JP2005057117A - Soldering method, joining structure, and electric/electronic component - Google Patents

Soldering method, joining structure, and electric/electronic component Download PDF

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敦史 山口
Masato Hirano
正人 平野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively prevent the deterioration of a soldered part (or a joined part) owing to the continuous use thereof under a high temperature condition, that is a typical problem caused when an electric/electronic component is soldered to a substrate using a soldering material containing Sn and Zn such as an Sn-Zn based material as a soldering material, and to ensure enough heat resistant fatigue strength. <P>SOLUTION: When the land 2 of the substrate 1 and the lead 6 of an electronic component 5 are soldered using a soldering material containing Sn and Zn, the surfaces of the land 2 and the lead 6 are covered with coating layers 3, 7 comprising a material containing Ag. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、互いに接合される部材間をはんだ付けするはんだ付け方法、および当該はんだ付け方法が適用される接合構造体、および電気/電子部品に関するものである。   The present invention relates to a soldering method for soldering members to be joined together, a joining structure to which the soldering method is applied, and an electrical / electronic component.

従来、電子機器などに用いられる電子回路基板の製造プロセスにおいて、例えば電子部品を基板に実装するため、より詳細には電子部品から引き出されたリードと基板に形成されたランドとを、電気的および物理的に接合するために用いられる方法の1つとして、リフローはんだ付け方法が知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacturing process of an electronic circuit board used in an electronic device or the like, for example, in order to mount an electronic component on the substrate, more specifically, a lead drawn from the electronic component and a land formed on the substrate are electrically and As one of the methods used for physical joining, a reflow soldering method is known.

一般的なリフローはんだ付け方法では、まず、基板に形成された配線パターンの一部であるランド上に、クリームはんだをスクリーン印刷法により供給する。クリームはんだは、通常、はんだ材料からなるはんだ粉末と、ロジン,活性剤、および溶剤からなるフラックスとが混合されて構成されている。   In a general reflow soldering method, cream solder is first supplied by screen printing onto lands that are part of a wiring pattern formed on a substrate. Cream solder is usually configured by mixing a solder powder made of a solder material and a flux made of rosin, an activator, and a solvent.

クリームはんだを供給した後、接合される電子部品から引き出されたリードを、基板のランド上に配置されたクリームはんだと付着するようにして、電子部品を基板の所定の箇所に配置する。このようにして電子部品がクリームはんだを介して配置された基板を、使用するはんだ材料の融点以上の温度で熱処理することにより、フラックスを活性化させ、クリームはんだ中のはんだ粉末を構成するはんだ材料を一旦溶融させると共に、クリームはんだ中のフラックスなどの他の成分を蒸発(または揮発)させる。次いで、これを冷却(または放冷)することにより、溶融したはんだ材料を凝固させる。   After supplying the cream solder, the electronic component is disposed at a predetermined position on the substrate so that the lead drawn out from the electronic component to be bonded adheres to the cream solder disposed on the land of the substrate. The solder material which activates the flux by heat-treating the substrate on which the electronic components are arranged via the cream solder in this way at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder material to be used and constitutes the solder powder in the cream solder. Is once melted and other components such as flux in the cream solder are evaporated (or volatilized). Next, the molten solder material is solidified by cooling (or allowing to cool).

凝固したはんだ材料は、電子部品のリードと基板のランドとの間に接合部を形成し、両者を電気的および物理的に接合する。接合部には、はんだ材料以外のフラックスなどの他の成分が存在し得るが、このような他の成分は、熱処理時においてはんだ材料と相分離するので、接合部の内部には存在せず、接合部表面にわずかに残留し得る程度である。これにより、はんだ材料からなる接合部(またははんだ付け部)によって、電子部品が基板に実装された電子回路基板が得られる。   The solidified solder material forms a joint between the lead of the electronic component and the land of the substrate, and joins both electrically and physically. There may be other components such as flux other than the solder material in the joint, but such other components are phase-separated from the solder material during the heat treatment, and therefore do not exist inside the joint. It can be slightly left on the joint surface. As a result, an electronic circuit board in which the electronic component is mounted on the substrate is obtained by the joint portion (or soldering portion) made of the solder material.

はんだ材料としては、Sn−Pb系材料、特に共晶組成を有するもの(以下、単にSn−Pb共晶材料とも称す)が一般的に使用されている。Sn−Pb系材料の共晶組成は、Sn−37Pb組成(すなわち、37重量%のPbおよび残部(63重量%)のSnからなる組成)であり、この共晶組成においてSn−Pb系材料は183℃の融点を有することが知られている。   As a solder material, an Sn—Pb-based material, particularly one having a eutectic composition (hereinafter also simply referred to as “Sn—Pb eutectic material”) is generally used. The eutectic composition of the Sn—Pb-based material is the Sn-37Pb composition (that is, a composition comprising 37% by weight of Pb and the balance (63% by weight) of Sn). In this eutectic composition, the Sn—Pb-based material is It is known to have a melting point of 183 ° C.

近年、上記のような電子回路基板を備える電子機器の廃棄処理法が問題視され始め、はんだ材料に含まれる鉛(Pb)による地球環境や人体への影響が懸念されている。   In recent years, disposal methods for electronic devices including the electronic circuit board as described above have begun to be regarded as problems, and there is concern about the influence of the lead (Pb) contained in the solder material on the global environment and the human body.

このため、はんだ材料として従来使用されて来たSn−Pb系材料に代えて、鉛を含まないはんだ材料、すなわち、鉛フリーはんだ材料を使用しようとする動きがあり、その実用化が図られている(特許文献1参照)。
特開2001−284785号公報
For this reason, instead of the Sn-Pb-based material that has been conventionally used as a solder material, there is a movement to use a lead-free solder material, that is, a lead-free solder material, and its practical use has been attempted. (See Patent Document 1).
JP 2001-284785 A

現在、鉛フリーはんだ材料としては種々の組成を有する材料が提案されているが、その1つにSn−Zn系材料がある。近年の研究の結果、Sn−Zn系材料の共晶組成は、おおよそSn−9Zn組成(すなわち、9重量%のZnおよび残部(91重量%)のSnからなる組成)であり、この共晶組成においてSn−Zn系材料は199℃の融点を有することが判ってきた。   Currently, materials having various compositions have been proposed as lead-free solder materials, one of which is a Sn—Zn-based material. As a result of recent research, the eutectic composition of the Sn—Zn-based material is approximately the Sn-9Zn composition (that is, a composition comprising 9 wt% Zn and the balance (91 wt%) Sn). It has been found that Sn—Zn-based materials have a melting point of 199 ° C.

基板に実装すべき電子部品の耐熱温度、および既存のはんだ付け方法の適用を考慮すれば、鉛フリーはんだ材料の融点は、電子部品を損傷しない程度に十分に低く、従来のSn−Pb系材料の融点に比較的近いことが望ましい。前記Sn−Zn系材料の融点は、例えばSn−Ag系材料などの他の鉛フリーはんだ材料の融点よりも低く、Sn−Pb系材料の融点に比較的近いことから、Sn−Zn系材料はSn−Pb系材料の代替候補として有力視されている。   Considering the heat-resistant temperature of electronic components to be mounted on a substrate and the application of existing soldering methods, the melting point of lead-free solder materials is sufficiently low to prevent damage to electronic components, and conventional Sn-Pb-based materials It is desirable that the melting point is relatively close. The melting point of the Sn—Zn-based material is lower than the melting point of other lead-free solder materials such as Sn—Ag-based material, and is relatively close to the melting point of the Sn—Pb-based material. It is regarded as a promising alternative to Sn—Pb materials.

しかし、Sn−Pb系材料に代えてSn−Zn系材料を用いることにより、電子部品の熱損傷を回避しつつ、電子部品を基板にはんだ付けできるという利点があるが、これにより得られた電子回路基板を高温条件下における連続使用試験に付した結果、基板のランドと電子部品のリードとの間の接合部が劣化し、十分な耐熱疲労強度が得られないことが判った。   However, the use of Sn—Zn-based material instead of Sn—Pb-based material has the advantage that the electronic component can be soldered to the substrate while avoiding thermal damage of the electronic component. As a result of subjecting the circuit board to a continuous use test under a high temperature condition, it was found that the joint portion between the land of the board and the lead of the electronic component was deteriorated and sufficient heat fatigue strength could not be obtained.

これは、Sn−Zn系材料に含まれる亜鉛(Zn)が、ランドおよびリードの材料として使用されている銅(Cu)と接触し、接合部とランドとの間および接合部とリードとの間の接合界面にCu−Znからなる金属間化合物を形成することによると考えられる。   This is because zinc (Zn) contained in the Sn—Zn-based material comes into contact with copper (Cu) used as a land and lead material, and between the junction and the land and between the junction and the lead. This is thought to be due to the formation of an intermetallic compound composed of Cu—Zn at the bonding interface.

以下、図2を参照して、上述した従来のリフローはんだ付け方法において、Sn−Pb系材料に代えてSn−Zn系材料からなるはんだ粉末を含むクリームはんだを用いて、電子部品を基板にはんだ付けした電子回路基板について説明する。   Hereinafter, referring to FIG. 2, in the conventional reflow soldering method described above, an electronic component is soldered to a substrate using cream solder containing solder powder made of Sn—Zn material instead of Sn—Pb material. The attached electronic circuit board will be described.

この電子回路基板においては、基板8に形成されたランド9と、電子部品12から引き出されたリード13とが、接合部11を介して電気的および機械的に接合される。ランド9は、一般的にはCuからなり、配線パターンと一体的に形成される。またリード13は、一般的にはCuからなる母材が、Sn−Pb共晶材料からなるめっき14で被覆されてなる。接合部11は、クリームはんだが熱処理されてなるものであり、上述したように、はんだ粉末に由来するはんだ材料で実質的に構成される。   In this electronic circuit board, the lands 9 formed on the board 8 and the leads 13 drawn out from the electronic component 12 are joined electrically and mechanically via the joint 11. The land 9 is generally made of Cu and is formed integrally with the wiring pattern. The lead 13 is generally formed by coating a base material made of Cu with a plating 14 made of a Sn—Pb eutectic material. The joint portion 11 is formed by heat-treating cream solder and is substantially composed of a solder material derived from solder powder as described above.

なお、現在、電子部品のリードのめっき材料についても鉛フリー化が進められているが、現状のような過渡期においては未だSn−Pb系材料が用いられている場合がある。   Currently, lead-free materials are also being promoted for lead materials for electronic components. However, Sn-Pb-based materials may still be used in the transition period as in the present situation.

熱処理の際、はんだ材料とランド9とが直接接触しているので、ランド9を構成するCuがはんだ材料中に拡散してZnと結合し、この接触界面にてCu−Znからなる金属間化合物10を形成する。   During the heat treatment, since the solder material and the land 9 are in direct contact, Cu constituting the land 9 diffuses into the solder material and bonds with Zn, and an intermetallic compound composed of Cu—Zn at this contact interface. 10 is formed.

また、熱処理の際には、はんだ粉末のはんだ材料が溶融すると共に、熱処理温度よりも低い融点を有するSn−Pb共晶材料からなるめっき14もまた溶融し、溶融状態のはんだ材料と接触するめっき14の部分は、はんだ材料中に溶融拡散していく。このため、リード13のめっき14が部分的に剥げて、母材が溶融状態のはんだ材料と直接に接触するようになる。   In addition, during the heat treatment, the solder material of the solder powder is melted, and the plating 14 made of the Sn—Pb eutectic material having a melting point lower than the heat treatment temperature is also melted to come into contact with the molten solder material. The portion 14 melts and diffuses in the solder material. For this reason, the plating 14 of the lead 13 is partially peeled off, and the base material comes into direct contact with the molten solder material.

したがって、上記と同様にしてリード13の母材を構成するCuが、はんだ材料中に拡散してZnと結合し、この接触界面にてCu−Znからなる金属間化合物15を形成する。   Accordingly, Cu constituting the base material of the lead 13 is diffused into the solder material and bonded to Zn in the same manner as described above, and the intermetallic compound 15 made of Cu—Zn is formed at this contact interface.

特に、以上のようにして電子部品12をはんだ付けした基板8を高温条件下に長時間配置すると、より多くのCuが接合部(またははんだ材料)11中へ拡散してCu−Znからなる金属間化合物10および15の形成が進む。やがて、はんだ材料中のZnの全てが、Cu−Znからなる金属間化合物の形成に消費されると、次いで、金属間化合物の形成に寄与せずに残っているCuおよび/またはCu−Zn金属間化合物を構成しているCuがはんだ材料中へ拡散し、このCuの拡散により生じたボイドヘと、はんだ材料中のSnが拡散移動するという、相互拡散が起こる。このような現象が生じることにより、接合部の劣化を招くと考えられる。   In particular, when the substrate 8 to which the electronic component 12 is soldered as described above is placed under a high temperature condition for a long time, a larger amount of Cu diffuses into the joint (or solder material) 11 and a metal made of Cu—Zn. Formation of intermetallic compounds 10 and 15 proceeds. Eventually, when all of the Zn in the solder material is consumed for the formation of the intermetallic compound composed of Cu—Zn, then the remaining Cu and / or Cu—Zn metal without contributing to the formation of the intermetallic compound Interdiffusion occurs in which Cu constituting the intermetallic compound diffuses into the solder material, and the voids generated by the diffusion of Cu and the Sn in the solder material diffuse and move. It is considered that such a phenomenon causes deterioration of the joint portion.

なお、従来のように、Sn−Pb系材料からなるはんだ粉末を含むクリームはんだを用いる場合であっても、ランドおよび/またはリードの材料として使用されている銅(Cu)が接合部中に拡散して、Sn−Pb系材料に含まれるスズ(Sn)と結合することにより、接合部とランドおよび/またはリードとの間の接合界面にSn−Cuからなる金属間化合物を形成し得る。   Note that copper (Cu) used as a land and / or lead material diffuses into the joint even when a cream solder containing solder powder made of Sn—Pb-based material is used as in the past. Then, by bonding with tin (Sn) contained in the Sn—Pb-based material, an intermetallic compound composed of Sn—Cu can be formed at the bonding interface between the bonding portion and the land and / or the lead.

しかし、Sn−Cuからなる金属間化合物は安定であるので、高温条件下での連続使用にも耐え得る。よって、Sn−Cuからなる金属間化合物が形成されても、Cu−Znからなる金属間化合物の場合のような接合部の劣化の問題は生じなかったものと考えられる。   However, since the intermetallic compound made of Sn—Cu is stable, it can withstand continuous use under high temperature conditions. Therefore, even if the intermetallic compound made of Sn—Cu is formed, it is considered that the problem of deterioration of the joint portion as in the case of the intermetallic compound made of Cu—Zn did not occur.

また、リード13の母材の材料には、Cuの他にもFe−42Ni合金材料(すなわち、42重量%のNiと残部(58重量%)のFeからなる組成を有する合金材料)が用いられる場合がある。この場合には、リード13のめっき14が、はんだ材料中に溶融拡散して母材とはんだ材料が直接接触しても、リード13と接合部11との界面には、Cu−Znからなる金属間化合物15は形成されない。   In addition to Cu, an Fe-42Ni alloy material (that is, an alloy material having a composition of 42 wt% Ni and the balance (58 wt%) Fe) is used as the base material of the lead 13. There is a case. In this case, even if the plating 14 of the lead 13 melts and diffuses into the solder material and the base material and the solder material are in direct contact with each other, a metal made of Cu—Zn is present at the interface between the lead 13 and the joint 11. Intermetallic compound 15 is not formed.

しかし、Cuからなるランド9と接合部11との界面には依然としてCu−Znからなる金属間化合物12が形成されるので、得られた電子回路基板を高温条件下における連続使用試験に付した際には、接合部11の劣化が起こり、十分な耐熱疲労強度が得られないという問題は避けられない。   However, since the intermetallic compound 12 made of Cu—Zn is still formed at the interface between the land 9 made of Cu and the joint 11, the obtained electronic circuit board was subjected to a continuous use test under a high temperature condition. Therefore, there is an unavoidable problem that the joint 11 is deteriorated and sufficient thermal fatigue strength cannot be obtained.

以上、Sn−Zn系材料の場合について詳述したが、SnおよびZnを少なくとも含む他のはんだ材料についても同様の問題が起こり得る。   As described above, the case of the Sn—Zn-based material has been described in detail, but the same problem may occur with other solder materials containing at least Sn and Zn.

本発明の目的は、はんだ材料としてSn−Zn系材料などのSnおよびZnを含むはんだ材料を用いて電気/電子部品を基板にはんだ付け(または接合)する場合に特有の問題である、高温条件下での連続使用によるはんだ付け部(または接合部)の劣化を効果的に防止することができ、十分な耐熱疲労強度を得ることを可能にしたはんだ付け方法、およびこのはんだ付け方法が適用される接合構造体、ならびに電気/電子部品を提供することにある。   An object of the present invention is a high temperature condition, which is a problem peculiar to soldering (or joining) an electric / electronic component to a substrate using a solder material containing Sn and Zn such as a Sn—Zn-based material as a solder material. Degradation of the soldered part (or joint) due to continuous use under the above can be effectively prevented, and a soldering method capable of obtaining sufficient thermal fatigue strength, and this soldering method is applied. It is to provide a joint structure and an electrical / electronic component.

前記目的を達成するため、本発明に係るはんだ付け方法は、SnおよびZnを含むはんだ材料を用いて第1の部材と第2の部材との間をはんだ付けするはんだ付け方法であって、前記第1の部材と前記第2の部材との少なくとも一方に、Agを含む材料により被覆する層を形成することを特徴とする方法、すなわち、Sn−Zn系材料などのSnおよびZnを含むはんだ材料を用いて第1の部材と第2の部材との間をはんだ付けする(または接合する、以下も同様)方法であって、第1の部材および第2の部材の少なくとも一方が、Cuを含む材料からなる母材と母材を被覆するAg層とを備え、第1の部材と第2の部材との間にはんだ材料を供給(または配置)してはんだ材料を溶融状態でAg層と接触させ、Agをはんだ中に拡散させ、はんだ中のZnと反応凝固させることにより、第1の部材と第2の部材との間をはんだ付けする方法である。   In order to achieve the object, a soldering method according to the present invention is a soldering method in which a solder material containing Sn and Zn is used to solder between a first member and a second member, A method of forming a layer to be coated with a material containing Ag on at least one of the first member and the second member, that is, a solder material containing Sn and Zn such as a Sn—Zn-based material A method of soldering (or joining) between the first member and the second member using the method, wherein at least one of the first member and the second member contains Cu A base material made of a material and an Ag layer covering the base material are provided. The solder material is supplied (or arranged) between the first member and the second member, and the solder material is brought into contact with the Ag layer in a molten state. And diffuse Ag in the solder, By Zn reaction coagulation in I is a method for soldering between the first member and the second member.

前記のようなはんだ付け方法によれば、Cuを含む材料からなる母材がAg層に被覆されており、SnおよびZnを含むはんだ材料がAg層と接触し、Agは、はんだ中へ拡散してZnと反応するため、はんだ材料中のZnが、該母材に含まれるCuと直接接触することが回避される。これにより、Cu−Znからなる金属間化合物の形成を効果的に抑制または防止することができ、よって、高温条件下での連続使用によるはんだ付け部(接合部)の劣化、ひいては耐熱疲労強度の低下を招く原因を排除することができる。   According to the soldering method as described above, the base material made of a material containing Cu is coated on the Ag layer, the solder material containing Sn and Zn is in contact with the Ag layer, and Ag diffuses into the solder. Therefore, Zn in the solder material is prevented from coming into direct contact with Cu contained in the base material. Thereby, formation of the intermetallic compound which consists of Cu-Zn can be suppressed or prevented effectively, Therefore, deterioration of the soldering part (joining part) by continuous use under high temperature conditions, and also heat-resistant fatigue strength The cause of the decrease can be eliminated.

また、本発明に係る接合構造体は、SnおよびZnを含むはんだ材料を用いて、第1の部材と第2の部材との間がはんだ付けされる接合構造体であって、前記第1の部材と前記第2の部材との少なくとも一方が、Cuを含む材料からなる母材と、該母材を被覆するAgを含む材料からなる層とを備えることを特徴とする接合構造体、すなわち、SnおよびZnを含むはんだ材料を用いて第1の部材と第2の部材との間がはんだ付けされる接合構造体であって、第1の部材および第2の部材の少なくとも一方が、Cuを含む材料からなる母材と母材を被覆するAg層がはんだ中のZnと反応した層とを備えるものである。   In addition, the bonded structure according to the present invention is a bonded structure in which the first member and the second member are soldered using a solder material containing Sn and Zn. At least one of the member and the second member includes a base material made of a material containing Cu and a layer made of a material containing Ag that covers the base material, A joint structure in which a first member and a second member are soldered using a solder material containing Sn and Zn, and at least one of the first member and the second member is made of Cu. The base material which consists of the material which contains and the Ag layer which coat | covers a base material are provided with the layer which reacted with Zn in solder.

このような接合構造体では、Cuを含む材料からなる母材には、Cu−Znからなる金属間化合物の形成を効果的に抑制または防止できているため、高温条件下での連続使用に付した際にも接合部の劣化を招かず、高い耐熱疲労強度を維持することができる。   In such a bonded structure, since the formation of an intermetallic compound composed of Cu-Zn can be effectively suppressed or prevented in the base material composed of a material containing Cu, it is suitable for continuous use under high temperature conditions. In this case, the heat resistance fatigue strength can be maintained without causing deterioration of the joint portion.

また、本発明に係る電気/電子部品は、SnおよびZnを含むはんだ材料を用いてはんだ付けされる電極を有する電気/電子部品であって、前記電極が、Cuを含む材料からなる母材と、該母材を被覆するAgを含む材料からなる層とを備えることを特徴とする電気/電子部品であり、前記接合構造体と同様に、Cuを含む材料からなる母材には、Cu−Znからなる金属間化合物の形成を効果的に抑制または防止できているため、高温条件下での連続使用に付した際にも接合部の劣化を招かず、高い耐熱疲労強度を維持することができる。   The electrical / electronic component according to the present invention is an electrical / electronic component having an electrode to be soldered using a solder material containing Sn and Zn, and the electrode comprises a base material made of a material containing Cu. A layer made of a material containing Ag covering the base material, and the base material made of a material containing Cu, like the junction structure, includes Cu— The formation of an intermetallic compound composed of Zn can be effectively suppressed or prevented, so that even when subjected to continuous use under high-temperature conditions, it is possible to maintain high heat fatigue strength without causing deterioration of the joint. it can.

以上説明したように、本発明によれば、SnおよびZnを含むはんだ材料を用いて第1の部材と第2の部材との間をはんだ付けする方法において、第1の部材および第2の部材の少なくとも一方に、Cuを含む材料からなる部分を母材として、該母材を被覆するAg層を設けて、はんだ材料を溶融状態でAg層と接触させ、またはAgをはんだ中へ拡散させ、Znと反応させ、凝固させることにより第1の部材と第2の部材との間がはんだ付け(または接合)することができるため、はんだ材料中のZnが溶融したAg被覆層と反応し、該母材に含まれるCuと直接接触するのを防止または抑制することにより、Cu−Znからなる金属間化合物の形成を効果的に抑制または防止することができ、よって、高温条件下での連続使用による接合部の劣化、ひいては耐熱疲労強度の低下を招く原因を排除することができる。   As described above, according to the present invention, in the method of soldering between the first member and the second member using the solder material containing Sn and Zn, the first member and the second member In at least one of the above, a part made of a material containing Cu is used as a base material, an Ag layer that covers the base material is provided, the solder material is brought into contact with the Ag layer in a molten state, or Ag is diffused into the solder, Since the first member and the second member can be soldered (or joined) by reacting and solidifying with Zn, it reacts with the Ag coating layer in which Zn in the solder material has melted, By preventing or suppressing direct contact with Cu contained in the base material, formation of an intermetallic compound composed of Cu-Zn can be effectively suppressed or prevented, and therefore, continuous use under high temperature conditions. Joining by Degradation, it is possible to eliminate the causes leading to thus decrease the thermal fatigue strength.

さらに、本発明によれば、SnおよびZnを含むはんだ材料を用いて第1の部材と第2の部材との間がはんだ付けされた接合構造体および電気/電子部品を提供することができるため、第1の部材および第2の部材の少なくとも一方が、Cuを含む材料からなる母材と母材を被覆するAg層とを備えることになり、よって、前記と同様の効果を奏するものである。   Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a joint structure and an electrical / electronic component in which the first member and the second member are soldered using a solder material containing Sn and Zn. At least one of the first member and the second member includes a base material made of a material containing Cu and an Ag layer that covers the base material, and thus has the same effect as described above. .

以下、本発明の実施形態について図1を参照しながら説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図1は本発明の実施形態におけるはんだ付け方法、および接合構造体,電気/電子部品を説明するためのはんだ付けされた電子回路基板の要部を示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part of a soldered electronic circuit board for explaining a soldering method, a joint structure, and an electric / electronic component according to an embodiment of the present invention.

本実施形態のはんだ付け方法の処理の流れについて説明する。   A processing flow of the soldering method of this embodiment will be described.

まず、基板1とこれに接合すべき電子部品5とを準備する。基板1には、Cuからなる母材がAg層からなる被覆層で被覆されてなるランド2が形成されている。このランド2は、例えば、次のような方法により形成することができる。   First, the board | substrate 1 and the electronic component 5 which should be joined to this are prepared. The substrate 1 is formed with lands 2 in which a base material made of Cu is covered with a coating layer made of an Ag layer. The land 2 can be formed by, for example, the following method.

すなわち、ガラスエポキシ樹脂などからなる基板1の上面にCuからなる母材を、銅箔の熱圧着(または貼付け)およびエッチングにより配線パターン(図示せず)と一体的に形成する。配線パターンは、例えば約50〜100μmの幅とする。その後、基板1の表面の所定の領域に配線パターンを覆ってレジストを形成する。このとき、母材はレジストに覆われずに露出する。母材の高さ(すなわち、配線パターンの高さ)は、例えば約10〜40μmとする。   That is, a base material made of Cu is formed integrally with a wiring pattern (not shown) by thermocompression bonding (or pasting) and etching of a copper foil on the upper surface of the substrate 1 made of glass epoxy resin or the like. The wiring pattern has a width of about 50 to 100 μm, for example. Thereafter, a resist is formed in a predetermined region on the surface of the substrate 1 so as to cover the wiring pattern. At this time, the base material is exposed without being covered with the resist. The height of the base material (that is, the height of the wiring pattern) is, for example, about 10 to 40 μm.

このようにして母材が形成された基板1をAgが溶解した電解液に浸し、母材に適切な電圧を印加して、母材の表面にAgを析出させることにより、電解めっき法を用いて、Ag層を形成する。Ag層の高さは、例えば約0.01〜5μmとする。ランド2は、例えば基板1の上面から見て矩形の輪郭を有し、例えば約0.5〜2mmの横幅および約0.5〜2mmの縦幅とすることができるが、本実施形態は、これに限定されず、任意の適切な形状および寸法であり得る。   The substrate 1 on which the base material is thus formed is immersed in an electrolytic solution in which Ag is dissolved, and an appropriate voltage is applied to the base material to deposit Ag on the surface of the base material. Then, an Ag layer is formed. The height of the Ag layer is, for example, about 0.01 to 5 μm. The land 2 has, for example, a rectangular outline when viewed from the upper surface of the substrate 1 and can have a horizontal width of about 0.5 to 2 mm and a vertical width of about 0.5 to 2 mm, for example. It is not limited to this, and can be any appropriate shape and size.

なお、前記説明では、電気めっき法によりAg層を形成する方法を例示したが、これに代えて、例えば母材が形成された基板1を、溶融状態のAg材料に浸漬する溶融めっき法、あるいは、このような基板1をめっき用の金属を含む液状物に浸漬して母材の表面部分をめっき金属で置換する置換めっき法、あるいは前記母材にAgを蒸着させる蒸着法により、母材を被覆するAg層を形成する方法を採用してもよい。   In the above description, the Ag layer is formed by electroplating. However, instead of this, for example, a hot dipping method in which the substrate 1 on which the base material is formed is immersed in a molten Ag material, or The substrate 1 is immersed in a liquid material containing a metal for plating to replace the surface portion of the base material with a plating metal, or a vapor deposition method in which Ag is evaporated on the base material. You may employ | adopt the method of forming Ag layer to coat | cover.

基板1に接合される電子部品5にはリード6が設けられている。リード6にはCuからなる母材がAg単層からなる被覆層7で被覆されており、このリード6は、既述した方法と同様の方法により被覆層7としてAg層を母材7の表面に形成することにより予め得られ、このリード6を用いて電子部品5が作製される。   The electronic component 5 to be bonded to the substrate 1 is provided with leads 6. The lead 6 is coated with a base layer made of Cu with a coating layer 7 made of a single Ag layer. The lead 6 is formed by coating the Ag layer as the coating layer 7 by the same method as described above. The electronic component 5 is manufactured by using the leads 6 in advance.

以上のようにして準備した基板1のランド2の上に、例えばスクリーン印刷法、あるいはディスペンスなどによってクリームはんだを供給する。このクリームはんだは、Sn−Zn系材料、例えばSn−Zn共晶材料からなる金属粒子(または、はんだ粉末)が、フラックスに分散されて構成される。フラックスには、ロジン,活性剤および溶剤からなるようなものを使用することができる。金属粒子は、例えば約20〜40μmの平均粒径を有し、クリームはんだ全体基準で約85〜90重量%の割合で存在しているものである。   Cream solder is supplied onto the land 2 of the substrate 1 prepared as described above by, for example, screen printing or dispensing. This cream solder is constituted by dispersing metal particles (or solder powder) made of Sn—Zn-based material, for example, Sn—Zn eutectic material, in a flux. As the flux, one composed of rosin, an activator and a solvent can be used. The metal particles have an average particle diameter of, for example, about 20 to 40 μm and are present at a ratio of about 85 to 90% by weight based on the whole cream solder.

その後、電子部品5のリード6がランド2の上に供給されたクリームはんだと接触するようにして、電子部品5を基板1の上に適切に配置する。ここで、クリームはんだはリード6のAg被覆層7およびランド2のAg被覆層3と接触し、リード6とランド2の母材とは接触しない。   Thereafter, the electronic component 5 is appropriately placed on the substrate 1 such that the lead 6 of the electronic component 5 comes into contact with the cream solder supplied on the land 2. Here, the cream solder contacts the Ag coating layer 7 of the lead 6 and the Ag coating layer 3 of the land 2, and does not contact the lead 6 and the base material of the land 2.

このようにして電子部品5が配置された基板1を、例えば約205〜230℃、好ましくは約210〜220℃の加熱雰囲気に通して熱処理する。これにより、クリームはんだに熱が供給されて、クリームはんだ中の金属粒子を構成するSn−Zn系材料が溶融すると共に、フラックスなどの金属粒子以外の成分は蒸発(または揮発)して除去される。   Thus, the board | substrate 1 with which the electronic component 5 is arrange | positioned is heat-processed by passing through the heating atmosphere of about 205-230 degreeC, for example, Preferably about 210-220 degreeC. As a result, heat is supplied to the cream solder, the Sn—Zn-based material constituting the metal particles in the cream solder is melted, and components other than the metal particles such as flux are evaporated (or volatilized) and removed. .

このとき、溶融状態のSn−Zn系材料は、Ag被覆層3および7は、これらを構成するAgは溶融状態のSn−Zn系材料中へ溶融拡散し、溶融状態のSn−Zn系材料のZnと反応し、はんだ中に分散した状態となる。そのため、母材のCuと反応するZnの量は抑制される。   At this time, in the molten Sn—Zn-based material, the Ag coating layers 3 and 7 are such that Ag constituting them melts and diffuses into the molten Sn—Zn-based material, and the molten Sn—Zn-based material It reacts with Zn and is dispersed in the solder. Therefore, the amount of Zn that reacts with the base material Cu is suppressed.

したがって、Cu−Znからなる金属間化合物の形成が防止される。Ag層の厚さは、例えば0.01μm〜5μmが好ましく、これよりも厚くなるとAgがはんだ中に十分溶融拡散しないため接合界面の弱さが接合特性に現われ、また、これよりも薄ければ、その効果はほとんどない。   Therefore, formation of an intermetallic compound composed of Cu—Zn is prevented. The thickness of the Ag layer is preferably, for example, 0.01 μm to 5 μm. If the thickness is larger than this, Ag does not sufficiently melt and diffuse in the solder, so that the weakness of the joint interface appears in the joint characteristics. , There is almost no effect.

次いで、熱処理した基板1を冷却(または放冷)して、溶融状態のSn−Zn系材料を凝固させることにより、実質的にSn−Zn系材料からなる接合部(またははんだ付け部)4が形成される。この接合部4により、電子部品5のリード6と基板1のランド2とが電気的および機械的に接合(またははんだ付け)される。   Next, the heat-treated substrate 1 is cooled (or allowed to cool) to solidify the molten Sn—Zn-based material, whereby the joint portion (or soldering portion) 4 substantially made of the Sn—Zn-based material is obtained. It is formed. The joint 4 joins (or solders) the lead 6 of the electronic component 5 and the land 2 of the substrate 1 electrically and mechanically.

以上のようにして、電子部品5が基板1に実装された電子回路基板が作製される。得られた電子回路基板における電子部品5のリード6と接合部4との間の接合界面と、基板1のランド2と接合部4との間の接合界面とのいずれにおいても、Cu−Znからなる金属間化合物の形成が防止または抑制される。   As described above, an electronic circuit board having the electronic component 5 mounted on the board 1 is manufactured. Cu-Zn is used for both the bonding interface between the lead 6 of the electronic component 5 and the bonding portion 4 and the bonding interface between the land 2 and the bonding portion 4 of the substrate 1 in the obtained electronic circuit board. The formation of intermetallic compounds is prevented or suppressed.

また、本実施形態においては、ランドおよびリードの双方の母材がCuから成し、これら母材の双方をAg層で覆うものとしたが、本発明はこれに限定されず被覆層としては、Ag単体である必要はなく、Agを含む合金であればよく、例えばSn−Ag、あるいはSn−Ag−Cuなどの合金でもよい。   In this embodiment, both the base material of the land and the lead are made of Cu, and both of the base materials are covered with the Ag layer. However, the present invention is not limited to this, It is not necessary to be a simple substance of Ag, and any alloy containing Ag may be used. For example, an alloy such as Sn—Ag or Sn—Ag—Cu may be used.

このように、本実施形態のはんだ付け方法は、Sn−Zn系材料などのSnおよびZnを含むはんだ材料を用いて第1の部材としての基板1と、第2の部材としての電子部品5との間をはんだ付けする(または接合する)方法であって、第1の部材および第2の部材の少なくとも一方が、Cuを含む材料からなる母材と母材を被覆するAg層とを備え、第1の部材と第2の部材との間にはんだ材料を供給(または配置)してはんだ材料を溶融状態でAg層と接触させ、Agをはんだ中に拡散させ、はんだ中のZnと反応凝固させることにより、第1の部材と第2の部材との間をはんだ付けする方法である。   As described above, the soldering method according to the present embodiment includes the substrate 1 as the first member and the electronic component 5 as the second member using a solder material containing Sn and Zn such as a Sn—Zn-based material. A method of soldering (or joining) between the first member and the second member, comprising a base material made of a material containing Cu and an Ag layer covering the base material, Solder material is supplied (or arranged) between the first member and the second member, the solder material is brought into contact with the Ag layer in a molten state, Ag is diffused into the solder, and Zn in the solder is reacted and solidified. This is a method of soldering between the first member and the second member.

前記のようなはんだ付け方法によれば、Cuを含む材料からなる母材がAg層に被覆されており、SnおよびZnを含むはんだ材料がAg層と接触し、Agは、はんだ中へ拡散してZnと反応するため、はんだ材料中のZnが、該母材に含まれるCuと直接接触することが回避される。これにより、Cu−Znからなる金属間化合物の形成を効果的に抑制または防止することができ、よって、高温条件下での連続使用によるはんだ付け部(接合部)の劣化、ひいては耐熱疲労強度の低下を招く原因を排除することができる。   According to the soldering method as described above, the base material made of a material containing Cu is coated on the Ag layer, the solder material containing Sn and Zn is in contact with the Ag layer, and Ag diffuses into the solder. Therefore, Zn in the solder material is prevented from coming into direct contact with Cu contained in the base material. Thereby, formation of the intermetallic compound which consists of Cu-Zn can be suppressed or prevented effectively, Therefore, deterioration of the soldering part (joining part) by continuous use under high temperature conditions, and also heat-resistant fatigue strength The cause of the decrease can be eliminated.

なお、本実施形態のように基板1のランド2(第1の部材)、および電子部品5のリード6(第2の部材)の双方が、Cuを含む材料で製作されており、双方の部材からはんだ材料(または接合部)中にCuが拡散し得る場合には、これら双方の部材において、Cuを含む材料がはんだ材料と直接接触しないようにAg層で覆われていることが好ましく、これによりCu−Znからなる金属間化合物の形成を防止することができる。しかし、このような場合であっても、いずれか一方のみがAg層を備えることにより、Ag層が無い場合に比べて耐熱疲労強度の低下を緩和することが可能である。   Note that both the land 2 (first member) of the substrate 1 and the lead 6 (second member) of the electronic component 5 are made of a material containing Cu as in the present embodiment, and both members In the case where Cu can diffuse into the solder material (or joint), it is preferable that the material containing Cu is covered with an Ag layer so that the material containing Cu is not in direct contact with the solder material. Thus, formation of an intermetallic compound composed of Cu—Zn can be prevented. However, even in such a case, only one of them includes the Ag layer, so that it is possible to alleviate the decrease in the heat fatigue strength compared to the case where there is no Ag layer.

前記被覆層のAgは、はんだ付け時にはんだ中に溶融拡散し、はんだ中のZnと反応し、Znが母材のCuと反応するのを防ぐため、被覆層の材料として用いるのに適する。   Ag of the coating layer melts and diffuses into the solder during soldering, reacts with Zn in the solder, and prevents Zn from reacting with Cu as a base material. Therefore, Ag is suitable for use as a material for the coating layer.

また、電子部品5が基板1に接合されてなる前記実施形態の接合構造体においては、ランド2とリード6のCuを含む材料からなる母材には、Cu−Znからなる金属間化合物の形成を効果的に抑制または防止できているため、高温条件下での連続使用に付した際にも接合部の劣化を招かず、高い耐熱疲労強度を維持することができる。   In the bonded structure of the embodiment in which the electronic component 5 is bonded to the substrate 1, an intermetallic compound composed of Cu—Zn is formed on the base material composed of the land 2 and the lead 6 including Cu. Therefore, even when subjected to continuous use under high temperature conditions, the joint is not deteriorated and high thermal fatigue strength can be maintained.

本接合構造体において、はんだ付けされるべき両部分(ランド2とリード6)は、少なくとも一方がCuを含む部分を母材とし、該母材がAg層で被覆されていればよい。   In the present bonded structure, at least one of the parts to be soldered (the land 2 and the lead 6) may be formed by using at least one of the parts containing Cu as a base material and covering the base material with an Ag layer.

なお、接合される第1の部材および第2の部材の一方がCuを含む部分を有し、他方がCuを含む部分を有さない場合、一方のCuを含む部分が(母材として)Ag層で被覆され、また、例えば、第1の部材および第2の部材の双方がCuを含む部分を有する場合、該部分の少なくとも一方、好ましくは双方が(母材として)Ag層で被覆される。   When one of the first member and the second member to be joined has a portion containing Cu and the other does not have a portion containing Cu, the portion containing one Cu is Ag (as a base material). For example, when both the first member and the second member have a portion containing Cu, at least one of the portions, preferably both (as a base material) is covered with an Ag layer. .

なお、基板1としては、例えば紙フェノール系材料,ガラスエポキシ系材料,ポリイミドフィルム系材料,セラミック系材料、および金属系材料などからなるものが含まれる。   The substrate 1 includes, for example, those made of paper phenol material, glass epoxy material, polyimide film material, ceramic material, metal material, and the like.

また、電子部品5以外の電気/電子部品として、半導体部品(例えば、いわゆるQFP(クアッド・フラット・パッケージ)部品、CSP(チップ・スケール・パッケージ)部品、およびSOP(シングル・アウトサイド・パッケージ)部品など)、チップ部品(例えば、抵抗,コンデンサ,トランジスタ,インダクタなど)、ならびにコネクタなどが含まれる。   Further, as electrical / electronic parts other than the electronic parts 5, semiconductor parts (for example, so-called QFP (quad flat package) parts, CSP (chip scale package) parts, and SOP (single outside package) parts). Etc.), chip components (eg, resistors, capacitors, transistors, inductors, etc.), connectors, and the like.

このような電気/電子部品の電極は、例えば電子部品から引き出されたリード、端子もしくはターミナルなどであって、Cuからなる母材を有しており、該母材をAg層で被覆する。   Such an electrode of an electric / electronic component is, for example, a lead, terminal, or terminal drawn out from the electronic component, and has a base material made of Cu, and the base material is covered with an Ag layer.

しかし、第1の部材および第2の部材としては、互いにはんだ付けされるべき種々の部材を適用することができ、SnおよびZnを含むはんだ材料を用いてはんだ付けされる電気部品または電子部品(電気/電子部品)であって、Cuを含む材料からなる母材と、該母材を被覆するAg層とを備える電極を有する電気部品または電子部品が適用される。   However, as the first member and the second member, various members to be soldered to each other can be applied, and an electrical component or an electronic component that is soldered using a solder material containing Sn and Zn ( An electrical / electronic component having an electrode provided with a base material made of a material containing Cu and an Ag layer covering the base material is applied.

なお、前記はんだ材料とは、比較的低い融点を有する金属材料、例えば約100〜250℃の温度にて溶融する金属材料であって、SnおよびZnを含むはんだ材料とは、このようなはんだ材料のうち、SnおよびZnを少なくとも含むものであり、例えばSn−Zn系材料(Sn−Zn共晶材料およびSn−Zn共晶材料にB1を添加したSn−Zn−B1材料を含む)である。   The solder material is a metal material having a relatively low melting point, for example, a metal material that melts at a temperature of about 100 to 250 ° C., and a solder material containing Sn and Zn is such a solder material. Among them, it contains at least Sn and Zn, for example, a Sn—Zn-based material (including a Sn—Zn—B1 material in which B1 is added to a Sn—Zn eutectic material and a Sn—Zn eutectic material).

また、「〜系材料」という表現は、その金属成分で構成される系の共晶組成を中心とし、微量の他の金属成分を更に含み得る材料をいい、例えばSn−Zn系材料とはSn−9Zn共晶組成を中心とし、微量の他の金属成分(意図的に添加されるか、不可避的に混入するかを問わない)を含む。Sn−Zn系材料は、例えば約190〜200℃の融点を有する。   In addition, the expression “˜system material” refers to a material that is centered on the eutectic composition of the system composed of the metal component and can further contain a trace amount of other metal components. For example, Sn—Zn-based material is Sn. It has a -9Zn eutectic composition as a center and contains a small amount of other metal components (whether added intentionally or inevitably mixed). The Sn—Zn-based material has a melting point of about 190 to 200 ° C., for example.

なお、はんだ付け方法としては、例えばリフローはんだ付け方法およびフローはんだ付け方法のいずれも採用することができ、基板の片面のみをはんだ付けしても、基板の両面をはんだ付けしてもよい。   As a soldering method, for example, either a reflow soldering method or a flow soldering method can be adopted. Either one side of the substrate may be soldered or both sides of the substrate may be soldered.

また、本発明におけるCuとZnとの接触をAg層を設けることにより防止するという概念は、CuとZnとが共存してCu−Znからなる金属間化合物を形成することによる弊害を除去することが望まれる場合に好適に利用され得る。   In addition, the concept of preventing contact between Cu and Zn in the present invention by providing an Ag layer eliminates the harmful effects caused by the coexistence of Cu and Zn to form an intermetallic compound composed of Cu-Zn. Can be suitably used when desired.

以上のように、本発明に係るはんだ付け方法および接合構造体ならびに電気/電子部品は、電子回路基板の製造プロセスにおいて、基板に形成されたランドと電気部品または電子部品の電極(例えばリード)とのはんだ付けに有用であり、さらには当該はんだ付け方法が適用される各種接合構造体、特に電気/電子部品などにも適用される。   As described above, the soldering method, the joining structure, and the electrical / electronic component according to the present invention are the land formed on the substrate and the electrode (for example, lead) of the electrical component or the electronic component in the manufacturing process of the electronic circuit substrate. In addition, the present invention is also applicable to various joint structures to which the soldering method is applied, particularly electric / electronic parts.

本発明の実施形態におけるはんだ付け方法、および接合構造体,電気/電子部品を説明するためのはんだ付けされた電子回路基板の要部を示す断面図Sectional drawing which shows the principal part of the soldered electronic circuit board for demonstrating the soldering method in embodiment of this invention, and a joining structure and an electrical / electronic component 従来のはんだ付け方法によって得られる電子回路基板の要部を示す断面図Sectional drawing which shows the principal part of the electronic circuit board obtained by the conventional soldering method

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 ランド
3 Ag被覆層(リード側)
4 接合部
5 電子部品
6 リード
7 Ag被覆層(ランド側)
1 Substrate 2 Land 3 Ag coating layer (lead side)
4 Junction 5 Electronic component 6 Lead 7 Ag coating layer (land side)

Claims (8)

SnおよびZnを含むはんだ材料を用いて第1の部材と第2の部材との間をはんだ付けするはんだ付け方法であって、前記第1の部材と前記第2の部材との少なくとも一方に、Agを含む材料により被覆する層を形成することを特徴とするはんだ付け方法。   A soldering method for soldering between a first member and a second member using a solder material containing Sn and Zn, wherein at least one of the first member and the second member, A soldering method comprising forming a layer to be coated with a material containing Ag. 前記Agを含む材料として、Ag,Sn−Ag,Sn−Ag−Cuのいずれかを用いることを特徴とする請求項1記載のはんだ付け方法。   The soldering method according to claim 1, wherein any one of Ag, Sn-Ag, and Sn-Ag-Cu is used as the material containing Ag. 前記Agを含む材料の少なくとも1つの層を、電気めっき法,溶融めっき法,置換めっき法,あるいは蒸着法のいずれかの層形成法により形成することを特徴とする請求項1記載のはんだ付け方法。   2. The soldering method according to claim 1, wherein at least one layer of the Ag-containing material is formed by any one of an electroplating method, a hot dipping method, a displacement plating method, and a vapor deposition method. . 前記第1の部材が基板に形成された電極であり、前記第2の部材が電子部品の電極であることを特徴とする請求項1記載のはんだ付け方法。   The soldering method according to claim 1, wherein the first member is an electrode formed on a substrate, and the second member is an electrode of an electronic component. SnおよびZnを含むはんだ材料を用いて、第1の部材と第2の部材との間がはんだ付けされる接合構造体であって、前記第1の部材と前記第2の部材との少なくとも一方が、Cuを含む材料からなる母材と、該母材を被覆するAgを含む材料からなる層とを備えることを特徴とする接合構造体。   A joint structure in which a first member and a second member are soldered using a solder material containing Sn and Zn, and at least one of the first member and the second member Comprising a base material made of a material containing Cu and a layer made of a material containing Ag covering the base material. 前記Agを含む材料の被覆層の厚さを0.01〜5μmとしたことを特徴とする請求項5記載の接合構造体。   6. The bonded structure according to claim 5, wherein a thickness of the coating layer of the material containing Ag is set to 0.01 to 5 [mu] m. 前記第1の部材が基板に形成された電極であり、前記第2の部材が電子部品の電極であることを特徴とする請求項5記載の接合構造体。   6. The bonded structure according to claim 5, wherein the first member is an electrode formed on a substrate, and the second member is an electrode of an electronic component. SnおよびZnを含むはんだ材料を用いてはんだ付けされる電極を有する電気/電子部品であって、前記電極が、Cuを含む材料からなる母材と、該母材を被覆するAgを含む材料からなる層とを備えることを特徴とする電気/電子部品。   An electric / electronic component having an electrode to be soldered using a solder material containing Sn and Zn, wherein the electrode is made of a base material made of a material containing Cu and a material containing Ag covering the base material An electrical / electronic component comprising:
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