JP2005071758A

JP2005071758A - Plasma processor

Info

Publication number: JP2005071758A
Application number: JP2003299046A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Ono; 毅之大野
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2003-08-22
Filing date: 2003-08-22
Publication date: 2005-03-17

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processor where, when a workpiece is subjected to a plasma treatment in a state to be held on a dielectric by suction, an uniform plasma treatment can be performed on the workpiece without generating abnormal discharge between a suction hole and the dielectric opposed to the suction hole even if a high voltage is applied. <P>SOLUTION: In the plasma processor M comprising a pair of electrodes 20, 50, and a first dielectric 60 and a second dielectric 30 which are provided on each opposite surface of the electrodes and are opposed to each other, the plasma treatment is performed on the workpiece W located between the pair of electrodes. The first dielectric 60 is provided with the suction hole 61 for allowing the workpiece W to be held to the first dielectric 60 by suction, and the capacitance of the first dielectric 60 is larger than that of the second dielectric 30. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、プラズマを利用して被処理体を処理するプラズマ処理装置に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus that processes an object to be processed using plasma.

従来のプラズマ処理装置では、互いに対向する電極の対向面に誘電体が設けられている。このような誘電体には、減圧手段と接続された吸引孔が設けられており、減圧手段の駆動によって、被処理体が吸引孔に吸引されて誘電体の対向面に保持される。
誘電体に保持された被処理体は、電極間に発生したプラズマによってプラズマ処理が行われる（例えば、特許文献１）。
特開２００１−２１０６２１号公報 In the conventional plasma processing apparatus, a dielectric is provided on the facing surfaces of the electrodes facing each other. Such a dielectric is provided with a suction hole connected to the decompression means. When the decompression means is driven, the object to be processed is sucked into the suction hole and held on the opposing surface of the dielectric.
The object to be processed held by the dielectric is subjected to plasma processing by plasma generated between the electrodes (for example, Patent Document 1).
JP 2001-210621 A

しかしながら、本発明者は、吸引孔からの吸引によって被処理体を誘電体に保持した状態でプラズマ処理を行うと、吸引孔の位置に電荷の偏りが生じてしまうため、低電圧の印加であっても、吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間に異常放電が発生し、被処理体に均一なプラズマ処理を行うことができないという問題があることを見出した。 However, the present inventor, when performing plasma processing with the object to be processed held by the dielectric by suction from the suction hole, causes a bias of the charge at the position of the suction hole. However, it has been found that abnormal discharge occurs between the suction hole and the dielectric facing the suction hole, so that a uniform plasma treatment cannot be performed on the object to be processed.

そこで本発明は、上記本発明者の知見に鑑みてなされたもので、被処理体を吸引によって誘電体に保持した状態でプラズマ処理を行う際に、高電圧の印加をおこなっても吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間に異常放電を発生させることなく被処理体に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned knowledge of the present inventor, and when performing plasma treatment in a state where the object to be processed is held on the dielectric by suction, the suction hole is not affected even if a high voltage is applied. It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of performing uniform plasma processing on an object to be processed without generating abnormal discharge between the dielectric facing the suction holes.

本発明のプラズマ処理装置は、一対の電極と、前記電極のそれぞれの対向面に設けられ、互いに対向する第１の誘電体及び第２の誘電体とを有し、前記一対の電極の間に位置する被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記第１の誘電体には、前記被処理体を吸引によって前記第１の誘電体に保持し得る吸引孔が設けられており、前記第１の誘電体の静電容量は、前記第２の誘電体の静電容量よりも大きいことを特徴としている。 The plasma processing apparatus of the present invention includes a pair of electrodes and a first dielectric and a second dielectric that are provided on the opposing surfaces of the electrodes and are opposed to each other, and between the pair of electrodes. In the plasma processing apparatus for performing plasma processing on a target object to be processed, the first dielectric is provided with a suction hole capable of holding the target object in the first dielectric by suction. A capacitance of the first dielectric is larger than a capacitance of the second dielectric.

次に、本発明の詳細を説明する。 Next, details of the present invention will be described.

まず、本発明の放電電極を適用するプラズマ処理は、どのような圧力下の処理であってもよいが、常圧プラズマ処理、特に大気圧近傍下の圧力下での処理に適している。なお、大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａの範囲である。 First, the plasma treatment to which the discharge electrode of the present invention is applied may be a treatment under any pressure, but is suitable for a normal pressure plasma treatment, particularly a treatment under a pressure near atmospheric pressure. Note that the pressure of near atmospheric pressure refers to a pressure of ^{^{1.333 × 10 4 ~10.664 × 10 4}} Pa. Among them, easy pressure adjustment in the range of ^{^{9.331 × 10 4 ~10.397 × 10 4}} Pa for device configuration is simplified.

本発明の放電電極を構成する電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体や、ステンレス、真鍮等の合金等が挙げられる。また、電極の構造は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、電極間距離が一定となるように配置されていることが好ましい。このような電極の構造としては、例えば平行平板型、同軸円筒型等が挙げられる。 Examples of the material of the electrode constituting the discharge electrode of the present invention include simple metals such as iron, copper, and aluminum, and alloys such as stainless steel and brass. The electrode structure is preferably arranged so that the distance between the electrodes is constant in order to avoid occurrence of arc discharge due to electric field concentration. Examples of such an electrode structure include a parallel plate type and a coaxial cylindrical type.

一対の電極のそれぞれの対向面には、誘電体が設けられる。
誘電体としては、例えば、アルミナ、石英、テトラフルオロエチレン、ガラス等の固体誘電体が挙げられる。 A dielectric is provided on each of the opposing surfaces of the pair of electrodes.
Examples of the dielectric include solid dielectrics such as alumina, quartz, tetrafluoroethylene, and glass.

また、被処理体が設けられる第１の誘電体の静電容量は、もう一方の第２の誘電体側の静電容量よりも大きいものが用いられる。第１の誘電体の静電容量が、第２の誘電体の静電容量よりも大きいものが用いられることによって、吸引孔の位置に発生する電荷の偏りを軽減することができるので、吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間に異常放電が発生することを防ぐことができる。 The capacitance of the first dielectric provided with the object to be processed is larger than the capacitance of the other second dielectric. Since the first dielectric having a capacitance larger than that of the second dielectric is used, it is possible to reduce the bias of the charge generated at the position of the suction hole. And abnormal dielectric discharge between the suction hole and the dielectric facing the suction hole can be prevented.

誘電体を電極の対向面に設ける方法としては、例えば、吸引や押圧等によって板状の誘電体を電極の対向面に物理的に密着させる方法や、溶射等によって電極の対向面に誘電体をコーティングする方法や、シート状の誘電体を電極の対向面に接着する方法等が挙げられる。 As a method of providing the dielectric on the opposing surface of the electrode, for example, a method in which a plate-like dielectric is physically adhered to the opposing surface of the electrode by suction or pressing, or a dielectric is applied to the opposing surface of the electrode by spraying or the like. Examples thereof include a coating method and a method in which a sheet-like dielectric is adhered to the opposing surface of the electrode.

以上説明したように、本発明によれば、被処理体が設けられる側の第１の誘電体の静電容量は、もう一方の第２の誘電体の静電容量より大きいので、電極間に電圧を印加する際に、吸引孔の位置に発生する電荷の偏りを軽減することができ、第１の誘電体に設けられる吸引孔とその吸引孔に対向する誘電体との間における異常放電の発生開始電圧を上昇させることができる。ひいては吸引孔に異常放電を発生させることなく被処理体に対して均一なプラズマ処理を行うことができる。 As described above, according to the present invention, the capacitance of the first dielectric on the side where the object to be processed is provided is larger than the capacitance of the other second dielectric. When applying a voltage, it is possible to reduce the bias of the charge generated at the position of the suction hole, and abnormal discharge between the suction hole provided in the first dielectric and the dielectric facing the suction hole is reduced. The generation start voltage can be increased. As a result, a uniform plasma process can be performed on the object to be processed without causing abnormal discharge in the suction holes.

以下、本発明を実施するための最良の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のプラズマ処理装置の模式的斜視図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿うプラズマ処理装置の模式的断面図である。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, the best mode for carrying out the invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic perspective view of a plasma processing apparatus of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the plasma processing apparatus taken along line AA in FIG.

プラズマ処理装置Ｍは、上下に対向して設けられる一対のユニットＵ１、Ｕ２を有している。
上部ユニットＵ１は、上部ホルダ１０、ホット電極２０、石英板（第２の誘電体）３０等を有しており、下部ユニットＵ２には、下部ホルダ４０、アース電極５０、アルミナ板（第１の誘電体）６０等を有している。 The plasma processing apparatus M has a pair of units U1 and U2 provided to be opposed to each other in the vertical direction.
The upper unit U1 includes an upper holder 10, a hot electrode 20, a quartz plate (second dielectric) 30, and the lower unit U2 includes a lower holder 40, a ground electrode 50, an alumina plate (first plate). Dielectric) 60 and the like.

まず、上部ユニットＵ１に設けられたホット電極２０と、下部ユニットＵ２に設けられたアース電極５０について説明する。
上側に位置するホット電極２０と下側に位置するアース電極５０は、互いに対向して設けられている。電極２０、５０は、それぞれステンレス等の金属導電体からなる平板状の形状をなしている。また、ホット電極２０とアース電極５０との間に所定の距離が空けられており、ホット電極２０とアース電極５０とが対向する空間に放電空間７０が形成されている。 First, the hot electrode 20 provided in the upper unit U1 and the ground electrode 50 provided in the lower unit U2 will be described.
The hot electrode 20 located on the upper side and the ground electrode 50 located on the lower side are provided to face each other. The electrodes 20 and 50 each have a flat plate shape made of a metal conductor such as stainless steel. A predetermined distance is provided between the hot electrode 20 and the ground electrode 50, and a discharge space 70 is formed in a space where the hot electrode 20 and the ground electrode 50 face each other.

上部ユニットＵ１について説明する。
上部ユニットＵ１には、上部ホルダ１０、平板状のホット電極２０、平板状の石英板３０等が設けられている。
上部ホルダ１０は絶縁性の樹脂から構成されており、その下面には、上部ホルダ１０の内部に向かって窪んだ凹部１１ａが形成されている。ホット電極２０は、上部ホルダ１０の凹部１１ａの内部に収容されており、ホット電極２０と上部ホルダ１０とはボルト８０によって固定されている。また、ホット電極２０は、給電線２２を介して電源２１と接続されて電圧印加電極となっている。 The upper unit U1 will be described.
The upper unit U1 is provided with an upper holder 10, a flat hot electrode 20, a flat quartz plate 30, and the like.
The upper holder 10 is made of an insulating resin, and a concave portion 11a that is recessed toward the inside of the upper holder 10 is formed on the lower surface thereof. The hot electrode 20 is accommodated in the recess 11 a of the upper holder 10, and the hot electrode 20 and the upper holder 10 are fixed by bolts 80. The hot electrode 20 is connected to a power source 21 via a feeder line 22 and serves as a voltage application electrode.

ホット電極２０の内部には、冷媒路２３ｃが設けられている。冷媒路２３ｃの両端はホット電極２０の上面に開口しており、冷媒路の一方の端部には冷媒供給路２３ｂが接続され、他方の端部には冷媒排出路２３ｄが接続されている。冷媒は、チラー２３ａの駆動によって、チラー２３ａから冷媒導入管を介して冷媒路２３ｃに供給され、冷媒路から冷媒排出管２３ｄを介して再びチラー２３ａに送られる。 A refrigerant path 23 c is provided inside the hot electrode 20. Both ends of the refrigerant path 23c are open on the upper surface of the hot electrode 20, and a refrigerant supply path 23b is connected to one end of the refrigerant path, and a refrigerant discharge path 23d is connected to the other end. The refrigerant is supplied from the chiller 23a to the refrigerant path 23c through the refrigerant introduction pipe and is sent from the refrigerant path to the chiller 23a through the refrigerant discharge pipe 23d by driving the chiller 23a.

ホット電極２０の対向面には、平板状の石英板３０（Ｗ１０ｃｍ×Ｌ１０ｃｍ×ｔ１ｍｍ）が設けられている。石英板３０は、ホット電極２０の対向面よりも大きな面積を有しており、ホット電極２０の対向面を覆うとともに、ホット電極２０の周縁から大きく突出している。石英板３０がホット電極２０の周縁から突出していることによって、沿面放電による異常放電を防ぐことができる。
また、石英板３０の両側の縁はナイフエッジ状に尖るエッジ部３１が設けられている。 A flat quartz plate 30 (W10 cm × L10 cm × t1 mm) is provided on the opposite surface of the hot electrode 20. The quartz plate 30 has a larger area than the facing surface of the hot electrode 20, covers the facing surface of the hot electrode 20, and protrudes greatly from the periphery of the hot electrode 20. Since the quartz plate 30 protrudes from the peripheral edge of the hot electrode 20, abnormal discharge due to creeping discharge can be prevented.
In addition, the edges on both sides of the quartz plate 30 are provided with edge portions 31 that are sharpened in a knife edge shape.

上部ホルダ１０の凹部１１ａの周縁には、浅い凹部１１ｂが形成されている。浅い凹部１１ｂの周縁には断面レ字状の凹溝１２が形成されている。石英板は、エッジ部３１が凹溝１２に挿入されることによって上部ホルダ１０に保持される。また、この浅い凹部１１ｂに石英板３０の周縁部が収容されており、石英板３０と上部ホルダ１０の周縁部のそれぞれの下面が面一になっている。
なお、石英板３０についての説明は、本発明の特徴に係る部分であり、後述する。 A shallow recess 11b is formed on the periphery of the recess 11a of the upper holder 10. A concave groove 12 having a letter-shaped cross section is formed at the periphery of the shallow concave portion 11b. The quartz plate is held by the upper holder 10 when the edge portion 31 is inserted into the concave groove 12. Further, the peripheral portion of the quartz plate 30 is accommodated in the shallow recess 11b, and the lower surfaces of the peripheral portions of the quartz plate 30 and the upper holder 10 are flush with each other.
The description of the quartz plate 30 is a part relating to the features of the present invention, and will be described later.

上部ホルダ１０の内部には、処理ガスの導入路１４ｃと処理ガスの排出路１５ｃが左右（図２の紙面と直交する方向）に長く形成されている。上部ホルダ１０の下面には、処理ガスの導入路１４ｃの一端にスリット状の処理ガスの吹出口１４ｄが形成されている。このスリット状の吹出口１４ｄは、左右に長く形成されており、放電空間７０を向いて斜め下方向に伸びている。また、上部ホルダ１０の上面には、導入路１４ｃの他端と接続された導入管１４ｂが設けられている。さらに、導入管１４ｂは、例えばＮ₂やＯ₂等の処理ガスが充填された処理ガス源１４ａと接続されている。 Inside the upper holder 10, a processing gas introduction path 14 c and a processing gas discharge path 15 c are formed long in the left-right direction (in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2). On the lower surface of the upper holder 10, a slit-like process gas outlet 14d is formed at one end of the process gas introduction path 14c. The slit-shaped outlet 14d is formed to be long on the left and right, and extends obliquely downward toward the discharge space 70. Further, on the upper surface of the upper holder 10, an introduction pipe 14b connected to the other end of the introduction path 14c is provided. Furthermore, the introduction pipe 14b is connected to a processing gas source 14a filled with a processing gas such as N ₂ or O ₂ .

上部ホルダ１０の下面には、処理ガスの排出路１５ｃの一端に小孔状の排出口１５ｄが左右に一定の間隔を空けて複数設けられている。この排出口１５ｄは、放電空間７０を向いて斜め下方向に伸びている。また、上部ホルダ１０の上面には、排出路１５ｃの一端と接続された処理ガスの排出管１５ｂが設けられている。さらに、排出管１５ｂは、真空ポンプ１５ａと接続されている。 On the lower surface of the upper holder 10, a plurality of small-hole-shaped discharge ports 15 d are provided at one end of the processing gas discharge path 15 c with a certain interval left and right. The discharge port 15d extends obliquely downward toward the discharge space 70. Further, a processing gas discharge pipe 15 b connected to one end of the discharge path 15 c is provided on the upper surface of the upper holder 10. Further, the discharge pipe 15b is connected to the vacuum pump 15a.

下部ユニットＵ２について説明する。
下部ユニットＵ２には、下部ホルダ４０、アース電極５０、アルミナ板６０等が設けられている。 The lower unit U2 will be described.
The lower unit U2 is provided with a lower holder 40, a ground electrode 50, an alumina plate 60, and the like.

絶縁性の樹脂によって構成される下部ホルダ４０の上面には、下部ホルダ４０の内部に向かって窪んだ凹部４１ａが形成されており、この凹部４１ａにアース電極５０が収容されている。下部ホルダ４０とアース電極５０とはボルト８１によって固定されている。また、アース電極５０は、接地線５１を介して接地されている。 A recess 41a that is recessed toward the inside of the lower holder 40 is formed on the upper surface of the lower holder 40 that is made of an insulating resin, and the earth electrode 50 is accommodated in the recess 41a. The lower holder 40 and the ground electrode 50 are fixed by bolts 81. The ground electrode 50 is grounded via a ground wire 51.

アース電極５０の内部には、冷媒路５３ｃと吸引路５７が設けられている。
冷媒路５３ｃは、アース電極５０の内部に冷媒が広く行き渡るように蛇行した形状をなしている。冷媒路５３ｃの両端部はアース電極５０の側面に達しており、一方の端部には冷媒供給路５３ｂが接続され、他方の端部には冷媒排出路５３ｄが接続されている。冷媒は、チラー５３ａの駆動によって、チラー５３ａから冷媒導入管を介して冷媒路５３ｃに供給され、冷媒路から冷媒排出管５３ｄを介して再びチラー５３ａに送られる。
アース電極５０は、冷媒が冷媒路５３ｃを通過することによって、冷却や加熱等の温度調節が行われる。 Inside the ground electrode 50, a refrigerant path 53c and a suction path 57 are provided.
The refrigerant path 53 c has a meandering shape so that the refrigerant spreads widely in the ground electrode 50. Both ends of the refrigerant path 53c reach the side surface of the ground electrode 50, one end is connected to the refrigerant supply path 53b, and the other end is connected to the refrigerant discharge path 53d. The refrigerant is supplied from the chiller 53a to the refrigerant path 53c through the refrigerant introduction pipe and is sent from the refrigerant path to the chiller 53a through the refrigerant discharge pipe 53d by driving the chiller 53a.
The ground electrode 50 is subjected to temperature adjustment such as cooling and heating as the refrigerant passes through the refrigerant path 53c.

アース電極５０の内部に設けられた吸引路５７は、アース電極５０の対向面と水平方向に伸びるヘッダ路５７ａと、このヘッダ路５７ａからアース電極５０の上面に向けて分岐された橋絡路５７ｂとを有している。橋絡路５７ｂは、ヘッダ路５７ａの長さ方向に沿って等間隔で配置されており、アース電極５０の上面に開口部５７ｃを有している。
また、ヘッダ路５７ａの一端部は、吸引管５６を介して真空ポンプ５５に接続されている。 The suction path 57 provided in the ground electrode 50 includes a header path 57a extending in a horizontal direction with the opposing surface of the ground electrode 50, and a bridge path 57b branched from the header path 57a toward the upper surface of the ground electrode 50. And have. The bridging path 57b is arranged at equal intervals along the length direction of the header path 57a, and has an opening 57c on the upper surface of the ground electrode 50.
One end of the header path 57 a is connected to the vacuum pump 55 via the suction pipe 56.

アース電極５０の対向面には、石英板３０と等しい形状の平板状のアルミナ板６０（Ｗ１０ｃｍ×Ｌ１０ｃｍ×ｔ１ｍｍ）が設けられている。アルミナ板６０は、アース電極５０の対向面を覆うとともに、アース電極５０の周縁から大きく突出した形状をなしている。また、アルミナ板６０は、下部ホルダ４０の凹部４１ａの周縁に形成された浅い凹部４１ｂに収容されている。アルミナ板６０が浅い凹部４１ｂに収容されることによって、橋絡路５７ｂの開口部５７ｃは、アルミナ板６０によって覆われる。 A flat alumina plate 60 (W10 cm × L10 cm × t1 mm) having the same shape as the quartz plate 30 is provided on the opposing surface of the ground electrode 50. The alumina plate 60 covers the opposing surface of the ground electrode 50 and has a shape that protrudes greatly from the periphery of the ground electrode 50. The alumina plate 60 is accommodated in a shallow recess 41b formed on the periphery of the recess 41a of the lower holder 40. By accommodating the alumina plate 60 in the shallow recess 41 b, the opening 57 c of the bridge 57 b is covered with the alumina plate 60.

アルミナ板６０には、厚さ方向に貫通する吸引孔６１が多数形成されており、吸引孔６１の内径は、橋絡路５７ｂの内径よりも十分小さくなっている。吸引孔６１は、格子点状をなすように均一に分散して配置されており、アルミナ板６０がその吸引孔６１を覆うように設けられている。一部の橋絡路５７ｂの位置と吸引孔６１の位置とが一致している。また、被処理体Ｗは、全ての吸引孔６１を塞ぐようにしてアルミナ板６０の上にセットされる。
吸引孔６１の内径が橋絡路５７ｂの内径よりも小さくなっているので、アルミナ板６０が橋絡路５７ｂの開口部５７ｃの内部に突出し、橋絡路５７ｂの開口部５７ｃの周縁部からの異常放電の発生を防いでいる。また、吸引孔６１の内径が橋絡路５７ｂの内径よりも十分小さくなっているので、被処理体Ｗの材質が軟質であったり、被処理体Ｗの厚みが薄膜をなしていても、被処理体Ｗを吸引孔６１内に吸い込んで変形させることがない。 A large number of suction holes 61 penetrating in the thickness direction are formed in the alumina plate 60, and the inner diameter of the suction holes 61 is sufficiently smaller than the inner diameter of the bridge 57b. The suction holes 61 are uniformly distributed so as to form lattice points, and an alumina plate 60 is provided so as to cover the suction holes 61. The positions of some bridges 57b coincide with the positions of the suction holes 61. Further, the workpiece W is set on the alumina plate 60 so as to block all the suction holes 61.
Since the inner diameter of the suction hole 61 is smaller than the inner diameter of the bridging path 57b, the alumina plate 60 protrudes into the opening 57c of the bridging path 57b, and from the peripheral edge of the opening 57c of the bridging path 57b. Abnormal discharge is prevented. Further, since the inner diameter of the suction hole 61 is sufficiently smaller than the inner diameter of the bridging path 57b, even if the material of the workpiece W is soft or the thickness of the workpiece W is a thin film, The processing body W is not sucked into the suction hole 61 and deformed.

ここで、真空ポンプ５５を駆動すると、橋絡路５７ｂが真空引きされ、橋絡路５７ｂからの吸引によってアルミナ板６０がアース電極５０に吸い付けられて密着する。このとき、アルミナ板６０は、アース電極５０と密着しているので、アルミナ板６０とアース電極５０との間で異常放電が発生することを防ぐことができる。 Here, when the vacuum pump 55 is driven, the bridge 57b is evacuated, and the alumina plate 60 is sucked and brought into close contact with the ground electrode 50 by suction from the bridge 57b. At this time, since the alumina plate 60 is in close contact with the ground electrode 50, it is possible to prevent abnormal discharge from occurring between the alumina plate 60 and the ground electrode 50.

また、真空ポンプ５５による橋絡路５７ｂからの吸引によって、アルミナ板６０の上にセットされる被処理体Ｗがアルミナ板６０に吸い付けられる。被処理体Ｗがアルミナ板６０に吸い付けられることによって、被処理体Ｗを下部ユニットＵ２に安定した状態で載置できるだけでなく、被処理体Ｗをアルミナ板６０に密着させて被処理体Ｗがアルミナ板６０から浮き上がって隙間を形成することを防止することができる。被処理体Ｗとアルミナ板６０との間に隙間を形成することを防止することができるので、アルミナ板６０と被処理体Ｗとの間で異常放電が発生することを確実に防止することができる。 Further, the workpiece W set on the alumina plate 60 is sucked onto the alumina plate 60 by the suction from the bridge 57 b by the vacuum pump 55. When the workpiece W is sucked onto the alumina plate 60, the workpiece W can be placed on the lower unit U2 in a stable state, and the workpiece W is brought into close contact with the alumina plate 60 to be treated. Can be prevented from rising from the alumina plate 60 and forming a gap. Since it is possible to prevent a gap from being formed between the workpiece W and the alumina plate 60, it is possible to reliably prevent abnormal discharge from occurring between the alumina plate 60 and the workpiece W. it can.

下部ホルダ４０の上面には、絶縁性の樹脂からなるスペーサー９０、９０が設けられている。このスペーサー９０、９０の上に上部ユニットＵ１が載置され、下部ホルダ４０の上面と上部ホルダ１０の下面との距離を１．５ｍｍに保持している。 Spacers 90 and 90 made of insulating resin are provided on the upper surface of the lower holder 40. The upper unit U1 is placed on the spacers 90, 90, and the distance between the upper surface of the lower holder 40 and the lower surface of the upper holder 10 is maintained at 1.5 mm.

ここで、本発明の特徴に係る部分について説明する。
石英板３０の静電容量は０．３６ｎＦである。また、被処理体Ｗが吸着されるアルミナ板６０の静電容量は０．８２ｎＦであり、石英板３０の静電容量よりも２倍以上大きくなされている。
被処理体Ｗが吸着されるアルミナ板６０の静電容量が、石英板３０の静電容量よりも大きくなっていることによって、吸引孔６１に生じる電荷の偏りを相対的に小さくし、電荷の偏りから生ずる異状放電の発生開始電圧を上昇させることができる。異状放電の発生開始電圧を上昇させることができるので、本発明のプラズマ処理装置は、より高い電圧を印可しても異状放電を発生することなく、被処理体Ｗに対して均一なプラズマ処理を行うことができる。 Here, the part which concerns on the characteristic of this invention is demonstrated.
The capacitance of the quartz plate 30 is 0.36 nF. The capacitance of the alumina plate 60 to which the workpiece W is adsorbed is 0.82 nF, which is twice or more larger than the capacitance of the quartz plate 30.
Since the capacitance of the alumina plate 60 to which the workpiece W is adsorbed is larger than the capacitance of the quartz plate 30, the charge bias generated in the suction hole 61 is relatively reduced, and the charge is reduced. The generation start voltage of the abnormal discharge resulting from the bias can be increased. Since the generation start voltage of abnormal discharge can be increased, the plasma processing apparatus of the present invention can perform uniform plasma processing on the workpiece W without generating abnormal discharge even when a higher voltage is applied. It can be carried out.

ここで、アルミナ板６０と石英板３０とが同一の厚み（例えば、１ｍｍ）を有する場合、吸引孔６１が設けられた誘電体であるアルミナ板６０の比誘電率は、石英板３０の比誘電率よりも大きいものが用いられる。なお、本実施形態において、アルミナ板６０の比誘電率は８、石英板３０の比誘電率は３．５である。 Here, when the alumina plate 60 and the quartz plate 30 have the same thickness (for example, 1 mm), the relative dielectric constant of the alumina plate 60 that is a dielectric provided with the suction holes 61 is the relative dielectric constant of the quartz plate 30. The one larger than the rate is used. In this embodiment, the relative dielectric constant of the alumina plate 60 is 8, and the relative dielectric constant of the quartz plate 30 is 3.5.

また、本実施形態で用いられる誘電体が同一の比誘電率を有する材質である場合、吸引孔を有する誘電体（第１の誘電体）の厚みは、もう一方の誘電体（第２の誘電体）の厚みよりも薄いものが用いられる。
例えば、ホット電極２０とアース電極５０のそれぞれの対向面に比誘電率８のアルミナ板が設けられている場合、ホット電極２０には吸引孔を有する厚さ１ｍｍのアルミナ板（第１の誘電体）が設けられ、アース電極５０には厚さ２ｍｍのアルミナ板（第２の誘電体）が設けられる。 In addition, when the dielectric used in the present embodiment is a material having the same relative dielectric constant, the thickness of the dielectric having the suction hole (first dielectric) is the other dielectric (second dielectric). What is thinner than the thickness of the body is used.
For example, when an alumina plate having a relative dielectric constant of 8 is provided on the opposing surfaces of the hot electrode 20 and the ground electrode 50, the hot electrode 20 has a 1 mm thick alumina plate (first dielectric) having suction holes. ), And the ground electrode 50 is provided with an alumina plate (second dielectric) having a thickness of 2 mm.

ここで、アルミナ板６０や石英板３０の面積が電極２０、５０の対向面の面積よりも大きい場合、アルミナ板６０と石英板３０との静電容量の大小関係は、これらが電極２０、５０の対向面を覆っている領域における静電容量によって適宜決定される。 Here, when the area of the alumina plate 60 or the quartz plate 30 is larger than the area of the opposing surfaces of the electrodes 20 and 50, the magnitude relationship between the capacitances of the alumina plate 60 and the quartz plate 30 is determined as follows. This is appropriately determined by the capacitance in the region covering the opposite surface.

また、電極２０、５０に複数層からなる誘電体が設けられている場合、それぞれの電極２０、５０に設けられた誘電体の静電容量の大小関係は、複数層からなる誘電体全体における静電容量によって適宜決定される。 Further, when the electrodes 20 and 50 are provided with a dielectric composed of a plurality of layers, the magnitude relationship of the capacitances of the dielectrics provided on the respective electrodes 20 and 50 depends on the static in the entire dielectric composed of a plurality of layers. It is determined appropriately depending on the electric capacity.

上記の構成によるプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法を説明する。
まず、被処理体Ｗを下部ユニットＵ２のアルミナ板６０の上に載せ、真空ポンプ５５を駆動させる。真空ポンプ５５の駆動によって、橋絡路５７ｂが真空引きされてアルミナ板６０がアース電極５０に吸い付けられ、アルミナ板６０とアース電極５０とが密着した状態になる。また、真空ポンプ５５の駆動によって、橋絡路５７ｂを介して吸引孔６１が真空引きされて被処理体Ｗがアルミナ板６０に吸い付けられ、被処理体Ｗがアース電極５０に固定される。被処理体Ｗは、アース電極５０と密着して被処理体Ｗとアース電極５０との間に隙間が形成されない。 A plasma processing method by the plasma processing apparatus having the above configuration will be described.
First, the workpiece W is placed on the alumina plate 60 of the lower unit U2, and the vacuum pump 55 is driven. By driving the vacuum pump 55, the bridge 57b is evacuated and the alumina plate 60 is attracted to the ground electrode 50, so that the alumina plate 60 and the ground electrode 50 are in close contact with each other. In addition, the suction hole 61 is evacuated through the bridge 57 b by driving the vacuum pump 55, the workpiece W is sucked to the alumina plate 60, and the workpiece W is fixed to the ground electrode 50. The workpiece W is in close contact with the ground electrode 50, and no gap is formed between the workpiece W and the ground electrode 50.

被処理体Ｗがアース電極５０に固定された状態で、上部ユニットＵ１に接続された処理ガス源１４ａから、放電空間７０に向けて処理ガスが供給される。
処理ガス源１４ａに充填された処理ガスは、導入管１４ｂを介して導入路１４ｃに導入される。導入路１４ｃは、導入管１４ｂとの接続部から途中で枝分かれして吹出口１４ｄと接続されいるので、処理ガスび濃度を均一化することができる。均一化された処理ガスは、吹出口１４ｄから放電空間７０に向けて流量が調整された状態で供給される。 A processing gas is supplied toward the discharge space 70 from the processing gas source 14 a connected to the upper unit U <b> 1 with the workpiece W fixed to the ground electrode 50.
The processing gas filled in the processing gas source 14a is introduced into the introduction path 14c through the introduction pipe 14b. Since the introduction path 14c branches off from the connecting portion with the introduction pipe 14b and is connected to the outlet 14d, the concentration of the processing gas can be made uniform. The uniformized processing gas is supplied in a state where the flow rate is adjusted from the outlet 14d toward the discharge space 70.

そして、電源２１のスイッチをオンにする。これによって、給電線２２を介してホット電極２０にパルス電圧が印加される。パルス電圧の印加によって、放電空間７０に均一なグロー放電が形成される。
放電空間７０に発生したグロー放電によって、放電空間７０に供給された処理ガスはプラズマ化され、プラズマ化した処理ガスによって被処理体Ｗのホット電極２０側の面にプラズマ処理が施される。なお、被処理体Ｗは、真空ポンプ５５の駆動によってアルミナ板６０と密着しており、処理ガスの供給やプラズマ処理等によってアルミナ板６０から浮き上がることはない。ひいては被処理体Ｗとアルミナ板６０との間で異常放電が発生することを防ぐことができる。 Then, the power supply 21 is turned on. As a result, a pulse voltage is applied to the hot electrode 20 via the feeder line 22. By applying the pulse voltage, a uniform glow discharge is formed in the discharge space 70.
By the glow discharge generated in the discharge space 70, the processing gas supplied to the discharge space 70 is turned into plasma, and the surface of the workpiece W on the hot electrode 20 side is subjected to plasma processing by the plasmad processing gas. In addition, the to-be-processed object W is closely_contact | adhered with the alumina plate 60 by the drive of the vacuum pump 55, and does not float from the alumina plate 60 by supply of a process gas, plasma processing, etc. As a result, it is possible to prevent abnormal discharge from occurring between the workpiece W and the alumina plate 60.

また、被処理体Ｗが設けられたアルミナ板６０の静電容量は、石英板３０の静電容量より大きくなっているので、アルミナ板６０の吸引孔６１と石英板３０との間における異常放電の発生開始電圧を上昇させることができる。ひいては異常放電を発生させることなくより高い電圧を電極２０、５０に印可することができる。 Further, since the capacitance of the alumina plate 60 provided with the workpiece W is larger than the capacitance of the quartz plate 30, abnormal discharge between the suction hole 61 of the alumina plate 60 and the quartz plate 30 is performed. Can be increased. As a result, a higher voltage can be applied to the electrodes 20 and 50 without causing abnormal discharge.

プラズマ処理に用いられた使用済みの処理ガスは、上部ホルダ１０に形成された排出口１５ｄに吸い込まれ、排出管１５ｂを経て真空ポンプ１５ａに吸い込まれて排気される。 The used processing gas used for the plasma processing is sucked into the discharge port 15d formed in the upper holder 10, and sucked into the vacuum pump 15a through the discharge pipe 15b and exhausted.

プラズマ処理が終了したときは、真空ポンプ１５ａを停止し、吸引孔６１及び橋絡路５７ｂの吸引を停止する。真空ポンプ１５ａの停止によって、被処理体Ｗのアルミナ板６０への固定が解除され、被処理体Ｗをアルミナ板６０から簡単に取り出すことができる。 When the plasma processing is finished, the vacuum pump 15a is stopped and the suction of the suction hole 61 and the bridge 57b is stopped. By stopping the vacuum pump 15a, the fixing of the workpiece W to the alumina plate 60 is released, and the workpiece W can be easily removed from the alumina plate 60.

本発明の実施形態は上記実施形態のみに限定されず、種々の形態をとることができる。
例えば、ホット電極２０に設けられる誘電体の静電容量が、アース電極５０に設けられた誘電体の静電容量より大きくてもよい。このとき、被処理体Ｗは、ホット電極２０側の誘電体に設けられる。 Embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and can take various forms.
For example, the capacitance of the dielectric provided in the hot electrode 20 may be larger than the capacitance of the dielectric provided in the ground electrode 50. At this time, the workpiece W is provided on the dielectric on the hot electrode 20 side.

誘電体の形状としては、板状やシート状のものに限られず、電極に溶射によって設けられたものでもよい。
また、電極２０、５０が垂直方向に対向して設けられてもよい。
電極の形状としては、それぞれが平行平板に限定されず、ロール状電極と平板状電極との対、またはロール状電極と湾曲板状電極との対になっていてもよく、あるいは同軸円筒状になっていてもよい。 The shape of the dielectric is not limited to a plate shape or a sheet shape, and may be provided on the electrode by thermal spraying.
Further, the electrodes 20 and 50 may be provided to face each other in the vertical direction.
The shape of the electrode is not limited to a parallel plate, but may be a pair of a roll electrode and a plate electrode, or a pair of a roll electrode and a curved plate electrode, or a coaxial cylindrical shape. It may be.

上部ユニットＵ１又は下部ユニットＵ２にコンベアなどの搬送手段を設け、被処理体Ｗをホット電極２０と相対的に搬送可能にしてもよい。被処理体Ｗが搬送可能になっていることによって、被処理体Ｗに対して連続的にプラズマ処理を行うことができる。 The upper unit U1 or the lower unit U2 may be provided with transport means such as a conveyor so that the workpiece W can be transported relative to the hot electrode 20. Since the workpiece W can be transported, the plasma treatment can be continuously performed on the workpiece W.

本発明のプラズマ処理装置は、グロー放電だけでなく、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用され、成膜、洗浄、表面改質、アッシング、エッチング等の種々のプラズマ処理に広く適用することができる。 The plasma processing apparatus of the present invention is applied not only to glow discharge but also to plasma processing by corona discharge or creeping discharge, and widely applied to various plasma processing such as film formation, cleaning, surface modification, ashing, etching, etc. Can do.

以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。
なお、実施例１−１、１−２及び比較例１−１〜１−３は、吸引孔が設けられた誘電体（第１の誘電体）がアース電極５０側に設けられており、吸引孔が設けられていない誘電体（第２の誘電体）がホット電極２０側に設けられている。また、実施例２−１、２−２及び比較例２−１〜２−３は、吸引孔が設けられた誘電体（第１の誘電体）がホット電極２０側に設けられており、吸引孔が設けられていない誘電体（第２の誘電体）がアース電極５０側に設けられている。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.
In Examples 1-1 and 1-2 and Comparative Examples 1-1 to 1-3, a dielectric (first dielectric) provided with a suction hole is provided on the ground electrode 50 side, and suction is performed. A dielectric (second dielectric) without holes is provided on the hot electrode 20 side. In Examples 2-1 and 2-2 and Comparative Examples 2-1 to 2-3, a dielectric (first dielectric) provided with suction holes is provided on the hot electrode 20 side, and suction is performed. A dielectric (second dielectric) without a hole is provided on the ground electrode 50 side.

（実施例１−１）
上記の実施形態において、放電空間７０には処理ガスが供給されず、大気圧近傍の圧力の空気が存在している。この状態で、電極２０、５０の間に周波数１０ｋＨｚ、波高値１４．８ｋＶのパルス電圧の印加を開始した。その後、徐々に印加電圧を増加し、吸引孔６１と石英板３０との間に異常放電が発生したときの印加電圧を測定した。なお、異常放電の発生を確認するため、吸引孔６１が設けられたアルミナ板６０には被処理体Ｗが設けられていない。
なお、実施例１−１において、アース電極５０側のアルミナ板には吸引孔が設けられており、ホット電極２０側の石英板には吸引孔が設けられていない。 (Example 1-1)
In the above embodiment, the processing space is not supplied to the discharge space 70, and air having a pressure near the atmospheric pressure exists. In this state, application of a pulse voltage having a frequency of 10 kHz and a peak value of 14.8 kV was started between the electrodes 20 and 50. Thereafter, the applied voltage was gradually increased, and the applied voltage when abnormal discharge occurred between the suction hole 61 and the quartz plate 30 was measured. In addition, in order to confirm generation | occurrence | production of abnormal discharge, the to-be-processed object W is not provided in the alumina plate 60 in which the suction hole 61 was provided.
In Example 1-1, the alumina plate on the ground electrode 50 side is provided with suction holes, and the quartz plate on the hot electrode 20 side is not provided with suction holes.

（実施例１−２）
実施例１−１において、ホット電極２０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例１−１のアース電極５０で用いたものと同一のアルミナ板６０を３枚積層した積層体（積層体の静電容量：０．３１ｎＦ）を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、実施例１−２において、アース電極５０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側の積層体には吸引孔が設けられていない。 (Example 1-2)
In Example 1-1, instead of the quartz plate 30 provided on the hot electrode 20 side, a laminate in which three alumina plates 60 identical to those used in the ground electrode 50 of Example 1-1 were laminated as a dielectric. A pulse voltage was applied in the same manner as in Example 1-1 except that the body (stacked body capacitance: 0.31 nF) was used.
In Example 1-2, the alumina plate on the ground electrode 50 side is provided with suction holes similar to those of the alumina plate in Example 1-1, and the laminate on the hot electrode 20 side has suction holes. Not provided.

（比較例１−１）
実施例１−１において、ホット電極２０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、アース電極５０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例１−１において、アース電極５０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。 (Comparative Example 1-1)
In Example 1-1, Example 1-1 was used except that the same alumina plate 60 as that used in the ground electrode 50 was used as the dielectric instead of the quartz plate 30 provided on the hot electrode 20 side. A pulse voltage was applied in the same manner as described above.
In Comparative Example 1-1, the alumina plate on the ground electrode 50 side is provided with suction holes similar to those of the alumina plate in Example 1-1, and the alumina plate on the hot electrode 20 side has suction holes. Not provided.

（比較例１−２）
実施例１−１において、アース電極５０側に設けたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、ホット電極２０で用いたものと同一の石英板６０を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例１−２において、アース電極５０側の石英板板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側の石英板には吸引孔が設けられていない。 (Comparative Example 1-2)
In Example 1-1, Example 1-1 was used except that the same quartz plate 60 as that used in the hot electrode 20 was used as the dielectric instead of the alumina plate 60 provided on the ground electrode 50 side. A pulse voltage was applied in the same manner as described above.
In Comparative Example 1-2, the quartz plate on the ground electrode 50 side is provided with suction holes similar to those of the alumina plate in Example 1-1, and the suction plate is provided on the quartz plate on the hot electrode 20 side. Is not provided.

（比較例１−３）
実施例１−１において、ホット電極２０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例１−１のアース電極５０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用し、更に、アース電極５０側に設けられたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、実施例１−１のホット電極２０で用いたものと同一の石英板３０を使用したこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例１−３において、、アース電極５０側の石英板板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、ホット電極２０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。 (Comparative Example 1-3)
In Example 1-1, instead of the quartz plate 30 provided on the hot electrode 20 side, the same alumina plate 60 as that used in the ground electrode 50 of Example 1-1 was used as the dielectric, Instead of the alumina plate 60 provided on the ground electrode 50 side, Example 1-1, except that the same quartz plate 30 as that used in the hot electrode 20 of Example 1-1 was used as the dielectric. A pulse voltage was applied in the same manner as described above.
In Comparative Example 1-3, the quartz plate on the ground electrode 50 side is provided with suction holes similar to the alumina plate in Example 1-1, and the alumina plate on the hot electrode 20 side is suctioned. There are no holes.

（実施例２−１）
実施例１−１において、給電線２２や接地線５１の配線を入れ換え、上部ユニットＵ１に設けられた電極をホット電極２０とし、下部ユニットＵ２に設けられた電極をアース電極５０としたこと以外は、実施例１−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、実施例２−１において、ホット電極２０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側の石英板には吸引孔が設けられていない。 (Example 2-1)
In Example 1-1, except that the power supply line 22 and the ground line 51 are replaced, the electrode provided in the upper unit U1 is the hot electrode 20, and the electrode provided in the lower unit U2 is the ground electrode 50. A pulse voltage was applied in the same manner as in Example 1-1.
In Example 2-1, the alumina plate on the hot electrode 20 side is provided with suction holes similar to those of the alumina plate in Example 1-1, and the quartz plate on the ground electrode 50 side has suction holes. Not provided.

（実施例２−２）
実施例２−１において、アース電極５０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例２−１のホット電極２０で用いたものと同一のアルミナ板６０を３枚積層した積層体（積層体の静電容量：０．３１ｎＦ）を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、実施例２−２において、ホット電極２０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側の積層体には吸引孔が設けられていない。 (Example 2-2)
In Example 2-1, instead of the quartz plate 30 provided on the ground electrode 50 side, a laminate in which three alumina plates 60 identical to those used in the hot electrode 20 of Example 2-1 were laminated as a dielectric. A pulse voltage was applied in the same manner as in Example 2-1, except that the body (stacked body capacitance: 0.31 nF) was used.
In Example 2-2, the alumina plate on the hot electrode 20 side is provided with suction holes similar to those of the alumina plate in Example 1-1, and the laminate on the ground electrode 50 side has suction holes. Not provided.

（比較例２−１）
実施例２−１において、ホット電極２０側に設けたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、アース電極５０で用いたものと同一の石英板３０を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例２−２において、ホット電極２０側の石英板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側の石英板には吸引孔が設けられていない。 (Comparative Example 2-1)
In Example 2-1, Example 2-1, except that instead of the alumina plate 60 provided on the hot electrode 20 side, the same quartz plate 30 as that used for the ground electrode 50 was used as the dielectric. A pulse voltage was applied in the same manner as described above.
In Comparative Example 2-2, the quartz plate on the hot electrode 20 side is provided with suction holes similar to the alumina plate in Example 1-1, and the quartz plate on the ground electrode 50 side has suction holes. Not provided.

（比較例２−２）
実施例２−１において、アース電極５０側に設けた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例２−１のホット電極２０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例２−１において、ホット電極２０側のアルミナ板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。 (Comparative Example 2-2)
In Example 2-1, instead of the quartz plate 30 provided on the ground electrode 50 side, the same alumina plate 60 as that used in the hot electrode 20 of Example 2-1 was used as the dielectric. A pulse voltage was applied in the same manner as in Example 2-1.
In Comparative Example 2-1, the alumina plate on the hot electrode 20 side is provided with suction holes similar to those of the alumina plate of Example 1-1, and the alumina plate on the ground electrode 50 side has suction holes. Not provided.

（比較例２−３）
実施例２−１において、ホット電極２０側に設けたアルミナ板６０に代えて、誘電体として、アース電極５０で用いたものと同一の石英板３０を使用し、更に、アース電極５０側に設けられた石英板３０に代えて、誘電体として、実施例２−１のホット電極２０で用いたものと同一のアルミナ板６０を使用したこと以外は、実施例２−１と同様にしてパルス電圧を印加した。
なお、比較例２−３において、ホット電極２０側の石英板には、実施例１−１のアルミナ板と同様の吸引孔が設けられており、アース電極５０側のアルミナ板には吸引孔が設けられていない。 (Comparative Example 2-3)
In Example 2-1, instead of the alumina plate 60 provided on the hot electrode 20 side, the same quartz plate 30 as that used for the ground electrode 50 is used as the dielectric, and further provided on the ground electrode 50 side. Instead of the quartz plate 30 thus obtained, a pulse voltage was applied in the same manner as in Example 2-1, except that the same alumina plate 60 as that used in the hot electrode 20 of Example 2-1 was used as the dielectric. Was applied.
In Comparative Example 2-3, the quartz plate on the hot electrode 20 side is provided with suction holes similar to the alumina plate in Example 1-1, and the alumina plate on the ground electrode 50 side has suction holes. Not provided.

以上の実施例１−１、１−２及び比較例１−１〜１−３において、アース電極５０側に吸引孔が設けられた誘電体が設けられた場合、吸引孔６１と吸引孔に対向する誘電体板との間に異常放電が発生したときの印加電圧を表１に示す。
また、実施例２−１、２−２及び比較例２−１〜２−３において、ホット電極２０側に吸引孔が設けられた誘電体が設けられた場合、吸引孔６１と吸引孔に対向する誘電体板との間に異常放電が発生したときの印加電圧を表２に示す。 In Examples 1-1 and 1-2 and Comparative Examples 1-1 to 1-3 described above, when a dielectric having a suction hole is provided on the ground electrode 50 side, the suction hole 61 and the suction hole are opposed to each other. Table 1 shows applied voltages when an abnormal discharge occurs between the dielectric plate and the dielectric plate.
In Examples 2-1 and 2-2 and Comparative Examples 2-1 to 2-3, when a dielectric having a suction hole is provided on the hot electrode 20 side, the suction hole 61 and the suction hole are opposed to each other. Table 2 shows applied voltages when abnormal discharge occurs between the dielectric plate and the dielectric plate.

表１、２より、実施例１−１、１−２、２−１、２−２では、波高値３０ｋＶまで印加電圧を上昇しても吸引孔と吸引孔に対向する誘電体との間で異常放電が発生せず、より高い電圧を印加しても安定したプラズマを発生できることが確認された。
また、比較例１−１〜１−３、２−１〜２−３では、比較的低い電圧でも吸引孔と吸引孔に対向する誘電体との間で異常放電の発生が確認され、高い電圧を印加した際に安定したプラズマを発生することができなかった。 From Tables 1 and 2, in Examples 1-1, 1-2, 2-1, and 2-2, even if the applied voltage is increased to a peak value of 30 kV, between the suction hole and the dielectric facing the suction hole It was confirmed that no abnormal discharge occurred and stable plasma could be generated even when a higher voltage was applied.
Further, in Comparative Examples 1-1 to 1-3 and 2-1 to 2-3, the occurrence of abnormal discharge was confirmed between the suction hole and the dielectric facing the suction hole even at a relatively low voltage. It was not possible to generate a stable plasma when applying.

本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の模式的斜視図である。1 is a schematic perspective view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１のＡ−Ａ線に沿うプラズマ処理装置の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of the plasma processing apparatus which follows the AA line of FIG.

Explanation of symbols

Ｍプラズマ処理装置
Ｕ１上部ユニット
Ｕ２下部ユニット
１０上部ホルダ
２０ホット電極
３０石英板
４０下部ホルダ
５０アース電極
６０アルミナ板
６１吸引孔
７０放電空間
Ｗ被処理体
M Plasma processing apparatus U1 Upper unit U2 Lower unit 10 Upper holder 20 Hot electrode 30 Quartz plate 40 Lower holder 50 Ground electrode 60 Alumina plate 61 Suction hole 70 Discharge space W Object to be processed

Claims

A pair of electrodes;
A first dielectric and a second dielectric provided on each opposing surface of the electrode and facing each other;
In a plasma processing apparatus for performing plasma processing on an object to be processed positioned between the pair of electrodes,
The first dielectric is provided with a suction hole capable of holding the object to be processed by the first dielectric by suction;
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a capacitance of the first dielectric is larger than a capacitance of the second dielectric.