JP2005130071A - Package structure of piezoelectric device - Google Patents
Package structure of piezoelectric device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005130071A JP2005130071A JP2003361575A JP2003361575A JP2005130071A JP 2005130071 A JP2005130071 A JP 2005130071A JP 2003361575 A JP2003361575 A JP 2003361575A JP 2003361575 A JP2003361575 A JP 2003361575A JP 2005130071 A JP2005130071 A JP 2005130071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mcf
- piezoelectric device
- package
- ground
- external
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は圧電デバイスのパッケージ構造に関し、特にMCF(モノリシッククリスタルフィルタ)において、その終端インピーダンスを低下させるため、MCFの入出力に整合回路用のチップ部品を付加した構成を有する複合型の圧電デバイスのパッケージ構造に関するものである。 The present invention relates to a package structure of a piezoelectric device, and more particularly to a composite type piezoelectric device having a configuration in which a chip component for a matching circuit is added to the input / output of an MCF in order to reduce the termination impedance in an MCF (monolithic crystal filter). It relates to the package structure.
携帯電話機等の移動体通信機の普及に伴う低価格化及び小型化の急激な進展により、これらの通信機器に使用されるデバイスにおいても薄型化が急速に進み、リード端子を使用しないSMD型の電子デバイスの採用が主流となっている。
そこで、本発明においては、以降、MCFを実施例としてそのパッケージ構造について説明する。MCFは、1枚の水晶基板上に2分割された電極対を配置し、一方の振動モードと他方の振動モ−ドとを結合させ、いわゆる音響結合を起こすことにより所望のフィルタ特性を得るものである。
Due to the rapid progress in price reduction and miniaturization accompanying the widespread use of mobile communication devices such as cellular phones, devices used in these communication devices are rapidly becoming thinner, and SMD type devices that do not use lead terminals are used. The adoption of electronic devices has become mainstream.
Therefore, in the present invention, the package structure will be described below using MCF as an example. The MCF has an electrode pair divided into two on a single quartz substrate, combines one vibration mode and the other vibration mode, and produces a desired filter characteristic by causing so-called acoustic coupling. It is.
図7に、従来のMCFの第一の外観構造例を示す。図7(a)は、蓋を被せていない状態の上面図であり、(b)は、正面断面図である。図7に示す通り、この外観例によるMCF1は、圧電基板2の片面に二つの励振電極3a、3bと、他面には共通電極4とを形成しており、この圧電基板2をセラミックパッケージ5の内部底面に設けた所定のパッド6に導電性接着剤7を塗布して接着固定した後、セラミックパッケージ5の開口部を蓋8にて密封した構造であり、セラミックパッケージ5の外部底面には外部接続用パッド9を設けている。
FIG. 7 shows a first external structure example of a conventional MCF. Fig.7 (a) is a top view of the state which has not covered the cover, (b) is front sectional drawing. As shown in FIG. 7, the MCF 1 according to this external example has two
一方、MCFを使用する際に、MCFの終端インピーダンスを小さくする必要がある場合があり、そのような要求がなされるとMCFの入出力インピーダンスを低下させるため所定の手段を講じる。MCFの入出力インピーダンスを低下させるためには、励振電極の面積を大きくすることで容易に実現出来るが、その場合、スプリアスレベルが悪化すると共に、励振電極の面積を大きくするために圧電基板のサイズを大きくする必要があり、MCFの小型化の妨げとなる。 On the other hand, when the MCF is used, it may be necessary to reduce the termination impedance of the MCF, and when such a request is made, predetermined means are taken to reduce the input / output impedance of the MCF. In order to reduce the input / output impedance of the MCF, it can be easily realized by increasing the area of the excitation electrode. In this case, however, the spurious level is deteriorated and the size of the piezoelectric substrate is increased in order to increase the area of the excitation electrode. Needs to be increased, which hinders the miniaturization of the MCF.
そこで、この様な場合、MCFの入出力インピーダンスは高いままに設計しておき、MCFの入出力端に整合回路を付加して見かけ上の入出力インピーダンスを低下させる方法が有効である。この場合、MCFの部品点数が増加するため、MCFのパッケージ構造に工夫が必要であるが、特開平10−322129号公報に開示されているように、セラミックパッケージの外部底面に一つ、或いは複数の所定の凹部を形成し、この凹部に外部接続用の整合回路を構成するL(インダクタンス素子)、C(容量素子)のチップ部品を搭載する方法が知られている。 Therefore, in such a case, it is effective to design the input / output impedance of the MCF as high as possible and add a matching circuit to the input / output end of the MCF to reduce the apparent input / output impedance. In this case, since the number of parts of the MCF increases, it is necessary to devise the package structure of the MCF. However, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-322129, one or more are provided on the outer bottom surface of the ceramic package. There is known a method of forming a predetermined recess portion and mounting chip components of L (inductance element) and C (capacitance element) constituting a matching circuit for external connection in the recess portion.
図8に、MCFに付加した整合回路例の構成図を示し、MCF素子10の入力端に、整合回路としてL11、C12を付加した構成であり、MCF素子10の出力端には、整合回路としてL13、C14を付加した構成である。尚、整合回路の設計方法は周知の通りであるので説明を省略する。
FIG. 8 shows a configuration diagram of an example of a matching circuit added to the MCF, in which L11 and C12 are added as matching circuits to the input end of the
図9は、従来のMCFの第二の外観構造例である。図9(a)は正面断面図であり、(b)は底面図である。図9に示す如く、第二の外観構造例におけるMCF15は、第一の外観構造例に加えて、セラミックパッケージ16の外部底面に、二つの凹部17a、17bを形成し、凹部17aに設けたパッド18aには、MCF素子10の入力に対応した整合回路を構成するチップ部品L11とC12とを搭載し、凹部17bに設けたパッド18bには、MCF素子10の出力に対応した整合回路を構成するチップ部品L13とC14とを搭載したものである。この様な実装方法を採用することにより、新に追加する必要のある整合回路用のチップ部品を、パッケージサイズを拡大することなく搭載することが可能となる。
FIG. 9 is a second external structure example of a conventional MCF. FIG. 9A is a front sectional view, and FIG. 9B is a bottom view. As shown in FIG. 9, the
しかしながら従来のMCFは、第二の外観構造例に示すようにセラミックパッケージの外部底面に二つの凹部を形成して、整合回路用のL、Cのチップ部品を夫々入力側の凹部と出力側の凹部に搭載した際に、入力側のLと出力側のLとがカップリング状態となり、MCFへの入力信号が出力に漏洩したり、出力信号が入力に漏洩する等してMCFの電気的特性の劣化を招くことがある。 However, in the conventional MCF, as shown in the second external structure example, two recesses are formed on the outer bottom surface of the ceramic package, and the L and C chip parts for the matching circuit are respectively connected to the recesses on the input side and the output side. When mounted in the recess, the L on the input side and the L on the output side are coupled and the input signal to the MCF leaks to the output or the output signal leaks to the input. May lead to deterioration.
又、高周波に対応したMCFにおいては、特開平11−195852号公報に開示されているように、プリント配線基板にMCFを実装した際、実装する前のMCF単独の場合のフィルタ特性と同等の特性が得られない場合がある。これは、MCFのアース電位とプリント配線基板のアース電位とが互いに影響して生じるもので、アースパターンの形成方法に問題があると共に、プリント配線基板に実装されている他の部品を介してノイズがMCFに誘導されるためである。
本発明は上述したような問題を解決するためになされたものであって、圧電デバイスに整合回路用等のチップ部品を搭載した際に、圧電デバイスの小型化を図ると共に、電気的特性の良好な圧電デバイスを提供することを目的とする。
Further, in the MCF corresponding to the high frequency, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-195852, when the MCF is mounted on the printed wiring board, the characteristics equivalent to the filter characteristics in the case of the MCF alone before mounting. May not be obtained. This is caused by the influence of the ground potential of the MCF and the ground potential of the printed wiring board, which has a problem in the method of forming the ground pattern and causes noise through other components mounted on the printed wiring board. This is because MCF is induced by MCF.
The present invention has been made to solve the above-described problems. When a chip component for a matching circuit or the like is mounted on a piezoelectric device, the piezoelectric device is miniaturized and has good electrical characteristics. An object is to provide a piezoelectric device.
上記目的を達成するために本発明に係わる圧電デバイスのパッケージ構造は、以下の構成をとる。
請求項1記載の発明は、パッケージの内底部に圧電共振素子を接着固定し蓋にて気密封止した構造であって、前記パッケージには外部底面に複数の凹部を形成し、該凹部に前記圧電共振素子の外付け用のチップ部品を搭載した構造の圧電デバイスにおいて、前記凹部の側壁全面にサイドメタライズを施し、該サイドメタライズを外部接続用パッドのアース端子に接続するよう構成する。
In order to achieve the above object, the package structure of the piezoelectric device according to the present invention has the following configuration.
The invention according to claim 1 is a structure in which a piezoelectric resonant element is bonded and fixed to an inner bottom portion of a package and hermetically sealed with a lid. The package has a plurality of concave portions formed on an outer bottom surface, and the concave portions are provided with the concave portions. In a piezoelectric device having a structure in which a chip component for external attachment of a piezoelectric resonance element is mounted, side metallization is applied to the entire side wall of the recess, and the side metallization is connected to a ground terminal of an external connection pad.
請求項2記載の発明は、前記圧電共振素子がMCF素子であり、前記外付け用のチップ部品がMCFの整合回路を構成するインダクタンス素子、及び容量素子であるよう構成する。 According to a second aspect of the present invention, the piezoelectric resonant element is an MCF element, and the external chip component is an inductance element and a capacitive element that constitute an MCF matching circuit.
請求項3記載の発明は、請求項1記載の前記パッケージの外部底面において、外部底面に設けた外部接続用パッドを除いたエリアに、ベタアースパターンを形成し、前記サイドメタライズと外部接続用パッドのアース端子とに接続するよう構成する。 According to a third aspect of the present invention, a solid earth pattern is formed in an area of the external bottom surface of the package according to the first aspect except for the external connection pads provided on the external bottom surface, and the side metallization and the external connection pads are formed. Configure to connect to the ground terminal.
請求項4記載の発明は、前記複数の凹部の周囲を囲むように所定の幅でアースパターンを形成し、前記サイドメタライズと外部接続用パッドのアース端子に接続するよう構成する。 According to a fourth aspect of the present invention, a ground pattern is formed with a predetermined width so as to surround the plurality of recesses, and the ground pattern is connected to the side metallization and the ground terminal of the external connection pad.
請求項5記載の発明は、前記凹部を二つ形成して夫々の凹部の周囲を囲むように独立して所定の幅で二つのアースパターンを形成し、夫々対応するサイドメタライズと接続すると共に、前記二つのアースパターンを外部接続用パッドに設けた二つのアース端子に夫々接続するよう構成する。
The invention according to
請求項1、及び2記載の発明は、MCFを構成するのに必要な外部接続用のチップ部品をセラミックパッケージの外部底面に設けた凹部に搭載する際に、凹部の側壁全面にサイドメタライズを形成してアースパターンに接続したため、MCFの入力側の外部接続用チップ部品と、出力側の外部接続用チップ部品とが電気的にカップリングすることを防止出来、MCFの性能を向上させる上で著しい効果を発揮する。 According to the first and second aspects of the present invention, when a chip component for external connection necessary for constituting the MCF is mounted on the recess provided on the outer bottom surface of the ceramic package, side metallization is formed on the entire side wall of the recess. Since this is connected to the ground pattern, it is possible to prevent electrical coupling between the external connection chip part on the input side of the MCF and the external connection chip part on the output side, which is remarkable in improving the performance of the MCF. Demonstrate the effect.
請求項3乃至5記載の発明は、セラミックパッケージの外部底面にベタアースパターン、或いはアースパターンを設けたため、MCFをプリント配線基板に実装した際に、プリント配線基板に実装されている電気部品からのMCFに対する影響を排除することが可能となり、MCFを使用する上で著しい効果を発揮する。 According to the third to fifth aspects of the present invention, since the solid ground pattern or the ground pattern is provided on the outer bottom surface of the ceramic package, when the MCF is mounted on the printed circuit board, the MCF from the electrical component mounted on the printed circuit board is used. It is possible to eliminate the influence on the above, and exhibit a remarkable effect when using the MCF.
本発明においては、セラミックパッケージの外部底面に凹部を形成して入出力の整合回路用L、Cのチップ部品を夫々対応する凹部に搭載した際に、入力側のLと出力側のLとがカップリングを起こさないよう凹部の側壁の全面にサイドメタライズを形成して外部接続端子のアース端子と接続すると共に、MCFの外部底面に所定の形状のアースパターンを形成し、シールド効果が得られるような構造とした。 In the present invention, when the concave portion is formed on the outer bottom surface of the ceramic package and the input / output matching circuit L and C chip components are mounted in the corresponding concave portions, the L on the input side and the L on the output side are Side metallization is formed on the entire side wall of the recess so as not to cause coupling, and connected to the ground terminal of the external connection terminal, and a ground pattern having a predetermined shape is formed on the external bottom surface of the MCF so that a shielding effect can be obtained. The structure was
図1は、本発明に係わるMCFの第一の実施例を示す外観構造である。図1を説明すると、本実施例によるMCF19は、圧電基板2の片面に二つの励振電極3a、3bと、他面には共通電極4とを形成しており、この圧電基板2をセラミックパッケージ20の内部底面に設けた所定のパッド21に導電性接着剤7を塗布して接着固定した後、セラミックパッケージ20の開口部を蓋8にて密封した構造であり、セラミックパッケージ20の外部底面には外部接続用パッド22を設けている。
FIG. 1 is an external structure showing a first embodiment of the MCF according to the present invention. Referring to FIG. 1, the
セラミックパッケージ20の外部底面に、二つの所定の凹部23a、23bとを形成し、凹部23aに設けたパッド24にはMCF素子10の入力に対応した整合回路を構成するチップ部品であるL11とC12とを搭載し、凹部23bに設けたパッド24には同様にMCF素子10の出力に対応した整合回路を構成するチップ部品であるL13とC14とを搭載したものである。
Two
本実施例においては、凹部23aの拡大図に示す通り、二つの凹部23a、23bの夫々に、凹部の側壁全面にサイドメタライズ25a、25bを形成すると共に、MCF19の外部底面には、所定の形状のベタアースパターン26を形成して両者を接続している。凹部23aの拡大図(a)は正面断面図を示し、(b)は底面図を示す。同図(a)において、サイドメタライズ25aの一部であるサイドメタライズ27は、主に凹部23a、23bに搭載したチップ部品のインダクタンス素子間のカップリングを防止するものであり、サイドメタライズ25aの一部であるサイドメタライズ28及びベタアースパターン26は、主にMCF19をプリント配線基板に実装した時のMCF19に搭載しているインダクタンス素子とプリント配線基板に搭載しているインダクタンス素子等とのカップリングを防止するものである。
In this embodiment, as shown in the enlarged view of the
次に、本発明に係わるセラミックパッケージ20の詳細について説明する。
図2は、本発明に係わるセラミックパッケージの一実施例を示す正面断面図である。図2に示すようにセラミックパッケージ20は、第一の層29と第二の層30とを積層した構造であり、層間のパターン接続は層間に設けた配線パターン31とセラミックパッケージの第一の層29及び第二の層30を貫通するビアホール32により接続し、セラミックパッケージ20の外部底面に設けた外部接続用パッド22とは、セラミックパッケージの第二の層の側面に設けたサイドパターン33を経由して接続する。又、セラミックパッケージ20の外部底面に設けたベタアースパターン26は、凹部23a、23bに設けたサイドメタライズ25a、25bと接続すると共に、セラミックパッケージ20に設けた外部接続用パッド22のアース端子と接続する。
Next, details of the
FIG. 2 is a front sectional view showing an embodiment of the ceramic package according to the present invention. As shown in FIG. 2, the
図3は、本発明に係わるMCFの第一の実施例における底面図である。図3に示す如く第一の実施例においては、セラミックパッケージ20の外部底面にベタアースパターン26を設けており、アース端子の機能を有する外部接続用パッド22a、22bと接続すると共に、凹部23a、23bに設けたサイドメタライズ25a、25bと接続する。一方、外部接続用パッドの22c、22dは、夫々、MCFの入力及び出力端子である。
次に、セラミックパッケージ20の外部底面に設けたベタアースパターン26は、MCFが高周波対応であるほどその影響が高まるが、アースパターンの形状として変形例を以降示す。
FIG. 3 is a bottom view of the first embodiment of the MCF according to the present invention. As shown in FIG. 3, in the first embodiment, a
Next, the influence of the
図4は、本発明に係わるMCFの第二の実施例における底面図である。図4に示す如く第二の実施例においては、セラミックパッケージ34の外部底面にアースパターン35を設けたものであり、本アースパターン35は、凹部36a、36bの外周囲に所定の幅で凹部36a、36bを囲むように形成して、夫々囲んだアースパターン同士を接続している。又、アースパターン35は、アース端子の機能を有する外部接続用パッド37a、37bと接続すると共に、凹部36a、36bに設けたサイドメタライズ38a、38bと接続する。一方、外部接続用パッドの37c、37dは、夫々、MCFの入力及び出力端子である。
FIG. 4 is a bottom view of the MCF according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, in the second embodiment, a
図5は、本発明に係わるMCFの第三の実施例における底面図である。図5に示す如く第三の実施例においては、セラミックパッケージ39の外部底面にアースパターン40a、40bとを設けたものであり、アースパターンは、凹部41aの外周囲に所定の幅で凹部41aを囲むように形成したアースパターン40aと、凹部41bの外周囲に所定の幅で凹部41bを囲むように形成したアースパターン40bとに二つに分離しており、アースパターン40aは、凹部41aに設けたサイドメタライズ42aと接続すると共に、アース端子の機能を有する外部接続用パッド43aと接続し、アースパターン40bは、凹部41bに設けたサイドメタライズ42bと接続すると共に、アース端子の機能を有する外部接続用パッド43bと接続する。従って、第三の実施例は、MCFの入力側のアースパターン40aと出力側のアースパターン40bとを分離したものである。一方、外部接続用パッドの43c、43dは、夫々、MCFの入力及び出力端子である。
FIG. 5 is a bottom view of the MCF according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, in the third embodiment,
次に、本発明に係わるMCFの製造手順について概略説明する。
図6は、本発明に係わるMCFについてその製造手順を説明するフローチャートである。図6を説明すると、先ず、別工程において所定の圧電基板に、所定の形状、膜厚で、励振電極や外部接続用のパッド等を形成したMCF素子を製造した後(ステップ1)、所定の形状に加工したセラミックパッケージの内底部のパッドに、MCF素子を導電性接着剤を用いて接着固定して乾燥させる(ステップ2)。次に、MCF素子の周波数調整を行う。周波数調整の方法としては、MCF素子に形成する励振電極を所定の膜厚より薄くしておき、周波数を確認しつつ励振電極上に新たな膜を成膜し周波数を合わせこむ方法と、MCF素子に形成する励振電極を所定の膜厚より厚くしておき、周波数を確認しつつ励振電極の表面を削り落とし周波数を合わせ込む手法がある(ステップ3)。
Next, an outline of the MCF manufacturing procedure according to the present invention will be described.
FIG. 6 is a flowchart for explaining the manufacturing procedure of the MCF according to the present invention. Explaining FIG. 6, first, after manufacturing an MCF element in which excitation electrodes, pads for external connection and the like are formed on a predetermined piezoelectric substrate with a predetermined shape and film thickness in a separate process (step 1), The MCF element is bonded and fixed to the inner bottom pad of the ceramic package processed into a shape using a conductive adhesive and dried (step 2). Next, the frequency of the MCF element is adjusted. As a method for adjusting the frequency, the excitation electrode formed on the MCF element is made thinner than a predetermined film thickness, a new film is formed on the excitation electrode while checking the frequency, and the frequency is adjusted, and the MCF element There is a method in which the excitation electrode to be formed is made thicker than a predetermined film thickness, and the surface of the excitation electrode is scraped off and the frequency is adjusted while checking the frequency (step 3).
周波数調整が完了すると、セラミックパッケージの開口部に蓋を被せて密封した後(ステップ4)、セラミックパッケージの外部底面に形成した凹部に、整合回路の入力側L、Cのチップ部品、出力側L、Cのチップ部品を搭載して密封し(ステップ5)、フィルタとしての電気的特性を測定すると共に、最終製品検査を行って完成する(ステップ6)。 When the frequency adjustment is completed, the ceramic package opening is covered and sealed (step 4), and then the matching circuit input side L, C chip component, output side L are formed in the recess formed on the external bottom surface of the ceramic package. , C chip parts are mounted and sealed (step 5), and the electrical characteristics of the filter are measured and the final product inspection is performed (step 6).
以上説明したように本発明においては、整合回路用のチップ部品を搭載する凹部にサイドメタライズと、セラミックパッケージの底面にアースパターンを設けたため、MCFの入力側と出力側とのカップリングを防止すると共に、プリント配線基板に実装されている電気部品からのMCFに対する影響を排除することが可能となった。
尚、本実施例においては、MCFについて説明したが、本発明はこれに限るものではなく、セラミックパッケージの外部底面に凹部を形成してチップ部品を搭載する構造の複合型の圧電デバイスであれば適応可能である。
As described above, in the present invention, the side metallization is provided in the recess for mounting the matching circuit chip component and the ground pattern is provided on the bottom surface of the ceramic package, thereby preventing the coupling between the input side and the output side of the MCF. At the same time, it has become possible to eliminate the influence on the MCF from the electrical components mounted on the printed wiring board.
In this embodiment, the MCF has been described. However, the present invention is not limited to this, and any composite piezoelectric device having a structure in which a chip part is mounted by forming a recess on the outer bottom surface of the ceramic package. Adaptable.
1・・MCF、 2・・圧電基板、
3a、3b・・励振電極、 4・・共通電極、
5・・セラミックパッケージ、 6・・パッド、
7・・導電性接着剤、 8・・蓋、
9・・外部接続用パッド、 10・・MFC素子、
11・・インダクタンス素子、 12・・容量素子、
13・・インダクタンス素子、 14・・容量素子、
15・・MFC、 16・・セラミックパッケージ、
17a、17b・・凹部、 18a、18b・・パッド、
19・・MCF、 20・・セラミックパッケージ、
21・・パッド、
22、22a、22b、22c、22d・・外部接続用パッド、
23a、23b・・凹部、 24・・パッド、
25a、25b・・サイドメタライズ、 26・・ベタアースパターン、
27・・サイドメタライズ、 28・・サイドメタライズ、
29・・第一の層、 30・・第二の層、
31・・配線パターン、 32・・ビアホール、
33・・サイドパターン、 34・・セラミックパッケージ、
35・・アースパターン、 36a、36b・・凹部、
37a、37b、37c、37d・・外部接続用パッド、
38a、38b・・サイドメタライズ、 39・・セラミックパッケージ、
40a、40b・・アースパターン、 41a、41b・・凹部、
42a、42b・・サイドメタライズ、
43a、43b、43c、43d・・外部接続用パッド
1 .... MCF, 2 .... piezoelectric substrate,
3a, 3b ... excitation electrode, 4 .... common electrode,
5..Ceramic package, 6..Pad,
7 .... conductive adhesive, 8 .... lid,
9 .... Pad for external connection, 10 .... MFC element,
11 .... Inductance element, 12 .... Capacitance element,
13 .... Inductance element, 14 .... Capacitance element,
15 .... MFC, 16 .... Ceramic package,
17a, 17b ... recess, 18a, 18b ... pad,
19 ・ ・ MCF, 20 ・ ・ Ceramic package,
21. ・ Pad
22, 22a, 22b, 22c, 22d .. pad for external connection,
23a, 23b ... recess, 24 ... pad,
25a, 25b ... side metallization, 26 ... solid earth pattern,
27. ・ Side metallization, 28 ・ ・ Side metallization,
29 ... the first layer, 30 ... the second layer,
31 ... Wiring pattern, 32 ... via hole,
33 ...
35..Earth pattern, 36a, 36b..Recess,
37a, 37b, 37c, 37d .. pad for external connection,
38a, 38b ... side metallization, 39 ... ceramic package,
40a, 40b ... Earth pattern, 41a, 41b ... recess,
42a, 42b .. side metallization,
43a, 43b, 43c, 43d .. pad for external connection
Claims (5)
前記凹部の側壁全面にサイドメタライズを施し、該サイドメタライズを外部接続用パッドのアース端子に接続したことを特徴とする圧電デバイスのパッケージ構造。 The piezoelectric resonance element is bonded and fixed to the inner bottom portion of the package and hermetically sealed with a lid. The package has a plurality of recesses on the outer bottom surface, and the recesses are used for external attachment of the piezoelectric resonance element. In a piezoelectric device with a structure with chip components mounted,
A package structure for a piezoelectric device, characterized in that side metallization is applied to the entire side wall of the recess, and the side metallization is connected to a ground terminal of an external connection pad.
Two recesses are formed, two ground patterns are independently formed with a predetermined width so as to surround the periphery of each recess, and connected to the corresponding side metallization, and the two ground patterns are externally connected. 3. The package structure of a piezoelectric device according to claim 1, wherein the package structure is connected to two ground terminals provided on the pad for use.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003361575A JP2005130071A (en) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | Package structure of piezoelectric device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003361575A JP2005130071A (en) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | Package structure of piezoelectric device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005130071A true JP2005130071A (en) | 2005-05-19 |
Family
ID=34641475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003361575A Pending JP2005130071A (en) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | Package structure of piezoelectric device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005130071A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012021776A2 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Advanced Microfab, LLC | Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures |
JP2018170793A (en) * | 2018-07-06 | 2018-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device and electronic equipment |
JP2020025344A (en) * | 2019-11-15 | 2020-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration element, vibrator, electronic device, electronic apparatus, mobile body, and manufacturing method of vibration element |
JP2020048223A (en) * | 2019-12-16 | 2020-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device and electronic equipment |
JP2021078039A (en) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 | 株式会社大真空 | Oscillation device |
-
2003
- 2003-10-22 JP JP2003361575A patent/JP2005130071A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012021776A2 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Advanced Microfab, LLC | Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures |
WO2012021776A3 (en) * | 2010-08-12 | 2012-05-10 | Advanced Microfab, LLC | Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures |
JP2018170793A (en) * | 2018-07-06 | 2018-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device and electronic equipment |
JP2021078039A (en) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 | 株式会社大真空 | Oscillation device |
JP2020025344A (en) * | 2019-11-15 | 2020-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration element, vibrator, electronic device, electronic apparatus, mobile body, and manufacturing method of vibration element |
JP2020048223A (en) * | 2019-12-16 | 2020-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | Vibration device and electronic equipment |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10305444B2 (en) | Electronic component module | |
JP6651643B2 (en) | Elastic wave filter, duplexer and communication device | |
JP6242597B2 (en) | Elastic wave device and manufacturing method thereof | |
US7579927B2 (en) | Duplexer | |
US9197192B2 (en) | Electronic component including a surface acoustic wave element and a pillar member | |
JP6427075B2 (en) | Elastic wave device, duplexer, and module | |
US20030058066A1 (en) | Surface acoustic wave filter device | |
US20030062969A1 (en) | Saw element and saw device | |
US11057015B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2001320260A (en) | Branching filter device | |
US7501915B2 (en) | High frequency module | |
JP2022072241A (en) | Acoustic wave device and communication module | |
JP2004173234A (en) | Branching filter and combination module | |
JP3145186B2 (en) | Surface acoustic wave duplexer | |
JP2005130071A (en) | Package structure of piezoelectric device | |
JP2008148219A (en) | Piezoelectric vibration device and its manufacturing method | |
JP2006080921A (en) | Surface acoustic wave device and manufacturing method | |
JP3895397B2 (en) | Substrate mounting method of SAW filter | |
JP5612768B2 (en) | Duplexer with balun | |
JP5895374B2 (en) | Electronic components | |
JP3389530B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH11163218A (en) | Package structure | |
KR100349120B1 (en) | Smd type piezoelectric device | |
JP5716875B2 (en) | Electronic components and electronic modules | |
KR100333805B1 (en) | Surface acoustic wave filter |