JP2005017761A - Optical waveguide and method for manufacturing optical waveguide - Google Patents

Optical waveguide and method for manufacturing optical waveguide Download PDF

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JP2005017761A JP2003183179A JP2003183179A JP2005017761A JP 2005017761 A JP2005017761 A JP 2005017761A JP 2003183179 A JP2003183179 A JP 2003183179A JP 2003183179 A JP2003183179 A JP 2003183179A JP 2005017761 A JP2005017761 A JP 2005017761A
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直樹 花島
Reio Mochida
励雄 持田
Toru Oikawa
亨 及川
Toru Kineri
透 木練
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical waveguide which is exactly controlled in the position of a core in relation to a rod of a clad and a method for manufacturing the optical waveguide. <P>SOLUTION: A wafer of the optical waveguide includes the core 212 and the clad 218 having a level difference positioned in relation to the core 212 and has a mark 206 for recognizing the position of the core. Also, the method for manufacturing the optical waveguide includes a step of forming the core 212 on the lower clad 202, a step of covering substantially the entire surface of the core 212 with the upper clad 203, a step of providing the wafer with the mark 206 for recognizing the position of the core 212 and a step of providing the upper clad 203 or both of the upper clad 203 and the lower clad 202 or both the clads and the substrate 201 with level differences. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路および光導波路の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報伝送の高速化・大容量化を達成すべく、光通信が幅広く利用されている。光通信においては、目的とする波長の光を抽出したり、複数の異なる波長の光を合波する必要があるため、光導波路の所定の部分には波長選択性を持った光フィルタが適宜挿入される。
【0003】
図6は、光導波路の一種である光ファイバを接続するフェルールを示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すD−D線に沿った断面図である。図6(a)、(b)に示すように、フェルール10は2本の光ファイバ11、12を接続するために用いられ、その接続部分には溝10aが設けられている。また、光ファイバ11は、コア11aとこれを覆うクラッド11bからなるファイバ素線11cとこれを覆うファイバ被覆11dからなり、同様に、光ファイバ12は、コア12aとこれを覆うクラッド12bからなるファイバ素線12cとこれを覆うファイバ被覆12dからなる。光ファイバ11、12は、フェルール10の内部においてそれぞれファイバ被覆11d、12dが除去されてファイバ素線11c、12cが露出した状態とされており、ファイバ素線11cは溝10aの一方の側壁部分において終端し、ファイバ素線12cは溝10aの他方の側壁部分において終端している。つまり、ファイバ素線11cの終端面とファイバ素線12cの終端面は、フェルール10に設けられた溝10aを介して対向した状態となっている。
【0004】
図7は、図6に示すフェルール10に光フィルタを装着した状態を示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すE−E線に沿った断面図である。図7(a)、(b)に示すように、フェルール10に設けられた溝10aに光フィルタ30を挿入すると、光ファイバ11、12の一方より伝搬した光は、光フィルタ30の特性に応じてフィルタリングされ、光ファイバ11、12の他方へ伝搬する。これにより、目的とする波長の光を抽出することが可能となる。
【0005】
図8は、光導波路の一種である導波路埋め込み型光回路を示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すF−F線に沿った断面図である。図8(a)、(b)に示すように、導波路埋込型光回路20は、基板21と、基板21上に設けられたクラッド22と、クラッド22の内部に設けられたコア23とを備えており、クラッド22およびコア23は、溝24によってクラッド22aおよびコア23aからなる部分とクラッド22bおよびコア23bからなる部分に分断されている。したがって、コア23aは溝24の一方の側壁部分において終端し、コア23bは溝24の他方の側壁部分において終端している。つまり、コア23aの終端面とコア23bの終端面は溝24を介して対向した状態となっている。
【0006】
図9は、図8に示す導波路埋込型光回路20に光フィルタを挿入した状態を示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すG−G線に沿った断面図である。図20(a)、(b)に示すように、クラッド22に設けられた溝24に光フィルタ30を挿入すると、コア23a、23bの一方より伝搬した光は、光フィルタ30の特性に応じてフィルタリングされ、コア23a、23bの他方へ伝搬する。これにより、目的とする波長の光を抽出することが可能となる。
【0007】
分断された光導波路を光が伝搬する場合、分断された部分において主に回折現象に起因する損失が発生する。図10はこれを説明するための図であり、コア41aおよびクラッド41bからなる光導波路41からコア42aおよびクラッド42bからなる光導波路42へギャップを介して光40が伝搬する様子を、コア径が小さい場合(a)とコア径が大きい場合(b)とに分けて模式的に示している。図10(a)、(b)に示すように、光導波路41より出射する光は回折現象によって広がるため、ギャップ幅dが大きいほど回折損失は増大する。一方、図10(a)と図10(b)とを対比すれば明らかなように、回折現象はビームスポット径が小さいほど顕著となるため、回折損失を低減するためには、ギャップ幅dを狭くするとともにビームスポット径を大きくすればよい。
【0008】
このため、フェルールを用いて2本の光ファイバを接続する場合、終端部においてコア径が局所的に拡大されたTEC(Thermally Expanded Core)ファイバを用いることによってスポットサイズ変換すれば、回折現象に起因する損失を低減することができる。TECファイバにおけるコアの拡大は、広く知られているようにマイクロバーナやヒータなどによる加熱によって行われる(特許2693649号)。
【0009】
【特許文献】
特許2693649号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図8および図9に示したような導波路埋込型光回路は、光ファイバに比べて熱容量が非常に大きいことから、TECファイバのように、加熱によってコア径を局所的に拡大することは困難である。このため、この種の光導波路においては、光フィルタが挿入される溝部において回折現象に起因する損失が大きいという問題があった。
【0011】
この問題を解決するため、本発明者等は、特願2002―295334において、新規なスポットサイズ変換素子およびこれを用いた導波路埋込型光回路を提案した。
【0012】
図11(a)は導波路埋込型光回路の一実施態様である導波路埋込型光回路100を一方向から見た略斜視図であり、図11(b)は導波路埋込型光回路100を逆方向から見た略斜視図である。
【0013】
図11に示すように、この実施態様の導波路埋込型光回路100は、基板101と、下部クラッド102−1〜102−6と、上部クラッド103−1〜103−6と、コア104−1および104−2と、光学樹脂層105−1および105−2(これらをまとめて光学樹脂層105と呼ぶことがある)とを備えている。下部クラッド102−1〜102−3、上部クラッド103−1〜103−3、コア104−1および光学樹脂層105−1からなる部分と、下部クラッド102−4〜102−6、上部クラッド103−4〜103−6、コア104−2および光学樹脂層105―2からなる部分とは、溝106によって分断されている。つまり、溝106は基板101に達し、基板101が露出している。
【0014】
コア104−1、104−2の屈折率は下部クラッド102−1〜102−6および上部クラッド103−1〜103−6の屈折率よりわずかに大きく、下部クラッド102−1〜102−6および上部クラッド103−1〜103−6の屈折率は光学樹脂層105の屈折率よりわずかに大きい。
【0015】
図11(c)は図11(a)に示すA−A線に沿った断面図、図11(d)は図11(a)に示すB−B線に沿った断面図である。図11(c)および図11(d)に示すように、コア104―1、104−2は、端面から一定の距離においてその幅(図11(c)における上下方向の長さ)が実質的に一定に設定され、その後、溝106に向かうにつれて先端部分が徐々に細くなるテーパ形状を有している。このため、溝106の近傍部分においては下部クラッド102−2、102−5と上部クラッド103−2、103−5との間にはコア104―1、104−2は存在せず、両者は直接積層された状態となっている(図11(a)および(b)参照)。
【0016】
本発明においては、コア104−1、104−2の幅が実質的に一定に設定されている区間における光導波路を「第1の光導波路」、コア104−1、104−2が設けられていない区間における光導波路を「第2の光導波路」、溝106に向かうにつれてコア104−1、104−2の幅が徐々に細くなる区間における光導波路を「遷移導波路」と呼ぶ。
【0017】
次に、この実施態様の導波路埋込型光回路100の製造工程について説明する。
【0018】
まず、所定の面積を有する基板101を用意し、その一方の面に下部クラッド層およびコア層をこの順に成膜する。
【0019】
次に、コア層をパターニングして、コア104−1、104−2を形成する。コア104−1、104−2の形状については上述の通りであり、幅が一定である部分と幅が徐々に細くなるテーパ部分とを備えた形状にパターニングされる。
【0020】
次に、上部クラッド層を全面に成膜する。
【0021】
次に、下部クラッド層および上部クラッド層の積層体(一部にコア104−1、104−2を含む)をパターニングして、中央の棒状体(102−2、103−2、102−5、103−5)と2本の棒状体(102−1、103−1、102−4、103−4)および(102−3、103−3、102−6、103−6)を形成する。ここで、中央の棒状体は、第1の光導波路として用いられるとともに第2の光導波路のコア(第2のコア)として用いられることから、その寸法形状および棒状体中のコア104−1、104−2の位置については正確に制御する必要がある。
【0022】
そして、中央の棒状体を覆うように両側の棒状体間に光学樹脂層105を充填し、これを硬化させた後、溝106を形成する。
【0023】
以上により、この実施態様の導波路埋込型光回路100が完成する。
【0024】
ここで、下部クラッド層および上部クラッド層の積層体をパターニングして棒状体を形成する方法としては、上部クラッド層の面上にマスク膜を成膜し、次にマスク膜の面上にフォトレジストを塗布し、3本の棒状体に対応する部分のみのフォトレジストを露光してエッチングパターンを形成した後、このエッチングパターンを用いてマスク膜をパターニングし、このマスク膜を用いて下部クラッド層および上部クラッド層の積層体の不要部分をドライエッチングにより除去することが好ましい。
【0025】
特願2002−295334の発明は、回折現象に起因する損失が大きいという問題を解決するものであったが、さらなる改善のためには棒状体に対するコアの位置を正確に制御する必要がある。すなわち、中央の棒状体は、第1の光導波路として用いられるとともに第2の光導波路のコア(第2のコア)として用いられることから、その寸法形状および棒状体中のコア104−1、104−2の位置については正確に制御する必要がある。上述の工程では、棒状体に対応するフォトレジストのエッチングパターンを形成する際に、コア104−1、104−2によって生じる上部クラッド層の凸部により、コア104−1、104−2の位置を認識していたが、この上部クラッド層の凸部は見えにくい場合があり、フォトレジストのエッチングパターンに対するコア104−1、104−2の相対位置を正確に制御できないことがあった。したがって、フォトレジストを用いてパターニングした棒状体とコア104−1、104−2の相対位置を正確に制御できず、棒状体によりスポットサイズを変換されたビームの形状が歪んで損失が増大する場合があった。
【0026】
また、「2002年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 C−3−35」の隣接するコアの間のクラッドに段差、すなわち溝を設けるなどの場合においても、コアを囲むクラッドの棒状体とコアの位置を正確に制御する必要がある。図12は上記「C−3−35」の構造図である。ここで、図12に示された「Under cladding」、「Core」および「Over cladding」が棒状体に相当する。
【0027】
よって、本発明の目的は、クラッドの棒状体に対してコアの位置を正確に制御した光導波路および光導波路の製造方法を提供することである。
【0028】
【課題を解決するための手段】
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、スポットサイズ変換導波路に対する本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【0030】
図1は本発明の好ましい実施態様であるスポットサイズ変換導波路の第1の製造方法を示した図である。簡単のため、棒状体は1本のみ表してある。まず、所定の面積を有する石英ガラス製の基板201を用意し(図1(a))、基板上に複数のコアマーク206を形成する(図1(b))。
【0031】
図3はコアマーク206を基板201の上方から見た図である。コアマーク206の形態としては特に限定されるものではないが、本実施態様ではコアマーク206は一辺20μmの4つの正方形が10μm間隔の十字型を形成し格子状に整列した形状となっている。コアマークの膜厚についても、視認性や製造しやすさを考慮して任意に設定可能である。また、基板上の位置や数についても、フォトマスクとの位置合わせを適切に行うことができるように、適宜設定可能である。
【0032】
コアマーク206の形成方法としては特に限定されるものではないが、基板201の一方の面にコアマーク膜を形成した後、このコアマーク膜の面上にポジ型フォトレジストを塗布し、コアマーク206に対応する部分以外のフォトレジストを露光してエッチングパターンを形成し、このエッチングパターンを用いてコアマーク膜の不要部分をドライエッチングにより除去することが好ましい。ここで、コアマーク膜の材質・成膜方法としては特に限定されるものではないが、例えば、WSi、Cr、Au、Ptなどの材質をスパッタリング法、真空蒸着法などで成膜することが好ましい。また、基板をエッチングなどで直接加工して、コアマーク206を形成するなどしてもよい。
【0033】
次に、コアマーク206を有する基板の一方の面に下部クラッド層202およびコア層204をこの順に成膜する(図1(c))。下部クラッド層202およびコア層204の成膜方法としては特に限定されるものではないが、下部クラッド層202およびコア層204の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法、例えば、CVD法、スパッタリング法、真空蒸着法、FHD(Flame Hydrosis Deposition)法や塗布法などを用いることが好ましく、下部クラッド層202およびコア層204の材料として石英系ガラスを用いる場合には、生産性・膜質の観点からCVD法またはFHD法を用いることが特に好ましく、下部クラッド層202およびコア層204の材料としてポリマーを用いる場合には、簡便性の観点から塗布法を用いることが特に好ましい。
【0034】
次に、コア層204上に、コア212のパターニングのためのコアマスク膜207を成膜する(図1(d))。コアマスク膜207を成膜するときは、コアマーク206の上方部分の下部クラッド層202を治具などで覆って、成膜後のコアマスク膜207がコアマーク206の視認性を妨げないようにする。
【0035】
コアマーク206と同様、コアマスク膜207の材質・成膜方法としては特に限定されるものではないが、例えば、WSi、Cr、Au、Ptなどの材質をスパッタリング法、真空蒸着法などで成膜することが好ましい。
【0036】
次に、コアマスク膜207上にフォトレジスト208を塗布し、フォトマスク209を用いて、コア形状に対応する部分以外のフォトレジスト208を露光する(図1(e))。その際には、基板上に設けたコアマーク206と、そのコアマーク206に対応してフォトマスク209に設けたマスクマーク210の位置を合わせた後、光を照射してコアマスク211に対応する部分以外のフォトレジスト208を露光する。このフォトマスク209は石英ガラス基板上にCrのコアマスク211のパターン219およびマスクマーク210を有したものであり、コアマスク211のパターンはマスクマーク210に対して正確に位置を制御されている。
【0037】
図4はフォトマスク209を上方から見た図である。中央付近にはスポットサイズ変換光導波路のコアのパターン219を有し、端部にマスクマーク210を有している。マスクマーク210の形態としては特に限定されるものではなく、コアマーク206と対応した形状であればよいが、本実施態様ではマスクマーク210は幅6μmで一辺46μmの十字型となっている。したがって、コアマーク206の幅10μmの十字型にマスクマーク210の幅6μmの十字型を合わせれば、基板に対するフォトマスク209の位置を正確に合わせることができる。
【0038】
次に、フォトレジストを用いてコアマスク膜207の不要な部分をエッチングにより除去し、コアマスク211を形成する(図1(f))。
【0039】
次に、コアマスク211を用いてコア212をパターニングする(図1(g))。コア212は、その幅が一定である部分と幅が徐々に細くなるテーパ部分とを備えた形状を有している。ここで、コア212のパターニングの方法としては、特に限定されるものではないが、コア層204の不要部分をドライエッチングにより除去することが好ましい。
【0040】
次に、コア212の上部に残存したコアマスク211をエッチングなどにより除去した後、上部クラッド層203を全面に成膜する(図1(h))。上部クラッド層203の成膜方法としては特に限定されるものではないが、下部クラッド層202およびコア層204と同様、上部クラッド層203の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法や塗布法などを用いることが好ましく、上部クラッド層203の材料として石英系ガラスを用いる場合には、上述の通りCVD法またはFHD法を用いることが特に好ましく、上部クラッド層203の材料としてポリマーを用いる場合には、上述の通り塗布法を用いることが特に好ましい。
【0041】
次に、上部クラッド層203上に、棒状体218のパターニングのための棒状体マスク膜213を成膜する(図1(i))。このとき、棒状体マスク膜213成膜後のコアマーク206の視認性を確保するため、コアマーク206上方部分の上部クラッド層203を治具などで覆うなどして成膜を行う。
【0042】
コアマーク206と同様、棒状体マスク膜213の材質・成膜方法としては特に限定されるものではないが、例えば、WSi、Cr、Au、Ptなどの材質をスパッタリング法、真空蒸着法などで成膜することが好ましい。
【0043】
次に、棒状体マスク膜213上にポジ型フォトレジスト214を塗布し、フォトマスク215を用いて、棒状体マスク217に対応する部分以外のフォトレジスト214を露光する(図1(j))。その際には、基板上に設けたコアマーク206と、そのコアマーク206に対応してフォトマスク215に設けたマスクマーク216の位置を合わせた後、光を照射して棒状体マスク217に対応するフォトレジスト214を硬化させる。このフォトマスク215は石英ガラス基板上にCrの棒状体マスク217のパターンおよびマスクマーク216を有したものであり、棒状体マスク217のパターンはマスクマーク216に対して正確に位置を制御されている。このように基板201とフォトマスク215の位置を合わせることによって、コアマーク206に対する位置を正確に制御した棒状体マスク217を形成することができる(図1(k))。
【0044】
マスクマーク210と同様、マスクマーク216の形態としては特に限定されるものではなく、コアマーク206と対応した形状であればよく、例えば、図4に示したマスクマーク210と同じ形状でもよい。
【0045】
次に、棒状体マスク217を用いて棒状体218をパターニングする(図1(l))。ここで、棒状体218のパターニングの方法としては、特に限定されるものではないが、上部クラッド203および下部クラッド202の不要部分をドライエッチングにより除去して、クラッドに段差を形成することが好ましい。ここで、図1には、上部クラッドおよび下部クラッドの双方を除去して段差を形成した例であるが、必要に応じて、上部クラッドの一部を除去したり、基板の一部までまで除去するなど段差の形成の仕方は適宜選択可能である。
【0046】
そして、棒状体218の上部に残存した棒状体マスク217をエッチングなどにより除去した後、棒状体218を覆うように光学樹脂層205を形成し(図1(m))、これを硬化させる。以上のようにして、スポットサイズ変換素子のウエハーを作製できる。
【0047】
その後、図11に示すような溝を形成する。溝の形成方法としては特に限定されるものではないが、ダイシングにより加工することが好ましい。また、コア211などのパターニングと同様、光学樹脂層205,上部クラッド層203および下部クラッド層202をドライエッチングにより除去してもよい。
【0048】
以上説明したように、本発明の第1の製造方法によれば、コアマーク206に対する位置を正確に制御した棒状体マスク217を形成することができるので、コア212と棒状体218の相対位置を正確に制御でき、ビーム形状の歪みが少なく、低損失のスポットサイズ変換導波路を作製することができる。
【0049】
図2は本発明の好ましい実施態様であるスポットサイズ変換導波路の第2の製造方法を示した図である。簡単のため、棒状体は1本のみ表してある。第2の製造方法は、コア311をパターニングするためのコアマスク310とコアマーク306を同時に形成する点で、第1の製造方法と異なる。
【0050】
以下、第1の製造方法と異なる点を中心に第2の製造方法を図を参照して説明する。
【0051】
まず、所定の面積を有する石英ガラス製の基板301を用意し(図2(a))、基板の一方の面に下部クラッド層302およびコア層304をこの順に成膜する(図2(b))。
【0052】
次に、コア層304上に、コア311のパターニングのためのコアマスク膜307を成膜する(図2(c))。
【0053】
次に、コアマスク膜307上にポジ型フォトレジスト308を塗布し、フォトマスク309を用いて、コアマスク310およびコアマーク306に対応する部分以外のフォトレジスト308を露光する(図2(d))。このフォトマスク309は石英ガラス基板上にCrのコアマスク310のパターンおよびコアマーク306を有したものであり、コアマスク310のパターンはコアマーク306に対して正確に位置を制御されている。
【0054】
コアマーク306の形態としては特に限定されるものではないが、例えば、上述の第1の製造方法と同様の形状でもよい。
【0055】
次に、フォトレジストを用いてコアマスク膜307の不要な部分をエッチングにより除去する(図2(e))。このように、コア311をパターニングするためのコアマスク310とコアマーク306を同時に形成すれば、第1の製造方法のようにコアマスク310とコアマーク306の相対位置を特に合わせることなく、フォトマスク309により正確に制御することができる。
次に、不要なフォトレジストを除去した後、コアマスク310を用いてコア311をパターニングする(図2(f))。
【0056】
次に、コアマーク306を残したまま、コア311の上部に残存したコアマスク310をエッチングなどにより除去する(図2(g))。その際には、コアマーク306のみを保護するようにフォトレジストを形成すればよいので、フォトレジスト形成時に必要なフォトマスク精度は緩くてもよい。
【0057】
次に、上部クラッド層303を全面に成膜する(図2(h))。
【0058】
次に、上部クラッド層303上に、棒状体317のパターニングのための棒状体マスク膜312を成膜する(図2(i))。このとき、棒状体マスク膜312成膜後のコアマーク306の視認性を確保するため、コアマーク306上方部分の上部クラッド層303を治具などで覆うなどして成膜を行う。
【0059】
次に、棒状体マスク膜312上にフォトレジスト313を塗布し、棒状体317に対応する部分以外のフォトレジスト313を露光する(図2(j))。その際には、基板上に設けたコアマーク306と、そのコアマーク306に対応してフォトマスク314に設けたマスクマーク315の位置を合わせた後、光を照射して棒状体317に対応するフォトレジスト313を露光する。このフォトマスク314は石英ガラス基板上にCrの棒状体317のパターンおよびマスクマーク315を有したものであり、棒状体317のパターンはマスクマーク315に対して正確に位置を制御されている。不要なフォトレジストをエッチングにより除去すれば、コアマーク306に対する位置を正確に制御した棒状体マスク316を形成することができる(図2(k))。
【0060】
次に、棒状体マスク316を用いて棒状体317をエッチングなどによりパターニングする(図2(l))。
【0061】
そして、棒状体317の上部に残存した棒状体マスク316をエッチングなどにより除去した後、棒状体317を覆うように光学樹脂層305を形成し(図2(m))、これを硬化させる。以上のようにして、スポットサイズ変換素子のウエハーを作製できる。その後、図11に示すような溝を形成する。
【0062】
第2の製造方法によれば、コア311をパターニングするためのコアマスク310とコアマーク306を同時に形成するので、第1の製造方法のようにコアマスク310とコアマーク306の相対位置を特に合わせることなく、フォトマスク309により正確に制御することができ、工程を簡略化するとともに、製造歩留まりを向上することができる。また、スポットサイズ変換素子中に金属などのマスク膜を残存させないことが可能なので、金属とガラスなどの界面で生じるクラックなどを予防できる。
【0063】
以上のような方法により、スポットサイズ変換光導波路を作製することができる。本実施態様の光導波路の製造方法は、これに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されることはいうまでもない。
【0064】
例えば、上記実施態様においては、第1の光導波路に対応する部分にも光学樹脂層が設けられているが、光学樹脂層は第2の光導波路のクラッドとして機能することから、第1の光導波路に対応する部分においては光学樹脂層を省略しても構わない。また、第2のクラッドとしても光学樹脂層を用いる必要はなく、下部クラッド層および上部クラッド層と屈折率が異なっている限り、他の材料を用いても構わない。
【0065】
また、コアマークの位置は、第1の製造方法のような基板上や第2の製造方法のようなコア層上に限らず、例えば、基板に対してクラッド層やコア層の裏側や下部クラッド層上や下部クラッド層の内部、またはコアを認識できる範囲の上部クラッド層の内部でもよい。
【0066】
また、石英ガラス製の基板の代わりに、例えば、熱酸化法によりSi基板の表面にSiO層を形成したものや、Si基板上にSiOを成膜したものなどを用いてもよい。下部クラッドより屈折率が小さくなる限りにおいて、BやPなどを添加したSiOなどを成膜してもよい。
【0067】
また、コアマークの形状、寸法および位置などは、例えば一辺10μm程度の正方形や十字型など、コアマークとフォトマスクの位置合わせをしやすいように任意に選択可能である。
【0068】
また、スポットサイズ変換光導波路に限らず、コアを囲むクラッドの棒状体とコアの位置を正確に制御する必要がある光導波路に適用することができる。すなわち、図12に示した「2002年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 C−3−35」のような棒状体を形成する際、クラッドに段差(この場合、断熱溝)を形成する位置を、コアに対して合わせる必要があるが、そのような場合にも、本発明を適用することが可能である。
【0069】
また、クラッドの段差は上述のようにコアにほぼ平行してるものに限らず、例えば、フィルタを埋め込む場合のようにコアを横断する方向であったり、コアに対して斜め方向であってもよい。
【0070】
【実施例】
[実施例1]
上記実施態様の光導波路の第1の製造方法により、φ3インチの石英ガラス基板の中央部には多数のスポットサイズ変換導波路のパターンを有し、外周部近傍には一辺20μmの4つの正方形が10μm間隔の十字型を形成し格子状に整列した形状のコアマークを有する光導波路ウエハーを作製し、スポットサイズ変換導波路を作製した。
【0071】
コア212(第1のコア)の材料としては、Geを添加したSiOガラス(屈折率:1.4558)を用い、下部クラッド202および上部クラッド203(第1のクラッド=第2のコア)の材料としてはBPSG(BとPを添加したSiOガラス、屈折率:1.4501)を用い、光学樹脂層205(第2のクラッド)の材料としては光学接着剤(屈折率:1.4437)を用いた。
【0072】
また、コア212(第1のコア)のサイズとしては、第1の光導波路に対応する部分の長さを200μm、第1の光導波路に対応する部分の高さ及び幅をいずれも7μmに設定し、遷移導波路に対応するテーパ部分の長さxを1000μmに設定し、テーパ部分の先端の幅xを0.4μmに設定した。
【0073】
また、下部クラッド202及び上部クラッド203からなる棒状体(第1のクラッド=第2のコア)については、長さを2400μm、高さを35μm、幅を34μmに設定した。このうち、第1のコアであるコア212の高さ及び幅が一定に設定されている200μmの区間(第1の光導波路に対応する部分)については第1のクラッドとして機能し、コア212が存在しない1200μmの区間(第2の光導波路に対応する部分)については第2のコアとして機能する。また、コア212がテーパ形状となっている1000μmの区間(遷移導波路に対応する部分)については、第1のクラッドとしての機能から第2のコアとしての機能へ徐々に変化する。
【0074】
具体的には次のような工程でスポットサイズ変換光導波路を作製した。
【0075】
まず、φ3インチで厚さ1mmの石英ガラス製の基板201上に膜厚0.2μmのWSiをスパッタリング法により成膜し、一辺20μmの4つの正方形が10μm間隔の十字型を形成し格子状に整列した形状のコアマーク206を、基板201の外周近傍に中心に対して90度の間隔で4個形成した。次に、コアマーク206を有する基板201上に膜厚14μmのBPSGをCVD法により成膜して下部クラッド層202を形成後、その上にGeを添加したSiOガラスをCVD法により7μmの膜厚で成膜してコア層204を形成した。次に、コアマーク206の視認性を確保するためにコアマーク206の上部を治具で保護して、コアマスク膜207であるWSiを1μmの膜厚でスパッタリング法により成膜した後、フォトレジスト208を塗布した。次に、コアマーク206と対応して幅6μmで一辺46μmの十字型のマスクマーク210をコアマーク206と対応する位置に有し、中央部にはコアマスク211のパターン219を有するフォトマスク209を用いて、フォトマスク209に設けたマスクマーク210とコアマーク206の位置を合わせた後、光を照射してコアマスク211の部分のフォトレジストを硬化させた。次に、エッチングによりコアマスク211の部分のWSi膜だけを残して、不要な部分を除去した後、コア層204をエッチングして、高さ及び幅が7μmのコア212を形成した。次に、コア212の上部に残ったWSiを除去した後、膜厚21μmのBPSGをCVD法により成膜して上部クラッド層203を形成した。次に、コアマーク206の視認性を確保するためにコアマーク206の上部に位置するBPSGを治具で保護して、膜厚2μmのWSiをスパッタリング法により成膜した後、フォトレジスト214を塗布した。次に、コアマーク206と対応して幅6μmで一辺46μmの十字型のマスクマーク216をコアマーク206と対応する位置に有し、中央部には棒状体マスク217のパターンを有するフォトマスク215を用いて、フォトマスク215に設けたマスクマーク216とコアマーク206の位置を合わせた後、光を照射して棒状体マスク217の部分のフォトレジストを硬化させた。次に、エッチングにより棒状体マスク217の部分のWSi膜だけを残して、不要な部分を除去した後、上部クラッド層203および下部クラッド層202をエッチングして、高さ35μm、幅34μmの棒状体218を形成した。次に、棒状体218の上部に残ったWSiを除去した後、厚さが0.1mm程度の光学接着剤2を塗布して光学樹脂層205を形成した。
【0076】
このような構造を有するスポットサイズ変換光導波路に対し、第1の光導波路側から図5(a)に示す光電界モード分布(スポットサイズ=約10μm)を有する光を入射し、第2の光導波路側から出射する光の光電界モード分布を測定した。その結果、第2の光導波路側から出射する光の光電界モード分布は、図5(b)に示す通りになった。図5(b)に示すように、第2の光導波路から出射する光のスポットサイズは約28μmであり、2.8倍に拡大されていることが確認された。
【0077】
[実施例2]
上記実施態様のスポットサイズ変換光導波路の第2の製造方法により、φ3インチの石英ガラス基板301の中央部には多数のスポットサイズ変換導波路のパターンを有し、外周部近傍には一辺20μmの4つの正方形が10μm間隔の十字型を形成し格子状に整列した形状のコアマークを有する光導波路ウエハーを作製し、スポットサイズ変換導波路を作製した。
【0078】
実施例2に含まれるスポットサイズ変換光導波路は、実施例1のそれと同じ材料・サイズからなる。
【0079】
φ3インチで厚さ1mmの石英ガラス製の基板301上に膜厚14μmのBPSGをCVD法により成膜して下部クラッド層302を形成し、その上にGeを添加したSiOガラスをCVD法により7μmの膜厚で成膜してコア層304を形成した。次に、コアマスク層307であるWSiを1μmの厚さでスパッタリング法により成膜し、フォトレジスト308を塗布した。次に、一辺20μmの4つの正方形が6μm間隔の十字型を形成し格子状に整列した形状のパターンを基板301の中心に対して90度の間隔で外周近傍に4個有し、中央部にはコアマスク310のパターンを有するフォトマスク309を用いて、コアマーク306及びコアマスク310の部分のフォトレジスト308を硬化させた。次に、エッチングによりコアマーク306およびコアマスク310の部分のWSi膜だけを残して不要な部分を除去した後、コア層304をエッチングして、一辺20μmの4つの正方形が10μm間隔の十字型を形成し格子状に整列した形状であるコアマーク306および高さと幅が7μmのコア312を形成した。次に、フォトレジストを塗布し、コアマーク306近傍部分のフォトレジストのみを硬化させた後、コアマーク306としてのWSi膜を残したまま、コアの上部に残ったWSi膜を除去した。次に、膜厚21μmのBPSGをCVD法により成膜して上部クラッド層303を形成した。次に、コアマーク306の視認性を確保するためにコアマーク306の上部に位置するBPSGを治具で保護して、棒状体マスク膜312であるWSi膜を2μmの膜厚でスパッタリング法により成膜した後、フォトレジスト313を塗布した。次に、幅6μmで一辺46μmの十字型のマスクマーク315をコアマーク306と対応する位置に有し、中央部には棒状体マスク316のパターンを有するフォトマスク314を用いて、フォトマスク314に設けたマスクマーク315とコアマーク306の位置を合わせた後、光を照射して棒状体マスク316の部分のフォトレジスト313を硬化させた。次に、エッチングにより棒状体317に対応する部分のWSi膜だけを残して、不要な部分を除去した後、BPSGをエッチングして、高さ35μm、幅34μmの棒状体317を形成した。次に、棒状体317の上部に残ったWSi膜を除去した後、厚さが0.1mm程度の光学接着剤を塗布し、光学樹脂層305を形成した。
【0080】
このような構造を有するスポットサイズ変換光導波路に対し、第2の光導波路のほぼ中央部を分断する幅100μmの溝を設け、光フィルタを埋め込んだ。その結果、挿入損失1dB以下の良好な特性を有する光フィルタモジュールを作製することができた。
【0081】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の製造方法では、コアの位置と棒状体の位置を制御するためのコアマークを設けて、コアマークに対してコアと棒状体のパターニングをすることによって、クラッドの棒状体に対するコアの位置を正確に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい一実施態様にかかる光導波路の製造方法を示す図である。
【図2】図1とは別の、本発明の好ましい一実施態様にかかる光導波路の製造方法を示す図である。
【図3】コアマーク206を有する基板201を上方から見た図およびコアマーク206の拡大図である。
【図4】フォトマスク209を上方から見た図およびマスクマークの拡大図である。
【図5】実施例1において光電界モード分布を示すグラフである。(a)は第1の光導波路側へ入射する光の光電界モード分布であり、(b)は第2の光導波路側から出射する光の光電界モード分布である。
【図6】光導波路の一種である光ファイバを接続するフェルールを示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すD−D線に沿った断面図である。
【図7】図6に示すフェルール10に光フィルタを装着した状態を示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すE−E線に沿った断面図である。
【図8】光導波路の一種である導波路埋め込み型光回路を示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すF−F線に沿った断面図である。
【図9】図8に示す導波路埋込型光回路20に光フィルタを挿入した状態を示す図であり、(a)は略斜視図、(b)は(a)に示すG−G線に沿った断面図である。
【図10】回折現象に起因する損失発生のメカニズムを説明するための図であり、(a)はコア径が小さい場合、(b)はコア径が大きい場合を示している。
【図11】本発明にかかる導波路埋込型光回路100を示した図であり、(a)は一方向から見た略斜視図、(b)は逆方向から見た略斜視図、(c)は図1(a)に示すA―A線に沿った断面図であり、(d)は図1(a)に示すB―B線に沿った断面図である。
【図12】「2002年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 C−3−35」の構造図である。
【符号の説明】
201、301 基板
202、302 下部クラッド
203、303 上部クラッド
204、304 コア層
205、305 樹脂層
206、306 コアマーク
207、307 コアマスク膜
208、214、308、313 フォトレジスト
209、215、309、314 フォトマスク
210、216、315 マスクマーク
211、310 コアマスク
212、311 コア
213、312 棒状体マスク膜
217、316 棒状体マスク
218、317 棒状体
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical waveguide and a method for manufacturing the optical waveguide.
[0002]
[Prior art]
In recent years, optical communication has been widely used in order to achieve high-speed and large-capacity information transmission. In optical communications, it is necessary to extract light of the target wavelength or combine light of different wavelengths, so an optical filter with wavelength selectivity is appropriately inserted in a predetermined part of the optical waveguide. Is done.
[0003]
6A and 6B are diagrams showing a ferrule that connects an optical fiber, which is a kind of optical waveguide, wherein FIG. 6A is a schematic perspective view, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line DD shown in FIG. . As shown in FIGS. 6A and 6B, the ferrule 10 is used to connect two optical fibers 11 and 12, and a groove 10a is provided in the connecting portion. The optical fiber 11 includes a fiber 11c including a core 11a and a cladding 11b covering the core 11a, and a fiber coating 11d covering the same. Similarly, the optical fiber 12 includes a core 12a and a cladding 12b covering the core 12a. It consists of a strand 12c and a fiber coating 12d covering it. The optical fibers 11 and 12 are in a state in which the fiber coatings 11d and 12d are removed inside the ferrule 10 to expose the fiber strands 11c and 12c, respectively, and the fiber strand 11c is formed on one side wall portion of the groove 10a. The fiber strand 12c terminates at the other side wall portion of the groove 10a. That is, the end surface of the fiber strand 11 c and the end surface of the fiber strand 12 c are in a state of being opposed to each other through the groove 10 a provided in the ferrule 10.
[0004]
7 is a view showing a state in which an optical filter is mounted on the ferrule 10 shown in FIG. 6, wherein (a) is a schematic perspective view, and (b) is a cross-sectional view taken along line EE shown in (a). is there. As shown in FIGS. 7A and 7B, when the optical filter 30 is inserted into the groove 10 a provided in the ferrule 10, the light propagated from one of the optical fibers 11 and 12 depends on the characteristics of the optical filter 30. And is propagated to the other of the optical fibers 11 and 12. Thereby, it is possible to extract light having a target wavelength.
[0005]
8A and 8B are diagrams showing a waveguide-embedded optical circuit that is a kind of optical waveguide, in which FIG. 8A is a schematic perspective view, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line FF shown in FIG. . As shown in FIGS. 8A and 8B, the waveguide-embedded optical circuit 20 includes a substrate 21, a clad 22 provided on the substrate 21, and a core 23 provided inside the clad 22. The clad 22 and the core 23 are divided by a groove 24 into a portion composed of the clad 22a and the core 23a and a portion composed of the clad 22b and the core 23b. Therefore, the core 23 a terminates at one side wall portion of the groove 24, and the core 23 b terminates at the other side wall portion of the groove 24. In other words, the end surface of the core 23 a and the end surface of the core 23 b are opposed to each other through the groove 24.
[0006]
9A and 9B are diagrams showing a state in which an optical filter is inserted into the waveguide-embedded optical circuit 20 shown in FIG. 8, where FIG. 9A is a schematic perspective view, and FIG. 9B is a GG line shown in FIG. FIG. As shown in FIGS. 20A and 20B, when the optical filter 30 is inserted into the groove 24 provided in the cladding 22, the light propagated from one of the cores 23 a and 23 b depends on the characteristics of the optical filter 30. Filtered and propagates to the other of the cores 23a, 23b. Thereby, it is possible to extract light having a target wavelength.
[0007]
When light propagates through the divided optical waveguide, a loss mainly caused by a diffraction phenomenon occurs in the divided portion. FIG. 10 is a diagram for explaining this, and shows how the light 40 propagates through the gap from the optical waveguide 41 composed of the core 41a and the clad 41b to the optical waveguide 42 composed of the core 42a and the clad 42b. This is schematically shown separately for a small case (a) and a large core diameter (b). As shown in FIGS. 10A and 10B, since the light emitted from the optical waveguide 41 spreads due to the diffraction phenomenon, the diffraction loss increases as the gap width d increases. On the other hand, as is clear from the comparison between FIG. 10A and FIG. 10B, the diffraction phenomenon becomes more conspicuous as the beam spot diameter becomes smaller. What is necessary is just to make a beam spot diameter large while narrowing.
[0008]
For this reason, when two optical fibers are connected using a ferrule, if spot size conversion is performed by using a TEC (Thermal Expanded Core) fiber whose core diameter is locally expanded at the terminal end, it is caused by a diffraction phenomenon. Loss can be reduced. The expansion of the core in the TEC fiber is performed by heating with a micro burner or a heater, as is well known (Japanese Patent No. 2693649).
[0009]
[Patent Literature]
Japanese Patent No. 2669649
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, the waveguide-embedded optical circuit as shown in FIGS. 8 and 9 has a very large heat capacity compared to the optical fiber, so that the core diameter is locally expanded by heating as in the TEC fiber. It is difficult. For this reason, this type of optical waveguide has a problem that a loss due to a diffraction phenomenon is large in a groove portion in which the optical filter is inserted.
[0011]
In order to solve this problem, the present inventors have proposed a novel spot size conversion element and a waveguide embedded optical circuit using the same in Japanese Patent Application No. 2002-295334.
[0012]
FIG. 11A is a schematic perspective view of a waveguide-embedded optical circuit 100, which is an embodiment of the waveguide-embedded optical circuit, viewed from one direction, and FIG. 11B is a waveguide-embedded optical circuit. It is the schematic perspective view which looked at the optical circuit 100 from the reverse direction.
[0013]
As shown in FIG. 11, the waveguide-embedded optical circuit 100 of this embodiment includes a substrate 101, lower claddings 102-1 to 102-6, upper claddings 103-1 to 103-6, and a core 104-. 1 and 104-2 and optical resin layers 105-1 and 105-2 (these may be collectively referred to as the optical resin layer 105). The lower clad 102-1 to 102-3, the upper clad 103-1 to 103-3, the core 104-1, and the optical resin layer 105-1, the lower clad 102-4 to 102-6, the upper clad 103- The portion consisting of 4 to 103-6, the core 104-2, and the optical resin layer 105-2 is divided by a groove 106. That is, the groove 106 reaches the substrate 101, and the substrate 101 is exposed.
[0014]
The refractive indexes of the cores 104-1 and 104-2 are slightly larger than those of the lower claddings 102-1 to 102-6 and the upper claddings 103-1 to 103-6, and the lower claddings 102-1 to 102-6 and the upper claddings 102-1 to 102-6 The refractive indexes of the claddings 103-1 to 103-6 are slightly larger than the refractive index of the optical resin layer 105.
[0015]
11C is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. 11A, and FIG. 11D is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. As shown in FIGS. 11C and 11D, the cores 104-1 and 104-2 have substantially the same width (length in the vertical direction in FIG. 11C) at a constant distance from the end face. After that, it has a tapered shape in which the tip portion gradually becomes thinner toward the groove 106. For this reason, the cores 104-1 and 104-2 do not exist between the lower clad 102-2 and 102-5 and the upper clad 103-2 and 103-5 in the vicinity of the groove 106, both of which are directly They are in a laminated state (see FIGS. 11A and 11B).
[0016]
In the present invention, the optical waveguides in the section where the widths of the cores 104-1 and 104-2 are set to be substantially constant are referred to as “first optical waveguides”, and the cores 104-1 and 104-2 are provided. The optical waveguide in the non-interval is referred to as “second optical waveguide”, and the optical waveguide in the interval in which the widths of the cores 104-1 and 104-2 are gradually narrowed toward the groove 106 is referred to as “transition waveguide”.
[0017]
Next, the manufacturing process of the waveguide embedded optical circuit 100 of this embodiment will be described.
[0018]
First, a substrate 101 having a predetermined area is prepared, and a lower cladding layer and a core layer are formed in this order on one surface thereof.
[0019]
Next, the core layer is patterned to form the cores 104-1 and 104-2. The shapes of the cores 104-1 and 104-2 are as described above, and the cores 104-1 and 104-2 are patterned into a shape having a portion having a constant width and a tapered portion in which the width is gradually reduced.
[0020]
Next, an upper cladding layer is formed on the entire surface.
[0021]
Next, the laminated body of the lower clad layer and the upper clad layer (including the cores 104-1 and 104-2 in part) is patterned to obtain a central rod-like body (102-2, 103-2, 102-5, 103-5) and two rod-shaped bodies (102-1, 103-1, 102-4, 103-4) and (102-3, 103-3, 102-6, 103-6). Here, since the central rod-shaped body is used as the first optical waveguide and the core of the second optical waveguide (second core), the dimension shape and the core 104-1 in the rod-shaped body, It is necessary to accurately control the position of 104-2.
[0022]
Then, the optical resin layer 105 is filled between the rod-shaped bodies on both sides so as to cover the central rod-shaped body, and after hardening this, the groove 106 is formed.
[0023]
Thus, the waveguide embedded optical circuit 100 of this embodiment is completed.
[0024]
Here, as a method of patterning the laminated body of the lower cladding layer and the upper cladding layer to form a rod-shaped body, a mask film is formed on the surface of the upper cladding layer, and then a photoresist is formed on the surface of the mask film. Is applied, and the photoresist corresponding to the three rod-shaped bodies is exposed to form an etching pattern to form an etching pattern. Then, the mask film is patterned using the etching pattern, and the lower cladding layer and the mask film are formed using the mask film. It is preferable to remove unnecessary portions of the laminate of the upper clad layer by dry etching.
[0025]
The invention of Japanese Patent Application No. 2002-295334 solves the problem that the loss due to the diffraction phenomenon is large, but it is necessary to accurately control the position of the core relative to the rod-like body for further improvement. That is, since the central rod-shaped body is used as the first optical waveguide and the core of the second optical waveguide (second core), the dimension shape and the cores 104-1 and 104 in the rod-shaped body are used. The position of -2 needs to be accurately controlled. In the above-described process, when the photoresist etching pattern corresponding to the rod-shaped body is formed, the positions of the cores 104-1 and 104-2 are determined by the convex portions of the upper clad layer generated by the cores 104-1 and 104-2. It has been recognized that the protrusions of the upper cladding layer may be difficult to see, and the relative positions of the cores 104-1 and 104-2 with respect to the photoresist etching pattern may not be accurately controlled. Therefore, the relative positions of the rod-shaped body patterned with the photoresist and the cores 104-1 and 104-2 cannot be accurately controlled, and the shape of the beam whose spot size has been converted by the rod-shaped body is distorted and the loss increases. was there.
[0026]
In addition, even in the case where a step, that is, a groove, is provided in the clad between adjacent cores in the “2002 Society of Electronics, Information and Communication Engineers Electronics Society Conference C-3-35”, the position of the clad rod and the core surrounding the core It is necessary to control precisely. FIG. 12 is a structural diagram of the “C-3-35”. Here, “Under cladding”, “Core”, and “Over cladding” shown in FIG. 12 correspond to a rod-shaped body.
[0027]
Therefore, an object of the present invention is to provide an optical waveguide in which the position of the core is accurately controlled with respect to the clad rod-shaped body, and a method for manufacturing the optical waveguide.
[0028]
[Means for Solving the Problems]
[0029]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention for a spot size conversion waveguide will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0030]
FIG. 1 is a view showing a first manufacturing method of a spot size conversion waveguide which is a preferred embodiment of the present invention. For simplicity, only one rod-like body is shown. First, a quartz glass substrate 201 having a predetermined area is prepared (FIG. 1A), and a plurality of core marks 206 are formed on the substrate (FIG. 1B).
[0031]
FIG. 3 is a view of the core mark 206 as viewed from above the substrate 201. Although the form of the core mark 206 is not particularly limited, in the present embodiment, the core mark 206 has a shape in which four squares each having a side of 20 μm form a cross shape with an interval of 10 μm and are arranged in a lattice shape. The film thickness of the core mark can also be set arbitrarily in consideration of visibility and ease of manufacture. Also, the position and number on the substrate can be set as appropriate so that the alignment with the photomask can be performed appropriately.
[0032]
The method of forming the core mark 206 is not particularly limited, but after forming a core mark film on one surface of the substrate 201, a positive photoresist is applied onto the surface of the core mark film, and the core mark 206 is formed. It is preferable that a photoresist other than the portion corresponding to 206 is exposed to form an etching pattern, and unnecessary portions of the core mark film are removed by dry etching using this etching pattern. Here, the material and film forming method of the core mark film are not particularly limited. For example, it is preferable to form a material such as WSi, Cr, Au, or Pt by sputtering, vacuum deposition, or the like. . Alternatively, the core mark 206 may be formed by directly processing the substrate by etching or the like.
[0033]
Next, the lower clad layer 202 and the core layer 204 are formed in this order on one surface of the substrate having the core mark 206 (FIG. 1C). A method for forming the lower cladding layer 202 and the core layer 204 is not particularly limited, but a vapor phase growth method using a chemical species including constituent elements of the lower cladding layer 202 and the core layer 204, for example, a CVD method. It is preferable to use a sputtering method, a vacuum deposition method, an FHD (Frame Hydrolysis Deposition) method, a coating method, or the like. When quartz glass is used as the material of the lower cladding layer 202 and the core layer 204, productivity and film quality are improved. From the viewpoint, the CVD method or the FHD method is particularly preferably used. When a polymer is used as the material for the lower cladding layer 202 and the core layer 204, the coating method is particularly preferably used from the viewpoint of simplicity.
[0034]
Next, a core mask film 207 for patterning the core 212 is formed on the core layer 204 (FIG. 1D). When the core mask film 207 is formed, the lower cladding layer 202 above the core mark 206 is covered with a jig or the like so that the core mask film 207 after the film formation does not hinder the visibility of the core mark 206.
[0035]
As with the core mark 206, the material and film forming method of the core mask film 207 are not particularly limited. For example, a material such as WSi, Cr, Au, or Pt is formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. It is preferable.
[0036]
Next, a photoresist 208 is applied on the core mask film 207, and the photoresist 208 other than the portion corresponding to the core shape is exposed using the photomask 209 (FIG. 1E). In that case, after aligning the position of the core mark 206 provided on the substrate and the mask mark 210 provided on the photomask 209 corresponding to the core mark 206, the portion corresponding to the core mask 211 is irradiated with light. The photoresist 208 other than those is exposed. This photomask 209 has a pattern 219 of a Cr core mask 211 and a mask mark 210 on a quartz glass substrate, and the position of the pattern of the core mask 211 is accurately controlled with respect to the mask mark 210.
[0037]
FIG. 4 is a view of the photomask 209 as viewed from above. A spot size conversion optical waveguide core pattern 219 is provided near the center, and a mask mark 210 is provided at the end. The form of the mask mark 210 is not particularly limited, and may be any shape corresponding to the core mark 206. However, in this embodiment, the mask mark 210 has a cross shape with a width of 6 μm and a side of 46 μm. Therefore, if the cross mark of the core mark 206 having a width of 10 μm is aligned with the cross mark of the mask mark 210 having a width of 6 μm, the position of the photomask 209 relative to the substrate can be accurately aligned.
[0038]
Next, unnecessary portions of the core mask film 207 are removed by etching using a photoresist to form the core mask 211 (FIG. 1F).
[0039]
Next, the core 212 is patterned using the core mask 211 (FIG. 1G). The core 212 has a shape including a portion having a constant width and a tapered portion in which the width gradually decreases. Here, the method of patterning the core 212 is not particularly limited, but it is preferable to remove unnecessary portions of the core layer 204 by dry etching.
[0040]
Next, after the core mask 211 remaining on the top of the core 212 is removed by etching or the like, the upper clad layer 203 is formed on the entire surface (FIG. 1H). A method for forming the upper clad layer 203 is not particularly limited, but, like the lower clad layer 202 and the core layer 204, a vapor phase growth method or a coating method using a chemical species containing a constituent element of the upper clad layer 203 is used. In the case where quartz glass is used as the material of the upper cladding layer 203, it is particularly preferable to use the CVD method or the FHD method as described above, and the case where a polymer is used as the material of the upper cladding layer 203. It is particularly preferable to use the coating method as described above.
[0041]
Next, a rod-shaped body mask film 213 for patterning the rod-shaped body 218 is formed on the upper clad layer 203 (FIG. 1 (i)). At this time, in order to ensure the visibility of the core mark 206 after the rod-shaped body mask film 213 is formed, the film is formed by covering the upper clad layer 203 above the core mark 206 with a jig or the like.
[0042]
As with the core mark 206, the material and film forming method of the rod-shaped body mask film 213 are not particularly limited. For example, a material such as WSi, Cr, Au, or Pt is formed by sputtering or vacuum evaporation. It is preferable to form a film.
[0043]
Next, a positive type photoresist 214 is applied on the rod-shaped body mask film 213, and the photoresist 214 other than the portion corresponding to the rod-shaped body mask 217 is exposed using the photomask 215 (FIG. 1 (j)). In that case, after aligning the position of the core mark 206 provided on the substrate and the mask mark 216 provided on the photomask 215 corresponding to the core mark 206, the light is irradiated to correspond to the rod-shaped body mask 217. The photoresist 214 to be cured is cured. This photomask 215 has a Cr rod mask 217 pattern and a mask mark 216 on a quartz glass substrate, and the position of the rod mask 217 pattern is accurately controlled with respect to the mask mark 216. . By aligning the positions of the substrate 201 and the photomask 215 in this manner, the rod-shaped body mask 217 whose position with respect to the core mark 206 is accurately controlled can be formed (FIG. 1 (k)).
[0044]
Like the mask mark 210, the form of the mask mark 216 is not particularly limited, and may be any shape corresponding to the core mark 206. For example, the shape may be the same as the mask mark 210 shown in FIG.
[0045]
Next, the rod-shaped body 218 is patterned using the rod-shaped body mask 217 (FIG. 1 (l)). Here, the method for patterning the rod-shaped body 218 is not particularly limited, but it is preferable to remove unnecessary portions of the upper clad 203 and the lower clad 202 by dry etching to form a step in the clad. Here, FIG. 1 shows an example in which both the upper clad and the lower clad are removed to form a step, but if necessary, a part of the upper clad or a part of the substrate is removed. The method of forming the step can be selected as appropriate.
[0046]
Then, after removing the rod-shaped body mask 217 remaining on the upper portion of the rod-shaped body 218 by etching or the like, an optical resin layer 205 is formed so as to cover the rod-shaped body 218 (FIG. 1 (m)), and this is cured. As described above, a wafer of a spot size conversion element can be manufactured.
[0047]
Thereafter, grooves as shown in FIG. 11 are formed. The method for forming the groove is not particularly limited, but it is preferable to process by dicing. Further, like the patterning of the core 211 and the like, the optical resin layer 205, the upper cladding layer 203, and the lower cladding layer 202 may be removed by dry etching.
[0048]
As described above, according to the first manufacturing method of the present invention, it is possible to form the rod-shaped body mask 217 whose position with respect to the core mark 206 is accurately controlled, so that the relative position between the core 212 and the rod-shaped body 218 is changed. It is possible to manufacture a spot size conversion waveguide that can be accurately controlled, has little beam shape distortion, and has a low loss.
[0049]
FIG. 2 is a view showing a second manufacturing method of a spot size conversion waveguide which is a preferred embodiment of the present invention. For simplicity, only one rod-like body is shown. The second manufacturing method is different from the first manufacturing method in that a core mask 310 and a core mark 306 for patterning the core 311 are formed simultaneously.
[0050]
Hereinafter, the second manufacturing method will be described with reference to the drawings, focusing on differences from the first manufacturing method.
[0051]
First, a quartz glass substrate 301 having a predetermined area is prepared (FIG. 2A), and a lower clad layer 302 and a core layer 304 are formed in this order on one surface of the substrate (FIG. 2B). ).
[0052]
Next, a core mask film 307 for patterning the core 311 is formed on the core layer 304 (FIG. 2C).
[0053]
Next, a positive photoresist 308 is applied on the core mask film 307, and the photoresist 308 other than the portions corresponding to the core mask 310 and the core mark 306 is exposed using the photomask 309 (FIG. 2D). This photomask 309 has a pattern of a core mask 310 of Cr and a core mark 306 on a quartz glass substrate, and the position of the pattern of the core mask 310 is accurately controlled with respect to the core mark 306.
[0054]
The form of the core mark 306 is not particularly limited, but may be the same shape as the first manufacturing method described above, for example.
[0055]
Next, unnecessary portions of the core mask film 307 are removed by etching using a photoresist (FIG. 2E). Thus, if the core mask 310 and the core mark 306 for patterning the core 311 are formed at the same time, the photomask 309 can be used without particularly aligning the relative positions of the core mask 310 and the core mark 306 as in the first manufacturing method. It can be controlled accurately.
Next, after removing unnecessary photoresist, the core 311 is patterned using the core mask 310 (FIG. 2F).
[0056]
Next, the core mask 310 remaining on the upper portion of the core 311 is removed by etching or the like while leaving the core mark 306 (FIG. 2G). In that case, since it is only necessary to form a photoresist so as to protect only the core mark 306, the photomask accuracy required at the time of forming the photoresist may be loose.
[0057]
Next, the upper clad layer 303 is formed on the entire surface (FIG. 2H).
[0058]
Next, a rod-shaped body mask film 312 for patterning the rod-shaped body 317 is formed on the upper clad layer 303 (FIG. 2 (i)). At this time, in order to ensure the visibility of the core mark 306 after the rod-shaped body mask film 312 is formed, the film is formed by covering the upper clad layer 303 above the core mark 306 with a jig or the like.
[0059]
Next, a photoresist 313 is applied on the rod-shaped body mask film 312, and the photoresist 313 other than the portion corresponding to the rod-shaped body 317 is exposed (FIG. 2 (j)). In that case, after aligning the position of the core mark 306 provided on the substrate and the mask mark 315 provided on the photomask 314 corresponding to the core mark 306, light is irradiated to correspond to the rod-shaped body 317. The photoresist 313 is exposed. The photomask 314 has a Cr rod-shaped body 317 pattern and a mask mark 315 on a quartz glass substrate, and the position of the pattern of the rod-shaped body 317 is accurately controlled with respect to the mask mark 315. If unnecessary photoresist is removed by etching, a rod-shaped body mask 316 whose position relative to the core mark 306 is accurately controlled can be formed (FIG. 2 (k)).
[0060]
Next, the rod-shaped body 317 is patterned by etching or the like using the rod-shaped body mask 316 (FIG. 2 (l)).
[0061]
Then, after removing the rod-shaped body mask 316 remaining on the upper portion of the rod-shaped body 317 by etching or the like, an optical resin layer 305 is formed so as to cover the rod-shaped body 317 (FIG. 2 (m)), and this is cured. As described above, a wafer of a spot size conversion element can be manufactured. Thereafter, grooves as shown in FIG. 11 are formed.
[0062]
According to the second manufacturing method, the core mask 310 and the core mark 306 for patterning the core 311 are formed at the same time, so that the relative positions of the core mask 310 and the core mark 306 are not particularly matched as in the first manufacturing method. Thus, the photomask 309 can be accurately controlled, the process can be simplified, and the manufacturing yield can be improved. Further, since it is possible not to leave a mask film made of metal or the like in the spot size conversion element, it is possible to prevent cracks or the like generated at the interface between the metal and glass.
[0063]
The spot size conversion optical waveguide can be manufactured by the method as described above. The manufacturing method of the optical waveguide of the present embodiment is not limited to this, and various modifications are possible within the scope of the invention described in the claims, and these are also included in the scope of the present invention. It goes without saying that it is done.
[0064]
For example, in the above embodiment, the optical resin layer is also provided in the portion corresponding to the first optical waveguide. However, since the optical resin layer functions as a clad of the second optical waveguide, The optical resin layer may be omitted in the portion corresponding to the waveguide. Further, it is not necessary to use an optical resin layer as the second cladding, and other materials may be used as long as the refractive index is different from that of the lower cladding layer and the upper cladding layer.
[0065]
The position of the core mark is not limited to the substrate as in the first manufacturing method or the core layer as in the second manufacturing method. For example, the clad layer, the back side of the core layer, or the lower cladding with respect to the substrate It may be on the layer, inside the lower cladding layer, or inside the upper cladding layer in a range where the core can be recognized.
[0066]
Also, instead of the quartz glass substrate, for example, the surface of the Si substrate is made of SiO by a thermal oxidation method. 2 Layer formed or SiO on Si substrate 2 A film or the like obtained by forming a film may be used. As long as the refractive index is lower than that of the lower cladding, SiO added with B, P, etc. 2 Etc. may be formed.
[0067]
Further, the shape, size, position, and the like of the core mark can be arbitrarily selected so as to facilitate alignment of the core mark and the photomask, such as a square or a cross shape having a side of about 10 μm.
[0068]
Further, the present invention can be applied not only to a spot size conversion optical waveguide, but also to an optical waveguide that needs to accurately control the position of the core of the clad surrounding the core and the core. That is, when forming a rod-like body like the “2002 Society of Electronics, Information and Communication Engineers Electronics Society C-3-35” shown in FIG. 12, the position where the step (in this case, the heat insulating groove) is formed in the clad, However, the present invention can also be applied to such a case.
[0069]
Further, the level difference of the cladding is not limited to the one substantially parallel to the core as described above, and may be, for example, a direction crossing the core as in the case of embedding a filter, or an oblique direction with respect to the core. .
[0070]
【Example】
[Example 1]
According to the first manufacturing method of the optical waveguide of the above embodiment, there are a large number of spot size conversion waveguide patterns in the central portion of the φ3 inch quartz glass substrate, and four squares each having a side of 20 μm are formed in the vicinity of the outer peripheral portion. An optical waveguide wafer having core marks formed in a cross shape at intervals of 10 μm and arranged in a lattice shape was manufactured, and a spot size conversion waveguide was manufactured.
[0071]
As a material of the core 212 (first core), SiO doped with Ge 2 Glass (refractive index: 1.4558) is used, and the material of the lower clad 202 and the upper clad 203 (first clad = second core) is BPSG (SiO with B and P added). 2 Glass, refractive index: 1.4501) was used, and an optical adhesive (refractive index: 1.4437) was used as the material of the optical resin layer 205 (second clad).
[0072]
The size of the core 212 (first core) is set such that the length of the portion corresponding to the first optical waveguide is 200 μm, and the height and width of the portion corresponding to the first optical waveguide are both 7 μm. And the length x of the tapered portion corresponding to the transition waveguide 2 Is set to 1000 μm, and the width x of the tip of the taper portion 1 Was set to 0.4 μm.
[0073]
The rod-shaped body (first clad = second core) composed of the lower clad 202 and the upper clad 203 was set to have a length of 2400 μm, a height of 35 μm, and a width of 34 μm. Of these, the 200 μm section (the part corresponding to the first optical waveguide) in which the height and width of the core 212, which is the first core, are set to be constant functions as the first cladding. The non-existent 1200 μm section (the part corresponding to the second optical waveguide) functions as the second core. In addition, the section of 1000 μm in which the core 212 is tapered (portion corresponding to the transition waveguide) gradually changes from the function as the first cladding to the function as the second core.
[0074]
Specifically, a spot size conversion optical waveguide was fabricated by the following process.
[0075]
First, a 0.2 μm thick WSi film is formed on a quartz glass substrate 201 having a diameter of 3 mm and a thickness of 1 mm by sputtering, and four squares each having a side of 20 μm form a cross shape with an interval of 10 μm in a lattice shape. Four aligned core marks 206 were formed in the vicinity of the outer periphery of the substrate 201 at intervals of 90 degrees with respect to the center. Next, BPSG having a film thickness of 14 μm is formed on the substrate 201 having the core mark 206 by the CVD method to form the lower cladding layer 202, and then SiO added with Ge thereon 2 A core layer 204 was formed by forming glass with a film thickness of 7 μm by a CVD method. Next, in order to ensure the visibility of the core mark 206, the upper portion of the core mark 206 is protected with a jig, and WSi as the core mask film 207 is formed with a thickness of 1 μm by a sputtering method, and then the photoresist 208 is formed. Was applied. Next, a photomask 209 having a cross-shaped mask mark 210 having a width of 6 μm and a side of 46 μm corresponding to the core mark 206 at a position corresponding to the core mark 206 and having a pattern 219 of the core mask 211 at the center is used. After aligning the positions of the mask mark 210 and the core mark 206 provided on the photomask 209, the photoresist of the core mask 211 portion was cured by irradiating light. Next, only the WSi film in the portion of the core mask 211 was removed by etching, unnecessary portions were removed, and then the core layer 204 was etched to form a core 212 having a height and width of 7 μm. Next, after removing the WSi remaining on the upper portion of the core 212, a BPSG film having a thickness of 21 μm was formed by a CVD method to form the upper clad layer 203. Next, in order to ensure the visibility of the core mark 206, the BPSG located above the core mark 206 is protected with a jig, and a WSi film having a thickness of 2 μm is formed by sputtering, and then a photoresist 214 is applied. did. Next, a cross-shaped mask mark 216 having a width of 6 μm and a side of 46 μm corresponding to the core mark 206 is provided at a position corresponding to the core mark 206, and a photomask 215 having a rod-shaped mask 217 pattern at the center. The position of the mask mark 216 provided on the photomask 215 and the position of the core mark 206 were aligned, and then light was irradiated to cure the photoresist in the portion of the rod-shaped body mask 217. Next, only the WSi film in the portion of the rod-shaped body mask 217 is removed by etching, and unnecessary portions are removed, and then the upper cladding layer 203 and the lower cladding layer 202 are etched to form a rod-shaped body having a height of 35 μm and a width of 34 μm. 218 was formed. Next, after removing WSi remaining on the upper portion of the rod-shaped body 218, the optical adhesive 2 having a thickness of about 0.1 mm was applied to form an optical resin layer 205.
[0076]
Light having an optical electric field mode distribution (spot size = about 10 μm) shown in FIG. 5A is incident on the spot size converting optical waveguide having such a structure from the first optical waveguide side, and the second optical The optical electric field mode distribution of the light emitted from the waveguide side was measured. As a result, the optical electric field mode distribution of the light emitted from the second optical waveguide side was as shown in FIG. As shown in FIG. 5B, the spot size of the light emitted from the second optical waveguide was about 28 μm, and it was confirmed that the spot size was enlarged by 2.8 times.
[0077]
[Example 2]
According to the second manufacturing method of the spot size conversion optical waveguide of the above embodiment, the central portion of the φ3 inch quartz glass substrate 301 has a large number of spot size conversion waveguide patterns, and has a side of 20 μm in the vicinity of the outer peripheral portion. An optical waveguide wafer having core marks having a shape in which four squares form a cross shape with an interval of 10 μm and aligned in a lattice shape, and a spot size conversion waveguide was manufactured.
[0078]
The spot size conversion optical waveguide included in the second embodiment is made of the same material and size as that of the first embodiment.
[0079]
A BPSG film having a thickness of 14 μm is formed on a quartz glass substrate 301 having a thickness of 3 mm and a thickness of 1 mm by a CVD method to form a lower clad layer 302, and Ge is added on the SiO 2 layer. 2 A core layer 304 was formed by forming glass with a film thickness of 7 μm by a CVD method. Next, WSi as the core mask layer 307 was formed to a thickness of 1 μm by a sputtering method, and a photoresist 308 was applied. Next, four squares each having a side of 20 μm form a cross shape with an interval of 6 μm and are arranged in a lattice pattern, and have four patterns in the vicinity of the outer periphery at intervals of 90 degrees with respect to the center of the substrate 301. Used the photomask 309 having the pattern of the core mask 310 to cure the core mark 306 and the photoresist 308 in the core mask 310 portion. Next, etching removes unnecessary portions while leaving only the WSi film of the core mark 306 and the core mask 310, and then the core layer 304 is etched to form four squares each having a side of 20 μm to form a cross shape with an interval of 10 μm. A core mark 306 and a core 312 having a height and a width of 7 μm were formed. Next, a photoresist was applied and only the photoresist in the vicinity of the core mark 306 was cured, and then the WSi film remaining on the core was removed while leaving the WSi film as the core mark 306. Next, BPSG having a film thickness of 21 μm was formed by a CVD method to form the upper cladding layer 303. Next, in order to ensure the visibility of the core mark 306, the BPSG located above the core mark 306 is protected with a jig, and the WSi film as the rod-shaped body mask film 312 is formed to a thickness of 2 μm by sputtering. After film formation, a photoresist 313 was applied. Next, a cross-shaped mask mark 315 having a width of 6 μm and a side of 46 μm is provided at a position corresponding to the core mark 306, and a photomask 314 having a pattern of a rod-shaped mask 316 is used in the center portion. After aligning the position of the provided mask mark 315 and the core mark 306, light was irradiated to cure the photoresist 313 in the portion of the rod-shaped body mask 316. Next, only a portion of the WSi film corresponding to the rod-shaped body 317 was removed by etching, and unnecessary portions were removed, and then BPSG was etched to form a rod-shaped body 317 having a height of 35 μm and a width of 34 μm. Next, after removing the WSi film remaining on the upper portion of the rod-shaped body 317, an optical adhesive having a thickness of about 0.1 mm was applied to form an optical resin layer 305.
[0080]
For the spot size conversion optical waveguide having such a structure, a groove having a width of 100 μm that divides substantially the center of the second optical waveguide was provided, and an optical filter was embedded. As a result, an optical filter module having good characteristics with an insertion loss of 1 dB or less could be produced.
[0081]
【The invention's effect】
As described above, in the manufacturing method of the present invention, the core mark for controlling the position of the core and the position of the rod-shaped body is provided, and the core and the rod-shaped body are patterned with respect to the core mark. The position of the core with respect to the rod-shaped body can be accurately controlled.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a method for manufacturing an optical waveguide according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a method of manufacturing an optical waveguide according to a preferred embodiment of the present invention, different from FIG.
3 is a view of a substrate 201 having a core mark 206 as viewed from above, and an enlarged view of the core mark 206. FIG.
FIG. 4 is a view of a photomask 209 viewed from above and an enlarged view of a mask mark.
5 is a graph showing optical electric field mode distribution in Example 1. FIG. (A) is an optical electric field mode distribution of light incident on the first optical waveguide side, and (b) is an optical electric field mode distribution of light emitted from the second optical waveguide side.
6A and 6B are diagrams showing a ferrule that connects an optical fiber, which is a kind of optical waveguide, where FIG. 6A is a schematic perspective view, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line DD shown in FIG. .
7 is a view showing a state in which an optical filter is attached to the ferrule 10 shown in FIG. 6. FIG. 7 (a) is a schematic perspective view, and FIG. 7 (b) is a cross-sectional view taken along line EE shown in FIG. is there.
8A and 8B are diagrams showing a waveguide-embedded optical circuit that is a kind of optical waveguide, in which FIG. 8A is a schematic perspective view, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line FF shown in FIG. .
9 is a diagram showing a state in which an optical filter is inserted into the waveguide-embedded optical circuit 20 shown in FIG. 8, where (a) is a schematic perspective view, and (b) is a GG line shown in (a). FIG.
FIGS. 10A and 10B are diagrams for explaining a mechanism of loss generation due to a diffraction phenomenon. FIG. 10A shows a case where the core diameter is small, and FIG. 10B shows a case where the core diameter is large.
11A and 11B are diagrams showing a waveguide-embedded optical circuit 100 according to the present invention, in which FIG. 11A is a schematic perspective view seen from one direction, and FIG. 11B is a schematic perspective view seen from the reverse direction; FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 1A, and FIG. 4D is a cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG.
FIG. 12 is a structural diagram of “2002 Society of Electronics, Information and Communication Engineers Electronics Society Conference C-3-35”.
[Explanation of symbols]
201, 301 substrate
202, 302 Lower clad
203, 303 Upper clad
204, 304 Core layer
205, 305 Resin layer
206, 306 Core Mark
207, 307 Core mask film
208, 214, 308, 313 Photoresist
209, 215, 309, 314 Photomask
210, 216, 315 Mask mark
211, 310 core mask
212,311 core
213, 312 Rod-shaped mask film
217, 316 Bar-shaped body mask
218, 317 Rod-shaped body

Claims (6)

コアと、前記コアに対して位置決めされた段差を有するクラッドを具備する光導波路のウエハーであって、
前記コアの位置を認識するためのマークを有することを特徴とする光導波路のウエハー。
An optical waveguide wafer comprising a core and a clad having a step positioned with respect to the core,
An optical waveguide wafer comprising a mark for recognizing the position of the core.
コアと、前記コアに対して位置決めされた段差を有するクラッドを有する光導波路の製造方法であって、
下部クラッド上にコアを形成する工程と、
前記コアの実質的に全面を上部クラッドで覆う工程と、
前記コアの位置を認識するためのマークをウエハーに設ける工程と、
前記上部クラッド、または前記上部クラッドと下部クラッドの双方、または両クラッドと基板とに段差を設ける工程と、
を含む光導波路の製造方法。
A method of manufacturing an optical waveguide having a core and a clad having a step positioned with respect to the core,
Forming a core on the lower cladding;
Covering substantially the entire surface of the core with an upper cladding;
Providing a wafer with a mark for recognizing the position of the core;
Providing a step in the upper clad, or both the upper clad and the lower clad, or both clad and the substrate;
An optical waveguide manufacturing method including:
コアと、前記コアに対して位置決めされた段差を有するクラッドを有する光導波路の製造方法であって、
下部クラッド上に光を導波するコアをパターニングし、かつ前記コアの位置を認識するためのマークをウエハーに設けるための層を形成する工程と、
前記コアの実質的に全面を上部クラッドで覆う工程と、
前記上部クラッド、または前記上部クラッドと下部クラッドの双方に段差を設ける工程と、
を含む請求項1の光導波路の製造方法。
A method of manufacturing an optical waveguide having a core and a clad having a step positioned with respect to the core,
Patterning a core for guiding light on the lower clad, and forming a layer for providing a mark on the wafer for recognizing the position of the core;
Covering substantially the entire surface of the core with an upper cladding;
Providing a step in the upper clad or both the upper clad and the lower clad;
A method for manufacturing an optical waveguide according to claim 1.
光を導波するコアと、
前記コアの実質的に全面を覆う第1のクラッドと、
前記第1のクラッドの光の伝搬方向を除いた少なくとも一部分を覆う第2のクラッドと、
前記コアの位置を認識するためのマークと、
を有することを特徴とする光導波路のウエハー。
A core for guiding light;
A first cladding covering substantially the entire surface of the core;
A second cladding covering at least a portion of the first cladding excluding the light propagation direction;
A mark for recognizing the position of the core;
An optical waveguide wafer comprising:
第1のクラッドと第2のクラッドを隣接して形成する工程と、
第1のクラッド上に光を導波するコアを形成する工程と、
前記コアの実質的に全面を第1のクラッドで覆う工程と、
前記コアの位置を認識するためのマークをウエハーに設ける工程と、
を含む請求項4のウエハーの製造方法。
Forming a first cladding and a second cladding adjacent to each other;
Forming a core for guiding light on the first cladding;
Covering substantially the entire surface of the core with a first cladding;
Providing a wafer with a mark for recognizing the position of the core;
The method for producing a wafer according to claim 4, comprising:
第1のクラッドと第2のクラッドを隣接して形成する工程と、
第1のクラッド上に光を導波するコアをパターニングし、かつ前記コアの位置を認識するためのマークをウエハーに設けるための層を形成する工程と、
前記コアの実質的に全面を第1のクラッドで覆う工程と、
を含む請求項4のウエハーの製造方法。
Forming a first cladding and a second cladding adjacent to each other;
Patterning a core for guiding light on the first clad and forming a layer for providing a mark on the wafer for recognizing the position of the core;
Covering substantially the entire surface of the core with a first cladding;
The method for producing a wafer according to claim 4, comprising:
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