JP2005093894A - Substrate treating device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating device that can reduce the operational burden imposed upon an operator. <P>SOLUTION: When, for example, a substrate is transported to a cooling unit after the substrate is transported to a heating section, a transport robot performs substrate replacement to the heating section upon receiving information indicating that the substrate replacement in the heating section is possible from a slave controller SC (step s3) and, at the same time, informs the information on the substrate replacement to a cell controller CC (step s4). Upon receiving the information, the cell controller CC notifies a signal notifying the substrate replacement to the slave controller SC (step s5). Upon receiving the signal, the slave controller SC terminates the temperature maintaining process performed in the cooling unit to which the substrate is transported (step s6). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に対して、所定の処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk. About.

「スピンナ」と呼ばれる、回転状態の基板に所定の処理を実行する基板処理装置などでは、一般的に基板の温度管理が非常に重要である。この基板の温度管理の中で、レジストの塗布処理ユニットや現像処理ユニット等に渡される各基板の温度にばらつきがあれば、塗布性能や現像性能などの低下を引き起こすことがある。これを防止するために、通常、基板に対して、レジストの塗布処理ユニットや現像処理ユニット等に搬送される前に、基板温度を常温付近の所定温度（例えば２５℃）に設定して維持する処理が冷却処理ユニットで行われる。以後、基板温度を所定温度に設定して維持する処理を「温度維持処理」と呼ぶ。なお冷却処理ユニットは、加熱された基板を常温付近の所定温度にまで冷却して、その温度を維持する目的で使用されることもあれば、既に一度常温付近にまで冷却された基板の温度を、正確に常温付近の所定温度に設定して維持するために使用されることもある。   In a substrate processing apparatus called a “spinner” that performs a predetermined process on a rotating substrate, the temperature management of the substrate is generally very important. In the temperature control of the substrate, if the temperature of each substrate delivered to the resist coating processing unit, the development processing unit, or the like varies, the coating performance or the development performance may be deteriorated. In order to prevent this, the substrate temperature is usually set and maintained at a predetermined temperature (for example, 25 ° C.) near normal temperature before being transferred to the resist coating processing unit, development processing unit, or the like. Processing takes place in the cooling processing unit. Hereinafter, the process of setting and maintaining the substrate temperature at a predetermined temperature is referred to as “temperature maintenance process”. The cooling processing unit may be used for the purpose of cooling the heated substrate to a predetermined temperature near normal temperature and maintaining the temperature, or the temperature of the substrate once cooled to near normal temperature may be used. In some cases, it is used to accurately set and maintain a predetermined temperature near normal temperature.

特許文献１には、冷却処理ユニットに関する技術が開示されている。特許文献１に記載の冷却処理ユニットでは、一定時間、基板に対して処理を行っている。通常、この一定時間の値は、オペレータが「処理ユニットレシピ」や「フローレシピ」を考慮して設定する。ここで、「処理ユニットレシピ」とは、各処理ユニットでの処理条件をまとめたものであって、加熱処理ユニットを例に挙げると、加熱温度や加熱時間などをまとめたものである。また、「フローレシピ」とは、装置内での搬送ロボットによる基板の搬送順序、言い換えれば処理フローをまとめたものである。   Patent Document 1 discloses a technique related to a cooling processing unit. In the cooling processing unit described in Patent Document 1, a substrate is processed for a certain time. Normally, the value of the predetermined time is set by the operator in consideration of “processing unit recipe” and “flow recipe”. Here, the “processing unit recipe” is a summary of processing conditions in each processing unit, and is a summary of heating temperature, heating time, and the like when the heat processing unit is taken as an example. In addition, the “flow recipe” is a summary of the order of substrate transport by the transport robot in the apparatus, in other words, the processing flow.

上述のように、レジストの塗布処理や現像処理などでは、基板間に温度のばらつきが無いことが重要であるため、塗布処理や現像処理等を行う直前まで、基板は冷却処理ユニットで所定温度に維持されていることが望まれる。その一方で、スループットの向上のために、「加熱処理後に冷却処理を行って最後にレジスト塗布処理を行う」といった、基板に対する一連の処理を実行するのに要する時間は短いことが要求されている。   As described above, since it is important that there is no temperature variation between the substrates in resist coating processing and development processing, the substrate is kept at a predetermined temperature by the cooling processing unit until just before the coating processing or development processing is performed. It is desirable that it be maintained. On the other hand, in order to improve the throughput, it is required that the time required to execute a series of processes on the substrate, such as “a cooling process is performed after the heating process and finally a resist coating process is performed”, is required. .

そのため、冷却処理ユニットや搬送ロボットが装置内の処理律速部分とならないように構成されている場合には、冷却処理ユニットでの処理所要時間が、装置内の処理律速部分でのそれに一致するように、冷却処理ユニットでのプロセス処理時間が設定される。ここで「プロセス処理時間」とは、基板を加熱している時間や基板温度を所定温度に設定して維持している時間など、実際に処理に要する時間であって、「処理所要時間」とは、このプロセス処理時間と、処理のためのセットアップに要する時間と、基板の入れ替えに要する時間との合計である。以後、「処理のためのセットアップに要する時間」と「基板の入れ替えに要する時間」とを足し合わせた時間を「準備時間」と呼ぶ。   Therefore, when the cooling processing unit and the transfer robot are configured not to be a processing rate-limiting part in the apparatus, the required processing time in the cooling processing unit is made to match that in the processing rate-limiting part in the apparatus. The process processing time in the cooling processing unit is set. Here, the “process processing time” is the time actually required for processing, such as the time for heating the substrate and the time for maintaining the substrate temperature at a predetermined temperature, Is the total of the process processing time, the time required for the setup for processing, and the time required for replacing the substrate. Hereinafter, a time obtained by adding up “time required for setup for processing” and “time required for substrate replacement” is referred to as “preparation time”.

また、上述の「処理律速部分」とは、各処理ユニットでの処理所要時間と、搬送ロボットが各処理ユニットを循環搬送するのに要する時間（本明細書では、この時間も「処理所要時間」に含める）とを比較して、最も長い時間を要する部分を言う。以下に、冷却処理ユニットでのプロセス処理時間の算出方法の一例を説明する。   In addition, the above-mentioned “processing rate-limiting part” means the processing time required for each processing unit and the time required for the transfer robot to circulate and transfer each processing unit (in this specification, this time is also referred to as “processing time required”). ) And the part that takes the longest time. Below, an example of the calculation method of the process processing time in a cooling processing unit is demonstrated.

例えば、基板処理装置が、加熱処理、冷却処理及びレジスト塗布処理をこの順で実行し、各処理ユニットでは並行処理が実行されていない場合を考える。ここで「並行処理」とは、基板処理フロー中の加熱処理等では長時間を要するため、これが処理律速部分となってスループットが低下するといった事態を防止するため、複数の同種の処理ユニットで複数の基板を時間的に並行して処理することにより、他の処理ユニットでの待機による時間ロスを防止して、全体としてのスループットを高めようとするものである。この並行処理については例えば特許文献２，３に開示されている。   For example, let us consider a case where the substrate processing apparatus performs a heating process, a cooling process, and a resist coating process in this order, and parallel processing is not performed in each processing unit. Here, “parallel processing” requires a long time in the heat treatment or the like in the substrate processing flow, and this prevents the situation that the throughput becomes a rate-limiting part and decreases the throughput. By processing these substrates in parallel in time, time loss due to standby in other processing units is prevented, and the overall throughput is increased. This parallel processing is disclosed in Patent Documents 2 and 3, for example.

加熱処理ユニット及びレジスト塗布処理ユニットでのプロセス処理時間が例えばそれぞれ６０秒及び５０秒であって、各処理ユニットでの準備時間が共通で例えば８秒である場合、オペレーターはこれらの値をもとに、加熱処理ユニット及びレジスト塗布処理ユニットの処理所要時間を求める。この例では、それぞれ６８秒及び５８秒となる。そして、各処理ユニットでの処理所要時間を比較して装置内での処理律速部分を特定する。この例では、処理律速部分は加熱処理ユニットとなる。そして、冷却処理ユニットでの処理所要時間が、処理律速部分でのそれと一致するように、冷却処理ユニットでのプロセス処理時間を設定する。この例では、処理律速部分である加熱処理ユニットの処理所要時間が６８秒であって、冷却処理ユニットでの準備時間が８秒であるため、冷却時間は６０秒（＝６８秒−８秒）に設定される。   If the processing time in the heat processing unit and the resist coating processing unit is, for example, 60 seconds and 50 seconds, respectively, and the preparation time in each processing unit is, for example, 8 seconds in common, the operator uses these values. In addition, the required processing time of the heat processing unit and the resist coating processing unit is obtained. In this example, they are 68 seconds and 58 seconds, respectively. Then, the time required for processing in each processing unit is compared to specify a processing rate-limiting portion in the apparatus. In this example, the processing rate limiting portion is a heat processing unit. Then, the process processing time in the cooling processing unit is set so that the processing time required in the cooling processing unit matches that in the processing rate-limiting portion. In this example, the processing time required for the heat treatment unit, which is the rate-limiting part, is 68 seconds, and the preparation time for the cooling processing unit is 8 seconds, so the cooling time is 60 seconds (= 68 seconds-8 seconds). Set to

特許第２６３８６６８号公報Japanese Patent No. 2638668 特開平７−２８３０９４号公報JP-A-7-283094 特開平７−１７１４７８号公報JP-A-7-171478

上述のように、処理ユニットで並行処理が行われていない場合には、処理律速部分を特定して冷却処理ユニットでのプロセス処理時間を設定するのは比較的簡単ではあるが、スループットを向上するために、処理ユニットで並行処理が実行される場合には、そこでの並列度、つまり、どれだけの処理ユニットを使って並行処理を行っているのかを考慮して処理所要時間を求める必要あり、その算出が面倒になる。従って、オペレータにとって処理律速部分を特定するのが面倒になり、オペーレータの負担が増大する。この負担は、並行処理を行う処理ユニットの種類が増加するにつれて増大する。つまり、加熱処理ユニットだけが並行処理を行う場合よりも、加熱処理ユニットとレジスト塗布処理ユニットとが並行処理を行う場合の方が、冷却処理ユニットでのプロセス処理時間を設定する際のオペレータの負担は大きくなる。   As described above, when parallel processing is not performed in the processing unit, it is relatively easy to specify the processing rate limiting portion and set the process processing time in the cooling processing unit, but the throughput is improved. Therefore, when parallel processing is executed in a processing unit, it is necessary to obtain the processing time in consideration of the degree of parallelism there, that is, how many processing units are used for parallel processing. The calculation becomes troublesome. Therefore, it is troublesome for the operator to specify the processing rate-limiting part, and the burden on the operator increases. This burden increases as the types of processing units that perform parallel processing increase. That is, the burden on the operator when setting the processing time in the cooling processing unit is greater when the heat processing unit and the resist coating processing unit perform parallel processing than when only the heat processing unit performs parallel processing. Becomes bigger.

上記の数値例において、加熱処理を２つの加熱処理ユニットで並行処理し、レジスト塗布処理を３つのレジスト塗布処理ユニットで並行処理する場合には、加熱処理ユニット全体での処理所要時間を算出する際には、上記の６８秒を並列度“２”で割る必要があり、その割った値、つまり３４秒が加熱処理ユニット全体での処理所要時間になる。また、レジスト塗布処理ユニット全体での処理所要時間を算出する際には、上記の５８秒を並列度“３”で割る必要があり、その割った値、つまり１９．３３秒が、レジスト塗布処理ユニット全体での処理所要時間となる。そして、各処理ユニットでの処理所要時間を比較して装置内での処理律速部分を特定し、冷却処理ユニットでの処理所要時間が、処理律速部分でのそれと一致するように、冷却処理ユニットでのプロセス処理時間を設定する。この例では、処理律速部分は加熱処理ユニットであり、その処理所要時間は３４秒であるため、搬送時間の８秒を考慮すると、冷却処理ユニットでの冷却時間は２６秒（＝３４秒−８秒）に設定される。   In the above numerical example, when heat processing is performed in parallel by two heat processing units and resist coating processing is performed in parallel by three resist coating processing units, the time required for processing in the entire heat processing unit is calculated. Therefore, it is necessary to divide the above 68 seconds by the degree of parallelism “2”, and the divided value, that is, 34 seconds is the time required for processing in the entire heat treatment unit. Further, when calculating the processing time required for the entire resist coating unit, it is necessary to divide the above 58 seconds by the degree of parallelism “3”, and the divided value, that is, 19.33 seconds is the resist coating processing. This is the processing time required for the entire unit. Then, the processing time required in each processing unit is compared to identify the processing rate-limiting part in the apparatus, and the cooling processing unit matches the time required for processing in the cooling processing unit with that in the processing rate-limiting part. Set the process processing time. In this example, the processing rate-determining part is a heat treatment unit, and the time required for the treatment is 34 seconds. Therefore, considering the transfer time of 8 seconds, the cooling time in the cooling treatment unit is 26 seconds (= 34 seconds−8). Second).

このように、処理ユニットで並行処理が行われる場合には、その並列度を考慮する必要があり、並行処理を行う処理ユニットの種類が増加するにつれてオペレータが処理律速部分を特定するのが面倒になり、冷却処理ユニットでのプロセス処理時間を求めるのが複雑になる。   Thus, when parallel processing is performed in the processing unit, it is necessary to consider the degree of parallelism, and it is troublesome for the operator to specify the processing rate-limiting part as the types of processing units performing parallel processing increase. Accordingly, it is complicated to obtain the process processing time in the cooling processing unit.

また、特許文献１の技術のように一定時間の経過で冷却処理ユニットでの処理を終了する場合、装置内でアラームが発生して装置が停止したときには、冷却処理ユニットから後段のユニットへの基板搬送が行われないにも関わらず、一定時間が経過すれば、冷却処理ユニットでの処理が終了してしまう。従って、アラームが解除し基板搬送が再開されるまで、基板は処理が終了した状態で放置されることになる。そのため、後段のレジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニットに基板が渡されるときには、せっかく所定温度に設定した基板温度が変化している場合があり、基板温度が基板間でばらつくことがある。   Further, when the processing in the cooling processing unit is terminated after a certain period of time as in the technique of Patent Document 1, when an alarm is generated in the apparatus and the apparatus is stopped, the substrate from the cooling processing unit to the subsequent unit is processed. Even if the transfer is not performed, the processing in the cooling processing unit ends when a certain time elapses. Therefore, the substrate is left in a state where the processing is completed until the alarm is released and the substrate conveyance is resumed. For this reason, when the substrate is transferred to the subsequent resist coating processing unit or development processing unit, the substrate temperature set to a predetermined temperature may have changed, and the substrate temperature may vary between the substrates.

そこで、本発明は上述の問題に鑑みて成されたものであり、オペレータの操作負担を軽減することが可能な基板処理装置を提供することを第１の目的とし、基板温度のばらつきを確実に低減することが可能な基板処理装置を提供することを第２の目的とする。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a first object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing an operation burden on an operator, and reliably variations in substrate temperature. It is a second object to provide a substrate processing apparatus that can be reduced.

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置において、順次搬送されてくる複数の基板に対して、基板温度を所定温度に設定して維持する温度維持処理を行う処理ユニットと、前記処理ユニットの動作制御を行うコントローラとを備え、前記処理ユニットにおいては、前記順次搬送されてくる複数の基板は、順次入れ替えられて前記温度維持処理が行われ、前記コントローラは、装置内での基板搬送状況に基づいて、前記処理ユニットでの前記温度維持処理の終了を制御する。   In order to solve the above-described problems, a first aspect of the present invention provides a processing unit for performing a temperature maintenance process for setting a substrate temperature to a predetermined temperature and maintaining the plurality of substrates sequentially transferred in the substrate processing apparatus. And a controller for controlling the operation of the processing unit. In the processing unit, the plurality of substrates transported sequentially are sequentially replaced to perform the temperature maintenance processing, and the controller The end of the temperature maintenance process in the processing unit is controlled on the basis of the substrate transfer status.

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記コントローラは第１，２のコントローラを有し、前記第１のコントローラは、前記処理ユニットでの基板の入れ替えを予告通知する信号を、前記基板搬送状況に基づいて前記第２のコントローラに出力し、前記第２のコントローラは、前記信号を受け取ると、前記処理ユニットでの前記温度維持処理を終了させる。   According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, the controller includes first and second controllers, and the first controller replaces the substrate in the processing unit. A signal for notifying the advance is output to the second controller based on the substrate conveyance status, and when the second controller receives the signal, the temperature maintaining process in the processing unit is terminated.

また、請求項３の発明は、請求項１及び請求項２のいずれか一つの発明に係る基板処理装置において、複数の基板が順次搬送される搬送対象部を前記処理ユニットの前段に更に備え、前記搬送対象部からは、搬送された基板が順次搬出され、前記処理ユニットにおいては、前記温度維持処理が行われた基板が前記搬送対象部から搬出される基板と入れ替えられ、前記第１のコントローラは、前記搬送対象部から基板が搬出される際に、前記信号を前記第２のコントローラに出力する。   Further, the invention of claim 3 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 and 2, further comprising a transport target portion to which a plurality of substrates are sequentially transported in the front stage of the processing unit, The transported substrates are sequentially unloaded from the transport target unit, and the substrate subjected to the temperature maintenance process is replaced with the substrate unloaded from the transport target unit in the processing unit, and the first controller Outputs the signal to the second controller when the substrate is unloaded from the transfer target portion.

また、請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一つの発明に係る基板処理装置において、前記処理ユニットは、前記所定温度に設定されるプレートと、前記プレートにその上面から出没自在に設けられ、基板を支持する複数の可動支持ピンとを有し、前記処理ユニットにおいては、前記複数の可動支持ピンが下降して前記プレート上に基板が載置されることによって前記温度維持処理が開始し、前記複数の可動支持ピンが上昇して前記プレートと前記基板とが離間することによって前記温度維持処理が終了する。   According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the processing unit includes a plate set at the predetermined temperature, and an upper surface of the plate. A plurality of movable support pins provided so as to be able to move in and out, and supporting the substrate; in the processing unit, the temperature is maintained by lowering the plurality of movable support pins and placing the substrate on the plate. The process is started, and the plurality of movable support pins are lifted to separate the plate and the substrate, thereby completing the temperature maintaining process.

また、請求項５の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一つの発明に係る基板処理装置において、前記処理ユニットは、外部の基板と入れ替えられる基板が載置される基板仮置部と、保持した基板に対して前記温度維持処理を行い、当該基板を前記基板仮置部に載置する保持アームとを有し、前記処理ユニットにおいては、前記保持アームが基板を保持することによって前記温度維持処理が開始し、前記保持アームが基板を前記基板仮置部に載置することによって前記温度維持処理が終了する。   Further, the invention of claim 5 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the processing unit is a substrate temporary placement portion on which a substrate to be replaced with an external substrate is placed. And a holding arm that performs the temperature maintenance process on the held substrate and places the substrate on the temporary substrate placement portion. In the processing unit, the holding arm holds the substrate. The temperature maintenance process starts, and the temperature maintenance process ends when the holding arm places the substrate on the temporary substrate placement unit.

請求項１の発明によれば、処理ユニットでの温度維持処理の終了は基板搬送状況に基づいて制御されるため、オペレータは処理ユニットの処理時間を入力する必要がない。従って、オペレータの操作負担が軽減する。更に処理ユニットでは、次の処理対象の基板が実際に搬送されてくる直前まで、ユニット内の基板に対して処理を継続することが可能になる。従って、処理ユニットの後段のユニットに対して、基板温度のばらつきが少ない基板を順次引き渡すことができ、レジスト塗布処理などの精密な基板温調が要求される処理を精度よく行うことができる。   According to the first aspect of the present invention, since the end of the temperature maintenance process in the processing unit is controlled based on the substrate transfer status, the operator does not need to input the processing time of the processing unit. Therefore, the operation burden on the operator is reduced. Furthermore, in the processing unit, it is possible to continue processing the substrate in the unit until immediately before the next substrate to be processed is actually transported. Therefore, a substrate with little variation in substrate temperature can be sequentially transferred to a subsequent unit of the processing unit, and a process requiring precise substrate temperature control such as a resist coating process can be performed with high accuracy.

また、請求項２の発明によれば、所定の信号の受け渡しでもって簡単に処理ユニットでの処理を終了させることができる。   According to the second aspect of the present invention, the processing in the processing unit can be easily terminated by passing a predetermined signal.

また、請求項３の発明によれば、処理ユニットでの基板の入れ替えを予告通知する信号は、前段の搬送対象部から基板が搬出される際に出力されるので、例えばアラームが発生してその搬送対象部から基板が実際に搬出されない場合には処理ユニットでの処理は終了しない。従って、アラーム等によって基板搬送動作が長時間停止した場合であっても、処理ユニットでは処理を継続することができる。その結果、処理ユニットの後段のユニットに所定温度からのバラツキが少ない基板を確実に引き渡すことができる。   According to the invention of claim 3, the signal for notifying the replacement of the substrate in the processing unit is output when the substrate is unloaded from the transport target portion in the previous stage. When the substrate is not actually unloaded from the transfer target portion, the processing in the processing unit is not completed. Therefore, even if the substrate transfer operation is stopped for a long time due to an alarm or the like, the processing unit can continue the processing. As a result, it is possible to reliably deliver the substrate with little variation from the predetermined temperature to the subsequent unit of the processing unit.

また、請求項４の発明によれば、可動支持ピンを昇降させることによって簡単に処理を実行することができる。   According to the invention of claim 4, the process can be easily executed by raising and lowering the movable support pin.

また、請求項５の発明によれば、保持アームを駆動することによって簡単に処理を実行することができる。   According to the fifth aspect of the present invention, the processing can be easily executed by driving the holding arm.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本実施形態の基板処理装置の上面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお図１〜４には、鉛直方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系を付している。   FIG. 1 is a top view of the substrate processing apparatus of this embodiment. 2 is a front view of the liquid processing unit of the substrate processing apparatus, FIG. 3 is a front view of the heat treatment unit, and FIG. 4 is a diagram showing a peripheral configuration of the substrate mounting unit. 1 to 4 have an XYZ orthogonal coordinate system in which the vertical direction is the Z-axis direction.

本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示器用のガラス基板等であっても良い。また、本発明に係る基板処理装置の処理内容は塗布膜形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理であっても良い。   The substrate processing apparatus of this embodiment is an apparatus that applies an antireflection film or a photoresist film to a substrate such as a semiconductor wafer and performs development processing on the substrate after pattern exposure. In addition, the board | substrate used as the process target of the substrate processing apparatus which concerns on this invention is not limited to a semiconductor wafer, The glass substrate for liquid crystal displays etc. may be sufficient. Further, the processing content of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to coating film formation and development processing, but may be etching processing or cleaning processing.

本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパ）ＳＴＰが接続配置されている。   The substrate processing apparatus of the present embodiment is configured by arranging five processing blocks of an indexer block 1, a bark block 2, a resist coating block 3, a development processing block 4 and an interface block 5 in parallel. The interface block 5 is connected to an exposure apparatus (stepper) STP, which is an external apparatus separate from the substrate processing apparatus.

インデクサブロック１は、複数のカセットＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各カセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構７とを備えている。基板移載機構７は、載置台６に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台７ａを備えており、この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構７は、保持アーム７ｂを各カセットＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、カセットＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。   The indexer block 1 takes a placement table 6 on which a plurality of cassettes C (four in this embodiment) are placed side by side, and takes out unprocessed substrates W from each cassette C, and also treats processed substrates W to each cassette C. A substrate transfer mechanism 7 is provided. The substrate transfer mechanism 7 includes a movable table 7a that can move horizontally along the mounting table 6 (along the Y-axis direction), and a holding arm 7b that holds the substrate W in a horizontal posture on the movable table 7a. It is installed. The holding arm 7b is configured to be movable up and down (in the Z-axis direction) on the movable base 7a, swivel in a horizontal plane, and moved back and forth in the swivel radius direction. Accordingly, the substrate transfer mechanism 7 can access the cassettes C by using the holding arms 7b to take out the unprocessed substrates W and store the processed substrates W. In addition to the FOUP (front opening unified pod) that accommodates the substrate W in a sealed space, the cassette C may be a standard mechanical interface (SMIF) pod or an OC (open cassette) that exposes the storage substrate W to the outside air. There may be.

インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に、インデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。   A bark block 2 is provided adjacent to the indexer block 1. A partition wall 13 is provided between the indexer block 1 and the bark block 2 for shielding the atmosphere. On the partition wall 13, two substrate platforms PASS 1 and PASS 2 for mounting the substrate W are provided in a vertically stacked manner for transferring the substrate W between the indexer block 1 and the bark block 2.

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構７はカセットＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボット１０Ａが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボット１０Ａは処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構７が受け取ってカセットＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。   The upper substrate platform PASS1 is used to transport the substrate W from the indexer block 1 to the bark block 2. The substrate platform PASS1 includes three support pins, and the substrate transfer mechanism 7 of the indexer block 1 moves the unprocessed substrate W taken out from the cassette C onto the three support pins of the substrate platform PASS1. Place. Then, the transfer robot 10A of the bark block 2 described later receives the substrate W placed on the substrate platform PASS1. On the other hand, the lower substrate platform PASS <b> 2 is used for transporting the substrate W from the bark block 2 to the indexer block 1. The substrate platform PASS1 is also provided with three support pins, and the transfer robot 10A of the bark block 2 places the processed substrate W on the three support pins of the substrate platform PASS2. Then, the substrate transfer mechanism 7 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS2 and stores it in the cassette C. In addition, the structure of the board | substrate mounting parts PASS3-PASS10 mentioned later is also the same as the board | substrate mounting parts PASS1 and PASS2.

図４に示されるように、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて基板移載機構７やバークブロック２の搬送ロボット１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。   As shown in FIG. 4, the substrate platforms PASS <b> 1 and PASS <b> 2 are provided partially through a part of the partition wall 13. The substrate platforms PASS1 and PASS2 are provided with optical sensors (not shown) that detect the presence or absence of the substrate W, and the substrate transfer mechanism 7 and the bark block 2 are based on the detection signals of the sensors. It is determined whether or not the transfer robot 10A is ready to deliver the substrate W to the substrate platforms PASS1 and PASS2.

次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー９と、下地塗布処理部８および熱処理タワー９に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボット１０Ａとを備える。   Next, the bark block 2 will be described. The bark block 2 is a processing block for applying and forming an antireflection film on the base of the photoresist film in order to reduce standing waves and halation generated during exposure. The bark block 2 includes a base coating processing unit 8 for coating and forming an antireflection film on the surface of the substrate W, two heat treatment towers 9 for performing heat treatment associated with the coating formation of the antireflection film, and a base coating processing unit 8. And a transfer robot 10 </ b> A that delivers the substrate W to the heat treatment tower 9.

バークブロック２においては、搬送ロボット１０Ａを挟んで下地塗布処理部８と熱処理タワー９とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部８が装置正面側に、２つの熱処理タワー９が装置背面側に、それぞれ位置している。そして、熱処理タワー９の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。このように、下地塗布処理部８と熱処理タワー９とを離して配置するとともに、それらの間を熱隔壁で隔てることにより、熱処理タワー９から下地塗布処理部８に熱的影響を与えることを回避しているのである。   In the bark block 2, the base coating processing unit 8 and the heat treatment tower 9 are arranged to face each other with the transfer robot 10 </ b> A interposed therebetween. Specifically, the base coating treatment unit 8 is located on the front side of the apparatus, and the two heat treatment towers 9 are located on the rear side of the apparatus. A heat partition (not shown) is provided on the front side of the heat treatment tower 9. In this way, the base coating treatment unit 8 and the heat treatment tower 9 are arranged apart from each other and separated from each other by the thermal partition, thereby avoiding thermal influence from the heat treatment tower 9 to the base coating treatment unit 8. It is doing.

下地塗布処理部８は、図２に示されるように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニット８ａ〜８ｃを下から順に積層配置して構成されている。各塗布処理ユニット８ａ〜８ｃは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック１１、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル１２およびスピンチャック１１上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。   As shown in FIG. 2, the base coating processing unit 8 is configured by stacking and arranging three coating processing units 8 a to 8 c having the same configuration in order from the bottom. Each of the coating processing units 8a to 8c has a spin chuck 11 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates the substrate W in a substantially horizontal plane, and a coating for an antireflection film on the substrate W held on the spin chuck 11. A coating nozzle 12 that discharges the liquid and a cup (not shown) that surrounds the periphery of the substrate W held on the spin chuck 11 are provided.

図３に示されるように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー９には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、常温付近の所定温度、例えば１７．０℃〜２９．０℃の間の所定温度に基板Ｗの温度を設定して維持する冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー９には、下から順に冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー９には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。   As shown in FIG. 3, in the heat treatment tower 9 on the side close to the indexer block 1, six hot plates HP1 to HP6 for heating the substrate W to a predetermined temperature, and a predetermined temperature near normal temperature, for example, 17. Cooling processing units CP1 to CP3 that set and maintain the temperature of the substrate W at a predetermined temperature between 0 ° C. and 29.0 ° C. are provided. In the heat treatment tower 9, cooling processing units CP1 to CP3 and hot plates HP1 to HP6 are stacked in order from the bottom. On the other hand, the heat treatment tower 9 on the side far from the indexer block 1 has three adhesion reinforcements for heat-treating the substrate W in a vapor atmosphere of HMDS (hexamethyldisilazane) in order to improve the adhesion between the resist film and the substrate W. The processing units AHL1 to AHL3 are stacked in order from the bottom.

図５は冷却処理ユニットＣＰ１の構造を示す側面図である。なお、冷却処理ユニットＣＰ２，ＣＰ３及び後述する冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ１３の構造も、図５に示される構造と同様である。   FIG. 5 is a side view showing the structure of the cooling processing unit CP1. The structures of the cooling processing units CP2 and CP3 and cooling processing units CP4 to CP13 described later are also the same as the structure shown in FIG.

図５に示されるように、冷却処理ユニットＣＰ１は、常温付近の所定温度に設定されるプレート４０と、プレート４０にその上面から出没自在に設けられた複数の可動支持ピン４１とを備えている。各可動支持ピン４１はその上端面で基板Ｗを下面から支持し、各可動支持ピンが下降してプレート４０内に埋没することによってプレート４０上に基板Ｗが載置される。これにより、冷却処理ユニットＣＰ１で温度維持処理が開始し、基板Ｗが所定温度に設定される。また、各可動支持ピン４１が上昇してプレート４０の上面から突出することによって基板Ｗが持ち上げられ、プレート４０と基板Ｗとが離間する。これにより、冷却処理ユニットＣＰ１での温度維持処理が終了する。   As shown in FIG. 5, the cooling processing unit CP1 includes a plate 40 that is set to a predetermined temperature near normal temperature, and a plurality of movable support pins 41 that are provided on the plate 40 so as to be able to protrude and retract from the upper surface thereof. . Each movable support pin 41 supports the substrate W from the lower surface at its upper end surface, and each movable support pin descends and is buried in the plate 40, so that the substrate W is placed on the plate 40. Thereby, the temperature maintenance process is started in the cooling processing unit CP1, and the substrate W is set to a predetermined temperature. Further, each movable support pin 41 rises and protrudes from the upper surface of the plate 40, whereby the substrate W is lifted and the plate 40 and the substrate W are separated from each other. Thereby, the temperature maintenance process in the cooling processing unit CP1 ends.

このような構成を採用することにより、例えばプレート４０の温度を２５℃に設定し、基板Ｗをプレート４０上に載置すると、加熱された基板Ｗは冷却されて基板温度が２５℃に設定される。あるいは、既に一度常温付近にまで冷却された基板Ｗは、基板温度が正確に２５℃に設定される。そして、基板Ｗがプレート４０上に搭載されている限り基板温度は２５℃に維持される。   By adopting such a configuration, for example, when the temperature of the plate 40 is set to 25 ° C. and the substrate W is placed on the plate 40, the heated substrate W is cooled and the substrate temperature is set to 25 ° C. The Alternatively, the substrate temperature of the substrate W that has already been cooled to around room temperature is set to 25 ° C. accurately. As long as the substrate W is mounted on the plate 40, the substrate temperature is maintained at 25 ° C.

なお、２つの熱処理タワー９のそれぞれの最下端部には、各熱処理ユニット（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）での温度を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが設けられている。また、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。   A heater controller CONT for controlling the temperature in each of the heat treatment units (hot plates HP1 to HP6, cooling treatment units CP1 to CP3, adhesion strengthening treatment portions AHL1 to AHL3) is provided at the lowermost end of each of the two heat treatment towers 9. Is provided. Also, piping wiring sections and spare empty spaces are assigned to the locations indicated by “x” in FIG.

このように塗布処理ユニット８ａ〜８ｃや熱処理ユニットを多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー９を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。   Thus, by arranging the coating processing units 8a to 8c and the heat treatment units in a multi-layered manner, the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced and the footprint can be reduced. Further, by arranging two heat treatment towers 9 in parallel, there is an advantage that maintenance of the heat treatment unit is facilitated and duct piping and power supply equipment necessary for the heat treatment unit need not be extended to a very high position.

図６は、搬送ロボット１０Ａを説明するための図である。図６（ａ）は搬送ロボット１０Ａの平面図であり、図６（ｂ）は搬送ロボット１０Ａの正面図である。搬送ロボット１０Ａは、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ，１０ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム１０ａ，１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。   FIG. 6 is a diagram for explaining the transfer robot 10A. FIG. 6A is a plan view of the transfer robot 10A, and FIG. 6B is a front view of the transfer robot 10A. The transfer robot 10A includes two holding arms 10a and 10b that hold the substrate W in a substantially horizontal posture so as to be close to each other in the vertical direction. The holding arms 10a and 10b have “C” -shaped tips in plan view, and the peripheral edge of the substrate W is formed by a plurality of pins 10c protruding inward from the inside of the “C” -shaped arm. Supports from below.

搬送ロボット１０Ａの基台１０ｄは装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に、ガイド軸１０ｊが立設されるとともに、螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。また、基台１０ｄには螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが固定設置されている。そして、螺軸１０ｅには昇降台１０ｇが螺合されるとともに、昇降台１０ｇはガイド軸１０ｊに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降移動するようになっている。   The base 10d of the transfer robot 10A is fixedly installed with respect to the apparatus base (apparatus frame). A guide shaft 10j is erected on the base 10d, and a screw shaft 10e is rotatably supported. A motor 10f that rotationally drives the screw shaft 10e is fixedly installed on the base 10d. An elevating platform 10g is screwed onto the screw shaft 10e, and the elevating platform 10g is slidable with respect to the guide shaft 10j. With such a configuration, the motor 10f rotationally drives the screw shaft 10e, whereby the lifting platform 10g is guided by the guide shaft 10j and moved up and down in the vertical direction (Z-axis direction).

また、昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇには、アーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｈ上に上述した２個の保持アーム１０ａ，１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ，１０ｂは、アーム基台１０ｈに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｈの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。   Further, an arm base 10h is mounted on the lifting platform 10g so as to be pivotable about an axis along the vertical direction. A motor 10i for turning the arm base 10h is built in the elevator 10g. The above-described two holding arms 10a and 10b are arranged above and below on the arm base 10h. Each holding arm 10a, 10b is configured to be movable back and forth in the horizontal direction (in the turning radius direction of the arm base 10h) independently by a slide drive mechanism (not shown) mounted on the arm base 10h. .

このような構成によって、図６（ａ）に示されるように、搬送ロボット１０Ａは２個の保持アーム１０ａ，１０ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー９に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部８に設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。   With this configuration, as shown in FIG. 6A, the transfer robot 10A has two holding arms 10a and 10b that are individually provided on the substrate platforms PASS1 and PASS2 and the heat treatment tower 9, respectively. Then, it is possible to access the coating processing unit provided in the base coating processing unit 8 and the substrate platforms PASS3 and PASS4, which will be described later, and transfer the substrate W between them.

次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。   Next, the resist coating block 3 will be described. A resist coating block 3 is provided so as to be sandwiched between the bark block 2 and the development processing block 4. A partition wall 13 is also provided between the resist coating block 3 and the bark block 2 for shielding the atmosphere. In order to transfer the substrate W between the bark block 2 and the resist coating block 3, two substrate platforms PASS 3 and PASS 4 on which the substrate W is mounted are stacked on the partition wall 13. The substrate platforms PASS3 and PASS4 have the same configuration as the substrate platforms PASS1 and PASS2 described above.

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボット１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボット１０Ａが受け取る。   The upper substrate platform PASS3 is used to transport the substrate W from the bark block 2 to the resist coating block 3. That is, the transport robot 10B of the resist coating block 3 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS3 by the transport robot 10A of the bark block 2. On the other hand, the lower substrate platform PASS 4 is used to transport the substrate W from the resist coating block 3 to the bark block 2. That is, the transfer robot 10A of the bark block 2 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS4 by the transfer robot 10B of the resist coating block 3.

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボット１０Ａ，１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。   The substrate platforms PASS3 and PASS4 are provided partially through a part of the partition wall 13. The substrate platforms PASS3 and PASS4 are provided with optical sensors (not shown) for detecting the presence / absence of the substrate W, and the transfer robots 10A and 10B are mounted on the substrate based on detection signals from the sensors. It is determined whether or not the substrate W can be delivered to the parts PASS3 and PASS4. Further, below the substrate platforms PASS 3 and PASS 4, two water-cooled cool plates WCP for roughly cooling the substrate W are provided vertically through the partition wall 13.

レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布処理部１５と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー１６と、レジスト塗布処理部１５および熱処理タワー１６に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボット１０Ｂとを備える。   The resist coating block 3 is a processing block for coating and forming a photoresist film on the substrate W on which the antireflection film is coated and formed in the bark block 2. In the present embodiment, a chemically amplified resist is used as the photoresist. The resist coating block 3 includes a resist coating processing unit 15 that coats and forms a photoresist film on a base-coated antireflection film, two heat treatment towers 16 that perform heat treatment associated with the resist coating processing, and a resist coating processing unit. 15 and the heat treatment tower 16, and a transfer robot 10 </ b> B that delivers the substrate W to the heat treatment tower 16.

レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボット１０Ｂを挟んでレジスト塗布処理部１５と熱処理タワー１６とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部１５が装置正面側に、２つの熱処理タワー１６が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー１６の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。このように、レジスト塗布処理部１５と熱処理タワー１６とを離して配置するとともに、それらの間を熱隔壁で隔てることにより、熱処理タワー１６からレジスト塗布処理部１５に熱的影響を与えることを回避しているのである。   In the resist coating block 3, the resist coating processing unit 15 and the heat treatment tower 16 are arranged to face each other with the transfer robot 10B interposed therebetween. Specifically, the resist coating processing unit 15 is located on the front side of the apparatus, and the two heat treatment towers 16 are located on the rear side of the apparatus. Further, a heat partition (not shown) is provided on the front side of the heat treatment tower 16. As described above, the resist coating processing unit 15 and the heat treatment tower 16 are arranged apart from each other and separated from each other by the thermal partition, thereby avoiding thermal influence on the resist coating processing unit 15 from the heat treatment tower 16. It is doing.

レジスト塗布処理部１５は、図２に示されるように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃを下から順に積層配置して構成されている。各塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック１７、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストを吐出する塗布ノズル１８およびスピンチャック１７上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。   As shown in FIG. 2, the resist coating processing unit 15 is configured by stacking and arranging three coating processing units 15 a to 15 c having the same configuration in order from the bottom. Each of the coating processing units 15a to 15c has a spin chuck 17 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates the substrate W in a substantially horizontal plane, and a coating that discharges a photoresist onto the substrate W held on the spin chuck 17. A cup (not shown) and the like surrounding the periphery of the substrate W held on the nozzle 18 and the spin chuck 17 are provided.

図３に示されるように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー１６には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー１６には、基板Ｗを常温付近の所定温度に設定して維持する冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。また、２つの熱処理タワー１６のそれぞれの最下端部には、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６や冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９などの熱処理ユニットでの温度を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが設けられている。   As shown in FIG. 3, in the heat treatment tower 16 on the side close to the indexer block 1, six heating units PHP1 to PHP6 for heating the substrate W to a predetermined temperature are stacked in order from the bottom. On the other hand, in the heat treatment tower 16 on the side far from the indexer block 1, cooling processing units CP4 to CP9 for setting and maintaining the substrate W at a predetermined temperature near normal temperature are stacked in order from the bottom. In addition, a heater controller CONT that controls the temperature in the heat treatment units such as the heating units PHP1 to PHP6 and the cooling treatment units CP4 to CP9 is provided at the lowermost ends of the two heat treatment towers 16.

図７は加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６の構造を示す図であって、図７（ａ）は側面図を、図７（ｂ）は平面図をそれぞれ示している。なお説明の便宜上、図７（ａ），７（ｂ）においては、上蓋２２及び筐体２７だけは断面構造を示しており、図７（ｂ）においては、基板仮置部１９及び隔壁２９の図示を省略している。   7A and 7B are diagrams showing the structure of the heating parts PHP1 to PHP6. FIG. 7A shows a side view and FIG. 7B shows a plan view. For convenience of explanation, in FIGS. 7A and 7B, only the upper lid 22 and the housing 27 show a sectional structure, and in FIG. 7B, the temporary substrate placement portion 19 and the partition wall 29 are shown. The illustration is omitted.

図７に示されるように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のそれぞれは筐体２７を備えている。筐体２７の内部は、隔壁２９で上部と下部とに分割されており、その上部は基板Ｗが載置される基板仮置部１９として、下部は基板Ｗに対して加熱処理を行う加熱室４５としてそれぞれ使用される。そして、各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、加熱室４５と基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２０を更に備えている。なお、上記下部を基板仮置部１９、上部を加熱室４５としてそれぞれ使用しても良い。   As shown in FIG. 7, each of the heating units PHP <b> 1 to PHP <b> 6 includes a housing 27. The interior of the housing 27 is divided into an upper part and a lower part by a partition wall 29, the upper part serving as a temporary substrate placement unit 19 on which the substrate W is placed, and the lower part serving as a heating chamber for performing heat treatment on the substrate W. 45 are used respectively. Each of the heating units PHP <b> 1 to PHP <b> 6 further includes a local transport mechanism 20 that transports the substrate W between the heating chamber 45 and the temporary substrate placement unit 19. The lower part may be used as the temporary substrate placement part 19 and the upper part may be used as the heating chamber 45.

加熱室４５には、載置された基板Ｗに対して加熱処理を行うホットプレート２８が設けられている。ホットプレート２８には、複数本の可動支持ピン２１がプレート表面から出没自在に設けられており、ホットプレート２８の上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。そして、基板仮置部１９においては、基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が隔壁２９上に設けられている。   The heating chamber 45 is provided with a hot plate 28 that performs heat treatment on the substrate W placed thereon. A plurality of movable support pins 21 are provided on the hot plate 28 so as to protrude and retract from the surface of the plate, and an upper lid 22 that can be raised and lowered to cover the substrate W during the heat treatment is provided above the hot plate 28. In the temporary substrate placement section 19, a plurality of fixed support pins 23 that support the substrate W are provided on the partition wall 29.

ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持するプレート状の保持アーム２４を備え、この保持アーム２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるように構成されている。保持アーム２４には、これがホットプレート２８や基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように複数本のスリット２４ａが形成されている。   The local transport mechanism 20 includes a plate-like holding arm 24 that holds the substrate W in a substantially horizontal posture. The holding arm 24 is moved up and down by a screw feed drive mechanism 25 and moved forward and backward by a belt drive mechanism 26. It is configured as follows. A plurality of slits 24 a are formed in the holding arm 24 so that the holding arm 24 does not interfere with the movable support pin 21 and the fixed support pin 23 when it advances above the hot plate 28 and the temporary substrate placement portion 19.

また保持アーム２４は、常温付近の所定温度、例えば１７．０℃〜２９．０℃の間の所定温度に基板Ｗの温度を設定して維持することが可能である。図７（ｂ）に示されるように、保持アーム２４の内部には水流路２４ｂが設けられており、この水流路２４ｂに所定温度の水を流通させることによって、保持アーム２４に保持された基板Ｗを所定温度に設定して維持することが可能になる。例えば、水流路２４ｂに２５℃の水を流通させた場合、ホットプレート２８で加熱された基板Ｗは保持アームによって支持されて２５℃まで冷却され、保持アーム２４で保持されている限り、その基板温度は高精度で２５℃に維持される。そして、冷却処理された基板Ｗは保持アーム２４によって基板仮置部１９に載置される。なお保持アーム２４は、ホットプレート２８で加熱された基板を高精度に冷却するだけでなく、大まかに冷却する際にも使用される。また、一度冷却された基板Ｗの温度を、正確に常温付近の所定温度に設定して維持するためにも使用されることもある。   The holding arm 24 can set and maintain the temperature of the substrate W at a predetermined temperature near normal temperature, for example, a predetermined temperature between 17.0 ° C. and 29.0 ° C. As shown in FIG. 7B, a water channel 24b is provided inside the holding arm 24, and a substrate held by the holding arm 24 by flowing water at a predetermined temperature through the water channel 24b. It becomes possible to set and maintain W at a predetermined temperature. For example, when water at 25 ° C. is circulated through the water flow path 24 b, the substrate W heated by the hot plate 28 is supported by the holding arm, cooled to 25 ° C., and as long as the substrate W is held by the holding arm 24. The temperature is maintained at 25 ° C. with high accuracy. Then, the cooled substrate W is placed on the temporary substrate placement portion 19 by the holding arm 24. The holding arm 24 is used not only to cool the substrate heated by the hot plate 28 with high accuracy but also to cool it roughly. It may also be used to set and maintain the temperature of the substrate W once cooled to a predetermined temperature close to normal temperature.

ローカル搬送機構２０は、加熱室４５および基板仮置部１９を挟んで搬送ロボット１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、筐体２７の上部には、装置正面側に基板仮置部１９への搬送ロボット１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、装置背面側に基板仮置部１９へのローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂがそれぞれ設けられている。また、筐体２７の下部では、装置正面側が閉塞し、その装置背面側に加熱室４５へのローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。   The local transfer mechanism 20 is installed on the opposite side of the transfer robot 10B, that is, on the back side of the apparatus, with the heating chamber 45 and the temporary substrate placement unit 19 interposed therebetween. An opening 19 a that allows the transfer robot 10 </ b> B to enter the temporary substrate placement unit 19 on the front side of the apparatus is provided on the upper portion of the housing 27, and the local transfer mechanism 20 to the temporary substrate placement unit 19 is provided on the rear side of the apparatus. Openings 19b that allow entry are provided. Further, at the lower part of the casing 27, the front side of the apparatus is closed, and an opening 19 c that allows the local transport mechanism 20 to enter the heating chamber 45 is provided on the rear side of the apparatus.

上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、搬送ロボット１０Ａが基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構２０の保持アーム２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持アーム２４は筐体２７から退出して、ホットプレート２８に対向する位置まで下降する。このときホットプレート２８の可動支持ピン２１は、基板Ｗの下面と保持アーム２４の上面とが接する加熱位置まで下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持アーム２４はホットプレート２８の上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持アーム２４が退出する。続いて、可動支持ピン２１が下降して基板Ｗをホットプレート２８上に載置するととともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。   The substrate W is taken in and out of the heating units PHP1 to PHP6 described above. First, the transfer robot 10 </ b> A holds the substrate W and places the substrate W on the fixed support pins 23 of the temporary substrate placement unit 19. Subsequently, the holding arm 24 of the local transport mechanism 20 is slightly raised after entering the lower side of the substrate W to receive the substrate W from the fixed support pins 23. The holding arm 24 holding the substrate W is withdrawn from the housing 27 and lowered to a position facing the hot plate 28. At this time, the movable support pin 21 of the hot plate 28 is lowered to the heating position where the lower surface of the substrate W and the upper surface of the holding arm 24 are in contact with each other, and the upper lid 22 is raised. The holding arm 24 holding the substrate W advances above the hot plate 28. After the movable support pin 21 rises and receives the substrate W at the receiving position, the holding arm 24 is retracted. Subsequently, the movable support pins 21 are lowered to place the substrate W on the hot plate 28, and the upper lid 22 is lowered to cover the substrate W. In this state, the substrate W is heated.

加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持アーム２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２１が下降することにより、基板Ｗが保持アーム２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持アーム２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持アーム２４に支持された基板Ｗは、保持アーム２４によって、大まかに冷却されたり、常温付近の所定温度にまで冷却されてその所定温度が維持される。そして保持アーム２４は、冷却された基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に載置する。その後、搬送ロボット１０Ｂが基板Ｗを取り出して後段の処理ユニットに搬送する。   When the heat treatment is finished, the upper lid 22 rises and the movable support pin 21 rises to lift the substrate W. Subsequently, after the holding arm 24 advances below the substrate W, the movable support pin 21 is lowered, whereby the substrate W is transferred to the holding arm 24. The holding arm 24 holding the substrate W is withdrawn and further raised to transport the substrate W to the temporary substrate placement unit 19. The substrate W supported by the holding arm 24 in the temporary substrate placement unit 19 is roughly cooled by the holding arm 24 or cooled to a predetermined temperature near normal temperature, and the predetermined temperature is maintained. The holding arm 24 places the cooled substrate W on the fixed support pins 23 of the temporary substrate placement unit 19. Thereafter, the transfer robot 10B takes out the substrate W and transfers it to the subsequent processing unit.

また、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６において、加熱処理が行われずに温度維持処理だけが行われる場合には、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗが載置されると、まず、ローカル搬送機構２０の保持アーム２４は、基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取って保持する。これにより、温度維持処理が開始され、基板Ｗがある一定の時間保持アーム２４で保持されることにより基板Ｗの温度が所定温度に設定される。基板Ｗは保持アーム２４によって保持されている限りその温度が所定温度に維持される。そして保持アーム２４は、所定温度に設定された基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に載置する。これにより、温度維持処理が終了する。   In addition, in the heating units PHP1 to PHP6, when only the temperature maintenance process is performed without performing the heating process, when the substrate W is placed on the fixed support pin 23 of the temporary substrate placement unit 19, first, The holding arm 24 of the local transport mechanism 20 receives the substrate W from the fixed support pins 23 and holds it by slightly rising after entering the lower side of the substrate W. Thereby, the temperature maintenance process is started, and the temperature of the substrate W is set to a predetermined temperature by being held by the holding arm 24 for a certain time. As long as the substrate W is held by the holding arm 24, the temperature thereof is maintained at a predetermined temperature. The holding arm 24 places the substrate W set at a predetermined temperature on the fixed support pins 23 of the temporary substrate placement unit 19. Thereby, a temperature maintenance process is complete | finished.

このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボット１０Ｂが常温の基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレート２８に対する基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボット１０Ｂの温度上昇を抑制することができる。また、筐体２７の下部においては、ローカル搬送機構２０側のみに開口部１９ｃが設けられているため、開口部１９ｃから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボット１０Ｂやレジスト塗布処理部１５が悪影響を受けることが防止される。なお、冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボット１０Ｂが直接基板Ｗの受け渡しを行う。   Thus, in the heating units PHP1 to PHP6, the transfer robot 10B only transfers the substrate W to the room temperature temporary substrate placement unit 19, and does not transfer the substrate W to the hot plate 28. A temperature increase of 10B can be suppressed. In addition, since the opening 19c is provided only on the local transfer mechanism 20 side in the lower part of the housing 27, the transfer robot 10B and the resist coating processing unit 15 are adversely affected by the thermal atmosphere leaked from the opening 19c. Is prevented. The transfer robot 10B directly transfers the substrate W to the cooling processing units CP4 to CP9.

搬送ロボット１０Ｂの構成は、搬送ロボット１０Ａと全く同じである。よって、搬送ロボット１０Ｂは２個の保持アーム１０ａ，１０ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー１６に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部１５に設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。   The configuration of the transfer robot 10B is exactly the same as that of the transfer robot 10A. Therefore, the transfer robot 10B includes two holding arms 10a and 10b, which are individually provided on the substrate platforms PASS3 and PASS4, the heat treatment unit provided in the heat treatment tower 16, the coating treatment unit provided in the resist coating treatment unit 15, and the later-described. The substrate platforms PASS5 and PASS6 to be accessed can be accessed, and the substrate W can be exchanged between them.

次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に、レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。   Next, the development processing block 4 will be described. A development processing block 4 is provided so as to be sandwiched between the resist coating block 3 and the interface block 5. A partition wall 13 for shielding the atmosphere is also provided between the resist coating block 3 and the development processing block 4. On the partition wall 13, two substrate platforms PASS 5 and PASS 6 for stacking the substrate W for transferring the substrate W between the resist coating block 3 and the development processing block 4 are vertically stacked. Yes. The substrate platforms PASS5 and PASS6 have the same configuration as the substrate platforms PASS1 and PASS2 described above.

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボット１０Ｂが受け取る。   The upper substrate platform PASS5 is used for transporting the substrate W from the resist coating block 3 to the development processing block 4. That is, the transfer robot 10C of the development processing block 4 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS5 by the transfer robot 10B of the resist coating block 3. On the other hand, the lower substrate platform PASS 6 is used to transport the substrate W from the development processing block 4 to the resist coating block 3. That is, the transport robot 10B of the resist coating block 3 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS6 by the transport robot 10C of the development processing block 4.

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボット１０Ｂ，１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。   The substrate platforms PASS5 and PASS6 are provided partially through a part of the partition wall 13. The substrate platforms PASS5 and PASS6 are provided with optical sensors (not shown) for detecting the presence / absence of the substrate W, and the transfer robots 10B and 10C are mounted on the substrates based on detection signals from the sensors. It is determined whether or not the substrate W can be delivered to the parts PASS5 and PASS6. Further, under the substrate platforms PASS 5 and PASS 6, two water-cooled cool plates WCP for roughly cooling the substrate W are provided vertically through the partition wall 13.

現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１ａ，３１ｂと、現像処理部３０および熱処理タワー３１ａ，３１ｂに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボット１０Ｃとを備える。なお、搬送ロボット１０Ｃは、上述した搬送ロボット１０Ａ，１０Ｂと全く同じ構成を有する。   The development processing block 4 is a processing block for performing development processing on the exposed substrate W. The development processing block 4 includes a development processing unit 30 that performs a development process by supplying a developer to the substrate W on which the pattern is exposed, two heat treatment towers 31a and 31b that perform a heat treatment associated with the development process, and a development process. A transfer robot 10C that delivers the substrate W to the processing unit 30 and the heat treatment towers 31a and 31b is provided. The transfer robot 10C has the same configuration as the transfer robots 10A and 10B described above.

現像処理部３０は、図２に示されるように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅを下から順に積層配置して構成されている。各現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。   As shown in FIG. 2, the development processing unit 30 is configured by stacking five development processing units 30 a to 30 e having the same configuration in order from the bottom. Each of the development processing units 30a to 30e includes a spin chuck 32 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates the substrate W in a substantially horizontal plane, and a nozzle that supplies a developer onto the substrate W held on the spin chuck 32. 33 and a cup (not shown) that surrounds the periphery of the substrate W held on the spin chuck 32.

図３に示されるように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１ａには、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、基板Ｗの温度を所定温度に設定して維持する冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２とが設けられている。この熱処理タワー３１ａには、下から順に冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１ｂには、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と冷却処理ユニットＣＰ１３とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部１９、加熱室４５およびローカル搬送機構２０を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２における筐体２７の上部では、ローカル搬送機構２０側とインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄ側とに開口部が設けられており、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃ側は閉塞している。つまり、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄはアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃはアクセス不可である。なお、熱処理タワー３１ａに組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃがアクセスする。   As shown in FIG. 3, in the heat treatment tower 31a on the side close to the indexer block 1, five hot plates HP7 to HP11 for heating the substrate W to a predetermined temperature, and the temperature of the substrate W are set to a predetermined temperature. Cooling processing units CP10 to CP12 are provided. In the heat treatment tower 31a, cooling processing units CP10 to CP12 and hot plates HP7 to HP11 are stacked in order from the bottom. On the other hand, in the heat treatment tower 31b on the side far from the indexer block 1, six heating units PHP7 to PHP12 and a cooling processing unit CP13 are stacked. Each of the heating units PHP7 to PHP12 is a heat treatment unit including the temporary substrate placement unit 19, the heating chamber 45, and the local transport mechanism 20, similarly to the heating units PHP1 to PHP6 described above. However, in the upper part of the casing 27 in each heating unit PHP7 to PHP12, openings are provided on the local transport mechanism 20 side and the transport robot 10D side of the interface block 5, and the transport robot 10C side of the development processing block 4 is Blocked. That is, the transport robot 10D of the interface block 5 is accessible to the heating units PHP7 to PHP12, but the transport robot 10C of the development processing block 4 is not accessible. The transfer robot 10C of the development processing block 4 accesses the heat treatment unit incorporated in the heat treatment tower 31a.

また、熱処理タワー３１ｂには、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄが受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃが受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボット１０Ｃおよびインターフェイスブロック５の搬送ロボット１０Ｄの両側に対して開口している。   In addition, two substrate platforms PASS7 and PASS8 for transferring the substrate W between the development processing block 4 and the interface block 5 adjacent to the development processing block 4 are incorporated in the heat treatment tower 31b close to each other. ing. The upper substrate platform PASS7 is used to transport the substrate W from the development processing block 4 to the interface block 5. That is, the transport robot 10D of the interface block 5 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS7 by the transport robot 10C of the development processing block 4. On the other hand, the lower substrate platform PASS 8 is used to transport the substrate W from the interface block 5 to the development processing block 4. That is, the transport robot 10C of the development processing block 4 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS8 by the transport robot 10D of the interface block 5. The substrate platforms PASS7 and PASS8 are open to both sides of the transfer robot 10C of the development processing block 4 and the transfer robot 10D of the interface block 5.

また、２つの熱処理タワー３１ａ，３１ｂのそれぞれの最下端部には、各熱処理ユニットでの温度を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが設けられている。   A heater controller CONT for controlling the temperature in each heat treatment unit is provided at the lowermost end of each of the two heat treatment towers 31a and 31b.

次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しを行うブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構３５の他に、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボット１０Ｄとを備えている。   Next, the interface block 5 will be described. The interface block 5 is a block which is provided adjacent to the development processing block 4 and delivers the substrate W to the exposure apparatus STP which is an external apparatus separate from the substrate processing apparatus. In the interface block 5 of the present embodiment, in addition to the transport mechanism 35 for transferring the substrate W to and from the exposure apparatus STP, two edges for exposing the peripheral portion of the substrate W on which the photoresist film is formed are exposed. An exposure unit EEW, and heating robots PHP7 to PHP12 disposed in the development processing block 4 and a transfer robot 10D that delivers the substrate W to the edge exposure unit EEW are provided.

エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示されるように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６や、このスピンチャック３６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー３１ｂとに隣接して配置されている搬送ロボット１０Ｄは上述した搬送ロボット１０Ａ〜１０Ｃと同様の構成を備えている。   As shown in FIG. 2, the edge exposure unit EEW has a spin chuck 36 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates it in a substantially horizontal plane, and a peripheral edge of the substrate W held by the spin chuck 36. A light irradiator 37 that irradiates and exposes light is provided. The two edge exposure portions EEW are stacked in the vertical direction at the center of the interface block 5. The transfer robot 10D disposed adjacent to the edge exposure unit EEW and the heat treatment tower 31b of the development processing block 4 has the same configuration as the transfer robots 10A to 10C described above.

また、図２に示されるように、２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボット１０Ｄから搬送機構３５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構３５から搬送ロボット１０Ｄに基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボット１０Ｄがアクセスを行う。   Further, as shown in FIG. 2, a return buffer RBF for returning the substrate is provided below the two edge exposure units EEW, and two substrate platforms PASS9 and PASS10 are vertically arranged below the two edge exposure units EEW. Laminated and provided. When the development processing block 4 cannot perform the development processing of the substrate W due to some trouble, the return buffer RBF performs the post-exposure heating processing by the heating units PHP7 to PHP12 of the development processing block 4, and then the substrate W Is temporarily stored. The return buffer RBF is configured by a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages. The upper substrate platform PASS9 is used to transfer the substrate W from the transport robot 10D to the transport mechanism 35, and the lower substrate platform PASS10 transfers the substrate W from the transport mechanism 35 to the transport robot 10D. It is used to pass. Note that the transfer robot 10D accesses the return buffer RBF.

搬送機構３５は、図２に示されるように、Ｙ軸方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、可動台３５ａに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。センドバッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。   As shown in FIG. 2, the transport mechanism 35 includes a movable table 35a that can move horizontally in the Y-axis direction, and a holding arm 35b that holds the substrate W is mounted on the movable table 35a. The holding arm 35b is configured to be capable of moving up and down, turning and moving in the turning radius direction with respect to the movable base 35a. With such a configuration, the transport mechanism 35 transfers the substrate W to and from the exposure apparatus STP, transfers the substrate W to the substrate platforms PASS9 and PASS10, and the substrate W to the send buffer SBF for substrate transfer. Storing and unloading. The send buffer SBF temporarily stores and stores the substrate W before exposure processing when the exposure apparatus STP cannot accept the substrate W, and is configured by a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages. Yes.

以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。   The indexer block 1, the bark block 2, the resist coating block 3, the development processing block 4 and the interface block 5 are always supplied with clean air as a downflow, and the process is caused by the rising of particles and airflow in each block. To avoid the negative effects of. In addition, the inside of each block is kept at a slightly positive pressure with respect to the external environment of the apparatus to prevent entry of particles and contaminants from the external environment.

また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。   The indexer block 1, the bark block 2, the resist coating block 3, the development processing block 4 and the interface block 5 described above are units obtained by mechanically dividing the substrate processing apparatus of the present embodiment. Each block is assembled to an individual block frame (frame body), and the substrate processing apparatus is configured by connecting the block frames.

一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送の対象となる搬送対象部と、当該搬送対象部に対して基板搬送を行う搬送ロボットとを含んで構成されている。本実施形態の搬送対象部には、例えば各種処理ユニット（熱処理ユニット、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット）や、単に基板Ｗを載置するだけの基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０、載置台６、リターンバッファＲＢＦ及びセンドバッファＳＢＦなどが含まれる。   On the other hand, in the present embodiment, the transport control unit for transporting the substrate is configured separately from the block that is mechanically divided. In the present specification, such a transport control unit for transporting a substrate is referred to as a “cell”. One cell is configured to include a transfer target unit that is a target of substrate transfer and a transfer robot that transfers the substrate to the transfer target unit. For example, various processing units (a heat treatment unit, a coating processing unit, and a development processing unit), substrate placement units PASS1 to PASS10 on which a substrate W is simply placed, a placement table 6, and a return are included in the transfer target portion of this embodiment. A buffer RBF, a send buffer SBF, and the like are included.

また、各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。そして、セル間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部を介して行われる。なお本明細書では、基板移載機構７や搬送機構３５もセルの構成要素の一つである「搬送ロボット」に含める。   Each of the substrate platforms PASS1 to PASS10 functions as an entrance substrate platform for receiving the substrate W in the cell or an exit substrate platform for delivering the substrate W from the cell. And delivery of the board | substrate W between cells is performed via a board | substrate mounting part. In the present specification, the substrate transfer mechanism 7 and the transport mechanism 35 are also included in the “transport robot” which is one of the constituent elements of the cell.

本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台６と基板移載機構７とを含み、結果的に機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部８と２つの熱処理タワー９と搬送ロボット１０Ａとを含む。このバークセルも、結果として機械的に分割した単位であるバークブロック２と同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部１５と２つの熱処理タワー１６と搬送ロボット１０Ｂとを含む。このレジスト塗布セルも、結果として機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と同じ構成になっている。   The substrate processing apparatus of the present embodiment includes six cells: an indexer cell, a bark cell, a resist coating cell, a development processing cell, a post-exposure bake cell, and an interface cell. The indexer cell includes a mounting table 6 and a substrate transfer mechanism 7 and has the same configuration as the indexer block 1 that is a mechanically divided unit. Further, the bark cell includes a base coating processing unit 8, two heat treatment towers 9, and a transfer robot 10A. This bark cell also has the same configuration as the bark block 2, which is a mechanically divided unit. Further, the resist coating cell includes a resist coating processing unit 15, two heat treatment towers 16, and a transfer robot 10B. This resist coating cell also has the same configuration as the resist coating block 3, which is a mechanically divided unit.

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、後述の本実施形態の基板処理装置の動作説明からも理解できるように、インデクサセルおよびバークセルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、インデクサセルおよびバークセルの両方に含まれることになる。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、バークセルおよびレジスト塗布セルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、バークセルおよびレジスト塗布セルの両方に含まれることになる。   Since the substrate platforms PASS1 and PASS2 function as an entrance substrate platform or an exit substrate platform of the indexer cell and the bark cell, as can be understood from an operation description of the substrate processing apparatus of the present embodiment described later, the indexers It will be included in both cells and bark cells. Further, since the substrate platforms PASS3 and PASS4 function as the entrance substrate platform or the exit substrate platform of the bark cell and the resist coating cell, they are included in both the bark cell and the resist coating cell.

現像処理セルは、現像処理部３０と熱処理タワー３１ａと搬送ロボット１０Ｃとを含む。上述したように、搬送ロボット１０Ｃは熱処理タワー３１ｂの加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー３１ｂは含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。   The development processing cell includes a development processing unit 30, a heat treatment tower 31a, and a transfer robot 10C. As described above, the transfer robot 10C cannot access the heating units PHP7 to PHP12 of the heat treatment tower 31b, and the heat treatment tower 31b is not included in the development processing cell. In this respect, the development processing cell is different from the development processing block 4 which is a mechanically divided unit.

また露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー３１ｂ（基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を除く）と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと、リターンバッファＲＢＦと、搬送ロボット１０Ｄとを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボット１０Ｄとを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。   The post-exposure bake cell includes a heat treatment tower 31b (except for the substrate platforms PASS7 and PASS8) located in the development processing block 4, an edge exposure unit EEW located in the interface block 5, a return buffer RBF, and a transfer robot 10D. including. That is, the post-exposure bake cell extends over the development processing block 4 and the interface block 5 which are mechanically divided units. Thus, since one cell is comprised including the heating parts PHP7 to PHP12 and the transfer robot 10D for performing the post-exposure heat treatment, the substrate W after the exposure is quickly carried into the heating parts PHP7 to PHP12 and subjected to the heat treatment. It can be performed. Such a configuration is suitable when a chemically amplified resist that needs to be heat-treated as soon as possible after pattern exposure is used.

なお、熱処理タワー３１ｂに含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボット１０Ｃと露光後ベークセルの搬送ロボット１０Ｄとの間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。   The substrate platforms PASS7 and PASS8 included in the heat treatment tower 31b are interposed for transferring the substrate W between the transfer robot 10C of the development processing cell and the transfer robot 10D of the post-exposure bake cell.

インターフェイスセルは、センドバッファＳＢＦと、外部装置である露光装置ＳＴＰに対しても基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構３５とを含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボット１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷ等を含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボット１０Ｄとインターフェイスセルの搬送機構３５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。また上述の各セルは、後述するスレーブコントローラＳＣをも含んで構成される。   The interface cell includes a send buffer SBF and a transport mechanism 35 that delivers the substrate W to the exposure apparatus STP that is an external apparatus. This interface cell is different from the interface block 5 which is a mechanically divided unit in that the interface cell does not include the transfer robot 10D, the edge exposure unit EEW, and the like. The substrate platforms PASS9 and PASS10 provided below the edge exposure unit EEW are interposed for transferring the substrate W between the post-exposure bake cell transfer robot 10D and the interface cell transfer mechanism 35. Each cell described above includes a slave controller SC described later.

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、レジスト塗布セルおよび現像処理セルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、レジスト塗布セルおよび現像処理セルの両方に含まれることになる。また、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理セルおよび露光後ベークセルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、現像処理セルおよび露光後ベークセルの両方に含まれることになる。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの入口基板載置部または出口基板載置部として機能するため、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの両方に含まれることになる。   Since the substrate platforms PASS5 and PASS6 function as an entrance substrate platform or an exit substrate platform of the resist coating cell and the development cell, they are included in both the resist coating cell and the development cell. Further, since the substrate platforms PASS7 and PASS8 function as an entrance substrate platform or an exit substrate platform of the development cell and post-exposure bake cell, they are included in both the development cell and post-exposure bake cell. . Since the substrate platforms PASS9 and PASS10 function as an entrance substrate platform or an exit substrate platform of the post-exposure bake cell and interface cell, they are included in both the post-exposure bake cell and interface cell.

次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図８は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示されるように、本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラＭＣ、各セルに対応して個別に設けられたセルコントローラＣＣ、各セル内に個別に設けられたスレーブコントローラＳＣとで構成される３階層の制御階層を備えている。なお、図中のセルＣ１〜Ｃ６は、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルをそれぞれ示している。   Next, the control mechanism of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. FIG. 8 is a block diagram showing an outline of the control mechanism. As shown in the figure, the substrate processing apparatus of the present embodiment includes a main controller MC, a cell controller CC provided individually for each cell, and a slave controller SC provided individually in each cell. It has three control layers. Note that cells C1 to C6 in the figure indicate an indexer cell, a bark cell, a resist coating cell, a development processing cell, a post-exposure bake cell, and an interface cell, respectively.

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の動作管理およびセルコントローラＣＣの動作管理を主に担当する。メインコントローラＭＣには、各種データを記憶するメモリ５１と、各種情報を画面に表示する表示部５２と、オペレータからのデータ入力を受け付けるデータ入力部５３と、それらの動作を制御したり、セルコントローラＣＣとの通信を行う制御部５０とを備えている。   One main controller MC in the first hierarchy is provided for the entire substrate processing apparatus, and is mainly responsible for operation management of the entire apparatus and operation management of the cell controller CC. The main controller MC includes a memory 51 for storing various data, a display unit 52 for displaying various types of information on a screen, a data input unit 53 for receiving data input from an operator, and controlling their operations, The control part 50 which performs communication with CC is provided.

制御部５０は各種演算処理を行うＣＰＵを含んで構成されている。データ入力部５３は例えばキーボードであって、オペレータがこのキーボードを操作することによって制御部５０にデータが入力される。またメモリ５１は、フローレシピや処理ユニットレシピ、あるいは動作プログラムなどを記憶している。   The control unit 50 includes a CPU that performs various arithmetic processes. The data input unit 53 is, for example, a keyboard, and data is input to the control unit 50 when the operator operates the keyboard. The memory 51 stores a flow recipe, a processing unit recipe, an operation program, and the like.

第２階層のセルコントローラＣＣのそれぞれは、対応するセル内での基板搬送管理および処理ユニットの動作管理を主に担当する。具体的には、例えば、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を受け取ると、メインコントローラＭＣから受け取ったフローレシピに従って搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを搬送させる。   Each of the cell controllers CC in the second hierarchy is mainly in charge of substrate transport management and processing unit operation management in the corresponding cell. Specifically, for example, the cell controller CC of each cell sends the information that the substrate W is placed on a predetermined substrate placement unit to the cell controller CC of the adjacent cell, and the cell of the cell that has received the substrate W. The controller CC performs transmission / reception of information that information indicating that the substrate W has been received from the substrate platform is returned to the cell controller CC of the original cell. Such transmission / reception of information is performed via the main controller MC. When each cell controller CC receives information that the substrate W has been loaded into the cell, each cell controller CC controls the transfer robot according to the flow recipe received from the main controller MC to transfer the substrate W in the cell.

第３階層のスレーブコントローラＳＣそれぞれは、セルコントローラＣＣの指示の下で、メインコントローラＭＣから受け取ったフローレシピと処理ユニットレシピとに基づいて、セル内に配置された処理ユニットを直接制御する。具体的には、熱処理ユニット（ホットプレート、冷却処理ユニット、加熱部等）を制御する場合にはプレート温度等を制御し、塗布処理ユニットや現像処理ユニットを制御する場合には基板Ｗの回転数や処理液の吐出タイミング等を制御する。また、各スレーブコントローラＳＣは、自身が属するセル内の搬送ロボットと通信を行う。例えば、スレーブコントローラＳＣと搬送ロボットとの間では、各処理ユニットへの基板入れ替えが可能かどうかの情報のやりとりを行う。なお、この内容の詳細については後述する。   Each slave controller SC in the third hierarchy directly controls the processing units arranged in the cell based on the flow recipe and the processing unit recipe received from the main controller MC under the instruction of the cell controller CC. Specifically, the plate temperature is controlled when controlling the heat treatment unit (hot plate, cooling processing unit, heating unit, etc.), and the rotation speed of the substrate W when controlling the coating processing unit and the development processing unit. And the discharge timing of the processing liquid are controlled. Each slave controller SC communicates with the transfer robot in the cell to which it belongs. For example, information is exchanged between the slave controller SC and the transfer robot as to whether or not a substrate can be replaced with each processing unit. Details of this content will be described later.

このように本実施形態では、３階層の制御階層とすることによって各コントローラの制御負荷を軽減している。また、各セルコントローラＣＣは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれのセル内だけの基板搬送スケジュールを管理しているため、各セルコントローラＣＣの搬送制御の負担が軽くなる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができる。   As described above, in this embodiment, the control load of each controller is reduced by adopting a three-level control hierarchy. In addition, each cell controller CC manages the substrate transfer schedule only in each cell without considering the transfer schedule in the adjacent cell, so the burden of transfer control on each cell controller CC is reduced. . As a result, the throughput of the substrate processing apparatus can be improved.

なお、セルコントローラＣＣおよびスレーブコントローラＳＣのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵや、動作プログラムやデータなどを記憶するメモリ等を備えている。また、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ及びスレーブコントローラＳＣは、上述の各ブロックとともに装置フレームに組み付けられる。   Note that the hardware configuration of the cell controller CC and the slave controller SC is the same as that of a general computer. That is, each controller includes a CPU that performs various arithmetic processes, a memory that stores operation programs, data, and the like. Further, the main controller MC, the cell controller CC, and the slave controller SC are assembled in the device frame together with the above-described blocks.

次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。まず、すべての処理ブロックを使用した場合の基板処理装置における基板Ｗの搬送手順の一例について簡単に説明する。なお以下の例では、バークセルにおいて基板Ｗに対する密着強化処理は行われていない。   Next, the operation of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. First, an example of a procedure for transporting the substrate W in the substrate processing apparatus when all the processing blocks are used will be briefly described. In the following example, the adhesion strengthening process for the substrate W is not performed in the bark cell.

まず、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に基板Ｗが無い場合、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構７は所定のカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、下側の基板仮置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、基板移載機構７は、その処理済の基板Ｗを受け取って、所定のカセットＣに当該基板Ｗを収納する。   First, when there is no substrate W in the upper substrate platform PASS1, the substrate transfer mechanism 7 of the indexer cell (indexer block 1) takes out the unprocessed substrate W from the predetermined cassette C, and the upper substrate platform PASS1. Placed on. When the processed substrate W is placed on the lower substrate temporary placement unit PASS2, the substrate transfer mechanism 7 receives the processed substrate W and places the substrate W in the predetermined cassette C. Store.

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に基板Ｗがなくなると、基板移載機構７は、所定のカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、下側の基板仮置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、基板移載機構７は、その処理済の基板Ｗを受け取って、所定のカセットＣに当該基板Ｗを収納する。以後、同様の動作を繰り返して行う。   When there is no more substrate W in the upper substrate platform PASS1, the substrate transfer mechanism 7 takes out the unprocessed substrate W from the predetermined cassette C and places it on the substrate platform PASS1. When the processed substrate W is placed on the lower substrate temporary placement unit PASS2, the substrate transfer mechanism 7 receives the processed substrate W and places the substrate W in the predetermined cassette C. Store. Thereafter, the same operation is repeated.

基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボット１０Ａは保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには処理済みの基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。   When an unprocessed substrate W is placed on the substrate platform PASS1, the transfer robot 10A of the bark cell receives the substrate W using the holding arm 10b. At this time, since the processed substrate W is held on the holding arm 10b, the transfer robot 10A receives the processed substrate W before receiving the substrate W placed on the substrate platform PASS1. Place on the lower substrate platform PASS2. At this time, the substrate W is not held by the holding arm 10a.

搬送ロボット１０Ａは未処理の基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送する。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度に設定され、おおよそ、搬送ロボット１０Ａが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度に維持されている。   When the transfer robot 10A receives the unprocessed substrate W, the transfer robot 10A transfers the substrate W to one of the cooling processing units CP1 to CP3. At this time, since the substrate W processed in advance is contained in the cooling processing unit of the transfer destination, the transfer robot 10A receives the processed substrate W with the empty holding arm 10a and then holds the holding arm 10b. The upper substrate W is carried into the cooling processing unit. The substrate W carried into one of the cooling processing units CP1 to CP3 is set to a predetermined temperature near normal temperature, and is roughly maintained at the predetermined temperature until the transport robot 10A next comes to the cooling processing unit. Yes.

保持アーム１０ａ上の温度維持処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａによって塗布処理ユニット８ａ〜８ｃのいずれかに搬送される。このとき、搬送先の塗布処理ユニットには、先行で反射防止用の塗布液の塗布処理が行われた基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを塗布処理ユニットに搬入する。塗布処理ユニット８ａ〜８ｃのいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ａが次にその塗布処理ユニットに来るまでの間に、反射防止用の塗布液が回転塗布される。   The substrate W on which the temperature maintaining process on the holding arm 10a has been performed is transferred to one of the coating processing units 8a to 8c by the transfer robot 10A. At this time, since the substrate W on which the antireflection coating liquid has been previously applied is contained in the application processing unit at the transfer destination, the transfer robot 10A is processed by the empty holding arm 10b. After receiving the substrate W, the substrate W on the holding arm 10a is carried into the coating processing unit. On the substrate W carried into any of the coating processing units 8a to 8c, the antireflection coating liquid is rotationally applied before the transport robot 10A comes to the coating processing unit next time.

保持アーム１０ｂ上の塗布処理が終了した基板Ｗは搬送ロボット１０ＡによってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。このとき、搬送先のホットプレートには、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗをホットプレートに搬入する。ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬入された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａが次にそのホットプレートに来るまでの間に加熱処理が行われる。そして、ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。   The substrate W on which the coating process on the holding arm 10b has been completed is transferred to one of the hot plates HP1 to HP6 by the transfer robot 10A. At this time, since the substrate W that has been heated in advance is contained in the hot plate at the transfer destination, the transfer robot 10A receives the processed substrate W with the empty holding arm 10a and then holds the holding arm 10b. The upper substrate W is carried into the hot plate. The substrate W carried into one of the hot plates HP1 to HP6 is subjected to heat treatment until the transfer robot 10A next comes to the hot plate. Then, by heating the substrate W with a hot plate, the coating liquid is dried and a base antireflection film is formed on the substrate W.

保持アーム１０ａ上の加熱処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａによって、基板載置部ＰＡＳＳ３，４の下方に設置された２つの水冷式のクールプレートＷＣＰのどちらかに搬送される。このとき、搬送先のクールプレートＷＣＰ上には、先行で冷却されている基板Ｗが載置されているので、搬送ロボット１０Ａは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板ＷをそのクールプレートＷＣＰに載置する。クールプレートＷＣＰに載置された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ａが次にそのクールプレートＷＣＰに来るまで冷却される。   The substrate W that has been subjected to the heat treatment on the holding arm 10a is transported to one of the two water-cooled cool plates WCP installed below the substrate platforms PASS3 and 4 by the transport robot 10A. At this time, since the substrate W cooled in advance is placed on the cool plate WCP of the transfer destination, the transfer robot 10A receives the processed substrate W with the empty holding arm 10b. The substrate W on the holding arm 10a is placed on the cool plate WCP. The substrate W placed on the cool plate WCP is cooled until the transfer robot 10A next comes to the cool plate WCP.

保持アーム１０ｂ上の冷却後の基板Ｗは搬送ロボット１０Ａによって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト塗布セルを介して現像処理セルから送られてきた現象処理済みの基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ｂでその現像処理済みの基板Ｗを受け取る。   The cooled substrate W on the holding arm 10b is placed on the substrate platform PASS3 by the transfer robot 10A. When the substrate W having undergone the phenomenon processing sent from the development processing cell via the resist coating cell is placed on the lower substrate platform PASS4, the development processing is performed by the empty holding arm 10b. A completed substrate W is received.

現像処理済みの基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に向かい、その現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理の基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。その後、同様の動作を繰り返す。   The transport robot 10A that has received the developed substrate W faces the substrate platforms PASS1, PASS2 and places the developed substrate W on the substrate platform PASS2. Then, the untreated substrate W placed on the substrate platform PASS1 is received by the holding arm 10b. Thereafter, the same operation is repeated.

レジスト塗布セルでは、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、搬送ロボット１０Ｂが保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには処理済みの基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。   In the resist coating cell, when the substrate W on which the antireflection film is formed is placed on the substrate platform PASS3, the transfer robot 10B receives the substrate W using the holding arm 10b. At this time, since the processed substrate W is held on the holding arm 10b, the transfer robot 10B removes the processed substrate W before receiving the substrate W placed on the substrate platform PASS3. Place on the lower substrate platform PASS4. At this time, the substrate W is not held by the holding arm 10a.

搬送ロボット１０Ｂは反射防止膜が形成された基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送する。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度に設定され、おおよそ、搬送ロボット１０Ｂが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度に維持されている。   When the transfer robot 10B receives the substrate W on which the antireflection film is formed, the transfer robot 10B transfers the substrate W to one of the cooling processing units CP4 to CP9. At this time, since the substrate W processed in advance is contained in the cooling processing unit of the transfer destination, the transfer robot 10B receives the processed substrate W with the empty holding arm 10a and then holds the holding arm 10b. The upper substrate W is carried into the cooling processing unit. The substrate W carried into one of the cooling processing units CP4 to CP9 is set to a predetermined temperature near room temperature, and is roughly maintained at the predetermined temperature until the next time the transfer robot 10B comes to the cooling processing unit. Yes.

保持アーム１０ａ上の温度維持処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｂによって塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃのいずれかに搬送される。このとき、搬送先の塗布処理ユニットには、先行でレジストの塗布処理が行われた基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを塗布処理ユニットに搬入する。塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃのいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｂが次にその塗布処理ユニットに来るまでの間に、レジストが回転塗布される。   The substrate W on which the temperature maintaining process on the holding arm 10a has been performed is transferred to one of the coating processing units 15a to 15c by the transfer robot 10B. At this time, since the substrate W on which the resist coating process has been performed in advance is contained in the coating processing unit at the transport destination, the transport robot 10B receives the processed substrate W by the empty holding arm 10b. Then, the substrate W on the holding arm 10a is carried into the coating processing unit. The resist is spin-coated on the substrate W carried into any of the coating processing units 15a to 15c until the transport robot 10B next comes to the coating processing unit.

なお、塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃに搬送される基板Ｗの温度は、冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９で所定温度に高精度で維持されていたため、塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃ内での基板間の基板温度のばらつきは小さい。従って、精密な基板温調が要求されるレジスト塗布処理での塗布性能を向上させることができる。   In addition, since the temperature of the substrate W transported to the coating processing units 15a to 15c was maintained at a predetermined temperature with high accuracy in the cooling processing units CP4 to CP9, the substrate temperature between the substrates in the coating processing units 15a to 15c. Variation is small. Therefore, it is possible to improve the coating performance in the resist coating process that requires precise substrate temperature control.

保持アーム１０ｂ上のレジスト塗布処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｂによって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。このとき、搬送先の加熱部の基板仮置部１９には、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを加熱部の基板仮置部１９に搬入する。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｂが次にその加熱部に来るまでの間に加熱処理が行われる。そして、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、フォトレジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。なおこの例では、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出される基板Ｗは、冷却機能付きの保持アーム２４で大まかに冷却されている。   The substrate W on which the resist coating process has been performed on the holding arm 10b is transferred to one of the heating units PHP1 to PHP6 by the transfer robot 10B. At this time, the substrate temporary placement unit 19 of the heating unit of the transfer destination contains the substrate W that has been heat-treated in advance, so the transfer robot 10B receives the processed substrate W by the empty holding arm 10a. Then, the substrate W on the holding arm 10b is carried into the substrate temporary placement unit 19 of the heating unit. The substrate W carried into any one of the heating parts PHP1 to PHP6 is subjected to a heat treatment until the transport robot 10B next comes to the heating part. Then, the substrate W is subjected to heat treatment by the heating units PHP1 to PHP6, whereby the solvent component in the photoresist is removed and a resist film is formed on the substrate W. In this example, the substrate W taken out from the heating units PHP1 to PHP6 is roughly cooled by the holding arm 24 with a cooling function.

保持アーム１０ａ上の加熱処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｂによって、冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のうち、先程使用された冷却処理ユニットとは別の冷却処理ユニットに搬送される。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｂは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度にまで冷却され、おおよそ、搬送ロボット１０Ｂが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度で維持されている。   The substrate W that has been subjected to the heat treatment on the holding arm 10a is transported by the transport robot 10B to a cooling processing unit that is different from the cooling processing unit used previously among the cooling processing units CP4 to CP9. At this time, since the substrate W processed in advance is contained in the cooling processing unit of the transfer destination, the transfer robot 10B receives the processed substrate W by the empty holding arm 10b and then holds the holding arm 10a. The upper substrate W is carried into the cooling processing unit. The substrate W carried into the cooling processing unit is cooled to a predetermined temperature near room temperature, and is approximately maintained at the predetermined temperature with high accuracy until the transfer robot 10B next comes to the cooling processing unit.

保持アーム１０ｂ上の冷却後の基板Ｗは搬送ロボット１０Ｂによって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に現象処理済みの基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ｂでその現像処理済みの基板Ｗを受け取る。   The cooled substrate W on the holding arm 10b is placed on the substrate platform PASS5 by the transport robot 10B. When the phenomenon-processed substrate W is placed on the lower substrate platform PASS6, the development-processed substrate W is received by the empty holding arm 10b.

現像処理済みの基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に向かい、その現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれている、反射防止膜が形成されている基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。その後、同様の動作を繰り返す。   The transport robot 10B that has received the developed substrate W faces the substrate platforms PASS3 and PASS4 and places the developed substrate W on the substrate platform PASS4. Then, the holding arm 10b receives the substrate W placed on the substrate platform PASS3 and having the antireflection film formed thereon. Thereafter, the same operation is repeated.

現像処理セルでは、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、搬送ロボット１０Ｃが保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには処理済みの基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ｃは、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。   In the development processing cell, when the substrate W on which the resist film is formed is placed on the substrate platform PASS5, the transfer robot 10C receives the substrate W using the holding arm 10b. At this time, since the processed substrate W is held by the holding arm 10b, the transfer robot 10C removes the processed substrate W before receiving the substrate W placed on the substrate platform PASS5. Place on the lower substrate platform PASS6. At this time, the substrate W is not held by the holding arm 10a.

搬送ロボット１０Ｃはレジスト膜が形成された基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗをそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に、露光後の加熱処理が行われた基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ｂでその基板Ｗを受け取る。   When the transfer robot 10C receives the substrate W on which the resist film is formed, the transfer robot 10C places the substrate W on the substrate platform PASS7 as it is. When the substrate W that has been subjected to the heat treatment after exposure is placed on the lower substrate platform PASS8, the substrate W is received by the empty holding arm 10b.

搬送ロボット１０Ｃは露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬送する。このとき、搬送先の冷却処理ユニットには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する。冷却処理ユニットＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬入された基板Ｗは常温付近の所定温度に設定され、おおよそ、搬送ロボット１０Ｃが次にその冷却処理ユニットに来るまで当該所定温度に高精度に維持されている。   When the transfer robot 10C receives the substrate W that has been subjected to the heat treatment after exposure, the transfer robot 10C transfers the substrate W to one of the cooling processing units CP10 to CP12. At this time, since the substrate W processed in advance is contained in the cooling processing unit at the transfer destination, the transfer robot 10C receives the processed substrate W with the empty holding arm 10a and then holds the holding arm 10b. The upper substrate W is carried into the cooling processing unit. The substrate W carried into one of the cooling processing units CP10 to CP12 is set to a predetermined temperature near room temperature, and is approximately maintained at the predetermined temperature with high accuracy until the transfer robot 10C next comes to the cooling processing unit. Yes.

保持アーム１０ａ上の温度維持処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃによって現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅのいずれかに搬送される。このとき、搬送先の現像処理ユニットには、先行で現像処理が行われた基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを現像処理ユニットに搬入する。現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅのいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｃが次にその現像処理ユニットに来るまでの間に、現像処理が行われる。   The substrate W on which the temperature maintaining process on the holding arm 10a has been performed is transported to one of the development processing units 30a to 30e by the transport robot 10C. At this time, since the development processing unit at the transport destination contains the substrate W that has been subjected to the development process in advance, the transport robot 10C receives the processed substrate W by the empty holding arm 10b, The substrate W on the holding arm 10a is carried into the development processing unit. The substrate W carried into any of the development processing units 30a to 30e is subjected to development processing until the transport robot 10C comes to the next development processing unit.

保持アーム１０ｂ上の現像処理が終了した基板Ｗは搬送ロボット１０ＣによってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送される。このとき、搬送先のホットプレートには、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗをホットプレートに搬入する。ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬入された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃが次にそのホットプレートに来るまでの間に加熱処理が行われる。   The substrate W on which the development processing on the holding arm 10b has been completed is transferred to one of the hot plates HP7 to HP11 by the transfer robot 10C. At this time, since the substrate W that has been heated in advance is contained in the hot plate of the transfer destination, the transfer robot 10C receives the processed substrate W with the empty holding arm 10a and then holds the holding arm 10b. The upper substrate W is carried into the hot plate. The substrate W carried into any of the hot plates HP7 to HP11 is subjected to heat treatment until the transfer robot 10C next comes to the hot plate.

保持アーム１０ａ上の加熱処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃによって、基板載置部ＰＡＳＳ５，６の下方に設置された２つの水冷式のクールプレートＷＣＰのどちらかに搬送される。このとき、搬送先のクールプレートＷＣＰ上には、先行で冷却されている基板Ｗが載置されているので、搬送ロボット１０Ｃは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板ＷをそのクールプレートＷＣＰに載置する。クールプレートＷＣＰに載置された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｃが次にそのクールプレートＷＣＰに来るまで冷却される。   The substrate W that has been subjected to the heat treatment on the holding arm 10a is transported to one of the two water-cooled cool plates WCP installed below the substrate platforms PASS5 and 6 by the transport robot 10C. At this time, since the substrate W cooled in advance is placed on the cool plate WCP as the transfer destination, the transfer robot 10C receives the processed substrate W with the empty holding arm 10b. The substrate W on the holding arm 10a is placed on the cool plate WCP. The substrate W placed on the cool plate WCP is cooled until the transfer robot 10C next comes to the cool plate WCP.

冷却後の基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ｃは、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に向かい、その冷却後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ５に置かれている、レジスト膜形成後の基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。その後、同様の動作を繰り返す。   The transfer robot 10C that has received the cooled substrate W goes to the substrate platforms PASS5 and PASS6, and places the cooled substrate W on the substrate platform PASS6. Then, the substrate W after the resist film is formed, which is placed on the substrate platform PASS5, is received by the holding arm 10b. Thereafter, the same operation is repeated.

露光後ベークセルでは、レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されると、搬送ロボット１０Ｄが保持アーム１０ｂを使用してその基板Ｗを受け取る。このとき、保持アーム１０ｂには、露光後の加熱処理が行われた基板Ｗが保持されているため、搬送ロボット１０Ｄは、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されている基板Ｗを受け取る前に、この処理済の基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。なおこのとき、保持アーム１０ａでは基板Ｗは保持されていない。   In the post-exposure bake cell, when the substrate W on which the resist film is formed is placed on the substrate platform PASS7, the transfer robot 10D receives the substrate W using the holding arm 10b. At this time, since the holding arm 10b holds the substrate W that has been subjected to the heat treatment after exposure, the transfer robot 10D receives the substrate W placed on the substrate platform PASS7 before receiving the substrate W. The processed substrate W is placed on the lower substrate platform PASS8. At this time, the substrate W is not held by the holding arm 10a.

搬送ロボット１０Ｄはレジスト膜が形成された基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このとき、搬送先のエッジ露光部ＥＥＷには、先行で処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｄは、空の保持アーム１０ａでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ｂ上の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷに搬入された基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｄが次にそのエッジ露光部ＥＥＷに来るまでの間に、その周縁部が露光される。   When the transfer robot 10D receives the substrate W on which the resist film is formed, the transfer robot 10D carries the substrate W into the edge exposure unit EEW. At this time, since the substrate W that has been processed in advance is contained in the edge exposure unit EEW of the transfer destination, the transfer robot 10D receives the processed substrate W by the empty holding arm 10a and then holds the holding arm. The substrate W on 10b is carried into the edge exposure unit EEW. The peripheral edge of the substrate W carried into the edge exposure unit EEW is exposed before the transport robot 10D comes to the edge exposure unit EEW next time.

保持アーム１０ａ上のエッジ露光処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｄによって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０に、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗが置かれていると、空になった保持アーム１０ａでその露光処理済みの基板Ｗを受け取る。   The substrate W on which the edge exposure processing on the holding arm 10a has been completed is placed on the substrate platform PASS9 by the transfer robot 10D. When the substrate W exposed by the exposure apparatus STP is placed on the lower substrate platform PASS10, the exposed substrate W is received by the empty holding arm 10a.

保持アーム１０ａ上の露光処理済みの基板Ｗは、搬送ロボット１０Ｄによって、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送される。このとき、搬送先の加熱部には、先行で加熱処理された基板Ｗが入っているので、搬送ロボット１０Ｄは、空の保持アーム１０ｂでその処理済の基板Ｗを受け取ってから、保持アーム１０ａ上の基板Ｗを加熱部に搬入する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬入された基板Ｗには、搬送ロボット１０Ｄが次にその加熱部に来るまでの間に、露光時の光化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内に均一に拡散させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。なお、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出される基板Ｗは、冷却機能付きの保持アーム２４で大まかに冷却されている。   The exposed substrate W on the holding arm 10a is transported to one of the heating units PHP7 to PHP12 by the transport robot 10D. At this time, since the substrate W that has been heated in advance is contained in the heating unit at the transfer destination, the transfer robot 10D receives the processed substrate W with the empty holding arm 10b and then holds the holding arm 10a. The upper substrate W is carried into the heating unit. On the substrate W carried into any one of the heating parts PHP7 to PHP12, the product generated by the photochemical reaction at the time of exposure is uniformly introduced into the resist film until the transfer robot 10D next comes to the heating part. A heat treatment (Post Exposure Bake) for diffusion is performed. The substrate W taken out from the heating units PHP7 to PHP12 is roughly cooled by the holding arm 24 with a cooling function.

露光後の加熱処理が行われた基板Ｗを受け取った搬送ロボット１０Ｄは、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に向かい、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に置かれている、レジスト膜が形成された基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。その後、同様の動作を繰り返す。   The transfer robot 10D that has received the substrate W that has been subjected to the heat treatment after exposure goes to the substrate platforms PASS7 and PASS8 and places the substrate W on the substrate platform PASS8. Then, the substrate W on which the resist film is formed, which is placed on the substrate platform PASS7, is received by the holding arm 10b. Thereafter, the same operation is repeated.

インターフェイスセルでは、エッジ露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に載置されると、搬送機構３５はその基板Ｗを受け取って、装置外の露光装置ＳＴＰに当該基板Ｗを搬入する。露光装置ＳＴＰに搬入された基板Ｗはパターン露光処理に供される。また、搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取ってその基板を基板載置部ＰＡＳＳ１０に載せて、基板載置部ＰＡＳＳ９上の基板Ｗを受け取る。その後、同様の動作を繰り返す。   In the interface cell, when the substrate W after the edge exposure is placed on the substrate platform PASS9, the transport mechanism 35 receives the substrate W and carries the substrate W into the exposure apparatus STP outside the apparatus. The substrate W carried into the exposure apparatus STP is subjected to pattern exposure processing. Further, the transport mechanism 35 receives the exposed substrate W from the exposure apparatus STP, places the substrate on the substrate platform PASS10, and receives the substrate W on the substrate platform PASS9. Thereafter, the same operation is repeated.

以上のように、カセットＣから順次取り出された基板Ｗは、基板載置部や処理ユニット等の基板Ｗの搬送対象部に順次搬送され、搬送対象部に搬送された基板Ｗは、搬送ロボットによって順次そこから搬出される。また各処理ユニットにおいては、搬送されてくる基板Ｗは順次入れ替えられて所定の処理が実行される。そして、一連の処理が実行された基板Ｗはインデクサに戻り再度カセットＣ内に収納される。なお、各セルでの搬送対象部への基板Ｗの搬送は、対応するセルコントローラＣＣが搬送ロボットを制御して行われる。そして、基板Ｗを受け取った処理ユニットは、スレーブコントローラＳＣの制御下で所定の処理を行う。   As described above, the substrates W sequentially taken out from the cassette C are sequentially transferred to the transfer target portion of the substrate W such as the substrate placement unit and the processing unit, and the substrate W transferred to the transfer target portion is transferred by the transfer robot. It is sequentially carried out from there. In each processing unit, the transferred substrates W are sequentially replaced and a predetermined process is executed. Then, the substrate W that has undergone a series of processing returns to the indexer and is stored in the cassette C again. The transfer of the substrate W to the transfer target portion in each cell is performed by the corresponding cell controller CC controlling the transfer robot. Then, the processing unit that has received the substrate W performs a predetermined process under the control of the slave controller SC.

上記例では、温度維持処理を冷却処理ユニットで行っていたが、加熱部を使用して行っても良い。つまり、基板Ｗを冷却処理ユニットに搬入する代わりに、加熱部の基板仮置部１９に載置し、基板仮置部１９内で、その基板Ｗを保持アーム２４で保持することによって、基板Ｗの温度を常温付近の所定温度に設定して維持しても良い。   In the above example, the temperature maintaining process is performed by the cooling processing unit, but it may be performed using a heating unit. That is, instead of carrying the substrate W into the cooling processing unit, the substrate W is placed on the temporary substrate placement unit 19 of the heating unit, and the substrate W is held by the holding arm 24 in the temporary substrate placement unit 19. The temperature may be maintained at a predetermined temperature near room temperature.

本実施形態の基板処理装置では、冷却処理ユニットや加熱部で行われる上述の温度維持処理は、開始から一定時間の経過で終了するのではなく、冷却処理ユニットや加熱部での基板の入れ替えを予告通知する信号（以後、「基板入れ替え予告信号」と呼ぶ）でもって終了する。この基板入れ替え予告信号は各セルコントローラＣＣから、それに対応するセル内のスレーブコントローラＳＣに通知されて、スレーブコントローラＳＣがこの信号に基づいて冷却処理ユニットや加熱部を制御する。以下に、この基板入れ替え予告信号について詳細に説明する。   In the substrate processing apparatus of the present embodiment, the above-described temperature maintenance process performed in the cooling processing unit or the heating unit does not end after a lapse of a certain time from the start, but replaces the substrate in the cooling processing unit or the heating unit. The process ends with a notice signal (hereinafter referred to as a “board replacement notice signal”). The substrate replacement notice signal is notified from each cell controller CC to the slave controller SC in the corresponding cell, and the slave controller SC controls the cooling processing unit and the heating unit based on this signal. The board replacement notice signal will be described in detail below.

図９は、基板入れ替え予告信号によって温度維持処理が終了するまでのセル内での動作を示すフローチャートである。ここでは一例として、レジスト塗布セル内の動作について説明するが、他のセル内の動作も同様である。   FIG. 9 is a flowchart showing the operation in the cell until the temperature maintenance process is completed by the substrate replacement notice signal. Here, as an example, the operation in the resist coating cell will be described, but the operations in other cells are the same.

本実施形態の基板処理装置においては、セル内での搬送ロボットの循環搬送周期は、セル内における処理律速部分での処理所要時間と同じ時間に設定される。例えば、レジスト塗布セル内での処理律速部分が、塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃであって、そこでの処理所要時間が３０秒である場合、搬送ロボット１０Ｂのセル内での循環搬送周期は３０秒に設定される。従ってレジスト塗布セル内では、３０秒間隔で基板搬送が開始されることになる。   In the substrate processing apparatus of the present embodiment, the circulating transfer cycle of the transfer robot in the cell is set to the same time as the required processing time in the processing rate limiting portion in the cell. For example, if the processing rate-limiting portion in the resist coating cell is the coating processing units 15a to 15c and the processing time required there is 30 seconds, the circulating transfer cycle in the cell of the transfer robot 10B is 30 seconds. Is set. Accordingly, in the resist coating cell, the substrate conveyance is started at intervals of 30 seconds.

このように、セル内での搬送ロボットの循環搬送周期を、セル内における処理律速部分での処理所要時間と同じ時間に設定することによって、搬送ロボットは、各処理ユニットに対して時間的に連続して基板搬送を行うことができ、搬送されてきた基板が処理ユニットの直前で長時間待たされることが無い。なお上記例において、搬送ロボット１０Ｂが入口基板載置部を基準として各処理ユニット及び出口基板載置部を循環搬送するのに要する時間が２０秒である場合には、搬送ロボット１０Ｂは、各処理ユニット及び出口基板載置部に連続して基板搬送を行った後に、入口基板載置部近傍で１０秒間停止することになる。そして搬送ロボット１０Ｂは、停止してから１０秒後に入口基板載置部から基板Ｗを受け取って、次の基板搬送サイクルを開始する。   In this way, by setting the circulation transfer cycle of the transfer robot in the cell to the same time as the processing required time in the process rate-limiting part in the cell, the transfer robot is continuous in time with respect to each processing unit. Thus, the substrate can be transported, and the transported substrate does not wait for a long time just before the processing unit. In the above example, when the time required for the transfer robot 10B to circulate and transfer each processing unit and the exit substrate mounting unit with respect to the entrance substrate mounting unit is 20 seconds, the transfer robot 10B After the substrate is continuously transferred to the unit and the exit substrate mounting portion, it is stopped for 10 seconds near the entrance substrate mounting portion. Then, the transfer robot 10B receives the substrate W from the entrance substrate placement unit 10 seconds after the stop, and starts the next substrate transfer cycle.

また、本実施形態の基板処理装置では、冷却処理ユニットや、温度維持処理を行う際の加熱部は処理律速部分とならないように構成されている。従って、例えば一つの処理ユニットだけを使用して温度維持処理を行うだけでは、冷却処理ユニットや加熱部が処理律速部分となる場合には、複数の同種の処理ユニットを用いて並行処理を行うことによって、冷却処理ユニットや加熱部が処理律速部分とならようにしている。   Further, in the substrate processing apparatus of the present embodiment, the cooling processing unit and the heating unit when performing the temperature maintenance process are configured not to be a process rate limiting part. Therefore, for example, when the temperature maintenance process is performed using only one processing unit, and the cooling processing unit and the heating unit become the process rate limiting part, the parallel processing is performed using a plurality of similar processing units. Therefore, the cooling processing unit and the heating unit are made to be a processing rate-limiting part.

図９に示されるフローチャートは、このように構成された基板処理装置において、搬送ロボット１０Ｂが加熱部及び冷却処理ユニットへの基板搬送をこの順で連続して行う場合のフローチャートである。   The flowchart shown in FIG. 9 is a flowchart in the case where the transport robot 10B continuously transports the substrate to the heating unit and the cooling processing unit in this order in the substrate processing apparatus configured as described above.

図９に示されるように、基板Ｗを搭載した搬送ロボット１０Ｂは、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれか一つの前に来ると（ステップｓ１）、スレーブコントローラＳＣと赤外線通信等を利用して通信を行う（ステップｓ２）。ここでは、搬送ロボット１０Ｂは、それ自身が搬送してきた基板Ｗと、加熱部内の基板Ｗとの入れ替えが可能かどうかを、各処理ユニットを制御しているスレーブコントローラＳＣに確認し、スレーブコントローラＳＣは、加熱部での基板の入れ替えが可能であるか否かの情報を搬送ロボット１０Ｂに通知する。   As shown in FIG. 9, when the transfer robot 10B on which the substrate W is mounted comes in front of any one of the heating units PHP1 to PHP6 (step s1), it communicates with the slave controller SC using infrared communication or the like. Perform (step s2). Here, the transfer robot 10B checks with the slave controller SC that controls each processing unit whether or not the substrate W that has been transferred by itself and the substrate W in the heating unit can be exchanged, and the slave controller SC. Notifies the transfer robot 10B of information on whether or not the substrate can be replaced in the heating unit.

搬送ロボット１０Ｂは、スレーブコントローラＳＣから加熱部での基板の入れ替えが可能である旨の情報を受け取ると（ステップｓ３）、搬送してきた基板Ｗと、加熱部内の処理済の基板Ｗとを入れ替えるとともに、加熱部での基板Ｗの入れ替えを行う旨の情報をセルコントローラＣＣに通知する（ステップｓ４）。   When the transfer robot 10B receives information from the slave controller SC that the substrate can be replaced in the heating unit (step s3), the transfer robot 10B replaces the transferred substrate W and the processed substrate W in the heating unit. Then, the cell controller CC is notified of information to replace the substrate W in the heating unit (step s4).

セルコントローラＣＣは、冷却処理ユニットの前段に設けられた加熱部での基板Ｗの入れ替えが行われる旨の情報を受け取ると、スレーブコントローラＳＣに基板入れ替え予告信号を出力する（ステップｓ５）。つまりセルコントローラＣＣは、冷却処理ユニットで後に処理される基板Ｗが前段の加熱部から搬出されるのを確認して基板入れ替え予告信号を出力している。スレーブコントローラＳＣは、メインコントローラＭＣからセルコントローラＣＣを介して受け取ったフローレシピから、加熱部から取り出された基板Ｗの搬送先を認識しているため、基板入れ替え予告信号を受け取ると、冷却処理ユニットＣＰ４〜ＣＰ９のうち、搬送先となる冷却処理ユニットで行われている温度維持処理を終了させる（ステップｓ６）。具体的には、搬送先の冷却処理ユニットの各可動支持ピン４１を上昇させてプレート４０と基板Ｗとを離間する。そして、温度維持処理が終了した基板Ｗは、加熱部から搬送されてきた基板Ｗと搬送ロボット１０Ｂにより入れ替えられる。   When the cell controller CC receives information that the replacement of the substrate W is performed in the heating unit provided in the previous stage of the cooling processing unit, the cell controller CC outputs a substrate replacement notice signal to the slave controller SC (step s5). That is, the cell controller CC confirms that the substrate W to be processed later in the cooling processing unit is unloaded from the preceding heating unit, and outputs a substrate replacement notice signal. The slave controller SC recognizes the transfer destination of the substrate W taken out from the heating unit from the flow recipe received from the main controller MC via the cell controller CC. Among CP4 to CP9, the temperature maintenance process performed in the cooling processing unit as the transfer destination is terminated (step s6). Specifically, each movable support pin 41 of the cooling processing unit at the transport destination is raised to separate the plate 40 and the substrate W from each other. Then, the substrate W that has been subjected to the temperature maintenance process is replaced with the substrate W transported from the heating unit by the transport robot 10B.

なお本実施形態の基板処理装置においては、搬送ロボットによる搬送対象部の間での基板搬送時間は約４秒であるため、スレーブコントローラＳＣには、冷却処理ユニットに基板Ｗが実際に搬送される約４秒前に基板入れ替え予告信号が入力される。そして冷却処理ユニットにおいては、この約４秒の間に、可動支持ピン４１が上昇して基板Ｗとプレート４０とが離間するため、加熱部から搬送されてきた基板Ｗを、処理済の基板Ｗとすみやかに入れ替えることができる。   In the substrate processing apparatus of this embodiment, since the substrate transfer time between the transfer target portions by the transfer robot is about 4 seconds, the substrate W is actually transferred to the cooling processing unit by the slave controller SC. A board replacement notice signal is input about 4 seconds ago. In the cooling processing unit, the movable support pin 41 rises and the substrate W and the plate 40 are separated from each other in about 4 seconds, so that the substrate W transported from the heating unit is treated as the processed substrate W. It can be quickly replaced.

一方搬送ロボット１０Ｂは、スレーブコントローラＳＣから、加熱部での基板の入れ替えが不可能である旨の情報を受け取ると（ステップｓ３）、加熱部での基板入れ替えを行わず、セルコントローラＣＣに何も通知しない。セルコントローラＣＣは、搬送ロボット１０Ｂから、加熱部での基板Ｗの入れ替えが行われる旨の情報を受け取らない限り、スレーブコントローラＳＣに基板入れ替え予告信号を出力しないため、冷却処理ユニットでの温度維持処理は継続される。   On the other hand, when the transfer robot 10B receives information from the slave controller SC that it is impossible to replace the substrate in the heating unit (step s3), the transfer robot 10B does not replace the substrate in the heating unit and does nothing to the cell controller CC. Do not notify. Since the cell controller CC does not output a substrate replacement notice signal to the slave controller SC unless it receives information from the transfer robot 10B that the substrate W is replaced in the heating unit, the temperature maintenance process in the cooling processing unit is not performed. Will continue.

そして、搬送ロボット１０Ｂは、再度スレーブコントローラＳＣと通信を行い（ステップｓ２）、加熱部での基板の入れ替えが可能である旨の情報を受け取ると（ステップｓ３）、搬送されてきた基板Ｗと、加熱部内の処理済の基板Ｗとを入れ替えるとともに、加熱部での基板Ｗの入れ替えを行う旨の情報をセルコントローラＣＣに通知する（ステップｓ４）。セルコントローラＣＣは、その情報を受け取ると、スレーブコントローラＳＣに基板入れ替え予告信号を出力して（ステップｓ５）、スレーブコントローラＳＣは搬送先の冷却処理ユニットで行われている温度維持処理を終了させる（ステップｓ６）。   Then, the transfer robot 10B communicates with the slave controller SC again (step s2), and receives information indicating that the substrate can be replaced in the heating unit (step s3). While replacing the processed substrate W in the heating unit, the cell controller CC is notified of information to replace the substrate W in the heating unit (step s4). Upon receipt of the information, the cell controller CC outputs a substrate replacement notice signal to the slave controller SC (step s5), and the slave controller SC ends the temperature maintenance process performed in the cooling processing unit at the transport destination ( Step s6).

このように、本実施形態の基板処理装置では、セルコントローラＣＣは、前段の処理ユニットから基板Ｗが確実に搬出されるのを確認して基板入れ替え予告信号を出力している。言い換えれば、セルコントローラＣＣは、セル内での基板搬送状況に基づいて基板入れ替え予告信号を出力している。そして、スレーブコントローラＣＣは、冷却処理ユニットでの処理開始から一定時間経過後にそこでの温度維持処理を終了させるのではなく、セルコントローラＣＣから基板入れ替え予告信号を受け取ると温度維持処理を終了させている。   As described above, in the substrate processing apparatus of the present embodiment, the cell controller CC confirms that the substrate W is reliably unloaded from the previous processing unit and outputs the substrate replacement notice signal. In other words, the cell controller CC outputs a substrate replacement notice signal based on the substrate transport status in the cell. Then, the slave controller CC does not end the temperature maintenance process after a certain time has elapsed since the start of the process in the cooling processing unit, but ends the temperature maintenance process when receiving a substrate replacement notice signal from the cell controller CC. .

上述の動作例では、基板処理フロー中に、冷却処理ユニットの前段に他の処理ユニットが存在する場合について説明したが、冷却処理ユニットの前段に入口基板載置部が存在する場合、つまり、入口基板載置部に置かれた基板Ｗが、まず冷却処理ユニットで処理される場合であっても、同様に、基板入れ替え予告信号でもって温度維持処理が終了する。以下にこの場合のセル内の動作について説明する。   In the above-described operation example, the case where another processing unit is present in the previous stage of the cooling processing unit in the substrate processing flow has been described. However, in the case where the entrance substrate placement unit is present in the previous stage of the cooling processing unit, that is, the entrance Even in the case where the substrate W placed on the substrate platform is first processed by the cooling processing unit, similarly, the temperature maintenance processing is terminated by the substrate replacement notice signal. The operation in the cell in this case will be described below.

図１０は、入口基板載置部から取り出された基板Ｗが、まず冷却処理ユニットで処理される場合のセル内での動作について示すフローチャートである。図１０に示されるように、入口基板載置部から基板Ｗを取り出すことが可能である場合（ステップｓ１１）、搬送ロボットは、入口基板載置部から基板Ｗを取り出すとともに、セルコントローラＣＣに基板Ｗを取り出す旨の情報を通知する（ステップｓ１２）。セルコントローラＣＣは、その情報を受け取ると、スレーブコントローラＳＣに基板入れ替え予告信号を出力する（ステップｓ１３）。そしてスレーブコントローラＳＣは、フローレシピから、入口基板載置部から取り出された基板Ｗの搬送先の冷却処理ユニットを認識しているため、基板入れ替え予告信号を受け取ると、その搬送先の冷却処理ユニットで行われている温度維持処理を終了させる（ステップｓ１４）。そして冷却処理ユニットでは、搬送ロボットによって、入口基板載置部から搬出された基板Ｗと温度維持処理が終了した基板Ｗとが入れ替えられる。   FIG. 10 is a flowchart showing the operation in the cell when the substrate W taken out from the entrance substrate platform is first processed by the cooling processing unit. As shown in FIG. 10, when the substrate W can be taken out from the entrance substrate placement unit (step s11), the transfer robot takes out the substrate W from the entrance substrate placement unit and sends the substrate to the cell controller CC. Information indicating that W is to be extracted is notified (step s12). Upon receiving the information, the cell controller CC outputs a substrate replacement notice signal to the slave controller SC (step s13). And since the slave controller SC recognizes the cooling processing unit of the transfer destination of the substrate W taken out from the entrance substrate mounting portion from the flow recipe, when receiving the substrate replacement notice signal, the cooling processing unit of the transfer destination In step s14, the temperature maintenance process performed in step S14 is terminated. In the cooling processing unit, the substrate W carried out of the entrance substrate placement unit and the substrate W for which the temperature maintenance process has been completed are exchanged by the transfer robot.

一方、入口載置部に基板Ｗが置かれていない等によって、入口基板載置部からの基板取り出しが不可能である場合（ステップｓ１１）、搬送ロボットはセルコントローラＣＣには何も出力しない。セルコントローラＣＣは、基板Ｗが取り出される旨の情報を受け取らない限り基板入れ替え予告信号を出力しないため、スレーブコントローラＳＣには基板入れ替え予告信号は入力されない。従って、入口基板載置部から実際に基板が搬出されない場合には、冷却処理ユニットでの温度維持処理は終了しない。   On the other hand, when it is impossible to take out the substrate from the entrance substrate placement part because the substrate W is not placed on the entrance placement part (step s11), the transfer robot does not output anything to the cell controller CC. Since the cell controller CC does not output a substrate replacement notice signal unless it receives information that the substrate W is taken out, the substrate replacement notice signal is not input to the slave controller SC. Therefore, when the substrate is not actually carried out from the entrance substrate mounting portion, the temperature maintaining process in the cooling processing unit is not completed.

そして、前段のセルの搬送ロボットによって入口基板載置部に基板Ｗが搬送され、入口基板載置部から基板Ｗを取り出すことが可能になると（ステップｓ１１）、搬送ロボットは入口基板載置部から基板Ｗを取り出すとともに、セルコントローラＣＣに基板Ｗを取り出す旨の情報を通知する（ステップｓ１２）。そしてセルコンコントローラＣＣは、スレーブコントローラＳＣに基板入れ替え予告信号を出力して（ステップｓ１３）、スレーブコントローラＳＣが冷却処理ユニットでの温度維持処理を終了させる（ステップｓ１４）。   Then, when the substrate W is transported to the entrance substrate placement unit by the transport robot of the preceding cell and the substrate W can be taken out from the entrance substrate placement unit (step s11), the transport robot moves from the entrance substrate placement unit. While taking out the substrate W, the cell controller CC is notified of information to take out the substrate W (step s12). Then, the cell controller CC outputs a substrate replacement notice signal to the slave controller SC (step s13), and the slave controller SC ends the temperature maintenance process in the cooling processing unit (step s14).

以上のように、本実施形態の基板処理装置では、セルコントローラＣＣとスレーブコントローラＳＣとで構成されるコントローラが、冷却処理ユニットの前段に設けられた搬送対象部（処理ユニットや入口基板載置部など）から、冷却処理ユニットで後に処理される基板Ｗが搬出されるか否かというセル内での基板搬送状況に基づいて、冷却処理ユニットでの温度維持処理の終了を制御している。従って、オペレータは冷却処理ユニットの処理時間を入力する必要がなく、オペレータの操作負担が軽減する。   As described above, in the substrate processing apparatus of the present embodiment, the controller configured by the cell controller CC and the slave controller SC is a transfer target unit (processing unit or entrance substrate mounting unit) provided in the previous stage of the cooling processing unit. From the above, the end of the temperature maintenance process in the cooling processing unit is controlled based on the substrate transport status in the cell, which is whether or not the substrate W to be processed later in the cooling processing unit is unloaded. Therefore, the operator does not need to input the processing time of the cooling processing unit, and the operation burden on the operator is reduced.

また、冷却処理ユニットでの温度維持処理の終了は、セル内での基板搬送状況に基づいて制御されるため、冷却処理ユニットでは、次の処理対象の基板Ｗが実際に搬送されてくる直前まで、ユニット内の基板Ｗに対して温度維持処理を継続することが可能になる。従って、冷却処理ユニットの後段のユニットに対して、基板温度のばらつきが少ない基板を順次引き渡すことができる。その結果、レジスト塗布処理などの精密な基板温調が要求される処理を精度よく行うことができる。   In addition, since the end of the temperature maintenance process in the cooling processing unit is controlled based on the substrate transport status in the cell, the cooling processing unit immediately before the next substrate W to be processed is actually transported. The temperature maintaining process can be continued for the substrate W in the unit. Therefore, substrates with little variation in substrate temperature can be sequentially delivered to the subsequent unit of the cooling processing unit. As a result, processing that requires precise substrate temperature control, such as resist coating, can be performed with high accuracy.

なお、図９のステップｓ３において、加熱部での基板入れ替えが行えない場合の一例として、また図１０のステップｓ１１において、入口基板載置部から基板Ｗの取り出しが行えない場合の他の例としては、装置内にアラームが発生している場合がある。以下に、装置内にアラームが発生した場合の基板処理装置の動作例について図１１を参照して説明する。   As an example of the case where the substrate cannot be replaced by the heating unit in step s3 of FIG. 9, and as another example of the case where the substrate W cannot be taken out from the entrance substrate mounting unit in step s11 of FIG. May have an alarm in the device. Hereinafter, an operation example of the substrate processing apparatus when an alarm occurs in the apparatus will be described with reference to FIG.

図１１は、あるセル内の加熱部でアラームが発生した場合の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。図１１に示されるように、あるセル内の加熱部に設けられたホットプレート２８の実際の温度が、予め設定されている許容範囲、例えば１００℃±０．４℃の範囲外になると（ステップｓ２１）、その加熱部を制御しているスレーブコントローラＳＣは、セルコントローラＣＣを介してメインコントローラＭＣにアラーム信号を出力する（ステップｓ２２）。本実施形態の基板処理装置では、加熱部の加熱室４５内にホットプレート２８の温度を検出する温度センサー（図７に図示せず）が設けられており、この温度センサーで検出された温度は、その加熱部を制御するスレーブコントローラＳＣに通知されるため、スレーブコントローラＳＣは、ホットプレート２８の実際の温度を認識することができ、アラーム信号の出力が可能となる。   FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus when an alarm is generated in a heating unit in a certain cell. As shown in FIG. 11, when the actual temperature of the hot plate 28 provided in the heating unit in a certain cell is outside the preset allowable range, for example, 100 ° C. ± 0.4 ° C. (step s21), the slave controller SC controlling the heating unit outputs an alarm signal to the main controller MC via the cell controller CC (step s22). In the substrate processing apparatus of this embodiment, a temperature sensor (not shown in FIG. 7) for detecting the temperature of the hot plate 28 is provided in the heating chamber 45 of the heating unit, and the temperature detected by this temperature sensor is as follows. Since the slave controller SC that controls the heating unit is notified, the slave controller SC can recognize the actual temperature of the hot plate 28 and can output an alarm signal.

メインコントローラＭＣは、アラーム信号を受け取ると、表示部５２にアラーム情報を表示してオペレータにアラーム発生を通知する。それと同時に、セルコントローラＣＣを制御して、アラームが発生したセル内での基板搬送を停止させる（ステップｓ２３）。オペレータは、表示部５２に表示されたアラーム情報をもとに、アラームが発生した加熱部のホットプレート２８に対して点検・修理等を行い、その後、データ入力部５３を操作してアラームを解除する旨の情報をメインコントローラＭＣに通知する（ステップｓ２４）。メインコントローラＭＣは、その情報を受け取ると、セルコントローラＣＣを制御してアラームが解除されたセル内での基板搬送を再開させる（ステップｓ２５）。   When the main controller MC receives the alarm signal, the main controller MC displays alarm information on the display unit 52 to notify the operator of the occurrence of the alarm. At the same time, the cell controller CC is controlled to stop the substrate transfer in the cell where the alarm has occurred (step s23). Based on the alarm information displayed on the display unit 52, the operator inspects and repairs the hot plate 28 of the heating unit where the alarm has occurred, and then operates the data input unit 53 to cancel the alarm. Information to the effect is notified to the main controller MC (step s24). When the main controller MC receives the information, the main controller MC controls the cell controller CC to resume the substrate transport in the cell from which the alarm is released (step s25).

このように、装置内にアラームが発生した場合には、アラームが発生したセル内での基板搬送が停止し、そのアラーム情報がオペレータに通知される。そして、オペレータがアラームを解除すると、停止していたセル内での基板搬送が再開する。   As described above, when an alarm is generated in the apparatus, the substrate conveyance in the cell in which the alarm is generated is stopped, and the alarm information is notified to the operator. Then, when the operator cancels the alarm, the substrate transport in the stopped cell is resumed.

上述の図９のステップｓ３において、基板入れ替えの対象となっている加熱部や、同一セル内の基板入れ替えの対象となっていない他の加熱部に、上述のようなアラームが発生している場合、スレーブコントローラＳＣは、搬送ロボット１０Ｂに、基板入れ替えが不可能である旨の情報を通知し、その情報を受け取った搬送ロボット１０Ｂは加熱部に対して基板Ｗの入れ替えを行わない。従って、スレーブコントローラＳＣには基板入れ替え予告信号が入力されない。その結果、あるセル内でのアラーム発生中では、そのセルに属する冷却処理ユニットでの温度維持処理は継続される。   In the above-described step s3 in FIG. 9, when an alarm as described above is generated in the heating unit that is the target of substrate replacement or in another heating unit that is not the target of substrate replacement in the same cell. The slave controller SC notifies the transfer robot 10B of information indicating that the substrate cannot be replaced, and the transfer robot 10B that has received the information does not replace the substrate W with respect to the heating unit. Therefore, no board replacement notice signal is input to the slave controller SC. As a result, while an alarm is generated in a certain cell, the temperature maintenance process in the cooling processing unit belonging to that cell is continued.

その後アラームが解除すると、スレーブコントローラＳＣは、加熱部での基板の入れ替えが可能である旨の情報を搬送ロボット１０Ｂに通知する。そして、スレーブコントローラＳＣに基板入れ替え予告信号が入力されて、冷却処理ユニットでの温度維持処理が終了する。   Thereafter, when the alarm is released, the slave controller SC notifies the transfer robot 10B of information that the substrate can be replaced in the heating unit. Then, a substrate replacement notice signal is input to the slave controller SC, and the temperature maintenance process in the cooling processing unit is completed.

また、セル内に上述のようなアラームが発生する場合、そのアラームが発生したセルを制御するセルコントローラＣＣは、搬送ロボットに対して基板搬送を停止する旨の情報を通知するため、上述の図１０のステップｓ１１では、入口基板載置部からの基板Ｗの取り出しが不可能になる。従って、この場合には、入口基板載置部から基板Ｗが取り出されないため、スレーブコントローラＳＣには基板入れ替え予告信号が入力されない。その結果、基板載置部からすぐに冷却処理ユニットに基板Ｗが搬送される場合でも、アラーム発生中では冷却処理ユニットでの温度維持処理は継続される。   Further, when an alarm as described above occurs in a cell, the cell controller CC that controls the cell in which the alarm has occurred notifies the transfer robot of information indicating that the substrate transfer is stopped. In step s11 of 10, it becomes impossible to take out the substrate W from the entrance substrate mounting portion. Accordingly, in this case, since the substrate W is not taken out from the entrance substrate mounting portion, the substrate replacement notice signal is not input to the slave controller SC. As a result, even when the substrate W is immediately transported from the substrate placement unit to the cooling processing unit, the temperature maintenance processing in the cooling processing unit is continued while the alarm is generated.

以上のように、基板入れ替え予告信号は、前段の搬送対象部から基板が搬出される際に出力されるので、アラームが発生してその搬送対象部から基板が実際に搬出されない場合には冷却処理ユニットでの温度維持処理は終了しない。従って、アラームが発生し長時間搬送動作が停止した場合であっても、冷却処理ユニットでは温度維持処理を継続することができる。その結果、基板搬送が停止した場合であっても、冷却処理ユニットの後段のユニットに所定温度からのバラツキが少ない基板を確実に引き渡すことができる。   As described above, since the substrate replacement notice signal is output when the substrate is carried out from the transport target portion in the previous stage, the cooling process is performed when the alarm is generated and the substrate is not actually carried out from the transport target portion. The temperature maintenance process in the unit does not end. Therefore, even when an alarm is generated and the transfer operation is stopped for a long time, the cooling processing unit can continue the temperature maintenance process. As a result, even when the substrate transport is stopped, the substrate with little variation from the predetermined temperature can be reliably delivered to the subsequent unit of the cooling processing unit.

また、本実施形態の基板処理装置では、基板入れ替え予告信号の受け渡しでもって、簡単に冷却処理ユニットでの温度維持処理を終了させることができる。   Further, in the substrate processing apparatus of the present embodiment, the temperature maintenance process in the cooling processing unit can be easily ended by passing the substrate replacement notice signal.

なお、図９〜１１を参照して説明した動作説明では、冷却処理ユニットを使用して温度維持処理を行っていたが、加熱部を利用して温度維持処理を行う場合であっても、当該加熱部の後段のユニットに所定温度からのバラツキが少ない基板を確実に引き渡すことができる。   In the operation description described with reference to FIGS. 9 to 11, the temperature maintaining process is performed using the cooling processing unit. However, even when the temperature maintaining process is performed using the heating unit, the temperature maintaining process is performed. A substrate with little variation from a predetermined temperature can be reliably delivered to the unit at the subsequent stage of the heating unit.

また、温度維持処理を冷却処理ユニットを使用して実行する場合には可動支持ピン４１を昇降させることにより簡単に処理を実行できるし、加熱部を使用して実行する場合には保持アーム２４を駆動することによって簡単に処理を実行することができる。   Further, when the temperature maintenance process is performed using the cooling processing unit, the process can be easily performed by moving the movable support pin 41 up and down. When the temperature maintaining process is performed using the heating unit, the holding arm 24 is By driving, processing can be easily executed.

また、本発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、基板Ｗに所定の処理を行う処理部に対して搬送ロボットによって基板Ｗを搬送するような形態であれば種々の変形が可能である。   Further, the configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to the form shown in FIGS. 1 to 4, and the substrate W is placed on the substrate W by the transfer robot with respect to the processing unit that performs predetermined processing on the substrate W. If it is a form which conveys, various deformation | transformation are possible.

本実施形態の基板処理装置の平面図である。It is a top view of the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の液処理部の正面図である。It is a front view of the liquid processing part of this embodiment. 本実施形態の熱処理部の正面図である。It is a front view of the heat processing part of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。It is a figure which shows the periphery structure of the substrate mounting part of the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の冷却処理ユニットの構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the cooling processing unit of this embodiment. 本実施形態の搬送ロボットの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conveyance robot of this embodiment. 本実施形態の加熱部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the heating part of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the outline of the control mechanism of the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus of this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１９ 基板載置部
２４ 保持アーム
４０ プレート
４１ 可動支持ピン
ＣＣ セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１３ 冷却処理ユニット
ＳＣ スレーブコントローラ
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２ 加熱部
Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Substrate mounting part 24 Holding arm 40 Plate 41 Movable support pin CC Cell controller CP1-CP13 Cooling processing unit SC Slave controller PASS1-PASS10 Substrate mounting part PHP1-PHP12 Heating part W Substrate

Claims (5)

順次搬送されてくる複数の基板に対して、基板温度を所定温度に設定して維持する温度維持処理を行う処理ユニットと、
前記処理ユニットの動作制御を行うコントローラと
を備え、
前記処理ユニットにおいては、前記順次搬送されてくる複数の基板は、順次入れ替えられて前記温度維持処理が行われ、
前記コントローラは、装置内での基板搬送状況に基づいて、前記処理ユニットでの前記温度維持処理の終了を制御することを特徴とする基板処理装置。 A processing unit for performing a temperature maintenance process for setting and maintaining a substrate temperature at a predetermined temperature for a plurality of substrates that are sequentially conveyed,
A controller for controlling the operation of the processing unit,
In the processing unit, the plurality of substrates that are sequentially transported are sequentially replaced to perform the temperature maintenance process,
The controller controls the end of the temperature maintenance process in the processing unit based on a substrate transfer situation in the apparatus. 前記コントローラは第１，２のコントローラを有し、
前記第１のコントローラは、前記処理ユニットでの基板の入れ替えを予告通知する信号を、前記基板搬送状況に基づいて前記第２のコントローラに出力し、
前記第２のコントローラは、前記信号を受け取ると、前記処理ユニットでの前記温度維持処理を終了させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The controller has first and second controllers,
The first controller outputs a signal for notifying the replacement of the substrate in the processing unit to the second controller based on the substrate transfer state,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second controller terminates the temperature maintaining process in the processing unit when receiving the signal. 複数の基板が順次搬送される搬送対象部を前記処理ユニットの前段に更に備え、
前記搬送対象部からは、搬送された基板が順次搬出され、
前記処理ユニットにおいては、前記温度維持処理が行われた基板が前記搬送対象部から搬出される基板と入れ替えられ、
前記第１のコントローラは、前記搬送対象部から基板が搬出される際に、前記信号を前記第２のコントローラに出力することを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A transport target part to which a plurality of substrates are transported sequentially is further provided in the previous stage of the processing unit,
From the transfer target portion, the transferred substrates are sequentially carried out,
In the processing unit, the substrate that has been subjected to the temperature maintenance process is replaced with a substrate that is unloaded from the transfer target unit,
The said 1st controller outputs the said signal to a said 2nd controller, when a board | substrate is carried out from the said conveyance object part, The one of Claim 1 and Claim 2 characterized by the above-mentioned. Substrate processing equipment. 前記処理ユニットは、
前記所定温度に設定されるプレートと、
前記プレートにその上面から出没自在に設けられ、基板を支持する複数の可動支持ピンと
を有し、
前記処理ユニットにおいては、
前記複数の可動支持ピンが下降して前記プレート上に基板が載置されることによって前記温度維持処理が開始し、
前記複数の可動支持ピンが上昇して前記プレートと前記基板とが離間することによって前記温度維持処理が終了することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The processing unit is
A plate set to the predetermined temperature;
The plate has a plurality of movable support pins provided so as to be able to protrude and retract from the upper surface thereof and supporting the substrate,
In the processing unit,
The temperature maintaining process is started by lowering the plurality of movable support pins and placing the substrate on the plate,
4. The substrate processing according to claim 1, wherein the temperature maintaining process is terminated when the plurality of movable support pins are lifted and the plate and the substrate are separated from each other. 5. apparatus. 前記処理ユニットは、
外部の基板と入れ替えられる基板が載置される基板仮置部と、
保持した基板に対して前記温度維持処理を行い、当該基板を前記基板仮置部に載置する保持アームと
を有し、
前記処理ユニットにおいては、
前記保持アームが基板を保持することによって前記温度維持処理が開始し、
前記保持アームが基板を前記基板仮置部に載置することによって前記温度維持処理が終了することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The processing unit is
A substrate temporary placement section on which a substrate to be replaced with an external substrate is placed;
A holding arm that performs the temperature maintenance process on the held substrate and places the substrate on the substrate temporary placement portion;
In the processing unit,
The temperature maintenance process is started by the holding arm holding the substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the temperature maintaining process is completed when the holding arm places the substrate on the temporary substrate placement unit.
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