JP2005038641A - Charged particle beam device equipped with aberration control unit - Google Patents

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JP2005038641A
JP2005038641A JP2003197692A JP2003197692A JP2005038641A JP 2005038641 A JP2005038641 A JP 2005038641A JP 2003197692 A JP2003197692 A JP 2003197692A JP 2003197692 A JP2003197692 A JP 2003197692A JP 2005038641 A JP2005038641 A JP 2005038641A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To overcome a problem that the adjustment accuracy of an aberration compensator 12 is deteriorated because a standard sample 5 used for adjusting the aberration compensator 12 is gradually contaminated by the irradiation of a charged particle beam, in a charged particle beam device incorporating the aberration compensator 12. <P>SOLUTION: Preparing a plurality of standard samples 5 on a sample stage, the standard sample used for the adjustment is selected based on the number of times for adjusting the aberration compensator 12 in the past. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、走査電子顕微鏡等の荷電粒子ビーム装置に関し、詳しくは収差補正器を組み込んだ荷電粒子ビーム装置の収差制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6に示す走査電子顕微鏡に基づいて、荷電粒子ビーム装置の一例を以下に説明する。
【0003】
図6において、100は走査電子顕微鏡を構成する電子光学系であって、真空雰囲気中にある。電子銃101で発生した電子ビーム102は、複数の電子レンズ、例えばコンデンサレンズ103などを通って、最終的には対物レンズ104で細く集束されて試料105上に照射される。試料105は、同じく真空雰囲気中にある試料室110に設けられている試料ステージ111上に載置される。ステージ111は、少なくとも水平面上で任意の方向に移動可能で、試料105上の所望の場所を電子ビーム102の照射下に持ってくるようにできる。更に、電子ビーム102は、偏向器106によって、二次元的に偏向・走査される。電子ビーム102の照射に伴って、試料105からは二次電子などが発生し、発生した二次電子は、検出器107によって検出される。検出された検出器107からの電気信号は、前記走査に同期して掃引されるCRT120上に入力され、二次電子強度を表示することによって、試料105の拡大像として、走査電子顕微鏡像(以下単に走査像と呼ぶことがある)を得る。
【0004】
このような走査電子顕微鏡において、試料105上での電子ビーム102のビーム径がより細く集束されれば、それだけ分解能の高い走査像を得ることができる。しかし、ビーム径は、走査電子顕微鏡を構成する電子光学系の収差、主に対物レンズ104の収差によって、制限されてしまう。そこで、最近では、対物レンズ104等の収差を打ち消す収差補正器130を組み込み、分解能を向上させることが可能になった。なお、収差補正器130は、通常、対物レンズ104の上流側に配置される。このような収差補正器130においては、収差補正器そのものの構造が極めて複雑なため、高精度な調整が要求される。このため走査電子顕微鏡の観察条件、例えば、対物レンズのフォーカス等を変えただけでも、収差補正器の調整が狂ってしまい、分解能の劣化を招いてしまったりする。そして、このような場合には、公知である調整方法で収差補正器の再調整を行って性能を回復させる。
【0005】
なお、収差補正器の原理および作用は、例えば非特許文献1に、また、調整方法は、非特許文献2詳しく述べられている。
【0006】
【非特許文献1】
Design of a high−resolution low−voltage scanning electron microscope, Optic. 83, No. 1 (1989) pp. 30−40
【非特許文献2】
Aberration correction in a low voltage SEM by a multipole corrector, Nuclear Instruments and Methods in Physics research, A363 (1995) pp. 316−325
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記の如く、収差補正器130の調整が狂ってしまい、分解能の劣化をきたしたときには、予め試料ステージ上の所定の場所に取り付けられている標準試料を電子ビームの照射下に持ってきて、その標準試料が走査像の中心に来るようにした上で、走査像から得られる情報に基づいて、公知の調整方法で収差補正器130の再調整を行うことになる。
【0008】
しかしながら、このような操作を行う場合に、電子ビームの照射によって、標準試料には徐々に汚れが付着し、為に標準試料の形状が変化してしまい、正確な収差の補正値が出せず、性能が回復しなかったり、回復するために、適切な標準試料を探すなど必要なため、従来においては、多大な時間を要した。
【0009】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決し、最適な標準試料を準備し、収差補正器の調整が確実かつ迅速に行える収差制御装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置は、集束荷電粒子ビームを二次元的に走査して試料に照射することによって、試料を走査像で観察したり、加工する荷電粒子ビーム装置において、
荷電粒子ビーム装置を構成する光学系の収差を補正する収差補正器と、
前記試料を載置するステージ上の特定の個所に置かれた標準試料と、
荷電粒子ビームを前記標準試料上に集束させる対物レンズと、
前記標準試料から発生した二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記二次電子検出器の出力に基づいて収差計算をする収差計算器と、
収差の大きさから前記収差補正器を制御するか否かを判断する補正判断器と、
前記収差補正器または前記対物レンズのレンズ強度を制御するレンズ制御器と、
前記補正判断器の出力に基づいて、ステージ位置を制御するステージ制御器と、を具備したことを特徴とする。
【0011】
更に、前記標準試料は、前記ステージ上に複数取り付けられていて、前記収差制御装置は、過去に収差補正を行った回数あるいは経歴に基づいて、収差補正を行うための前記標準試料を選択するようにしたことを特徴とする。
【0012】
また更に、複数取り付けられている前記標準試料は、それぞれ前記ステージ上面からの高さが異なるようにして、前記収差制御装置は、前記対物レンズのレンズ強度に応じて、高さが異なる前記標準試料から収差補正を行うための標準試料を選択するようにしたことを特徴とする。
【0013】
加えて、前記標準試料は、カーボン基板上の金粒子、白金粒子、アルミニウム粒子、ラテックス球、あるいは円、四角形、三角形の繰り返し図形が描画された基板上のパターンであることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の構成と動作を説明するための、本発明を組み込んだ走査電子顕微鏡の主要部を示す図である。図1では、図6で説明した電子銃、コンデンサレンズ、偏向器なとは省略している。
【0015】
図1において、1は電子ビーム、12は収差補正器、2は対物レンズ、3は試料ステージ、4は観察したり加工を施すべき試料であり、5は収差補正器を調整するための標準試料である。電子ビーム1は対物レンズ2でフォーカスされて、試料4または標準試料5に照射される。なお、本発明における標準試料5は、多数の標準試料からなり、何れを使用するか選択可能になっている。収差補正器12は、非特許文献1に詳しく述べられているように、複数の多極子で構成されている。6は、電子ビーム1の照射に伴って、試料4あるいは標準試料5から発生した、例えば二次電子7を検出するための二次電子検出器であり、11は、前記二次電子検出器6からの出力信号を処理するための信号処理器である。通常の試料の観察においては、信号処理器11からの電気信号を用いて、図6で示したCRT上で走査像として試料の観察が行われる。
【0016】
一方、収差補正器12の調整のための操作においては、電子ビーム1の照射下には標準試料5が置かれ、標準試料5からの二次電子が二次電子検出器6で検出され、信号処理器11で処理された信号は収差計算器10に送られ、収差量が計算される。
【0017】
収差量の計算は、非特許文献2に詳しく述べられているように、標準試料5として例えばラテックス球の如き球状粒子を用い、これを走査像として観察しながら、対物レンズ2や収差補正器12を構成する各多極子の強度(電磁レンズあるいは磁場型多極子であればその励磁の強度、静電レンズあるいはで静電型多極子であればその印加電圧強度)を加減して、そのとき得られる走査像上の球状粒子のボケの大きさおよび方向に基づいて、どのような収差がどれほどであるかを求める。そして、収差の補正は、前記計算で求めた収差と等しい大きさの逆の収差を収差補正器12で発生させて、光学系全体として収差をキャンセルする。
【0018】
前記計算結果は、補正判断器13に送られ、収差補正調整を行うべきかどうかを判断する。補正判断器13が、収差補正調整を行うべきと判断した場合には、補正判断器13は、標準試料5の中から適切な標準試料を選択し、その選択の結果に基づいてステージ制御器9を介して、その標準試料の位置にステージ3を駆動する。なお、上記補正判断器13の判断の仕方については、後に詳しく説明する。更に、補正判断器13が、収差補正調整を行うべきと判断すると、それに基づいて、レンズ制御器8は、収差計算器10による計算結果を用いて、収差補正器12と対物レンズ2を制御する。
【0019】
そして、更に、上記の収差補正器12と対物レンズ2との制御の下で、標準試料5からの二次電子を二次電子検出器6で検出し、信号処理器11で処理した信号を用いて収差計算器10で再び収差量が計算される。計算結果から補正判断器13が収差補正調整を行う必要がないと判断すれば、収差の補正は完了する。
【0020】
次に、収差計算器10の動作を、図2および図3を用いて詳しく説明する。図3(f)は、標準試料5内の一つの球状粒子試料14を示す。図2(a)は、図3(f)に示す標準試料を用いて、対物レンズ2をオーバーフォーカスの状態にして観察したときの走査像を示し、図2(b)は、対物レンズ2をアンダーフォーカスの状態にして観察したときの走査像を示す。なお、図2(c)は、対物レンズ2がジャストフォーカスの状態で観察したときの走査像を示す。
【0021】
前記非特許文献2に記載されているように、例えば図3(f)に示す球状粒子試料14を走査像上で観察して図2(c)の如きジャストフォーカスの像が得られた後、対物レンズ2や収差補正器12の多極子の強度を加減して、例えば図2(a)および図2(b)の如き像になったとする。そこで、ジャストフォーカスの図2(c)の如き像を基準にして、図2(a)および図2(b)において、標準試料である球状粒子14の像のボケの大きさおよびその方向を従来技術である画像処理の手法によって算出する。そして、その結果から、発生している収差の種類と補正すべき量を求める。すなわち、収差計算器10は、図3(f)に示す球状粒子14の電子光学上の像面におけるジャストフォーカス像(図2(c))と、図2(a)に示す前記像面から上方に像面を動かした場合(オーバーフォーカス)の像に生じる収差と、図2(b)に示す前記像面から下方に像面を動かした場合(アンダーフォーカス)の像に生じる収差とから、発生している収差を計算する。
【0022】
例えば、図2(a)および図2(b)に示すようにx方向に着目して、上方右方収差15と上方左方収差16と下方右方収差17と下方左方収差18とが観察されたとする。それぞれの距離関係を図に示すように、
:上方収差全幅、W:下方収差全幅、
:上方左方収差量、w :下方左方収差量、
:上方右方収差量、w :下方右方収差量
とし、それぞれを像上から算出する。収差の種類、大きさは次の指標によって定量化できる。
発生収差の相対性:ΔW=W−W
上方発生収差の相対性:Δw=w −w
下方発生収差の相対性:Δw=w −w
上記において、例えば、ΔWは発生収差の相対量を表し、ΔW=0であれば収差は補正されていることを示す。また、Δw≠0、あるいはΔw≠0であれば非対称な収差(例えばコマ収差)が発生していることを示す。これらの指標から、収差補正器12を用いて制御すべき補正量を下記の式(1)から設定できる。
ΔPn,x =k(n,m)・ΔW+k(n,m)・Δw+k(n,m)・Δw (1)
n:多極子の番号、=1〜4(段目)
m:多極子の種類、=1は2極子場、=2は4極子場、=3は6極子場、=4は8極子場
ΔPn,x :x方向の収差補正量
(n,m)、k(n,m)、k(n,m):n、mに依存するパラメーター
上記式(1)において、ΔPn,x はx方向の収差補正量を示すが、同様に、y方向の収差補正量ΔPn,y も設定できる。
【0023】
このようにして算出された収差補正量から、補正判断器13において、収差補正器12の出力を調節するか否かを、次の式(2)から判断する。
|ΔPn,x |>ξ(n,m)、あるいは|ΔPn,y |>ξ(n,m) (2)
ここで、ξ(n,m)はn、mに依存するパラメーターである。式(2)が成立した場合に、収差補正器12の出力を調節すると判断し、レンズ出力を制御しているレンズ制御器8に指示を出す。同時に、補正判断器13は、ステージの位置を制御しているステージ制御器9にステージ移動の指示および移動すべき位置を示すx、y座標を出力する。前記移動すべき位置を示すx、y座標は、標準試料5中の複数の試料の位置の何れかを示している。
【0024】
ところで、標準試料5には、例えば図3(f)に示すような球状粒子14があるが、上記収差補正のために、電子ビームを球状粒子14に照射してその走査像を得る際、電子ビームを照射することに伴って、徐々に球状粒子14に汚染物質が付着する。このため、正確な収差補正値が得られなくなるので、同じ標準試料を何度も使用し続けることはできない。
【0025】
そこで、球状粒子14を、図3(b)のように多数用意し、予め個々の球状粒子14の座標S(X,Y)を、例えば、ステージ制御器9内のメモリに記憶しておき、収差補正のための測定を繰り返し度に、測定に用いる球状粒子14を次々と替えていくように、ステージ3を移動する。例えば、図5(a)に示すように、測定に用いる球状粒子14の座標をS(X1,Y1)、S(X2,Y2)、・・・、S(Xn,Yn)、S(Xn+1,Yn+1)、・・・と収差補正のための測定の度に順次移動させる。ここで、(Xn,Yn)は、n番目の収差補正のための測定に用いる標準試料の座標を示す。
【0026】
上記は、個々の球状粒子14の座標を予め記憶する方式であるが、球状粒子14の位置の座標そのものではなく、何れかの球状粒子14が存在するであろうステージ上の範囲のみを予め指定しておき、その範囲内において順次視野を指定する方式でもよい。ただし、この方式では、指定された視野の中央に球状粒子14があるとは限らないので、球状粒子14を手動あるいは自動で視野の中央に持ってくるようにする。このようにすれば、多数の球状粒子14の座標を予め記憶する手間が省ける。
【0027】
また、上記は、定められた順に標準試料の座標を選択移動させる例であるが、乱数を発生させて、その結果に基づいて確率的に座標を選択し、図5(b)に示すように、ランダムに移動させることもできる。
【0028】
更にまた、過去に行った収差補正のための測定にどの標準試料を用いたかという経歴あるいは履歴を記憶するメモリを、例えば、ステージ制御器9あるいは補正判断器13に設けるようにしてもよい。そして測定の度にどの標準試料を用いたか(例えば座標位置)を記憶しておき、これに基づいて、次に用いる標準試料を選択するようにする。こうすれば、汚染物質が付着していないあるいは付着が少ない標準試料で測定することになるので、正確な収差補正値を得ることができる。
【0029】
また、試料4の高さ(あるいは対物レンズ2と試料4間の距離)に応じて対物レンズ2のフォーカスが変化するから、対物レンズ2の収差が変化する。そこで、収差補正器12は、試料4の高さに応じて収差補正の条件を設定させる必要がある。従って、本発明の収差制御装置では、試料4の高さに応じた対物レンズ2のレンズ強度(ジャストフォーカス時の対物レンズ2のレンズ強度と上記対物レンズ2と試料4間の距離との間には一定の関係がある)あるいは図示しない試料高さ検出器の出力に応じて、予め設定された複数の試料高さの異なる標準試料を用意した標準試料5の中から、最も試料4の高さに近い標準試料を選択する。
【0030】
このような場合の標準試料5は、適当な段差を持たせた標準試料取り付け板に標準試料を取り付けてもよいし、平らな標準試料取り付け板に多数の標準試料を乗せその標準試料取り付け板を僅かに傾斜させてステージ3に取り付けることによって、所望の高さの標準試料が特定な部分に多数存在するようにできる。あるいは、ステージ3に別途上下動が可能な機構を設けて、標準試料上での対物レンズ2のジャストフォーカス時のレンズ強度が、試料4の高さのジャストフォーカス時のレンズ強度と等しくなるように、前記上下動を調節することも考えられる。更には、段差を持たせた標準試料と前記上下動を調節する機構とを組み合わせてもよい。
【0031】
更に、収差計算器10における収差の算出には、フーリエ変換演算を用いることができる。本技術に関しては、再公表特許WO01/56057(Method for Detecting Geometrical−Optical Aberrations)に詳述されている。本手法によれば、図3(f)に示す球状粒子14を用いて、図2(a)、図2(b)に示す球状粒子14の特定方向の収差である上方右方収差15、上方左方収差16、下方右方収差17、下方左方収差18を画像処理技術によって検出する必要はない。つまり、ジャストフォーカス像とオーバーフォーカス像とアンダーフォーカス像とから、任意の方向の収差量および収差の種類を定量的に算出することができる。
【0032】
フーリエ変換演算を用いる場合の標準試料5は、通常は、図3(a)に示すようなカーボン基板上の金粒子あるいは白金粒子あるいはアルミニウム粒子等を用いることができる。更に、図3(b)に示すようなラテックス球が散布されたもの、あるいは、図3(c)に示すような円の繰り返しの図形、図3(d)に示すような四角形の繰り返しの図形、図3(e)に示すような三角形の繰り返しの図形でもよい。
【0033】
また更に、補正判断器13において、前述した補正すべきか否かの判断を図4に示すように、知識ベース20の中に「if/then」形式のルールとして保存しておき、公知技術であるエキスパートシステム等の推論エンジン19を組み込んで、前記判断を木目細かに行うことができる。同様に、前記推論エンジン19に公知技術であるファジー推論を組み込むことによって、上記判断を行うこともできる。
【0034】
以上、走査電子顕微鏡を例に本発明を説明したが、本発明による収差制御装置は、収差補正器を組み込んだ走査電子顕微鏡に限定されるものではなく、収差補正器を組み込んだ集束イオンビーム装置(FIB装置)など、集束荷電粒子ビームの照射によって試料を観察・加工する全ての荷電粒子ビーム装置に適用できる。
【0035】
【発明の効果】
以上の如く、本発明による収差制御装置は、標準試料に電子ビーム照射に伴う汚染等があっても、汚染がない標準試料が自動的に選択されるので、収差補正器内の電子ビームアライメント(すなわち、収差補正器12の調整)精度を向上できる。試料の高さを自動的に検出し、その高さに合った標準試料を選択することによって、収差補正器内の電子ビームアライメント精度を向上できる。試料の選択を自動的に行えるので、オペレータが最適標準試料を選択する必要がなくなり、短時間で収差補正器内の電子ビームアライメントが完了できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の構成と動作を説明するための図である。
【図2】本発明に係る収差の測定を説明するための図である。
【図3】本発明に係る標準試料を説明するための図である。
【図4】本発明に係る補正判断器の他の判断の例を説明する図である。
【図5】本発明に係る標準試料の選択の方法を説明するための図である。
【図6】従来の技術として、収差補正器を組み込んだ走査電子顕微鏡を説明するための図である。
【符号の説明】
1、102:電子ビーム
2、104:対物レンズ
3、111:試料ステージ
4、105:試料
5:標準試料
6、107:二次電子検出器
7:二次電子
8:レンズ制御器
9:試料ステージ制御器
10:収差計算器
11:信号処理器
12、130:収差補正器
13:収差判断器
14:球状粒子
15:上方右方収差
16:上方左方収差
17:下方右方収差
18:下方左方収差
19:推論エンジン
20:知識ベース
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a charged particle beam apparatus such as a scanning electron microscope, and more particularly to an aberration control apparatus for a charged particle beam apparatus incorporating an aberration corrector.
[0002]
[Prior art]
An example of the charged particle beam apparatus will be described below based on the scanning electron microscope shown in FIG.
[0003]
In FIG. 6, reference numeral 100 denotes an electron optical system constituting a scanning electron microscope, which is in a vacuum atmosphere. The electron beam 102 generated by the electron gun 101 passes through a plurality of electron lenses, such as a condenser lens 103, and is finally focused finely by the objective lens 104 and irradiated onto the sample 105. The sample 105 is placed on a sample stage 111 provided in a sample chamber 110 that is also in a vacuum atmosphere. The stage 111 can move in any direction on at least a horizontal plane, and can bring a desired location on the sample 105 under irradiation of the electron beam 102. Further, the electron beam 102 is deflected and scanned two-dimensionally by a deflector 106. Along with the irradiation of the electron beam 102, secondary electrons are generated from the sample 105, and the generated secondary electrons are detected by the detector 107. The detected electrical signal from the detector 107 is input to the CRT 120 that is swept in synchronization with the scanning, and the secondary electron intensity is displayed, whereby a scanning electron microscope image (hereinafter referred to as an enlarged image of the sample 105) is displayed. Simply referred to as a scanned image).
[0004]
In such a scanning electron microscope, if the beam diameter of the electron beam 102 on the sample 105 is focused more narrowly, a scanning image with a higher resolution can be obtained. However, the beam diameter is limited by the aberration of the electron optical system constituting the scanning electron microscope, mainly the aberration of the objective lens 104. Therefore, recently, it has become possible to improve the resolution by incorporating an aberration corrector 130 that cancels the aberration of the objective lens 104 and the like. Note that the aberration corrector 130 is normally disposed on the upstream side of the objective lens 104. In such an aberration corrector 130, since the structure of the aberration corrector itself is extremely complicated, high-accuracy adjustment is required. For this reason, even if the observation conditions of the scanning electron microscope, for example, only the focus of the objective lens is changed, the adjustment of the aberration corrector may be out of order, leading to degradation of resolution. In such a case, the aberration corrector is readjusted by a known adjustment method to restore the performance.
[0005]
The principle and operation of the aberration corrector are described in detail in Non-Patent Document 1, for example, and the adjustment method is described in detail in Non-Patent Document 2.
[0006]
[Non-Patent Document 1]
Design of a high-resolution low-voltage scanning electron microscope, Optic. 83, no. 1 (1989) p. 30-40
[Non-Patent Document 2]
Aberration correction in a low voltage SEM by a multipole collector, Nuclear Instruments and Methods in Physics research, A363 (1995) pp. 316-325
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, when the adjustment of the aberration corrector 130 is out of order and the resolution is deteriorated, a standard sample previously mounted at a predetermined location on the sample stage is brought under the irradiation of the electron beam, After making the standard sample come to the center of the scanned image, the aberration corrector 130 is readjusted by a known adjustment method based on information obtained from the scanned image.
[0008]
However, when performing such an operation, due to the electron beam irradiation, the standard sample is gradually contaminated, so the shape of the standard sample is changed, and an accurate aberration correction value cannot be obtained. In order to recover the performance or to recover, it is necessary to search for an appropriate standard sample.
[0009]
An object of the present invention is to provide an aberration control apparatus that solves the above-described problems of the prior art, prepares an optimal standard sample, and can reliably and quickly adjust the aberration corrector.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The charged particle beam apparatus having the aberration control apparatus of the present invention is a charged particle beam apparatus that observes or processes a sample in a scanned image by two-dimensionally scanning a focused charged particle beam and irradiating the sample. ,
An aberration corrector for correcting the aberration of the optical system constituting the charged particle beam device;
A standard sample placed at a specific location on the stage on which the sample is placed;
An objective lens for focusing a charged particle beam on the standard sample;
A secondary electron detector for detecting secondary electrons generated from the standard sample;
An aberration calculator for calculating aberrations based on the output of the secondary electron detector;
A correction determination unit for determining whether to control the aberration corrector from the magnitude of aberration;
A lens controller for controlling the lens intensity of the aberration corrector or the objective lens;
And a stage controller for controlling the stage position based on the output of the correction judgment unit.
[0011]
Furthermore, a plurality of the standard samples are mounted on the stage, and the aberration control device selects the standard sample for performing aberration correction based on the number of times or history of aberration correction in the past. It is characterized by that.
[0012]
Still further, the plurality of attached standard samples have different heights from the upper surface of the stage, and the aberration control device has different heights according to the lens strength of the objective lens. A standard sample for correcting aberrations is selected from the above.
[0013]
In addition, the standard sample is a pattern on the substrate on which gold particles, platinum particles, aluminum particles, latex spheres, or repeated figures of circles, squares, and triangles are drawn.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing a main part of a scanning electron microscope incorporating the present invention for explaining the configuration and operation of the present invention. In FIG. 1, the electron gun, the condenser lens, and the deflector described in FIG. 6 are omitted.
[0015]
In FIG. 1, 1 is an electron beam, 12 is an aberration corrector, 2 is an objective lens, 3 is a sample stage, 4 is a sample to be observed or processed, and 5 is a standard sample for adjusting the aberration corrector. It is. The electron beam 1 is focused by the objective lens 2 and irradiated on the sample 4 or the standard sample 5. The standard sample 5 in the present invention is composed of a large number of standard samples, and it is possible to select which one to use. As described in detail in Non-Patent Document 1, the aberration corrector 12 includes a plurality of multipole elements. 6 is a secondary electron detector for detecting, for example, secondary electrons 7 generated from the sample 4 or the standard sample 5 with the irradiation of the electron beam 1, and 11 is the secondary electron detector 6. It is a signal processor for processing the output signal from. In normal observation of the sample, the sample is observed as a scanned image on the CRT shown in FIG. 6 using the electrical signal from the signal processor 11.
[0016]
On the other hand, in the operation for adjusting the aberration corrector 12, the standard sample 5 is placed under the irradiation of the electron beam 1, the secondary electrons from the standard sample 5 are detected by the secondary electron detector 6, and the signal The signal processed by the processor 11 is sent to the aberration calculator 10 to calculate the amount of aberration.
[0017]
As described in detail in Non-Patent Document 2, the calculation of the amount of aberration uses spherical particles such as latex spheres as the standard sample 5 and observes them as a scanned image, while the objective lens 2 and the aberration corrector 12 are used. The intensity of each multipole that constitutes (the excitation intensity of an electromagnetic lens or magnetic type multipole, or the applied voltage intensity of an electrostatic lens or electrostatic multipole) is adjusted, and then obtained. Based on the size and direction of the blur of the spherical particles on the scanned image to be obtained, what kind of aberration and how much is determined. In the correction of the aberration, the aberration corrector 12 generates a reverse aberration having the same magnitude as the aberration obtained by the above calculation, and cancels the aberration in the entire optical system.
[0018]
The calculation result is sent to the correction determination unit 13 to determine whether or not aberration correction adjustment should be performed. When the correction determiner 13 determines that the aberration correction adjustment should be performed, the correction determiner 13 selects an appropriate standard sample from the standard samples 5, and the stage controller 9 based on the selection result. Then, the stage 3 is driven to the position of the standard sample. The method of determination by the correction determination unit 13 will be described in detail later. Further, when the correction determination unit 13 determines that the aberration correction adjustment should be performed, the lens controller 8 controls the aberration correction unit 12 and the objective lens 2 using the calculation result by the aberration calculator 10 based on the correction determination unit 13. .
[0019]
Further, under the control of the aberration corrector 12 and the objective lens 2, secondary electrons from the standard sample 5 are detected by the secondary electron detector 6, and the signal processed by the signal processor 11 is used. Then, the aberration calculator 10 calculates the aberration amount again. If the correction determination unit 13 determines from the calculation result that it is not necessary to perform aberration correction adjustment, the correction of the aberration is completed.
[0020]
Next, the operation of the aberration calculator 10 will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 3 (f) shows one spherical particle sample 14 in the standard sample 5. FIG. 2 (a) shows a scanning image when the objective lens 2 is observed in an overfocus state using the standard sample shown in FIG. 3 (f), and FIG. A scanning image when observed under an under-focus state is shown. FIG. 2C shows a scanned image when the objective lens 2 is observed in a just focus state.
[0021]
As described in Non-Patent Document 2, for example, after the spherical particle sample 14 shown in FIG. 3 (f) is observed on the scanning image and a just focus image as shown in FIG. 2 (c) is obtained, Suppose that the intensities of the multipole elements of the objective lens 2 and the aberration corrector 12 are adjusted to obtain an image as shown in FIGS. 2A and 2B, for example. Therefore, with reference to the just focus image as shown in FIG. 2 (c), in FIG. 2 (a) and FIG. 2 (b), the size and direction of the blur of the image of the spherical particle 14 as the standard sample are conventionally determined. It is calculated by a technique of image processing that is a technique. Then, from the result, the type of the generated aberration and the amount to be corrected are obtained. That is, the aberration calculator 10 has a just-focus image (FIG. 2C) on the image surface on the electron optics of the spherical particle 14 shown in FIG. 3F and an upper side from the image plane shown in FIG. This occurs due to the aberration that occurs in the image when the image plane is moved (over focus) and the aberration that occurs in the image when the image plane is moved downward (under focus) as shown in FIG. Calculate the aberrations.
[0022]
For example, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), focusing on the x direction, upper right aberration 15, upper left aberration 16, lower right aberration 17, and lower left aberration 18 are observed. Suppose that As shown in the figure for each distance relationship,
W o : full upper aberration width, W u : full lower aberration width,
w o l : upper left aberration amount, w u l : lower left aberration amount,
W o r is the upper right aberration amount, w u r is the lower right aberration amount, and each is calculated from the image. The type and size of aberration can be quantified by the following index.
Relativity of generated aberration: ΔW = W u −W o
Relativity of upward generated aberration: Δw o = w o r -w o l
Lower occurrence aberration of relativity: Δw u = w u r -w u l
In the above, for example, ΔW represents the relative amount of the generated aberration, and ΔW = 0 indicates that the aberration is corrected. Further, if Δw o ≠ 0 or Δw u ≠ 0, it indicates that an asymmetrical aberration (for example, coma aberration) has occurred. From these indices, the correction amount to be controlled using the aberration corrector 12 can be set from the following equation (1).
ΔP n, x m = k 1 (n, m) · ΔW + k 2 (n, m) · Δw o + k 3 (n, m) · Δw u (1)
n: Number of multipole, = 1 to 4 (stage)
m: type of multipole, = 1 is a dipole field, = 2 is a quadrupole field, = 3 is a hexapole field, = 4 is an octupole field ΔP n, x m : aberration correction amount k 1 in the x direction (n , M), k 2 (n, m), k 3 (n, m): parameters depending on n and m In the above equation (1), ΔP n, x m represents the aberration correction amount in the x direction, Similarly, the aberration correction amount [Delta] P n in the y direction, y m can also be set.
[0023]
From the aberration correction amount calculated in this way, the correction determiner 13 determines whether or not to adjust the output of the aberration corrector 12 from the following equation (2).
| ΔP n, x m |> ξ (n, m), or | ΔP n, y m |> ξ (n, m) (2)
Here, ξ (n, m) is a parameter depending on n and m. When Expression (2) is satisfied, it is determined that the output of the aberration corrector 12 is adjusted, and an instruction is issued to the lens controller 8 that controls the lens output. At the same time, the correction determiner 13 outputs a stage movement instruction and x and y coordinates indicating the position to be moved to the stage controller 9 that controls the stage position. The x and y coordinates indicating the position to be moved indicate one of the positions of a plurality of samples in the standard sample 5.
[0024]
By the way, the standard sample 5 has, for example, spherical particles 14 as shown in FIG. 3 (f). To correct the aberration, the electron beam is irradiated onto the spherical particles 14 to obtain a scanned image. As the beam is irradiated, contaminants gradually adhere to the spherical particles 14. For this reason, since an accurate aberration correction value cannot be obtained, the same standard sample cannot be used repeatedly.
[0025]
Therefore, a large number of spherical particles 14 are prepared as shown in FIG. 3B, and the coordinates S (X, Y) of the individual spherical particles 14 are stored in advance in a memory in the stage controller 9, for example. The stage 3 is moved so that the spherical particles 14 used for the measurement are changed one after another as the measurement for correcting the aberration is repeated. For example, as shown in FIG. 5A, the coordinates of the spherical particles 14 used for the measurement are S (X1, Y1), S (X2, Y2),..., S (Xn, Yn), S (Xn + 1, Yn + 1),..., And is sequentially moved at every measurement for aberration correction. Here, (Xn, Yn) represents the coordinates of the standard sample used for the measurement for correcting the nth aberration.
[0026]
In the above method, the coordinates of the individual spherical particles 14 are stored in advance, but not the coordinates of the position of the spherical particles 14 but only the range on the stage where any of the spherical particles 14 will exist. In addition, a method of sequentially designating the visual field within the range may be used. However, in this method, since the spherical particle 14 is not always in the center of the designated field of view, the spherical particle 14 is brought to the center of the field of view manually or automatically. In this way, the trouble of storing the coordinates of a large number of spherical particles 14 in advance can be saved.
[0027]
Further, the above is an example in which the coordinates of the standard sample are selectively moved in a predetermined order, but random numbers are generated and the coordinates are selected probabilistically based on the result, as shown in FIG. It can also be moved randomly.
[0028]
Furthermore, a memory for storing the history or history of which standard sample was used for the measurement for aberration correction performed in the past may be provided in the stage controller 9 or the correction determination unit 13, for example. Then, which standard sample is used for each measurement (for example, coordinate position) is stored, and based on this, the standard sample to be used next is selected. In this way, since the measurement is performed with a standard sample to which no contaminant is attached or is less attached, an accurate aberration correction value can be obtained.
[0029]
Further, since the focus of the objective lens 2 changes according to the height of the sample 4 (or the distance between the objective lens 2 and the sample 4), the aberration of the objective lens 2 changes. Therefore, the aberration corrector 12 needs to set the aberration correction conditions according to the height of the sample 4. Therefore, in the aberration control device of the present invention, the lens strength of the objective lens 2 according to the height of the sample 4 (between the lens strength of the objective lens 2 at the time of just focus and the distance between the objective lens 2 and the sample 4). Or the height of the sample 4 is the highest among the standard samples 5 prepared from a plurality of preset standard samples according to the output of a sample height detector (not shown). Select a standard sample close to.
[0030]
In such a case, the standard sample 5 may be attached to a standard sample mounting plate having an appropriate level difference, or a large number of standard samples may be placed on a flat standard sample mounting plate and the standard sample mounting plate may be mounted. By attaching it to the stage 3 with a slight inclination, a large number of standard samples having a desired height can be present in a specific portion. Alternatively, the stage 3 is provided with a mechanism capable of moving up and down separately, so that the lens strength at the time of just focus of the objective lens 2 on the standard sample is equal to the lens strength at the time of just focus at the height of the sample 4. It is also conceivable to adjust the vertical movement. Further, a standard sample having a step and a mechanism for adjusting the vertical movement may be combined.
[0031]
Furthermore, Fourier transformation calculation can be used for the calculation of the aberration in the aberration calculator 10. This technique is described in detail in re-published patent WO01 / 56057 (Method for Detection Geometrical-Optical Aberrations). According to this method, using the spherical particle 14 shown in FIG. 3 (f), the upper right aberration 15 which is the aberration in the specific direction of the spherical particle 14 shown in FIG. 2 (a) and FIG. It is not necessary to detect the left aberration 16, the lower right aberration 17, and the lower left aberration 18 by an image processing technique. That is, the amount of aberration and the type of aberration in an arbitrary direction can be quantitatively calculated from the just focus image, the overfocus image, and the underfocus image.
[0032]
In the case of using the Fourier transform calculation, the standard sample 5 can usually use gold particles, platinum particles, aluminum particles, or the like on a carbon substrate as shown in FIG. Further, a latex sphere dispersed as shown in FIG. 3 (b), a circle repeating figure as shown in FIG. 3 (c), or a square repeating figure as shown in FIG. 3 (d). Further, a triangular repeating figure as shown in FIG.
[0033]
Furthermore, in the correction determination unit 13, the above-described determination as to whether or not to correct is stored in the knowledge base 20 as a rule of the “if / then” format as shown in FIG. By incorporating an inference engine 19 such as an expert system, it is possible to make the above-mentioned judgment in detail. Similarly, the above determination can be made by incorporating fuzzy inference, which is a known technique, into the inference engine 19.
[0034]
The present invention has been described above by taking the scanning electron microscope as an example. However, the aberration control device according to the present invention is not limited to the scanning electron microscope incorporating the aberration corrector, but the focused ion beam device incorporating the aberration corrector. The present invention can be applied to all charged particle beam apparatuses such as (FIB apparatus) that observe and process a sample by irradiation with a focused charged particle beam.
[0035]
【The invention's effect】
As described above, the aberration control apparatus according to the present invention automatically selects a standard sample that is free from contamination even if the standard sample is contaminated by electron beam irradiation. That is, the accuracy of adjustment of the aberration corrector 12 can be improved. The electron beam alignment accuracy in the aberration corrector can be improved by automatically detecting the height of the sample and selecting a standard sample that matches the height. Since the sample can be automatically selected, it is not necessary for the operator to select the optimum standard sample, and the electron beam alignment in the aberration corrector can be completed in a short time.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining the configuration and operation of the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining aberration measurement according to the present invention.
FIG. 3 is a diagram for explaining a standard sample according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram for explaining another example of determination of a correction determination device according to the present invention.
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of selecting a standard sample according to the present invention.
FIG. 6 is a diagram for explaining a scanning electron microscope incorporating an aberration corrector as a conventional technique.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,102: Electron beam 2, 104: Objective lens 3, 111: Sample stage 4, 105: Sample 5: Standard sample 6, 107: Secondary electron detector 7: Secondary electron 8: Lens controller 9: Sample stage Controller 10: Aberration calculator 11: Signal processor 12, 130: Aberration corrector 13: Aberration determiner 14: Spherical particle 15: Upper right aberration 16: Upper left aberration 17: Lower right aberration 18: Lower left Diaphragm 19: Inference engine 20: Knowledge base

Claims (12)

集束荷電粒子ビームを二次元的に走査して試料に照射することによって、試料を走査像で観察したり、加工する荷電粒子ビーム装置において、
荷電粒子ビーム装置を構成する光学系の収差を補正する収差補正器と、
前記試料を載置するステージ上の特定の個所に置かれた標準試料と、
荷電粒子ビームを前記標準試料上に集束させる対物レンズと、
前記標準試料から発生した二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記二次電子検出器の出力に基づいて収差計算をする収差計算器と、
収差の大きさから前記収差補正器を制御するか否かを判断する補正判断器と、
前記収差補正器または前記対物レンズのレンズ強度を制御するレンズ制御器と、
前記補正判断器の出力に基づいて、ステージ位置を制御するステージ制御器と、を具備したことを特徴とする収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。
In a charged particle beam device that scans a focused charged particle beam two-dimensionally and irradiates the sample with a scanned image,
An aberration corrector for correcting the aberration of the optical system constituting the charged particle beam device;
A standard sample placed at a specific location on the stage on which the sample is placed;
An objective lens for focusing a charged particle beam on the standard sample;
A secondary electron detector for detecting secondary electrons generated from the standard sample;
An aberration calculator for calculating aberrations based on the output of the secondary electron detector;
A correction determination unit for determining whether to control the aberration corrector from the magnitude of aberration;
A lens controller for controlling the lens intensity of the aberration corrector or the objective lens;
A charged particle beam apparatus having an aberration control apparatus, comprising: a stage controller that controls a stage position based on an output of the correction determiner.
前記標準試料は、前記ステージ上に複数取り付けられていることを特徴とする請求項1記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。The charged particle beam apparatus having an aberration control apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the standard samples are attached on the stage. 複数取り付けられている前記標準試料は、それぞれ前記ステージ上面からの高さが異なることを特徴とする請求項2記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。3. The charged particle beam apparatus having an aberration control apparatus according to claim 2, wherein the plurality of attached standard samples have different heights from the upper surface of the stage. 前記収差制御装置は、過去に収差補正を行った回数あるいは経歴に基づいて、収差補正を行うための前記標準試料を選択するようにしたことを特徴とする請求項2記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。3. The aberration control apparatus according to claim 2, wherein the aberration control apparatus selects the standard sample for performing aberration correction based on the number or history of aberration correction performed in the past. Charged particle beam device. 前記収差制御装置は、過去に収差補正を行った回数あるいは経歴に基づいて、収差補正を行うための前記標準試料に関する前記ステージ上の領域を選択するようにしたことを特徴とする請求項2記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。The said aberration control apparatus selects the area | region on the said stage regarding the said standard sample for performing aberration correction based on the frequency | count or history which performed aberration correction in the past. Charged particle beam apparatus provided with an aberration control apparatus. 前記収差制御装置は、前記ステージ上の領域を選択するに際して、乱数を用いてランダムに領域を選択するようにしたことを特徴とする請求項5記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。6. The charged particle beam apparatus with an aberration control device according to claim 5, wherein the aberration control device selects a region at random using a random number when selecting the region on the stage. 前記標準試料は、カーボン基板上の金粒子、白金粒子、アルミニウム粒子、ラテックス球、あるいは円、四角形、三角形の繰り返し図形が描画された基板上のパターンであることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。7. The standard sample is a gold particle, platinum particle, aluminum particle, latex sphere on a carbon substrate, or a pattern on a substrate on which repeated figures of circles, squares and triangles are drawn. A charged particle beam device comprising the aberration control device according to any one of the above. 前記カーボン基板上の粒子は、大きさの異なる複数の粒子が混じったもの、あるいは前記描画された基板上のパターンは、大きさの異なるパターン混じったものであることを特徴とする請求項7記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。8. The particle on the carbon substrate is a mixture of a plurality of particles having different sizes, or the pattern on the drawn substrate is a mixture of patterns having different sizes. Charged particle beam apparatus provided with an aberration control apparatus. 前記描画された基板上のパターンは、形の異なるパターン混じったものであることを特徴とする請求項7記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。8. The charged particle beam apparatus having an aberration control apparatus according to claim 7, wherein the drawn pattern on the substrate is a mixture of patterns having different shapes. 前記収差制御装置は、前記対物レンズのレンズ強度に応じて、高さが異なる前記標準試料から収差補正を行うための標準試料を選択するようにしたことを特徴とする請求項3記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。4. The aberration control according to claim 3, wherein the aberration control device selects a standard sample for performing aberration correction from the standard samples having different heights according to the lens intensity of the objective lens. Charged particle beam device equipped with the device. 前記ステージ制御器は、選択された前記標準試料の位置が走査像の中心となるように、ステージ位置を制御することを特徴とする請求項1乃至10の何れかに記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。The aberration controller according to claim 1, wherein the stage controller controls the stage position so that the position of the selected standard sample is the center of the scanned image. Charged particle beam device. 前記補正判断器は、ファジー推論エンジンまたはエキスパートシステムによる推論エンジンが組み込まれ、補正判断を知識ベースに保存されている規則によって、判断することを特徴とする請求項1乃至11の何れかに記載の収差制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。12. The correction judgment unit includes a fuzzy inference engine or an inference engine based on an expert system, and judges correction judgment according to rules stored in a knowledge base. A charged particle beam device provided with an aberration control device.
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