JP2005134747A - マスク評価方法、マスク評価システム、マスク製造方法およびプログラム - Google Patents
マスク評価方法、マスク評価システム、マスク製造方法およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005134747A JP2005134747A JP2003372441A JP2003372441A JP2005134747A JP 2005134747 A JP2005134747 A JP 2005134747A JP 2003372441 A JP2003372441 A JP 2003372441A JP 2003372441 A JP2003372441 A JP 2003372441A JP 2005134747 A JP2005134747 A JP 2005134747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- killer
- photomask
- defects
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】キラー欠陥率関数算出部5により、所望のパターン密度dおよび欠陥サイズRに対する模擬欠陥パターンのキラー欠陥率を表すキラー欠陥率関数K(R,d)が算出され、フォトマスクのメインパターンエリアの情報(面積A、パターン密度d)、欠陥サイズ分布D(R)およびキラー欠陥率関数K(R,d)に基づいてキラー欠陥数算出部6により、フォトマスクのメインパターンエリア内のキラー欠陥数が算出され、上記算出されたキラー欠陥数を用いて歩留まり予測計算部7によりフォトマスクの歩留まりが予測される。
【選択図】 図1
Description
Y=exp(−λ)
Ac(R):クリティカルエリア
D(R):欠陥サイズ分布
R:欠陥サイズ
フォトマスク上の欠陥には欠陥修正により救済可能なものが存在し、それらはキラー欠陥にはならない。従来のクリティカルエリア解析(計算)を用いたフォトマスクの歩留まり予測方法の場合、欠陥修正によって救済可能な欠陥であっても、キラー欠陥と判断されてしまうことがある。そのため、予測歩留まりと実歩留まりとの乖離は避けられない。これを回避する手段として特許文献2にフォトマスク上の欠陥についてパターン救済率を考慮したマスク歩留の評価方法が提案されている。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るマスク評価システムを示すブロック図である。
次に、上記総修正不可欠陥数および全発生欠陥数(ここではn個(=模擬欠陥数))を用いて、キラー欠陥率(欠陥救済不可率)kが算出される。
キラー欠陥率kは、n×n個(パターン密度の種類数×欠陥サイズの種類数)の模擬欠陥パターンの全てについて算出される(ステップS4)。
=A{∫R K(R,d)・Ds(R)dR+∫R K(R,d)・Dl(R)dR}
D(R)=Ds(R)+Dl(R)
Ds(R):欠陥サイズが所定値(例えば3μm)未満の小欠陥のサイズ分布
Dl(R):欠陥サイズが所定値(例えば3μm)以上の粗大欠陥のサイズ分布
本実施形態では、欠陥サイズ分布D(R)は、小欠陥のサイズ分布Ds(R)と、粗大欠陥のサイズ分布Dl(R)とに分けられている。その理由は、D(R)の外挿の精度が高められるからである。特に、粗大欠陥のサイズ分布Dl(R)の外挿の精度が高められる。
Y=exp(−λ)
によって歩留まりが計算により予測される。
第1の実施形態で説明した通り、予測歩留まりYはexp(−λ)で与えられ、λは∫R A・K(R,d)・D(R)dRで与えられる。したがって、予測歩留まりYは、パターンエリアAおよびパターン密度dをパラメータとする関数で表現された歩留まり分布として、簡易に表示することができる。図7に、上記歩留まり分布を表示した歩留まりマップの一例を示す。
Claims (17)
- フォトマスクのパターンおよび複数の模擬欠陥を含む模擬欠陥パターンに関し、前記パターンの所望のパターン密度および前記模擬欠陥の所望の欠陥サイズに対する前記模擬欠陥パターンにおけるキラー欠陥率を表す、キラー欠陥率関数を算出する工程と、
前記フォトマスクの検査対象領域内のキラー欠陥数を、前記検査対象領域の面積と、前記検査対象領域のパターン密度と、前記キラー欠陥率関数と、フォトマスク製造工程から取得した欠陥サイズ範囲に対する単位面積当たりの欠陥数を示す欠陥サイズ分布とに基づいて算出する工程と、
前記算出されたキラー欠陥数に基づいて、前記フォトマスクを評価する工程と
を有することを特徴とするマスク評価方法。 - 前記算出された前記フォトマスクのキラー欠陥数に基づいて、フォトマスクの歩留を評価することを特徴とする請求項1に記載のマスク評価方法。
- 前記キラー欠陥率関数を算出する工程は、
パターンおよび複数の模擬欠陥を含み、前記パターンのパターン密度および前記模擬欠陥の欠陥サイズの少なくとも一方に関して互いに異なっている、複数の模擬欠陥パターンを作成する工程と、
前記複数の模擬欠陥パターンのそれぞれのキラー欠陥率を算出する工程と、
前記複数の模擬欠陥パターンのそれぞれのキラー欠陥率を用い、外挿により、前記パターンの所望のパターン密度および前記模擬欠陥の所望の欠陥サイズに対する前記模擬欠陥パターンのキラー欠陥率関数を算出する工程と
を有することを特徴とする請求項1または2に記載のフォトマスク評価方法。 - 前記複数の模擬欠陥パターンを作成する工程は、
所定のパターン密度を有するフォトマスクのパターンイメージ上に、所定の欠陥サイズを有する複数の欠陥を模擬的にランダムに発生させる工程を、前記所定のパターン密度および前記所定の欠陥サイズの少なくとも一方を変えて、複数回行う工程を含むことを特徴とする請求項3に記載のマスク評価方法。 - 前記パターンは、繰り返しパターンを含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のマスク評価方法。
- 前記キラー欠陥率関数を算出する工程は、
前記複数の模擬欠陥パターンのそれぞれについて、修正可能な欠陥の個数と、修正不可な欠陥の個数とを取得する工程と、
前記複数の模擬欠陥パターンのそれぞれのキラー欠陥率を、前記修正可能な欠陥の個数、前記修正不可な欠陥の個数および前記複数の欠陥の個数に基づいて算出する工程と
を有することを特徴とする請求項2ないし5のいずれか1項に記載のマスク評価方法。 - 前記複数の模擬欠陥パターンのそれぞれのキラー欠陥率は、
(前記修正可能な欠陥の個数×修正失敗確率+前記修正不可な欠陥の個数)/前記複数の欠陥の個数
に基づいて算出されることを特徴とする請求項6に記載のマスク評価方法。 - 前記フォトマスクの検査対象領域内のキラー欠陥数は、
λ=∫R A・K(R,d)・D(R)dR
λ:キラー欠陥数
A:検査対象領域の面積
K(R,d):キラー欠陥率関数
R:欠陥のサイズ
d:パターン密度
D(R):欠陥サイズ分布
に基づいて算出されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載のマスク評価方法。 - 前記欠陥サイズ分布は、互いに欠陥サイズ範囲が異なる複数の欠陥サイズ分布で構成されていることを特徴とする1ないし8のいずれか1項に記載のマスク評価方法。
- 前記キラー欠陥数を算出する工程は、
黒欠陥のキラー欠陥数と白欠陥のキラー欠陥数とを各々算出する工程と、
前記黒欠陥のキラー欠陥数と前記白欠陥のキラー欠陥数との和を算出する工程と
を含むことを特徴とする請求項1ないし7または9のいずれか1項に記載のマスク評価方法。 - 前記フォトマスクを評価する工程は、
前記フォトマスクのパターン密度およびパターン面積をパラメータとするフォトマスク歩留まり分布を一定期間毎に作成する工程と、
前記一定期間毎に作成した前記フォトマスク歩留まり分布を比較して、歩留まり変動を評価する工程と
を含むことを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項に記載のマスク評価方法。 - 前記フォトマスク歩留まり分布に基づいて、フォトマスク製造プロセスにおける欠陥サイズ分布を算出し、前記フォトマスク製造プロセスの工程能力を推定する工程を有することを特徴とする請求項11に記載のマスク評価方法。
- 所定枚数の良品のフォトマスクを製造する工程を有するマスク製造方法であって、
請求項1ないし12のいずれか1項に記載のマスク評価方法を用いて、前記フォトマスクを評価する工程と、
前記フォトマスクを評価する工程の結果に基づいて、前記所定枚数以上の良品のフォトマスクが得られるために必要な、前記フォトマスクの製造枚数を決定する工程と、
前記製造枚数以上の前記フォトマスクを製造する工程と
を有することを特徴とするマスク製造方法。 - フォトマスクのパターンおよび複数の模擬欠陥を含む模擬欠陥パターンに関し、前記パターンの所望のパターン密度および前記模擬欠陥の所望の欠陥サイズに対する前記模擬欠陥パターンにおけるキラー欠陥率を表す、キラー欠陥率関数を算出する記キラー欠陥率関数算出部と、
前記フォトマスクの検査対象領域内のキラー欠陥数を、前記検査対象領域の面積と、前記検査対象領域のパターン密度と、前記キラー欠陥率関数と、フォトマスク製造工程から取得した欠陥サイズ範囲に対する単位面積当たりの欠陥数を示す欠陥サイズ分布とに基づいて算出するキラー欠陥数算出部と、
前記算出されたキラー欠陥数に基づいて、前記フォトマスクを評価する評価部と
を具備してなることを特徴とするマスク評価システム。 - 前記算出された前記フォトマスクのキラー欠陥数に基づいて、フォトマスクの歩留を評価する歩留評価部をさらに有することを特徴とする請求項14に記載のマスク評価システム。
- コンピュータに、パターンおよび複数の模擬欠陥を含む模擬欠陥パターンに関し、前記パターンの所望のパターン密度および前記模擬欠陥の所望のサイズに対する前記模擬欠陥パターンのキラー欠陥率を表す、キラー欠陥率関数を算出させる手順と、
前記フォトマスクの検査対象領域内のキラー欠陥数を、前記検査対象領域の面積と、前記検査対象領域のパターン密度と、前記キラー欠陥率関数と、フォトマスク製造工程から取得した欠陥サイズ範囲に対する単位面積当たりの欠陥数を示す欠陥サイズ分布とに基づいて算出させる手順と、
前記算出されたキラー欠陥数に基づいて、前記フォトマスクを評価させる手順と
を実行させるためのプログラム。 - 前記算出された前記フォトマスクのキラー欠陥数に基づいて、フォトマスクの歩留を評価させる手順をさらに有することを特徴とする請求項16に記載のプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372441A JP2005134747A (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | マスク評価方法、マスク評価システム、マスク製造方法およびプログラム |
US10/976,001 US7185311B2 (en) | 2003-10-31 | 2004-10-29 | Mask evaluating method, mask evaluating system, method of manufacturing mask and computer program product |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372441A JP2005134747A (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | マスク評価方法、マスク評価システム、マスク製造方法およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005134747A true JP2005134747A (ja) | 2005-05-26 |
JP2005134747A5 JP2005134747A5 (ja) | 2006-11-02 |
Family
ID=34648832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003372441A Pending JP2005134747A (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | マスク評価方法、マスク評価システム、マスク製造方法およびプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7185311B2 (ja) |
JP (1) | JP2005134747A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015135874A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 露光用マスクの製造方法、露光用マスクの製造システム、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006127409A2 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for statistical design rule checking |
JP2007187998A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Toshiba Corp | 投影露光マスク合否判定方法システム及び投影露光マスク合否判定方法 |
JP5185560B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2013-04-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の設計方法 |
US8924904B2 (en) * | 2007-05-24 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining factors for design consideration in yield analysis |
US8799831B2 (en) * | 2007-05-24 | 2014-08-05 | Applied Materials, Inc. | Inline defect analysis for sampling and SPC |
US7707526B2 (en) * | 2007-05-25 | 2010-04-27 | Synopsys, Inc. | Predicting IC manufacturing yield based on hotspots |
US7823099B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-10-26 | Synopsys, Inc. | Lithography suspect spot location and scoring system |
TWI671838B (zh) * | 2018-07-17 | 2019-09-11 | 敖翔科技股份有限公司 | 半導體廠缺陷作業系統及裝置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6324481B1 (en) * | 1998-10-21 | 2001-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for the calculation of wafer probe yield limits from in-line defect monitor data |
JP2002100548A (ja) | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 半導体デバイスの歩留り予測システム、歩留り予測方法、半導体デバイスの設計方法 |
JP4104840B2 (ja) | 2001-08-23 | 2008-06-18 | 株式会社東芝 | マスクパターン評価システム及びその方法 |
TWI229894B (en) * | 2002-09-05 | 2005-03-21 | Toshiba Corp | Mask defect inspecting method, semiconductor device manufacturing method, mask defect inspecting apparatus, generating method of defect influence map, and computer program product |
-
2003
- 2003-10-31 JP JP2003372441A patent/JP2005134747A/ja active Pending
-
2004
- 2004-10-29 US US10/976,001 patent/US7185311B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015135874A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 露光用マスクの製造方法、露光用マスクの製造システム、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7185311B2 (en) | 2007-02-27 |
US20050132322A1 (en) | 2005-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI229894B (en) | Mask defect inspecting method, semiconductor device manufacturing method, mask defect inspecting apparatus, generating method of defect influence map, and computer program product | |
US11120182B2 (en) | Methodology of incorporating wafer physical measurement with digital simulation for improving semiconductor device fabrication | |
KR100850189B1 (ko) | 리소그래피에서 복수의 노출 프로세스의 효과를 평가하기 위한 방법 및 이를 기록한 컴퓨터 기록 매체 | |
US8108805B2 (en) | Simplified micro-bridging and roughness analysis | |
US6768958B2 (en) | Automatic calibration of a masking process simulator | |
US11726402B2 (en) | Method and system for layout enhancement based on inter-cell correlation | |
US8792080B2 (en) | Method and system to predict lithography focus error using simulated or measured topography | |
JP2006330287A (ja) | マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
US20100131915A1 (en) | Method, device, and program for predicting a manufacturing defect part of a semiconductor device | |
JP2005099765A (ja) | プロセス近接効果の予測モデルの作成方法、工程の管理方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法およびプログラム | |
TWI447527B (zh) | 用於預測光阻圖案形狀之方法,儲存用於預測光阻圖案形狀之程式的電腦可讀取媒體,以及用於預測光阻圖案形狀之電腦 | |
JP2008028092A (ja) | 不良確率の算出方法、パターン作成方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007108508A (ja) | マスクパターンの作成方法、マスクの製造方法およびプログラム | |
EP3133553B1 (en) | Method for verifying a pattern of features printed by a lithography process | |
JP2005134747A (ja) | マスク評価方法、マスク評価システム、マスク製造方法およびプログラム | |
JP5011360B2 (ja) | フォトマスクの設計方法 | |
TWI440967B (zh) | 光罩之製造方法 | |
US8910092B1 (en) | Model based simulation method with fast bias contour for lithography process check | |
JP5374727B2 (ja) | リソグラフィシミュレーション装置、ならびにリソグラフィシミュレーションプログラムおよびそれを使用した半導体装置設計製造方法 | |
JP3825741B2 (ja) | フォトマスクの評価方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2020060695A (ja) | マスクパターン検証モデル作成時の指標値の表示方法及びそのプログラム | |
JP2009180824A (ja) | フォトマスクの評価方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011197304A (ja) | マスクデータ作成方法、リソグラフィ用マスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびフレア補正プログラム | |
JP3699948B2 (ja) | フォトマスクの評価方法およびプログラム | |
CN101738849B (zh) | 一种修正掩膜布局图形的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060913 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100209 |