JP5937190B2 - Circuit board - Google Patents

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Description

本発明の実施の形態は、回路基板に関する。
Embodiments described herein relate generally to a circuit board .

半導体部品等の電子部品が実装されたマザーボード、モジュール等の回路基板において、回路動作に起因した電磁波による素子間の相互干渉や、グラウンド面、電源面に伝搬するノイズが回路基板の誤動作を引き起こすことがある。相互干渉やノイズ等に起因する回路基板の誤動作は、回路基板を小型化、すなわち電子部品の実装レイアウト面積を縮小した場合に特に顕著に現れる。   In circuit boards such as motherboards and modules on which electronic parts such as semiconductor parts are mounted, mutual interference between elements due to electromagnetic waves caused by circuit operation and noise propagating to the ground plane and power supply plane may cause the circuit board to malfunction. There is. The malfunction of the circuit board due to mutual interference, noise or the like appears particularly prominently when the circuit board is downsized, that is, the mounting layout area of the electronic component is reduced.

相互干渉やノイズ等に起因する回路基板の誤動作を防ぐために、例えば、実装される電子部品間の間隔を拡大したり、電子部品を用いたフィルタ回路を回路基板に追加したりする。しかしながら、電子部品間の拡大やフィルタ回路の追加は、回路基板の小型化を阻害する。   In order to prevent malfunction of the circuit board due to mutual interference, noise, or the like, for example, an interval between mounted electronic components is increased, or a filter circuit using the electronic components is added to the circuit board. However, the enlargement between electronic components and the addition of a filter circuit hinder downsizing of the circuit board.

一方、電磁波の影響を受けやすい半導体部品や、電磁波の影響を受けやすい回路基板上の電子回路全体を、金属筐体で覆う方法がとられることがある。この方法により、半導体部品や電子回路について、物理的な保護と外部からの有害な電磁波の遮断を行う。   On the other hand, a method may be used in which a semiconductor component that is easily affected by electromagnetic waves or an entire electronic circuit on a circuit board that is easily affected by electromagnetic waves is covered with a metal casing. This method physically protects semiconductor parts and electronic circuits and blocks harmful electromagnetic waves from the outside.

また、電子部品を用いてフィルタ回路を形成する場合より、回路面積の縮小効果が高いことから、誘電体の回路基板内にEBG(Electromagnetic Band Gap)構造を設けることが考案されている。   In addition, since an effect of reducing the circuit area is higher than when a filter circuit is formed using electronic components, it has been devised to provide an EBG (Electromagnetic Band Gap) structure in a dielectric circuit board.

特開2009−218966号公報JP 2009-218966 A

本発明が解決しようとする課題は、小型化と、素子の相互干渉やノイズ等による誤動作の抑制を両立する回路基板を提供することにある。   The problem to be solved by the present invention is to provide a circuit board that achieves both miniaturization and suppression of malfunction due to mutual interference of elements, noise, and the like.

実施の形態の回路基板は、複数の電子部品がプリント配線板に実装される回路基板であって、前記プリント配線板に実装される半導体デバイスと、前記半導体デバイスに対し前記プリント配線板の反対側に設けられる第1のEBG構造体とを備え、前記半導体デバイスの動作周波数が、前記第1のEBG構造体の遮断帯域外にあり、前記第1のEBG構造体が前記プリント配線板のグラウンドまたは電源に接続され、前記回路基板の動作周波数が、前記第1のEBG構造体の遮断帯域内にあり、前記第1のEBG構造体が、第1の導電体で形成される電極部と、前記電極部に略平行に設けられ第2の導電体で形成され10mm角以下のパッチ部と、前記電極部と前記パッチ部との間に設けられる絶縁層と、前記絶縁層内の前記パッチ部と前記電極部との間に設けられ、前記パッチ部と前記電極部とに接続されるビアと、を備えるマッシュルーム構造である。   A circuit board according to an embodiment is a circuit board on which a plurality of electronic components are mounted on a printed wiring board, and a semiconductor device mounted on the printed wiring board, and the opposite side of the printed wiring board to the semiconductor device The semiconductor device has an operating frequency outside the cutoff band of the first EBG structure, and the first EBG structure is connected to the ground of the printed wiring board or An electrode unit connected to a power source, wherein an operating frequency of the circuit board is within a cutoff band of the first EBG structure, and the first EBG structure is formed of a first conductor; A patch portion that is provided substantially parallel to the electrode portion and is formed of a second conductor and is 10 mm square or less; an insulating layer provided between the electrode portion and the patch portion; and the patch portion in the insulating layer; Above It is provided between the pole portion, a mushroom structure and a via connected to the patch portion and the electrode portion.

第1の実施の形態の半導体部品の模式図である。It is a schematic diagram of the semiconductor component of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の半導体部品が実装される回路基板の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a circuit board on which a semiconductor component according to a first embodiment is mounted. 第1の実施の形態の電磁界解析結果を示す図である。It is a figure which shows the electromagnetic field analysis result of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の半導体部品および回路基板の作用を示す図である。It is a figure which shows the effect | action of the semiconductor component and circuit board of 1st Embodiment. 第2の実施の形態の半導体部品の模式図である。It is a schematic diagram of the semiconductor component of 2nd Embodiment.

本明細書中、「半導体デバイス(semiconductor device)」とは、SOC(system on chip)を含む半導体チップのみならず、例えば、複数の半導体チップを樹脂で接着し、相互のチップ間を配線層で接続する半導体部品、いわゆる疑似SOC(pseudo system on chip)も包含する概念である。   In this specification, the “semiconductor device” is not only a semiconductor chip including an SOC (system on chip) but also, for example, a plurality of semiconductor chips are bonded with a resin, and a mutual wiring layer is formed between the chips. It is a concept that also includes semiconductor parts to be connected, so-called pseudo SOC (pseudo system on chip).

本明細書中、「半導体部品(semiconductor component)」とは、半導体デバイスが封止された半導体パッケージのみならず半導体デバイスが封止されていない状態のいわゆるベアチップも包含する概念である。   In this specification, “semiconductor component” is a concept including not only a semiconductor package in which a semiconductor device is sealed but also a so-called bare chip in a state in which the semiconductor device is not sealed.

本明細書中、「電子部品(electronic component)」とは、半導体部品や、アンテナ、コンデンサまたは抵抗等の受動部品等、電子的に機能する部品全般を包含する概念とする。   In this specification, “electronic component” is a concept including all electronically functioning components such as semiconductor components and passive components such as an antenna, a capacitor, and a resistor.

本明細書中、「プリント配線板(printed wiring board)」とは、導電体のプリント配線を形成した板であり、電子部品が実装されていない状態のもの、いわゆるベアボードを意味する。   In this specification, a “printed wiring board” is a board on which a printed wiring of a conductor is formed, and means a so-called bare board in which no electronic component is mounted.

本明細書中、「回路基板(circuit board)」とは、プリント配線板に電子部品が実装された状態のものを意味する。   In this specification, the “circuit board” means a state in which electronic components are mounted on a printed wiring board.

また、本明細書中、EBG構造体の「遮断帯域」は、例えば、挿入損失を示すSパラメータであるS21が−20dB以下、すなわち、−20dBより遮断量(挿入損失)の大きい周波数帯域で定義するものとする。   Further, in this specification, the “stop band” of the EBG structure is defined by, for example, a frequency band in which S21, which indicates an insertion loss, is −20 dB or less, that is, a cutoff amount (insertion loss) is larger than −20 dB. It shall be.

(第1の実施の形態)
本実施の形態の半導体部品は、半導体デバイスと、半導体デバイス上に形成される第1のEBG構造体とを備える半導体部品である。そして、半導体デバイスの動作周波数が、第1のEBG構造体の遮断帯域外にある。
(First embodiment)
The semiconductor component of the present embodiment is a semiconductor component including a semiconductor device and a first EBG structure formed on the semiconductor device. The operating frequency of the semiconductor device is outside the cutoff band of the first EBG structure.

また、本実施の形態の回路基板は、複数の電子部品がプリント配線板に実装される回路基板である。そして、プリント配線板に実装され、半導体デバイスと、半導体デバイス上に形成される第1のEBG構造体とを備える半導体部品を備える。そして、半導体デバイスの動作周波数が、第1のEBG構造体の遮断帯域外にある。そして、第1のEBG構造体が、プリント配線板のグラウンドまたは電源に接続される。   In addition, the circuit board of the present embodiment is a circuit board on which a plurality of electronic components are mounted on a printed wiring board. The semiconductor component is mounted on a printed wiring board and includes a semiconductor device and a first EBG structure formed on the semiconductor device. The operating frequency of the semiconductor device is outside the cutoff band of the first EBG structure. Then, the first EBG structure is connected to the ground or power source of the printed wiring board.

なお、プリント配線板のグラウンドとは、グラウンド面またはグラウンド配線、あるいはそれらに与えられるグラウンド電位を意味する。また、プリント配線板の電源とは、電源面または電源配線、あるいはそれらに与えられる電源電位を意味する。   The ground of the printed wiring board means a ground surface or ground wiring, or a ground potential applied to them. Moreover, the power supply of a printed wiring board means a power supply surface or power supply wiring, or the power supply potential given to them.

本実施の形態の半導体部品は、上記構成を備えることにより、プリント配線板上に実装し、グラウンドまたは電源と第1のEBG構造体を接続することにより、例えば、特段のフィルタ回路を設けることなく回路基板のグラウンドや電源を安定化させる。したがって、この半導体部品を用いることで、小型化と、素子の相互干渉やノイズ等による誤動作の抑制を両立する回路基板を形成することが可能となる。   The semiconductor component according to the present embodiment has the above-described configuration, and is mounted on a printed wiring board. By connecting the ground or power supply and the first EBG structure, for example, a special filter circuit is not provided. Stabilize the circuit board ground and power supply. Therefore, by using this semiconductor component, it is possible to form a circuit board that achieves both miniaturization and suppression of malfunction due to mutual interference of elements, noise, and the like.

また、本実施の形態の回路基板は、上記構成を備えることにより、例えば、プリント配線板に新たな電子部品を実装してフィルタ回路を設けることなく、回路基板のグラウンドや電源を安定化させる。したがって、小型化と、素子の相互干渉やノイズ等による誤動作の抑制を両立する回路基板を実現することが可能となる。   In addition, the circuit board of the present embodiment has the above-described configuration, so that, for example, a new electronic component is mounted on a printed wiring board and a filter circuit is not provided, thereby stabilizing the ground and power supply of the circuit board. Therefore, it is possible to realize a circuit board that achieves both miniaturization and suppression of malfunction due to mutual interference of elements and noise.

本実施の形態の半導体部品は、第1のEBG構造体が半導体デバイスの動作周波数と異なる遮断帯域を備えることで、半導体部品自体にとって有害な電磁波等を遮断するのみならず、半導体部品自体以外、例えば、半導体部品が実装される回路基板にとって有害な周波数帯の電磁波を遮断することが可能となる。   In the semiconductor component of the present embodiment, the first EBG structure has a cutoff band different from the operating frequency of the semiconductor device, so that not only the electromagnetic wave harmful to the semiconductor component itself is blocked, but other than the semiconductor component itself, For example, it is possible to block electromagnetic waves in a frequency band that is harmful to a circuit board on which semiconductor components are mounted.

図1は、本実施の形態の半導体部品の模式図である。図1(a)は半導体部品の模式断面図、図1(b)は第1のEBG構造体の模式斜視図である。   FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor component of the present embodiment. FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of a semiconductor component, and FIG. 1B is a schematic perspective view of a first EBG structure.

半導体部品100は、下部に半導体デバイス10、半導体デバイス10上に形成される第1のEBG構造体12とで構成されている。半導体デバイス10が、複数の半導体チップを樹脂で接着し、相互のチップ間を配線層で接続する半導体部品、いわゆる疑似SOC(pseudo system on chip)である場合を例に説明する。   The semiconductor component 100 includes a semiconductor device 10 at a lower portion and a first EBG structure 12 formed on the semiconductor device 10. A case will be described as an example where the semiconductor device 10 is a semiconductor component in which a plurality of semiconductor chips are bonded with a resin and the mutual chips are connected by a wiring layer, that is, a so-called pseudo SOC (pseudo system on chip).

疑似SOC10は、複数の半導体チップ14a〜14eを備えている。半導体チップ14a〜14eは樹脂16で接着されている。半導体チップ14a〜14e相互間は、例えば、多層配線層18で電気的に接続されている。   The pseudo SOC 10 includes a plurality of semiconductor chips 14a to 14e. The semiconductor chips 14 a to 14 e are bonded with a resin 16. The semiconductor chips 14 a to 14 e are electrically connected by, for example, a multilayer wiring layer 18.

疑似SOC10の上部には、第1のEBG構造体12が設けられる。図1(a)中、点線で囲まれた領域が、第1のEBG構造体12の1ユニットとなる。この1ユニットが規則的に配置される構成となっている。   A first EBG structure 12 is provided on the pseudo SOC 10. In FIG. 1A, a region surrounded by a dotted line is one unit of the first EBG structure 12. This one unit is regularly arranged.

図1(b)は、本実施の形態の第1のEBG構造体12の模式斜視図である。第1のEBG構造体12は、第1の導電体で形成される電極部20と、電極部20に略平行に設けられ第2の導電体で形成されるパッチ部22とを備える。また、電極部20とパッチ部22との間に設けられる絶縁層24を備える。そして、電極部20とパッチ部22とを接続するビア26を備える。第1のEBG構造体12は、いわゆる、マッシュルーム構造である。   FIG. 1B is a schematic perspective view of the first EBG structure 12 of the present embodiment. The first EBG structure 12 includes an electrode portion 20 formed of a first conductor and a patch portion 22 provided substantially parallel to the electrode portion 20 and formed of a second conductor. In addition, an insulating layer 24 provided between the electrode portion 20 and the patch portion 22 is provided. A via 26 that connects the electrode unit 20 and the patch unit 22 is provided. The first EBG structure 12 has a so-called mushroom structure.

電極部20は、リファレンス面であり、例えば、グラウンド面または電源面となる。電極部20は、半導体部品10がプリント配線板に実装される際に、プリント配線板のグラウンドまたは電源に接続される。第1の導電体は、例えば、アルミニウム(Al)または金(Au)等の金属である。   The electrode unit 20 is a reference surface, for example, a ground surface or a power supply surface. The electrode unit 20 is connected to the ground or power source of the printed wiring board when the semiconductor component 10 is mounted on the printed wiring board. The first conductor is, for example, a metal such as aluminum (Al) or gold (Au).

パッチ部22は、第2の導電体で形成される。第2の導電体は、例えば、アルミニウム(Al)または金(Au)等の金属である。パッチ部22の形状は、特に限定されるものではなく、四角形、円形、その他の形状であってもかまわない。   The patch part 22 is formed of a second conductor. The second conductor is a metal such as aluminum (Al) or gold (Au), for example. The shape of the patch part 22 is not particularly limited, and may be a quadrangle, a circle, or other shapes.

パッチ部22のサイズは、所望の遮断帯域(ストップバンド領域)を得るために最適化される。パッチ部22のサイズは、半導体部品のサイズを小さくする観点から、10mm角以下であることが望ましい。   The size of the patch unit 22 is optimized to obtain a desired stop band (stop band region). The size of the patch portion 22 is desirably 10 mm square or less from the viewpoint of reducing the size of the semiconductor component.

絶縁層24は、例えば、有機樹脂である。   The insulating layer 24 is, for example, an organic resin.

ビア26は導電体で形成される。用いられる導電体は特に限定されず、金属、半導体、または導電性の樹脂であってもかまわない。ビア26は、絶縁層24内のパッチ部22と電極部20との間に設けられ、パッチ部22と電極部20とに接続されている   The via 26 is formed of a conductor. The conductor used is not particularly limited, and may be a metal, a semiconductor, or a conductive resin. The via 26 is provided between the patch part 22 and the electrode part 20 in the insulating layer 24, and is connected to the patch part 22 and the electrode part 20.

図2は、本実施の形態の半導体部品10が実装される回路基板200の模式断面図である。回路基板200には、プリント配線板30に、複数の電子部品32a、32b、32cおよび半導体部品100が実装される。電子部品32a、32b、32cは、例えば、ロジックLSI、メモリ等の半導体部品あるいはコンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品である。複数の電子部品32a、32b、32cおよび半導体部品100は、例えば、バンプ部34によって、プリント配線板30に実装される。回路基板200は、例えばマザーボードである。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a circuit board 200 on which the semiconductor component 10 of the present embodiment is mounted. On the circuit board 200, a plurality of electronic components 32 a, 32 b, 32 c and the semiconductor component 100 are mounted on the printed wiring board 30. The electronic components 32a, 32b, and 32c are, for example, semiconductor components such as logic LSIs and memories, or passive components such as capacitors, resistors, and coils. The plurality of electronic components 32 a, 32 b, 32 c and the semiconductor component 100 are mounted on the printed wiring board 30 by, for example, bump portions 34. The circuit board 200 is a motherboard, for example.

プリント配線板30は、樹脂等の絶縁層36と、例えば、金属のグラウンド面38と、金属の電源面40とが積層される構造となっている。絶縁層36内には、例えば貫通ビア42が設けられ、グラウンド面38や電源面40が半導体部品100や電子部品32a、32b、32cと接続可能に構成されている。図2では、グラウンド面38と半導体製品100が、貫通ビア42とバンプ部34を介して接続される断面を示している。   The printed wiring board 30 has a structure in which an insulating layer 36 such as a resin, a metal ground surface 38, and a metal power supply surface 40 are laminated. In the insulating layer 36, for example, a through via 42 is provided, and the ground surface 38 and the power supply surface 40 are configured to be connectable to the semiconductor component 100 and the electronic components 32a, 32b, and 32c. FIG. 2 shows a cross section in which the ground plane 38 and the semiconductor product 100 are connected via the through via 42 and the bump portion 34.

半導体部品100は、半導体デバイス10と第1のEBG構造体12で構成される。半導体部品100は、第1のEBG構造体12が半導体デバイス10を挟んでプリント配線板30の反対側にくるよう実装される。これにより、第1のEBG構造体12が半導体デバイスの物理的な保護層としても機能する。すなわち、第1のEBG構造体12が半導体デバイス12の筐体としての機能も備えている。   The semiconductor component 100 includes a semiconductor device 10 and a first EBG structure 12. The semiconductor component 100 is mounted such that the first EBG structure 12 is on the opposite side of the printed wiring board 30 with the semiconductor device 10 interposed therebetween. Thereby, the first EBG structure 12 also functions as a physical protective layer of the semiconductor device. That is, the first EBG structure 12 also has a function as a housing of the semiconductor device 12.

例えば、第1のEBG構造体12の電極部20が、プリント配線板30のグラウンド面38と電気的に接続される。そして、半導体デバイス10の動作周波数が、第1のEBG構造体12の遮断帯域外にあり、回路基板200の動作周波数(伝送周波数)が、第1のEBG構造体12の遮断帯域内にあるよう第1のEBG構造体が設計されている。   For example, the electrode part 20 of the first EBG structure 12 is electrically connected to the ground surface 38 of the printed wiring board 30. The operating frequency of the semiconductor device 10 is outside the cutoff band of the first EBG structure 12, and the operating frequency (transmission frequency) of the circuit board 200 is within the cutoff band of the first EBG structure 12. A first EBG structure is designed.

第1のEBG構造体12は、回路基板200の動作周波数(伝送周波数)を遮断することで、回路基板200の動作に有害な周波数を遮断するストップバンドフィルタとして機能する。本実施の形態の回路基板200では、回路基板200に実装されている半導体100の上部の領域、いわば、デッドスペースを回路基板200用のフィルタ回路として利用する。これにり、回路基板200に別途、電子部品で構成されるフィルタ回路を設ける必要がなくなり、回路基板200の小型化が実現される。   The first EBG structure 12 functions as a stop band filter that blocks a frequency harmful to the operation of the circuit board 200 by blocking the operating frequency (transmission frequency) of the circuit board 200. In the circuit board 200 of the present embodiment, a region above the semiconductor 100 mounted on the circuit board 200, that is, a dead space is used as a filter circuit for the circuit board 200. Accordingly, it is not necessary to separately provide a filter circuit composed of electronic components on the circuit board 200, and the circuit board 200 can be downsized.

第1のEBG構造体12は、半導体デバイス10の動作周波数が、第1のEBG構造体12の遮断帯域外にあり、回路基板200の動作周波数(伝送周波数)が、第1のEBG構造体12の遮断帯域内にあるよう設計している。このため、第1のEBG構造体12が半導体デバイス10自体の動作を安定化させる効果は大きくないが、第1のEBG構造体12の遮断帯域の電磁波が、半導体デバイス10に与える影響を低減できることは言うまでもない。   In the first EBG structure 12, the operating frequency of the semiconductor device 10 is outside the cut-off band of the first EBG structure 12, and the operating frequency (transmission frequency) of the circuit board 200 is the first EBG structure 12. It is designed to be within the stopband. For this reason, the effect of the first EBG structure 12 stabilizing the operation of the semiconductor device 10 itself is not great, but the influence of the electromagnetic waves in the cutoff band of the first EBG structure 12 on the semiconductor device 10 can be reduced. Needless to say.

図3は、本実施の形態の回路基板の電磁界解析結果を示す図である。シミュレーションにより求めた結果である。第1のEBG構造12は、パッチ部22が3mm角、1mm間隔で、5行5列の行列配置としている。また、パッチ部22は長さ0.5mmのビア26でリファレンス面である電極部20に接続されるものとした。そして、電極部20が、半導体製品100が実装されるプリント配線板30のグラウンド面38と接続されるものとしている。   FIG. 3 is a diagram illustrating an electromagnetic field analysis result of the circuit board according to the present embodiment. This is a result obtained by simulation. In the first EBG structure 12, the patch portions 22 are arranged in a matrix of 5 rows and 5 columns at 3 mm square and 1 mm intervals. The patch part 22 is connected to the electrode part 20 which is a reference surface by a via 26 having a length of 0.5 mm. And the electrode part 20 shall be connected with the ground surface 38 of the printed wiring board 30 in which the semiconductor product 100 is mounted.

図3の横軸は伝送信号の周波数、縦軸はSパラメータ(S21)である。点線は、実装される半導体製品100が第1のEBG構造体12を備えない場合の特性、実線は第1のEBG構造体12を備える場合の通過特性である。   In FIG. 3, the horizontal axis represents the frequency of the transmission signal, and the vertical axis represents the S parameter (S21). A dotted line is a characteristic when the semiconductor product 100 to be mounted does not include the first EBG structure 12, and a solid line is a transmission characteristic when the first EBG structure 12 is provided.

点線で示すように、第1のEBG構造体12が無い場合には、例えば、10GHzで、−1dBの挿入損失しか見られない。したがって、例えば、第1のEBG構造体12に接続されるプリント配線板30のグラウンド面に10GHzのノイズが乗った場合には、このノイズを遮断することができない。   As indicated by the dotted line, in the absence of the first EBG structure 12, for example, only -1 dB insertion loss can be seen at 10 GHz. Therefore, for example, when noise of 10 GHz rides on the ground surface of the printed wiring board 30 connected to the first EBG structure 12, this noise cannot be blocked.

これに対し、実線で示すように、第1のEBG構造体12がある場合には、回路基板200に対し、遮断量―40dBの10GHzのストップバンドフィルタとして機能することがわかる。しがたって、例えば、回路基板200が10GHzの動作周波数を備えている場合、第1のEBG構造体12が、回路基板200の動作に有害な周波数を遮断するストップバンドフィルタとなるといえる。   On the other hand, as shown by the solid line, when the first EBG structure 12 is present, it can be seen that the circuit board 200 functions as a 10 GHz stopband filter with a cutoff amount of −40 dB. Therefore, for example, when the circuit board 200 has an operating frequency of 10 GHz, it can be said that the first EBG structure 12 serves as a stopband filter that blocks frequencies harmful to the operation of the circuit board 200.

図4は、本実施の形態の半導体部品および回路基板の作用を示す図である。図4(a)は半導体部品に第1のEBG構造体12がない場合の回路基板の模式上面図、図4(b)が第1のEBG構造体12がある場合の回路基板の模式上面図を示す。   FIG. 4 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor component and the circuit board according to the present embodiment. 4A is a schematic top view of the circuit board when the semiconductor component does not have the first EBG structure 12, and FIG. 4B is a schematic top view of the circuit board when the first EBG structure 12 is present. Indicates.

図4(a)に示すように、プリント配線板30に、電子部品32a、32b、32c、32d、32e、32f、32g、32h、32iおよび半導体部品100a、100bが実装され、回路基板を形成しているものとする。そして、この回路基板では、信号の相互干渉を抑制するため、図中点線矢印で示される入力から出力までの信号の流れを考慮して電子部品の配置が行われている。このため、信号による干渉が生じないように、大回りな電子部品の配置が行われている。したがって、図中上側に位置する電子部品32a、32b、32c、32d、32eと、図中下側に位置する電子部品32f、32g、32h、32i間を、図中実線両矢印で示す距離だけ保つている。   As shown in FIG. 4A, electronic components 32a, 32b, 32c, 32d, 32e, 32f, 32g, 32h, and 32i and semiconductor components 100a and 100b are mounted on a printed wiring board 30 to form a circuit board. It shall be. In this circuit board, in order to suppress mutual interference of signals, the electronic components are arranged in consideration of the signal flow from the input to the output indicated by the dotted arrows in the drawing. For this reason, large-sized electronic components are arranged so that interference due to signals does not occur. Accordingly, the distance between the electronic components 32a, 32b, 32c, 32d, and 32e positioned on the upper side in the drawing and the electronic components 32f, 32g, 32h, and 32i positioned on the lower side in the drawing is maintained by the distance indicated by the solid arrows in the drawing. ing.

一方、図4(b)では半導体部品100a、100bの上部に第1のEBG構造体12を設け、例えば、グラウンド面を伝搬するノイズにより、電子部品間の干渉が予測される場所に配置する。そして、例えば、第1のEBG構造体12をプリント配線板のグラウンド面に接続する。これにより、例えば、図中上側に位置する電子部品32a、32b、32c、32d、32eからグラウンド面を伝搬するノイズを半導体部品100a、100bで遮断することが可能となる。したがって、図中上側に位置する電子部品32a、32b、32c、32d、32eと、図中下側に位置する電子部品32f、32g、32h、32i間の距離を図4(a)の場合と比較して小さくすことが可能となる。   On the other hand, in FIG. 4B, the first EBG structure 12 is provided on the upper parts of the semiconductor components 100a and 100b, and is disposed at a place where interference between electronic components is predicted due to, for example, noise propagating on the ground surface. Then, for example, the first EBG structure 12 is connected to the ground surface of the printed wiring board. Thereby, for example, it is possible to block the noise propagating on the ground surface from the electronic components 32a, 32b, 32c, 32d, and 32e located on the upper side in the drawing by the semiconductor components 100a and 100b. Therefore, the distance between the electronic components 32a, 32b, 32c, 32d, and 32e located on the upper side in the drawing and the electronic components 32f, 32g, 32h, and 32i located on the lower side in the drawing is compared with the case of FIG. And can be made smaller.

このように、半導体デバイス10上に形成される第1のEBG構造体12が、回路基板100のストップバンドフィルタとして機能することにより、回路基板100のグラウンド面を伝搬するノイズを遮断することが可能となる。したがって、回路基板に実装される電子部品間の距離を短縮することが可能となる。よって、回路基板の小型化が実現可能となる。   As described above, the first EBG structure 12 formed on the semiconductor device 10 functions as a stop band filter of the circuit board 100, so that it is possible to block noise propagating on the ground plane of the circuit board 100. It becomes. Therefore, the distance between the electronic components mounted on the circuit board can be shortened. Therefore, the circuit board can be downsized.

なお、本実施の形態においては、半導体デバイス10を疑似SOCとすることで、第1のEBG構造体12は、疑似SOCの多層配線層18と同様のプロセスで同様の材料を用いて形成することが可能となる。したがって、簡易に半導体部品100に第1のEBG構造体を形成することが可能となるという利点がある。   In the present embodiment, the first EBG structure 12 is formed using the same material in the same process as the multilayer wiring layer 18 of the pseudo SOC by using the semiconductor device 10 as the pseudo SOC. Is possible. Therefore, there is an advantage that the first EBG structure can be easily formed on the semiconductor component 100.

もっとも、半導体デバイス10は、必ずしも疑似SOCに限られることはなく、SOC、単体のロジックLSI、メモリ等であってもかまわない。この場合、例えば、第1のEBG構造体12は、半導体デバイス10と同一のプロセスで形成せずとも、例えば、別々に形成した半導体デバイス10と第1のEBG構造体を貼りあわせるプロセスで形成してもかまわない。   However, the semiconductor device 10 is not necessarily limited to the pseudo SOC, and may be an SOC, a single logic LSI, a memory, or the like. In this case, for example, the first EBG structure 12 is not formed by the same process as the semiconductor device 10, but is formed by, for example, a process of bonding the semiconductor device 10 and the first EBG structure formed separately. It doesn't matter.

また、第1のEBG構造体12がプリント配線板30のグラウンド面38と接続される場合を例に説明した。しかしながら、第1のEBG構造体12がプリント配線板30の電源面40と接続され、電源面40のノイズを遮断する機能を持たせてもかまわない。   Further, the case where the first EBG structure 12 is connected to the ground surface 38 of the printed wiring board 30 has been described as an example. However, the first EBG structure 12 may be connected to the power supply surface 40 of the printed wiring board 30 and may have a function of blocking noise on the power supply surface 40.

あるいは、第1のEBG構造体と同様のEBG構造体をさらに積層して二層化し、一方をプリント配線板30のグラウンド面38、他方を電源面40に接続する構成であってもかまわない。   Alternatively, an EBG structure similar to the first EBG structure may be further laminated to form two layers, and one may be connected to the ground surface 38 of the printed wiring board 30 and the other to the power supply surface 40.

また、第1のEBG構造体12がマッシュルーム型である場合を例に説明した。良好な遮断特性を得る観点からは、マッシュルーム型である場合が好ましいが、例えば、ビアレスのモザイク構造等、その他の構造を適用することも可能である。   Further, the case where the first EBG structure 12 is a mushroom type has been described as an example. From the viewpoint of obtaining good blocking characteristics, a mushroom type is preferable, but other structures such as a vialess mosaic structure can also be applied.

(第2の実施の形態)
本実施の形態の半導体部品および回路基板は、半導体部品が第1のEBG構造体と半導体デバイスとの間に第2のEBG構造体を備え、半導体デバイスの動作周波数が、第2のEBG構造体の遮断帯域内にあること以外は第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Second Embodiment)
In the semiconductor component and the circuit board according to the present embodiment, the semiconductor component includes the second EBG structure between the first EBG structure and the semiconductor device, and the operating frequency of the semiconductor device is the second EBG structure. This is the same as in the first embodiment except that it is within the cutoff band. Therefore, the description overlapping the first embodiment is omitted.

図5は、本実施の形態の半導体部品の模式図である。図5(a)は半導体部品の模式断面図、図5(b)は第2のEBG構造体の模式斜視図である。   FIG. 5 is a schematic diagram of the semiconductor component of the present embodiment. FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of a semiconductor component, and FIG. 5B is a schematic perspective view of a second EBG structure.

半導体部品300は、半導体デバイス10、半導体デバイス10上に形成される第2のEBG構造体42、第2のEBG構造体42上に形成される第1のEBG構造体12とで構成されている。すなわち、半導体部品300が第1のEBG構造体12と半導体デバイス10との間に第2のEBG構造体42を備える点で第1の実施の形態と異なっている。   The semiconductor component 300 includes a semiconductor device 10, a second EBG structure 42 formed on the semiconductor device 10, and a first EBG structure 12 formed on the second EBG structure 42. . That is, the semiconductor component 300 is different from the first embodiment in that the semiconductor component 300 includes a second EBG structure 42 between the first EBG structure 12 and the semiconductor device 10.

半導体デバイス10が、複数の半導体チップを樹脂で接着し、相互のチップ間を配線層で接続する半導体部品、いわゆる疑似SOC(pseudo system on chip)である場合を例に説明する。   A case will be described as an example where the semiconductor device 10 is a semiconductor component in which a plurality of semiconductor chips are bonded with a resin and the mutual chips are connected by a wiring layer, that is, a so-called pseudo SOC (pseudo system on chip).

疑似SOC10は、複数の半導体チップ14a〜14eを備えている。半導体チップ14a〜14eは樹脂16で接着されている。半導体チップ14a〜14e相互間は、例えば、多層配線層18で電気的に接続されている。   The pseudo SOC 10 includes a plurality of semiconductor chips 14a to 14e. The semiconductor chips 14 a to 14 e are bonded with a resin 16. The semiconductor chips 14 a to 14 e are electrically connected by, for example, a multilayer wiring layer 18.

疑似SOC10の上部には、第2のEBG構造体42が設けられる。図5(a)中、下側の点線で囲まれた領域が、第2のEBG構造体42の1ユニットとなる。この1ユニットが規則的に配置される構成となっている。   A second EBG structure 42 is provided on the pseudo SOC 10. In FIG. 5A, a region surrounded by the lower dotted line is one unit of the second EBG structure 42. This one unit is regularly arranged.

第2のEBG構造体42の上部には、第1のEBG構造体12が設けられる。図5(a)中、上側の点線で囲まれた領域が、第1のEBG構造体12の1ユニットとなる。この1ユニットが規則的に配置される構成となっている。   The first EBG structure 12 is provided above the second EBG structure 42. In FIG. 5A, a region surrounded by the upper dotted line is one unit of the first EBG structure 12. This one unit is regularly arranged.

図5(b)は、本実施の形態の第2のEBG構造体の模式斜視図である。第2のEBG構造体42は、第1の導電体で形成される電極部50と、電極部50に略平行に設けられ第2の導電体で形成されるパッチ部52とを備える。また、電極部20とパッチ部22との間に設けられる絶縁層24を備える。第2のEBG構造体42は、いわゆる、ビアレスのモザイク構造である。   FIG. 5B is a schematic perspective view of the second EBG structure according to the present embodiment. The second EBG structure 42 includes an electrode portion 50 formed of a first conductor and a patch portion 52 provided substantially parallel to the electrode portion 50 and formed of a second conductor. In addition, an insulating layer 24 provided between the electrode portion 20 and the patch portion 22 is provided. The second EBG structure 42 is a so-called vialess mosaic structure.

電極部50は、リファレンス面であり、例えば、グラウンド面または電源面となる。電極部50は、半導体部品10がプリント配線板に実装される際に、プリント配線板のグラウンドまたは電源に接続される。第1の導電体は、例えば、アルミニウム(Al)または金(Au)等の金属である。   The electrode unit 50 is a reference surface, for example, a ground surface or a power supply surface. The electrode unit 50 is connected to the ground or power supply of the printed wiring board when the semiconductor component 10 is mounted on the printed wiring board. The first conductor is, for example, a metal such as aluminum (Al) or gold (Au).

パッチ部52は、第2の導電体で形成される。第2の導電体は、例えば、アルミニウム(Al)または金(Au)等の金属である。パッチ部52の形状は、特に限定されるものではなく、四角形、円形、その他の形状であってもかまわない。また、例えばパッチ部52間がブリッジラインで接続される構造であってもかまわない。   The patch part 52 is formed of a second conductor. The second conductor is a metal such as aluminum (Al) or gold (Au), for example. The shape of the patch part 52 is not particularly limited, and may be a quadrangle, a circle, or other shapes. Further, for example, the patch sections 52 may be connected by a bridge line.

パッチ部52のサイズは、所望の遮断帯域(ストップバンド領域)を得るために最適化される。パッチ部52のサイズは、半導体部品のサイズを小さくする観点から、10mm角以下であることが望ましい。   The size of the patch unit 52 is optimized to obtain a desired stop band (stop band region). The size of the patch portion 52 is desirably 10 mm square or less from the viewpoint of reducing the size of the semiconductor component.

絶縁層24は、例えば、有機樹脂である。   The insulating layer 24 is, for example, an organic resin.

本実施の形態の半導体部品300では、半導体デバイス10の動作周波数が、第2のEBG構造体42の遮断帯域内にあるよう構成されている。したがって、第2のEBG構造体42が、特に半導体デバイス10の動作に有害な周波数帯域を遮断するストップバンドフィルタとして機能する。   The semiconductor component 300 of the present embodiment is configured such that the operating frequency of the semiconductor device 10 is within the cutoff band of the second EBG structure 42. Therefore, the second EBG structure 42 functions as a stop band filter that cuts off a frequency band that is particularly harmful to the operation of the semiconductor device 10.

回路基板に半導体部品300を実装する場合、例えば、第1のEBG構造体12のリファレンス面である電極部20が、プリント配線板のグラウンド面と電気的に接続される。そして第2のEBG構造体のリファレンス面である電極部50も、例えば、プリント配線板のグラウンド面と接続される。   When the semiconductor component 300 is mounted on the circuit board, for example, the electrode unit 20 that is the reference surface of the first EBG structure 12 is electrically connected to the ground surface of the printed wiring board. And the electrode part 50 which is a reference surface of a 2nd EBG structure is also connected with the ground surface of a printed wiring board, for example.

例えば、半導体部品300中の半導体デバイス10の動作周波数と、この半導体部品300が実装される回路基板の動作周波数(伝送周波数)が異なる場合がある。このような場合、半導体デバイス10の動作に対して有害な電磁波の周波数と、回路基板の動作に対して有害な電磁波の周波数とが異なる。   For example, the operating frequency of the semiconductor device 10 in the semiconductor component 300 may be different from the operating frequency (transmission frequency) of the circuit board on which the semiconductor component 300 is mounted. In such a case, the frequency of electromagnetic waves harmful to the operation of the semiconductor device 10 is different from the frequency of electromagnetic waves harmful to the operation of the circuit board.

本実施の形態によれば、第1のEBG構造体12が、回路基板200の動作周波数(伝送周波数)を遮断することで、回路基板の動作に有害な周波数を遮断するストップバンドフィルタとして機能する。加えて、第2のEBG構造体42が、半導体デバイス10の動作周波数を遮断することで、半導体デバイス10の動作に有害な周波数帯域を遮断するストップバンドフィルタとして機能する。   According to the present embodiment, the first EBG structure 12 functions as a stop band filter that blocks a frequency harmful to the operation of the circuit board by blocking the operating frequency (transmission frequency) of the circuit board 200. . In addition, the second EBG structure 42 functions as a stopband filter that blocks a frequency band harmful to the operation of the semiconductor device 10 by blocking the operating frequency of the semiconductor device 10.

したがって、回路基板の動作の安定化および小型化が図れるとともに、半導体デバイス10の動作の安定化を図ることが可能となる。第1のEBG構造体12と第2のEBG構造体42が、半導体デバイス10を金属筐体で覆う場合に金属筐体が担っていた半導体デバイス10の物理的保護と半導体デバイス10に対する有害電磁波の遮断の機能を担うことになる。さらに、第1のEBG構造体が回路基板に対する有害電磁波の遮断の機能を備えることになる。   Therefore, the operation of the circuit board can be stabilized and downsized, and the operation of the semiconductor device 10 can be stabilized. When the first EBG structure 12 and the second EBG structure 42 cover the semiconductor device 10 with a metal casing, physical protection of the semiconductor device 10 carried by the metal casing and harmful electromagnetic waves on the semiconductor device 10 are generated. It will be responsible for the blocking function. Further, the first EBG structure has a function of blocking harmful electromagnetic waves with respect to the circuit board.

このように、本実施の形態の半導体部品300およびこれを実装する回路基板は、半導体部品内部、半導体部品外部の回路基板それぞれに有害な電磁波を遮断することを可能する。   As described above, the semiconductor component 300 and the circuit board on which the semiconductor component 300 according to the present embodiment is mounted can block harmful electromagnetic waves inside the semiconductor component and the circuit board outside the semiconductor component.

なお、第2のEBG構造体42が、プリント配線板の電源面と接続されてもかまわない。あるいは、例えば、第1のEBG構造体をプリント配線板の電源面に接続して回路基板の電源を安定化させ、第2のEBG構造体をプリント配線板のグラウンド面に接続して半導体デバイスのグラウンドを安定化させる構成としてもかまわない。   Note that the second EBG structure 42 may be connected to the power supply surface of the printed wiring board. Alternatively, for example, the first EBG structure is connected to the power supply surface of the printed wiring board to stabilize the power supply of the circuit board, and the second EBG structure is connected to the ground surface of the printed wiring board to It may be configured to stabilize the ground.

また、第2のEBG構造体52がビアレスのモザイク構造である場合を例に説明した。構造を簡易にする観点からは、この構造が望ましいが、例えば、マッシュルーム構造等、その他の構造を適用することも可能である。   Further, the case where the second EBG structure 52 has a vialess mosaic structure has been described as an example. This structure is desirable from the viewpoint of simplifying the structure, but other structures such as a mushroom structure can also be applied.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、回路基板、半導体部品等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる回路基板、半導体部品等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. The above embodiment is merely given as an example, and does not limit the present invention. In the description of the embodiment, the description of the circuit board, the semiconductor component, etc. that is not directly necessary for the description of the present invention is omitted, but the elements related to the required circuit board, the semiconductor component, etc. Can be appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての回路基板、半導体部品が、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。   In addition, all circuit boards and semiconductor components that include the elements of the present invention and can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention. The scope of the present invention is defined by the appended claims and equivalents thereof.

10 半導体デバイス
12 第1のEBG構造体
20 電極部
22 パッチ部
24 絶縁層
26 ビア
30 プリント配線板
38 グラウンド面
40 電源面
50 第2のEBG構造体
100 半導体部品
200 回路基板
300 半導体部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor device 12 1st EBG structure 20 Electrode part 22 Patch part 24 Insulating layer 26 Via 30 Printed wiring board 38 Ground surface 40 Power supply surface 50 2nd EBG structure 100 Semiconductor component 200 Circuit board 300 Semiconductor component

Claims (3)

複数の電子部品がプリント配線板に実装される回路基板であって、
前記プリント配線板に実装される半導体デバイスと、前記半導体デバイスに対し前記プリント配線板の反対側に設けられる第1のEBG構造体とを備え、
前記半導体デバイスの動作周波数が、前記第1のEBG構造体の遮断帯域外にあり、
前記第1のEBG構造体が前記プリント配線板のグラウンドまたは電源に接続され、
前記回路基板の動作周波数が、前記第1のEBG構造体の遮断帯域内にあり、
前記第1のEBG構造体が、
第1の導電体で形成される電極部と、
前記電極部に略平行に設けられ第2の導電体で形成され10mm角以下のパッチ部と、
前記電極部と前記パッチ部との間に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層内の前記パッチ部と前記電極部との間に設けられ、前記パッチ部と前記電極部とに接続されるビアと、
を備えるマッシュルーム構造であることを特徴とする回路基板。
A circuit board on which a plurality of electronic components are mounted on a printed wiring board,
A semiconductor device mounted on the printed wiring board, and a first EBG structure provided on the opposite side of the printed wiring board with respect to the semiconductor device,
An operating frequency of the semiconductor device is outside a cutoff band of the first EBG structure;
The first EBG structure is connected to a ground or a power source of the printed wiring board;
An operating frequency of the circuit board is within a cutoff band of the first EBG structure;
The first EBG structure is
An electrode portion formed of a first conductor;
A patch part that is provided substantially parallel to the electrode part and is formed of a second conductor and is 10 mm square or less;
An insulating layer provided between the electrode portion and the patch portion;
A via provided between the patch portion and the electrode portion in the insulating layer, and connected to the patch portion and the electrode portion;
A circuit board characterized by having a mushroom structure.
前記半導体デバイスが疑似SOCであることを特徴とする請求項1記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the semiconductor device is a pseudo SOC. 前記第1の導電体がアルミニウム(Al)または金(Au)であり、前記第2の導電体がアルミニウム(Al)または金(Au)であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の回路基板。
3. The first conductor according to claim 1, wherein the first conductor is aluminum (Al) or gold (Au), and the second conductor is aluminum (Al) or gold (Au). Circuit board.
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