JP2005079443A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ゲート容量を増加させずに、ボディー電位を制御可能とした構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 SOI MOSトランジスタにおいて、主MOSFET Qm、副MOSFET Qsを有し、主ゲート(151)に対してボディー電位の制御ゲート(152)を別に有する構成となっている。ボディーとしてのP−領域13上にゲート絶縁膜(図示せず)を介して主ゲート電極151、側壁(スペーサ)161、両側の基板11にはソース/ドレイン領域S/Dが形成されている。主ゲート電極151の延長方向に主ゲート電極151から離間した副ゲート電極152が形成され、同様にソース/ドレイン領域S/Dが形成されている。
【選択図】 図2
【解決手段】 SOI MOSトランジスタにおいて、主MOSFET Qm、副MOSFET Qsを有し、主ゲート(151)に対してボディー電位の制御ゲート(152)を別に有する構成となっている。ボディーとしてのP−領域13上にゲート絶縁膜(図示せず)を介して主ゲート電極151、側壁(スペーサ)161、両側の基板11にはソース/ドレイン領域S/Dが形成されている。主ゲート電極151の延長方向に主ゲート電極151から離間した副ゲート電極152が形成され、同様にソース/ドレイン領域S/Dが形成されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特にSOI(Silicon On Insulator)基板に形成されるトランジスタ素子におけるボディー電位の制御構成に関する。
SOIデバイスとしてよく知られているSOI MOSFETは、絶縁膜上に形成されたシリコン単結晶にMOSFETを構成するものであり、ソース/ドレインの接合容量が小さく抑えられる利点を有する。このため、通常のバルクシリコン基板上に作製したMOSFET(バルクMOSFET)より高速で動作する。また、低電圧電源でも高速に動作するため、低消費電力LSIへの応用が検討されている。
SOI MOSFETは、いわゆる基板浮遊効果によって、キャリア生成電流に起因する寄生バイポーラ動作が知られている。回路動作待機時のオフ電流が増加し、バルクMOSFETに比べてボディー(チャネル部)の不純物濃度を高くしなければならず、これに伴って電界効果移動度は減少し、ひいては電流駆動能力が低下してしまう。
このような基板浮遊効果による寄生バイポーラ動作を防止するため、SOI MOSFETは、ソース/ドレインの近傍にボディーコンタクト領域を設け、チャネル電位(ボディー電位)を固定する構成がとられている。従来、例えばN+型ソース/ドレインに隣接して形成されたP+型のボディーコンタクト領域を有する。P+型のボディーコンタクト領域は、ゲート電極下のP−型のチャネル領域と電気的に接続される。これにより、直接ボディー電位を固定する。(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−246600号公報
動作安定化のためにはボディー電位を固定する構成が有効であるが、ゲートの形状を工夫するため、ゲート容量が増大する。これにより、動作速度や消費電流に少なからず悪い影響を与える結果となる。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、ゲート容量を増加させずに、ボディー電位を制御可能とした構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供しようとするものである。
本発明に係る半導体装置は、絶縁膜上に形成されたシリコン単結晶をボディーとしてトランジスタ素子を構成するSOI MOSトランジスタを有する半導体装置であって、前記SOI MOSトランジスタにおいて、主ゲートに対してボディー電位の制御ゲートを別に有することを特徴としている。
上記本発明に係る半導体装置によれば、SOI MOSトランジスタとしての主ゲートはバルク上のMOSトランジスタと同様の形状であり、容量増加はない。しかも別にボディー電位の制御ゲートを有しており、SOI MOSトランジスタのボディー電位の有用な制御ができる。
なお、上記本発明に係る半導体装置において、前記SOI MOSトランジスタは、前記制御ゲートに与えられる所定の信号で活性化するトランジスタ動作でボディー電位のチャージ量が制御されることを特徴としている。
なお、上記本発明に係る半導体装置において、前記SOI MOSトランジスタは、前記制御ゲートに与えられる所定の信号で活性化するトランジスタ動作でボディー電位のチャージ量が制御されることを特徴としている。
本発明に係るより好ましい実施態様としての半導体装置は、絶縁膜上に設けられた第1導電型の半導体基板領域と、前記半導体基板領域上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の主ゲート電極と、前記主ゲート電極の両側の前記半導体基板領域に形成された主第2導電型不純物領域と、前記主ゲート電極と離間して前記ゲート絶縁膜上に設けられた副ゲート電極と、前記副ゲート電極の両側の前記半導体基板領域に形成された副第2導電型不純物領域と、を具備し、少なくとも前記副ゲート電極下の前記半導体基板領域に形成するチャネル領域を利用して前記主ゲート電極下の前記半導体基板領域におけるチャージ量を制御することを特徴とする。
上記本発明に係る半導体装置によれば、副ゲート電極に周期的な信号を与えるなどして主ゲート電極下の半導体基板領域(ボディー)におけるチャージを抜くこともできる。また、副ゲート電極に信号を与えず、チャージを抜かずに主ゲート電極下の半導体基板領域(ボディー)の能力を高めることもできる。
なお、上記本発明に係る半導体装置において、好ましくは、前記副第2導電型不純物領域は、接地電位またはその他の所定電位に接続される部分を有することを特徴とする。
さらに、上記本発明に係る半導体装置において、好ましくは、前記主ゲート電極及び副ゲート電極、前記主第2導電型不純物領域及び前記副第2導電型不純物領域それぞれの一部表面に設けられた低抵抗化層と、前記一部表面以外の部分に設けられた前記低抵抗化層の形成防止領域と、をさらに具備したことを特徴とする。
さらに、上記本発明に係る半導体装置において、好ましくは、前記主ゲート電極及び副ゲート電極、前記主第2導電型不純物領域及び前記副第2導電型不純物領域それぞれの一部表面に設けられた低抵抗化層と、前記一部表面以外の部分に設けられた前記低抵抗化層の形成防止領域と、をさらに具備したことを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に設けられた第1導電型の半導体基板に素子領域を囲む素子分離領域を形成する工程と、前記素子領域に互いに離間して主ゲート電極、副ゲート電極を形成する工程と、前記主ゲート電極、副ゲート電極それぞれについて第2導電型不純物領域のソース/ドレインを含む主絶縁ゲート電界効果トランジスタ、副絶縁ゲート電界効果トランジスタを形成する工程と、を具備したことを特徴とする。
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、主、副各ゲート電極の形状は通常のバルクMOSトランジスタと同様に形成できる。主、副各ゲート電極に従い、それぞれ第2導電型不純物領域のソース/ドレインが個々に形成される。
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、より好ましくは、前記主ゲート電極、副ゲート電極それぞれの側壁を形成する工程と、前記主ゲート電極と副ゲート電極の離間部分を含む周辺の前記素子領域に絶縁膜を形成する工程と、露出した前記主ゲート電極、副ゲート電極、及び前記第2導電型不純物領域をシリサイド化する工程と、をさらに具備したことを特徴とする。
また、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、より好ましくは、前記副絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレインを共に接地電位またはその他の所定電位に接続することを特徴とする。
また、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、より好ましくは、前記副絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレインを共に接地電位またはその他の所定電位に接続することを特徴とする。
図1、図2は、それぞれ本発明の第1実施形態に係る半導体装置の要部構成を示す平面図及びその等価回路図である。図1、図2で同様の箇所には同一の符号を付して説明する。
SOI基板11は、図示しないベース基板等に設けられた埋め込み絶縁膜上に形成されている。埋め込み素子分離領域12によって、SOI基板11に素子領域が確立されている。ここでのSOI基板11は、比較的低濃度のP型の不純物が導入されたボディーとしてのP−領域(P-well)13が形成されている。P−領域13上にゲート絶縁膜(図示せず)を介して主ゲート電極151が形成されている。主ゲート電極151には側壁(スペーサ)161が形成されている。主ゲート電極151の両側の基板11にはソース/ドレイン領域S/Dが形成されている。ソース/ドレイン領域S/Dは、スペーサ161によって、周知のLDD(Lightly Doped Drain )構造等が含まれるエクステンション領域を有する。
SOI基板11は、図示しないベース基板等に設けられた埋め込み絶縁膜上に形成されている。埋め込み素子分離領域12によって、SOI基板11に素子領域が確立されている。ここでのSOI基板11は、比較的低濃度のP型の不純物が導入されたボディーとしてのP−領域(P-well)13が形成されている。P−領域13上にゲート絶縁膜(図示せず)を介して主ゲート電極151が形成されている。主ゲート電極151には側壁(スペーサ)161が形成されている。主ゲート電極151の両側の基板11にはソース/ドレイン領域S/Dが形成されている。ソース/ドレイン領域S/Dは、スペーサ161によって、周知のLDD(Lightly Doped Drain )構造等が含まれるエクステンション領域を有する。
主ゲート電極151の延長方向に主ゲート電極151から離間した副ゲート電極152が形成されている。副ゲート電極152もP−領域13上にゲート絶縁膜(図示せず)を介して形成されている。副ゲート電極152には側壁(スペーサ)162が形成されている。副ゲート電極152の両側の基板11にはソース/ドレイン領域S/Dが形成されている。ソース/ドレイン領域S/Dは、周知のLDD(Lightly Doped Drain )構造等が含まれるエクステンション領域を有する。
上記より、SOI MOSトランジスタにおいて、主MOSFET Qm、副MOSFET Qsを有し、主ゲート(151)に対してボディー電位の制御ゲート(152)を別に有する構成となっている。主MOSFET Qm、副MOSFET Qsの2つのトランジスタを組み合わせるレイアウト形態は別段限定されない。
副MOSFET Qsのソース/ドレイン領域S/Dには、例えば接地電位Vssが与えられる。これにより、副ゲート電極152に適当な信号を供給して副MOSFET Qsを動作させる。これにより、主MOSFET Qmのボディー電位(ボディー・チャージ量)を制御する。なお、上述のように副MOSFET Qsのソース/ドレイン領域S/Dは、接地電位Vss固定が通常であるが、それ以外の電位、または変動する電位を与えることも考えられる。また、副ゲート電極(ボディー電位の制御ゲート)152はリフレッシュのようなインターバル動作が好ましい。しかし、主ゲート電極151や周辺の回路動作における適当な制御信号を利用することも可能である。
上記実施形態によれば、SOI MOSトランジスタとしての主ゲート電極151は、バルク上のMOSトランジスタと同様の形状であり、容量増加はない(副ゲート電極152も同様)。しかも別にボディー電位の制御ゲート、すなわち副ゲート電極152を有しており、SOI MOSトランジスタ(主MOSFET Qm)のボディー電位の有用な制御ができる。
図3(a),(b)〜図6(a),(b)は、それぞれ本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す平面図及びB−B断面図である。前記第1実施形態の図1、図2と同様の箇所には同一の符号を付して説明する。
図3(a),(b)に示すように、埋め込み絶縁膜10上にボディーとしてP−領域13を有するSOI基板11が形成されている。SOI基板11に対し、埋め込み素子分離領域12を形成する。埋め込み素子分離領域12を形成する一例として、窒化膜等を含むマスク部材を伴い、所定パターンのトレンチを形成し、次に、トレンチ内の側壁酸化工程を経て高密度プラズマを利用したCVD(化学的気相成長)技術によりCVD酸化膜を堆積する方法がある。その後、CMP(化学的機械的研磨)技術を利用した平坦化処理及びウェットエッチングを用いたマスク部材の除去を経る。
図3(a),(b)に示すように、埋め込み絶縁膜10上にボディーとしてP−領域13を有するSOI基板11が形成されている。SOI基板11に対し、埋め込み素子分離領域12を形成する。埋め込み素子分離領域12を形成する一例として、窒化膜等を含むマスク部材を伴い、所定パターンのトレンチを形成し、次に、トレンチ内の側壁酸化工程を経て高密度プラズマを利用したCVD(化学的気相成長)技術によりCVD酸化膜を堆積する方法がある。その後、CMP(化学的機械的研磨)技術を利用した平坦化処理及びウェットエッチングを用いたマスク部材の除去を経る。
次に、図4(a),(b)に示すように、犠牲酸化膜の形成後、しきい値(Vth)調整を兼ねた所定導電型、つまりP型、N型それぞれのチャネルイオン注入をする。ここではNチャネル用のイオン注入である。次いで、ウェットエッチング等で犠牲酸化膜を除去した後、ウェット酸化法等を用いゲート絶縁膜14を形成する。次いで、例えばCVD法等によりポリシリコン膜を堆積する。次いで、所定の導電性を得るためのイオン注入を経た後、ポリシリコン電極としてパターニングする。これにより、主ゲート電極151、副ゲート電極152を形成する。
次に、図5(a),(b)に示すように、主ゲート電極151、副ゲート電極152の領域をマスクにLDD構造、いわゆるエクステンション領域としての所定導電型の不純物イオンを注入する。これにより、図ではソース/ドレイン領域171,181が形成される。CVD法によりゲート電極151,152上を覆うように絶縁膜、例えばシリコン酸化膜を堆積し、異方性のドライエッチングを実施することによりシリコン酸化膜のスペーサ161,162を形成する。次に、ゲート電極151,152の領域及びスペーサ161,162をマスクにしてソース/ドレイン領域として所定導電型の不純物イオン注入を実施する。これにより、高濃度N+領域172,182が形成される。これにより、前記図1と同様に主MOSFET Qm、副MOSFET Qsの形態が実現される。
次に、図6(a),(b)に示すように、主ゲート電極151、副ゲート電極152の離間部分を含む周辺の素子領域にシリサイド化を防止するマスク部材21を配する。マスク部材21は、例えば酸化膜等の絶縁膜で構成される。その後、サリサイドプロセスを経る。すなわち、ゲート電極151,152、それぞれのソース/ドレイン領域S/Dを自己整合的にシリサイド化する。これにより、低抵抗化層(シリサイド層)22を形成する。その後は図示しないが、層間の絶縁膜を形成し、層間の絶縁膜を貫通する各コンタクト部が形成される。コンタクト部は、通常のバルクMOSFETと同様である。専用のボディーコンタクト部も不要である。
上記実施形態の方法及び構成によれば、サリサイドプロセスを経ることによってデバイスの低抵抗化、高速動作に寄与する。また、第1実施形態と同様、ゲート容量の増加はない構造となる。副MOSFET Qsのソース/ドレイン領域S/Dには、例えば接地電位Vssが与えられる。これにより、副ゲート電極152に適当な信号を供給して副MOSFET Qsを動作させる。これにより、主MOSFET Qmのボディー電位(ボディー・チャージ量)を制御する。また、副MOSFET Qsのソース/ドレイン領域S/Dは、接地電位Vss以外の電位、または変動する電位を与えることも考えられる。副ゲート電極(ボディー電位の制御ゲート)152はリフレッシュのようなインターバル動作が望ましい。しかし、主ゲート電極151や周辺の回路動作における適当な制御信号を利用することも可能である。
以上説明したように本発明によれば、主、副各ゲート電極の形状は通常のバルクMOSトランジスタと同様に形成でき、かつ、SOI MOSトランジスタのボディー電位の有用な制御ができる。この結果、ゲート容量を増加させずに、ボディー電位を制御可能とした構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
11…SOI基板、12…素子分離領域、13…P−領域、14…ゲート絶縁膜、151…主ゲート電極、152…副ゲート電極、161,162…側壁(スペーサ)、171、181…エクステンション領域、172,182…N+領域,21…マスク部材、22…低抵抗化層(シリサイド層)、Qm…SOI基板上の主MOSFET、Qs…SOI基板上の副MOSFET。
Claims (8)
- 絶縁膜上に形成されたシリコン単結晶をボディーとしてトランジスタ素子を構成するSOI MOSトランジスタを有する半導体装置であって、
前記SOI MOSトランジスタにおいて、主ゲートに対してボディー電位の制御ゲートを別に有することを特徴とした半導体装置。 - 前記SOI MOSトランジスタは、前記制御ゲートに与えられる所定の信号で活性化するトランジスタ動作でボディー電位のチャージ量が制御されることを特徴とした請求項1記載の半導体装置。
- 絶縁膜上に設けられた第1導電型の半導体基板領域と、
前記半導体基板領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の主ゲート電極と、
前記主ゲート電極の両側の前記半導体基板領域に形成された主第2導電型不純物領域と、
前記主ゲート電極と離間して前記ゲート絶縁膜上に設けられた副ゲート電極と、
前記副ゲート電極の両側の前記半導体基板領域に形成された副第2導電型不純物領域と、
を具備し、
少なくとも前記副ゲート電極下の前記半導体基板領域に形成するチャネル領域を利用して前記主ゲート電極下の前記半導体基板領域におけるチャージ量を制御することを特徴とする半導体装置。 - 前記副第2導電型不純物領域は、接地電位またはその他の所定電位に接続される部分を有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記主ゲート電極及び副ゲート電極、前記主第2導電型不純物領域及び前記副第2導電型不純物領域それぞれの一部表面に設けられた低抵抗化層と、前記一部表面以外の部分に設けられた前記低抵抗化層の形成防止領域と、をさらに具備したことを特徴とする請求項3または4記載の半導体装置。
- 絶縁膜上に設けられた第1導電型の半導体基板に素子領域を囲む素子分離領域を形成する工程と、
前記素子領域に互いに離間して主ゲート電極、副ゲート電極を形成する工程と、
前記主ゲート電極、副ゲート電極それぞれについて第2導電型不純物領域のソース/ドレインを含む主絶縁ゲート電界効果トランジスタ、副絶縁ゲート電界効果トランジスタを形成する工程と、
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記主ゲート電極、副ゲート電極それぞれの側壁を形成する工程と、前記主ゲート電極と副ゲート電極の離間部分を含む周辺の前記素子領域にシリサイド化防止用のマスク部材を形成する工程と、露出した前記主ゲート電極、副ゲート電極、及び前記第2導電型不純物領域をシリサイド化する工程と、をさらに具備したことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記副絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース/ドレインを共に接地電位またはその他の所定電位に接続することを特徴とする請求項6または7記載の半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003310079A JP2005079443A (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2006253648A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-09-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-09-02 JP JP2003310079A patent/JP2005079443A/ja not_active Withdrawn
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