好ましい。これらのキャップ膜のレーザ光に対する反射率が低ければ、レーザ光の吸収性が高まるため、キャップ膜の下部およびその周辺領域の非晶質半導体膜が他の領域よりもよく加熱され、容易かつ短時間に目的の領域のみが溶融することとなるためである。 The first cap film preferably has a reflectance lower than that of the amorphous semiconductor film with respect to the laser light. Further, the second cap film is formed on a part of the surface of the amorphous semiconductor film where the first cap film is not formed, and the reflectance of the amorphous semiconductor film with respect to the laser light It is preferred to have a lower reflectivity. If the cap film has a low reflectance with respect to the laser beam, the absorption of the laser beam is increased. Therefore, the amorphous semiconductor film in the lower portion of the cap film and its peripheral region is heated better than the other regions, and it is easy and short. This is because only the target region melts in time.
ここで、基板2と非晶質半導体膜3の間には、図2(a)に示すように、バッファ膜5を形成してもよい。このバッファ膜5を形成することにより、主としてレーザ光による溶融、再結晶化の際に、溶融した非晶質半導体膜3の熱影響が基板2に及ばないようにすることができ、さらに基板2から非晶質半導体膜3への不純物拡散を防止することができる。このようなバッファ膜5としては、膜厚が100〜300nmの範囲内の、蒸着法、イオンプレーティング法、またはスパッタリング法などにより積層された、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などが挙げられる。
Here, a
次に、図2(b)に示すように、非晶質半導体膜3上に第一のキャップ膜30および第二のキャップ膜31を含むキャップ膜6を形成する。キャップ膜6は、プラズマエンハンスド化学気相堆積(PECVD)法、蒸着法、またはスパッタリング法などにより積層される。キャップ膜6の材質は、この後の工程で照射されるレーザ光に対して溶融しないものであれば特に限定されないが、材料の安定性、膜厚設計の容易さなどの点から、二酸化シリコンを主要な材質とすることが望ましい。
Next, as shown in FIG. 2B, the
図8は、本発明に用いるキャップ膜の形成方法の一例を示す平面図である。 FIG. 8 is a plan view showing an example of a method for forming a cap film used in the present invention.
ここで、形成されるキャップ膜6は、図8に示すように、所定の形状を有し、特定の位置関係にある、第一のキャップ膜30および第二のキャップ膜31から構成される。すなわち、第二のキャップ膜は、この第一のキャップ膜に対向する境界面の少なくとも1部が凹形であるように形成されることが好ましい。後述するように、溶融した非晶質半導体膜が凹型の部位を核として結晶成長を開始するため、多くの結晶成長がランダムに発生することがなく、より大きな単結晶領域を得ることができるためである。
Here, as shown in FIG. 8, the
第一のキャップ30と第二のキャップ膜31との最短の長さ34は、薄膜トランジスタのチャネル領域の幅の1倍以上であることが好ましく、特に1.5倍以上であることがより好ましい。この長さが小さすぎる場合には、チャネル領域内に単結晶でない領域が含まれる傾向があるからである。
The
これらの範囲内でも、第一のキャップ30と第二のキャップ膜31との最短の長さ34は、薄膜トランジスタ作成時に、チャネル領域を構成するのに十分な長さの約2倍の長さが最も好適である。この第一のキャップと第二のキャップ膜とに挟まれ、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜が形成されない領域に、後述するようにおおきな単結晶領域が成長するため、この領域に薄膜トランジスタのチャネル領域を形成すれば、特性に優れた薄膜トランジスタを作製することができるためである。
Even within these ranges, the
その後、図2(c)に示すように、レーザ光8を非晶質半導体膜3と、第一のキャップ膜30と、第二のキャップ膜31と、に照射する工程に移るが、詳細については、下記にて説明する。
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the process proceeds to the step of irradiating the
<半導体膜結晶化工程>
図3は、ラテラル成長法に用いる半導体デバイス製造装置の一例を示す構成図である。
<Semiconductor film crystallization process>
FIG. 3 is a block diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing apparatus used for the lateral growth method.
本発明の半導体デバイスの製造方法においては、上記の薄膜積層工程に続いて、図3に示すような半導体デバイス製造装置を用いて、積層された非晶質半導体膜を結晶化し、結晶質半導体膜を形成することが好ましい。 In the semiconductor device manufacturing method of the present invention, following the above-described thin film stacking step, the stacked amorphous semiconductor film is crystallized using a semiconductor device manufacturing apparatus as shown in FIG. Is preferably formed.
なぜなら、図3に示すような半導体デバイス製造装置は、本発明の半導体デバイスの製造方法の備える、非晶質半導体膜の表面のうち、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜の両方を含む領域と、第一のキャップ膜と、第二のキャップ膜と、に対してレーザ光を照射することにより、固体状態にある非晶質半導体膜の一部を液体状態に溶融させる工程を実施するために好適だからである。 This is because the semiconductor device manufacturing apparatus as shown in FIG. 3 includes both the first cap film and the second cap film among the surfaces of the amorphous semiconductor film provided in the semiconductor device manufacturing method of the present invention. A step of melting a part of the amorphous semiconductor film in a solid state into a liquid state is performed by irradiating the region, the first cap film, and the second cap film with laser light. It is because it is suitable for.
まず、図3は非晶質半導体膜を結晶化するための半導体デバイス製造装置200の概念図を示しており、レーザ発振器11、可変減衰器12、フィールドレンズ13、マスク14、結像レンズ15、サンプルステージ16およびいくつかのミラー10a,10b,10cを含んでいる。レーザ発振器11およびサンプルステージ16は、コントローラ17により制御されていて、レーザの照射タイミングおよびサンプルステージ16の位置を調整することができる。これにより、上記装置において、サンプルステージ16を図中矢印方向に移動させることで、レーザ光が照射されるエリアを移動させることができる。この半導体デバイス製造装置200を用いることにより、ステージ16上の半導体デバイス1にレーザ光18を供給することができる。
First, FIG. 3 shows a conceptual diagram of a semiconductor
レーザ光18は、固体状態にある非晶質半導体膜3への吸収率が高い範囲の波長を有することが好ましい。具体的には、レーザ発振器11は、エキシマレーザ、YAGレーザに代表される各種固体レーザなどの紫外域の波長を有するレーザ発振器11であることが望ましい。なお、これらの中でも、パルス放射可能な波長308nmのエキシマレーザ発振器11が特に好ましい。
The
さらに、レーザ光は、少なくとも、固体状態にある、キャップ膜が形成されている領域の非晶質半導体膜を溶融させる放射照度および照射時間を有していることが好ましい。この放射照度および照射時間は、半導体膜の材質、半導体膜の膜厚、結晶化領域の面積、キャップ膜のレーザ光に対する反射率などにより変化し、一義的に定めることはできないため、本発明の実施の態様に合わせて適宜適当な放射照度および照射時間を有する第一のレーザ光18を用いることが望ましい。具体的には、1回の照射によってキャップ膜が形成されている領域の非晶質半導体膜を、全膜厚において融点以上の温度に加熱することができ、かつ、キャップ膜が形成されていない領域の非晶質半導体膜を、全膜厚において融点以上の温度に加熱することができない放射照度および照射時間の第一のレーザ光18を用いることが推奨される。
Further, the laser light preferably has at least irradiance and irradiation time for melting the amorphous semiconductor film in the region where the cap film is formed in a solid state. The irradiance and irradiation time vary depending on the material of the semiconductor film, the thickness of the semiconductor film, the area of the crystallization region, the reflectance of the cap film with respect to the laser light, and the like, and cannot be uniquely determined. It is desirable to use the
ここで、非晶質半導体膜の表面のうち、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜の両方を含む領域は、第一のキャップ膜の周辺領域および上記の第二のキャップ膜の周辺領域を併せた領域であって、第一のキャップ膜と第二のキャップ膜とに挟まれた領域を含む領域であることが好ましい。 Here, in the surface of the amorphous semiconductor film, the region including both the first cap film and the second cap film is a peripheral region of the first cap film and a peripheral region of the second cap film. And a region including a region sandwiched between the first cap film and the second cap film.
このとき、非晶質半導体膜の表面のうち、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜の両方を含む領域と、第一のキャップ膜と、第二のキャップ膜と、に対してレーザ光を照射する場合には、レーザ光は第一のキャップ膜の周辺領域と、第二のキャップ膜の周辺領域と、第一のキャップ膜と、第二のキャップ膜と、に照射されることになる。 At this time, laser light is applied to the region including both the first cap film and the second cap film, the first cap film, and the second cap film on the surface of the amorphous semiconductor film. Is irradiated to the peripheral region of the first cap film, the peripheral region of the second cap film, the first cap film, and the second cap film. Become.
また、非晶質半導体膜の表面のうち、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜の両方を含む領域のうち、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜が積層された領域にはレーザ光は直接照射されることはない。レーザ照射経路の途中に第一のキャップ膜および第二のキャップ膜が存在するためである。 In addition, among the regions including both the first cap film and the second cap film in the surface of the amorphous semiconductor film, the region where the first cap film and the second cap film are stacked is a laser. Light is not directly irradiated. This is because the first cap film and the second cap film exist in the middle of the laser irradiation path.
図4は、ラテラル成長法に用いる半導体デバイス製造装置の一例を示す構成図である。 FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing apparatus used in the lateral growth method.
本発明に用いる半導体デバイス製造装置は、図4に示すように、第一のレーザ光18および第二のレーザ光19を備えた半導体デバイス装置202であってもよい。
The semiconductor device manufacturing apparatus used in the present invention may be a
第一のレーザ光18は、第二のレーザ光19よりも固体状態にある非晶質半導体膜への吸収率が高い範囲の波長を有することが好ましい。
The
レーザ発振器としては、第一のレーザ光18に用いる第一のレーザ発振器20は、エキシマレーザや、YAGレーザに代表される各種固体レーザなどの紫外域の波長を有することが望ましい。なお、これらの中でも、パルス放射可能な波長308nmの第一のエキシマレーザ発振器20が特に好ましい。
As the laser oscillator, the
さらに第一のレーザ光18は、少なくとも、固体状態にある、キャップ膜が形成されている領域の非晶質半導体膜を溶融させる放射照度および照射時間を有している。このエネルギー量は、半導体膜の材質、半導体膜の膜厚、結晶化領域の面積、キャップ膜のレーザ光に対する反射率などにより変化し、一義的に定めることはできないため、本発明の実施の態様に合わせて適宜適当な放射照度および照射時間を有する第一のレーザ光18を用いることが望ましい。具体的には、1回の照射によって、キャップ膜が形成されている領域の非晶質半導体膜を、全膜厚において融点以上の温度に加熱することができ、かつ、キャップ膜が形成されていない領域の非晶質半導体膜を、全膜厚において融点以上の温度に加熱することができない放射照度および照射時間の第一のレーザ光18を用いることが推奨される。
Further, the
また、第二のレーザ光19は、第一のレーザ光18よりも液体状態にあるこの非晶質半導体膜への吸収率が高い範囲の波長を有することが好ましい。
The
発振器としては、第二のレーザ光19に用いる第二のレーザ発振器21は、可視域から赤外域の波長を有することが好ましい。たとえば、波長532nmのYAGレーザ、波長1064nmのYAGレーザ、波長10.6μmの炭酸ガスレーザを放射できる第二のレーザ発振器21などがあげられる。
As the oscillator, the
さらに、第二のレーザ光19は、固体状態にあるこの非晶質半導体膜を溶融させない放射照度および照射時間とする。このエネルギー量は、半導体膜の材質、半導体膜の膜厚、結晶化領域の面積などにより変化し、一義的に定めることはできないため、本発明の実施の態様に合わせて適宜適当な放射照度および照射時間の第二のレーザ光19を用いることが望ましい。具体的には、第二のレーザ光19を単独で照射した場合には、非晶質半導体膜を、融点以上の温度に加熱することのできない放射照度および照射時間の第二のレーザ光19を用いることが推奨される。
Further, the
すなわち、本発明に用いる第二のレーザ光は、単独照射の場合には非晶質半導体膜を融点以上の温度に加熱することのできない放射照度および照射時間の条件でレーザ光であることが好ましい。なぜなら、第二のレーザ光は、半導体の温度低下速度を低下させることができ、固化するまでの時間を延長することを目的として照射するものだからである。 That is, the second laser beam used in the present invention is preferably a laser beam under conditions of irradiance and irradiation time in which the amorphous semiconductor film cannot be heated to a temperature higher than the melting point in the case of single irradiation. . This is because the second laser beam is irradiated for the purpose of reducing the temperature drop rate of the semiconductor and extending the time until solidification.
また、本実施の形態においては、たとえば、第一のレーザ光18を垂直方向から入射させ、第二のレーザ光19を斜方向から入射させることができる。
In the present embodiment, for example, the
さらに、第二のレーザ光19の照射領域は、第一のレーザ光18の照射領域を包含する、第一のレーザ光18の照射領域より広い面積を有する照射領域であることが好ましい。
Further, the irradiation region of the
なお、図4には、説明のために、可変減衰器25、ミラー10a,10b,10c,10dが記載されている。
In FIG. 4, the
図5は、本発明の半導体デバイスの製造方法を実施する際のレーザ光の照射方法の一例を説明するグラフ図である。 FIG. 5 is a graph for explaining an example of a laser beam irradiation method when the semiconductor device manufacturing method of the present invention is carried out.
上記の第一のレーザ光および第二のレーザ光の照射時刻と出力との関係は、図5に示す関係と同様の関係にあることが望ましい。ここで、第一のレーザ光のパルス波形23は、時刻t=0に第一のレーザ光の照射を開始することを示し、第二のレーザ光のパルス波形24は、第二のレーザ光が、時刻t=t1〜t2を除く時間では低出力で(低い放射照度で)放射され、時刻t=t1〜t2において高出力で(高い放射照度で)放射されることを示している。
The relationship between the irradiation time of the first laser beam and the second laser beam and the output is preferably the same as the relationship shown in FIG. Here, the
時刻t1において、非晶質半導体膜は溶融し、液体状態にある。この液体状態にある非晶質半導体膜に対して、第一のレーザ光に加えて第二のレーザ光の照射を高出力で行うことにより、半導体の温度低下速度を低下させることができ、固化するまでの時間を延長することができるため、液体状態にある非晶質半導体膜の固化により生成する結晶質半導体膜を構成する結晶の結晶成長の長さを大幅に延ばすことができる。 At time t1, the amorphous semiconductor film is melted and in a liquid state. The amorphous semiconductor film in the liquid state is irradiated with the second laser beam in addition to the first laser beam at a high output, so that the temperature drop rate of the semiconductor can be reduced and solidified. Therefore, the length of crystal growth of crystals constituting the crystalline semiconductor film generated by solidification of the amorphous semiconductor film in a liquid state can be greatly extended.
よって、上記の非晶質半導体膜を液体状態に溶融させる工程は、非晶質半導体膜の表面のうち、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜の両方を含む領域と、第一のキャップ膜と、第二のキャップ膜と、に対して、第二のレーザ光を照射した状態で、液体状態の半導体を結晶化して結晶質半導体膜に変換する工程を含むことが好ましい。 Therefore, the step of melting the amorphous semiconductor film into a liquid state includes a region including both the first cap film and the second cap film on the surface of the amorphous semiconductor film, and the first cap. It is preferable to include a step of crystallizing a liquid semiconductor to convert it into a crystalline semiconductor film in a state where the film and the second cap film are irradiated with the second laser light.
<半導体膜の結晶性>
上記の結晶質半導体膜に変換する工程は、液体状態の半導体を結晶化して、単結晶質半導体膜および/または多結晶質半導体膜に変換する工程を含むことが好ましい。なお、本明細書において、結晶質半導体膜とは、単結晶半導体膜や多結晶半導体膜を含む概念であり、結晶性の高い半導体を主要な材質として含む半導体膜を示すものとする。ただし、結晶質半導体膜は、完全にすべての材質が単結晶半導体や多結晶半導体からなる必要はなく、一部にアモルファス系半導体や微結晶半導体や結晶性の低い多結晶半導体からなる材質を含んでいても、結晶性の高い半導体を主要な材質として含んでいればよいものとする。
<Crystallinity of semiconductor film>
The step of converting into a crystalline semiconductor film preferably includes a step of crystallizing a liquid semiconductor to convert it into a single crystalline semiconductor film and / or a polycrystalline semiconductor film. Note that in this specification, a crystalline semiconductor film is a concept including a single crystal semiconductor film and a polycrystalline semiconductor film, and indicates a semiconductor film including a semiconductor with high crystallinity as a main material. However, the crystalline semiconductor film does not necessarily have to be made entirely of a single crystal semiconductor or a polycrystalline semiconductor, and partially includes a material made of an amorphous semiconductor, a microcrystalline semiconductor, or a polycrystalline semiconductor having low crystallinity. However, it is only necessary to include a highly crystalline semiconductor as a main material.
また、上記の非晶質半導体膜を積層する工程は、基板上に直接または間接に、結晶質半導体膜よりも結晶性の低い、多結晶質半導体膜、微結晶質半導体膜およびアモルファス質半導体膜からなる群より選ばれる1種以上を積層する工程を含んでいてもよい。かかる結晶性の低い非晶質半導体膜であっても、上記のレーザ照射方法により、容易かつ確実に結晶質半導体膜に変換することが可能だからである。なお、本明細書において、非晶質半導体膜とは、結晶質半導体膜よりも結晶性の低い多結晶質半導体膜や、微結晶質半導体膜やアモルファス質半導体膜などを含む概念であり、結晶性の低い半導体を主要な材質として含む半導体膜を示すものとする。ただし、非晶質半導体膜は、完全にすべての材質が結晶性の低い多結晶質半導体膜や微結晶質半導体膜やアモルファス質半導体膜などからなる必要はなく、一部に単結晶半導体や多結晶半導体からなる材質を含んでいても、結晶性の低い多結晶質半導体膜や微結晶質半導体膜やアモルファス質半導体膜などを主要な材質として含んでいればよいものとする。 In addition, the step of laminating the amorphous semiconductor film includes a polycrystalline semiconductor film, a microcrystalline semiconductor film, and an amorphous semiconductor film having a lower crystallinity than the crystalline semiconductor film, directly or indirectly on the substrate. The process of laminating | stacking 1 or more types chosen from the group which consists of may be included. This is because even such an amorphous semiconductor film with low crystallinity can be easily and reliably converted into a crystalline semiconductor film by the above laser irradiation method. Note that in this specification, an amorphous semiconductor film is a concept including a polycrystalline semiconductor film having a lower crystallinity than a crystalline semiconductor film, a microcrystalline semiconductor film, an amorphous semiconductor film, and the like. A semiconductor film including a low-performance semiconductor as a main material is shown. However, an amorphous semiconductor film does not necessarily need to be made of a polycrystalline semiconductor film, a microcrystalline semiconductor film, an amorphous semiconductor film, or the like, in which all materials are completely low in crystallinity. Even if a material made of a crystalline semiconductor is included, it is only necessary to include a polycrystalline semiconductor film, a microcrystalline semiconductor film, an amorphous semiconductor film, or the like having a low crystallinity as a main material.
以下、実施の形態を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments, but the present invention is not limited thereto.
〔実施の形態1〕
本発明の実施の形態1について、説明すると以下の通りである。
[Embodiment 1]
The following describes
図2は、本発明の半導体デバイスの製造方法の一例の工程を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process of an example of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
まず、図2に示す手順にしたがい、ガラス基板からなる基板2上に、二酸化シリコン膜からなるバッファ膜5を形成し、二酸化シリコン膜上に、アモルファスシリコン膜からなる非晶質半導体膜3を形成し、アモルファスシリコン膜上に、二酸化シリコンを主成分とするキャップ膜6を形成した。
First, according to the procedure shown in FIG. 2, a
二酸化シリコン膜は、蒸着、イオンプレーティング、またはスパッタリングなどにより、ガラス基板上に、300nmの膜厚で積層される。そして、アモルファスシリコン膜は、プラズマエンハンスド化学気相堆積(PECVD)、蒸着、またはスパッタリングなどにより二酸化シリコン膜上に、50nmの膜厚で積層される。 The silicon dioxide film is laminated with a film thickness of 300 nm on the glass substrate by vapor deposition, ion plating, sputtering, or the like. The amorphous silicon film is laminated with a thickness of 50 nm on the silicon dioxide film by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), vapor deposition, sputtering, or the like.
キャップ膜6は、蒸着、イオンプレーティング、またはスパッタリングなどにより、アモルファスシリコン膜上に50nmの膜厚で積層した後、フォトリソグラフィ工程により所定の形状、位置にパターニングすることにより形成される。
The
図8は、本発明に用いるキャップ膜の形成方法の一例を示す平面図である。 FIG. 8 is a plan view showing an example of a method for forming a cap film used in the present invention.
形成されるキャップ膜6は、図8に示すように、第一のキャップ膜30、および第二のキャップ膜31から構成される。
The
ここで、この第二のキャップ膜31は、第一のキャップ膜30より小さく、第一のキャップ膜30と所定の距離を有するように形成することが望ましい。また、第二のキャップ膜31は、上面視形状において、第一のキャップ膜30と対向している境界の一部が、凹形(例えば、内角45度の切り欠き形状)を有する形状であることが望ましい。本実施の形態では、第一のキャップ膜30は、第一のキャップ膜の長さ32が50μm、第一のキャップ膜の幅33が20μmである矩形形状を有するものとした。また、第二のキャップ膜31の形状を、一辺の長さが5μmである正方形パターンの、第一のキャップ膜に対向する一辺に、切り欠部を有する形状とした。この際、第二のキャップ膜が有する切り欠部の内角35が45°となるようにした。第一のキャップおよび第二のキャップ膜間の最短距離34は16μmとした。
Here, it is desirable that the second cap film 31 is smaller than the
図3は、ラテラル成長法に用いる半導体デバイス製造装置の一例を示す構成図である。 FIG. 3 is a block diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing apparatus used for the lateral growth method.
次に、図3に示す装置を用いて、キャップ膜を通してアモルファスシリコン膜に対し、レーザ光を照射し、アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン膜に変換する。レーザ光としてエキシマレーザを用い、波長は308nm、一回の照射のエネルギーフルエンスは2kJ/m2、照射時間は約50ns、照射領域の大きさは(5mm×5mm)とした。また、本実施の形態においては、レーザ光が照射される領域以外の領域における基板の温度を、室温(25℃)と同等の温度に維持した状態でレーザ光の照射を行った。 Next, using the apparatus shown in FIG. 3, the amorphous silicon film is irradiated with laser light through the cap film to convert the amorphous silicon film into a polycrystalline silicon film. An excimer laser was used as the laser beam, the wavelength was 308 nm, the energy fluence of one irradiation was 2 kJ / m 2 , the irradiation time was about 50 ns, and the size of the irradiation region was (5 mm × 5 mm). In this embodiment mode, laser light irradiation is performed in a state where the temperature of the substrate in a region other than the region irradiated with laser light is maintained at a temperature equivalent to room temperature (25 ° C.).
図7は、波長308nmのレーザ光に対する反射率が、二酸化シリコン膜からなるキャップ膜の膜厚に依存することを説明するグラフ図である。 FIG. 7 is a graph illustrating that the reflectance with respect to laser light having a wavelength of 308 nm depends on the film thickness of a cap film made of a silicon dioxide film.
ここで、キャップ膜を通してシリコン膜に対してレーザ照射を行う場合、レーザの波長、キャップ膜の材質、シリコン膜の膜厚などに依存して、反射率が変化する。図7には、膜厚50nmのシリコン上に形成した二酸化シリコン膜からなるキャップ膜の膜厚に対する、波長308nmのエキシマレーザの反射率の変化が示されている。 Here, when laser irradiation is performed on the silicon film through the cap film, the reflectance changes depending on the wavelength of the laser, the material of the cap film, the film thickness of the silicon film, and the like. FIG. 7 shows changes in the reflectance of an excimer laser having a wavelength of 308 nm with respect to the film thickness of a cap film made of a silicon dioxide film formed on silicon having a thickness of 50 nm.
キャップ膜の膜厚が100nmの場合、レーザ光に対する反射率は最大となり、キャップ膜の膜厚が50nmの場合、レーザ光に対する反射率は最低となる。したがって、アモルファスシリコン膜上に膜厚が50nmのキャップ膜を形成した場合、反射率が最低となるため、より多くのレーザ光が吸収され、このキャップ膜を形成した領域を、選択的に加熱することができる。 When the thickness of the cap film is 100 nm, the reflectance with respect to the laser beam is maximized, and when the thickness of the cap film is 50 nm, the reflectance with respect to the laser beam is minimized. Accordingly, when a cap film having a film thickness of 50 nm is formed on the amorphous silicon film, the reflectance is minimized, so that more laser light is absorbed and the region where the cap film is formed is selectively heated. be able to.
また、本実施の形態に従い、多結晶シリコン膜を作成するとともに、従来のキャッピング法に従い、以下の工程で多結晶シリコン膜を作成した。ガラス基板上に、50nmの膜厚であるアモルファスシリコン膜を形成し、アモルファスシリコン膜上に、50nmの膜厚である二酸化シリコンからなるキャップ膜を形成した後、レーザ照射して多結晶シリコン膜を形成した。薄膜の作成方法、半導体デバイス製造装置、レーザ照射方法などは、本実施の形態と同様なので省略する。 In addition, a polycrystalline silicon film was formed in accordance with this embodiment, and a polycrystalline silicon film was formed in the following steps according to a conventional capping method. An amorphous silicon film having a thickness of 50 nm is formed on a glass substrate, a cap film made of silicon dioxide having a thickness of 50 nm is formed on the amorphous silicon film, and then a polycrystalline silicon film is formed by laser irradiation. Formed. The method for forming a thin film, the semiconductor device manufacturing apparatus, the laser irradiation method, and the like are the same as those in this embodiment, and are omitted.
図9のうち、図9(a)は、本発明の半導体デバイスの製造方法により得られる半導体デバイスに含まれる結晶質半導体膜の一例の膜表面をSEMによって撮影した膜表面像の模式図であり、図9(b)は、従来のラテラル成長法により得られる結晶質半導体膜の一例の膜表面をSEMによって撮影した膜表面像の模式図である。 FIG. 9A is a schematic diagram of a film surface image obtained by photographing a film surface of an example of a crystalline semiconductor film included in a semiconductor device obtained by the semiconductor device manufacturing method of the present invention by SEM. FIG. 9B is a schematic diagram of a film surface image obtained by photographing a film surface of an example of a crystalline semiconductor film obtained by a conventional lateral growth method by SEM.
次に、本実施の形態に従うシリコン膜と、従来技術に従うシリコン膜の結晶性を比較するため、SEM(Scanning Electron Microscope)により結晶観察を行う。まず、各多結晶シリコン膜について、SECCOエッチングを行う。このようにして処理された後のシリコン膜について、SEMにより拡大観察した結果を図9に示す。図9(a)は本実施の形態に従う多結晶シリコン膜の膜表面を上記SEMによって撮影した膜表面像であり、図9(b)は従来技術に従う多結晶シリコン膜の膜表面を上記SEMによって撮影した膜表面像である。なお、図9には第二のキャップ膜、および、第二のキャップ膜内において成長する結晶を省略してある。 Next, in order to compare the crystallinity of the silicon film according to the present embodiment and the silicon film according to the conventional technique, crystal observation is performed by SEM (Scanning Electron Microscope). First, SECCO etching is performed on each polycrystalline silicon film. FIG. 9 shows the result of magnifying and observing the silicon film treated in this way by SEM. FIG. 9A is a film surface image obtained by photographing the film surface of the polycrystalline silicon film according to the present embodiment with the SEM, and FIG. 9B is a film surface image of the polycrystalline silicon film according to the prior art with the SEM. It is the film | membrane surface image which image | photographed. In FIG. 9, the second cap film and the crystal growing in the second cap film are omitted.
従来技術に従う多結晶シリコン膜は、図9(b)に示すように、長さ約11μm、幅約1μmの通常結晶37から構成され、通常結晶37は、キャップ膜が形成されている領域の若干外側からキャップ膜中央部にわたって形成されている。
As shown in FIG. 9B, the polycrystalline silicon film according to the prior art is composed of a
ここで、従来技術において、キャップ膜が形成されていない領域にも、レーザ光が照射されるため、キャップ膜が形成されている領域ほど効率的ではないものの、レーザ光のエネルギーが熱エネルギーに変換される。また、レーザ光の照射中にキャップ膜が形成されている領域で発生した熱エネルギーが、キャップ膜が形成されていない領域へ拡散する。これらにより、キャップ膜が形成されている領域と、形成されていない領域の界面付近にアモルファスシリコン膜が厚さに亘って溶融する領域が生じる。 Here, in the prior art, since the laser beam is also irradiated to the region where the cap film is not formed, the laser beam energy is converted into thermal energy, although it is not as efficient as the region where the cap film is formed. Is done. Further, thermal energy generated in the region where the cap film is formed during the laser light irradiation diffuses to the region where the cap film is not formed. As a result, a region where the amorphous silicon film melts over the thickness is formed near the interface between the region where the cap film is formed and the region where the cap film is not formed.
このため、キャップ膜が形成されている領域の若干外側まで、厚さに亘って溶融する領域が広がることになる。したがって、厚さに亘って溶融している領域と、厚さに亘って溶融していない領域との境界である通常結晶の起点40は、キャップ膜が形成されている領域の若干外側に形成される。そして、通常結晶の起点40の位置からキャップ膜中へ結晶成長が起こり、逆側の照射領域端部から成長した結晶と衝突し、成長が終了する。
For this reason, the area | region which fuse | melts over a thickness spreads to the some outer side of the area | region in which the cap film is formed. Therefore, the
このようにして成長した結晶のうち、第一のキャップ膜30が形成されている領域に成長したものは、結晶粒内に多数の亜粒界39を含んでいるが、第一のキャップ膜30が形成されていない領域に成長したものは、結晶粒内に亜粒界39を含んでいない。
Of the crystals grown in this manner, the crystal grown in the region where the
これは、第一のキャップ膜30が形成されている領域は、基板から半導体膜最表層に向かう方向の成長が抑制されるため、成長結晶内に大きな内部応力が発生し、この応力を緩和するために、結晶内部に多数の亜粒界39が形成される一方、第一のキャップ膜30が形成されていない領域は、基板から半導体膜最表層に向かう方向の成長が抑制されないため、成長結晶内に内部応力が非常に小さく、結晶内部に亜粒界39が形成されないことによる。
This is because, in the region where the
このキャップ膜が形成されていない領域に成長する結晶は、たとえば、照射するレーザ光のエネルギーを高くすることにより、増大する傾向にある。しかしながら、過度のエネルギーでレーザ光を照射するとキャップ膜が形成された領域のシリコン膜が爆発(アブレート)するため、結果として、キャップ膜が形成されていない領域に成長する結晶は、それほど増大させることはできない。 The crystal growing in the region where the cap film is not formed tends to increase, for example, by increasing the energy of the irradiated laser beam. However, when laser light is irradiated with excessive energy, the silicon film in the region where the cap film is formed explodes (ablates), and as a result, the number of crystals growing in the region where the cap film is not formed increases so much. I can't.
従来技術の場合、この亜粒界39を含まない領域は高々、長さ約1μm、幅約1μmと非常に狭く、チャネル領域を形成し、薄膜トランジスタを作成するのに十分な広さではない。したがって、亜粒界39を多く含む通常結晶37の上に薄膜トランジスタのチャネル領域を形成することになる。このような薄膜トランジスタは、亜粒界39でのキャリアの散乱が起こるため、特性が大幅に低いものとなる。
In the case of the prior art, the region not including the sub-boundary 39 is very narrow, about 1 μm in length and about 1 μm in width, and is not wide enough to form a channel region and form a thin film transistor. Therefore, the channel region of the thin film transistor is formed on the
一方、本実施の形態に従う多結晶シリコン膜は、図9(a)に示すように、長さ約11μm、幅約1μmの通常結晶37に加えて、長さ約18μm、幅約3μmの大型結晶38から構成され、いずれの結晶も、第一のキャップ膜30が形成されている領域の外側から、第一のキャップ膜30の中央部にわたって形成されているが、大型結晶38は通常結晶37に比べて、より外側から成長が起こっている。
On the other hand, as shown in FIG. 9A, the polycrystalline silicon film according to the present embodiment has a large crystal having a length of about 18 μm and a width of about 3 μm in addition to a
大型結晶38が形成される理由は以下のとおりである。
The reason why the
キャッピング法による結晶化であるため、本実施の形態においても、従来技術同様、キャップ膜が形成されている領域の若干外側まで、厚さに亘って溶融する領域が広がることになる。しかし、本実施の形態の場合、第一のキャップ膜30加えて、第二のキャップ膜31が形成されているために、第一のキャップ膜30が形成されていない領域のうち、第二のキャップ膜31付近の領域は、第二のキャップ膜31からの熱拡散の影響を受けて、アモルファスシリコン膜が厚さに亘って溶融する領域が第二のキャップ31側へ、より広がることになる。
Since the crystallization is performed by the capping method, in the present embodiment as well, as in the conventional technique, the melted region spreads over the thickness slightly outside the region where the cap film is formed. However, in the case of this embodiment, since the second cap film 31 is formed in addition to the
この結果、図9(a)に示すように、結晶核が形成される大型結晶の起点41は、通常結晶の起点40に比べて、第二のキャップ膜31寄りの位置に形成される。そして、大型結晶の起点41の位置からキャップ膜中へ結晶成長が起こり、逆側の照射領域端部から成長した結晶と衝突し、成長が終了する。
As a result, as shown in FIG. 9A, the starting point 41 of the large crystal where the crystal nucleus is formed is formed closer to the second cap film 31 than the
また、第二のキャップ膜31が切り欠部を有する形状であるため、単一の核が形成されやすくなる。したがって、大型結晶の起点41から成長した結晶は、周囲に形成される結晶に阻害されることなく成長することができるため、幅方向にも大きく成長することができる。 Further, since the second cap film 31 has a shape having a notch, a single nucleus is easily formed. Therefore, since the crystal grown from the starting point 41 of the large crystal can be grown without being hindered by the crystals formed around it, it can grow greatly in the width direction.
したがって、本実施の形態の場合、通常結晶37よりも、長さ、幅の両方向に拡大された大型結晶38を形成することができる。
Therefore, in the case of the present embodiment, it is possible to form a
このようにして成長した大型結晶38のうち、従来技術の場合と同様、第一のキャップ膜30が形成されている領域に成長したものは、結晶粒内に多数の亜粒界39を含んでいるが、第一のキャップ膜30が形成されていない領域に成長したものは、結晶粒内に亜粒界39を含んでいない。
Among the
本実施の形態の場合、この亜粒界39を含まない領域は長さ約8μm、幅約3μmと、従来技術の場合に比べ、非常に広く、チャネル領域を形成する薄膜トランジスタを作成するのに十分な広さとなる。したがって、大型結晶38のうち亜粒界39を含まない領域の上に薄膜トランジスタを形成することができる。
In the case of the present embodiment, the region not including the sub-boundary 39 is about 8 μm in length and about 3 μm in width, which is much wider than in the case of the prior art, which is sufficient for forming a thin film transistor that forms a channel region. It becomes a large area. Therefore, a thin film transistor can be formed on a region of the
なお、本実施の形態では、第二のキャップ膜31を、切り欠部を有するパターンとしたが、形状、サイズなどがこれ以外の場合でも、同様の効果が得られる場合がある。 In the present embodiment, the second cap film 31 is a pattern having a notch, but the same effect may be obtained even when the shape, size, etc. are other than this.
図10は、本発明の半導体デバイスの製造方法により得られる半導体デバイスに含まれる結晶質半導体膜を活性層として備える、薄膜トランジスタの製造方法の一例を説明する図である。 FIG. 10 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a thin film transistor including, as an active layer, a crystalline semiconductor film included in a semiconductor device obtained by the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
まず、アモルファスシリコン膜を、本発明の半導体デバイスの製造方法に用いられるキャッピング法を利用するラテラル成長法により結晶化し、キャップ膜を、エッチングにより除去する(図10(a))。 First, the amorphous silicon film is crystallized by a lateral growth method using the capping method used in the semiconductor device manufacturing method of the present invention, and the cap film is removed by etching (FIG. 10A).
次に、シリコンアイランド領域(活性化層)45をフォトリソグラフィ法によって形成する(図10(b))。このとき、チャネル領域44は、大型結晶38の第一のキャップ膜30が形成されていない領域でのみ構成されるように、シリコンアイランド領域45を配置する。
Next, a silicon island region (activation layer) 45 is formed by photolithography (FIG. 10B). At this time, the
次に、シリコン膜上に絶縁層を形成した後、ゲート電極46を形成し(図10(c))、イオンドーピング法により不純物をイオン注入し、活性化処理を行い、続いて層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールをあけて電極配線を設けることにより、薄膜トランジスタの製造が完了する。なお、必要に応じて、トランジスタの特性改善のための水素化処理を行ってもよい。
Next, after forming an insulating layer on the silicon film, a
図11は、本発明の半導体デバイスの製造方法により得られる、薄膜トランジスタの構造の一例を説明する断面図である。 FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of the structure of a thin film transistor obtained by the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
図11には、説明のために、ソース電極61、ドレイン電極62、ゲート電極63、チャネル領域64、シリコンアイランド領域(活性層)65、絶縁層66、バッファ層(絶縁層)67、絶縁性基板68が記載されている。 In FIG. 11, for explanation, a source electrode 61, a drain electrode 62, a gate electrode 63, a channel region 64, a silicon island region (active layer) 65, an insulating layer 66, a buffer layer (insulating layer) 67, an insulating substrate 68 is described.
図12は、従来のラテラル成長法による結晶質半導体膜を活性層とする薄膜トランジスタの製造方法の一例を説明する図である。 FIG. 12 is a diagram for explaining an example of a method of manufacturing a thin film transistor using a crystalline semiconductor film as an active layer by a conventional lateral growth method.
従来技術により作成した半導体デバイスを用いた薄膜トランジスタでは、チャネル領域44が成長した結晶性半導体膜のうち、第一のキャップ膜30が形成されている領域で構成されている。このため、チャネル領域44のシリコン膜は多数の亜粒界を含む。したがって、粒界でのキャリア散乱が生じ、薄膜トランジスタの性能が低下する。また、チャネル領域44を形成する結晶性半導体膜を構成する結晶の大きさや幅が結晶化領域内の位置によって異なるため、薄膜トランジスタのチャネル領域44を形成する位置によって、トランジスタ特性にばらつきが生じる。
A thin film transistor using a semiconductor device produced by a conventional technique is constituted by a region in which a
一方、本実施の形態により作成した半導体デバイスを用いた薄膜トランジスタでは、チャネル領域が大型結晶上のうち、第一のキャップ膜が形成されていない領域で構成されている。このため、チャネル領域のシリコン膜は亜粒界を含まない。このような薄膜トランジスタは、亜粒界でのキャリアの散乱が抑制されるため、従来よりも特性が大幅に向上したものとなる。また、さらに、大型結晶は必ず、第一のキャップ膜と第二のキャップ膜の間に形成されるため、この領域に薄膜トランジスタを形成すれば、必ず高特性の薄膜トランジスタを得ることができる。 On the other hand, in the thin film transistor using the semiconductor device manufactured according to the present embodiment, the channel region is formed of a region on the large crystal where the first cap film is not formed. For this reason, the silicon film in the channel region does not include subgrain boundaries. Such a thin film transistor has significantly improved characteristics as compared with the prior art because scattering of carriers at sub-grain boundaries is suppressed. Furthermore, since a large crystal is always formed between the first cap film and the second cap film, a high-performance thin film transistor can be obtained without fail if a thin film transistor is formed in this region.
以上のように、本実施の形態によれば、大型結晶のうち、亜粒界が形成されていない領域に薄膜トランジスタのチャネル領域を形成することにより、安定して、高特性の薄膜トランジスタを提供することができる。 As described above, according to the present embodiment, a thin film transistor channel region is formed in a region where a sub-boundary is not formed in a large crystal, thereby stably providing a high-performance thin film transistor. Can do.
すなわち、本実施の形態によれば、アモルファスシリコン膜上に、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜を形成し、これらのキャップ膜を含むようにレーザ光を照射することで、結晶性に優れた多結晶シリコン膜で構成されている結晶性半導体膜を得ることができる。そして、このような多結晶シリコン膜上に薄膜トランジスタのチャネル領域を形成することで、安定して高特性の薄膜トランジスタを提供することができる。 That is, according to the present embodiment, the first cap film and the second cap film are formed on the amorphous silicon film, and the laser light is irradiated so as to include these cap films, so that the crystallinity is achieved. A crystalline semiconductor film composed of an excellent polycrystalline silicon film can be obtained. By forming the channel region of the thin film transistor on such a polycrystalline silicon film, a thin film transistor having high characteristics can be stably provided.
〔実施の形態2〕
本発明の実施の形態2について、説明すると以下の通りである。
[Embodiment 2]
The following describes
本実施の形態は、レーザ照射に用いる装置およびレーザ照射方法が実施の形態1と異なり、他は同様である。従って、同様である部分についての詳細な説明を略し、レーザ照射に用いる装置およびレーザ照射方法について詳細に説明する。 This embodiment is the same as the first embodiment except for the apparatus and laser irradiation method used for laser irradiation. Therefore, a detailed description of the same parts will be omitted, and a device used for laser irradiation and a laser irradiation method will be described in detail.
図4は、ラテラル成長法に用いる半導体デバイス製造装置の一例を示す構成図である。 FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a semiconductor device manufacturing apparatus used in the lateral growth method.
本実施の形態は、図3に示す装置を用いる代わりに図4に示す装置を用いる。すなわち、第一のレーザ照射に加えて第二のレーザ照射を行う。 In this embodiment, the apparatus shown in FIG. 4 is used instead of the apparatus shown in FIG. That is, the second laser irradiation is performed in addition to the first laser irradiation.
図5は、本発明の半導体デバイスの製造方法を実施する際のレーザ光の照射方法の一例を説明するグラフ図である。 FIG. 5 is a graph for explaining an example of a laser beam irradiation method when the semiconductor device manufacturing method of the present invention is carried out.
本実施の形態では、図5に示される第一のレーザ光と第二のレーザ光との照射時間と出力との関係において、時刻t1=40nsとした条件で、第一のレーザ光と第二のレーザ光とをアモルファスシリコン膜に照射した。 In the present embodiment, the relationship between the irradiation time and the output of the first laser beam and the second laser beam shown in FIG. Were irradiated to the amorphous silicon film.
そして、図5に示される第一のレーザ光と第二のレーザ光との照射時間と出力との関係において、第一のレーザ光としては、エキシマレーザを用い、波長は308nm、1回の照射あたりのエネルギーフルエンスは2kJ/m2、照射時間は約50ns、照射領域の大きさは(5mm×5mm)とし、第二のレーザ光としては、炭酸ガスレーザを用い、波長は10.6μm、エネルギーフルエンスは約50kJ/m2、照射時間は約3ms、照射領域の大きさは(5.5mm×5.5mm)とした。 In the relationship between the irradiation time and the output of the first laser beam and the second laser beam shown in FIG. 5, an excimer laser is used as the first laser beam, the wavelength is 308 nm, and the irradiation is performed once. The energy fluence per unit is 2 kJ / m 2 , the irradiation time is about 50 ns, the size of the irradiation region is (5 mm × 5 mm), a carbon dioxide laser is used as the second laser beam, the wavelength is 10.6 μm, and the energy fluence. Was about 50 kJ / m 2 , the irradiation time was about 3 ms, and the size of the irradiation region was (5.5 mm × 5.5 mm).
さらに、本実施の形態においては、第一のレーザ光と第二のレーザ光とが照射される領域以外の領域における基板の温度を、室温(25℃)と同等の温度に維持した状態で第一のレーザ光と第二のレーザ光との照射を行なった。 Further, in the present embodiment, the substrate temperature in the region other than the region irradiated with the first laser beam and the second laser beam is maintained at a temperature equivalent to room temperature (25 ° C.). Irradiation with one laser beam and a second laser beam was performed.
また、本実施の形態においては、第一のレーザ光を垂直方向から入射させ、第二のレーザ光を垂直方向と30度をなす角度で入射させた。 In the present embodiment, the first laser beam is incident from the vertical direction, and the second laser beam is incident at an angle of 30 degrees with the vertical direction.
このように、液体状態にあるアモルファスシリコン膜に対して、第一のレーザ光に加えて第二のレーザ光の照射を行うことにより、シリコン膜の温度低下速度を低下させることができ、固化するまでの時間を延長することができるため、さらに大粒径の多結晶シリコン膜を効率よく得ることができる。 In this way, by irradiating the amorphous silicon film in the liquid state with the second laser light in addition to the first laser light, the temperature decrease rate of the silicon film can be reduced and solidified. Therefore, it is possible to efficiently obtain a polycrystalline silicon film having a larger grain size.
図7は、波長308nmのレーザ光に対する反射率が、二酸化シリコン膜からなるキャップ膜の膜厚に依存することを説明するグラフ図である。 FIG. 7 is a graph illustrating that the reflectance with respect to laser light having a wavelength of 308 nm depends on the film thickness of a cap film made of a silicon dioxide film.
ここで、キャップ膜を通してシリコン膜に対してレーザ照射を行う場合、レーザの波長、キャップ膜の材質、シリコン膜の膜厚などに依存して、反射率が変化する。図7に、膜厚50nmのシリコン上に形成した二酸化シリコン膜からなるキャップ膜の膜厚に対する、波長308nmのエキシマレーザの反射率の変化を示す。 Here, when laser irradiation is performed on the silicon film through the cap film, the reflectance changes depending on the wavelength of the laser, the material of the cap film, the film thickness of the silicon film, and the like. FIG. 7 shows changes in the reflectance of an excimer laser having a wavelength of 308 nm with respect to the film thickness of a cap film made of a silicon dioxide film formed on silicon having a thickness of 50 nm.
キャップ膜の膜厚が100nmの場合、レーザ光に対する反射率は最大となり、キャップ膜の膜厚が50nmの場合、レーザ光に対する反射率は最低となる。この結果、アモルファスシリコン膜3上に膜厚が50nmのキャップ膜を形成した場合、レーザ照射により、このキャップ膜を形成した領域を、選択的に加熱することができる。
When the thickness of the cap film is 100 nm, the reflectance with respect to the laser beam is maximized, and when the thickness of the cap film is 50 nm, the reflectance with respect to the laser beam is minimized. As a result, when a cap film having a thickness of 50 nm is formed on the
図9のうち、図9(a)は、本発明の半導体デバイスの製造方法により得られる半導体デバイスに含まれる結晶質半導体膜の一例の膜表面をSEMによって撮影した膜表面像の模式図であり、図9(b)は、従来のラテラル成長法により得られる結晶質半導体膜の一例の膜表面をSEMによって撮影した膜表面像の模式図である。 FIG. 9A is a schematic diagram of a film surface image obtained by photographing a film surface of an example of a crystalline semiconductor film included in a semiconductor device obtained by the semiconductor device manufacturing method of the present invention by SEM. FIG. 9B is a schematic diagram of a film surface image obtained by photographing a film surface of an example of a crystalline semiconductor film obtained by a conventional lateral growth method by SEM.
本実施の形態に従うシリコン膜と、従来技術に従うシリコン膜の結晶性を比較するため、SEM(Scanning Electron Microscope)により結晶観察を行った所、本実施の形態に従う多結晶シリコン膜は、図9(a)に示す大型結晶38の寸法が、長さ約20μm、幅約5μmとなっており、実施の形態1と比較して結晶をさらに大きくすることが可能であることが実証された。
In order to compare the crystallinity of the silicon film according to the present embodiment and the silicon film according to the prior art, when the crystal was observed by SEM (Scanning Electron Microscope), the polycrystalline silicon film according to the present embodiment is shown in FIG. The dimensions of the
以上のように、本実施の形態によれば、アモルファスシリコン膜上に、第一のキャップ膜および第二のキャップ膜を形成し、これらのキャップ膜を含むようにレーザ光を照射することで、結晶性に優れた多結晶シリコン膜で構成されている半導体膜を得ることができる。そして、このような多結晶シリコン膜上に薄膜トランジスタのチャネル領域を形成することで、安定して高特性の薄膜トランジスタを提供することができる。 As described above, according to the present embodiment, the first cap film and the second cap film are formed on the amorphous silicon film, and the laser light is irradiated so as to include these cap films. A semiconductor film composed of a polycrystalline silicon film having excellent crystallinity can be obtained. By forming the channel region of the thin film transistor on such a polycrystalline silicon film, a thin film transistor having high characteristics can be stably provided.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 半導体デバイス、2 基板、3 非晶質半導体膜、5 バッファ膜、6 キャップ膜、8 レーザ光、10a,10b,10c,10d ミラー、11 レーザ発振器、12 可変減衰器、13 フィールドレンズ、14 投影マスク、15 結像レンズ、16 サンプルステージ、17 コントローラ、18 第一のレーザ光、19 第二のレーザ光、20 第一のレーザ発振器、21 第二のレーザ発振器、23 第一のレーザ光のパルス波形、24 第二のレーザ光のパルス波形、25 可変減衰器、30 第一のキャップ膜、31 第二のキャップ膜、32 第一のキャップ膜の長さ、33 第一のキャップ膜の幅、34 第一のキャップ膜および第二のキャップ膜間の最短距離、35 第二のキャップ膜が有する切り欠部の内角、37 通常結晶、38 大型結晶、39 亜粒界、40 通常結晶の起点、41 大型結晶の起点、44 チャネル領域、45 シリコンアイランド領域(活性層)、46 ゲート電極、61 ソース電極、62 ドレイン電極、63 ゲート電極、64 チャネル領域、65 シリコンアイランド領域(活性層)、66 絶縁層、67 バッファ層(絶縁層)、68 絶縁性基板、200,202 半導体デバイス製造装置、C レーザ光照射領域。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device, 2 Substrate, 3 Amorphous semiconductor film, 5 Buffer film, 6 Cap film, 8 Laser light, 10a, 10b, 10c, 10d Mirror, 11 Laser oscillator, 12 Variable attenuator, 13 Field lens, 14 Projection Mask, 15 Imaging lens, 16 Sample stage, 17 Controller, 18 First laser beam, 19 Second laser beam, 20 First laser oscillator, 21 Second laser oscillator, 23 Pulse of first laser beam Waveform, 24 Pulse waveform of the second laser light, 25 Variable attenuator, 30 First cap film, 31 Second cap film, 32 Length of the first cap film, 33 Width of the first cap film, 34 the shortest distance between the first cap film and the second cap film, 35 the inner angle of the notch portion of the second cap film, 37 the normal crystal 38 large crystal, 39 subgrain boundary, 40 origin of normal crystal, 41 origin of large crystal, 44 channel region, 45 silicon island region (active layer), 46 gate electrode, 61 source electrode, 62 drain electrode, 63 gate electrode, 64 channel region, 65 silicon island region (active layer), 66 insulating layer, 67 buffer layer (insulating layer), 68 insulating substrate, 200, 202 semiconductor device manufacturing apparatus, C laser light irradiation region.
Claims (14)
前記基板上に直接または間接に非晶質半導体膜を積層する工程と、
前記非晶質半導体膜の表面上の一部に第一のキャップ膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜の表面上の前記第一のキャップ膜が形成されていない領域上の一部に第二のキャップ膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜の表面のうち、前記第一のキャップ膜および前記第二のキャップ膜の両方を含む領域と、前記第一のキャップ膜と、前記第二のキャップ膜と、に対してレーザ光を照射することにより、固体状態にある前記非晶質半導体膜の一部を液体状態に溶融させる工程と、
前記液体状態の半導体を結晶化して前記結晶質半導体膜に変換する工程と、
を備える、半導体デバイスの製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device comprising a substrate and a crystalline semiconductor film laminated directly or indirectly on the substrate,
Laminating an amorphous semiconductor film directly or indirectly on the substrate;
Forming a first cap film on a part of the surface of the amorphous semiconductor film;
Forming a second cap film on a part of the region where the first cap film is not formed on the surface of the amorphous semiconductor film;
Of the surface of the amorphous semiconductor film, a region including both the first cap film and the second cap film, the first cap film, and the second cap film, Irradiating a laser beam to melt a part of the amorphous semiconductor film in a solid state into a liquid state;
Crystallization of the liquid semiconductor to convert it to the crystalline semiconductor film;
A method for manufacturing a semiconductor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003386522A JP2005150438A (en) | 2003-11-17 | 2003-11-17 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003386522A JP2005150438A (en) | 2003-11-17 | 2003-11-17 | Manufacturing method of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150438A true JP2005150438A (en) | 2005-06-09 |
Family
ID=34694185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003386522A Withdrawn JP2005150438A (en) | 2003-11-17 | 2003-11-17 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005150438A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120000261A (en) * | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Indirect thermal crystalization thin film transistor substrate and method for manufacturing the same |
WO2019138674A1 (en) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Laser irradiation device and laser irradiation method |
-
2003
- 2003-11-17 JP JP2003386522A patent/JP2005150438A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120000261A (en) * | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Indirect thermal crystalization thin film transistor substrate and method for manufacturing the same |
KR101695024B1 (en) * | 2010-06-25 | 2017-01-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Indirect Thermal Crystalization Thin Film Transistor Substrate And Method For Manufacturing The Same |
WO2019138674A1 (en) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Laser irradiation device and laser irradiation method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3586558B2 (en) | Method for reforming thin film and apparatus used for implementing the method | |
TWI402989B (en) | Method of forming polycrystalline silicon thin film and method of manufacturing thin film transistor using the method | |
JP2003059831A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP4637410B2 (en) | Semiconductor substrate manufacturing method and semiconductor device | |
US20080087895A1 (en) | Polysilicon thin film transistor and method of fabricating the same | |
KR20060046344A (en) | Crystallizing method, thin-film transistor manufacturing method, thin-film transistor, and display device | |
JP2004335839A (en) | Semiconductor thin film, thin-film transistor, method for manufacturing them, and apparatus for manufacturing semiconductor thin film | |
US7651931B2 (en) | Laser beam projection mask, and laser beam machining method and laser beam machine using same | |
JP3859978B2 (en) | Device for forming a laterally extending crystal region in a semiconductor material film on a substrate | |
JP2005197656A (en) | Method for forming polycrystalline silicon film | |
JP2007281420A (en) | Method for crystallizing semiconductor thin film | |
JP2006196539A (en) | Method and device for manufacturing polycrystalline semiconductor thin film | |
JP4769491B2 (en) | Crystallization method, thin film transistor manufacturing method, thin film transistor, and display device | |
JP2004063478A (en) | Thin film transistor and its manufacturing method | |
JP2009302171A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing transistor, and method of manufacturing electrooptic device | |
JP2005150438A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2006237042A (en) | Laser annealing apparatus, method of manufacturing semiconductor thin-film employing the same, and thin-film transistor | |
JP2007281465A (en) | Method of forming polycrystalline film | |
JP2005136138A (en) | Thin film semiconductor, method of manufacturing the same, display device and method of manufacturing the same | |
JP2003151904A (en) | Crystallizing method of semiconductor thin film, the semiconductor thin film, and thin-film semiconductor device | |
JP2003249448A (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor film, and semiconductor device | |
JP2008243843A (en) | Crystallization method, method for manufacturing thin-film transistor, substrate for laser crystalization, thin-film transistor, and display device | |
JP2005123262A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP2011216665A (en) | Method of forming crystalline semiconductor film, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2007207896A (en) | Laser beam projection mask, laser processing method using same, laser processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |