JP2005064986A - Quasi-optical coupling type module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ミリ波やサブミリ波とアンテナ集積素子とを準光学的に結合させる構造のモジュールに関するものである。 The present invention relates to a module having a structure for quasi-optically coupling a millimeter wave or submillimeter wave and an antenna integrated element.
ミリ波やサブミリ波などの超高周波信号は、通信や計測などの様々な分野で利用されている。高周波信号を放射ないしは検出するためには、一般にアンテナが用いられる。アンテナの寸法は扱う信号の波長に比例しており、ミリ波では10mm以下、サブミリ波では1mm以下と非常に小さくなる。このような周波数領域では、導波管技術と並んで、いわゆる準光学結合系が用いられている。準光学結合系では、電波の伝搬を可視光などと同様の幾何光学で取り扱うため、誘電体レンズが多用される。 Ultra-high frequency signals such as millimeter waves and submillimeter waves are used in various fields such as communication and measurement. An antenna is generally used to radiate or detect a high-frequency signal. The size of the antenna is proportional to the wavelength of the signal to be handled, and is extremely small, 10 mm or less for millimeter waves and 1 mm or less for submillimeter waves. In such a frequency region, a so-called quasi-optical coupling system is used alongside the waveguide technology. In the quasi-optical coupling system, a dielectric lens is often used because propagation of radio waves is handled by geometric optics similar to visible light.
図9は誘電体レンズとしてのシリコン半球レンズ51,51Aとアンテナを集積した微少寸法のアンテナ集積素子(アンテナをもつ発振器や検波器)52との関係を示す従来例の図である。図9(a)ではシリコン半球レンズ51によりアンテナ集積素子52に対して平面波を入出力させることが可能となる。また図9(b)ではシリコン半球レンズ51Aによりアンテナ集積素子52に対して一定の広がり角をもつ電波を入出力させることが可能となる。具体的には、例えば、非特許文献1に記載されている素子では、図10(a)に示すように、アンテナ集積素子52としてアンテナとフォトダイオードを集積した素子を使用し、これをシリコン半球レンズ51上に実装し、ミリ波を出力させるようにしている。
しかし、以上のような構成の準光学結合型モジュールを作製する上では、これまでいくつかの問題点があった。まず、加工技術上の問題から、シリコン半球レンズ51の平面上に直接的にアンテナ集積素子52の位置を決めるためのマークを形成することが困難であるため、そのアンテナ集積素子52をシリコン半球レンズ51の平面の中心に正確に配置することが困難であった。 However, several problems have been encountered so far in producing a quasi-optically coupled module having the above configuration. First, because of a problem in processing technology, it is difficult to form a mark for determining the position of the antenna integrated element 52 directly on the plane of the silicon hemispherical lens 51. It has been difficult to accurately place in the center of the 51 plane.
また、このような寸法の小さいアンテナ集積素子52に対し、図10(b)に示すように、配線53を接続する際には、いわゆるワイヤボンデイングという手法が用いられるが、シリコン半球レンズ51の厚さが厚いため、このようなモジュールを通常のワイヤボンデイング装置へ装着することが困難であった。 In addition, as shown in FIG. 10B, a so-called wire bonding technique is used to connect the wiring 53 to the antenna integrated element 52 having such a small size. Due to its thickness, it is difficult to mount such a module on a normal wire bonding apparatus.
さらに、シリコン半球レンズ51は、図10(b)に示すように、通常、接着剤54で筐体55の装着穴55aの下部に固定されるが、実装時に加わる応力により接着部分の剥離が生じてしまうという問題があった。 Further, as shown in FIG. 10B, the silicon hemispherical lens 51 is usually fixed to the lower portion of the mounting hole 55a of the housing 55 with an adhesive 54. However, the adhesive portion peels off due to stress applied during mounting. There was a problem that.
本発明の目的は、上述の従来技術における問題点を解消するものであって、アンテナ集積素子を誘電体半球レンズの平面上に実装する際のボンデイング工程が容易になり、かつアンテナ集積素子の位置決め精度を向上させることができ、さらに実装時の応力の影響を回避できるようにした準光学結合型モジュールを提供することにある。 An object of the present invention is to solve the above-described problems in the prior art, which facilitates a bonding process when mounting an antenna integrated element on a plane of a dielectric hemispherical lens, and positioning the antenna integrated element. It is an object of the present invention to provide a quasi-optically coupled module that can improve accuracy and avoid the influence of stress during mounting.
請求項1にかかる発明は、筐体に装着された誘電体半球レンズと、該誘電体半球レンズの平面上に配置されたサブマウントと、該サブマウント上に搭載されたアンテナ集積素子とを少なくとも含み、入力又は出力する電磁波が前記アンテナ集積素子のアンテナに対し前記誘電体半球レンズを介して準光学的に結合される準光学結合型モジュールであって、前記サブマウントは、前記誘電体半球レンズと同一材質の平板からなり、頂点もしくは外周縁が前記誘電体半球レンズの平面部外周縁に重なる寸法の前記頂点もしくは前記外周縁を含み、且つ一方の面に前記アンテナ集積素子の搭載位置を示すマークが形成されていることを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載の準光学結合型モジュールにおいて、前記誘電体半球レンズの平面部から半球部に向かう方向の力を前記筺体が支えるように、前記誘電体半球レンズを前記筐体に支持する接合手段を有することを特徴とする。
The invention according to claim 1 includes at least a dielectric hemispherical lens mounted on a housing, a submount disposed on a plane of the dielectric hemispherical lens, and an antenna integrated element mounted on the submount. A quasi-optically coupled module in which an input or output electromagnetic wave is quasi-optically coupled to the antenna of the antenna integrated element via the dielectric hemispherical lens, wherein the submount includes the dielectric hemispherical lens Is formed of a flat plate of the same material as that of the dielectric hemispherical lens, and includes the apex or the outer perimeter having a dimension that overlaps with the outer perimeter of the planar portion of the dielectric hemispherical lens, and indicates the mounting position of the antenna integrated element on one surface. A mark is formed.
According to a second aspect of the present invention, in the quasi-optically coupled module according to the first aspect, the dielectric hemispherical lens is configured so that the casing supports a force in a direction from the flat portion to the hemispherical portion of the dielectric hemispherical lens. It has a joining means which supports to the above-mentioned case.
請求項1にかかる発明によれば、サブマウントを使用するので、アンテナ集積素子の誘電体半球レンズの平面上への位置決め精度を向上させることでき、またそのアンテナ集積素子を実装する際のボンデイング工程も容易になり、請求項2にかかる発明によれば、実装時の応力の影響を回避することができ、いずれも準光学結合型モジュールの作製技術を向上させることができるという効果がある。 According to the first aspect of the invention, since the submount is used, the positioning accuracy of the antenna integrated element on the plane of the dielectric hemispherical lens can be improved, and the bonding step when mounting the antenna integrated element is possible. According to the invention of claim 2, it is possible to avoid the influence of stress at the time of mounting, and both have the effect of improving the production technique of the quasi-optically coupled module.
本発明では、アンテナ集積素子をシリコン半球レンズの平面上に直接搭載するのではなく、そのシリコン半球レンズの平面部に平面状のシリコンのサブマウントをその頂点もしくは外周縁がシリコン半球レンズの平面部外周縁に重なるように搭載し、そのサブマウントに形成したマークの位置にアンテナ集積素子を搭載することで、アンテナ集積素子の搭載位置精度の向上を図ると共に、アンテナ集積素子の配線のボンディング工程を容易にする。また、シリコン半球レンズの平面部から半球部に向かう方向の力を筺体が支えるように、シリコン半球レンズを筐体に支持する接合手段を具備させることにより、実装時の応力の影響を回避する。以下、本発明の実施例を詳しく説明する。 In the present invention, the antenna integrated element is not directly mounted on the plane of the silicon hemispherical lens, but a planar silicon submount is provided on the plane of the silicon hemispherical lens, and the apex or outer periphery thereof is the plane of the silicon hemispherical lens. It is mounted so as to overlap the outer peripheral edge, and the antenna integrated element is mounted at the position of the mark formed on the submount, thereby improving the mounting position accuracy of the antenna integrated element and performing the wiring bonding process of the antenna integrated element. make it easier. Moreover, the influence of the stress at the time of mounting is avoided by providing the joining means for supporting the silicon hemispherical lens on the housing so that the housing supports the force in the direction from the flat part to the hemispherical part of the silicon hemispherical lens. Examples of the present invention will be described in detail below.
図1は超高周波光信号をミリ波無線信号に変換する実施例1の準光学結合型モジュールの構造を示す断面図である。図1において、1は筺体、2は筺体1の装着穴1aに装着されたシリコン半球レンズ、3はアンテナやフォトダイオード等を集積したアンテナ集積受光素子、4はシリコン平板からなる長方形のサブマウントである。5〜7はアンテナ集積受光素子3に光信号を入射させるためのレンズシステムであり、5はレンズ、6はレンズ保持部品、7は光ファイバである。8は筺体1の上部を閉じる筺体蓋、9はワイヤボンディングされる配線、10は装着穴1aとシリコン半球レンズ2を接合する接着剤である。光ファイバ7から導入された超高周波光信号は、レンズ5によってアンテナ集積受光素子3のフォトダイオードに照射されてそこで光電変換され、アンテナからミリ波無線信号として放射され、シリコン半球レンズ2により出射される。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a quasi-optically coupled module of Example 1 that converts an ultrahigh-frequency optical signal into a millimeter-wave radio signal. In FIG. 1, 1 is a housing, 2 is a silicon hemispherical lens mounted in the mounting hole 1a of the housing 1, 3 is an antenna integrated light receiving element in which an antenna, a photodiode, etc. are integrated, and 4 is a rectangular submount made of a silicon flat plate. is there. Reference numerals 5 to 7 denote lens systems for allowing optical signals to enter the antenna integrated light receiving element 3, 5 denotes a lens, 6 denotes a lens holding component, and 7 denotes an optical fiber. Reference numeral 8 denotes a casing lid that closes the upper portion of the casing 1, 9 is a wire to be wire-bonded, and 10 is an adhesive that joins the mounting hole 1 a and the silicon hemispherical lens 2. The ultra-high frequency optical signal introduced from the optical fiber 7 is irradiated to the photodiode of the antenna integrated light receiving element 3 by the lens 5, photoelectrically converted there, radiated from the antenna as a millimeter wave radio signal, and emitted from the silicon hemisphere lens 2. The
ここで、レンズ保持部品6は同軸状のスリーブを用いてレンズ5を3軸方向に位置調整可能な構成としているが、同様に3軸方向の位置調整を実現できれば、他の構成であっても構わない。なお、アンテナ集積受光素子3からの配線9を筐体1の外部へ取り出すためのコネクタ部分は記載を省略している。 Here, the lens holding component 6 has a configuration in which the position of the lens 5 can be adjusted in the triaxial direction using a coaxial sleeve. I do not care. Note that a connector portion for taking out the wiring 9 from the antenna integrated light receiving element 3 to the outside of the housing 1 is omitted.
図2はシリコン半球レンズ2の部分の上面を示す図であり、長方形のサブマウント4の各頂点はシリコン半球レンズ2の平面部の外周縁と一致する寸法に形成されている。また、サブマウント4の中心付近にアンテナ集積受光素子3を実装するための位置合わせマーク11が形成されている。マーク11の形成はサブマウント4に対し通常の半導体プロセスを用いることでサブミクロンの精度で実行することが可能である。また電波の入出力に影響を与えないためには、このマーク11は金属膜ではなく誘電体膜やシリコン基板そのものをエッチングで加工して溝などを形成することにより実現するのが好適である。このようなマーク11を予めシリコン基板上に多数一括して形成した後に、そのシリコン基板を通常のダイシング工程により各々のサブマウント4に切断分離する。 FIG. 2 is a view showing the upper surface of the silicon hemispherical lens 2, and each vertex of the rectangular submount 4 is formed to have a dimension that coincides with the outer peripheral edge of the planar portion of the silicon hemispherical lens 2. An alignment mark 11 for mounting the antenna integrated light receiving element 3 is formed near the center of the submount 4. The formation of the mark 11 can be performed with submicron accuracy by using a normal semiconductor process for the submount 4. In order not to affect the input / output of radio waves, this mark 11 is preferably realized by forming a groove or the like by etching a dielectric film or the silicon substrate itself instead of a metal film. After a large number of such marks 11 are formed on the silicon substrate in advance, the silicon substrate is cut and separated into the submounts 4 by a normal dicing process.
次に、図2に示すように、サブマウント4上に実体顕微鏡下でアンテナ集積受光素子3を実装し、この状態で予め設けておいた接続用端子部12に配線9のワイヤボンデイングを行う。この工程は、通常のシリコン基板上に形成された素子に対するワイヤボンデイングと同様であり、装置の改造や特別の治具を用意することなく実行できる。 Next, as shown in FIG. 2, the antenna integrated light receiving element 3 is mounted on the submount 4 under a stereomicroscope, and wire bonding of the wiring 9 is performed on the connection terminal portion 12 provided in this state. This process is the same as the wire bonding for an element formed on a normal silicon substrate, and can be executed without modifying the apparatus or preparing a special jig.
そしてこのサブマウント4をシリコン半球レンズ2の平面部に接着剤等で固定する。その際、サブマウント4の各頂点がシリコン半球レンズ2の平面部の外周縁と一致する寸法に形成されているので、サブマウント4の各頂点がシリコン半球レンズ2の平面部の外周縁にくるように位置調整するだけで、アンテナ集積受光素子3をシリコン半球レンズ2の平面の中心部に配置させることができ、位置合わせ精度が著しく向上する。ここで、サブマウント4はシリコン半球レンズ2と同一のシリコン材料であるため、両者の接合界面における誘電率差による電波の反射等の問題は生じない。なお、シリコン半球レンズ2の焦点位置は、サブマウント4の厚さ分だけ補正しておけば良い。このように、実施例1によればアンテナ集積受光素子3に対するボンデイング工程を通常の装置で容易に実行でき、かつアンテナ集積受光素子3の位置合わせ精度を向上させることができ、また実装時の応力の影響を回避することもできる。 Then, the submount 4 is fixed to the flat portion of the silicon hemispherical lens 2 with an adhesive or the like. At this time, each vertex of the submount 4 is formed to have a dimension that coincides with the outer peripheral edge of the planar portion of the silicon hemispherical lens 2, so that each vertex of the submount 4 comes to the outer peripheral edge of the planar portion of the silicon hemispherical lens 2. By simply adjusting the position as described above, the antenna integrated light receiving element 3 can be disposed at the center of the plane of the silicon hemispherical lens 2, and the alignment accuracy is remarkably improved. Here, since the submount 4 is made of the same silicon material as that of the silicon hemispherical lens 2, problems such as reflection of radio waves due to a difference in dielectric constant at the junction interface between them do not occur. Note that the focal position of the silicon hemispherical lens 2 may be corrected by the thickness of the submount 4. As described above, according to the first embodiment, the bonding process for the antenna integrated light receiving element 3 can be easily executed by a normal apparatus, the alignment accuracy of the antenna integrated light receiving element 3 can be improved, and the stress at the time of mounting can be improved. The influence of can be avoided.
なお、サブマウント4の形状は、図3(a)に示す六角形等の多角形、図3(b)に示す円形、図3(c)に示す一部がシリコン半球レンズ2と同じ円弧、もしくはこれらの組合せであっても良い。それらの中で、正方形および長方形は、ダイシングソーで容易にかつ無駄なく切断加工できるので好適である。 The shape of the submount 4 is a polygon such as a hexagon shown in FIG. 3A, a circle shown in FIG. 3B, a part of the arc shown in FIG. Alternatively, a combination thereof may be used. Among them, a square and a rectangle are preferable because they can be easily and efficiently cut with a dicing saw.
以上の後、サブマウント4の接続端子部12から筐体1上の電極端子(図示ぜす)に配線を行うが、接続端子部12上の出力側電極を大きくしておけば、ワイヤボンデイングを用いずに通常のハンダ付けなどの工程で配線ができる。最後にレンズ5等の光学系を溶接して準光学結合型モジュールが完成する。 After the above, wiring is performed from the connection terminal portion 12 of the submount 4 to the electrode terminal (shown in the figure) on the housing 1, but if the output side electrode on the connection terminal portion 12 is enlarged, wire bonding is performed. Wiring can be done in a process such as normal soldering without using it. Finally, the optical system such as the lens 5 is welded to complete the quasi-optical coupling type module.
図4はミリ波無線信号を電気信号に変換する実施例2の準光学結合型モジュールの構造を示す断面図である。図4において、21は筺体、22はシリコン半球レンズ、23はアンテナやショットキーダイオード等を集積したアンテナ集積検波素子、24はシリコン平板からなるサブマウント、28は筺体21の上部を閉じる筐体蓋、29はワイヤボンディングされる配線、30は筺体21の装着穴21aの上縁にシリコン半球レンズ22を接合する接着剤である。シリコン半球レンズ22に入射したミリ波無線信号は、アンテナ集積検波素子23のアンテナで受信で受信されショットキーダイオードで検波されされる。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of a quasi-optically coupled module of Example 2 that converts millimeter-wave radio signals into electrical signals. In FIG. 4, 21 is a housing, 22 is a silicon hemispherical lens, 23 is an integrated antenna detection element integrated with an antenna, a Schottky diode, etc., 24 is a submount made of a silicon flat plate, and 28 is a housing lid that closes the top of the
ここでは、シリコン半球レンズ22の形状が前記実施例1のシリコン半球レンズ2とは異なっている。また、ミリ波やサブミリ波を検波するためのアンテナ集積検波素子23としてショットキーダイオードを用いているため、実施例1で示されている光入射の光学系は無い。 Here, the shape of the silicon hemispherical lens 22 is different from that of the silicon hemispherical lens 2 of the first embodiment. In addition, since a Schottky diode is used as the antenna integrated detection element 23 for detecting millimeter waves and submillimeter waves, there is no light incident optical system shown in the first embodiment.
シリコン半球レンズ22には、図5に示すように、その平面部方向から半球部(レンズ)を押すような力に対して、筐体21が支えとなるようなフランジ22aが形成されており、このフランジ22aが筐体21の装着穴21aの上縁と接合することで、実装時の応力の影響を緩和することができる。専用の治具を用いれば、予めアンテナ集積検波素子23を搭載したサブマウント24をシリコン半球レンズ22の平面部にマウントした後での配線29のワイヤボンデイングを実現することも可能となる。また同時に、サブマウント24に接続用端子部を設けることなく、直接筐体21に設置された電極端子(図示せず)に配線29をワイヤボンデイングすることもできる。
As shown in FIG. 5, the silicon hemispherical lens 22 is formed with a flange 22 a that supports the
また、本実施例では、サブマウント24上の位置合わせマークとして、図6に示すように、ダイシングソーでけがいた4本のけがき線31を用いている。このけがき線31は、ダイシングソーの歯がほんのわずかにサブマウント24となるシリコン基板の表面に接するようにすることで形成することができる。このようにすることで、シリコン基板上への特別なマーク形成工程を省略することができる。サブマウント24上に形成したけがき線31の中心の四角部にアンテナ集積検波素子23を搭載し、続いてシリコン半球レンズ22上にそのサブマウント24を固定する。そして最後に配線29のワイヤボンデイングを行う。ここで、サブマウント24の単独状態でワイヤボンデイングを行っておいても良いことはもちろんである。以上のように、実施例2を用いることで、実施例1と同様に、アンテナ集積検波素子23に対するボンデイング工程を通常の装置で容易に実行でき、かつアンテナ集積検波素子23の位置合わせ精度を向上させることができ、また実装時の応力の影響を回避することができる。 In this embodiment, as the alignment mark on the submount 24, as shown in FIG. 6, four scribing lines 31 scribed by a dicing saw are used. The marking line 31 can be formed by making the dicing saw teeth touch the surface of the silicon substrate which becomes the submount 24 only slightly. By doing in this way, the special mark formation process on a silicon substrate can be skipped. The antenna integrated detector 23 is mounted on the central square portion of the marking line 31 formed on the submount 24, and then the submount 24 is fixed on the silicon hemispherical lens 22. Finally, wire bonding of the wiring 29 is performed. Here, it goes without saying that wire bonding may be performed with the submount 24 alone. As described above, by using the second embodiment, as in the first embodiment, the bonding process for the antenna integrated detection element 23 can be easily performed with a normal apparatus, and the alignment accuracy of the antenna integrated detection element 23 is improved. In addition, the influence of stress during mounting can be avoided.
なお、この実施例2でも、配線29を筐体外部へ取り出すためのコネクタ部分は記載を省略している。また、シリコン半球レンズ22を、図7に示すように、レンズ外周面に複数の係合凹部22bを設けたシリコン半球レンズ22Aに置き換え、その係合凹部22bを筺体21の装着穴21aに設けた係合凸部21bに係合させることで、そのシリコン半球レンズ22Aが筺体21に支えられるようにしてもよい。このようにシリコン半球レンズ22,22Aと筺体21の接合手段としては様々な形態を用いることができる。
In the second embodiment, the connector portion for taking out the wiring 29 to the outside of the housing is not shown. Further, as shown in FIG. 7, the silicon hemispherical lens 22 is replaced with a silicon hemispherical lens 22A having a plurality of engaging recesses 22b on the outer peripheral surface of the lens, and the engaging recesses 22b are provided in the mounting holes 21a of the
なお、シリコン半球レンズ2,22,22Aに搭載するアンテナ集積素子としては、アンテナとフォトダイオードやショットキーダイオード等を集積したアンテナ集積受光素子3やアンテナ集積検波素子23の他に、アンテナと他の素子、例えば逓倍器、発振器などの電子回路、ミキサーなどを集積した集積素子であっても良い。 As the antenna integrated elements mounted on the silicon hemispherical lenses 2, 22, 22A, in addition to the antenna integrated light receiving element 3 and the antenna integrated detection element 23 in which the antenna and the photodiode, the Schottky diode and the like are integrated, the antenna and other elements are integrated. An integrated element in which an element, for example, an electronic circuit such as a multiplier and an oscillator, a mixer, and the like are integrated may be used.
また、シリコン半球レンズ2,22,22Aの平面位置の設計としては、図9(a)で説明したように、入出力する電波が平面波になるように焦点位置を決めたり、図9(b)で説明したように、ある1点に集光されるように焦点位置を決めたりすることで所望の機能を実現することが可能である。さらに、球の中心を通る平面のみならず、半球を越えた位置を通る平面を持つ、いわゆる超半球レンズであっても良い。 Further, as the design of the planar position of the silicon hemispherical lenses 2, 22, 22A, as described with reference to FIG. 9A, the focal position is determined so that the input / output radio wave becomes a plane wave, or FIG. As described above, it is possible to realize a desired function by determining a focal position so that light is focused on a certain point. Furthermore, not only a plane passing through the center of the sphere but also a so-called super hemisphere lens having a plane passing through a position beyond the hemisphere may be used.
また、サブマウント4,24の平面上のマーク位置については、中心位置を決めるための例を示したが、図8に示すように、目的に応じては、中心位置から所望の寸法だけずれた位置を決めるために用いることもできる。 Moreover, although the example for determining the center position was shown about the mark position on the plane of the submounts 4 and 24, as shown in FIG. 8, according to the objective, it shifted | deviated only by the desired dimension from the center position. It can also be used to determine the position.
さらに、シリコン半球レンズ2,22,22Aおよびサブマウント4,24の材質としては、シリコン以外にも、テフロンやポリエチレンなど他の誘電体材料を用いることができる。また、シリコン半球レンズ2,22,22Aの表面には、無反射コートを施すのも好適である。 Further, as the material of the silicon hemispherical lenses 2, 22, 22A and the submounts 4, 24, other dielectric materials such as Teflon and polyethylene can be used in addition to silicon. It is also preferable to apply a non-reflective coating to the surfaces of the silicon hemispherical lenses 2, 22, 22A.
1:筺体、1a:装着穴
2:シリコン半球レンズ
3:アンテナ集積受光素子
4:サブマウント
5:レンズ
6:レンズ保持部品
7:光ファイバ
8:筺体蓋
9:配線
10:接着剤
11:マーク
12:接続端子部品
21:筺体、21a:装着穴、21b:係合凸部
22,22A:シリコン半球レンズ、22a:フランジ、22b:係合凹部
23:アンテナ集積検波素子
24:サブマウント
28:筺体蓋
29:配線
30:接着剤
31:けがき線
1: Housing 1a: Mounting hole 2: Silicon hemispherical lens 3: Antenna integrated light receiving element 4: Submount 5: Lens 6: Lens holding component 7: Optical fiber 8: Housing lid 9: Wiring 10: Adhesive 11: Mark 12 : Connection terminal component 21: Housing, 21a: Mounting hole, 21b: Engaging projection 22, 22A: Silicon hemisphere lens, 22a: Flange, 22b: Engaging recess 23: Antenna integrated detector 24: Submount 28: Housing lid 29: Wiring 30: Adhesive 31: Marking wire
Claims (2)
前記サブマウントは、前記誘電体半球レンズと同一材質の平板からなり、頂点もしくは外周縁が前記誘電体半球レンズの平面部外周縁に重なる寸法の前記頂点もしくは前記外周縁を含み、且つ一方の面に前記アンテナ集積素子の搭載位置を示すマークが形成されていることを特徴とする準光学結合型モジュール。 An electromagnetic wave to be input or output includes at least a dielectric hemispherical lens mounted on a housing, a submount disposed on a plane of the dielectric hemispherical lens, and an antenna integrated element mounted on the submount. A quasi-optical coupling module that is quasi-optically coupled to the antenna of the antenna integrated element via the dielectric hemispherical lens;
The submount is made of a flat plate made of the same material as the dielectric hemispherical lens, includes the apex or outer perimeter having a dimension such that the apex or outer perimeter overlaps the outer perimeter of the flat portion of the dielectric hemispherical lens, and one surface The quasi-optical coupling module is characterized in that a mark indicating the mounting position of the antenna integrated element is formed on the quasi-optical coupling module.
前記誘電体半球レンズの平面部から半球部に向かう方向の力を前記筺体が支えるように、前記誘電体半球レンズを前記筐体に支持する接合手段を有することを特徴とする準光学結合型モジュール。 The quasi-optically coupled module according to claim 1,
A quasi-optically coupled module comprising a joining means for supporting the dielectric hemispherical lens on the casing so that the housing supports a force in a direction from the flat portion to the hemispherical portion of the dielectric hemispherical lens. .
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007333798A (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Optical device and lens assembly |
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2003
- 2003-08-15 JP JP2003293933A patent/JP2005064986A/en not_active Withdrawn
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