JP2005105086A - Epoxy resin composition and semiconductor apparatus - Google Patents

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孝志 相原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin composition having high adhesion strength to a leadframe and excellent solder resistance, and to provide a semiconductor apparatus. <P>SOLUTION: The epoxy resin composition for sealing a semiconductor comprises (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a curing promoter, (D) an inorganic filler and (E) an aromatic carboxylic acid (preferably a compound containing at least two or more phenolic hydroxy groups in one molecule and at least one or more carboxylic acids in one molecule). The semiconductor apparatus is obtained by sealing a semiconductor element by using the epoxy resin composition. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するものである。   The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device using the same.

近年、半導体装置は生産性、コスト、信頼性等のバランスに優れることからエポキシ樹脂組成物を用いて封止されるのが主流となっている。半導体装置の表面実装化により半導体装置が半田浸漬あるいは半田リフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらされ、吸水した水分が爆発的に気化する際の応力によって、半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じたり、半導体装置にクラックが発生し信頼性が著しく低下する問題が生じている。   In recent years, semiconductor devices have been mainly sealed with an epoxy resin composition because of excellent balance of productivity, cost, reliability, and the like. Due to the surface mounting of the semiconductor device, the semiconductor device is suddenly exposed to a high temperature of 200 ° C. or higher in the solder dipping or solder reflow process, and the stress generated when the absorbed water vaporizes explosively causes the semiconductor element, lead frame, inner lead There is a problem that peeling occurs at the interface between each of the above-mentioned various plated joint portions and a cured product of the epoxy resin composition, or cracks are generated in the semiconductor device and the reliability is significantly lowered.

半田処理による信頼性低下を改善するために、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の充填量を増加させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し耐半田性を向上させるとともに、低溶融粘度の樹脂を使用して、成形時に低粘度で高流動性を維持させる手法が一般的となりつつある。
一方、半田処理後の信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性は非常に重要になってきている。界面での接着力が弱いと半田処理後の基材との界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にクラックが発生する。
従来から耐半田性の向上を目的として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランやγ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン等のシランカップリング剤がエポキシ樹脂組成物中に添加されてきた。しかし近年、実装時のリフロー温度の上昇や、鉛フリーハンダに対応しNi−Pd、Ni−Pd−Au等のプリプレーティングフレームの出現等、益々厳しくなっている耐半田性に対する要求に対して、これらのシランカップリング剤だけでは充分に対応できなくなっている。
その対処法として、アルコキシシランカップリング剤によりリードフレームの表面処理をする方法(例えば、特許文献1参照。)などが提案されている。しかしながら、シランカップリング剤は、熱時安定性が悪く耐半田処理において密着向上効果が低下する欠点があることがわかっていた。
In order to improve reliability reduction due to solder processing, increase the amount of inorganic filler in the epoxy resin composition to achieve low moisture absorption, high strength, low thermal expansion, and improve solder resistance. A technique of maintaining low fluidity and high fluidity during molding using a low melt viscosity resin is becoming common.
On the other hand, in terms of reliability after soldering, the adhesiveness at the interface between a cured product of the epoxy resin composition and a substrate such as a semiconductor element or a lead frame existing inside the semiconductor device has become very important. If the adhesive strength at the interface is weak, peeling occurs at the interface with the base material after the solder treatment, and further, cracks occur in the semiconductor device due to this peeling.
Conventionally, silane coupling agents such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and γ- (methacryloxypropyl) trimethoxysilane have been added to epoxy resin compositions for the purpose of improving solder resistance. However, in recent years, the demand for solder resistance, which has become increasingly severe, such as the rise in reflow temperature during mounting and the appearance of pre-plating frames such as Ni-Pd and Ni-Pd-Au in response to lead-free solder, These silane coupling agents alone are not sufficient.
As a countermeasure, a method of treating the surface of the lead frame with an alkoxysilane coupling agent (for example, see Patent Document 1) has been proposed. However, it has been found that silane coupling agents have poor heat stability and have a drawback that the effect of improving adhesion in solder-resistant treatment is reduced.

特開平6−350000号公報(第2〜5頁)JP-A-6-350,000 (pages 2 to 5)

本発明は、半田処理においてリードフレームとの剥離が発生しない信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物、及び半導体装置を提供するものである。   The present invention provides a highly reliable epoxy resin composition and a semiconductor device in which peeling from a lead frame does not occur during solder processing.

本発明は、
[1](A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)芳香族カルボン酸を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2]前記の芳香族カルボン酸が、樹脂組成物に対して0.004〜2重量%の割合で含有される第[1]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[3]前記の芳香族カルボン酸が、1分子あたり少なくとも2個以上のフェノール性水酸基と1分子あたり少なくとも1個以上のカルボン酸を有する化合物である第[1]又は[2]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[4]第[1]、[2]又は[3]項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
The present invention
[1] An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a curing accelerator, (D) an inorganic filler, and (E) an aromatic carboxylic acid. Stuff,
[2] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [1], wherein the aromatic carboxylic acid is contained in a proportion of 0.004 to 2% by weight with respect to the resin composition,
[3] The semiconductor according to item [1] or [2], wherein the aromatic carboxylic acid is a compound having at least two phenolic hydroxyl groups per molecule and at least one carboxylic acid per molecule. Epoxy resin composition for sealing,
[4] A semiconductor device comprising a semiconductor element sealed with the epoxy resin composition according to any one of [1], [2] or [3],
It is.

本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて得られた半導体装置は、リードフレームとの密着強度が強く、信頼性に優れている。   The semiconductor device obtained using the epoxy resin composition of the present invention has high adhesion strength with the lead frame and is excellent in reliability.

本発明は、(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)芳香族カルボン酸を含むことにより、半田処理においてリードフレームとの剥離が発生しない信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物、及び半導体装置が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
The present invention includes (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a curing accelerator, (D) an inorganic filler, and (E) an aromatic carboxylic acid. Thus, an epoxy resin composition excellent in reliability and a semiconductor device can be obtained.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明に用いられるエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、例えば、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのエポキシ樹脂は単独で用いても併用してもよい。   The epoxy resin used in the present invention is a monomer, oligomer, or polymer in general having two or more epoxy groups in one molecule. For example, hydroquinone type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, biphenyl. Type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, dicyclopentadiene modified phenol type epoxy Resin, phenol aralkyl type epoxy resin (having phenylene skeleton, biphenylene skeleton, etc.), naphthol aralkyl type epoxy resin (having phenylene skeleton, biphenylene skeleton, etc.) That), terpene-modified phenol type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resins, but are not limited thereto. These epoxy resins may be used alone or in combination.

本発明に用いられるフェノール樹脂としては、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、ナフトールアラルキル樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂、ビスフェノール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのフェノール樹脂は単独で用いても2種類以上併用してもよい。
全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基との当量比としては、好ましくは0.5〜2.0、特に好ましくは0.7〜1.5である。上記範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低下する可能性がある。
Examples of the phenol resin used in the present invention include monomers, oligomers and polymers having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule. For example, phenol novolak resin, cresol novolak resin, phenol aralkyl resin (phenylene skeleton, biphenylene). Naphthol aralkyl resin (having a phenylene skeleton, biphenylene skeleton, etc.), terpene-modified phenol resin, dicyclopentadiene-modified phenol resin, triphenolmethane phenol resin, bisphenol compound, and the like. Is not to be done. These phenol resins may be used alone or in combination of two or more.
The equivalent ratio of the epoxy groups of all epoxy resins to the phenolic hydroxyl groups of all phenol resins is preferably 0.5 to 2.0, particularly preferably 0.7 to 1.5. If it is out of the above range, curability, moisture resistance reliability and the like may be lowered.

本発明に用いられる硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものであり、例えばトリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単独で用いても併用してもよい。   The curing accelerator used in the present invention can be a catalyst for a crosslinking reaction between an epoxy resin and a phenol resin. For example, amines such as tributylamine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 are used. Examples thereof include, but are not limited to, organic compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate salts, and imidazole compounds such as 2-methylimidazole. These curing accelerators may be used alone or in combination.

本発明に用いられる無機質充填材としては、一般に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができ、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。これらの無機質充填材は単独で用いても併用してもよい。
無機質充填材の配合量を多くする場合、溶融シリカを用いるのが一般的である。溶融シリカは、破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキシ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に溶融球状シリカの配合量を多くするためには、溶融球状シリカの粒度分布がより広くなるように調整することが望ましい。無機質充填材は、予めシランカップリング剤等で表面処理されているものを用いてもよい。無機充填材の配合量は、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中80〜94重量%が好ましい。下限値を下回ると十分な耐半田性が得られない可能性があり、上限値を超えると十分な流動性が得られない可能性がある。
As the inorganic filler used in the present invention, those generally used for epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation can be used, and examples thereof include fused silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride, aluminum nitride and the like. It is done. These inorganic fillers may be used alone or in combination.
When increasing the compounding quantity of an inorganic filler, it is common to use a fused silica. Fused silica can be used in either crushed or spherical shape, but in order to increase the blending amount of fused silica and to suppress the increase in the melt viscosity of the epoxy resin composition, it is better to mainly use spherical ones. preferable. Furthermore, in order to increase the blending amount of the fused spherical silica, it is desirable to adjust so that the particle size distribution of the fused spherical silica becomes wider. The inorganic filler that has been surface-treated with a silane coupling agent or the like in advance may be used. Although the compounding quantity of an inorganic filler is not specifically limited, 80 to 94 weight% is preferable in all the epoxy resin compositions. If the lower limit is not reached, sufficient solder resistance may not be obtained, and if the upper limit is exceeded, sufficient fluidity may not be obtained.

本発明で用いられる芳香族カルボン酸は、樹脂組成物の硬化物とリードフレームとの密着性を向上させ、ひいては樹脂組成物の硬化物で半導体素子を封止してなる半導体装置の耐湿信頼性、耐リフロークラック性を改善させる役割を果たす。芳香族カルボン酸は、特に樹脂組成物の硬化物と非銅リードフレーム(銀メッキリードフレーム、ニッケルメッキリードフレーム、ニッケル/パラジウム合金に金メッキが施されたプレプリーティングフレーム)との密着性を向上させる効果が顕著であるため、上記リードフレームを用いた時に、半導体装置の信頼性が大幅に向上する。本発明で用いられる芳香族カルボン酸の配合量としては、特に限定するものではないが、全エポキシ樹脂組成物に対して0.004〜2重量%の割合で含有されることが好ましい。上記下限値を下回ると、樹脂組成物の硬化物とリードフレームとの密着性を向上させる効果が不充分となる恐れがあるので好ましくない。一方、上記上限値を超えると、樹脂組成物の流動性が低下する恐れがあるので好ましくない。   The aromatic carboxylic acid used in the present invention improves the adhesiveness between the cured product of the resin composition and the lead frame, and consequently the moisture resistance reliability of the semiconductor device formed by sealing the semiconductor element with the cured product of the resin composition. It plays the role of improving reflow crack resistance. Aromatic carboxylic acid improves adhesion between hardened resin composition and non-copper lead frame (silver-plated lead frame, nickel-plated lead frame, nickel / palladium alloy pre-plating frame) Therefore, the reliability of the semiconductor device is greatly improved when the lead frame is used. Although it does not specifically limit as a compounding quantity of the aromatic carboxylic acid used by this invention, It is preferable to contain in the ratio of 0.004 to 2 weight% with respect to all the epoxy resin compositions. Below the lower limit, the effect of improving the adhesion between the cured product of the resin composition and the lead frame may be insufficient, which is not preferable. On the other hand, when the above upper limit is exceeded, the fluidity of the resin composition may be lowered, which is not preferable.

本発明で用いられる芳香族カルボン酸としては、分子構造を特に限定するものではないが、1分子あたり少なくとも2個以上のフェノール性水酸基と1分子あたり少なくとも1個以上のカルボン酸を有する化合物が、密着性向上という観点でより好ましい。1分子あたり少なくとも2個以上のフェノール性水酸基と1分子あたり少なくとも1個以上のカルボン酸を有する化合物としては、例えば、下記一般式(1)、一般式(2)で表される化合物などを挙げることができる。   The aromatic carboxylic acid used in the present invention is not particularly limited in molecular structure, but a compound having at least two phenolic hydroxyl groups per molecule and at least one carboxylic acid per molecule, It is more preferable from the viewpoint of improving adhesion. Examples of the compound having at least two phenolic hydroxyl groups per molecule and at least one carboxylic acid per molecule include compounds represented by the following general formula (1) and general formula (2). be able to.

本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分の他、必要に応じて、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム/ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。   In addition to the components (A) to (E), the epoxy resin composition of the present invention is optionally coupled with a silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aluminum coupling agent, an aluminum / zirconium coupling agent, or the like. Agent, flame retardant such as brominated epoxy resin, antimony oxide, phosphorus compound, inorganic ion exchanger such as bismuth oxide hydrate, colorant such as carbon black, bengara, low stress agent such as silicone oil, silicone rubber, Various additives such as natural waxes, synthetic waxes, higher fatty acids and metal salts thereof or mold release agents such as paraffin, and antioxidants may be appropriately blended.

本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて混合後、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で加熱混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
In the epoxy resin composition of the present invention, the components (A) to (E) and other additives are mixed using a mixer, then heated and kneaded by a kneader such as a roll, a kneader or an extruder, and pulverized after cooling. Is obtained.
In order to seal an electronic component such as a semiconductor element and manufacture a semiconductor device using the epoxy resin composition of the present invention, it may be cured by a molding method such as a transfer mold, a compression mold, or an injection mold.

以下、本発明を実施例にて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合単位は重量部とする。
実施例1
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these. The blending unit is parts by weight.
Example 1

式(3)で示されるエポキシ樹脂(軟化点58℃、エポキシ当量272、以下エポキシ樹脂1とする) 8.2重量部
Epoxy resin represented by formula (3) (softening point 58 ° C., epoxy equivalent 272, hereinafter referred to as epoxy resin 1) 8.2 parts by weight

式(4)で示されるフェノール樹脂(軟化点107℃、水酸基当量200、以下フェノール樹脂1とする) 6.0重量部
Phenolic resin represented by formula (4) (softening point 107 ° C., hydroxyl group equivalent 200, hereinafter referred to as phenolic resin 1) 6.0 parts by weight

1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという)
0.2重量部
溶融球状シリカ(平均粒径28μm) 84.9重量部
1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter referred to as DBU)
0.2 part by weight Fused spherical silica (average particle size 28 μm) 84.9 parts by weight

式(5)で示される2,5−ジヒドロキシ安息香酸(試薬) 0.2重量部
0.2 parts by weight of 2,5-dihydroxybenzoic acid (reagent) represented by the formula (5)

カルナバワックス 0.2重量部
カーボンブラック 0.3重量部
をミキサーを用いて混合した後、表面温度が90℃と25℃の2本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
Carnauba wax 0.2 parts by weight Carbon black 0.3 parts by weight was mixed using a mixer, then kneaded using two rolls with surface temperatures of 90 ° C. and 25 ° C., cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition. Got. The characteristics of the obtained epoxy resin composition were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.

評価方法
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件で測定した。単位はcm。
密着強度:トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒の条件で、リードフレーム上に2mm×2mm×2mmの密着強度試験片を1水準当たり10個成形した。リードフレームには銅フレームに銀メッキしたもの(フレーム1)とNiPd合金フレームに金メッキしたもの(フレーム2)の2種類を用いた。その後、自動せん断強度測定装置(DAGE社製、PC2400)を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物とフレームとのせん断強度を測定した。10個の試験片のせん断強度の平均値を表1に示す。単位はN/mm2
耐半田性:176ピンLQFPパッケージ(パッケージサイズは24×24mm、厚み2.0mm、シリコンチップのサイズは、8.0×8.0mm、リードフレームは176pinプリプレーティングフレーム、NiPd合金にAuメッキ加工したもの。)を、金型温度175℃、注入圧力9.3MPa、硬化時間120秒の条件でトランスファー成形し、175℃で8時間の後硬化をした。得られたパッケージを85℃、相対湿度60%の環境下で168時間加湿処理した。その後このパッケージを260℃の半田槽に10秒間浸漬した。半田処理を行ったパッケージ10個を、超音波探傷装置を用いて観察し、チップ(SiNコート品)とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生した剥離発生率[(剥離発生パッケージ数)/(全パッケージ数)×100]を%で表示した。
Evaluation method Spiral flow: Using a mold for spiral flow measurement according to EMMI-1-66, measurement was performed under conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 120 seconds. The unit is cm.
Adhesion strength: Using a transfer molding machine, 10 pieces of 2 mm × 2 mm × 2 mm adhesion strength test pieces per level on a lead frame under conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 120 seconds. Molded. Two types of lead frames were used: a silver plated copper frame (frame 1) and a gold plated NiPd alloy frame (frame 2). Thereafter, the shear strength between the cured product of the epoxy resin composition and the frame was measured using an automatic shear strength measuring apparatus (manufactured by DAGE, PC2400). Table 1 shows the average value of the shear strength of 10 test pieces. The unit is N / mm 2 .
Solder resistance: 176-pin LQFP package (package size is 24x24mm, thickness is 2.0mm, silicon chip size is 8.0x8.0mm, lead frame is 176pin pre-plating frame, NiPd alloy is Au plated Was molded by transfer molding under conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.3 MPa, and a curing time of 120 seconds, and post-cured at 175 ° C. for 8 hours. The resulting package was humidified for 168 hours in an environment of 85 ° C. and a relative humidity of 60%. Thereafter, this package was immersed in a solder bath at 260 ° C. for 10 seconds. Ten packages that have been subjected to soldering were observed using an ultrasonic flaw detector, and the rate of occurrence of delamination at the interface between the chip (SiN coated product) and the cured product of the epoxy resin composition [(Peeling occurrence package Number) / (total number of packages) × 100] is expressed in%.

実施例2〜5、比較例1〜3
表1の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例1と同様にして評価した。これらの結果を表1に示す。用いたエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の詳細は表2に示す。また、実施例1以外で用いたその他の成分について、以下に示す。
Examples 2-5, Comparative Examples 1-3
According to the composition of Table 1, an epoxy resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 and evaluated in the same manner as in Example 1. These results are shown in Table 1. The details of the epoxy resin and phenol resin used are shown in Table 2. Moreover, it shows below about the other component used except Example 1. FIG.

式(6)で示される4’,4”−ジヒドロキシトリフェニルメタン−2−カルボン酸
4 ′, 4 ″ -dihydroxytriphenylmethane-2-carboxylic acid represented by the formula (6)

式(7)で示されるγ−グリシドキシプロピルトリメルカプトシラン
Γ-glycidoxypropyl trimercaptosilane represented by the formula (7)

実施例1により、2,5−ジヒドロキシ安息香酸を添加したエポキシ樹脂組成物は、リードフレームとの密着強度が高く、また、信頼性に優れているという結果が得られた。また、実施例2により樹脂の種類により差はあるが2,5−ジヒドロキシ安息香酸を添加することにより密着強度が大きくなっている。実施例3、4は添加量を変化させたものであるがいずれも密着強度が大きくなっている。実施例5は、芳香族カルボン酸として4’,4”−ジヒドロキシトリフェニルメタン−2−カルボン酸を用いたものであるが、2,5−ジヒドロキシ安息香酸と同等の密着強度、信頼性が得られた。比較例1,2は芳香族カルボン酸を添加しない系であるが、樹脂の種類に関わらず密着強度が低く、かつ、信頼性も低い結果が得られた。比較例3は、耐半田性の向上のための添加剤として、従来から用いられてきたγ−グリシドキシプロピルトリメルカプトシランを用いたものであるが、リードフレームとの密着強度が弱く、信頼性の結果が芳香族カルボン酸を添加した場合よりも劣る結果が得られた。   According to Example 1, the epoxy resin composition to which 2,5-dihydroxybenzoic acid was added had high adhesion strength with the lead frame and excellent reliability. Further, the adhesion strength is increased by adding 2,5-dihydroxybenzoic acid although there is a difference depending on the type of resin in Example 2. In Examples 3 and 4, the addition amount was changed, but the adhesion strength was increased in all cases. In Example 5, 4 ′, 4 ″ -dihydroxytriphenylmethane-2-carboxylic acid was used as the aromatic carboxylic acid, but adhesion strength and reliability equivalent to 2,5-dihydroxybenzoic acid were obtained. Comparative Examples 1 and 2 were systems in which no aromatic carboxylic acid was added, but the results showed low adhesion strength and low reliability regardless of the type of resin. Conventionally used γ-glycidoxypropyl trimercaptosilane as an additive for improving solderability, but the adhesion strength with the lead frame is weak and the reliability results are aromatic. Inferior results were obtained when carboxylic acid was added.

本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて得られた半導体装置は、Ni、Ni−Pd、Ni−Pd−Au等でメッキされたものも含めた各種リードフレームとの密着強度が強く、信頼性に優れたものとなるため、パワートランジスター、超LSI等に好適に用いることができる。   The semiconductor device obtained by using the epoxy resin composition of the present invention has high adhesion strength with various lead frames including those plated with Ni, Ni-Pd, Ni-Pd-Au, etc., and is reliable. Since it becomes excellent, it can be suitably used for power transistors, VLSI, and the like.

Claims (4)

(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)芳香族カルボン酸を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a curing accelerator, (D) an inorganic filler, and (E) an aromatic carboxylic acid. 前記の芳香族カルボン酸が、樹脂組成物に対して0.004〜2重量%の割合で含有される請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the aromatic carboxylic acid is contained in a proportion of 0.004 to 2% by weight with respect to the resin composition. 前記の芳香族カルボン酸が、1分子あたり少なくとも2個以上のフェノール性水酸基と1分子あたり少なくとも1個以上のカルボン酸を有する化合物である請求項1又は2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2, wherein the aromatic carboxylic acid is a compound having at least two phenolic hydroxyl groups per molecule and at least one carboxylic acid per molecule. . 請求項1、2又は3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising a semiconductor element sealed with the epoxy resin composition according to claim 1.
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