JP2005091874A - Electrooptical device and electronic equipment - Google Patents

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豊志 香田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptical device in which breakage of wiring, etc. on a substrate by filler is prevented by adjusting particle size of the filler to be added to an adhesive agent in the electrooptical device which seals moisture, etc. by mounting a sealing member of glass and metal on the substrate on which an element part is formed via the adhesive agent and electronic equipment. <P>SOLUTION: In the electrooptical device which has the substrate 20 equipped with the element part and has the sealing member 206 facing the substrate 20 and seals between the substrate 20 and the sealing member 206 by arranging resin 205 in which inorganic filler 212 and a gap member 211 are mixed, the particle size of the inorganic filler is made to be smaller than the particle diameter. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電気光学装置及びその製造方法と、この電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus including the electro-optical device.

電気光学装置の分野では、酸素や水分等に対する耐久性向上が課題となっている。例えば、上記電気光学装置の一例である有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する)表示装置では、発光層(電気光学層)を構成する電気光学材料(有機EL材料,正孔注入注入材料,電子注入材料等)の酸素や水分等による劣化や、陰極の酸素や水分等による導電性低下等により、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生してしまい、発光素子としての寿命が短くなるという課題がある。
このような課題を解決するために、有機EL表示装置を形成する基板上に、酸素や水分を通さないガラスや金属の封止部材を周辺部または全面に設けられた接着剤によって貼り合わされることで酸素や水分等から遮蔽する方法が採られる。この接着剤には、ギャップ(Gap)材と無機フィラー(Filler)が添加され、ギャップ材は封止部材と基板との隙間高さを規定し、一方、フィラーは接着剤成分中を透過する水分の障害物となり、結果として水分の侵入を遅らせる役割を持つ。
特開2000−100559号公報
In the field of electro-optical devices, improvement in durability against oxygen, moisture, and the like is a problem. For example, in an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as “organic EL”) display device which is an example of the electro-optical device, an electro-optical material (organic EL material, hole injection injection material, Non-light-emitting region called dark spot occurs due to deterioration of electron injection material, etc.) due to oxygen, moisture, etc., or decrease in conductivity due to oxygen, moisture, etc. of the cathode, and the lifetime of the light-emitting element is shortened There is.
In order to solve such a problem, a glass or metal sealing member that does not allow oxygen or moisture to pass through is bonded to the substrate on which the organic EL display device is formed with an adhesive provided on the periphery or the entire surface. Then, a method of shielding from oxygen, moisture, etc. is adopted. A gap (Gap) material and an inorganic filler (Filler) are added to this adhesive. The gap material defines the gap height between the sealing member and the substrate, while the filler is moisture that permeates the adhesive component. As a result, it has the role of delaying the entry of moisture.
JP 2000-1000055 A

しかしながら、従来は、接着剤に添加されるフィラーの粒径が管理されていない場合が少なくない。特に、ギャップ材の粒径よりも大きい粒径のフィラーが存在した場合には、基板に封止部材を取り付ける際に、基板に封止部材を押し付けると、接着剤内のフィラーにより基板上或いは基板内の配線や画素隔壁、電極、封止膜等が傷つけられて断線や短絡等の不具合が発生するという問題がある。   However, conventionally, the particle size of the filler added to the adhesive is often not controlled. In particular, when a filler having a particle size larger than the particle size of the gap material is present, when the sealing member is pressed against the substrate when the sealing member is attached to the substrate, the filler in the adhesive causes the substrate to adhere to the substrate or the substrate. The internal wiring, pixel partition walls, electrodes, sealing film, etc. are damaged, causing problems such as disconnection and short circuit.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、素子部が形成された基板にガラスや金属の封止部材を接着剤を介して取り付けて水分等を封止する電気光学装置において、接着剤に添加させるフィラーの粒径を調整することにより、フィラーによる基板上の配線や画素隔壁、電極、封止膜等の破損を防止した電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances. In an electro-optical device in which moisture or the like is sealed by attaching a glass or metal sealing member to a substrate on which an element portion is formed via an adhesive. It is an object of the present invention to provide an electro-optical device and an electronic apparatus that prevent damage to wiring on a substrate, pixel partition walls, electrodes, sealing films, and the like by adjusting the particle size of the filler added to the agent.

本発明に係る電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第1の発明は、素子部を備えた基板と、基板と対向する封止部材とを有し、基板と封止部材との間に無機フィラーとギャップ材が配合された樹脂を配置して、基板と封止部材との間を封止する電気光学装置において、無機フィラーの粒径がギャップ材の粒径よりも小さくなるようにした。この発明によれば、無機フィラーの粒径がギャップ材の粒径よりも小さく形成されることから、基板に封止部材を固定するために両者を押し付けた際に、無機フィラーが基板上に形成された金属配線等を損傷させることが防止される。すなわち、基板と封止部材との間には、無機フィラーよりも大きいギャップ材が介在して、両者の距離を一定に保たれる。これにより、無機フィラーが封止部材に押し付けられることがなく、基板に形成された配線等を損傷させることがなくなる。そして、樹脂内に添加された無機フィラーは、樹脂内を透過する水分や酸素等の障害物となり、水分等の透過経路の距離を引き伸ばす。これにより、水分等が樹脂を透過する時間が長くなり、結果として、封止部材と基板との間に水分等が侵入しづらくなる。
また、ギャップ材が高分子を主成分とする軟質材料であるものでは、ギャップ材が基板に直接接しても基板側の表面に存在する配線や画素隔壁、電極、封止膜に損傷を与えることなく、封止部材との間隔をおおよそ一定に保つことができる。したがって、耐久性に優れた電気光学装置として、鮮やかな画像を長期間表示することができる。
The electro-optical device, the electro-optical device manufacturing method, and the electronic apparatus according to the present invention employ the following means in order to solve the above problems.
1st invention has the board | substrate provided with the element part, and the sealing member which opposes a board | substrate, arrange | positions resin which mix | blended the inorganic filler and the gap material between the board | substrate and the sealing member, In the electro-optical device that seals between the substrate and the sealing member, the particle size of the inorganic filler is made smaller than the particle size of the gap material. According to this invention, since the particle size of the inorganic filler is formed smaller than the particle size of the gap material, the inorganic filler is formed on the substrate when both are pressed to fix the sealing member to the substrate. It is possible to prevent the damaged metal wiring or the like from being damaged. That is, a gap material larger than the inorganic filler is interposed between the substrate and the sealing member, and the distance between the two is kept constant. Thereby, the inorganic filler is not pressed against the sealing member, and the wiring formed on the substrate is not damaged. And the inorganic filler added in resin becomes obstructions, such as a water | moisture content and oxygen which permeate | transmit the inside of resin, and extends the distance of the permeation | transmission path | routes, such as a water | moisture content. As a result, the time for moisture and the like to permeate the resin becomes longer, and as a result, moisture and the like hardly enter between the sealing member and the substrate.
In addition, when the gap material is a soft material mainly composed of a polymer, even if the gap material is in direct contact with the substrate, the wiring, pixel partition walls, electrodes, and sealing film existing on the surface on the substrate side may be damaged. In addition, the distance from the sealing member can be kept approximately constant. Therefore, a vivid image can be displayed for a long time as an electro-optical device having excellent durability.

第2の発明は、素子部を備えた基板と、基板と対向する封止部材とを有し、基板と封止部材との間に無機フィラーとギャップ材が配合された樹脂を配置して、基板と封止部材との間を封止する電気光学装置において、無機フィラーが層状粘土化合物からなるとともに、その厚みが無機フィラーの粒径よりも小さくなるようにした。この発明によれば、基板に封止部材を固定するために両者を押し付けた際に、無機フィラーが基板上に形成された金属配線等を損傷することなく、基板と封止部材との隙間に材料の特性から概して平行に重なるように配置される。また、粒状のフィラーに比べて体積を大きくすることができるので、樹脂内を透過する水分や酸素等の経路をより引き伸ばすことができる。これにより、水分等の浸透時間をより長くし、封止部材と基板との間に水分等が侵入しづらくなる。   2nd invention has the board | substrate provided with the element part, and the sealing member which opposes a board | substrate, arrange | positions resin which mix | blended the inorganic filler and the gap material between the board | substrate and the sealing member, In the electro-optical device that seals between the substrate and the sealing member, the inorganic filler is made of a layered clay compound, and the thickness thereof is made smaller than the particle size of the inorganic filler. According to the present invention, when both are pressed to fix the sealing member to the substrate, the inorganic filler does not damage the metal wiring formed on the substrate, and the gap between the substrate and the sealing member. It arrange | positions so that it may overlap in general from the characteristic of material. Further, since the volume can be increased as compared with the granular filler, the path of moisture, oxygen, etc. that permeates through the resin can be further extended. Thereby, the permeation time of moisture and the like is further increased, and moisture and the like hardly enter between the sealing member and the substrate.

また、樹脂が素子部の少なくとも一部を覆うように素子部と封止部材の間に配置されるものでは、基板上に形成される素子部を水分等から遮蔽して、劣化を防止することができる。
また、素子部の少なくとも一部の上方に封止膜を有し、樹脂が封止膜の略全面を覆うように封止膜と封止部材の間に配置されるものでは、封止膜と共に水分等の侵入を遮蔽して劣化を防止することができるとともに、外部からの機械的衝撃等から発光層や封止膜を保護することができる。
また、素子部は電気光学素子部と駆動回路部と配線部とからなり、樹脂が駆動回路部あるいは配線部の少なくとも一部を覆うように駆動回路部あるいは配線部と封止部材の間に配置されるものでは、駆動回路部あるいは配線部を損傷させることがなく、しかも電気光学素子部が封止されるので、耐久性に優れた電気光学装置として、鮮やかな画像を長期間表示することができる。
Further, in the case where the resin is disposed between the element part and the sealing member so as to cover at least a part of the element part, the element part formed on the substrate is shielded from moisture or the like to prevent deterioration. Can do.
In addition, in the case where a sealing film is provided above at least a part of the element portion and the resin is disposed between the sealing film and the sealing member so as to cover substantially the entire surface of the sealing film, together with the sealing film In addition to shielding moisture from entering and preventing deterioration, the light emitting layer and the sealing film can be protected from mechanical shocks from the outside.
The element portion includes an electro-optic element portion, a drive circuit portion, and a wiring portion, and is disposed between the drive circuit portion or the wiring portion and the sealing member so that the resin covers at least a part of the drive circuit portion or the wiring portion. In such a case, the drive circuit unit or the wiring unit is not damaged, and the electro-optical element unit is sealed, so that a vivid image can be displayed for a long time as an electro-optical device having excellent durability. it can.

第3の発明は、電子機器が、第1或いは第2の発明の電気光学装置を備えるようにした。この発明によれば、基板上に形成される配線等を損傷させることなく、素子部等を水分等から封止して、劣化を防止することができる。また、基板上に形成された封止膜を保護することもできる。したがって、鮮やかな画像を長時間表示することができる電子機器を得ることができる。   According to a third aspect of the present invention, an electronic apparatus includes the electro-optical device according to the first or second aspect. According to the present invention, it is possible to prevent deterioration by sealing the element portion or the like from moisture or the like without damaging the wiring or the like formed on the substrate. In addition, the sealing film formed on the substrate can be protected. Therefore, an electronic device that can display a vivid image for a long time can be obtained.

以下、本発明の電気光学装置及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。
電気光学装置として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いたEL表示装置について説明する。
図1は、EL表示装置1の配線構造を示す図である。EL表示装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと略記する)を用いたアクティブマトリクス型のEL表示装置である。
Embodiments of an electro-optical device and an electronic apparatus according to the invention will be described below with reference to the drawings.
As an electro-optical device, an EL display device using an electroluminescent material as an example of an electro-optical material, in particular, an organic electroluminescence (EL) material will be described.
FIG. 1 is a diagram showing a wiring structure of the EL display device 1. The EL display device 1 is an active matrix EL display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element.

EL表示装置(電気光学装置)1は、図1に示すように、複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101と信号線102の各交点付近に画素領域Xが設けられる。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続される。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続される。
As shown in FIG. 1, the EL display device (electro-optical device) 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction perpendicular to each scanning line 101, and each signal line 102. And a plurality of power supply lines 103 extending in parallel with each other, and a pixel region X is provided in the vicinity of each intersection of the scanning line 101 and the signal line 102.
A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102. Further, a scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

さらに、画素領域Xの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から共有される画素信号を保持する保持容量113と、該保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(電極)23と、この画素電極23と陰極(電極)50との間に挟み込まれた機能層110とが設けられる。画素電極23と陰極50と機能層110により、発光素子(有機EL素子)が構成される。   Further, in each pixel region X, a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal shared from the signal line 102 via the switching TFT 112 are held. A capacitor 113, a driving TFT 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode, and driving from the power line 103 when electrically connected to the power line 103 through the driving TFT 123 A pixel electrode (electrode) 23 into which current flows and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 23 and the cathode (electrode) 50 are provided. The pixel electrode 23, the cathode 50, and the functional layer 110 constitute a light emitting element (organic EL element).

このEL表示装置1によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容量113の状態に応じて、駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から画素電極23に電流が流れ、さらに機能層110を介して陰極50に電流が流れる。機能層110は、これを流れる電流量に応じて発光する。   According to the EL display device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113, and according to the state of the holding capacitor 113. The on / off state of the driving TFT 123 is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 23 through the channel of the driving TFT 123, and further current flows to the cathode 50 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.

次に、EL表示装置1の具体的な構成について図2〜図5を参照して説明する。
EL表示装置1は、図2に示すように電気絶縁性を備えた基板20と、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画素電極が基板20上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域(図示せず)と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線(図示せず)と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部3(図2中一点鎖線枠内)とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
なお、本発明においては、基板20と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用TFTや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体と称している。(図3、4中では符号200で示している。)
Next, a specific configuration of the EL display device 1 will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 2, the EL display device 1 includes a pixel electrode in which a substrate 20 having electrical insulation and pixel electrodes connected to switching TFTs (not shown) are arranged in a matrix on the substrate 20. An area (not shown), a power line (not shown) arranged around the pixel electrode area and connected to each pixel electrode, and a pixel portion 3 having a substantially rectangular shape in plan view located at least on the pixel electrode area (In the dashed-dotted line frame in FIG. 2).
In the present invention, the substrate 20 and the switching TFT and various circuits formed on the substrate 20 as will be described later, and an interlayer insulating film are referred to as a base. (Indicated by reference numeral 200 in FIGS. 3 and 4)

画素部3は、中央部分の実表示領域4(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とに区画される。
実表示領域4には、それぞれ画素電極を有する表示領域R、G、BがA−B方向およびC−D方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80、80が配置される。これら走査線駆動回路80、80は、ダミー領域5の下側に配置されたものである。
The pixel unit 3 includes a real display area 4 in the center (inside the two-dot chain line in FIG. 2) and a dummy area 5 (area between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the real display area 4. It is divided into.
In the actual display area 4, display areas R, G, and B each having a pixel electrode are arranged in a matrix so as to be separated from each other in the AB direction and the CD direction.
Further, scanning line drive circuits 80 and 80 are arranged on both sides of the actual display area 4 in FIG. These scanning line drive circuits 80 and 80 are arranged below the dummy region 5.

さらに、実表示領域4の図2中上側には、検査回路90が配置される。この検査回路90は、EL表示装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段(図示せず)を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路90も、ダミー領域5の下側に配置されたものである。   Further, an inspection circuit 90 is arranged above the actual display area 4 in FIG. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the EL display device 1 and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting the inspection result to the outside, and is displayed during manufacture or at the time of shipment. The apparatus is configured to be able to inspect the quality and defect of the apparatus. The inspection circuit 90 is also disposed below the dummy area 5.

走査線駆動回路80および検査回路90は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部310(図3参照)および駆動電圧導通部340(図4参照)を介して、印加されるよう構成される。また、これら走査線駆動回路80および検査回路90への駆動制御信号および駆動電圧は、このEL表示装置1の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部320(図3参照)および駆動電圧導通部350(図4参照)を介して、送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路80および検査回路90が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。   The scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied with a driving voltage from a predetermined power supply unit via the driving voltage conducting unit 310 (see FIG. 3) and the driving voltage conducting unit 340 (see FIG. 4). Composed. Further, the drive control signal and drive voltage to the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 are supplied from a predetermined main driver for controlling the operation of the EL display device 1 and the drive control signal conduction unit 320 (see FIG. 3) and Transmission and application are performed via the drive voltage conduction unit 350 (see FIG. 4). The drive control signal in this case is a command signal from a main driver or the like related to control when the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 output signals.

また、EL表示装置1は、図3、図4に示すように、基体200上に画素電極23と発光層60と陰極50とを備えた発光素子(有機EL素子)が多数形成される。
なお、発光層60としては、代表的には発光層(エレクトロルミネッセンス層)であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるものである。さらには、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、電子阻止層(エレクトロンブロッキング層)を備えるものであってもよい。
In the EL display device 1, as shown in FIGS. 3 and 4, a large number of light emitting elements (organic EL elements) each including a pixel electrode 23, a light emitting layer 60, and a cathode 50 are formed on a substrate 200.
The light emitting layer 60 is typically a light emitting layer (electroluminescence layer), and includes a carrier injection layer or a carrier transport layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer. Is. Furthermore, a hole blocking layer (hole blocking layer) and an electron blocking layer (electron blocking layer) may be provided.

基体200を構成する基板20としては、いわゆるトップエミッション型のEL表示装置の場合、この基板20の対向側である封止部材206側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。   In the case of a so-called top emission type EL display device, the substrate 20 constituting the base body 200 is configured to extract emitted light from the sealing member 206 side that is the opposite side of the substrate 20. Either can be used. Examples of opaque substrates include ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins and thermoplastic resins, and films thereof (plastic films). It is done.

また、いわゆるボトムエミッション型のEL表示装置の場合には、基板20側から発光光を取り出す構成であるので、基板20としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。   In the case of a so-called bottom emission type EL display device, since the emitted light is extracted from the substrate 20 side, a transparent or semi-transparent substrate 20 is employed. For example, glass, quartz, resin (plastic, plastic film) and the like can be mentioned, and a glass substrate is particularly preferably used.

また、基板20上には、画素電極23を駆動するための駆動用TFT123などを含む回路部11が形成されており、その上に発光素子(有機EL素子)が多数設けられる。発光素子は、図5に示すように、陽極として機能する画素電極23と、この画素電極23からの正孔を注入/輸送する正孔輸送層70と、電気光学物質の一つである有機EL物質を備える発光層60と、陰極50とが順に形成されたことによって構成されたものである。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層60において、正孔輸送層70から注入された正孔と陰極50からの電子とが結合することにより発光する。
A circuit unit 11 including a driving TFT 123 for driving the pixel electrode 23 and the like is formed on the substrate 20, and a large number of light emitting elements (organic EL elements) are provided thereon. As shown in FIG. 5, the light emitting element includes a pixel electrode 23 that functions as an anode, a hole transport layer 70 that injects / transports holes from the pixel electrode 23, and an organic EL that is one of electro-optic materials. The light-emitting layer 60 including the substance and the cathode 50 are sequentially formed.
Based on such a configuration, the light emitting element emits light by combining holes injected from the hole transport layer 70 and electrons from the cathode 50 in the light emitting layer 60.

画素電極23は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要がなく、したがって適宜な導電材料によって形成される。
正孔輸送層70の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液などが用いられる。
Since the pixel electrode 23 is a top emission type in this embodiment, it does not need to be transparent, and is therefore formed of an appropriate conductive material.
As a material for forming the hole transport layer 70, for example, a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, or a doped body thereof is used. Specifically, a dispersion of 3,4-polyethylenediosithiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) or the like is used.

発光層60を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、ポリフルオレン誘導体(PF)、ポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。
As a material for forming the light emitting layer 60, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence can be used. Specifically, polyfluorene derivative (PF), polyparaphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethylphenylsilane (PMPS) And the like are preferably used.
In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, and quinacridone. It can also be used by doping a low molecular weight material such as.
In addition, it replaces with the polymeric material mentioned above, a conventionally well-known low molecular material can also be used.
In addition, an electron injection layer may be formed on the light emitting layer 60 as necessary.

また、本実施形態において正孔輸送層70と発光層60とは、図3〜図5に示すように基体200上にて格子状に形成された親液性制御層25と有機バンク層221とによって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層70および発光層60は単一の発光素子(有機EL素子)を構成する素子層となる。
なお、有機バンク層221の開口部221aの各壁面の基体200表面に対する角度θが、110度以上から170度以下となっている(図5参照)。このような角度としたのは、発光層60をウエットプロセスにより形成する際に、開口部221a内に配置されやすくするためである。
In the present embodiment, the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 are composed of the lyophilic control layer 25 and the organic bank layer 221 formed in a lattice shape on the substrate 200 as shown in FIGS. The hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 surrounded by the element layer are element layers constituting a single light emitting element (organic EL element).
Note that the angle θ of each wall surface of the opening 221a of the organic bank layer 221 with respect to the surface of the base body 200 is 110 degrees or more and 170 degrees or less (see FIG. 5). The reason for this angle is to facilitate the arrangement of the light emitting layer 60 in the opening 221a when the light emitting layer 60 is formed by a wet process.

陰極50は、図3〜図5に示すように、実表示領域4およびダミー領域5の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、発光層60と有機バンク層221の上面、さらには有機バンク層221の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体200上に形成されたものである。なお、この陰極50は、図4に示すように有機バンク層221の外側で基体200の外周部に形成された陰極用配線202に接続される。この陰極用配線202にはフレキシブル基板203が接続されており、これによって陰極50は、陰極用配線202を介してフレキシブル基板203上の図示しない駆動IC(駆動回路)に接続される。
なお、本発明において、スイッチング用TFTなどの画素領域に配置される画素回路、データ線駆動回路100、走査線駆動回路80、検査回路90などからなる駆動回路部と、走査線101、信号線102、電源線103、陰極用配線202などからなる配線部と、有機EL素子などの電気光学素子からなる電気光学素子部とを、素子部と称している。
As shown in FIGS. 3 to 5, the cathode 50 has a larger area than the total area of the actual display region 4 and the dummy region 5, and is formed so as to cover each, and the light emitting layer 60 and the organic bank layer 221. These are formed on the substrate 200 so as to cover the upper surface of the substrate and the wall surface forming the outer portion of the organic bank layer 221. The cathode 50 is connected to the cathode wiring 202 formed on the outer periphery of the substrate 200 outside the organic bank layer 221 as shown in FIG. A flexible substrate 203 is connected to the cathode wiring 202, whereby the cathode 50 is connected to a driving IC (driving circuit) (not shown) on the flexible substrate 203 via the cathode wiring 202.
In the present invention, a driving circuit unit including a pixel circuit arranged in a pixel region such as a switching TFT, a data line driving circuit 100, a scanning line driving circuit 80, an inspection circuit 90, and the like, a scanning line 101, and a signal line 102 A wiring portion composed of the power supply line 103, the cathode wiring 202, and the like, and an electro-optic element portion composed of an electro-optic element such as an organic EL element are referred to as an element portion.

陰極50を形成するための材料としては、例えば、トップエミッション型である場合には、透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)が好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide:IZO/アイ・ゼット・オー)(登録商標)等を用いることができる。また、半透明だが電子注入効果の高いカルシウムやアルミニウムなど金属材料を薄膜にして用いることもできる。なお、本実施形態ではITOを用いるものとする。   As a material for forming the cathode 50, for example, in the case of a top emission type, a transparent conductive material is used. As the transparent conductive material, ITO (Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide) is suitable, but other than this, for example, an indium oxide / zinc oxide based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / I-Zet) O) (registered trademark) or the like can be used. Further, a metal material such as calcium or aluminum which is translucent but has a high electron injection effect can be used as a thin film. In the present embodiment, ITO is used.

陰極50の上層部には、封止膜30を形成してもよい。封止膜30は、大気中の酸素や水分を遮断するだけでなく、製造プロセス時に接着剤成分等で陰極50が腐食されてしまうことを防止するために設けられる層であり、少なくとも無機化合物からなる層で、例えば、ITOやシリコン化合物により単層または多層として形成される。また、無機化合物層の欠陥を防ぐため有機材料からなる平坦性を目的とした中間層を形成しても良い。陰極50を封止膜30で覆うことにより、長期間大気中から侵入する酸素や水分を遮断し、陰極50の変質を防止することができる。なお、封止膜30は、基体200の外周部の絶縁層284上まで、10nmから300nm程度の厚みに形成される。   A sealing film 30 may be formed on the upper layer portion of the cathode 50. The sealing film 30 is a layer provided not only to block oxygen and moisture in the air but also to prevent the cathode 50 from being corroded by an adhesive component or the like during the manufacturing process. For example, it is formed as a single layer or multiple layers of ITO or silicon compound. Further, an intermediate layer made of an organic material for the purpose of flatness may be formed to prevent defects in the inorganic compound layer. By covering the cathode 50 with the sealing film 30, it is possible to block oxygen and moisture invading from the atmosphere for a long period of time and to prevent the cathode 50 from being altered. The sealing film 30 is formed to a thickness of about 10 nm to 300 nm up to the insulating layer 284 on the outer peripheral portion of the substrate 200.

上述の発光素子の下方には、図5に示したように画素回路部11が設けられる。この画素回路部11は、基板20上に形成されて基体200を構成するものである。すなわち、基板20の表面には下地としてSiOを主体とする下地保護層281が形成され、その上にはシリコン層241が形成される。このシリコン層241の表面には、SiOおよび/またはSiNを主体とするゲート絶縁層282が形成される。 A pixel circuit unit 11 is provided below the light emitting element as shown in FIG. The pixel circuit unit 11 is formed on the substrate 20 and constitutes the base body 200. That is, a base protective layer 281 mainly composed of SiO 2 is formed on the surface of the substrate 20, and a silicon layer 241 is formed thereon. A gate insulating layer 282 mainly composed of SiO 2 and / or SiN is formed on the surface of the silicon layer 241.

また、シリコン層241のうち、ゲート絶縁層282を挟んでゲート電極242と重なる領域がチャネル領域241aとされる。なお、このゲート電極242は、図示しない走査線101の一部である。一方、シリコン層241を覆い、ゲート電極242を形成したゲート絶縁層282の表面には、SiOを主体とする第1層間絶縁層283が形成される。 In addition, a region of the silicon layer 241 that overlaps with the gate electrode 242 with the gate insulating layer 282 interposed therebetween is a channel region 241a. The gate electrode 242 is a part of the scanning line 101 (not shown). On the other hand, a first interlayer insulating layer 283 mainly composed of SiO 2 is formed on the surface of the gate insulating layer 282 that covers the silicon layer 241 and on which the gate electrode 242 is formed.

また、シリコン層241のうち、チャネル領域241aのソース側には、低濃度ソース領域241bおよび高濃度ソース領域241Sが設けられる一方、チャネル領域241aのドレイン側には低濃度ドレイン領域241cおよび高濃度ドレイン領域241Dが設けられて、いわゆるLDD(Light Doped Drain)構造を形成する。これらのうち、高濃度ソース領域241Sは、ゲート絶縁層282と第1層間絶縁層283とにわたって開孔するコンタクトホール243aを介して、ソース電極243に接続される。このソース電極243は、上述した電源線103(図1参照、図5においてはソース電極243の位置に紙面垂直方向に延在する)の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域241Dは、ゲート絶縁層282と第1層間絶縁層283とにわたって開孔するコンタクトホール244aを介して、ソース電極243と同一層からなるドレイン電極244に接続される。   Further, in the silicon layer 241, a low concentration source region 241b and a high concentration source region 241S are provided on the source side of the channel region 241a, while a low concentration drain region 241c and a high concentration drain are provided on the drain side of the channel region 241a. The region 241D is provided to form a so-called LDD (Light Doped Drain) structure. Among these, the high-concentration source region 241S is connected to the source electrode 243 through a contact hole 243a that opens over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283. The source electrode 243 is configured as a part of the above-described power supply line 103 (see FIG. 1 and extends in the direction perpendicular to the paper surface at the position of the source electrode 243 in FIG. 5). On the other hand, the high-concentration drain region 241D is connected to the drain electrode 244 made of the same layer as the source electrode 243 through a contact hole 244a that opens through the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283.

ソース電極243およびドレイン電極244が形成された第1層間絶縁層283の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第2層間絶縁層284によって覆われている。この第2層間絶縁層284は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、SiN、SiOなどを用いることもできる。そして、ITOからなる画素電極23が、この第2層間絶縁層284の表面上に形成されるとともに、第2層間絶縁層284に設けられたコンタクトホール23aを介してドレイン電極244に接続される。すなわち、画素電極23は、ドレイン電極244を介して、シリコン層241の高濃度ドレイン領域241Dに接続される。 The upper layer of the first interlayer insulating layer 283 on which the source electrode 243 and the drain electrode 244 are formed is covered with a second interlayer insulating layer 284 mainly composed of, for example, an acrylic resin component. The second interlayer insulating layer 284 can be made of a material other than an acrylic insulating film, such as SiN or SiO 2 . A pixel electrode 23 made of ITO is formed on the surface of the second interlayer insulating layer 284 and is connected to the drain electrode 244 through a contact hole 23 a provided in the second interlayer insulating layer 284. That is, the pixel electrode 23 is connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241 through the drain electrode 244.

なお、走査線駆動回路80および検査回路90に含まれるTFT(駆動回路用TFT)、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するNチャネル型又はPチャネル型のTFTは、画素電極23と接続されていない点を除いて駆動用TFT123と同様の構造とされる。   Note that TFTs (driving circuit TFTs) included in the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90, that is, N-channel type or P-channel type TFTs constituting an inverter included in the shift register among these driving circuits, for example. The structure is the same as that of the driving TFT 123 except that it is not connected to the pixel electrode 23.

画素電極23が形成された第2層間絶縁層284の表面には、画素電極23と、上述した親液性制御層25及び有機バンク層221とが設けられる。親液性制御層25は、例えばSiOなどの親液性材料を主体とするものであり、有機バンク層221は、アクリルやポリイミドなどからなるものである。そして、画素電極23の上には、親液性制御層25に設けられた開口部25a、および有機バンク層221に囲まれてなる開口部221aの内部に、正孔輸送層70と発光層60とがこの順に積層される。なお、本実施形態における親液性制御層25の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層221を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板20上の第2層間絶縁層284までの層が、回路部11を構成する。
On the surface of the second interlayer insulating layer 284 on which the pixel electrode 23 is formed, the pixel electrode 23, the lyophilic control layer 25 and the organic bank layer 221 described above are provided. The lyophilic control layer 25 is mainly made of a lyophilic material such as SiO 2 , and the organic bank layer 221 is made of acrylic or polyimide. Then, on the pixel electrode 23, the hole transport layer 70 and the light emitting layer 60 are formed inside the opening 25 a provided in the lyophilic control layer 25 and the opening 221 a surrounded by the organic bank layer 221. Are stacked in this order. In addition, “lyophilic” of the lyophilic control layer 25 in this embodiment means that the lyophilic property is higher than at least materials such as acrylic and polyimide constituting the organic bank layer 221. .
The layers up to the second interlayer insulating layer 284 on the substrate 20 described above constitute the circuit unit 11.

ここで、本実施形態のEL表示装置1は、カラー表示を行うべく、各発光層60が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成される。例えば、発光層60として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層60R、緑色に対応した緑色用発光層60G、青色に対応した青色用有機EL層60Bとをそれぞれに対応する表示領域R、G、Bに設け、これら表示領域R、G、Bをもってカラー表示を行う1画素が構成される。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のBM(ブラックマトリクス)が、例えば有機バンク層221と親液性制御層25との間に形成される。   Here, in the EL display device 1 of the present embodiment, each light emitting layer 60 is formed so that the light emission wavelength bands correspond to the three primary colors of light in order to perform color display. For example, as the light emitting layer 60, a red light emitting layer 60R whose light emission wavelength band corresponds to red, a green light emitting layer 60G corresponding to green, and a blue organic EL layer 60B corresponding to blue, respectively, are displayed. , G, and B, one pixel that performs color display is configured with the display regions R, G, and B. Further, a BM (black matrix) (not shown) in which metallic chromium is formed by sputtering or the like is formed between the organic bank layer 221 and the lyophilic control layer 25 at the boundary of each color display region.

また、図3、図4に示すように、多数の発光素子(有機EL素子)が形成された基体200上には、これらを覆うように封止部材206が配置させる。封止部材206は、基体200の外周部の絶縁層284上に、多数の発光素子を囲うように配置された接着層205を介して配置される。
封止部材206は、ガスバリア性を有し、更に、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる板である。具体的には、高分子層(プラスチックフィルム)やDLC(ダイアモンドライクカーボン)層、ガラスなどによって形成されるものである。
また、封止部材206の内面には、酸化カルシウムや酸化バリウムなどの酸化物金属材料からなる乾燥剤(図示せず)を設けても良い。乾燥剤はシート状に加工したものを貼り合せても、液状ペーストのものを部分的に塗布して形成してもよい。さらに、封止部材206にこれらの乾燥剤を設ける窪み等を形成することで、発光素子に接触することなく隔離することができる。これらによって、工程時に侵入してしまった水分やわずかながら接着剤層から侵入してきた水分等を吸着し、発光素子の変質を防ぐことができる。
また、この例のEL表示装置においては、トップエミッション型にする場合に封止部材206を透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はなく、放熱性を考慮して金属等を用いてもよい。
Also, as shown in FIGS. 3 and 4, a sealing member 206 is disposed on the substrate 200 on which a large number of light emitting elements (organic EL elements) are formed so as to cover them. The sealing member 206 is disposed on the insulating layer 284 on the outer peripheral portion of the base 200 via an adhesive layer 205 disposed so as to surround a large number of light emitting elements.
The sealing member 206 is a plate having gas barrier properties and further having at least one of functions such as pressure resistance, wear resistance, external light antireflection, and ultraviolet blocking properties. Specifically, it is formed of a polymer layer (plastic film), a DLC (diamond-like carbon) layer, glass or the like.
Further, a desiccant (not shown) made of an oxide metal material such as calcium oxide or barium oxide may be provided on the inner surface of the sealing member 206. The desiccant may be formed by pasting sheets processed into a sheet or by partially applying a liquid paste. Furthermore, by forming a recess or the like in which these desiccants are provided in the sealing member 206, the sealing member 206 can be isolated without contacting the light emitting element. By these, moisture that has entered during the process or a slight amount of moisture that has entered from the adhesive layer can be adsorbed to prevent deterioration of the light emitting element.
Further, in the EL display device of this example, the sealing member 206 needs to be translucent when the top emission type is used, but this is not necessary when the bottom emission type is used. Considering the above, a metal or the like may be used.

接着層205は、封止部材206を基体200から所定の高さで固定させ、かつ外部からの水分等の侵入を防止するもので、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂を主成分とし、封止部材206より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。なお、このような接着剤には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておいてもよい。このようにすれば、形成される接着層205と基体200との密着性がより良好になる。
また、接着層205には、ギャップ材211、フィラー212が添加される。ギャップ材211は、封止部材206を基体200から所定の高さで固定させる機能を有し、一方、フィラー212は、外部からの水分等の侵入を防止する機能を有する。
The adhesive layer 205 fixes the sealing member 206 at a predetermined height from the base body 200 and prevents intrusion of moisture or the like from the outside. For example, a resin such as urethane, acrylic, epoxy, or polyolefin resin Is formed of an adhesive made of a material that is softer than the sealing member 206 and has a low glass transition point. Note that a silane coupling agent or alkoxysilane may be added to such an adhesive. By doing so, the adhesion between the formed adhesive layer 205 and the substrate 200 becomes better.
In addition, a gap material 211 and a filler 212 are added to the adhesive layer 205. The gap material 211 has a function of fixing the sealing member 206 at a predetermined height from the base body 200, while the filler 212 has a function of preventing entry of moisture and the like from the outside.

図6(a)は、接着層205内に添加されたギャップ材211、フィラー212を模式的に示した図である。
ギャップ材211は、高分子材料からなり、例えばポリエステルやPMMA(ポリメチルメタクリレート)、エチレン酢酸ビニル共重合体、アクリレート樹脂、ポリオレフィン、シリコーン樹脂等の比較的軟質の材料により形成された球形、或いは円柱形の微粒子である。ギャップ材211の粒径は、2〜100μm、より好ましくは、5〜10μmに形成される。なお、ギャップ材211の粒径のばらつきは、1μm程度以下である。そして、ギャップ材211は、接着層205の中に、固形分重量比で1〜数%程度添加される。
これにより、基体200に封止部材206を固定するために、基体200に封止部材206を押し付けると、基体200と封止部材206との間にギャップ材211が介在し、ギャップ材211の粒径より基体200と封止部材206との距離が規定される。また、ギャップ材211が、軟質の材料から形成されることにより、基体200に封止部材206を押し付けた際に、基体200に形成された配線や電極、封止膜、有機バンク等を損傷させることが防止される。
FIG. 6A is a diagram schematically showing the gap material 211 and the filler 212 added in the adhesive layer 205.
The gap material 211 is made of a polymer material, for example, a sphere or cylinder formed of a relatively soft material such as polyester, PMMA (polymethyl methacrylate), ethylene vinyl acetate copolymer, acrylate resin, polyolefin, silicone resin, or the like. Shaped fine particles. The particle diameter of the gap material 211 is 2 to 100 μm, more preferably 5 to 10 μm. Note that the variation in the particle diameter of the gap material 211 is about 1 μm or less. The gap material 211 is added to the adhesive layer 205 by about 1 to several percent by weight in terms of solid content.
Accordingly, when the sealing member 206 is pressed against the base body 200 in order to fix the sealing member 206 to the base body 200, the gap material 211 is interposed between the base body 200 and the sealing member 206, and the particles of the gap material 211 The distance between the base 200 and the sealing member 206 is defined by the diameter. Further, since the gap material 211 is formed of a soft material, when the sealing member 206 is pressed against the base body 200, the wiring, electrodes, sealing film, organic bank, etc. formed on the base body 200 are damaged. It is prevented.

フィラー212は、無機材料、例えばシリカやアルミナにより形成された微粒子からなる。無機材料により形成されるのは、水分等を透過させないためである。また、フィラー212の粒径はギャップ材211の粒径よりも小さく形成される。最大でも、ギャップ材211の最小粒径よりも小さいことが望ましい。例えば、10nmから1000nm程度の粒径に形成される。そして、フィラー212は、接着層205に重量比で10〜70%、より好ましくは20〜50%程度添加される。
このように、接着層205内にフィラー212が添加されると、水分や酸素等のガスが接着層205を透過する際に、フィラー212が障害物となり、水分等の透過経路が蛇行し、その距離が長くなる。したがって、水分等が接着層205を透過する時間が長くなり、結果として、封止部材206と基体200との間に水分が侵入しづらくなるという封止効果が生じる。
更に、フィラー212の粒径がギャップ材211の粒径よりも小さく形成されることから、基体200に封止部材206を押し付けた際に、フィラー212が基体200に形成された配線等を損傷させることが防止される。すなわち、基体200と封止部材206との間には、ギャップ材211が介在するので、硬質のフィラー212が封止部材206に押し付けられて基体200に形成された配線等を損傷させることがない。
The filler 212 is made of fine particles formed of an inorganic material such as silica or alumina. The reason why it is formed of an inorganic material is to prevent moisture and the like from passing therethrough. Further, the particle size of the filler 212 is formed smaller than the particle size of the gap material 211. It is desirable that it is smaller than the minimum particle diameter of the gap material 211 at the maximum. For example, it is formed to have a particle size of about 10 nm to 1000 nm. The filler 212 is added to the adhesive layer 205 in a weight ratio of 10 to 70%, more preferably about 20 to 50%.
As described above, when the filler 212 is added into the adhesive layer 205, when a gas such as moisture or oxygen passes through the adhesive layer 205, the filler 212 becomes an obstacle, and the transmission path of moisture or the like meanders. The distance gets longer. Therefore, the time for moisture to permeate through the adhesive layer 205 is lengthened, and as a result, a sealing effect that moisture hardly enters between the sealing member 206 and the base body 200 occurs.
Further, since the particle diameter of the filler 212 is formed smaller than the particle diameter of the gap material 211, the filler 212 damages the wiring formed on the base body 200 when the sealing member 206 is pressed against the base body 200. It is prevented. That is, since the gap material 211 is interposed between the base body 200 and the sealing member 206, the hard filler 212 is not pressed against the sealing member 206 to damage the wiring and the like formed on the base body 200. .

また、粒形のフィラー212に換えて、層状粘土化合物からなるフィラー213を用いてもよい。図6(b)は、接着層205内に添加されたギャップ材211、フィラー213を模式的に示した図である。
層状粘土化合物とは、例えば、雲母、スメクタイト、バーミキュライト、モンモリロナイトなどがあり、天然品または化成品どちらも使用できる。層状粘土化合物からなるフィラー213の形状は、縦横比(アスペクト比)が10対1以上であり、その厚みがギャップ材211の粒径よりも小さく形成される。フィラー213の添加比率は、フィラー212と同様に、重量比で10〜70%、より好ましくは20〜50%程度である。
接着層205内に層状のフィラー213が添加されると、接着層205を透過する水分等の経路が粒形のフィラー212を添加した場合に比べてより長くなる。したがって、より水分が侵入しづらくなるという効果がある。
また、フィラー213の厚みがギャップ材211の粒径よりも小さく形成されることから、フィラー212と同様に、基体200に封止部材206を押し付けた際に、フィラー212が基体200に形成された配線等を損傷させることが防止される。すなわち、フィラー213は、自然に基体200と封止部材206との間で重なるように移動する性質を有するので、硬質のフィラー213が封止部材206に押し付けられて基体200に形成された配線等を損傷させることがない。
Further, a filler 213 made of a layered clay compound may be used instead of the granular filler 212. FIG. 6B is a diagram schematically showing the gap material 211 and the filler 213 added in the adhesive layer 205.
Examples of the layered clay compound include mica, smectite, vermiculite, montmorillonite, and both natural products and chemical products can be used. The shape of the filler 213 made of a layered clay compound is such that the aspect ratio is 10 to 1 or more and the thickness is smaller than the particle diameter of the gap material 211. Similar to the filler 212, the addition ratio of the filler 213 is about 10 to 70%, more preferably about 20 to 50% by weight.
When the layered filler 213 is added into the adhesive layer 205, the path of moisture or the like that permeates the adhesive layer 205 becomes longer than when the granular filler 212 is added. Therefore, there is an effect that it becomes more difficult for moisture to enter.
Further, since the thickness of the filler 213 is smaller than the particle diameter of the gap material 211, the filler 212 is formed on the base body 200 when the sealing member 206 is pressed against the base body 200, similarly to the filler 212. Damage to wiring and the like is prevented. That is, since the filler 213 naturally has a property of moving so as to overlap between the base 200 and the sealing member 206, the wiring formed on the base 200 by the hard filler 213 being pressed against the sealing member 206, etc. Will not damage.

次に、封止部材206の配置場所を変更した例について説明する。図7は、封止部材206を陰極50上に配置したEL表示装置2を示す図である。
EL表示装置2は、陰極50上に封止膜30が形成され、更にその上に接着層205を介して封止部材206が固定される。なお、EL表示装置1と同一の構成要素については、同一の符号を付してある。
図7に示すように、陰極50を覆うように封止膜30が設けられる。封止膜30は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極50や発光層60への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極50や発光層60の劣化等を抑えるようにしたものである。
封止膜30は、例えば少なくとも無機化合物を含む単層又は多層からなるもので、好ましくはECRプラズマスパッタやECRプラズマCVD、ICP−CVD、プラズマガン方式に代表される高密度プラズマ成膜法を用いた珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などの層が形成される。ただし、珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。このように封止膜30が無機化合物で形成されていれば、特に陰極50がITOで形成されることにより、封止膜30と陰極50の一部との密着性がよくなり、したがって封止膜30が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。
Next, an example in which the arrangement location of the sealing member 206 is changed will be described. FIG. 7 is a diagram showing the EL display device 2 in which the sealing member 206 is disposed on the cathode 50.
In the EL display device 2, the sealing film 30 is formed on the cathode 50, and the sealing member 206 is fixed thereon via an adhesive layer 205. The same components as those of the EL display device 1 are denoted by the same reference numerals.
As shown in FIG. 7, a sealing film 30 is provided so as to cover the cathode 50. The sealing film 30 is for preventing oxygen and moisture from entering inside thereof, thereby preventing the entry of oxygen and moisture into the cathode 50 and the light emitting layer 60. The deterioration of the light emitting layer 60 is suppressed.
The sealing film 30 is composed of, for example, a single layer or a multilayer containing at least an inorganic compound, and preferably uses a high-density plasma film forming method represented by ECR plasma sputtering, ECR plasma CVD, ICP-CVD, or a plasma gun system. Thus, a layer of silicon compound, that is, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, or the like is formed. However, other than silicon compounds, for example, alumina, tantalum oxide, titanium oxide, and other ceramics may be used. If the sealing film 30 is formed of an inorganic compound in this way, the adhesion between the sealing film 30 and a part of the cathode 50 is improved, particularly when the cathode 50 is formed of ITO. The film 30 becomes a dense layer having no defects, and the barrier property against oxygen and moisture becomes better.

また、封止膜30は、無機化合物層の完全被覆性を向上させるための有機材料からなる中間層を介して無機化合物層を設ける多層構造としてもよい。例えばWETプロセスにより有機溶剤に希釈した有機高分子材料を塗布、乾燥硬化することで平坦化された表面へ、高密度プラズマ成膜法による無機化合物を形成しても良い。このようにすれば、無機化合物がクラックを発生させること無く厚膜の封止膜30が形成でき、有機バンク層の凹凸形状等で発生する応力の緩和やパーティクル等で発生するピンホール状の欠陥を被覆することができる。   In addition, the sealing film 30 may have a multilayer structure in which the inorganic compound layer is provided via an intermediate layer made of an organic material for improving the complete coverage of the inorganic compound layer. For example, an inorganic compound may be formed by a high-density plasma film forming method on a planarized surface by applying an organic polymer material diluted in an organic solvent by a WET process, followed by drying and curing. In this way, the thick sealing film 30 can be formed without causing the inorganic compound to crack, and the stress generated in the uneven shape of the organic bank layer can be relaxed, or the pinhole-like defects generated by particles or the like Can be coated.

また、このような封止膜30の厚さとしては、100nm以上、5000nm以下であるのが好ましい。100nm未満であると、パーティクルや表面の荒れによって膜の欠陥や膜厚のバラツキなどが発生し部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、5000nmを越えると、応力による割れや外部応力等によるひずみが生じてしまうおそれがあるからである。
また、例えばトップエミッション型である場合、ガスバリア層30は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば80%以上にしている。
Further, the thickness of the sealing film 30 is preferably 100 nm or more and 5000 nm or less. If the thickness is less than 100 nm, defects in the film or variations in film thickness may occur due to particles or surface roughness, resulting in partial formation of through holes, which may impair gas barrier properties. This is because exceeding the range may cause cracking due to stress or distortion due to external stress or the like.
For example, in the case of the top emission type, the gas barrier layer 30 needs to have translucency. Therefore, by appropriately adjusting the material and the film thickness, in this embodiment, the light transmittance in the visible light region is set to, for example, 80% or more.

更に、ガスバリア層30の上側には、接着層205を介して封止部材206が配置させる。接着層205は、ガスバリア層30と封止部材206の間に隙間なく配置される。図3、4と同様に、接着層205にはギャップ材211、フィラー212が添加される。さらに、トップエミッション構造である場合、粒径が大きいギャップ材と接着剤の屈折率を同一または近似にすることで発光光による散乱を防ぐことができる。
このように、ガスバリア層30の上側に封止部材206を配置することにより、ガスバリア層30を外部からの機械的衝撃から保護することができる。更に、ガスバリア層30と封止部材206の距離が一定にすることができるとともに、封止部材206と接着層205により水分等の侵入が防止される。
Further, a sealing member 206 is disposed on the upper side of the gas barrier layer 30 via an adhesive layer 205. The adhesive layer 205 is disposed between the gas barrier layer 30 and the sealing member 206 without a gap. As in FIGS. 3 and 4, a gap material 211 and a filler 212 are added to the adhesive layer 205. Furthermore, in the case of a top emission structure, scattering due to emitted light can be prevented by making the refractive index of the gap material having a large particle size and the adhesive have the same or similar refractive index.
Thus, by disposing the sealing member 206 on the upper side of the gas barrier layer 30, the gas barrier layer 30 can be protected from a mechanical impact from the outside. Furthermore, the distance between the gas barrier layer 30 and the sealing member 206 can be made constant, and entry of moisture and the like is prevented by the sealing member 206 and the adhesive layer 205.

上述した実施形態では、トップエミッション型のEL表示装置1,2を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。   In the above-described embodiment, the top emission type EL display devices 1 and 2 have been described as examples. However, the present invention is not limited to this, and the bottom emission type also emits emitted light on both sides. Applicable to types.

また、ボトムエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合、基体200に形成するスイッチング用TFT112や駆動用TFT123については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層25および有機バンク層221の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。
また、EL表示装置1では本発明における第1の電極を陽極として機能させ、第2の電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第1の電極を陰極、第2の電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。ただし、その場合には、発光層60と正孔輸送層70との形成位置を入れ替えるようにする必要がある。
Further, in the case of a bottom emission type or a type that emits emitted light on both sides, the switching TFT 112 and the driving TFT 123 formed on the base 200 are not directly under the light emitting element, but the lyophilic control layer 25 and It is preferable to increase the aperture ratio by forming the organic bank layer 221 directly below.
In the EL display device 1, the first electrode in the present invention functions as an anode and the second electrode functions as a cathode, but these are reversed to make the first electrode a cathode and the second electrode an anode. It may be configured to function as each. However, in that case, the formation positions of the light emitting layer 60 and the hole transport layer 70 need to be switched.

また、本実施形態では、電気光学装置にEL表示装置1,2を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に第2電極が基体の外側に設けられるものであれば、どのような形態の電気光学装置にも適用可能である。   In this embodiment, an example in which the EL display devices 1 and 2 are applied to the electro-optical device has been described. However, the present invention is not limited to this, and the second electrode is basically provided outside the substrate. Any electro-optical device can be applied as long as it is a device.

次に、本発明の電子機器について説明する。電子機器は、上述したEL表示装置(電気光学装置)1を表示部として有したものであり、具体的には図8に示すものが挙げられる。
図8(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図8(a)において、携帯電話1000は、上述したEL表示装置1を用いた表示部1001を備える。
図8(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図8(b)において、時計1100は、上述したEL表示装置1を用いた表示部1101を備える。
図8(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図8(c)において、情報処理装置1200は、キーボードなどの入力部1201、上述したEL表示装置1を用いた表示部1202、情報処理装置本体(筐体)1203を備える。
図8(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、上述したEL表示装置(電気光学装置)1を有した表示部1001,1101,1202を備えているので、表示部を構成するEL表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。
Next, the electronic apparatus of the present invention will be described. The electronic apparatus has the above-described EL display device (electro-optical device) 1 as a display unit, and specifically, the one shown in FIG.
FIG. 8A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 8A, a mobile phone 1000 includes a display unit 1001 using the EL display device 1 described above.
FIG. 8B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 8B, a timepiece 1100 includes a display unit 1101 using the EL display device 1 described above.
FIG. 8C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 8C, the information processing apparatus 1200 includes an input unit 1201 such as a keyboard, a display unit 1202 using the EL display device 1 described above, and an information processing apparatus main body (housing) 1203.
Each of the electronic devices shown in FIGS. 8A to 8C includes the display units 1001, 1101, and 1202 each including the EL display device (electro-optical device) 1 described above. The life of the light emitting element of the display device is extended.

EL表示装置の配線構造を示す図The figure which shows the wiring structure of EL display apparatus EL表示装置の構成を示す模式図Schematic diagram showing the structure of an EL display device 図2のA−B線に沿う断面図Sectional drawing which follows the AB line of FIG. 図2のC−D線に沿う断面図Sectional drawing which follows the CD line of FIG. 図3の要部拡大断面図3 is an enlarged cross-sectional view of the main part of FIG. 接着層を示す拡大断面図Expanded sectional view showing the adhesive layer EL表示装置の変形例を示す模式図Schematic diagram showing a modification of the EL display device 電子機器を示す図Illustration showing electronic devices

符号の説明Explanation of symbols

1,2 表示装置(電気光学装置)、 20 基板、 30 封止膜、 205 接着層(樹脂)、 206 封止部材、 211 ギャップ材、 212 無機フィラー、 1000 携帯電話(電子機器)、 1100 時計(電子機器)、 1200 情報処理装置(電子機器)、 1001,1101,1202 表示部(電気光学装置)


1, 2 display device (electro-optical device), 20 substrate, 30 sealing film, 205 adhesive layer (resin), 206 sealing member, 211 gap material, 212 inorganic filler, 1000 mobile phone (electronic device), 1100 watch ( Electronic device), 1200 Information processing device (electronic device), 1001, 1101, 1202 Display unit (electro-optical device)


Claims (7)

素子部を備えた基板と、前記基板と対向する封止部材とを有し、前記基板と前記封止部材との間に無機フィラーとギャップ材が配合された樹脂を配置して、前記基板と前記封止部材との間を封止する電気光学装置において、
前記無機フィラーの粒径が前記ギャップ材の粒径よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
A substrate having an element portion; and a sealing member facing the substrate; a resin in which an inorganic filler and a gap material are blended between the substrate and the sealing member; In the electro-optical device for sealing between the sealing member,
An electro-optical device, wherein a particle size of the inorganic filler is smaller than a particle size of the gap material.
前記ギャップ材が高分子を主成分とする軟質材料であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the gap material is a soft material mainly composed of a polymer. 素子部を備えた基板と、前記基板と対向する封止部材とを有し、前記基板と前記封止部材との間に無機フィラーとギャップ材が配合された樹脂を配置して、前記基板と前記封止部材との間を封止する電気光学装置において、
前記無機フィラーが層状粘土化合物からなるとともに、その厚みが前記無機フィラーの粒径よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
A substrate having an element portion; and a sealing member facing the substrate; a resin in which an inorganic filler and a gap material are blended between the substrate and the sealing member; In the electro-optical device for sealing between the sealing member,
An electro-optical device, wherein the inorganic filler is made of a layered clay compound, and the thickness thereof is smaller than the particle size of the inorganic filler.
前記樹脂が前記素子部の少なくとも一部を覆うように前記素子部と前記封止部材の間に配置されることを特徴とする請求項1又は3に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the resin is disposed between the element portion and the sealing member so as to cover at least a part of the element portion. 前記素子部の少なくとも一部の上方に封止膜を有し、
前記樹脂が前記封止膜の略全面を覆うように前記封止膜と前記封止部材の間に配置されることを特徴とする請求項1又は3に記載の電気光学装置。
Having a sealing film above at least a part of the element portion;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the resin is disposed between the sealing film and the sealing member so as to cover substantially the entire surface of the sealing film.
前記素子部は電気光学素子部と駆動回路部と配線部とからなり、
前記樹脂が該駆動回路部あるいは該配線部の少なくとも一部を覆うように該駆動回路部あるいは該配線部と前記封止部材の間に配置されることを特徴とする請求項1又は3に記載の電気光学装置。
The element unit includes an electro-optic element unit, a drive circuit unit, and a wiring unit.
The said resin is arrange | positioned between this drive circuit part or this wiring part, and the said sealing member so that at least one part of this drive circuit part or this wiring part may be covered. Electro-optic device.
請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。


An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 6.


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