JP2005102098A - High-frequency module and radio communication device using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small high-frequency module which is capable of reducing a surface acoustic wave branching filter package in thickness when it is mounted on a multilayered board. <P>SOLUTION: The high-frequency module 105 is mounted with a branching filter package 2 where a transmission SAW filter and a receiving SAW filter are built inside, a matching line 5 connecting an antenna end to a receiving end is built as a strip line in a multilayered board 31, the transmission SAW filter and the receiving SAW filter are formed as the branching filter 2 of one chip on the same piezoelectric board, and then the piezoelectric board is mounted on the multilayered board. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、携帯端末器等の無線通信装置に適用される高周波モジュール及びそれを用いた無線通信装置に関するものである。   The present invention relates to a high-frequency module applied to a wireless communication device such as a portable terminal and a wireless communication device using the same.

図２６は、携帯端末器等の移動無線通信装置における高周波信号処理回路の一般的構成を示すブロック図である。高周波信号処理回路は、アンテナ、分波器２０、高周波電力増幅器２１、段間フィルタ２２、ＲＦＩＣ２３、受信増幅器２４、段間フィルタ２５、ＲＦＩＣ２６などで構成される。分波器２０は、高周波電力増幅器２１から出力される送信信号をアンテナに送り、アンテナにより受信される受信信号を切り分けて受信増幅器２４に供給する機能を備える素子である。   FIG. 26 is a block diagram showing a general configuration of a high-frequency signal processing circuit in a mobile radio communication apparatus such as a portable terminal. The high frequency signal processing circuit includes an antenna, a duplexer 20, a high frequency power amplifier 21, an interstage filter 22, an RFIC 23, a reception amplifier 24, an interstage filter 25, an RFIC 26, and the like. The duplexer 20 is an element having a function of sending a transmission signal output from the high-frequency power amplifier 21 to the antenna, and separating a reception signal received by the antenna and supplying the reception signal to the reception amplifier 24.

携帯端末器等の移動無線通信装置においては、その携帯性のために各部品に対する小型化、軽量化の要求が大きい。従来においてはこの要求を考慮して、移動無線通信装置を構成する各部品を、所望の特性が達成できる単位でモジュール化している。
図２７は、分波器を含む従来の高周波モジュール200の構造を示す概略平面図、図２８は同概略断面図である。なお、高周波モジュール200は、通常、高周波電力増幅器を含むことが多いが、図２７、図２８では、分波器の搭載されている部分のみを図示している。 In mobile radio communication devices such as portable terminals, there is a great demand for miniaturization and weight reduction of each component because of its portability. Conventionally, in consideration of this requirement, each component constituting the mobile radio communication apparatus is modularized in units that can achieve desired characteristics.
FIG. 27 is a schematic plan view showing the structure of a conventional high-frequency module 200 including a duplexer, and FIG. 28 is a schematic cross-sectional view thereof. The high-frequency module 200 usually includes a high-frequency power amplifier in many cases, but only the portion where the duplexer is mounted is shown in FIGS.

従来の高周波モジュール200は、多層基板６１の上にＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)分波器パッケージ６２を実装している。ＳＡＷ分波器パッケージ６２は、Ant端子６７、Tx端子６８、Rx端子６９の３つの端子を備え、これらのAnt端子６７、Tx端子６８、Rx端子６９と、前記多層基板上６１上のAnt側線路７０、Tx側線路７１、Rx側線路７２とをそれぞれ接続している。Ant側線路７０は、図２６に示したようにアンテナに接続され、Tx側線路７１は高周波電力増幅器２１に接続され、Rx側線路７２は受信増幅器２４に接続される。   The conventional high frequency module 200 has a SAW (Surface Acoustic Wave) duplexer package 62 mounted on a multilayer substrate 61. The SAW duplexer package 62 includes three terminals, an Ant terminal 67, a Tx terminal 68, and an Rx terminal 69. These Ant terminal 67, Tx terminal 68, Rx terminal 69 and the Ant side on the multilayer substrate 61 The line 70, the Tx side line 71, and the Rx side line 72 are connected to each other. As shown in FIG. 26, the Ant side line 70 is connected to the antenna, the Tx side line 71 is connected to the high frequency power amplifier 21, and the Rx side line 72 is connected to the reception amplifier 24.

ＳＡＷ分波器パッケージ６２は、図２８に示されるように、樹脂基板６５上に、送信用のTxフィルタチップ６３と受信用のRxフィルタチップ６４を別々に独立して搭載している。そして、樹脂基板６５の中に、Ant端子６７とRxフィルタチップ６４とのマッチングをとるためのマッチング線路６６を内蔵している。
図２９は、従来の他の高周波モジュール201の構造を示す概略平面図、図３０はその概略断面図である。 As shown in FIG. 28, the SAW duplexer package 62 has a Tx filter chip 63 for transmission and an Rx filter chip 64 for reception mounted separately and independently on a resin substrate 65. The resin substrate 65 includes a matching line 66 for matching the Ant terminal 67 and the Rx filter chip 64.
FIG. 29 is a schematic plan view showing the structure of another conventional high-frequency module 201, and FIG. 30 is a schematic cross-sectional view thereof.

この高周波モジュール201では、多層基板６１の上に送信用及び受信用のＳＡＷ分波器パッケージ６２ａ，６２ｂを別々に実装している。送信用ＳＡＷ分波器パッケージ６２ａは、樹脂基板６５ａ上に送信用のTxフィルタチップ６３を搭載するとともに、Ant端子６７、Tx端子６８を備え、これらの端子と多層基板上６１上のAnt側線路７０、Tx側線路７１とをそれぞれ接続している。受信用ＳＡＷ分波器パッケージ６２ｂは、樹脂基板６５ｂ上に、受信用のRxフィルタチップ６４を搭載するとともに、Rx入力端子９１、Rx出力端子６９を備え、Rx出力端子６９と多層基板上６１上のRx側線路７２とを接続している。   In the high-frequency module 201, transmission and reception SAW duplexer packages 62a and 62b are separately mounted on the multilayer substrate 61. The transmission SAW duplexer package 62a includes a Tx filter chip 63 for transmission mounted on a resin substrate 65a, and includes an Ant terminal 67 and a Tx terminal 68. These terminals and an Ant-side line on the multilayer substrate 61 are provided. 70 and the Tx side line 71 are connected to each other. The reception SAW duplexer package 62b includes an Rx filter chip 64 for reception on a resin substrate 65b, and an Rx input terminal 91 and an Rx output terminal 69. The Rx output terminal 69 and the multilayer substrate 61 The Rx side line 72 is connected.

そして、図３０に示されるように、多層基板上６１の表面に、前記Ant端子６７とRx入力端子９１とのマッチングをとるためのマッチング線路８０を形成している。
特開平11-17495公報 Then, as shown in FIG. 30, a matching line 80 for matching the Ant terminal 67 and the Rx input terminal 91 is formed on the surface of the multilayer substrate 61.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-17495

ところが、前述の従来の方法で高周波モジュールを形成する場合、図２７の構造においては、樹脂基板６５の中にマッチング線路６６を埋め込んでいるので、高周波モジュールの高さが高くなり、これ以上の薄型化に対応することは非常に難しいという問題がある。
また、図２９の構造においては、送信用ＳＡＷフィルタパッケージ６２ａと受信用ＳＡＷフィルタパッケージ６２ｂをそれぞれ独立して形成しているため、両者の特性が揃えにくく、特性のばらつきが大きくなる上、高さ方向は図２６より薄く出来る反面、面積が大きくなるため、小面積化が難しいという問題がある。 However, when the high-frequency module is formed by the above-described conventional method, since the matching line 66 is embedded in the resin substrate 65 in the structure shown in FIG. There is a problem that it is very difficult to cope with the transformation.
In the structure shown in FIG. 29, the transmission SAW filter package 62a and the reception SAW filter package 62b are formed independently of each other. Although the direction can be made thinner than that of FIG.

本発明は、上記問題点を除去し、コンパクトで、かつ、製造コストを低減することが出来る高周波モジュール及び無線通信装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a high-frequency module and a wireless communication apparatus that eliminate the above-described problems, are compact, and can reduce manufacturing costs.

本発明の高周波モジュールは、送信用のＳＡＷフィルタと受信用のＳＡＷフィルタとを備えたＳＡＷ分波器パッケージを多層基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、前記送信用のＳＡＷフィルタ及び受信用のＳＡＷフィルタを同一圧電基板上に形成して１チップのＳＡＷ分波器パッケージとなし、アンテナ端と受信用のＳＡＷフィルタの受信端とを接続するマッチング線路を有し、当該マッチング線路が、前記多層基板内にストリップラインとして内蔵されているものである。   The high-frequency module according to the present invention is a high-frequency module in which a SAW duplexer package including a SAW filter for transmission and a SAW filter for reception is mounted on a multilayer substrate, and the SAW filter for transmission and the SAW filter for reception. Are formed on the same piezoelectric substrate to form a one-chip SAW duplexer package, and has a matching line that connects the antenna end and the receiving end of the receiving SAW filter. Is built in as a stripline.

前記の構成によれば、従来分波器パッケージに内蔵していたマッチング線路を、多層基板内に内蔵することで、分波器パッケージ自体を薄くすることができるため、モジュール全体としての高さを低減することができる。また、送信フィルタと受信フィルタを同一圧電基板上に１つのチップより形成することで、２つのフィルタ特性のばらつきを低減することができる。   According to the above configuration, the matching line that has been incorporated in the conventional duplexer package can be made thin by incorporating the matching line in the multilayer substrate, so that the height of the entire module can be reduced. Can be reduced. Further, by forming the transmission filter and the reception filter from one chip on the same piezoelectric substrate, it is possible to reduce variations in the two filter characteristics.

前記多層基板内部に配置したマッチング線路は、整合回路の一部または全部を構成する素子となる。
マッチング線路が、整合回路の一部を構成する場合、前記整合回路は、多層基板上に配置した誘導素子および／または容量素子のチップ部品をさらに含むものであってもよい。
また、前記ＳＡＷ分波器パッケージの前段に、GPS帯域を分波するためのダイプレクサを前記多層基板内に内蔵したものであれば、ダイプレクサを別付けとした場合に比べて、全体的にコンパクトな高周波モジュールを形成することができる。 The matching line arranged inside the multilayer substrate becomes an element constituting part or all of the matching circuit.
When the matching line forms a part of the matching circuit, the matching circuit may further include a chip component of an inductive element and / or a capacitive element arranged on the multilayer substrate.
In addition, if a diplexer for demultiplexing the GPS band is built in the multilayer substrate in the previous stage of the SAW duplexer package, it is more compact than the case where the diplexer is separately provided. A high frequency module can be formed.

また、通過帯域特性の異なる複数のＳＡＷ分波器パッケージを前記多層基板上に搭載し、少なくとも１つのＳＡＷ分波器パッケージに対応するマッチング線路を前記多層基板内に内蔵する構成とすれば、別々の通信周波数帯に対応でき、かつ、全体的にコンパクトな高周波モジュールを構成することができる。
この場合、前記複数のＳＡＷ分波器パッケージの周波数帯域を分波するダイプレクサを、前記多層基板内に内蔵することにより、さらに高周波モジュールの小形化を図ることができる。 In addition, if a plurality of SAW duplexer packages having different passband characteristics are mounted on the multilayer substrate and a matching line corresponding to at least one SAW duplexer package is built in the multilayer substrate, separate Thus, it is possible to construct a high-frequency module that is compatible with the communication frequency band of FIG.
In this case, the high frequency module can be further miniaturized by incorporating a diplexer for demultiplexing the frequency band of the plurality of SAW duplexer packages in the multilayer substrate.

また、受信信号をさらにGPS帯域と分波するためのトライプレクサを前記多層基板内に内蔵することもでき、これによりさらに高周波モジュールの小形化を図ることができる。
また、本発明の高周波モジュールは、送信用のＳＡＷフィルタを備えた送信用ＳＡＷ分波器パッケージと、受信用のＳＡＷフィルタを備えた受信用ＳＡＷ分波器パッケージとを多層基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、前記送信用のＳＡＷフィルタは、圧電基板上に形成された１チップのＳＡＷ分波器パッケージであり、前記受信用のＳＡＷフィルタは、圧電基板上に形成された１チップのＳＡＷ分波器パッケージであり、アンテナ端と受信用のＳＡＷフィルタの受信端とを接続するマッチング線路を有し、当該マッチング線路が、前記多層基板内にストリップラインとして内蔵されていることを特徴とする。 In addition, a triplexer for further demultiplexing the received signal with the GPS band can be incorporated in the multilayer substrate, thereby further miniaturizing the high frequency module.
The high-frequency module of the present invention is a high-frequency module in which a transmission SAW duplexer package including a transmission SAW filter and a reception SAW duplexer package including a reception SAW filter are mounted on a multilayer substrate. In the module, the SAW filter for transmission is a one-chip SAW duplexer package formed on a piezoelectric substrate, and the SAW filter for reception is a one-chip SAW duplexer formed on a piezoelectric substrate. And a matching line connecting the antenna end and the receiving end of the receiving SAW filter, and the matching line is built in the multilayer substrate as a strip line.

前述の方法で高周波モジュールを形成する場合、ＳＡＷ分波器パッケージを構成するTxフィルタとRxフィルタが同一圧電基板上に形成されているため、小型化の面では有利であるものの、TxフィルタとRxフィルタ間のアイソレーション特性が不利になることがある。また、Txフィルタには高周波電力増幅器から大電力が入力され、Txフィルタが自己発熱し、その熱がRxフィルタにも直接伝搬して、その温度上昇によってRxフィルタの周波数特性が変化することもある。   When forming a high-frequency module by the above-described method, the Tx filter and Rx filter constituting the SAW duplexer package are formed on the same piezoelectric substrate, which is advantageous in terms of miniaturization. Isolation characteristics between filters may be disadvantageous. In addition, a large amount of power is input to the Tx filter from the high-frequency power amplifier, the Tx filter self-heats, the heat directly propagates to the Rx filter, and the temperature rise may change the frequency characteristics of the Rx filter. .

そこで、本発明の高周波モジュールは、分波回路を構成する、相異なる通過帯域特性を持つ送信用ＳＡＷフィルタと受信用ＳＡＷフィルタとをそれぞれ分割構成し、アンテナ側線路と受信用（Rx）フィルタを接続するマッチング線路を、多層基板内にストリップラインとして内蔵したものである。これにより、別々の周波数帯に対応でき、かつ、全体的にコンパクトな高周波モジュールを構成することができる。   Therefore, the high frequency module of the present invention is configured by dividing a transmission SAW filter and a reception SAW filter having different passband characteristics, which constitute a demultiplexing circuit, respectively, and an antenna side line and a reception (Rx) filter. The matching line to be connected is built in the multilayer substrate as a strip line. As a result, it is possible to configure a high-frequency module that can handle different frequency bands and is compact as a whole.

前記の構成によれば、ＳＡＷ分波器をTxフィルタとRxフィルタの２つに分割することで、アイソレーション特性の向上を図ることができる。また、Txフィルタの発熱がRxフィルタに伝わりにくいため、より安定したRxフィルタの特性を得ることができる。
前記送信用および受信用のＳＡＷフィルタを、ＳＡＷのベアチップにて構成することもできる。ベアチップ実装にて構成した場合、パッケージ品で構成したモジュールに比べて、安価で全体的にコンパクトな高周波モジュールを形成することができる。 According to the above configuration, the isolation characteristics can be improved by dividing the SAW duplexer into two, that is, a Tx filter and an Rx filter. Further, since the heat generated by the Tx filter is not easily transmitted to the Rx filter, more stable characteristics of the Rx filter can be obtained.
The SAW filters for transmission and reception may be configured by SAW bare chips. When configured by bare chip mounting, it is possible to form a high-frequency module that is inexpensive and entirely compact compared to a module configured by a package product.

前記多層基板内部に配置したマッチング線路は、整合回路の一部または全部を構成する素子である。
マッチング線路が、整合回路の一部を構成する場合、前記整合回路は、多層基板上に配置した誘導素子および／または容量素子のチップ部品をさらに含むものであってもよい。
前記複数のＳＡＷ分波器パッケージの周波数帯域を分波するためのダイプレクサを、前記多層基板内に内蔵したものでもよい。 The matching line arranged inside the multilayer substrate is an element constituting a part or all of the matching circuit.
When the matching line forms a part of the matching circuit, the matching circuit may further include a chip component of an inductive element and / or a capacitive element arranged on the multilayer substrate.
A diplexer for demultiplexing a frequency band of the plurality of SAW duplexer packages may be incorporated in the multilayer substrate.

受信信号をさらにGPS帯域と分波するためのトライプレクサを前記多層基板内に内蔵してもよい。受信信号をさらにGPS帯域と分波するためのトライプレクサを、前記多層基板に内蔵したものであれば、ダイプレクサを別付けとした場合に比べて、全体的にコンパクトな高周波モジュールを形成することができる。
なお、前記ＳＡＷ分波器パッケージをFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)フィルタにて構成することもできる。 A triplexer for further demultiplexing the received signal with the GPS band may be incorporated in the multilayer substrate. If a triplexer for further demultiplexing the received signal from the GPS band is built in the multilayer substrate, a high-frequency module can be formed as a whole as compared with a case where a diplexer is provided separately. .
The SAW duplexer package can also be configured with an FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator) filter.

また、前期高周波モジュールは、送信信号を増幅する高周波電力増幅器をさらに備えるものであってもよい。
また、本発明の高周波モジュールは、高周波電力増幅器、送信側段間用フィルタ、受信側段間フィルタ、RFIC等を前記多層基板上に同時に搭載することができる。これにより、高周波モジュールの構成部品を集積することができ、高周波モジュールの小形化を図ることができる。 In addition, the high-frequency module may further include a high-frequency power amplifier that amplifies the transmission signal.
In the high frequency module of the present invention, a high frequency power amplifier, a transmission side interstage filter, a reception side interstage filter, an RFIC, and the like can be simultaneously mounted on the multilayer substrate. Thereby, the components of the high frequency module can be integrated, and the high frequency module can be miniaturized.

また、前記多層基板上の部品を樹脂にてモールドすれば、部品実装部分の状態が安定するため、特性の安定化、信頼性の向上を図ることができる。
また、携帯端末機器などの無線通信装置において、前記高周波モジュールを搭載することにより、装置の小型軽量化を行うことができる。 Further, if the components on the multilayer substrate are molded with resin, the state of the component mounting portion is stabilized, so that the characteristics can be stabilized and the reliability can be improved.
In addition, by mounting the high-frequency module in a wireless communication device such as a portable terminal device, the device can be reduced in size and weight.

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール101を示す概略平面図、図２はその断面図、図３は高周波モジュール101の回路構成を示すブロック図である。
これらの図において、１は多層基板であり、この多層基板１の上にＳＡＷ分波器パッケージ２が実装されている。ＳＡＷ分波器パッケージ２は、Ant端子７、Tx端子８、Rx端子９の３つの端子を備えている。そして、これらのAnt端子７、Tx端子８、Rx端子９は、前記多層基板上１上のAnt側線路１０、Tx側線路１１、Rx側線路１２にそれぞれ接続されている。Ant側線路１０は、図２６に示したようにアンテナに接続され、Tx側線路１１は電力増幅器に接続され、Rx側線路１２は受信増幅器に接続される。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a high-frequency module 101 according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view thereof, and FIG. 3 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 101.
In these drawings, reference numeral 1 denotes a multilayer substrate, and a SAW duplexer package 2 is mounted on the multilayer substrate 1. The SAW duplexer package 2 includes three terminals: an Ant terminal 7, a Tx terminal 8, and an Rx terminal 9. These Ant terminal 7, Tx terminal 8, and Rx terminal 9 are connected to the Ant-side line 10, Tx-side line 11, and Rx-side line 12 on the multilayer substrate 1, respectively. As shown in FIG. 26, the Ant side line 10 is connected to an antenna, the Tx side line 11 is connected to a power amplifier, and the Rx side line 12 is connected to a receiving amplifier.

ＳＡＷ分波器パッケージ２は、樹脂やセラミックからなる基板４（以下単に「基板４」という）上に、TxフィルタとRxフィルタを同一圧電基板上に形成した１チップのＳＡＷフィルタチップ３を搭載している。
また、多層基板１には、ストリップラインで形成されたマッチング線路５が内蔵されている。マッチング線路５は、図２に示すように、多層基板１に垂直に設けられたビアホール（ビア導体）６ａ，６ｂを介して、多層基板１の表面の接続パッド１ａ，１ｂまで電気的につながっている。 The SAW duplexer package 2 includes a single-chip SAW filter chip 3 in which a Tx filter and an Rx filter are formed on the same piezoelectric substrate on a substrate 4 made of resin or ceramic (hereinafter simply referred to as “substrate 4”). ing.
In addition, the multilayer substrate 1 includes a matching line 5 formed as a strip line. As shown in FIG. 2, the matching line 5 is electrically connected to the connection pads 1 a and 1 b on the surface of the multilayer substrate 1 through via holes (via conductors) 6 a and 6 b provided perpendicularly to the multilayer substrate 1. Yes.

一方、ＳＡＷフィルタチップ３のTxフィルタの出力端子は、基板４を貫通して基板４の下面に設けられている端子パッド４ａまで延びている。Rxフィルタのマッチング端子１３は、基板４を貫通して基板４の下面に設けられている端子パッド４ｂまで延びている。そして、ＳＡＷ分波器パッケージ２を多層基板１に搭載した状態で、端子パッド４ａは、多層基板１表面の接続パッド１ａに、端子パッド４ｂは、多層基板１表面の接続パッド１ｂに、半田などによってそれぞれ接続される。   On the other hand, the output terminal of the Tx filter of the SAW filter chip 3 extends through the substrate 4 to the terminal pad 4 a provided on the lower surface of the substrate 4. The matching terminal 13 of the Rx filter extends through the substrate 4 to the terminal pad 4 b provided on the lower surface of the substrate 4. Then, with the SAW duplexer package 2 mounted on the multilayer substrate 1, the terminal pads 4 a are connected to the connection pads 1 a on the surface of the multilayer substrate 1, and the terminal pads 4 b are connected to the connection pads 1 b on the surface of the multilayer substrate 1. Connected by each.

以上の高周波モジュール101における信号の伝搬経路を、図３を用いて説明する。多層基板１のTx側線路１１から入った送信信号は、ＳＡＷ分波器パッケージ２のTx端子８を経由してＳＡＷフィルタチップ３のTxフィルタに入力される。Txフィルタより出力された信号は、ＳＡＷ分波器パッケージ２のAnt端子７を経由して、多層基板のAnt線路１０へ出力される。   A signal propagation path in the high-frequency module 101 will be described with reference to FIG. A transmission signal input from the Tx side line 11 of the multilayer substrate 1 is input to the Tx filter of the SAW filter chip 3 via the Tx terminal 8 of the SAW duplexer package 2. The signal output from the Tx filter is output to the Ant line 10 of the multilayer substrate via the Ant terminal 7 of the SAW duplexer package 2.

また、多層基板１のAnt線路１０から入った受信信号は、ＳＡＷ分波器パッケージ２のAnt端子７を経由し、端子パッド４ａから多層基板１の内部へ通じるビアホール６ａを介して、多層基板１に内蔵されたストリップラインで形成されているマッチング線路５に入力される。マッチング線路５を伝搬した信号は、ビアホール６ｂ、端子パッド４ｂを介して、ＳＡＷ分波器パッケージ２内部にあるＳＡＷフィルタチップ３のRxフィルタ側にあるマッチング端子１３へと入力される。   Also, the received signal that has entered from the Ant line 10 of the multilayer substrate 1 passes through the Ant terminal 7 of the SAW duplexer package 2 and passes through the via hole 6 a that leads from the terminal pad 4 a to the inside of the multilayer substrate 1. Is input to a matching line 5 formed by a strip line built in the cable. The signal propagated through the matching line 5 is input to the matching terminal 13 on the Rx filter side of the SAW filter chip 3 in the SAW duplexer package 2 through the via hole 6b and the terminal pad 4b.

Rxフィルタからの出力信号は、ＳＡＷ分波器パッケージ２のRx端子９を経由して、多層基板のRx線路１２へ出力される。
なお、前記図１及び図２は、構造を説明するための概略図であり、図１及び図２におけるAnt端子７、Tx端子８、Rx端子９、マッチング端子１３等の端子位置、ビアホール６ａ，６ｂ、マッチング線路５等のレイアウトについては、図示したものに限らず、任意に配置可能なものとする。 The output signal from the Rx filter is output to the Rx line 12 of the multilayer substrate via the Rx terminal 9 of the SAW duplexer package 2.
1 and 2 are schematic diagrams for explaining the structure. The terminal positions of the Ant terminal 7, the Tx terminal 8, the Rx terminal 9, the matching terminal 13 and the like in FIGS. 1 and 2, the via holes 6a, The layout of the 6b, the matching line 5 and the like is not limited to the illustrated one, and can be arbitrarily arranged.

前記多層基板１や基板４は、誘電体層を複数層積層してなる誘電体基板であり、その表面や内部に導体からなる配線導体層が形成されてなる。例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって配線導体層を形成し、積層して熱硬化させたもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体基板に種々の配線導体層を形成し、これらを積層後同時に焼成したものが用いられる。   The multilayer substrate 1 and the substrate 4 are dielectric substrates formed by laminating a plurality of dielectric layers, and a wiring conductor layer made of a conductor is formed on the surface or inside thereof. For example, an organic dielectric substrate such as a glass epoxy resin is formed by forming a wiring conductor layer with a conductor such as a copper foil, and laminating and thermosetting, or an inorganic dielectric substrate such as a ceramic material. Various wiring conductor layers are formed, and these are laminated and fired at the same time.

特に、セラミック材料を用いれば、セラミック誘電体の比誘電率は通常９から２５と、樹脂基板に比べて高いので、誘電体層を薄くでき、誘電体層に内装された回路の素子のサイズを小さくでき、素子間距離も狭くすることができる。
上記セラミック材料としては、（１）Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣなどを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）金属酸化物の混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。 In particular, if a ceramic material is used, the dielectric constant of the ceramic dielectric is usually 9 to 25, which is higher than that of the resin substrate. Therefore, the dielectric layer can be made thinner, and the size of the circuit element embedded in the dielectric layer can be reduced. The distance between the elements can be reduced, and the distance between the elements can also be reduced.
Examples of the ceramic material include (1) a ceramic material whose main component is Al 2 O 3 , AlN, Si 3 N 4 , SiC, etc., and a firing temperature of 1100 ° C. or higher, and (2) 1100 ° C. made of a mixture of metal oxides. Hereinafter, particularly a low-temperature fired ceramic material fired at 1050 ° C. or lower, (3) a low-temperature fired ceramic material fired at 1100 ° C. or lower, particularly 1050 ° C. or lower, composed of glass powder or a mixture of glass powder and ceramic filler powder At least one selected from the group is selected.

前記（２）の混合物としては、ＢａＯ−ＴｉＯ2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系等のセラミック材料が用いられる。これらのセラミック材料に、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等の助剤を適宜添加したものも用いられる。前記（３）のガラス組成物としては、少なくともＳｉＯ2を含み、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、具体的には、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ系、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＲＯ系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＲＯ系、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＲＯ系、さらにはこれらの系にＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2等を配合した組成物が挙げられる。 As the mixture (2), ceramic materials such as BaO—TiO 2 , Ca—TiO 2 , and MgO—TiO 2 are used. A material obtained by appropriately adding an auxiliary agent such as SiO 2 , Bi 2 O 3 , CuO, Li 2 O, or B 2 O 3 to these ceramic materials is also used. The glass composition (3) contains at least SiO 2 and contains at least one of Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, PbO, alkaline earth metal oxide, and alkali metal oxide. Specifically, the SiO 2 —B 2 O 3 —RO system, SiO 2 —BaO—Al 2 O 3 —RO system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —RO Examples include systems, SiO 2 —Al 2 O 3 —RO systems, and compositions in which ZnO, PbO, Pb, ZrO 2 , TiO 2, and the like are blended with these systems.

また、前記（３）のガラスとしては、焼成処理することによっても非晶質ガラス、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出する結晶化ガラスなどが用いられる。また、前記（３）におけるセラミックフィラーとしては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2（クォーツ、クリストバライト）、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＺｒＯ2、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3などのチタン酸塩の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラス２０〜８０質量％、フィラー２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。 In addition, the glass of the above (3) may be an amorphous glass by firing, or an alkali metal silicate, quartz, cristobalite, cordierite, mullite, enstatite, anorthite, serdian, spinel, by firing. Crystallized glass that precipitates at least one crystal of garnite, diopside, ilmenite, willemite, dolomite, petalite, and substituted derivatives thereof is used. Further, as the ceramic filler in (3), Al 2 O 3 , SiO 2 (quartz, cristobalite), forsterite, cordierite, mullite, ZrO 2 , mullite, forsterite, enstatite, spinel, magnesia, AlN, Examples include at least one selected from the group consisting of titanates such as Si 3 N 4 , SiC, MgTiO 3 , and CaTiO 3 , and glass 20 to 80% by mass and filler 20 to 80% by mass. desirable.

一方、配線導体層は、誘電体基板と同時焼成して形成するために、誘電体基板を形成するセラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられる。例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガン、銅の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）（３）の低温焼成セラミック材料を用いる場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする低抵抗導体材料が用いられる。このように、ガラスセラミックスなどの低温で焼成が可能なセラミック材料を用いると、導体パターンを低抵抗導体材料によって形成することができるので望ましい。   On the other hand, since the wiring conductor layer is formed by simultaneous firing with the dielectric substrate, various combinations are made according to the firing temperature of the ceramic material forming the dielectric substrate. For example, when the ceramic material is (1), a conductor material mainly containing at least one selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, manganese, and copper is preferably used. Moreover, it is good also as a mixture with copper etc. for resistance reduction. When the ceramic material is the low-temperature fired ceramic material of (2) or (3) above, a low-resistance conductor material mainly containing at least one selected from the group consisting of copper, silver, gold, and aluminum is used. Thus, it is desirable to use a ceramic material that can be fired at a low temperature, such as glass ceramics, because the conductor pattern can be formed of a low-resistance conductor material.

多層基板１を構成する誘電体層の厚みは、１層あたり５０〜３００μｍ程度に設定する。
マッチング線路５は、例えば前記セラミック材料で作製したグリーンシート上に、パターン印刷法や塗布法などでマッチング線路５となる導体材料を形成する。その形状は、ストリップライン状である。ストリップラインの構造として、直線の他、スパイラル状、ミアンダ状など任意に湾曲した構造を採用することもでき、これにより、全体を小型化できる。また接地との間で容量がほしいときは、配線導体層の間に介在される誘電体の誘電率を利用したキャパシタなどを付加してもよい。 The thickness of the dielectric layer constituting the multilayer substrate 1 is set to about 50 to 300 μm per layer.
For the matching line 5, for example, a conductor material that becomes the matching line 5 is formed on a green sheet made of the ceramic material by a pattern printing method or a coating method. Its shape is a stripline shape. As a stripline structure, a curved line such as a spiral shape or a meander shape can be adopted in addition to a straight line, and the overall size can be reduced. Further, when a capacitance is desired between the capacitor and a ground, a capacitor using a dielectric constant of a dielectric interposed between wiring conductor layers may be added.

前記ビアホール６ａ，６ｂは、前記マッチング線路５とする導体材料が形成されたグリーンシートの上に、所定位置にビアを設けたグリーンシートを１枚又は複数枚ビア同士が貫通可能なように重ね合わせて形成する。そして、貫通孔にメッキ処理するか、導体ペーストを充填するかして、前記マッチング線路５となる導体材料と接触させて全体を焼成する。これにより、図２に示したマッチング線路５及びビアホール６ａ，６ｂの構造を作製することができる。   The via holes 6a and 6b are superimposed on a green sheet on which a conductor material for the matching line 5 is formed, so that one or a plurality of vias can penetrate one or more green sheets provided with vias at predetermined positions. Form. Then, the through hole is plated or filled with a conductive paste, and is brought into contact with the conductive material to be the matching line 5 and fired as a whole. Thereby, the structure of the matching line 5 and the via holes 6a and 6b shown in FIG. 2 can be produced.

従来では、図２８に示したようにＳＡＷ分波器パッケージ６２の基板６５内にマッチング線路６６を形成しているのに対し、以上のような構造の高周波モジュール101によれば、図２に示したように多層基板１の内部にマッチング線路５を形成しているため、基板４を薄くすることが出来る。
また、図１に示したように、TxフィルタとRxフィルタは同一圧電基板上に１チップで形成している。 Conventionally, the matching line 66 is formed in the substrate 65 of the SAW duplexer package 62 as shown in FIG. 28, whereas the high-frequency module 101 having the above structure is shown in FIG. As described above, since the matching line 5 is formed inside the multilayer substrate 1, the substrate 4 can be made thin.
Further, as shown in FIG. 1, the Tx filter and the Rx filter are formed in one chip on the same piezoelectric substrate.

また、図１にも示しているように、高周波モジュール101は、TxフィルタとRxフィルタ及びマッチング線路によってパッケージ・ブロックを構成しており、前記マッチング線路５は、Ant端子とRxフィルタ間に配置されている。それによって、Rxフィルタのインピーダンスを調整し、分波器として最適な特性を得ることが出来る。
図４は、他の構造に係る高周波モジュール102を示す断面図、図５は高周波モジュール102の回路構成を示すブロック図である。 As shown in FIG. 1, the high-frequency module 101 forms a package block with a Tx filter, an Rx filter, and a matching line, and the matching line 5 is disposed between the Ant terminal and the Rx filter. ing. As a result, the impedance of the Rx filter can be adjusted to obtain the optimum characteristics as a duplexer.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a high-frequency module 102 according to another structure, and FIG. 5 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 102.

この構造の高周波モジュール102は、前記図２の高周波モジュール101に対して、さらにダイプレクサ１４を構成する誘導素子や容量素子を多層基板１に内蔵しているところが異なっているのみである。ここでダイプレクサとは、２つの周波数帯の送信信号・受信信号を、周波数帯ごとに分波する回路であり、それぞれを通過周波数帯域とする２つのフィルタ素子を有している。この第２の実施形態の場合、ダイプレクサ１４は、データや音声の送受信に用いる周波数帯（例えば８００ＭＨｚ）の信号と、衛星を利用した位置検出のためのＧＰＳ(Global Positioning System)受信に用いる１５００ＭＨｚ帯の信号とを分波する。このＧＰＳ信号の分波のために、ダイプレクサ１４のもう1つの出力端子を、ＧＰＳ回路へ接続している。本発明では、ダイプレクサ１４を多層基板２１に内蔵することで、ＧＰＳに対応したより高機能な高周波モジュールがコンパクトに形成できる。   The high-frequency module 102 having this structure is different from the high-frequency module 101 of FIG. 2 only in that an inductive element and a capacitive element constituting the diplexer 14 are incorporated in the multilayer substrate 1. Here, the diplexer is a circuit that demultiplexes transmission signals and reception signals in two frequency bands for each frequency band, and has two filter elements each having a pass frequency band. In the case of the second embodiment, the diplexer 14 uses a signal in a frequency band (for example, 800 MHz) used for transmission and reception of data and voice and a 1500 MHz band used for GPS (Global Positioning System) reception for position detection using a satellite. The signal is demultiplexed. For the demultiplexing of the GPS signal, another output terminal of the diplexer 14 is connected to the GPS circuit. In the present invention, by incorporating the diplexer 14 in the multilayer substrate 21, a higher-performance high-frequency module compatible with GPS can be compactly formed.

図６は、さらに他の構造の高周波モジュール103を示す概略平面図、図７はその断面図、図８は高周波モジュール103の回路構成を示すブロック図である。
図１から図３の高周波モジュール100と異なるところは、取り扱う周波数帯の異なるもう一つのＳＡＷ分波器パッケージ２′を同一多層基板１上に実装していることである。例えば、ＳＡＷ分波器パッケージ２は、８００ＭＨｚの周波数帯を扱い、追加されたＳＡＷ分波器パッケージ２′は、１．９ＧＨｚの周波数帯を扱う。 FIG. 6 is a schematic plan view showing a high-frequency module 103 having still another structure, FIG. 7 is a sectional view thereof, and FIG. 8 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 103.
The difference from the high-frequency module 100 of FIGS. 1 to 3 is that another SAW duplexer package 2 ′ that handles different frequency bands is mounted on the same multilayer substrate 1. For example, the SAW duplexer package 2 handles a frequency band of 800 MHz, and the added SAW duplexer package 2 'handles a frequency band of 1.9 GHz.

ＳＡＷ分波器パッケージ２′は、ＳＡＷ分波器パッケージ２と同様、Ant端子７′、Tx端子８′、Rx端子９′の３つの端子を備え、これらは、多層基板上１上のAnt側線路１０′、Tx側線路１１′、Rx側線路１２′にそれぞれ接続されている。ＳＡＷ分波器パッケージ２′は、基板４′上に、TxフィルタとRxフィルタを同一圧電基板上に形成した１チップのＳＡＷフィルタチップ３′を搭載し、多層基板１′には、前の実施例と同様、ストリップラインで形成されたマッチング線路５′が内蔵されている。マッチング線路５′の接続形態、その機能は、図１から図３を用いて説明したのと同様である。   Similar to the SAW duplexer package 2, the SAW duplexer package 2 'includes three terminals, an Ant terminal 7', a Tx terminal 8 ', and an Rx terminal 9'. The line 10 ', the Tx side line 11', and the Rx side line 12 'are respectively connected. The SAW duplexer package 2 'includes a single chip SAW filter chip 3' in which a Tx filter and an Rx filter are formed on the same piezoelectric substrate on a substrate 4 ', and the multilayer substrate 1' has the previous implementation. As in the example, a matching line 5 'formed of a strip line is incorporated. The connection form and function of the matching line 5 'are the same as those described with reference to FIGS.

なお、図６、図７に示したように、２つの周波数バンドのＳＡＷ分波器パッケージ２，２′を面対称にミラー配置しているが、詳細のレイアウトについては、これに限定されるものではない。
また、図９は、さらに他の構造の高周波モジュール104を示す概略断面図、図１０は高周波モジュール104の回路構成を示すブロック図である。 As shown in FIGS. 6 and 7, the SAW duplexer packages 2 and 2 'of the two frequency bands are mirror-arranged in plane symmetry, but the detailed layout is limited to this. is not.
FIG. 9 is a schematic sectional view showing a high-frequency module 104 having still another structure, and FIG. 10 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 104.

この高周波モジュール104は、同一多層基板１上に、２つのＳＡＷ分波器パッケージ２，２′を実装していることは第３の実施形態に係る高周波モジュール103と同様であるが、さらに多層基板１に、２つのＳＡＷ分波器パッケージ２，２′の周波数帯切り分け用のダイプレクサ１４を内蔵しているところが異なっているのみである。ダイプレクサ１４は、図１０に示すように一方でアンテナと接続され、他方でＳＡＷ分波器パッケージ２及び２′のAnt端子７，７′に接続されている。ダイプレクサ１４を多層基板１に内蔵することで、より高機能な高周波モジュールがコンパクトに形成できる。   The high-frequency module 104 is similar to the high-frequency module 103 according to the third embodiment in that the two SAW duplexer packages 2 and 2 'are mounted on the same multilayer substrate 1, but further the multilayer substrate. 1. The only difference is that the diplexer 14 for separating the frequency bands of the two SAW duplexer packages 2 and 2 'is incorporated. As shown in FIG. 10, the diplexer 14 is connected to the antenna on one side and to the Ant terminals 7 and 7 'of the SAW duplexer packages 2 and 2' on the other side. By incorporating the diplexer 14 in the multilayer substrate 1, a higher-performance high-frequency module can be formed in a compact manner.

なお、図９及び図１０において、ダイプレクサ１４をトライプレクサとし、もう1つの出力端子をGPS回路へ接続した高周波モジュールも実施例として挙げられる。これによれば、複数チャンネルに対応でき、しかもＧＰＳ機能を併せ持ったコンパクトな高周波モジュールを実現することができる。
以上に述べた本発明の高周波モジュールを用いて、高周波信号処理回路（図２６参照）を構成する場合、同一多層基板上に、高周波電力増幅器や段間受信増幅器など必要な他の部品を実装するようにすれば、同一多層基板を用いて、コンパクトな高周波信号処理回路を作製することができる。 9 and 10, a high-frequency module in which the diplexer 14 is a triplexer and the other output terminal is connected to a GPS circuit is also given as an example. According to this, it is possible to realize a compact high-frequency module that can cope with a plurality of channels and also has a GPS function.
When a high-frequency signal processing circuit (see FIG. 26) is configured using the high-frequency module of the present invention described above, other necessary components such as a high-frequency power amplifier and an interstage receiving amplifier are mounted on the same multilayer substrate. In this way, a compact high-frequency signal processing circuit can be manufactured using the same multilayer substrate.

図１１は、同一多層基板上１に、高周波電力増幅器２１、及び段間フィルタ２２を実装した高周波モジュールの例を示している。この例では、高周波電力増幅器と段間フィルタを追加しているが、他の部品を高周波モジュールに対して追加しても構わない。
また、多層基板上に各モジュールを実装した後、全体を樹脂モールドすることが好ましい。図１２は、多層基板１の上部にモールド樹脂２３を用いて、実装部品を覆った状態を示す断面図である。 FIG. 11 shows an example of a high frequency module in which the high frequency power amplifier 21 and the interstage filter 22 are mounted on the same multilayer substrate 1. In this example, the high frequency power amplifier and the interstage filter are added, but other components may be added to the high frequency module.
Moreover, after mounting each module on a multilayer board | substrate, it is preferable to resin mold the whole. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state in which the mounting component is covered using the mold resin 23 on the upper portion of the multilayer substrate 1.

図１３は本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール105を示す概略平面図、図１４はその断面図、図１５は高周波モジュール105の回路構成を示すブロック図である。
これらの図において、３１は多層基板であり、この多層基板３１の上に送信用ＳＡＷフィルタパッケージ３２、受信用ＳＡＷフィルタパッケージ３３及び高周波電力増幅器４４が実装されている。 13 is a schematic plan view showing a high-frequency module 105 according to the second embodiment of the present invention, FIG. 14 is a cross-sectional view thereof, and FIG. 15 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 105.
In these drawings, reference numeral 31 denotes a multilayer substrate, on which a transmission SAW filter package 32, a reception SAW filter package 33, and a high-frequency power amplifier 44 are mounted.

送信用ＳＡＷフィルタパッケージ３２のTx入力端子３６ａは、前記多層基板３１上のTx線路４１に、Tx出力端子３７ａはAnt線路４０にそれぞれ接続されている。さらに、Tx線路４１は高周波電力増幅器４４に接続され、高周波電力増幅器４４はPA入力線路４２に接続されている。また、受信用ＳＡＷパッケージ３３のRx出力端子３７ｂは多層基板３１上のRx線路４３に接続されている。   The Tx input terminal 36 a of the transmission SAW filter package 32 is connected to the Tx line 41 on the multilayer substrate 31, and the Tx output terminal 37 a is connected to the Ant line 40. Further, the Tx line 41 is connected to the high frequency power amplifier 44, and the high frequency power amplifier 44 is connected to the PA input line 42. The Rx output terminal 37 b of the reception SAW package 33 is connected to the Rx line 43 on the multilayer substrate 31.

Ant線路４０は、アンテナに接続され、PA入力線路４２は段間フィルタに接続され、Rx線路４３は受信増幅器に接続される。
送信用ＳＡＷフィルタパッケージ３２は、図１４に示すように、樹脂やセラミックからなる基板（以下単に「基板３４ａ」という）上に、フィルタ電極を圧電基板上に形成したＳＡＷフィルタチップ３５ａを搭載している。同様に、受信用ＳＡＷフィルタパッケージ３３は、樹脂やセラミックからなる基板（以下単に「基板３４ｂ」という）上に、フィルタ電極を圧電基板上に形成したＳＡＷフィルタチップ３５ｂを搭載している。 The Ant line 40 is connected to an antenna, the PA input line 42 is connected to an interstage filter, and the Rx line 43 is connected to a receiving amplifier.
As shown in FIG. 14, the transmission SAW filter package 32 includes a SAW filter chip 35a having a filter electrode formed on a piezoelectric substrate on a substrate made of resin or ceramic (hereinafter simply referred to as “substrate 34a”). Yes. Similarly, the SAW filter package 33 for reception has a SAW filter chip 35b in which a filter electrode is formed on a piezoelectric substrate on a substrate made of resin or ceramic (hereinafter simply referred to as “substrate 34b”).

また、多層基板３１には、ストリップラインで形成された整合回路３９が内蔵されている。整合回路３９は、図１４に示すように、多層基板３１に垂直に設けられたビアホール導体３８ａ、３８ｂを介して、多層基板３１の表面の接続パッド３１ａ、３１ｂまで電気的につながっている。
一方、ＳＡＷフィルタチップ３５ａのフィルタ入出力端子は、基板３４ａを貫通して基板３４ａの下面に設けられている入力端子３６ａ及び出力端子３７ａまで延びている。同様に、ＳＡＷフィルタチップ３５ｂのフィルタ入出力端子は、基板３４ｂを貫通して基板３４ｂの下面に設けられている入力端子３６ｂ及び出力端子３７ｂまで延びている。そして、ＳＡＷフィルタパッケージ３２、３３を多層基板３１に搭載した状態で、Tx入力端子３６ａは多層基板３１表面のTx線路４１に、Tx出力端子３７ａは多層基板３１表面の接続パッド３１ａ（及びAnt線路４０）に、Rx入力端子３６ｂは多層基板３１表面の接続パッド３１ｂに、Rx出力端子３７ｂは多層基板３１表面のRx線路４３に、半田などによってそれぞれ接続される。 The multilayer substrate 31 has a built-in matching circuit 39 formed by a strip line. As shown in FIG. 14, the matching circuit 39 is electrically connected to the connection pads 31 a and 31 b on the surface of the multilayer substrate 31 via via-hole conductors 38 a and 38 b provided perpendicular to the multilayer substrate 31.
On the other hand, the filter input / output terminal of the SAW filter chip 35a extends through the substrate 34a to an input terminal 36a and an output terminal 37a provided on the lower surface of the substrate 34a. Similarly, the filter input / output terminal of the SAW filter chip 35b extends through the substrate 34b to an input terminal 36b and an output terminal 37b provided on the lower surface of the substrate 34b. With the SAW filter packages 32 and 33 mounted on the multilayer substrate 31, the Tx input terminal 36a is connected to the Tx line 41 on the surface of the multilayer substrate 31, and the Tx output terminal 37a is connected to the connection pad 31a (and the Ant line on the surface of the multilayer substrate 31). 40), the Rx input terminal 36b is connected to the connection pad 31b on the surface of the multilayer substrate 31, and the Rx output terminal 37b is connected to the Rx line 43 on the surface of the multilayer substrate 31 by solder or the like.

以上の高周波モジュール105における信号の伝搬経路を、図１４，図１５を用いて説明する。多層基板３１のPA入力線路４２から入った送信信号は、高周波電力増幅器４４により増幅され、Tx線路４１を経由してＳＡＷフィルタチップ３５ａに入力される。ＳＡＷフィルタチップ３５ａより出力された信号は、Tx出力端子３７ａを経由して、多層基板３１のAnt線路４０へ出力される。   The signal propagation path in the high frequency module 105 will be described with reference to FIGS. A transmission signal input from the PA input line 42 of the multilayer substrate 31 is amplified by the high frequency power amplifier 44 and input to the SAW filter chip 35 a via the Tx line 41. The signal output from the SAW filter chip 35a is output to the Ant line 40 of the multilayer substrate 31 via the Tx output terminal 37a.

また、多層基板３１のAnt線路４０から入った受信信号は、多層基板３１の内部へと通じるビアホール３８ａを介して、多層基板３１に内蔵されたストリップラインで形成されている整合回路３９に入力される。整合回路３９を伝搬した信号は、ビアホール３８ｂ、Rx入力端子３６ｂなどを介して、ＳＡＷフィルタチップ３５ｂへと入力される。ＳＡＷフィルタチップ３５ｂからの出力信号は、Rx出力端子３７ｂを経由して、多層基板３１のRx線路４３へ出力される。   Also, a received signal that enters from the Ant line 40 of the multilayer substrate 31 is input to a matching circuit 39 formed by a strip line built in the multilayer substrate 31 via a via hole 38 a that leads to the inside of the multilayer substrate 31. The The signal propagated through the matching circuit 39 is input to the SAW filter chip 35b through the via hole 38b, the Rx input terminal 36b, and the like. The output signal from the SAW filter chip 35b is output to the Rx line 43 of the multilayer substrate 31 via the Rx output terminal 37b.

なお、前記図１３及び図１４は、構造を説明するための概略図であり、図１３及び図１４におけるTx入力端子３６ａ、Tx出力端子３７ａ、Rx入力端子３６ｂ、Rx出力端子３７ｂ等の端子位置、ビアホール３８ａ、３８ｂ、整合回路３９及び高周波電力増幅器４４等のレイアウトについては、図示したものに限らず、任意に配置可能なものとする。
前記多層基板３１や基板３４ａ、３４ｂは、誘電体層を複数層積層してなる誘電体基板と、その表面や内部に導体からなる配線導体層が形成されてなる。 13 and 14 are schematic diagrams for explaining the structure. Terminal positions of the Tx input terminal 36a, the Tx output terminal 37a, the Rx input terminal 36b, the Rx output terminal 37b, etc. in FIGS. 13 and 14 are shown. The layout of the via holes 38a and 38b, the matching circuit 39, the high-frequency power amplifier 44, etc. is not limited to that shown in the figure, and can be arbitrarily arranged.
The multilayer substrate 31 and the substrates 34a and 34b are formed by forming a dielectric substrate in which a plurality of dielectric layers are laminated, and a wiring conductor layer made of a conductor on the surface or inside thereof.

この誘電体基板および配線導体層の構造、製造方法は、第１の実施形態において説明したのと原則として変わらないから、ここでは重複説明は省略する。
なお、今回、整合回路３９をストリップラインで構成した例にて、実施形態を説明しているが、他の種類の整合回路として、多層基板３１の表面に実装した誘導素子や容量素子などのチップ部品を用いた整合回路や、多層基板３１内部に形成した誘導素子や容量素子などの内蔵部品を用いた整合回路などがあり、それらの整合回路を用いても構わない。整合回路の回路構成、定数、パターン形状などは、全て任意なものとする。 Since the structure and the manufacturing method of the dielectric substrate and the wiring conductor layer are not changed in principle as described in the first embodiment, a duplicate description is omitted here.
Although the embodiment has been described with an example in which the matching circuit 39 is configured with a strip line, a chip such as an inductive element or a capacitive element mounted on the surface of the multilayer substrate 31 as another type of matching circuit. There are a matching circuit using components, a matching circuit using built-in components such as inductive elements and capacitive elements formed in the multilayer substrate 31, and the matching circuits may be used. The circuit configuration, constants, pattern shape, etc. of the matching circuit are all arbitrary.

以上のような構造の高周波モジュール105によれば、第1の実施形態では、ＳＡＷ分波器パッケージ３内のTxフィルタとRxフィルタは同一圧電基板上に１チップで形成されているのに対し、本実施形態では、図１３、図１４に示したように、TxフィルタとRxフィルタとを分割して構成しているため、それらのアイソレーション特性の向上を図ることができる。また、Txフィルタの発熱がRxフィルタに伝わりにくいため、より安定したRxフィルタの特性を得ることができる。   According to the high-frequency module 105 having the above structure, in the first embodiment, the Tx filter and the Rx filter in the SAW duplexer package 3 are formed on the same piezoelectric substrate by one chip. In this embodiment, as shown in FIGS. 13 and 14, the Tx filter and the Rx filter are divided and configured, so that their isolation characteristics can be improved. Further, since the heat generated by the Tx filter is not easily transmitted to the Rx filter, more stable characteristics of the Rx filter can be obtained.

図１６は、他の構造に係る高周波モジュール106を示す概略平面図、図１７はその断面図である。
ここでは、前記図１３及び図１４の高周波モジュール105に対して、単体のＳＡＷフィルタデバイスをベアチップ実装で構成している。すなわち、図１６、図１７に示すように、ＳＡＷフィルタチップ３５ａ及び３５ｂを多層基板３１の表面に直接実装しており、ＳＡＷフィルタチップ３５ａ及び３５ｂと、多層基板３１表面のTx入力端子３６ａ、Tx出力端子３７ａ、Rx入力端子３６ｂ、Rx出力端子３７ｂとは、ボンディングワイヤ４５ａ、４６ａ、４５ｂ、４６ｂで、それぞれ電気的に接続している。 FIG. 16 is a schematic plan view showing a high-frequency module 106 according to another structure, and FIG. 17 is a cross-sectional view thereof.
Here, a single SAW filter device is configured by bare chip mounting with respect to the high-frequency module 105 of FIGS. That is, as shown in FIGS. 16 and 17, the SAW filter chips 35a and 35b are directly mounted on the surface of the multilayer substrate 31, and the SAW filter chips 35a and 35b and the Tx input terminals 36a, Tx on the surface of the multilayer substrate 31 are mounted. The output terminal 37a, the Rx input terminal 36b, and the Rx output terminal 37b are electrically connected by bonding wires 45a, 46a, 45b, and 46b, respectively.

なお、今回図１６及び図１７を用いて、ベアチップ実装の形態をボンディングワイヤで構成した例にて説明しているが、フリップチップ実装などの他のベアチップ実装の形態を用いても構わない。
図１８は、本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール107を示す断面図、図１９は、高周波モジュール107の回路構成を示すブロック図である。 In addition, although the example which comprised the form of the bare chip mounting with the bonding wire has been described using FIGS. 16 and 17 this time, other forms of bare chip mounting such as flip chip mounting may be used.
18 is a cross-sectional view showing a high-frequency module 107 according to still another structure of the present invention, and FIG. 19 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 107.

この実施形態は、前記図１３、図１４の高周波モジュール105に対して、さらにダイプレクサ４７を多層基板３１に内蔵しているところが異なっているのみである。このダイプレクサ４７は、図５に示したダイプレクサ１４と同様、データや音声の送受信に用いる周波数帯（例えば８００ＭＨｚ）の信号と、衛星を利用した位置検出のためのGPS（Global positioning System）受信に用いる１５００MHｚ帯の信号とを分波するものである。このGPS信号の分波のために、ダイプレクサ４７の入力端子をアンテナと接続し、もう１つの出力端子を、線路４８を通してGPS回路へ出力している。   This embodiment is different from the high frequency module 105 of FIGS. 13 and 14 only in that a diplexer 47 is built in the multilayer substrate 31. Similar to the diplexer 14 shown in FIG. 5, the diplexer 47 is used for receiving a signal in a frequency band (for example, 800 MHz) used for transmission and reception of data and voice and a GPS (Global positioning System) for position detection using a satellite. It demultiplexes the 1500 MHz band signal. In order to demultiplex the GPS signal, the input terminal of the diplexer 47 is connected to the antenna, and the other output terminal is output to the GPS circuit through the line 48.

本構造では、ダイプレクサ４７を多層基板３１に内蔵することで、GPSに対応したより高機能な高周波モジュールがコンパクトに形成できる。
また、図２０は、本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール108を示す概略平面図、図２１は高周波モジュール108の回路構成を示すブロック図である。
図１３から図１５までの高周波モジュール105と異なるところは、取り扱う周波数帯の異なるもう１つのＳＡＷフィルタ３２′と３３′及び高周波電力増幅器４４′を同一多層基板３１上に実装していることである。例えば、ＳＡＷフィルタ３２と３３及び高周波電力増幅器４４は、８００MHｚ帯に対応するものであり、追加されたＳＡＷフィルタパッケージ３２′と３３′及び高周波電力増幅器４４′は１．９GHｚの周波数帯に対応するものである。 In this structure, by incorporating the diplexer 47 in the multilayer substrate 31, a higher-performance high-frequency module compatible with GPS can be compactly formed.
20 is a schematic plan view showing a high-frequency module 108 according to still another structure of the present invention, and FIG. 21 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 108.
The difference from the high-frequency module 105 shown in FIGS. 13 to 15 is that another SAW filters 32 ′ and 33 ′ and a high-frequency power amplifier 44 ′ that handle different frequency bands are mounted on the same multilayer substrate 31. . For example, the SAW filters 32 and 33 and the high frequency power amplifier 44 correspond to the 800 MHz band, and the added SAW filter packages 32 'and 33' and the high frequency power amplifier 44 'correspond to the frequency band of 1.9 GHz. Is.

この追加された周波数帯域の回路構成及び実装構造については、図１３から図１５を用いて説明したのと同様であるので説明は省略する。
なお、図２０に示したように、２つの周波数帯の素子、部品及び配線導体などを面対称にミラー配置しているが、レイアウトについては、これに限定されるものではない。
また、図２２は、本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール109の回路構成を示すブロック図である。 The circuit configuration and the mounting structure of the added frequency band are the same as those described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 20, the elements, components, wiring conductors, and the like of the two frequency bands are mirror-arranged in plane symmetry, but the layout is not limited to this.
FIG. 22 is a block diagram showing a circuit configuration of a high-frequency module 109 according to still another structure of the present invention.

この高周波モジュール109は、同一多層基板上に、２つの周波数帯のＳＡＷ分波回路及び高周波電力増幅器を搭載していることは、図２０、図２１の高周波モジュール108と同様であるが、さらに多層基板に、２つの周波数帯切り分け用のダイプレクサ４７を内蔵しているところが異なっている。ダイプレクサ４７は図２２に示すように一方でアンテナと接続され、他方でＳＡＷ分波回路のAnt線路４０及び４０′に接続されている。ダイプレクサ４７を多層基板に内蔵することで、より高機能な高周波モジュールがコンパクトに形成できる。   The high-frequency module 109 is similar to the high-frequency module 108 of FIGS. 20 and 21 in that the SAW branching circuit and the high-frequency power amplifier of two frequency bands are mounted on the same multilayer substrate. The difference is that a diplexer 47 for separating two frequency bands is built in the substrate. As shown in FIG. 22, the diplexer 47 is connected to the antenna on one side and to the Ant lines 40 and 40 'of the SAW branching circuit on the other side. By incorporating the diplexer 47 in the multilayer substrate, a more sophisticated high-frequency module can be compactly formed.

なお、図２３のように、ダイプレクサ４７をトリプレクサ４７ａとし、もう１つの出力端子４８をGPS回路へ接続した高周波モジュール１１０も実施例として挙げられる。これによれば、２つのチャンネルに対応でき、しかもGPS機能を併せ持ったコンパクトな高周波モジュールを実現することがきる。
以上に述べた本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール１０５〜１１０を用いて、高周波信号処理回路を構成すれば、同一多層基板の上に集積された、コンパクトな高周波信号処理を作製することができる。 As shown in FIG. 23, a high frequency module 110 in which the diplexer 47 is a triplexer 47a and the other output terminal 48 is connected to a GPS circuit is also given as an example. According to this, it is possible to realize a compact high-frequency module that can handle two channels and also has a GPS function.
If a high-frequency signal processing circuit is configured using the high-frequency modules 105 to 110 according to the second embodiment of the present invention described above, a compact high-frequency signal processing integrated on the same multilayer substrate is produced. be able to.

図２４は、多層基板３１上に、前記図１４の高周波モジュール１０５の構造に対して、高周波電力増幅器４４に入力する信号を通過させる段間フィルタ４９を追加実装した高周波モジュール１１１の例を示している。この例では、図１４の高周波モジュール１０５に対して、段間フィルタ４９を追加しているが、図１６から図２３のいずれかの高周波モジュール１０６〜１１０に対して追加しても構わない。   FIG. 24 shows an example of a high-frequency module 111 in which an interstage filter 49 that passes a signal input to the high-frequency power amplifier 44 is additionally mounted on the multilayer substrate 31 with respect to the structure of the high-frequency module 105 of FIG. Yes. In this example, the interstage filter 49 is added to the high frequency module 105 of FIG. 14, but may be added to any of the high frequency modules 106 to 110 of FIGS. 16 to 23.

なお、多層基板３１上に各部品を実装した後、全体を樹脂モールドすることが好ましい。図２５は、多層基板３１の上部にモールド樹脂５０を用いて、実装部品を覆った状態を示す高周波モジュール１１２の断面図である。
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。 In addition, after mounting each component on the multilayer substrate 31, it is preferable to resin mold the whole. FIG. 25 is a cross-sectional view of the high-frequency module 112 showing a state in which the mounting component is covered using the mold resin 50 on the multilayer substrate 31.
Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the present invention.

本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール101を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing a high-frequency module 101 according to a first embodiment of the present invention. 同高周波モジュール101を示す断面図である。2 is a sectional view showing the high-frequency module 101. FIG. 同高周波モジュール101の回路構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 101. FIG. 本発明の他の構造に係る高周波モジュール102を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a high-frequency module 102 according to another structure of the present invention. 高周波モジュール102の回路構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing a circuit configuration of a high frequency module 102. FIG. 本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール103を示す概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a high-frequency module 103 according to still another structure of the present invention. 同高周波モジュール103を示す断面図である。3 is a sectional view showing the high-frequency module 103. FIG. 同高周波モジュール103の内部回路構成ロック図である。FIG. 3 is an internal circuit configuration lock diagram of the high-frequency module 103. 本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール104を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a high-frequency module 104 according to still another structure of the present invention. 同高周波モジュール104の回路構成を示すブロック図である。3 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 104. FIG. 多層基板上１に、前記高周波モジュール101とともに、高周波電力増幅器２１、及び段間フィルタ２２を実装した例を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing an example in which a high-frequency power amplifier 21 and an interstage filter 22 are mounted on a multilayer substrate 1 together with the high-frequency module 101. FIG. 多層基板１の上部にモールド樹脂２３を用いて、実装部品を覆った状態を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where a mounting component is covered using a mold resin 23 on the upper part of the multilayer substrate 1. 本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール105を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the high frequency module 105 which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 同高周波モジュール105を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing the high-frequency module 105. FIG. 同高周波モジュール105の回路構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 105. FIG. 本発明の他の構造に係る高周波モジュール106を示す概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a high-frequency module 106 according to another structure of the present invention. 同高周波モジュール106を示す断面図である。2 is a sectional view showing the high-frequency module 106. FIG. 本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール107を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a high-frequency module 107 according to still another structure of the present invention. 同高周波モジュール107の回路構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing a circuit configuration of the high-frequency module 107. FIG. 本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール108を示す概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing a high-frequency module 108 according to still another structure of the present invention. 高周波モジュール108の回路構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing a circuit configuration of a high frequency module 108. FIG. 本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール109の回路構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram showing a circuit configuration of a high frequency module 109 according to still another structure of the present invention. 本発明のさらに他の構造に係る高周波モジュール110の回路構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a circuit configuration of a high frequency module 110 according to still another structure of the present invention. 図１４の構造の高周波モジュールに、段間フィルタ４９を実装した例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example which mounted the interstage filter 49 in the high frequency module of the structure of FIG. 多層基板の上部に、モールド樹脂５０を用いて実装部品を覆った状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which covered the mounting components using the mold resin 50 on the upper part of the multilayer substrate. 移動無線通信装置における高周波信号処理回路の一般的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the general structure of the high frequency signal processing circuit in a mobile radio | wireless communication apparatus. 分波器パッケージを搭載した従来の高周波モジュール200の構造を示す概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing the structure of a conventional high frequency module 200 on which a duplexer package is mounted. 同概略断面図である。It is the same schematic sectional drawing. 分波器パッケージを搭載した従来の高周波モジュール201の構造を示す概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing the structure of a conventional high frequency module 201 on which a duplexer package is mounted. 同概略断面図である。It is the same schematic sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

１ 多層基板
１ａ，１ｂ 接続パッド
２ ＳＡＷ分波器パッケージ
３ ＳＡＷフィルタチップ
４ 基板
４ａ，４ｂ 端子パッド
５ マッチング線路
６ａ，６ｂ ビアホール
７ Ant端子
８ Tx端子
９ Rx端子
１０ Ant側線路１０
１１ Tx側線路
１２ Rx側線路
１３ マッチング端子
１４ ダイプレクサ
３１ 多層基板
３１ａ、３１ｂ 接続パッド
３２ 送信用ＳＡＷフィルタパッケージ
３３ 受信用ＳＡＷフィルタパッケージ
３４ａ、３４ｂ 基板
３６ａ、３６ｂ、３７ａ、３７ｂ ＳＡＷフィルタ入出力端子
３８ａ、３８ｂ ビアホール
３９ 整合回路
４０ Ant線路
４１ Tx線路
４２ PA入力線路
４３ Rx線路
４４ 高周波電力増幅器
４５ａ、４５ｂ、４６ａ、４６ｂ ボンディングワイヤ
４７ ダイプレクサ
４８ GPS端子
４９ 段間フィルタ
５０ モールド樹脂
101-112 高周波モジュール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multilayer substrate 1a, 1b Connection pad 2 SAW duplexer package 3 SAW filter chip 4 Substrate 4a, 4b Terminal pad 5 Matching line 6a, 6b Via hole 7 Ant terminal 8 Tx terminal 9 Rx terminal 10 Ant side line 10
11 Tx side line 12 Rx side line 13 Matching terminal 14 Diplexer 31 Multilayer substrate 31a, 31b Connection pad 32 Transmission SAW filter package 33 Reception SAW filter package 34a, 34b Substrate 36a, 36b, 37a, 37b SAW filter input / output terminal 38a 38b Via hole 39 Matching circuit 40 Ant line 41 Tx line 42 PA input line 43 Rx line 44 High frequency power amplifiers 45a, 45b, 46a, 46b Bonding wire 47 Diplexer 48 GPS terminal 49 Interstage filter 50 Mold resin
101-112 high frequency module

Claims (19)

送信用の弾性表面波（以下「ＳＡＷ」という）フィルタと受信用のＳＡＷフィルタとを備えたＳＡＷ分波器パッケージを多層基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、
前記送信用のＳＡＷフィルタ及び受信用のＳＡＷフィルタを同一圧電基板上に形成して１チップのＳＡＷ分波器パッケージとなし、
アンテナ端と受信用のＳＡＷフィルタの受信端とを接続するマッチング線路を有し、
当該マッチング線路が、前記多層基板内にストリップラインとして内蔵されていることを特徴とする高周波モジュール。 In a high-frequency module in which a SAW duplexer package including a surface acoustic wave (hereinafter referred to as “SAW”) filter for transmission and a SAW filter for reception is mounted on a multilayer substrate,
The transmission SAW filter and the reception SAW filter are formed on the same piezoelectric substrate to form a one-chip SAW duplexer package,
Having a matching line connecting the antenna end and the receiving end of the receiving SAW filter;
The high-frequency module, wherein the matching line is incorporated as a strip line in the multilayer substrate. 前記多層基板内部に配置したマッチング線路が、整合回路の一部または全部を構成する素子である請求項１記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 1, wherein the matching line disposed inside the multilayer substrate is an element constituting part or all of the matching circuit. 前記整合回路が、多層基板上に配置した誘導素子および／または容量素子のチップ部品をさらに含む請求項２記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 2, wherein the matching circuit further includes a chip component of an inductive element and / or a capacitive element arranged on a multilayer substrate. 前記ＳＡＷ分波器パッケージの前段に、受信信号をさらにGPS帯域と分波するためのダイプレクサを、前記多層基板内に内蔵した請求項１〜請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to any one of claims 1 to 3, wherein a diplexer for further demultiplexing a received signal with a GPS band is built in the multilayer substrate before the SAW demultiplexer package. 通過帯域特性の異なる複数のＳＡＷ分波器パッケージを前記多層基板上に搭載し、少なくとも１つのＳＡＷ分波器パッケージに対応するマッチング線路を前記多層基板内に内蔵した請求項１記載の高周波モジュール。   2. The high-frequency module according to claim 1, wherein a plurality of SAW duplexer packages having different passband characteristics are mounted on the multilayer substrate, and a matching line corresponding to at least one SAW duplexer package is built in the multilayer substrate. 前記複数のＳＡＷ分波器パッケージの周波数帯域を分波するためのダイプレクサを、前記多層基板内に内蔵した請求項５記載の高周波モジュール。   6. The high frequency module according to claim 5, wherein a diplexer for demultiplexing a frequency band of the plurality of SAW duplexer packages is built in the multilayer substrate. 受信信号をさらにGPS帯域と分波するためのトライプレクサを前記多層基板内に内蔵した請求項５または請求項６記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 5 or 6, wherein a triplexer for further demultiplexing the received signal with the GPS band is built in the multilayer substrate. 送信用の弾性表面波（以下「ＳＡＷ」という）フィルタを備えた送信用ＳＡＷ分波器パッケージと、受信用のＳＡＷフィルタを備えた受信用ＳＡＷ分波器パッケージとを多層基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、
前記送信用のＳＡＷフィルタは、圧電基板上に形成された１チップのＳＡＷ分波器パッケージであり、
前記受信用のＳＡＷフィルタは、圧電基板上に形成された１チップのＳＡＷ分波器パッケージであり、
アンテナ端と受信用のＳＡＷフィルタの受信端とを接続するマッチング線路を有し、
当該マッチング線路が、前記多層基板内にストリップラインとして内蔵されていることを特徴とする高周波モジュール。 A high-frequency circuit in which a transmission SAW duplexer package including a surface acoustic wave (hereinafter referred to as “SAW”) filter for transmission and a reception SAW duplexer package including a reception SAW filter are mounted on a multilayer substrate. In the module
The transmission SAW filter is a one-chip SAW duplexer package formed on a piezoelectric substrate,
The receiving SAW filter is a one-chip SAW duplexer package formed on a piezoelectric substrate,
Having a matching line connecting the antenna end and the receiving end of the receiving SAW filter;
The high-frequency module, wherein the matching line is incorporated as a strip line in the multilayer substrate. 前記送信用および受信用のＳＡＷフィルタを、ＳＡＷのベアチップにて構成した請求項８記載の高周波モジュール。   9. The high-frequency module according to claim 8, wherein the transmitting and receiving SAW filters are configured by SAW bare chips. 前記多層基板内部に配置したマッチング線路が、整合回路の一部または全部を構成する素子である請８記載の高周波モジュール。   9. The high frequency module according to claim 8, wherein the matching line disposed inside the multilayer substrate is an element constituting a part or all of the matching circuit. 前記整合回路が、多層基板上に配置した誘導素子および／または容量素子のチップ部品をさらに含む請求項１０記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 10, wherein the matching circuit further includes a chip component of an inductive element and / or a capacitive element arranged on a multilayer substrate. 通過帯域特性の異なる複数のＳＡＷ分波器パッケージを前記多層基板上に搭載し、少なくとも１つのＳＡＷ分波器パッケージに対応するマッチング線路を前記多層基板内に内蔵した請求項８記載の高周波モジュール。   9. The high frequency module according to claim 8, wherein a plurality of SAW duplexer packages having different pass band characteristics are mounted on the multilayer substrate, and a matching line corresponding to at least one SAW duplexer package is built in the multilayer substrate. 前記複数のＳＡＷ分波器パッケージの周波数帯域を分波するためのダイプレクサを、前記多層基板内に内蔵した請求項１２記載の高周波モジュール。   The high frequency module according to claim 12, wherein a diplexer for demultiplexing a frequency band of the plurality of SAW duplexer packages is built in the multilayer substrate. 受信信号をさらにGPS帯域と分波するためのトライプレクサを前記多層基板内に内蔵した請求項１２記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 12, wherein a triplexer for further demultiplexing the received signal with the GPS band is built in the multilayer substrate. 前記ＳＡＷ分波器パッケージをFBARフィルタにて構成した請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to any one of claims 1 to 14, wherein the SAW duplexer package is configured by an FBAR filter. 送信信号を増幅する高周波電力増幅器をさらに備える請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high frequency module according to claim 1, further comprising a high frequency power amplifier for amplifying a transmission signal. 高周波電力増幅器、送信側段間用フィルタ、受信側段間フィルタ、RFIC等を前記多層基板上に搭載した請求項１〜請求項１６のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 1, wherein a high-frequency power amplifier, a transmission-side interstage filter, a reception-side interstage filter, an RFIC, and the like are mounted on the multilayer substrate. 前記多層基板上の部品を樹脂にてモールドした請求項１〜請求項１７のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 1, wherein parts on the multilayer substrate are molded with resin. 前記請求項１〜１８記載のいずれかの高周波モジュールを搭載した携帯端末器などの無線通信装置。   A wireless communication device such as a portable terminal equipped with the high-frequency module according to claim 1.
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