JP2005012124A

JP2005012124A - High-frequency module, and high-frequency apparatus having the module mounted thereon

Info

Publication number: JP2005012124A
Application number: JP2003177072A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Ishida; 正明石田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2003-06-20
Filing date: 2003-06-20
Publication date: 2005-01-13

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized high-frequency module capable of preventing its input and output signals from coupling to each other. <P>SOLUTION: The small-sized high-frequency module is provided with a module substrate 11 having a module conductor layer 12, a second circuit element 14 having input and output portions 14a, 14b which is so provided on the surface of the module substrate 11 as to process high-frequency signals, and first and second bump-columns 59, 60 sandwiching the second circuit element 14 between them and provided in parallel with the direction of coupling to each other the input and output portions 14a, 14b of the second circuit element 14 and connected electrically with the module conductor layer 12. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波信号を処理する高周波モジュール及びこれを搭載した高周波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通信機器のモバイル化、ワイヤレス化に伴って、機器の軽薄短小化が求められている。これに伴って、通信機器に搭載される送受信機にハイブリッドＩＣやマルチチップモジュール等のモジュール化された小型の素子が使用されるようになった。
【０００３】
しかし、通信用の送受信機では、数ＧＨｚ〜数１０ＧＨｚの高周波信号が扱われるため、小型の素子を使用すると、素子内部のアイソレーションが不足し、入力信号と出力信号が結合することがある。特にアンプやフィルタ等の能動素子では、信号の発振や周波数特性の劣化等を引き起こし、通信の品質を低下させることがある。
【０００４】
そのため、高周波信号が扱われる通信用の送受信機では、入力信号と出力信号の結合を防止するために、以下▲１▼〜▲３▼に示すような様々な対策がとられてきた。
【０００５】
▲１▼高周波信号を扱う素子の周囲を導波管で覆い、この導波管をシールドカバーとして機能させる。
【０００６】
▲２▼高周波信号を扱う素子の周囲に電波吸収体を設け、この電波吸収体によって発生した電磁波を吸収する。
【０００７】
▲３▼高周波信号を扱う素子の入力側と出力側の間の距離を大きくとり、空間的なアイソレーションを確保する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の▲１▼〜▲３▼の方法には、回路の大型化、部品点数の増加、及び組み立て工程の複雑化などの問題がある。
【０００９】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、入力信号と出力信号の結合を防止できる小型の高周波モジュール及びこれを搭載した高周波装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し目的を達成するために、本発明の高周波モジュール及びこれを搭載した高周波装置は次のように構成されている。
【００１１】
（１）導体層を有する基板と、入力部と出力部を有し、上記基板の表面に設けられて高周波信号を処理する回路構成素子と、この回路構成素子を挟むとともに、上記回路構成素子の入力部と出力部を結ぶ方向に沿って並設され、上記導体層と電気的に接続される第１のバンプ列及び第２のバンプ列とを具備することを特徴とする。
【００１２】
（２）（１）に記載された高周波モジュールであって、上記第１のバンプ列と第２のバンプ列は、ほぼ平行であることを特徴とする。
【００１３】
（３）（１）に記載された高周波モジュールであって、上記第１のバンプ列と第２のバンプ列との間の距離は、上記回路構成素子に入力する高周波信号の波長の１／２より小さく設定されていることを特徴とする。
【００１４】
（４）（１）に記載された高周波モジュールであって、上記第１のバンプ列及び第２のバンプ列を構成する複数のバンプ間の距離は、上記回路構成素子に入力する高周波信号の波長の１／４より小さく設定されていることを特徴とする。
【００１５】
（５）表面に第１の導体層を有する親基板と、この親基板の表面に対向して配置され、第２の導体層を有する子基板と、入力部と出力部を有し、上記子基板の上記親基板と対向する面に上記第１の導体層及び第２の導体層に挟まれるように設けられて高周波信号を処理する回路構成素子と、上記親基板と上記子基板の間に、上記回路構成素子を挟むとともに、上記回路構成素子の入力部と出力部を結ぶ方向に沿って並設され、上記第１の導体層と上記第２の導体層を電気的に接続する複数のバンプとを具備することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施の形態を説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施の形態に係る高周波装置の構成を示す断面図、図２は同実施の形態に係る高周波モジュールの構成を示す下面図である。
【００１８】
図１に示すように、本発明の高周波装置は、高周波モジュール１０と、マザーボード５０（親基板）から構成される。
【００１９】
高周波モジュール１０は、モジュール基板１１（子基板）を有する。このモジュール基板１１は、絶縁材で形成されており、内部にモジュール導体層１２（第２の導体層）を備えている。このモジュール導体層１２は、電源層や接地層等のいわゆる低電位層である。
【００２０】
モジュール基板１１の表面には、ベースバンドの信号を処理するための複数（本実施の形態では４つ）の第１の回路素子１３が搭載されている。また、モジュール基板１１の裏面には、上記信号の搬送波として使用される高周波信号を処理するための複数（本実施の形態では１つ）の第２の回路素子１４（回路構成素子）が搭載されている。なお、第２の回路素子１４としては、高周波アンプや高周波フィルタ等が挙げられる。
【００２１】
図２に示すように、第２の回路素子１４は矩形状に形成されており、その長手方向の両端部には、それぞれ高周波信号の入力部１４ａと出力部１４ｂが距離Ｌ１だけ離間して設けられている。
【００２２】
図１に示すように、モジュール基板１１には、実装用の第１のスルーホール１５ａと、シールド用の第２のスルーホール１５ｂが設けられている。
【００２３】
第１のスルーホール１５ａは、モジュール基板１１の所定位置に所定間隔で並設されている。第１のスルーホール１５ａの両端は、それぞれモジュール基板１１の表面と裏面に形成された第１表面電極パッド１６ａと第１裏面電極パッド１６ｂと接続しており、第１裏面電極パッド１６ｂには、はんだ等の導電性材料で形成された第１のボールバンプ５６が設けられている。
【００２４】
第２のスルーホール１５ｂは、モジュール基板１１の第２の回路素子１４の両側に、第２の回路素子１４の入力部１４ａと出力部１４ｂを結ぶ方向に沿って所定の間隔で並設されている。第２のスルーホール１５ｂの両端は、それぞれモジュール基板１１の表面と裏面に形成された第２表面電極パッド１７ａ及び第２裏面電極パッド１７ｂと接続しており、第２裏面電極パッド１７ｂには、それぞれはんだ等の導電性材料で形成された第２のボールバンプ５７が設けられている。
【００２５】
すなわち、図２に示すように、第２の回路素子１４の両側には、第２のボールバンプ５７を入力部１４ａと出力部１４ｂを結ぶ方向に沿って平行に並設してなる第１のバンプ列５９と第２のバンプ列６０が構成される。第２のボールバンプ５７の寸法は、その列方向に対する隙間ｇが、第２の回路素子１４に入力する高周波信号の波長λの４分の１より小さくなるよう設定されている。
【００２６】
上記構成の高周波モジュール１０は、マザーボード５０（親基板）の表面に搭載される。このマザーボード５０は、絶縁材で形成されており、内部に内部導体層５１、表面に第３表面電極パッド５４及び表面導体層５２（第１の導体層）を備えている。なお、内部導体層５１は、電源層や接地層などのいわゆる低電位層である。
【００２７】
第３表面電極パッド５４は、モジュール基板１１の第１裏面電極パッド１６ｂと対応位置して形成されている。この第３表面電極パッド５４と内部導体層５１は、スルーホール５５を介して接続されており、第３表面電極パッド５４と第１の裏面電極パッド１６ｂは、それぞれ第１のボールバンプ５６を介して接続されている。
【００２８】
表面導体層５２は、平面視で第２の回路素子１４と第２裏面電極パッド１７ｂを十分に覆うように形成されている。この表面導体層５２と内部導体層５１は、スルーホール５３を介して接続されており、表面導体層５２と高周波モジュール１０の第２裏面電極パッド１７ｂは、それぞれ上記第２のボールバンプ５７を介して接続されている。
【００２９】
すなわち、第２の回路素子１４の周囲には、表面導体層５２と、第２のボールバンプ５７と、第２のスルーホール１５ｂと、モジュール導体層１２によって、導波管と同じ作用を持つ擬似的導波管５８が形成される。
【００３０】
なお、モジュール導体層１２が、モジュール基板１１裏面に限りなく近い部分に形成されている場合、このモジュール導体層１２によって直接第２裏面電極パッド１７ｂ同士を接続することで、擬似的導波管５８を表面導体層５２と第２のボールバンプ５７とモジュール導体層１２によって構成することも可能である。
【００３１】
ここで、図４を用いて一般的な導波管Ｄの性質について簡単に説明する。
【００３２】
図４は一般的な導波管Ｄの構成を示す斜視図である。
【００３３】
導波管Ｄは、その形状によって決まる遮断波長λ_Ｃを有している。この遮断波長λ_Ｃは、伝送される電磁波に減衰が発生する境目の波長であり、遮断波長λ_Ｃより長い波長の電磁波は、伝送の過程で徐々に減衰・消失し、遮断波長λ_Ｃより短い波長の電磁波は、減衰することなく導波管Ｄ内を伝播する。
【００３４】
図４に示す導波管Ｄに対して導出した遮断波長λ_Ｃを下記［数１］、減衰時における減衰定数Ｋを下記［数２］に示す。なお、導波管Ｄの幅寸法をａ、高さ寸法をｂ、長さ寸法をＬとしている。
【００３５】
【数１】

【００３６】
【数２】

【００３７】
［数１］から導かれたＴＥ１０モードの遮断波長λ_Ｃ１を下記［数３］に示す。
【００３８】
【数３】

【００３９】
［数３］に示すＴＥ１０モードにおける遮断波長λ_Ｃ１は、全モードの中で最も長い。そのため、遮断波長λ_Ｃ１が対象とする電磁波の波長λよりも短くなるように、すなわち下記［数４］に示す条件を満たすように、導波管Ｄの幅寸法ａの値を設定すれば、電磁波を伝送の過程で確実に減衰させることができる。
【００４０】
【数４】

【００４１】
［数４］からわかるように、導波管Ｄの幅寸法ａをλ／２より小さくすれば、電磁波が伝送の過程で減衰することがわかる。
【００４２】
そこで、図３に示すように、本実施の形態では、擬似的導波管５８の幅寸法に対応する第１、第２のバンプ列５９、６０の列間距離ａ１が、第２の回路素子１４に入力する高周波信号の波長λの２分の１より小さくなるように設定している。
【００４３】
このような構成にすることで、第２の回路素子１４の出力側で発生した電磁波は、擬似導波管５８内を伝播する際に減衰することになる。例えば、高周波信号の周波数を５［ＧＨｚ］、擬似的導波管５８の幅ａ１を３［ｍｍ］とした場合、第２の回路素子１４の出力部１４ｂで発生した電磁波を出力部１４ｂから約３［ｍｍ］離れた入力部１４ｂに到達するまでの間に約２７［ｄＢ］減衰することができた。
【００４４】
すなわち、必要となるアイソレーションの量と回路の物理的な大きさとの兼ね合いで、擬似的導波管５８の幅ａ１と第２の回路素子１４の入力部１４ａと出力部１４ｂの間の距離Ｌを決めることで、所望の減衰量を得ることができる。
【００４５】
これによって、第２の回路素子１４の出力側で発生した電磁波を、入力側に到達する前に所望のレベルまで減衰させることができるから、入力信号と出力信号が結合するのを抑制することができる。
【００４６】
なお、第２の回路素子１４の出力側から発生した電磁波のうち、装置の動作に最も大きく影響するのは、第２の回路素子１４近傍を伝播して入力側に帰還する電磁波であるが、本発明ではこの電磁波を擬似導波管５８の減衰作用によって低減するから、入力信号と出力信号が結合するのを効率よく防止することができる。
【００４７】
しかも、本発明では、高周波モジュール１０をマザーボード５０に搭載する際に使用するボールバンプによって、第２の回路素子１４の周囲を覆うための導波管を擬似的に構成するから、装置を大型化することなく、必要なアイソレーションを確保することができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、第２のボールバンプ５７の間隔ｇをλ／４以下に設定している。そのため、擬似導波管５８内を伝播する電磁波が第２のボールバンプ５８の間から外部に漏れ出るのを防止できるばかりか、高周波モジュール１０の外部、すなわち電源や発振器等から発生した電磁波が擬似導波管５８の内部に入り込み、ノイズとなって第２の回路素子１４に不具合を引き起こすのを防止することができる。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００５０】
例えば、本実施の形態では、第２の回路素子１４として、高周波アンプや高周波フィルタ等を挙げたが、これらに限定されるものではない。高周波信号が伝送され、周囲に電磁波を発生させるものであれば、単なる配線に対しても本発明を適用することができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、装置を大型化することなく、入力信号と出力信号の結合を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る高周波装置の構成を示す断面図。
【図２】同実施の形態に係る高周波モジュールの構成を示す下面図。
【図３】同実施の形態に係る高周波装置の要部を拡大して示す正面図。
【図４】導波管の構成を示す斜視図。
【符号の説明】
１０…高周波モジュール、１１…モジュール基板（子基板）、１２…モジュール導体層（第２の導体層）、１４…第２の回路素子（回路構成素子）、５０…マザーボード（親基板）、５２…表面導体層（第１の導体層）、５７…第２のボールバンプ（バンプ）、５９…第１のバンプ列、６０…第２のバンプ列、ａ…列間の距離。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency module for processing a high-frequency signal and a high-frequency device equipped with the same.
[0002]
[Prior art]
As communication devices become mobile and wireless, there is a demand for lighter, thinner and smaller devices. As a result, small modularized elements such as hybrid ICs and multichip modules have come to be used in transceivers mounted on communication devices.
[0003]
However, since a communication transceiver handles high-frequency signals of several GHz to several tens of GHz, if a small element is used, isolation inside the element may be insufficient, and an input signal and an output signal may be combined. In particular, active elements such as amplifiers and filters may cause signal oscillation, frequency characteristic deterioration, and the like, thereby reducing communication quality.
[0004]
Therefore, in communication transceivers that handle high-frequency signals, various countermeasures have been taken as shown in (1) to (3) below in order to prevent coupling of input signals and output signals.
[0005]
(1) The periphery of an element that handles high-frequency signals is covered with a waveguide, and this waveguide is caused to function as a shield cover.
[0006]
(2) A radio wave absorber is provided around an element that handles high frequency signals, and electromagnetic waves generated by this radio wave absorber are absorbed.
[0007]
(3) Increase the distance between the input side and output side of the element that handles high-frequency signals to ensure spatial isolation.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the methods {circle around (1)} to {circle around (3)} have problems such as an increase in circuit size, an increase in the number of parts, and a complicated assembly process.
[0009]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a small high-frequency module capable of preventing coupling of an input signal and an output signal and a high-frequency device equipped with the same. .
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems and achieve the object, the high-frequency module of the present invention and the high-frequency device equipped with the same are configured as follows.
[0011]
(1) a circuit board having a conductor layer, an input section and an output section, provided on the surface of the board for processing a high-frequency signal, and sandwiching the circuit construction element; A first bump row and a second bump row are provided in parallel along a direction connecting the input portion and the output portion, and are electrically connected to the conductor layer.
[0012]
(2) In the high-frequency module described in (1), the first bump row and the second bump row are substantially parallel to each other.
[0013]
(3) In the high-frequency module described in (1), the distance between the first bump row and the second bump row is ½ of the wavelength of the high-frequency signal input to the circuit component. It is characterized by being set smaller.
[0014]
(4) In the high-frequency module described in (1), a distance between a plurality of bumps constituting the first bump row and the second bump row is a wavelength of a high-frequency signal input to the circuit constituent element. It is characterized by being set to be smaller than 1/4.
[0015]
(5) A parent substrate having a first conductor layer on the surface, a child substrate having a second conductor layer disposed opposite to the surface of the parent substrate, an input unit and an output unit, A circuit component for processing a high-frequency signal provided between the first conductive layer and the second conductive layer on a surface of the substrate facing the parent substrate, and between the parent substrate and the child substrate A plurality of the circuit components arranged in parallel along the direction connecting the input portion and the output portion of the circuit components, and electrically connecting the first conductor layer and the second conductor layer. And a bump.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0017]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a high-frequency device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a bottom view showing the configuration of the high-frequency module according to the embodiment.
[0018]
As shown in FIG. 1, the high-frequency device of the present invention includes a high-frequency module 10 and a mother board 50 (parent substrate).
[0019]
The high-frequency module 10 includes a module substrate 11 (child substrate). The module substrate 11 is made of an insulating material and includes a module conductor layer 12 (second conductor layer) inside. The module conductor layer 12 is a so-called low potential layer such as a power supply layer or a ground layer.
[0020]
A plurality of (four in the present embodiment) first circuit elements 13 for processing baseband signals are mounted on the surface of the module substrate 11. A plurality of (one in the present embodiment) second circuit elements 14 (circuit constituent elements) for processing a high-frequency signal used as a carrier wave of the signal are mounted on the back surface of the module substrate 11. ing. Note that examples of the second circuit element 14 include a high-frequency amplifier and a high-frequency filter.
[0021]
As shown in FIG. 2, the second circuit element 14 is formed in a rectangular shape, and an input portion 14a and an output portion 14b for high frequency signals are provided at both ends in the longitudinal direction so as to be separated from each other by a distance L1. It has been.
[0022]
As shown in FIG. 1, the module substrate 11 is provided with a first through hole 15a for mounting and a second through hole 15b for shielding.
[0023]
The first through holes 15 a are arranged in parallel at predetermined intervals on the module substrate 11. Both ends of the first through hole 15a are connected to a first front electrode pad 16a and a first back electrode pad 16b formed on the front and back surfaces of the module substrate 11, respectively. A first ball bump 56 formed of a conductive material such as solder is provided.
[0024]
The second through holes 15b are arranged on both sides of the second circuit element 14 of the module substrate 11 in parallel along the direction connecting the input portion 14a and the output portion 14b of the second circuit element 14 at a predetermined interval. Yes. Both ends of the second through hole 15b are connected to a second front electrode pad 17a and a second back electrode pad 17b formed on the front surface and the back surface of the module substrate 11, respectively. Second ball bumps 57 each formed of a conductive material such as solder are provided.
[0025]
That is, as shown in FIG. 2, the first ball bumps 57 are arranged on both sides of the second circuit element 14 in parallel along the direction connecting the input portion 14a and the output portion 14b. A bump row 59 and a second bump row 60 are configured. The dimension of the second ball bump 57 is set such that the gap g in the column direction is smaller than a quarter of the wavelength λ of the high-frequency signal input to the second circuit element 14.
[0026]
The high-frequency module 10 having the above configuration is mounted on the surface of a mother board 50 (parent substrate). The mother board 50 is made of an insulating material, and includes an internal conductor layer 51 inside, a third surface electrode pad 54 and a surface conductor layer 52 (first conductor layer) on the surface. The internal conductor layer 51 is a so-called low potential layer such as a power supply layer or a ground layer.
[0027]
The third front surface electrode pad 54 is formed corresponding to the first back surface electrode pad 16b of the module substrate 11. The third surface electrode pad 54 and the internal conductor layer 51 are connected via a through hole 55, and the third surface electrode pad 54 and the first back electrode pad 16 b are respectively connected via a first ball bump 56. Connected.
[0028]
The surface conductor layer 52 is formed to sufficiently cover the second circuit element 14 and the second back electrode pad 17b in plan view. The surface conductor layer 52 and the internal conductor layer 51 are connected through a through hole 53, and the surface conductor layer 52 and the second back electrode pad 17 b of the high frequency module 10 are respectively connected via the second ball bumps 57. Connected.
[0029]
That is, around the second circuit element 14, the surface conductor layer 52, the second ball bump 57, the second through hole 15 b, and the module conductor layer 12 are used to simulate the same action as the waveguide. An optical waveguide 58 is formed.
[0030]
In the case where the module conductor layer 12 is formed as close as possible to the back surface of the module substrate 11, the second back electrode pad 17 b is directly connected by the module conductor layer 12 so that the pseudo waveguide 58 is connected. The surface conductor layer 52, the second ball bump 57, and the module conductor layer 12 may be used.
[0031]
Here, the property of the general waveguide D is demonstrated easily using FIG.
[0032]
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a general waveguide D. FIG.
[0033]
The waveguide D has a cutoff wavelength λ _C determined by its shape. This cut-off wavelength λ _C is a wavelength at which the transmitted electromagnetic wave is attenuated. An electromagnetic wave having a wavelength longer than the cut-off wavelength λ _C gradually attenuates and disappears in the course of transmission, and is shorter than the cut-off wavelength λ _C. Wavelength electromagnetic waves propagate through the waveguide D without being attenuated.
[0034]
The cutoff wavelength λ _C derived for the waveguide D shown in FIG. 4 is shown in the following [Equation 1], and the attenuation constant K at the time of attenuation is shown in the following [Equation 2]. The width dimension of the waveguide D is a, the height dimension is b, and the length dimension is L.
[0035]
[Expression 1]

[0036]
[Expression 2]

[0037]
The cutoff wavelength λ _C1 of the TE10 mode derived from [Equation 1] is shown in [Equation 3] below.
[0038]
[Equation 3]

[0039]
The cutoff wavelength λ _C1 in the TE10 mode shown in [Equation 3] is the longest among all modes. Therefore, if the value of the width dimension a of the waveguide D is set so that the cutoff wavelength λ _C1 is shorter than the wavelength λ of the target electromagnetic wave, that is, the condition shown in the following [Equation 4] is satisfied, Electromagnetic waves can be reliably attenuated in the process of transmission.
[0040]
[Expression 4]

[0041]
As can be seen from [Equation 4], if the width dimension a of the waveguide D is made smaller than λ / 2, it can be seen that the electromagnetic wave is attenuated in the process of transmission.
[0042]
Therefore, as shown in FIG. 3, in the present embodiment, the inter-column distance a1 of the first and

second bump rows

59 and 60 corresponding to the width dimension of the pseudo waveguide 58 is the second circuit element. 14 is set to be smaller than a half of the wavelength λ of the high-frequency signal input to 14.
[0043]
With such a configuration, the electromagnetic wave generated on the output side of the second circuit element 14 is attenuated when propagating through the pseudo waveguide 58. For example, when the frequency of the high-frequency signal is 5 [GHz] and the width a1 of the pseudo waveguide 58 is 3 [mm], the electromagnetic wave generated at the output unit 14b of the second circuit element 14 is approximately reduced from the output unit 14b. It was possible to attenuate by about 27 [dB] before reaching the input unit 14b separated by 3 [mm].
[0044]
That is, the distance L between the width a1 of the pseudo waveguide 58 and the input part 14a and the output part 14b of the second circuit element 14 is balanced with the required amount of isolation and the physical size of the circuit. By determining the value, a desired attenuation can be obtained.
[0045]
As a result, the electromagnetic wave generated on the output side of the second circuit element 14 can be attenuated to a desired level before reaching the input side, thereby suppressing the coupling of the input signal and the output signal. it can.
[0046]
Of the electromagnetic waves generated from the output side of the second circuit element 14, the electromagnetic waves that have the greatest influence on the operation of the device are the electromagnetic waves that propagate in the vicinity of the second circuit element 14 and return to the input side. In the present invention, since this electromagnetic wave is reduced by the attenuation action of the pseudo waveguide 58, it is possible to efficiently prevent the input signal and the output signal from being combined.
[0047]
In addition, in the present invention, since the waveguide for covering the periphery of the second circuit element 14 is formed by ball bumps used when the high frequency module 10 is mounted on the mother board 50, the apparatus is enlarged. Therefore, necessary isolation can be ensured.
[0048]
In the present embodiment, the interval g between the second ball bumps 57 is set to λ / 4 or less. Therefore, not only can electromagnetic waves propagating in the pseudo waveguide 58 leak outside from between the second ball bumps 58, but electromagnetic waves generated from the outside of the high-frequency module 10, that is, from a power source, an oscillator, or the like are simulated. It is possible to prevent the inside of the waveguide 58 from entering and causing noise to cause a problem in the second circuit element 14.
[0049]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention at the stage of implementation. Various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine the component covering different embodiment suitably.
[0050]
For example, in the present embodiment, as the second circuit element 14, a high-frequency amplifier, a high-frequency filter, and the like are described, but the present invention is not limited to these. The present invention can be applied to simple wirings as long as a high-frequency signal is transmitted and electromagnetic waves are generated in the surroundings.
[0051]
【The invention's effect】
According to the present invention, coupling of an input signal and an output signal can be prevented without increasing the size of the device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a high-frequency device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a bottom view showing the configuration of the high-frequency module according to the embodiment.
FIG. 3 is an enlarged front view showing a main part of the high-frequency device according to the embodiment.
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a waveguide.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... High frequency module, 11 ... Module board | substrate (child board | substrate), 12 ... Module conductor layer (2nd conductor layer), 14 ... 2nd circuit element (circuit component element), 50 ... Mother board (parent board | substrate), 52 ... Surface conductor layer (first conductor layer), 57 ... second ball bump (bump), 59 ... first bump row, 60 ... second bump row, a ... distance between rows.

Claims

A substrate having a conductor layer;
A circuit component having an input part and an output part, provided on the surface of the substrate and processing a high-frequency signal;
A first bump row and a second bump row that are arranged in parallel along the direction connecting the input part and the output part of the circuit constituent element and are electrically connected to the conductor layer while sandwiching the circuit constituent element. ,
A high-frequency module comprising:

2. The high frequency module according to claim 1, wherein the first bump row and the second bump row are substantially parallel.

The distance between the first bump row and the second bump row is set to be smaller than ½ of the wavelength of the high-frequency signal input to the circuit component. High frequency module.

The distance between the plurality of bumps constituting the first bump row and the second bump row is set to be smaller than ¼ of the wavelength of the high-frequency signal input to the circuit constituent element. Item 1. The high-frequency module according to Item 1.

A parent substrate having a first conductor layer on the surface;
A child board disposed opposite to the surface of the parent board and having a second conductor layer;
A circuit component element that has an input unit and an output unit, and is provided on a surface of the child substrate facing the parent substrate so as to be sandwiched between the first conductor layer and the second conductor layer, and processes a high-frequency signal; ,
The circuit component is sandwiched between the parent substrate and the child substrate, and arranged in parallel along the direction connecting the input portion and the output portion of the circuit component, and the first conductor layer and the second conductor layer A plurality of bumps for electrically connecting the conductor layers;
A high frequency device comprising: