JP2005086073A - Method for manufacturing ceramic electronic component - Google Patents

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Hiroaki Takashima
Takaaki Kawai
孝明 河合
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently manufacture a highly reliable ceramic electronic component in a short time, wherein the ceramic electronic component is capable of efficiently evaporating and removing moisture in a short time and preventing the rejection phenomenon of conductive paste in the case of formation of an external electrode, after the application of the conductive paste and the baking thereof, and preventing crawling of solder upon mounting, due to the sticking and absorption of plating liquid when the external electrode is plated. <P>SOLUTION: First, a ceramic element 12 is formed to manufacture a laminated ceramic capacitor 10. External electrodes 18a, 18b, first plating films 20a, 20b and second plating films 20a, 20b are formed on the ceramic element 12. Then, the temperature of the ceramic element 12 is raised, in a state wherein an inert gas such as N<SB>2</SB>or Ar is introduced into the atmosphere around the ceramic element 12, and then the pressure of the atmosphere is reduced and heat treatment is carried out. Then, after an inert gas is introduced into the atmosphere, the temperature of the ceramic element 12 is lowered to evaporate and remove the moisture of the plating liquid from the ceramic element 12. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明はセラミック電子部品の製造方法に関し、特にセラミック素子に水分の付着や吸着が生じるようなたとえば湿式バレル研磨処理や湿式めっき処理などの処理を施す工程を経てたとえば積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品を製造するセラミック電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic electronic component, and more particularly, to a ceramic electronic component such as a multilayer ceramic capacitor after undergoing a process such as a wet barrel polishing process or a wet plating process that causes adhesion or adsorption of moisture to a ceramic element. The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic electronic component.

従来、セラミック電子部品の製造方法においては、たとえば、セラミック素子上の外部電極にめっきを施すための湿式めっき処理やセラミック素子を焼成した後の湿式バレル研磨処理等、セラミック素子に水分の付着や吸着が生じるような処理の後に、水分の除去を行うために乾燥工程を含んでいた。
この乾燥工程による水分の除去は、湿式めっき処理後の場合はめっき液の除去であり、湿式バレル研磨処理の場合は緩衝材として用いた水の除去である。
このような水分の除去を十分に行わないと、湿式めっき処理の場合、セラミック素子および外部電極に付着または吸着しためっき液が、リフローはんだ付け等の方法で回路基板に実装する際に、リフローの熱で急激に蒸発することにより、はんだのはぜ(破裂)が生じ、隣接する電子部品との間で短絡が生じる恐れがある。また、湿式バレル研磨処理の場合は、セラミック素子に付着または吸着した水により、その後の外部電極形成工程で、外部電極ペーストが水にはじかれるという問題が生じる。また、外部電極ペーストをはじかない場合でも、水分がセラミック素子に含まれた状態で、外部電極ペーストを焼き付けると、その熱で水分が急激に蒸発し、外部電極においてはぜ(破裂)が生じるという問題が生じる。
このような乾燥工程において、水分を効率よく除去するために、セラミック素子を減圧下で加熱する方法がある(特許文献1参照)。
この方法によれば、真空度を高くして減圧下で加熱しているため、大気圧下で加熱して乾燥させる場合と比較して、水分がぬけやすくなり、水分を確実に効率よく除去することが可能になる。そのため、外部電極にめっき処理を施す場合のめっき液の付着や吸着による実装時のはんだのはぜや、セラミック素子に湿式バレル研磨処理を施す場合の水分の付着や吸着による導電ペーストを塗布、焼き付けする方法で外部電極を形成する場合に導電ペーストがセラミックにのりにくくなるはじき現象、外部電極のはぜを防止することが可能になる。そして、その結果、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
Conventionally, in a method for manufacturing a ceramic electronic component, for example, wet plating treatment for plating an external electrode on a ceramic element or wet barrel polishing treatment after firing a ceramic element, etc., adhesion and adsorption of moisture to the ceramic element. In order to remove the water after the treatment to cause a drying, a drying step was included.
The removal of moisture by this drying step is removal of the plating solution after the wet plating treatment, and removal of water used as a buffer material in the case of the wet barrel polishing treatment.
If the moisture is not removed sufficiently, in the case of the wet plating process, when the plating solution adhering or adsorbing to the ceramic element and the external electrode is mounted on the circuit board by a method such as reflow soldering, Rapid evaporation due to heat causes solder rupture (burst), which may cause a short circuit between adjacent electronic components. In addition, in the case of wet barrel polishing, there is a problem that the water adhering to or adsorbing to the ceramic element causes the external electrode paste to be repelled by water in the subsequent external electrode forming step. Even if the external electrode paste is not repelled, if the external electrode paste is baked in a state where the moisture is contained in the ceramic element, the heat causes the water to rapidly evaporate, causing a rupture (rupture) in the external electrode. Problems arise.
In such a drying process, there is a method of heating a ceramic element under reduced pressure in order to efficiently remove moisture (see Patent Document 1).
According to this method, since the degree of vacuum is increased and heating is performed under reduced pressure, moisture is easily removed compared to heating and drying under atmospheric pressure, and moisture is reliably and efficiently removed. It becomes possible. For this reason, solder paste at the time of mounting due to adhesion or adsorption of plating solution when plating on external electrodes, or conductive paste due to adhesion or adsorption of moisture when applying wet barrel polishing to ceramic elements are applied and baked. When the external electrode is formed by this method, it becomes possible to prevent the repelling phenomenon that the conductive paste hardly adheres to the ceramic, and the external electrode from fusing. As a result, it is possible to efficiently manufacture a highly reliable ceramic electronic component.

特開2001−68372号公報JP 2001-68372 A

ところが、上述の従来の技術では、セラミック素子から水分を除去するためにセラミック素子を減圧下で加熱するので、設定温度まで昇温する際に長時間を要する。そのため、上述の従来の技術では、セラミック電子部品を製造する際に長時間を要してしまう。   However, in the above-described conventional technology, since the ceramic element is heated under reduced pressure in order to remove moisture from the ceramic element, it takes a long time to raise the temperature to the set temperature. Therefore, in the above-described conventional technology, it takes a long time to manufacture a ceramic electronic component.

それゆえに、この発明の主たる目的は、セラミック素子から効率よくしかも短時間で水分を蒸発させて除去し、導電ペーストを塗布、焼き付けして外部電極を形成する場合の導電ペーストのはじき現象や、外部電極にめっきを施す場合のめっき液の付着や吸着による、実装時のはんだのはぜを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能なセラミック電子部品の製造方法を提供することである。   Therefore, the main object of the present invention is to remove the conductive paste in the case where the external electrode is formed by evaporating and removing water from the ceramic element efficiently and in a short time, and applying and baking the conductive paste. It is possible to prevent solder fouling during mounting due to adhesion and adsorption of plating solution when plating on electrodes, and it is possible to manufacture highly reliable ceramic electronic components efficiently and in a short time A method of manufacturing a ceramic electronic component is provided.

この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法は、セラミック成形体を焼成してなるセラミック素子に対して、水分の付着や吸着が生じる処理を施した後に、セラミック素子を減圧下で加熱することにより、セラミック素子から水分を除去する工程を有するセラミック電子部品の製造方法において、セラミック素子から水分を除去する工程は、セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、昇温段階または降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。   The method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention is a method of heating a ceramic element under reduced pressure after performing treatment that causes adhesion and adsorption of moisture on a ceramic element formed by firing a ceramic molded body. In a method of manufacturing a ceramic electronic component having a step of removing moisture from a ceramic element, the step of removing moisture from the ceramic element is a temperature rising stage until reaching a set temperature for heating the ceramic element, and holding the set temperature It consists of a step and a temperature lowering step that lowers the set temperature to room temperature. The temperature rising step or temperature lowering step is performed in a state where the degree of vacuum is lower than the holding step and an inert gas is put in the atmosphere around the ceramic element. A method for manufacturing a ceramic electronic component.

この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子に対して水分の付着や吸着が生じる処理を施した後に、セラミック素子から水分を除去する工程は、セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、昇温段階または降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われるので、セラミック素子から水分を確実に、しかも効率よく除去することができる。この場合、セラミック素子を昇温することができる。そのため、導電ペーストを塗布、焼き付けする方法で外部電極を形成する場合に導電ペーストがセラミック素子にのりにくくなるはじき現象や、外部電極にめっきを施す場合のめっき液の付着や吸着による、実装時のはんだのはぜを防止することができる。そして、その結果、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することができる。   In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, the process of removing moisture from the ceramic element after the treatment that causes adhesion and adsorption of moisture to the ceramic element reaches a set temperature for heating the ceramic element. Temperature rising stage, holding stage for maintaining the set temperature, and temperature falling stage for lowering the set temperature to room temperature. The temperature rising stage or the temperature lowering stage has a lower degree of vacuum than the holding stage and is not suitable for the atmosphere around the ceramic element. Since it is performed in a state in which the active gas is added, moisture can be reliably and efficiently removed from the ceramic element. In this case, the temperature of the ceramic element can be raised. Therefore, when forming the external electrode by the method of applying and baking the conductive paste, the conductive paste is difficult to stick to the ceramic element, and the adhesion or adsorption of the plating solution when plating the external electrode Soldering can be prevented. As a result, a highly reliable ceramic electronic component can be efficiently manufactured.

また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子から水分を除去する工程は、セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、昇温段階または降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われるので、セラミック素子の周囲の雰囲気を減圧してからセラミック素子を昇温し降温する場合に比べて、セラミック素子を短時間で昇温し降温することができる。その結果、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法によれば、セラミック素子から短時間で水分を蒸発させて除去することができ、セラミック電子部品を短時間で製造することが可能になる。   In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, the step of removing moisture from the ceramic element includes a temperature rising stage until reaching a set temperature for heating the ceramic element, a holding stage for holding the set temperature, and a set temperature. The temperature rising stage or the temperature lowering stage is performed in a state where the degree of vacuum is lower than that of the holding stage and an inert gas is put in the atmosphere around the ceramic element. Compared to the case where the temperature of the ceramic element is raised and lowered after the atmosphere is depressurized, the temperature of the ceramic element can be raised and lowered in a short time. As a result, according to the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, moisture can be removed from the ceramic element by evaporating in a short time, and the ceramic electronic component can be manufactured in a short time.

この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、水分の付着や吸着が生じる処理が、たとえば、セラミック素子をバレルに入れて水の存在下に研磨する湿式バレル研磨処理である。湿式バレル研磨処理の工程では、セラミック素子への水分の付着または吸着が生じるが、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態でセラミック素子を昇温し、その雰囲気を減圧してから、その雰囲気に不活性ガスを入れてセラミック素子を降温することにより、セラミック素子から水分を確実に、効率よくしかも短時間で除去することが可能になり、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能になる。   In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, the process in which moisture adheres and is adsorbed is, for example, a wet barrel polishing process in which a ceramic element is put in a barrel and polished in the presence of water. In the wet barrel polishing process, moisture adheres to or is adsorbed to the ceramic element. In the method of manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, the ceramic element is filled with an inert gas in the atmosphere around the ceramic element. The temperature of the ceramic element is reduced, the atmosphere is reduced, and then the inert gas is added to the atmosphere to lower the temperature of the ceramic element, so that moisture can be reliably and efficiently removed from the ceramic element in a short time. Therefore, it becomes possible to manufacture a highly reliable ceramic electronic component efficiently and in a short time.

また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、水分の付着や吸着が生じる処理が、たとえば、セラミック素子に外部電極を形成した後に、その外部電極の表面にめっき膜を形成する湿式めっき処理である。セラミック素子に形成した外部電極の表面に、湿式めっき法により、めっき膜を形成する湿式めっき処理の工程では、セラミック素子へのめっき液の付着または吸着が生じるが、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態でセラミック素子を昇温し、その雰囲気を減圧してから、その雰囲気に不活性ガスを入れてセラミック素子を降温することにより、セラミック素子からめっき液に含まれる水分を確実に、効率よくしかも短時間で除去することが可能になる。その結果、リフローはんだ付けなどの方法により、セラミック電子部品を回路基板などに実装する場合に、めっき液に由来する水分の蒸発により、はんだがはぜて(破裂して)隣接する電子部品などと短絡を生じたりすることを防止することが可能になり、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能になる。   Further, in the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, the process in which moisture adheres and is adsorbed is, for example, a wet plating process in which, after an external electrode is formed on a ceramic element, a plating film is formed on the surface of the external electrode It is. In the wet plating process in which a plating film is formed on the surface of the external electrode formed on the ceramic element by a wet plating method, the plating solution adheres to or adheres to the ceramic element. In the manufacturing method, by heating the ceramic element in a state where an inert gas is put in the atmosphere around the ceramic element, depressurizing the atmosphere, and then putting the inert gas into the atmosphere to lower the temperature of the ceramic element. Thus, it is possible to reliably and efficiently remove moisture contained in the plating solution from the ceramic element in a short time. As a result, when a ceramic electronic component is mounted on a circuit board or the like by a method such as reflow soldering, the solder is separated (exploded) due to the evaporation of moisture derived from the plating solution and the adjacent electronic component. It becomes possible to prevent the occurrence of a short circuit, and a highly reliable ceramic electronic component can be manufactured efficiently and in a short time.

また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子が、たとえば、内部にセラミック層を介して複数層の内部電極が設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子である。内部にセラミック層を介して複数層の内部電極が設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子は、水分の吸着を生じやすく、その弊害を引き起こしやすいが、この発明の方法によれば、水分を効率よくしかも短時間で除去して、水分の吸着による不具合の発生を効率よく防止することが可能になる。したがって、この発明は、積層セラミックコンデンサや積層バリスタなどの積層セラミック電子部品の製造方法に適用した場合に、さらに有意義であるということができる。   In the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, the ceramic element is, for example, a multilayer ceramic element having a multilayer structure in which a plurality of layers of internal electrodes are provided via a ceramic layer. A laminated ceramic element having a laminated structure in which a plurality of internal electrodes are provided via a ceramic layer is likely to cause moisture adsorption and its harmful effect. Can be efficiently removed in a short time, and the occurrence of defects due to moisture adsorption can be efficiently prevented. Therefore, it can be said that the present invention is more meaningful when applied to a method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component such as a multilayer ceramic capacitor or a multilayer varistor.

さらに、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子が、内部に内部電極が設けられた積層型のセラミック素子である場合、セラミック素子から水分を除去する工程が、水分の付着や吸着が生じる処理を施した後、内部電極の有効部分に水分が達する前に行っている。なお、この場合の内部電極の有効部分とは、たとえば積層セラミックコンデンサであれば、内部電極が重なって容量を形成している部分のことである。この発明の方法によれば、セラミック素子や外部電極に付着や吸着した水分を効率よくかつ確実に除去することができる。   Furthermore, in the method of manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention, when the ceramic element is a multilayer ceramic element having an internal electrode provided therein, the step of removing moisture from the ceramic element is the adhesion and adsorption of moisture. This is performed before the moisture reaches the effective portion of the internal electrode after the treatment to cause the water. In this case, the effective portion of the internal electrode is, for example, a portion where the internal electrodes overlap to form a capacitance in the case of a multilayer ceramic capacitor. According to the method of the present invention, moisture adhering to or adsorbing to a ceramic element or external electrode can be removed efficiently and reliably.

この発明によれば、セラミック素子から効率よくしかも短時間で水分を蒸発させて除去し、導電ペーストを塗布、焼き付けして外部電極を形成する場合の導電ペーストのはじき現象や、外部電極にめっきを施す場合のめっき液の付着や吸着による、実装時のはんだのはぜを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能になる。   According to the present invention, when the external electrode is formed by evaporating and removing water from the ceramic element efficiently and in a short time, and applying and baking the conductive paste, plating of the external electrode It is possible to prevent solder fraying during mounting due to adhesion or adsorption of the plating solution when applied, and it becomes possible to manufacture highly reliable ceramic electronic components efficiently and in a short time.

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための最良の形態の説明から一層明らかとなろう。   The above-mentioned object, other objects, features, and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of the best mode for carrying out the invention with reference to the drawings.

図1はこの発明が適用される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。図1に示す積層セラミックコンデンサ10は、直方体状のセラミック素子12を含む。セラミック素子12は、誘電体からなる多数のセラミック層14を含む。これらのセラミック層14は積層される。セラミック層14間には、Niを用いた内部電極16aおよび16bが交互に形成される。この場合、内部電極16aは一端部がセラミック素子12の一端部に延びて形成され、内部電極16bは一端部がセラミック素子12の他端部に延びて形成される。また、内部電極16aおよび16bは、中間部および他端部がセラミック層14を介して重なり合うように形成される。したがって、このセラミック素子12は、内部にセラミック層14を介して複数の内部電極16aおよび16bが設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子である。   FIG. 1 is an illustrative view showing one example of a multilayer ceramic capacitor to which the present invention is applied. A multilayer ceramic capacitor 10 shown in FIG. 1 includes a rectangular parallelepiped ceramic element 12. The ceramic element 12 includes a number of ceramic layers 14 made of a dielectric. These ceramic layers 14 are laminated. Internal electrodes 16 a and 16 b using Ni are alternately formed between the ceramic layers 14. In this case, the internal electrode 16 a is formed with one end extending to one end of the ceramic element 12, and the internal electrode 16 b is formed with one end extending to the other end of the ceramic element 12. The internal electrodes 16 a and 16 b are formed so that the intermediate portion and the other end portion overlap with each other with the ceramic layer 14 interposed therebetween. Therefore, the ceramic element 12 is a multilayer ceramic element having a multilayer structure in which a plurality of internal electrodes 16a and 16b are provided via the ceramic layer 14 therein.

セラミック素子12の一端面には、Cuを用いた外部電極18aが内部電極16aに接続されるように形成される。同様に、セラミック素子12の他端面には、Cuを用いた外部電極18bが内部電極16bに接続されるように形成される。   An external electrode 18a using Cu is formed on one end face of the ceramic element 12 so as to be connected to the internal electrode 16a. Similarly, an external electrode 18b using Cu is formed on the other end surface of the ceramic element 12 so as to be connected to the internal electrode 16b.

また、外部電極18aおよび18bの表面には、はんだ食われを防止するためにNiを用いた第1のめっき膜20aおよび20bがそれぞれ形成される。さらに、第1のめっき膜20aおよび20bの表面には、はんだ付け性をよくするためにSnを用いた第2のめっき膜22aおよび22bがそれぞれ形成される。   Further, first plating films 20a and 20b using Ni are formed on the surfaces of the external electrodes 18a and 18b, respectively, in order to prevent solder erosion. Furthermore, second plating films 22a and 22b using Sn for improving solderability are formed on the surfaces of the first plating films 20a and 20b, respectively.

次に、図1に示す積層セラミックコンデンサ10の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor 10 shown in FIG. 1 will be described.

(実験例1)
図1に示す積層セラミックコンデンサ10を製造するためには、まず、セラミック素子12が通常の方法で形成される。すなわち、多数の誘電体セラミックグリーンシートが形成される。誘電体セラミックグリーンシートの所定のものの一方主面上には、Niを用いた内部電極材料を印刷することによって内部電極材料層が形成される。そして、それらの誘電体セラミックグリーンシートは、積層され、圧着され、所定の大きさのセラミック成形体にカットされる。それから、セラミック成形体を焼成することによって、多数のセラミック層14間に内部電極16aおよび16bを有するセラミック素子12が形成される。
(Experimental example 1)
In order to manufacture the multilayer ceramic capacitor 10 shown in FIG. 1, first, the ceramic element 12 is formed by a normal method. That is, a large number of dielectric ceramic green sheets are formed. On one main surface of a predetermined one of the dielectric ceramic green sheets, an internal electrode material layer using Ni is printed to form an internal electrode material layer. These dielectric ceramic green sheets are laminated, pressure-bonded, and cut into a ceramic molded body having a predetermined size. Then, by firing the ceramic molded body, the ceramic element 12 having the internal electrodes 16a and 16b between the multiple ceramic layers 14 is formed.

そして、セラミック素子12の両側面には、Cuを含む電極ペーストを塗布、焼き付けすることによって、外部電極18aおよび18bがそれぞれ形成される。   Then, external electrodes 18a and 18b are formed on both side surfaces of the ceramic element 12 by applying and baking an electrode paste containing Cu, respectively.

それから、外部電極18aおよび18bの表面には、めっき液中でNiをめっきすることによって、第1のめっき膜20aおよび20bがそれぞれ形成される。   Then, the first plating films 20a and 20b are respectively formed on the surfaces of the external electrodes 18a and 18b by plating Ni in a plating solution.

そして、第1のめっき膜20aおよび20bの表面には、めっき液中でSnをめっきすることによって、第2のめっき膜22aおよび22bがそれぞれ形成される。   Then, second plating films 22a and 22b are formed on the surfaces of the first plating films 20a and 20b by plating Sn in a plating solution, respectively.

第1のめっき膜20a,20bおよび第2のめっき膜22a,22bが形成されたセラミック素子12に対してめっき液の水分の付着や吸着が生じるが、セラミック素子12を加熱することにより、セラミック素子12から水分を蒸発させて除去する。それによって、積層セラミックコンデンサ10が製造される。   The ceramic element 12 on which the first plating films 20a and 20b and the second plating films 22a and 22b are formed adheres and adsorbs moisture in the plating solution. By heating the ceramic element 12, the ceramic element Evaporate and remove moisture from 12. Thereby, the multilayer ceramic capacitor 10 is manufactured.

上述のようにセラミック素子12から水分を蒸発させて除去するためには、表1の試料番号1〜4に示す条件でセラミック素子12に熱処理が施される。
すなわち、試料番号1〜4においては、まず、セラミック素子12の周囲の雰囲気(熱処理用のオーブン内の雰囲気)を室温(25℃)から設定温度(150℃)まで昇温してセラミック素子12を熱処理する。
この場合、試料番号1においては、セラミック素子12の周囲の雰囲気(空気)を減圧した状態(減圧下)でセラミック素子12を昇温する(昇温段階)。
また、試料番号2においては、セラミック素子12の周囲の雰囲気(空気)を減圧せずにセラミック素子12を昇温する(昇温段階)。
また、試料番号3、4においては、昇温段階ではセラミック素子12の周囲の雰囲気中に表1に示す不活性ガス(N2 、Ar)を入れてからセラミック素子12を昇温する(昇温段階)。
そして、試料番号2〜4においては、セラミック素子12が設定温度(150℃)に達すると同時にその雰囲気を133(Pa)の真空度に減圧し、セラミック素子12に設定温度(150℃)で処理時間として1時間の熱処理を施す(保持段階)。
それから、試料番号1〜4においては、その雰囲気を減圧した状態で冷却した空気を入れてセラミック素子12を設定温度(150℃)から室温に降温する(降温段階)。
上述のようにして、セラミック素子12から水分を蒸発させて除去する。
In order to evaporate and remove moisture from the ceramic element 12 as described above, the ceramic element 12 is subjected to heat treatment under the conditions shown in Sample Nos. 1 to 4 in Table 1.
That is, in the sample numbers 1 to 4, first, the atmosphere around the ceramic element 12 (atmosphere in the oven for heat treatment) is raised from room temperature (25 ° C.) to a set temperature (150 ° C.), and the ceramic element 12 is Heat treatment.
In this case, in sample number 1, the ceramic element 12 is heated (temperature rising stage) in a state where the atmosphere (air) around the ceramic element 12 is reduced (under reduced pressure).
In sample number 2, the ceramic element 12 is heated without depressurizing the atmosphere (air) around the ceramic element 12 (temperature rising stage).
In Sample Nos. 3 and 4, in the temperature raising stage, the inert gas (N 2 , Ar) shown in Table 1 is put in the atmosphere around the ceramic element 12 and then the ceramic element 12 is heated (temperature rise). Stage).
In Sample Nos. 2 to 4, the ceramic element 12 reaches the set temperature (150 ° C.), and at the same time, the atmosphere is reduced to a vacuum degree of 133 (Pa), and the ceramic element 12 is processed at the set temperature (150 ° C.). Heat treatment is performed for 1 hour as a time (holding stage).
Then, in the sample numbers 1 to 4, the cooled air is put in a state where the atmosphere is reduced, and the ceramic element 12 is cooled from the set temperature (150 ° C.) to the room temperature (temperature decreasing stage).
As described above, moisture is removed from the ceramic element 12 by evaporation.

上述の条件で製造された積層セラミックコンデンサ10について、はじき現象発生率およびはんだ付け性を評価し、その結果を表1に示した。なお、表1には、はじき現象発生率については、10000個の積層セラミックコンデンサ10を水に約1日間浸して、600℃で熱処理後の内部欠陥の発生率を示した。また、表1には、はんだ付け性については、230℃共晶はんだでの評価結果を示した。さらに、表1には、セラミック素子12周囲の雰囲気が室温から設定温度(150℃)に達するまでの時間を設定温度到達時間(時間)として示した。   The monolithic ceramic capacitor 10 manufactured under the above conditions was evaluated for the occurrence rate of repelling phenomenon and solderability, and the results are shown in Table 1. Table 1 shows the rate of occurrence of internal defects after 10000 monolithic ceramic capacitors 10 were immersed in water for about 1 day and heat treated at 600 ° C. Table 1 shows the evaluation results with 230 ° C. eutectic solder for solderability. Further, in Table 1, the time required for the atmosphere around the ceramic element 12 to reach the set temperature (150 ° C.) from room temperature is shown as the set temperature arrival time (time).

Figure 2005086073
Figure 2005086073

表1に示す結果より、試料番号1においては、雰囲気の減圧下でセラミック素子12を昇温するので、設定温度に達するまでの時間(設定温度到達時間)が長く、かつ、温度ばらつきが生じやすく、はじき現象発生率も悪いことが分かる。なお、温度の均一化については、熱処理用のオーブンのヒータからの輻射およびそのオーブン内のガスを伝わっての伝熱が推定されるが、試料番号1においては、雰囲気が減圧されていて輻射のみが主に関与するので、温度ばらつきが生じやすく、設定温度に達するまで昇温する時間が長くなることが推定される。
一方、試料番号2においては、大気の雰囲気でセラミック素子12を昇温するので、昇温時間は短くなるが、めっき膜(特に第2のめっき膜22aおよび22b)の酸化により、はんだ付け性の劣化が確認される。
それに対して、不活性ガス(N2 、Ar)を入れた雰囲気を用いた本願発明の範囲内の試料番号3、4においては、昇温時間も短く、かつ、酸化によるはんだ付け性の劣化もないことが分かる。
From the results shown in Table 1, in sample number 1, since the ceramic element 12 is heated under reduced pressure of the atmosphere, it takes a long time to reach the set temperature (set temperature arrival time), and temperature variations are likely to occur. It can be seen that the occurrence rate of the repelling phenomenon is also bad. As for the temperature uniformity, the radiation from the heater of the oven for heat treatment and the heat transfer through the gas in the oven are estimated, but in sample No. 1, the atmosphere is decompressed and only the radiation is estimated. It is presumed that the temperature variation tends to occur and the time for raising the temperature until the set temperature is reached is long.
On the other hand, in Sample No. 2, the temperature of the ceramic element 12 is increased in the atmosphere of air, so that the temperature increase time is shortened. However, due to the oxidation of the plating films (particularly, the second plating films 22a and 22b) Deterioration is confirmed.
On the other hand, in Sample Nos. 3 and 4 within the scope of the present invention using an atmosphere containing an inert gas (N 2 , Ar), the heating time is short and the solderability is deteriorated due to oxidation. I understand that there is no.

(実験例2)
実験例2でも、実験例1と同様にして、セラミック素子12が形成されるとともに、外部電極18a,18b、第1のめっき膜20a,20bおよび第2のめっき膜22a,22bが形成される。
(Experimental example 2)
In Experimental Example 2, similarly to Experimental Example 1, the ceramic element 12 is formed, and the external electrodes 18a and 18b, the first plating films 20a and 20b, and the second plating films 22a and 22b are formed.

そして、実験例2においても、セラミック素子12を加熱することにより、セラミック素子12から水分を蒸発させて除去する。それによって、積層セラミックコンデンサ10が製造される。   Also in Experimental Example 2, the ceramic element 12 is heated to evaporate and remove moisture from the ceramic element 12. Thereby, the multilayer ceramic capacitor 10 is manufactured.

実験例2では、上述のようにセラミック素子12から水分を蒸発させて除去するためには、表2の試料番号5〜8に示す条件でセラミック素子12に熱処理が施される。
まず、試料番号5においては、実験例1の試料番号1と全く同じ条件でセラミック素子12を熱処理する。
また、試料番号6においては、実験例1の試料番号3の昇温段階の条件および保持段階の条件と同じ条件にし、設定温度(150℃)から室温への降温段階で熱処理用のオーブン内(セラミック素子12の周囲の雰囲気)に室温以下の温度の空気を送り続けて降温する。
さらに、試料番号7においては、実験例1の試料番号3の昇温段階の条件および保持段階の条件と同じ条件にし、設定温度(150℃)から室温への降温段階で熱処理用のオーブン内(セラミック素子12の周囲の雰囲気)に室温以下の温度のN2 を送り続けて降温する。
そして、試料番号8においては、実験例1の試料番号3の昇温段階の条件および保持段階の条件と同じ条件にし、設定温度(150℃)から室温への降温段階で熱処理用のオーブン内(セラミック素子12の周囲の雰囲気)に室温以下の温度のAr を送り続けて降温する。
上述のようにして、セラミック素子12から水分を蒸発させて除去する。
In Experimental Example 2, in order to evaporate and remove moisture from the ceramic element 12 as described above, the ceramic element 12 is subjected to heat treatment under the conditions shown in sample numbers 5 to 8 in Table 2.
First, in Sample No. 5, the ceramic element 12 is heat-treated under exactly the same conditions as Sample No. 1 in Experimental Example 1.
In Sample No. 6, the same conditions as in the temperature raising stage and holding stage in Sample No. 3 of Experimental Example 1 were set, and the temperature was reduced from the set temperature (150 ° C.) to room temperature in the oven for heat treatment ( The air at a temperature not higher than room temperature is continuously sent to the atmosphere around the ceramic element 12 to lower the temperature.
Further, in Sample No. 7, the same conditions as those in the temperature raising stage and the holding stage in Sample No. 3 of Experimental Example 1 are set, and the temperature is lowered from the set temperature (150 ° C.) to room temperature in the oven for heat treatment ( The temperature is lowered by continuously sending N 2 at a temperature below room temperature to the atmosphere around the ceramic element 12.
In Sample No. 8, the same conditions as those for the temperature raising stage and the holding stage in Sample No. 3 of Experimental Example 1 were set, and the temperature was lowered from the set temperature (150 ° C.) to room temperature in the oven for heat treatment ( The atmosphere around the ceramic element 12) Continue to send to lower the temperature.
As described above, moisture is removed from the ceramic element 12 by evaporation.

上述の条件で製造された積層セラミックコンデンサ10について、実験例1と同様にして、はじき現象発生率およびはんだ付け性を評価し、その結果を表2に示した。さらに、表2には、セラミック素子12が設定温度(150℃)から室温(25℃)に達するまでの時間を室温到達時間(時間)として示した。   About the multilayer ceramic capacitor 10 manufactured on the above-mentioned conditions, the occurrence rate of repelling phenomenon and solderability were evaluated in the same manner as in Experimental Example 1, and the results are shown in Table 2. Further, Table 2 shows the time until the ceramic element 12 reaches the room temperature (25 ° C.) from the set temperature (150 ° C.) as the room temperature arrival time (hour).

Figure 2005086073
Figure 2005086073

表2に示す結果より、試料番号5においては、雰囲気(空気)の減圧下でセラミック素子12を降温するので、室温に達するまでの時間(室温到達時間)が長く、かつ、はじき現象発生率も悪いことが分かる。
一方、試料番号6においては、雰囲気に空気を送り続けてセラミック素子12を降温するので、昇温時間は短くなるが、めっき膜(特に第2のめっき膜22aおよび22b)の酸化により、はんだ付け性の劣化が確認される。
それに対して、雰囲気に不活性ガス(N2 、Ar)を送り続ける本願発明の範囲内の試料番号7、8においては、降温時間も短く、かつ、酸化によるはんだ付け性の劣化もないことが分かる。
From the results shown in Table 2, in Sample No. 5, the temperature of the ceramic element 12 is lowered under reduced pressure of the atmosphere (air), so the time until it reaches room temperature (room temperature arrival time) is long, and the occurrence rate of the repelling phenomenon is also high. I know it ’s bad.
On the other hand, in Sample No. 6, since air is continuously sent to the atmosphere to lower the temperature of the ceramic element 12, the temperature rise time is shortened, but soldering is performed due to oxidation of the plating films (particularly the second plating films 22a and 22b). Degradation is confirmed.
On the other hand, in sample numbers 7 and 8 within the scope of the present invention in which the inert gas (N 2 , Ar) is continuously sent to the atmosphere, the temperature lowering time is short, and there is no deterioration in solderability due to oxidation. I understand.

なお、上述の各実験例において、セラミック素子上の外部電極にめっきを施す湿式めっき処理後の水分の除去について説明したが、本願発明は、セラミック素子の湿式バレル研磨処理後の水分の除去に適用しても同様の結果が得られる。
すなわち、湿式バレル研磨処理後の水分除去、湿式めっき処理後のめっき液の除去の両方に本願発明を適用した場合、2つの工程において処理時間を短縮することができるため、セラミック電子部品の製造方法全体でみた場合、大幅に製造時間を短縮することができる。
In each experimental example described above, the removal of moisture after the wet plating process for plating the external electrode on the ceramic element has been described. However, the present invention is applicable to the removal of moisture after the wet barrel polishing process of the ceramic element. However, similar results can be obtained.
That is, when the present invention is applied to both removal of water after wet barrel polishing and removal of plating solution after wet plating, the processing time can be shortened in two steps. When viewed as a whole, the manufacturing time can be greatly reduced.

(実験例3)
次に、水分の付着や吸着が生じる処理である湿式めっき処理後、時間をおいて水分の除去を行った場合のセラミック電子部品の絶縁抵抗不良について調べ、その結果を表3に示した。
セラミック電子部品としては、CaZrO3 を主成分とするセラミック素子にNi内部電極が設けられ、Cuからなる外部電極が形成された積層セラミックコンデンサを用いた。また、この積層セラミックコンデンサの外形寸法は長さ2.0mm×幅1.25mm×厚み1.25mmであり、外部電極の端面厚みは80μmである。また、絶縁抵抗不良は、1011Ω未満の積層セラミックコンデンサを不良としたものである。
(Experimental example 3)
Next, after the wet plating process, which is a process that causes the adhesion and adsorption of moisture, the insulation resistance failure of the ceramic electronic component when the moisture was removed after a while was examined, and the results are shown in Table 3.
As the ceramic electronic component, a multilayer ceramic capacitor in which a Ni internal electrode is provided in a ceramic element mainly composed of CaZrO 3 and an external electrode made of Cu is formed is used. The outer dimensions of the multilayer ceramic capacitor are length 2.0 mm × width 1.25 mm × thickness 1.25 mm, and the end face thickness of the external electrode is 80 μm. Insulation resistance failure is a failure of a multilayer ceramic capacitor of less than 10 11 Ω.

Figure 2005086073
Figure 2005086073

表3に示す結果より、湿式めっき処理後、水分の除去は時間をおかずに短時間で行うことがよいことが分かる。
また、めっきに使用するめっき液に蛍光液を溶かして、めっきに要する時間だけ浸漬した後、表3の試料番号9〜13と同じ時間だけ放置した後、セラミック電子部品の断面をみてめっき液の浸入について調べた。
その結果、24時間で外部電極を抜けて、セラミック素子内の内部電極の有効部分に達していることが分かった。すなわち、表3における試料番号12、13の絶縁抵抗不良は、内部電極の有効部分に達しためっき液が除去しきれないことによるものであると考えられる。
From the results shown in Table 3, it can be seen that after the wet plating process, it is preferable to remove the water in a short time without taking time.
In addition, after dissolving the fluorescent solution in the plating solution used for plating and immersing it for the time required for plating, the plate is left for the same time as the sample numbers 9 to 13 in Table 3, and then the cross section of the ceramic electronic component is viewed. The infiltration was investigated.
As a result, it was found that the external electrode passed through in 24 hours and reached the effective portion of the internal electrode in the ceramic element. That is, it is considered that the defective insulation resistance of Sample Nos. 12 and 13 in Table 3 is due to the fact that the plating solution reaching the effective portion of the internal electrode cannot be removed.

(実験例4)
さらに、水分の付着や吸着が生じる処理である湿式バレル研磨処理後、時間をおいて水分の除去を行った場合のセラミック電子部品の構造欠陥不良について調べ、その結果を表4に示した。
セラミック電子部品としては、外部電極を形成しない点を除いては実験例3と同じものを用いた。また、長さ方向においてセラミック素子の端面と内部電極との間隔は200μmであり、幅方向においてセラミック素子の側面と内部電極との間隔は250μm、厚み方向においてセラミック素子の上下面と内部電極との間隔は200μmである。また、構造欠陥不良については、セラミック素子をバレル研磨後、外部電極焼付温度である860℃で熱処理した後、超音波探傷装置で構造欠陥を検出した。
(Experimental example 4)
Further, after the wet barrel polishing process, which is a process in which moisture adheres and is adsorbed, the structural defect defects of the ceramic electronic component when the moisture is removed after a period of time are examined, and the results are shown in Table 4.
The same ceramic electronic component as in Experimental Example 3 was used except that no external electrode was formed. The distance between the end face of the ceramic element and the internal electrode in the length direction is 200 μm, the distance between the side face of the ceramic element and the internal electrode in the width direction is 250 μm, and the distance between the upper and lower surfaces of the ceramic element and the internal electrode in the thickness direction. The interval is 200 μm. Regarding the structural defect defect, the ceramic element was barrel-polished and then heat-treated at 860 ° C. which is the external electrode baking temperature, and then the structural defect was detected by an ultrasonic flaw detector.

Figure 2005086073
Figure 2005086073

表4に示す結果より、湿式バレル研磨処理後、水分の除去は時間をおかずに短時間で行うことがよいことが分かる。
また、湿式バレル研磨処理に使用する水に蛍光液を溶かして、湿式バレル研磨を行った後、表4の試料番号14〜19と同じ時間だけ放置した後、セラミック電子部品の断面をみてめっき液の浸入について調べた。
その結果、24時間でセラミック素子端面付近から水が浸入して、セラミック素子内の内部電極の有効部分に達し、24時間でセラミック素子上下面付近から水が浸入して、セラミック素子内の内部電極の有効部分に達し、30時間でセラミック素子側面付近から水が浸入してセラミック素子内の内部電極の有効部分に達していることがわかった。なお、セラミック素子側面からの浸入がセラミック素子端面や上下面からの浸入に比べて時間がかかったのは、50μm大きかったことによるものである。したがって、表4における試料番号17〜19の構造欠陥不良は、内部電極の有効部分に達した水分が除去しきれないことによるものであると考えられる。
From the results shown in Table 4, it can be seen that after the wet barrel polishing treatment, it is preferable to remove the water in a short time without taking time.
Further, after dissolving the fluorescent solution in water used for the wet barrel polishing process and performing wet barrel polishing, the sample is left for the same time as the sample numbers 14 to 19 in Table 4, and the plating solution is observed by looking at the cross section of the ceramic electronic component. The invasion of was investigated.
As a result, water infiltrates from the vicinity of the end face of the ceramic element in 24 hours and reaches the effective portion of the internal electrode in the ceramic element, and water intrudes from near the upper and lower face of the ceramic element in 24 hours. It was found that water invaded from the vicinity of the side surface of the ceramic element and reached the effective part of the internal electrode in the ceramic element in 30 hours. The reason why the intrusion from the side surface of the ceramic element took more time than the intrusion from the end surface and the upper and lower surfaces of the ceramic element is that it was larger by 50 μm. Accordingly, it is considered that the structural defect defects of Sample Nos. 17 to 19 in Table 4 are due to the fact that the moisture that has reached the effective portion of the internal electrode cannot be removed.

以上のように、実験例3および実験例4の結果から、セラミック素子に水分の付着または吸着が生じる処理を施した後、水分の除去を行う場合には、内部電極の有効部分に水分が達する前に行うことが必要であることは明らかである。
なお、内部電極の有効部分に達する時間は、外部電極や内部電極とセラミック素子表面との間隔によって変化するものであるため、たとえばセラミック電子部品が小型化して、外部電極厚みや内部電極とセラミック素子表面との間隔が小さくなった場合には、セラミック素子に水分の付着または吸着が生じる処理を施した後、さらに短い時間で水分の除去を行う必要がある。
As described above, from the results of Experimental Example 3 and Experimental Example 4, when moisture is removed after the treatment that causes the adhesion or adsorption of moisture to the ceramic element, the moisture reaches the effective portion of the internal electrode. Obviously it is necessary to do before.
The time to reach the effective portion of the internal electrode varies depending on the external electrode and the distance between the internal electrode and the surface of the ceramic element. For example, the ceramic electronic component is downsized to reduce the thickness of the external electrode, the internal electrode and the ceramic element. When the distance from the surface becomes small, it is necessary to remove the moisture in a shorter time after the treatment that causes the adhesion or adsorption of moisture to the ceramic element.

なお、上述の各実験例において、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスとしてN2 、Arが入れられているが、この発明では、セラミック素子の周囲の雰囲気に他の不活性ガスが入れられてもよく、このようにしても同様の効果を得ることが可能である。 In each of the above experimental examples, N 2 and Ar are put as an inert gas in the atmosphere around the ceramic element. In the present invention, another inert gas is put into the atmosphere around the ceramic element. In this way, the same effect can be obtained.

また、上述の各実験例では、内部電極16aおよび16bにNiが用いられ、外部電極18aおよび18bにCuが用いられ、第1のめっき膜20aおよび20bにNiが用いられ、第2のめっき膜22aおよび22bにSnが用いられているが、この発明では、それらには他の材料が用いられてもよい。たとえば、外部電極には、Cu以外の卑金属が用いられてもよい。   In each of the above experimental examples, Ni is used for the internal electrodes 16a and 16b, Cu is used for the external electrodes 18a and 18b, Ni is used for the first plating films 20a and 20b, and the second plating film. Although Sn is used for 22a and 22b, other materials may be used for them in the present invention. For example, a base metal other than Cu may be used for the external electrode.

さらに、上述の各実験例では積層セラミックコンデンサの製造方法を例にとって説明したが、この発明は、積層セラミックコンデンサの他に、積層セラミックバリスタ、積層セラミックインダクタ、積層セラミックサーミスタなど、内部電極およびそれに接続される外部電極を有する種々の積層セラミック電子部品の製造方法に適用することが可能である。   Furthermore, in each of the above experimental examples, the manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor has been described as an example. However, in addition to the multilayer ceramic capacitor, the present invention includes an internal electrode such as a multilayer ceramic varistor, multilayer ceramic inductor, multilayer ceramic thermistor, and connection to the internal electrode. The present invention can be applied to various multilayer ceramic electronic component manufacturing methods having external electrodes.

さらに、上述の各実験例では複数の内部電極が用いられいるが、積層セラミックコンデンサ、積層セラミックバリスタ、積層セラミックサーミスタにおいては2枚以上の内部電極が用いられてもよく、また、積層セラミックインダクタにおいては1枚以上の内部電極が用いられてもよい。   Furthermore, in each of the above experimental examples, a plurality of internal electrodes are used. However, in a multilayer ceramic capacitor, a multilayer ceramic varistor, and a multilayer ceramic thermistor, two or more internal electrodes may be used. One or more internal electrodes may be used.

また、本願発明は、さらにその他の点においても上記の各実験例に限定されるものではなく、真空度、温度、時間などの乾燥条件、セラミック素子を構成するセラミックの種類、内部電極や外部電極の構造などに関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。   In addition, the present invention is not limited to the above experimental examples in other respects as well. The drying conditions such as the degree of vacuum, temperature, and time, the type of ceramic constituting the ceramic element, the internal electrode and the external electrode Various applications and modifications can be made within the scope of the invention.

この発明が適用される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。It is an illustration figure which shows an example of the multilayer ceramic capacitor to which this invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

10 積層セラミックコンデンサ
12 セラミック素子
14 セラミック層
16a、16b 内部電極
18a、18b 外部電極
20a、20b 第1のめっき膜
22a、22b 第2のめっき膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Multilayer ceramic capacitor 12 Ceramic element 14 Ceramic layer 16a, 16b Internal electrode 18a, 18b External electrode 20a, 20b 1st plating film 22a, 22b 2nd plating film

Claims (5)

セラミック成形体を焼成してなるセラミック素子に対して、水分の付着や吸着が生じる処理を施した後に、前記セラミック素子を減圧下で加熱することにより、前記セラミック素子から水分を除去する工程を有するセラミック電子部品の製造方法において、
前記セラミック素子から水分を除去する工程は、前記セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、前記昇温段階または前記降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、前記セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
A process of removing moisture from the ceramic element by heating the ceramic element under reduced pressure after performing treatment that causes adhesion and adsorption of moisture on the ceramic element obtained by firing the ceramic molded body In the method of manufacturing a ceramic electronic component,
The step of removing moisture from the ceramic element includes a temperature rising stage until reaching a set temperature for heating the ceramic element, a holding stage for holding the set temperature, and a temperature lowering stage for lowering the set temperature to room temperature. The method of manufacturing a ceramic electronic component, wherein the step or the temperature lowering step is performed in a state where the degree of vacuum is lower than that of the holding step and an inert gas is put in an atmosphere around the ceramic element.
前記水分の付着や吸着が生じる処理が、前記セラミック素子をバレルに入れて水の存在下に研磨する湿式バレル研磨処理であることを特徴とする、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。   2. The method of manufacturing a ceramic electronic component according to claim 1, wherein the treatment that causes the adhesion and adsorption of moisture is a wet barrel polishing treatment in which the ceramic element is put in a barrel and polished in the presence of water. 3. . 前記水分の付着や吸着が生じる処理が、前記セラミック素子に外部電極を形成した後に、前記外部電極の表面にめっき膜を形成する湿式めっき処理であることを特徴とする、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。   2. The process according to claim 1, wherein the treatment that causes the adhesion and adsorption of moisture is a wet plating process in which a plating film is formed on a surface of the external electrode after the external electrode is formed on the ceramic element. Manufacturing method of ceramic electronic components. 前記セラミック素子が、内部にセラミック層を介して複数の内部電極が設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子であることを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。   4. The ceramic element according to claim 1, wherein the ceramic element is a laminated ceramic element having a laminated structure in which a plurality of internal electrodes are provided via a ceramic layer. 5. Manufacturing method of ceramic electronic components. 前記セラミック素子から水分を除去する工程は、前記水分の付着や吸着が生じる処理を施した後、前記内部電極の有効部分に水分が達する前に行うことを特徴とする、請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。   5. The method according to claim 4, wherein the step of removing moisture from the ceramic element is performed before the moisture reaches an effective portion of the internal electrode after the treatment that causes adhesion and adsorption of the moisture is performed. Manufacturing method of ceramic electronic components.
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