JP2005068501A - Metal mask for sputtering, and method for producing transparent conductive film using the same - Google Patents
Metal mask for sputtering, and method for producing transparent conductive film using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005068501A JP2005068501A JP2003300923A JP2003300923A JP2005068501A JP 2005068501 A JP2005068501 A JP 2005068501A JP 2003300923 A JP2003300923 A JP 2003300923A JP 2003300923 A JP2003300923 A JP 2003300923A JP 2005068501 A JP2005068501 A JP 2005068501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal mask
- transparent conductive
- sputtering
- conductive film
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、スパッタリング用メタルマスクに関するものであり、特に、例えば、液晶表示装置などに用いられるカラーフィルタ基板の着色層上に透明導電膜を形成する際に用いる冶具としてのスパッタリング用メタルマスクに関する。 The present invention relates to a sputtering metal mask, and more particularly, to a sputtering metal mask as a jig used when forming a transparent conductive film on a colored layer of a color filter substrate used in a liquid crystal display device or the like.
図１は、液晶表示装置などに用いるカラーフィルタ基板にスパッタリング用メタルマスク（以下、メタルマスクと称す）が重ね合わされた状態の一例の平面図である。また、図２は、そのＸ１−Ｘ２断面を示したものであり、図４は、図２の一部分を拡大したものである。以下にカラーフィルタ基板として、液晶表示装置用カラーフィルタ基板を例に説明する。 FIG. 1 is a plan view of an example of a state in which a sputtering metal mask (hereinafter referred to as a metal mask) is superimposed on a color filter substrate used in a liquid crystal display device or the like. 2 shows the X1-X2 cross section, and FIG. 4 is an enlarged view of a part of FIG. Hereinafter, a color filter substrate for a liquid crystal display device will be described as an example of the color filter substrate.
図１、２、４に示すように、液晶表示装置用カラーフィルタ基板は、ガラス基板１１上にブラックマトリックス１６、着色画素１４、及び透明導電膜１５が形成されたものである。
ブラックマトリックス１６は、遮光性を有するマトリックス状のものであり、金属クロム膜と酸化クロム膜を積層した構成のものや、感光性樹脂に顔料を分散させたものを用いたものなどがある。いずれもフォトレジストあるいは黒色顔料を分散させた感光性材料をガラス基板１１上にコーティングしフォトマスクを介して紫外線露光させ現像し、ブラックマトリックスを得る。クロム膜の場合は現像後にエッチングし、レジスト剥膜を行い、所定のパターンを得る。
As shown in FIGS. 1, 2, and 4, the color filter substrate for a liquid crystal display device is obtained by forming a
The
着色画素１４は、上記ブラックマトリックスが形成されたガラス基板上に着色レジストを塗布し、フォトマスクを介して紫外線露光し、現像後所定のパターンを得る。この着色画素は一般的に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）で構成され、同様の作業を３度繰り返し、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）３色の着色画素で構成する着色層２４を得る。
透明導電膜１５は、このブラックマトリックスと着色層上に形成する。透明導電膜の形成には、均一な膜厚で、抵抗値や透過率などの特性が比較的安定して得られることから、スパッタリング法が広く普及している。
The
The transparent
透明導電膜は、一般的にはＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズの混合物）がよく用いられる。他に酸化スズ、酸化亜鉛、酸化亜鉛とアルミニウムなどの材料が利用される。透明導電膜を形成するエリアは、図１、２に示すように、メタルマスクの開口部１７の下方の、着色層２４上であり、ガラス基板１１内に複数のエリアが面付けされている。面付けされた各エリアの外周部は、液晶パネルの貼り合わせ部となるため、信頼性などの面で透明導電膜が形成されないようにメタルマスクを用いてマスキングを行っている。
In general, ITO (a mixture of indium oxide and tin oxide) is often used as the transparent conductive film. In addition, materials such as tin oxide, zinc oxide, zinc oxide and aluminum are used. As shown in FIGS. 1 and 2, the area where the transparent conductive film is formed is on the
透明導電膜を自動化ラインにて形成する場合、図３に示すように、ガラス基板の膜面側にメタルマスクを置き、ガラス基板の裏面にはメタルマスクを保持するために、マグネット３６を設けたマグネットホルダー３５を配した構成として膜を形成する。この場合、メタルマスクには、一般的に磁性材料が用いられる。
特にガラスとの熱膨張係数が近く、精度よくパターン加工できる材料が選定される。透明導電膜を形成する各エリアの外周部近くにメタルマスクを配することによるキズを防止するため、及びスパッタリング中にプラズマに曝され、ガラス基板とメタルマスクに帯電して、帯電量の差から異常放電を起こすことを防止するため、メタルマスクには、図４に示すように、ガラス基板に接する側のメタルマスクの開口部端に、厚みを薄くしたハーフエッチング部１３が設けられている。
When the transparent conductive film is formed by an automated line, as shown in FIG. 3, a metal mask is provided on the film surface side of the glass substrate, and a
In particular, a material that has a thermal expansion coefficient close to that of glass and can be patterned accurately is selected. In order to prevent scratches due to the placement of a metal mask near the outer periphery of each area where the transparent conductive film is formed, and to be exposed to plasma during sputtering, the glass substrate and the metal mask are charged. In order to prevent abnormal discharge from occurring, the metal mask is provided with a half-etched
しかしながら、近年、カラーフィルタ基板のコストを低減する試みが進み、ガラス基板内に多くの面付けを行うようになってきた。例えば、携帯端末用途向けのパネルなど小型モニターは、これまでの基板サイズから大型基板へと移り、さらに多くの面付けを行って製造すると、メタルマスクの格子部分が細くなってしまう。
格子部分が細くなったメタルマスクにハーフエッチング部を設けると、メタルマスクは強度が不足したものとなってしまうので、ハ−フエッチング部を確保することができなくなることもあった。また、液晶パネルの非表示エリアを小さく、すなわち、パネル額縁を少なくする方向に進んでいる。このため透明導電膜の形成エリア外周が、着色層により近づき、メタルマスクによって、着色層やブラックマトリックスへのキズや異常放電が発生してしまうといった問題点もあった。
However, in recent years, attempts to reduce the cost of the color filter substrate have progressed, and many impositions have been made in the glass substrate. For example, when a small monitor such as a panel for a portable terminal is moved from a conventional substrate size to a large substrate and manufactured with more impositions, the lattice portion of the metal mask becomes thin.
If a half-etched portion is provided in a metal mask having a narrow lattice portion, the metal mask becomes insufficient in strength, so that the half-etched portion may not be secured. Further, the non-display area of the liquid crystal panel is made smaller, that is, the panel frame is being reduced. For this reason, the outer periphery of the transparent conductive film formation area is closer to the colored layer, and there is a problem in that the metal mask causes scratches and abnormal discharge on the colored layer and the black matrix.
これらを解決するため、メタルマスクがガラス基板に接する側に、樹脂による凸部を設け、キズや異常放電が発生しないような方策をとる方法を見出した（特開２００２−２１２７２１参照）。
図９は、ガラス基板に接する側に樹脂による凸部が設けられたメタルマスク６２の一例を示す断面図である。この従来の、キズや異常放電対策として設けていたハーフエッチング部は、樹脂による凸部を設ける事により代行することができ、また、ハーフエッチング部をなくすことで強度を増すことができた。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of a
液晶表示装置用カラーフィルタ基板は、前記のように、日々コスト低減が進められており、その一環としてガラス基板の大型化や、多面付け化が進んでいる。このため前記のように、樹脂による凸部を設けたメタルマスクがよく使用されるようになってきた。
しかし、この樹脂の凸部を設けたメタルマスクを用いて、大型基板へ透明導電膜を形成すると膜特性の安定性が損なわれる問題があった。これは、メタルマスクに樹脂の凸部を設けたものを使用すると、樹脂の凸部から吸着ガスが成膜中に放出され、その影響によってバラツキを生じるのである。
As described above, the cost of color filter substrates for liquid crystal display devices is being reduced day by day, and as part of this, the size of glass substrates and the increase in the number of faces are being promoted. For this reason, as described above, a metal mask provided with a convex portion made of resin has been often used.
However, when a transparent conductive film is formed on a large substrate using a metal mask provided with the convex portions of the resin, there is a problem that the stability of the film characteristics is impaired. This is because, when a metal mask provided with a resin convex portion is used, the adsorbed gas is released from the resin convex portion during film formation, resulting in variations.
さらに、スループットの短縮によるコスト低減が図られる際に、インラインスパッタ装置で形成する場合には、真空排気の時間も短縮されてくる。このため、吸着ガスの放出の影響が、より顕著に現れる。また、無加熱にて透明導電膜を形成する条件においては、さらにその影響が出てきていた。
本発明は、キズや異常放電の発生を防止するために、樹脂の凸部を形成したメタルマスクを用いて多面付けされたカラーフィルタ基板に透明導電膜を形成しても、膜の特性を損なわず、また高スループットの条件下、すなわち、真空排気の時間が短縮されても膜を安定して成膜することが可能なメタルマスクを提供することを課題とする。
Further, when the cost is reduced by shortening the throughput, the time for evacuation is also shortened when the in-line sputtering apparatus is used. For this reason, the influence of discharge | release of adsorption gas appears more notably. Moreover, the influence has come out further on the conditions which form a transparent conductive film without heating.
In the present invention, even if a transparent conductive film is formed on a multifaceted color filter substrate using a metal mask having a resin convex portion in order to prevent generation of scratches and abnormal discharge, the characteristics of the film are impaired. It is another object of the present invention to provide a metal mask capable of stably forming a film even under high throughput conditions, that is, even when the time for evacuation is shortened.
本発明は、カラーフィルタ基板上に透明導電膜を形成する際に使用する、成膜対象となる部分が開口されたスパッタリング用メタルマスクにおいて、カラーフィルタ基板と接触する側に、樹脂を用いてパターン状に形成された凸部を設けたことを特徴とするスパッタリング用メタルマスクである。 The present invention relates to a metal mask for sputtering used to form a transparent conductive film on a color filter substrate, and a pattern using a resin on the side in contact with the color filter substrate. It is a metal mask for sputtering characterized by providing the convex part formed in the shape.
また、本発明は、上記発明によるスパッタリング用メタルマスクにおいて、前記凸部の厚さが１０μｍ〜１００μｍの範囲であることを特徴とするスパッタリング用メタルマスクである。 The present invention also provides the sputtering metal mask according to the above invention, wherein the thickness of the convex portion is in the range of 10 μm to 100 μm.
また、本発明は、上記発明によるスパッタリング用メタルマスクにおいて、前記凸部の巾が１０ｍｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用メタルマスクである。 Moreover, the present invention is the sputtering metal mask according to the above invention, wherein the width of the convex portion is 10 mm or less.
また、本発明は、上記発明によるスパッタリング用メタルマスクを用いたことを特徴とする透明導電膜の製造方法である。 Moreover, this invention is a manufacturing method of the transparent conductive film characterized by using the metal mask for sputtering by the said invention.
本発明は、カラーフィルタ基板と接触する側に、樹脂を用いてパターン状に形成された凸部を設けたスパッタリング用メタルマスクであるので、大型基板や多面つけなどにより、メタルマスクの格子部分が細くなっても、十分な強度があり、異常放電やキズ防止の他、膜の特性を損なわず、また高スループットの条件下、すなわち、真空排気の時間が短縮されても膜を安定して成膜することが可能なメタルマスクとなる。 The present invention is a sputtering metal mask in which convex portions formed in a pattern shape using a resin are provided on the side in contact with the color filter substrate. Even if it becomes thinner, it has sufficient strength, prevents abnormal discharge and scratches, does not impair the characteristics of the film, and stably forms the film even under high-throughput conditions, i.e. even if the evacuation time is shortened. It becomes a metal mask that can be formed into a film.
以下に本発明の実施形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
図５は、本発明によるスパッタリング用メタルマスクの一実施例を示す平面図であるが、液晶表示装置用カラーフィルタ基板に重ね合わされた状態のものである。図６は、図５のＸ１−Ｘ２断面図である。
図５、図６に示すように、本発明によるスパッタリング用メタルマスク５２は、ガラス基板５１上の透明導電膜の形成エリアに相当する場所に、開口部５７を有する金属のメタルマスクである。そのガラス基板５１との接触面側に、樹脂を用いてパターン状に形成された凸部を設けた構成になっている。
FIG. 5 is a plan view showing an embodiment of the metal mask for sputtering according to the present invention, which is overlaid on a color filter substrate for a liquid crystal display device. 6 is a cross-sectional view taken along line X1-X2 of FIG.
As shown in FIGS. 5 and 6, the
一般的に、メタルマスクにはガラス基板と接する側に、ハーフエッチングと呼ばれる加工が施されている。これは着色層へのキズ防止と、成膜中の異常放電と呼ばれる不良を防止するものであるが、本発明のメタルマスクにおいては、樹脂の凸部があるため、このハーフエッチング加工は行なわなくても上記問題を防止することが可能である。本発明のメタルマスクは、このハーフエッチングの加工を、特に規定するものではない。 In general, a metal mask is subjected to processing called half-etching on the side in contact with a glass substrate. This is to prevent scratches on the colored layer and to prevent defects called abnormal discharge during film formation. However, in the metal mask of the present invention, this half-etching process is not performed because there are resin convex portions. However, the above problem can be prevented. The metal mask of the present invention does not particularly define the half etching process.
ハーフエッチングを施さないメタルマスクの場合、開口部５７端から少し内側に凸部を配したほうがよい。これは成膜中にスパッタ粒子が回り込み、凸部に着膜してしまい導電性を持つことを防止するためである、配する位置は、特に規定するものではないが、１ｍｍ程度内側が望ましい。
図７は、樹脂の凸部を配した本発明のメタルマスクの一部を拡大した断面図である。また図８には、樹脂の凸部を配した平面図を示す。この樹脂による凸部は、軟らかいため着色層に直接接触してもキズの発生もなく、またメタルマスクの金属面とガラス基板との間は一定の隙間を保っているため異常放電も防止できる。
In the case of a metal mask that is not subjected to half-etching, it is better to provide a convex portion slightly inside from the end of the
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a part of the metal mask of the present invention provided with resin protrusions. FIG. 8 is a plan view in which resin convex portions are arranged. Since the convex portions made of this resin are soft, there is no generation of scratches even if they are in direct contact with the colored layer, and since a certain gap is maintained between the metal surface of the metal mask and the glass substrate, abnormal discharge can be prevented.
メタルマスクは、一般的にガラス基板を挟んでメタルマスクと反対側に、磁石を埋め込んだマグネットホルダーによってガラス基板と固定される。 The metal mask is generally fixed to the glass substrate by a magnet holder in which a magnet is embedded on the opposite side of the metal mask across the glass substrate.
この凸部の間隔が広がってしまうとメタルマスクにたわみを生じ、異常放電の原因となりうる。凸部のピッチは、凸部の大きさ（巾）の約２倍程度のピッチを設けることが望ましい。ピッチは２０ｍｍ以下がよいが、格子の幅や上記ハーフエッチング部の有無により条件が異なるので、特にピッチを規定するものではない。上記凸部の大きさ（巾）は、１０ｍｍ以下が望ましい。 If the interval between the convex portions is widened, the metal mask is deflected, which may cause abnormal discharge. As for the pitch of the convex part, it is desirable to provide a pitch of about twice the size (width) of the convex part. The pitch is preferably 20 mm or less, but the conditions are different depending on the width of the lattice and the presence or absence of the half-etched portion, so that the pitch is not particularly specified. As for the magnitude | size (width) of the said convex part, 10 mm or less is desirable.
これまでの樹脂の凸部を設けたメタルマスクを使った場合、樹脂の凸部の体積が大きく
、大気中の水分や空気といったガスが多く吸着されてしまう。この吸着ガスは、スパッタリング装置内での排気中、あるいは成膜中にプラズマに曝されることでガス放出される。このガスにより膜特性の安定性を損ね、また抵抗値や透過率といった透明導電膜に要求される特性が、規格を下回る場合があった。また、高スループット条件下で透明導電膜を形成する場合は、排気完了後であってもスループットが高いため、放出ガスの影響がより顕著に現れる。
When a conventional metal mask provided with a resin convex portion is used, the volume of the resin convex portion is large, and a large amount of gas such as moisture and air in the atmosphere is adsorbed. The adsorbed gas is released by being exposed to plasma during exhaust in the sputtering apparatus or during film formation. In some cases, the stability of the film characteristics is impaired by this gas, and the characteristics required for the transparent conductive film such as the resistance value and the transmittance are less than the standard. In addition, when the transparent conductive film is formed under high throughput conditions, the throughput is high even after exhaust is completed, so that the influence of the emitted gas appears more conspicuously.
しかし、本発明のメタルマスクの場合、樹脂の凸部について、高さ及び大きさを規定することにより吸着ガスの量を抑え、膜特性に影響のでない領域としたものである。成膜温度については、着色層の耐熱性などから、一般的に２００℃程度で行われるが、無加熱であってもよい。成膜条件を特に規定するものではない。無加熱で形成する条件の場合、上記放出ガスの影響がより顕著になるが、本発明のメタルマスクを使用すると問題なく形成できる。 However, in the case of the metal mask of the present invention, the height and size of the resin protrusions are regulated so that the amount of adsorbed gas is suppressed and the film characteristics are not affected. The film formation temperature is generally about 200 ° C. due to the heat resistance of the colored layer, but may be unheated. The film forming conditions are not particularly specified. In the case of forming without heating, the influence of the released gas becomes more remarkable, but when the metal mask of the present invention is used, it can be formed without any problem.
また、本発明のメタルマスクは、この樹脂の凸部の厚さが、１０μｍから１００μｍの範囲にあることを特徴とする。これは、本来の目的である異常放電対策や、着色層とブラックマトリックスへのキズ防止について、鋭意条件出しを実施し見出した数値である。 The metal mask of the present invention is characterized in that the thickness of the convex portion of the resin is in the range of 10 μm to 100 μm. This is a numerical value that has been found by earnestly setting out conditions for measures against abnormal discharge, which are the original purpose, and for preventing scratches on the colored layer and the black matrix.
１０μｍよりも薄くなると、着色画素との隙間が狭くなり、キズの対策としての効果が得られなくなる。また数回使用したメタルマスクでは小さな変形を生じる為、より接しやすくなる。ほかに、透明導電膜を形成したときに、前記のように、成膜中の２次電子放出による帯電で基板とメタルマスクとの電位差が大きくなったとき、隙間が狭いと放電インピーダンスが小さくなり、簡単に異常放電を起こすことになる。
逆に１００μｍを超えると、それより薄い膜厚のものと効果の差がなくなり、必要以上に厚くしても、吸着物質（水や空気などのガス）の低減につながらないため規定したものである。
If the thickness is less than 10 μm, the gap between the colored pixels becomes narrow, and an effect as a measure against scratches cannot be obtained. In addition, a metal mask that has been used several times causes small deformations, which makes it easier to touch. In addition, when a transparent conductive film is formed, as described above, when the potential difference between the substrate and the metal mask increases due to secondary electron emission during film formation, the discharge impedance decreases when the gap is narrow. It will easily cause abnormal discharge.
On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, there is no difference in effect from that of a thinner film thickness, and even if it is thicker than necessary, it does not lead to a reduction in adsorbed substances (gas such as water and air).
また、本発明のメタルマスクは、凸部の巾が１０ｍｍ以下であることを特徴とする。樹脂製の凸部を、より小さくできないかについて検討した結果得られた数値である。
１０ｍｍ以下の大きさでも、十分メタルマスクとガラス基板との隙間を確保し、異常放電などの問題が発生しないことがわかった。凸部の巾の下限は、略１ｍｍである。
The metal mask of the present invention is characterized in that the width of the convex portion is 10 mm or less. It is the numerical value obtained as a result of examining whether the convex part made of resin can be made smaller.
It was found that even with a size of 10 mm or less, a sufficient gap between the metal mask and the glass substrate was secured, and problems such as abnormal discharge did not occur. The lower limit of the width of the convex portion is approximately 1 mm.
メタルマスクは一般的に０．１ｍｍから０．５ｍｍの板厚の磁性材料からできており、ガラス基板の裏面より磁石を配したマグネットホルダーにてメタルマスクを固定するため、磁石のくみかたによっては、メタルマスクがたわみを生じガラス基板と接触してしまう。
樹脂製の凸部が島状に配置された場合における、凸部の大きさとその間隔について調整を行ってきた。その結果、凸部の巾は１０ｍｍ以下の大きさで、ピッチはその２倍で配列されたものがよいことがわかった。凸部の形状は円形であっても四角形でもよく、特に形状は規定するものではない。例えば、長方形の場合は、長手方向の長さが１０ｍｍ以下であることが望ましい。ピッチは、凸部の大きさのおおよそ２倍が目安となるが、メタルマスクの格子形状などにより、適宜に対応する必要あるため規定はしない。
The metal mask is generally made of a magnetic material with a thickness of 0.1 mm to 0.5 mm, and the metal mask is fixed by a magnet holder with a magnet arranged from the back side of the glass substrate. Causes the metal mask to bend and come into contact with the glass substrate.
Adjustments have been made to the size of the protrusions and their spacing when the resin protrusions are arranged in an island shape. As a result, it was found that the width of the convex portion was 10 mm or less and the pitch was preferably doubled. The shape of the convex portion may be circular or square, and the shape is not particularly defined. For example, in the case of a rectangle, the length in the longitudinal direction is desirably 10 mm or less. The pitch is approximately twice as large as the size of the convex portion, but is not defined because it needs to be appropriately handled depending on the lattice shape of the metal mask.
本発明のメタルマスクを用いて、液晶表示装置用カラーフィルタ基板に透明導電膜を形成する実施例について記す。 An embodiment in which a transparent conductive film is formed on a color filter substrate for a liquid crystal display device using the metal mask of the present invention will be described.
基板上に、黒色顔料を分散させた感光性の樹脂を塗布し、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介して露光する。その後現像、乾燥の工程を経てブラックマトリックスを得た。
次に、赤色顔料を分散させた感光性の樹脂を塗布し、所定のパターンを形成されたフォトマスクを介して露光する。その後現像、乾燥の工程を経て赤色の着色画素を得た。同様に緑色、青色の着色画素を形成し着色層を得た。これらの形成は顔料分散法カラーフィルタとしてよく知られている形成方法である。
A photosensitive resin in which a black pigment is dispersed is applied onto the substrate and exposed through a photomask on which a predetermined pattern is formed. Thereafter, a black matrix was obtained through development and drying processes.
Next, a photosensitive resin in which a red pigment is dispersed is applied and exposed through a photomask in which a predetermined pattern is formed. Thereafter, a red colored pixel was obtained through development and drying processes. Similarly, green and blue colored pixels were formed to obtain a colored layer. These formations are well known as pigment dispersion color filters.
基板上に、ブラックマトリックスと着色層を形成後、本発明のメタルマスクを用いて透明導電膜を形成した。ブラックマトリックスと着色層が形成された基板上に、ブラックマトリックスとメタルマスクを、０．５ｍｍ以下のズレに収まるようアライメント調整し、基板の裏面側に磁石をメタルマスクの格子部分に相当する場所に入れたマグネットホルダーを配してメタルマスクと基板を固定した。 After forming a black matrix and a colored layer on the substrate, a transparent conductive film was formed using the metal mask of the present invention. Adjust the alignment of the black matrix and metal mask on the substrate on which the black matrix and colored layer are formed so that they are within 0.5 mm of deviation, and place the magnet on the back side of the substrate at a location corresponding to the lattice portion of the metal mask. The magnet mask was placed and the metal mask and the substrate were fixed.
メタルマスクには、基板と接する側に樹脂による凸部を設けた。この凸部は、ポリアクリル酸エステルを主成分とする樹脂を用い、スクリーン印刷により直径２ｍｍの円形の所定パターンを印刷後、紫外線を１５００ｍＪ／ｃｍ2 で全面照射し硬化させた。厚さは４０μｍとなった。
この凸部は４ｍｍのピッチで配置され、この凸部の巾（直径）は２ｍｍであった。メタルマスクにはハーフエッチング部が設けられておらず、樹脂の凸部によって隙間が保たれ、異常放電と着色層やブラックマトリックスへのキズ対策が取られている。
The metal mask was provided with a convex portion made of resin on the side in contact with the substrate. The convex portion was made of a resin having polyacrylic acid ester as a main component. After printing a predetermined circular pattern having a diameter of 2 mm by screen printing, the entire surface was irradiated with ultraviolet rays at 1500 mJ / cm 2 and cured. The thickness was 40 μm.
The convex portions were arranged at a pitch of 4 mm, and the width (diameter) of the convex portions was 2 mm. The metal mask is not provided with a half-etched portion, a gap is maintained by the convex portion of the resin, and measures against abnormal discharge and scratches on the colored layer and the black matrix are taken.
膜の形成はスパッタリング法を用い、装置はロードロックタイプのものを用いた。ターゲットはＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズ（１０ｗｔ％の焼結体）を用いた。基板を、メタルマスクとマグネットホルダーでサンドイッチされた構成の形態のまま、スパッタリング装置のトレイに固定し、投入を行った。粗引き槽にて２６．６Ｐａまで排気を行ったあと、高真空排気槽へトレイを移動させ、１×１０-3Ｐａまで排気させた。その後スパッタ槽へ投入した。スパッタ槽は、酸素ガス０．２％混合されたアルゴンガスを導入し、ガス圧を０．５Ｐａになるよう調整した。 A film was formed by a sputtering method, and a load lock type apparatus was used. ITO (indium oxide and tin oxide (10 wt% sintered body) was used as the target. The substrate was fixed to the tray of the sputtering apparatus while being sandwiched between a metal mask and a magnet holder, and charged. After evacuating to 26.6 Pa in the roughing tank, the tray was moved to a high vacuum evacuation tank and evacuated to 1 × 10 −3 Pa. Thereafter, the sputtering tank was charged with oxygen. Argon gas mixed with 0.2% gas was introduced and the gas pressure was adjusted to 0.5 Pa.
ターゲットへは５ｋＷの出力をかけ放電状態にある。基板を固定したトレイは、ターゲットの前を通過し、ＩＴＯ膜の形成を行った。
ＩＴＯ膜形成後、マグネットホルダーを取り外し、基板からメタルマスクを取り除いた。基板には所定の位置にＩＴＯ膜が形成されており、着色層やブラックマトリックスにキズはなく、異常放電の発生もなく、良好であった。このときのＩＴＯ膜は１５００Å形成され、抵抗値は１７Ω／□であり、製品特性も安定しており良好であった。
The target is in a discharged state with an output of 5 kW. The tray on which the substrate was fixed passed in front of the target to form an ITO film.
After forming the ITO film, the magnet holder was removed, and the metal mask was removed from the substrate. An ITO film was formed at a predetermined position on the substrate, and there was no scratch on the colored layer or the black matrix, and there was no occurrence of abnormal discharge, which was good. At this time, the ITO film was formed with 1500 、, the resistance value was 17Ω / □, the product characteristics were stable and good.
１１、５１・・・・ガラス基板
１２、５２、６２・・・・メタルマスク
１３、５３・・・・メタルマスクのハーフエッチング部
１４、２４、５４・・・・着色画素
１５・・・・透明導電膜
１６・・・・ブラックマトリックス
１７、５７・・・・メタルマスク開口部
３５・・・・マグネットホルダー
３６・・・・マグネット
３７・・・・スペーサー
６５・・・・樹脂の凸部
７５・・・・樹脂を用いてパターン状に形成された凸部
11, 51...
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003300923A JP2005068501A (en) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | Metal mask for sputtering, and method for producing transparent conductive film using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003300923A JP2005068501A (en) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | Metal mask for sputtering, and method for producing transparent conductive film using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005068501A true JP2005068501A (en) | 2005-03-17 |
Family
ID=34405694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003300923A Pending JP2005068501A (en) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | Metal mask for sputtering, and method for producing transparent conductive film using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005068501A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015186632A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| CN106536784A (en) * | 2014-06-06 | 2017-03-22 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
-
2003
- 2003-08-26 JP JP2003300923A patent/JP2005068501A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015186632A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| JP2016011459A (en) * | 2014-06-06 | 2016-01-21 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, framed vapor deposition mask, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor device |
| KR20170015877A (en) * | 2014-06-06 | 2017-02-10 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| CN106536784A (en) * | 2014-06-06 | 2017-03-22 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| JP2019070200A (en) * | 2014-06-06 | 2019-05-09 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, framed vapor deposition mask, vapor deposition mask preparator, and manufacturing method for organic semiconductor element |
| CN110344003A (en) * | 2014-06-06 | 2019-10-18 | 大日本印刷株式会社 | The manufacturing method of deposition mask and its precursor and organic semiconductor device |
| US10573815B2 (en) | 2014-06-06 | 2020-02-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, and method for producing organic semiconductor element |
| TWI714393B (en) * | 2014-06-06 | 2020-12-21 | 日商大日本印刷股份有限公司 | Evaporation mask, vapor deposition mask with frame, preparation of vapor deposition mask, manufacturing method of organic semiconductor device, and pattern forming method |
| US10978641B2 (en) | 2014-06-06 | 2021-04-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, and method for producing organic semiconductor element |
| KR102330942B1 (en) | 2014-06-06 | 2021-11-26 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| KR20210145836A (en) * | 2014-06-06 | 2021-12-02 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| CN110344003B (en) * | 2014-06-06 | 2022-03-15 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, precursor thereof, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| KR102382753B1 (en) | 2014-06-06 | 2022-04-08 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, vapor deposition mask precursor, and method for manufacturing organic semiconductor element |
| TWI778455B (en) * | 2014-06-06 | 2022-09-21 | 日商大日本印刷股份有限公司 | Evaporation mask, frame-attached vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation, manufacturing method of organic semiconductor element, and pattern forming method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8314911B2 (en) | Liquid crystal panel and manufacturing method thereof | |
| CN103323901B (en) | The manufacture method of polarizer and polarizer | |
| US11119258B2 (en) | Color filter substrate, method of manufacturing the same and display device | |
| US20180335917A1 (en) | Spacer, display panel, method for manufacturing display panel, and display device | |
| US6548227B2 (en) | Protective layer for corrosion prevention during lithography and etch | |
| US20180314105A1 (en) | Counter substrate, display panel, display device and fabricating method | |
| CN107463024A (en) | Display base plate and its manufacture method, display panel | |
| JP2000075305A (en) | Color filter for liquid crystal display device and its production | |
| US3957609A (en) | Method of forming fine pattern of thin, transparent, conductive film | |
| JP2007256311A (en) | Metal mask for sputtering, color filter, and manufacturing method therefor | |
| JP2005068501A (en) | Metal mask for sputtering, and method for producing transparent conductive film using the same | |
| JP2002229008A (en) | Liquid crystal display element | |
| JP2005272942A (en) | Metal mask for sputtering, and method for forming transparent conductive film using the same | |
| JP2006330150A (en) | Color filter for liquid crystal display apparatus | |
| JP2008158265A (en) | Color filter and manufacturing method of color filter | |
| JP4701502B2 (en) | Sputtering metal mask | |
| JP4496862B2 (en) | Vacuum dryer | |
| JP2008058579A (en) | Method of manufacturing color filter | |
| JP4480239B2 (en) | Manufacturing method of color filter | |
| JP2006284668A (en) | Manufacturing method and manufacturing apparatus of color filter | |
| JPH0850286A (en) | Liquid crystal display element and production thereof | |
| JP2008281678A (en) | Manufacturing method of color filter, color filter and liquid crystal display apparatus | |
| JP5034450B2 (en) | Manufacturing method of color filter | |
| JP2007010731A (en) | Color filter and method for manufacturing same | |
| KR100687332B1 (en) | Method of fabricating LCD |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060725 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090310 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090317 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090609 |