JP2005027246A - 群遅延時間調整器 - Google Patents

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Abstract


【課題】 群遅延特性が要求される用途において電気的に遅延時間を制御することができる群遅延時間調整器を提供する。
【解決手段】 所定の信号が伝送される伝送線路1と、リアクタンス値が固定され伝送線路1に対して直列に接続される誘導素子L1と、リアクタンス値が電圧値に応じて変化し伝送線路1に対してシャントに接続される可変容量素子C1、C2と、可変容量素子C1、C2に同じ電圧V1を供給する電圧入力端子とを有する。可変容量素子C1、C2は、誘導素子L1を挟む位置に設けられる。電圧V1の電圧値に応じて定まる可変容量素子C1、C2のリアクタンス値により、誘導素子L1及び可変容量素子C1、C2により構成される共振回路で、入力損失を所定値以下に保ちつつ負荷Qが変化し、これにより伝送線路1を通過する信号の群遅延時間が変化する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えばフィードフォワード方式の歪み補償装置に用いられる群遅延時間調整器に関し、特に、良好な群遅延特性(group delay characteristic)が要求される用途において、入出力間の群遅延時間を電気的に制御することができる群遅延時間調整器に関する。
様々な周波数の信号を一度に伝送する装置などでは、群遅延特性を考慮に入れた設計を行う必要がある。
従来、群遅延特性が必要になる用途では、同軸プランジャなどの機械的に伝播時間を変化させて群遅延時間を調整する装置が一般的に使用されていた。
群遅延特性とは、それを通過する信号の位相が周波数に比例して遅れる(周波数の増加に伴い位相が負の方向に回転する)特性をいい、群遅延だけあるが位相変化がない回路では波形の変化がないことが特徴である。
本発明は、群遅延特性が要求される用途において電気的に遅延時間を制御することができる群遅延時間調整器を提供することをその課題とする。
上記課題を解決するための本発明の群遅延時間調整器は、所定の信号が伝送され、リアクタンス値が固定された第1素子、及び印加される電圧の電圧値に応じてリアクタンス値が変化する2個の第2素子が、直列又はシャントに接続される伝送線路と、前記2個の第2素子に同じ電圧を供給するための電圧入力端子とを有し、この電圧入力端子から供給される電圧の電圧値に応じて定まる前記2個の第2素子のリアクタンス値により、前記第1素子及び前記2個の第2素子により構成される共振回路で、入力損失を所定値以下に保ちつつ負荷Qが変化し、これにより前記伝送線路を通過する信号の群遅延時間が変化するように構成されている。
入力損失を所定値以下、好ましくは略“0”に保ちつつ負荷Qを変化させるので、群遅延時間を変えることができる。第2素子のリアクタンス値により群遅延時間が変わる。このとき2個の第2素子のリアクタンス値を同値にするために、同じ電圧値を印加することになるので、制御が簡単になる。
このような群遅延時間調整器は、例えば、前記伝送線路に対して前記第1素子が直列に接続されるとともに、前記2個の第2素子が、前記第1素子を挟む位置で前記伝送線路に対してシャントに接続されている、いわゆるπ型に構成したり、前記伝送線路に対して前記第1素子がシャントに接続されるとともに、前記2個の第2素子が、前記第1素子の前記伝送線路との接続点を挟む位置で前記伝送線路に対して直列に接続されている、いわゆるT型に構成できる。いずれにしても2個の第2素子は同じリアクタンス値をとるので、制御は簡単である。
他の本発明の群遅延時間調整器は、所定の信号が伝送され、リアクタンス値が固定された第1素子、及び印加される電圧の電圧値に応じてリアクタンス値が変化する2個の第2素子が、直列又はシャントに接続される伝送線路と、前記2個の第2素子に同じ電圧を供給するための電圧入力端子とを有する群遅延時間調整手段が、前記伝送線路が直列になるように複数接続されており、各群遅延時間調整手段は、前記電圧入力端子から供給される電圧の電圧値に応じて定まる前記2個の第2素子のリアクタンス値により、前記第1素子及び前記2個の第2素子により構成される共振回路で、入力損失を所定値以下に保ちつつ負荷Qが変化し、これにより前記伝送線路を通過する信号の群遅延時間が変化するように構成されている。
本発明によれば、電気的に、簡単な制御により群遅延時間を変えられる群遅延時間調整器を提供できる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態の群遅延時間調整器である。
この群遅延時間調整器は、入力側から入力された信号を出力側に伝送するための伝送線路1と、この伝送線路1に対して、直列に接続される誘導素子L1と、シャントに接続される可変容量素子C1、C2とを有している。可変容量素子C1、C2は、誘導素子L1を挟む位置に設けられている。可変容量素子C1、C2は同じ特性のものであり、電圧入力端子により外部から印加される電圧V1により同じ容量値を取るようになっている。当然、電圧V1が変化した場合には、可変容量素子C1、C2の容量値は、同じように変化する。
このような構成の群遅延時間調整器は、スミスチャート上で考察すると、特定の周波数においてそのインピーダンス値が“1”から出発して、元の“1”に戻るような誘導値及び容量値を選ぶことができる。この特定の周波数では、誘導素子L1、可変容量素子C1、C2により構成される共振回路の挿入損失が“0”となる。その前後の周波数では、インピーダンス値が“1”に戻らず、ミスマッチが生じて挿入損失が発生する。すなわちバンドパス特性になる。
誘導素子L1によるインピーダンス値を伝送線路1のインピーダンス値に近い値にしておき、可変容量素子C1、C2のサセプタンス値を伝送線路のサセプタンス値の前後の値にすると、スミスチャート上のインピーダンス値が特定の周波数で元の“1”に戻る。スミスチャートによる説明の詳細は後述する。
可変容量素子C1、C2のサセプタンス値を伝送線路1のサセプタンス値の前後で変動させても、その周波数における挿入損失は殆ど“0”である。しかし、負荷Qが変化するために、この周波数周辺の信号に対する群遅延時間を変えられることになる。可変容量素子C1、C2の容量値は等しくてよいので、容量値の変動を容易に行える。
図1の群遅延時間調整器において、誘導素子L1の誘導値が“79.58nH”、周波数100MHz+/−2MHzとすると、可変容量素子C1、C2の容量値が“28.6pF”のときに群遅延時間が“2.86ns”、容量値が“31.83pF”のときに群遅延時間が“3.15ns”になる。このときの挿入損失は、いずれも“0.002dB”以下である。周波数の範囲は、群遅延時間の許容範囲、挿入損失の許容範囲により決まる。
容量素子のインピーダンス値や誘導素子のインピーダンス値の絶対値が伝送線路インピーダンスに近いときの条件で、群遅延を計算すると、群遅延時間は容量素子のインピーダンス値に比例する。
第1実施形態の群遅延時間調整器の群遅延時間を数学的に解析する。図2は、説明のための回路図であり、図1の群遅延時間調整器に、負荷インピーダンス2及び電源出力インピーダンス3を付加した構成である。
伝送線路1、誘導素子L1、負荷インピーダンス2、電源出力インピーダンス3のインピーダンス値などはすべて“1”に正規化する。周波数も“1”に正規化する。また可変容量素子C1、C2のアドミッタンス値をjm(≒j1)とする。
負荷インピーダンス2にかかる電圧V2が“1”になるための電源電圧から逆算して電圧伝達関数を求める。
1)周波数が1+/-Δのとき、可変容量素子C2のアドミッタンスY(C)はjm(1+/-Δ)である。負荷インピーダンス2にかかる電圧V2が“1”であるので、負荷インピーダンス2に流れる電流及びそれに並列に接続される可変容量素子C2に流れる電流の合計電流I(Z2)は、
I(Z2)=1+jm(1+/-Δ)
で表される。ここでZ2は、負荷インピーダンス2と可変容量素子C2の合成インピーダンスを表す。
2)周波数が1+/-Δのとき、誘導素子L1のインピーダンスZ(L)はj(1+/-Δ)であり、誘導素子L1に流れる電流はI(Z2)であるから、可変容量素子C1に印加される電圧V1は、
V1=V2+Z(L)*I(Z2)
=1+j(1+/-Δ)*{1+jm(1+/-Δ)}
=1+j(1+/-Δ)−m(1+/-Δ)(1+/-Δ)
=1−m-/+2Δm+j(1+/-Δ)
+/-、-/+は周波数偏差+/-に従う
で表される。
3)可変容量素子C1に流れる電流I(C1)は、
I(C1)=V1*Y(C)
={1−m-/+2Δm+j(1+/-Δ)}*jm(1+/-Δ)
=−m(1+/-Δ)2+j(1−m-/+2Δm)m(1+/-Δ)
=−m-/+2Δm+jm{1−m+/-(1−3m)Δ}
で表される。
4)可変容量素子C1と誘導素子L1に流れる電流の合計I(Z1)は、
I(Z1)=I(Z2)+I(C1)
=1−m-/+2Δm+jm{2−m+/-(2−3m)Δ}
で表される。
5)電源出力インピーダンス3で発生する電圧は、電源出力インピーダンス3が正規化されているためにI(Z1)と等しい。そのために電源電圧Voは、
Vo=I(Z1)+V1
=2−2m-/+4Δm+j{1+2m−m2+/-(1+2m−3m2)Δ}
で表される。
このベクトルを−90度回転させたVo'は、
Vo'=(1+2m−m2+/-(1+2m−3m2)Δ)−2j(1−m-/+2Δm)
で表される。
伝達関数Hは2/Vo、GDは−d(∠H)/dωなので、
GD=−d(∠H)/dω
=d(∠Vo')/dΔ
∠Vo'=tan-1(2m−2+/-4Δm)/(1+2m−m2+/-(1+2m−3m2)Δ)
ここで、m≒1、Δ≪1とすると、
∠Vo'≒tan-1(−2(1−m-/+2Δm)/2)
と表される。よって、
∠Vo'=−(1−m−+/-2Δm)
GD=d(∠Vo')/dΔ
=+/-2m
となる。
以上の計算結果から、m≒1のとき、中心周波数付近のGDはmに比例する。すなわちこの群遅延時間調整器の群遅延時間は、可変容量素子C1、C2の容量値に比例する。
上記の解析では周波数を正規化しているが、例えば、m=1、周波数が100MHzのときには、ω=628Mr/sであり、群遅延時間はGD=2/ω=3.18nsになる。
図3は、本発明の第2実施形態の群遅延時間調整器である。
この群遅延時間調整器は、入力側から入力された信号を出力側に伝送するための伝送線路1と、この伝送線路1に対して、直列に接続される容量素子C3と、シャントに接続される可変誘導素子L2、L3とを有している。可変誘導素子L2、L3は、容量素子C3を挟む位置に設けられている。可変誘導素子L2、L3は同じ特性のものであり、電圧入力端子により外部から印加される電圧V1により同じ誘導値を取るようになっている。当然、電圧V1が変化した場合には、可変誘導素子L2、L3の誘導値は、同じように変化する。
図4は、本発明の第3実施形態の群遅延時間調整器である。
この群遅延時間調整器は、入力側から入力された信号を出力側に伝送するための伝送線路1と、この伝送線路1に対して、直列に接続される可変容量素子C4、C5と、シャントに接続される誘導素子L4とを有している。誘導素子L4は、可変容量素子C4、C5の間に設けられている。可変容量素子C4、C5は同じ特性のものであり、電圧入力端子により外部から印加される電圧V1により同じ容量値を取るようになっている。当然、電圧V1が変化した場合には、可変容量素子C4、C5の容量値は、同じように変化する。
図5は、本発明の第4実施形態の群遅延時間調整器である。
この群遅延時間調整器は、入力側から入力された信号を出力側に伝送するための伝送線路1と、この伝送線路1に対して、直列に接続される可変誘導素子L5、L6と、シャントに接続される容量素子C6とを有している。容量素子C6は、可変誘導素子L5、L6の間に設けられている。可変誘導素子L5、L6は同じ特性のものであり、電圧入力端子により外部から印加される電圧V1により同じ誘導値を取るようになっている。当然、電圧V1が変化した場合には、可変誘導素子L5、L6の誘導値は、同じように変化する。
第2〜第4実施形態の群遅延時間調整器については、具体的な数値についての説明を省略するが、第1実施形態の群遅延時間調整器とは虚数の極性が逆になるのみで、2個可変誘導素子の誘導値又は2個の可変容量素子の容量値を、常に同じ値とすることができるので、挿入損失は殆ど変わらず、群遅延時間のみの変化を得ることができる。
本実施形態の群遅延時間調整器の周波数特性について、図6、7のスミスチャートを用いて説明する。
図6は、第1実施形態の群遅延時間調整器のA〜D点で負荷(出力)側を見たインピーダンス値を、スミスチャート上にプロットしたものである。図6において、A点から負荷(出力)側を見たインピーダンスはスミスチャート上中央にある。
B点はA点に可変容量素子C2のアドミッタンスが加わったときの点である。周波数が高いときには、可変容量素子C2のアドミッタンスも大きくなるので、定コンダクタ円でB点よりもスミスチャートの中心から遠くまで進み、周波数が低いときには定コンダクタ円でB点よりもスミスチャートの中心に近くにしか進まない。
C点は、B点に誘導素子L1のアドミッタンスが加わったときの点である。周波数が高いときには、誘導素子L1のインピーダンスも大きくなるので、定抵抗円でC点よりもスミスチャートの中心から遠くまで進み、周波数が低いときには定抵抗円でC点よりもスミスチャートの中心に近くにしか進まない。
D点は、C点に可変容量素子C1のアドミッタンスが加わったときの点である。周波数が高いときには定コンダクタ円上を大きく進むので、最初の可変容量素子C2で大きく進んだ分を取り戻し、チャートの実軸上にくる。そのインピーダンスは“1”より大きくなる。周波数が低いときはインピーダンスは“1”より小さくなる。
この回路をもう一度通すと、周波数特性が元に戻る。よって例えば一定値以下の挿入損失のときに周波数範囲(バンド幅)が広がる。
図7は、第4実施形態の群遅延時間調整器のA、E〜G点で負荷(出力)側を見たインピーダンス値を、スミスチャート上にプロットしたものである。
図7においても図6と同様に、可変誘導素子L5、L6、容量素子C6によるインピーダンス変化をA点、E点、F点、G点で表す。その結果、その周波数特性は周波数が高いときインピーダンスが1より小さいところにきて、低いときは1より大きいところにくる。この回路も図6と同様にもう一度通すと、周波数特性が元に戻り、周波数範囲が広がる。
この図6、7の両者の周波数特性は逆であるから、それぞれ2段を縦続接続すると更に補い合うので、使用可能な周波数範囲が広がる。
可変容量素子C1、C2、C4、C5には、いわゆるバリキャップが使用でき、可変誘導素子L2、L3、L5、L6には、外部磁界の変化により透磁率の変わるコアに巻いたコイルを使用できる。これにより、容易に、電気的に可変容量素子C1、C2、C4、C5の容量値、可変誘導素子L2、L3、L5、L6の誘導値を変化させることができる。
以上のような第1〜第4実施形態の群遅延時間調整器を、多段接続するようにしてもよい。これにより、同じ周波数帯域で遅延量を大きくすることができる。また、周波数特性を補うことが可能になる。さらに、広帯域の群遅延時間を可変にすることができる。多段接続する際には、各群遅延時間調整器の間に減衰器やアイソレータを挿入することにより、所望の特性を得ることも可能である。
第1実施形態の群遅延時間調整器の回路図。 第1実施形態の群遅延時間調整器を数学的に解析するための説明図。 第2実施形態の群遅延時間調整器の回路図。 第3実施形態の群遅延時間調整器の回路図。 第4実施形態の群遅延時間調整器の回路図。 第1実施形態の群遅延時間調整器のスミスチャートの例示図。 第4実施形態の群遅延時間調整器のスミスチャートの例示図。
符号の説明
1 伝送線路
2 負荷インピーダンス
3 電源出力インピーダンス
C1、C2、C4、C5 可変容量素子
C3、C6 容量素子
L1、L4 誘導素子
L2、L3、L5、L6 可変誘導素子

Claims (4)

  1. 所定の信号が伝送され、リアクタンス値が固定された第1素子、及び印加される電圧の電圧値に応じてリアクタンス値が変化する2個の第2素子が、直列又はシャントに接続される伝送線路と、
    前記2個の第2素子に同じ電圧を供給するための電圧入力端子とを有し、
    この電圧入力端子から供給される電圧の電圧値に応じて定まる前記2個の第2素子のリアクタンス値により、前記第1素子及び前記2個の第2素子により構成される共振回路で、入力損失を所定値以下に保ちつつ負荷Qが変化し、これにより前記伝送線路を通過する信号の群遅延時間が変化するように構成されている、
    群遅延時間調整器。
  2. 前記伝送線路に対して前記第1素子が直列に接続されるとともに、前記2個の第2素子が、前記第1素子を挟む位置で前記伝送線路に対してシャントに接続される、
    請求項1記載の群遅延時間調整器。
  3. 前記伝送線路に対して前記2個の第2素子が直列に接続されるとともに、前記第1素子が、前記2個の第2素子の間にシャントに接続される、
    請求項1記載の群遅延時間調整器。
  4. 所定の信号が伝送され、リアクタンス値が固定された第1素子、及び印加される電圧の電圧値に応じてリアクタンス値が変化する2個の第2素子が、直列又はシャントに接続される伝送線路と、前記2個の第2素子に同じ電圧を供給するための電圧入力端子とを有する群遅延時間調整手段が、前記伝送線路が直列になるように複数接続されており、
    各群遅延時間調整手段は、前記電圧入力端子から供給される電圧の電圧値に応じて定まる前記2個の第2素子のリアクタンス値により、前記第1素子及び前記2個の第2素子により構成される共振回路で、入力損失を所定値以下に保ちつつ負荷Qが変化し、これにより前記伝送線路を通過する信号の群遅延時間が変化するように構成されている、
    群遅延時間調整器。
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