JP2005127766A - ループギャップ共振器 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡単な構成でループギャップ共振器内部の変調磁場の均一化をはかる。
【解決手段】低誘電率の円筒支持体と、該円筒支持体の外周面に円筒の軸方向に沿って形成されるギャップ部と、導電体により形成され、前記ギャップ部を挟んで円筒支持体の外周面に固着される円筒弧状のループ部と、導電体により形成され、前記ギャップ部の内側に前記円筒支持体を介して設けられるマイクロ波電界をシールドするためのブリッジ部とを備えたループギャップ共振器において、前記ループ部とブリッジ部の両方に、円筒の中心軸方向と交差する方向のスリットを設けた。
【選択図】図3

Description

本発明は、生体物質等の試料構造を画像化する電子スピン共鳴法に用いるループギャップ共振器に関する。
最近、物質の構造を非破壊的に知るために、電子スピン共鳴法が使用され、これにループギャップ共振器が適用されている。図1は、従来のループギャップ共振器を示したものである。図中1は、ループギャップ共振器、図中2は、空洞xを有するテフロン(登録商標)などでできた低誘電率の円筒支持体である。円筒支持体2の外周面には、所定の角度、例えば180°間隔で円筒の軸方向に沿ってギャップ部3が形成され、該ギャップ部3を挟んで、ループ部と呼ばれる円筒弧状の共振器本体4a、4bが固着されている。
ループギャップ共振器では、ループ部4a、4bがコイル(L)、ギャップ部3がコンデンサ(C)に対応し、これらの電気的パラメータにより、共振器の共振周波数が規定される。ループ部を中断するギャップ部は、本来、1つあればループギャップ共振器として機能するが、図1の例では、手前と奥に対称的に2つのギャップ部を設けることで、マイクロ波を投入した場合の磁束密度の空間的な均一性を向上させている(特許文献1)。
そして、ギャップ部3の内側には、円筒支持体2(誘電体)を介して、ブリッジ部と呼ばれる円筒弧状のマイクロ波電界シールド5a、5bが設けられ、ギャップ部3に発生するマイクロ電界が空洞x内に洩れ込まないように、かつ、空洞x内に発生するマイクロ磁界がギャップ部3から共振器の外部に洩れ出ないように構成されている(特許文献2、3)。これにより、共振マイクロ波の電界成分と磁界成分が分けられ、磁界成分のみが試料に作用するように構成される。ループ部4a、4b、およびブリッジ部5a、5bは、非磁性の導電体、例えば銅板で形成されている。
このようなループギャップ共振器1を用いて、例えば、生体の物質の構造を非破壊的に知るためには、ループギャップ共振器1の円筒支持体2の空洞x内に生体試料を挿入した後、ループギャップ共振器1に外部から一定周波数のマイクロ波を照射して、生体試料が挿入された共振器内でマイクロ波の共振を生ぜしめると共に、共振器の近傍に配設された図示しない磁場変調コイル及び直流磁場発生装置により、交流磁場と直流磁場を重畳して発生させて、共振器内の試料にこれを印加し、直流磁場を掃引して得られるスペクトルから電子スピン共鳴信号を得て、これを信号処理し、生体試料の構造の画像化、すなわちイメージング測定を行なっている。
試料に印加される変調磁場は、変調周波数が高いほど、電子スピン共鳴信号の検出感度が高くなり、また、強度分布が均一なほど、画像のコントラストの歪みが均一になるので、試料に対しては、変調周波数がより高く、強度分布がより均一な変調磁場が印加できるように、装置を設計することが求められる。
特開昭58−127154号公報。
特開昭62−123342号公報。
特開昭62−123343号公報。
特開平5−249215号公報。
ところで、上記のようなループギャップ共振器1では、図2に示すように、図示しない磁場変調コイルによって生じる変調磁場は、その周波数が高くなれば高くなる程、ループ部4a、4bの導電壁に渦電流iを発生させやすくなる。発生した渦電流iは、加えた変調磁場の磁束Bを緩和させるように働くので、変調磁場は導電壁を透過することができず、ループギャップ共振器1の上下の開口部などから入る磁束によってしか、生体試料に作用する変調磁場が形成されず、その結果、ループギャップ共振器1の内部においては、共振器の中心に近づくほど、変調磁場強度が弱くなり、変調磁場の強さを一様にすることができないという問題があった。
また、磁場の変調周波数が高くなると、ループギャップ共振器1の外壁から内部へと透過できる磁束密度が減少する「表皮効果」と呼ばれる現象が起き、高い変調周波数の磁界は共振器内部に到達できないという問題があった。
本発明の目的は、上述した点に鑑み、簡単な構成でループギャップ共振器内部の変調磁場の均一化をはかることができるループギャップ共振器を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明のループギャップ共振器は、
低誘電率の円筒支持体と、
該円筒支持体の外周面に円筒の軸方向に沿って形成されるギャップ部と、
導電体により形成され、前記ギャップ部を挟んで円筒支持体の外周面に固着される円筒弧状のループ部と、
導電体により形成され、前記ギャップ部の内側に前記円筒支持体を介して設けられるマイクロ波電界をシールドするためのブリッジ部と
を備えたループギャップ共振器において、
前記ループ部とブリッジ部の両方に、円筒の中心軸方向と交差する方向のスリットを設けたことを特徴としている。
また、前記円筒の軸方向と交差する方向とは、ループ部を流れるマイクロ波電流の伝流経路を遮断しない方向であることを特徴としている。
また、前記スリットは、複数本設けられていることを特徴としている。
また、前記スリットは、ループ部とブリッジ部の双方に刻まれた位置が、共振器の円筒軸と直交する平面上に並ぶように配置されていることを特徴としている。
低誘電率の円筒支持体と、該円筒支持体の外周面に円筒の軸方向に沿って形成されるギャップ部と、導電体により形成され、前記ギャップ部を挟んで円筒支持体の外周面に固着される円筒弧状のループ部と、導電体により形成され、前記ギャップ部の内側に前記円筒支持体を介して設けられるマイクロ波電界をシールドするためのブリッジ部とを備えたループギャップ共振器において、前記ループ部とブリッジ部の両方に、円筒の中心軸方向と交差する方向のスリットを設けたので、簡単な構成でループギャップ共振器内部の変調磁場の均一化をはかることができるようになった。
図3は、本発明にかかるループギャップ共振器の一実施例を示したものである。図中1は、ループギャップ共振器、2は、空洞xを有するテフロン(登録商標)などでできた低誘電率の円筒支持体である。円筒支持体2の外周面には、所定の角度、例えば180°間隔で円筒の軸方向に沿ってギャップ部3が形成され、該ギャップ部3を挟んで、ループ部と呼ばれる円筒弧状の共振器本体4a、4bが固着されている。尚、上記角度は、必ずしも180゜に限定されるものではない。
ループギャップ共振器では、ループ部4a、4bがコイル(L)、ギャップ部3がコンデンサ(C)に対応し、これらの電気的パラメータにより、共振器の共振周波数が規定される。ループ部を中断するギャップ部は、本来、1つあればループギャップ共振器として機能するが、図3の例では、手前と奥に対称的に2つのギャップ部を設けることで、マイクロ波を投入した場合の磁束密度の空間的な均一性を向上させている。尚、上記ギャップ部の数は、必ずしも2つに限定されるものではない。
そして、ギャップ部3の内側には、円筒支持体2を介して、ブリッジ部と呼ばれる円筒弧状のマイクロ波電界シールド5a、5bが設けられ、ギャップ部3に発生するマイクロ電界が空洞x内に洩れ込まないように、かつ、空洞x内に発生するマイクロ磁界がギャップ部3から共振器の外部に洩れ出ないように構成されている。これにより、共振マイクロ波の電界成分と磁界成分が分けられ、磁界成分のみが試料に作用するように構成されている。ループ部4a、4b、およびブリッジ部5a、5bは、非磁性の導電体、例えば銅板で形成されている。
ループ部4a、4bとブリッジ部5a、5bの双方には、円筒の軸方向と交差する方向、より好ましくは、円筒の軸方向と直交する方向のスリット6が、複数本(図3の例では4本)設けられている。これらのスリット6は、ループ部4a、4bに刻まれた位置と、ブリッジ部5a、5bに刻まれた位置とが、共振器の円筒軸と直交する平面上に並ぶように配置されている。
ループギャップ共振器の外部より、変調磁場(交流磁場)を印加した場合、通常、渦電流が発生して、加えた磁場を打ち消す方向に作用するが、図3のように、スリット6を設けることにより、渦電流の伝流経路が遮断され、渦電流の発生が抑えられて、変調磁場(交流磁場)の損失が生じない。
また、スリット6が設けられているおかげで、変調磁場は、ループギャップ共振器の外壁を構成するループ部4a、4bの表面で、表皮効果により妨害を受けることなく、スリット6の開放空間を通して、直接、ループギャップ共振器内部の試料に到達することができる。
一方、ループギャップ共振器内部で定在波を形成して共振しているマイクロ波エネルギーのうち、電界成分は、ループギャップ共振器のループ部4a、4bにおいて、ループギャップ共振器の円筒軸に直交する方向に、環状の交流電流を形成しているが、図3のように、円筒の軸方向に直交する平面方向にスリットを刻めば、スリット6がマイクロ波電流の伝流経路を遮断しないため、マイクロ波の損失を生じないという優れた効果を得ることができる。
したがって、ループギャップ共振器のループ部とブリッジ部に、ループギャップ共振器の円筒軸に直交する水平方向のスリット6を刻めば、共振器内部に蓄えられたマイクロ波エネルギーの損失を招かず、共振器が高いQ値を保った状態で、電子スピン共鳴信号の測定を行なうことが可能である。
また、スリット6の開放空間から、変調磁界が直接試料に印加されるため、均一な変調磁場がループギャップ共振器内に進入し、感度の良い測定が可能になる。
図3のような方法によって構築された新しいループギャップ共振器にマイクロ波を導入するには、図4に示すように、カップリング・コイル7をループギャップ共振器1に接近させて、ループギャップ共振器1にマイクロ波磁界を誘起させ、磁気的にカップリング・コイル7とループギャップ共振器1の間を結合させれば良い。
電子スピン共鳴装置用のループギャップ共振器に利用できる。
従来のループギャップ共振器を示す図である。 従来のループギャップ共振器の問題点を示す図である。 本発明にかかるループギャップ共振器の一実施例を示す図である。 ループギャップ共振器にマイクロ波を導入する方法を示す図である。
符号の説明
1:ループギャップ共振器、2:円筒支持体、3:ギャップ部、4a:ループ部、4b:ループ部、5a:ブリッジ部、5b:ブリッジ部、6:スリット、7:カップリング・コイル

Claims (4)

  1. 低誘電率の円筒支持体と、
    該円筒支持体の外周面に円筒の軸方向に沿って形成されるギャップ部と、
    導電体により形成され、前記ギャップ部を挟んで円筒支持体の外周面に固着される円筒弧状のループ部と、
    導電体により形成され、前記ギャップ部の内側に前記円筒支持体を介して設けられるマイクロ波電界をシールドするためのブリッジ部と
    を備えたループギャップ共振器において、
    前記ループ部とブリッジ部の両方に、円筒の軸方向と交差する方向のスリットを設けたことを特徴とするループギャップ共振器。
  2. 前記円筒の軸方向と交差する方向とは、ループ部を流れるマイクロ波電流の伝流経路を遮断しない方向であることを特徴とする請求項1記載のループギャップ共振器。
  3. 前記スリットは、複数本設けられていることを特徴とする請求項1または2記載のループギャップ共振器。
  4. 前記スリットは、ループ部とブリッジ部の双方に刻まれた位置が、共振器の円筒軸と直交する平面上に並ぶように配置されていることを特徴とする請求項1、2、または3記載のループギャップ共振器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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