JP2005075720A

JP2005075720A - SiC-COATED CARBON NANOTUBE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND COMPOSITE MATERIAL THEREOF

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Publication number: JP2005075720A
Application number: JP2003347582A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Morisada; 好昭森貞; Yoshio Miyamoto; 欽生宮本
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2003-08-29
Filing date: 2003-08-29
Publication date: 2005-03-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an SiC-coated carbon nanotube which can exploit excellent characteristics of a carbon nanotube, a boron-doped, SiC-coated carbon nanotube, manufacturing methods for the same and a composite material reinforced with the SiC-coated carbon nanotube. <P>SOLUTION: An SiC film for covering the carbon nanotube and a boron-doped SiC film are obtained by using a chemical reaction between SiO gas and CO gas. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

Detailed Description of the Invention

本発明は、ＳｉＣを被覆した被覆カーボンナノチューブ、その製造方法とその複合材料に関するものである。 The present invention relates to a coated carbon nanotube coated with SiC, a manufacturing method thereof, and a composite material thereof.

カーボンナノチューブが発見されて以来、様々な角度から研究がなされており、熱伝導性、導電性、強度などにおいて優れた特性を持ち、軽く、柔軟性にも富んでいることが明らかになっている。しかしながら、カーボンナノチューブは他の炭素材料と同様に高温酸化という問題点を有し、これによりその使用環境は制限されてしまう。また、強化繊維として使用される場合にはマトリックスとの化学反応やカーボンナノチューブ表面形状に起因した母材との低い密着性が懸念されている。さらに、表面に絶縁被膜を有していなければ線材として用いることも困難である。現在、このような問題点を克服し得る耐環境性保護被膜の作製方法は存在しない。上記理由より、カーボンナノチューブの優れた特性を十分に発揮し得る複合材料は得られていない。 Since the discovery of carbon nanotubes, research has been conducted from various angles, and it has become clear that it has excellent properties in terms of thermal conductivity, conductivity, strength, etc., and is light and flexible. . However, carbon nanotubes, like other carbon materials, have the problem of high-temperature oxidation, which limits their use environment. In addition, when used as a reinforcing fiber, there is a concern about low adhesion to a base material due to a chemical reaction with a matrix or a carbon nanotube surface shape. Furthermore, it is difficult to use as a wire if it does not have an insulating coating on the surface. At present, there is no method for producing an environmental resistant protective coating that can overcome such problems. For the above reasons, a composite material that can sufficiently exhibit the excellent characteristics of carbon nanotubes has not been obtained.

カーボンナノチューブへの被覆方法としては無電解めっき法によるニッケル被覆が存在する（先行技術文献１）。また、シリカと炭素の高温反応で生成するＳｉＯガスを利用してカーボンナノチューブからＳｉＣナノロッドを作製する試みが行われている（先行技術文献２）。
先行技術文献１：Ｗ．Ｘ．Ｃｈｅｎ，Ｊ．Ｐ．Ｔｕ，Ｌ．Ｙ．Ｗａｎｇ，Ｈ．Ｙ．Ｇａｎ，Ｚ．Ｄ．Ｘｕ，Ｘ．Ｂ．Ｚｈａｎｇ，Ｃａｒｂｏｎ４１２１５−２２２（２００３）
先行技術文献２：Ｊ．Ｗ．Ｌｉｕ，Ｄ．Ｙ．Ｚｈｏｎｇ，Ｆ．Ｑ．Ｘｉｅ，Ｍ．Ｓｕｎ，Ｅ．Ｇ．Ｗａｎｇ，Ｗ．Ｘ．Ｌｉｕ，Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３４８３５７−３６０（２００１）As a method for coating the carbon nanotube, there is nickel coating by electroless plating (prior art document 1). Attempts have also been made to produce SiC nanorods from carbon nanotubes using SiO gas generated by the high-temperature reaction between silica and carbon (prior art document 2).
Prior art document 1: X. Chen, J. et al. P. Tu, L .; Y. Wang, H .; Y. Gan, Z .; D. Xu, X. B. Zhang, Carbon 41 215-222 (2003)
Prior Art Document 2: J. Org. W. Liu, D .; Y. Zhong, F.M. Q. Xie, M .; Sun, E .; G. Wang, W.W. X. Liu, Chem. Phys. Lett. 348 357-360 (2001)

Problems to be solved by the invention

ニッケル被覆では高温安定性及び機械的特性が十分でなく、 Nickel coating has insufficient high temperature stability and mechanical properties,

記載の問題点を克服することはできない。また、カーボンナノチューブを完全にＳｉＣナノロッドにしてしまってはカーボンナノチューブが有する特性を利用することができない。しかし、耐環境性、高温特性を考慮するとＳｉＣは非常に有効的な被覆材である。ここでカーボンナノチューブの表面にＳｉＣを均一に析出させることができればThe problem described cannot be overcome. In addition, if the carbon nanotubes are completely made into SiC nanorods, the characteristics of the carbon nanotubes cannot be used. However, SiC is a very effective coating material in consideration of environmental resistance and high temperature characteristics. If SiC can be uniformly deposited on the surface of the carbon nanotube,

記載の問題点を解決することができる。The described problems can be solved.

ＳｉＣは電気伝導性が低いが、ボロンをドープすることで比抵抗値を１×１０^−１〜１×１０^７Ωｍに制御することが可能である。つまりＳｉＣ被膜を耐環境性保護被膜としてのみではなく、電気伝導性を有するナノメートルサイズの機能性部材として利用することも可能である。SiC has low electrical conductivity, but the specific resistance value can be controlled to 1 × 10 ⁻¹ to 1 × 10 ⁷ Ωm by doping boron. That is, the SiC film can be used not only as an environment-resistant protective film but also as a nanometer-sized functional member having electrical conductivity.

本発明は、カーボンナノチューブ表面にＳｉＣを析出させることでＳｉＣ被膜を形成させ、耐酸化性の向上や金属に対する反応性の抑止を図り、またそのＳｉＣ被膜にボロンをドープすることで比抵抗値を制御し、さらにはＳｉＣ被覆カーボンナノチューブを強化材とする複合材料を提供することを目的とする。In the present invention, SiC film is formed by precipitating SiC on the surface of carbon nanotubes, thereby improving the oxidation resistance and suppressing the reactivity to metals. Further, by doping boron into the SiC film, the specific resistance value is increased. Another object is to provide a composite material that is controlled and further comprises a SiC-coated carbon nanotube as a reinforcing material.

Means for solving the problem

本発明であるＳｉＣ被覆カーボンナノチューブの第１の特徴は、カーボンナノチューブの構造を維持したままナノメートルサイズのＳｉＣ粒子膜をカーボンナノチューブ表面に均一に析出させて作製することである。カーボンナノチューブをＳｉＣに転換するとカーボンナノチューブ自体がＳｉＣ生成の為の炭素源として消費されてしまうが、カーボンナノチューブ表面にＳｉＣを析出させる方法ではカーボンナノチューブ自体は消費されない。坩堝低部にＳｉＯ顆粒を配置し、その上にカーボンフェルトを介してカーボンナノチューブを配置する。坩堝上部はカーボンフェルト、カーボンシートにて蓋をする。これを真空炉中、もしくは不活性ガス流通下の炉内で加熱する。ＳｉＯ顆粒をＳｉＯガスにする必要がある為、加熱温度としては約１１５０℃以上が必要である。ＳｉＯ顆粒の替わりにＳｉＯ_２と炭素を配置してもよい。坩堝の上部をカーボンフェルト、カーボンシートで蓋をすることによって坩堝内のＳｉＯ分圧を保つことができる。また、ＳｉＣ被膜が生成する際に同時に生成するＣＯ_２ガスが坩堝内のカーボンフェルト、カーボンシートと反応して速やかにＣＯガスになる。このＣＯガスがカーボンナノチューブ自体のＳｉＣ化を抑制すると共に、ＳｉＯガスと反応することによってカーボンナノチューブ表面にＳｉＣが析出する。The first feature of the SiC-coated carbon nanotube of the present invention is that it is produced by uniformly depositing a nanometer-sized SiC particle film on the surface of the carbon nanotube while maintaining the structure of the carbon nanotube. When carbon nanotubes are converted to SiC, the carbon nanotubes themselves are consumed as a carbon source for generating SiC, but the carbon nanotubes themselves are not consumed by the method of depositing SiC on the surface of the carbon nanotubes. An SiO granule is disposed in the lower part of the crucible, and a carbon nanotube is disposed thereon via a carbon felt. The crucible top is covered with carbon felt and carbon sheet. This is heated in a vacuum furnace or in a furnace with an inert gas flow. Since it is necessary to turn the SiO granules into SiO gas, the heating temperature is required to be about 1150 ° C. or higher. SiO ₂ and carbon may be disposed in place of the SiO granules. By covering the top of the crucible with carbon felt and a carbon sheet, the SiO partial pressure in the crucible can be maintained. Further, the CO ₂ gas generated simultaneously with the formation of the SiC film reacts with the carbon felt and the carbon sheet in the crucible to quickly become CO gas. This CO gas suppresses the carbon nanotube itself from becoming SiC, and reacts with the SiO gas to deposit SiC on the surface of the carbon nanotube.

また、坩堝内のカーボンフェルト、カーボンシートを炭素以外の耐熱材料に置き換えることで、必要に応じて多層カーボンナノチューブ表面を１０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みに渡って速やかにＳｉＣ化することも可能である。 Further, by replacing the carbon felt and the carbon sheet in the crucible with a heat-resistant material other than carbon, the surface of the multi-walled carbon nanotube can be rapidly converted to SiC over a thickness of 10 nm to 100 nm as necessary.

坩堝の材質はＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）、ＭｇＯ（マグネシア）、グラファイト等、高温不活性雰囲気下の使用に耐えうる物であればよい。The material of the crucible may be any material that can withstand use under a high-temperature inert atmosphere, such as Al ₂ O ₃ (alumina), MgO (magnesia), and graphite.

第２の特徴として、カーボンナノチューブ表面にＳｉＣ被膜を作成する際にＳｉＣ中にボロンをドープすることが可能である。これによりボロンがドープされたＳｉＣはＰ型半導体となり、ドープ量によってＳｉＣ被膜の比抵抗値を制御することができる。坩堝低部にＳｉＯ顆粒を配置し、その上にカーボンフェルトを介してボロン顆粒を配置する。更にその上にカーボンフェルトを介してカーボンナノチューブを配置する。坩堝上部はカーボンフェルト、カーボンシートにて蓋をする。これを真空炉中、もしくは不活性ガス流通下の炉内で加熱する。ＳｉＯ顆粒をＳｉＯガスにする必要がある為、加熱温度としては約１１５０℃以上が必要である。ＳｉＯ顆粒の替わりにＳｉＯ_２と炭素を配置してもよい。カーボンナノチューブ表面にＳｉＣ被膜が形成される際、気化したボロンがＳｉＣの結晶格子中および粒界に取り込まれる。なお、ドーパントとしての不純物はボロン以外にリンやアルミニウムも利用できる。As a second feature, it is possible to dope boron into SiC when forming a SiC film on the surface of carbon nanotubes. Thereby, SiC doped with boron becomes a P-type semiconductor, and the specific resistance value of the SiC film can be controlled by the doping amount. SiO granules are arranged in the lower part of the crucible, and boron granules are arranged on the crucible through carbon felt. Further, carbon nanotubes are arranged on the carbon via felt. The crucible top is covered with carbon felt and carbon sheet. This is heated in a vacuum furnace or in a furnace with an inert gas flow. Since it is necessary to turn the SiO granules into SiO gas, the heating temperature is required to be about 1150 ° C. or higher. SiO ₂ and carbon may be disposed in place of the SiO granules. When the SiC coating is formed on the carbon nanotube surface, the vaporized boron is taken into the SiC crystal lattice and the grain boundaries. In addition to boron, phosphorus or aluminum can also be used as the dopant.

請求項５の発明の被覆カーボンナノチューブの製造方法は、カーボンナノチューブと粒子状の一酸化ケイ素（ＳｉＯ）とを、真空中もしくは不活性雰囲気下において１１５０℃以上の温度で加熱することにより、カーボンナノチューブ表面をβ−ＳｉＣ膜によって被覆する。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a coated carbon nanotube, comprising heating a carbon nanotube and particulate silicon monoxide (SiO) at a temperature of 1150 ° C. or higher in a vacuum or in an inert atmosphere. The surface is covered with a β-SiC film.

上記の製造方法ではＳｉＯ（気相）＋３ＣＯ（気相）→ＳｉＣ（固相）＋２ＣＯ_２（気相）の化学反応が生じ、ＳｉＣ膜が生成する。ＣＯ（気相）は、ＳｉＯ（気相）＋２Ｃ（カーボンナノチューブ、カーボンフェルト、カーボンシート）→ＳｉＣ（固相）＋ＣＯ（気相）およびＣＯ_２（気相）＋Ｃ（カーボンフェルト、カーボンシート）→２ＣＯ（気相）の化学反応によって供給される。ここで、カーボンナノチューブ自身もＳｉＯ（気相）＋２Ｃ（カーボンナノチューブ、カーボンフェルト、カーボンシート）→ＳｉＣ（固相）＋ＣＯ（気相）の化学反応によって若干消費されるが、表面に薄いＳｉＣ膜が形成した後は当該膜によってその後の化学反応から保護される。カーボンフェルト、カーボンシートはカーボンナノチューブと比較して十分多量に存在する為、ＳｉＯ（気相）＋２Ｃ（カーボンフェルト、カーボンシート）→ＳｉＣ（固相）＋ＣＯ（気相）およびＣＯ_２（気相）＋Ｃ（カーボンフェルト、カーボンシート）→２ＣＯ（気相）の化学反応によってＳｉＯ（気相）＋３ＣＯ（気相）→ＳｉＣ（固相）＋２ＣＯ_２（気相）の化学反応に必要なＣＯ（気相）が供給可能となる。In the above manufacturing method, a chemical reaction of SiO (gas phase) + 3CO (gas phase) → SiC (solid phase) + 2CO ₂ (gas phase) occurs, and an SiC film is generated. CO (gas phase) is SiO (gas phase) + 2C (carbon nanotube, carbon felt, carbon sheet) → SiC (solid phase) + CO (gas phase) and CO ₂ (gas phase) + C (carbon felt, carbon sheet) → Supplied by 2CO (gas phase) chemical reaction. Here, the carbon nanotube itself is also consumed slightly by the chemical reaction of SiO (gas phase) + 2C (carbon nanotube, carbon felt, carbon sheet) → SiC (solid phase) + CO (gas phase), but a thin SiC film is formed on the surface. Once formed, it is protected from subsequent chemical reactions by the film. Since carbon felt and carbon sheet exist in a sufficiently large amount compared with carbon nanotube, SiO (gas phase) + 2C (carbon felt, carbon sheet) → SiC (solid phase) + CO (gas phase) and CO ₂ (gas phase) CO (gas phase) required for a chemical reaction of SiO (gas phase) + 3CO (gas phase) → SiC (solid phase) + 2CO ₂ (gas phase) by a chemical reaction of + C (carbon felt, carbon sheet) → 2CO (gas phase) ) Can be supplied.

請求項４の複合材料は、金属、セラミックスおよび樹脂のうち１種類以上と、カーボンナノチューブと、カーボンナノチューブを被覆するβ−ＳｉＣ膜とを備え、金属、セラミックスおよび樹脂のうちの１種類以上の材料と、上記の膜によって被覆されたカーボンナノチューブとが結合されている。 The composite material according to claim 4 comprises at least one of metal, ceramic and resin, a carbon nanotube, and a β-SiC film covering the carbon nanotube, and at least one material of metal, ceramic and resin. Are bonded to the carbon nanotubes covered with the film.

複合材料の１成分として、上記の被覆ナノチューブを用いることにより、複合材料の中に強固に組み込まれたカーボンナノチューブの優れた特性を利用することができる。ＳｉＣ膜は化学的に安定であり、カーボンナノチューブと母材との反応によるカーボンナノチューブの劣化を抑制する。さらに、ＳｉＣ膜によってカーボンナノチューブと母材との密着性を改善することが可能となる。また、ＳｉＣ膜自身が熱伝導性および機械的特性に優れるので、カーボンナノチューブを応用した複合材料として、カーボンナノチューブの極めて高い熱伝導率および機械的特性を十分引き出すことが可能となる。 By using the above-mentioned coated nanotube as one component of the composite material, the excellent characteristics of the carbon nanotube firmly incorporated in the composite material can be utilized. The SiC film is chemically stable and suppresses the deterioration of the carbon nanotube due to the reaction between the carbon nanotube and the base material. Furthermore, the SiC film can improve the adhesion between the carbon nanotube and the base material. In addition, since the SiC film itself is excellent in thermal conductivity and mechanical properties, it is possible to sufficiently extract the extremely high thermal conductivity and mechanical properties of the carbon nanotubes as a composite material using the carbon nanotubes.

本発明において、カーボンナノチューブにＳｉＣ被覆を行う際の坩堝内配置例を図１に示す。坩堝下部にＳｉＯガスを生成するような原料を配置し、その上にカーボンフェルトを介してカーボンナノチューブを配置する。坩堝上部はカーボンシート、カーボンフェルトで蓋をする。これを真空または不活性雰囲気に調整した炉内で加熱する。処理温度としては１１５０℃以上が必要である。 FIG. 1 shows an example of arrangement in a crucible when SiC coating is performed on a carbon nanotube in the present invention. The raw material which produces | generates SiO gas in the crucible lower part is arrange | positioned, and a carbon nanotube is arrange | positioned through a carbon felt on it. The upper part of the crucible is covered with a carbon sheet and carbon felt. This is heated in a furnace adjusted to a vacuum or inert atmosphere. The processing temperature is required to be 1150 ° C. or higher.

本発明において、カーボンナノチューブにＳｉＣ被覆を行うと同時に、ＳｉＣ被膜にボロンをドープする際の坩堝内配置例を図２に示す。坩堝下部にＳｉＯガスを生成するような原料を配置し、その上にカーボンフェルトを介してボロンを配置する。さらにその上にカーボンフェルトを介してカーボンナノチューブを配置する。坩堝上部はカーボンシート、カーボンフェルトで蓋をする。これを真空または不活性雰囲気に調整した炉内で加熱する。処理温度としては１１５０℃以上が必要である。 FIG. 2 shows an example of arrangement in the crucible when SiC coating is performed on carbon nanotubes and boron is doped into the SiC coating. The raw material which produces | generates SiO gas in the crucible lower part is arrange | positioned, and boron is arrange | positioned through a carbon felt on it. Furthermore, carbon nanotubes are disposed on the carbon via felt. The upper part of the crucible is covered with a carbon sheet and carbon felt. This is heated in a furnace adjusted to a vacuum or inert atmosphere. The processing temperature is required to be 1150 ° C. or higher.

前記被覆手法を用いて作製した被覆カーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブを用いた複合材料とカーボンナノチューブを添加しない材料の性能比較を行った。これらの被覆カーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブの粉末と、平均粒径５μｍのＷＣ粉末および平均粒径１μｍのＣｏ粉末とを用いてＳｉＣ被覆カーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブの含有率が３体積％で、残部がＷＣ−１０重量％Ｃｏの超硬合金系の混合粉を得た。また、比較材料の作製の為にＷＣ−１０重量％Ｃｏの超硬合金系の混合粉を得た。次にこれらの混合粉をプラズマ焼結法により約１０５０℃で５分間加熱焼結して、超硬合金にＳｉＣ被覆カーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブが分散したφ１５ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状の複合材料を作製した。また、カーボンナノチューブを含まない混合粉をプラズマ焼結法により約１０５０℃および約１１５０℃で５分間加熱焼結してφ１５ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状の超硬合金を作製した。このようにして作製した材料の表面を鏡面状に加工し、複合材料の相対密度およびその表面のビッカース硬度を測定した。相対密度とビッカース硬度を表１に示す。１２５０℃または１３５０℃における処理で得られた被覆カーボンナノチューブを複合材料に添加した場合、ビッカース硬度が約２０ＧＰａへと上昇している。また、被覆ナノチューブおよびナノチューブを添加した場合、１０５０℃での焼結で相対密度約１００％の焼結体が得られたことから、被覆ナノチューブおよびナノチューブが焼結を促進する働きをしたものと考えられる。

A performance comparison was made between coated carbon nanotubes produced using the above-described coating technique, composite materials using carbon nanotubes, and materials not added with carbon nanotubes. Using these coated carbon nanotubes and carbon nanotube powder, WC powder with an average particle size of 5 μm and Co powder with an average particle size of 1 μm, the content of SiC-coated carbon nanotubes and carbon nanotubes is 3% by volume, and the balance is WC A mixed powder of -10 wt% Co cemented carbide was obtained. Moreover, a cemented carbide-based mixed powder of WC-10 wt% Co was obtained for the production of a comparative material. Next, these mixed powders are heated and sintered at about 1050 ° C. for 5 minutes by plasma sintering, and a disk-shaped composite material having a diameter of 15 mm and a thickness of 5 mm in which SiC-coated carbon nanotubes and carbon nanotubes are dispersed in a cemented carbide. Was made. Further, the mixed powder containing no carbon nanotubes was heated and sintered at about 1050 ° C. and about 1150 ° C. for 5 minutes by a plasma sintering method to produce a disc-shaped cemented carbide having a diameter of 15 mm and a thickness of 5 mm. The surface of the material thus produced was processed into a mirror surface, and the relative density of the composite material and the Vickers hardness of the surface were measured. The relative density and Vickers hardness are shown in Table 1. When the coated carbon nanotubes obtained by treatment at 1250 ° C. or 1350 ° C. are added to the composite material, the Vickers hardness is increased to about 20 GPa. In addition, when the coated nanotube and the nanotube were added, a sintered body having a relative density of about 100% was obtained by sintering at 1050 ° C., so it is considered that the coated nanotube and the nanotube acted to promote the sintering. It is done.

The invention's effect

以上の説明からわかるように、本発明を用いることで容易にＳｉＣ被覆カーボンナノチューブを得ることができる。ＳｉＣ被膜はカーボンナノチューブ表面に均一に形成され、ＳｉＣ被覆カーボンナノチューブはカーボンナノチューブと比較して優れた耐酸化特性、化学的安定性を有する。図３に１２５０℃〜１５５０℃の各温度で１５分間ＳｉＣ被覆処理を行ったカーボンナノチューブと未処理のカーボンナノチューブの質量が空気中、６５０℃でどのように変化するのかを示す。カーボンナノチューブが５分程度で完全に酸化しているのに対し、ＳｉＣ被覆カーボンナノチューブの酸化耐久性は大幅に改善されている。特に１５５０℃で被覆処理を行ったものは６０分後も約９０％の質量が残存している。 As can be seen from the above description, SiC-coated carbon nanotubes can be easily obtained by using the present invention. The SiC coating is uniformly formed on the surface of the carbon nanotube, and the SiC-coated carbon nanotube has superior oxidation resistance characteristics and chemical stability compared to the carbon nanotube. FIG. 3 shows how the masses of carbon nanotubes subjected to SiC coating at 1250 ° C. to 1550 ° C. for 15 minutes and untreated carbon nanotubes change in air at 650 ° C. While carbon nanotubes are completely oxidized in about 5 minutes, the oxidation durability of SiC-coated carbon nanotubes is greatly improved. In particular, about 90% of mass remains after 60 minutes of coating at 1550 ° C.

カーボンナノチューブ表面に形成したＳｉＣ被膜の比抵抗値を変化させたい場合は、ボロンをドープすることで１×１０^−１〜１×１０^７Ωｍに制御が可能である。When it is desired to change the specific resistance value of the SiC film formed on the surface of the carbon nanotube, it can be controlled to 1 × 10 ⁻¹ to 1 × 10 ⁷ Ωm by doping with boron.

本発明におけるＳｉＣ被覆処理で用いる坩堝内配置 Arrangement in the crucible used in the SiC coating process in the present invention 本発明においてＳｉＣ被膜中にボロンをドープする際に用いる坩堝内配置図 Arrangement in crucible used when doping boron into SiC film in the present invention ６５０℃の空気中におけるカーボンナノチューブ及びＳｉＣ被覆カーボンナノチューブの質量変化を示すグラフ Graph showing mass change of carbon nanotube and SiC-coated carbon nanotube in air at 650 ° C.

Explanation of symbols

１．坩堝
２．ＳｉＯ顆粒
３．カーボンナノチューブ
４．カーボンフェルト
５．カーボンシート
６．ボロン顆粒1. Crucible2. 2. SiO granule Carbon nanotubes4. 4. Carbon felt Carbon sheet6. Boron granules

Claims

A coated carbon nanotube comprising a carbon nanotube and a film containing β-SiC as a main component covering the carbon nanotube.

2. The coated carbon nanotube according to claim 1, wherein the β-SiC film is composed of a polycrystal having an average particle size of 25 nm or less and a film thickness of 25 nm to 1000 nm.

The coated carbon nanotube according to claim 1, wherein the film containing β-SiC as a main component is doped with boron.

One or more of metal, ceramics and resin, carbon nanotubes, and a film mainly composed of β-SiC, and covered with one or more materials of the metal, ceramics and resin, and the film A composite material in which the carbon nanotubes are bonded.

A method of producing a SiC-coated carbon nanotube by depositing SiC on the surface of the carbon nanotube.

A method of doping boron into a film containing SiC as a main component.