JP2005044979A - ウェハ保管方法及びバンプ形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを保管する際に、アンダーバンプメタル形成後24時間以内に、相対湿度を40%以下、酸素濃度が300ppm以下に保たれた非酸化性雰囲気に前記ウェハを保管する事を特徴とするウェハ保管方法である。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハの保管方法及び保管後のバンプ形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造技術に関する内で、ウェハプロセスの開発が進められている。その工程は、ウェハ上に回路を形成した後、アルミ合金や銅合金の電極上にアンダーバンプメタルを形成したり、パッケージングしたりするプロセスである。最近のウェハプロセスに関しては、例えば、非特許文献1や非特許文献2等に記載がある。
【0003】
【非特許文献1】
「日経マイクロデバイス」1998年8月号、p.44〜71
【非特許文献2】
「日経マイクロデバイス」1998年4月号、p.164〜167
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
その際に、その一貫したプロセスの行われる場所や時間が、必ずしも近いとは限らず、プロセスの途中まで行われた後、後のプロセスが数週間後等の時間を経て、別の場所で行われる場合も多い。その際に、回路付きウェハ上のアンダーバンプメタルの電極表面が汚れたり、最上層が銅合金の場合、アンダーバンプメタルを付けた電極表面に酸化膜が成長したり、最上層が金の場合、アンダーバンプメタル表面にその下地金属の酸化物が出たりすることが多く見受けられる。また、酸化膜の成長についても、ウェハホルダの位置によっても、ウェハやチップの場所の違いが出ることもある。この方面の対策研究もかなり行われてきている。防止方法としては、例えば、乾燥剤を使用したり、酸素吸収剤を使用したり、等の方法が採られている。
【0005】
本発明は、アンダーバンプメタル付きウェハを入荷又は保管する際に、アンダーバンプメタル表面酸化膜の成長を防止し、さらに表面酸化物の生成を防止したウェハ保管方法、及び、プリント基板上に実装した際の信頼性を高めることのできるバンプ形成方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
斯かる目的を達成するために、第1の発明は、アンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを保管する際に、アンダーバンプメタル形成後24時間以内に、相対湿度を40%以下、酸素濃度が300ppm以下に保たれた非酸化性雰囲気に前記ウェハを保管することを特徴とする。
【0007】
また、第2の発明は、第1の発明において、前記酸素濃度を300ppm以下に保たれた非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であることを特徴とする。
【0008】
また、第3の発明は、第1の発明において、前記非酸化性雰囲気中に、酸素吸収剤を配置することを特徴とする。
【0009】
また、第4の発明は、第1の発明において、前記非酸化性雰囲気中に、水分蒸気吸収剤を配置することを特徴とする。
【0010】
また、第5の発明は、第1の発明において、前記非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に水分蒸気吸収剤を配置することを特徴とする。
【0011】
また、第6の発明は、第1の発明において、前記非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に酸素吸収剤を配置することを特徴とする。
【0012】
また、第7の発明は、第1の発明において、前記非酸化性雰囲気中に、水分蒸気吸収剤及び酸素吸収剤を配置することを特徴とする。
【0013】
また、第8の発明は、第1の発明において、前記非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に水分蒸気吸収剤及び酸素吸収剤を配置することを特徴とする。
【0014】
また、第9の発明は、アンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを保管する際に、ウェハ全面に、フラックスを塗布し、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で150〜300℃で10秒〜5分間加熱処理した後、洗浄すること無く保管することを特徴とする。
【0015】
また、第10の発明は、第1又は第9の発明において、アンダーバンプメタルの最上層が銅又は銅合金であることを特徴とする。
【0016】
また、第11の発明は、第1又は第9の発明において、アンダーバンプメタルの最上層が金であることを特徴とする。
【0017】
また、第12の発明は、第1又は第9の発明において、アンダーバンプメタルの最上層がパラジウムであることを特徴とする。
【0018】
さらに、第13の発明は、第1〜第9の何れか一の発明によって保管したアンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを用いてバンプを形成するバンプ形成方法であって、保管後の該ウェハ表面を洗浄後、直ちにアンダーバンプメタル上にフラックスを塗布した後、アンダーバンプメタル上にボール搭載し、リフローをして、バンプを形成することを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を説明する。
最表面が、銅、銅合金、金、パラジウムのアンダーバンプメタル付き電極上に、半田ボール搭載後、リフローした際に、アンダーバンプメタル上でのボール抜け率が、表面の状態によって変動する。アンダーバンプメタル表面は、以下のように、表面酸化反応が起こる。(i)最表面がCu膜2のアンダーバンプメタルの場合は、CuO1が成長し、ボールの接合を妨げる。(ii)最表面がフラッシュ金やパラジウムの場合は、下地のNiV膜が酸化して、薄いフラッシュ金やパラジウムの表面に出てくる(図2の6:NiOとAuの混合層)。これがボールの接合を妨げる。このアンダーバンプメタル表面特性は、経時変化がかなりある。ボール抜けを低減するには、NiOが生成しないようにする必要がある。これを模式的に示したのが、図1及び図2である。
【0020】
そのための保管を含めたアンダーバンプメタル表面の酸化防止方法として、酸素分圧の低減、湿度の低減、ボール接合前の表面酸化層の除去、あるいは、表面酸化層を除去しての保管方法が有効であることを見出し、本発明を完成させた。
【0021】
第1の発明は、アンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを保管する際に、アンダーバンプメタル形成後24時間以内に、相対湿度を40%以下、酸素濃度が300ppm以下に保たれた非酸化性雰囲気に、前記ウェハを保管することを特徴としている。24時間を超えると、上述の酸化現象の影響が顕著になる。好ましくは、2時間以内が最も良い。相対湿度は、40%以下、できれば20%以下が相応しい。酸素濃度についても、300ppm以下、特に、100ppm以下にできれば、表面酸化の問題は殆ど無い。収納容器としては、デシケーターが良い。ウェハホルダに入れ、外から密封しておいても良い。
【0022】
第2の発明は、第1の発明において、酸素濃度を300ppm以下に保たれた非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であることを特徴としている。低酸素濃度のアルゴン、窒素、二酸化炭素は市販品であり、酸素濃度300ppm以下のものが容易に入手できるため、好適である。
【0023】
第3の発明は、第1の発明において、酸素吸収剤を配置することを特徴としている。酸素吸収剤は、鉄系の材料を使用したものが安価で酸素吸収効率が良いため、好適である。
【0024】
第4の発明は、第1の発明において、非酸化性雰囲気中に水分蒸気吸収剤を配置することを特徴としている。水分蒸気吸収剤は、シリカゲル等を含め多種類ある。いずれの水分蒸気吸収剤でも良い。
【0025】
第5の発明は、第1の発明において、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に水分蒸気吸収剤を配置することを特徴としている。これは、第2の発明と第4の発明を組み合わしたものであり、特に相対湿度の低減に有効である。
【0026】
第6の発明は、第1の発明において、非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に酸素吸収剤を配置することを特徴とする。これは、第2の発明と第3の発明を組み合わしたものであり、特に雰囲気酸素濃度の低減に有効である。
【0027】
第7の発明は、第1の発明において、水分蒸気吸収剤及び酸素吸収剤を配置することを特徴としている。これは、第3の発明と第4の発明を組み合わしたものであり、特に相対湿度と酸素濃度の低減に有効である。
【0028】
第8の発明は、第1の発明において、非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に水分蒸気吸収剤及び酸素吸収剤を配置することを特徴としている。これは、第2〜第4の発明を組み合わしたものであり、特に相対湿度と雰囲気酸素濃度を安定して低減することに有効である。
【0029】
第9の発明は、アンダーバンプメタルの形成されたウェハを保管する際に、ウェハ全面に、フラックスを塗布し、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で150〜300℃で10秒〜5分間加熱処理した後、洗浄すること無く、保管することを特徴としている。フラックスは、半田付け用の市販品で、還元性のあるものなら何でもよい。フラックス塗布は、印刷機、スピンコーター、刷毛塗り等があり、いずれの方法でも良い。加熱処理時の酸素雰囲気は100ppm以下であれば、フラックスの還元作用に悪影響を与えることは無い。加熱処理については、フラックスの種類にも依るが、150〜300℃、好ましくは、200〜280℃が相応しい。熱処理後のフラックスは、保護膜としてアンダーバンプメタルの酸化を防止するので、保管中は付着しているフラックスを剥離してはならない。洗浄は、保管器から取り出し、ウェハを使用する直前に行えばよい。
【0030】
第10の発明は、アンダーバンプメタルの最上層が銅又は銅合金である場合の第1又は第9の発明である。最上層は、メッキ法やスパッタ法のいずれの方法で作られていても良い。また、最上層の厚みは0.005〜2μm程度であれば問題ない。
【0031】
第11の発明は、アンダーバンプメタルの最上層が金である場合の第1又は第9の発明である。最上層は、メッキ法やスパッタ法のいずれの方法で作られていても良い。また、最上層の厚みは0.005〜2μm程度であれば問題は無い。
【0032】
第12の発明は、アンダーバンプメタルの最上層がパラジウムである場合の第1又は第9の発明である。最上層は、メッキ法やスパッタ法のいずれの方法で作られていても良い。また、最上層の厚みは0.005〜2μm程度であれば問題は無い。
【0033】
第13の発明は、第1〜第9の発明の何れかの保管方法で保管したアンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを用いてバンプを形成する方法であって、保管後の該ウェハ表面を洗浄後、直ちにアンダーバンプメタル上にフラックスを塗布した後、アンダーバンプメタル上にボール搭載し、リフローをして、バンプを形成することを特徴とする。ここで、洗浄には、市販のフラックス洗浄液を使用する。その後、使用するボールに相応しいフラックスをアンダーバンプメタル上に塗布する。そこへ、ボールを搭載し、ボールの材質に合った温度パターンでリフローする。後は、フラックス残渣を洗浄して、バンプ形成プロセスを終える。ここで、ボールとしては、特に限定するものではないが、半田ボールが取り扱い易く好適である。
【0034】
<実施例>
次に、実施例を説明する。
(実施例1)
パッドピッチ200μm、厚み300nmのアルミニウム電極を総数385,000個形成した8インチ(200mm)シリコンウェハの各電極上に、Ni−V膜を400nm形成した後、Cu膜を800nm形成して、アンダーバンプメタルを形成した。
【0035】
その後、次の条件を設定した。アンダーバンプメタル形成直後(水準1)、アンダーバンプメタル形成後大気中に2時間放置してから、大気(相対湿度50%)又はアルゴン(酸素濃度100ppm、相対湿度20%)中で、168時間保管した後(水準2)、アンダーバンプメタル形成後大気中に24時間放置してから、大気(相対湿度50%)又はアルゴン(酸素濃度100ppm、相対湿度20%)中で、24時間保管した後(水準3)、アンダーバンプメタル形成直後にフラックス処理(酸素濃度100ppm雰囲気中、200℃、1分)した後、大気中(相対湿度50%)中で、168時間保管後(水準4)、アンダーバンプメタル形成後大気中に2時間放置してから、大気(相対湿度50%)又はアルゴン(酸素濃度100ppm、相対湿度20%)中で、168時間保管した後(水準5)、アンダーバンプメタル形成後大気中に24時間放置してから、大気(相対湿度50%)又はアルゴン(酸素濃度100ppm、相対湿度20%)中で、24時間保管後(水準6)、それぞれ酢酸洗浄して、直ちにフラックス塗布、半田ボール一括搭載後リフローし、余剰フラックスを洗浄した。ボール脱落箇所の測定及び保管後の表面酸化膜厚の測定結果を表1に示す。なお、表面酸化膜厚の測定は、干渉膜厚計により行った。
【0036】
【表1】
【0037】
(実施例2)
実施例1と同様のシリコンウェハを用いて、金、パラジウムのアンダーバンプメタルを形成し、実施例1と同様の保管試験を行った。なお、金アンダーバンプメタルは、Al電極上に、Ni−V膜を400nm形成した後、Au膜を100nm形成した。パラジウムアンダーバンプメタルは、Al電極上に、Ni−V膜を400nm形成した後、Pd膜を100nm形成した。評価結果を表2、3に示す。なお、アンダーバンプメタル表面の酸化状態は、オージェ分光分析により、NiOのAu、Pdに対するオージェシグナルの大小により評価した。
【0038】
【表2】
【0039】
【表3】
【0040】
以上により、アンダーバンプメタルの表面状態に酸素や大気中の湿度の影響があることが判る。また、フラックス処理後、未洗浄で容器に保管することが酸化膜の成長を抑えることも判る。
【0041】
【発明の効果】
本発明により、アンダーバンプメタルの表面酸化膜を成長させずに保管することができ、アンダーバンプメタル形成とバンプ形成との間にタイムラグが生じても、煩雑な前処理を施す必要がないため、製品歩留りの向上と半導体装置の製造におけるスループットの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】最表面がCuの場合の断面構造を示した図である。
【図2】最表面がAuの場合の断面構造を示した図である。
【符号の説明】
1 CuO:酸化膜
2 Cu膜
3 NiV膜
4 Al又はTi膜
5 Si基板
6 NiOとAuの混合層
Claims (13)
- アンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを保管する際に、アンダーバンプメタル形成後24時間以内に、相対湿度を40%以下、酸素濃度が300ppm以下に保たれた非酸化性雰囲気に前記ウェハを保管することを特徴とするウェハ保管方法。
- 前記酸素濃度を300ppm以下に保たれた非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ保管方法。
- 前記非酸化性雰囲気中に、酸素吸収剤を配置することを特徴とする請求項1に記載のウェハ保管方法。
- 前記非酸化性雰囲気中に、水分蒸気吸収剤を配置することを特徴とする請求項1に記載のウェハ保管方法。
- 前記非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に水分蒸気吸収剤を配置することを特徴とする請求項1に記載のウェハ保管方法。
- 前記非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に酸素吸収剤を配置することを特徴とする請求項1に記載のウェハ保管方法。
- 前記非酸化性雰囲気中に、水分蒸気吸収剤及び酸素吸収剤を配置することを特徴とする請求項1に記載のウェハ保管方法。
- 前記非酸化性雰囲気が、アルゴン、窒素、二酸化炭素から選ばれる少なくとも1種のガスで置換された雰囲気であり、該雰囲気中に水分蒸気吸収剤及び酸素吸収剤を配置することを特徴とする請求項1に記載のウェハ保管方法。
- アンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを保管する際に、ウェハ全面に、フラックスを塗布し、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で150〜300℃で10秒〜5分間加熱処理した後、洗浄すること無く保管することを特徴とするウェハ保管方法。
- アンダーバンプメタルの最上層が銅又は銅合金であることを特徴とする請求項1又は9に記載のウェハ保管方法。
- アンダーバンプメタルの最上層が金であることを特徴とする請求項1又は9に記載のウェハ保管方法。
- アンダーバンプメタルの最上層がパラジウムであることを特徴とする請求項1又は9に記載のウェハ保管方法。
- 請求項1〜9の何れか1項に記載のウェハ保管方法で保管したアンダーバンプメタルの形成された電極を有するウェハを用いてバンプを形成するバンプ形成方法であって、保管後の該ウェハ表面を洗浄後、直ちにアンダーバンプメタル上にフラックスを塗布した後、アンダーバンプメタル上にボール搭載し、リフローをして、バンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。
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